KR20170011633A - 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 다른 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물을 포함하는 이방 도전성 필름으로, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다.
[식 1]
입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수) × 100

Description

이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 반도체 장치{COMPOSITION FOR USE OF AN ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, AN ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM THEREOF AND A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
이방 도전성 필름(Anisotropic conductive film, ACF)이란 일반적으로 도전 입자를 에폭시 등의 수지에 분산시킨 필름 형상의 접착제를 말하는 것으로, 필름의 막 두께 방향으로는 도전성을 띠고 면 방향으로는 절연성을 띠는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 고분자 막을 의미한다. 이방 도전성 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 상기 필름을 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접하는 전극 사이에는 절연성 접착 수지가 충진되어 도전성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써 높은 절연성을 부여하게 된다.
최근 디스플레이 패널의 박형화, 고해상도화가 진행됨에 따라 최소접속면적에 최대의 도전입자를 포착시키는 기술이 연구되어 왔다. 도전입자 포착율 향상을 위하여 도전입자의 밀도를 증가시키거나, 유체의 흐름을 억제시키는 방법이 연구되어 왔는데, 이는 인접 전극간의 절연저항 특성을 악화시키거나 경화 후 모듈러스의 증가로 접착력이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 유체의 흐름을 효과적으로 억제시키면서도, 절연저항 특성이 우수하여 전극간 쇼트 발생 위험이 적고, 접착력이 뛰어난 이방 도전성 필름의 개발이 필요하다.
일본 특허 출원 공개 제2004-359830호(2004.12.14 공개)
본 발명은 저온 속경화가 가능하면서도 입자포착율, 접착력 및 접속저항 물성이 우수한 이방 도전성 필름을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에서, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는, 이방 도전성 필름용 조성물이 제공된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물을 포함하는 이방 도전성 필름으로, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상인, 이방 도전성 필름이 제공된다.
[식 1]
입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수) × 100
본 발명의 또 다른 실시예에서, 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본원에 기재된 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예들에 따른 이방 도전성 필름용 조성물 또는 이방 도전성 필름은, 고온에서 흐름성이 조절되어 도전 입자의 포착율을 개선할 수 있고, 저온 속경화가 가능하며 접착력, 접속저항 및 신뢰성이 우수한 장점이 있다.
도 1은 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60), 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본원에 기재된 도전 입자(3)을 포함하는 이방 도전성 필름(10)을 포함하는, 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치(30)의 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본 명세서에 기재되지 않은 내용은 본 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
본 발명의 일 실시예는, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는, 이방 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이방 도전성 필름용 조성물은, 바인더 수지로 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물을 포함할 수 있다.
상기 플루오렌계 화합물은 플루오렌 구조를 포함하는 화합물이면 제한 없이 사용할 수 있으며, 비스페놀형 에폭시 화합물과의 공중합 반응을 위해 2개 이상의 히드록시기를 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 플루오렌계 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고, m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.
상기 공중합 화합물은 상기 플루오렌계 화합물 유래 단위를 포함함으로써, 이방 도전성 필름의 내열성이 향상될 수 있다.
상기 비스페놀형 에폭시 화합물은 특별히 제한되지 아니하며, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 AD형 에폭시 화합물, 비스페놀 E형 에폭시 화합물, 비스페놀 S형 에폭시 화합물 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다. 일 예에서, 비스페놀 A형 에폭시 화합물 또는 비스페놀 F형 에폭시 화합물을 사용할 수 있다.
상기 플루오렌계 화합물과 상기 비스페놀형 에폭시 화합물을 공중합하여 공중합 화합물을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예로 상기 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물을 적절한 용매에 용해하고, 중합 촉매를 첨가하고 100℃ 내지 150℃의 온도범위에서 10 내지 40시간 교반하여, 메탄올과 물을 이용하여 세척한 뒤 형성된 침전을 건조하여 공중합 화합물을 수득할 수 있다.
상기 용매의 예로는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세트산(PGMEA), 디메틸포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란(THF) 등을 들 수 있으며, 구체적으로 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세트산(PGMEA)을 사용할 수 있다.
상기 중합 촉매의 예로는 산무수물계, 아민계, 이미다졸계, 히드라지드계, 양이온계 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 중합 촉매는 2-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 2-페닐-4-벤질이미다졸, 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-벤질-5-하이드록시메틸이미다졸, 4,4'-메틸렌비스-(2-에틸-5-메틸이미다졸), 2-아미노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐-4,5-다이(시아노에톡시메틸)이미다졸 등의 이미다졸계일 수 있으며, 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 지방족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 포스포늄염, 피리디늄염, 세레노니움염 등의 오늄염 화합물; 금속 아렌(arene) 착제, 실라놀/알루미늄 착제 등의 착제화합물; 벤조인토시레토(Benzoin tosylato-), o-니트로벤질토시레토(ortho-Nitrobenzyl tosylato-) 등의 토시레이토기가 포함되어 전자 포획(capture) 작용을 하는 화합물 등의 양이온 잠재성 경화제일 수 있다. 보다 구체적으로, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸 또는 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸계 중합 촉매를 사용할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 공중합 화합물은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나의 구조를 갖는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
상기 화학식 2 내지 4에서, R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 C1-6의 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록시기이며, R5 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소, C1-6의 알킬기, 할로겐 원자, C6-20의 방향족 고리 또는 C6-20의 지환족 고리이며, n은 1 내지 100의 정수이다.
상기 공중합 화합물은 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물로부터 유래된 구조를 하나의 반복단위로 포함함으로써, 플루오렌 구조로 인한 고내열성을 가지면서도 비스페놀형 에폭시 화합물의 방향족 고리 사이의 -CH2-, -CH(CH3)-, -C(CH2)- 또는 -C(CH3)2- 등의 탄소 골격, 또는 -SO2 골격과 같은 유연 골격으로 인해 높은 유리전이온도(Tg)를 가지며 고온에서도 강직한 특성이 있다. 또한, 상기 공중합 화합물을 이방 도전성 필름용 조성물에 사용함으로써, 제조된 이방 도전성 필름의 보관 안정성이 개선될 수 있다.
상기 공중합 화합물의 유리전이온도는 140℃ 내지 200℃의 범위일 수 있다. 구체적으로 150℃ 내지 180℃, 보다 구체적으로 160℃ 내지 170℃의 범위일 수 있다. 상기 범위에서 이를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물로 제조된 이방 도전성 필름의 흐름성이 조절되어, 도전 입자와 함께 사용시 도전 입자의 포착율을 개선시킬 수 있다.
상기 공중합 화합물의 중량평균분자량은 5,000 내지 50,000의 범위일 수 있고, 구체적으로는 10,000 내지 30,000의 범위일 수 있다. 상기 범위에서 이를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물로 제조된 이방 도전성 필름이 적절한 강도를 가질 수 있다.
상기 공중합 화합물은 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로 30 중량% 내지 60 중량%, 보다 구체적으로 35 중량% 내지 55 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 제조된 이방 도전성 필름용 조성물의 흐름성 및 접착성이 개선될 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 이방 도전성 필름용 조성물은 상기 공중합 화합물 이외에도 다른 바인더 수지를 추가로 포함할 수 있다.
상기 다른 바인더 수지로는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지 및 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지 및 그 변성체, 또는 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 및 그 수소화체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이방 도전성 필름용 조성물에 포함될 수 있다.
상기 공중합 화합물 이외의 다른 바인더 수지를 추가로 포함하는 경우, 상기 다른 바인더 수지의 함량은 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 1 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다.
상기 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지는 특별히 제한되지 아니하며, 에폭시 당량이 150g/eq 이하이면 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로 에폭시 당량이 80 내지 150g/eq인 에폭시 수지를 사용할 수 있으며 보다 구체적으로 90 내지 145g/eq인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 에폭시 당량이 상기 범위이면, 이방 도전성 필름의 점도와 유동 특성이 양호할 수 있으며 저온 속경화를 달성할 수 있는 이점이 있다.
상기 에폭시 수지의 비제한적인 예로, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 아크릴레이트 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지 및 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 화합물; 폴리글리시딜 에테르 에폭시 수지, 폴리글리시딜 에스테르 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지 등의 방향족 에폭시 화합물; 지환족 에폭시 화합물; 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 화합물; 글리시딜 아민계 에폭시 화합물; 글리시딜 에스테르계 에폭시 화합물; 비페닐 디글리시딜 에테르 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로 상기 에폭시 수지는 지환족 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지 또는 방향족 에폭시 수지일 수 있으며, 보다 구체적으로 지환족 에폭시 수지일 수 있다. 상기 지환족 에폭시 수지는 지환족 고리에 근접하여 에폭시 구조가 존재하므로 개환 반응이 빨라 다른 에폭시 수지에 비해 경화가 빠르게 일어날 수 있다. 상기 지환식 에폭시 수지는 지환족 고리에 직접 결합으로 연결되거나 다른 연결기를 통해 에폭시 구조가 존재하는 구조를 가진 것이면 제한 없이 사용할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지는 액상인 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 액상 에폭시 수지를 포함할 경우, 이를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물로 제조된 이방 도전성 필름에 유동성을 부여하고 경화 속도를 빠르게 할 수 있는 이점이 있다.
상기 에폭시 수지는 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 20 중량% 내지 50 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 25 중량% 내지 45 중량%, 보다 구체적으로 30 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 경화가 충분히 일어날 수 있으며, 이를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물로 제조된 이방 도전성 필름의 접착력, 외관 등이 우수하고 신뢰성 후 안정적일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 이방 도전성 필름용 조성물은 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지 외에, 에폭시 당량이 150g/eq 초과인 에폭시 수지를 추가로 포함할 수도 있다.
상기 이방 도전성 필름용 조성물은, 상기 공중합 화합물과 상기 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지를 함께 포함함으로써, 고온에서 흐름성이 조절되어 도전 입자의 포착율을 개선할 수 있고, 저온 속경화가 가능하며 접착력 및 접속저항 면에서 우수할 수 있다. 상기 에폭시 당량이 150g/eq 초과인 에폭시 수지를 추가로 포함하는 경우, 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 1 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
상기 도전 입자는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술분야에서 통상적으로 사용하는 도전 입자를 사용할 수 있다. 사용 가능한 도전 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전 입자 등을 들 수 있다. 상기 도전 입자의 크기는, 적용되는 회로의 피치(pitch)에 따라, 예를 들어 1㎛ 내지 20㎛ 범위, 구체적으로 1㎛ 내지 10㎛의 범위일 수 있다.
상기 도전 입자는 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량에 대하여 1 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 10 중량% 내지 25 중량%로 포함될 수 있고, 보다 구체적으로는 15 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 도전 입자가 단자 간에 용이하게 압착되어 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 통전성 향상으로 접속 저항을 감소시킬 수 있다.
상기 경화제는 에폭시 경화용 타입의 경화제이면 특별한 제한 없이 사용할 수 있으며, 비제한적인 예로는 산무수물계, 아민계, 이미다졸계, 히드라지드계, 양이온계 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 경화제는 양이온계일 수 있으며, 예를 들어 암모늄/안티몬 헥사플루오라이드 등을 들 수 있다.
상기 경화제는 상온에서 에폭시 수지와 혼합하여 사용되므로, 혼합 후 상온에서 에폭시 수지와 반응성을 갖지 않아야 하고, 일정 온도 이상에서 활성을 가져 에폭시 수지와 반응이 활발하게 이루어져 물성이 발현되어야 한다. 따라서, 상기 경화제는 열적 활성화 에너지에 의해 양이온을 발생할 수 있는 화합물을 사용할 수 있으며, 예를 들어 양이온 잠재성 경화제를 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 양이온 잠재성 경화제로는 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 지방족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 포스포늄염, 피리디늄염, 세레노니움염 등의 오늄염 화합물; 금속 아렌(arene) 착제, 실라놀/알루미늄 착제 등의 착제화합물; 벤조인토시레토(Benzoin tosylato-), o-니트로벤질토시레토(ortho-Nitrobenzyl tosylato-) 등의 토시레이토기가 포함되어 전자 포획(capture) 작용을 하는 화합물 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 양이온 발생 효율이 높은 방향족 설포늄염 화합물 또는 지방족 설포늄염 화합물 등의 설포늄염 화합물을 사용할 수 있다.
또한 이러한 상기 양이온 잠재성 경화제가 염 구조를 이룰 경우에는, 반응성 측면염을 형성할 시에 카운터(counter) 이온으로서 헥사플루오르안티모네이트, 헥사플루오르포스페이트, 테트라 플루오르 보레이트, 펜타플루오르페닐 보레이트 등을 사용할 수 있다.
상기 경화제는 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 0.5 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로 2 중량% 내지 7 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 경화에 필요한 충분한 반응이 일어나며 적당한 분자량 형성을 통해 본딩 후 접착력, 신뢰성 등에서 우수한 물성을 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 필름용 조성물은 기본 물성을 저해하지 않으면서 부가적인 물성을 제공하기 위해, 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제는 특별히 제한되지 않지만, 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량에 대하여 0.01 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
비제한적인 예로, 중합방지제는 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노메틸에테르, p-벤조퀴논, 페노티아진 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 또한 산화방지제는 페놀릭계 또는 하이드록시 신나메이트계 물질 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로 테트라키스-(메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록신나메이트)메탄, 3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-하이드록시 벤젠 프로판산 티올 디-2,1-에탄다일 에스테르 등을 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이방 도전성 필름에 대해 설명한다.
본 실시예에 따른 이방 도전성 필름은 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물을 포함하며, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상일 수 있다.
상기 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물에 대하여는 앞의 실시예에서 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
상기 이방 도전성 필름은, 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상일 수 있다.
[식 1]
입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수) × 100
상기 입자포착율은 구체적으로 40% 이상일 수 있으며, 보다 구체적으로 50% 이상일 수 있다. 상기 범위에서 도전층의 유동성이 효과적으로 억제되어 단자 상에 도전 입자가 충분히 위치하여 통전성이 개선되고, 도전 입자의 유출을 감소시켜 단자 간 쇼트를 감소시킬 수 있다.
상기 입자포착율을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 일 예는 다음과 같다: 제조된 이방 도전성 필름에 대해, 가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수를 입자자동측정기를 사용하여 산출한다. 이후, 이방 도전성 필름을 제 1 피접속부재와 제 2 피접속부재 사이에 위치시키고 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착한 후, 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수를 입자자동측정기를 사용하여 산출하고 상기 식 1에 의해 입자포착율을 계산한다.
또한, 상기 이방 도전성 필름은 상기 가압착 및 본압착 후 측정한 접착력이 10 MPa 이상일 수 있으며, 구체적으로 20 MPa 이상, 보다 구체적으로 30 MPa 이상일 수 있다. 이방 도전성 필름의 접착력이 상기 범위일 경우 이를 이용한 반도체 장치의 장기간 사용이 가능한 장점이 있다.
상기 접착력 측정 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다: 제조된 이방 도전성 필름을 범프면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판에 놓고 각각 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa로 가압착 후, 이형 필름을 제거하고 범프면적 1200㎛2, 두께 1.5T의 IC칩을 올린 뒤 이를 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 조건으로 본압착하여 시편을 제조하고, 이를 Maximum load: 200kgf, Test speed : 100um/sec의 조건으로 필 강도 측정기(Bond tester Dage Series-4000)를 이용하여 측정한다.
상기 이방 도전성 필름은 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지, 도전 입자 및 경화제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 성분들에 대하여는, 앞의 실시예에서 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 이방 도전성 필름은 COG(chip on glass) 또는 COF(chip on film) 실장 방식에 사용되는 것일 수 있다.
상기 이방 도전성 필름은, ARES 측정에 따른 30℃ 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 5,000 내지 20,000Pa·s일 수 있으며, 구체적으로 6,000 내지 10,000Pa·s일 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착력이 발현될 수 있고, 가압착성이 향상될 수 있으며 단자 간의 절연층이 충분히 충진되어 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 최저 용융 점도를 측정하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 비제한적인 예는 다음과 같다: ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 이용하여, 샘플 두께 150㎛, 승온속도 10℃/분, 스트레스 5%, 프리퀀시 10rad/초로 30℃ 내지 200℃ 구간에서 이방 도전성 필름의 최저 용융 점도를 측정한다.
또한 상기 이방 도전성 필름은 하기 식 2에 따른 경화율이 80% 이상일 수 있으며, 구체적으로 85% 이상, 보다 구체적으로 90% 이상일 수 있다.
[식 2]
경화율(%) = [(H0-H1)/H0]×100
상기 식 2에서, H0는 이방 도전성 필름을 DSC(열시차주사열량계, TA instruments, Q20)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min, -50℃ 내지 250℃ 온도 구간에서 곡선아래 면적으로 측정한 초기 발열량이고, H1은 핫플레이트(hot plate) 상에 130℃ 에서 5초간 방치한 후 동일한 방법으로 측정한 발열량을 나타낸다.
경화율이 상기 범위인 것은, 예컨대 130℃의 저온에서 5초의 단시간에 경화가 신속히 진행되는 것을 반영하므로 이방 도전성 필름의 저온 속경화 특성과 관련이 있다.
다른 실시예에서, 상기 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa로 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착한 후 측정한 초기 접속 저항이 1.0Ω 이하일 수 있다. 구체적으로 0.7Ω 이하, 보다 구체적으로 0.5Ω 이하일 수 있다.
또한, 상기 이방 도전성 필름은, 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 500시간 동안 방치하여 측정한 신뢰성 평가 후 접속 저항이 3Ω 이하일 수 있다. 구체적으로 2Ω 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 1Ω 이하일 수 있다.
상기 초기 접속저항 및 신뢰성 평가 후 접속저항 범위를 갖는 이방 도전성 필름은, 접속 신뢰성을 개선시킬 수 있을 뿐만 아니라 장기간 저장 안정성을 유지하며 사용할 수 있는 이점이 있다.
상기 초기 접속저항 및 신뢰성 평가 후 접속 저항을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예는 다음과 같다: 이방 도전성 필름을 범프면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판에 놓고 각각 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa로 가압착 후, 이형 필름을 제거하고 범프면적 1200㎛2, 두께 1.5T의 IC칩을 올린 뒤 이를 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 조건으로 본압착하여 시편을 제조하고, 4 point probe법을 사용하여 4 point 사이에서의 저항을 측정하여 초기 접속저항으로 나타낸다. 이후, 상기 본압착하여 제조된 시편을 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 500시간 동안 방치한 후 동일한 방법으로 저항을 측정하여 이를 신뢰성 평가 후 접속저항으로 나타낸다. 저항측정기기는 1mA를 인가하며 이때 측정되는 전압으로 저항을 계산하여 평균을 내어 표시한다.
일 실시예에서, 상기 이방 도전성 필름은 도전층의 일면 또는 양면에 절연층이 적층되는 구조일 수 있다. 즉, 도전층 및 절연층이 적층된 2층형 구조 또는 절연층에 도전층이 적층되어 있고, 상기 도전층에 절연층이 적층된 3층형 구조일 수 있으며, 필요에 따라 도전층 및 절연층이 4층 이상으로 적층된 복층형 구조일 수 있다.
상기 용어 “적층”이란, 임의의 층의 일면에 다른 층이 형성되는 것을 의미하며, 코팅 또는 라미네이션과 혼용하여 사용할 수 있다. 도전층과 절연층을 별도로 포함하는 복층형 구조의 이방 도전성 필름의 경우, 층이 분리되어 있으므로 실리카 등의 무기 입자의 함량이 높더라도, 도전 입자의 압착을 방해하지 않기 때문에 도전성에 영향을 주지 않고, 이방 도전성 필름용 조성물의 흐름성에는 영향을 줄 수 있으므로, 유동성이 제어된 이방 도전성 필름을 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 이방 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 이방 도전성 필름을 형성하는 데에는 특별한 장치나 설비가 필요하지 않다. 예를 들면, 본원에 개시된 각 조성을 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물을 톨루엔과 같은 유기 용매에 용해시켜 액상화한 후 도전성 입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 일정 시간 동안 교반하고, 이를 이형 필름 위에 일정한 두께 예를 들면 10㎛ 내지 50㎛의 두께로 도포한 다음 일정시간 건조시켜 톨루엔 등을 휘발시킴으로써 이방 도전성 필름을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치에 대해 설명한다.
상기 반도체 장치는, 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본 명세서에 기재된 실시예들에 따른 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치일 수 있다.
상기 제1 피접속부재 또는 제2 피접속부재는, 전기적 접속을 필요로 하는 전극이 형성되어 있는 것으로, 구체적으로는, 액정 디스플레이에 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 전극이 형성되어 있는 유리 기판 또는 플라스틱 기판, 프린트 배선판, 세라믹 배선판, 플렉시블 배선판, 반도체 실리콘 칩, IC칩 또는 드라이버 IC칩일 수 있고, 보다 구체적으로는, 제1 피접속부재 및 제2 피접속부재 중 어느 하나가 IC칩 또는 드라이버 IC칩이고 다른 하나가 유리 기판일 수 있다.
도 1을 참조하여 반도체 장치(30)를 설명하면, 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60)는, 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본원에 기재된 도전 입자(3)을 포함하는 이방 도전성 필름(10)을 통해 상호 접착될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
제조예 1 내지 4: 공중합 화합물의 제조
제조예 1: 공중합 화합물 1의 제조
9,9'-Bis(4-hydroxyphenyl)fluorene 14g과 비스페놀 F형 에폭시 수지(YSLV-80XY, 국도화학) 16g을 PGMEA 30g에 녹인 뒤, 2-Methyl imidazole 0.1g을 첨가하고 110℃에서 24시간 교반하였다. 교반 후 메탄올과 물을 이용하여 세척한 뒤, 형성된 침전을 건조시켜 하기 구조를 갖는 공중합 화합물 1(Tg:170℃, 중량평균분자량:25,000)을 제조하였다.
[공중합 화합물 1]
Figure pat00005
제조예 2: 공중합 화합물 2의 제조
9,9'-Bis(4-hydroxyphenyl)fluorene 15g과 비스페놀 A형 에폭시 수지(JER834, Mitsubishi Chemical) 10g을 PGMEA 30g에 녹인 뒤, 2-Methyl imidazole 0.1g을 첨가하고 110℃에서 24시간 교반하였다. 교반 후 메탄올과 물을 이용하여 세척한 뒤, 형성된 침전을 건조시켜 하기 구조를 갖는 공중합 화합물 2(Tg:165℃, 중량평균분자량:20,000)를 제조하였다.
[공중합 화합물 2]
Figure pat00006
제조예 3: 공중합 화합물 3의 제조
9,9'-Bis(4-hydroxyphenyl)fluorene 15g과 비스페놀 F형 에폭시 수지로 1,1'-Bis(4-hydroxyphenyl)methane 10g을 PGMEA 30g에 녹인 뒤, 2-Methyl imidazole 0.1g을 첨가하고 110℃에서 24시간 교반하였다. 교반 후 메탄올과 물을 이용하여 세척한 뒤, 형성된 침전을 건조시켜 하기 구조를 갖는 공중합 화합물 3(Tg:165℃, 중량평균분자량:22,000)을 제조하였다.
[공중합 화합물 3]
Figure pat00007
실시예 및 비교예
실시예 1
필름 형성을 위한 매트릭스 역할의 바인더 수지로 상기 제조예 1에서 제조된 공중합 화합물 1을 40 중량부, 에폭시 당량이 130g/eq인 에폭시 수지(Daicel celloxide 2021P) 35 중량부, 열경화성 잠재성 경화제(HX3741, 아사히화성, 일본) 5 중량부, 이방 도전성 필름에 도전 성능을 부여해주기 위한 필러로서 절연화 처리된 도전 입자(AUL-704, 평균입경 4um, SEKISUI사, 일본) 20 중량부를 혼합하여 이방 도전성 필름용 조성물을 제조하였다. 상기 이방 도전성 필름용 조성물을 이형필름 위에 도포한 후, 70℃ 건조기에서 5분간 용제를 휘발시켜 15㎛ 두께의 건조된 이방 도전성 필름을 얻었다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 바인더 수지로 제조예 2에서 제조된 공중합 화합물 2를 사용하고, 에폭시 수지로서 에폭시 당량이 143g/eq인 에폭시 수지 2(HP4032D, Dinippon ink)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 실시예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 바인더 수지로 제조예 3에서 제조된 공중합 화합물 3을 사용하고, 에폭시 수지로서 에폭시 당량이 97g/eq인 에폭시 수지 3(JER630ESD, Japan epoxy resin)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 실시예 3의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 바인더 수지로 바이페닐 플루오렌형 바인더 수지(FX-293, 신일철 화학, Tg:165℃, 분자량:45,000)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 비교예 1의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에 있어서, 에폭시 수지로서 에폭시 당량이 180g/eq인 에폭시 수지(YDPN 638, 국도화학)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 비교예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실험예
상기 제조된 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 및 2의 이방 도전성 필름에 대해 하기 조건 및 방법으로 최저 용융 점도, 경화율, 입자포착율, 접착력 및 접속저항을 측정하고 그 결과를 아래 표 1에 나타내었다.
실험예 1 : 최저 용융 점도 측정
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름에 대해 ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 이용하여, 샘플 두께 150㎛, 승온속도 10℃/분, 스트레스 5%, 프리퀀시 10rad/초로 30℃ 내지 200℃ 구간에서 최저 용융 점도를 측정하였다.
실험예 2 : 경화율의 측정
실시예 및 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름을 1mg 분취하여 DSC(열시차주사열량계, TA instruments, Q20)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min, -50℃ 내지 250℃ 온도 구간에서의 초기 발열량을 곡선아래 면적으로 측정(H0)하고, 이후 상기 필름을 핫플레이트(hot plate) 상에 130℃ 에서 5초간 방치한 후 동일한 방법으로 발열량을 측정(H1)하여 이로부터 하기 식 2에 따른 경화율을 계산하였다.
[식 2]
경화율(%) = [(H0-H1)/H0]×100
실험예 3 : 입자포착율의 측정
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름에 대해, 가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수를 입자자동측정기(ZOOTUS)를 사용하여 산출하였다.
또한, 이방 도전성 필름을 범프면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판(제조원: 네오뷰 코오롱)에 놓고 각각 70℃에서, 1초 동안 1MPa로 가압착한 후, 이형 필름을 제거하고 범프면적 1200㎛2, 두께 1.5T의 IC칩(제조원: 삼성 LSI)를 올린 뒤 이를 130℃에서 5초, 70MPa의 조건으로 본압착하고, 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수를 상기 입자자동측정기를 사용하여 산출하고 하기 식 1에 의해 입자포착율을 계산하였다.
[식 1]
입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수) × 100
실험예 4 : 접착력의 측정
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름을 범프면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판(제조원: 네오뷰 코오롱)에 놓고 각각 70℃에서, 1초 동안 1MPa로 가압착하였다. 상기 가압착 후, 이형 필름을 제거하고 범프면적 1200㎛2, 두께 1.5T의 IC칩(제조원: 삼성 LSI)을 올린 뒤 이를 130℃에서 5초, 70MPa의 조건으로 본압착하여 시편을 제조하고, 이를 Maximum load: 200kgf, Test speed : 100um/sec의 조건으로 필 강도 측정기(Bond tester Dage Series-4000)를 이용하여 각 시편당 총 3회 이상 측정하여 이들의 평균을 계산하였다.
실험예 5 : 초기 및 신뢰성 평가 후 접속저항의 측정
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름을 범프면적 1200㎛2, 두께 2000Å의 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판(제조원: 네오뷰 코오롱)에 놓고 각각 70℃에서, 1초 동안 1MPa로 가압착하였다. 상기 가압착 후, 이형 필름을 제거하고 범프면적 1200㎛2, 두께 1.5T의 IC칩(제조원: 삼성 LSI)를 올린 뒤 이를 130℃에서 5초, 70MPa의 조건으로 본압착하여 시편을 제조하고, 4 point probe법을 사용하여 4 point 사이에서의 저항을 측정하여 이를 초기 접속저항으로 나타내었다. 이후, 상기 본압착하여 제조된 시편을 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 500시간 동안 방치한 후 동일한 방법으로 저항을 측정하여 이를 신뢰성 평가 후 접속저항으로 나타내었다.
저항측정기기는 1mA를 인가하며 이때 측정되는 전압으로 저항을 계산하여 평균을 내어 표시하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
최저 용융 점도(Pa·s) 10,000 7,000 8,500 25,000 45,000
경화율(%) 87 86 88 65 70
입자포착율(%) 33 34 32 18 16
접착력(MPa) 33 32 34 30 28
초기 접속저항(Ω) 0.02 0.03 0.03 0.05 0.07
신뢰성 평가 후 접속저항(Ω) 0.12 0.13 0.12 1.20 1.50
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 수지의 공중합 화합물; 및 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지를 포함하는 실시예 1 내지 3의 이방 도전성 필름은 최저 용융 점도, 경화율, 입자포착율, 접착력, 초기 및 신뢰성 평가 후 접속저항에서 모두 우수한 물성을 나타내었다. 반면, 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 수지의 공중합 화합물을 사용하지 않은 비교예 1은, 바인더 수지의 낮은 Tg로 인해 최저 용융 점도가 높고 130℃에서의 경화율이 낮았으며, 입자포착율이 낮고 신뢰성 평가 후 접속저항이 크게 증가하는 것으로 나타났다. 에폭시 당량이 150g/eq를 초과하는 에폭시 수지를 사용한 비교예 2는 유동 특성이 떨어져 최저 용융 점도가 가장 높게 나타났으며, 비교예 1과 마찬가지로 경화율과 입자포착율이 실시예들에 비해 저하되고 신뢰성 평가 후 접속저항이 크게 증가하였다.

Claims (19)

  1. 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물; 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지; 경화제; 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플루오렌계 화합물은 2개 이상의 히드록시기를 포함하는, 이방 도전성 필름용 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 플루오렌계 화합물이 하기 화학식 1의 구조를 갖는, 이방 도전성 필름용 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00008

    상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고,
    m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
    n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비스페놀형 에폭시 화합물이 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 AD형 에폭시 화합물, 비스페놀 E형 에폭시 화합물, 비스페놀 S형 에폭시 화합물 또는 이들의 조합인, 이방 도전성 필름용 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 공중합 화합물이 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나의 구조를 갖는, 이방 도전성 필름용 조성물.
    [화학식 2]
    Figure pat00009

    [화학식 3]
    Figure pat00010

    [화학식 4]
    Figure pat00011

    상기 화학식 2 내지 4에서, R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 C1-6의 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록시기이고,
    R5 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소, C1-6의 알킬기, 할로겐 원자, C6-20의 방향족 고리 또는 C6-20의 지환족 고리이며,
    n은 1 내지 100의 정수이다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공중합 화합물의 중량평균분자량이 5,000 내지 50,000인, 이방 도전성 필름용 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공중합 화합물의 유리전이온도(Tg)가 140℃ 내지 200℃인, 이방 도전성 필름용 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지가 지환족 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지 또는 방향족 에폭시 수지인, 이방 도전성 필름용 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 이방 도전성 필름용 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로,
    공중합 화합물이 20 중량% 내지 70 중량%;
    에폭시 당량이 150g/eq 이하인 에폭시 수지가 20 중량% 내지 50 중량%;
    경화제가 0.5 중량% 내지 10 중량%; 및
    도전 입자가 1 중량% 내지 30 중량%로 포함되는, 이방 도전성 필름용 조성물.
  10. 플루오렌계 화합물과 비스페놀형 에폭시 화합물의 공중합 화합물을 포함하는 이방 도전성 필름으로,
    상기 필름을 50℃ 내지 80℃, 1 내지 3초간 및 1.0MPa 내지 3.0MPa의 조건에서 가압착하고, 120℃ 내지 160℃, 3 내지 6초간 및 60MPa 내지 80MPa의 압력 조건 하에서 본압착 후 측정한 하기 식 1에 따른 입자포착율이 30% 이상이고, 접착력이 10 MPa 이상인, 이방 도전성 필름.
    [식 1]
    입자포착율(%) = (가압착 및 본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수 /가압착 전 이방 도전성 필름의 단위면적당(mm2) 도전 입자의 수) × 100
  11. 제10항에 있어서, 상기 플루오렌계 화합물은 2개 이상의 히드록시기를 포함하는, 이방 도전성 필름.
  12. 제11항에 있어서, 상기 플루오렌계 화합물이 하기 화학식 1의 구조를 갖는, 이방 도전성 필름.
    [화학식 1]
    Figure pat00012

    상기 식 1에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고,
    m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
    n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.
  13. 제10항에 있어서, 상기 공중합 화합물이 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나의 구조를 갖는, 이방 도전성 필름.
    [화학식 2]
    Figure pat00013

    [화학식 3]
    Figure pat00014

    [화학식 4]
    Figure pat00015

    상기 화학식 2 내지 4에서, R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 C1-6의 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록시기이고,
    R5 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소, C1-6의 알킬기, 할로겐 원자, C6-20의 방향족 고리 또는 C6-20의 지환족 고리이며,
    n은 1 내지 100의 정수이다.
  14. 제10항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 COG(chip on glass) 또는 COF(chip on film) 실장 방식에 사용되는, 이방 도전성 필름.
  15. 제10항에 있어서, ARES 측정에 따른 30℃ 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 5,000 내지 20,000 Pa·s 인, 이방 도전성 필름.
  16. 제10항에 있어서, 상기 가압착 및 본압착 후 측정한 초기 접속 저항이 1.0 Ω 이하인, 이방 도전성 필름.
  17. 제10항에 있어서, 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 500시간 동안 방치하여 측정한 신뢰성 평가 후 접속 저항이 3 Ω 이하인, 이방 도전성 필름.
  18. 제10항에 있어서, 하기 식 2에 따른 경화율이 80% 이상인, 이방 도전성 필름.
    [식 2]
    경화율(%) = [(H0-H1)/H0]×100
    상기 식 2에서, H0는 이방 도전성 필름을 열시차주사열량계(DSC)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min, -50℃ 내지 250℃ 온도 구간에서 곡선아래 면적으로 측정한 초기 발열량이고, H1은 핫플레이트(hot plate) 상에 130℃ 에서 5초간 방치한 후 동일한 방법으로 측정한 발열량을 나타낸다.
  19. 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
    제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
    상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 제10항 내지 제18항의 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치.
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