KR102215935B1 - Organic light emitting display device and method for driving the same - Google Patents
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Abstract
본 실시예들은, 센싱 블록 기반의 센싱 방식을 통해 구동 트랜지스터들에 대한 특성치 편차에 대한 센싱 및 보상 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display device capable of shortening a sensing and compensation time for a characteristic value deviation of driving transistors through a sensing block-based sensing method and a driving method thereof.
Description
본 실시예들은 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display device and a driving method thereof.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, organic light emitting display devices that are in the spotlight as display devices use organic light emitting diodes (OLEDs) that emit light by themselves, so that the response speed is fast, and the contrast ratio, luminous efficiency, luminance and viewing angle are large. There is an advantage.
이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드와 이를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하여 구성된다. Each sub-pixel disposed on the organic light-emitting display panel of the organic light-emitting display device basically includes an organic light-emitting diode and a driving transistor that drives the organic light-emitting diode.
이러한 유기발광표시장치는, 데이터 구동부에서 출력되는 데이터 전압을 기준으로 결정된 구동 트랜지스터의 구동 전류로 유기발광다이오드의 밝기를 조절하여, 영상을 표현한다. Such an organic light emitting display device displays an image by adjusting the brightness of the organic light emitting diode using a driving current of a driving transistor determined based on a data voltage output from a data driver.
한편, 유기발광표시패널 상의 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터는, 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치를 갖는다. 이러한 구동 트랜지스터는, 구동 시간이 증가함에 따라, 열화(Degradation)가 진행되어, 고유 특성치가 변하게 된다. Meanwhile, the driving transistors in each subpixel on the organic light emitting display panel have unique characteristic values such as a threshold voltage and mobility. As the driving time increases, the driving transistor undergoes degradation, so that the intrinsic characteristic values change.
이러한 구동 트랜지스터의 열화는, 각 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 발생시켜, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 초래하여, 화상 품질을 떨어뜨릴 수 있다. Such deterioration of the driving transistor may cause a variation in characteristic values between the driving transistors in each subpixel, resulting in a variation in luminance between the subpixels, thereby degrading image quality.
따라서, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 보상해주는 기술, 즉, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 센싱하여 보상해주는 기술이 제안되었다. Accordingly, a technique for compensating for luminance deviation between subpixels, that is, a technique for sensing and compensating for characteristic value deviations between driving transistors, has been proposed.
하지만, 유기발광표시패널에 배치된 서브픽셀들의 구동 트랜지스터에 대한 특성치 편차를 센싱하는데 상당한 시간이 걸리는 문제점이 있다. 특히, 해상도가 높아짐에 따라 서브픽셀 개수가 많아짐에 따라 센싱 시간이 더욱 길어지게 된다. However, there is a problem in that it takes a considerable amount of time to sense a variation in characteristic values of the driving transistors of the subpixels arranged on the organic light emitting display panel. In particular, as the resolution increases, the sensing time becomes longer as the number of subpixels increases.
또한, 이와 같이, 특성치 편차를 센싱하는데 상당한 시간이 걸리기 때문에, 특성치 편차를 보상하기 위한 보상 프로세스(예: 데이터 보상량 연산, 데이터 변경 등)를 수행하는 시점도 그만큼 늦어져, 오랜 시간이 지난 후에야, 최종적인 특성치 편차 보상 절차(휘도 편차 보상 절차)가 마무리될 수 있다.In addition, since it takes a considerable amount of time to sense the characteristic value deviation, the timing of performing the compensation process (e.g., data compensation amount calculation, data change, etc.) to compensate for the characteristic value deviation is delayed that much, and only after a long time has passed. , The final characteristic value deviation compensation procedure (luminance deviation compensation procedure) can be completed.
이와 같은 센싱 및 보상 지연은, 고객에게 상당한 불편을 줄 수 있다. This delay in sensing and compensation may cause considerable inconvenience to customers.
또한, 센싱 및 보상이 특성치 편차가 실제로 발생한 시점에 이루어지지 않기 때문에, 센싱 및 보상이 불필요한 절차가 될 수도 있다. In addition, since sensing and compensation are not performed when the characteristic value deviation actually occurs, sensing and compensation may be unnecessary.
또한, 유기발광표시장치의 전원 오프 신호 발생 시, 센싱 및 보상이 진행되는 경우, 센싱 및 보상이 진행되는 도중에, 전원이 실제로 오프가 될 수도 있다. 이러한 경우, 전원이 실제로 오프 되기 이전에 진행된 일부 센싱 및 보상 절차는 무의미한 것이 되어 버려, 다음번에 센싱 및 보상 절차가 처음부터 다시 진행되는 단점도 있다. In addition, when sensing and compensation are performed when a power-off signal of the organic light emitting display device is generated, power may actually be turned off while sensing and compensation are in progress. In this case, some sensing and compensation procedures performed before the power is actually turned off becomes meaningless, and there is a disadvantage that the sensing and compensation procedure is performed again from the beginning next time.
또한, 특성치 편차의 정도가 그리 크지 않은 경우, 빈번하게 진행되는 센싱 및 보상은 관련 정보(예: 센싱 데이터, 문턱전압 편차, 데이터 보상량 등)를 과도하게 누적하여 저장하게 되는 단점과, 이로 인해, 화상 품질을 오히려 떨어뜨릴 수 있는 단점도 있다. In addition, if the degree of deviation of the characteristic value is not very large, sensing and compensation that is performed frequently involves excessive accumulation and storage of related information (e.g. sensing data, threshold voltage deviation, data compensation amount, etc.). , There is also a disadvantage that can lower the image quality.
본 실시예들의 목적은, 센싱 및 보상 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. An object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display device capable of shortening sensing and compensation time and a driving method thereof.
본 실시예들의 다른 목적은, 의미 없고 불필요한 센싱 및 보상 절차의 진행을 방지하는 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to provide an organic light-emitting display device and a driving method thereof that prevents unnecessary and unnecessary sensing and compensation procedures from proceeding.
일 실시예는, 다수의 데이터라인 및 다수의 게이트라인이 배치되고, 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터 구동부와, 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 타이밍 컨트롤러는, N개의 서브픽셀 행에 대응되는 N개의 신호 구간을 갖는 제1게이트구동제어신호를 게이트 구동부로 출력하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In an exemplary embodiment, a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels are disposed in a matrix type, a data driver driving a plurality of data lines, and a plurality of gate lines are provided. A gate driver to drive, and a timing controller for controlling the data driver and the gate driver, wherein the timing controller outputs a first gate driving control signal having N signal sections corresponding to N subpixel rows to the gate driver. An organic light-emitting display device can be provided.
이러한 유기발광표시장치의 타이밍 컨트롤러가 출력하는 제1게이트구동제어신호에서, N개의 서브픽셀 행에 대응되는 N개의 신호 구간 중 선택된 B(2≤B<N)개의 대표 서브픽셀 행 각각에 대응되는 신호 구간의 길이는, 나머지 서브픽셀 행들 각각에 대응되는 구간의 길이에 비해 길 수 있다. In the first gate driving control signal output from the timing controller of such an organic light emitting display device, the selected B (2≤B<N) representative subpixel rows from among N signal sections corresponding to N subpixel rows. The length of the signal section may be longer than the length of the section corresponding to each of the remaining subpixel rows.
다른 실시예는, 다수의 데이터라인 및 다수의 게이트라인이 배치되고, 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시장치의 구동방법을 제공할 수 있다. Another embodiment may provide a method of driving an organic light emitting display device in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels are disposed in a matrix type.
이러한 유기발광표시장치의 구동방법은, 다수의 서브픽셀 행에서 둘 이상의 대표 서브픽셀 행을 설정하는 단계와, 둘 이상의 대표 서브픽셀 행에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱하는 단계와, 센싱한 문턱전압 편차가 임계치 미만이면, 센싱을 종료하고, 센싱한 문턱전압 편차가 상기 임계치 이상이면, 다수의 서브픽셀 행에서 둘 이상의 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 서브픽셀 행들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱하는 단계 등을 포함할 수 있다. The driving method of the organic light emitting display device includes the steps of setting two or more representative subpixel rows in a plurality of subpixel rows, sensing a threshold voltage deviation for driving transistors in the two or more representative subpixel rows, and If the sensed threshold voltage deviation is less than the threshold value, sensing is terminated, and if the sensed threshold voltage deviation is greater than or equal to the threshold value, driving transistors in the remaining subpixel rows excluding at least two representative subpixel rows from a plurality of subpixel rows It may include the step of sensing a threshold voltage deviation.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 및 보상 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the exemplary embodiments described above, it is possible to provide an organic light emitting display device capable of shortening sensing and compensation time and a driving method thereof.
또한, 본 실시예들에 의하면, 의미 없고 불필요한 센싱 및 보상 절차의 진행을 방지하는 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present exemplary embodiments, it is possible to provide an organic light-emitting display device and a driving method thereof that prevents unnecessary and unnecessary sensing and compensation procedures from proceeding.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3 및 도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 픽셀 구조의 예시도이다.
도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 구조 및 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 문턱전압 보상을 위한 센싱 블록을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 방법의 흐름도이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 위한 센싱 블록 정보 테이블을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시도이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 위한 게이트 구동에 필요한 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시에서, 센싱 블록 정보가 업데이트 되기 이전의 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시에서, 센싱 블록 정보가 업데이트 된 이후의 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device according to example embodiments.
2 is an exemplary diagram of a subpixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
3 and 4 are exemplary diagrams of a pixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
5 and 6 are diagrams illustrating a sensing structure and a sensing method of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
7 is a diagram illustrating a sensing block for compensating a threshold voltage according to the present embodiments.
8 and 9 are diagrams for describing a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments.
10 is a flowchart of a sensing method based on a sensing block according to the present embodiments.
11 is a diagram illustrating a sensing block information table for a sensing block-based sensing operation according to the present embodiments.
12 is an exemplary diagram of a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments.
13 is a diagram illustrating a first gate driving control signal VSC and a second gate driving control signal VOE required for gate driving for a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments.
14 is a diagram illustrating a first gate driving control signal VSC and a second gate driving control signal VOE before sensing block information is updated in an example of a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments. .
15 is a diagram illustrating a first gate driving control signal VSC and a second gate driving control signal VOE after sensing block information is updated in an example of a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments. .
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, the same elements may have the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof may be omitted.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the constituent elements of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b) may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the nature, order, order, or number of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to that other component, but other components between each component It is to be understood that is "interposed", or that each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130) 및 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light
유기발광표시패널(110)에는, C(C는 컬러 개수로서 3 또는 4)*M(M은 1 이상의 자연수)개의 데이터 라인(DL 1, DL 2, ... , DL C*M)이 배치되고, N(N은 1 이상의 자연수)개의 게이트 라인(GL 1, ... , GL N)이 배치되면, (C*M)*N개의 서브픽셀(SP: Sub-Pixel)이 배치될 수 있다. On the organic light-
한편, 유기발광표시패널(110)에는, 서브픽셀 구조에 따라, N(N은 1 이상의 자연수)개의 게이트 라인(GL 1', ... , GL N')이 더 배치될 수 있다. Meanwhile, N (N is a natural number of 1 or more)
이와 같이, N개의 게이트 라인(GL 1', ... , GL N')이 더 배치되는 경우에도, 서브픽셀 개수는, (C*M)*N개로 동일할 수 있으며, 이 경우, 하나의 서브픽셀에 2개의 게이트 라인이 연결되는 것이다. In this way, even when N gate lines (GL 1', ..., GL N') are further arranged, the number of subpixels may be the same as (C*M)*N. In this case, one Two gate lines are connected to the subpixel.
데이터 구동부(120)는, C*M개의 데이터 라인(DL 1, DL 2, ... , DL C*M)을 구동한다. The
게이트 구동부(130)는, N 또는 2N개의 게이트 라인(GL 1, ... , GL N, 또는 GL 1, ... , GL N, GL 1', ... , GL N')을 순차적으로 구동한다. The
타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어한다. The
타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 호스트 시스템(미도시)에서 입력되는 영상데이터를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 데이터(Data)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
게이트 구동부(130)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 게이트 라인들로 순차적으로 공급하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다. The
게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이, 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 양측에 위치할 수도 있다. The
또한, 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver IC)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated mated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. In addition, the
위에서 언급한 다수의 게이트 드라이버 집적회로 각각은 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다. Each of the plurality of gate driver integrated circuits mentioned above may include a shift register, a level shifter, and the like.
데이터 구동부(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인들로 공급함으로써, 데이터 라인들을 구동한다. When a specific gate line is opened, the
데이터 구동부(120)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver IC, 데이터 드라이버 집적회로(Data Driver IC)라고도 함)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. The
위에서 언급한 다수의 소스 드라이버 집적회로 각각은, 쉬프트 레지스터, 래치, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter), 출력 버터 등을 포함하고, 경우에 따라서, 서브픽셀 보상을 위해 아날로그 전압 값을 센싱하여 디지털 값으로 변환하고 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each of the plurality of source driver integrated circuits mentioned above includes a shift register, a latch, a digital analog converter (DAC), an output butter, etc., and in some cases, sensing an analog voltage value for subpixel compensation It may further include an analog digital converter (ADC) for converting into digital values and generating and outputting sensing data.
다수의 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 다수의 소스 드라이버 집적회로 각각에서, 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시패널(110)에 본딩된다. A plurality of source driver integrated circuits may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In each of the plurality of source driver integrated circuits, one end is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the
한편, 위에서 언급한 호스트 시스템은 입력 영상의 영상데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 타이밍 컨트롤러(140)로 전송한다. Meanwhile, the host system mentioned above includes a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE) signal, and a clock signal (CLK), along with the image data of the input image. Various timing signals are transmitted to the
타이밍 컨트롤러(140)는, 호스트 시스템으로부터 입력된 영상데이터(Data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터(Data)를 출력하는 것 이외에, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)로 출력한다. In addition to converting the image data Data input from the host system according to the data signal format used by the
예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동부(130)를 구성하는 게이트 드라이버 집적회로들의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 게이트 드라이버 집적회로들에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 게이트 드라이버 집적회로들의 타이밍 정보를 지정하고 있다. For example, in order to control the
타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Souce Output Enable) 등을 포함하는 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동부(120)를 구성하는 소스 드라이버 집적회로들의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로들 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동부(120)의 출력 타이밍을 제어한다. 경우에 따라서, 데이터 구동부(120)에 입력된 영상데이터(Data)가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스 규격에 따라 전송된다면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다. In order to control the
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는, 표시패널(110), 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이러한 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)라고도 한다. Referring to FIG. 1, the
전술한 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 유기발광표시패널(110)에 배치된 C*M*N개의 서브픽셀(SP) 각각에는, 1개의 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 구동하기 위한 구동 회로로서, 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor), 스캔신호에 의해 해당 행(Row)이 선택되면, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터 전압을 인가해주기 위한 스위칭 트랜지스터(Switching Transistor)와, 데이터전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 역할을 하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 기본적으로 포함하여 구성된다. In each of the C*M*N subpixels SP arranged on the organic light emitting
즉, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 각 서브픽셀은, 2개 이상의 트랜지스터와 1개 이상의 캐패시터를 포함하여 구성된다. That is, each subpixel of the organic light emitting
한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)는, 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(Mobility) 등의 고유 특성치를 가지고 있다. Meanwhile, the driving transistor DRT in each subpixel has intrinsic characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and mobility.
이러한 구동 트랜지스터(DRT)는, 구동 시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation)가 진행되어, 고유 특성치도 변하게 된다.As the driving time of the driving transistor DRT increases, degradation proceeds, and the inherent characteristic value also changes.
따라서, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 고유 특성치 편차가 발생하고, 이로 인해, 각 서브픽셀 간의 휘도 편차가 초래될 수 있다. Accordingly, a variation in characteristic values between the driving transistors DRT in each subpixel may occur, and thus, a variation in luminance between each subpixel may occur.
이러한 각 서브픽셀 간의 휘도 편차는, 유기발광표시패널(110)에서의 휘도 불균일 현상을 야기시켜, 화상 품질을 크게 떨어뜨릴 수 있다. The luminance deviation between each sub-pixel may cause a luminance non-uniformity phenomenon in the organic light emitting
따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 고유 특성치를 센싱하여, 고유 특성치 편차를 파악하고, 이러한 고유 특성치 편차를 보상해주는 기술을 제공한다. Accordingly, the organic light emitting
아래에서는, 이러한 고유 특성치 편차 보상 기술에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, a technique for compensating for such an intrinsic characteristic value will be described in more detail.
단, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 고유 특성치 편차 보상 기술로서 문턱전압 편차 보상 기술에 대하여 설명하고, 각 서브픽셀이, 1개의 유기발광다이오드(OLED), 3개의 트랜지스터 및 1개의 캐패시터를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 되어 있는 경우를 예로 들어 설명한다. However, below, for convenience of explanation, a threshold voltage deviation compensation technology is described as a unique characteristic value deviation compensation technology, and each subpixel includes one organic light emitting diode (OLED), three transistors, and one capacitor. An example of a 3T (Transistor) 1C (Capacitor) structure will be described.
먼저, 3T1C 구조의 서브픽셀에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. First, a subpixel having a 3T1C structure will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary diagram of a subpixel structure of the organic light emitting
도 2를 참조하면, 각 서브픽셀은, 1개의 유기발광다이오드(OLED) 이외에, 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(T1), 센싱 트랜지스터(T2)를 포함하는 3개의 트랜지스터, 그리고, 1개의 스토리지 캐패시터(Cstg)를 포함하여 구성된 3T1C 구조로 되어 있다. Referring to FIG. 2, each subpixel includes, in addition to one organic light emitting diode (OLED), three transistors including a driving transistor (DRT), a switching transistor (T1), and a sensing transistor (T2), and one storage. It has a 3T1C structure including a capacitor (Cstg).
도 2에 예시된 서브픽셀 구조는, 구동 트랜지스터(DRT)의 고유 특성치(예: 문턱전압, 이동도)의 편차를 보상해주기 위하여, 센싱 및 보상 기능이 적용된 구조의 예시도이다. The sub-pixel structure illustrated in FIG. 2 is an exemplary diagram of a structure to which a sensing and compensation function is applied to compensate for a deviation in characteristic values (eg, threshold voltage and mobility) of the driving transistor DRT.
구동 트랜지스터(DRT)의 고유 특성치 편차 보상은, 서브픽셀의 휘도 편차 보상과 동일한 의미로 사용되고, 또한, 휘도 편차 보상을 위해서는 서브픽셀로 공급할 데이터를 변경해야 하므로, "데이터 보상"과도 동일한 의미로 사용된다. 즉, 트랜지스터 특성치 편차 보상, 휘도 편차 보상, 데이터 보상 및 픽셀 보상 등은 모두 동일한 의미로 사용된다. Intrinsic characteristic value deviation compensation of the driving transistor (DRT) is used in the same meaning as the luminance deviation compensation of the sub-pixel, and since the data to be supplied to the sub-pixel must be changed to compensate for the luminance deviation, it is also used in the same meaning as "data compensation" do. That is, transistor characteristic value deviation compensation, luminance deviation compensation, data compensation, and pixel compensation are all used interchangeably.
구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)는 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 게이트노드에 해당하는 제1노드(N1 노드), 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(예: 애노드 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 연결되는 제2노드(N2 노드, 예: 소스 노드 또는 드레인 노드) 및 구동전압(EVDD)을 공급하기 위한 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결되는 제3노드(N3 노드, 예: 드레인 노드 또는 소스 노드)를 갖는다. A driving transistor (DRT) is a transistor that drives an organic light-emitting diode (OLED), a first node (N1 node) corresponding to a gate node, and a first electrode of the organic light-emitting diode (OLED) (for example, an anode electrode or A third node electrically connected to a second node (N2 node, for example, a source node or drain node) electrically connected to a drain electrode) and a driving voltage line (DVL) for supplying a driving voltage (EVDD). It has a node (N3 node, eg drain node or source node).
스위칭 트랜지스터(T1)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트노드에 해당하는 N1 노드에 데이터 전압(Vdata)을 인가해주기 위한 트랜지스터로서, 해당 게이트라인(GL)을 통해 게이트노드에 인가된 스캔신호(SCAN)에 의해 제어되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트노드에 해당하는 N1 노드와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된다. The switching transistor T1 is a transistor for applying a data voltage Vdata to a node N1 corresponding to a gate node of the driving transistor DRT, and the scan signal SCAN applied to the gate node through the corresponding gate line GL ), and is electrically connected between the N1 node corresponding to the gate node of the driving transistor DRT and the data line DL.
스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)는 구동 트랜지스터(DRT)의 N1 노드와 N2 노드 사이에 전기적으로 연결되어, 한 프레임 시간 동안, 일정 전압을 유지하는 역할을 한다. A storage capacitor (Cstg) is electrically connected between nodes N1 and N2 of the driving transistor DRT, and serves to maintain a constant voltage for one frame time.
센싱 트랜지스터(T2)는, 해당 게이트 라인(GL')에서 게이트노드에 인가된 스캔신호의 일종인 센스신호(SENSE)에 의해 제어되며, 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line)과 구동 트랜지스터(DRT)의 N2 노드 사이에 전기적으로 연결된다. The sensing transistor T2 is controlled by a sense signal SENSE, which is a type of scan signal applied to the gate node from the corresponding gate line GL', and a reference voltage line that supplies a reference voltage (Vref) ( It is electrically connected between the RVL: Reference Voltage Line) and the N2 node of the driving transistor (DRT).
한편, 유기발광표시장치(100)는, 기준전압 라인(RVL)의 일 측에 연결된 스위치(SW)와, 이 스위치(SW)의 스위칭 동작에 의해, 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결될 수 있는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the organic light emitting
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 다수의 서브픽셀 각각에서의 센싱노드의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 토대로 센싱 데이터를 생성하여 타이밍 컨트롤러(140)로 전송하는 센싱 프로세스를 수행한다. 여기서, 센싱 노드는, 구동트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱할 수 있는 노드로서, 구동트랜지스터(DRT)의 N2 노드일 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) senses a voltage of a sensing node in each of a plurality of subpixels, generates sensing data based on the sensed voltage, and transmits the sensing data to the
스위치(SW)는, 스위칭 타이밍 제어 신호에 따라, 기준전압 공급노드(210) 또는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 연결된 노드(220)를 기준전압 라인(RVL)에 연결된 노드(230)와 연결해줄 수 있다. The switch SW may connect the reference
스위치(SW)가, 스위칭 타이밍 제어 신호에 따라, 기준전압 공급노드(210)를 기준전압 라인(RVL)에 연결된 노드(230)와 연결해주면, 기준전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)에 공급되도록 하여, 턴 온 된 센싱 트랜지스터(T2)를 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 N2 노드에 기준전압(Vref)이 인가되도록 해줄 수 있다. When the switch SW connects the reference
스위치(SW)가, 스위칭 타이밍 제어 신호에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 연결된 노드(220)를 기준전압 라인(RVL)에 연결된 노드(230)와 연결해준 경우, 센싱부에 해당하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다 When the switch SW connects the
이때, 센싱 트랜지스터(T2)가 턴 온 된 경우, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 N2 노드의 전압을 센싱할 수 있다. In this case, when the sensing transistor T2 is turned on, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage of the node N2 of the driving transistor DRT.
이와 같이, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 전압을 센싱하는 센싱노드는, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 N2 노드일 수 있다. In this way, the sensing node through which the analog-to-digital converter (ADC) senses a voltage may be an N2 node corresponding to a source node or a drain node of the driving transistor DRT.
여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 센싱한 전압은, 데이터 라인(DL)을 통해 스위칭 트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드로 출력되어 구동 트랜지스터(DRT)의 N1 노드로 인가된 데이터전압(Vdata)과, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)으로 표현될 수 있다(센싱한 전압=Vdata-Vth). Here, the voltage sensed by the analog-to-digital converter ADC is output to the drain node or the source node of the switching transistor T1 through the data line DL and applied to the N1 node of the driving transistor DRT. ) And the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT (sensed voltage = Vdata-Vth).
따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 센싱한 전압(Vdata-Vth)과 이미 알고 있는 데이터전압(Vdata)을 이용하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 알아낼 수 있다. Accordingly, the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT can be determined using the voltage Vdata-Vth sensed by the analog-to-digital converter ADC and the known data voltage Vdata.
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 다수의 서브픽셀 각각에서의 센싱노드의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 타이밍 컨트롤러(140)로 전송하는 센싱 프로세스를 수행한다. The analog-to-digital converter (ADC) senses the voltage of a sensing node in each of a plurality of subpixels, converts the sensed voltage to a digital value, and generates sensing data including the converted digital value to the
이러한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 이용하면, 각 서브픽셀 내 센싱노드의 전압(아날로그 값)을 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 타이밍 컨트롤러(140)로 제공함으로써, 타이밍 컨트롤러(140)가 디지털 값을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 정확하게 센싱할 수 있다. When such an analog-to-digital converter (ADC) is used, the voltage (analog value) of the sensing node in each subpixel is sensed, converted into a digital value, and provided to the
여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 센싱한 전압은, 데이터전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)으로 표현될 수 있다(센싱된 전압=Vdata-Vth).Here, the voltage sensed by the analog-to-digital converter ADC may be expressed as a data voltage Vdata and a threshold voltage Vth of the driving transistor DRT (sense voltage = Vdata-Vth).
타이밍 컨트롤러(140)는, 센싱 데이터를 수신하여, 수신된 센싱 데이터를 토대로, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 알아내어, 문턱전압 편차(△Vth)를 파악할 수 있다. The
여기서, 타이밍 컨트롤러(140)는, 수신한 센싱 데이터 또는 알아낸 문턱전압 또는 파악한 문턱전압 편차에 대한 데이터를 메모리(200)에 저장해둘 수 있다. Here, the
타이밍 컨트롤러(140)는, 문턱전압 편차(△Vth)를 보상해주기 위하여, 각 서브픽셀에 대한 데이터 보상량(△Data)를 연산하고, 연산된 데이터 보상량(△Data)을 메모리(200)에 저장해둘 수 있다. The
이와 같이, 각 서브픽셀에 대한 데이터 보상량이 연산된 이후, 타이밍 컨트롤러(140)는 각 서브픽셀에 대한 데이터 보상량을 기초로, 각 서브픽셀로 공급할 데이터를 변경하여 데이터 구동부(120)로 공급해주고, 데이터 구동부(120)는 공급받은 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 서브픽셀들로 인가해줌으로써, 보상이 실제로 이루어지게 된다. In this way, after the data compensation amount for each subpixel is calculated, the
한편, 위에서 언급한 스위칭 타이밍 제어 신호는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 디스플레이 모드(Display Mode) 또는 센싱 모드(Sensing Mode)의 구동 동작에 맞게 설정해주기 위하여, 스위칭 동작(On/Off)을 제어하는 신호로서, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 출력될 수 있다. Meanwhile, the switching timing control signal mentioned above is a switching operation in order to set the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT according to the driving operation of the display mode or the sensing mode. As a signal for controlling (On/Off), it may be output from the
한편, 전술한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 데이터 구동부(120)에 포함된 다수의 소스 드라이버 집적회로 각각에 포함될 수 있다. Meanwhile, the analog-to-digital converter (ADC) described above may be included in each of a plurality of source driver integrated circuits included in the
이와 같이, 보상을 위한 센싱 구성에 해당하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 각 소스 드라이버 집적회로에 포함시켜 구성함으로써, 부품 개수를 줄일 수 있고, 데이터 구동과 연계시켜 센싱 동작을 수행할 수 있는 장점이 있다. In this way, by including the analog-to-digital converter (ADC) corresponding to the sensing configuration for compensation in each source driver integrated circuit, the number of parts can be reduced, and the sensing operation can be performed in connection with data driving. have.
한편, 기준전압 라인(RVL)은, 하나의 서브픽셀 열(Subpixel Column)마다 하나 씩 존재할 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 하나씩 존재할 수도 있다. Meanwhile, one reference voltage line RVL may exist for each subpixel column or one for each of two or more subpixel columns.
한편, 도 2를 참조하면, 각 서브픽셀에서 2개의 트랜지스터(T1, T2)의 게이트노드로 2개의 스캔신호(SCAN, SENSE)를 인가해주는 2개의 게이트라인(GL, GL')은 서로 다른 게이트라인일 수도 있고 동일한 하나의 게이트라인일 수도 있다. Meanwhile, referring to FIG. 2, two gate lines GL and GL' for applying two scan signals SCAN and SENSE to the gate nodes of two transistors T1 and T2 in each subpixel are different gates. It may be a line or the same single gate line.
만약, 각 서브픽셀에서 2개의 트랜지스터(T1, T2)의 게이트노드로 2개의 스캔신호(SCAN, SENSE)를 인가해주는 2개의 게이트라인(GL, GL')이 서로 다른 게이트라인인 경우, 도 1에 도시된 N개의 게이트 라인(GL 1, GS 2, ... , GL N) 각각은 2개의 게이트 라인을 포함하는 것으로 간주한다. If the two gate lines GL and GL' that apply two scan signals SCAN and SENSE to the gate nodes of the two transistors T1 and T2 in each subpixel are different gate lines, FIG. 1 Each of the N
예를 들어, 도 1에서, GL 1은 해당 서브픽셀 내 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트노드로 스캔신호(SCAN)를 인가해주는 게이트라인 GL 1과, 해당 서브픽셀 내 센싱 트랜지스터(T2)의 게이트노드로 센스신호(SENSE)를 인가해주는 게이트라인 GL 1'을 포함한다. For example, in FIG. 1,
도 3 및 도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 픽셀 구조의 예시도이다.3 and 4 are exemplary diagrams of a pixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
도 3 및 도 4를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에는 C*M*N개의 서브픽셀(SP)이 배치되고, C*M*N개의 서브픽셀(SP)에 의해, M*N개의 픽셀(P: Pixel)이 정의된다. 3 and 4, C*M*N subpixels SP are disposed on the organic light emitting
여기서, "C"는 서브픽셀의 컬러(Color) 개수로서, 3 또는 4이다. Here, "C" is the number of colors of subpixels, which is 3 or 4.
도 3을 참조하면, C=3인 경우, 하나의 픽셀(P)은, 적색 서브픽셀(R), 녹색 서브픽셀(G) 및 청색 서브픽셀(B)로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 3, when C=3, one pixel P may be composed of a red sub-pixel R, a green sub-pixel G, and a blue sub-pixel B.
이 경우, 유기발광표시패널(110)에는 3*M*N개의 서브픽셀(SP)이 배치되어, RGB 서브픽셀 구조의 M*N개의 픽셀(P)이 정의된다. In this case, 3*M*N subpixels SP are disposed on the organic light emitting
도 4를 참조하면, C=4인 경우, 하나의 픽셀(P)은, 적색 서브픽셀(R), 흰색 서브픽셀(W), 녹색 서브픽셀(G) 및 청색 서브픽셀(B)로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 4, when C=4, one pixel (P) is composed of a red subpixel (R), a white subpixel (W), a green subpixel (G), and a blue subpixel (B). I can.
이 경우, 유기발광표시패널(110)에는, 4*M*N개의 서브픽셀(SP)이 배치되어, RWGB 서브픽셀 구조의 M*N개의 픽셀(P)이 정의된다. In this case, 4*M*N subpixels SP are disposed on the organic light-emitting
만약, 유기발광표시패널(110)에, RWGB 서브픽셀 구조로 4*M*N개의 서브픽셀(SP)이 배치되어 있고, 4개의 서브픽셀 열마다 하나의 기준전압 라인(RVL)이 배치되어 있는 경우, 도 6과 같이, 유기발광표시패널(110)과 센싱 구조를 나타낼 수 있다. If, in the organic light-emitting
도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구조 및 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are diagrams for describing a sensing structure and a sensing method of the organic light emitting
도 5는 본 실시예들에 따른 표시장치(100)의 평면도이다. 단, 도 5는 C=4인 경우로서, RWGB 서브픽셀 구조로, 4*M*N개의 서브픽셀이 유기발광표시패널(110)에 배치되어 있다. 5 is a plan view of the
도 5를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에는, 4M개의 데이터 라인(DL 1, DL 2, ... , DL 4M), N개의 게이트 라인(GL 1, ... , GL N)이 배치되고, 4*M*N개의 서브픽셀이 배치되어, 4개의 서브픽셀(R, W, G, B)을 각각 포함하는 M*N개의 픽셀이 정의된다. Referring to FIG. 5, the organic light emitting
도 5를 참조하면, 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인이 각 픽셀 열마다 2개씩 배치될 수 있다. 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 라인(RVL)이 각 픽셀 열(4개의 서브픽셀 열)마다 1개씩 배치될 수 있다. Referring to FIG. 5, two driving voltage lines for supplying the driving voltage EVDD may be disposed for each pixel column. One reference voltage line RVL supplying the reference voltage Vref may be disposed for each pixel column (four subpixel columns).
도 5를 참조하면, 각 픽셀 열(Pixel Column)에 대응되어 배치된 2개의 구동전압 라인은, 각 픽셀 열의 양측에, 즉, 적색 서브픽셀(R)의 좌측과 청색 서브픽셀(B)의 우측에 데이터 라인 형성 방향과 평행하게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5, two driving voltage lines arranged in correspondence with each pixel column are on both sides of each pixel column, that is, the left side of the red subpixel R and the right side of the blue subpixel B. May be formed parallel to the direction in which the data line is formed.
예를 들어, P(1,1), ... , P(1,N)을 포함하는 1번째 픽셀 열에 대응되어 배치된 2개의 구동전압 라인은 DVL 1과 DVL 1'이다. P(m,1), ... , P(m,N)을 포함하는 m 번째 픽셀 열에 대응되어 배치된 2개의 구동전압 라인은 DVL m과 DVL m'이다. P(M,1), ... , P(M,N)을 포함하는 M 번째 픽셀 열에 대응되어 배치된 2개의 구동전압 라인은 DVL M과 DVL M'이다. 여기서, DVL에 붙은 숫자는 픽셀 열을 식별하는 숫자이다. For example, two driving voltage lines arranged to correspond to the first pixel column including P(1,1), ..., P(1,N) are
도 5를 참조하면, 각 픽셀 열(Pixel Column)에 대응되어 형성된 2개의 구동전압 라인 중에서, 하나의 구동전압 라인은 적색 서브픽셀(R) 및 흰색 서브픽셀(W)로 구동전압(EVDD)을 공급하고, 나머지 구동전압 라인은 녹색 서브픽셀(G) 및 청색 서브픽셀(B)로 구동전압(EVDD)을 공급할 수 있다. Referring to FIG. 5, among two driving voltage lines formed corresponding to each pixel column, one driving voltage line applies a driving voltage EVDD to a red subpixel R and a white subpixel W. The remaining driving voltage lines may supply the driving voltage EVDD to the green subpixel G and the blue subpixel B.
도 5를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에는, 4개의 서브픽셀 열(즉, 1개의 픽셀 열)과 대응되어 하나씩 존재하는 기준전압 라인(RVL 1, ... , RVL m, ... , RVL M)이 배치되어 있다. 즉, 유기발광표시패널(110)에는, M개의 기준전압 라인(RVL 1, ... , RVL m, ... , RVL M)이 존재한다. Referring to FIG. 5, in the organic light emitting
예를 들어, 각 픽셀 열에 대응되어 형성된 1개의 기준전압 라인(RVL)이 각 픽셀 열의 중간에, 즉, 흰색 서브픽셀(W)과 녹색 서브픽셀(G) 사이에 데이터 라인 형성 방향과 평행하게 형성될 수 있다. 단, 도 5에서는, 픽셀 열을 구분하기 위하여, 기준전압 라인은, RVL에 픽셀 열을 식별하는 숫자(1, ... , m, ... , M)를 붙여서 표시한다.For example, one reference voltage line RVL formed corresponding to each pixel column is formed in the middle of each pixel column, that is, parallel to the data line formation direction between the white subpixel W and the green subpixel G Can be. However, in FIG. 5, in order to distinguish the pixel column, the reference voltage line is displayed by attaching numbers (1, ..., m, ..., M) identifying the pixel column to the RVL.
도 5를 참조하면, 각 픽셀 열(Pixel Column)마다 하나씩 배치된 기준전압 라인(RVL 1, ... , RVL m, ... , RVL M)은, 적색 서브픽셀(R), 흰색 서브픽셀(W), 녹색 서브픽셀(G) 및 청색 서브픽셀(B) 모두로 기준전압(Vref)을 공급할 수 있다. Referring to FIG. 5, reference
한편, 도 5를 참조하면, M개의 기준전압 라인(RVL 1, ... , RVL m, ... , RVL M)에는 다수의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 전기적으로 연결된다. Meanwhile, referring to FIG. 5, a plurality of analog-to-digital converters (ADCs) are electrically connected to M reference voltage lines (
도 6을 참조하면, 다수의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 1번째 서브픽셀 행(GL 1로부터 스캔신호(SCAN)를 인가받는 서브픽셀들)에서, 적색 서브픽셀들을 동시에 센싱하고, 이어서, 흰색 서브픽셀들을 동시에 센싱하며, 이어서, 녹색 서브픽셀들을 동시에 센싱하고, 이어서, 청색 서브픽셀들을 동시에 센싱하고, 이와 같이, 1번째 서브픽셀 행에 대한 센싱 동작이 모두 완료되면, 2번째 서브픽셀 행(GL 2로부터 스캔신호(SCAN)를 인가받는 서브픽셀들)에 대해서도, 동일한 센싱 동작을 수행한다. Referring to FIG. 6, a plurality of analog-to-digital converters (ADCs) simultaneously sense red sub-pixels in a first sub-pixel row (sub-pixels receiving a scan signal SCAN from GL 1), and then, white The subpixels are simultaneously sensed, then the green subpixels are sensed at the same time, and the blue subpixels are sensed at the same time. As such, when the sensing operation for the first subpixel row is all completed, the second subpixel row ( The same sensing operation is also performed for subpixels receiving the scan signal SCAN from GL 2 ).
도 6을 참조하면, 다수의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 동일한 방식으로, N-1번째 서브픽셀 행(GL N-1로부터 스캔신호(SCAN)를 인가받는 서브픽셀들)에 대한 센싱 동작을 모두 수행하고, 이어서, N번째 서브픽셀 행(GL N으로부터 스캔신호(SCAN)를 인가받는 서브픽셀들)에 대한 센싱 동작을 모두 수행하게 되면, 유기발광표시패널(110)에 대한 센싱동작을 모두 완료하는 것이다. Referring to FIG. 6, a plurality of analog-to-digital converters (ADCs) perform a sensing operation for an N-1th subpixel row (subpixels receiving a scan signal SCAN from GL N-1) in the same manner. After all of the sensing operations are performed on the N-th subpixel row (subpixels receiving the scan signal SCAN from GL N), all sensing operations on the organic light emitting
따라서, 유기발광표시패널(110)에 배치된 4*M*N개의 서브픽셀을 모두 센싱하는데 걸리는 시간(Tpanel)은 "(4*Tsp)*N"이다. 여기서, Tsp는 1개의 서브픽셀을 센싱하는데 걸리는 시간으로서, 하나의 서브픽셀 행에서, 동일 색상의 서브픽셀들을 함께 센싱되기 때문에, Tsp는 하나의 서브픽셀 행에서 동일한 색상의 서브픽셀들을 모두 센싱하는데 걸리는 시간이라고도 할 수 있다. N은 서브픽셀 행의 개수로서, 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트노드로 스캔신호(SCAN)를 공급하는 게이트라인들의 개수이다. Accordingly, the time Tpanel for sensing all 4*M*N subpixels arranged on the organic light emitting
전술한 바와 같은 센싱 동작에 따라, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압을 센싱하여 문턱전압 편차를 알아내기 위해서는, 상당한 오래 시간(대략 수분 내지 수십 분 정도)이 필요할 수 있다. According to the above-described sensing operation, in order to detect the threshold voltage deviation by sensing the threshold voltages for the driving transistors DRT in all subpixels disposed on the organic light emitting
또한, 문턱전압 편차를 알아내는데 상당한 시간이 걸리기 때문에, 문턱전압 편차를 보상하기 위한 보상 프로세스(예: 데이터 보상량 연산, 데이터 변경 등)를 수행하는 시점도 그만큼 늦어져, 오랜 시간이 지난 후에야, 최종적인 보상 절차가 마무리될 수 있다.In addition, since it takes a considerable time to find out the threshold voltage deviation, the timing of performing the compensation process (e.g., data compensation amount calculation, data change, etc.) to compensate for the threshold voltage deviation is delayed that much, and only after a long period of time has passed. The final compensation process can be concluded.
이와 같은 센싱 및 보상 지연은, 고객에게 상당한 불편을 줄 수 있다. This delay in sensing and compensation may cause considerable inconvenience to customers.
또한, 센싱 및 보상이 문턱전압 편차가 실제로 발생한 시점에 이루어지지 않기 때문에, 센싱 및 보상이 불필요한 절차가 될 수도 있다. In addition, since sensing and compensation are not performed when the threshold voltage deviation actually occurs, sensing and compensation may be unnecessary.
또한, 유기발광표시장치(100)의 전원 오프 신호 발생 시, 센싱 및 보상이 진행되는 경우, 센싱 및 보상이 진행되는 도중에, 전원이 실제로 오프가 될 수도 있다. 이러한 경우, 전원이 실제로 오프 되기 이전에 진행된 일부 센싱 및 보상 절차는 무의미한 것이 되어 버려, 다음번에 센싱 및 보상 절차가 처음부터 다시 진행되는 단점도 있다. In addition, when sensing and compensation are performed when a power-off signal of the organic light-emitting
또한, 문턱전압 편차의 정도가 그리 크지 않은 경우, 빈번하게 진행되는 센싱 및 보상은 관련 정보(예: 센싱 데이터, 문턱전압 편차, 데이터 보상량 등)를 과도하게 누적하여 저장하게 되는 단점과, 이로 인해, 화상 품질을 오히려 떨어뜨릴 수 있는 단점도 있다. In addition, when the degree of the threshold voltage deviation is not very large, the frequent sensing and compensation is a disadvantage of excessively accumulating and storing related information (e.g., sensing data, threshold voltage deviation, data compensation amount, etc.). For this reason, there is also a disadvantage in that the image quality may be rather deteriorated.
이에, 본 실시예들은, 전술한 센싱 및 보상 방법의 단점들을 극복하여, 센싱 및 보상 시간은 크게 줄이고, 무의미한 센싱 및 보상 절차는 최소화할 수 있는 센싱 블록 기반의 센싱 방법을 제공한다. Accordingly, the present embodiments provide a sensing block-based sensing method capable of greatly reducing sensing and compensation time and minimizing meaningless sensing and compensation procedures by overcoming the disadvantages of the above-described sensing and compensation method.
본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 방법에 따르면, 다수의 서브픽셀 행 전체에서의 구동 트랜지스터들의 특성치를 센싱하는 것이 아니라, 다수의 서브픽셀 행 중에서 선택된 둘 이상의 대표 서브픽셀 행에서의 구동 트랜지스터들에 대한 특성치 편차(예: 문턱전압 편차)를 센싱하고, 이렇게 센싱한 문턱전압 편차가 임계치 미만이면, 센싱을 종료하고, 센싱한 문턱전압 편차가 임계치 이상인 경우에만, 다수의 서브픽셀 행에서 둘 이상의 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 서브픽셀 행들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱한다. According to the sensing block-based sensing method according to the present embodiments, the driving transistors in two or more representative subpixel rows selected from among a plurality of subpixel rows are not sensed, rather than sensing characteristic values of the driving transistors in the entire plurality of subpixel rows Sensing the characteristic value deviation (e.g., threshold voltage deviation) for each field, and if the sensed threshold voltage deviation is less than the threshold value, the sensing is terminated, and only when the sensed threshold voltage deviation is greater than the threshold value, two subpixel rows are Threshold voltage deviation of the driving transistors in the remaining subpixel rows except for the representative subpixel row above is sensed.
아래에서는, 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 방법을 도 7 내지 도 15를 참조하여 설명한다. Hereinafter, a sensing method based on a sensing block according to the present embodiments will be described with reference to FIGS. 7 to 15.
도 7은 본 실시예들에 따른 문턱전압 보상을 위한 센싱 블록을 나타낸 도면이다. 도 8 및 도 9는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 설명하기 위한 도면이다. 7 is a diagram illustrating a sensing block for compensating a threshold voltage according to the present embodiments. 8 and 9 are diagrams for describing a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments.
도 7을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 문턱전압 보상을 위하여, 센싱 블록 기반의 센싱 방법을 제공한다. Referring to FIG. 7, the organic light emitting
이를 위해, 도 7에 도시된 바와 같이, 유기발광표시패널(110)에 배치된 N개의 서브픽셀 행들을 L(2≤L<N)개씩 묶어서 B(B: 2≤B<N의 자연수, N: 서브픽셀 행 개수 또는 게이트라인 개수)개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #(B-1))으로 그룹화시킨다. To this end, as shown in FIG. 7, N subpixel rows arranged on the organic light emitting
여기서, B는 센싱 블록의 개수이고, L은 하나의 센싱 블록 내 서브픽셀 행의 개수이다. Here, B is the number of sensing blocks, and L is the number of subpixel rows in one sensing block.
도 7을 참조하면, B개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #(B-1)) 각각은, L개의 서브픽셀 행을 포함한다. Referring to FIG. 7, each of B sensing blocks (
여기서, L개의 서브픽셀 행은 L개의 게이트라인(GL)과 대응된다.Here, the L subpixel rows correspond to the L gate lines GL.
즉, L개의 서브픽셀 행 각각은, 하나의 게이트라인(GL)으로부터 스캔신호(SCAN)를 공급받는 동일한 행에 배치된 서브픽셀들의 집합으로서, 다수의 적색 서브픽셀(R), 다수의 흰색 서브픽셀(W), 다수의 녹색 서브픽셀(G) 및 다수의 청색 서브픽셀(B)을 포함한다. That is, each of the L subpixel rows is a set of subpixels arranged in the same row receiving the scan signal SCAN from one gate line GL, and includes a plurality of red subpixels R and a plurality of white subpixels. A pixel W, a plurality of green subpixels G, and a plurality of blue subpixels B are included.
도 7을 참조하면, SB #0은, L개의 서브픽셀 행을 포함한다. Referring to FIG. 7,
L개의 서브픽셀 행은 L*0+1, L*0+2, ... , L*0+L로 식별될 수 있다. The L subpixel rows may be identified as L*0+1, L*0+2, ..., L*0+L.
또한, L개의 서브픽셀 행은 L개의 게이트라인(GL)과 대응될 수 있다. Also, the L subpixel rows may correspond to the L gate lines GL.
따라서, L개의 서브픽셀 행에 대응되는 L개의 게이트라인(GL)도, L*0+1, L*0+2, ... , L*0+L의 식별정보(ID: Identifier)로 식별될 수 있다. Therefore, L gate lines (GL) corresponding to L subpixel rows are also identified by L*0+1, L*0+2, ..., L*0+L identification information (ID: Identifier). Can be.
여기서, L개의 게이트라인(GL)은, 도 2의 서브픽셀 구조를 갖고, L*0+1 번째 서브픽셀 행, L*0+2 번째 서브픽셀 행, ... , L*0+L 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에 배치된 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트노드로 스캔신호(SCAN)를 공급하는 게이트라인이다. Here, the L gate lines GL have the subpixel structure of FIG. 2, and L*0+1 th subpixel row, L*0+2 th subpixel row, ..., L*0+L sub This is a gate line that supplies the scan signal SCAN to the gate node of the switching transistor T1 disposed in the subpixels in the pixel row.
도 7을 참조하면, SB #1도, L개의 서브픽셀 행을 포함한다. Referring to FIG. 7,
L개의 서브픽셀 행은 L*1+1, L*1+2, ... , L*1+L로 식별될 수 있다. The L subpixel rows may be identified as L*1+1, L*1+2, ..., L*1+L.
또한, L개의 서브픽셀 행은 L개의 게이트라인(GL)과 대응될 수 있다. Also, the L subpixel rows may correspond to the L gate lines GL.
따라서, L개의 서브픽셀 행에 대응되는 L개의 게이트라인(GL)도, L*1+1, L*1+2, ... , L*1+L의 식별정보(ID)로 식별될 수 있다. Accordingly, the L gate lines GL corresponding to the L subpixel rows can also be identified with the identification information (ID) of L*1+1, L*1+2, ..., L*1+L. have.
여기서, L개의 게이트라인(GL)은, 도 2의 서브픽셀 구조를 갖고, L*1+1 번째 서브픽셀 행, L*1+2 번째 서브픽셀 행, ... , L*1+L 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에 배치된 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트노드로 스캔신호(SCAN)를 공급하는 게이트라인이다. Here, the L gate lines GL have the subpixel structure of FIG. 2, and the L*1+1th subpixel row, L*1+2th subpixel row, ..., L*1+L subpixels This is a gate line that supplies the scan signal SCAN to the gate node of the switching transistor T1 disposed in the subpixels in the pixel row.
도 7을 참조하면, SB #(B-1)도, L개의 서브픽셀 행을 포함한다. Referring to FIG. 7, SB #(B-1) also includes L subpixel rows.
L개의 서브픽셀 행은 L*(B-1)+1, L*(B-1)+2, ... , L*(B-1)+L의 식별정보(ID: Identifier)로 식별될 수 있다. L subpixel rows can be identified by ID: L*(B-1)+1, L*(B-1)+2, ..., L*(B-1)+L. I can.
또한, L개의 서브픽셀 행은 L개의 게이트라인(GL)과 대응된다. Also, the L subpixel rows correspond to the L gate lines GL.
따라서, L개의 서브픽셀 행에 대응되는 L개의 게이트라인(GL)도, L*(B-1)+1, L*(B-1)+2, ... , L*(B-1)+L의 식별정보(ID)로 식별될 수 있다. Therefore, L gate lines GL corresponding to L subpixel rows are also L*(B-1)+1, L*(B-1)+2, ..., L*(B-1) It can be identified with the identification information (ID) of +L.
여기서, L개의 게이트라인(GL)은, 도 2의 서브픽셀 구조를 갖고, L*(B-1)+1 번째 서브픽셀 행, L*(B-1)+2 번째 서브픽셀 행, ... , L*(B-1)+L 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에 배치된 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트노드로 스캔신호(SCAN)를 공급하는 게이트라인이다. Here, the L gate lines GL have the subpixel structure of FIG. 2, and L*(B-1)+1 th subpixel row, L*(B-1)+2 th subpixel row, .. ., L*(B-1)+L This is a gate line that supplies the scan signal SCAN to the gate node of the switching transistor T1 disposed in the subpixels in the subpixel row.
이하에서는, 도 7과 같은 센싱 블록 기반의 센싱 방법을 예시적으로 설명한다. 예시적인 설명을 위해, UDD 해상도를 예로 들어, 서브픽셀 행 개수(=게이트라인 개수) N이 2160인 것으로 가정하고, 센싱 블록 개수 B가 135이고, 한 센싱 블록 내 서브픽셀 행 개수(즉, 한 센싱 블록에서의 게이트라인 개수) L이 16인 것으로 예를 든다. Hereinafter, a sensing method based on a sensing block as illustrated in FIG. 7 will be described as an example. For illustrative purposes, taking UDD resolution as an example, assume that the number of subpixel rows (= number of gate lines) N is 2160, the number of sensing blocks B is 135, and the number of subpixel rows in one sensing block (i.e., one For example, the number of gate lines in the sensing block) L is 16.
도 8을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀들, 즉, 모드 서브픽셀 행들에 대한 센싱 동작을 수행하는 것이 아니라, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중에서 1개의 대표 서브픽셀 행에 대해서만 센싱 동작을 수행함으로써, 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 수행한다. Referring to FIG. 8, the organic light emitting
도 8을 참조하면, SB #0에서는, 식별정보(ID)가 16*0+1인 대표 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱한다. SB #1에서는, 식별정보(ID)가 16*1+2인 대표 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱한다. SB #134에서는, 식별정보(ID)가 16*134+16인 대표 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱한다. Referring to FIG. 8, in
이와 같이, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중에서 하나의 대표 서브픽셀 행에 대해서만 센싱을 수행한 이후, 135개의 대표 서브픽셀 행(ID: 16*0+1, 16*1+2, ... , 16*134+16) 각각에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차(△Vth)가 미리 설정한 임계치보다 작으면, 유기발광표시패널(110)에 대한 센싱 및 보상 절차를 마무리하게 된다. 이때, 각 대표 서브픽셀 행에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차(△Vth)를 보상해주기 위한 데이터 보상량을 연산할 수도 있고, 문턱전압 편차(△Vth)가 매우 작은 경우, 데이터 보상량을 연산하지 않을 수도 있다. As described above, the organic light emitting
만약, 135개의 대표 서브픽셀 행(ID: 16*0+1, 16*1+2, ... , 16*134+16) 각각에 속한 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차(△Vth)가 미리 설정한 임계치 이상인 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 135개의 대표 서브픽셀 행(ID: 16*0+1, 16*1+2, ... , 16*134+16) 이외에, 나머지의 모든 서브픽셀 행에 대해서도 센싱을 수행하여, 유기발광표시패널(110)의 모든 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차(△Vth)를 파악하여, 이를 토대로, 모든 서브픽셀에 대한 데이터 보상량을 연산한다. If, in the subpixels belonging to 135 representative subpixel rows (ID: 16*0+1, 16*1+2, ..., 16*134+16), the threshold voltage deviation ( When ΔVth) is equal to or greater than a preset threshold, as shown in FIG. 9, 135 representative subpixel rows (IDs: 16*0+1, 16*1+2, ..., 16*134+16) In addition, sensing is performed for all the remaining subpixel rows to determine the threshold voltage deviation (ΔVth) for all driving transistors of the organic light emitting
전술한 센싱 블록 기반의 센싱 방법을 도 10의 흐름도를 참조하고, 도 11의 메모리(200)에 저장된 센싱 블록 정보(1100)와, 도 12의 예시도를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. The above-described sensing block-based sensing method will be described in more detail with reference to the flowchart of FIG. 10, sensing
도 10은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 방법의 흐름도이다. 도 11은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 위한 센싱 블록 정보(1100)를 나타낸 도면이다. 도 12는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시도이다. 10 is a flowchart of a sensing method based on a sensing block according to the present embodiments. 11 is a diagram illustrating
도 10 내지 도 12를 참조하면, 먼저, 센싱 블록 정보(1100)를 초기화하여 메모리(200)에 저장한다(S1010). Referring to FIGS. 10 to 12, first, sensing
도 10 및 도 11을 참조하면, 센싱 블록 정보(1100)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대한 식별정보(SB_ID)와, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응된 135개의 대표 서브픽셀 행 또는 135개의 대표 게이트라인에 대한 식별정보(REP_LINE_ID)를 포함한다. 10 and 11, the
이러한 센싱 블록 정보(1100)의 초기화는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대한 식별정보(SB_ID)와, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응된 135개의 대표 서브픽셀 행 또는 135개의 대표 게이트라인에 대한 식별정보(REP_LINE_ID)를 최초 설정하는 것을 의미한다. Initialization of the
도 10 및 도 11을 참조하면, 센싱 블록 정보(1100)의 초기화 시, 일 예로, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중에서 1번째 서브픽셀 행을 대표 서브픽셀 행으로 초기화할 수 있다. 10 and 11, when the
따라서, 초기화된 센싱 블록 정보(1100)에서, SB #0에 대응되는 대표 서브픽셀 행(대표 게이트라인)의 식별정보(REP_LINE_ID)는, 16*0+1이고, SB #1에 대응되는 대표 서브픽셀 행(대표 게이트라인)의 식별정보(REP_LINE_ID)는, 16*1+1이고, SB #2에 대응되는 대표 서브픽셀 행(대표 게이트라인)의 식별정보(REP_LINE_ID)는, 16*2+1이고, SB #134에 대응되는 대표 서브픽셀 행(대표 게이트라인)의 식별정보(REP_LINE_ID)는, 16*134+1이다.Accordingly, in the initialized
이와 같이, 메모리(200)에 저장된 센싱 블록 정보(1100)를 확인하여, 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 신속하게 수행할 수 있다. In this way, by checking the
도 10 및 도 12를 참조하면, 전술한 센싱 블록 정보 초기화(S1010) 이후, 타이밍 컨트롤러(140)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 별로, 대표 서브픽셀 행에서의 문턱전압 편차(△Vth)를 획득한다(S1020).10 and 12, after the above-described sensing block information initialization (S1010), the
더 구체적으로 설명하면, 도 10 및 도 12를 참조하면, 다수의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응되는 135개의 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1) 각각에 포함된 서브픽셀들에서의 센싱노드에 대한 전압을 센싱하여 센싱한 전압을 토대로 생성한 센싱 데이터를 타이밍 컨트롤러(140)로 전송한다. More specifically, referring to FIGS. 10 and 12, a plurality of analog-to-digital converters (ADCs) are 135 sensing blocks (
이에 따라, 도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 다수의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)로부터 수신한 센싱 데이터를 토대로, 135개의 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1)별로, 해당 대표 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차(△Vth)를 파악하여 획득할 수 있다. Accordingly, referring to FIGS. 10 and 12, the
이후, 도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 센싱 데이터를 토대로, 135개의 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1) 각각에 포함된 서브픽셀들에서의 구동 트랜지스터들에 대하여 파악된 문턱전압 편차(△Vth)를 미리 설정된 임계치와 비교한다(S1030). Thereafter, referring to FIGS. 10 and 12, the
즉, 타이밍 컨트롤러(140)는, 센싱 데이터를 토대로, 135개의 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1)별로, 파악된 문턱전압 편차(△Vth)와 임계치를 비교한다. That is, the
도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 비교 결과에 따라, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중에서 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 L-1개의 서브픽셀 행에 대한 센싱 프로세스의 수행 여부를 결정할 수 있다. Referring to FIGS. 10 and 12, the
이와 같이, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행을 모두 센싱하지 않고, 1개의 대표 서브픽셀 행만을 센싱하고, 센싱 결과 알게 된 문턱전압 편차를 임계치(화상 품질 향상을 위해 의미 있는 문턱전압 편차 보상이 필요한 최소 문턱전압 편차임)와 비교하여, 그 비교 결과에 따라, 대표 서브픽셀 행 이외에 나머지 서브픽셀 행들을 센싱하게 되기 때문에, 불필요한 센싱 절차 및 그에 따른 불필요한 센싱 시간을 줄여줄 수 있다. In this way, all 16 subpixel rows included in each of 135 sensing blocks (
도 10을 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 문턱전압 편차(△Vth)와 임계치의 비교 결과, 문턱전압 편차(△Vth)가 임계치 미만이면, 135개의 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1)별로 파악된 문턱전압 편차(△Vth) 또는 파악된 문턱전압 편차(△Vth)를 보상해주기 위한 데이터 보상값을 연산하여 저장하거나, 데이터 보상값 연산 없이 바로 종료할 수 있다. Referring to FIG. 10, the
한편, 도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 파악된 문턱전압 편차(△Vth)가 임계치 이상인 경우, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중에서 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1)을 제외한 나머지 L-1개의 서브픽셀 행에 대한 센싱 프로세스를 수행하여, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 중 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 서브픽셀 행 각각에 대해서도 문턱전압 편차를 파악할 수 있다(S1040). On the other hand, referring to FIGS. 10 and 12, the
이에 따라, 유기발광표시패널(110) 상의 모든 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 모두 파악하게 된다.K Accordingly, all deviations in threshold voltages of the driving transistors in all subpixels on the organic light emitting
이와 같이, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)별로 대표 서브픽셀 행(REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1)에 대하여 파악된 문턱전압 편차(△Vth)이 임계치 이상이 되는 경우, 즉, 문턱전압 편차 보상을 해야하는 의미있는 문턱전압 편차가 발생한 경우에 한해, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 포함된 나머지 서브픽셀 행들에 대하여 센싱 프로세스를 진행하기 때문에, 불필요한 센싱 및 보상 시간을 줄일 수 있다. In this way, the representative subpixel row (REP_LINE_ID: 16*0+1, 16*1+1, ..., 16*) for each of 135 sensing blocks (
이후, 도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 대하여, 16개의 서브픽셀 행에 대한 파악된 16개의 문턱전압 편차 중에서 최대값을 선택하여 새로운 대표 서브픽셀 행을 선택한다. Thereafter, referring to FIGS. 10 and 12, the
이후, 도 10 및 도 12를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 메모리(200)에 저장된 센싱 블록 정보(1100) 상의 134개의 대표 서브픽셀 행 또는 134개의 대표 게이트라인에 대한 식별정보(REP_LINE_ID)를 업데이트 시킨다(S1050). Thereafter, referring to FIGS. 10 and 12, the
이와 같이, 센싱 블록 정보(1100) 상의 센싱 블록 별 대표 서브픽셀 행 또는 대표 게이트라인에 대한 식별정보(REP_LINE_ID)를 업데이트 하기 때문에, 최신의 문턱전압 편차 발생 상태를 기준으로, 센싱 및 보상 동작을 할 수 있고, 센싱 및 보상 시간을 효과적으로 줄이면서도, 전체적인 센싱을 해야 하는 상황을 정확하게 구별해낼 수 있다. In this way, since the identification information (REP_LINE_ID) for the representative subpixel row or representative gate line for each sensing block in the
이때, 도 11 및 도 12를 참조하면, 16개의 새로운 대표 서브픽셀 행의 식별정보(REP_LINE_ID)는, 일 예로, 16*0+P, 16*1+Q, ... , 16*134+R 이다. At this time, referring to FIGS. 11 and 12, the identification information (REP_LINE_ID) of 16 new representative subpixel rows is, for example, 16*0+P, 16*1+Q, ..., 16*134+R. to be.
즉, SB #0에서는, 16*0+P 번째 서브픽셀 행(또는 게이트라인)이 대표 서브픽셀 행(또는 대표 게이트라인)을 변경되고, SB #1에서는, 16*1+Q 번째 서브픽셀 행(또는 게이트라인)이 대표 서브픽셀 행(또는 대표 게이트라인)을 변경되고, SB #134에서는, 16*134+R 번째 서브픽셀 행(또는 게이트라인)이 대표 서브픽셀 행(또는 대표 게이트라인)을 변경된다. That is, in
이후, 타이밍 컨트롤러(140)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 별로 파악된 문턱전압 편차(△Vth) 또는 파악된 문턱전압 편차(△Vth)를 보상해주기 위한 데이터 보상값을 연산하여 메모리(200)에 저장할 수 있다. Thereafter, the
이때, 저장된 문턱전압 편차(△Vth)가 다음의 센싱 블록 기반의 센싱 동작 시, 임계치로 사용될 수도 있다. In this case, the stored threshold voltage deviation (ΔVth) may be used as a threshold value in the next sensing block-based sensing operation.
도 13은 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 위한 게이트 구동에 필요한 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다. 13 is a diagram illustrating a first gate driving control signal VSC and a second gate driving control signal VOE required for gate driving for a sensing operation based on a sensing block according to the present embodiments.
도 13을 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 위한 게이트 구동에 필요한 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 게이트 구동부(130)로 출력한다. Referring to FIG. 13, the
제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)는, 게이트 제어 신호(GCS)의 일종으로서, 제1게이트구동제어신호(VSC)는 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 각각에 대한 게이트 구동 타이밍을 제어하는 신호일 수 있다. 제2게이트구동제어신호(VOE)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 각각에 대한 센싱 여부를 지시하기 위한 제어 신호 또는 대표 서브픽셀 행을 지시하는 제어 신호일 수 있다. The first gate drive control signal VSC and the second gate drive control signal VOE are a kind of gate control signal GCS, and the first gate drive control signal VSC has 135 sensing blocks (
전술한 제1게이트구동제어신호(VSC)는, 기존의 게이트제어신호 중 하나인 GSC를 이용할 수 있다. 제2게이트구동제어신호(VOE)는 기존의 게이트제어신호 중 하나인 GOE를 이용할 수도 있다. As the above-described first gate drive control signal VSC, one of the existing gate control signals, GSC, may be used. As the second gate drive control signal VOE, one of the existing gate control signals, GOE, may be used.
도 14는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시에서, 센싱 블록 정보(1100)가 업데이트 되기 이전의 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다. 도 15는 본 실시예들에 따른 센싱 블록 기반의 센싱 동작의 예시에서, 센싱 블록 정보(1100)가 업데이트 된 이후의 제1게이트구동제어신호(VSC) 및 제2게이트구동제어신호(VOE)를 나타낸 도면이다.14 is a diagram illustrating a first gate driving control signal VSC and a second gate driving control signal VOE before the
앞의 예시에서 언급한 바와 같이, 업데이트 이전의 센싱 블록 정보(1100)에서, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응되는 135개의 대표 서브픽셀 행의 식별정보(ID)는, 16*0+1, 16*1+1, ... , 16*134+1이다. As mentioned in the previous example, in the
그리고, 업데이트 이후의 센싱 블록 정보(1100)에서, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응되는 135개의 대표 서브픽셀 행의 식별정보(ID)는, 16*0+P, 16*1+Q, ... , 16*134+R이다. And, in the
도 14 및 도 15를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, N(예: 2160)개의 서브픽셀 행에 대응되는 N개의 신호 구간을 갖는 제1게이트구동제어신호(VSC)를 게이트 구동부(130)로 출력한다.Referring to FIGS. 14 and 15, the
도 14 및 도 15를 참조하면, 제1게이트구동제어신호(VSC)에서, 2160개의 서브픽셀 행 각각에 대응되는 신호 구간 중에서 선택된 B(예: B=135)개의 대표 서브픽셀 행 각각에 대응되는 신호 구간의 길이는, 나머지 서브픽셀 행들 각각에 대응되는 구간의 길이에 비해 길다.14 and 15, in the first gate driving control signal VSC, corresponding to each of B (eg, B=135) representative subpixel rows selected from among signal sections corresponding to each of 2160 subpixel rows. The length of the signal section is longer than the length of the section corresponding to each of the remaining subpixel rows.
다시 말해, 도 14 및 도 15를 참조하면, 제1게이트구동제어신호(VSC)는, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134)에 대응되는 구간들이 연속해서 이어지는데, 하나의 센싱 블록에 대응되는 구간에는, 다시 16개의 서브픽셀 행에 대응되는 구간들이 존재한다. In other words, referring to FIGS. 14 and 15, the first gate drive control signal VSC includes sections corresponding to 135 sensing blocks (
도 14 및 도 15를 참조하면, 제1게이트구동제어신호(VSC)에서, 16개의 서브픽셀 행에 대응된 구간들의 길이를 보면, 대표 서브픽셀 행에 대응되는 구간의 길이가 대표 서브픽셀 행이 아닌 나머지 서브픽셀 행에 대응되는 구간의 길이보다 길다. 14 and 15, in the first gate driving control signal VSC, looking at the lengths of sections corresponding to 16 subpixel rows, the length of the section corresponding to the representative subpixel row is the representative subpixel row. It is longer than the length of the section corresponding to the remaining subpixel rows.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제1게이트구동제어신호(VSC)는, 대표 서브픽셀 행에 대응되는 구간에서는 슬로우 클럭 모드(Slow Clock Mode)로 출력되고, 대표 서브픽셀 행이 아닌 나머지 서브픽셀 행에 대응되는 구간에서는 패스트 클럭 모드(Fast Clock Mode)로 출력된다. 14 and 15, the first gate driving control signal VSC is output in a slow clock mode in a section corresponding to a representative subpixel row, and the remaining subpixels other than the representative subpixel row In the section corresponding to the row, it is output in fast clock mode.
이러한 신호 파형을 갖는 제1게이트구동제어신호(VSC)를 이용하여, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 각각에 대한 게이트 구동 타이밍을 정확하게 제어하여, 전술한 바와 같은 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 가능하게 할 수 있다. Using the first gate drive control signal (VSC) having such a signal waveform, each of the 16 subpixel rows included in each of 135 sensing blocks (
도 14 및 도 15를 참조하면, 각 센싱 블록별 대표 서브픽셀 행에 대한 센싱 결과 파악된 문턱전압 편차가 임계치 이상이 되어, 나머지 서브픽셀 행들에 대한 센싱을 해야 하는 경우, 제1게이트구동제어신호(VSC)에서, 대표 서브픽셀 행에 대응되는 구간은, 대표 서브픽셀 행이 아닌 나머지 서브픽셀 행에 대응되는 구간보다 짧다. 즉, 실제로 센싱이 이루어지는 서브픽셀 행에 대응되는 구간은 센싱이 이루어지지 않는 서브픽셀 행에 대응되는 구간보다 길다. Referring to FIGS. 14 and 15, when a deviation of a threshold voltage identified as a result of sensing a representative subpixel row for each sensing block is greater than or equal to a threshold value, and sensing the remaining subpixel rows is required, a first gate driving control signal In (VSC), the section corresponding to the representative subpixel row is shorter than the section corresponding to the remaining subpixel rows other than the representative subpixel row. That is, a section corresponding to a subpixel row in which sensing is actually performed is longer than a section corresponding to a subpixel row in which sensing is not performed.
한편, 도 14 및 도 15를 참조하면, 타이밍 컨트롤러(140)는, B(예: B=135)개의 하이레벨구간 및 B개의 로우레벨구간을 갖는 제2게이트구동제어신호(VOE)를 게이트 구동부(130)로 출력할 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 14 and 15, the
도 14 및 도 15를 참조하면, 제2게이트구동제어신호(VOE)에서, 135개의 하이레벨구간(또는 로우레벨구간)은 135개의 대표 서브픽셀 행에 대응되고, 135개의 로우레벨구간(또는 하이레벨구간)은 대표 서브픽셀 행이 아닌 나머지 서브픽셀 행들에 대응될 수 있다. 14 and 15, in the second gate driving control signal VOE, 135 high-level sections (or low-level sections) correspond to 135 representative subpixel rows, and 135 low-level sections (or high-level sections). The level interval) may correspond to the remaining subpixel rows other than the representative subpixel row.
도 14 및 도 15를 참조하면, 각 센싱 블록별 대표 서브픽셀 행에 대한 센싱 결과 파악된 문턱전압 편차가 임계치 이상이 되어, 나머지 서브픽셀 행들에 대한 센싱을 해야 하는 경우, 제2게이트구동제어신호(VOE)에서, 135개의 대표 서브픽셀 행에 대응되는 구간은 로우레벨구간(또는 하이레벨구간)이고, 대표 서브픽셀 행이 아닌 나머지 서브픽셀 행에 대응되는 구간은 하이레벨구간(또는 로우레벨구간)이다. 즉, 실제로 센싱이 이루어지는 서브픽셀 행에 대응되는 구간은 하이레벨구간(또는 로우레벨구간)이고, 센싱이 이루어지지 않는 서브픽셀 행에 대응되는 구간은 로우레벨구간(또는 하이레벨구간)이다. Referring to FIGS. 14 and 15, when a deviation of a threshold voltage identified as a result of sensing a representative subpixel row for each sensing block is greater than or equal to a threshold value, and thus sensing of the remaining subpixel rows is required, a second gate driving control signal In (VOE), a section corresponding to 135 representative subpixel rows is a low level section (or high level section), and a section corresponding to the remaining subpixel rows other than the representative subpixel rows is a high level section (or low level section). )to be. That is, a section corresponding to a subpixel row in which sensing is actually performed is a high level section (or a low level section), and a section corresponding to a subpixel row in which sensing is not performed is a low level section (or a high level section).
전술한 바와 같은 신호 파형을 갖는 제2게이트구동제어신호(VOE)를 이용하면, 135개의 센싱 블록(SB #0, SB #1, ... , SB #134) 각각에 포함된 16개의 서브픽셀 행 각각에 대한 센싱 여부를 정확하게 지시해줄 수 있고, 135개의 대표 서브픽셀 행을 정확하게 지시해주어, 전술한 바와 같은 센싱 블록 기반의 센싱 동작을 가능하게 하는 게이트 구동이 이루어질 수 있도록 해준다. If the second gate drive control signal (VOE) having the signal waveform as described above is used, 16 subpixels included in each of 135 sensing blocks (
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 및 보상 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the exemplary embodiments described above, it is possible to provide the organic light emitting
또한, 본 실시예들에 의하면, 의미 없고 불필요한 센싱 및 보상 절차의 진행을 방지하는 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, it is possible to provide an organic light emitting
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The description above and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains, combinations of configurations without departing from the essential characteristics of the present invention Various modifications and variations, such as separation, substitution and alteration, will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
100: 표시장치
110: 표시패널
120: 데이터 구동부
130: 게이트 구동부
140: 타이밍 컨트롤러100: display device
110: display panel
120: data driver
130: gate driver
140: timing controller
Claims (10)
상기 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터 구동부;
상기 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트 구동부; 및
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하고,
상기 타이밍 컨트롤러는,
N개의 서브픽셀 행에 대응되는 N개의 신호 구간을 갖는 제1게이트구동제어신호를 상기 게이트 구동부로 출력하되,
상기 제1게이트구동제어신호에서, 상기 N개의 서브픽셀 행에 대응되는 N개의 신호 구간 중에서 선택된 B(2≤B<N)개의 대표 서브픽셀 행 각각에 대응되는 신호 구간의 길이는, 나머지 서브픽셀 행들 각각에 대응되는 구간의 길이에 비해 긴 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. An organic light-emitting display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels are disposed in a matrix type;
A data driver driving the plurality of data lines;
A gate driver driving the plurality of gate lines; And
A timing controller that controls the data driver and the gate driver,
The timing controller,
Outputting a first gate driving control signal having N signal sections corresponding to N subpixel rows to the gate driver,
In the first gate driving control signal, the length of the signal section corresponding to each of the B (2≤B<N) representative subpixel rows selected from among N signal sections corresponding to the N subpixel rows is the remaining subpixel An organic light emitting display device, characterized in that it is longer than a length of a section corresponding to each of the rows.
상기 타이밍 컨트롤러는,
B개의 하이레벨구간 및 B개의 로우레벨구간을 갖는 제2게이트구동제어신호를 상기 게이트 구동부로 출력하되,
상기 제2게이트구동제어신호에서 상기 B개의 하이레벨구간은 상기 B개의 대표 서브픽셀 행에 대응되고, 상기 B개의 로우레벨구간은 상기 나머지 서브픽셀 행들에 대응되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 1,
The timing controller,
Outputting a second gate driving control signal having B high level sections and B low level sections to the gate driver,
In the second gate driving control signal, the B high-level sections correspond to the B representative subpixel rows, and the B low-level sections correspond to the remaining subpixel rows.
L(L=N/B)개의 서브픽셀 행을 각각 포함하는 B개의 센싱 블록에 대한 식별정보와, 상기 B개의 센싱 블록에 대응되는 B개의 대표 서브픽셀 행 또는 B개의 대표 게이트라인에 대한 식별정보를 저장하는 메모리를 더 포함하는 유기발광표시장치. The method of claim 1,
Identification information for B sensing blocks each including L (L=N/B) subpixel rows, and identification information for B representative subpixel rows or B representative gate lines corresponding to the B sensing blocks The organic light-emitting display device further comprises a memory for storing the.
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 게이트라인을 통해 게이트노드에 인가된 스캔신호에 의해 제어되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함하여 구성되고,
상기 다수의 서브픽셀 각각에서의 센싱노드의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 토대로 센싱 데이터를 생성하여 상기 타이밍 컨트롤러로 전송하는 센싱 프로세스를 수행하는 아날로그 디지털 컨버터를 더 포함하는 유기발광표시장치. The method of claim 3,
Each of the plurality of subpixels,
An organic light-emitting diode, a driving transistor for driving the organic light-emitting diode, and a switching transistor controlled by a scan signal applied to a gate node through a gate line, and electrically connected between a gate node and a data line of the driving transistor. Is composed of
The organic light emitting display device further comprises an analog-to-digital converter for sensing a voltage of a sensing node in each of the plurality of subpixels, generating sensing data based on the sensed voltage, and transmitting the sensing data to the timing controller.
상기 아날로그 디지털 컨버터는, 상기 데이터 구동부에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 4,
Wherein the analog-to-digital converter is included in the data driver.
상기 센싱노드는,
상기 구동 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드이고,
상기 센싱된 전압은,
상기 데이터 라인을 통해 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드로 출력된 데이터전압과, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압으로 표현되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 4,
The sensing node,
A source node or a drain node of the driving transistor,
The sensed voltage is,
And a data voltage output to a drain node or a source node of the switching transistor through the data line and a threshold voltage of the driving transistor.
상기 타이밍 컨트롤러는,
상기 센싱 데이터를 토대로, 상기 B개의 대표 서브픽셀 행 각각에 포함된 서브픽셀들에서의 상기 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 편차를 파악하고, 상기 파악된 문턱전압 편차를 임계치와 비교하여,
비교 결과에 따라, 상기 B개의 센싱 블록 각각에 포함된 L개의 서브픽셀 행 중에서 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 L-1개의 서브픽셀 행에 대한 상기 센싱 프로세스의 수행 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 4,
The timing controller,
Based on the sensing data, a threshold voltage deviation for the driving transistor in subpixels included in each of the B representative subpixel rows is determined, and the determined threshold voltage deviation is compared with a threshold value,
According to the comparison result, it is determined whether to perform the sensing process for the remaining L-1 subpixel rows excluding the representative subpixel row among L subpixel rows included in each of the B sensing blocks. Luminous display device.
상기 타이밍 컨트롤러는,
상기 파악된 문턱전압 편차가 상기 임계치 이상인 경우,
상기 B개의 센싱 블록 각각에 포함된 L개의 서브픽셀 행 중에서 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 L-1개의 서브픽셀 행에 대한 상기 센싱 프로세스를 수행하는 것으로 결정하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 7,
The timing controller,
When the identified threshold voltage deviation is more than the threshold value,
And determining to perform the sensing process on the remaining L-1 subpixel rows excluding the representative subpixel row among L subpixel rows included in each of the B sensing blocks.
상기 타이밍 컨트롤러는,
상기 나머지 L-1개의 서브픽셀 행에 대한 상기 센싱 프로세스를 수행한 이후,
상기 B개의 센싱 블록 각각에 포함된 L개의 서브픽셀 행에 대한 문턱전압 편차들 중에서 최대값을 선택하여 새로운 대표 서브픽셀 행을 선택하여,
상기 메모리에 저장된 상기 B개의 대표 서브픽셀 행 또는 상기 B개의 대표 게이트라인에 대한 식별정보를 업데이트시키는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치. The method of claim 8,
The timing controller,
After performing the sensing process for the remaining L-1 subpixel rows,
A new representative subpixel row is selected by selecting a maximum value among threshold voltage deviations for L subpixel rows included in each of the B sensing blocks,
And updating identification information for the B representative subpixel rows or the B representative gate lines stored in the memory.
다수의 서브픽셀 행에서 둘 이상의 대표 서브픽셀 행을 설정하는 단계; 및
상기 둘 이상의 대표 서브픽셀 행에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱하는 단계; 및
상기 센싱한 문턱전압 편차가 임계치 미만이면, 센싱을 종료하고, 상기 센싱한 문턱전압 편차가 상기 임계치 이상이면, 상기 다수의 서브픽셀 행에서 상기 둘 이상의 대표 서브픽셀 행을 제외한 나머지 서브픽셀 행들에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 편차를 센싱하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법. A method of driving an organic light emitting display device in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and a plurality of subpixels are arranged in a matrix type,
Setting two or more representative subpixel rows from the plurality of subpixel rows; And
Sensing a threshold voltage deviation for driving transistors in the at least two representative subpixel rows; And
When the sensed threshold voltage deviation is less than a threshold, sensing is terminated, and if the sensed threshold voltage deviation is greater than or equal to the threshold, the plurality of subpixel rows except for the two or more representative subpixel rows A method of driving an organic light emitting display device comprising sensing a threshold voltage deviation for driving transistors.
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