KR20170005788A - Electroconductive particles, conductive material, and connection structure - Google Patents

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Abstract

전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 도전성 입자를 제공한다. 본 발명에 관한 도전성 입자는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하고, 3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률이 5000N/㎟ 이상 30000N/㎟ 이하이고, 압축 속도 0.33mN/s로 3mN 하중 시의 반발 에너지(식: 반발 에너지=3mN×3mN 하중 시에 있어서의 변위 ㎛×3mN 하중 시에 있어서의 압축 회복률 %에 의해 구해짐)가 0.8 이상 1.6 이하이다.Provided is a conductive particle capable of effectively increasing conduction reliability between electrodes when the electrodes are electrically connected. The conductive particle according to the present invention comprises base particles and a conductive portion disposed on the surface of the base particle, wherein a compression modulus at a load of 3 mN is not less than 5000 N / mm2 and not more than 30000 N / mm2, s is calculated to be 0.8 or more and 1.6 or less when measured at a load of 3 mN (expression: repulsion energy = displacement m at a load of 3 mN x 3 mN x compression recovery rate at a load of 3 mN).

Description

도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체{ELECTROCONDUCTIVE PARTICLES, CONDUCTIVE MATERIAL, AND CONNECTION STRUCTURE}ELECTROCONDUCTIVE PARTICLES, CONDUCTIVE MATERIAL, AND CONNECTION STRUCTURE [0002]

본 발명은 기재 입자의 표면 상에 도전부가 배치되어 있는 도전성 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료 및 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive particle in which a conductive portion is disposed on a surface of a base particle. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 복수의 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in the binder resin.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위하여, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)) 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material can be used for various connection structures, for example, connection (FOG (Film on Glass)) between a flexible printed board and a glass substrate, connection (COF (Chip on Film)) between a semiconductor chip and a flexible printed board, (COG (Chip on Glass)) between a semiconductor chip and a glass substrate and connection (FOB (Film on Board)) between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 반도체 칩의 전극과 유리 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 기판 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 반도체 칩을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜, 도전성 입자를 개재하여 전극간을 전기적으로 접속하여 접속 구조체를 얻는다.For example, when an electrode of a semiconductor chip and an electrode of a glass substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is arranged on a glass substrate. Then, the semiconductor chips are laminated and heated and pressed. Thereby, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

상기 도전성 입자의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는, 중합체 입자와, 중합체 입자의 표면에 도전성 금속층을 갖는 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 중합체 입자의 파괴점 하중은 9.8mN(1.0gf) 이하이다. 또한, 특허문헌 1에서는, 상기 중합체 입자의 10% K값이 7350N/㎟(750kgf/㎟) 내지 49000N/㎟(5000kgf/㎟)될 수도 있는 것이 기재되어 있다.As an example of the conductive particles, Patent Document 1 below discloses polymer particles and conductive particles having a conductive metal layer on the surface of the polymer particles. The fracture point load of the polymer particles is 9.8 mN (1.0 gf) or less. Further, in Patent Document 1, it is described that the 10% K value of the polymer particles may be 7350 N / mm 2 (750 kgf / mm 2) to 49000 N / mm 2 (5000 kgf / mm 2).

WO2012/020799 A1WO2012 / 020799 A1

특허문헌 1에 기재한 바와 같은 종래의 도전성 입자를 사용하여, 전극간을 접속하여 접속 구조체를 얻은 경우에는, 초기의 접속 저항이 높아지거나, 도통 신뢰성이 낮아지거나 하는 경우가 있다. 예를 들어, 접속 구조체가 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 노출되었을 때에, 전극간의 접속 저항이 상승되는 경우가 있고, 도통 신뢰성이 낮은 경우가 있다.In the case of using a conventional conductive particle as described in Patent Document 1 to obtain a connection structure by connecting the electrodes therebetween, initial connection resistance may be increased or conduction reliability may be lowered. For example, when the connection structure is exposed to the conditions of 85 캜 and 85% humidity for 500 hours, the connection resistance between the electrodes may be increased, and the reliability of conduction may be low.

또한, 최근들어 전자 부품의 소형화가 진행되고 있다. 이로 인해, 전자 부품에 있어서의 도전성 입자에 의해 접속되는 배선에 있어서, 배선이 형성된 라인(L)의 폭과, 배선이 형성되어 있지 않은 스페이스(S)의 폭을 나타내는 L/S가 작아지고 있다. 이러한 미세한 배선이 형성되어 있는 경우에, 종래의 도전성 입자를 사용하여 도전 접속을 행하면, 충분한 도통 신뢰성을 확보하는 것이 곤란하다.Also, in recent years, miniaturization of electronic parts has been progressing. Thus, in the wiring connected by the conductive particles in the electronic component, the L / S representing the width of the line L in which the wiring is formed and the width of the space S in which no wiring is formed is reduced . In the case where such fine wiring is formed, it is difficult to secure sufficient conduction reliability by conducting the conductive connection using the conventional conductive particles.

본 발명의 목적은, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 도전성 입자를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a conductive particle capable of effectively increasing the reliability of conduction between electrodes when the electrodes are electrically connected.

또한, 본 발명은, 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것도 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하고, 3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률이 5000N/㎟ 이상 30000N/㎟ 이하이고, 압축 속도 0.33mN/s로 3mN 하중 시의 하기 식으로부터 구해지는 반발 에너지가 0.8 이상 1.6 이하인, 도전성 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a base material comprising base particles and a conductive portion disposed on a surface of the base particle, wherein the base material has a compressive modulus at the time of 3 mN load of not less than 5000 N / mm2 and not more than 30000 N / s at a load of 3 mN is 0.8 or more and 1.6 or less.

반발 에너지=3mN×3mN 하중 시에 있어서의 변위 ㎛×3mN 하중 시에 있어서의 압축 회복률 %Rebound energy = 3 mN x 3 mN displacement at the time of loading 占 퐉 x 3 mN Compression recovery rate at load%

본 발명에 관한 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자가 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자이다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the base particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles.

본 발명에 관한 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는 상기 도전부의 외표면에 돌기를 갖는다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have projections on the outer surface of the conductive portion.

본 발명에 관한 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는 상기 도전부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비한다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising the above-mentioned conductive particles and a binder resin.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가, 상술한 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a communication device including a first connection object member, a second connection object member, a first connection object member, and a connection portion connecting the second connection object member, A connection structure formed by one conductive particle or formed by a conductive material containing the conductive particles and a binder resin is provided.

본 발명에 관한 도전성 입자에서는, 기재 입자의 표면 상에 도전부가 배치되어 있고, 3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률이 5000N/㎟ 이상 30000N/㎟ 이하이고, 압축 속도 0.33mN/s로 3mN 하중 시의 반발 에너지가 0.8 이상 1.6 이하이므로, 본 발명에 관한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the conductive particle according to the present invention, the conductive part is disposed on the surface of the base particles, and the compressive modulus at the time of 3 mN load is not less than 5000 N / mm 2 and not more than 30000 N / mm 2, Since the repulsive energy is not less than 0.8 and not more than 1.6, when the electrodes are electrically connected by using the conductive particles according to the present invention, the reliability of conduction between the electrodes can be effectively increased.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.
4 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to a first embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described. In the present specification, "(meth) acryl" means one or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acrylate" means one of "acrylate" and "methacrylate" It means both.

(도전성 입자) (Conductive particles)

본 발명에 관한 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비한다.The conductive particles according to the present invention include base particles and conductive portions disposed on the surface of the base particles.

본 발명에 관한 도전성 입자에서는, 3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률이 5000N/㎟ 이상 30000N/㎟ 이하이다. 본 발명에 관한 도전성 입자에서는, 압축 속도 0.33mN/s로 3mN 하중 시의 하기 식으로부터 구해지는 반발 에너지가 0.8 이상 1.6 이하이다.In the conductive particle according to the present invention, the compressive modulus at the time of 3 mN load is not less than 5000 N / mm 2 and not more than 30000 N / mm 2. In the conductive particles according to the present invention, the repulsive energy determined from the following equation at a compression rate of 0.33 mN / s at 3 mN load is 0.8 or more and 1.6 or less.

반발 에너지=3mN×3mN 하중 시에 있어서의 변위 ㎛×3mN 하중 시에 있어서의 압축 회복률 %Rebound energy = 3 mN x 3 mN displacement at the time of loading 占 퐉 x 3 mN Compression recovery rate at load%

본 발명에 관한 도전성 입자는, 비교적 경질이면서, 낮은 반발 에너지를 나타낸다. 본 발명에 관한 도전성 입자는, 종래 구비되어 있지 않은 새로운 성질을 구비하고 있다.The conductive particles according to the present invention exhibit relatively hard and low repulsive energy. The conductive particles according to the present invention have novel properties that are not conventionally provided.

본 발명에서는, 상술한 구성이 구비되어 있기 때문에, 본 발명에 관한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 관한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 접속 구조체에 관해서, 접속 구조체가 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 노출되었을 때에, 전극간의 접속 저항이 상승되는 것을 억제할 수 있다.In the present invention, since the above-described structure is provided, when the electrodes are electrically connected using the conductive particles according to the present invention, the reliability of conduction between the electrodes can be effectively increased. For example, with respect to the connection structure in which the electrodes are electrically connected to each other using the conductive particles according to the present invention, when the connection structure is exposed to the conditions of 85 ° C and 85% humidity for 500 hours, the connection resistance between the electrodes is increased Can be suppressed.

상기와 같은 효과가 발현되는 것은, 반도체 칩 및 유리 기판 등의 접속 대상 부재가 얇은 경우 등에, 도전성 입자의 스프링백에 의한 저항값의 상승이 억제되기 때문이다.The reason why the above-described effects are exhibited is that increase in the resistance value due to springback of the conductive particles is suppressed when the connection target members such as the semiconductor chip and the glass substrate are thin.

또한, 본 발명에 관한 도전성 입자에서는, 비교적 경질이라는 점 등으로부터, 도전 접속 후에 전극에 적당한 압흔을 형성할 수 있다. 이것에 의해서도, 초기의 접속 저항을 낮출 수 있고, 또한 도통 신뢰성을 높일 수 있다.In addition, since the conductive particles according to the present invention are relatively hard, indentations suitable for the electrodes can be formed after the conductive connection. Also by this, the initial connection resistance can be lowered and the conduction reliability can be improved.

접속 저항을 한층 더 낮추고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률(K값)은, 바람직하게는 7000N/㎟ 이상, 보다 바람직하게는 9000N/㎟ 이상, 바람직하게는 25000N/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 20000N/㎟ 이하이다.From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the compression modulus (K value) of the conductive particles at a load of 3 mN is preferably 7000 N / mm 2 or more, more preferably 9000 N / Mm 2 or more, preferably 25000 N / mm 2 or less, and more preferably 20,000 N / mm 2 or less.

접속 저항을 한층 더 낮추고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 상기 반발 에너지는 바람직하게는 0.9 이상, 보다 바람직하게는 1.0 이상, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 1.4 이하이다.The repulsive energy of the conductive particles is preferably 0.9 or more, more preferably 1.0 or more, preferably 1.5 or less, more preferably 1.4 or less, more preferably 1.5 or less, from the viewpoint of further lowering the connection resistance and further improving the conduction reliability between the electrodes. Or less.

상기 도전성 입자에 있어서의 3mN 하중 시의 변위 및 상기 도전성 입자에 있어서의 3mN 하중 시의 상기 압축 탄성률은, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The displacement at 3 mN load in the conductive particle and the compressive elastic modulus at 3 mN load in the conductive particle can be measured as follows.

미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면으로, 25℃에서, 최대 시험 하중 90mN을 30초에 걸쳐 부하하는 조건에서, 도전성 입자 1개를 압축한다. 이때의 하중값(N) 및 압축 변위(㎜)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 상기 압축 탄성률을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.One conductive particle is compressed under a condition of loading a test load of 90 mN at 25 占 폚 at a maximum test load of 90 mN on the flattened indenter end face of a cylindrical column (diameter 50 占 퐉, made of diamond) using a micro compression tester. At this time, the load value N and the compression displacement (mm) are measured. From the obtained measured values, the above-described compressive modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Co., Ltd. or the like is used.

K값(N/㎟)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 K value (N / mm 2) = (3/2 1/2 ) · F · S -3/2 · R -1/2

F: 하중값, 0.003(N) F: Load value, 0.003 (N)

S: 도전성 입자가 3mN으로 압축했을 때의 압축 변위(㎜)S: Compressive displacement (mm) when conductive particles are compressed to 3 mN

R: 도전성 입자의 반경(㎜) R: radius of conductive particle (mm)

상기 압축 탄성률은, 도전성 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 도전성 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus shows the hardness of the conductive particles in a universal and quantitative manner. By using the compressive elastic modulus, the hardness of the conductive particles can be quantitatively and univocally expressed.

상기 반발 에너지를 구하기 위한 상기 압축 회복률은, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate for obtaining the repulsive energy can be measured as follows.

시료대 상에 도전성 입자를 살포한다. 살포된 도전성 입자 1개에 대하여, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 100㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면으로, 25℃에서, 도전성 입자의 중심 방향으로, 도전성 입자의 3mN 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하여, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The conductive particles are sprayed on the sample surface. One conductive particle to be sprayed was subjected to a 3 mN load (inversion) of the conductive particle at 25 캜 at the flat end surface of a cylindrical column (diameter of 100 탆, made of diamond) Load value). Thereafter, the load is reduced to the original point load value (0.40 mN). And the compression-recovery rate can be obtained from the following equation by measuring the load-compression displacement between them. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro compression tester, for example, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Co., Ltd. or the like is used.

압축 회복률(%)=[(L1-L2)/L1]×100 Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] 100

L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compressive displacement from the original point load value to the reverse load value when the load is applied

L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: Deflection displacement from the inverse load value when releasing the load to the original point load value

본 발명에 관한 도전성 입자와 같은, 비교적 경질이면서, 낮은 반발 에너지를 나타내는 입자는, 기재 입자의 중합 조건 및 도전부의 경도를 적절히 조정함으로써 얻을 수 있다.Particles which are comparatively hard and exhibit a low rebound energy, such as the conductive particles according to the present invention, can be obtained by appropriately adjusting the polymerization conditions of the base particles and the hardness of the conductive portion.

기재 입자에 관해서는, 예를 들어 상기 기재 입자가 후술하는 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 축합 반응 조건, 소성 시의 산소 분압, 소성 온도, 소성 시간의 조정을 행함으로써, 축합 반응 시는 라디칼 중합 반응을 억제하면서, 소성 공정에서 라디칼 중합 반응이 행하여지도록 할 수 있고, 결과적으로 비교적 경질이면서, 낮은 반발 에너지를 나타내는 도전성 입자를 얻는 것이 가능한 기재 입자를 용이하게 얻을 수 있다.Regarding the base particles, for example, when the base particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles except for the metal described later, by adjusting the condensation reaction conditions, the oxygen partial pressure at the time of firing, the firing temperature and the firing time, During the condensation reaction, the radical polymerization reaction can be performed in the firing step while suppressing the radical polymerization reaction. As a result, the base particles can be obtained which can obtain the conductive particles which are relatively hard and exhibit low repulsion energy.

도전부에 관해서는, 도전부의 재료인 금속종, 도전부의 두께를 적절히 조정함으로써, 상기 도전 입자의 물성이 상기 기재 입자의 물성과 더불어, 원하는 반발 에너지 물성을 얻을 수 있다.Regarding the conductive portion, by appropriately adjusting the thickness of the metal species and the conductive portion which are the material of the conductive portion, the physical properties of the conductive particles can be obtained in addition to the physical properties of the base particles and the desired repulsive energy properties.

상기 금속종으로서는, 니켈을 포함하는 재료의 바람직한 예로서 들 수 있고, 니켈 외에, 니켈인 합금, 니켈붕소 합금, 니켈과 붕소와 텅스텐의 합금 및 그들의 조합을 들 수 있다.Examples of the metal species include nickel, nickel alloys, nickel boron alloys, nickel, alloys of boron and tungsten, and combinations thereof, which are preferable examples of materials containing nickel.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되지 않고, 본 발명의 특징을 손상시키지 않을 정도로, 이하의 실시 형태는 적절히 변경, 개량 등 될 수도 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments may be appropriately modified, improved, or the like so long as the features of the present invention are not impaired.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 도전성 입자(1)는 기재 입자(2)와, 도전부(3)를 갖는다. 도전부(3)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 제1 실시 형태에서는, 도전부(3)는 기재 입자(2)의 표면에 접하고 있다. 도전성 입자(1)는 기재 입자(2)의 표면이 도전부(3)에 의해 피복된 피복 입자이다. 도전성 입자(1)에서는, 도전부(3)는 단층의 도전부(도전층)이다.The conductive particles 1 shown in Fig. 1 have base particles 2 and conductive portions 3. Fig. The conductive part 3 is disposed on the surface of the base particle 2. In the first embodiment, the conductive portion 3 is in contact with the surface of the base particle 2. The conductive particles (1) are coated particles in which the surface of the base particles (2) is covered with the conductive parts (3). In the conductive particle 1, the conductive portion 3 is a single conductive portion (conductive layer).

도전성 입자(1)는 후술하는 도전성 입자(11, 21)와는 달리, 코어 물질을 갖지 않는다. 도전성 입자(1)는 도전성의 표면에 돌기를 갖지 않고, 도전부(3)의 외표면에 돌기를 갖지 않는다. 도전성 입자(1)는 구상이다.Unlike the conductive particles 11 and 21 to be described later, the conductive particles 1 do not have a core material. The conductive particles 1 do not have projections on the conductive surface and do not have projections on the outer surface of the conductive portion 3. [ The conductive particles (1) are spherical.

이와 같이, 본 발명에 관한 도전성 입자는, 도전성의 표면에 돌기를 갖고 있지 않을 수도 있고, 도전부의 외표면에 돌기를 갖고 있지 않을 수도 있으며, 구상일 수도 있다. 또한, 도전성 입자(1)는 후술하는 도전성 입자(11, 21)와는 달리, 절연성 물질을 갖지 않는다. 단, 도전성 입자(1)는 도전부(3)의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 갖고 있을 수도 있다.As described above, the conductive particles according to the present invention may not have protrusions on the conductive surface, may not have protrusions on the outer surface of the conductive portion, or may be spherical. Unlike the conductive particles 11 and 21 to be described later, the conductive particles 1 do not have an insulating material. However, the conductive particles (1) may have an insulating material disposed on the outer surface of the conductive part (3).

도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시하는 도전성 입자(11)는 기재 입자(2)와, 도전부(12)와, 복수의 코어 물질(13)과, 복수의 절연성 물질(14)을 갖는다. 도전부(12)는 기재 입자(2)의 표면 상에 기재 입자(2)에 접하도록 배치되어 있다. 도전성 입자(11)에서는, 도전부(12)는 단층의 도전부(도전층)이다.The conductive particles 11 shown in Fig. 2 have base particles 2, conductive portions 12, a plurality of core materials 13, and a plurality of insulating materials 14. The conductive part 12 is disposed on the surface of the base particle 2 so as to be in contact with the base particle 2. In the conductive particle 11, the conductive portion 12 is a conductive portion (conductive layer) of a single layer.

도전성 입자(11)는 도전성의 표면에, 복수의 돌기(11a)를 갖는다. 도전성 입자(11)는, 도전부(12)는 외표면에 복수의 돌기(12a)를 갖는다. 복수의 코어 물질(13)이 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(13)은 도전부(12) 내에 매립되어 있다. 코어 물질(13)은 돌기(11a, 12a)의 내측에 배치되어 있다. 도전부(12)는 복수의 코어 물질(13)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(13)에 의해 도전부(12)의 외표면이 융기되어 있어, 돌기(11a, 12a)가 형성되어 있다.The conductive particles 11 have a plurality of projections 11a on the conductive surface. In the conductive particle 11, the conductive portion 12 has a plurality of projections 12a on its outer surface. A plurality of core materials (13) are disposed on the surface of the base particles (2). A plurality of core materials (13) are embedded in the conductive part (12). The core material 13 is disposed inside the projections 11a and 12a. The conductive portion 12 covers a plurality of core materials 13. The outer surfaces of the conductive parts 12 are raised by the plurality of core materials 13 to form the projections 11a and 12a.

도전성 입자(11)는 도전부(12)의 외표면 상에 배치된 절연성 물질(14)을 갖는다. 도전부(12)의 외표면의 적어도 일부의 영역이, 절연성 물질(14)에 의해 피복되어 있다. 절연성 물질(14)은 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있고, 절연성 입자이다. 이와 같이, 본 발명에 관한 도전성 입자는, 도전부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 갖고 있을 수도 있다. 단, 본 발명에 관한 도전성 입자는, 절연성 물질을 반드시 갖고 있지 않을 수도 있다.The conductive particles (11) have an insulating material (14) disposed on the outer surface of the conductive part (12). At least a part of the outer surface of the conductive part 12 is covered with the insulating material 14. [ The insulating material 14 is formed of a material having an insulating property and is insulating particles. As described above, the conductive particles according to the present invention may have an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion. However, the conductive particles according to the present invention may not necessarily contain an insulating material.

도 3은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.

도 3에 도시하는 도전성 입자(21)는 기재 입자(2)와, 도전부(22)와, 복수의 코어 물질(13)과, 복수의 절연성 물질(14)을 갖는다. 도전부(22)는 전체에서, 기재 입자(2)측에 제1 도전부(22A)와, 기재 입자(2)측과는 반대측에 제2 도전부(22B)를 갖는다.The conductive particles 21 shown in Fig. 3 have base particles 2, conductive portions 22, a plurality of core materials 13, and a plurality of insulating materials 14. The conductive portion 22 has a first conductive portion 22A on the base particle 2 side and a second conductive portion 22B on the opposite side of the base particle 2 side.

도전성 입자(11)와 도전성 입자(21)는 도전부만이 상이하다. 즉, 도전성 입자(11)에서는 1층 구조의 도전부가 형성되어 있는 것에 반하여, 도전성 입자(21)에서는 2층 구조의 제1 도전부(22A) 및 제2 도전부(22B)가 형성되어 있다. 제1 도전부(22A)와 제2 도전부(22B)는 다른 도전부로서 형성되어 있다.The conductive particles (11) and the conductive particles (21) differ only in conductive portions. That is, in the conductive particles 11, the first conductive portions 22A and the second conductive portions 22B are formed in a two-layered structure. The first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B are formed as different conductive portions.

제1 도전부(22A)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(2)와 제2 도전부(22B) 사이에 제1 도전부(22A)가 배치되어 있다. 제1 도전부(22A)는 기재 입자(2)에 접하고 있다. 따라서, 기재 입자(2)의 표면 상에 제1 도전부(22A)가 배치되어 있고, 제1 도전부(22A)의 표면 상에 제2 도전부(22B)가 배치되어 있다. 도전성 입자(21)는 도전성의 표면에 복수의 돌기(21a)를 갖는다. 도전성 입자(21)는, 도전부(22)는 외표면에 복수의 돌기(22a)를 갖는다. 제1 도전부(22A)는 외표면에 돌기(22Aa)를 갖는다. 제2 도전부(22B)는 외표면에 복수의 돌기(22Ba)를 갖는다. 도전성 입자(21)에서는, 도전부(22)는 2층의 도전부(도전층)이다.The first conductive portion 22A is disposed on the surface of the base particle 2. A first conductive portion 22A is disposed between the base particle 2 and the second conductive portion 22B. The first conductive portion 22A is in contact with the base particle 2. Therefore, the first conductive portion 22A is disposed on the surface of the base particle 2, and the second conductive portion 22B is disposed on the surface of the first conductive portion 22A. The conductive particles 21 have a plurality of projections 21a on the conductive surface. In the conductive particles 21, the conductive portion 22 has a plurality of projections 22a on its outer surface. The first conductive portion 22A has a protrusion 22Aa on its outer surface. The second conductive portion 22B has a plurality of projections 22Ba on its outer surface. In the conductive particles 21, the conductive portions 22 are two conductive portions (conductive layers).

이하, 도전성 입자의 다른 상세에 대하여 설명한다.Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.

[기재 입자] [Substrate Particle]

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 쉘을 구비하는 코어 쉘 입자일 수도 있다. 상기 코어가 유기 코어일 수도 있다. 상기 쉘이 무기 쉘일 수도 있다. 그 중에서도, 금속 입자를 제외한 기재 입자가 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자가 보다 바람직하다. 본 발명의 효과가 보다 한층 우수한 점에서, 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자가 특히 바람직하다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles may be core shell particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core may be an organic core. The shell may be an inorganic shell. Among them, base particles excluding metal particles are preferable, and resin particles, inorganic particles other than metal particles, or organic-inorganic hybrid particles are more preferable. Particularly preferred are resin particles or organic-inorganic hybrid particles in that the effect of the present invention is further improved.

상기 기재 입자는, 수지에 의해 형성된 수지 입자인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자를 사용하여 전극간을 접속할 때에는, 상기 도전성 입자를 전극 사이에 배치한 후, 압착함으로써 상기 도전성 입자를 압축시킨다. 상기 기재 입자가 수지 입자이면, 상기 압착 시에 상기 도전성 입자가 변형되기 쉽고, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 전극간의 도통 신뢰성이 높아진다.The base particles are preferably resin particles formed by a resin. When connecting the electrodes using the conductive particles, the conductive particles are disposed between the electrodes, and then pressed to compress the conductive particles. When the base particles are resin particles, the conductive particles are liable to be deformed at the time of pressing, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. As a result, the reliability of conduction between the electrodes increases.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 적절하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리알킬렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 다양한 중합성 단량체를 1종 혹은 2종 이상 중합시켜 얻어지는 중합체 등을 들 수 있다. 기재 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 복수 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are suitably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; But are not limited to, polyalkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, Various polymerizable monomers having an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a saturated polyester resin, a polysulfone, a polyphenylene oxide, a polyacetal, a polyimide, a polyamideimide, a polyetheretherketone, a polyether sulfone and an ethylenic unsaturated group And polymers obtained by polymerization of one kind or two or more kinds. The hardness of the base particles can be easily controlled within a suitable range. Therefore, the resin for forming the resin particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체를 중합시켜 얻는 경우, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particle is obtained by polymerizing a monomer having an ethylenic unsaturated group, examples of the monomer having an ethylenic unsaturated group include a monomer which is incompatible with the monomer and a monomer which is crosslinkable.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트류; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르류; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르류; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl Alkyl (meth) acrylates such as acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (Meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; Acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트류; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di Polyfunctional (meth) acrylates such as (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; (Meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, trimethylolpropane trimethoxysilane, triallyl trimellitate, divinyl benzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, , Silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane, and the like.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지의 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법 및 비가교의 시드 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The above-mentioned resin particles can be obtained by polymerizing the above-mentioned polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group by a known method. Examples of the method include suspension polymerization in the presence of, for example, a radical polymerization initiator, and polymerization by swelling the monomer together with the radical polymerization initiator using uncrosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the base particles are inorganic particles other than metals or organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic substances for forming base particles include silica and carbon black. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, and then firing if necessary, . Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자의 재료인 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하고, 구리 입자가 아닌 것이 바람직하다.In the case where the base particles are metal particles, silver, copper, nickel, silicon, gold, titanium and the like can be given as a metal which is a material of the metal particles. However, the base particles are preferably not metal particles, and are preferably not copper particles.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2㎛ 이상, 바람직하게는 1000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 또한 한층 바람직하게는 30㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하, 가장 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상이면 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아지고, 도전성 입자를 개재하여 접속된 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한 기재 입자의 표면에 도전부를 무전해 도금에 의해 형성할 때에 응집되기 어려워지고, 응집된 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 충분히 압축되기 쉬워, 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아지고, 전극간의 간격이 더욱 작아진다.The particle diameter of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2 μm or more, preferably 1000 μm or less, More preferably not more than 500 mu m, further preferably not more than 50 mu m, further preferably not more than 30 mu m, particularly preferably not more than 5 mu m, and most preferably not more than 3 mu m. When the particle diameter of the base particles is not less than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrode is increased, so that the reliability of the connection between the electrodes is further increased, and the connection resistance between the electrodes connected via the conductive particles is further lowered. Further, when the conductive part is formed on the surface of the base particles by electroless plating, it is difficult to coagulate and the coagulated conductive particles are hardly formed. When the particle diameter of the base particles is less than the upper limit, the conductive particles are easily compressed sufficiently, the connection resistance between the electrodes is further lowered, and the interval between the electrodes is further reduced.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 기재 입자가 진구상인 경우에는 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구상이 아닌 경우에는 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the base particles indicates a diameter when base particles are spherical, and indicates a maximum diameter when base particles are not spherical.

상기 기재 입자의 입자 직경은 1㎛ 이상 5㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 1 내지 5㎛의 범위 내이면, 전극간의 간격이 작아지고, 또한 도전부의 두께를 두껍게 해도 작은 도전성 입자가 얻어진다.Particularly preferably, the particle size of the base particles is 1 탆 or more and 5 탆 or less. If the particle diameter of the base particles is in the range of 1 to 5 占 퐉, the distance between the electrodes becomes small, and even if the thickness of the conductive part is increased, small conductive particles can be obtained.

[도전부] [Conductive part]

상기 도전부를 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 팔라듐, 루테늄, 로듐, 오스뮴, 이리듐, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는, 주석 도핑 산화인듐(ITO) 및 땜납 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극간의 접속 저항을 한층 더 낮출 수 있으므로, 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐이 바람직하다.The metal for forming the conductive part is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, ruthenium, rhodium, osmium, iridium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, , Germanium, cadmium, silicon, and alloys thereof. Examples of the metal include indium tin oxide (ITO) and solder. Among them, an alloy including tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is preferable because connection resistance between electrodes can be further lowered.

도전성 입자(1, 11)와 같이, 상기 도전부는 1개의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 도전성 입자(21)와 같이, 도전부는 복수의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 즉, 도전부는 2층 이상의 적층 구조를 갖고 있을 수도 있다. 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는, 최외층은 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 주석과 은을 포함하는 합금층인 것이 바람직하고, 금층인 것이 보다 바람직하다. 최외층이 이들의 바람직한 도전층인 경우에는 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 최외층이 금층인 경우에는 내부식성이 한층 더 높아진다.Like the conductive particles 1 and 11, the conductive portion may be formed by one layer. Like the conductive particles 21, the conductive portion may be formed by a plurality of layers. That is, the conductive portion may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive part is formed by a plurality of layers, the outermost layer is preferably an alloy layer including a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a tin and silver layer, more preferably a gold layer. When the outermost layer is the preferable conductive layer, the connection resistance between the electrodes is further lowered. Further, when the outermost layer is a gold layer, corrosion resistance is further increased.

상기 기재 입자의 표면 상에 도전부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 도전부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 혹은 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전부의 형성이 간편하므로, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the conductive portion on the surface of the base particles is not particularly limited. Examples of the method of forming the conductive portion include a method of electroless plating, a method of electroplating, a method of physical vapor deposition, and a method of coating a paste containing metal powder or metal powder and a binder on the surface of base particles And the like. Among them, the electroless plating method is preferable because the formation of the conductive part is simple. Examples of the physical deposition method include vacuum deposition, ion plating and ion sputtering.

상기 도전성 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 바람직하게는 520㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 도전성 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 사용하여 전극간을 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 도전부를 형성할 때에 응집된 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자를 개재하여 접속된 전극간의 간격이 지나치게 커지지 않고, 또한 도전부가 기재 입자의 표면으로부터 박리되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 도전 재료의 용도에 적절하게 사용 가능하다.The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 占 퐉 or more, more preferably 1 占 퐉 or more, preferably 520 占 퐉 or less, more preferably 500 占 퐉 or less, still more preferably 100 占 퐉 or less, Is not more than 50 mu m, particularly preferably not more than 20 mu m. When the particle diameters of the conductive particles are not less than the lower limit and not more than the upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and when the conductive particles are formed, . Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become excessively large, and the conductive portion becomes difficult to peel off from the surface of the base particles. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conductive particles can be suitably used for the conductive material.

상기 도전성 입자의 입자 직경은, 도전성 입자가 진구상인 경우에는 직경을 의미하고, 도전성 입자가 진구상 이외의 형상인 경우에는 최대 직경을 의미한다.The particle diameter of the conductive particles means the diameter when the conductive particles are spherical, and the maximum diameter when the conductive particles have shapes other than the spheroidal shape.

상기 도전부의 두께(도전부 전체의 두께)는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전부의 두께는, 도전부가 다층인 경우에는 도전층 전체의 두께이다. 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극간의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive portion (the thickness of the entire conductive portion) is preferably 0.005 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 10 탆 or less, more preferably 1 탆 or less, further preferably 0.5 탆 or less , Particularly preferably not more than 0.3 mu m. The thickness of the conductive portion is the total thickness of the conductive layer when the conductive portion has multiple layers. When the thickness of the conductive portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained and the conductive particles are not excessively hardened, and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes.

상기 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해져, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 상기 최외층이 금층인 경우에 금층의 두께가 얇을수록 비용이 낮아진다.When the conductive portion is formed by a plurality of layers, the thickness of the conductive layer in the outermost layer is preferably 0.001 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 0.5 탆 or less, more preferably 0.1 Mu m or less. When the thickness of the conductive layer of the outermost layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the coating by the conductive layer of the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes becomes further lower. Further, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the thickness of the gold layer, the lower the cost.

상기 도전부의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM)를 사용하여, 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM).

도전성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자는 니켈을 포함하는 도전부를 갖는 것이 바람직하다. 니켈을 포함하는 도전부 100중량% 중 니켈의 함유량은 바람직하게는 50중량% 이상, 보다 바람직하게는 65중량% 이상, 보다 한층 바람직하게는 70중량% 이상, 더욱 바람직하게는 75중량% 이상, 또한 한층 바람직하게는 80중량% 이상, 특히 바람직하게는 85중량% 이상, 가장 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 니켈을 포함하는 도전부 100중량% 중 니켈의 함유량은 바람직하게는 100중량%(전량) 이하이고, 99중량% 이하일 수도 있고, 95중량% 이하일 수도 있다. 니켈의 함유량이 상기 하한 이상이면 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 전극이나 도전부의 표면에 있어서의 산화 피막이 적은 경우에는, 니켈의 함유량이 많을수록 전극간의 접속 저항이 낮아지는 경향이 있다.From the viewpoint of effectively increasing the conductivity, it is preferable that the conductive particles have a conductive portion including nickel. The content of nickel in 100 wt% of the conductive portion including nickel is preferably 50 wt% or more, more preferably 65 wt% or more, still more preferably 70 wt% or more, still more preferably 75 wt% More preferably 80% by weight or more, particularly preferably 85% by weight or more, and most preferably 90% by weight or more. The content of nickel in 100 wt% of the conductive portion including nickel is preferably 100 wt% or less, 99 wt% or less, or 95 wt% or less. If the nickel content is lower than the lower limit described above, the connection resistance between the electrodes is further lowered. In addition, when the oxide film on the surface of the electrode or the conductive part is small, the connection resistance between the electrodes tends to decrease as the content of nickel increases.

상기 도전부에 포함되는 금속의 함유량 측정 방법은, 기지의 다양한 분석법을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 이 측정 방법으로서, 흡광 분석법 또는 스펙트럼 분석법 등을 들 수 있다. 상기 흡광 분석법에서는, 프레임 흡광 광도계 및 전기 가열로 흡광 광도계 등을 사용할 수 있다. 상기 스펙트럼 분석법으로서는, 플라즈마 발광 분석법 및 플라즈마 이온원 질량 분석법 등을 들 수 있다.As a method for measuring the content of the metal contained in the conductive portion, various known analytical methods can be used without particular limitation. As the measuring method, an absorption analysis method or a spectrum analysis method can be mentioned. In the above absorption spectrophotometry, a frame absorption spectrophotometer, an electric heating spectrophotometer, or the like can be used. Examples of the spectrum analysis include plasma emission analysis and plasma ion mass spectrometry.

상기 도전부에 포함되는 금속의 평균 함유량을 측정할 때에는, ICP 발광 분석 장치를 사용하는 것이 바람직하다. ICP 발광 분석 장치의 시판품으로서는, 호리바(HORIBA)사제의 ICP 발광 분석 장치 등을 들 수 있다.When measuring the average content of the metal contained in the conductive portion, it is preferable to use an ICP emission spectrometer. Commercially available products of the ICP emission spectrometer include ICP emission spectrometers manufactured by HORIBA.

상기 도전부는, 니켈 외에, 인 또는 붕소를 포함하고 있을 수도 있다. 또한, 상기 도전부는, 니켈 이외의 금속을 포함하고 있을 수도 있다. 상기 도전부에 있어서, 복수의 금속이 포함되는 경우에 복수의 금속은 합금화되어 있을 수도 있다.The conductive portion may contain phosphorus or boron in addition to nickel. In addition, the conductive portion may include a metal other than nickel. In the conductive portion, when a plurality of metals are included, a plurality of metals may be alloyed.

니켈과 인 또는 붕소를 포함하는 도전부 100중량% 중 인 또는 붕소의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. 인 또는 붕소의 함유량이 상기 하한 및 상기 상한 이하이면, 도전부의 저항이 한층 더 낮아져, 상기 도전부가 접속 저항의 저감에 기여한다.The content of phosphorus or boron in 100 wt% of the conductive portion including nickel and phosphorus or boron is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 1 wt% or more, preferably 10 wt% or less, more preferably 5 By weight or less. If the content of phosphorus or boron is less than the lower limit and the upper limit, the resistance of the conductive part is further lowered, and the conductive part contributes to reduction of the connection resistance.

[코어 물질] [Core material]

상기 도전성 입자는 도전성의 표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 상기 도전부의 외표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 돌기는 복수인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 또한, 상기 도전성 입자의 도전부의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 상기 돌기를 갖는 도전성 입자의 사용에 의해 전극간에 도전성 입자를 배치한 후, 압착시킴으로써, 돌기에 의해 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이로 인해, 전극과 도전성 입자를 보다 한층 확실하게 접촉시킬 수 있고, 전극간의 접속 저항을 낮출 수 있다. 또한, 상기 도전성 입자가 표면에 절연성 물질을 갖는 경우, 또는 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용할 수 있는 경우에, 도전성 입자의 돌기에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 수지를 효과적으로 배제할 수 있다. 이로 인해, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.It is preferable that the conductive particles have protrusions on the conductive surface. The conductive particles preferably have protrusions on the outer surface of the conductive portion. It is preferable that the projections are plural. In many cases, an oxide film is formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. In many cases, an oxide film is formed on the surface of the conductive part of the conductive particles. By using the conductive particles having the protrusions, the conductive particles are arranged between the electrodes, and then the conductive particles are pressed, whereby the oxide film is effectively removed by the protrusions. As a result, the electrode and the conductive particle can be brought into contact more reliably, and the connection resistance between the electrodes can be lowered. In the case where the conductive particles have an insulating material on the surface or the conductive particles are dispersed in the binder resin and can be used as a conductive material, the resin between the conductive particles and the electrode is effectively removed by the protrusions of the conductive particles . As a result, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 코어 물질이 상기 도전부 중에 매립되어 있음으로써, 상기 도전부가 외표면에 복수의 돌기를 갖도록 하는 것이 용이하다. 단, 도전성 입자의 도전성 표면 및 도전부의 표면에 돌기를 형성하기 위하여, 코어 물질을 반드시 사용하지 않을 수도 있다.Since the core material is embedded in the conductive portion, it is easy to make the conductive portion have a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form protrusions on the conductive surface of the conductive particles and the surface of the conductive portion, the core material may not necessarily be used.

상기 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법, 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전부를 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전부를 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method for forming the projections include a method of attaching a core material to the surface of base particles and then forming a conductive part by electroless plating; a method of forming a conductive part by electroless plating on the surface of base particles, A method of forming a conductive portion by electroless plating and a method of adding a core material in a step of forming a conductive portion by electroless plating on the surface of base particles.

상기 코어 물질의 재료로서는, 도전성 물질 및 비도전성 물질을 들 수 있다. 상기 도전성 물질로서는, 예를 들어 금속, 금속의 산화물, 흑연 등의 도전성 비금속 및 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 상기 도전성 중합체로서는, 폴리아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 비도전성 물질로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨 및 지르코니아 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성을 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있으므로, 금속이 바람직하다. 상기 코어 물질은 금속 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료인 금속으로서는, 상기 도전 재료의 재료로서 예시한 금속을 적절히 사용 가능하다.Examples of the material of the core material include a conductive material and a non-conductive material. Examples of the conductive material include metals, oxides of metals, conductive base metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the non-conductive material include silica, alumina, barium titanate, and zirconia. Among them, a metal is preferable because the conductivity can be increased and the connection resistance can be effectively lowered. The core material is preferably a metal particle. As the metal material of the core material, a metal exemplified as the material of the conductive material can be suitably used.

상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 괴상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들어 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집된 응집 덩어리 및 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core material is preferably massive. As the core material, for example, a lump of particles, an agglomerated mass aggregating a plurality of minute particles, and a lump of an amorphous substance can be given.

상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.The average diameter (average particle diameter) of the core material is preferably 0.001 탆 or more, more preferably 0.05 탆 or more, preferably 0.9 탆 or less, and more preferably 0.2 탆 or less. If the average diameter of the core material is above the lower limit and below the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은, 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은, 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the core material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 pieces of any core material with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 도전성 입자 1개당 상기한 돌기의 수는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상이다. 상기 돌기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 돌기의 수의 상한은 도전성 입자의 입자 직경 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.The number of the projections per one conductive particle is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the projections is not particularly limited. The upper limit of the number of the projections can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles and the like.

복수의 상기 돌기의 평균 높이는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.The average height of the plurality of projections is preferably 0.001 탆 or more, more preferably 0.05 탆 or more, preferably 0.9 탆 or less, and more preferably 0.2 탆 or less. When the average height of the projections is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

[절연성 물질] [Insulating material]

상기 도전성 입자는, 상기 도전부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도전성 입자를 전극간의 접속에 사용하면, 인접하는 전극간의 단락을 한층 더 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 도전성 입자가 접촉되었을 때 복수의 전극간에 절연성 물질이 존재하므로, 상하의 전극간이 아니고 가로 방향에 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극간의 접속 시에, 2개의 전극으로 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 도전부와 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 상기 도전성 입자가 도전부의 외표면에 복수의 돌기를 갖는 경우에는, 도전성 입자의 도전부와 전극 사이의 절연성 물질을 한층 더 용이하게 배제할 수 있다.The conductive particles preferably include an insulating material disposed on an outer surface of the conductive portion. In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, it is possible to further prevent short-circuiting between adjacent electrodes. Specifically, when a plurality of conductive particles are brought into contact with each other, an insulating material exists between a plurality of electrodes, so that a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the transverse direction can be prevented not between the upper and lower electrodes. Further, when connecting the electrodes, the conductive particles of the conductive particles and the insulating material between the electrodes can be easily excluded by pressing the conductive particles with the two electrodes. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion, the insulating material between the conductive portion of the conductive particles and the electrode can be more easily excluded.

전극간의 압착 시에 상기 절연성 물질을 한층 더 용이하게 배제할 수 있는 점에서, 상기 절연성 물질은 절연성 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the insulating material is insulating particles in that the insulating material can be more easily excluded when the electrodes are compressed.

상기 절연성 물질의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀류, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, crosslinked products of thermoplastic resins, thermoplastic resins, thermosetting resins and water- .

상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 도전성 입자의 입자 직경 및 도전성 입자의 용도 등에 의해 적절히 선택할 수 있다. 상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 상기 절연성 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상이면 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되었을 때에, 복수의 도전성 입자에 있어서의 도전부끼리 접촉되기 어려워진다. 상기 절연성 입자의 평균 직경이 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 시에 전극과 도전성 입자 사이의 절연성 물질을 배제하기 때문에, 압력을 지나치게 높일 필요가 없어지고, 고온으로 가열할 필요도 없어진다.The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles and the use of the conductive particles. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 1 탆 or less, and more preferably 0.5 탆 or less. When the average diameter of the insulating material is not less than the lower limit, conductive portions of the plurality of conductive particles are less likely to come into contact with each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is less than the upper limit, since the insulating material between the electrodes and the conductive particles is removed at the time of connection between the electrodes, there is no need to excessively increase the pressure and there is no need to heat at a high temperature.

상기 절연성 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은, 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 절연성 물질의 평균 직경은, 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is obtained by using a particle size distribution measuring device or the like.

(도전 재료) (Conductive material)

본 발명에 관한 도전 재료는, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는, 결합제 수지 중에 분산되어, 도전 재료로서 사용할 수 있는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자 및 상기 도전 재료는 각각, 전극간의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and can be used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive particles and the conductive material are preferably used for electrical connection between the electrodes, respectively. The conductive material is preferably a circuit connecting material.

상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지로서, 공지의 절연성의 수지가 사용된다.The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.

상기 결합제 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 결합제 수지는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Examples of the binder resin include a vinyl resin, a thermoplastic resin, a curable resin, a thermoplastic block copolymer and an elastomer. The binder resin may be used alone or in combination of two or more.

상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는, 상온 경화형 수지, 열경화형 수지, 광경화형 수지 또는 습기 경화형 수지일 수도 있다. 상기 경화성 수지는, 경화제와 병용될 수도 있다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include a polyolefin resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer and a polyamide resin. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room-temperature curable resin, a thermosetting resin, a photo-curable resin, or a moisture-curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a hydrogenated product of a styrene-isoprene- Additives and the like. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는, 열가소성 성분 또는 열경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는, 열가소성 성분을 포함하고 있을 수도 있고, 열경화성 성분을 포함하고 있을 수도 있다. 상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는, 열경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 성분은, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 상기 열경화제는, 상기 결합제 수지가 경화되도록 적당한 배합비로 사용된다.The conductive material and the binder resin preferably include a thermoplastic component or a thermosetting component. The conductive material and the binder resin may include a thermoplastic component or may include a thermosetting component. The conductive material and the binder resin preferably include a thermosetting component. The thermosetting component preferably includes a curing compound that can be cured by heating and a thermosetting agent. The curable compound that can be cured by the heating and the thermosetting agent are used at a proper blending ratio so that the binder resin is cured.

상기 도전 재료는, 상기 도전성 입자 및 상기 결합제 수지 이외에, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.The conductive material may contain, in addition to the conductive particles and the binder resin, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, Flame retardant, and the like.

상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 재료가 도전 필름인 경우에는 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있을 수도 있다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The conductive material may be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 결합제 수지의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 특히 바람직하게는 70중량% 이상, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 결합제 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간에 도전성 입자가 효율적으로 배치되고, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The content of the binder resin in 100 wt% of the conductive material is preferably 10 wt% or more, more preferably 30 wt% or more, still more preferably 50 wt% or more, particularly preferably 70 wt% Is 99.99% by weight or less, and more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the conduction reliability of the member to be connected connected by the conductive material is further enhanced.

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 20중량% 이하, 더욱 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.01 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more, preferably 40 wt% or less, more preferably 20 wt% or less, Is not more than 10% by weight. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the reliability of conduction between the electrodes is further increased.

(접속 구조체) (Connection structure)

상기 도전성 입자를 사용하거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 사용하여, 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.The connection structure can be obtained by using the conductive particles or by connecting the members to be connected using a conductive material including the conductive particles and a binder resin.

상기 접속 구조체는, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 해당 접속부가 본 발명의 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는 접속 구조체인 것이 바람직하다. 도전성 입자가 사용된 경우에는 접속부 자체가 도전성 입자이다. 즉, 제1, 제2 접속 대상 부재가 도전성 입자에 의해 접속된다.Wherein the connection structure includes a first connection object member, a second connection object member, and a connection portion connecting the first and second connection object members, and the connection portion is formed by the conductive particles of the present invention, Or a connection structure formed by a conductive material including the conductive particles and a binder resin. When conductive particles are used, the connection itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

도 4에 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 정면 단면도로 나타낸다.4 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to a first embodiment of the present invention.

도 4에 도시하는 접속 구조체(51)는 제1 접속 대상 부재(52)와, 제2 접속 대상 부재(53)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)를 접속하고 있는 접속부(54)를 구비한다. 접속부(54)는 도전성 입자(1)를 포함하는 도전 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 또한, 도 4에서는, 도전성 입자(1)는, 도시의 편의상, 약도적으로 도시되어 있다. 도전성 입자(1) 대신에, 도전성 입자(11, 21) 등을 사용할 수도 있다.The connecting structure 51 shown in Fig. 4 has a connecting member 51 connecting the first connection target member 52, the second connection target member 53 and the first and second connection target members 52 and 53 54). The connection portion 54 is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 1. [ In Fig. 4, the conductive particles 1 are schematically shown for convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, the conductive particles 11 and 21 may be used.

제1 접속 대상 부재(52)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(52a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(53)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(53a)을 갖는다. 제1 전극(52a)과 제2 전극(53a)이, 1개 또는 복수의 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)가 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on its surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on its surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected to each other by one or more conductive particles 1. [ Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1. [

상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 접속 구조체의 제조 방법 일례로서는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전 재료를 배치하고, 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 가압의 압력은 9.8×104 내지 4.9×106Pa 정도이다. 상기 가열의 온도는 120 내지 220℃ 정도이다.The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a manufacturing method of the connection structure, there is a method in which the conductive material is disposed between the first connection target member and the second connection target member and a laminate is obtained and then the laminate is heated and pressed have. The pressure of the pressurization is about 9.8 x 10 4 to 4.9 x 10 6 Pa. The temperature of the heating is about 120 to 220 占 폚.

상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품 및 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 전자 부품에 있어서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다.Specific examples of the member to be connected include electronic parts such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and electronic parts such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards and circuit boards such as glass boards. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic parts.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 은 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는 알루미늄만으로 형성된 전극일 수도 있고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극일 수도 있다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode provided on the member to be connected include a metal electrode such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1) (Example 1)

교반기 및 온도계가 설치된 500mL의 반응 용기 내에 0.13중량%의 암모니아 수용액 300g을 넣었다. 이어서, 반응 용기 내의 암모니아 수용액 중에 메틸트리메톡시실란 3.8g과, 비닐트리메톡시실란 10.8g과, 실리콘알콕시올리고머 A(신에츠 가가쿠 고교사제 「X-41-1053」, 메톡시기와 에톡시기와 에폭시기와 규소 원자에 직접 결합한 알킬기를 갖는 중량 평균 분자량: 약 1600) 0.4g의 혼합물을 천천히 첨가했다. 교반하면서, 가수분해 및 축합 반응을 진행시킨 후, 25중량% 암모니아 수용액 1.6mL 첨가한 후, 암모니아 수용액 중으로부터 입자를 단리하고, 얻어진 입자를 산소 분압 10-10atm, 450℃(소성 온도)에서 2시간(소성 시간) 소성하여, 유기 무기 하이브리드 입자(기재 입자)를 얻었다. 얻어진 유기 무기 하이브리드 입자의 입자 직경은 3.00㎛이었다.300 g of 0.13 wt% aqueous ammonia solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer. Then, 3.8 g of methyltrimethoxysilane, 10.8 g of vinyltrimethoxysilane, 0.2 g of a silicone alkoxy oligomer A ("X-41-1053" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Weight average molecular weight having an epoxy group and an alkyl group directly bonded to a silicon atom: about 1600) was added slowly. After the hydrolysis and condensation reaction proceeded with stirring, 1.6 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution was added, and the particles were isolated from the aqueous ammonia solution. The resulting particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10 -10 atm at 450 DEG C And fired for 2 hours (firing time) to obtain organic-inorganic hybrid particles (base particles). The obtained organic-inorganic hybrid particles had a particle diameter of 3.00 mu m.

얻어진 유기 무기 하이브리드 입자를 사용하여, 무전해 도금법에 의해, 유기 무기 하이브리드 입자의 표면에 니켈층을 형성했다. 니켈층의 두께는 0.10㎛이었다.Using the obtained organic-inorganic hybrid particles, a nickel layer was formed on the surface of the organic-inorganic hybrid particles by an electroless plating method. The thickness of the nickel layer was 0.10 탆.

(실시예 2 내지 5) (Examples 2 to 5)

실시예 1의 도전성 입자의 제작 방법의 조건을, 표 2의 조건으로 변경하고, 유기 무기 하이브리드 입자를 제작하고, 하기의 표 1에 기재된 물성값으로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2 내지 5의 도전성 입자를 얻었다.The conditions of the manufacturing method of the conductive particles of Example 1 were changed to the conditions of Table 2 and organic-inorganic hybrid particles were prepared and the physical property values described in the following Table 1 were used, 2 to 5 conductive particles were obtained.

(실시예 6)(Example 6)

실시예 1과 마찬가지의 기재 입자를 준비했다. 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 상기 기재 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자를 취출했다. 계속해서, 기재 입자를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하고, 기재 입자의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하고, 분산시킴으로써, 현탁액을 얻었다. 이어서, 금속 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 100㎚) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 얻었다. 코어 물질이 부착된 기재 입자를 증류수 500중량부에 첨가하고, 분산시킴으로써, 현탁액을 얻었다. 기재 입자를 상기 코어 물질이 부착된 기재 입자로 변경하고, 하기의 표 1에 기재된 물성값으로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자를 얻었다.Base particles similar to those of Example 1 were prepared. 10 parts by weight of the base particles were dispersed in 100 parts by weight of an alkali solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution by using an ultrasonic dispersing machine, and then the solution was filtered to take out base particles. Subsequently, the base particles were added to 100 parts by weight of a 1 wt% solution of dimethylamine borane to activate the surface of the base particles. The surface-activated base particles were sufficiently washed with water and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension. Subsequently, 1 g of metallic nickel particle slurry (average particle diameter 100 nm) was added to the above dispersion for 3 minutes to obtain base particles with the core material adhered thereto. The base material with the core material attached thereto was added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles were changed to the base particles to which the core material was adhered and the physical property values were set forth in Table 1 below.

(실시예 7) (Example 7)

4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 설치된 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판) 이염산염 1mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5중량%가 되도록 이온 교환수에 칭량한 후, 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 70℃에서 24시간 중합을 행했다. 반응 종료 후, 동결 건조하고, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입자 직경 220㎚ 및 CV값 10%의 절연성 입자를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirrer, a three-way cock, a cooling tube and a temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and 100 mmol of N, N, N-trimethyl- A monomer composition containing 1 mmol of ethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water to a solid content of 5% by weight, stirred at 200 rpm, The polymerization was carried out at 70 캜 for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the resultant was lyophilized to obtain an insulating particle having an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%, having an ammonium group on its surface.

절연성 입자를 초음파 조사 하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다.The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.

실시예 6에서 얻어진 도전성 입자 10g을 이온 교환수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 수분산액 4g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반했다. 0.3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10 g of the conductive particles obtained in Example 6 were dispersed in 500 ml of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. Filtered through a mesh filter of 0.3 mu m, washed with methanol, and dried to obtain conductive particles having insulating particles adhered thereto.

주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입자 직경 투영 면적)을 산출한 바, 피복률은 40%이었다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) with respect to the area of 2.5 mu m from the center of the conductive particles was calculated by image analysis, and the coverage was 40%.

(실시예 8) (Example 8)

유기 무기 하이브리드 입자의 입자 직경을 2.25㎛로 변경하고, 하기의 표 1에 기재된 물성값으로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that the particle diameter of the organic-inorganic hybrid particles was changed to 2.25 占 퐉 and the physical properties shown in Table 1 below were used.

(실시예 9) (Example 9)

유기 무기 하이브리드 입자의 제작 시에, 메틸트리메톡시실란을 페닐트리메톡시실란으로 변경하고, 하기의 표 1에 기재된 물성값으로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that methyltrimethoxysilane was changed to phenyltrimethoxysilane at the time of production of the organic-inorganic hybrid particles and the physical properties shown in Table 1 below were used.

(실시예 10) (Example 10)

유기 무기 하이브리드 입자의 제작 시에, 실리콘알콕시올리고머 A를 유기 치환기가 메틸/아크릴로일기이고 알콕시기가 메톡시기인 실리콘알콕시올리고머 B(신에츠 가가쿠 고교사제 「KR-513」)로 변경하고, 하기의 표 1에 기재된 물성값으로 한 것 이외는 실시예 1 마찬가지로 하여, 도전성 입자를 얻었다.In producing the organic-inorganic hybrid particles, the silicon alkoxy oligomer A was changed to a silicon alkoxy oligomer B (KR-513, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) having an organic substituent group methyl / acryloyl group and an alkoxy group methoxy group, Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the physical properties shown in Table 1 were used.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

냉각관, 온도계, 적하구를 구비한 4구 플라스크에, 이온 교환수 804중량부와, 25% 암모니아수 1.2중량부와, 메탄올 336.6중량부를 넣고, 교반 하에서, 적하구로부터 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(신에츠 가가쿠 고교사제 「KBM503」) 80중량부 및 메탄올 59.4중량부의 혼합액을 첨가하고, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란의 가수분해, 축합 반응을 행하여, 메타크릴로일기를 갖는 폴리실록산 입자(중합성 폴리실록산 입자)의 유탁액을 제조했다. 반응 개시부터 2시간 후, 얻어진 폴리실록산 입자의 유탁액을 샘플링하고, 입자 직경을 측정한 바, 입자 직경은 2.25㎛이었다.804 parts by weight of ion-exchanged water, 1.2 parts by weight of 25% ammonia water, and 336.6 parts by weight of methanol were placed in a four-necked flask equipped with a stirrer, a condenser, a thermometer and a dropping funnel, and 3-methacryloxypropyl tri A mixed solution of 80 parts by weight of methoxysilane (KBM503, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 59.4 parts by weight of methanol was added to conduct hydrolysis and condensation reaction of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane to obtain a methacryloyl group (Polymerizable polysiloxane particles) was prepared. After 2 hours from the start of the reaction, the emulsion of the obtained polysiloxane particles was sampled and the particle diameter was measured to find that the particle diameter was 2.25 占 퐉.

계속해서, 유화제로서 폴리옥시에틸렌스티렌화 페닐에테르황산에스테르암모늄염(다이이치 고교 세야쿠사제 「하이테놀(등록 상표) NF-08」)의 20% 수용액 2중량부를 이온 교환수 80중량부로 용해한 용액에, 시아누르산트리알릴(TAC) 56중량부, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)(와코 쥰야쿠 고교사제 「V-65」) 1.6중량부를 용해한 용액을 첨가하고, 유화 분산시켜 단량체 성분의 유화액을 제조했다.Subsequently, a solution obtained by dissolving 2 parts by weight of a 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfuric acid ester ammonium salt ("Hytenol (registered trademark) NF-08" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier in 80 parts by weight of ion- , 56 parts by weight of cyanuric acid triallyl (TAC) and 1.6 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) ("V-65" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) , And emulsified and dispersed to prepare an emulsion of the monomer component.

얻어진 유화액을 중합성 폴리실록산 입자의 유탁액 중에 첨가하고, 재차 교반을 행했다. 유화액의 첨가로부터 1시간 후, 혼합액을 샘플링하여 현미경으로 관찰을 행한 바, 중합성 폴리실록산 입자가 단량체를 흡수하여 비대화되어 있는 것이 확인되었다.The resulting emulsion was added to the emulsion of the polymerizable polysiloxane particles and stirred again. After one hour from the addition of the emulsion, the mixed solution was sampled and observed under a microscope. As a result, it was confirmed that the polymerizable polysiloxane particles absorbed the monomer and became non-enlarged.

계속해서, 폴리옥시에틸렌스티렌화 페닐에테르황산에스테르암모늄염의 20% 수용액 8중량부, 이온 교환수 20.6중량부를 첨가하고, 질소 분위기 하에서 반응액을 65℃까지 승온시켜, 65℃에서 2시간 유지하고, 단량체 성분의 라디칼 중합을 행했다. 라디칼 중합 후의 유탁액을 고액 분리하고, 얻어진 케이크를 이온 교환수, 메탄올로 세정한 후, 120℃에서 2시간 진공 건조시켜 중합체 입자인 기재 입자를 얻었다. 얻어진 기재 입자의 입자 직경은 3.00㎛이었다.Subsequently, 8 parts by weight of a 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfuric acid ester ammonium salt and 20.6 parts by weight of ion-exchanged water were added. The temperature of the reaction solution was raised to 65 캜 in a nitrogen atmosphere, Radical polymerization of the monomer components was carried out. After the radical polymerization, the emulsion was subjected to solid-liquid separation, and the obtained cake was washed with ion-exchanged water and methanol, and then dried at 120 캜 for 2 hours under vacuum to obtain base particles as polymer particles. The obtained base particles had a particle diameter of 3.00 mu m.

상기 기재 입자를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles were used.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

냉각관, 온도계, 적하구를 구비한 4구 플라스크에, 이온 교환수 680중량부, 25% 암모니아수 1.2중량부와, 메탄올 520중량부를 넣고, 25℃로 유지했다. 그 중에 가교성 실란계 단량체인 비닐트리메톡시실란(신에츠 가가쿠 고교사제 「KBM1003」) 60중량부를 적하하고, 내온을 25℃에서 15분 유지한 후, 폴리옥시에틸렌스티렌화 페닐에테르황산에스테르암모늄염(다이이치 고교 세야쿠사제 「하이테놀 NF-08」)의 20% 수용액을 32중량부 첨가하고, 재차 15분 교반함으로써, 비닐트리메톡시실란의 가수분해, 축합 반응을 행하여, 비닐기를 갖는 폴리실록산 입자(중합성 폴리실록산 입자)의 유탁액을 제작했다. 얻어진 폴리실록산 입자의 유탁액을 샘플링하고, 입자 직경을 측정한 바, 입자 직경은 2.25㎛이었다.680 parts by weight of ion-exchanged water, 1.2 parts by weight of 25% ammonia water, and 520 parts by weight of methanol were placed in a four-necked flask equipped with a cooling tube, a thermometer and a dropping funnel. And 60 parts by weight of vinyltrimethoxysilane ("KBM1003" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), which is a crosslinkable silane-based monomer, was dropped thereinto. After maintaining the internal temperature at 25 캜 for 15 minutes, polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfuric acid ester ammonium salt , 32 parts by weight of a 20% aqueous solution of polyvinyl alcohol (" Hytenol NF-08 " manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) was added and stirred for another 15 minutes to hydrolyze and condense the vinyltrimethoxysilane, To prepare an emulsion of particles (polymerizable polysiloxane particles). The emulsion of the obtained polysiloxane particles was sampled and the particle diameter was measured to find that the particle diameter was 2.25 占 퐉.

계속해서, 유화제로서 폴리옥시에틸렌스티렌화 페닐에테르황산에스테르암모늄염(다이이치 고교 세야쿠사제 「하이테놀 NF-08」)의 20% 수용액 1.0중량부를 이온 교환수 42중량부로 용해한 용액에, DVB960(신닛테츠 스미토모 긴조쿠 가가쿠사제, 디비닐벤젠 함량 96중량%) 24중량부와, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)(와코 쥰야쿠 고교사제 「V-65」) 1.0중량부를 용해한 용액을 첨가하고, TK 호모믹서(도쿠슈 기카 고교사제)에 의해 8000rpm으로 5분간 유화 분산시켜, 단량체 에멀전을 제조했다. 이 단량체 에멀전을 폴리실록산 입자의 유탁액 중에 첨가하고, 재차 교반을 행했다. 단량체 에멀전 첨가로부터 1시간 후, 반응액을 샘플링하여 현미경으로 관찰한 바, 특정 폴리실록산 입자가 단량체 조성물을 흡수하여 비대화되어 있는 것이 확인되었다.Subsequently, to a solution obtained by dissolving 1.0 part by weight of a 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfuric acid ester ammonium salt ("Hytenol NF-08" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier in 42 parts by weight of ion-exchanged water, DVB960 24 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name: V- 65 "), and the resulting mixture was emulsified and dispersed at 8000 rpm for 5 minutes by a TK homomixer (manufactured by Tokushu Kika Kogyo Co., Ltd.) to prepare a monomer emulsion. This monomer emulsion was added to the emulsion of the polysiloxane particles and stirred again. One hour after the addition of the monomer emulsion, the reaction solution was sampled and observed under a microscope. As a result, it was confirmed that the specific polysiloxane particles absorbed the monomer composition and became non-enlarged.

계속해서, 반응액을 질소 분위기 하에서 65℃로 승온시켜, 65℃에서 2시간 유지함으로써 라디칼 중합을 행했다. 반응액을 냉각한 후, 얻어진 유탁액을 고액 분리하고, 얻어진 케이크를 이온 교환수, 계속하여 메탄올로 세정한 후, 120℃에서 2시간 건조하고, 또한 질소 분위기 하 350℃에서 3시간 가열 처리를 실시함으로써, 중합체 입자인 기재 입자를 얻었다. 얻어진 기재 입자의 입자 직경은 3.00㎛이었다.Subsequently, the reaction solution was heated to 65 占 폚 in a nitrogen atmosphere and maintained at 65 占 폚 for 2 hours to carry out radical polymerization. After cooling the reaction solution, the obtained emulsion was subjected to solid-liquid separation, and the resulting cake was washed with ion-exchanged water and then with methanol, dried at 120 ° C for 2 hours, and further heat-treated at 350 ° C for 3 hours in a nitrogen atmosphere Thereby obtaining base particles which are polymer particles. The obtained base particles had a particle diameter of 3.00 mu m.

(평가) (evaluation)

(1) 3mN 하중 시의 압축 탄성률(K값), 3mN 하중 시의 변위 및 압축 회복률(1) compression modulus (K value) at 3 mN load, displacement at 3 mN load and compression recovery rate

도전성 입자의 3mN 하중 시의 압축 탄성률(K값), 도전성 입자의 3mN 하중 시의 변위 및 도전성 입자의 압축 회복률을 상술한 방법으로, 23℃에서 측정했다. 도전성 입자의 3mN 하중 시의 변위와 도전성 입자의 압축 회복률로부터 반발 에너지를 산출했다.The compressive elastic modulus (K value) of the conductive particles at 3 mN load, the displacement of the conductive particles at 3 mN load, and the compressive recovery rate of the conductive particles were measured at 23 deg. C by the method described above. The repulsive energy was calculated from the displacement of the conductive particles at 3 mN load and the compression recovery rate of the conductive particles.

(2) 압흔의 상태 (2) the state of indentation

접속 구조체의 제작: Fabrication of the connection structure:

열경화성 화합물인 에폭시 화합물(나가세 켐텍스사제 「EP-3300P」) 10중량부와, 열경화성 화합물인 에폭시 화합물(DIC사제 「에피클론(EPICLON) HP-4032D」) 10중량부와, 열경화성 화합물인 화합물(욧카이치 고세이샤제 「에포고세 PT」, 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르) 15중량부와, 경화제인 열 양이온 발생제(산신 가가쿠사제 선에이드 「SI-60」) 5중량부와, 필러인 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛) 20중량부를 배합하고, 추가로 얻어진 도전성 입자를 배합물 100중량% 중에서의 함유량이 10중량%가 되도록 첨가한 후, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 이방성 도전 페이스트를 얻었다., 10 parts by weight of an epoxy compound as a thermosetting compound ("EP-3300P" manufactured by Nagase ChemteX Corp.) and 10 parts by weight of an epoxy compound as a thermosetting compound (EPICLON HP-4032D, manufactured by DIC) , 5 parts by weight of a thermal cation generator as a curing agent ("SI-60" manufactured by Sanshin Chemical Industries, Ltd.) and 10 parts by weight of a polyvinyl butyral resin And 20 parts by weight of silica (average particle diameter: 0.25 mu m) as a filler were added. The resulting conductive particles were added in an amount of 10% by weight in 100% by weight of the mixture, and then stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer Thereby obtaining an anisotropic conductive paste.

L/S가 20㎛/20㎛인 Al-Ti 4% 전극 패턴(Al-Ti 4% 전극 두께 1㎛)을 상면에 갖는 유리 기판을 준비했다. 또한, L/S가 20㎛/20㎛인 금 전극 패턴(금 전극 두께20㎛)을 하면에 갖는 반도체 칩을 준비했다.A glass substrate having an Al-Ti 4% electrode pattern (Al-Ti 4% electrode thickness 1 占 퐉) having L / S of 20 占 퐉 / 20 占 퐉 on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern (gold electrode thickness of 20 占 퐉) having L / S of 20 占 퐉 / 20 占 퐉 was prepared.

상기 유리 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 20㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 재료층을 형성했다. 이어서, 이방성 도전 재료층의 상면에 상기 반도체 칩을 전극끼리 대향하도록 적층했다. 그 후, 이방성 도전 재료층의 온도가 170℃가 되도록 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 싣고, 2.5MPa의 압력을 가하고, 이방성 도전 재료층을 170℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.Anisotropic conductive paste immediately after preparation was coated on the upper surface of the glass substrate to a thickness of 20 占 퐉 to form an anisotropic conductive material layer. Then, the semiconductor chips were laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes were opposed to each other. Thereafter, while the temperature of the head was adjusted so that the temperature of the anisotropic conductive material layer was 170 占 폚, a pressure heating head was placed on the upper surface of the semiconductor chip, a pressure of 2.5 MPa was applied, To obtain a connection structure.

미분 간섭 현미경을 사용하여, 얻어진 접속 구조체의 유리 기판측으로부터, 유리 기판에 설치된 전극을 관찰하여, 도전성 입자가 접촉된 전극의 압흔 형성 유무를 관찰했다. 압흔의 상태를 하기의 기준으로 판정했다.Using a differential interference microscope, the electrode provided on the glass substrate was observed from the glass substrate side of the obtained connecting structure, and the presence or absence of the indentation of the electrode with which the conductive particles were contacted was observed. The indentation state was determined based on the following criteria.

[압흔의 상태 판정 기준] [Judgment Criteria of Indentation Condition]

○○○: 신뢰성 시험 실시 전(초기)에, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 0개소. 신뢰성 시험 실시 후, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 0개소○○○: Before the reliability test (initial), there are 0 points where the particle indentation is not clearly visible in 50 bumps. After performing the reliability test, there are 0 points where the particle indentation of the 50 bumps is not clearly visible

○○: 신뢰성 시험 실시 전(초기)에, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 0개소. 신뢰성 시험 실시 후, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 5개소 미만○○: Before the reliability test (initial), there are 0 points where the particle indentation is not clearly displayed in 50 bumps. After the reliability test, the number of points where the indentation of particles in the 50 bumps is not clearly visible is less than 5 points

○: 신뢰성 시험 실시 전(초기)에, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 0개소. 신뢰성 시험 실시 후, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 5개소 이상 10개소 이하○: Before the reliability test (initial), there are 0 points where the particle indentation does not clearly appear in 50 bumps. After the reliability test, the points where the indentation of particles in the 50 bumps are not clear are 5 points or more and 10 points or less

△: 신뢰성 시험 실시 전(초기)에, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 1개소 이상 5개소 미만△: Prior to the reliability test (initial), the number of points where the particle indentation does not clearly appear in 50 bumps is 1 point or more and less than 5 points

×: 신뢰성 시험 실시 전(초기)에, 50범프 중 입자 압흔이 선명하게 나오지 않는 개소가 5개소 이상 占: Prior to the reliability test (initial), there were 5 points or more where the particle indentations of 50 bumps were not clearly displayed

또한, 상기 신뢰성 시험이란, 상기 접속 구조체를 기온 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 폭로하는 것을 의미한다.The reliability test means that the connection structure is exposed for 500 hours at a temperature of 85 캜 and a humidity of 85%.

(3) 초기의 접속 저항 A (3) Initial connection resistance A

접속 저항의 측정: Measurement of connection resistance:

상기 (2) 압흔 형성의 유무 평가로 얻어진 접속 구조체가 대향하는 전극간의 접속 저항 A를 4단자법에 의해 측정했다. 또한, 초기의 접속 저항 A를 하기의 기준으로 판정했다.The connection resistance A between the opposing electrodes of the connection structure obtained by (2) evaluation of the presence or absence of indentation formation was measured by the four-terminal method. The initial connection resistance A was determined based on the following criteria.

[초기의 접속 저항 A의 평가 기준] [Evaluation Criteria of Initial Connection Resistance A]

○○○: 접속 저항 A가 2.0Ω 이하○ ○ ○: Connection resistance A is 2.0Ω or less

○○: 접속 저항 A가 2.0Ω 초과 3.0Ω 이하○○: Connection resistance A is more than 2.0Ω and less than 3.0Ω

○: 접속 저항 A가 3.0Ω 초과 5.0Ω 이하: Connection resistance A is more than 3.0? 5.0?

△: 접속 저항 A가 5.0Ω 초과 10Ω 이하?: Connection resistance A is more than 5.0? 10?

×: 접속 저항 A가 10Ω 초과X: Connection resistance A exceeds 10 Ω

(4) 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 노출된 후의 접속 저항(장기 신뢰성)(4) Connection resistance (long-term reliability) after 500 hours exposure to 85 ° C and 85%

상기 (2) 압흔 형성의 유무 평가로 얻어진 접속 구조체를 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 방치했다. 방치 후의 접속 구조체에 있어서, 접속 구조체가 대향하는 전극간의 접속 저항 B를 4단자법에 의해 측정했다. 또한, 85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 노출된 후의 접속 저항을 하기의 기준으로 판정했다.The connection structure obtained by (2) evaluation of the presence or absence of indentation formation was left under the conditions of 85 캜 and 85% humidity for 500 hours. In the connection structure after being left standing, the connection resistance B between the electrodes facing the connection structure was measured by the four-terminal method. The connection resistance after 500 hours exposure to the conditions of 85 캜 and 85% humidity was determined based on the following criteria.

[85℃ 및 습도 85%의 조건에 500시간 노출된 후의 접속 저항의 평가 기준][Evaluation Criteria of Connection Resistance after 500-hour Exposure to 85 ° C and 85% RH]

○○○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 1배 미만 X: Connection resistance B is less than 1 times of connection resistance A

○○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 1배 이상 1.5배 미만 ○ ○: Connection resistance B is more than 1 times and less than 1.5 times of connection resistance A.

○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 1.5배 이상 2배 미만 O: The connection resistance B is 1.5 times or more and less than twice the connection resistance A

△: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 2배 이상 5배 미만 DELTA: Connection resistance B is at least 2 times and less than 5 times of connection resistance A

×: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 5배 이상 X: The connection resistance B is 5 times or more the connection resistance A

결과를 하기의 표 1, 표 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

1: 도전성 입자
2: 기재 입자
3: 도전부
11: 도전성 입자
11a: 돌기
12: 도전부
12a: 돌기
13: 코어 물질
14: 절연성 물질
21: 도전성 입자
21a: 돌기
22: 도전부
22a: 돌기
22A: 제1 도전부
22Aa: 돌기
1: conductive particles
2: Base particles
3:
11: conductive particles
11a:
12:
12a:
13: core material
14: Insulating material
21: conductive particles
21a:
22:
22a:
22A: first conductive part
22Aa:

Claims (6)

기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하고,
3mN 하중 시에 있어서의 압축 탄성률이 5000N/㎟ 이상 30000N/㎟ 이하이고,
압축 속도 0.33mN/s로 3mN 하중 시의 하기 식으로부터 구해지는 반발 에너지가 0.8 이상 1.6 이하인, 도전성 입자.
반발 에너지=3mN×3mN 하중 시에 있어서의 변위 ㎛×3mN 하중 시에 있어서의 압축 회복률 %
Comprising a base particle and a conductive portion disposed on a surface of the base particle,
The compression modulus at the time of 3 mN load is not less than 5000 N / mm < 2 > and not more than 30000 N /
Wherein a repulsive energy determined from the following equation at a compression rate of 0.33 mN / s at a load of 3 mN is 0.8 or more and 1.6 or less.
Rebound energy = 3 mN x 3 mN displacement at the time of loading 占 퐉 x 3 mN Compression recovery rate at load%
제1항에 있어서, 상기 기재 입자가 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인, 도전성 입자.The conductive particle according to claim 1, wherein the base particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전부의 외표면에 돌기를 갖는, 도전성 입자.The conductive particle according to claim 1 or 2, wherein the conductive particle has a protrusion on the outer surface of the conductive portion. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비하는, 도전성 입자.4. The conductive particle according to any one of claims 1 to 3, comprising an insulating material disposed on an outer surface of the conductive portion. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료.A conductive material comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 4 and a binder resin. 제1 접속 대상 부재와,
제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부가, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는, 접속 구조체.
A first connection object member,
A second member to be connected,
And a connection unit connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the connecting portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 4 or formed of a conductive material including the conductive particles and the binder resin.
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