KR101942602B1 - Conductive particles, conductive material, and connection structure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있는 도전성 입자를 제공한다. 본 발명에 따른 도전성 입자 (1)은 기재 입자 (2)와, 기재 입자 (2)를 피복하고 있는 도전층 (3)과, 도전층 (3) 내에 매입되어 있는 복수의 코어 물질 (4)를 구비한다. 도전층 (3)은 외측의 표면에 복수의 돌기 (3a)를 갖는다. 도전층 (3)의 돌기 (3a)의 내측에 코어 물질 (4)가 배치되어 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면이 거리를 두고 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 평균 거리는 5 nm를 초과한다.The present invention provides conductive particles capable of lowering the connection resistance between electrodes. The conductive particles 1 according to the present invention include base particles 2, a conductive layer 3 covering the base particles 2, and a plurality of core materials 4 embedded in the conductive layer 3, Respectively. The conductive layer 3 has a plurality of projections 3a on its outer surface. The core material 4 is disposed inside the projections 3a of the conductive layer 3. [ The surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4 are spaced from each other. The average distance between the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 exceeds 5 nm.

Description

도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체{CONDUCTIVE PARTICLES, CONDUCTIVE MATERIAL, AND CONNECTION STRUCTURE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to conductive particles, conductive materials, and connection structures,

본 발명은 기재 입자의 표면 상에 도전층이 배치되어 있는 도전성 입자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 예를 들면 전극 사이의 전기적인 접속에 사용할 수 있는 도전성 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전성 입자를 이용한 도전 재료 및 접속 구조체에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to conductive particles in which conductive layers are disposed on the surface of base particles, and more particularly to conductive particles which can be used for electrical connection between electrodes, for example. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, the conductive particles are dispersed in the binder resin.

상기 이방성 도전 재료는 IC칩과 플렉시블 인쇄 회로 기판과의 접속, 및 IC칩과 ITO 전극을 갖는 회로 기판과의 접속 등에 이용되고 있다. 예를 들면, IC칩의 전극과 회로 기판의 전극 사이에 이방성 도전 재료를 배치한 후, 가열 및 가압함으로써 이들 전극을 전기적으로 접속할 수 있다.The anisotropic conductive material is used for connection between the IC chip and the flexible printed circuit board and for connection between the IC chip and the circuit board having the ITO electrode. For example, after the anisotropic conductive material is disposed between the electrodes of the IC chip and the electrodes of the circuit board, these electrodes can be electrically connected by heating and pressing.

상기 도전성 입자의 일례로서 하기의 특허문헌 1에는, 평균 입경 1 내지 20 ㎛의 구상(球狀)의 기재 입자의 표면에 무전해 도금법에 의해 니켈 도전층 또는 니켈 합금 도전층이 형성된 도전성 입자가 개시되어 있다. 이 도전성 입자는 도전층의 최표층에 0.05 내지 4 ㎛의 미소한 돌기를 갖는다. 상기 도전층과 상기 돌기와는 실질적으로 연속적으로 연결되어 있다.As an example of the above conductive particles, Patent Document 1 below discloses a conductive particle in which a nickel conductive layer or a nickel alloy conductive layer is formed on the surface of spherical base particles having an average particle diameter of 1 to 20 占 퐉 by electroless plating, . The conductive particles have minute projections of 0.05 to 4 占 퐉 in the outermost layer of the conductive layer. The conductive layer and the protrusion are substantially continuously connected.

하기의 특허문헌 2에는, 플라스틱 핵체와, 상기 플라스틱 핵체를 덮는 고분자 전해질층과, 상기 고분자 전해질층을 통해 상기 플라스틱 핵체에 흡착된 금속 입자와, 상기 금속 입자를 덮도록 상기 플라스틱 핵체 주위에 형성된 무전해 금속 도금층을 구비하는 도전성 입자가 개시되어 있다.In the following Patent Document 2, there is disclosed a laminate comprising a plastic core, a polymer electrolyte layer covering the plastic core, metal particles adsorbed to the plastic core through the polymer electrolyte layer, A conductive particle having a metal plating layer is disclosed.

하기의 특허문헌 3에는, 기재 입자의 표면에 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과 금층과의 다층의 도전층이 형성되어 있는 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 도전성 입자에서는 기재 입자의 표면 상에 코어 물질이 배치되어 있고, 상기 코어 물질은 도전층에 의해 피복되어 있다. 코어 물질에 의해 도전층이 융기되어 있고, 도전층의 표면에 돌기가 형성되어 있다. The following Patent Document 3 discloses a conductive particle in which a metal plating film layer containing nickel and phosphorus and a multilayered conductive layer between the gold layer are formed on the surface of base particles. In the conductive particles, a core material is disposed on the surface of the base particle, and the core material is covered with a conductive layer. The conductive layer is raised by the core material, and protrusions are formed on the surface of the conductive layer.

일본 특허 공개 제2000-243132호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-243132 일본 특허 공개 제2011-108446호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-108446 일본 특허 공개 제2006-228475호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-228475

상술한 특허문헌 1 내지 3에는 도전층의 외측 표면에 돌기를 갖는 도전성 입자가 개시되어 있다. 도전성 입자에 의해 접속되는 전극 및 도전성 입자의 도전층의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 상기 도전층의 돌기는 도전성 입자를 통해 전극 사이를 압착할 때에, 전극 및 도전성 입자의 표면의 산화 피막을 배제하여, 도전층과 전극을 접촉시키기 위해서 형성되어 있다.The above-described Patent Documents 1 to 3 disclose conductive particles having projections on the outer surface of the conductive layer. There are many cases where an oxide film is formed on the surface of the conductive layer of the electrode and the conductive particles which are connected by the conductive particles. The protrusions of the conductive layer are formed so as to exclude the oxide film on the surfaces of the electrodes and the conductive particles when the electrodes are squeezed through the conductive particles to contact the conductive layer and the electrodes.

그러나, 도전층의 외측 표면에 돌기를 갖는 종래의 도전성 입자를 이용하여 전극 사이를 접속한 경우에는, 전극 및 도전성 입자의 표면의 산화 피막을 충분히 배제할 수 없어 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.However, when the electrodes are connected using the conventional conductive particles having protrusions on the outer surface of the conductive layer, the oxide coating on the surfaces of the electrodes and the conductive particles can not be sufficiently removed, resulting in a high connection resistance.

본 발명의 목적은 전극 사이를 접속하여 접속 구조체를 얻은 경우에, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있는 도전성 입자, 및 상기 도전성 입자를 이용한 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a conductive particle capable of lowering the connection resistance between electrodes when a connection structure is obtained by connecting the electrodes, and a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 기재 입자와, 상기 기재 입자를 피복하고 있는 도전층과, 상기 도전층 내에 매입(

Figure 112013102677865-pct00001
)되어 있는 복수의 코어 물질을 구비하고, 상기 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있고, 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 도전층이 배치되어 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면이 거리를 두고 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm를 초과하는 도전성 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: base particles; a conductive layer covering the base particles;
Figure 112013102677865-pct00001
Wherein the core material is disposed inside the projection of the conductive layer, and the core material is disposed between the base material particles and the core material, Wherein the surface of the base material and the surface of the core material are at a distance from each other and the average distance between the surface of the base material and the surface of the core material is greater than 5 nm, / RTI >

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm 초과 800 nm 이하이다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the average distance between the surface of the base particle and the surface of the core material is more than 5 nm but not more than 800 nm.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 코어 물질의 전체 개수 100% 중 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하는 코어 물질의 개수의 비율이 80% 초과 100% 이하이다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the ratio of the number of core materials having a distance between the surface of the base particle and the surface of the core material of the core material exceeding 5 nm in the total number 100% of the core material is 80% And not more than 100%.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소가 동일하다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the conductive layer are the same.

본 발명에 따른 도전성 입자의 다른 특정한 국면에서는, 상기 도전층은 상기 기재 입자를 피복하고 있는 제1 도전층과, 상기 제1 도전층 및 상기 코어 물질을 피복하고 있는 제2 도전층을 구비하고, 상기 코어 물질은 상기 제1 도전층의 표면 상에 배치되어 있으며, 상기 제2 도전층 내에 매입되어 있고, 상기 제2 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 제2 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있고, 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 제1 도전층이 배치되어 있다.In another specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive layer includes a first conductive layer covering the base particle, and a second conductive layer covering the first conductive layer and the core material, Wherein the core material is disposed on a surface of the first conductive layer and embedded in the second conductive layer, the second conductive layer has a plurality of projections on an outer surface thereof, The core material is disposed on the inner side of the projections, and the first conductive layer is disposed between the base particles and the core material.

본 발명에 따른 도전성 입자의 별도의 특정한 국면에서는, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소가 동일하다.In another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the second conductive layer are the same.

본 발명에 따른 도전성 입자의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 도전층은 단층의 도전층이다.In another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive layer is a single-layer conductive layer.

본 발명에 따른 도전성 입자의 다른 특정한 국면에서는, 상기 코어 물질이 금속 입자이다.In another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the core material is a metal particle.

본 발명에 따른 도전성 입자의 다른 특정한 국면에서는, 상기 도전층의 표면에 부착되어 있는 절연 물질이 더 구비된다.In another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, an insulating material attached to the surface of the conductive layer is further provided.

본 발명에 따른 도전 재료는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함한다.The conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin.

본 발명에 따른 접속 구조체는 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고 있고, 상기 접속부가 상술한 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있다. The connecting structure according to the present invention includes a first connecting object member, a second connecting object member, and a connecting portion connecting the first and second connecting object members, wherein the connecting portion is formed by the above- Or formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자와, 상기 기재 입자를 피복하고 있는 도전층과, 상기 도전층 내에 매입되어 있는 복수의 코어 물질을 구비하고 있고, 상기 도전층이 외측의 표면에 돌기를 갖고, 상기 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있고, 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 도전층이 배치되어 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면이 거리를 두고 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm를 초과하기 때문에, 본 발명에 따른 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 이용한 경우에 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있다.The conductive particle according to the present invention comprises a base particle, a conductive layer covering the base particle, and a plurality of core materials embedded in the conductive layer, wherein the conductive layer has a projection on the outer surface, Wherein the core material is disposed inside the protrusion of the conductive layer and the conductive layer is disposed between the base material particle and the core material and the surface of the base material particle and the surface of the core material are distanced from each other , The average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material exceeds 5 nm, so that the connection resistance between the electrodes can be reduced when the conductive particles according to the present invention are used for connection between the electrodes.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 이용한 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 정면 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention.
4 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자와, 상기 기재 입자를 피복하고 있는 도전층과, 상기 도전층 내에 매입되어 있는 복수의 코어 물질을 구비한다. 상기 도전층은 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖는다. 상기 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있다. 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 도전층이 배치되어 있다. 상기 도전층의 일부의 영역이 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면이 거리를 두고 있다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리는 5 nm를 초과한다.The conductive particles according to the present invention comprise base particles, a conductive layer covering the base particles, and a plurality of core materials embedded in the conductive layer. The conductive layer has a plurality of projections on the outer surface. And the core material is disposed inside the protrusion of the conductive layer. And the conductive layer is disposed between the base particles and the core material. And a portion of the conductive layer is disposed between the base particles and the core material. The surface of the base particle and the surface of the core material are spaced apart. The average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material exceeds 5 nm.

도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 또한, 상기 도전층의 외측의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 상기 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 가짐으로써, 전극 사이에 도전성 입자를 배치한 후 압착시킴으로써, 돌기에 의해 산화 피막이 배제된다. 이 때문에, 전극과 도전성 입자를 접촉시킬 수 있고, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있다.In many cases, an oxide film is formed on the surface of an electrode connected by conductive particles. In many cases, an oxide film is formed on the outer surface of the conductive layer. The conductive layer has a plurality of protrusions on the outer surface, and the conductive particles are disposed between the electrodes, and then the conductive particles are pressed, whereby the oxide film is removed by the protrusions. Therefore, the electrode and the conductive particles can be brought into contact with each other, and the connection resistance between the electrodes can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에서는 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 도전층이 배치되어 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면이 거리를 두고 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm를 초과하기 때문에, 전극 사이에서 도전성 입자를 압축했을 때에 코어 물질이 기재 입자를 압입하기 어렵고, 코어 물질의 일부 영역이 기재 입자 내에 함몰되기 어렵다. 특히, 기재 입자가 비교적 부드러운 수지 입자라도 코어 물질이 기재 입자를 압입하기 어렵고, 코어 물질의 일부 영역이 기재 입자 내에 함몰되기 어렵다. 이 때문에, 전극 사이의 압착시에 도전층의 돌기가 전극에 강하게 압박된다. 이 결과, 돌기에 의해 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이 때문에, 전극과 도전성 입자를 효과적으로 접촉시킬 수 있고, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.In the conductive particle according to the present invention, the conductive layer is disposed between the base particle and the core material, and the surface of the base particle and the surface of the core material are spaced from each other, Since the average distance between the surfaces of the core material exceeds 5 nm, when the conductive particles are pressed between the electrodes, the core material is hardly press-fitted into the base particles, and a part of the core material is hardly embedded in the base particles. Particularly, even if the base particles are relatively soft resin particles, the core material is difficult to press-fit base particles, and a part of the core material is difficult to sink into base particles. Therefore, the projections of the conductive layer are strongly pressed against the electrodes at the time of pressing between the electrodes. As a result, the oxide film is effectively removed by the projections. Therefore, the electrodes and the conductive particles can be effectively brought into contact with each other, and the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered.

또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에서는 상술한 구성이 구비되어 있기 때문에, 도전성 입자를 압축하여 전극 사이를 접속했을 때 전극에 적절한 압흔을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 전극에 형성되는 압흔은 도전성 입자가 전극을 눌러서 생긴 전극의 오목부이다. 또한, 도전성 입자를 결합제 수지 중에 분산시킨 도전 재료(이방성 도전 재료 등)를 전극 사이의 압착에 이용한 경우에는, 도전층과 전극 사이의 결합제 수지를 효과적으로 배제할 수 있다. 결합제 수지를 효과적으로 배제함으로써도, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, 절연 물질을 구비하는 도전성 입자를 이용한 경우에는, 상기 돌기에 의해서 도전층과 전극 사이의 절연 물질도 효과적으로 배제할 수 있기 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.Further, since the conductive particles according to the present invention are provided with the above-described constitution, it is also possible to form an appropriate indentation on the electrode when the electrodes are connected by compressing the conductive particles. The indentations formed on the electrodes are concave portions of the electrodes formed by pressing the electrodes with the conductive particles. Further, when a conductive material (anisotropic conductive material or the like) in which the conductive particles are dispersed in the binder resin is used for pressing between the electrodes, the binder resin between the conductive layer and the electrodes can be effectively removed. Even if the binder resin is effectively removed, the connection resistance between the electrodes can be reduced. In addition, in the case of using the conductive particles having the insulating material, since the insulating material between the conductive layer and the electrode can be effectively removed by the projections, the reliability of conduction between the electrodes can be effectively increased.

전극 및 도전성 입자 표면의 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 배제하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리는 바람직하게는 5 nm 이상, 보다 바람직하게는 10 nm 이상이다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리의 상한은 특별히 한정되지 않으며, 도전층의 두께 등을 고려하여 적절하게 결정된다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리는 800 nm 이하일 수도 있고, 100 nm 이하일 수도 있다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리는, 바람직하게는 30 nm 이하, 보다 바람직하게는 20 nm 이하이다. 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리는 도전층 두께의 9/10 이하일 수도 있고, 1/2 이하일 수도 있고, 1/3 이하일 수도 있다.The average distance between the surface of the base particle and the surface of the core material is preferably not less than 5 nm and not more than 5 nm from the viewpoint of further effectively excluding the oxide film of the electrode and the surface of the conductive particle and further enhancing the conduction reliability between the electrodes Preferably 10 nm or more. The upper limit of the average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material is not particularly limited and is appropriately determined in consideration of the thickness of the conductive layer and the like. The average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material may be 800 nm or less, or 100 nm or less. The average distance between the surface of the base particle and the surface of the core material is preferably 30 nm or less, more preferably 20 nm or less. The average distance between the surface of the base particle and the surface of the core material may be 9/10 or less of the thickness of the conductive layer, 1/2 or less, or 1/3 or less.

전극 및 도전성 입자의 표면의 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 배제하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 코어 물질의 전체 개수 100% 중 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하는 코어 물질의 개수의 비율은, 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 80% 초과 100% 이하이다. 상기 코어 물질의 전부에 있어서, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과할 수도 있다.From the viewpoint of further effectively excluding the oxide film on the surface of the electrode and the conductive particles and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, it is preferable that the total amount of the core material is 100% The ratio of the number of core materials having a distance exceeding 5 nm is preferably 50% or more, more preferably 80% or more and 100% or less. In all of the core material, the distance between the surface of the base particle and the surface of the core material may exceed 5 nm.

상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리란, 기재 입자의 표면과 복수의 코어 물질의 각 표면과의 거리(간극의 최단 거리)를 각각 측정한 후, 측정된 값을 평균함으로써 산출된다. 도전성 입자가 도전층 내에 매입된 5개의 코어 물질 A 내지 E를 구비하는 경우에는, 기재 입자의 표면과 코어 물질 A의 표면과의 거리와, 기재 입자의 표면과 코어 물질 B의 표면과의 거리와, 기재 입자의 표면과 코어 물질 C의 표면과의 거리와, 기재 입자의 표면과 코어 물질 D의 표면과의 거리와, 기재 입자의 표면과 코어 물질 E의 표면과의 거리를 측정하여, 측정된 5개의 값을 평균함으로써 산출된다. 또한, 코어 물질이 10개 이상인 경우에는 기재 입자의 표면과 모든 코어 물질의 각 표면과의 거리를 측정하는 것이 바람직하지만, 기재 입자의 표면과 임의로 선택된 10개의 코어 물질의 각 표면과의 거리를 측정하여, 측정된 10개의 값으로부터 상기 평균 거리를 산출할 수도 있다.The average distance between the surface of the base particle and the surface of the core material means the distance between the surface of the base particle and each surface of the plurality of core materials (the shortest distance between the gaps), and then the measured values are averaged . The distance between the surface of the base material particle and the surface of the core material A and the distance between the surface of the base material particle and the surface of the core material B , The distance between the surface of the base particle and the surface of the core material C, the distance between the surface of the base particle and the surface of the core material D, and the distance between the surface of the base particle and the surface of the core material E were measured Is calculated by averaging the five values. When the number of core materials is more than 10, it is preferable to measure the distance between the surface of the base particles and each surface of all the core materials. However, the distance between the surface of the base particles and each surface of arbitrarily selected 10 core materials , And calculate the average distance from the ten measured values.

상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 거리는 도전성 입자의 복수 개소의 단면을 촬영하여 화상을 얻고, 얻어진 화상으로부터 입체 화상을 작성하여, 얻어진 입체 화상을 이용함으로써, 정확하게 측정할 수 있다. 상기 단면의 촬영은 집광 이온빔-주사 전자 현미경(FIBSEM) 등을 이용하여 행할 수 있다. 예를 들면, 집속 이온빔을 이용하여 도전성 입자의 박막 세그먼트를 제작하고, 주사형 전자 현미경으로 단면을 관찰한다. 그의 조작을 수백 회 반복하고, 화상 해석함으로써 입자의 입체 화상을 얻을 수 있다.The distance between the surface of the base particle and the surface of the core material can be measured accurately by photographing a plurality of cross sections of the conductive particle to obtain an image, creating a stereoscopic image from the obtained image, and using the obtained stereoscopic image. The section can be photographed using a focused ion beam-scanning electron microscope (FIBSEM) or the like. For example, a thin film segment of conductive particles is produced using a focused ion beam, and a cross section is observed with a scanning electron microscope. By repeating the operation several hundred times and performing image analysis, a three-dimensional image of the particles can be obtained.

상기 도전층은 외측의 표면에 돌기를 갖는다. 상기 돌기는 복수이다. 도전층의 표면 및 도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 도전층 외측의 표면에 돌기를 갖는 도전성 입자를 이용함으로써, 전극 사이에 도전성 입자를 배치하여 압착시킴으로써, 돌기에 의해 상기 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이 때문에, 전극과 도전성 입자의 도전층을 보다 한층 확실하게 접촉시킬 수 있고, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, 도전성 입자가 표면에 절연 물질을 구비하는 경우에, 또는 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 이용되는 경우에, 도전성 입자의 돌기에 의해서 도전성 입자와 전극 사이의 절연 물질 또는 결합제 수지를 효과적으로 배제할 수 있다. 이 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive layer has projections on the outer surface. The projections are plural. In many cases, an oxide film is formed on the surface of the conductive layer and the surface of the electrode connected by the conductive particles. By using conductive particles having protrusions on the surface of the outer side of the conductive layer, conductive particles are disposed between the electrodes and pressed, whereby the oxide film is effectively removed by the protrusions. Therefore, the electrode and the conductive layer of the conductive particle can be more reliably contacted, and the connection resistance between the electrodes can be reduced. When the conductive particles are provided with an insulating material on the surface or when the conductive particles are dispersed in the binder resin to be used as a conductive material, an insulating material or a binder resin between the conductive particles and the electrode by the projections of the conductive particles It can be effectively excluded. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved.

복수의 상기 돌기의 평균 높이는, 바람직하게는 0.001 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The average height of the plurality of projections is preferably 0.001 m or more, more preferably 0.05 m or more, preferably 0.9 m or less, and more preferably 0.2 m or less. When the average height of the projections is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered.

이하, 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the conductive particles, the conductive material, and the connection structure will be described.

(도전성 입자)(Conductive particles)

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 도전성 입자 (1)은 기재 입자 (2)와, 도전층 (3)과, 복수의 코어 물질 (4)와, 절연 물질 (5)를 구비한다. 도전층 (3)은 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있다. 도전성 입자 (1)에서는 단층의 도전층 (3)이 형성되어 있다. 도전층 (3)은 기재 입자 (2)를 피복하고 있다. 도전층 (3)은 외측의 표면에 복수의 돌기 (3a)를 갖는다. 복수의 코어 물질 (4)는 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있고, 도전층 (3) 내에 매입되어 있다. 코어 물질 (4)는 돌기 (3a)의 내측에 배치되어 있다. 1개의 돌기 (3a)의 내측에 1개의 코어 물질 (4)가 배치되어 있다. 복수의 코어 물질 (4)에 의해 도전층 (3)의 외측의 표면이 융기되어 있고, 복수의 돌기 (3a)가 형성되어 있다.The conductive particles 1 shown in Fig. 1 include base particles 2, a conductive layer 3, a plurality of core materials 4, and an insulating material 5. The conductive layer 3 is disposed on the surface of the base particle 2. In the conductive particles 1, a single-layer conductive layer 3 is formed. The conductive layer (3) covers the base particles (2). The conductive layer 3 has a plurality of projections 3a on its outer surface. A plurality of core materials 4 are disposed on the surface of the base particle 2 and are embedded in the conductive layer 3. The core material 4 is disposed inside the projection 3a. One core material 4 is arranged inside one projection 3a. The outer surface of the conductive layer 3 is raised by the plurality of core materials 4 and a plurality of projections 3a are formed.

기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이에 도전층 (3)이 배치되어 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면이 거리를 두고 있다. 코어 물질 (4)는 기재 입자 (2)에 접촉하고 있지 않다. 도전성 입자 (1)에서는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 평균 거리는 5 nm를 초과한다. 이 때문에, 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이에는 충분한 두께의 도전층 (3) 부분(도전층 부분 (3b))이 배치되어 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 거리는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 (3b)의 두께이다.The conductive layer 3 is disposed between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4. [ The surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4 are spaced from each other. The core material 4 is not in contact with the base particles 2. In the conductive particle 1, the average distance between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4 exceeds 5 nm. Therefore, a portion of the conductive layer 3 (conductive layer portion 3b) of sufficient thickness is disposed between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4. The distance between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4 is the thickness of the conductive layer portion 3b disposed between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4.

절연 물질 (5)는 도전층 (3)의 표면 상에 배치되어 있다. 절연 물질 (5)는 절연성 입자이다. 절연 물질 (5)는 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있다. 도전성 입자는 절연 물질을 반드시 구비하고 있지 않을 수도 있다. 또한, 도전성 입자는 절연 물질로서, 절연성 입자 대신에 도전층의 외측 표면을 피복하고 있는 절연층을 구비하고 있을 수도 있다.The insulating material 5 is disposed on the surface of the conductive layer 3. The insulating material 5 is insulating particles. The insulating material 5 is formed of a material having an insulating property. The conductive particles may not necessarily be provided with an insulating material. Further, the conductive particles may be an insulating material, and may include an insulating layer covering the outer surface of the conductive layer instead of the insulating particles.

도 2에 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 단면도로 나타낸다.Fig. 2 is a cross-sectional view of a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 나타내는 도전성 입자 (11)은 기재 입자 (2)와, 도전층 (12)와, 복수의 코어 물질 (4)와, 절연 물질 (5)를 구비한다. 도전층 (12)는 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있다. 도전층 (12)는 기재 입자 (2)를 피복하고 있다. 도전층 (12)는 외측의 표면에 복수의 돌기 (12a)를 갖는다.The conductive particles 11 shown in Fig. 2 include base particles 2, a conductive layer 12, a plurality of core materials 4, and an insulating material 5. The conductive layer 12 is disposed on the surface of the base particle 2. The conductive layer 12 covers the base particles 2. The conductive layer 12 has a plurality of projections 12a on its outer surface.

도전성 입자 (11)에서는 다층의 도전층 (12)가 형성되어 있다. 도전층 (12)는 제1 도전층 (16)과 제2 도전층 (17)을 갖는다. 제1 도전층 (16)은 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있다. 제1 도전층 (16)은 기재 입자 (2)를 피복하고 있다. 제1 도전층 (16)은 단층이다. 제1 도전층은 다층일 수도 있다.In the conductive particles 11, a multilayered conductive layer 12 is formed. The conductive layer 12 has a first conductive layer 16 and a second conductive layer 17. The first conductive layer 16 is disposed on the surface of the base particle 2. The first conductive layer 16 covers the base particles 2. The first conductive layer 16 is a single layer. The first conductive layer may be multi-layered.

코어 물질 (4)는 제1 도전층 (16) 상에 배치되어 있다. 코어 물질 (4)는 도전층 (12) 및 제2 도전층 (17) 내에 매입되어 있다. 기재 입자 (2)와 코어 물질 (4) 사이에 제1 도전층 (16)이 배치되어 있다. 기재 입자 (2)와 코어 물질 (4) 사이에 제1 도전층 (16)이 배치되어 있음으로써, 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면이 거리를 두고 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 평균 거리는 5 nm를 초과한다. 도전성 입자 (11)에서는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 거리는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 (12b) 및 제1 도전층 (16)(제1 도전층 (16) 부분)의 두께이다.The core material 4 is disposed on the first conductive layer 16. The core material 4 is embedded in the conductive layer 12 and the second conductive layer 17. A first conductive layer 16 is disposed between the base particles 2 and the core material 4. The first conductive layer 16 is disposed between the base particles 2 and the core material 4 so that the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 are spaced from each other. The average distance between the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 exceeds 5 nm. The distance between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4 in the conductive particle 11 is the distance between the surface of the base particle 2 and the surface of the core material 4, And the thickness of the first conductive layer 16 (the first conductive layer 16).

제2 도전층 (17)은 제1 도전층 (16)과는 별도로 형성되어 있다. 제2 도전층 (17)은 제1 도전층 (16)을 형성한 후에 제1 도전층 (16)의 표면에 형성되어 있다. 제2 도전층 (17)은 제1 도전층 (16)의 표면 상에 배치되어 있다. 제2 도전층 (17)은 코어 물질 (4) 및 제1 도전층 (16)을 피복하고 있다. 제2 도전층 (17)은 외측의 표면에 복수의 돌기 (17a)를 갖는다. 복수의 코어 물질 (4)는 제2 도전층 (17) 내에 매입되어 있다. 코어 물질 (4)는 돌기 (17a)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질 (4)에 의해 제2 도전층 (17)의 외측의 표면이 융기되어 있고, 돌기 (17a)가 형성되어 있다.The second conductive layer 17 is formed separately from the first conductive layer 16. The second conductive layer 17 is formed on the surface of the first conductive layer 16 after the first conductive layer 16 is formed. The second conductive layer 17 is disposed on the surface of the first conductive layer 16. The second conductive layer 17 covers the core material 4 and the first conductive layer 16. The second conductive layer 17 has a plurality of projections 17a on its outer surface. The plurality of core materials 4 are embedded in the second conductive layer 17. The core material 4 is disposed inside the projection 17a. The outer surface of the second conductive layer 17 is raised by the plurality of core materials 4, and the projections 17a are formed.

도 3에, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 도전성 입자를 단면도로 나타낸다.3 is a cross-sectional view of a conductive particle according to a third embodiment of the present invention.

도 3에 나타내는 도전성 입자 (21)은 기재 입자 (2)와, 도전층 (22)와, 복수의 코어 물질 (4)와, 절연 물질 (5)를 구비한다. 도전층 (22)는 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있다. 도전층 (22)는 기재 입자 (2)를 피복하고 있다. 도전층 (22)는 외측의 표면에 복수의 돌기 (22a)를 갖는다.The conductive particles 21 shown in Fig. 3 include base particles 2, a conductive layer 22, a plurality of core materials 4, and an insulating material 5. The conductive layer 22 is disposed on the surface of the base particle 2. The conductive layer 22 covers the base particles 2. The conductive layer 22 has a plurality of projections 22a on its outer surface.

도전성 입자 (21)에서는 다층의 도전층 (22)가 형성되어 있다. 도전층 (22)는 제1 도전층 (26)과 제2 도전층 (27)과 제3 도전층 (28)을 갖는다. 제1 도전층 (26)은 기재 입자 (2)의 표면 상에 배치되어 있다. 제1 도전층 (26)은 기재 입자 (2)를 피복하고 있다.In the conductive particles 21, a multilayered conductive layer 22 is formed. The conductive layer 22 has a first conductive layer 26, a second conductive layer 27, and a third conductive layer 28. The first conductive layer 26 is disposed on the surface of the base particle 2. The first conductive layer 26 covers the base particles 2.

코어 물질 (4)는 제1 도전층 (26) 상에 배치되어 있다. 코어 물질 (4)는 도전층 (22) 내 및 제2 도전층 (27) 내에 매입되어 있다. 기재 입자 (2)와 코어 물질 (4) 사이에 제1 도전층 (26)이 배치되어 있다. 기재 입자 (2)와 코어 물질 (4) 사이에 제1 도전층 (26)이 배치되어 있음으로써, 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면이 거리를 두고 있다. 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm를 초과한다. 도전성 입자 (21)에서는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이의 거리는 기재 입자 (2)의 표면과 코어 물질 (4)의 표면 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 (22b) 및 제1 도전층 (26) 부분의 두께이다.The core material 4 is disposed on the first conductive layer 26. The core material 4 is embedded in the conductive layer 22 and in the second conductive layer 27. A first conductive layer 26 is disposed between the base particles 2 and the core material 4. The first conductive layer 26 is disposed between the base particles 2 and the core material 4 so that the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 are spaced from each other. The average distance between the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 exceeds 5 nm. The distance between the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4 in the conductive particles 21 is the distance between the surface of the base particles 2 and the surface of the core material 4, And the thickness of the first conductive layer 26 portion.

제2 도전층 (27)은 제1 도전층 (26)의 표면 상에 배치되어 있다. 제2 도전층 (27)은 코어 물질 (4) 및 제1 도전층 (26)을 피복하고 있다. 제2 도전층 (27)은 외측의 표면에 복수의 돌기 (27a)를 갖는다. 코어 물질 (4)는 돌기 (27a)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질 (4)에 의해 제2 도전층 (27)의 외측의 표면이 융기되어 있고, 돌기 (27a)가 형성되어 있다.The second conductive layer 27 is disposed on the surface of the first conductive layer 26. The second conductive layer 27 covers the core material 4 and the first conductive layer 26. The second conductive layer 27 has a plurality of projections 27a on its outer surface. The core material 4 is disposed inside the projection 27a. The outer surface of the second conductive layer 27 is raised by the plurality of core materials 4 and the projections 27a are formed.

제3 도전층 (28)은 제2 도전층 (27)의 표면 상에 배치되어 있다. 제3 도전층 (28)은 제2 도전층 (27)을 피복하고 있다. 제3 도전층 (28)은 외측의 표면에 복수의 돌기 (28a)를 갖는다. 코어 물질 (4)는 돌기 (28a)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질 (4)에 의해 제3 도전층 (28)의 외측의 표면이 융기되어 있고, 돌기 (28a)가 형성되어 있다.The third conductive layer 28 is disposed on the surface of the second conductive layer 27. The third conductive layer 28 covers the second conductive layer 27. The third conductive layer 28 has a plurality of projections 28a on its outer surface. The core material 4 is disposed inside the projection 28a. The outer surface of the third conductive layer 28 is ridged by the plurality of core materials 4, and the projections 28a are formed.

상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소가 동일한 것이 바람직하다. 이 경우에는 코어 물질과 도전층과의 밀착성이 양호해지는 결과, 접속 구조체에 있어서의 접속 저항이 보다 한층 양호해진다. 또한, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는, 상기 코어 물질 중에서, 상기 도전층 중에서, 또는 상기 코어 물질과 상기 도전층 중에서, 농도 경사가 있을 수도 있다. 또한, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 다른 금속과 합금화하고 있을 수도 있다. 또한, 상기 코어 물질에 포함되는 금속과 상기 도전층에 포함되는 금속은 계면에서 합금화하고 있을 수도 있다.It is preferable that the metal element contained most in the core material and the metal element contained most in the conductive layer are the same. In this case, the adhesion between the core material and the conductive layer becomes good, and as a result, the connection resistance in the connection structure is further improved. In addition, the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the conductive layer may have a concentration gradient in the core material, in the conductive layer, or in the core material and the conductive layer have. In addition, the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the conductive layer may be alloyed with other metals. In addition, the metal contained in the core material and the metal contained in the conductive layer may be alloyed at the interface.

상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제1 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 동일한 것이 바람직하다. 이 경우에는 코어 물질과 도전층과의 밀착성이 양호해지는 결과, 접속 구조체에 있어서의 접속 저항이 보다 한층 양호해진다. 또한, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제1 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는, 상기 코어 물질 중에서, 상기 제1 도전층 중에서, 또는 상기 코어 물질과 상기 제1 도전층 중에서, 농도 경사가 있을 수도 있다. 상기 제1 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 다른 금속과 합금화하고 있을 수도 있다. 상기 코어 물질에 포함되는 금속과 상기 제1 도전층에 포함되는 금속은 계면에서 합금화하고 있을 수도 있다.It is preferable that the metal element contained most in the core material and the metal element contained most in the first conductive layer are the same. In this case, the adhesion between the core material and the conductive layer becomes good, and as a result, the connection resistance in the connection structure is further improved. It is preferable that a metal element contained most in the core material and a metal element contained most in the first conductive layer are formed in the core material in the first conductive layer or between the core material and the first conductive layer , There may be a concentration gradient. The metal element contained most in the first conductive layer may be alloyed with another metal. The metal included in the core material and the metal included in the first conductive layer may be alloyed at the interface.

상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 동일한 것이 바람직하다. 이 경우에는 코어 물질과 도전층과의 밀착성이 양호해지는 결과, 접속 구조체에 있어서의 접속 저항이 보다 한층 양호해진다. 또한, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는, 상기 코어 물질 중에서, 상기 제2 도전층 중에서, 또는 상기 코어 물질과 상기 제2 도전층 중에서, 농도 경사가 있을 수도 있다. 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 다른 금속과 합금화하고 있을 수도 있다. 상기 코어 물질에 포함되는 금속과 상기 제2 도전층에 포함되는 금속은 계면에서 합금화하고 있을 수도 있다.It is preferable that the metal element contained most in the core material and the metal element contained most in the second conductive layer are the same. In this case, the adhesion between the core material and the conductive layer becomes good, and as a result, the connection resistance in the connection structure is further improved. The metal element contained in the core material most frequently and the metal element most contained in the second conductive layer may be included in the core material in the second conductive layer or between the core material and the second conductive layer , There may be a concentration gradient. The metal element included in the second conductive layer may be alloyed with another metal. The metal included in the core material and the metal included in the second conductive layer may be alloyed at the interface.

상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분의 모스 경도와 동일하거나, 또는 상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분의 모스 경도보다도 큰 것이 바람직하다. 또한, 상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 제1 도전층의 모스 경도와 동일하거나, 또는 상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 제1 도전층의 모스 경도보다도 큰 것이 바람직하다. 이들의 경우에는 코어 물질이 기재 입자를 압입하기 어렵고, 코어 물질의 일부 영역이 기재 입자 내에 함몰되기 어렵다. 이 결과, 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 할 수 있다. 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 하는 관점에서는, 상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 상기 제1 도전층의 모스 경도보다도 큰 것이 바람직하다.Wherein the Mohs hardness of the core material is equal to the Mohs hardness of the portion of the conductive layer disposed between the base particles and the core material or the Mohs hardness of the core material is less than the Mohs hardness of the core Is preferably larger than the Mohs hardness of the layer portion. The Mohs hardness of the core material may be equal to the Mohs hardness of the first conductive layer, or the Mohs hardness of the core material may be greater than the Mohs hardness of the first conductive layer. In these cases, the core material is difficult to press-fit the base particles, and a part of the core material is difficult to sink into the base particles. As a result, the connection resistance between the electrodes can be further reduced. From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, the Mohs hardness of the core material is preferably larger than the Mohs hardness of the conductive layer portion disposed between the base particles and the core material or the first conductive layer.

상기 코어 물질의 모스 경도가 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 상기 제1 도전층의 모스 경도와 동등 이상인 경우에, 접속 저항을 보다 한층 낮게 하는 관점에서는, 상기 코어 물질의 모스 경도와 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 상기 제1 도전층의 모스 경도와의 차의 절대치는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상이다.From the viewpoint of further lowering the connection resistance when the Moh hardness of the core material is equal to or higher than the Moh hardness of the conductive layer portion disposed between the base material particles and the core material or the first conductive layer, The absolute value of the difference between the Mohs hardness of the first conductive layer and the Moh hardness of the conductive layer portion disposed between the base particles and the core material or the first conductive layer is preferably 0.1 or more and more preferably 0.5 or more.

상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분의 모스 경도보다도 작은 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 모스 경도는 상기 제1 도전층의 모스 경도보다도 작은 것이 바람직하다. 이들 경우에는 상기 도전층 부분 및 상기 제1 도전층이 있는 정도의 쿠션성을 갖는다. 이것에 따라, 기재 입자와 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 제1 도전층에 의한 접속 저항을 낮게 하는 것이 가능한 없고, 도전성 입자에 의해 전극 사이를 접속한 접속 구조체에 충격이 주어지더라도 도통 불량이 생기기 어려워진다. 즉, 접속 구조체의 내충격성을 높일 수도 있다.The Mohs hardness of the core material is preferably smaller than the Mohs hardness of the conductive layer portion disposed between the base material particles and the core material. The Mohs hardness of the core material is preferably smaller than the Mohs hardness of the first conductive layer. In these cases, the conductive layer portion and the first conductive layer have a degree of cushioning. Thereby, it is not possible to lower the connection resistance by the conductive layer portion or the first conductive layer disposed between the base particles and the core material, and even if an impact is given to the connection structure in which the electrodes are connected by the conductive particles So that conduction failure is less likely to occur. That is, the impact resistance of the connection structure can be increased.

상기 코어 물질의 모스 경도가 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 상기 제1 도전층의 모스 경도보다도 작은 경우에, 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는 상기 코어 물질의 모스 경도와 상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 배치되어 있는 도전층 부분 또는 상기 제1 도전층의 모스 경도와의 차의 절대치는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상이다.When the Mohs hardness of the core material is smaller than the Mohs hardness of the conductive layer portion disposed between the base particles and the core material or the first conductive layer, the Mohs hardness And the Mo hardness of the conductive layer portion disposed between the base particles and the core material or the first conductive layer is preferably 0.1 or more, and more preferably 0.5 or more.

[기재 입자][Substrate Particle]

상기 기재 입자로서는 수지 입자, 금속을 제외한 무기 입자, 유기 무기 혼성 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 혼성 입자인 것이 보다 바람직하다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metals, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles are preferably base particles excluding metal particles, more preferably resin particles, inorganic particles other than metal, or organic-inorganic hybrid particles.

상기 기재 입자는 수지에 의해 형성된 수지 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자가 수지 입자이면, 본 발명의 도전층 및 코어 물질의 구성에 의해 얻어지는 접속 저항의 감소 효과가 꽤 커진다. 상기 도전성 입자를 이용하여 전극 사이를 접속할 때에는 상기 도전성 입자를 전극 사이에 배치한 후 압착함으로써 상기 도전성 입자를 압축시킨다. 기재 입자가 수지 입자이면, 상기 압착시에 상기 도전성 입자가 변형되기 쉽고, 도전성 입자와 전극과의 접촉 면적이 커진다. 이 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성이 높아진다.The base particles are preferably resin particles formed by a resin. If the base particles are resin particles, the effect of reducing the connection resistance obtained by the constitution of the conductive layer and the core material of the present invention becomes considerably large. When the electrodes are connected using the conductive particles, the conductive particles are disposed between the electrodes and then compressed to compress the conductive particles. When the base particles are resin particles, the conductive particles are liable to be deformed at the time of pressing, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. Therefore, the conduction reliability between the electrodes is improved.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 바람직하게 이용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리프로필렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리알킬렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화폴리에스테르 수지, 포화폴리에스테르 수지, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 다양한 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시켜 얻어지는 중합체 등을 들 수 있다. 도전 재료에 적합한 임의의 압축시의 물성을 갖는 수지 입자를 설계 및 합성할 수 있으며, 기재 입자의 경도를 바람직한 범위로 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는 에틸렌성 불포화기를 복수 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are preferably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polypropylene, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; But are not limited to, polyalkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, A variety of polymerizable monomers having an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyether sulfone, , And polymers obtained by polymerizing two or more of them. It is possible to design and synthesize resin particles having physical properties at the time of compression appropriate for the conductive material and to control the hardness of the base particles to a desired range with ease. Therefore, the resin for forming the resin particles is preferably an ethylenically unsaturated Is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of groups.

상기 수지 입자를 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체를 중합시켜 얻는 경우, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 단량체로서는 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenic unsaturated group, examples of the monomer having an ethylenic unsaturated group include a monomer which is incompatible with the monomer and a monomer which is crosslinkable.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트류; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르류; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르류; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl Alkyl (meth) acrylates such as acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (Meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; Acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들면 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트류; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di Polyfunctional (meth) acrylates such as (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene di (meth) acrylate and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; (Meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, trimethylolpropane trimethoxysilane, triallyl trimellitate, divinyl benzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, , Silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane, and the like.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들면 라디칼 중합 개시제의 존재하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 종(種) 입자를 이용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The above-mentioned resin particles can be obtained by polymerizing the above-mentioned polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group by a known method. This method includes, for example, suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and polymerization in which monomer is swollen together with radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 혼성 입자인 경우에, 상기 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는 실리카 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라서 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 혼성 입자로서는, 예를 들면 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 혼성 입자 등을 들 수 있다.When the base particles are inorganic particles other than metal particles or organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic substances for forming the base particles include silica and carbon black. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form cross-linked polymer particles, followed by baking if necessary, . Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed by a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 상기 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티탄 등을 들 수 있다. 다만, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the base particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold and titanium. However, it is preferable that the base particles are not metal particles.

상기 기재 입자의 입경은, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 한층 바람직하게는 1 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 1000 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 300 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 더욱 한층 바람직하게는 30 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 가장 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다. 기재 입자의 입경이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자와 전극과의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아지고, 도전성 입자를 통해 접속된 전극 사이의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 기재 입자의 표면에 도전층을 무전해 도금에 의해 형성할 때에 응집하기 어려워지고, 응집한 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 입경이 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 충분히 압축되기 쉽고, 전극 사이의 접속 저항이 보다 한층 낮아지고, 또한 전극 사이의 간격이 작아진다. 상기 기재 입자의 입경은 기재 입자가 진구상인 경우에는 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구상이 아닌 경우에는 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 1 μm or more, still more preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2 μm or more, More preferably not more than 500 mu m, still more preferably not more than 300 mu m, further preferably not more than 50 mu m, further preferably not more than 30 mu m, particularly preferably not more than 5 mu m, 3 탆 or less. When the particle size of the base particles is not lower than the lower limit described above, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes larger, so that the reliability of the conduction between the electrodes becomes further higher and the connection resistance between the electrodes connected via the conductive particles becomes further lower. Further, when the conductive layer is formed on the surface of the base particles by electroless plating, it is difficult to coagulate and the coagulated conductive particles are hardly formed. When the particle diameter is less than the upper limit, the conductive particles are easily compressed sufficiently, the connection resistance between the electrodes is further lowered, and the interval between the electrodes becomes smaller. The particle size of the base particles indicates a diameter when base particles are spherical, and indicates a maximum diameter when base particles are not spherical.

상기 기재 입자의 입경은 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 기재 입자의 입경이 0.1 내지 5 ㎛의 범위 내이면, 전극 사이의 간격이 작아지며, 도전층의 두께를 두껍게 하더라도 작은 도전성 입자가 얻어진다. 전극 사이의 간격을 보다 한층 작게 하거나 도전층의 두께를 두껍게 하더라도, 보다 한층 작은 도전성 입자를 얻기도 하는 관점에서는, 상기 기재 입자의 입경은 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다.Particularly preferably, the particle size of the base particles is 0.1 占 퐉 or more and 5 占 퐉 or less. If the particle size of the base particles is within the range of 0.1 to 5 占 퐉, the interval between the electrodes becomes small, and even if the thickness of the conductive layer is made thick, small conductive particles can be obtained. The particle size of the base particles is preferably not less than 0.5 占 퐉, more preferably not less than 2 占 퐉, more preferably not less than 2 占 퐉, even more preferably not less than 2 占 퐉, more preferably not less than 2 占 퐉, Preferably 3 mu m or less.

[도전층][Conductive layer]

상기 도전층을 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 도전성 입자가 전체가 도전층인 금속 입자인 경우, 상기 금속 입자를 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 상기 금속으로서는, 예를 들면 금, 은, 구리, 팔라듐, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티탄, 안티몬, 비스무스, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는 주석 도핑 산화인듐(ITO) 및 땜납 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 할 수 있기 때문에, 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐이 보다 바람직하다. 상기 도전층을 구성하는 금속 원소는 니켈을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전층은 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 팔라듐, 인 및 붕소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 니켈과, 인 또는 붕소를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 도전층을 구성하는 재료는 인 및 붕소 등을 포함하는 합금일 수도 있다. 상기 도전층에서는 니켈과 텅스텐 또는 몰리브덴이 합금화하고 있을 수도 있다. The metal for forming the conductive layer is not particularly limited. In the case where the conductive particles are metal particles whose entire surface is a conductive layer, the metal for forming the metal particles is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, palladium, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, , Molybdenum, alloys thereof, and the like. Examples of the metal include indium tin oxide (ITO) and solder. Among them, an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is more preferable because the connection resistance between the electrodes can be further reduced. It is preferable that the metal element constituting the conductive layer includes nickel. The conductive layer preferably includes at least one selected from the group consisting of nickel, tungsten, molybdenum, palladium, phosphorus, and boron, and more preferably includes nickel, phosphorus, or boron. The material constituting the conductive layer may be an alloy including phosphorus and boron. In the conductive layer, nickel, tungsten or molybdenum may be alloyed.

상기 도전층이 인 또는 붕소를 포함하는 경우에, 상기 도전층 100 중량% 중 인과 붕소의 합계의 함유량은 바람직하게는 4 중량% 이하이다. 인과 붕소의 합계의 함유량이 상기 상한 이하이면, 니켈 등의 금속의 함유량이 상대적으로 많아지기 때문에, 전극 사이의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 상기 도전층 100 중량% 중 인과 붕소의 합계의 함유량은 바람직하게는 0.1 중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5 중량% 이상이다.When the conductive layer contains phosphorus or boron, the total content of phosphorus and boron in 100 wt% of the conductive layer is preferably 4 wt% or less. If the total content of phosphorus and boron is not more than the upper limit, the content of metal such as nickel becomes relatively large, so that the connection resistance between the electrodes is further lowered. The total content of phosphorus and boron in 100 wt% of the conductive layer is preferably 0.1 wt% or more, and more preferably 0.5 wt% or more.

상기 코어 물질, 상기 도전층 및 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소는 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금인 것이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐인 것이 보다 바람직하다.Preferably, the metal element contained most in the core material, the conductive layer, and the second conductive layer is an alloy containing tin, nickel, palladium, copper, or gold, and more preferably nickel or palladium.

도전성 입자 (1)과 같이, 상기 도전층은 1개의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 도전성 입자 (11,21)과 같이, 상기 도전층은 복수의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 즉, 도전층은 단층일 수도 있고, 2층 이상의 적층 구조를 가질 수도 있다. 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는, 최외층은 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 주석과 은을 포함하는 합금층인 것이 바람직하고, 금층 또는 팔라듐층인 것이 보다 바람직하고, 금층인 것이 특히 바람직하다. 최외층이 이들의 바람직한 도전층인 경우에는 전극 사이의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 최외층이 금층인 경우에는 내부식성이 보다 한층 높아진다.Like the conductive particles 1, the conductive layer may be formed by one layer. Further, like the conductive particles 11 and 21, the conductive layer may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive layer may be a single layer or may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive layer is formed of a plurality of layers, it is preferable that the outermost layer is a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or an alloy layer containing tin and silver, more preferably a gold layer or a palladium layer , And gold layer are particularly preferable. When the outermost layer is the preferable conductive layer, the connection resistance between the electrodes is further lowered. Further, when the outermost layer is a gold layer, corrosion resistance is further increased.

상기 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 도전층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전층의 형성이 간편하기 때문에, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the conductive layer on the surface of the base particles is not particularly limited. Examples of the method of forming the conductive layer include a method of electroless plating, a method of electroplating, a method of physical vapor deposition, and a method of coating a surface of base particles with a paste containing metal powder or metal powder and a binder And the like. Among them, the electroless plating method is preferable because the formation of the conductive layer is simple. Examples of the physical deposition method include vacuum deposition, ion plating and ion sputtering.

상기 도전성 입자의 평균 입경은, 바람직하게는 0.11 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.51 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5.6 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3.6 ㎛ 이하이다. 도전성 입자의 평균 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 이용하여 전극 사이를 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극과의 접촉 면적이 충분히 커지며, 도전층을 형성할 때에 응집한 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자를 통해 접속된 전극 사이의 간격이 너무 커지지 않으며, 도전층이 기재 입자의 표면에서 박리되기 어려워진다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.11 m or more, more preferably 0.5 m or more, still more preferably 0.51 m or more, particularly preferably 1 m or more, preferably 100 m or less, 20 mu m or less, more preferably 5.6 mu m or less, particularly preferably 3.6 mu m or less. When the average particle diameter of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and when the conductive particles are aggregated, . Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles is not excessively large, and the conductive layer becomes difficult to peel off from the surface of the base particles.

상기 도전성 입자의 「평균 입경」은 수 평균 입경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입경은 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균치를 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles is obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 도전층의 두께는 바람직하게는 0.005 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.3 ㎛ 이하이다. 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지며, 도전성 입자가 너무 굳어지지 않고, 전극 사이의 접속시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive layer is preferably 0.005 m or more, more preferably 0.01 m or more, preferably 1 m or less, and more preferably 0.3 m or less. When the thickness of the conductive layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, the conductive particles are not hardened too much, and the conductive particles are sufficiently deformed upon connection between the electrodes.

상기 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는, 바람직하게는 0.001 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복을 균일하게 할 수 있고, 내부식성을 충분히 높일 수 있으며, 전극 사이의 접속 저항을 충분히 낮게 할 수 있다.In the case where the conductive layer is formed of a plurality of layers, the thickness of the conductive layer in the outermost layer is preferably 0.001 m or more, more preferably 0.01 m or more, and preferably 0.5 m or less, 0.1 탆 or less. If the thickness of the conductive layer in the outermost layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the covering by the conductive layer in the outermost layer can be made uniform, the corrosion resistance can be sufficiently increased, and the connection resistance between the electrodes .

상기 도전층의 두께는, 예를 들면 투과형 전자 현미경(TEM)을 이용하여, 도전성 입자 또는 절연성 입자가 부착된 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the conductive layer can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive particles or the conductive particles having the insulating particles attached thereto using a transmission electron microscope (TEM).

상기 도전성 입자 1개당의 상기 도전층의 외측 표면의 돌기는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상이다. 상기 돌기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 돌기의 수의 상한은 도전성 입자의 평균 입경 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.The protrusions on the outer surface of the conductive layer per one conductive particle are preferably three or more, more preferably five or more. The upper limit of the number of the projections is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the average particle diameter of the conductive particles and the like.

[코어 물질][Core material]

상기 코어 물질이 상기 도전층 중에 매입되어 있음으로써, 상기 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖는다.Since the core material is embedded in the conductive layer, the conductive layer has a plurality of projections on the outer surface.

상기 돌기를 형성하는 방법으로서는 기재 입자의 표면 상에 제1 도전층을 형성한 후, 상기 제1 도전층 상에 코어 물질을 배치하고, 다음으로 제2 도전층을 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method of forming the projections include a method in which a first conductive layer is formed on the surface of base particles, a core material is disposed on the first conductive layer, and then a second conductive layer is formed; And a method in which the core material is added during the step of forming the conductive layer on the surface.

상기 코어 물질을 구성하는 물질로서는 도전성 물질 및 비도전성 물질을 들 수 있다. 상기 도전성 물질로서는, 예를 들면 금속, 금속의 산화물, 흑연 등의 도전성 비금속 및 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 상기 도전성 중합체로서는 폴리아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 비도전성 물질로서는 실리카, 알루미나, 티탄산바륨 및 지르코니아 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성을 높일 수 있고, 추가로 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있기 때문에, 금속이 바람직하다. 상기 코어 물질은 금속 입자인 것이 바람직하다.Examples of the material constituting the core material include a conductive material and a non-conductive material. Examples of the conductive material include metals, oxides of metals, conductive nonmetals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the non-conductive material include silica, alumina, barium titanate, and zirconia. Among them, a metal is preferable because the conductivity can be increased and the connection resistance can be further effectively lowered. The core material is preferably a metal particle.

상기 금속으로서는, 예를 들면 금, 은, 구리, 백금, 아연, 철, 납, 주석, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티탄, 안티몬, 비스무스, 게르마늄 및 카드뮴 등의 금속, 및 주석-납 합금, 주석-구리 합금, 주석-은 합금, 주석-납-은 합금 및 탄화텅스텐 등의 2종 이상의 금속으로 구성되는 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 니켈, 구리, 은 또는 금이 바람직하다. 상기 코어 물질을 구성하는 금속은 상기 도전층을 구성하는 금속과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 상기 코어 물질을 구성하는 금속은 상기 도전층을 구성하는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 코어 물질을 구성하는 금속은 니켈을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 코어 물질을 구성하는 금속은 니켈을 포함하는 것이 바람직하다.Examples of the metal include metals such as gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, Alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys, and alloys composed of two or more metals such as tungsten carbide. Among them, nickel, copper, silver or gold is preferable. The metal constituting the core material may be the same as or different from the metal constituting the conductive layer. The metal constituting the core material preferably includes a metal constituting the conductive layer. The metal constituting the core material preferably includes nickel. The metal constituting the core material preferably includes nickel.

상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 덩어리상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들면 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집한 응집 덩어리, 및 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core material is preferably agglomerated. Examples of the core material include a lump of particles, an agglomerated mass agglomerated by a plurality of minute particles, and a lump of an irregular shape.

상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입경)은, 바람직하게는 0.001 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The average diameter (average particle diameter) of the core material is preferably 0.001 占 퐉 or more, more preferably 0.05 占 퐉 or more, preferably 0.9 占 퐉 or less, and more preferably 0.2 占 퐉 or less. When the average diameter of the core material is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered.

상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입경)」은 수 평균 직경(수 평균 입경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균치를 산출함으로써 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the core material represents a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 pieces of any core material with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 코어 물질의 표면 상에 무기 입자가 배치되어 있을 수도 있다. 코어 물질의 표면 상에 배치된 무기 입자는 복수인 것이 바람직하다. 코어 물질의 표면에 무기 입자가 부착되어 있을 수도 있다. 이러한 무기 입자와 코어 물질을 구비하는 복합 입자를 이용할 수도 있다. 무기 입자의 크기(평균 직경)는 코어 물질의 크기(평균 직경)보다도 작은 것이 바람직하고, 상기 무기 입자는 무기 미립자인 것이 바람직하다.The inorganic particles may be disposed on the surface of the core material. It is preferable that the number of the inorganic particles disposed on the surface of the core material is plural. An inorganic particle may be attached to the surface of the core material. Composite particles having such an inorganic particle and a core material may be used. The size (average diameter) of the inorganic particles is preferably smaller than the size (average diameter) of the core material, and the inorganic particles are preferably inorganic fine particles.

상기 코어 물질의 표면 상에 배치되는 상기 무기 입자의 재료로서는 티탄산바륨(모스 경도 4.5), 실리카(이산화규소, 모스 경도 6 내지 7), 지르코니아(모스 경도 8 내지 9), 알루미나(모스 경도 9), 탄화텅스텐(모스 경도 9) 및 다이아몬드(모스 경도 10) 등을 들 수 있다. 상기 무기 입자는 실리카, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 바람직하고, 실리카, 지르코니아, 알루미나 또는 다이아몬드인 것도 바람직하다. 상기 무기 입자의 모스 경도는 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상이다. 상기 무기 입자의 모스 경도는 상기 도전층의 모스 경도보다도 큰 것이 바람직하다. 상기 무기 입자의 모스 경도는 상기 제2 도전층의 모스 경도보다도 큰 것이 바람직하다. 상기 무기 입자의 모스 경도와 상기 도전층의 모스 경도의 차의 절대치, 및 상기 무기 입자의 모스 경도와 상기 제2 도전층의 모스 경도의 차의 절대치는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 이상, 특히 바람직하게는 1 이상이다. 또한, 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는 복수의 층을 구성하는 모든 금속보다도 무기 입자가 딱딱한 쪽이, 접속 저항의 감소 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘된다.(Mohs hardness of 4.5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness of 6 to 7), zirconia (Mohs hardness of 8 to 9), alumina (Mohs hardness of 9) as the material of the inorganic particles disposed on the surface of the core material, , Tungsten carbide (Mohs hardness 9), and diamond (Mohs hardness 10). The inorganic particles are preferably silica, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, and silica, zirconia, alumina or diamond is also preferable. The Mohs hardness of the inorganic particles is preferably 5 or more, and more preferably 6 or more. The Mohs hardness of the inorganic particles is preferably larger than the Mohs hardness of the conductive layer. The Mohs hardness of the inorganic particles is preferably larger than the Mohs hardness of the second conductive layer. The absolute value of the difference between the Mohs hardness of the inorganic particles and the Mohs hardness of the conductive layer and the difference between the Mohs hardness of the inorganic particles and the Mohs hardness of the second conductive layer is preferably 0.1 or more, 0.2 or more, more preferably 0.5 or more, particularly preferably 1 or more. When the conductive layer is formed of a plurality of layers, the effect of reducing the connection resistance is more effectively exhibited when the inorganic particles are harder than all the metals constituting the plurality of layers.

상기 무기 입자의 평균 입경은, 바람직하게는 0.0001 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.005 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이하이다. 상기 무기 입자의 평균 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic particles is preferably 0.0001 占 퐉 or more, more preferably 0.005 占 퐉 or more, preferably 0.5 占 퐉 or less, and more preferably 0.1 占 퐉 or less. When the average particle diameter of the inorganic particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered.

상기 무기 입자의 「평균 입경」은 수 평균 입경을 나타낸다. 무기 입자의 평균 입경은 임의의 무기 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균치를 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the inorganic particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the inorganic particles is obtained by observing 50 arbitrary inorganic particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 코어 물질의 표면 상에 무기 입자가 배치되어 있는 복합 입자를 이용하는 경우에, 상기 복합 입자의 평균 직경(평균 입경)은 바람직하게는 0.0012 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.0502 ㎛ 이상, 바람직하게는 1.9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1.2 ㎛ 이하이다. 상기 복합 입자의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.In the case of using the composite particles in which the inorganic particles are disposed on the surface of the core material, the average diameter (average particle diameter) of the composite particles is preferably 0.0012 占 퐉 or more, more preferably 0.0502 占 퐉 or more, Mu m or less, and more preferably 1.2 mu m or less. When the average diameter of the composite particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered.

상기 복합 입자의 「평균 직경(평균 입경)」은 수 평균 직경(수 평균 입경)을 나타낸다. 상기 복합 입자의 평균 직경은 임의의 복합 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균치를 산출함으로써 구해진다.The " mean diameter (average particle diameter) " of the composite particles represents the number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the composite particles is determined by observing 50 arbitrary composite particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

[절연 물질][Insulating material]

본 발명에 따른 도전성 입자는 상기 도전층의 표면 상에 배치된 절연 물질을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 이용하면, 인접하는 전극 사이의 단락을 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 도전성 입자가 접촉했을 때에, 복수의 전극 사이에 절연 물질이 존재하기 때문에, 상하의 전극 사이가 아닌 가로 방향으로 인접하는 전극 사이의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극 사이의 접속시에, 2개의 전극으로 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 도전성 입자가 도전층의 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖기 때문에, 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연 물질을 용이하게 배제할 수 있다.The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating material disposed on the surface of the conductive layer. In this case, if the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between the adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are brought into contact with each other, an insulating material exists between a plurality of electrodes, so that a short circuit between electrodes adjacent to each other in the lateral direction, not between the upper and lower electrodes, can be prevented. Further, at the time of connection between the electrodes, the conductive particles of the conductive particles can be easily excluded from the insulating material between the electrodes by pressing the conductive particles with the two electrodes. Since the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating material between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be easily removed.

전극 사이의 압착시에 상기 절연 물질을 보다 한층 용이하게 배제할 수 있는 점에서, 상기 절연 물질은 절연성 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the insulating material is an insulating particle since the insulating material can be more easily removed at the time of pressing between the electrodes.

상기 절연 물질의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는 폴리올레핀류, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin as a material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, crosslinked products of thermoplastic resins, thermoplastic resins, thermosetting resins and water- have.

상기 폴리올레핀류로서는 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB-type styrene-butadiene block copolymer, SBS-type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, and a melamine resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methylcellulose and the like. Among them, a water-soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 도전층의 표면 상에 절연 물질을 배치하는 방법으로서는 화학적 방법, 및 물리적 또는 기계적 방법 등을 들 수 있다. 상기 화학적 방법으로서는, 예를 들면 계면 중합법, 입자 존재하에서의 현탁 중합법 및 유화 중합법 등을 들 수 있다. 상기 물리적 또는 기계적 방법으로서는 스프레이 드라이, 혼성화, 정전 부착법, 분무법, 딥핑 및 진공 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 절연 물질이 탈리하기 어려운 점에서, 상기 도전층의 표면에, 화학 결합을 통해 상기 절연 물질을 배치하는 방법이 바람직하다. Methods for disposing the insulating material on the surface of the conductive layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic deposition, spraying, dipping and vacuum deposition. Among them, a method of arranging the insulating material on the surface of the conductive layer through chemical bonding is preferable in that the insulating material is difficult to desorb.

상기 절연 물질의 평균 직경(평균 입경)은 도전성 입자의 입경 및 도전성 입자의 용도 등에 의해서 적절하게 선택할 수 있다. 상기 절연 물질의 평균 직경(평균 입경)은 바람직하게는 0.005 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 절연 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되었을 때에, 복수의 도전성 입자에 있어서의 도전층끼리가 접촉하기 어려워진다. 절연성 입자의 평균 직경이 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속시에, 전극과 도전성 입자 사이의 절연 물질을 배제하기 위해서, 압력을 지나치게 높일 필요가 없어지고, 고온으로 가열할 필요도 없어진다.The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles and the use of the conductive particles. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 占 퐉 or more, more preferably 0.01 占 퐉 or more, preferably 1 占 퐉 or less, and more preferably 0.5 占 퐉 or less. When the average diameter of the insulating material is not less than the lower limit described above, the conductive layers in the plurality of conductive particles are less likely to contact each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is less than the upper limit, it is not necessary to excessively increase the pressure in order to exclude the insulating material between the electrodes and the conductive particles at the time of connection between the electrodes, and it is unnecessary to heat the electrodes at a high temperature.

상기 절연 물질의 「평균 직경(평균 입경)」은 수 평균 직경(수 평균 입경)을 나타낸다. 절연 물질의 평균 직경은 입도 분포 측정 장치 등을 이용하여 구해진다.The " average diameter (average particle diameter) " of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is obtained by using a particle size distribution measuring device or the like.

(도전 재료)(Conductive material)

본 발명에 따른 도전 재료는 상술한 도전성 입자와 결합제 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 이용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material.

상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지로서, 공지된 절연성의 수지가 이용된다.The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.

상기 결합제 수지로서는, 예를 들면 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 결합제 수지는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Examples of the binder resin include a vinyl resin, a thermoplastic resin, a curable resin, a thermoplastic block copolymer and an elastomer. The binder resin may be used alone or in combination of two or more.

상기 비닐 수지로서는, 예를 들면 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들면 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열 경화형 수지, 광 경화형 수지 또는 습기 경화형 수지일 수도 있다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용될 수도 있다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들면 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물, 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들면 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include a polyolefin resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer, and a polyamide resin. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photo-curable resin or a moisture-curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenation product of styrene-butadiene-styrene block copolymer, and styrene-isoprene- Hydrogenated products, and the like. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

상기 도전 재료는 상기 도전성 입자 및 상기 결합제 수지 이외에, 예를 들면 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 윤활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.The conductive material may contain, in addition to the conductive particles and the binder resin, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, And the like.

상기 결합제 수지 중에 상기 도전성 입자를 분산시키는 방법은 종래 공지된 분산 방법을 사용할 수 있고 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지 중에 상기 도전성 입자를 분산시키는 방법으로서는, 예를 들면 상기 결합제 수지 중에 상기 도전성 입자를 첨가한 후, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법, 상기 도전성 입자를 물 또는 유기 용제 중에 균질기 등을 이용하여 균일하게 분산시킨 후, 상기 결합제 수지 중에 첨가하고, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법, 및 상기 결합제 수지를 물 또는 유기 용제 등으로 희석한 후, 상기 도전성 입자를 첨가하고, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법 등을 들 수 있다.As the method of dispersing the conductive particles in the binder resin, conventionally known dispersion methods can be used and there is no particular limitation. Examples of the method for dispersing the conductive particles in the binder resin include a method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like; a method in which the conductive particles are homogeneously dispersed in water or an organic solvent A method in which the binder resin is uniformly dispersed in a binder resin and then added to the binder resin and kneaded and dispersed by a planetary mixer or the like; and a method in which the binder resin is diluted with water or an organic solvent, Followed by kneading with a planetary mixer or the like and dispersing the mixture.

본 발명에 따른 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 도전 재료가 도전 필름인 경우에는 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있을 수도 있다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

상기 도전 재료 100 중량% 중 상기 결합제 수지의 함유량은 바람직하게는 10 중량% 이상, 보다 바람직하게는 30 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50 중량% 이상, 특히 바람직하게는 70 중량% 이상, 바람직하게는 99.99 중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9 중량% 이하이다. 상기 결합제 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이에 도전성 입자가 효율적으로 배치되어, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The content of the binder resin in 100 wt% of the conductive material is preferably 10 wt% or more, more preferably 30 wt% or more, still more preferably 50 wt% or more, particularly preferably 70 wt% Is 99.99% by weight or less, and more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conductive particles are efficiently disposed between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further enhanced.

상기 도전 재료 100 중량% 중 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01 중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1 중량% 이상, 바람직하게는 40 중량% 이하, 보다 바람직하게는 20 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 10 중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.01 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more, preferably 40 wt% or less, more preferably 20 wt% or less, Is not more than 10% by weight. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the reliability of the conduction between the electrodes is further increased.

(접속 구조체)(Connection structure)

본 발명의 도전성 입자를 이용하여 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료를 이용하여, 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.The connection structure can be obtained by connecting the members to be connected using the conductive particles of the present invention or by using the conductive particles and the conductive material containing the binder resin.

상기 접속 구조체는 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부가 본 발명의 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료(이방성 도전 재료 등)에 의해 형성되어 있는 접속 구조체인 것이 바람직하다. 도전성 입자가 이용된 경우에는 접속부 자체가 도전성 입자이다. 즉, 제1, 제2 접속 대상 부재가 도전성 입자에 의해 접속된다.Wherein the connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, wherein the connection portion is formed by the conductive particles of the present invention, or And is preferably a connection structure formed by a conductive material (anisotropic conductive material or the like) including the conductive particles and a binder resin. In the case where conductive particles are used, the connection itself is a conductive particle. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

도 4에, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 이용한 접속 구조체를 모식적으로 정면 단면도로 나타내었다.4 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to a first embodiment of the present invention.

도 4에 나타내는 접속 구조체 (51)은 제1 접속 대상 부재 (52)와, 제2 접속 대상 부재 (53)과, 제1, 제2 접속 대상 부재 (52,53)을 접속하고 있는 접속부 (54)를 구비한다. 접속부 (54)는 도전성 입자 (1)을 포함하는 도전 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 또한, 도 4에서는 도전성 입자 (1)은 도시의 편의상, 개략도적으로 나타내고 있다.The connection structure 51 shown in Fig. 4 includes a connection member 54 connecting the first connection object member 52, the second connection object member 53 and the first and second connection object members 52 and 53 . The connecting portion 54 is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 1. [ In Fig. 4, the conductive particles 1 are schematically shown for convenience of illustration.

제1 접속 대상 부재 (52)는 상면 (52a)(표면)에 복수의 전극 (52b)를 갖는다. 제2 접속 대상 부재 (53)은 하면 (53a)(표면)에 복수의 전극 (53b)를 갖는다. 전극 (52b)와 전극 (53b)가 1개 또는 복수의 도전성 입자 (1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재 (52,53)이 도전성 입자 (1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first connection target member 52 has a plurality of electrodes 52b on its upper surface 52a (surface). The second connection target member 53 has a plurality of electrodes 53b on the lower surface 53a (surface). And the electrode 52b and the electrode 53b are electrically connected to each other by one or a plurality of conductive particles 1. [ Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1. [

상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서는 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전 재료를 배치하여 적층체를 얻은 후, 상기 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다.The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a manufacturing method of the connection structure, there is a method of arranging the conductive material between the first connection target member and the second connection target member to obtain a laminate, and then heating and pressing the laminate.

상기 가압의 압력은 9.8×104 내지 4.9×106 Pa 정도이다. 상기 가열의 온도는 120 내지 220℃ 정도이다.The pressure of the pressurization is about 9.8 x 10 4 to 4.9 x 10 6 Pa. The temperature of the heating is about 120 to 220 占 폚.

상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체칩, 컨덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 인쇄 기판, 플렉시블 인쇄 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 전자 부품에 있어서의 전극의 전기적인 접속에 이용되는 것이 바람직하다.Specifically, examples of the member to be connected include electronic parts such as semiconductor chips, condensers and diodes, and electronic parts such as printed boards, flexible printed boards and circuit boards such as glass boards. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in an electronic component.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 인쇄 기판인 경우에는 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는 알루미늄만으로 형성된 전극일 수도 있고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극일 수도 있다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는 Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode provided on the member to be connected include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

(1) 팔라듐 부착 공정(1) palladium deposition process

입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)를 준비하였다. 이 수지 입자를 에칭하고, 수세하였다. 다음으로, 팔라듐 촉매를 8 중량% 포함하는 팔라듐 촉매화액 100 mL 중에 수지 입자를 첨가하여 교반하였다. 그 후, 여과하고, 세정하였다. pH6의 0.5 중량% 디메틸아민보란액에 수지 입자를 첨가하여, 팔라듐이 부착된 수지 입자를 얻었다.And a divinylbenzene resin particle (Micropearl SP-205, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 5.0 mu m was prepared. The resin particles were etched and washed with water. Next, resin particles were added to 100 mL of a palladium catalyzed solution containing 8 wt% of palladium catalyst and stirred. Thereafter, it was filtered and washed. Resin particles were added to a 0.5 wt% dimethylamine borane solution having a pH of 6 to obtain resin particles having palladium attached thereto.

(2) 무전해 니켈 도금 공정(2) Electroless nickel plating process

니켈-인 도전층을 형성하기 위해서, 황산니켈 0.25 mol/L, 차아인산나트륨 0.25 mol/L, 시트르산나트륨 0.15 mol/L 및 몰리브덴산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.0)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.0) containing 0.25 mol / L of nickel sulfate, 0.25 mol / L of sodium hypophosphite, 0.15 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium molybdate was added to form a nickel- Prepared.

순수 1000 mL 중에 얻어진 팔라듐이 부착된 수지 입자를 첨가하여, 초음파 분산기로 분산함으로써, 현탁액을 얻었다. 얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 니켈-인층(니켈-몰리브덴-인층(Ni-Mo-P층)인 제1 도전층(두께 5.2 nm)에서 수지 입자를 피복하여, 제1 도전층이 형성된 입자를 얻었다. Palladium-adhered resin particles obtained in 1000 mL of pure water were added and dispersed with an ultrasonic disperser to obtain a suspension. While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain resin particles coated with a nickel-phosphorus layer (nickel-molybdenum-phosphorus layer (Ni-Mo-P layer) To obtain particles having the first conductive layer formed thereon.

(3) 코어 물질 부착 공정 및 무전해 니켈 도금 공정(3) Core material deposition process and electroless nickel plating process

알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 제1 도전층이 형성된 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여 피복하였다.Alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. The first conductive layer was formed and the metal particle slurry was used to coat the first conductive layer.

니켈-인 도전층을 형성하기 위해서, 황산니켈 0.25 mol/L, 차아인산나트륨 0.25 mol/L, 시트르산나트륨 0.15 mol/L 및 몰리브덴산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.0)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.0) containing 0.25 mol / L of nickel sulfate, 0.25 mol / L of sodium hypophosphite, 0.15 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium molybdate was added to form a nickel- Prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 90 nm의 제2 도전층(니켈-몰리브덴-인층(Ni-Mo-P층)을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는 제2 도전층의 외측의 표면에 돌기를 갖고, 제2 도전층의 돌기의 내측에 코어 물질이 배치되어 있었다. 또한, 수지 입자와 코어 물질 사이에 제1 도전층이 배치되어 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was gradually dropped into the suspension and electroless nickel plating was performed to form a second conductive layer (nickel-molybdenum-phosphorus layer (Ni-Mo-P layer) The conductive particles thus obtained had protrusions on the outer surface of the second conductive layer and were formed on the inner side of the protrusions of the second conductive layer, and the particles were removed by filtration, washed with water, and dried to obtain conductive particles. And the core material was disposed. Also, the first conductive layer was disposed between the resin particle and the core material.

(실시예 2)(Example 2)

알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 실리카 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was changed to silica particle slurry (average particle diameter 100 nm).

(실시예 3)(Example 3)

알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 탄화텅스텐(WC) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was changed to tungsten carbide (WC) particle slurry (average particle diameter 100 nm).

(실시예 4 내지 8)(Examples 4 to 8)

니켈-인층인 제1 도전층의 두께를 하기에 나타내는 값으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first conductive layer as the nickel-phosphorous layer was changed to the following values.

제1 도전층의 두께:Thickness of the first conductive layer:

실시예 4: 10 ㎛Example 4: 10 占 퐉

실시예 5: 20 ㎛Example 5: 20 占 퐉

실시예 6: 100 ㎛Example 6: 100 占 퐉

실시예 7: 750 ㎛Example 7: 750 占 퐉

실시예 8: 860 ㎛Example 8: 860 mu m

(실시예 9)(Example 9)

(1) 절연성 입자의 제조(1) Preparation of insulating particles

4구 세퍼러블 커버, 교반익, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 부착된 1000 mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100 mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1 mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)이염산염 1 mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5 중량%가 되도록 이온 교환수에 칭취(秤取)한 후, 200rpm에서 교반하여, 질소 분위기하 70℃에서 24시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후, 동결 건조하여, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입경 220 nm 및 CV값 10%의 절연성 입자를 얻었다.100 mmol of methyl methacrylate and 100 mmol of N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloxypropyltrimethoxysilane were added to a 1000-mL separable flask equipped with a four-necked separable cover, stirrer, three-way cock, A monomer composition comprising 1 mmol of roile oxyethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed into ion-exchange water so that the solids content would be 5% by weight ), The mixture was stirred at 200 rpm, and polymerization was carried out at 70 캜 for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the resultant was lyophilized to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface and an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%.

절연성 입자를 초음파 조사하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연성 입자의 10 중량% 수 분산액을 얻었다.The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.

실시예 1에서 얻어진 도전성 입자 10 g을 이온 교환수 500 mL에 분산시켜, 절연성 입자의 수 분산액 4 g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3 ㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10 g of the conductive particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The mixture was filtered with a 3 탆 mesh filter, then washed with methanol, and dried to obtain conductive particles having insulating particles adhered thereto.

주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5 ㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입경의 투영 면적)을 산출한 바, 피복율은 30%였다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) from the center of the conductive particles to the area of 2.5 占 퐉 was calculated by image analysis, and the coating rate was 30%.

(실시예 10)(Example 10)

입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)를, 입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)의 표면을 실리카로 피복한 유기 무기 혼성 입자(입경 5.1 ㎛)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Divinylbenzene resin particles (Micropearl SP-205, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 5.0 占 퐉 were dispersed in 100 parts by mass of a microparticulate dispersion of 5.0 占 퐉 in size of divinylbenzene resin particles (Micropearl SP manufactured by Sekisui Chemical Co., Quot; -205 ") was changed to organic-inorganic hybrid particles (particle size: 5.1 mu m) in which the surface of the inorganic particles was coated with silica to obtain conductive particles.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

니켈-인층인 제1 도전층의 두께를 4.5 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first conductive layer as the nickel-phosphorous layer was changed to 4.5 nm.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)을 준비하였다. 또한, 알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 수지 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여, 수지 입자의 표면을 코어 물질로 피복하여, 현탁액을 얻었다.And a divinylbenzene resin particle (Micropearl SP-205, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 5.0 탆 was prepared. Further, an alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. Using the resin particles and the metal particle slurry, the surface of the resin particles was covered with a core material to obtain a suspension.

니켈-인 도전층을 형성하기 위해서, 황산니켈 0.25 mol/L, 차아인산나트륨 0.25 mol/L, 시트르산나트륨 0.15 mol/L 및 몰리브덴산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.0)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.0) containing 0.25 mol / L of nickel sulfate, 0.25 mol / L of sodium hypophosphite, 0.15 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium molybdate was added to form a nickel- Prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 100 nm의 도전층을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자에서는 코어 물질과 기재 입자가 접촉하고 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out to form a conductive layer having a thickness of 100 nm. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain conductive particles. In the obtained conductive particles, the core material and base particles were in contact with each other.

(실시예 11)(Example 11)

(1) 팔라듐 부착 공정(1) palladium deposition process

실시예 1에서 얻어진 팔라듐이 부착된 수지 입자를 준비하였다.The palladium-adhered resin particles obtained in Example 1 were prepared.

(2) 무전해 니켈 도금 공정(2) Electroless nickel plating process

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L, 시트르산나트륨 0.5 mol/L 및 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

순수 1000 mL 중에 얻어진 팔라듐이 부착된 수지 입자를 첨가하여, 초음파 분산기로 분산함으로써, 현탁액을 얻었다. 얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층(두께 5.1 nm)으로 수지 입자를 피복하여, 제1 도전층이 형성된 입자를 얻었다.Palladium-adhered resin particles obtained in 1000 mL of pure water were added and dispersed with an ultrasonic disperser to obtain a suspension. While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain particles having the first conductive layer formed by coating the resin particles with a first conductive layer (thickness: 5.1 nm) which is a nickel-tungsten-boron layer.

(3) 코어 물질 부착 공정 및 무전해 니켈 도금 공정(3) Core material deposition process and electroless nickel plating process

알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 제1 도전층이 형성된 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여 피복하였다.Alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. The first conductive layer was formed and the metal particle slurry was used to coat the first conductive layer.

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L, 시트르산나트륨 0.5 mol/L 및 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 90 nm의 제2 도전층을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는 제2 도전층의 외측의 표면에 돌기를 갖고, 제2 도전층의 돌기의 내측에 코어 물질이 배치되어 있었다. 또한, 수지 입자와 코어 물질 사이에 제1 도전층이 배치되어 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was gradually dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out to form a second conductive layer with a thickness of 90 nm. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain conductive particles. The obtained conductive particles had protrusions on the outer surface of the second conductive layer, and the core material was disposed inside the protrusions of the second conductive layer. Further, the first conductive layer was disposed between the resin particles and the core material.

(실시예 12)(Example 12)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 10 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 11 except that the thickness of the first conductive layer which was a nickel-tungsten-boron layer was changed to 10 nm.

(실시예 13)(Example 13)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 20 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 11 except that the thickness of the first conductive layer which was a nickel-tungsten-boron layer was changed to 20 nm.

(실시예 14)(Example 14)

실시예 9에서 얻어진 절연성 입자의 10 중량% 수 분산을 준비하였다. 실시예 11에서 얻어진 도전성 입자 10 g을 이온 교환수 500 mL에 분산시켜, 절연성 입자의 수 분산액 4 g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3 ㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles obtained in Example 9 was prepared. 10 g of the conductive particles obtained in Example 11 was dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The mixture was filtered with a 3 탆 mesh filter, then washed with methanol, and dried to obtain conductive particles having insulating particles adhered thereto.

주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5 ㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입경의 투영 면적)을 산출한 바, 피복율은 30%였다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) from the center of the conductive particles to the area of 2.5 占 퐉 was calculated by image analysis, and the coating rate was 30%.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 3 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 11 except that the thickness of the first conductive layer, which was a nickel-tungsten-boron layer, was changed to 3 nm.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)를 준비하였다. 또한, 알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 수지 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여, 수지 입자의 표면을 코어 물질로 피복하여, 현탁액을 얻었다.And a divinylbenzene resin particle (Micropearl SP-205, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 5.0 mu m was prepared. Further, an alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. Using the resin particles and the metal particle slurry, the surface of the resin particles was covered with a core material to obtain a suspension.

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L, 시트르산나트륨 0.5 mol/L 및 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 100 nm의 도전층을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자에서는 코어 물질과 기재 입자가 접촉하고 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out to form a conductive layer having a thickness of 100 nm. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain conductive particles. In the obtained conductive particles, the core material and base particles were in contact with each other.

(실시예 15)(Example 15)

(1) 팔라듐 부착 공정(1) palladium deposition process

실시예 1에서 얻어진 팔라듐이 부착된 수지 입자를 준비하였다.The palladium-adhered resin particles obtained in Example 1 were prepared.

(2) 무전해 니켈 도금 공정(2) Electroless nickel plating process

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L, 시트르산나트륨 0.5 mol/L 및 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

순수 1000 mL 중에 얻어진 팔라듐이 부착된 수지 입자를 첨가하여, 초음파 분산기로 분산함으로써, 현탁액을 얻었다. 얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 니켈-텅스텐-붕소층인 두께 10 nm의 제1 도전층에서 수지 입자를 피복하여, 제1 도전층이 형성된 입자를 얻었다.Palladium-adhered resin particles obtained in 1000 mL of pure water were added and dispersed with an ultrasonic disperser to obtain a suspension. While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain particles having the first conductive layer formed by covering the resin particles with a first conductive layer having a thickness of 10 nm, which is a nickel-tungsten-boron layer.

(3) 코어 물질 부착 공정 및 무전해 니켈 도금 공정(3) Core material deposition process and electroless nickel plating process

티탄산바륨(BaTiO3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 제1 도전층이 형성된 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여, 제1 도전층의 표면을 금속 입자로 피복하여, 현탁액을 얻었다.A barium titanate (BaTiO 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. The surface of the first conductive layer was covered with metal particles by using the particles having the first conductive layer and the metal particle slurry to obtain a suspension.

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L 및 시트르산나트륨 0.5 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH7.0)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 7.0) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane and 0.5 mol / L of sodium citrate was prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 90 nm의 제2 도전층을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는 제2 도전층의 외측의 표면에 돌기를 갖고, 제2 도전층의 돌기의 내측에 코어 물질이 배치되어 있었다. 또한, 수지 입자와 코어 물질 사이에 제1 도전층이 배치되어 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was gradually dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out to form a second conductive layer with a thickness of 90 nm. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain conductive particles. The obtained conductive particles had protrusions on the outer surface of the second conductive layer, and the core material was disposed inside the protrusions of the second conductive layer. Further, the first conductive layer was disposed between the resin particles and the core material.

(실시예 16)(Example 16)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 5.1 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 15와 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15 except that the thickness of the first conductive layer which was a nickel-tungsten-boron layer was changed to 5.1 nm.

(실시예 17)(Example 17)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 20 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 15와 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15 except that the thickness of the first conductive layer which was a nickel-tungsten-boron layer was changed to 20 nm.

(실시예 18)(Example 18)

티탄산바륨(BaTiO3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 15와 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15 except that the slurry of barium titanate (BaTiO 3 ) (average particle diameter 100 nm) was changed to alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm).

(실시예 19)(Example 19)

티탄산바륨(BaTiO3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 16과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 16 except that a slurry of barium titanate (BaTiO 3 ) (average particle diameter 100 nm) was changed to an alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm).

(실시예 20)(Example 20)

티탄산바륨(BaTiO3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 알루미나(Al2O3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 17과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 17 except that the slurry of barium titanate (BaTiO 3 ) (average particle diameter 100 nm) was changed to alumina (Al 2 O 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm).

(실시예 21)(Example 21)

제2 도전층을 형성하기 위한 니켈 도금액에, 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 추가한 것 이외에는 실시예 15와 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 15 except that 0.01 mol / L of sodium tungstate was added to the nickel plating solution for forming the second conductive layer.

(실시예 22)(Example 22)

실시예 9에서 얻어진 절연성 입자의 10 중량% 수 분산을 준비하였다. 실시예 15에서 얻어진 도전성 입자 10 g을 이온 교환수 500 mL에 분산시켜, 절연성 입자의 수 분산액 4 g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3 ㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles obtained in Example 9 was prepared. 10 g of the conductive particles obtained in Example 15 was dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The mixture was filtered with a 3 탆 mesh filter, then washed with methanol, and dried to obtain conductive particles having insulating particles adhered thereto.

주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5 ㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입경의 투영 면적)을 산출한 바, 피복율은 30%였다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) from the center of the conductive particles to the area of 2.5 占 퐉 was calculated by image analysis, and the coating rate was 30%.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

입경이 5.0 ㎛인 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이 가가꾸 고교사 제조 「마이크로펄 SP-205」)를 준비하였다. 또한, 티탄산바륨(BaTiO3) 입자 슬러리(평균 입경 100 nm)를 준비하였다. 수지 입자와 금속 입자 슬러리를 이용하여, 수지 입자의 표면을 코어 물질로 피복하여, 현탁액을 얻었다.And a divinylbenzene resin particle (Micropearl SP-205, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 5.0 mu m was prepared. Further, a barium titanate (BaTiO 3 ) particle slurry (average particle diameter 100 nm) was prepared. Using the resin particles and the metal particle slurry, the surface of the resin particles was covered with a core material to obtain a suspension.

황산니켈 0.23 mol/L, 디메틸아민보란 0.92 mol/L, 시트르산나트륨 0.5 mol/L 및 텅스텐산나트륨 0.01 mol/L을 포함하는 니켈 도금액(pH8.5)을 준비하였다.A nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane, 0.5 mol / L of sodium citrate and 0.01 mol / L of sodium tungstate was prepared.

얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈 도금을 행하여, 두께 100 nm의 도전층을 형성하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써 입자를 취출하여 수세하고, 건조함으로써, 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자에서는 코어 물질과 기재 입자가 접촉하고 있었다.While stirring the obtained suspension at 60 占 폚, the nickel plating solution was slowly dropped into the suspension, and electroless nickel plating was carried out to form a conductive layer having a thickness of 100 nm. Thereafter, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water and dried to obtain conductive particles. In the obtained conductive particles, the core material and base particles were in contact with each other.

(비교예 6)(Comparative Example 6)

니켈-텅스텐-붕소층인 제1 도전층의 두께를 1 nm로 변경한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 18 except that the thickness of the first conductive layer, which is a nickel-tungsten-boron layer, was changed to 1 nm.

(실시예 23)(Example 23)

실시예 9에서 얻어진 절연성 입자의 10 중량% 수 분산을 준비하였다. 실시예 18에서 얻어진 도전성 입자 10 g을 이온 교환수 500 mL에 분산시켜, 절연성 입자의 수 분산액 4 g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3 ㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles obtained in Example 9 was prepared. 10 g of the conductive particles obtained in Example 18 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The mixture was filtered with a 3 탆 mesh filter, then washed with methanol, and dried to obtain conductive particles having insulating particles adhered thereto.

주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5 ㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입경의 투영 면적)을 산출한 바, 피복율은 30%였다.As a result of observation by a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer composed of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coated area of the insulating particles (i.e., the projected area of the particle diameter of the insulating particles) from the center of the conductive particles to the area of 2.5 占 퐉 was calculated by image analysis, and the coating rate was 30%.

(평가)(evaluation)

(1) 기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리(1) the average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material

얻어진 도전성 입자를 절단하여 단면 관찰함으로써, 기재 입자의 표면과 복수의 코어 물질 사이의 거리를 측정하였다. 기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 거리는 도전성 입자의 복수 개소의 단면을 촬영하여 화상을 얻고, 얻어진 화상으로부터 입체 화상을 작성하고, 얻어진 입체 화상을 이용함으로써 측정하였다. 상기 단면의 촬영은 닛본 FEI사 제조, 집광 이온빔-주사 전자 현미경(FIBSEM) 장치명 헬리오스 나노랩.650을 이용하여 행하였다. 집속 이온빔을 이용하여, 도전성 입자의 박막 세그먼트를 제작하고, 주사형 전자 현미경으로 단면을 관찰하였다. 그 조작을 200회 반복하고, 화상 해석함으로써 입자의 입체 화상을 얻었다. 입체 화상으로부터, 기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 거리를 구하였다. The obtained conductive particles were cut and observed by a section to measure the distance between the surface of the base particles and a plurality of core materials. The distance between the surface of the base particle and the surface of the core material was measured by photographing a plurality of cross sections of the conductive particle to obtain an image, creating a stereoscopic image from the obtained image, and using the obtained stereoscopic image. The section was photographed using a Helios NanoRab. 650 apparatus, which was manufactured by Nippon FEI Co., Ltd., and focused on a focused ion beam-scanning electron microscope (FIBSEM). A thin film segment of conductive particles was produced using a focused ion beam, and a cross section was observed with a scanning electron microscope. The operation was repeated 200 times and image analysis was performed to obtain a three-dimensional image of the particles. From the stereoscopic image, the distance between the surface of the base particle and the surface of the core material was determined.

(2) 코어 물질의 전체 개수 100 중량% 중, 기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하는 코어 물질의 개수의 비율(%)(2) a ratio (%) of the number of core materials having a distance between the surface of the base particle and the surface of the core material exceeding 5 nm, out of 100%

상기 (1)의 평가 항목과 동일하게 하여, 코어 물질의 전체 개수 100 중량% 중 기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하는 코어 물질의 개수의 비율(%)을 측정하여, 하기의 기준으로 판정하였다.(%) Of the number of core materials having a distance of 5 nm or more between the surface of the base material particle and the surface of the core material in the total number of 100% by weight of the core material , And was judged according to the following criteria.

[기재 입자의 표면과 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하는 코어 물질의 개수의 비율(%)의 판정 기준][Criteria of the ratio (%) of the number of core materials having a distance between the surface of the base particles and the surface of the core material exceeding 5 nm]

A: 상기 개수의 비율이 80% 초과A: If the ratio of the number exceeds 80%

B: 상기 개수의 비율이 80% 이하B: the ratio of the number is 80% or less

(3) 접속 저항(3) Connection resistance

접속 구조체의 제조:Preparation of the connection structure:

비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사 제조 「에피코트 1009」) 10 중량부와, 아크릴 고무(중량 평균 분자량 약 80만) 40 중량부와, 메틸에틸케톤 200 중량부와, 마이크로 캡슐형 경화제(아사히 가세이 케미컬즈사 제조 「HX3941HP」) 50 중량부와, 실란 커플링제(도레이 다우 코닝 실리콘사 제조 「SH6040」) 2 중량부를 혼합하여, 도전성 입자를 함유량이 3 중량%가 되도록 첨가하고, 분산시켜, 수지 조성물을 얻었다.10 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin ("Epikote 1009" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 40 parts by weight of an acrylic rubber (weight average molecular weight: about 800,000), 200 parts by weight of methyl ethyl ketone, , And 2 parts by weight of a silane coupling agent (" SH6040 ", manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) were mixed and dispersed to prepare a conductive particle having a content of 3 wt% To obtain a resin composition.

얻어진 수지 조성물을 한쪽 면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름에 도포하고, 70℃의 열풍으로 5분간 건조하여, 이방성 도전 필름을 제작하였다. 얻어진 이방성 도전 필름의 두께는 12 ㎛였다.The obtained resin composition was applied to a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 50 占 퐉 on one side of which had been subjected to release treatment and dried for 5 minutes by hot air at 70 占 폚 to prepare an anisotropic conductive film. The thickness of the resulting anisotropic conductive film was 12 占 퐉.

얻어진 이방성 도전 필름을 5 mm×5 mm의 크기로 절단하였다. 절단된 이방성 도전 필름을, 한쪽에 저항 측정용의 연결선을 갖는 알루미늄 전극(높이 0.2 ㎛, L/S=20 ㎛/20 ㎛)을 갖는 유리 기판(폭 3 cm, 길이 3 cm)의 알루미늄 전극측의 거의 중앙에 부착하였다. 이어서, 동일 알루미늄 전극을 갖는 2층 플렉시블 인쇄 기판(폭 2 cm, 길이 1 cm)을, 전극끼리가 중첩되도록 위치 정렬을 하고 나서 접합시켰다. 이 유리 기판과 2층 플렉시블 인쇄 기판과의 적층체를 10N, 180℃ 및 20초간의 압착 조건으로 열 압착하여, 접속 구조체를 얻었다. 또한, 폴리이미드 필름에 알루미늄 전극이 직접 형성되어 있는 2층 플렉시블 인쇄 기판을 이용하였다.The obtained anisotropic conductive film was cut into a size of 5 mm x 5 mm. The cut anisotropic conductive film was placed on one side of a glass substrate (3 cm wide, 3 cm long) having aluminum electrodes (height 0.2 μm, L / S = 20 μm / 20 μm) In the vicinity of the center. Subsequently, a two-layer flexible printed substrate (2 cm wide, 1 cm long) having the same aluminum electrode was positioned and aligned so that the electrodes overlapped with each other. The laminate of the glass substrate and the two-layer flexible printed substrate was subjected to thermocompression bonding under conditions of 10 N, 180 占 폚 and 20 seconds to obtain a connection structure. Further, a two-layer flexible printed substrate having an aluminum electrode directly formed on a polyimide film was used.

접속 저항의 측정:Measurement of connection resistance:

얻어진 접속 구조체의 대향하는 전극 사이의 접속 저항을 4단자법에 의해 측정하였다. 또한, 접속 저항을 하기의 기준으로 판정하였다.The connection resistance between the opposing electrodes of the resulting connection structure was measured by the four-terminal method. Further, the connection resistance was judged based on the following criteria.

[접속 저항의 판정 기준][Criteria for judging connection resistance]

○○: 접속 저항이 2.0Ω 이하○○: Connection resistance is 2.0Ω or less

○: 접속 저항이 2.0Ω 초과 3.0Ω 이하○: Connection resistance is more than 2.0Ω and less than 3.0Ω

△: 접속 저항이 3.0Ω 초과 5.0Ω 이하?: Connection resistance is more than 3.0? 5.0?

×: 접속 저항이 5.0Ω 초과×: Connection resistance exceeded 5.0Ω

(4) 내충격성(4) Impact resistance

상기 (3) 접속 저항의 평가에서 얻어진 접속 구조체를 높이 70 cm의 위치에서 낙하시켜, 도통을 확인함으로써 내충격성의 평가를 행하였다. 초기 저항치로부터의 저항치의 상승률로부터, 내충격성을 하기의 기준으로 판정하였다.The impact resistance was evaluated by dropping the connection structure obtained in the above (3) evaluation of connection resistance at a height of 70 cm and confirming continuity. From the rate of rise of the resistance value from the initial resistance value, the impact resistance was judged based on the following criteria.

[내충격성의 판정 기준][Criteria for determination of impact resistance]

○○: 초기 저항치로부터의 저항치의 상승률이 20% 이하○○: The increase rate of the resistance value from the initial resistance value is 20% or less

○: 초기 저항치로부터의 저항치의 상승률이 20% 초과 35% 이하○: The increase rate of the resistance value from the initial resistance value is more than 20% and not more than 35%

△: 초기 저항치로부터의 저항치의 상승률이 35% 초과 50% 이하?: Increase rate of the resistance value from the initial resistance value exceeds 35% to 50% or less

×: 초기 저항치로부터의 저항치의 상승률이 50% 초과X: Increase rate of the resistance value from the initial resistance value exceeds 50%

(5) 압흔의 상태(5) the state of indentation

미분 간섭 현미경을 이용하여, 상기 (3) 접속 저항의 평가에서 얻어진 접속 구조체의 유리 기판측에서, 유리 기판에 설치된 전극을 관찰하고, 도전성 입자가 접촉한 전극의 압흔 형성의 유무를 하기의 판정 기준으로 평가하였다. 또한, 전극의 압흔 형성의 유무에 대해서, 전극 면적이 0.02 ㎟가 되도록, 미분 간섭 현미경으로 관찰하여, 전극 면적 0.02 ㎟당의 압흔의 개수를 산출하였다. 임의의 10개소를 미분 간섭 현미경으로 관찰하여, 전극 면적 0.02 ㎟당의 압흔 개수의 평균치를 산출하였다.(3) The electrode provided on the glass substrate was observed on the glass substrate side of the connection structure obtained in the above (3) evaluation of the connection resistance, and the presence or absence of the indentation of the electrode with which the conductive particles were contacted was judged by the following judgment criteria Respectively. With respect to the presence or absence of indentation of the electrode, the number of indentations per electrode area of 0.02 mm 2 was calculated by observation with a differential interference microscope so that the electrode area was 0.02 mm 2. 10 arbitrary points were observed with a differential interference microscope to calculate an average value of the number of indentations per 0.02 mm 2 of electrode area.

[압흔 상태의 판정 기준][Judgment Criteria of Indentation Condition]

○: 전극 면적 0.02 ㎟당의 압흔 개수의 평균치가 20개 이상?: The average value of the number of indentations per 0.02 mm2 electrode area is 20 or more

△: 전극 면적 0.02 ㎟당의 압흔 개수의 평균치가 5개 이상 20개 미만?: Average value of the number of indentations per 0.02 mm2 of the electrode area is 5 or more and less than 20

×: 전극 면적 0.02 ㎟당의 압흔 개수의 평균치가 5개 미만X: Average value of the number of indentations per 0.02 mm2 electrode area is less than 5

결과를 하기의 표 1 내지 3에 나타내었다. 또한, 하기의 표 1 내지 3에, 제1, 제2 도전층 및 코어 물질의 모스 경도를 나타내었다. 또한, 하기 표 1 내지 3에 있어서, 「-」는 평가하지 않은 것을 나타낸다.The results are shown in Tables 1 to 3 below. The Mohs hardness of the first and second conductive layers and the core material are shown in Tables 1 to 3 below. In the following Tables 1 to 3, " - " indicates that it is not evaluated.

Figure 112013102677865-pct00002
Figure 112013102677865-pct00002

Figure 112013102677865-pct00003
Figure 112013102677865-pct00003

Figure 112013102677865-pct00004
Figure 112013102677865-pct00004

1…도전성 입자
2…기재 입자
3…도전층
3a…돌기
3b…도전층 부분
4…코어 물질
5…절연 물질
11…도전성 입자
12…도전층
12a…돌기
12b…도전층 부분
16…제1 도전층
17…제2 도전층
17a…돌기
21…도전성 입자
22…도전층
22a…돌기
22b…도전층 부분
26…제1 도전층
27…제2 도전층
27a…돌기
28…제3 도전층
28a…돌기
51…접속 구조체
52…제1 접속 대상 부재
52a…상면
52b…전극
53…제2 접속 대상 부재
53a…하면
53b…전극
54…접속부
One… Conductive particle
2… Base particles
3 ... Conductive layer
3a ... spin
3b ... Conductive layer portion
4… Core material
5 ... Insulating material
11 ... Conductive particle
12 ... Conductive layer
12a ... spin
12b ... Conductive layer portion
16 ... The first conductive layer
17 ... The second conductive layer
17a ... spin
21 ... Conductive particle
22 ... Conductive layer
22a ... spin
22b ... Conductive layer portion
26 ... The first conductive layer
27 ... The second conductive layer
27a ... spin
28 ... The third conductive layer
28a ... spin
51 ... Connection structure
52 ... The first connection object member
52a ... Top surface
52b ... electrode
53 ... The second connection object member
53a ... if
53b ... electrode
54 ... Connection

Claims (11)

기재 입자와,
상기 기재 입자를 피복하고 있는 도전층과,
상기 도전층 내에 매입(
Figure 112018085223014-pct00005
)되어 있는 복수의 코어 물질을 구비하고,
상기 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있고,
상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 도전층이 배치되어 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면이 거리를 두고 있고, 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 평균 거리가 5 nm를 초과하고, 20 nm 이하인 도전성 입자.
Base particles,
A conductive layer covering the base particles;
Embedded in the conductive layer (
Figure 112018085223014-pct00005
And a plurality of core materials,
Wherein the conductive layer has a plurality of projections on an outer surface thereof and the core material is disposed inside the projections of the conductive layer,
Wherein the conductive layer is disposed between the base particles and the core material and the surface of the base particles and the surface of the core material are spaced apart and the average distance between the surface of the base particles and the surface of the core material is The conductive particles exceeding 5 nm and not more than 20 nm.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 코어 물질의 전체 개수 100% 중 상기 기재 입자의 표면과 상기 코어 물질의 표면 사이의 거리가 5 nm를 초과하고, 20 nm 이하인 코어 물질의 개수의 비율이 80% 초과 100% 이하인 도전성 입자. The method of claim 1, wherein a ratio of the number of core materials having a diameter of 20 nm or more to a surface of the core material is 5 nm or more and 100% or more of the total number of core materials is 100% % Or less. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소가 동일한 도전성 입자. The conductive particle according to claim 1 or 3, wherein the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the conductive layer are the same. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 도전층이 상기 기재 입자를 피복하고 있는 제1 도전층과, 상기 제1 도전층 및 상기 코어 물질을 피복하고 있는 제2 도전층을 구비하고,
상기 코어 물질은 상기 제1 도전층의 표면 상에 배치되어 있으며, 상기 제2 도전층 내에 매입되어 있고,
상기 제2 도전층이 외측의 표면에 복수의 돌기를 갖고,
상기 제2 도전층의 상기 돌기의 내측에 상기 코어 물질이 배치되어 있고,
상기 기재 입자와 상기 코어 물질 사이에 상기 제1 도전층이 배치되어 있는 도전성 입자.
4. The semiconductor device according to claim 1 or 3, wherein the conductive layer comprises a first conductive layer covering the base particles, and a second conductive layer covering the first conductive layer and the core material,
Wherein the core material is disposed on a surface of the first conductive layer and embedded in the second conductive layer,
Wherein the second conductive layer has a plurality of projections on an outer surface thereof,
Wherein the core material is disposed inside the projection of the second conductive layer,
And the first conductive layer is disposed between the base particles and the core material.
제5항에 있어서, 상기 코어 물질에 가장 많이 포함되는 금속 원소와 상기 제2 도전층에 가장 많이 포함되는 금속 원소가 동일한 도전성 입자. 6. The conductive particle according to claim 5, wherein the metal element most contained in the core material and the metal element most contained in the second conductive layer are the same. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 도전층이 단층의 도전층인 도전성 입자. The conductive particle according to claim 1 or 3, wherein the conductive layer is a single-layer conductive layer. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 코어 물질이 금속 입자인 도전성 입자. The conductive particle according to claim 1 or 3, wherein the core material is metal particles. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 도전층의 표면에 부착되어 있는 절연 물질을 더 구비하는 도전성 입자. The conductive particle according to claim 1 or 3, further comprising an insulating material attached to a surface of the conductive layer. 제1항 또는 제3항에 기재된 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료. A conductive material comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 3 and a binder resin. 제1 접속 대상 부재와,
제2 접속 대상 부재와,
상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부가 제1항 또는 제3항에 기재된 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는 접속 구조체.
A first connection object member,
A second member to be connected,
And a connection portion connecting the first and second connection target members,
Wherein the connecting portion is formed by the conductive particles according to claim 1 or 3, or is formed by a conductive material including the conductive particles and the binder resin.
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