JP2015004056A - Curable composition for electronic component and connection structure - Google Patents

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石澤 英亮
Hideaki Ishizawa
英亮 石澤
敬士 久保田
Takashi Kubota
敬士 久保田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a curable composition for electronic components which can be cured quickly, and also can improve the moist heat resistance of a cured product.SOLUTION: A curable composition for electronic components according to the present invention comprises an epoxy compound not having a radical-polymerizable group, a curable compound having an epoxy group and a radical-polymerizable group, a latent epoxy curing agent, a photo- or thermal-radical polymerization agent, and a compound having two or more thiol groups.

Description

本発明は、エポキシ化合物と硬化剤とを含む電子部品用硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体に関する。   The present invention relates to a curable composition for an electronic component comprising an epoxy compound and a curing agent. Moreover, this invention relates to the connection structure using the said curable composition for electronic components.

エポキシ樹脂組成物は、硬化物の接着力が高く、硬化物の耐水性及び耐熱性にも優れている性質を有する。このため、エポキシ樹脂組成物は、電子、建築及び車両等の各種用途に広く用いられている。また、様々な接続対象部材を電気的に接続するために、上記エポキシ樹脂組成物に、導電性粒子が配合されることがある。導電性粒子を含むエポキシ樹脂組成物は、異方性導電材料と呼ばれている。   The epoxy resin composition has properties that the cured product has high adhesive strength and is excellent in water resistance and heat resistance of the cured product. For this reason, epoxy resin compositions are widely used in various applications such as electronics, architecture, and vehicles. Moreover, in order to electrically connect various connection object members, conductive particles may be blended in the epoxy resin composition. The epoxy resin composition containing conductive particles is called an anisotropic conductive material.

上記異方性導電材料は、ICチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、及びICチップとITO電極を有する回路基板との接続等に使用されている。例えば、ICチップの電極と回路基板の電極との間に異方性導電材料を配置した後、加熱及び加圧することにより、これらの電極を導電性粒子により電気的に接続できる。   The anisotropic conductive material is used for connection between an IC chip and a flexible printed circuit board, connection between an IC chip and a circuit board having an ITO electrode, and the like. For example, after disposing an anisotropic conductive material between the electrode of the IC chip and the electrode of the circuit board, these electrodes can be electrically connected by conductive particles by heating and pressing.

上記エポキシ樹脂組成物の一例として、下記の特許文献1には、(1)エポキシ樹脂と、(2)アクリル酸エステルモノマー、アクリル酸エステルオリゴマー、メタクリル酸エステルモノマー又はメタクリル酸エステルオリゴマーと、(3)潜在性エポキシ硬化剤と、(4)光ラジカル重合開始剤と、(5)チオール基を2個以上有する化合物とを含む組成物が開示されている。この組成物100重量%中、(5)チオール基を2個以上有する化合物の含有量は0.001〜5重量部である。特許文献1では、上記組成物を液晶シール剤組成物として用いることが提案されている。   As an example of the epoxy resin composition, the following Patent Document 1 includes (1) an epoxy resin, (2) an acrylic ester monomer, an acrylic ester oligomer, a methacrylic ester monomer or a methacrylic ester oligomer, and (3 A composition comprising a latent epoxy curing agent, (4) a radical photopolymerization initiator, and (5) a compound having two or more thiol groups is disclosed. In 100% by weight of the composition, (5) the content of the compound having two or more thiol groups is 0.001 to 5 parts by weight. Patent Document 1 proposes to use the above composition as a liquid crystal sealant composition.

また、下記の特許文献2には、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、2級チオール基を有する化合物とを含む組成物が開示されている。上記2級チオール基を有する化合物の分子量は400以上、2000未満である。特許文献2では、上記組成物が導電性粒子を含んでいてもよいことが記載されており、上記組成物を回路接続材料として用いることが記載されている。また、特許文献2の実施例では、ビスフェノールA・F共重合型フェノキシ樹脂と、ポリウレタン樹脂と、スチレン−無水マレイン酸共重合体と、ウレタンアクリレートオリゴマーと、ジシクロペンタジエン型ジアクリレートと、2−メタクリロイロキシエチルアシッドホスフェートと、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオンと、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイル)ヘキサンと、Ni粉末とを含む回路接続材料などが記載されている。   Patent Document 2 below discloses a composition comprising a curing agent that generates free radicals, a radical polymerizable substance, and a compound having a secondary thiol group. The molecular weight of the compound having a secondary thiol group is 400 or more and less than 2000. Patent Document 2 describes that the composition may contain conductive particles, and describes that the composition is used as a circuit connection material. In the examples of Patent Document 2, bisphenol A / F copolymer phenoxy resin, polyurethane resin, styrene-maleic anhydride copolymer, urethane acrylate oligomer, dicyclopentadiene diacrylate, 2- Methacryloyloxyethyl acid phosphate, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione; Circuit connection materials containing 5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoyl) hexane and Ni powder are described.

WO2005/052021A1WO2005 / 052021A1 特開2012−146988号公報JP 2012-146888 A

近年、電子部品の電極間などを効率的に接続するために、組成物の硬化に要する加熱時間を短くすることが求められている。加熱時間を短くすることにより、得られる電子部品の熱劣化を抑制できる。   In recent years, in order to efficiently connect electrodes of electronic components, it has been required to shorten the heating time required for curing the composition. By shortening the heating time, thermal deterioration of the obtained electronic component can be suppressed.

(メタ)アクリロイル基などのラジカル重合性基を有する化合物を含む組成物は、比較的早く熱硬化させることができる。しかし、得られる硬化物の耐湿熱性が低いことがある。   A composition containing a compound having a radical polymerizable group such as a (meth) acryloyl group can be thermally cured relatively quickly. However, the resulting cured product may have low heat and humidity resistance.

本発明の目的は、速やかに硬化させることができ、更に硬化物の耐湿熱性を高めることができる電子部品用硬化性組成物を提供すること、並びに該電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a curable composition for electronic parts that can be cured quickly and can further improve the moisture and heat resistance of the cured product, and a connection using the curable composition for electronic parts. It is to provide a structure.

本発明の広い局面によれば、ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物と、潜在性エポキシ硬化剤と、光又は熱ラジカル重合開始剤と、チオール基を2個以上有する化合物とを含む、電子部品用硬化性組成物が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, an epoxy compound having no radical polymerizable group, a curable compound having an epoxy group and a radical polymerizable group, a latent epoxy curing agent, a light or thermal radical polymerization initiator, There is provided a curable composition for electronic parts, comprising a compound having two or more thiol groups.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、該電子部品用硬化性組成物は、導電性粒子を含む。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, this curable composition for electronic components contains electroconductive particle.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記導電性粒子が、導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子である。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, the said electroconductive particle is an electroconductive particle which has a solder on the electroconductive outer surface.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記導電性粒子が、はんだ粒子である。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, the said electroconductive particle is a solder particle.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、電極幅が80μm以下である電極の電気的な接続に用いられる。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, it is used for the electrical connection of the electrode whose electrode width is 80 micrometers or less.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性化合物の重量平均分子量が500以上、150000以下である。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, the weight average molecular weight of the said curable compound is 500-150,000.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性化合物の前記ラジカル重合性基が(メタ)アクリロイル基である。   On the specific situation with the curable composition for electronic components which concerns on this invention, the said radically polymerizable group of the said curable compound is a (meth) acryloyl group.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性化合物が、ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールとの反応物に、ラジカル重合性基を有する化合物を反応させることにより得られる。   In a specific aspect of the curable composition for electronic parts according to the present invention, the curable compound reacts a reaction product of bisphenol F and 1,6-hexanediol with a compound having a radical polymerizable group. Is obtained.

本発明の広い局面によれば、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した電子部品用硬化性組成物を硬化させることにより形成されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member. A connection structure is provided in which the connection portion is formed by curing the curable composition for electronic components described above.

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、前記第1の接続対象部材が第1の電極を表面に有し、前記第2の接続対象部材が第2の電極を表面に有し、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている。   On the specific situation with the connection structure which concerns on this invention, the said curable composition for electronic components contains electroconductive particle, a said 1st connection object member has a 1st electrode on the surface, said 2nd The connection target member has a second electrode on the surface, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第1の電極幅及び前記第2の電極幅が80μm以下である。   On the specific situation with the connection structure which concerns on this invention, a said 1st electrode width and a said 2nd electrode width are 80 micrometers or less.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物と、潜在性エポキシ硬化剤と、光又は熱ラジカル重合開始剤と、チオール基を2個以上有する化合物とを含むので、速やかに硬化させることができる。さらに、硬化物の耐湿熱性を高めることができる。   The curable composition for electronic components according to the present invention includes an epoxy compound having no radical polymerizable group, a curable compound having an epoxy group and a radical polymerizable group, a latent epoxy curing agent, and a light or thermal radical. Since it contains a polymerization initiator and a compound having two or more thiol groups, it can be quickly cured. Furthermore, the moisture and heat resistance of the cured product can be increased.

図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using a curable composition for electronic parts according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る電子部品用硬化性組成物を用いて接続構造体を得る各工程を説明するための断面図である。2A to 2C are cross-sectional views for explaining each step of obtaining a connection structure using the curable composition for electronic components according to one embodiment of the present invention. 図3は、合成例1で得られた式(2)で表される化合物のNMRチャートを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an NMR chart of the compound represented by the formula (2) obtained in Synthesis Example 1. 図4は、導電性粒子の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of conductive particles. 図5は、導電性粒子の第1の変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a first modification of the conductive particles. 図6は、導電性粒子の第2の変形例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second modification of the conductive particles.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(電子部品用硬化性組成物)
本発明に係る電子部品用硬化性組成物(以下、硬化性組成物と略記することがある)は、ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物と、潜在性エポキシ硬化剤と、光又は熱ラジカル重合開始剤と、チオール基を2個以上有する化合物とを含む。上記硬化性組成物は電子部品に用いられる。上記硬化性組成物は、電子部品の接続に好適に用いられる。上記硬化性組成物は、電子部品用接続材料であることが好ましい。
(Curable composition for electronic parts)
The curable composition for electronic parts according to the present invention (hereinafter sometimes abbreviated as curable composition) includes an epoxy compound having no radical polymerizable group, and a curable composition having an epoxy group and a radical polymerizable group. A compound, a latent epoxy curing agent, a light or thermal radical polymerization initiator, and a compound having two or more thiol groups. The said curable composition is used for an electronic component. The said curable composition is used suitably for the connection of an electronic component. It is preferable that the said curable composition is a connection material for electronic components.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、上述した組成を有するので、速やかに硬化させることができる。さらに、硬化物の耐湿熱性を高めることができる。また、硬化物の耐熱衝撃性も高めることができる。さらに、UV又は熱によるBステージ化の際、UV照射条件、温度条件がばらついても一定のBステージ状態とすることができ、さらには、本圧着時の硬化初期の粘度上昇速度も上がることで、ボイドを発生し難くすることができる。   Since the curable composition for electronic components according to the present invention has the above-described composition, it can be cured quickly. Furthermore, the moisture and heat resistance of the cured product can be increased. Moreover, the thermal shock resistance of the cured product can be improved. In addition, when a UV or heat B-stage is used, even if the UV irradiation conditions and temperature conditions vary, a constant B-stage state can be obtained. , Voids can be made difficult to occur.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、導電性粒子を含むことが好ましい。導電性粒子により電極が電気的に接続された接続構造体においては、導通性及び耐湿熱性が高いことがかなり重要視される。本発明に係る電子部品用硬化性組成物が、ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物と、潜在性エポキシ硬化剤と、光又は熱ラジカル重合開始剤と、チオール基を2個以上有する化合物と、導電性粒子とを含むことにより、導電性粒子により電極が電気的に接続された接続構造体において、導通性及び耐湿熱性を充分に高めることができる。   The curable composition for electronic components according to the present invention preferably contains conductive particles. In a connection structure in which electrodes are electrically connected by conductive particles, it is very important to have high conductivity and high heat and humidity resistance. The curable composition for electronic parts according to the present invention includes an epoxy compound having no radical polymerizable group, a curable compound having an epoxy group and a radical polymerizable group, a latent epoxy curing agent, and a light or thermal radical. By including a polymerization initiator, a compound having two or more thiol groups, and conductive particles, the conductivity and wet heat resistance are sufficiently enhanced in a connection structure in which electrodes are electrically connected by conductive particles. be able to.

本発明に係る電子部品用硬化性組成物では、上記導電性粒子は、導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子であることが好ましく、はんだ粒子であることがより好ましい。本発明に係る電子部品用硬化性組成物では、上記の組成を有するので、速やかに硬化させることができるが、硬化速度が速くなると、接続構造体の作製時に電極がない領域(スペース(S))に導電性粒子が一旦配置されると、得られる接続構造体において電極がない領域に導電性粒子が配置されたままになりやすくなる傾向がある。導電性粒子が導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子であると、接続構造体の作製時に電極がない領域(スペース(S))に導電性粒子が一旦配置されても、導電性粒子が電極がある領域(ライン(L))に移動しやすくなり、結果として接続されるべき上下の電極に配置される導電性粒子の数を増やすことができ、かつ接続されてはならない横方向に隣接する電極間に配置される導電性粒子の数を少なくすることができる。この結果、導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子を用いることで、速やかに硬化させることができるとともに、導通性及び耐湿熱性をも効果的に高めることができる。なかでも、導電性粒子がはんだ粒子であると、速やかに硬化させることができるとともに、導通信頼性及び耐湿熱性を更に一層効果的に高めることができる。特に、電極幅が小さい電極を電気的に接続する場合に、導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子やはんだ粒子を用いることで、導通信頼性及び耐湿熱性をかなり効果的に高めることができる。   In the curable composition for electronic parts according to the present invention, the conductive particles are preferably conductive particles having solder on the conductive outer surface, and more preferably solder particles. The curable composition for electronic parts according to the present invention has the above-described composition, and thus can be cured quickly. However, when the curing rate is increased, a region having no electrode (space (S)) when the connection structure is produced. Once the conductive particles are disposed on the conductive structure, the conductive particles tend to remain disposed in a region where there is no electrode in the obtained connection structure. If the conductive particles are conductive particles having a solder on the outer surface of the conductive particles, even if the conductive particles are once arranged in a region (space (S)) where there is no electrode when the connection structure is manufactured, the conductive particles Can easily move to a certain area (line (L)), and as a result, the number of conductive particles arranged on the upper and lower electrodes to be connected can be increased, and in the lateral direction that should not be connected The number of conductive particles arranged between adjacent electrodes can be reduced. As a result, by using conductive particles having solder on the conductive outer surface, the particles can be cured quickly, and the conductivity and heat and humidity resistance can be effectively increased. In particular, when the conductive particles are solder particles, the conductive particles can be quickly cured, and the conduction reliability and heat-and-moisture resistance can be further effectively improved. In particular, when electrically connecting electrodes having a small electrode width, the use of conductive particles or solder particles having solder on the conductive outer surface can significantly increase conduction reliability and moisture and heat resistance. it can.

以下、本発明に係る電子部品用硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component contained in the curable composition for electronic components which concerns on this invention is demonstrated.

[エポキシ化合物]
上記エポキシ化合物は、エポキシ基を有する。上記エポキシ化合物は、ラジカル重合性基を有さない。上記エポキシ化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Epoxy compound]
The epoxy compound has an epoxy group. The said epoxy compound does not have a radically polymerizable group. As for the said epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、レゾルシン型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ポリエーテル型エポキシ化合物、脂肪族型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物及びビスフェノールS型エポキシ化合物等が挙げられる。   The above epoxy compounds include bisphenol type epoxy compounds, phenol novolac type epoxy compounds, biphenyl novolac type epoxy compounds, biphenol type epoxy compounds, resorcin type epoxy compounds, naphthalene type epoxy compounds, fluorene type epoxy compounds, phenol aralkyl type epoxy compounds, naphthol. Aralkyl epoxy compounds, dicyclopentadiene epoxy compounds, anthracene epoxy compounds, epoxy compounds having an adamantane skeleton, epoxy compounds having a tricyclodecane skeleton, polyether epoxy compounds, aliphatic epoxy compounds, and triazine skeletons The epoxy compound etc. which are contained in are mentioned. Examples of the bisphenol type epoxy compound include a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, and a bisphenol S type epoxy compound.

[硬化性化合物]
上記硬化性化合物は、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する。上記硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curable compound]
The curable compound has an epoxy group and a radical polymerizable group. As for the said sclerosing | hardenable compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ラジカル重合性基は、ラジカルによって付加重合することが可能な基を意味する。上記ラジカル重合性基としては、不飽和二重結合を含む基等が挙げられる。上記ラジカル重合性基の具体例としては、アリル基、イソプロペニル基、マレオイル基、スチリル基、ビニルベンジル基、(メタ)アクリロイル基及びビニル基などが挙げられる。なお、(メタ)アクリロイル基とは、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。   The radical polymerizable group means a group capable of addition polymerization by a radical. Examples of the radical polymerizable group include a group containing an unsaturated double bond. Specific examples of the radical polymerizable group include allyl group, isopropenyl group, maleoyl group, styryl group, vinylbenzyl group, (meth) acryloyl group and vinyl group. The (meth) acryloyl group means an acryloyl group and a methacryloyl group.

組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記ラジカル重合性基は、ビニル基を有することが好ましく、(メタ)アクリロイル基であることがより好ましい。上記ラジカル重合性基が(メタ)アクリロイル基である場合に、上記ラジカル重合性基はビニル基を有する。   From the viewpoint of further improving the fast curability of the composition and the heat and moisture resistance of the cured product, the radical polymerizable group preferably has a vinyl group, and more preferably a (meth) acryloyl group. When the radical polymerizable group is a (meth) acryloyl group, the radical polymerizable group has a vinyl group.

組成物の速硬化性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物は、両末端にエポキシ基を有することが好ましい。硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物は、側鎖にビニル基を有することが好ましく、(メタ)アクリロイル基を有することが好ましい。   From the viewpoint of further improving the quick curability of the composition, the curable compound preferably has an epoxy group at both ends. From the viewpoint of further improving the heat and moisture resistance of the cured product, the curable compound preferably has a vinyl group in the side chain, and preferably has a (meth) acryloyl group.

組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の重量平均分子量は、好ましくは500以上、より好ましくは1000以上、好ましくは150000以下、より好ましくは50000以下、更に好ましくは15000以下である。   From the viewpoint of further improving the rapid curability of the composition and the heat and moisture resistance of the cured product, the weight average molecular weight of the epoxy compound is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, preferably 150,000 or less, more preferably 50000 or less. More preferably, it is 15000 or less.

また、上記エポキシ化合物のピーク分子量は、好ましくは5000以上、より好ましくは10000以上、好ましくは50000以下、より好ましくは30000以下である。   The peak molecular weight of the epoxy compound is preferably 5000 or more, more preferably 10,000 or more, preferably 50000 or less, more preferably 30000 or less.

重合平均分子量及びピーク分子量の双方が、上述した好ましい範囲内にあることが好ましい。これにより、接着力及びUVによる半硬化性と、ボイドの抑制とを両立することができる。   It is preferable that both the polymerization average molecular weight and the peak molecular weight are in the preferable ranges described above. Thereby, both the adhesive force and semi-curability by UV and the suppression of voids can be achieved.

上記エポキシ化合物の重量平均分子量及びピーク分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。   The weight average molecular weight and peak molecular weight of the epoxy compound indicate the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

上記エポキシ化合物は、ジオール化合物と2つのエポキシ基を有する化合物とを用いた反応物であることがより好ましい。上記エポキシ化合物は、ジオール化合物と2つのエポキシ基を有する化合物との反応物の水酸基に、水酸基と反応可能な官能基を有し、かつラジカル重合性基を有する化合物を反応させるか、又は、ジオール化合物と2つのエポキシ基を有する化合物との反応物の両末端エポキシ基に、エポキシ基と反応可能な官能基を有し、かつラジカル重合性基を有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。なお、これらの好ましいエポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物以外のエポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物を用いた場合でも、エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物を、ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物、潜在性エポキシ硬化剤、光又は熱ラジカル重合開始剤、及びチオール基を2個以上有する化合物と併用することで、これらと併用していない場合と比べて、本発明の効果により一層優れる。   The epoxy compound is more preferably a reaction product using a diol compound and a compound having two epoxy groups. The epoxy compound is obtained by reacting a hydroxyl group of a reaction product of a diol compound and a compound having two epoxy groups with a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and having a radical polymerizable group, or a diol. It is preferably obtained by reacting a compound having a functional group capable of reacting with an epoxy group and a compound having a radical polymerizable group at both terminal epoxy groups of a reaction product of the compound and a compound having two epoxy groups. . In addition, even when using a curable compound having an epoxy group and a radical polymerizable group other than these curable compounds having an epoxy group and a radical polymerizable group, a curable compound having an epoxy group and a radical polymerizable group is used. , Epoxy compounds that do not have radically polymerizable groups, latent epoxy curing agents, light or thermal radical polymerization initiators, and compounds that have two or more thiol groups, compared to when they are not used together Thus, the effect of the present invention is more excellent.

上記エポキシ化合物は、側鎖にビニル基を1個以上有することが好ましく、側鎖にビニル基を合計で2個以上有することがより好ましい。ビニル基の数が多いほど、加熱時間をより一層短縮でき、更に硬化物の接着性及び耐湿熱性をより一層高めることができる。ビニル基の導入率は、側鎖水酸基数(反応前の側鎖水酸基の数100%)に対し、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上、好ましくは60%以下、より好ましくは40%以下である。   The epoxy compound preferably has one or more vinyl groups in the side chain, and more preferably has two or more vinyl groups in the side chain in total. As the number of vinyl groups increases, the heating time can be further shortened, and the adhesiveness and heat-and-moisture resistance of the cured product can be further improved. The introduction rate of the vinyl group is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 60% or less, more preferably 40%, based on the number of side chain hydroxyl groups (number of side chain hydroxyl groups before reaction: 100%). It is as follows.

また、UV又は熱によるBステージ化の際、チオール化合物の添加量により、Bステージ化の度合いを制御しやすくなり、UV照射条件及び温度条件のばらつきによるBステージ化の度合いへの影響を低減することが可能である。   In addition, when a B-stage is formed by UV or heat, it becomes easy to control the degree of B-stage by the amount of thiol compound added, and the influence on the degree of B-stage due to variations in UV irradiation conditions and temperature conditions is reduced. It is possible.

上記エポキシ化合物は、フェノール性水酸基を2個以上有する化合物と、エポキシ基を2個以上有する化合物との反応物であることが好ましい。   The epoxy compound is preferably a reaction product of a compound having two or more phenolic hydroxyl groups and a compound having two or more epoxy groups.

上記フェノール性水酸基を2個以上有する化合物としては、ビスフェノール化合物、レゾルシノール及びナフタレノール等が挙げられる。上記ビスフェノール化合物としては、ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールSA及びビスフェノールE等が挙げられる。   Examples of the compound having two or more phenolic hydroxyl groups include bisphenol compounds, resorcinol and naphthalenol. Examples of the bisphenol compound include bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, bisphenol SA, and bisphenol E.

上記エポキシ基を2個以上有する硬化性化合物としては、脂肪族エポキシ化合物及び芳香族エポキシ化合物等が挙げられる。上記脂肪族エポキシ化合物としては、炭素数3〜12のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数2〜4のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格2〜10個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物が挙げられる。   Examples of the curable compound having two or more epoxy groups include aliphatic epoxy compounds and aromatic epoxy compounds. Examples of the aliphatic epoxy compound include a compound having a glycidyl ether group at both ends of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms, and a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms. Examples thereof include polyether type epoxy compounds having structural units bonded continuously.

上記エポキシ化合物は、ビスフェノールF又はレゾルシノールと、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル又はレゾルシノールジグリシジルエーテルとの反応物(以下、反応物Xと記載することがある)に、ラジカル重合性基を有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。この反応において、ラジカル重合性基が残存するように反応が行われる。   The epoxy compound has a radical polymerizable group in a reaction product of bisphenol F or resorcinol and 1,6-hexanediol diglycidyl ether or resorcinol diglycidyl ether (hereinafter sometimes referred to as a reaction product X). It is preferably obtained by reacting a compound. In this reaction, the reaction is performed so that the radical polymerizable group remains.

上記ラジカル重合性基を有する化合物は、(メタ)アクリロイル基とカルボキシル基とを有する化合物、(メタ)アクリロイル基とイソシアネート基とを有する化合物、又は(メタ)アクリル基とエポキシ基を有する化合物であることが好ましい。上記ラジカル重合性基を有する化合物の好ましい具体例としては、(メタ)アクリル酸、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び4−ヒドロキシブチルグリシジルエーテル等が挙げられる。このような化合物を用いて合成された硬化性化合物では、より一層速やかに硬化させることができ、更に硬化物の接着性及び耐湿熱性をより一層高くすることができる。上記ラジカル重合性基を有する化合物は、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートであることが更に好ましい。   The compound having a radical polymerizable group is a compound having a (meth) acryloyl group and a carboxyl group, a compound having a (meth) acryloyl group and an isocyanate group, or a compound having a (meth) acryl group and an epoxy group. It is preferable. Preferable specific examples of the compound having a radical polymerizable group include (meth) acrylic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate and 4-hydroxybutyl glycidyl ether. In the curable compound synthesized using such a compound, it can be cured more rapidly, and the adhesiveness and heat-and-moisture resistance of the cured product can be further enhanced. The compound having a radical polymerizable group is more preferably (meth) acrylic acid or (meth) acryloyloxyethyl isocyanate.

上記反応物Xとしては、ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第1の反応物、レゾルシノールと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第2の反応物、レゾルシノールとレゾルシノールジグリシジルエーテルとの第3の反応物、ビスフェノールFとレゾルシノールジグリシジルエーテルとの第4の反応物が挙げられる。   Examples of the reactant X include a first reactant of bisphenol F and 1,6-hexanediol diglycidyl ether, a second reactant of resorcinol and 1,6-hexanediol diglycidyl ether, resorcinol and resorcinol di A third reaction product with glycidyl ether and a fourth reaction product with bisphenol F and resorcinol diglycidyl ether can be mentioned.

上記第1の反応物は、ビスフェノールFに由来する骨格と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する骨格とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第2の反応物は、レゾルシノールに由来する構造単位と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する構造単位とを主鎖に有し、かつ1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第3の反応物は、レゾルシノールに由来する骨格とレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来する骨格とを主鎖に有し、かつレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第4の反応物は、ビスフェノールFに由来する骨格とレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来する骨格とを主鎖に有し、かつレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。   The first reaction product has a structural unit in which the skeleton derived from bisphenol F and the skeleton derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether are bonded to the main chain, and 1,6-hexanediol diglycidyl. It has an epoxy group derived from ether at both ends. The second reaction product has a structural unit derived from resorcinol and a structural unit derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether in the main chain, and is derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether. It has an epoxy group at both ends. The third reaction product has a skeleton derived from resorcinol and a skeleton derived from resorcinol diglycidyl ether in the main chain, and has an epoxy group derived from resorcinol diglycidyl ether at both ends. The fourth reaction product has a skeleton derived from bisphenol F and a skeleton derived from resorcinol diglycidyl ether in the main chain, and an epoxy group derived from resorcinol diglycidyl ether at both ends.

合成が容易であり、硬化性化合物をより一層速やかに硬化させることを可能にし、更に硬化物の接着性及び耐湿性をより一層高める観点からは、上記第1,第2,第3,第4の反応物のうち、上記第1の反応物、上記第2の反応物又は上記第3の反応物が好ましい。上記反応物Xは、上記第1の反応物であることが好ましく、上記第2の反応物であることも好ましく、更に上記第3の反応物であることも好ましい。   From the viewpoint of easy synthesis, allowing the curable compound to be cured more rapidly, and further enhancing the adhesion and moisture resistance of the cured product, the first, second, third, and fourth described above. Among the reactants, the first reactant, the second reactant, or the third reactant is preferable. The reactant X is preferably the first reactant, preferably the second reactant, and further preferably the third reactant.

上記ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と上記エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物との合計100重量部に対して、上記硬化性化合物の含有量は好ましくは10重量部以上、より好ましくは30重量部以上、好ましくは90重量部以下、より好ましくは70重量部以下である。上記硬化性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、Bステージ化状態、速硬化性及び硬化物の耐湿熱性がバランスよく良好になる。   The content of the curable compound is preferably 10 parts by weight or more with respect to a total of 100 parts by weight of the epoxy compound having no radical polymerizable group and the curable compound having the epoxy group and the radical polymerizable group. More preferably, it is 30 parts by weight or more, preferably 90 parts by weight or less, more preferably 70 parts by weight or less. When the content of the curable compound is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the B-staged state, fast curability, and moist heat resistance of the cured product are improved in good balance.

[潜在性エポキシ硬化剤]
上記潜在性エポキシ硬化剤は、エポキシ基を有する化合物の硬化を進行させる。上記潜在性エポキシ硬化剤は特に限定されない。上記潜在性エポキシ硬化剤として、公知の潜在性エポキシ硬化剤を使用可能である。上記潜在性エポキシ硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Latent epoxy curing agent]
The latent epoxy curing agent advances curing of a compound having an epoxy group. The latent epoxy curing agent is not particularly limited. As the latent epoxy curing agent, a known latent epoxy curing agent can be used. As for the said latent epoxy hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記潜在性エポキシ硬化剤の好ましい例としては、有機酸ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物及びアミン化合物等が挙げられる。これら以外の潜在性エポキシ化合物を用いてもよい。上記アミン化合物としては、ジシアンジアミド及び芳香族アミン化合物等が挙げられる。上記潜在性エポキシ硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Preferable examples of the latent epoxy curing agent include organic acid dihydrazide compounds, imidazole compounds and amine compounds. Latent epoxy compounds other than these may be used. Examples of the amine compound include dicyandiamide and aromatic amine compounds. As for the said latent epoxy hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記潜在性エポキシ硬化剤は、アミン化合物であることが好ましい。アミン化合物が有する活性水素の上記硬化性化合物のラジカル重合性基への熱による求核付加特性は良好である。   The latent epoxy curing agent is preferably an amine compound. The nucleophilic addition property by heat of the active hydrogen of the amine compound to the radical polymerizable group of the curable compound is good.

上記潜在性エポキシ硬化剤の融点は、100℃以上であることが好ましい。上記潜在性エポキシ硬化剤の環球法による軟化点温度は、100℃以上であることが好ましい。これらの温度が100℃以上であると、硬化性組成物の保存安定性が良好になり、硬化性組成物を塗布時などに長時間使用可能になる。   The melting point of the latent epoxy curing agent is preferably 100 ° C. or higher. The softening point temperature of the latent epoxy curing agent by the ring and ball method is preferably 100 ° C. or higher. When these temperatures are 100 ° C. or higher, the storage stability of the curable composition is improved, and the curable composition can be used for a long time, for example, during coating.

上記潜在性エポキシ硬化剤の具体例としては、シアンジアミド(融点209℃)等のジシアンジアミド類や、アジピン酸ジヒドラジド(融点181℃)、1,3−ビス(ヒドラジノカルボノエチル)−5−イソプロピルヒダントイン(融点120℃)等の有機酸ジヒドラジドや、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチルトリアジン(融点215〜225℃)、2−フェニルイミダゾール(融点137〜147℃)等のイミダゾール誘導体等が挙げられる。   Specific examples of the latent epoxy curing agent include dicyandiamides such as cyandiamide (melting point 209 ° C), adipic acid dihydrazide (melting point 181 ° C), 1,3-bis (hydrazinocarbonoethyl) -5-isopropyl. Organic acid dihydrazide such as hydantoin (melting point 120 ° C.), 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyltriazine (melting point 215 to 225 ° C.), 2-phenylimidazole (melting point) 137-147 ° C) and the like.

上記エポキシ化合物と上記硬化性化合物との合計100重量部に対して、上記潜在性エポキシ硬化剤の含有量は好ましくは5重量部以上、より好ましくは20重量部以上、好ましくは60重量部以下、より好ましくは50重量部以下である。上記潜在性エポキシ硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性がバランスよく高くなる。   The content of the latent epoxy curing agent is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 20 parts by weight or more, preferably 60 parts by weight or less, with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy compound and the curable compound. More preferably, it is 50 parts by weight or less. When the content of the latent epoxy curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the fast curability of the composition and the moist heat resistance of the cured product are improved in a well-balanced manner.

[光又は熱ラジカル重合開始剤]
上記光又は熱ラジカル重合開始剤は、光の照射又は加熱によりラジカル種を生成する。上記光又は熱ラジカル重合開始剤は、ラジカル重合性基を有する上記硬化性化合物の硬化を進行させる。上記光又は熱ラジカル重合開始剤は特に限定されない。上記光又は熱ラジカル重合開始剤として、従来公知の光又は熱ラジカル重合開始剤を使用可能である。上記光又は熱ラジカル重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であってもよく、熱ラジカル重合開始剤であってもよい。上記光ラジカル開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Light or thermal radical polymerization initiator]
The light or thermal radical polymerization initiator generates radical species by light irradiation or heating. The light or thermal radical polymerization initiator advances the curing of the curable compound having a radical polymerizable group. The light or thermal radical polymerization initiator is not particularly limited. As the light or thermal radical polymerization initiator, a conventionally known light or thermal radical polymerization initiator can be used. The light or thermal radical polymerization initiator may be a photo radical polymerization initiator or a thermal radical polymerization initiator. As for the said photoradical initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記光ラジカル重合開始剤としては特に限定されず、アセトフェノン光ラジカル重合開始剤、ベンゾフェノン光ラジカル重合開始剤、チオキサントン、ケタール光ラジカル重合開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。   The photo radical polymerization initiator is not particularly limited, and includes acetophenone photo radical polymerization initiator, benzophenone photo radical polymerization initiator, thioxanthone, ketal photo radical polymerization initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate. Is mentioned.

上記アセトフェノン光ラジカル重合開始剤の具体例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、及び2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光ラジカル重合開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。   Specific examples of the acetophenone photoradical polymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, Examples include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal radical photopolymerization initiator include benzyl dimethyl ketal.

上記熱ラジカル重合開始剤としては特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。   The thermal radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and organic peroxides. Examples of the organic peroxide include diacyl peroxide compounds, peroxy ester compounds, hydroperoxide compounds, peroxydicarbonate compounds, peroxyketal compounds, dialkyl peroxide compounds, and ketone peroxide compounds.

上記アゾ化合物としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、1,1’−アゾビス−1−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジメチル−1,1’−アゾビス(1−シクロヘキサンカルボキシレート)、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩、2−tert−ブチルアゾ−2−シアノプロパン、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミド)二水和物、及び2,2’−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)等が挙げられる。   Examples of the azo compound include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile), 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 1 , 1′-azobis-1-cyclohexanecarbonitrile, dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate, dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate), dimethyl-1,1′-azobis (1-cyclohexanecarboxylate), 4,4′-azobis (4-cyanovaleric acid), 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride, 2-tert-butylazo-2-cyanopropane, 2 2,2′-azobis (2-methylpropionamide) dihydrate, 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane), and the like.

上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びDisuccinic acid peroxide等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、tert−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、tert−ヘキシルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5―ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、tert−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシピバレート、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシイソブチレート、tert−ブチルパーオキシラウレート、tert−ブチルパーオキシイソフタレート、tert−ブチルパーオキシアセテート、tert−ブチルパーオキシオクトエート及びtert−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、p−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ(2−エチルヘキシル)パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び1,1−ビス(tert−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。   Examples of the diacyl peroxide compound include benzoyl peroxide, diisobutyryl peroxide, di (3,5,5-trimethylhexanoyl) peroxide, dilauroyl peroxide, and disuccinic acid peroxide. Examples of the peroxyester compound include cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, tert-hexylperoxyneodecanoate, and tert-butylperoxyneo. Decanoate, tert-butylperoxyneoheptanoate, tert-hexylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2 , 5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, tert-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, tert-butylperoxypivalate, tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate, tert -Butyl peroxyisobutyrate, tert-butyl per Kishiraureto, tert- butylperoxy isophthalate, tert- butylperoxy acetate, tert- butylperoxy octoate and tert- butyl peroxybenzoate, and the like. Examples of the hydroperoxide compound include cumene hydroperoxide and p-menthane hydroperoxide. Examples of the peroxydicarbonate compound include di-sec-butyl peroxydicarbonate, di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropyl peroxycarbonate, and di- (2-ethylhexyl) peroxycarbonate and the like. Other examples of the peroxide include methyl ethyl ketone peroxide, potassium persulfate, and 1,1-bis (tert-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane.

上記熱ラジカル重合開始剤の10時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは30℃以上、より好ましくは40℃以上、好ましくは90℃以下、より好ましくは80℃以下である。上記熱ラジカル重合開始剤の10時間半減期を得るための分解温度が、30℃未満であると、上記硬化性組成物の保存安定性が低下する傾向があり、80℃を超えると、上記硬化性組成物を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。   The decomposition temperature for obtaining the 10-hour half-life of the thermal radical polymerization initiator is preferably 30 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, preferably 90 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or lower. When the decomposition temperature for obtaining the 10-hour half-life of the thermal radical polymerization initiator is less than 30 ° C., the storage stability of the curable composition tends to be lowered. It tends to be difficult to sufficiently heat-cure the composition.

上記光又は熱ラジカル重合開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物100重量部に対して、上記光又は熱ラジカル重合開始剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。上記光又は熱ラジカル硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性がバランスよく高くなる。   The content of the light or thermal radical polymerization initiator is not particularly limited. The content of the light or thermal radical polymerization initiator with respect to 100 parts by weight of the curable compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less. More preferably, it is 5 parts by weight or less. When the content of the light or thermal radical curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the fast curability of the composition and the moist heat resistance of the cured product are improved in a well-balanced manner.

[チオール基を2個以上有する化合物]
上記チオール基を2個以上有する化合物は、チオール基を2個以上有していれば特に限定されない。上記チオール基を2個以上有する化合物として、従来公知の化合物を使用可能である。上記チオール基を2個以上有する化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Compound having two or more thiol groups]
The compound having two or more thiol groups is not particularly limited as long as it has two or more thiol groups. Conventionally known compounds can be used as the compound having two or more thiol groups. As for the compound which has 2 or more of the said thiol groups, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記チオール基を2個以上有する化合物としては、メルカプトエステル化合物、脂肪族ポリチオール、芳香族ポリチオール、チオール変性反応性シリコンオイル等が挙げられる。上記メルカプトエステル化合物としては、メルカプトカルボン酸と多価アルコールとの反応物等が挙げられる。これら以外の化合物を用いてもよい。   Examples of the compound having two or more thiol groups include mercapto ester compounds, aliphatic polythiols, aromatic polythiols, and thiol-modified reactive silicone oils. Examples of the mercaptoester compound include a reaction product of a mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol. You may use compounds other than these.

上記エポキシ化合物と上記硬化性化合物との合計100重量部に対して、上記チオール基を有する化合物の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、好ましくは5重量部以下、より好ましくは3重量部以下である。上記チオール基を有する化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性がバランスよく高くなる。   The content of the compound having a thiol group with respect to a total of 100 parts by weight of the epoxy compound and the curable compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, preferably 5 parts by weight or less, more preferably 3 parts by weight or less. When the content of the compound having a thiol group is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the fast curability of the composition and the moist heat resistance of the cured product are improved in a well-balanced manner.

[他の成分]
上記硬化性組成物は、必要に応じて、接着力調整剤、フラックス、無機充填剤、溶剤、貯蔵安定剤、イオン捕捉剤又はシランカップリング剤等をさらに含んでいてもよい。
[Other ingredients]
The said curable composition may further contain the adhesive force regulator, the flux, the inorganic filler, the solvent, the storage stabilizer, the ion scavenger, the silane coupling agent, etc. as needed.

(導電性粒子を含む電子部品用硬化性組成物)
上記硬化性組成物が導電性粒子を含む場合には、上記硬化性組成物を導電材料として用いることができる。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。上記導電材料は、液晶シール剤組成物でなくてもよい。
(Curable composition for electronic parts containing conductive particles)
When the curable composition contains conductive particles, the curable composition can be used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material. The conductive material may not be a liquid crystal sealant composition.

上記導電性粒子は、接続対象部材の電極間を電気的に接続する。具体的には、上記導電性粒子は、例えば回路基板と半導体チップとの電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。上記導電性粒子は、導電部を導電性の表面に有していればよい。   The conductive particles electrically connect the electrodes of the connection target member. Specifically, the conductive particles electrically connect, for example, electrodes between a circuit board and a semiconductor chip. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The said electroconductive particle should just have an electroconductive part on the electroconductive surface.

上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層(金属層)で被覆した導電性粒子や、実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。導電層の内側の基材粒子は、金属を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。   Examples of the conductive particles include organic particles, inorganic particles excluding metals, organic / inorganic hybrid particles, or conductive particles whose surfaces are covered with a conductive layer (metal layer), or substantially only metals. Metal particles to be used. The substrate particles inside the conductive layer are preferably substrate particles excluding metal, and more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles.

上記導電部は特に限定されない。上記導電部を構成する金属としては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム及び錫等が挙げられる。上記導電層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層又は錫を含有する導電層等が挙げられる。   The conductive part is not particularly limited. Gold, silver, copper, nickel, palladium, tin, etc. are mentioned as a metal which comprises the said electroconductive part. Examples of the conductive layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, or a conductive layer containing tin.

電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層(第1の導電層)とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属層である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。   From the viewpoint of increasing the contact area between the electrode and the conductive particle and further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particle is composed of the base material and the conductive material disposed on the surface of the base material particle. It is preferable to have a layer (first conductive layer). From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles are preferably conductive particles having at least a conductive outer surface of a low melting point metal layer. More preferably, the conductive particles have base particles and a conductive layer disposed on the surface of the base particles, and at least the outer surface of the conductive layer is a low melting point metal layer.

上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記低融点金属は錫を含むことが好ましい。低融点金属に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記低融点金属における錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。   The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The low melting point metal preferably contains tin. In 100% by weight of the metal contained in the low melting point metal, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the low melting point metal is not less than the lower limit, the connection reliability between the low melting point metal and the electrode is further enhanced. The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.

導電部の外側の表面が低融点金属層である場合には、低融点金属層が溶融して電極に接合し、低融点金属層が電極間を導通させる。例えば、低融点金属層と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属層である導電性粒子の使用により、低融点金属層と電極との接合強度が高くなる結果、低融点金属層と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。   When the outer surface of the conductive portion is a low melting point metal layer, the low melting point metal layer is melted and joined to the electrodes, and the low melting point metal layer conducts between the electrodes. For example, since the low-melting point metal layer and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. Further, the use of conductive particles having at least a conductive outer surface of a low-melting-point metal layer increases the bonding strength between the low-melting-point metal layer and the electrode, resulting in further peeling between the low-melting-point metal layer and the electrode. It becomes difficult to occur, and the conduction reliability is effectively increased.

上記低融点金属層を構成する低融点金属は特に限定されない。上記低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。   The low melting point metal which comprises the said low melting metal layer is not specifically limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. Especially, since it is excellent in the wettability with respect to an electrode, it is preferable that the said low melting metal is a tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

また、上記低融点金属は、はんだであることが好ましい。上記はんだを構成する材料は特に限定されないが、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。   The low melting point metal is preferably solder. Although the material which comprises the said solder is not specifically limited, Based on JISZ3001: welding terminology, it is preferable that it is a filler material whose liquidus is 450 degrees C or less. Examples of the solder composition include metal compositions containing zinc, gold, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Among them, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium or a solder containing tin and bismuth.

上記低融点金属と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。   In order to further increase the bonding strength between the low melting point metal and the electrode, the low melting point metal is nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese. Further, it may contain a metal such as chromium, molybdenum and palladium. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the low melting point metal and the electrode, the low melting point metal preferably contains nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the low-melting point metal and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is 100 wt% of the low-melting point metal, preferably 0.0001 wt% or more, preferably 1% by weight or less.

上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記基材粒子と上記低融点金属層(はんだ層など)との間に、上記低融点金属層とは別に第2の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第2の導電層は上記導電層全体の一部である。   The conductive particles have base particles and a conductive layer disposed on the surface of the base particles, and the outer surface of the conductive layer is a low melting point metal layer, and the base particles and the above In addition to the low melting point metal layer, a second conductive layer is preferably provided between the low melting point metal layer (such as a solder layer). In this case, the low melting point metal layer is a part of the entire conductive layer, and the second conductive layer is a part of the entire conductive layer.

上記低融点金属層とは別の上記第2の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第2の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いてもよい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The second conductive layer different from the low melting point metal layer preferably contains a metal. The metal constituting the second conductive layer is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, tungsten, molybdenum and cadmium, and alloys thereof. Is mentioned. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記第2の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第2の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。   The second conductive layer is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and even more preferably a copper layer. The conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer or a gold layer, and still more preferably have a copper layer. By using the conductive particles having these preferable conductive layers for the connection between the electrodes, the connection resistance between the electrodes is further reduced. In addition, a low melting point metal layer can be more easily formed on the surface of these preferable conductive layers. The second conductive layer may be a low melting point metal layer such as a solder layer. The conductive particles may have a plurality of low melting point metal layers.

上記低融点金属層の厚みは、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは1μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは10μm以下、更に好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。   The thickness of the low melting point metal layer is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 1 μm or more, preferably 50 μm or less, more preferably 10 μm or less, still more preferably 5 μm or less, particularly preferably. 3 μm or less. When the thickness of the low melting point metal layer is not less than the above lower limit, the conductivity is sufficiently high. When the thickness of the low melting point metal layer is not more than the above upper limit, the difference in thermal expansion coefficient between the resin particles and the low melting point metal layer becomes small, and the low melting point metal layer is hardly peeled off.

導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは1μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは10μm以下、更に好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。   When the conductive layer is a conductive layer other than the low melting point metal layer, or when the conductive layer has a multilayer structure, the total thickness of the conductive layer is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, Preferably it is 1 micrometer or more, Preferably it is 50 micrometers or less, More preferably, it is 10 micrometers or less, More preferably, it is 5 micrometers or less, Most preferably, it is 3 micrometers or less.

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、より一層好ましくは20μm未満、更に好ましくは15μm以下、特に好ましくは10μm以下、最も好ましくは4μm以下である。導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、1μm以上、10μm以下であることが特に好ましく、1μm以上、4μm以下であることが最も好ましい。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably less than 20 μm, still more preferably 15 μm or less, particularly preferably 10 μm or less, and most preferably 4 μm or less. The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more. From the viewpoint of further improving the connection reliability of the connection structure when subjected to a thermal history, the average particle diameter of the conductive particles is particularly preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and is 1 μm or more and 4 μm or less. Most preferred.

上記導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、導電性粒子の平均粒子径は、1μm以上、100μm以下であることが特に好ましい。   Since the size is suitable for the conductive particles in the conductive material and the distance between the electrodes can be further reduced, the average particle size of the conductive particles is particularly preferably 1 μm or more and 100 μm or less. .

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子の表面は、絶縁性粒子などの絶縁性材料、フラックス等により絶縁処理されていてもよい。絶縁性材料、フラックス等は、接続時の熱により軟化、流動することで接続部から排除されることが好ましい。これにより、電極間での短絡が抑えられる。   The surface of the conductive particles may be insulated with an insulating material such as insulating particles, flux, or the like. It is preferable that the insulating material, the flux, and the like are removed from the connection portion by being softened and flowed by heat at the time of connection. Thereby, the short circuit between electrodes is suppressed.

次に、図4〜6を用いて、導電性粒子の具体例について説明する。   Next, specific examples of conductive particles will be described with reference to FIGS.

図4は、導電性粒子の一例を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of conductive particles.

図4に示す導電性粒子は、はんだ粒子21である。はんだ粒子21は、はんだのみにより形成されている。はんだ粒子21は、基材粒子をコアに有さず、コア−シェル粒子ではない。はんだ粒子21は、中心部分及び外表面のいずれも、はんだにより形成されている。   The conductive particles shown in FIG. 4 are solder particles 21. The solder particles 21 are formed only by solder. The solder particles 21 do not have base particles in the core and are not core-shell particles. The solder particles 21 are formed of solder at both the central portion and the outer surface.

図5は、導電性粒子の第1の変形例を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a first modification of the conductive particles.

図5に示す導電性粒子31は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置された導電層33とを備える。導電層33は、基材粒子32の表面を被覆している。導電性粒子31は、基材粒子32の表面が導電層33により被覆された被覆粒子である。   The conductive particle 31 shown in FIG. 5 includes a base particle 32 and a conductive layer 33 disposed on the surface of the base particle 32. The conductive layer 33 covers the surface of the base particle 32. The conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the base particle 32 is coated with the conductive layer 33.

導電層33は、第2の導電層33Aと、第2の導電層33Aの表面上に配置されたはんだ層33B(第1の導電層)とを有する。導電性粒子31は、基材粒子32と、はんだ層33Bとの間に、第2の導電層33Aを備える。従って、導電性粒子31は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置された第2の導電層33Aと、第2の導電層33Aの表面上に配置されたはんだ層33Bとを備える。このように、導電層33は、多層構造を有していてもよく、2層以上の積層構造を有していてもよい。   The conductive layer 33 includes a second conductive layer 33A and a solder layer 33B (first conductive layer) disposed on the surface of the second conductive layer 33A. The conductive particle 31 includes a second conductive layer 33A between the base particle 32 and the solder layer 33B. Accordingly, the conductive particles 31 include the base particle 32, the second conductive layer 33A disposed on the surface of the base particle 32, and the solder layer 33B disposed on the surface of the second conductive layer 33A. Is provided. Thus, the conductive layer 33 may have a multilayer structure or may have a stacked structure of two or more layers.

上記のように、導電性粒子31における導電層33は2層構造を有する。図6に示す第2の変形例のように、導電性粒子41は、単層の導電層として、はんだ層42を有していてもよい。導電性粒子41は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置されたはんだ層42とを備える。   As described above, the conductive layer 33 in the conductive particles 31 has a two-layer structure. As in the second modification shown in FIG. 6, the conductive particles 41 may have a solder layer 42 as a single conductive layer. The conductive particles 41 include base material particles 32 and a solder layer 42 disposed on the surface of the base material particles 32.

導電性粒子21,31,41はいずれも、導電性の外表面にはんだを有する。   All of the conductive particles 21, 31, 41 have solder on the conductive outer surface.

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記硬化性組成物100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは15重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡を防止できる。   The content of the conductive particles is not particularly limited. In 100% by weight of the curable composition, the content of the conductive particles is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight. Hereinafter, it is more preferably 15% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented.

(電子部品用硬化性組成物の用途)
上記硬化性組成物は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。
(Use of curable composition for electronic parts)
The said curable composition can be used in order to adhere | attach various connection object members.

上記硬化性組成物が、導電性粒子を含む導電材料である場合、該導電材料は、導電ペースト、又は導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムとして使用される場合、導電性粒子を含有する該導電フィルムに、導電性粒子を含有しないフィルムが積層されていてもよい。なお、フィルムにはシートが含まれる。上記硬化性組成物は、ペースト状の導電ペーストであることが好ましい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。   When the curable composition is a conductive material containing conductive particles, the conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, or the like. When the conductive material is used as a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing conductive particles. The film includes a sheet. The curable composition is preferably a paste-like conductive paste. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記硬化性組成物は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記硬化性組成物は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材を接続している接続部とを備える接続構造体を得るために好適に用いられる。上記接続部が、上記硬化性組成物を硬化させることにより形成される。   The said curable composition can be used in order to adhere | attach various connection object members. The said curable composition is a connection structure provided with the 1st connection object member, the 2nd connection object member, and the connection part which has connected the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member. It is preferably used to obtain a body. The connection part is formed by curing the curable composition.

上記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、上記第1の接続対象部材が第1の電極を表面に有し、上記第2の接続対象部材が第2の電極を表面に有し、上記第1の電極と上記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得ることが好ましい。   The curable composition for electronic parts includes conductive particles, the first connection target member has a first electrode on the surface, and the second connection target member has a second electrode on the surface. It is preferable to obtain a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

図1に、本発明の一実施形態に係る硬化性組成物を用いた接続構造体の一例を模式的に断面図で示す。   In FIG. 1, an example of the connection structure using the curable composition which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with sectional drawing.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とを接続している接続部3とを備える。接続部3は、硬化物層であり、導電性粒子5を含む電子部品用硬化性組成物(導電材料)を硬化させることにより形成されている。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects the first connection target member 2, the second connection target member 4, and the first connection target member 2 and the second connection target member 4. Part 3. The connection part 3 is a cured product layer and is formed by curing a curable composition for electronic parts (conductive material) including the conductive particles 5.

第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材4は表面(下面)に、複数の第2の電極4aを有する。第1の電極2aと第2の電極4aとが、1つ又は複数の導電性粒子5により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材2,4が導電性粒子5により電気的に接続されている。導電性粒子5にかえて、導電性粒子21,31,41を用いてもよい。導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子を用いることが好ましく、はんだ粒子を用いることがより好ましい。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface). The second connection target member 4 has a plurality of second electrodes 4a on the surface (lower surface). The first electrode 2 a and the second electrode 4 a are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 5. Therefore, the first and second connection target members 2 and 4 are electrically connected by the conductive particles 5. Instead of the conductive particles 5, conductive particles 21, 31, 41 may be used. It is preferable to use conductive particles having solder on the conductive outer surface, and it is more preferable to use solder particles.

第1,第2の電極2a,4a間の接続は、通常、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とを上記硬化性組成物を介して第1,第2の電極2a,4a同士が対向するように重ね合わせた後に、上記硬化性組成物を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子5は圧縮される。   The connection between the first and second electrodes 2a and 4a is usually performed by connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 4 with the first and second electrodes 2a through the curable composition. , 4a are overlapped so as to face each other, and then the curable composition is cured by pressurization. Generally, the conductive particles 5 are compressed by pressurization.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specifically, the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. Examples include parts.

電極幅(電極がある領域の幅、ライン(L)の幅、第1,第2の電極幅)は、好ましくは200μm以下、より好ましくは150μm以下、更に好ましくは100μm以下、特に好ましくは80μm以下である。電極幅が小さいときに、導電性粒子として導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子を用いることで、速やかに硬化する硬化性組成物であっても、導通性及び耐湿熱性を効果的に高めることができ、はんだ粒子を用いることで、速やかに硬化する硬化性組成物であっても、導通性及び耐湿熱性を更に一層効果的に高めることができる。   The electrode width (the width of the region where the electrode is present, the width of the line (L), the first and second electrode widths) is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, and particularly preferably 80 μm or less. It is. By using conductive particles having solder on the outer surface of the conductive as the conductive particles when the electrode width is small, even in the case of a curable composition that cures quickly, the conductivity and wet heat resistance are effectively improved. Even if it is a curable composition which hardens | cures rapidly by using a solder particle, electrical conductivity and heat-and-moisture resistance can be improved much more effectively.

電極間幅(電極がない領域の幅、スペース(S)の幅、第1,第2の電極間幅)は、好ましくは200μm以下、より好ましくは150μm以下、更に好ましくは100μm以下、特に好ましくは80μm以下である。電極間幅が小さいときに、導電性粒子として導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子を用いることで、速やかに硬化する硬化性組成物であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、はんだ粒子を用いることで、速やかに硬化する硬化性組成物であっても、絶縁信頼性を更に一層効果的に高めることができる。   The width between the electrodes (the width of the region without electrodes, the width of the space (S), the width between the first and second electrodes) is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, particularly preferably 80 μm or less. By using conductive particles having solder on the conductive outer surface as the conductive particles when the width between the electrodes is small, even in the case of a curable composition that cures quickly, the insulation reliability is effectively increased. In addition, the use of solder particles can increase the insulation reliability even more effectively even with a curable composition that cures quickly.

電極幅/電極間幅(L/S)は、好ましくは200μm以下/200μm以下、より好ましくは150μm以下/150μm以下、更に好ましくは100μm以下/100μm以下、特に好ましくは80μm以下/80μm以下である。   The electrode width / interelectrode width (L / S) is preferably 200 μm or less / 200 μm or less, more preferably 150 μm or less / 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less / 100 μm or less, and particularly preferably 80 μm or less / 80 μm or less.

図1に示す接続構造体1は、例えば、図2(a)〜(c)に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained as follows, for example, through the states shown in FIGS.

図2(a)に示すように、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、第1の接続対象部材2の表面上に、複数の導電性粒子5を含む硬化性組成物(導電材料)を配置し、第1の接続対象部材2の表面に硬化性組成物層3Aを形成する。このとき、第1の電極2a上に、1つ又は複数の導電性粒子5が配置されていることが好ましい。   As shown in FIG. 2A, a first connection target member 2 having a first electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, a curable composition (conductive material) including a plurality of conductive particles 5 is disposed on the surface of the first connection target member 2, and the curable composition layer is formed on the surface of the first connection target member 2. 3A is formed. At this time, it is preferable that one or a plurality of conductive particles 5 be disposed on the first electrode 2a.

次に、硬化性組成物層3Aに光を照射又は熱を付与することにより、硬化性組成物層3Aの硬化を進行させる。図2(a)〜(c)では、硬化性組成物層3Aに光を照射して、硬化性組成物層3Aの硬化を進行させて、硬化性組成物層3AをBステージ化している。すなわち、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、Bステージ化された硬化性組成物層3Bを形成している。Bステージ化により、第1の接続対象部材2とBステージ化された硬化性組成物層3Bとが仮接着される。Bステージ化された硬化性組成物層3Bは、半硬化状態にある半硬化物である。Bステージ化された硬化性組成物層3Bは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。   Next, the curing of the curable composition layer 3A is advanced by irradiating light or applying heat to the curable composition layer 3A. 2A to 2C, the curable composition layer 3 </ b> A is irradiated with light, and the curable composition layer 3 </ b> A is cured to be B-staged. That is, as shown in FIG. 2B, the B-staged curable composition layer 3 </ b> B is formed on the surface of the first connection target member 2. By the B stage, the first connection target member 2 and the B-stage curable composition layer 3B are temporarily bonded. The B-staged curable composition layer 3B is a semi-cured product in a semi-cured state. The B-staged curable composition layer 3B is not completely cured, and thermal curing can further proceed.

硬化性組成物層3Aの硬化を効果的に進行させるために、光を照射する際の光照射強度は0.1〜8000mW/cmの範囲内であることが好ましい。積算光量は、0.1〜20000J/cmであることが好ましい。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長420nm以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びLEDランプ等が挙げられる。 In order to effectively advance the curing of the curable composition layer 3A, the light irradiation intensity at the time of irradiation with light is preferably in the range of 0.1 to 8000 mW / cm 2 . The integrated light quantity is preferably 0.1 to 20000 J / cm 2 . The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, a metal halide lamp, and an LED lamp.

次に、図2(c)に示すように、Bステージ化された硬化性組成物層3Bの第1の接続対象部材2側とは反対の表面上に、第2の接続対象部材4を積層する。第1の接続対象部材2の表面の第1の電極2aと、第2の接続対象部材4の表面の第2の電極4aとが対向するように、第2の接続対象部材4を積層する。   Next, as shown in FIG.2 (c), the 2nd connection object member 4 is laminated | stacked on the surface opposite to the 1st connection object member 2 side of the curable composition layer 3B made into B stage. To do. The second connection target member 4 is laminated so that the first electrode 2a on the surface of the first connection target member 2 and the second electrode 4a on the surface of the second connection target member 4 face each other.

さらに、第2の接続対象部材4の積層の際に、Bステージ化された硬化性組成物層3Bを加熱することにより、Bステージ化された硬化性組成物層3Bをさらに硬化させ、接続部3を形成する。ただし、第2の接続対象部材4の積層の前に、Bステージ化された硬化性組成物層3Bを加熱してもよい。さらに、第2の接続対象部材4の積層の後にBステージ化された硬化性組成物層3Bを加熱してもよい。   Further, when the second connection target member 4 is laminated, the B-staged curable composition layer 3B is further cured by heating the B-staged curable composition layer 3B. 3 is formed. However, the B-staged curable composition layer 3B may be heated before the second connection target member 4 is laminated. Furthermore, you may heat the curable composition layer 3B B-staged after the lamination | stacking of the 2nd connection object member 4. FIG.

Bステージ化された硬化性組成物層3Bを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは80℃以上、より一層好ましくは100℃以上、更に好ましくは140℃以上、特に好ましくは160℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下である。   The heating temperature for curing the B-staged curable composition layer 3B is preferably 50 ° C or higher, more preferably 80 ° C or higher, still more preferably 100 ° C or higher, still more preferably 140 ° C or higher, particularly preferably. Is 160 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower.

Bステージ化された硬化性組成物層3Bを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第1の電極2aと第2の電極4aとで導電性粒子5を圧縮することにより、第1,第2の電極2a,4aと導電性粒子5との接触面積が大きくなる。このため、第1,第2の電極2a,4a間の導通信頼性が高くなる。さらに、導電性粒子5を圧縮することで、第1,第2の電極2a,4a間の距離が拡がっても、この拡がりに追従するように導電性粒子5の粒子径が大きくなる。   It is preferable to apply pressure when the B-staged curable composition layer 3B is cured. By compressing the conductive particles 5 between the first electrode 2a and the second electrode 4a by pressurization, the contact area between the first and second electrodes 2a, 4a and the conductive particles 5 is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between the 1st, 2nd electrodes 2a and 4a becomes high. Further, by compressing the conductive particles 5, even if the distance between the first and second electrodes 2a and 4a increases, the particle diameter of the conductive particles 5 increases so as to follow this expansion.

Bステージ化された硬化性組成物層3Bを硬化させることにより、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とが、接続部3を介して接続される。また、第1の電極2aと第2の電極4aとが、導電性粒子5を介して電気的に接続される。このようにして、図1に示す接続構造体1を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、更に上記硬化性組成物が上述した特定の組成を有するため、上記硬化性組成物を短時間で硬化させることができる。   By curing the B-staged curable composition layer 3 </ b> B, the first connection target member 2 and the second connection target member 4 are connected via the connection portion 3. In addition, the first electrode 2 a and the second electrode 4 a are electrically connected through the conductive particles 5. In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained. Here, since photocuring and thermosetting are used in combination, the curable composition has the specific composition described above, and therefore the curable composition can be cured in a short time.

なお、上記硬化性組成物は、導電性粒子を含んでいなくてもよい。この場合には、第1,第2の接続対象部材を電気的に接続することなく、第1,第2の接続対象部材を接着して接続するために、上記硬化性組成物が用いられる。   In addition, the said curable composition does not need to contain electroconductive particle. In this case, the curable composition is used to bond and connect the first and second connection target members without electrically connecting the first and second connection target members.

上記硬化性組成物が導電材料である場合に、該導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用できる。なかでも、上記導電材料は、FOG用途又はCOG用途に好適であり、COG用途により好適である。上記硬化性組成物は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続に用いられる導電材料であることが好ましく、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続に用いられる導電材料であることがより好ましい。   When the curable composition is a conductive material, the conductive material may be, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( (Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), or the like. Especially, the said electrically-conductive material is suitable for a FOG use or a COG use, and is more suitable for a COG use. The curable composition is preferably a conductive material used for connection between the flexible printed circuit board and the glass substrate, or between the semiconductor chip and the flexible printed circuit board, and is used for connection between the semiconductor chip and the flexible printed circuit board. More preferably, it is a conductive material.

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

(合成例1)
(1)ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第1の反応物の合成:
ビスフェノールF(4,4’−メチレンビスフェノールと2,4’−メチレンビスフェノールと2,2’−メチレンビスフェノールとを重量比で31:52:17で含む)72重量部、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル100重量部、及びトリフェニルフォスフィン1重量部を3つ口フラスコに入れ、150℃で溶解させた。その後、180℃で6時間、付加重合反応させることにより第1の反応物を得た。
(Synthesis Example 1)
(1) Synthesis of a first reaction product of bisphenol F and 1,6-hexanediol diglycidyl ether:
72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4′-methylene bisphenol, 2,4′-methylene bisphenol and 2,2′-methylene bisphenol at a weight ratio of 31:52:17), 1,6-hexanediol 100 parts by weight of glycidyl ether and 1 part by weight of triphenylphosphine were placed in a three-necked flask and dissolved at 150 ° C. Thereafter, the first reaction product was obtained by addition polymerization at 180 ° C. for 6 hours.

付加重合反応が進行したことを確認して、第1の反応物が、ビスフェノールFに由来する骨格と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する骨格とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有することを確認した。   After confirming that the addition polymerization reaction has progressed, the first reaction product has a structural unit in which the skeleton derived from bisphenol F and the skeleton derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether are bonded to the main chain. And having an epoxy group derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether at both ends was confirmed.

Figure 2015004056
Figure 2015004056

(2)上記第1の反応物と、アクリル酸とを反応させた硬化性化合物の合成:
得られた第1の反応物100重量部とアクリル酸4重量部とを配合し、80℃まで昇温した。昇温後、2級水酸基とカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジメシチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルホナート1重量部を入れ、4時間縮合反応させることにより、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にビニル基を反応前の水酸基の全個数100%に対して20%有する硬化性化合物1(下記式(2)で表される化合物)を得た。
(2) Synthesis of a curable compound obtained by reacting the first reactant with acrylic acid:
100 parts by weight of the obtained first reactant and 4 parts by weight of acrylic acid were blended, and the temperature was raised to 80 ° C. After raising the temperature, 1 part by weight of dimesitylammonium pentafluorobenzenesulfonate, which is a dehydration condensation catalyst of secondary hydroxyl group and carboxyl group, is put into a condensation reaction for 4 hours to have an epoxy group at both ends, and A curable compound 1 (compound represented by the following formula (2)) having 20% vinyl groups in the side chain with respect to 100% of the total number of hydroxyl groups before the reaction was obtained.

得られた硬化性化合物1の重量平均分子量は8000であった。得られた硬化性化合物1の分子量分布におけるピークは1つのみでアクリル酸由来の低分子は観察されなかった。また、NMRにより、水酸基にアクリル酸が反応して、側鎖にビニル基が反応前の水酸基の全個数100%に対して20%導入されていることを確認した。   The resulting curable compound 1 had a weight average molecular weight of 8,000. The resulting curable compound 1 had only one peak in the molecular weight distribution, and no low molecular weight derived from acrylic acid was observed. Further, it was confirmed by NMR that acrylic acid reacted with the hydroxyl group, and that 20% of the vinyl group was introduced into the side chain with respect to 100% of the total number of hydroxyl groups before the reaction.

Figure 2015004056
Figure 2015004056

上記式(2)中、Rの総数の内の80%がOH基を表し、Rの総数の内の20%が下記式(a2)で表される基を表す。   In the above formula (2), 80% of the total number of R represents an OH group, and 20% of the total number of R represents a group represented by the following formula (a2).

Figure 2015004056
Figure 2015004056

なお、図3に、得られた式(2)で表される化合物のNMRのチャートを示した。化学シフトは以下の通りである。   In addition, the chart of NMR of the compound represented by Formula (2) obtained was shown in FIG. The chemical shift is as follows.

1.3−1.6ppm:−C12−の内6H
2.6−3.0ppm:末端エポキシ基のH
3.3−3.7ppm:−CH−CHR−CH−の5H
3.8−4.0ppm:−C12−の内6H
4.1−4.2ppm:-Ph−CH−Ph−のCHの2H
5.8−6.5ppm:Rにアクリロイル基が20%導入された0.6H
6.7−7.2ppm:−Ph−CH−Ph−のPhの8H
1.3-1.6ppm: -C 6 H 12 - internal 6H
2.6-3.0 ppm: H of terminal epoxy group
3.3-3.7 ppm: 5H of —CH 2 —CHR—CH 2
3.8-4.0ppm: -C 6 H 12 - internal 6H
4.1-4.2ppm: -Ph-CH 2 -Ph- of CH 2 of 2H
5.8-6.5 ppm: 0.6H with 20% acryloyl group introduced into R
6.7-7.2ppm: 8H of -Ph-CH 2 -Ph- of Ph

(合成例2)
合成例1で得られた上記第1の反応物と、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させたエポキシ化合物の合成:
合成例1で得られた上記第1の反応物100重量部と、2−メタクロイルオキシエチルイソシアネート4重量部と、ラウリル酸ジブチル錫0.3重量部とを配合した後、80℃で4時間付加反応させることにより、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にビニル基を反応前の水酸基の全個数100%に対して20%有する硬化性化合物2を得た。
(Synthesis Example 2)
Synthesis of an epoxy compound obtained by reacting the first reactant obtained in Synthesis Example 1 with 2-methacryloyloxyethyl isocyanate:
After blending 100 parts by weight of the first reactant obtained in Synthesis Example 1, 4 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and 0.3 parts by weight of dibutyltin laurate, the mixture was mixed at 80 ° C. for 4 hours. By addition reaction, a curable compound 2 having an epoxy group at both ends and a vinyl group in the side chain of 20% with respect to 100% of the total number of hydroxyl groups before the reaction was obtained.

得られた硬化性化合物2の重量平均分子量は12000であった。得られた硬化性化合物2の分子量分布におけるピークは1つのみでメタクリル酸化合物由来の低分子のピークは観察されなかった。また、NMRにより、水酸基に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが反応して、側鎖にビニル基が反応前の水酸基の全個数100%に対して20%導入されていることを確認した。   The resulting curable compound 2 had a weight average molecular weight of 12,000. The resulting curable compound 2 had only one peak in the molecular weight distribution, and no low molecular peak derived from the methacrylic acid compound was observed. Further, NMR confirmed that 2-methacryloyloxyethyl isocyanate had reacted with the hydroxyl group, and that 20% of the vinyl group had been introduced into the side chain with respect to 100% of the total number of hydroxyl groups before the reaction.

また、以下の配合成分を用意した。   Moreover, the following compounding components were prepared.

(エポキシ基を有さないラジカル重合性化合物)
ラジカル重合性化合物(ペンタエリスリトールトリアクリレート社製「A−TMM−3」)
(Radical polymerizable compound without epoxy group)
Radical polymerizable compound (“A-TMM-3” manufactured by Pentaerythritol Triacrylate)

(エポキシ化合物)
エポキシ化合物1(レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「EX−201」)
エポキシ化合物2(トリアジントリグリシジルエーテル、日産化学社製「TEPIC−SS」)
(Epoxy compound)
Epoxy compound 1 (resorcinol type epoxy compound, “EX-201” manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
Epoxy compound 2 (triazine triglycidyl ether, “TEPIC-SS” manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.)

(潜在性エポキシ硬化剤)
潜在性エポキシ硬化剤1(旭化成イーマテリアルズ社製「HXA3921HP」)
潜在性エポキシ硬化剤2(包摂イミダゾール化合物、日本曹達社製「TIC−188」)
(Latent epoxy curing agent)
Latent epoxy curing agent 1 ("HXA3921HP" manufactured by Asahi Kasei E-Materials)
Latent epoxy curing agent 2 (inclusion imidazole compound, “TIC-188” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.)

(チオール基を2個以上有する化合物)
チオール基含有化合物1(ペンタエリスリトール テトラキス(3−メルカプトブチレート)、昭和電工社製「カレンズMT」)
チオール基含有化合物2(1,3,5−トリス(3−メルカプトブチリルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、昭和電工社製「カレンズMT NR1」)
(Compound having two or more thiol groups)
Thiol group-containing compound 1 (pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), “Karenz MT” manufactured by Showa Denko KK)
Thiol group-containing compound 2 (1,3,5-tris (3-mercaptobutyryloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, manufactured by Showa Denko KK “Karenzu MT NR1”)

(導電性粒子)
導電性粒子1:SnBiはんだ粒子(福田金属社製「Sn58Bi−20」、平均粒子径4.5μm)
導電性粒子2:(樹脂コアはんだ被覆粒子、下記手順で作製)
ジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−207」、平均粒子径7μm、軟化点330℃、10%K値(23℃)4GPa)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ1μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み1μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子(平均粒子径14μm、CV値22%、樹脂コアはんだ被覆粒子)を作製した。
導電性粒子3:ジビニルベンゼン樹脂粒子のAuメッキ粒子(積水化学工業社製「Au−210」、平均粒子径10μm)
(Conductive particles)
Conductive particles 1: SnBi solder particles ("Sn58Bi-20" manufactured by Fukuda Metals Co., Ltd., average particle size: 4.5 μm)
Conductive particles 2: (resin core solder coated particles, prepared by the following procedure)
Divinylbenzene resin particles (“Micropearl SP-207” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., average particle diameter 7 μm, softening point 330 ° C., 10% K value (23 ° C.) 4 GPa) are electroless nickel-plated on the surface of the resin particles A base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm was formed. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic copper plating to form a 1 μm thick copper layer. Furthermore, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 1 μm. Thus, a 1 μm thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 1 μm thick solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Conductive particles (average particle size 14 μm, CV value 22%, resin core solder-coated particles) were prepared.
Conductive particles 3: Au-plated particles of divinylbenzene resin particles (“Au-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., average particle size 10 μm)

(他の成分)
光ラジカル重合開始剤(アシルホスフィンオキサイド系化合物、BASFジャパン社製「DAROCUR TPO」)
熱ラジカル重合開始剤(2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、日油社製「パーヘキサ250」)
フィラー(ナノシリカ、トクヤマ社製「MT−10」)
接着付与剤(信越化学工業社製「KBE−403」)
フラックス(和光純薬工業社製「グルタル酸」)
(Other ingredients)
Photo radical polymerization initiator (acylphosphine oxide compound, “DAROCUR TPO” manufactured by BASF Japan)
Thermal radical polymerization initiator (2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, “Perhexa 250” manufactured by NOF Corporation)
Filler (Nanosilica, “MT-10” manufactured by Tokuyama)
Adhesive agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBE-403”)
Flux (“Glutaric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(実施例1〜15及び比較例1,2)
下記の表1,2に示す成分を下記の表1,2に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
(Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 and 2)
The components shown in Tables 1 and 2 below were blended in the blending amounts shown in Tables 1 and 2 below, followed by stirring at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain anisotropic conductive paste.

(評価)
(1)〜(3),(5)の評価項目で用いる接続構造体A(FOB)の作製:
L/Sが100μm/100μmの電極パターンにて、70本の銅電極を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの電極パターンにて、70本の銅電極を下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることによりデイジーチェーンが形成できるように設計した。
(Evaluation)
Production of connection structure A (FOB) used in the evaluation items (1) to (3) and (5):
A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having 70 copper electrodes on the upper surface with an electrode pattern having an L / S of 100 μm / 100 μm was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board which has 70 copper electrodes on the lower surface with the electrode pattern whose L / S is 100 micrometers / 100 micrometers was prepared. The FR-4 substrate and the flexible printed circuit board pattern were designed so that a daisy chain could be formed by overlapping.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、得られた異方性導電ペーストを厚さ200μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、LED−UV照射機により、波長365nmにおいて200mWの条件にて10秒UV照射し、異方導電ペーストをBステージ化させた。Bステージ化された異方性導電ペースト層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が170℃(本圧着温度)となるように加熱圧着ヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧圧着ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて170℃で硬化が完了するまで異方性導電ペースト層を硬化させて、接続構造体A(FOB)を得た。   The obtained anisotropic conductive paste was applied on the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 200 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, UV irradiation was performed for 10 seconds under the condition of 200 mW at a wavelength of 365 nm by an LED-UV irradiator, and the anisotropic conductive paste was made into a B-stage. The flexible printed circuit board was laminated on the B-staged anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the thermocompression bonding head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 170 ° C. (final pressure bonding temperature), the pressure bonding head is placed on the upper surface of the flexible printed circuit board and a pressure of 1 MPa is applied. Then, the anisotropic conductive paste layer was cured until curing was completed at 170 ° C. to obtain a connection structure A (FOB).

(7)の評価項目で用いる接続構造体B(FOB)の作製:
L/Sが50μm/50μmの電極パターンにて、70本の銅電極を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが50μm/50μmの電極パターンにて、70本の銅電極を下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることによりデイジーチェーンが形成できるように設計した。
Production of connection structure B (FOB) used in the evaluation item of (7):
A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having 70 copper electrodes on the upper surface with an electrode pattern having an L / S of 50 μm / 50 μm was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board which has 70 copper electrodes on the lower surface with the electrode pattern whose L / S is 50 micrometers / 50 micrometers was prepared. The FR-4 substrate and the flexible printed circuit board pattern were designed so that a daisy chain could be formed by overlapping.

このL/Sが異なるガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は接続構造体Aと同様にして、接続構造体B(FOB)を得た。   A connection structure B (FOB) was obtained in the same manner as the connection structure A except that a glass epoxy substrate and a flexible printed circuit board having different L / S were used.

(1)硬化速度
上記接続構造体Aを得る際に、加熱により異方性導電ペースト層が硬化するまでの時間を測定した。硬化速度を下記の基準で判定した。
(1) Curing speed When obtaining the said connection structure A, the time until an anisotropic conductive paste layer hardens | cures by heating was measured. The curing rate was determined according to the following criteria.

[硬化速度の判定基準]
○:比較例1よりも早い、170℃10秒圧着した際の接着力が、硬化完了するまで異方性導電ペースト層を硬化させて得た接続構造体A(FOB)の80%以上
×:比較例1よりも遅い、170℃10秒圧着した際の接着力が、硬化完了するまで異方性導電ペースト層を硬化させて得た接続構造体A(FOB)の80%未満
[Criteria for curing speed]
◯: 80% or more of the connection structure A (FOB) obtained by curing the anisotropic conductive paste layer until the adhesive force at the time of pressure bonding at 170 ° C. for 10 seconds, which is faster than that of Comparative Example 1, is completed. Less than 80% of the connection structure A (FOB) obtained by curing the anisotropic conductive paste layer until the curing is completed, the adhesive force when being bonded at 170 ° C. for 10 seconds, which is slower than Comparative Example 1.

(2)導通性1
得られた接続構造体Aを用いて、20箇所の接続抵抗を4端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
(2) Conductivity 1
Using the obtained connection structure A, 20 connection resistances were evaluated by a four-terminal method. The conductivity was determined according to the following criteria.

[導通性1の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が8.0Ω以下
○:接続抵抗の平均値が8.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗の平均値が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×接続抵抗の平均値が15.0Ωを超える
[Criteria for conductivity 1]
○○: Average value of connection resistance is 8.0Ω or less ○: Average value of connection resistance exceeds 8.0Ω and 10.0Ω or less △: Average value of connection resistance exceeds 10.0Ω and 15.0Ω or less × Average connection resistance exceeds 15.0Ω

(3)耐熱衝撃性
得られた接続構造体Aをそれぞれ10個用意し、−30℃で5分間保持し、次に80℃まで昇温させて5分間保持した後、−30℃まで降温する過程を1サイクルとし、1サイクル当たり1時間とする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後に、それぞれ10個の接続構造体Aを取り出した。
(3) Thermal shock resistance Ten prepared connection structures A were prepared, held at −30 ° C. for 5 minutes, then heated to 80 ° C., held for 5 minutes, and then cooled to −30 ° C. A cooling cycle test was performed in which the process was 1 cycle and 1 hour per cycle. Ten connection structures A were taken out after 500 cycles.

500サイクルの冷熱サイクル試験後の10個の接続構造体Aについて、上下の電極間の導通不良が生じている個数を数えた。耐熱衝撃性を下記の基準で判定した。   With respect to 10 connection structures A after 500 cycles of the thermal cycle test, the number of defective conduction between the upper and lower electrodes was counted. Thermal shock resistance was determined according to the following criteria.

[耐熱衝撃性の判定基準]
○○:10個の接続構造体A全てにおいて、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が5%以下である
○:10個の接続構造体A全てにおいて、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が5%を超え、10%以下である
×:10個の接続構造体Aのうち、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が10%を超える接続構造体Aが1個以上ある
[Criteria for thermal shock resistance]
◯: In all 10 connection structures A, the rate of increase in connection resistance from the connection resistance before the thermal cycle test is 5% or less. ○: In all 10 connection structures A, before the thermal cycle test. The increase rate of the connection resistance from the connection resistance is more than 5% and 10% or less. X: Among the 10 connection structures A, the increase rate of the connection resistance from the connection resistance before the thermal cycle test is 10%. There is one or more connection structure A exceeding

(4)耐湿熱性1
バイアス試験により、耐湿熱性を評価した。具体的には、L/Sが100μm/100μmの70本の櫛形銅電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの70本の櫛形銅電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。(1)〜(3)の評価項目に用いた接続構造体Aの作製方法と同じ方法で、接続構造体A’を得た。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることにより櫛形パターンが形成できるように設計した。耐湿熱性を下記の基準で判定した。
(4) Moist heat resistance 1
Wet heat resistance was evaluated by a bias test. Specifically, a glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having 70 comb-shaped copper electrode patterns with L / S of 100 μm / 100 μm on the upper surface was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board which has 70 comb-shaped copper electrode patterns with L / S of 100 micrometers / 100 micrometers on the lower surface was prepared. A connection structure A ′ was obtained by the same method as the connection structure A used for the evaluation items (1) to (3). The patterns of the FR-4 substrate and the flexible printed circuit board were designed so that a comb pattern could be formed by overlapping. Wet heat resistance was determined according to the following criteria.

[耐湿熱性1の判定基準]
○○:抵抗値が10Ω以上
○:抵抗値が10Ω以上、10Ω未満
×:抵抗値が10Ω未満
[Criteria for wet heat resistance 1]
○○: Resistance value is 10 8 Ω or more ○: Resistance value is 10 7 Ω or more, less than 10 8 Ω ×: Resistance value is less than 10 7 Ω

(5)ボイドの評価
得られた接続構造体A(FOB)を観察して、ボイドを下記の基準で判定した。
(5) Evaluation of voids The obtained connection structure A (FOB) was observed, and voids were determined according to the following criteria.

[ボイドの判定基準]
○○:得られた接続構造体A(FOB)の電極間10箇所の内、50μm以上のボイドが1箇所以下
○:得られた接続構造体A(FOB)の電極間10箇所の内、100μm以上のボイドが1箇所以下
×:得られた接続構造体A(FOB)の電極間10箇所の内、100μm以上のボイドが1箇所を超える
[Void judgment criteria]
○○: 10 or less voids of 50 μm or more among 10 positions between electrodes of the obtained connection structure A (FOB) ○: 100 μm among 10 positions between electrodes of the obtained connection structure A (FOB) The number of the voids is 1 or less. ×: Among the 10 positions between the electrodes of the obtained connection structure A (FOB), the void of 100 μm or more exceeds 1 position.

(6)UV照射マージン
LED−UV照射機により、波長365nmにおいて200mWの条件にて5秒後、20秒UV照射したこと以外は(1)〜(3),(5)の評価項目で用いる接続構造体A(FOB)同様にして、接続構造体A’’(FOB)を得た。5秒及び20秒UV照射した接続構造体A’’について、ボイドの評価を行った。
(6) UV irradiation margin Connections used in the evaluation items (1) to (3) and (5) except that UV irradiation was performed for 20 seconds after 5 seconds under the condition of 200 mW at a wavelength of 365 nm with an LED-UV irradiation machine. The connection structure A ″ (FOB) was obtained in the same manner as the structure A (FOB). Voids were evaluated for the connection structure A ″ irradiated with UV for 5 seconds and 20 seconds.

[UV照射マージンの判定基準]
の判定基準]
○○:5秒及び20秒UV照射した接続構造体A’’(FOB)の双方で、電極間10箇所の内、50μm以上のボイドが1箇所以下
○:5秒及び20秒UV照射した接続構造体A’’(FOB)のいずれかで、電極間10箇所の内、100μm以上のボイドが1箇所以下
×:5秒及び20秒UV照射した接続構造体A’’(FOB)のいずれかで、電極間10箇所の内、100μm以上のボイドが1箇所を超える
[Criteria for UV irradiation margin]
Judgment criteria]
○○: Connection structure A ″ (FOB) irradiated with UV for 5 seconds and 20 seconds, and within 10 locations between electrodes, 1 void or less of 50 μm or more ○: Connection irradiated with UV irradiation for 5 seconds and 20 seconds In any one of the structures A ″ (FOB), among the 10 positions between the electrodes, 100 μm or more voids are 1 or less ×: any of the connection structures A ″ (FOB) irradiated with UV for 5 seconds and 20 seconds Of the 10 positions between the electrodes, the void of 100 μm or more exceeds 1 position.

(7)導通性2
得られた接続構造体Bを用いて、20箇所の接続抵抗を4端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
(7) Conductivity 2
Using the obtained connection structure B, the connection resistance at 20 locations was evaluated by the four-terminal method. The conductivity was determined according to the following criteria.

[導通性2の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が8.0Ω以下
○:接続抵抗の平均値が8.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗の平均値が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×接続抵抗の平均値が15.0Ωを超える
[Criteria for conductivity 2]
○○: Average value of connection resistance is 8.0Ω or less ○: Average value of connection resistance exceeds 8.0Ω and 10.0Ω or less △: Average value of connection resistance exceeds 10.0Ω and 15.0Ω or less × Average connection resistance exceeds 15.0Ω

(8)耐湿熱性2
バイアス試験により、耐湿熱性を評価した。具体的には、L/Sが50μm/50μmの70本の櫛形銅電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが50μm/50μmの70本の櫛形銅電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。(7)の評価項目に用いた接続構造体Bの作製方法と同じ方法で、接続構造体B’を得た。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることにより櫛形パターンが形成できるように設計した。耐湿熱性を下記の基準で判定した。
(8) Moist heat resistance 2
Wet heat resistance was evaluated by a bias test. Specifically, a glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having 70 comb-shaped copper electrode patterns with L / S of 50 μm / 50 μm on the upper surface was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board which has the 70 comb-shaped copper electrode pattern whose L / S is 50 micrometers / 50 micrometers on the lower surface was prepared. A connection structure B ′ was obtained by the same method as the manufacturing method of the connection structure B used for the evaluation item of (7). The patterns of the FR-4 substrate and the flexible printed circuit board were designed so that a comb pattern could be formed by overlapping. Wet heat resistance was determined according to the following criteria.

[耐湿熱性2の判定基準]
○○:抵抗値が10Ω以上
○1:抵抗値が5×10Ω以上、10Ω未満
○2:抵抗値が10Ω以上、5×10Ω未満
×:抵抗値が10Ω未満
[Criteria for wet heat resistance 2]
○○: Resistance value is 10 8 Ω or more ○ 1: Resistance value is 5 × 10 7 Ω or more and less than 10 8 Ω ○ 2: Resistance value is 10 7 Ω or more and less than 5 × 10 7 Ω ×: Resistance value is 10 < 7 Ω

結果を下記の表1,2に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2015004056
Figure 2015004056

Figure 2015004056
Figure 2015004056

なお、実施例1の接続構造体A,A’では実施例6,7の接続構造体A,A’よりも、接続されるべき電極間に導電性粒子が多く配置されており、実施例6の接続構造体A,A’では実施例7の接続構造体A,A’よりも、接続されるべき電極間に導電性粒子が多く配置されていた。実施例1の接続構造体B,B’では実施例6,7の接続構造体B,B’よりも、接続されるべき電極間に導電性粒子が多く配置されており、実施例6の接続構造体B,B’では実施例7の接続構造体B,B’よりも、接続されるべき電極間に導電性粒子が多く配置されていた。また、実施例1,6,7の導通性1の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例1の接続構造体Aの接続抵抗は実施例6,7の接続構造体Aの接続抵抗よりも低く、実施例6の接続構造体Aの接続抵抗は実施例7の接続構造体Aの接続抵抗より低かった。実施例1,6,7の耐湿熱性1の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例1の接続構造体A’の抵抗値は実施例6,7の接続構造体Aの抵抗値よりも高く、実施例6の接続構造体A’の抵抗値は実施例7の接続構造体Aの抵抗値より高かった。   In addition, in connection structure A, A 'of Example 1, many conductive particles are arrange | positioned between the electrodes which should be connected rather than connection structure A, A' of Example 6, 7, Example 6 is shown. In the connection structures A and A ′, more conductive particles were arranged between the electrodes to be connected than in the connection structures A and A ′ of Example 7. In the connection structures B and B ′ of the first embodiment, more conductive particles are arranged between the electrodes to be connected than in the connection structures B and B ′ of the sixth and seventh embodiments. In the structures B and B ′, more conductive particles are arranged between the electrodes to be connected than in the connection structures B and B ′ in Example 7. Moreover, although the evaluation results of the continuity 1 of Examples 1, 6, and 7 are all “◯◯”, the connection resistance of the connection structure A of Example 1 is that of the connection structure A of Examples 6 and 7. The connection resistance of the connection structure A in Example 6 was lower than the connection resistance of the connection structure A in Example 7. The evaluation results of the wet heat resistance 1 of Examples 1, 6 and 7 are all “◯◯”, but the resistance value of the connection structure A ′ of Example 1 is the resistance of the connection structure A of Examples 6 and 7. The resistance value of the connection structure A ′ of Example 6 was higher than the resistance value of the connection structure A of Example 7.

1…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…接続部
3A…硬化性組成物層(導電材料層)
3B…Bステージ化された硬化性組成物層(導電材料層)
4…第2の接続対象部材
4a…第2の電極
5…導電性粒子
21…はんだ粒子
31…導電性粒子
32…基材粒子
33…導電層
33A…第2の導電層
33B…はんだ層
41…導電性粒子
42…はんだ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... 1st electrode 3 ... Connection part 3A ... Curable composition layer (conductive material layer)
3B ... B-staged curable composition layer (conductive material layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... 2nd connection object member 4a ... 2nd electrode 5 ... Conductive particle 21 ... Solder particle 31 ... Conductive particle 32 ... Base particle 33 ... Conductive layer 33A ... 2nd conductive layer 33B ... Solder layer 41 ... Conductive particles 42 ... solder layer

Claims (11)

ラジカル重合性基を有さないエポキシ化合物と、
エポキシ基及びラジカル重合性基を有する硬化性化合物と、
潜在性エポキシ硬化剤と、
光又は熱ラジカル重合開始剤と、
チオール基を2個以上有する化合物とを含む、電子部品用硬化性組成物。
An epoxy compound having no radically polymerizable group;
A curable compound having an epoxy group and a radically polymerizable group;
A latent epoxy curing agent;
A light or thermal radical polymerization initiator;
A curable composition for electronic parts, comprising a compound having two or more thiol groups.
導電性粒子を含む、請求項1に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components according to claim 1, comprising conductive particles. 前記導電性粒子が、導電性の外表面にはんだを有する導電性粒子である、請求項2に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components according to claim 2, wherein the conductive particles are conductive particles having solder on a conductive outer surface. 前記導電性粒子が、はんだ粒子である、請求項3に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components according to claim 3, wherein the conductive particles are solder particles. 電極幅が80μm以下である電極の電気的な接続に用いられる、請求項2〜4のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components of any one of Claims 2-4 used for the electrical connection of the electrode whose electrode width is 80 micrometers or less. 前記硬化性化合物の重量平均分子量が500以上、150000以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components according to any one of claims 1 to 5, wherein the curable compound has a weight average molecular weight of 500 or more and 150,000 or less. 前記硬化性化合物の前記ラジカル重合性基が(メタ)アクリロイル基である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性組成物。   The curable composition for electronic components according to any one of claims 1 to 6, wherein the radical polymerizable group of the curable compound is a (meth) acryloyl group. 前記硬化性化合物が、ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールとの反応物に、ラジカル重合性基を有する化合物を反応させることにより得られる、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性組成物。   The electron according to any one of claims 1 to 7, wherein the curable compound is obtained by reacting a reaction product of bisphenol F and 1,6-hexanediol with a compound having a radical polymerizable group. Curable composition for parts. 第1の接続対象部材と、
第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性組成物を硬化させることにより形成されている、接続構造体。
A first connection target member;
A second connection target member;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connection structure in which the said connection part is formed by hardening the curable composition for electronic components of any one of Claims 1-8.
前記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、
前記第1の接続対象部材が第1の電極を表面に有し、
前記第2の接続対象部材が第2の電極を表面に有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、請求項9に記載の接続構造体。
The curable composition for electronic parts contains conductive particles,
The first connection object member has a first electrode on the surface,
The second connection object member has a second electrode on the surface,
The connection structure according to claim 9, wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
前記第1の電極幅及び前記第2の電極幅が80μm以下である、請求項9又は10に記載の接続構造体。   The connection structure according to claim 9 or 10, wherein the first electrode width and the second electrode width are 80 µm or less.
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