JP2013055045A - Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material - Google Patents

Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material Download PDF

Info

Publication number
JP2013055045A
JP2013055045A JP2012173068A JP2012173068A JP2013055045A JP 2013055045 A JP2013055045 A JP 2013055045A JP 2012173068 A JP2012173068 A JP 2012173068A JP 2012173068 A JP2012173068 A JP 2012173068A JP 2013055045 A JP2013055045 A JP 2013055045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anisotropic conductive
less
conductive material
electrodes
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012173068A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Ishizawa
英亮 石澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2012173068A priority Critical patent/JP2013055045A/en
Publication of JP2013055045A publication Critical patent/JP2013055045A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a connection structure which can ensure sufficient conduction reliability even if thermal shock is given thereto, or when it is exposed to high temperature high humidity.SOLUTION: In the manufacturing method of a connection structure, an anisotropic conductive material layer is placed on the upper surface of a first connected member 2 having a plurality of first electrodes 2b on the upper surface 2a by using an anisotropic conductive material containing conductive particles 5, a second connected member 4 having a plurality of second electrodes 4b on the lower surface 4a is then laminated on the upper surface 3a of the anisotropic conductive material layer, and a cured material layer 3 is formed by curing the anisotropic conductive material layer. The height of the plurality of second electrodes 4b, the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the height of the plurality of second electrodes 4b, the average particle size of a plurality of conductive particles 5 before connection, and the average value of compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 are subjected to 20-50% compression deformation fall within specific ranges, respectively.

Description

本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電材料を用いて、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続する接続構造体の製造方法及び接続構造体、並びに異方性導電材料に関する。   The present invention uses an anisotropic conductive material including a plurality of conductive particles to electrically connect electrodes of various connection target members such as a flexible printed circuit board, a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip. The present invention relates to a connection structure manufacturing method, a connection structure, and an anisotropic conductive material.

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。   Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献1では、第一の回路電極を有する第一の回路部材と、第二の回路電極を有し、かつテープキャリアパッケージ又はフレキシブルプリント基板を構成する第二の回路部材とを、上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とを対向配置させた状態で、異方性導電材料により接続する接続構造体の製造方法が開示されている。   As an example of the manufacturing method of the connection structure, in Patent Document 1 below, a first circuit member having a first circuit electrode, a second circuit electrode, and a tape carrier package or a flexible printed board are used. Disclosed is a method for manufacturing a connection structure in which a second circuit member to be configured is connected by an anisotropic conductive material in a state where the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other. Yes.

特開2005−235530号公報JP 2005-235530 A

特許文献1に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、第一,第二の回路部材における電極間を電気的に接続したときに、得られる接続構造体における電極間の導通信頼性が低くなることがある。   In the manufacturing method of the conventional connection structure as described in Patent Document 1, when the electrodes in the first and second circuit members are electrically connected, the conduction reliability between the electrodes in the obtained connection structure May be low.

さらに、得られる接続構造体に冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられたり、又は接続構造体が高温高湿下に晒されたりしたときに、十分な接続信頼性を確保できないことがある。   Furthermore, when the obtained connection structure is subjected to a thermal shock such as a cold cycle or when the connection structure is exposed to high temperature and high humidity, sufficient connection reliability may not be ensured.

本発明の目的は、熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を得ることができる接続構造体の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を提供することである。さらに、本発明の目的は、冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を得ることができる異方性導電材料を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a connection structure that can provide a connection structure that can ensure sufficient conduction reliability even when subjected to a thermal shock or exposed to high temperature and high humidity. It is to be. It is another object of the present invention to provide a connection structure that can ensure sufficient conduction reliability even when subjected to a thermal shock such as a cold cycle or when exposed to high temperature and high humidity. Furthermore, an object of the present invention is to provide an anisotropic structure capable of obtaining a connection structure that can ensure sufficient conduction reliability even when subjected to a thermal shock such as a cold cycle or exposed to high temperature and high humidity. It is to provide a conductive material.

本発明の広い局面によれば、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材の上面に、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層の上面に、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材を、複数の上記第1の電極と複数の上記第2の電極とを対向させて積層する工程と、上記異方性導電材料層を硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続する工程とを備え、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、接続構造体の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the upper surface of the first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface is made of an anisotropic conductive material containing a curable component and a plurality of conductive particles. A step of disposing the isotropic conductive material layer; a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface on the upper surface of the anisotropic conductive material layer; The step of laminating the second electrode to face each other, the anisotropic conductive material layer is cured to form a cured product layer, and the cured product layer is used to electrically connect the first and second connection target members. A plurality of second electrode heights of 5 μm or more and 20 μm or less, respectively, and an absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less, and the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material The average particle diameter is 2 μm or more and 20 μm or less, and the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed is 20% or more, 50 %, And the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 5% or more and 25% or less, A method for manufacturing a connection structure is provided.

また、本発明の広い局面によれば、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材と、上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続しており、かつ硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成された硬化物層とを備え、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface, a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface, and the first And a cured product layer formed by curing an anisotropic conductive material that electrically connects the second connection target members and includes a curable component and a plurality of conductive particles. The second electrode height is 5 μm or more and 20 μm or less, and the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less, An average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm or less, and the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is The average value of compression recovery when 20% compression deformation is 20% or more, 50% And the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 5% or more and 25% or less. A structure is provided.

さらに、本発明の広い局面によれば、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材とを、電気的に接続する硬化物層を形成するために用いられる異方性導電材料であって、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含み、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、異方性導電材料が提供される。   Furthermore, according to a wide aspect of the present invention, the first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface and the second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface are electrically connected. An anisotropic conductive material used for forming a cured product layer connected to the substrate, comprising a curable component and a plurality of conductive particles, wherein the plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm, respectively. The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less, and the average particle diameter of the plurality of conductive particles is 2 μm or more, 20 μm or less, the average value of the compression recovery rate when 20% of the plurality of conductive particles are compressed and deformed is 20% or more and 50% or less, and the plurality of the conductive particles is 50% compressed and deformed. When the average value of the compression recovery rate is 5% or more and 25% or less, Isotropic conductive material is provided.

複数の上記第1の電極高さがそれぞれ0.05μm以上、10μm以下であり、複数の上記第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0μm以上、5μm以下であることが好ましい。   The plurality of first electrode heights are each 0.05 μm or more and 10 μm or less, and the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of first electrode heights is 0 μm or more and 5 μm or less. It is preferable.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子の平均粒子径は、上記硬化物層により接続された上記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の上記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値の1.1倍以上、5倍以下であることが好ましい。   The average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is such that the first and second connection target members connected by the cured product layer face each other. The distance between the second electrodes is preferably 1.1 times to 5 times the average distance.

上記硬化物層により接続された上記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の上記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値は1μm以上、15μm以下であることが好ましい。   In the first and second connection target members connected by the cured product layer, the average value of the distances between the plurality of facing first and second electrodes may be 1 μm or more and 15 μm or less. preferable.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の粒子径のCV値が3%以上、10%以下であることが好ましい。   The CV value of the particle diameter of the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is preferably 3% or more and 10% or less.

上記硬化物層により接続された上記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の上記第1,第2の電極間の隙間の距離のCV値が10%以上、30%以下であることが好ましい。   The CV value of the distance between the plurality of facing first and second electrodes in the first and second connection target members connected by the cured product layer is 10% or more and 30% or less. It is preferable.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材の上面に、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層の上面に、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材を、複数の上記第1の電極と複数の上記第2の電極とを対向させて積層する工程と、上記異方性導電材料層を硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続する工程とを備えており、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下であるので、熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を得ることができる。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive material including a curable component and a plurality of conductive particles is formed on the upper surface of a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface. A step of disposing an anisotropic conductive material layer, and a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface on the upper surface of the anisotropic conductive material layer, and the plurality of first electrodes And a step of laminating a plurality of second electrodes facing each other, and curing the anisotropic conductive material layer to form a cured product layer, and the cured product layer forms the first and second connection objects. A plurality of second electrode heights of 5 μm or more and 20 μm or less, respectively, and a maximum value and a minimum value of the plurality of second electrode heights. The absolute value of the difference is not less than 0.5 μm and not more than 2 μm, and the difference before connection is included in the anisotropic conductive material. The average particle diameter of the conductive particles is 2 μm or more and 20 μm or less, and the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed. 20% or more and 50% or less, and the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 5% or more, Since it is 25% or less, it is possible to obtain a connection structure that can ensure sufficient conduction reliability even when a thermal shock is applied or it is exposed to high temperature and high humidity.

本発明に係る接続構造体は、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材と、上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続しており、かつ硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成された硬化物層とを備えており、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下であるので、熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる。   The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface, a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface, and the first and first members. And a cured product layer formed by curing an anisotropic conductive material including a curable component and a plurality of conductive particles. The second electrode height is 5 μm or more and 20 μm or less, and the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less, An average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm or less, and the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is The average value of compression recovery when 20% compression deformation is 20% or more, 50% And the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 5% or more and 25% or less, Sufficient conduction reliability can be ensured even when a thermal shock is applied or when exposed to high temperature and high humidity.

本発明に係る異方性導電材料は、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材とを、電気的に接続する硬化物層を形成するために用いられる異方性導電材料であって、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含み、複数の上記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、複数の上記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下であるので、熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を得ることができる。   An anisotropic conductive material according to the present invention electrically connects a first connection target member having a plurality of first electrodes on an upper surface and a second connection target member having a plurality of second electrodes on a lower surface. An anisotropic conductive material used for forming a cured product layer connected to the substrate, comprising a curable component and a plurality of conductive particles, wherein the plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm, respectively. The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less, and the average particle diameter of the plurality of conductive particles is 2 μm or more, 20 μm or less, the average value of the compression recovery rate when 20% of the plurality of conductive particles are compressed and deformed is 20% or more and 50% or less, and the plurality of the conductive particles is 50% compressed and deformed. Since the average value of the compression recovery rate is 5% or more and 25% or less, Or given an impact, or even or exposed to high temperature and high humidity, it is possible to obtain a connection structure capable of ensuring a sufficient conduction reliability.

図1は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に示す部分切欠断面図である。FIG. 1 is a partially cutaway cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained by a method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための部分切欠断面図である。2A to 2C are partial cutaway cross-sectional views for explaining each step of the method for manufacturing a connection structure according to one embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材の上面に、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層の上面に、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材を、複数の上記第1の電極と複数の上記第2の電極とを対向させて積層する工程と、上記異方性導電材料層を硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続する工程とを備える。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive material including a curable component and a plurality of conductive particles is formed on the upper surface of a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface. A step of disposing an anisotropic conductive material layer, and a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface on the upper surface of the anisotropic conductive material layer, and the plurality of first electrodes And a step of laminating a plurality of second electrodes facing each other, and curing the anisotropic conductive material layer to form a cured product layer, and the cured product layer forms the first and second connection objects. Electrically connecting the members.

本発明に係る接続構造体は、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材と、上記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続しており、かつ硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成された硬化物層とを備える。   The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface, a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface, and the first and first members. And a cured product layer formed by curing an anisotropic conductive material including a curable component and a plurality of conductive particles.

本発明に係る異方性導電材料は、複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材とを、電気的に接続する硬化物層を形成するために用いられる。本発明に係る異方性導電材料は、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む。   An anisotropic conductive material according to the present invention electrically connects a first connection target member having a plurality of first electrodes on an upper surface and a second connection target member having a plurality of second electrodes on a lower surface. It is used to form a cured product layer connected to The anisotropic conductive material according to the present invention includes a curable component and a plurality of conductive particles.

本発明に係る接続構造体の製造方法、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る異方性導電材料において、複数の上記第2の電極高さはそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、複数の上記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値は0.5μm以上、2μm以下である。さらに、本発明に係る接続構造体の製造方法、及び本発明に係る接続構造体において、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子の平均粒子径は2μm以上、20μm以下である。また、本発明に係る異方性導電材料に含まれる複数の上記導電性粒子の平均粒子径は2μm以上、20μm以下である。本発明に係る接続構造体の製造方法、及び本発明に係る接続構造体において、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は5%以上、25%以下である。また、本発明に係る異方性導電材料において、複数の上記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は20%以上、50%以下であり、かつ、複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は5%以上、25%以下である。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the connection structure according to the present invention, and the anisotropic conductive material according to the present invention, the plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm or less, respectively. The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the second electrode height is 0.5 μm or more and 2 μm or less. Furthermore, in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention and the connection structure according to the present invention, the average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm. It is as follows. The average particle diameter of the plurality of conductive particles contained in the anisotropic conductive material according to the present invention is 2 μm or more and 20 μm or less. In the connection structure according to the present invention and the connection structure according to the present invention, the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed. The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 5%. % Or more and 25% or less. In the anisotropic conductive material according to the present invention, the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles are 20% compressed and deformed is 20% or more and 50% or less, and the plurality of the conductive particles The average value of the compression recovery rate when the conductive particles are 50% compressed and deformed is 5% or more and 25% or less.

本発明に係る接続構造体の製造方法、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る異方性導電材料では、上述の構成が備えられているので、冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる接続構造体を提供できる。さらに、導電性粒子を介して第1,第2の電極を接続する際に、該電極表面を導電性粒子が押し込むことにより形成された凹部である圧痕を、電極に形成することもできる。   The manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the connection structure according to the present invention, and the anisotropic conductive material according to the present invention are provided with the above-described configuration, so that a thermal shock such as a cooling / heating cycle is applied. In addition, it is possible to provide a connection structure that can ensure sufficient conduction reliability even when exposed to high temperature and high humidity. Further, when the first and second electrodes are connected via the conductive particles, an indentation that is a recess formed by the conductive particles being pushed into the electrode surface can be formed on the electrode.

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図1に、本発明の一実施形態に係る接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。また、図1に示す接続構造体は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体でもあり、更に本発明に係る一実施形態に係る異方性導電材料を用いた接続構造体でもある。   In FIG. 1, the connection structure which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with a partial notch front sectional drawing. Moreover, the connection structure shown in FIG. 1 is also a connection structure obtained by the method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention, and further includes an anisotropic conductive material according to the embodiment of the present invention. It is also the connection structure used.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、第1,第2の接続対象部材2,4を電気的に接続している硬化物層3とを備える。硬化物層3は、第1,第2の接続対象部材2,4を接続している接続部である。硬化物層3は、硬化性成分と複数の導電性粒子5とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a cured product in which the first connection target member 2, the second connection target member 4, and the first and second connection target members 2 and 4 are electrically connected. Layer 3. The cured product layer 3 is a connection part that connects the first and second connection target members 2 and 4. The cured product layer 3 is formed by curing an anisotropic conductive material including a curable component and a plurality of conductive particles 5.

第1の接続対象部材2は上面2aに、複数の第1の電極2bを有する。第2の接続対象部材4は下面4aに、複数の第2の電極4bを有する。第1の電極2bと第2の電極4bとが、1つ又は複数の導電性粒子5により電気的に接続されている。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2b on the upper surface 2a. The second connection target member 4 has a plurality of second electrodes 4b on the lower surface 4a. The first electrode 2 b and the second electrode 4 b are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 5.

複数の第2の電極4b高さはそれぞれ5μm以上、20μm以下である。複数の第2の電極4b高さはそれぞれ好ましくは10μm以上、好ましくは15μm以下である。複数の第2の電極4b高さの最大値と最小値との差の絶対値は0.5μm以上、2μm以下である。従って、複数の第2の電極4bは高さばらつきを有する。このため、接続構造体1において、第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離に一般にばらつきが生じる。図1では、2つの第2の電極4bが示されており、右側の第2の電極4b高さが左側の第2の電極4b高さよりも高くなっている。一方で、図1では、2つの第1の電極2bが示されており、右側の第1の電極2b高さと左側の第1の電極2b高さとは同じである。   The height of the plurality of second electrodes 4b is 5 μm or more and 20 μm or less, respectively. The height of the plurality of second electrodes 4b is preferably 10 μm or more, and preferably 15 μm or less. The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the heights of the plurality of second electrodes 4b is 0.5 μm or more and 2 μm or less. Therefore, the plurality of second electrodes 4b have height variations. For this reason, in the connection structure 1, the distance between the first and second electrodes 2 b and 4 b generally varies. In FIG. 1, two second electrodes 4b are shown, and the height of the second electrode 4b on the right side is higher than the height of the second electrode 4b on the left side. On the other hand, in FIG. 1, two first electrodes 2b are shown, and the height of the first electrode 2b on the right side and the height of the first electrode 2b on the left side are the same.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5の平均粒子径は、2μm以上、20μm以下である。導電性粒子5の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であると、第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離にばらつきが生じても、導電性粒子5を第1,第2の電極2b,4bに効果的に接触させることができ、第1,第2の電極2b,4b間の導通信頼性を高めることができる。さらに、冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられたり、又は高温高湿下に晒されたりしても、十分な導通信頼性を確保できる。   The average particle diameter of the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm or less. When the average particle diameter of the conductive particles 5 is 2 μm or more and 20 μm or less, the conductive particles 5 are separated from the first and second conductive particles 5 even if the gap distance between the first and second electrodes 2 b and 4 b varies. The electrodes 2b and 4b can be effectively brought into contact with each other, and the conduction reliability between the first and second electrodes 2b and 4b can be improved. Furthermore, sufficient conduction reliability can be ensured even when a thermal shock such as a cooling / heating cycle is given, or even when exposed to high temperature and high humidity.

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5の平均粒子径は好ましくは3μm以上、より好ましくは10μm以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further enhancing the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the above anisotropic conductive property is used. The average particle diameter of the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the material is preferably 3 μm or more, more preferably 10 μm or less.

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。上記導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子複数個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。導電性粒子の平均粒子径を測定する際には、導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することが好ましい。   The “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size. The average particle diameter of the conductive particles is determined by observing a plurality of arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value. When measuring the average particle diameter of the conductive particles, it is preferable to observe 50 conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculate the average value.

接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、複数の第1の電極2b高さはそれぞれ、好ましくは0.05μm以上、より好ましくは0.1μm以上、好ましくは10μm以下、より好ましくは3μm以下である。接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、複数の第1の電極2b高さの最大値と最小値との差の絶対値が0μm以上、5μm以下であることが好ましい。複数の第1の電極2b高さの最大値と最小値との差の絶対値は、より好ましくは3μm以下である。複数の第1の電極2b高さの最大値と最小値とに差がなく、複数の第1の電極2bは同じ高さであってもよい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability of the connection structure, the height of each of the plurality of first electrodes 2b is preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.1 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less. From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further improving the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the plurality of first The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the electrode 2b height is preferably 0 μm or more and 5 μm or less. The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the heights of the plurality of first electrodes 2b is more preferably 3 μm or less. There is no difference between the maximum value and the minimum value of the heights of the plurality of first electrodes 2b, and the plurality of first electrodes 2b may have the same height.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5の平均粒子径は、硬化物層3により接続された第1,第2の接続対象部材2,4における対向し合う複数の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離の平均値の1.1倍以上、5倍以下であることが好ましい。上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5の平均粒子径は、硬化物層3により接続された第1,第2の接続対象部材2,4における対向し合う複数の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離の平均値の1.3倍以上であることがより好ましく、3倍以下であることがより好ましい。導電性粒子5の平均粒子径と上記隙間の距離の平均値とが好ましい上記関係を満足すると、接続構造体の電極間の導通信頼性がより一層高くなり、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性がより一層高くなる。   The average particle diameter of the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material is a plurality of opposing first and second connection target members 2 and 4 connected by the cured product layer 3. It is preferable that it is 1.1 times or more and 5 times or less of the average value of the gap distance between the first and second electrodes 2b and 4b. The average particle diameter of the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material is a plurality of opposing first and second connection target members 2 and 4 connected by the cured product layer 3. The average value of the distance between the first and second electrodes 2b and 4b is preferably 1.3 times or more, and more preferably 3 times or less. When the average particle diameter of the conductive particles 5 and the average value of the distances of the gaps satisfy the above relationship, the conduction reliability between the electrodes of the connection structure is further increased and a thermal shock is applied or the temperature is high. The conduction reliability when exposed to high humidity is further increased.

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、硬化物層3により接続された第1,第2の接続対象部材2,4における対向し合う複数の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離の平均値は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下、更に好ましくは4μm以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure, a plurality of first and second opposing members in the first and second connection target members 2 and 4 connected by the cured product layer 3 are used. The average value of the distance between the electrodes 2b and 4b is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 4 μm or less.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の上記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である。上記20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積を良好にすることができ、接続構造体の導通信頼性を高めることができる。上記50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物層に熱衝撃が与えられたり又は硬化物層が高温高湿下に晒されたりして、硬化物層の膨張により第1,第2の電極間の距離が拡がっても、圧縮されている導電性粒子が元の形状に戻る結果、接続構造体の導通信頼性を十分に確保できる。さらに、図1に示すように、左側の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離と右側の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離とは異なる。左側の第1,第2の電極2b,4b間に配置された導電性粒子5と、右側の第1,第2の電極2b,4b間に配置された導電性粒子5との圧縮度合いは異なる。複数の第1,第2の電極間のうち、隙間の距離が比較的小さい領域では導電性粒子の圧縮度合いが大きいが、圧縮度合いが大きい圧縮変形時(例えば50%圧縮変形時)の圧縮回復率が比較的小さいので、隙間の距離が小さい領域において圧縮されている導電性粒子が元の形状に戻ろうとする反発力が弱くなり、剥離が生じるのを抑制できる。一方で、複数の第1,第2の電極間のうち、隙間の距離が比較的大きい領域では導電性粒子の圧縮度合いが小さいが、圧縮度合いが小さい圧縮変形時(例えば20%圧縮変形時)の圧縮回復率が比較的大きいので、隙間の距離が大きい領域において導電性粒子が第1,第2の電極に接触しなくなるのを抑制できる。また、硬化物層に熱衝撃が与えられたり又は硬化物層が高温高湿下に晒されたりして、硬化物層の膨張により第1,第2の電極間の距離が拡がっても、圧縮されている導電性粒子が適度に元の形状に戻るため、導通不良が生じるのを抑制できる。さらに、上記20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値及び上記50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を介して第1,第2の電極を接続する際に、該電極表面を導電性粒子が押し込むことにより形成された凹部である圧痕を電極に容易に形成することもできる。   The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material is 20% compression deformed is 20% or more and 50% or less, and the anisotropic conductivity The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the material is 50% compression deformed is 5% or more and 25% or less. When the average value of the compression recovery rate when the 20% compression deformation is performed is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode can be improved, and the conduction reliability of the connection structure Can be increased. When the average value of the compression recovery rate when the 50% compression deformation is performed is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the cured product layer may be subjected to thermal shock or the cured product layer may be exposed to high temperature and high humidity. As a result, even if the distance between the first and second electrodes increases due to the expansion of the cured product layer, the conductive particles that are compressed return to the original shape, and as a result, the conduction reliability of the connection structure can be sufficiently secured. . Further, as shown in FIG. 1, the distance of the gap between the left and first electrodes 2b and 4b on the left side is different from the distance of the gap between the first and second electrodes 2b and 4b on the right side. The degree of compression of the conductive particles 5 arranged between the first and second electrodes 2b and 4b on the left side and the conductive particles 5 arranged between the first and second electrodes 2b and 4b on the right side are different. . Among the plurality of first and second electrodes, in a region where the gap distance is relatively small, the degree of compression of the conductive particles is large, but the compression recovery at the time of compression deformation (for example, 50% compression deformation) with a large degree of compression. Since the rate is relatively small, the repulsive force that the conductive particles compressed in the region where the gap distance is small tries to return to the original shape becomes weak, and the occurrence of peeling can be suppressed. On the other hand, among the plurality of first and second electrodes, in the region where the gap distance is relatively large, the degree of compression of the conductive particles is small, but the compression degree is small (for example, 20% compression deformation). Since the compression recovery rate is relatively large, it is possible to prevent the conductive particles from coming into contact with the first and second electrodes in a region where the gap distance is large. In addition, even if the cured product layer is subjected to thermal shock or the cured product layer is exposed to high temperature and high humidity, the cured product layer expands and the distance between the first and second electrodes increases. Since the conductive particles that have been appropriately returned to the original shape, it is possible to suppress the occurrence of poor conduction. Furthermore, when the average value of the compression recovery rate when the 20% compression deformation and the average value of the compression recovery rate when the 50% compression deformation is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, When connecting the 1st, 2nd electrode, the impression which is a recessed part formed when the electroconductive particle pushed in this electrode surface can also be easily formed in an electrode.

上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は、好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上である。上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は、25%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましい。また、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、25%以下である場合には特に、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値は、25%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましい。上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率は、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を50%圧縮変形したときの圧縮回復率と同等以上であることが好ましい。上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの圧縮回復率は、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を50%圧縮変形したときの圧縮回復率よりも大きいことがより好ましく、1%以上大きいことが更に好ましく、5%以上大きいことが特に好ましい。   The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the anisotropic conductive material is 20% compressed and deformed is preferably 25% or more, more preferably 30% or more. The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed is preferably 25% or more, and more preferably 30% or more. More preferred. Further, particularly when the average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the anisotropic conductive material is 50% compression deformed is 20% or more and 25% or less, The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed is preferably 25% or more, more preferably 30% or more. preferable. The compression recovery rate when compressing and deforming the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material by 20% is the same as that of the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material. It is preferably equal to or higher than the compression recovery rate when 50% compression deformation occurs. The compression recovery rate when compressing and deforming the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material by 20% is the same as that of the plurality of conductive particles 5 before connection included in the anisotropic conductive material. It is more preferably greater than the compression recovery rate when 50% compression deformed, more preferably 1% or more, and particularly preferably 5% or more.

上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate can be measured as follows.

試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子1個について、微小圧縮試験機を用いて、導電性粒子の中心方向に、導電性粒子が20%又は50%圧縮変形するまで負荷(反転荷重値)を与える。その後、原点用荷重値(0.40mN)まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は0.33mN/秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Spread conductive particles on the sample stage. With respect to one dispersed conductive particle, a load (reversal load value) is applied to the central direction of the conductive particle until the conductive particle is 20% or 50% compressively deformed using a micro compression tester. Thereafter, unloading is performed up to the origin load value (0.40 mN). The load-compression displacement during this period is measured, and the compression recovery rate can be obtained from the following equation. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

圧縮回復率(%)=[(L1−L2)/L1]×100
L1:負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
L2:負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの圧縮変位
Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] × 100
L1: Compressive displacement from the load value for the origin to the reverse load value when applying the load L2: Compressive displacement from the reverse load value to the load value for the origin when releasing the load

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を20%圧縮変形したときの導電性粒子5の圧縮弾性率(20%K値)の平均値は、好ましくは1GPa以上、より好ましくは2GPa以上、好ましくは7GPa以下、より好ましくは6GPa以下、更に好ましくは5GPa以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further enhancing the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the above anisotropic conductive property is used. The average value of the compression elastic modulus (20% K value) of the conductive particles 5 when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the material is 20% compression deformed is preferably 1 GPa or more, more preferably 2 GPa or more. , Preferably 7 GPa or less, more preferably 6 GPa or less, still more preferably 5 GPa or less.

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5を50%圧縮変形したときの導電性粒子5の圧縮弾性率(50%K値)の平均値は、好ましくは0.5GPa以上、より好ましくは0.8GPa以上、好ましくは5GPa以下、より好ましくは4GPa以下、更に好ましくは3GPa以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further enhancing the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the above anisotropic conductive property is used. The average value of the compression elastic modulus (50% K value) of the conductive particles 5 when the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the material is 50% compression deformed is preferably 0.5 GPa or more, more preferably 0.8 GPa or more, preferably 5 GPa or less, more preferably 4 GPa or less, and even more preferably 3 GPa or less.

上記導電性粒子の圧縮弾性率は、以下のようにして測定される。   The compression elastic modulus of the conductive particles is measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、直径50μmのダイアモンド製円柱の平滑圧子端面で、圧縮速度2.6mN/秒、及び最大試験荷重10gfの条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Using a micro-compression tester, the conductive particles are compressed under the conditions of a compression rate of 2.6 mN / sec and a maximum test load of 10 gf with the end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:導電性粒子が20%又は50%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が20%又は50%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when the conductive particles are 20% or 50% compressively deformed (N)
S: Compression displacement (mm) when conductive particles are 20% or 50% compressively deformed
R: radius of conductive particles (mm)

上記圧縮弾性率は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。   The compression elastic modulus universally and quantitatively represents the hardness of the conductive particles. By using the compression elastic modulus, the hardness of the conductive particles can be expressed quantitatively and uniquely.

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子5の粒子径のCV値は、好ましくは3%以上、より好ましくは4%以上、好ましくは10%以下、より好ましくは7%以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further enhancing the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the above anisotropic conductive property is used. The CV value of the particle diameter of the plurality of conductive particles 5 before connection contained in the material is preferably 3% or more, more preferably 4% or more, preferably 10% or less, more preferably 7% or less.

上記導電性粒子の粒子径の変動係数(CV値)は下記式で表される。   The coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the conductive particles is represented by the following formula.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:導電性粒子の粒子径の標準偏差
Dn:導電性粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of conductive particles Dn: Average value of particle diameter of conductive particles

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、硬化物層3により接続された第1,第2の接続対象部材2,4における対向し合う複数の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離のCV値は、好ましくは10%以上、より好ましくは14%以上、好ましくは30%以下、より好ましくは26%以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further enhancing the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the cured product layer 3 is used. The CV value of the gap distance between the plurality of first and second electrodes 2b and 4b facing each other in the connected first and second connection target members 2 and 4 is preferably 10% or more, more preferably It is 14% or more, preferably 30% or less, more preferably 26% or less.

上記対向し合う複数の第1,第2の電極2b,4b間の隙間の距離の変動係数(CV値)は下記式で表される。   The coefficient of variation (CV value) of the distance between the plurality of first and second electrodes 2b, 4b facing each other is expressed by the following equation.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:対向し合う複数の第1,第2の電極間の隙間の距離の標準偏差
Dn:対向し合う複数の第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of the distance between the plurality of first and second electrodes facing each other Dn: Average value of the distance between the plurality of first and second electrodes facing each other

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、第1の接続対象部材2のヤング率は好ましくは10GPa以上、より好ましくは50GPa以上、好ましくは200GPa以下、より好ましくは100GPa以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further raising the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the first connection object The Young's modulus of the member 2 is preferably 10 GPa or more, more preferably 50 GPa or more, preferably 200 GPa or less, more preferably 100 GPa or less.

接続構造体の電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める観点からは、第2の接続対象部材4のヤング率は好ましくは2GPa以上、より好ましくは10GPa以上、好ましくは200GPa以下、より好ましくは100GPa以下である。第2の接続対象部材4のヤング率は100GPa以上であってもよい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes of the connection structure and further raising the conduction reliability when subjected to thermal shock or exposed to high temperature and high humidity, the second connection object The Young's modulus of the member 4 is preferably 2 GPa or more, more preferably 10 GPa or more, preferably 200 GPa or less, more preferably 100 GPa or less. The Young's modulus of the second connection target member 4 may be 100 GPa or more.

上記第1,第2の接続対象部材のヤング率が高く、上記第1,第2の接続対象部材が硬いと、本発明における熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性をより一層高める効果が効果的に得られる。   When the Young's modulus of the first and second connection target members is high and the first and second connection target members are hard, the thermal shock in the present invention is given or the high temperature and high humidity are exposed. The effect of further improving the conduction reliability is obtained.

上記ヤング率は、オートグラフAGS−X装置(島津製作所社製)を用いて、23℃にて、3点曲げ法にて測定される。   The Young's modulus is measured by a three-point bending method at 23 ° C. using an autograph AGS-X apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation).

接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、対向し合う1つの第1,第2の電極2b,4b間に、導電性粒子5は平均で、5個以上配置されていることが好ましく、8個以上配置されていることが好ましい。対向し合う1つの第1,第2の電極2b,4b間に配置される導電性粒子5の平均数の上限は特に限定されない。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability of the connection structure, it is preferable that five or more conductive particles 5 are arranged on average between the first and second electrodes 2b and 4b facing each other. Preferably, 8 or more are arranged. The upper limit of the average number of the conductive particles 5 disposed between the opposing first and second electrodes 2b and 4b is not particularly limited.

上記第2の電極が銅電極であることが好ましい。また、上記第1の電極及び上記第2の電極の内の少なくとも一方が、銅電極であることも好ましい。上記異方性導電材料は、銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる異方性導電材料であることが好ましい。接続対象部材に銅電極を形成する場合には、該銅電極では一般に高さばらつきが生じる。特に、銅めっきにより銅電極を形成する際に、銅電極を表面が平滑となるように形成することは困難である。しかし、本発明に係る接続構造体の製造方法、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る異方性導電材料では、高さばらつきを有する銅電極であっても、接続構造体の電極間の導通信頼性を高くし、かつ熱衝撃が与えられたり又は高温高湿下に晒されたりした場合の導通信頼性を十分に確保できる。   The second electrode is preferably a copper electrode. It is also preferable that at least one of the first electrode and the second electrode is a copper electrode. The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive material used for connecting a connection target member having a copper electrode. In the case where a copper electrode is formed on the connection target member, the copper electrode generally has a height variation. In particular, when forming a copper electrode by copper plating, it is difficult to form the copper electrode with a smooth surface. However, in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the connection structure according to the present invention, and the anisotropic conductive material according to the present invention, even between copper electrodes having a height variation, In addition, it is possible to sufficiently ensure the conduction reliability when a thermal shock is applied or when it is exposed to high temperature and high humidity.

本発明に係る接続構造体の製造方法、本発明に係る接続構造体並びに本発明に係る異方性導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用できる。なかでも、COG又はFOG用途に好適であり、COG用途に好適である。上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材として、半導体チップとガラス基板とを用いるか、又はフレキシブルプリント基板とガラス基板とを用いることが好ましく、半導体チップとガラス基板とを用いることがより好ましい。上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とが、半導体チップとガラス基板とであるか、又はフレキシブルプリント基板とガラス基板とであることが好ましく、半導体チップとガラス基板とであることがより好ましい。   The manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the connection structure according to the present invention, and the anisotropic conductive material according to the present invention include, for example, connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), Connection between semiconductor chip and flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), connection between semiconductor chip and glass substrate (COG (Chip on Glass)), or connection between flexible printed circuit board and glass epoxy substrate (FOB (Film) on Board)). Especially, it is suitable for COG or FOG use, and suitable for COG use. As the first connection target member and the second connection target member, it is preferable to use a semiconductor chip and a glass substrate, or to use a flexible printed circuit board and a glass substrate, and to use a semiconductor chip and a glass substrate. Is more preferable. The first connection target member and the second connection target member are preferably a semiconductor chip and a glass substrate, or a flexible printed circuit board and a glass substrate, and are a semiconductor chip and a glass substrate. It is more preferable.

COG用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、COG用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が10〜20μm程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明では、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。   In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with conductive particles of an anisotropic conductive material. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, in the present invention, the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate can be connected with high accuracy, and the conduction reliability can be improved.

FOG用途では、特に、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間を、異方性導電ペーストの導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、FOG用途の場合には、フレキシブルプリント基板の隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が20〜50μm程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明では、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。   In FOG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the flexible printed circuit board and the glass substrate with the conductive particles of the anisotropic conductive paste. For example, in the case of FOG use, the distance between adjacent electrodes of a flexible printed board and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 20 to 50 μm, and fine wiring is often formed. . Even if fine wiring is formed, in the present invention, since conductive particles can be accurately placed between the electrodes, the electrodes between the flexible printed circuit board and the glass substrate can be connected with high precision, The conduction reliability can be increased.

図1に示す接続構造体1は、例えば、図2(a)〜(c)に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、熱硬化性成分と光硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いた場合の接続構造体1の製造方法を説明する。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained as follows, for example, through the states shown in FIGS. Here, the manufacturing method of the connection structure 1 at the time of using the anisotropic conductive material containing a thermosetting component, a photocurable component, and several electroconductive particle as said anisotropic conductive material is demonstrated.

図2(a)に示すように、第1の電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、第1の接続対象部材2の上面2aに、複数の導電性粒子5を含む異方性導電材料を配置し、第1の接続対象部材2の上面2aに異方性導電材料層3Aを形成する。このとき、第1の電極2b上に、1つ又は複数の導電性粒子5が配置されていることが好ましい。   As shown to Fig.2 (a), the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2b in the upper surface 2a is prepared. Next, an anisotropic conductive material including a plurality of conductive particles 5 is disposed on the upper surface 2a of the first connection target member 2, and the anisotropic conductive material layer 3A is disposed on the upper surface 2a of the first connection target member 2. Form. At this time, it is preferable that one or a plurality of conductive particles 5 be arranged on the first electrode 2b.

次に、異方性導電材料層3Aに光を照射することにより、異方性導電材料層3Aの硬化を進行させる。図2(a)〜(c)では、異方性導電材料層3Aに光を照射して、異方性導電材料層3Aの硬化を進行させて、異方性導電材料層3AをBステージ化している。すなわち、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の上面2aに、Bステージ化された異方性導電材料層3Bを形成している。Bステージ化により、第1の接続対象部材2とBステージ化された異方性導電材料層3Bとが仮接着される。Bステージ化された異方性導電材料層3Bは、半硬化状態にある半硬化物である。Bステージ化された異方性導電材料層3Bは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。但し、異方性導電材料層3AをBステージ化せずに、異方性導電材料層3Aに光を照射又は異方性導電材料層3Aを加熱して、異方性導電材料層3Aを一度に硬化させてもよい。   Next, the anisotropic conductive material layer 3A is cured by irradiating the anisotropic conductive material layer 3A with light. In FIGS. 2A to 2C, the anisotropic conductive material layer 3A is irradiated with light to advance the curing of the anisotropic conductive material layer 3A, and the anisotropic conductive material layer 3A is made into a B-stage. ing. That is, as shown in FIG. 2B, the B-stage anisotropic conductive material layer 3 </ b> B is formed on the upper surface 2 a of the first connection target member 2. By the B-stage, the first connection target member 2 and the B-staged anisotropic conductive material layer 3B are temporarily bonded. The B-staged anisotropic conductive material layer 3B is a semi-cured product in a semi-cured state. The B-staged anisotropic conductive material layer 3B is not completely cured, and thermal curing can further proceed. However, without making the anisotropic conductive material layer 3A B-stage, the anisotropic conductive material layer 3A is irradiated with light or heated to heat the anisotropic conductive material layer 3A once. It may be cured.

異方性導電材料層3Aの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは0.1〜100mW/cm程度である。また、異方性導電材料層3Aの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは100〜10000mJ/cm程度である。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長420nm以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びLEDランプ等が挙げられる。 The light irradiation intensity for appropriately proceeding the curing of the anisotropic conductive material layer 3A is, for example, preferably about 0.1 to 100 mW / cm 2 . Moreover, the irradiation energy of light for appropriately proceeding the curing of the anisotropic conductive material layer 3A is, for example, preferably about 100 to 10,000 mJ / cm 2 . The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include, for example, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, a metal halide lamp, and an LED lamp.

次に、図2(c)に示すように、Bステージ化された異方性導電材料層3Bの上面3aに、第2の接続対象部材4を積層する。第1の接続対象部材2の上面2aの第1の電極2bと、第2の接続対象部材4の下面4aの第2の電極4bとが対向するように、第2の接続対象部材4を積層する。   Next, as shown in FIG. 2C, the second connection target member 4 is laminated on the upper surface 3a of the B-staged anisotropic conductive material layer 3B. The second connection target member 4 is laminated so that the first electrode 2b on the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the second electrode 4b on the lower surface 4a of the second connection target member 4 face each other. To do.

さらに、第2の接続対象部材4の積層の際に、Bステージ化された異方性導電材料層3Bを加熱することにより、Bステージ化された異方性導電材料層3Bをさらに硬化させ、硬化物層3を形成する。ただし、第2の接続対象部材4の積層の前に、Bステージ化された異方性導電材料層3Bを加熱してもよい。さらに、第2の接続対象部材4の積層の後にBステージ化された異方性導電材料層3Bを加熱してもよい。   Further, when the second connection target member 4 is laminated, the anisotropic conductive material layer 3B that has been B-staged is further cured by heating the anisotropic conductive material layer 3B that has been B-staged, A cured product layer 3 is formed. However, the B-staged anisotropic conductive material layer 3B may be heated before the second connection target member 4 is laminated. Furthermore, you may heat the anisotropic conductive material layer 3B B-staged after the lamination | stacking of the 2nd connection object member 4. FIG.

加熱により異方性導電材料層3A又はBステージ化された異方性導電材料層3Bを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは140℃以上、より好ましくは160℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下である。   The heating temperature for curing the anisotropic conductive material layer 3A or the B-staged anisotropic conductive material layer 3B by heating is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, More preferably, it is 200 degrees C or less.

Bステージ化された異方性導電材料層3Bを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第1の電極2bと第2の電極4bとで導電性粒子5を圧縮することにより、第1,第2の電極2b,4bと導電性粒子5との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。さらに、導電性粒子5を圧縮することで、第1,第2の電極2b,4b間の距離が拡がっても、この拡がりに追従するように導電性粒子5の粒子径が大きくなる。   It is preferable to apply pressure when curing the B-staged anisotropic conductive material layer 3B. By compressing the conductive particles 5 with the first electrode 2b and the second electrode 4b by pressurization, the contact area between the first and second electrodes 2b, 4b and the conductive particles 5 can be increased. it can. For this reason, conduction reliability can be improved. Further, by compressing the conductive particles 5, even if the distance between the first and second electrodes 2b and 4b increases, the particle diameter of the conductive particles 5 increases so as to follow this expansion.

Bステージ化された異方性導電材料層3Bを硬化させることにより、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とが、硬化物層3を介して接続される。また、第1の電極2bと第2の電極4bとが、導電性粒子5を介して電気的に接続される。このようにして、図1に示す接続構造体1を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電材料を短時間で硬化させることができる。   By curing the B-staged anisotropic conductive material layer 3 </ b> B, the first connection target member 2 and the second connection target member 4 are connected via the cured product layer 3. Further, the first electrode 2 b and the second electrode 4 b are electrically connected through the conductive particles 5. In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained. Here, since photocuring and thermosetting are used in combination, the anisotropic conductive material can be cured in a short time.

本発明に係る異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料に光を照射する方法、異方性導電材料を加熱する方法、異方性導電材料に光を照射した後、異方性導電材料を加熱する方法、並びに異方性導電材料を加熱した後、異方性導電材料に光を照射する方法が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、異方性導電材料に光を照射した後、異方性導電材料を加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電材料を短時間で硬化させることができる。   As a method of curing the anisotropic conductive material according to the present invention, a method of irradiating the anisotropic conductive material with light, a method of heating the anisotropic conductive material, after irradiating the anisotropic conductive material with light, Examples include a method of heating the anisotropic conductive material, and a method of irradiating the anisotropic conductive material with light after the anisotropic conductive material is heated. In addition, when the photocuring speed and the thermosetting speed are different, light irradiation and heating may be performed simultaneously. Especially, the method of heating an anisotropic conductive material after irradiating light to an anisotropic conductive material is preferable. The anisotropic conductive material can be cured in a short time by the combined use of photocuring and heat curing.

上記異方性導電材料は、加熱により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物(熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物)を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物(熱硬化性化合物)であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物(光及び熱硬化性化合物)であってもよい。   The anisotropic conductive material is an anisotropic conductive material curable by heating, and a curable compound (thermosetting compound or light and thermosetting compound) curable by heating is used as the curable compound. May be included. The curable compound curable by heating may be a curable compound (thermosetting compound) that is not cured by light irradiation, and is curable by both light irradiation and heating (light and light). Thermosetting compound).

上記異方性導電材料は、光の照射により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物(光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物)を含んでいてもよい。該光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物(光硬化性化合物)であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物(光及び熱硬化性化合物)であってもよい。   The anisotropic conductive material is an anisotropic conductive material that can be cured by light irradiation. As the curable compound, a curable compound that can be cured by light irradiation (a photocurable compound or light and heat curing). A functional compound). The curable compound that can be cured by irradiation with light may be a curable compound that is not cured by heating (photocurable compound), or a curable compound that can be cured by both irradiation of light and heating (light and light). Thermosetting compound).

また、上記異方性導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物と、加熱により硬化可能な硬化性化合物とを含むことが好ましい。この場合には、光の照射により異方性導電材料を半硬化(Bステージ化)させ、異方性導電材料の流動性を低下させた後、加熱により異方性導電材料を容易に硬化させることができる。上記異方性導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。   The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive material that can be cured by both light irradiation and heating. The curable compound preferably contains a curable compound that can be cured by light irradiation and a curable compound that can be cured by heating. In this case, the anisotropic conductive material is semi-cured (B-stage) by light irradiation, and after the fluidity of the anisotropic conductive material is lowered, the anisotropic conductive material is easily cured by heating. be able to. The anisotropic conductive material preferably contains a thermosetting compound and a photocurable compound as the curable compound.

以下、先ず、本発明に係る異方性導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, first, details of each component suitably used for the anisotropic conductive material according to the present invention will be described.

(硬化性化合物)
上記異方性導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。該硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Curable compound)
The curable compound contained in the anisotropic conductive material is not particularly limited. A conventionally known curable compound can be used as the curable compound. As for the said sclerosing | hardenable compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The curable compound preferably contains a curable compound having an epoxy group or a thiirane group. The curable compound having an epoxy group is an epoxy compound. The curable compound having a thiirane group is an episulfide compound. As for the said curable compound which has an epoxy group or thiirane group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化性化合物は、チイラン基を有する硬化性化合物を含有することがより好ましい。上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。   More preferably, the curable compound contains a curable compound having a thiirane group. Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.

上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。   The curable compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.

上記異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体100重量%中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、100重量%以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と該エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体100重量%中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは99重量%以下、より好ましくは95重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。   From the viewpoint of enhancing the curability of the anisotropic conductive material, the content of the curable compound having the epoxy group or thiirane group is preferably 10% by weight or more in the total 100% by weight of the curable compound. Preferably they are 20 weight% or more and 100 weight% or less. The total amount of the curable compound may be a curable compound having the epoxy group or thiirane group. When the curable compound having the epoxy group or thiirane group and another curable compound different from the curable compound having the epoxy group or thiirane group are used in combination, in the total 100% by weight of the curable compound, The content of the curable compound having an epoxy group or thiirane group is preferably 99% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less.

上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The curable compound may further contain another curable compound different from the curable compound having an epoxy group or a thiirane group. Examples of the other curable compounds include curable compounds having an unsaturated double bond, phenol curable compounds, amino curable compounds, unsaturated polyester curable compounds, polyurethane curable compounds, silicone curable compounds, and polyimide curable compounds. Compounds and the like. As for said other curable compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Bステージ化した異方性導電材料全体(光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む)で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。   From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive material or further improving the conduction reliability in the connection structure, the curable compound contains a curable compound having an unsaturated double bond. It is preferable to do. From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive material and further improving the conduction reliability in the connection structure, the curable compound having an unsaturated double bond is a (meth) acryloyl group. It is preferable that it is a curable compound which has. By using the curable compound having the (meth) acryloyl group, the curing rate can be improved in the entire B-staged anisotropic conductive material (including the portion directly irradiated with light and the portion not directly irradiated with light). It becomes easy to control within a suitable range, and the conduction reliability in the resulting connection structure is further increased.

Bステージ化した異方性導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を1個又は2個有することが好ましい。   From the viewpoint of easily controlling the curing rate of the B-staged anisotropic conductive material layer and further improving the conduction reliability of the resulting connection structure, the curable compound having the (meth) acryloyl group is: It is preferable to have one or two (meth) acryloyl groups.

Bステージ化した異方性導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を1個又は2個有することが好ましい。   From the viewpoint of easily controlling the curing rate of the B-staged anisotropic conductive material layer and further improving the conduction reliability of the resulting connection structure, the curable compound having the (meth) acryloyl group is: It is preferable to have one or two (meth) acryloyl groups.

上記(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。   The curable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and (meth) A curable compound having an acryloyl group may be mentioned.

上記(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物として、(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、(メタ)アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ(メタ)アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン(メタ)アクリレート等が好適に用いられる。上記「(メタ)アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「(メタ)アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「(メタ)アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。   As the curable compound having the (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a (meth) acrylic acid and a compound having a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound ( A (meth) acrylate, a urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with an isocyanate, or the like is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.

上記(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、2官能のエステル化合物及び3官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。   The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.

上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、(メタ)アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物又は部分(メタ)アクリレート化エピスルフィド化合物である。   The curable compound having an epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane group of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a curable compound obtained by converting into a (meth) acryloyl group. This curable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.

上記硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と、(メタ)アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と(メタ)アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の20%以上が(メタ)アクリロイル基に変換(転化率)されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは30%以上、好ましくは80%以下、より好ましくは70%以下である。エポキシ基又はチイラン基の40%以上、60%以下が(メタ)アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。   The curable compound preferably contains a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy group or thiirane group is converted (converted) to a (meth) acryloyl group. The conversion is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. Most preferably, 40% or more and 60% or less of the epoxy group or thiirane group is converted to a (meth) acryloyl group.

上記部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ(メタ)アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.

上記硬化性化合物として、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を(メタ)アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と(メタ)アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。   As the curable compound, a modified phenoxy resin obtained by converting a part of epoxy groups of a phenoxy resin having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups or a part of thiirane groups into a (meth) acryloyl group may be used. Good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.

また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。   The curable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル(メタ)アクリレート、及びウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート及びテトラデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.

熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、1:99〜90:10で含むことが好ましく、5:95〜60:40で含むことがより好ましく、10:90〜40:60で含むことが更に好ましい。   When a thermosetting compound and a photocurable compound are used in combination, the blending ratio of the photocurable compound and the thermosetting compound is appropriately adjusted according to the type of the photocurable compound and the thermosetting compound. The The anisotropic conductive material preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 90:10, more preferably 5:95 to 60:40, More preferably, it is included at 10:90 to 40:60.

(熱硬化剤)
上記異方性導電材料は、上記熱硬化成分として熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent)
The anisotropic conductive material preferably contains a thermosetting agent as the thermosetting component. The thermosetting agent is not particularly limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, acid anhydrides, thermal cation curing agents, and thermal radical generators. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させる観点からは、上記異方性導電材料は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤、アミン硬化剤又は熱カチオン硬化剤を含むことが好ましい。   From the viewpoint of curing the anisotropic conductive material more rapidly at a low temperature, the anisotropic conductive material preferably contains an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, an amine curing agent, or a thermal cation curing agent.

また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   In addition, a latent curing agent is preferable because the storage stability of the anisotropic conductive material can be improved. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

上記熱カチオン硬化剤として、ヨードニウム塩やスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記熱カチオン硬化剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドSI−45L、SI−60L、SI−80L、SI−100L、SI−110L、SI−150Lや、ADEKA社製のアデカオプトマーSP−150、SP−170等が挙げられる。   As the thermal cation curing agent, iodonium salts and sulfonium salts are preferably used. For example, commercially available products of the above-mentioned thermal cation curing agent include San-Aid SI-45L, SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-110L, SI-150L manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd., and ADEKA manufactured by ADEKA Optomer SP-150, SP-170 etc. are mentioned.

好ましい熱カチオン硬化剤のアニオン部分としては、PF、BF、及びB(Cが挙げられる。 Preferred anionic moieties of the thermal cationic curing agent include PF 6 , BF 4 , and B (C 6 F 5 ) 4 .

電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。   From the viewpoint of further improving the connection reliability between the electrodes and the connection reliability of the connection structure under high temperature and high humidity, the anisotropic conductive material preferably contains a thermal radical generator. The thermal radical generator is not particularly limited. As the thermal radical generator, a conventionally known thermal radical generator can be used. As for the said thermal radical generator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. Here, the “thermal radical generator” means a compound that generates radical species by heating.

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。   The thermal radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and peroxides. Examples of the peroxide include diacyl peroxide compounds, peroxyester compounds, hydroperoxide compounds, peroxydicarbonate compounds, peroxyketal compounds, dialkyl peroxide compounds, and ketone peroxide compounds.

上記アゾ化合物としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、1,1’−アゾビス−1−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジメチル−1,1’−アゾビス(1−シクロヘキサンカルボキシレート)、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩、2−tert−ブチルアゾ−2−シアノプロパン、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミド)二水和物、及び2,2’−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)等が挙げられる。   Examples of the azo compound include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile), and 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile). 1,1′-azobis-1-cyclohexanecarbonitrile, dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate, dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate), dimethyl-1,1 ′ -Azobis (1-cyclohexanecarboxylate), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride, 2-tert-butylazo-2-cyanopropane 2,2′-azobis (2-methylpropionamide) dihydrate, 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane), and the like.

上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びDisuccinic acid peroxide等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、tert−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、tert−ヘキシルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5―ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、tert−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシピバレート、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシイソブチレート、tert−ブチルパーオキシラウレート、tert−ブチルパーオキシイソフタレート、tert−ブチルパーオキシアセテート、tert−ブチルパーオキシオクトエート及びtert−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、p−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ(2−エチルヘキシル)パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び1,1−ビス(tert−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。   Examples of the diacyl peroxide compound include benzoyl peroxide, diisobutyryl peroxide, di (3,5,5-trimethylhexanoyl) peroxide, dilauroyl peroxide, and disuccinic acid peroxide. Examples of the peroxyester compound include cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, tert-hexylperoxyneodecanoate, and tert-butylperoxyneo. Decanoate, tert-butylperoxyneoheptanoate, tert-hexylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2 , 5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, tert-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, tert-butylperoxypivalate, tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate, tert -Butyl peroxyisobutyrate, tert-butyl per Kishiraureto, tert- butylperoxy isophthalate, tert- butylperoxy acetate, tert- butylperoxy octoate and tert- butyl peroxybenzoate, and the like. Examples of the hydroperoxide compound include cumene hydroperoxide and p-menthane hydroperoxide. Examples of the peroxydicarbonate compound include di-sec-butyl peroxydicarbonate, di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropyl peroxycarbonate, and di- (2-ethylhexyl) peroxycarbonate and the like. Other examples of the peroxide include methyl ethyl ketone peroxide, potassium persulfate, and 1,1-bis (tert-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane.

上記熱ラジカル発生剤の10時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは30℃以上、より好ましくは40℃以上、好ましくは80℃以下、より好ましくは70℃以下である。上記熱ラジカル発生剤の10時間半減期を得るための分解温度が、30℃未満であると、異方性導電材料の貯蔵安定性が低下する傾向があり、80℃を超えると、異方性導電材料を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。   The decomposition temperature for obtaining the 10-hour half-life of the thermal radical generator is preferably 30 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or lower. When the decomposition temperature for obtaining the 10-hour half-life of the thermal radical generator is less than 30 ° C., the storage stability of the anisotropic conductive material tends to be lowered. It tends to be difficult to sufficiently heat cure the conductive material.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは5重量部以上、特に好ましくは10重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは30重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を充分に熱硬化させることができる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, and still more preferably 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound curable by heating. Above, particularly preferably 10 parts by weight or more, preferably 40 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, and still more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be sufficiently thermoset.

上記熱硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物100重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を充分に熱硬化させることができる。   When the thermosetting agent contains a thermal radical generator, the content of the thermal radical generator is preferably 0.01 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the curable compound curable by heating. Preferably it is 0.05 weight part or more, Preferably it is 10 weight part or less, More preferably, it is 5 weight part or less. When the content of the thermal radical generator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be sufficiently thermoset.

(光硬化開始剤)
上記異方性導電材料は、上記光硬化成分として光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Photocuring initiator)
The anisotropic conductive material preferably contains a photocuring initiator as the photocuring component. The photocuring initiator is not particularly limited. A conventionally known photocuring initiator can be used as the photocuring initiator. From the viewpoint of further improving the connection reliability between the electrodes and the connection reliability of the connection structure, the anisotropic conductive material preferably contains a photoradical generator. As for the said photocuring initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤(アセトフェノン光ラジカル発生剤)、ベンゾフェノン光硬化開始剤(ベンゾフェノン光ラジカル発生剤)、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤(ケタール光ラジカル発生剤)、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。上記光硬化開始剤として、光カチオン開始剤も挙げられる。   The photocuring initiator is not particularly limited, and is not limited to acetophenone photocuring initiator (acetophenone photoradical generator), benzophenone photocuring initiator (benzophenone photoradical generator), thioxanthone, ketal photocuring initiator (ketal photoradical). Generator), halogenated ketones, acyl phosphinoxides, acyl phosphonates, and the like. Examples of the photocuring initiator include a photocationic initiator.

上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、及び2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。   Specific examples of the acetophenone photocuring initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photocuring initiator include benzyldimethyl ketal.

上記異方性導電材料は、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。光カチオン開始剤の使用により、光照射後の異方性導電材料の硬化を速やかに進行させることができる。さらに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電材料層部分も、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。   The anisotropic conductive material preferably contains a photocationic initiator. By using a photocation initiator, curing of the anisotropic conductive material after light irradiation can be rapidly advanced. Furthermore, the anisotropic conductive material layer portion that is blocked by the conductive particles and not directly irradiated with light can be sufficiently cured by the cation reaction due to the action of the photocation initiator.

上記光カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系光カチオン硬化剤、オキソニウム系光カチオン硬化剤及びスルホニウム系光カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート及びトリフェニルスルホニウムブロミド等が挙げられる。なかでも、異方性導電材料の硬化性をより一層良好にし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、スルホニウム系光カチオン硬化剤が好ましい。   Examples of the photocationic curing agent include iodonium-based photocationic curing agents, oxonium-based photocationic curing agents, and sulfonium-based photocationic curing agents. Examples of the iodonium-based photocationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based photocationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based photocationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate and triphenylsulfonium bromide. Of these, a sulfonium-based photocationic curing agent is preferable from the viewpoint of further improving the curability of the anisotropic conductive material and further enhancing the conduction reliability between the electrodes.

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物100重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量(光硬化開始剤が光カチオン開始剤である場合には光カチオン開始剤の含有量)は、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.2重量部以上、好ましくは2重量部以下、より好ましくは1重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。異方性導電材料に光を照射し、Bステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。   The content of the photocuring initiator is not particularly limited. For 100 parts by weight of the curable compound curable by light irradiation, the content of the photocuring initiator (the content of the photocationic initiator when the photocuring initiator is a photocationic initiator) is , Preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocuring initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be appropriately photocured. By irradiating the anisotropic conductive material with light to form a B stage, the flow of the anisotropic conductive material can be suppressed.

(導電性粒子)
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第1,第2の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電層の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。
(Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive material electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The surface of the conductive layer may be covered with an insulating layer. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with insulating particles. In these cases, the insulating layer or insulating particles between the conductive layer and the electrode are excluded when the connection target member is connected. Examples of the conductive particles include conductive particles obtained by coating the surfaces of organic particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, or metal particles with a metal layer, and metal particles that are substantially composed of only metal. It is done. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a metal layer containing tin.

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles preferably include resin particles and a conductive layer disposed on the surface of the resin particles.

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、更に好ましくは1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは30重量%以下、更に好ましくは19重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。   The content of the conductive particles is not particularly limited. The content of the conductive particles in 100% by weight of the anisotropic conductive material is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, preferably 40% by weight. % Or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 19% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.

(他の成分)
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive material preferably contains a filler. By using the filler, the thermal expansion coefficient of the cured product of the anisotropic conductive material can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, alumina, glass, boron nitride, silicon nitride, silicone, carbon, graphite, graphene, and talc. As for a filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. When a filler having a high thermal conductivity is used, the main curing time is shortened.

上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、n−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。   The anisotropic conductive material may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive material can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.

(異方性導電材料の詳細及び用途)
上記異方性導電材料は、ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料であり、ペースト状の異方性導電材料であることが好ましい。ペースト状の異方性導電材料は、異方性導電ペーストである。フィルム状の異方性導電材料は、異方性導電フィルムである。異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合、該導電性粒子を含む異方性導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。
(Details and applications of anisotropic conductive materials)
The anisotropic conductive material is a paste-like or film-like anisotropic conductive material, and is preferably a paste-like anisotropic conductive material. The paste-like anisotropic conductive material is an anisotropic conductive paste. The film-like anisotropic conductive material is an anisotropic conductive film. When the anisotropic conductive material is an anisotropic conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on the anisotropic conductive film that includes the conductive particles.

上記異方性導電材料は、異方性導電ペーストであって、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗布される異方性導電ペーストであることが好ましい。   The anisotropic conductive material is an anisotropic conductive paste, and is preferably an anisotropic conductive paste applied on a connection target member in a paste state.

上記異方性導電ペーストの25℃での粘度は、好ましくは20Pa・s以上、より好ましくは100Pa・s以上、好ましくは700Pa・s以下、より好ましくは300Pa・s以下である。上記粘度が上記下限以上であると、異方性導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散性がより一層高くなる。塗布前の上記異方性導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第1の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布した後に、硬化前の異方性導電ペーストの流動をより一層抑制でき、さらにボイドがより一層生じ難くなる。   The viscosity of the anisotropic conductive paste at 25 ° C. is preferably 20 Pa · s or more, more preferably 100 Pa · s or more, preferably 700 Pa · s or less, more preferably 300 Pa · s or less. When the viscosity is equal to or higher than the lower limit, sedimentation of conductive particles in the anisotropic conductive paste can be suppressed. When the viscosity is equal to or lower than the upper limit, the dispersibility of the conductive particles is further increased. If the viscosity of the anisotropic conductive paste before coating is within the above range, after applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member, the flow of the anisotropic conductive paste before curing is further increased. Further suppression is possible, and voids are further less likely to occur.

異方性導電材料の硬化後の23℃での弾性率は、好ましくは0.8GPa以上、好まし
くは3GPa以下である。硬化後の上記弾性率は、アイティー計測制御社製「粘弾性測定
機DVA−200」を用いて、昇温速度5℃/分、変形率0.1%及び10Hzの条件で測定される。
The elastic modulus at 23 ° C. after curing of the anisotropic conductive material is preferably 0.8 GPa or more, and preferably 3 GPa or less. The above-mentioned elastic modulus after curing is measured under the conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min, a deformation rate of 0.1% and 10 Hz using “Viscoelasticity measuring device DVA-200” manufactured by IT Measurement & Control Co., Ltd.

また、導電性粒子の50%K値(GPa)の異方性導電材料の硬化後の上記弾性率(GPa)に対する比(50%K値/弾性率)は、好ましくは0.2以上、好ましくは1.8以下である。   The ratio of the 50% K value (GPa) of the conductive particles to the elastic modulus (GPa) after curing of the anisotropic conductive material (50% K value / elastic modulus) is preferably 0.2 or more, preferably Is 1.8 or less.

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

表1,2に示す導電性粒子A〜Sを用意した。なお、導電性粒子A〜Sはいずれも、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。なお、圧縮回復率及び圧縮弾性率(20%K値及び50%K値)は、ジビニルベンゼン樹脂粒子のモノマー組成を変えて調整した。   Conductive particles A to S shown in Tables 1 and 2 were prepared. Each of the conductive particles A to S has a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of the divinylbenzene resin particle and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. Particles. The compression recovery rate and compression modulus (20% K value and 50% K value) were adjusted by changing the monomer composition of divinylbenzene resin particles.

(実施例1)
(1)異方性導電ペーストの調製
レゾルシノールジグリシジルエーテル70重量%と、下記式(1B)で表される構造を有するエピスルフィド化合物30重量%とを含むエピスルフィド化合物含有混合物を用意した。
Example 1
(1) Preparation of anisotropic conductive paste An episulfide compound-containing mixture containing 70% by weight of resorcinol diglycidyl ether and 30% by weight of an episulfide compound having a structure represented by the following formula (1B) was prepared.

Figure 2013055045
Figure 2013055045

上記エピスルフィド化合物含有混合物15重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト(味の素ファインテクノ社製「PN−23J」)3重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート(ダイセル・サイテック社製「EBECRYL3702」)8重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物(チバ・ジャパン社製「DAROCUR TPO」)0.2重量部と、硬化促進剤である2−エチル−4−メチルイミダゾール1重量部と、フィラーである平均粒子径0.25μmのシリカ20重量部及び平均粒子径0.5μmのアルミナ20重量部とを配合し、さらに導電性粒子Aを得られる異方性導電ペースト100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。異方性導電ペーストの硬化後の弾性率は、2.8GPaであった。   15 parts by weight of the above episulfide compound-containing mixture, 3 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and epoxy acrylate (“EBECRYL 3702” manufactured by Daicel-Cytec Co., Ltd.) as a photocurable compound ”) 8 parts by weight, 0.2 part by weight of an acylphosphine oxide compound (“ DAROCUR TPO ”manufactured by Ciba Japan) as a photopolymerization initiator, and 2-ethyl-4-methylimidazole 1 as a curing accelerator 100 parts by weight of an anisotropic conductive paste in which 20 parts by weight of silica having an average particle diameter of 0.25 μm and 20 parts by weight of alumina having an average particle diameter of 0.5 μm are blended to further obtain conductive particles A % So that the content in 10% by weight becomes 10% by weight, and then using a planetary stirrer at 2000 rpm. By stirring minutes to obtain an anisotropic conductive paste. The elastic modulus after curing of the anisotropic conductive paste was 2.8 GPa.

(2)接続構造体の作製
接続構造体(COG)の作製:
ピッチ30μm、電極サイズ20μm×100μm、電極間距離10μmのAl−Si電極(厚み500nm)を上面に有するガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、ピッチ30μm、電極サイズ20μm×100μm、電極間距離10μmのAu電極(高さ12μm)をチップ外周部の下面に726個有するSiチップ(サイズ15,1mm×1.6mm×0.3mm)(第2の接続対象部材)を用意した。なお、第1,第2の接続対象部材における第1,第2の電極高さ、第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、及び第1,第2の接続対象部材のヤング率を下記の表1に示した。
(2) Production of connection structure Production of connection structure (COG):
A glass substrate (first connection target member) having an Al—Si electrode (thickness: 500 nm) having a pitch of 30 μm, an electrode size of 20 μm × 100 μm, and an interelectrode distance of 10 μm on the upper surface was prepared. Also, a Si chip (size 15, 1 mm × 1.6 mm × 0.3 mm) having 726 Au electrodes (height 12 μm) with a pitch of 30 μm, an electrode size of 20 μm × 100 μm, and an interelectrode distance of 10 μm on the lower surface of the outer periphery of the chip ( A second connection target member) was prepared. The first and second electrode heights in the first and second connection target members, the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the first electrode height, and the maximum value of the second electrode height Table 1 below shows the absolute value of the difference between the minimum value and the Young's modulus of the first and second connection target members.

上記ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを幅1.5mm、厚さ40μmとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、LED−UV照射機により、波長365nmにおいて200mWの条件にて10秒UV照射し、異方導電ペーストをBステージ化した。Bステージ化された異方性導電ペースト層上に上記Siチップを、電極同士が対向するように積層した。その後、大橋製作所社製「BD−02」を用い、異方性導電ペースト層の温度が170℃(本圧着温度)となるように加熱圧着ヘッドの温度を調整しながら、Siチップの上面に加圧圧着ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて170℃で10秒間異方性導電ペースト層を硬化させ、接続構造体(COG)を得た。   On the said glass substrate, the anisotropic conductive paste immediately after preparation was applied using a dispenser so that it might become width 1.5mm and thickness 40 micrometers, and the anisotropic conductive paste layer was formed. Next, UV irradiation was performed for 10 seconds under a condition of 200 mW at a wavelength of 365 nm by an LED-UV irradiator, and the anisotropic conductive paste was made into a B-stage. The Si chip was laminated on the B-staged anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. After that, using “BD-02” manufactured by Ohashi Manufacturing Co., Ltd., the temperature of the thermocompression bonding head was adjusted to 170 ° C. (main press bonding temperature), and applied to the upper surface of the Si chip. The pressure-bonding head was placed, and the anisotropic conductive paste layer was cured at 170 ° C. for 10 seconds under a pressure of 1 MPa to obtain a connection structure (COG).

得られた接続構造体(COG)の断面を露出させ、断面を観察した。第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値と、該隙間の距離のCV値とを求めた。   The cross section of the obtained connection structure (COG) was exposed and the cross section was observed. The average value of the gap distance between the first and second electrodes and the CV value of the gap distance were determined.

(実施例2〜10及び比較例1,2)
異方性導電ペーストに用いた導電性粒子の種類、並びに第1,第2の接続対象部材における第1,第2の電極高さ、第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、及び第1,第2の接続対象部材のヤング率を下記の表1に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電ペーストを調製し、該異方性導電ペーストを用いて接続構造体(COG)を得た。
(Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 and 2)
Kind of conductive particles used in anisotropic conductive paste, first and second electrode heights in first and second connection target members, difference between maximum value and minimum value of first electrode height Except that the absolute value of, the absolute value of the difference between the maximum and minimum values of the second electrode height, and the Young's modulus of the first and second connection target members are changed as shown in Table 1 below. An anisotropic conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1, and a connection structure (COG) was obtained using the anisotropic conductive paste.

(実施例11)
導電性粒子Aを導電性粒子Jに変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
(Example 11)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles A were changed to the conductive particles J.

接続構造体(FOG)の作製:
L/Sが17μm/17μm、長さ1mmのアルミニウム電極(第1の電極)パターンを上面に有するガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが17μm/17μm、長さ2mmの金メッキされたNi電極(第2の電極)パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。なお、第1,第2の接続対象部材における第1,第2の電極高さ、第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、及び第1,第2の接続対象部材のヤング率を下記の表2に示した。
Fabrication of connection structure (FOG):
A glass substrate (first connection target member) having an aluminum electrode (first electrode) pattern having an L / S of 17 μm / 17 μm and a length of 1 mm on the upper surface was prepared. In addition, a flexible printed circuit board (second connection target member) having a Ni-plated Ni electrode (second electrode) pattern having a L / S of 17 μm / 17 μm and a length of 2 mm on the lower surface was prepared. The first and second electrode heights in the first and second connection target members, the absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the first electrode height, and the maximum value of the second electrode height Table 2 below shows the absolute value of the difference between the value and the minimum value and the Young's modulus of the first and second connection target members.

これらの第1,第2の接続対象部材を用いたこと以外は実施例1の接続構造体(COG)と同様にして、接続構造体(FOG)を得た。   A connection structure (FOG) was obtained in the same manner as the connection structure (COG) of Example 1 except that these first and second connection target members were used.

得られた接続構造体(FOG)の断面を露出させ、断面を観察した。第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値と、該隙間の距離のCV値とを求めた。   The cross section of the obtained connection structure (FOG) was exposed and the cross section was observed. The average value of the gap distance between the first and second electrodes and the CV value of the gap distance were determined.

(実施例12〜18及び比較例3〜5)
異方性導電ペーストに用いた導電性粒子の種類、並びに第1,第2の接続対象部材における第1,第2の電極高さ、第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値、及び第1,第2の接続対象部材のヤング率を下記の表2に示すように変更したこと以外は実施例11と同様にして、異方性導電ペーストを調製し、該異方性導電ペーストを用いて接続構造体(FOG)を得た。
(Examples 12 to 18 and Comparative Examples 3 to 5)
Kind of conductive particles used in anisotropic conductive paste, first and second electrode heights in first and second connection target members, difference between maximum value and minimum value of first electrode height Except that the absolute value of, the absolute value of the difference between the maximum and minimum values of the second electrode height, and the Young's modulus of the first and second connection target members are changed as shown in Table 2 below. An anisotropic conductive paste was prepared in the same manner as in Example 11, and a connection structure (FOG) was obtained using the anisotropic conductive paste.

(評価)
(1)電極間における導電性粒子の捕捉率(導電性粒子の配置精度)
得られた接続構造体における対向する上下の電極間に存在する導電性粒子の数を光学顕微鏡にてカウントした。導電性粒子の捕捉率を下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Capture rate of conductive particles between electrodes (conducting accuracy of conductive particles)
The number of conductive particles present between the upper and lower electrodes facing each other in the obtained connection structure was counted with an optical microscope. The capture rate of conductive particles was determined according to the following criteria.

[導電性粒子の捕捉率の判定基準]
○:各電極間に存在する粒子が10個以上
△:各電極間に存在する粒子が8個又は9個
×:各電極間に存在する粒子が7個以下
[Criteria for trapping rate of conductive particles]
○: 10 or more particles between each electrode Δ: 8 or 9 particles between each electrode ×: 7 or less particles between each electrode

(2)導通性
得られた接続構造体を用いて、20箇所の抵抗値を4端子法にて評価した。導通信頼性を下記の基準で判定した。
(2) Conductivity Using the obtained connection structure, resistance values at 20 locations were evaluated by a four-terminal method. The conduction reliability was determined according to the following criteria.

[導通信頼性の判定基準]
○:全ての箇所で抵抗値が3Ω以下である
△:抵抗値が3Ω以上の箇所が1箇所以上ある
×:全く導通していない箇所が1箇所以上ある
[Judgment criteria for conduction reliability]
○: The resistance value is 3Ω or less in all locations. Δ: There is one or more locations where the resistance value is 3Ω or more. ×: There is one or more locations that are not conducting at all.

(3)熱衝撃を受けた場合の接続信頼性
得られた接続構造体100個を、−40℃で5分間保持し、次に125℃まで25分で昇温し、125℃で5分間保持した後、−40℃まで25分で降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。1000サイクル後に、接続構造体を取り出した。
(3) Connection reliability when subjected to thermal shock 100 obtained connection structures are held at −40 ° C. for 5 minutes, then heated to 125 ° C. in 25 minutes, and held at 125 ° C. for 5 minutes. After that, a cold cycle test was performed in which the process of lowering the temperature to −40 ° C. in 25 minutes was one cycle. After 1000 cycles, the connection structure was removed.

冷熱サイクル試験後の100個の接続構造体について、上下の電極間の導通不良が生じているか否かを評価した。100個の接続構造体のうち、導通不良が生じている個数が1個以下である場合を「○」、2個以上、3個以下である場合を「△」、4個以上である場合を「×」と判定した。   About 100 connection structures after the thermal cycle test, it was evaluated whether or not conduction failure between the upper and lower electrodes occurred. Of the 100 connection structures, the case where the number of defective conductions is 1 or less is “◯”, the case of 2 or more, 3 or less is “Δ”, the case of 4 or more It was determined as “x”.

(4)耐湿熱試験
得られた接続構造体15個を、85℃及び85%RHの条件で1000時間放置した後、同様に導通性を評価した。上記(2)の導通性の判定基準における結果が「○」である場合を「○」、導通性の判定基準における結果が「△」になる場合を「△」、導通性の判定基準における結果が「×」になる場合を「×」と判定した。
(4) Moisture and heat resistance test After 15 pieces of the obtained connection structures were left under conditions of 85 ° C. and 85% RH for 1000 hours, the conductivity was evaluated in the same manner. When the result in the continuity determination criterion in (2) is “◯”, “◯” when the result in the continuity determination criterion is “△”, and the result in the continuity determination criterion When “x” becomes “x”, it was determined as “x”.

(5)圧痕状態
得られた接続構造体における導電性粒子と電極との接続部分について、電極に形成された圧痕の状態を観察した。
(5) Indentation state About the connection part of the electroconductive particle and electrode in the obtained connection structure, the state of the indentation formed in the electrode was observed.

偏光顕微鏡を使用し、電極200μmあたりに明らかな球状の圧痕が確認できる場合を、良好な圧痕が形成されていると判断した。圧痕状態を下記の基準で判定した。 Using a polarizing microscope, it was judged that a good indentation was formed when a clear spherical indentation could be confirmed per electrode 200 μm 2 . The indentation state was determined according to the following criteria.

[圧痕状態の判定基準]
○○:圧痕が非常に濃い
○:圧痕が濃い
×:圧痕が薄い
[Indentation criteria]
○○: Indentation is very dark ○: Indentation is deep ×: Indentation is thin

結果を下記の表1,2に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2013055045
Figure 2013055045

Figure 2013055045
Figure 2013055045

1…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…上面
2b…第1の電極
3…硬化物層
3a…上面
3A…異方性導電材料層
3B…Bステージ化された異方性導電材料層
4…第2の接続対象部材
4a…下面
4b…第2の電極
5…導電性粒子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... Upper surface 2b ... 1st electrode 3 ... Hardened | cured material layer 3a ... Upper surface 3A ... Anisotropic conductive material layer 3B ... B-staged anisotropic conductive material Layer 4 ... second connection target member 4a ... lower surface 4b ... second electrode 5 ... conductive particles

Claims (15)

複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材の上面に、硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて異方性導電材料層を配置する工程と、
前記異方性導電材料層の上面に、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材を、複数の前記第1の電極と複数の前記第2の電極とを対向させて積層する工程と、
前記異方性導電材料層を硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により前記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続する工程とを備え、
複数の前記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、
複数の前記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、接続構造体の製造方法。
Disposing an anisotropic conductive material layer on the upper surface of a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface using an anisotropic conductive material containing a curable component and a plurality of conductive particles When,
A second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface is laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer with the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes facing each other. And a process of
Curing the anisotropic conductive material layer to form a cured product layer, and electrically connecting the first and second connection target members by the cured product layer,
The plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm or less, respectively.
An absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less;
The average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm or less,
The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed is 20% or more and 50% or less, and
The manufacturing method of the connection structure whose average value of the compression recovery rate when the said some electroconductive particle before the connection contained in the said anisotropic conductive material is 50% compressively deformed is 5% or more and 25% or less.
複数の前記第1の電極高さがそれぞれ0.05μm以上、10μm以下であり、
複数の前記第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0μm以上、5μm以下である、請求項1に記載の接続構造体の製造方法。
The plurality of first electrode heights are 0.05 μm or more and 10 μm or less,
2. The method for manufacturing a connection structure according to claim 1, wherein an absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of first electrode heights is 0 μm or more and 5 μm or less.
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子の平均粒子径が、前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値の1.1倍以上、5倍以下である、請求項1又は2に接続構造体の製造方法。   An average particle diameter of a plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is a plurality of the first and second connection members facing each other in the first and second connection target members connected by the cured product layer. The manufacturing method of the connection structure according to claim 1 or 2, wherein the average value of the distance between the second electrodes is 1.1 times or more and 5 times or less. 前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値が1μm以上、15μm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The average value of the gap distance between the plurality of first and second electrodes facing each other in the first and second connection target members connected by the cured product layer is 1 μm or more and 15 μm or less. The manufacturing method of the connection structure of any one of claim | item 1-3. 前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子の粒子径のCV値が3%以上、10%以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The connection structure according to any one of claims 1 to 4, wherein a CV value of a particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 3% or more and 10% or less. Body manufacturing method. 前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離のCV値が10%以上、30%以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The CV value of the distance between the plurality of facing first and second electrodes in the first and second connection target members connected by the cured product layer is 10% or more and 30% or less. The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-5. 複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、
複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続しており、かつ硬化性成分と複数の導電性粒子とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成された硬化物層とを備え、
複数の前記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、
複数の前記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、接続構造体。
A first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface;
A second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface;
A cured product layer formed by curing an anisotropic conductive material that electrically connects the first and second connection target members and includes a curable component and a plurality of conductive particles. Prepared,
The plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm or less, respectively.
An absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less;
The average particle diameter of the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 2 μm or more and 20 μm or less,
The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles before connection contained in the anisotropic conductive material is 20% compressively deformed is 20% or more and 50% or less, and
A connection structure in which an average value of a compression recovery rate when a plurality of the conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 50% compressed and deformed is 5% or more and 25% or less.
複数の前記第1の電極高さがそれぞれ0.05μm以上、10μm以下であり、
複数の前記第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0μm以上、5μm以下である、請求項7に記載の接続構造体。
The plurality of first electrode heights are 0.05 μm or more and 10 μm or less,
The connection structure according to claim 7, wherein an absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of first electrode heights is 0 μm or more and 5 μm or less.
前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の導電性粒子の平均粒子径が、前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値の1.1倍以上、5倍以下である、請求項7又は8に接続構造体。   An average particle diameter of a plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is a plurality of the first and second connection members facing each other in the first and second connection target members connected by the cured product layer. The connection structure according to claim 7 or 8, which is 1.1 times or more and 5 times or less of an average value of a gap distance between the second electrodes. 前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離の平均値が1μm以上、15μm以下である、請求項7〜9のいずれか1項に記載の接続構造体。   The average value of the gap distance between the plurality of first and second electrodes facing each other in the first and second connection target members connected by the cured product layer is 1 μm or more and 15 μm or less. Item 10. The connection structure according to any one of Items 7 to 9. 前記異方性導電材料に含まれる接続前の複数の前記導電性粒子の粒子径のCV値が3%以上、10%以下である、請求項7〜10のいずれか1項に記載の接続構造体。   The connection structure according to any one of claims 7 to 10, wherein a CV value of a particle diameter of the plurality of conductive particles before connection included in the anisotropic conductive material is 3% or more and 10% or less. body. 前記硬化物層により接続された前記第1,第2の接続対象部材における対向し合う複数の前記第1,第2の電極間の隙間の距離のCV値が10%以上、30%以下である、請求項7〜11のいずれか1項に記載の接続構造体。   The CV value of the distance between the plurality of facing first and second electrodes in the first and second connection target members connected by the cured product layer is 10% or more and 30% or less. The connection structure according to any one of claims 7 to 11. 複数の第1の電極を上面に有する第1の接続対象部材と、複数の第2の電極を下面に有する第2の接続対象部材とを、電気的に接続する硬化物層を形成するために用いられる異方性導電材料であって、
硬化性成分と複数の導電性粒子とを含み、
複数の前記第2の電極高さがそれぞれ5μm以上、20μm以下であり、
複数の前記第2の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0.5μm以上、2μm以下であり、
複数の前記導電性粒子の平均粒子径が2μm以上、20μm以下であり、
複数の前記導電性粒子を20%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が20%以上、50%以下であり、かつ、
複数の前記導電性粒子を50%圧縮変形したときの圧縮回復率の平均値が5%以上、25%以下である、異方性導電材料。
In order to form a cured product layer that electrically connects a first connection target member having a plurality of first electrodes on the upper surface and a second connection target member having a plurality of second electrodes on the lower surface. An anisotropic conductive material used,
Including a curable component and a plurality of conductive particles;
The plurality of second electrode heights are 5 μm or more and 20 μm or less, respectively.
An absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of second electrode heights is 0.5 μm or more and 2 μm or less;
The average particle diameter of the plurality of conductive particles is 2 μm or more and 20 μm or less,
The average value of the compression recovery rate when the plurality of conductive particles are 20% compressed and deformed is 20% or more and 50% or less, and
An anisotropic conductive material having an average compression recovery rate of 5% or more and 25% or less when the plurality of conductive particles are 50% compressed and deformed.
複数の前記第1の電極高さがそれぞれ0.05μm以上、10μm以下であり、
複数の前記第1の電極高さの最大値と最小値との差の絶対値が0μm以上、5μm以下である、請求項13に記載の異方性導電材料。
The plurality of first electrode heights are 0.05 μm or more and 10 μm or less,
The anisotropic conductive material according to claim 13, wherein an absolute value of a difference between a maximum value and a minimum value of the plurality of first electrode heights is 0 μm or more and 5 μm or less.
複数の前記導電性粒子の粒子径のCV値が3%以上、10%以下である、請求項13又は14に記載の異方性導電材料。   The anisotropic conductive material according to claim 13 or 14, wherein a CV value of a particle diameter of the plurality of conductive particles is 3% or more and 10% or less.
JP2012173068A 2011-08-05 2012-08-03 Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material Pending JP2013055045A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012173068A JP2013055045A (en) 2011-08-05 2012-08-03 Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011171758 2011-08-05
JP2011171758 2011-08-05
JP2012173068A JP2013055045A (en) 2011-08-05 2012-08-03 Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013055045A true JP2013055045A (en) 2013-03-21

Family

ID=48131828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012173068A Pending JP2013055045A (en) 2011-08-05 2012-08-03 Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013055045A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015105119A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 積水化学工業株式会社 Conductive particles for back contact solar cell modules, conductive material, and solar cell module
JP2016201366A (en) * 2014-05-12 2016-12-01 積水化学工業株式会社 Conductive particle, conductive material, and connection structure
WO2017191776A1 (en) * 2016-05-02 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film
JP2017201624A (en) * 2016-05-02 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing anisotropically conductive film and anisotropically conductive film

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878075A (en) * 1994-09-02 1996-03-22 Hitachi Chem Co Ltd Connection structure of fine electrode and inspection method for electronic part having fine electrode
JP2000195584A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Corp Electrical connection device and electrical connection method
JP2003141934A (en) * 2001-11-07 2003-05-16 Sekisui Chem Co Ltd Conductive fine particle and anisotropic conductive film
JP2008084545A (en) * 2006-09-25 2008-04-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Adhesive for electrode connection
WO2009119788A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 積水化学工業株式会社 Polymer particle, conductive particle, anisotropic conductive material, and connection structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878075A (en) * 1994-09-02 1996-03-22 Hitachi Chem Co Ltd Connection structure of fine electrode and inspection method for electronic part having fine electrode
JP2000195584A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Corp Electrical connection device and electrical connection method
JP2003141934A (en) * 2001-11-07 2003-05-16 Sekisui Chem Co Ltd Conductive fine particle and anisotropic conductive film
JP2008084545A (en) * 2006-09-25 2008-04-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Adhesive for electrode connection
WO2009119788A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 積水化学工業株式会社 Polymer particle, conductive particle, anisotropic conductive material, and connection structure

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015105119A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 積水化学工業株式会社 Conductive particles for back contact solar cell modules, conductive material, and solar cell module
JPWO2015105119A1 (en) * 2014-01-08 2017-03-23 積水化学工業株式会社 Conductive particles for back contact type solar cell module, conductive material, and solar cell module
JP2016201366A (en) * 2014-05-12 2016-12-01 積水化学工業株式会社 Conductive particle, conductive material, and connection structure
CN108886227A (en) * 2016-05-02 2018-11-23 迪睿合株式会社 The manufacturing method and anisotropic conductive film of anisotropic conductive film
JP2017201624A (en) * 2016-05-02 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing anisotropically conductive film and anisotropically conductive film
KR20180122002A (en) * 2016-05-02 2018-11-09 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Method for producing anisotropic conductive film and anisotropic conductive film
WO2017191776A1 (en) * 2016-05-02 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film
KR102246259B1 (en) * 2016-05-02 2021-04-29 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Manufacturing method of anisotropic conductive film and anisotropic conductive film
KR20210048602A (en) * 2016-05-02 2021-05-03 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film
US11004574B2 (en) 2016-05-02 2021-05-11 Dexerials Corporation Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film
TWI738772B (en) * 2016-05-02 2021-09-11 日商迪睿合股份有限公司 Anisotropic conductive film manufacturing method and anisotropic conductive film
TWI775562B (en) * 2016-05-02 2022-08-21 日商迪睿合股份有限公司 Method for manufacturing anisotropic conductive film, anisotropic conductive film, wound body of anisotropic conductive film, method for manufacturing connection structure, connection structure, method for manufacturing filler disposing film, and filler disposing film
KR102445646B1 (en) * 2016-05-02 2022-09-21 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film
US12014840B2 (en) 2016-05-02 2024-06-18 Dexerials Corporation Method for manufacturing anisotropic conductive film, and anisotropic conductive film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5162728B1 (en) Conductive material and connection structure
JP2013058412A (en) Insulation material, laminate, connection structure and manufacturing method of laminate and connection structure
JP5953131B2 (en) Anisotropic conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5899117B2 (en) Epoxy compound, mixture of epoxy compound, curable composition, and connection structure
JP2013143292A (en) Anisotropic conductive film material, connection structure, and method for manufacturing connection structure
JP2015004056A (en) Curable composition for electronic component and connection structure
JP2013055045A (en) Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material
JP5559723B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP5883679B2 (en) Method for manufacturing connection structure, anisotropic conductive material, and connection structure
JP6218354B2 (en) Insulating material, multilayer film manufacturing method, laminate manufacturing method, connection structure, and connection structure manufacturing method
JP5965666B2 (en) Method for manufacturing connection structure and anisotropic conductive material
JP5781857B2 (en) Anisotropic conductive material and connection structure
JP2013045755A (en) Insulation material, laminate and connection structure
JP2013057017A (en) Insulating material, laminate, connection structure, method for producing the laminate, and method for producing the connection structure
JP2014075215A (en) Insulation material, multilayer film, laminate, connection structure, production method of laminate, and production method of connection structure
JP2013057018A (en) Curable composition and connection structure
JP2012190795A (en) Anisotropic conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5721593B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP6002500B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP2013016473A (en) Anisotropic conductive material and connection structure
JP2012212864A (en) Manufacturing method of connection structure and connection structure
JP5814694B2 (en) Connection structure manufacturing method and connection structure
JP5705003B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP5508480B2 (en) Anisotropic conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP2013058413A (en) Insulation material, laminate, connection structure and manufacturing method of laminate and connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160510