KR102569944B1 - Electroconductive material and connection structure - Google Patents

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Abstract

전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 관한 도전 재료는 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함한다.A conductive material capable of efficiently disposing solder in conductive particles on an electrode even when the width of the electrode is narrow, and improving conduction reliability is provided. The conductive material according to the present invention contains a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, a thermosetting compound, a thiol curing agent, and an amine curing agent.

Description

도전 재료 및 접속 구조체{ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL AND CONNECTION STRUCTURE}Conductive material and connection structure {ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL AND CONNECTION STRUCTURE}

본 발명은 땜납을 갖는 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material containing conductive particles with solder. Further, the present invention relates to a connection structure using the above conductive material.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in the binder.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위하여, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)) 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures, for example, connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (Film on Glass (FOG)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (Chip on Film (COF)), It is used for the connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)) and the connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜, 도전성 입자를 개재하여 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When electrically connecting an electrode of a flexible printed circuit board and an electrode of a glass epoxy substrate by means of the anisotropic conductive material, for example, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. Next, a flexible printed circuit board is laminated, heated and pressed. In this way, the anisotropic conductive material is cured and electrically connected between the electrodes through the conductive particles to obtain a bonded structure.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분을 포함하는 이방성 도전 재료가 기재되어 있다. 상기 도전성 입자의 재료로서는, 구체적으로는 주석(Sn), 인듐(In), 비스무트(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga), 은(Ag) 및 탈륨(Tl) 등의 금속이나, 이들 금속의 합금이 예시되어 있다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below describes an anisotropic conductive material containing conductive particles and a resin component in which curing is not completed at the melting point of the conductive particles. As the material of the conductive particles, specifically, tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd), Metals such as gallium (Ga), silver (Ag), and thallium (Tl), and alloys of these metals are exemplified.

특허문헌 1에서는, 상기 도전성 입자의 융점보다 높고, 또한 상기 수지 성분의 경화가 완료되지 않는 온도로, 이방성 도전 수지를 가열하는 수지 가열 스텝과, 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 스텝을 거쳐, 전극 사이를 전기적으로 접속하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는 특허문헌 1의 도 8에 도시한 온도 프로파일로 실장을 행하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 이방성 도전 수지가 가열되는 온도에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분 내에서, 도전성 입자가 용융된다.In Patent Document 1, through a resin heating step of heating an anisotropic conductive resin to a temperature higher than the melting point of the conductive particles and at which curing of the resin component is not completed, and a resin component curing step of curing the resin component, Electrical connection between the electrodes is described. Further, Patent Literature 1 describes mounting with the temperature profile shown in FIG. 8 of Patent Literature 1. In Patent Literature 1, conductive particles are melted in a resin component at which an anisotropic conductive resin is heated at a temperature where curing is not completed.

하기의 특허문헌 2에는, 열 경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납분과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납분과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다.Patent Document 2 below discloses an adhesive tape including a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, wherein the solder powder and the curing agent exist in the resin layer. This adhesive tape is in the form of a film and is not in the form of a paste.

또한, 하기의 특허문헌 3에는 복수의 전극 단자를 갖는 배선 기판과 대향시켜, 복수의 접속 단자를 갖는 반도체 칩을 배치하고, 상기 배선 기판의 상기 전극 단자와, 상기 반도체 칩의 상기 접속 단자를 전기적으로 접속하는 플립 칩 실장 방법이 개시되어 있다. 이 플립 칩 실장 방법에서는, 땜납분 및 대류 첨가제를 함유하는 수지 조성물이 사용되고 있다.Further, in Patent Document 3 described below, a semiconductor chip having a plurality of connection terminals is disposed facing a wiring board having a plurality of electrode terminals, and the electrode terminals of the wiring board and the connection terminals of the semiconductor chip are electrically connected. A method of mounting a flip chip that is connected to is disclosed. In this flip chip mounting method, a resin composition containing solder powder and a convection additive is used.

일본 특허 공개 제2004-260131호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-260131 WO2008/023452A1WO2008/023452A1 일본 특허 공개 제2006-114865호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-114865

종래의 땜납분이나, 땜납층을 표면에 갖는 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 페이스트에서는, 땜납분 또는 도전성 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않은 경우가 있다. 종래의 땜납분 또는 도전성 입자에서는, 땜납분 또는 도전성 입자의 전극 상으로의 이동 속도가 느린 경우가 있다.In the conventional anisotropic conductive paste containing solder powder or conductive particles having a solder layer on the surface, the solder powder or conductive particles may not be efficiently disposed on an electrode (line). In conventional solder powder or conductive particles, the moving speed of the solder powder or conductive particles onto the electrode may be slow.

또한, 특허문헌 1에 기재된 이방성 도전 재료를 사용하여, 특허문헌 1에 기재된 방법으로 전극 사이를 전기적으로 접속하면, 땜납을 포함하는 도전성 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다. 또한, 특허문헌 1의 실시예에서는, 땜납의 융점 이상의 온도에서, 땜납을 충분히 이동시키기 위하여, 일정 온도로 유지하고 있어, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다. 특허문헌 1의 도 8에 기재한 온도 프로파일로 실장을 행하면, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다.Further, when electrodes are electrically connected by the method described in Patent Literature 1 using the anisotropic conductive material described in Patent Literature 1, conductive particles containing solder may not be efficiently disposed on the electrode (line). . Further, in the examples of Patent Literature 1, the temperature is maintained at a constant temperature in order to sufficiently move the solder at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder, which lowers the manufacturing efficiency of the bonded structure. When mounting is performed with the temperature profile described in FIG. 8 of Patent Document 1, the manufacturing efficiency of the bonded structure is lowered.

또한, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다. 특허문헌 2에 기재한 바와 같은 조성을 갖는 접착 테이프에서는, 땜납분을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납분의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치된 땜납분은, 전극 사이의 도통에 기여하지 않는다.In addition, the adhesive tape described in Patent Literature 2 is in the form of a film and is not in the form of a paste. In an adhesive tape having a composition as described in Patent Literature 2, it is difficult to efficiently dispose solder powder on electrodes (lines). For example, in the adhesive tape described in Patent Literature 2, a part of the solder powder tends to be disposed even in a region (space) where no electrode is formed. The solder powder disposed in the region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.

또한, 특허문헌 3에서는 땜납분을 포함하는 도전 페이스트 중에, 대류 첨가제를 첨가하고 있다. 그러나, 특허문헌 3에 기재한 바와 같은 대류 첨가제를 첨가한 경우에는 도전 페이스트의 경화물에 대류 첨가제가 이물로서 잔류하는 경우가 있다. 또한, 대류 첨가제의 첨가에 의해 도전 페이스트의 성질이 바뀌는 경우도 있다. 또한, 도전 페이스트의 경화물에 보이드가 발생하기 쉽다. 결과적으로, 전극 사이의 도통 신뢰성이 낮아지는 경우가 있다. 또한, 사용할 수 있는 도전 페이스트가 제약된다.Further, in Patent Literature 3, a convection additive is added in an electrically conductive paste containing solder powder. However, when a convection additive as described in Patent Document 3 is added, the convection additive may remain as a foreign material in the cured product of the conductive paste. In addition, the properties of the conductive paste may be changed by the addition of the convection additive. Also, voids tend to occur in the cured product of the conductive paste. As a result, the conduction reliability between the electrodes may be lowered. Also, the conductive paste that can be used is limited.

본 발명의 목적은, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an electrically-conductive material capable of efficiently disposing solder in conductive particles on an electrode even when the width of the electrode is narrow, and improving conduction reliability. Moreover, the object of this invention is to provide the connection structure using the said electrically conductive material.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a conductive material containing a plurality of conductive particles having solder, a thermosetting compound, a thiol curing agent, and an amine curing agent is provided on the outer surface portion of the conductive portion.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는 땜납 입자이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive particles are solder particles.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재한다.In a certain situation of the electrically-conductive material concerning this invention, a carboxyl group exists in the outer surface of the said electroconductive particle.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열 경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a triazine skeleton.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비가 2:1 내지 50:1이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the weight ratio of the thiol curing agent to the amine curing agent is 2:1 to 50:1.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는, 상기 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함한다.In a certain situation of the electrically-conductive material concerning this invention, the said electrically-conductive material contains insulating particle which is not adhering to the surface of the said electrically-conductive particle.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하이다.In a certain situation of the electrically-conductive material concerning this invention, the average particle diameter of the said electroconductive particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료 100중량% 중 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이상, 80중량% 이하이다.In a certain situation of the electrically-conductive material concerning this invention, content of the said electroconductive particle in 100weight% of the said electrically-conductive material is 10 weight% or more and 80 weight% or less.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material is liquefied at 25°C and is a conductive paste.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전 재료이며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a first connection object member having a first electrode on its surface, a second connection object member having a second electrode on its surface, and the first connection object member and the second connection object member. A connection structure is provided which has a connection part being connected, the material of the connection part is the above-mentioned conductive material, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by solder in the conductive particles.

본 발명에 관한 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함하므로, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성을 높일 수 있다.Since the conductive material according to the present invention contains a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, a thermosetting compound, a thiol curing agent, and an amine curing agent, even if the width of the electrode is narrow, solder in the conductive particles can be efficiently placed on the electrode, and conduction reliability can be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 4는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
2(a) to (c) are cross-sectional views for explaining each step of an example of a method for manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a modified example of the connection structure.
4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles usable for a conductive material.
5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles usable for the conductive material.
6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles usable for the conductive material.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.The details of the present invention will be described below.

(도전 재료)(Challenge material)

본 발명에 관한 도전 재료는, 복수의 도전성 입자와, 결합제를 포함한다. 상기 도전성 입자는 도전부를 갖는다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 땜납은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다.The conductive material according to the present invention contains a plurality of conductive particles and a binder. The said conductive particle has a conductive part. The said electroconductive particle has solder on the outer surface part of an electroconductive part. The solder is included in the conductive portion and is part or all of the conductive portion.

본 발명에 관한 도전 재료는, 상기 결합제로서, 열 경화성 화합물과, 열 경화제를 포함한다. 본 발명에 관한 도전 재료에서는, 상기 열 경화제로서, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함한다.The conductive material according to the present invention contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as the binder. In the conductive material according to the present invention, as the thermal curing agent, a thiol curing agent and an amine curing agent are included.

본 발명에서는, 특정한 도전성 입자를 사용하고, 또한 열 경화성 화합물을 경화시키기 위하여 특정한 2종의 열 경화제를 병용하고 있다.In this invention, in order to use specific electroconductive particle and harden a thermosetting compound, two types of specific thermosetting agents are used together.

본 발명에서는, 상기한 구성이 구비되어 있으므로, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 전극 폭이 좁은 경우에, 전극 상에 도전성 입자의 땜납을 모으기 어려운 경향이 있지만, 본 발명에서는, 전극 폭이 좁아도, 전극 상에 땜납을 충분히 모을 수 있다. 본 발명에서는, 상기한 구성이 구비되어 있으므로, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 도전성 입자에 있어서의 땜납이, 상하의 대향한 전극 사이에 모이기 쉬워, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 전극 폭이 넓으면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다.In this invention, since the said structure is provided, even if an electrode width is narrow, the solder in electroconductive particle can be arrange|positioned efficiently on an electrode. When the width of the electrode is narrow, it tends to be difficult to collect the solder of conductive particles on the electrode, but in the present invention, even when the width of the electrode is narrow, the solder can be sufficiently collected on the electrode. In the present invention, since the above structure is provided, when the electrodes are electrically connected, the solder in the conductive particles tends to gather between the upper and lower facing electrodes, and the solder in the conductive particles is formed on the electrode (line) can be placed efficiently. Further, in the present invention, when the width of the electrode is wide, the solder in the conductive particles is more efficiently disposed on the electrode.

또한, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 본 발명에서는, 대향하는 전극 사이에 위치하지 않은 땜납을, 대향하는 전극 사이로 효율적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In addition, part of the solder in the conductive particles is difficult to be disposed in the region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in the region where the electrode is not formed can be significantly reduced. In the present invention, solder that is not located between the opposing electrodes can be efficiently moved between the opposing electrodes. Accordingly, reliability of conduction between the electrodes can be increased. In addition, it is possible to prevent electrical connection between electrodes adjacent to each other in the transverse direction, which should not be connected, so that insulation reliability can be improved.

또한, 본 발명에서는 도전 재료의 경화물의 내열성을 높일 수 있다. 특히, 광 반도체 장치에 도전 재료를 사용한 경우에, 광 조사 시에 발열하여, 도전 재료의 경화물이 고온 하에 노출된다. 본 발명에 관한 도전 재료는 경화물의 내열성이 우수하므로, 광 반도체 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 열 경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는 경우에 경화물의 내열성이 높아진다.Moreover, in this invention, the heat resistance of the hardened|cured material of a conductive material can be improved. In particular, when a conductive material is used for an optical semiconductor device, heat is generated during light irradiation, and the cured material of the conductive material is exposed to high temperatures. Since the electrically-conductive material concerning this invention is excellent in heat resistance of hardened|cured material, it can be used suitably for an optical semiconductor device. In particular, when the thermosetting compound contains a thermosetting compound having a triazine skeleton, the heat resistance of the cured product increases.

또한, 근년, 전자 부품의 소형화 등에 수반하여, 도전 재료의 경화물에는 고속 전송에 대응할 수 있는 것이 요구되고 있다. 본 발명에서는, 도전 재료의 경화물의 유전율을 낮출 수 있다. 이로 인해, 고속 전송에 대응할 수 있다. 본 발명에 관한 도전 재료는 경화물의 유전율을 낮출 수 있으므로, 고속 전송 용도에 적합하게 사용된다.Further, in recent years, with the downsizing of electronic components and the like, cured products of conductive materials are required to be able to cope with high-speed transmission. In the present invention, the dielectric constant of the cured product of the conductive material can be lowered. Due to this, it is possible to respond to high-speed transmission. Since the conductive material according to the present invention can lower the dielectric constant of a cured product, it is suitably used for high-speed transmission applications.

또한, 본 발명에서는, 전극 사이의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 재료를 상면에 배치한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과).Further, in the present invention, positional displacement between the electrodes can be prevented. In the present invention, when the second connection object member is superimposed on the first connection object member having the conductive material disposed thereon, in a state where the alignment of the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member are misaligned, Even when the first connection object member overlaps with the second connection object member, the misalignment can be corrected and the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member can be connected (self-alignment effect).

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위하여, 상기 도전 재료는, 25℃에서 액상인 것이 바람직하고, 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위하여, 상기 도전 재료의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 100Pa·s 이상이며, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 600Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 500Pa·s 이하이다. 상기 점도(η25)는, 배합 성분의 종류 및 배합량에 의해 적절히 조정 가능하다.In order to more efficiently place the solder on the electrode, the conductive material is preferably in a liquid state at 25°C, and is preferably a conductive paste. In order to more efficiently place the solder on the electrode, the viscosity at 25°C (η25) of the conductive material is preferably 10 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, still more preferably 100 Pa·s or more, preferably 800 Pa·s or less, more preferably 600 Pa·s or less, still more preferably 500 Pa·s or less. The said viscosity (η25) can be suitably adjusted according to the kind and compounding quantity of a compounding component.

상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The said viscosity (η25) can be measured on condition of 25 degreeC and 5 rpm using E-type viscometer ("TVE22L" by Toki Sangyo Co., Ltd.) etc., for example.

상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The conductive material may be used as a conductive paste and a conductive film. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the viewpoint of disposing the solder more efficiently on the electrode, it is preferable that the conductive material is a conductive paste. The conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. It is preferable that the said conductive material is a circuit connection material.

이하, 상기 도전 재료에 포함되는 각 성분을 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴옥시」는 「아크릴옥시」와 「메타크릴옥시」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, each component included in the conductive material will be described. In addition, in this specification, "(meth)acrylate" means one or both of "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acryloxy" means "acryloxy" and "methacryloxy" ”, and “(meth)acryl” means either or both of “acryl” and “methacryl”.

(도전성 입자)(conductive particles)

상기 도전성 입자는, 접속 대상 부재의 전극 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자여도 된다. 상기 땜납 입자는, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납이며, 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는, 코어 입자로서, 기재 입자를 갖지 않는다. 상기 땜납 입자는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하는 도전성 입자와는 상이하다. 상기 땜납 입자는, 예를 들어 땜납을 바람직하게는 80중량% 이상, 보다 바람직하게는 90중량% 이상, 더욱 바람직하게는 95중량% 이상으로 포함한다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다.The said electroconductive particle electrically connects between the electrodes of a connection object member. The said electroconductive particle has solder on the outer surface part of an electroconductive part. The conductive particles may be solder particles formed by solder. The solder particle has solder on the outer surface portion of the conductive portion. In the solder particle, both the central portion and the outer surface portion of the conductive portion are solder, and are formed by solder. The said solder particle does not have a substrate particle as a core particle. The said solder particle is different from substrate particle and electroconductive particle provided with the electrically conductive part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle. The solder particles contain, for example, solder at preferably 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, still more preferably 95% by weight or more. The said electroconductive particle may have substrate particle and the electroconductive part arrange|positioned on the surface of this substrate particle. In this case, the said electroconductive particle has solder on the outer surface part of a conductive part.

또한, 상기 땜납 입자를 사용한 경우에 비하여, 땜납에 의해 형성되어 있지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 상에 배치된 땜납부를 구비하는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 상에 도전성 입자가 모이기 어려워져, 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 상으로 이동한 도전성 입자가 전극 외부로 이동하기 쉬워지는 경향이 있어, 전극 사이의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자인 것이 바람직하다.In addition, compared to the case where the above solder particles are used, when conductive particles having substrate particles not formed by solder and solder portions disposed on the surface of the substrate particles are used, it is difficult for the conductive particles to gather on the electrode, Since the solder bondability between the conductive particles is low, the conductive particles that have migrated onto the electrodes tend to move to the outside of the electrodes, and the effect of suppressing misalignment between the electrodes also tends to be low. Therefore, it is preferable that the said electroconductive particle is a solder particle formed by solder.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는 것이 바람직하고, 카르복실기가 존재하는 것이 바람직하고, 아미노기가 존재하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, Si-O 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것이 바람직하고, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것도 바람직하다. 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기는, 카르복실기와 아미노기 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기 식 (X)에 있어서, 우측 단부 및 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the bonded structure and effectively suppressing the occurrence of voids, it is preferable that a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface of the conductive particles (the outer surface of the solder), and that a carboxyl group is present It is preferable, and it is preferable that an amino group is present. It is preferable that a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded to the outer surface of the conductive particles (the outer surface of the solder) via a Si-O bond, an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X), , It is also preferable that a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded via an ether bond, an ester bond, or a group represented by the following formula (X). The group containing a carboxyl group or an amino group may contain both a carboxyl group and an amino group. In addition, in the following formula (X), the right end and the left end represent binding sites.

Figure 112017038103568-pct00001
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땜납의 표면에 수산기가 존재한다. 이 수산기와 카르복실기를 포함하는 기를 공유 결합시킴으로써, 다른 배위 결합(킬레이트 배위) 등으로 결합시키는 경우보다도 강한 결합을 형성할 수 있기 때문에, 전극 사이의 접속 저항을 낮추고, 또한 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능한 도전성 입자가 얻어진다.Hydroxyl groups exist on the surface of the solder. By covalently bonding this hydroxyl group with a group containing a carboxyl group, a stronger bond can be formed than in the case of bonding with other coordination bonds (chelate coordination), etc., so it is necessary to lower the connection resistance between electrodes and suppress the occurrence of voids. Possible conductive particles are obtained.

상기 도전성 입자에서는, 땜납의 표면과, 카르복실기를 포함하는 기와의 결합 형태에 배위 결합이 포함되어 있지 않아도 되고, 킬레이트 배위에 의한 결합이 포함되어 있지 않아도 된다.In the above conductive particles, the form of bonding between the surface of the solder and the group containing a carboxyl group does not need to include a coordination bond or a bond by chelate coordination.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 화합물(이하, 화합물 X라고 기재하는 경우가 있음)을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 땜납의 표면에 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 통하여 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 얻을 수도 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 화합물 X를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the bonded structure and effectively suppressing the occurrence of voids, the conductive particles are a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, a carboxyl group, or an amino group (hereinafter sometimes referred to as compound X). It is preferably obtained by reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting hydroxyl groups on the surface of the solder with functional groups capable of reacting with the hydroxyl groups in the compound X, it is possible to easily obtain solder particles in which a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded to the surface of the solder. It is also possible to obtain solder particles in which a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded through an ether bond or an ester bond. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group, the compound X can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

상기 수산기와 반응 가능한 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 에스테르기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 수산기 또는 카르복실기가 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다.A hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, a carbonyl group, etc. are mentioned as a functional group reactable with the said hydroxyl group. A hydroxyl group or a carboxyl group is preferred. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be either a hydroxyl group or a carboxyl group.

수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, and 4-aminobutyric acid. , 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecane acids, hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15)-linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanoic acid and dodecanoic acid etc. can be mentioned. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has the functional group reactable with the said hydroxyl group, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together. It is preferable that the compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a compound having at least one carboxyl group.

상기 화합물 X는, 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하고, 상기 화합물 X는 땜납의 표면에 결합한 상태에서 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하다. 플럭스 작용을 갖는 화합물은, 땜납의 표면의 산화막 및 전극의 표면의 산화막을 제거 가능하다. 카르복실기는 플럭스 작용을 갖는다.The compound X preferably has a flux action, and the compound X preferably has a flux action in a state bonded to the surface of the solder. The compound having a flux action can remove the oxide film on the surface of the solder and the surface of the electrode. Carboxyl groups have a flux action.

플럭스 작용을 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산 및 4-페닐부티르산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 플럭스 작용을 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.As the compound having a flux action, levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid , 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has the said flux action, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가, 수산기 또는 카르복실기인 것이 바람직하다. 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가 카르복실기인 경우에는, 상기 화합물 X는, 카르복실기를 적어도 2개 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 적어도 2개 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를 땜납의 표면의 수산기에 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자가 얻어진다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the bonded structure and effectively suppressing generation of voids, it is preferable that the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is a hydroxyl group or a carboxyl group. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X may be either a hydroxyl group or a carboxyl group. When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, the compound X preferably has at least two carboxyl groups. By reacting some of the carboxyl groups of the compound having at least two carboxyl groups with hydroxyl groups on the surface of the solder, conductive particles in which groups containing carboxyl groups are covalently bonded to the surface of the solder are obtained.

상기 도전성 입자의 제조 방법은, 예를 들어 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 촉매 및 용매를 혼합하는 공정을 구비한다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기 혼합 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.The manufacturing method of the said electroconductive particle is equipped with the process of mixing the said electroconductive particle, the compound which has a functional group reactable with a hydroxyl group, and a carboxyl group, a catalyst, and a solvent, using electroconductive particle, for example. In the method for producing conductive particles, the conductive particles having a carboxyl group-containing group covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained through the mixing step.

또한, 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 상기 촉매 및 상기 용매를 혼합하고, 가열하는 것이 바람직하다. 혼합 및 가열 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 보다 한층 용이하게 얻을 수 있다.In addition, in the manufacturing method of the said electroconductive particle, it is preferable to mix the said electroconductive particle, the compound which has the said hydroxyl group reactable functional group and the carboxyl group, the said catalyst, and the said solvent using electroconductive particle, and heat. Through the mixing and heating steps, it is possible to more easily obtain conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder.

상기 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올 용매나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 톨루엔인 것이 보다 바람직하다. 상기 용매는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol and butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene and xylene. It is preferable that the said solvent is an organic solvent, and it is more preferable that it is toluene. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 촉매로서는, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 및 10-캄포술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매는 p-톨루엔술폰산인 것이 바람직하다. 상기 촉매는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. As for the said catalyst, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 혼합 시에 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다.It is preferable to heat at the time of said mixing. The heating temperature is preferably 90°C or higher, more preferably 100°C or higher, and preferably 130°C or lower, more preferably 110°C or lower.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 공정을 거쳐 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기의 질소 원자가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the bonded structure and effectively suppressing the occurrence of voids, the conductive particles are obtained through a step of reacting the isocyanate compound with hydroxyl groups on the surface of the solder using an isocyanate compound. desirable. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder, it is possible to easily obtain conductive particles in which a nitrogen atom of a group derived from an isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder. By reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder, a group derived from the isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

또한, 이소시아네이트기에서 유래하는 기에는, 실란 커플링제를 용이하게 반응시킬 수 있다. 상기 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있으므로, 상기 카르복실기를 포함하는 기가, 카르복실기를 갖는 실란 커플링제를 사용한 반응에 의해 도입되어 있거나, 또는 실란 커플링제를 사용한 반응 후에, 실란 커플링제에서 유래하는 기에 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시킴으로써 도입되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.Moreover, a silane coupling agent can be easily made to react with the group derived from an isocyanate group. Since the conductive particles can be easily obtained, the group containing a carboxyl group is introduced by a reaction using a silane coupling agent having a carboxyl group, or a carboxyl group is added to a group derived from a silane coupling agent after a reaction using a silane coupling agent. What is introduced by reacting the compound which has at least 1 is preferable. The conductive particles are preferably obtained by reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a compound having at least one carboxyl group after using the isocyanate compound to react the isocyanate compound.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이, 카르복실기를 복수 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the compound which has at least one carboxyl group has two or more carboxyl groups from a viewpoint of effectively lowering the connection resistance in a bonded structure and suppressing generation|occurrence|production of a void effectively.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI) 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 등을 들 수 있다. 이들 이외의 이소시아네이트 화합물을 사용해도 된다. 이 화합물을 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔여 이소시아네이트기와, 그 잔여 이소시아네이트기와 반응성을 가지며, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI), and isophorone diisocyanate (IPDI). You may use isocyanate compounds other than these. After reacting this compound on the surface of the solder, a carboxyl group is introduced to the surface of the solder via a group represented by formula (X) by reacting a residual isocyanate group with a compound having a carboxyl group and having reactivity with the residual isocyanate group. can

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 가지며, 또한 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 예를 들어, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 들 수 있다. 이 화합물의 이소시아네이트기를 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔존하고 있는 불포화 이중 결합에 대하여 반응성을 갖는 관능기를 가지며, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.As said isocyanate compound, you may use the compound which has an unsaturated double bond and also has an isocyanate group. Examples include 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. After the isocyanate group of this compound is reacted on the surface of the solder, a compound having a reactive functional group with respect to the remaining unsaturated double bond and a carboxyl group is reacted, through the group represented by the formula (X) on the surface of the solder , can introduce a carboxyl group.

상기 실란 커플링제로서는, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란(신에쯔 실리콘사제 「KBE-9007」) 및 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란(MOMENTIVE사제 「Y-5187」) 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.As the silane coupling agent, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane ("KBE-9007" manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane ("Y-5187" manufactured by MOMENTIVE Corporation) etc. can be mentioned. As for the said silane coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the compound having at least one carboxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, and 4-aminobutyric acid. , 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecane acids, hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15)-linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanoic acid and dodecanoic acid etc. can be mentioned. Preference is given to glutaric acid, adipic acid or glycolic acid. As for the compound which has at least one said carboxyl group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 복수 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납의 표면의 수산기와 반응시킴으로써, 카르복실기를 포함하는 기를 잔존시킬 수 있다.After the isocyanate compound is reacted with hydroxyl groups on the surface of the solder using the isocyanate compound, the carboxyl groups of some of the compounds having a plurality of carboxyl groups are reacted with the hydroxyl groups on the surface of the solder, so that groups containing carboxyl groups can remain. there is.

상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하고, 또한 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시켜, 땜납의 표면에 상기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 포함하는 기가 결합하고 있는 도전성 입자를 얻는다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기한 공정에 의해 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 도입된 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing conductive particles, after using conductive particles and using an isocyanate compound to react the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder, a compound having at least one carboxyl group is reacted to form the surface of the solder The electroconductive particle with which the group containing a carboxyl group is couple|bonded via the group represented by the said formula (X) is obtained. In the above method for producing conductive particles, it is possible to easily obtain conductive particles having a group containing a carboxyl group introduced into the surface of the solder by the above steps.

상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 땜납의 표면에 실란 커플링제를 공유 결합시킨다. 이어서, 실란 커플링제의 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기를 가수분해함으로써, 수산기를 생성시킨다. 생성된 수산기에, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 카르복실기를 반응시킨다.As a specific manufacturing method of the said electroconductive particle, the following method is mentioned. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. After that, a silane coupling agent is covalently bonded to the surface of the solder using a reaction catalyst between the hydroxyl group and isocyanate group on the surface of the solder of the conductive particles. Subsequently, a hydroxyl group is produced by hydrolyzing the alkoxy group bonded to the silicon atom of the silane coupling agent. The carboxyl group of the compound which has at least one carboxyl group is made to react with the produced|generated hydroxyl group.

또한, 상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 공유 결합을 형성시킨다. 그 후, 도입된 불포화 이중 결합에 대하여, 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킨다.In addition, as a specific manufacturing method of the said electroconductive particle, the following method is mentioned. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. After that, a covalent bond is formed using a reaction catalyst between the hydroxyl group on the surface of the solder of the conductive particles and the isocyanate group. Thereafter, a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group is reacted with respect to the introduced unsaturated double bond.

도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매로서는, 주석계 촉매(디부틸주석디라우레이트 등), 아민계 촉매(트리에틸렌디아민 등), 카르복실레이트 촉매(나프텐산납, 아세트산칼륨 등) 및 트리알킬포스핀 촉매(트리에틸포스핀 등) 등을 들 수 있다.Examples of the reaction catalyst between the hydroxyl group and isocyanate group on the solder surface of the conductive particles include tin-based catalysts (dibutyltin dilaurate, etc.), amine-based catalysts (triethylenediamine, etc.), carboxylate catalysts (lead naphthenate, potassium acetate, etc.) ) and trialkylphosphine catalysts (such as triethylphosphine).

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은 플럭스 작용을 갖는다. 또한, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은, 땜납의 표면에 도입된 상태에서 플럭스 작용을 갖는다.It is preferable that the compound which has at least one carboxyl group is a compound represented by following formula (1) from a viewpoint of effectively lowering connection resistance in a bonded structure and suppressing generation|occurrence|production of a void effectively. The compound represented by the following formula (1) has a flux action. In addition, the compound represented by the following formula (1) has a flux action in a state introduced to the surface of the solder.

Figure 112017038103568-pct00002
Figure 112017038103568-pct00002

상기 식 (1) 중 X는, 수산기와 반응 가능한 관능기를 나타내고, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 해당 유기기는, 탄소 원자와 수소 원자와 산소 원자를 포함하고 있어도 된다. 해당 유기기는 탄소수 1 내지 5의 2가의 탄화수소기여도 된다. 상기 유기기의 주쇄는 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 해당 유기기에서는, 2가의 탄화수소기에 카르복실기나 수산기가 결합하고 있어도 된다. 상기 식 (1)로 표시되는 화합물에는, 예를 들어 시트르산이 포함된다.In the above formula (1), X represents a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, and R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom, and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to the divalent hydrocarbon group. Citric acid is contained in the compound represented by said Formula (1), for example.

상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1A) 또는 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the compound which has the said carboxyl group at least 1 is a compound represented by following formula (1A) or following formula (1B). It is preferable that it is a compound represented by the following formula (1A), and, as for the said compound which has at least one carboxyl group, it is more preferable that it is a compound represented by the following formula (1B).

Figure 112017038103568-pct00003
Figure 112017038103568-pct00003

상기 식 (1A) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (1A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1A) is the same as R in the formula (1).

Figure 112017038103568-pct00004
Figure 112017038103568-pct00004

상기 식 (1B) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (1B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면에, 하기 식 (2A) 또는 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 땜납의 표면에, 하기 식 (2A)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하고, 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (2A) 및 하기 식 (2B)에 있어서, 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a group represented by the following formula (2A) or the following formula (2B) is bonded to the surface of the solder. It is preferable that a group represented by the following formula (2A) is bonded to the surface of the solder, and it is more preferable that a group represented by the following formula (2B) is bonded. In addition, in the following formula (2A) and the following formula (2B), the left end represents a binding site.

Figure 112017038103568-pct00005
Figure 112017038103568-pct00005

상기 식 (2A) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (2A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2A) is the same as R in the formula (1).

Figure 112017038103568-pct00006
Figure 112017038103568-pct00006

상기 식 (2B) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (2B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면 습윤성을 높이는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이하이다.From the viewpoint of improving the surface wettability of the solder, the compound having at least one carboxyl group has a molecular weight of preferably 10000 or less, more preferably 1000 or less, still more preferably 500 or less.

상기 분자량은, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이 중합체가 아닐 경우 및 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 구조식을 특정할 수 있는 경우에는, 당해 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미한다. 또한, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이 중합체인 경우에는 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be identified. In addition, when the compound which has at least 1 said carboxyl group is a polymer, it means a weight average molecular weight.

도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있는 점에서, 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 음이온 중합체는 산성기를 갖는 중합체이다.It is preferable that the said electroconductive particle has an electroconductive particle main body and the anionic polymer arrange|positioned on the surface of the said electroconductive particle main body from the point which can effectively raise the cohesiveness of electroconductive particle at the time of conductive connection. It is preferable that the said electroconductive particle is obtained by surface-treating the electroconductive particle main body with an anionic polymer or a compound used as an anionic polymer. It is preferable that the said electroconductive particle is a surface-treated material by the compound used as an anionic polymer or an anionic polymer. As for the said anionic polymer and the compound used as the said anionic polymer, only 1 type may be used respectively, and 2 or more types may be used together. The anionic polymer is a polymer having an acidic group.

도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로부터 합성되며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로부터 합성되며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체 및 카르복실기를 갖는 변성 폴리비닐알코올(닛폰 고세이 가가꾸사제 「고세이 넥스 T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.As a method of surface treatment of the conductive particle body with an anionic polymer, as the anionic polymer, for example, a (meth)acrylic polymer copolymerized with (meth)acrylic acid, a polyester synthesized from dicarboxylic acid and diol and having carboxyl groups at both ends Polymer, a polymer obtained by intermolecular dehydration condensation of dicarboxylic acid and having carboxyl groups at both ends, a polyester polymer synthesized from dicarboxylic acid and diamine and having carboxyl groups at both ends, and modified polyvinyl alcohol having carboxyl groups ("Kosei Nex T" by Nippon Kosei Chemical Co., Ltd.) etc., The method of making the carboxyl group of an anionic polymer and the hydroxyl group of the surface of the electroconductive particle main body react is mentioned.

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그 이외에는, 토실기(p-H3CC6H4S(=O)2-), 술폰산 이온기(-SO3-) 및 인산 이온기(-PO4-) 등을 들 수 있다.Examples of the anionic portion of the anionic polymer include the carboxyl group, and other than that, a tosyl group (pH 3 CC 6 H 4 S(=O) 2 -), a sulfonate ion group (-SO 3 -), and a phosphate ion group ( -PO 4 -) etc. are mentioned.

또한, 표면 처리의 다른 방법으로서는, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 더 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 도전성 입자 본체의 표면 상에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.In addition, as another method of surface treatment, a compound having a functional group that reacts with a hydroxyl group on the surface of the conductive particle body and a functional group capable of being polymerized by an addition or condensation reaction is used, and this compound is polymerized on the surface of the conductive particle body. You can find a way to get angry. A carboxyl group, an isocyanate group, etc. are mentioned as a functional group which reacts with the hydroxyl group of the surface of the electroconductive particle body, A hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and a (meth)acryloyl group are mentioned as a functional group which superposes|polymerizes by addition and condensation reaction. .

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상이며, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 표면에 충분한 양의 전하 및 플럭스성을 도입할 수 있다. 이에 의해, 도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 대상 부재의 접속 시에 전극의 표면의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, and preferably 10000 or less, more preferably 8000 or less. When the weight average molecular weight is more than the above lower limit and less than or equal to the above upper limit, a sufficient amount of charge and flux properties can be introduced into the surface of the conductive particles. In this way, the cohesiveness of the conductive particles can be effectively increased at the time of conductive connection, and the oxide film on the surface of the electrode can be effectively removed at the time of connection of the member to be connected.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자 본체의 표면 상에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 도전 접속 시에 땜납 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있어, 전극 상에 도전성 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.When the weight average molecular weight is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, it is easy to dispose the anionic polymer on the surface of the conductive particle body, and the cohesiveness of the solder particles can be effectively increased during conductive connection, thereby forming the conductive particles on the electrode. can be placed more efficiently.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산으로의 중량 평균 분자량을 나타낸다.The said weight average molecular weight shows the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

도전성 입자 본체를 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량은, 도전성 입자 중의 땜납을 용해하여, 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해 도전성 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.The weight average molecular weight of the polymer obtained by surface treatment of the conductive particle body with a compound that becomes an anionic polymer is the weight of the polymer remaining after dissolving the solder in the conductive particles and removing the conductive particles with dilute hydrochloric acid or the like that does not cause polymer decomposition. It can be obtained by measuring the average molecular weight.

음이온 중합체의 도전성 입자의 표면에 있어서의 도입량에 관해서는, 도전성 입자 1g당 산가가, 바람직하게는 1㎎KOH 이상, 보다 바람직하게는 2㎎KOH 이상이며, 바람직하게는 10㎎KOH 이하, 보다 바람직하게는 6㎎KOH 이하이다.Regarding the introduction amount of the anionic polymer on the surface of the conductive particles, the acid value per 1 g of the conductive particles is preferably 1 mgKOH or more, more preferably 2 mgKOH or more, preferably 10 mgKOH or less, more preferably It is preferably less than 6mgKOH.

상기 산가는 이하와 같이 하여 측정 가능하다. 도전성 입자 1g을 아세톤 36g에 첨가하고, 초음파로 1분간 분산시킨다. 그 후, 지시약으로서 페놀프탈레인을 사용하여, 0.1㏖/L의 수산화칼륨에탄올 용액으로 적정한다.The said acid value can be measured as follows. 1 g of conductive particles are added to 36 g of acetone and dispersed by ultrasonic waves for 1 minute. Then, it titrates with a 0.1 mol/L potassium hydroxide ethanol solution using phenolphthalein as an indicator.

이어서, 도면을 참조하면서, 도전성 입자의 구체예를 설명한다.Next, the specific example of electroconductive particle is demonstrated, referring drawings.

도 4는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles usable for a conductive material.

도 4에 도시하는 도전성 입자(21)는 땜납 입자이다. 도전성 입자(21)는 전체가 땜납에 의해 형성되어 있다. 도전성 입자(21)는 기재 입자를 코어에 갖지 않아, 코어-쉘 입자가 아니다. 도전성 입자(21)는 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다.The conductive particles 21 shown in FIG. 4 are solder particles. The conductive particles 21 are entirely formed of solder. The conductive particles 21 do not have substrate particles in the core and are not core-shell particles. In the conductive particles 21, both the central portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed by soldering.

도 5는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles usable for the conductive material.

도 5에 도시하는 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 도전부(33)를 구비한다. 도전부(33)는, 기재 입자(32)의 표면을 피복하고 있다. 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)의 표면이 도전부(33)에 의해 피복된 피복 입자이다.Electroconductive particle 31 shown in FIG. 5 is provided with substrate particle 32 and the conductive part 33 arrange|positioned on the surface of substrate particle 32. As shown in FIG. The conductive portion 33 covers the surface of the substrate particle 32 . The conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the substrate particles 32 is coated with the conductive portion 33 .

도전부(33)는 제2 도전부(33A)와, 땜납부(33B)(제1 도전부)를 갖는다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와 땜납부(33B) 사이에, 제2 도전부(33A)를 구비한다. 따라서, 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 제2 도전부(33A)와, 제2 도전부(33A)의 외표면 상에 배치된 땜납부(33B)를 구비한다.The conductive portion 33 includes a second conductive portion 33A and a solder portion 33B (first conductive portion). The electroconductive particle 31 is equipped with the 2nd electroconductive part 33A between the substrate particle 32 and the solder part 33B. Therefore, the electroconductive particle 31 is arrange|positioned on the substrate particle 32, the 2nd electroconductive part 33A arrange|positioned on the surface of the substrate particle 32, and the outer surface of the 2nd electroconductive part 33A. A solder portion 33B is provided.

도 6은 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles usable for the conductive material.

상기한 바와 같이 도전성 입자(31)에 있어서의 도전부(33)는 2층 구조를 갖는다. 도 6에 도시하는 도전성 입자(41)는 단층의 도전부로서, 땜납부(42)를 갖는다. 도전성 입자(41)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 땜납부(42)를 구비한다.As described above, the conductive portion 33 in the conductive particles 31 has a two-layer structure. The conductive particles 41 shown in FIG. 6 have a solder portion 42 as a single-layer conductive portion. The conductive particles 41 include substrate particles 32 and solder portions 42 disposed on the surfaces of the substrate particles 32 .

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속을 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 구리 입자여도 된다.Examples of the substrate particles include inorganic particles other than resin particles and metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. It is preferable that the said substrate particle is substrate particle excluding metal, and it is preferable that it is inorganic particle or organic-inorganic hybrid particle|grains excluding resin particle and metal particle. Copper particles may be sufficient as the said substrate particle.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are suitably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester Resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, divinylbenzene polymer and divinylbenzene copolymer, etc. can be heard As said divinylbenzene type copolymer etc., a divinylbenzene-styrene copolymer, a divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer, etc. are mentioned. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 해당 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When obtaining the resin particle by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group include a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable monomer.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.As said non-crosslinkable monomer, For example, Styrenic monomers, such as styrene and (alpha)-methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers, such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, cetyl (meth) Alkyl (meth)acrylate compounds, such as an acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate; oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate, and glycidyl (meth)acrylate; nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; Vinyl ether compounds, such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; and halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth)acrylate, pentafluoroethyl (meth)acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane di(meth)acrylate, and trimethylolpropane tri(meth)acrylate. Relate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate polyfunctional (meth)acrylate compounds such as poly(poly)propylene glycol di(meth)acrylate, (poly)tetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; Triallyl(iso)cyanurate, triallyltrimellitate, divinylbenzene, diallylphthalate, diallylacrylamide, diallylether, γ-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene and silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지의 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 시드 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of swelling and polymerizing a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.In the case where the substrate particles are inorganic particles other than metal or organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic substances for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. The particles formed of the silica are not particularly limited, and examples thereof include particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, followed by firing as necessary. can Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자는 구리 입자인 것이 바람직하다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the said substrate particle is a metal particle, silver, copper, nickel, silicon, gold, titanium, etc. are mentioned as a metal for forming this metal particle. When the said substrate particle is a metal particle, it is preferable that this metal particle is a copper particle. However, it is preferable that the said substrate particle is not a metal particle.

상기 기재 입자의 표면 상에 도전부를 형성하는 방법, 및 상기 기재 입자의 표면 상 또는 상기 제2 도전부의 표면 상에 땜납부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적인 충돌에 의한 방법, 메카노케미컬 반응에 의한 방법, 물리적 증착 또는 물리적 흡착에 의한 방법, 및 금속 분말 혹은 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 무전해 도금, 전기 도금 또는 물리적인 충돌에 의한 방법이 적합하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 물리적인 충돌에 의한 방법에서는, 예를 들어 세타 콤포저(도쿠주 고사꾸쇼사제) 등이 사용된다.The method of forming an electroconductive part on the surface of the said substrate particle, and the method of forming a solder part on the surface of the said substrate particle, or on the surface of the said 2nd electroconductive part are not specifically limited. As a method of forming the conductive portion and the solder portion, for example, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, by physical vapor deposition or physical adsorption method, and a method of coating the surface of the substrate particle with a paste containing metal powder or metal powder and a binder, and the like. Among them, methods by electroless plating, electroplating or physical impact are suitable. Methods such as vacuum deposition, ion plating, and ion sputtering are exemplified as methods by the physical vapor deposition. In addition, in the method by the said physical collision, theta composer (made by Tokuju Kosakusho Co., Ltd.) etc. are used, for example.

상기 기재 입자의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 융점은, 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 450℃를 초과한다. 또한, 상기 기재 입자의 융점은 400℃ 미만이어도 된다. 상기 기재 입자의 융점은 160℃ 이하여도 된다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 미만이어도 된다.It is preferable that the melting|fusing point of the said substrate particle is higher than the melting|fusing point of the said soldering part. The melting point of the substrate particles preferably exceeds 160°C, more preferably exceeds 300°C, still more preferably exceeds 400°C, and particularly preferably exceeds 450°C. Moreover, the melting|fusing point of the said substrate particle may be less than 400 degreeC. 160 degreeC or less may be sufficient as the melting|fusing point of the said substrate particle. It is preferable that the softening point of the said substrate particle is 260 degreeC or more. The softening point of the said substrate particle may be less than 260 degreeC.

상기 도전성 입자는 단층의 땜납부를 갖고 있어도 된다. 상기 도전성 입자는 복수의 층의 도전부(땜납부, 제2 도전부)를 갖고 있어도 된다. 즉, 상기 도전성 입자에서는, 도전부를 2층 이상 적층해도 된다.The said electroconductive particle may have a solder part of a single layer. The said electroconductive particle may have a several layered conductive part (solder part, 2nd conductive part). That is, in the said electroconductive particle, you may laminate|stack two or more layers of electroconductive parts.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납부는, 융점이 450℃ 이하인 금속층(저융점 금속층)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속층은, 저융점 금속을 포함하는 층이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 주석을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 땜납부에 포함되는 금속 100중량% 중 및 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 금속 100중량% 중 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 중의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전성 입자와 전극의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The solder is preferably a metal having a melting point of 450°C or lower (low melting point metal). The solder portion is preferably a metal layer (low melting point metal layer) having a melting point of 450°C or less. The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. It is preferable that the solder in the said electroconductive particle is a metal particle (low melting point metal particle) whose melting|fusing point is 450 degreeC or less. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The said low-melting-point metal shows the metal whose melting|fusing point is 450 degreeC or less. The melting point of the low melting point metal is preferably 300°C or lower, more preferably 160°C or lower. Moreover, it is preferable that the solder in the said electroconductive particle contains tin. The content of tin in 100% by weight of the metal contained in the solder portion and in 100% by weight of the metal contained in the solder in the conductive particles is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably It is preferably 70% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the solder in the conductive particles is equal to or more than the lower limit, the reliability of conduction between the conductive particles and the electrode further increases.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.In addition, the tin content is measured using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrometer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) or a fluorescence X-ray analyzer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation). can be measured by

상기 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자를 사용함으로써 땜납이 용융되어 전극에 접합하여, 땜납이 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납과 전극이 점 접촉이 아니라 면 접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납과 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납과 전극의 박리가 보다 한층 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using conductive particles having the solder on the outer surface of the conductive portion, the solder is melted and bonded to the electrode, and the solder conducts between the electrodes. For example, since the solder and the electrode tend to make surface contact rather than point contact, the connection resistance is lowered. In addition, as a result of using conductive particles having solder on the outer surface of the conductive portion, the bonding strength between the solder and the electrode is increased, separation between the solder and the electrode is more difficult to occur, and the conduction reliability is effectively improved.

상기 땜납부 및 상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은, 주석 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은, 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은, 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The low melting point metal constituting the solder portion and the solder particle is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy, and tin-indium alloy. Among them, it is preferable that the low melting point metal is tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy in terms of excellent wettability to the electrode. It is more preferable that they are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

상기 땜납(땜납부)을 구성하는 재료는, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 그 중에서도 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납은, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하는 땜납, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 땜납인 것이 바람직하다.The material constituting the solder (solder portion) is preferably a filler metal having a liquidus line of 450°C or less based on JIS Z3001: welding terminology. As a composition of the said solder, the metal composition containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium, etc. is mentioned, for example. Among them, a tin-indium system (117°C process) or a tin-bismuth system (139°C process), which has a low melting point and is lead-free, is preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium or a solder containing tin and bismuth.

상기 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이기 위하여, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납과 전극의 접합 강도를 더욱 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부 또는 도전성 입자에 있어서의 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 100중량% 중 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.In order to further increase the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particles is nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese , metals such as chromium, molybdenum, and palladium may be included. Further, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particles preferably contains nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode in the solder portion or the conductive particles, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more in 100% by weight of the solder in the conductive particles. , preferably 1% by weight or less.

상기 제2 도전부의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 더욱 한층 바람직하게는 450℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 500℃를 초과하고, 가장 바람직하게는 600℃를 초과한다. 상기 땜납부는 융점이 낮기 때문에 도전 접속 시에 용융된다. 상기 제2 도전부는 도전 접속 시에 용융되지 않는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 땜납을 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시키고 또한 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 사용되는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점이 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것에 의해, 도전 접속 시에 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고, 상기 땜납부만을 용융시킬 수 있다.Preferably, the melting point of the second conductive part is higher than the melting point of the solder part. The melting point of the second conductive part preferably exceeds 160°C, more preferably exceeds 300°C, still more preferably exceeds 400°C, still more preferably exceeds 450°C, and particularly preferably is greater than 500°C, most preferably greater than 600°C. Since the solder portion has a low melting point, it melts during conductive connection. It is preferable that the second conductive part does not melt during conductive connection. The conductive particles are preferably used by melting the solder, preferably used by melting the solder portion, and preferably used without melting the solder portion and melting the second conductive portion. Since the melting point of the second conductive portion is higher than the melting point of the solder portion, only the solder portion can be melted without melting the second conductive portion during conductive connection.

상기 땜납부의 융점과 상기 제2 도전부의 융점의 차의 절댓값은 0℃를 초과하고, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 50℃ 이상, 가장 바람직하게는 100℃ 이상이다.The absolute value of the difference between the melting point of the solder portion and the melting point of the second conductive portion exceeds 0°C, preferably 5°C or higher, more preferably 10°C or higher, even more preferably 30°C or higher, particularly preferably 50°C or higher, most preferably 100°C or higher.

상기 제2 도전부는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부를 구성하는 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 아연, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴, 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서, 주석 도프 산화인듐(ITO)을 사용해도 된다. 상기 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Preferably, the second conductive part includes metal. The metal constituting the second conductive part is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. . Moreover, you may use tin-doped indium oxide (ITO) as said metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 제2 도전부는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층인 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층인 것이 보다 바람직하고, 구리층인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 입자는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층을 갖는 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층을 갖는 것이 보다 바람직하고, 구리층을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이들의 바람직한 도전부를 갖는 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 사용함으로써, 전극 사이의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 이들의 바람직한 도전부의 표면에는, 땜납부를 보다 한층 용이하게 형성할 수 있다.The second conductive portion is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and still more preferably a copper layer. It is preferable that electroconductive particle has a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, it is more preferable to have a nickel layer or a gold layer, and it is still more preferable to have a copper layer. The connection resistance between electrodes becomes further low by using the electroconductive particle which has these preferable electroconductive parts for the connection between electrodes. In addition, a solder portion can be formed more easily on the surface of these preferable conductive portions.

상기 땜납부의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 땜납부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자를 충분히 변형시킨다.The thickness of the solder portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, and is preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.3 μm or less. When the thickness of the solder portion is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles are not too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes.

상기 도전부의 두께(도전부 전체의 두께)는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전부의 두께는, 도전부가 다층인 경우에는 도전층 전체의 두께이다. 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive portion (thickness of the entire conductive portion) is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.5 μm. or less, particularly preferably 0.3 µm or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive layer when the conductive portion is multilayered. When the thickness of the conductive portion is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes without becoming too hard.

상기 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해지고, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극 사이의 접속 저항이 한층 더 낮아진다.When the conductive part is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, and preferably 0.5 μm or less, more preferably It is 0.1 μm or less. When the thickness of the outermost conductive layer is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the coating with the outermost conductive layer becomes uniform, the corrosion resistance is sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is further reduced.

상기 도전부의 두께는, 예를 들어 전계 방사형 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the said conductive part can be measured by observing the cross section of electroconductive particle using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), for example.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 3 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, still more preferably It is preferably 30 μm or less. When the average particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder of the conductive particles can be more efficiently disposed on the electrodes, and a large amount of solder of the conductive particles is disposed between the electrodes. It is easy, and the conduction reliability is further increased.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출하는 것이나, 레이저 회절식 입도 분포 측정을 행함으로써 구해진다.The "average particle diameter" of the said electroconductive particle shows a number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles is obtained by, for example, observing 50 random conductive particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing laser diffraction type particle size distribution measurement.

상기 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전성 입자의 형상은 구상이어도 되고, 편평상 등의 구상 이외의 형상이어도 된다.The shape of the said electroconductive particle is not specifically limited. The shape of the said electroconductive particle may be spherical, and shapes other than spherical shapes, such as a flat shape, may be sufficient as it.

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 특히 바람직하게는 30중량% 이상이며, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, even more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, particularly preferably It is preferably 30% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, still more preferably 50% by weight or less. When the content of the conductive particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder in the conductive particles can be more efficiently disposed on the electrodes, and it is easy to dispose a large amount of solder in the conductive particles between the electrodes. , the conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further enhancing conduction reliability, it is preferable that the content of the conductive particles is larger.

(열 경화성 화합물)(thermosetting compound)

상기 열 경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열 경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전 재료의 경화성 및 점도를 보다 한층 양호하게 하여, 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 에폭시 화합물 또는 에피술피드 화합물이 바람직하다. 상기 열 경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The said thermosetting compound is a compound which can be hardened by heating. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth)acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. . Among them, an epoxy compound or an episulfide compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further improving the connection reliability. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점 및 경화물의 유전율을 효과적으로 낮추는 관점에서는, 상기 열 경화성 화합물은, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물로서는 트리아진트리글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 닛산 가가꾸 고교사제 TEPIC 시리즈(TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) 등을 들 수 있다.From the viewpoints of effectively increasing the heat resistance of the cured product and effectively lowering the dielectric constant of the cured product, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having a triazine skeleton. Examples of the thermosetting compound having a triazine skeleton include triazine triglycidyl ether, and the TEPIC series manufactured by Nissan Chemical Industries (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) and the like.

상기 에폭시 화합물로서는, 방향족 에폭시 화합물을 들 수 있다. 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물, 벤조페논형 에폭시 화합물 등의 결정성 에폭시 화합물이 바람직하다. 상온(23℃)에서 고체이며, 또한 용융 온도가 땜납의 융점 이하인 에폭시 화합물이 바람직하다. 용융 온도는 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이고, 바람직하게는 40℃ 이상이다. 상기한 바람직한 에폭시 화합물을 사용함으로써 접속 대상 부재를 접합한 단계에서는, 점도가 높아, 반송 등의 충격에 의해 가속도가 부여되었을 때에 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있고, 게다가, 경화 시의 열에 의해, 도전 재료의 점도를 크게 저하시킬 수 있어, 땜납의 응집을 효율적으로 진행시킬 수 있다.As said epoxy compound, an aromatic epoxy compound is mentioned. Crystalline epoxy compounds, such as a resorcinol type epoxy compound, a naphthalene type epoxy compound, a biphenyl type epoxy compound, and a benzophenone type epoxy compound, are preferable. An epoxy compound that is solid at room temperature (23°C) and has a melting temperature below the melting point of solder is preferred. The melting temperature is preferably 100°C or lower, more preferably 80°C or lower, and preferably 40°C or higher. In the step of bonding the connection object members by using the above-described preferred epoxy compound, the viscosity is high, and positional displacement between the first connection object member and the second connection object member can be suppressed when acceleration is imparted by an impact such as conveyance. In addition, the viscosity of the conductive material can be greatly reduced by heat during curing, and the aggregation of the solder can be efficiently promoted.

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 열 경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상이며, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열 경화성 화합물의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the thermosetting compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less, More preferably, it is 98% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further enhancing the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting compound is higher.

(열 경화제)(heat curing agent)

상기 열 경화제는, 상기 열 경화성 화합물을 열 경화시킨다. 상기 열 경화제로서는, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 티올 경화제, 아민 경화제, 산 무수물 경화제, 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제) 및 열 라디칼 발생제 등이 있다. 본 발명에서는, 티올 경화제와 아민 경화제를 사용한다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하는 관점, 및 경화물의 내열성을 높이는 관점에서는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 도전성 입자를 사용하는 경우에, 티올 경화제와 아민 경화제를 병용하는 것에는 큰 의미가 있다. 상기 티올 경화제와 아민 경화제는 각각 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermal curing agent thermally cures the thermal curable compound. Examples of the thermal curing agent include an imidazole curing agent, a phenol curing agent, a thiol curing agent, an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a thermal cation initiator (thermal cation curing agent), and a thermal radical generating agent. In the present invention, a thiol curing agent and an amine curing agent are used. From the viewpoint of efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode and from the viewpoint of enhancing the heat resistance of the cured product, when using conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, a thiol curing agent and an amine curing agent are used in combination It has great meaning. As for the said thiol curing agent and amine curing agent, only 1 type may be used respectively, and 2 or more types may be used together.

상기 아민 경화제는 아미노기를 갖는다. 상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, m-크실렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 이소포론디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 노르보르헨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산, 라로민, 디아미노디페닐메탄, 벤질아민, 아디프산디히드라지드, 세바스산디히드라지드, 도데칸디오히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, 살리실산히드라지드, 폴리옥시프로필렌디아민 및 폴리옥시프로필렌트리아민 등을 들 수 있다.The amine curing agent has an amino group. The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane, bis (4-aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylene Diamine, diethylaminopropylamine, isophoronediamine, 1,3-bisaminomethylcyclohexane, norborhendiamine, 1,2-diaminocyclohexane, laromine, diaminodiphenylmethane, benzylamine, adip acid dihydrazide, sebacic acid dihydrazide, dodecanediohydrazide, isophthalic acid dihydrazide, salicylic acid hydrazide, polyoxypropylene diamine and polyoxypropylene triamine; and the like.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 아민 경화제는, 25℃에서 반응성이 낮은 아민 경화제인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 도전 재료의 경화도가 80% 이상이 되기 때문에, 25℃에서 24시간 이상 요하는 아민 경화제인 것이 바람직하고, 도전 재료의 경화도가 80% 이상이 되기 때문에, 25℃에서 48시간 이상 요하는 아민 경화제인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the amine curing agent is an amine curing agent with low reactivity at 25 ° C. Specifically, since the curing degree of the conductive material becomes 80% or more, it is preferable to use an amine curing agent that requires 24 hours or more at 25°C, and since the curing degree of the conductive material becomes 80% or more, it requires 48 hours or more at 25°C. It is more preferable that it is an amine curing agent that does.

상기 도전 재료의 경화도는, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The degree of curing of the conductive material can be measured as follows.

경화 전후의 도전 재료의 샘플을 준비한다. 10㎎의 샘플을 채취하고, 시차 주사 열량계(DSC)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 25℃부터 250℃까지 5℃/min으로 승온하는 조건에서 경화 전후의 샘플을 측정한다. 얻어진 측정 결과로부터, 발열 피크 비율에 따라 경화도를 구할 수 있다. 상기 시차 주사 열량계(DSC)로서는, 예를 들어 히타치 하이테크 사이언스사제 「DSC7020」 등이 사용된다.Samples of the conductive material before and after curing are prepared. A 10 mg sample is taken, and the sample before and after curing is measured using a differential scanning calorimeter (DSC) in a nitrogen atmosphere under conditions where the temperature is raised from 25°C to 250°C at a rate of 5°C/min. From the obtained measurement results, the curing degree can be determined according to the exothermic peak ratio. As said differential scanning calorimeter (DSC), "DSC7020" by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. etc. are used, for example.

상기 티올 경화제는 티올기를 갖는다. 상기 티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사키스-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The thiol curing agent has a thiol group. The thiol curing agent is not particularly limited, but trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexakis-3-mercaptopropionate etc. can be mentioned.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는 1급 티올 경화제인 것이 바람직하다.It is preferable that the said thiol curing agent is a 1st-class thiol curing agent from a viewpoint of distributing the solder in electroconductive particle more efficiently on an electrode and further improving the conduction reliability between electrodes.

또한, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는 티올기를 복수 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는, 폴리에테르 골격을 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는, 티올기를 4개 이상 갖는 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of further enhancing the reliability of conduction between electrodes, the thiol curing agent preferably has a plurality of thiol groups. It is preferable that the said thiol curing agent has a polyether frame|skeleton from a viewpoint of arrange|positioning the solder in electroconductive particle more efficiently on an electrode, and further improving the conduction reliability and insulation reliability between electrodes. It is preferable that the said thiol curing agent has 4 or more thiol groups from a viewpoint of arrange|positioning the solder in electroconductive particle on an electrode much more efficiently and further improving the conduction reliability between electrodes.

상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열 경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 열 경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction initiation temperature of the thermal curing agent is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 250°C or lower, more preferably 200°C or lower, still more preferably It is preferably 150°C or lower, particularly preferably 140°C or lower. The solder in electroconductive particle is arrange|positioned more efficiently on an electrode as the reaction start temperature of the said thermosetting agent is more than the said lower limit and below the said upper limit. The reaction initiation temperature of the thermal curing agent is particularly preferably 80°C or higher and 140°C or lower.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the reaction start temperature of the thermal curing agent is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particles, and more preferably 5 ° C. or more higher And, it is more preferable that it is higher than 10 ℃.

상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.The reaction initiation temperature of the thermal curing agent means the temperature at which the exothermic peak begins to rise in DSC.

상기 열 경화성 화합물 100중량부에 대하여, 상기 티올 경화제와 아민 경화제의 합계의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상이며, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전 재료를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않은 잉여의 열 경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 한층 더 높아진다.The total content of the thiol curing agent and the amine curing agent relative to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.01 part by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably Preferably it is 100 parts by weight or less, more preferably 75 parts by weight or less. It is easy to sufficiently harden an electrically-conductive material as content of a thermal curing agent is more than the said lower limit. If the content of the thermal curing agent is less than or equal to the above upper limit, it becomes difficult for the surplus thermal curing agent not involved in curing to remain after curing, and the heat resistance of the cured product further increases.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점, 및 경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료 중에서, 상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비는 바람직하게는 1:1 내지 100:1, 보다 바람직하게는 2:1 내지 50:1, 더욱 바람직하게는 4:1 내지 15:1이다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode and from the viewpoint of effectively increasing the heat resistance of the cured product, the weight ratio of the thiol curing agent and the amine curing agent in the conductive material is preferably 1:1 to 1:1. 100:1, more preferably 2:1 to 50:1, still more preferably 4:1 to 15:1.

(플럭스)(flux)

상기 도전 재료는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다.It is preferable that the said conductive material contains flux. The use of flux allows more effective placement of the solder on the electrodes. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding or the like can be used.

상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and inorganic halides, a mixture of zinc chloride and inorganic acids, molten salts, phosphoric acid, phosphoric acid derivatives, organic halides, hydrazine, organic acids and pine resin. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송지여도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.Ammonium chloride etc. are mentioned as said molten salt. As said organic acid, lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, glutaric acid, etc. are mentioned. As said paper, activation paper, inactivation paper, etc. are mentioned. It is preferable that the said flux is an organic acid or pine resin which has two or more carboxyl groups. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups or a pine resin. Conduction reliability between the electrodes is further enhanced by the use of an organic acid having two or more carboxyl groups and pine resin.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The rosin is a type of rosin containing abietic acid as a main component. The flux is preferably rosin, more preferably abietic acid. The reliability of conduction between the electrodes is further enhanced by the use of this preferred flux.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 160℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 한층 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘되어, 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The activation temperature (melting point) of the flux is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, and is preferably 200°C or lower, more preferably 190°C or lower, and more More preferably, it is 160°C or less, more preferably 150°C or less, still more preferably 140°C or less. When the activation temperature of the flux is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the effect of the flux is exhibited more effectively, and the solder is more efficiently disposed on the electrode. The activation temperature (melting point) of the flux is preferably 80°C or more and 190°C or less. The activation temperature (melting point) of the flux is particularly preferably 80°C or more and 140°C or less.

플럭스의 활성 온도(융점)가 80℃ 이상, 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.Examples of the fluxes having an activation temperature (melting point) of 80°C or more and 190°C or less include succinic acid (melting point 186°C), glutaric acid (melting point 96°C), adipic acid (melting point 152°C), and pimelic acid (melting point 104°C). ), dicarboxylic acids such as suberic acid (melting point: 142°C), benzoic acid (melting point: 122°C), and malic acid (melting point: 130°C).

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the boiling point of the flux is 200°C or less.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particles, more preferably 5° C. or higher, and 10 It is more preferable that it is higher than °C.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열 경화제의 반응 개시 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction initiation temperature of the thermal curing agent, more preferably 5 ° C. or higher, and 10 ° C. or higher Higher is more preferable.

상기 플럭스는 도전 재료 중에 분산되어 있어도 되고, 도전성 입자의 표면 상에 부착되어 있어도 된다.The said flux may be disperse|distributed in an electrically-conductive material, or may adhere on the surface of electroconductive particle.

플럭스의 융점이 땜납의 융점보다 높은 것에 의해, 전극 부분에 땜납을 효율적으로 응집시킬 수 있다. 이것은, 접합 시에 열을 부여한 경우, 접속 대상 부재 상에 형성된 전극과, 전극 주변의 접속 대상 부재의 부분을 비교하면, 전극 부분의 열 전도율이 전극 주변의 접속 대상 부재 부분의 열 전도율보다도 높은 것에 의해, 전극 부분의 승온이 빠른 것에 기인한다. 땜납의 융점을 초과한 단계에서는, 땜납의 내부는 용해되지만, 표면에 형성된 산화 피막은 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하고 있지 않으므로, 제거되지 않는다. 이 상태에서, 전극 부분의 온도가 먼저 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하기 때문에, 우선적으로 전극 상에 온 땜납의 표면의 산화 피막이 제거된다거나, 활성화된 플럭스에 의해 땜납의 표면의 전하가 중화됨으로써, 땜납이 전극의 표면 상에 번질 수 있다. 이에 의해, 전극 상에 효율적으로 땜납을 응집시킬 수 있다.When the melting point of the flux is higher than that of the solder, the solder can be efficiently aggregated in the electrode portion. This is because when heat is applied at the time of bonding, when comparing the electrode formed on the connection object member and the portion of the connection object member around the electrode, the thermal conductivity of the electrode portion is higher than the thermal conductivity of the connection object member portion around the electrode. This is due to the fact that the temperature rise of the electrode portion is rapid. At a stage where the melting point of the solder is exceeded, the inside of the solder is melted, but the oxide film formed on the surface is not removed because the melting point (activation temperature) of the flux has not been reached. In this state, since the temperature of the electrode portion first reaches the melting point (activation temperature) of the flux, the oxide film on the surface of the solder on the electrode is preferentially removed, or the charge on the surface of the solder is neutralized by the activated flux. By doing so, the solder can be spread on the surface of the electrode. Thereby, it is possible to efficiently aggregate the solder on the electrode.

상기 플럭스는, 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.It is preferable that the said flux is a flux which releases positive ion by heating. The solder can be placed on the electrodes more efficiently by the use of a flux that releases positive ions upon heating.

상기 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스로서는, 상기 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제)를 들 수 있다.Examples of the flux that releases cations by heating include the thermal cation initiator (thermal cation curing agent).

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상이며, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있지 않아도 된다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 한층 더 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 제거할 수 있다.The content of the flux in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less. The conductive material need not contain flux. When the content of the flux is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the formation of an oxide film on the surface of the solder and the electrode becomes more difficult, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be more effectively removed.

(절연성 입자)(insulating particles)

도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격을 고정밀도로 제어하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자의 표면에 접하고 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료 중에서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자와 이격되어 존재하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of controlling with high accuracy the distance between the connection target members connected by the cured material of the conductive material and the distance between the connection target members connected by the solder in the conductive particles, the conductive material contains insulating particles it is desirable In the above conductive material, the insulating particles do not have to adhere to the surface of the conductive particles. In the above conductive material, the insulating particles need not be in contact with the surface of the conductive particles. Among the conductive materials, it is preferable that the insulating particles exist apart from the conductive particles.

상기 절연성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.The average particle diameter of the insulating particles is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, still more preferably 25 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 75 μm or less, still more preferably It is preferably 50 μm or less. When the average particle diameter of the insulating particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the interval between connection target members connected by a cured product of a conductive material and the interval between connection target members connected by solder in the conductive particles This becomes even more appropriate.

상기 절연성 입자의 재료로서는, 절연성의 수지 및 절연성의 무기물 등을 들 수 있다. 상기 절연성의 수지로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서 예시한 상기 수지를 들 수 있다. 상기 절연성의 무기물로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 무기 입자를 형성하기 위한 무기물로서 예시한 상기 무기물을 들 수 있다.As a material of the said insulating particle|grain, insulating resin, an insulating inorganic substance, etc. are mentioned. As said insulating resin, the said resin illustrated as resin for forming the resin particle which can be used as substrate particle|grains is mentioned. As said insulating inorganic substance, the said inorganic substance illustrated as an inorganic substance for forming the inorganic particle which can be used as substrate particle|grains is mentioned.

상기 절연성 입자의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열 가소성 수지, 열 가소성 수지의 가교물, 열 경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating particles include polyolefin compounds, (meth)acrylate polymers, (meth)acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins, and water-soluble resins. etc. can be mentioned.

상기 폴리올레핀 화합물로서는, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열 가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열 경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.As said polyolefin compound, polyethylene, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-acrylic acid ester copolymer, etc. are mentioned. As said (meth)acrylate polymer, polymethyl (meth)acrylate, polyethyl (meth)acrylate, polybutyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. Examples of the block polymers include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymers, SB type styrene-butadiene block copolymers and SBS type styrene-butadiene block copolymers, and hydrogenated products thereof. As said thermoplastic resin, a vinyl polymer, a vinyl copolymer, etc. are mentioned. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Especially, water-soluble resin is preferable and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 도전 재료 100중량% 중 상기 절연성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상이며, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하고 있지 않아도 된다. 절연성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.The content of the insulating particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less. The said electrically-conductive material does not need to contain insulating particle|grains. If the content of the insulating particles is more than the lower limit and less than or equal to the upper limit, the distance between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the connection target member connected by the solder in the conductive particles are further increased. become suitable

(다른 성분)(other ingredients)

상기 도전 재료는, 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The conductive material, if necessary, for example, various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may contain

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)(Connection structure and manufacturing method of connection structure)

본 발명에 관한 접속 구조체는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는, 상기 접속부가, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The connection structure according to the present invention comprises a first connection object member having at least one first electrode on its surface, a second connection object member having at least one second electrode on its surface, said first connection object member, The connection part which connects the said 2nd connection object member is provided. In the connection structure according to the present invention, the connection portion is formed of the above-mentioned conductive material. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

상기 접속 구조체의 제조 방법은, 상술한 도전 재료를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 이상으로 상기 도전 재료를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 재료에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 마련한다. 바람직하게는, 상기 열 경화성 화합물의 경화 온도 이상으로 상기 도전 재료를 가열한다.The manufacturing method of the said connection structure includes the step of disposing the said conductive material on the surface of the 1st connection object member which has at least one 1st electrode on the surface using the above-mentioned conductive material, and the said conductive material a step of arranging a second connection object member having at least one second electrode on its surface on a surface opposite to the first connection object member side so that the first electrode and the second electrode face each other; By heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder in the particle, a connection portion connecting the first connection member and the second connection member is formed of the conductive material, and the first electrode and A step of electrically connecting the second electrode with a solder portion in the connecting portion is provided. Preferably, the conductive material is heated above the curing temperature of the thermosetting compound.

본 발명에 관한 접속 구조체 및 상기 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 재료를 사용하고 있으므로, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉬워, 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the bonded structure and the method for manufacturing the bonded structure according to the present invention, since a specific conductive material is used, solder in a plurality of conductive particles tends to gather between the first electrode and the second electrode, and the solder is applied to the electrode (line) can be placed efficiently. In addition, it is difficult for a portion of the solder to be placed in the region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder placed in the region where no electrode is formed can be significantly reduced. Accordingly, reliability of conduction between the first electrode and the second electrode can be increased. In addition, it is possible to prevent electrical connection between electrodes adjacent to each other in the transverse direction, which should not be connected, so that insulation reliability can be improved.

또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to efficiently dispose the solder of the plurality of conductive particles on the electrode and to significantly reduce the amount of solder disposed in the region where the electrode is not formed, it is better to use a conductive paste rather than a conductive film. desirable.

전극 사이에서의 땜납부의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 위의 땜납 습윤 면적(전극의 노출된 면적 100% 중 땜납이 접하고 있는 면적, 상기 접속부를 형성하기 전의 상기 제1 전극과 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 상기 제2 전극의 노출된 면적 100%에 대한, 상기 접속부를 형성한 후의 상기 땜납부가 접하고 있는 면적)은, 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상이며, 바람직하게는 100% 이하이다.The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, and preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. Solder wet area on the surface of the electrode (area in contact with the solder out of 100% of the exposed area of the electrode, exposed of the first electrode before forming the connection portion and the second electrode electrically connected to the first electrode The area in contact with the solder portion after forming the connection portion relative to 100% of the area) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 복수의 땜납부에 있어서, 땜납량의 균일성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 땜납부의 두께를 보다 한층 효과적으로 두껍게 할 수 있고, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 사이에 많이 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자에 있어서의 땜납의 양을 보다 한층 적게 할 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 보다 한층 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, pressurization is not performed, and the conductive material has a weight of the second connection object member. It is preferable to apply, and in the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, pressing pressure exceeding the force of the weight of the second connection object member is not applied to the conductive material it is desirable In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further improved in a plurality of solder portions. In addition, the thickness of the solder portion can be further effectively increased, and a large amount of solder in the plurality of conductive particles tends to gather between the electrodes, so that the solder in the plurality of conductive particles can be more efficiently applied on the electrode (line). can be placed as In addition, it is difficult for a part of the solder in the plurality of conductive particles to be disposed in the region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder in the region where the electrode is not formed is further reduced. can do less Accordingly, the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. In addition, electrical connection between electrodes adjacent to each other in the transverse direction, which should not be connected, can be further prevented, and insulation reliability can be further improved.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 보다 한층 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 하는 구성을 조합하여 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 보다 한층 높은 레벨에서 얻기 때문에 큰 의미가 있다.Further, in the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, when the weight of the second connection object member is applied to the conductive material without applying pressure, the electrode is formed before the connection portion is formed. The solder disposed in this unformed region (space) is more likely to gather between the first electrode and the second electrode, and the solder in the plurality of conductive particles is more efficiently disposed on the electrode (line) can do. In the present invention, the present invention adopts a combination of a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure. It is of great significance because the effect of is obtained at a higher level.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납분을 전극 표면에 흘러가게 하여 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있으며, 가압 압력은, 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0㎫ 이상, 바람직하게는 1㎫ 이상으로 하는 것이 기재되어 있으며, 또한, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫이어도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫이어도 되는 것은 기재되어 있지만, 0㎫를 초과하는 압력을 부여한 경우와 0㎫로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다. 또한, WO2008/023452A1에서는, 필름상이 아니라, 페이스트상의 도전 페이스트를 사용하는 것의 중요성에 대해서도 전혀 인식되어 있지 않다.In addition, in WO2008/023452A1, from the viewpoint of efficiently moving the solder powder by flowing it to the surface of the electrode, it is described that pressing with a predetermined pressure during bonding is necessary. From the point of view, it is described that, for example, 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the self-weight of the member disposed on the adhesive tape causes adhesion It is described that a predetermined pressure may be applied to the tape. In WO2008/023452A1, it is described that the pressure applied intentionally to the adhesive tape may be 0 MPa, but the difference in effect between the case where a pressure exceeding 0 MPa is applied and the case where it is set to 0 MPa is not described at all. In addition, in WO2008/023452A1, the importance of using a paste-form conductive paste rather than a film form is not recognized at all.

또한, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 의해 접속부 및 땜납부의 두께를 조정하는 것이 용이해진다. 한편, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 상이한 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다. 또한, 도전 필름에서는, 도전 페이스트에 비하여, 땜납의 용융 온도에서, 도전 필름의 용융 점도를 충분히 내릴 수 없어, 땜납의 응집이 저해되기 쉬운 경향이 있다.In addition, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection portion and the solder portion according to the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connecting portion, there is a problem that a conductive film having a different thickness or a conductive film having a predetermined thickness must be prepared. Further, in the conductive film, compared to the conductive paste, the melt viscosity of the conductive film cannot be lowered sufficiently at the melting temperature of the solder, and the aggregation of the solder tends to be easily inhibited.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, specific embodiment of this invention is described, referring drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 접속부(4)의 재료는 상술한 도전 재료이다. 본 실시 형태에서는, 도전 재료는 도전성 입자로서, 땜납 입자를 포함한다.The connection structure 1 shown in FIG. 1 connects the 1st connection object member 2, the 2nd connection object member 3, the 1st connection object member 2, and the 2nd connection object member 3. It is provided with the connection part 4 which is doing. The connecting portion 4 is formed of the above-mentioned conductive material. The material of the connection part 4 is the above-mentioned conductive material. In this embodiment, the conductive material is conductive particles and contains solder particles.

접속부(4)는, 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열 경화성 성분이 열 경화된 경화물부(4B)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 땜납부(4A)를 형성하기 위하여, 도전성 입자로서 땜납 입자를 사용하고 있다. 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 모두가, 땜납에 의해 형성되어 있다.The connection portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and bonded to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured. In this embodiment, in order to form the solder portion 4A, solder particles are used as the conductive particles. In the solder particle, both the central portion and the outer surface of the conductive portion are formed by solder.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에, 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에 땜납이 존재하고 있어도 된다.The 1st connection object member 2 has the some 1st electrode 2a on the surface (upper surface). The 2nd connection object member 3 has the some 2nd electrode 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by a solder portion 4A. Therefore, the 1st connection object member 2 and the 2nd connection object member 3 are electrically connected by the solder part 4A. In addition, in the connection part 4, solder does not exist in the area|region (hardened|cured material part 4B part) different from the solder part 4A gathered between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a. In a region different from the solder portion 4A (a portion of the cured product portion 4B), there is no solder that is separated from the solder portion 4A. In addition, as long as it is a small amount, solder may exist in a region different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a (cured product portion 4B portion).

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에, 복수의 땜납 입자가 모이고, 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화되어, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전부의 외표면 부분이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있어도 된다. 플럭스를 사용한 경우에는 가열에 의해 일반적으로 플럭스는 점차 실활된다.As shown in Fig. 1, in the bonded structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a, and after the plurality of solder particles are melted, the solder particles After the molten material spreads over the surface of the electrode, it is solidified to form the solder portion 4A. This increases the connection area between the solder portion 4A and the first electrode 2a and between the solder portion 4A and the second electrode 3a. That is, by using solder particles, compared to the case where conductive particles of metal such as nickel, gold, or copper are used for the outer surface portion of the conductive portion, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion 4A ) and the second electrode 3a increase in contact area. For this reason, the conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 increase. Also, the conductive material may contain flux. When flux is used, the flux is generally gradually deactivated by heating.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A) 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a) 사이의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있으며, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부로부터 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.Moreover, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all 4 A of solder parts are located in the opposing area|region between 1st and 2nd electrodes 2a and 3a. The connection structure 1X of the modified example shown in FIG. 3 differs from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in connection part 4X. The connection portion 4X has a solder portion 4XA and a cured product portion 4XB. Like the connection structure 1X, most of the solder portion 4XA is located in the region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other, and a part of the solder portion 4XA is located in the region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other. You may protrude sideways from the area|region where electrodes 2a and 3a oppose. The solder portion 4XA protruding laterally from the opposing regions of the first and second electrodes 2a and 3a is a part of the solder portion 4XA, and is not a solder separated from the solder portion 4XA. . Further, in the present embodiment, although the amount of solder separated from the solder portion can be reduced, the solder separated from the solder portion may exist in the cured product portion.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.Reducing the amount of solder particles used makes it easier to obtain the bonded structure 1 . If the amount of solder particles used is increased, it becomes easier to obtain the bonded structure 1X.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 접속 구조체(1, 1X)에서는, 제1 전극(2a)과 접속부(4, 4X)와 제2 전극(3a)의 적층 방향으로 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상)으로, 접속부(4, 4X) 중의 땜납부(4A, 4XA)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability, in the bonded structures 1 and 1X, the first electrode 2a and the second electrode 2a are stacked in the stacking direction of the first electrode 2a, the connection portions 4 and 4X, and the second electrode 3a. 50% or more (more preferably 60% or more, more preferably 60% or more) of 100% of the area of the mutually opposing portions of the first electrode 2a and the second electrode 3a when viewing the mutually opposing portions of the two electrodes 3a. Preferably 70% or more, particularly preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more), it is preferable that the solder portions 4A, 4XA in the connecting portions 4, 4X are disposed.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상)으로, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further increasing the conduction reliability, when viewing portions of the first electrode and the second electrode that face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode are viewed. 50% or more (more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, particularly preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more) out of 100% of the area of the portions facing each other of the two electrodes, It is preferable that the solder part in the said connection part is arrange|positioned.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분에, 상기 접속부 중의 땜납부의 70% 이상(보다 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 특히 바람직하게는 95% 이상, 특히 바람직하게는 99% 이상)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further increasing conduction reliability, when viewing portions of the first electrode and the second electrode facing each other in a direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode face each other. 70% or more (more preferably 80% or more, still more preferably 90% or more, particularly preferably 95% or more, particularly preferably 95% or more, particularly preferably is 99% or more) is preferably disposed.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method for manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to one embodiment of the present invention will be described.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열 경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)를 포함하는 도전 재료(11)를 배치한다(제1 공정). 사용한 도전 재료는, 열 경화성 성분(11B)으로서, 열 경화성 화합물과 티올 경화제와 아민 경화제를 포함한다.First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in Fig. 2 (a), on the surface of the first connection object member 2, the conductive material 11 containing the thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A is arranged (1st process). The conductive material used contains a thermosetting compound, a thiol curing agent, and an amine curing agent as the thermally curable component 11B.

제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 형성된 표면 상에, 도전 재료(11)를 배치한다. 도전 재료(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)(라인) 상과, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 상의 양쪽에 배치되어 있다.On the surface on which the 1st electrode 2a of the 1st connection object member 2 was formed, the electrically-conductive material 11 is arrange|positioned. After disposing of the conductive material 11, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on the region (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 재료(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a method of disposing the conductive material 11, application|coating by a dispenser, screen printing, discharge by an inkjet apparatus, etc. are mentioned.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위의 도전 재료(11)에 있어서, 도전 재료(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 재료(11)의 표면 상에, 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2(b), in the conductive material 11 on the surface of the first connection object member 2, the first connection object member 2 side of the conductive material 11 and arrange|positions the 2nd connection object member 3 on the surface of the opposite side (2nd process). On the surface of the electrically-conductive material 11, the 2nd connection object member 3 is arrange|positioned from the 2nd electrode 3a side. At this time, the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a are made to face.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다(제3 공정). 바람직하게는, 열 경화성 성분(11B)(결합제)의 경화 온도 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인다(자기 응집 효과). 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되어, 서로 접합한다. 또한, 열 경화성 성분(11B)은 열 경화된다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 재료(11)에 의해 형성한다. 도전 재료(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합됨으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열 경화성 성분(11B)이 열 경화됨으로써 경화물부(4B)가 형성된다.Next, the conductive material 11 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (binder). During this heating, the solder particles 11A existing in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In the case of using a conductive paste instead of a conductive film, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Further, the solder particles 11A are melted and bonded to each other. Also, the heat curable component 11B is heat cured. As a result, as shown in FIG. 2(c) , the connection portion 4 connecting the first connection object member 2 and the second connection object member 3 is formed by the conductive material 11. do. The connection portion 4 is formed of the conductive material 11, the solder portion 4A is formed by bonding a plurality of solder particles 11A, and the thermosetting component 11B is thermally cured, thereby forming the cured product portion 4B. is formed

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는 편이 바람직하다. 이 경우에는, 도전 재료(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)와 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 하나에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려는 작용이 저해되는 경향이 높아진다.In this embodiment, it is preferable not to pressurize in the said 2nd process and the said 3rd process. In this case, the weight of the second connection object member 3 is applied to the conductive material 11 . For this reason, at the time of formation of the connection part 4, the solder particle 11A collects effectively between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a. In addition, in at least one of the second process and the third process, when pressurization is performed, the tendency for solder particles to gather between the first electrode and the second electrode is inhibited.

단, 제1 전극과 제2 전극의 간격을 확보할 수 있으면, 가압을 행해도 된다. 전극 사이의 간격을 확보하는 수단으로서, 예를 들어 원하는 전극 사이의 간격에 상당하는 절연성 입자(스페이서)를 첨가하고, 적어도 1개, 바람직하게는 3개 이상의 절연성 입자가 전극 사이에 배치되게 하면 된다.However, as long as the space between the first electrode and the second electrode can be secured, pressurization may be performed. As a means for securing the interval between electrodes, for example, insulating particles (spacers) corresponding to the desired interval between electrodes may be added, and at least one, preferably three or more insulating particles may be disposed between the electrodes. .

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하고 있지 않기 때문에, 도전 재료를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이에 자기 응집한 용융된 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이의 땜납과 도전 재료의 그 밖의 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 편이 에너지적으로 안정되기 때문에, 그 최소 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트였던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 재료가 경화되어 있지 않은 것, 및 그 온도, 시간에서 도전 재료의 도전성 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.In addition, in this embodiment, since the pressurization is not performed, when the second connection object member is overlapped on the first connection object member coated with the conductive material, the electrode of the first connection object member and the second connection object member are separated. Even when the first connection object member and the second connection object member overlap with each other in a state where the alignment of the electrodes is misaligned, the misalignment can be corrected and the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member can be connected. Yes (self-alignment effect). This is because the molten solder self-aggregated between the electrode of the first connection member and the electrode of the second connection member is the solder between the electrode of the first connection member and the electrode of the second connection member and the conductive material. This is because the direction in which the area in contact with the external components is minimized is energetically stable, and the force acting on the connection structure that is the alignment, which is the connection structure with the minimum area, acts. At this time, it is preferable that the conductive material is not cured, and that the viscosity of components other than the conductive particles of the conductive material is sufficiently low at that temperature and time.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속하여 행하여져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 재료(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시켜, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위하여, 가열 부재 상에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. In addition, the said 2nd process and the said 3rd process may be performed continuously. Furthermore, after performing the said 2nd process, the obtained laminated body of the 1st connection object member 2, the electrically-conductive material 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and the said 3rd process is performed, can also To perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.

상기 제3 공정에서의 상기 가열 온도는, 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is preferably 140°C or higher, more preferably 160°C or higher, preferably 450°C or lower, more preferably 250°C or lower, still more preferably 200°C or lower.

또한, 상기 제1 가열 공정 후 또는 상기 제2 가열 공정 후에, 위치의 수정이나 제조의 재시행을 목적으로 하여, 제1 접속 대상 부재 또는 제2 접속 대상 부재를, 접속부로부터 박리할 수 있다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는, 바람직하게는 땜납의 융점 이상, 보다 바람직하게는 땜납의 융점(℃)+10℃ 이상이다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는, 땜납의 융점(℃)+100℃ 이하여도 된다.Moreover, after the said 1st heating process or the said 2nd heating process, the 1st connection object member or the 2nd connection object member can be peeled from a connection part for the purpose of correcting a position or retrying manufacture. The heating temperature for performing this peeling is preferably equal to or higher than the melting point of the solder, more preferably equal to or higher than the melting point (° C.) of the solder plus 10°C. The heating temperature for performing this peeling may be equal to or lower than the melting point (° C.) of solder + 100° C.

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납의 융점 이상 및 열 경화성 화합물의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용하여 또는 오븐을 사용하여 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.As the heating method in the third step, a method of heating the entire bonded structure using a reflow furnace or an oven to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting compound, or a method of heating only the connection portion of the bonded structure A method of local heating may be mentioned.

국소적으로 가열하는 방법에 사용하는 기구로서는, 핫 플레이트, 열풍을 부여하는 히트 건, 땜납 인두 및 적외선 히터 등을 들 수 있다.A hot plate, a heat gun for applying hot air, a soldering iron, an infrared heater, etc. are mentioned as a mechanism used for the method of locally heating.

또한, 핫 플레이트에서 국소적으로 가열할 때, 접속부 바로 아래는 열 전도성이 높은 금속으로, 그 밖의 가열하는 것이 바람직하지 않은 개소는 불소 수지 등의 열 전도성이 낮은 재질로, 핫 플레이트 상면을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, when locally heated on a hot plate, a metal with high thermal conductivity is used directly below the connection portion, and a material with low thermal conductivity such as fluororesin is used for other areas where it is undesirable to heat, forming the upper surface of the hot plate. it is desirable

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specifically, as the first and second connection target members, electronic components and resin films such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, capacitors and diodes, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, rigid flexible Electronic parts, such as circuit boards, such as a board|substrate, a glass epoxy board|substrate, and a glass board|substrate, etc. are mentioned. It is preferable that the said 1st, 2nd connection object member is an electronic component.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한 쪽이 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 땜납이 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 반하여, 도전 페이스트를 사용함으로써 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 땜납을 전극 상에 효율적으로 모음으로써, 전극 사이의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비하여, 가압을 행하지 않는 것에 의한 전극 사이의 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one of the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. It is preferable that the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have properties of high flexibility and relatively light weight. When a conductive film is used for the connection of such a connection object member, there is a tendency for solder to be difficult to gather on the electrode. In contrast, by using a conductive paste, even if a resin film, flexible printed circuit board, flexible flat cable or rigid flexible substrate is used, the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently increased by efficiently collecting solder on the electrodes. In the case of using a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable or a rigid flexible board, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is higher than in the case of using other connection object members such as semiconductor chips. obtained more effectively.

상기 접속 대상 부재에 형성되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도프된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도프된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode formed on the member to be connected include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the member to be connected is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode or a copper electrode. When the said connection object member is a glass substrate, it is preferable that the said electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In the case where the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Sn, Al, and Ga etc. are mentioned as said trivalent metal element.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

중합체 A:Polymer A:

(1) 비스페놀 F와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 제1 반응물의 합성:(1) Synthesis of a first reactant of bisphenol F and 1,6-hexanediol diglycidyl ether and a bisphenol F-type epoxy resin:

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 72중량부, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 270중량부 및 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사제 「에피클론(EPICLON) EXA-830CRP」) 30중량부를, 삼구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 100℃에서 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기와의 부가 반응 촉매인 테트라-n-부틸술포늄브로마이드 0.1중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 130℃에서 6시간, 부가 중합 반응시킴으로써 제1 반응물을 얻었다.Bisphenol F (including 4,4'-methylenebisphenol, 2,4'-methylenebisphenol, and 2,2'-methylenebisphenol in a weight ratio of 2:3:1) 72 parts by weight, 1,6-hexanediol digly 270 parts by weight of cydyl ether and 30 parts by weight of a bisphenol F-type epoxy resin ("Epiclon EXA-830CRP" manufactured by DIC Corporation) were placed in a three-necked flask and dissolved at 100°C under a nitrogen flow. Thereafter, 0.1 part by weight of tetra-n-butylsulfonium bromide, which is an addition reaction catalyst between a hydroxyl group and an epoxy group, was added, and addition polymerization was carried out at 130° C. for 6 hours under a nitrogen flow to obtain a first reactant.

NMR에 의해, 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하고, 제1 반응물이, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 가지며, 또한 에폭시기를 양 말단에 갖는 것을 확인했다.It was confirmed by NMR that the addition polymerization reaction had progressed, and the first reactant was a structural unit in which a hydroxyl group derived from bisphenol F, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and an epoxy group of a bisphenol F-type epoxy resin were bonded to each other in the main chain. , and it was confirmed that it had an epoxy group at both ends.

(2) 중합체 A의 합성(2) Synthesis of Polymer A

상기 제1 반응물 100중량부를, 삼구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 용해시켰다. 그 후, 신에쯔 실리콘사제 「KBE-9007」(3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란) 2중량부를 첨가하고, 제1 반응물의 측쇄 수산기와 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기의 반응 촉매인 디라우르산디부틸주석 0.002중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 110℃에서 5시간 진공 건조하여, 미반응의 KBE-9007을 제거했다.100 parts by weight of the first reactant was put into a three-necked flask and dissolved at 120° C. under a nitrogen flow. Then, 2 parts by weight of "KBE-9007" (3-isocyanate propyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. was added, and a reaction catalyst between the side chain hydroxyl group of the first reactant and the isocyanate group of 3-isocyanate propyltriethoxysilane 0.002 parts by weight of dibutyltin phosphorus dilaurate was added and reacted at 120°C for 4 hours under a nitrogen flow. Thereafter, vacuum drying was performed at 110°C for 5 hours to remove unreacted KBE-9007.

NMR에 의해, 제1 반응물의 측쇄 수산기와, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기의 반응이 진행된 것을 확인하고, 얻어진 화합물이, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 가지며, 또한 양 말단에 에폭시기를, 측쇄에 프로필트리에톡시실란기를 갖는 것을 확인했다. 이에 의해 페녹시 수지(중합체 A)를 얻었다.By NMR, it was confirmed that the reaction between the side chain hydroxyl group of the first reactant and the isocyanate group of 3-isocyanatepropyltriethoxysilane had progressed, and the obtained compound was hydroxyl group derived from bisphenol F and 1,6-hexanediol digly. It was confirmed that the main chain had a structural unit in which cydyl ether and an epoxy group of a bisphenol F-type epoxy resin were bonded, and also had an epoxy group at both ends and a propyltriethoxysilane group at the side chain. This obtained a phenoxy resin (polymer A).

열 경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 교에이샤 가가꾸사제 「에폴라이트 TDC-LC」, 에폭시 당량 120g/eqHeat curable compound 1: Resorcinol type epoxy compound, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. "Epolite TDC-LC", epoxy equivalent 120 g/eq

열 경화성 화합물 2: 에폭시 화합물, 아데카(ADEKA)사제 「EP-3300」, 에폭시 당량 160g/eqThermosetting compound 2: Epoxy compound, "EP-3300" manufactured by Adeka Co., Ltd., epoxy equivalent 160 g/eq

열 경화성 화합물 3: 에폭시 화합물, 닛산 가가꾸 고교사제 「TEPIC-SS」, 에폭시 당량 100g/eqThermosetting compound 3: Epoxy compound, "TEPIC-SS" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., epoxy equivalent 100 g/eq

열 경화성 화합물 4: 에폭시 화합물, 닛산 가가꾸 고교사제 「TEPIC-VL」, 에폭시 당량 135g/eqThermosetting compound 4: Epoxy compound, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. "TEPIC-VL", epoxy equivalent 135 g/eq

열 경화제 1: 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), SC 유끼 가가꾸사제 「TMMP」Thermal Curing Agent 1: Trimethylolpropanetris (3-mercaptopropionate), "TMMP" manufactured by SC Yuki Chemical Co., Ltd.

열 경화제 2: 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트, SC 유끼 가가꾸사제 「PEMP」Thermal curing agent 2: pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, "PEMP" manufactured by SC Yuki Chemical Co., Ltd.

열 경화제 3: 디펜타에리트리톨헥사키스-3-머캅토프로피오네이트, SC 유끼 가가꾸사제 「DPMP」Thermal curing agent 3: dipentaerythritol hexakis-3-mercaptopropionate, "DPMP" manufactured by SC Yuki Chemical Co., Ltd.

잠재성 에폭시 열 경화제 1: T&K TOKA사제 「후지 큐어 7000」Latent epoxy heat curing agent 1: "Fuji Cure 7000" manufactured by T&K TOKA

잠재성 에폭시 열 경화제 2: 아사히 가세이 이머티리얼즈사제 「HXA-3922HP」Latent epoxy heat curing agent 2: "HXA-3922HP" manufactured by Asahi Kasei E-Materials

잠재성 에폭시 열 경화제 3: 폴리옥시프로필렌디아민, 헌츠맨·코포레이션사제 「제파민 D-230」Latent epoxy heat curing agent 3: polyoxypropylene diamine, "Jeffamine D-230" manufactured by Huntsman Corporation

잠재성 에폭시 열 경화제 4: 폴리옥시프로필렌트리아민, 헌츠맨·코포레이션사제 「제파민 T-403」Latent epoxy heat curing agent 4: polyoxypropylenetriamine, "Jeffamine T-403" manufactured by Huntsman Corporation

플럭스 1: 글루타르산, 와코 쥰야쿠 고교사제, 융점 96℃Flux 1: glutaric acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point 96°C

절연성 입자: 평균 입자 직경 30㎛, CV값 5%, 연화점 330℃, 세키스이가가쿠 고교사제, 디비닐벤젠 가교 입자Insulating particles: average particle diameter of 30 μm, CV value of 5%, softening point of 330° C., Sekisui Chemical Co., Ltd., divinylbenzene crosslinked particles

땜납 입자 A(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경 5㎛))Solder particle A (SnBi solder particle, melting point 139°C, "ST-5" manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter (median diameter 5 µm))

땜납 입자 1 내지 3:Solder particles 1 to 3:

땜납 입자 1의 제작 방법:Manufacturing method of solder particle 1:

SnBi 땜납 입자(미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경) 5㎛)와, 글루타르산(2개의 카르복실기를 갖는 화합물, 와코 쥰야쿠 고교사제 「글루타르산」)을, 촉매인 p-톨루엔술폰산을 사용하여, 톨루엔 용매 중 90℃에서 탈수하면서 8시간 교반함으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자 1을 얻었다.SnBi solder particles (“ST-5” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter (median diameter) 5 μm) and glutaric acid (a compound having two carboxyl groups, “glutaric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used as a catalyst By using phosphorus p-toluenesulfonic acid and stirring for 8 hours while dehydrating at 90°C in a toluene solvent, solder particles 1 in which groups containing carboxyl groups are covalently bonded to the surface of the solder were obtained.

땜납 표면에 형성된 중합체의 분자량에 관해서는, 0.1N의 염산을 사용하여, 땜납을 용해 후, 중합체를 여과에 의해 회수하고, GPC에 의해 중량 평균 분자량을 구했다.Regarding the molecular weight of the polymer formed on the solder surface, after dissolving the solder with 0.1 N hydrochloric acid, the polymer was recovered by filtration and the weight average molecular weight was determined by GPC.

얻어진 땜납 입자 1에서는, CV값 20%, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=2000이었다.In the obtained solder particle 1, the CV value was 20% and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 2000.

땜납 입자 2의 제작 방법:Manufacturing method of solder particle 2:

SnBi 땜납 입자(미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경) 5㎛) 200g, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제(신에쯔 가가꾸 고교사제 「KBE-9007」) 10g과, 아세톤 70g을 삼구 플라스크에 칭량했다. 실온에서 교반하면서, 땜납 입자 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매인 디부틸주석라우레이트 0.25g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 100℃에서 2시간 가열했다. 그 후, 메탄올을 50g 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서, 60℃에서 1시간 가열했다.200 g of SnBi solder particles (“ST-5” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter (median diameter) 5 μm), 10 g of a silane coupling agent having an isocyanate group (“KBE-9007” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), and 70 g of acetone was weighed into a three-necked flask. While stirring at room temperature, 0.25 g of dibutyltin laurate, which is a reaction catalyst between hydroxyl groups on the surface of solder particles and isocyanate groups, was added, and the mixture was heated at 100°C for 2 hours in a nitrogen atmosphere while stirring. Then, 50 g of methanol was added, and it heated at 60 degreeC for 1 hour in nitrogen atmosphere under stirring.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 진공 건조로, 실온에서 1시간 탈용제를 행했다.Thereafter, it was cooled to room temperature, the solder particles were filtered with a filter paper, and desolvation was performed at room temperature for 1 hour by vacuum drying.

상기 땜납 입자를, 삼구 플라스크에 넣고, 아세톤 70g, 아디프산모노에틸30g, 에스테르 교환 반응 촉매인 모노부틸주석옥사이드 0.5g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 60℃에서 1시간 반응시켰다.The solder particles were placed in a three-necked flask, 70 g of acetone, 30 g of monoethyl adipate, and 0.5 g of monobutyltin oxide as a transesterification reaction catalyst were added, followed by reaction at 60°C for 1 hour under nitrogen atmosphere under stirring.

이에 의해, 실란 커플링제 유래의 실라놀기에 대하여, 아디프산모노에틸의 에스테르기를 에스테르 교환 반응에 의해 반응시켜, 공유 결합시켰다.As a result, the ester group of monoethyl adipate was reacted with the silanol group derived from the silane coupling agent by a transesterification reaction to form a covalent bond.

그 후, 아디프산을 10g 추가하고, 60℃에서 1시간 반응시킴으로써, 아디프산모노에틸의 실라놀기와 반응하고 있지 않은 잔여 에틸에스테르기에 대하여, 아디프산을 부가시켰다.Thereafter, 10 g of adipic acid was added and reacted at 60°C for 1 hour to add adipic acid to the remaining ethyl ester groups not reacting with the silanol group of monoethyl adipate.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 여과지 상에서 헥산으로 땜납 입자를 세정하고, 미반응 및 땜납 입자의 표면에 비공유 결합으로 부착되어 있는, 잔여 아디프산모노에틸, 아디프산을 제거한 뒤, 진공 건조로, 실온에서 1시간 탈용제를 행했다.Thereafter, cooling to room temperature, filtering the solder particles with a filter paper, washing the solder particles with hexane on the filter paper, and unreacted and non-covalently attached to the surface of the solder particles, residual monoethyl adipic acid, adip After removing the acid, desolvation was performed by vacuum drying at room temperature for 1 hour.

얻어진 땜납 입자를 볼 밀로 해쇄한 후, 소정의 CV값이 되도록 체를 선택했다.After the obtained solder particles were pulverized with a ball mill, a sieve was selected so as to have a predetermined CV value.

이에 의해, 땜납 입자 2를 얻었다. 얻어진 땜납 입자 2에서는, CV값 20%, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=9800이었다.In this way, solder particles 2 were obtained. In the obtained solder particle 2, the CV value was 20% and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 9800.

땜납 입자 3의 제작 방법:Manufacturing method of solder particle 3:

상기 땜납 입자 2를 얻는 공정에서, 아디프산모노에틸을 글루타르산모노에틸로 변경하고, 아디프산을 글루타르산으로 변경한 것 이외는 마찬가지로 하여, 땜납 입자 3을 얻었다.In the step of obtaining the solder particles 2, solder particles 3 were obtained in the same manner except that monoethyl adipate was changed to monoethyl glutarate and adipic acid was changed to glutaric acid.

얻어진 땜납 입자 3에서는, CV값 20%, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=9600이었다.In the obtained solder particle 3, the CV value was 20%, and the molecular weight of the polymer constituting the surface was Mw = 9600.

(땜납 입자의 CV값)(CV value of solder particles)

CV값을, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「LA-920」)로 측정했다.The CV value was measured with a laser diffraction type particle size distribution analyzer (“LA-920” manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.).

(실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 2)(Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 2)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작(1) Preparation of anisotropic conductive paste

하기의 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기의 표 1, 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.The components shown in Tables 1 and 2 below were blended in the compounding amounts shown in Tables 1 and 2 below to obtain an anisotropic conductive paste.

하기의 표 1, 2에 나타내는 종류의 접속 구조체를 하기와 같이 하여 제작했다.Bonded structures of the kind shown in Tables 1 and 2 below were produced as follows.

(2) 접속 구조체(L/S=40㎛/40㎛)의 제작(2) Fabrication of connection structure (L/S = 40 μm/40 μm)

L/S가 40㎛/40㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판, 두께 0.6㎜)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 40㎛/40㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(폴리이미드에 의해 형성되어 있는, 제2 접속 대상 부재, 두께 0.1㎜)을 준비했다.Glass epoxy substrate (FR-4 substrate, thickness 0.6 mm) having on the upper surface a copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 μm) with an L/S of 40 μm/40 μm and an electrode length of 3 mm (first connection target member) prepared In addition, a flexible printed circuit board having a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 12 μm) with an L / S of 40 μm / 40 μm and an electrode length of 3 mm (a second connection target member formed of polyimide, thickness 0.1 mm) was prepared.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판의 중첩 면적은 1.5㎝×3㎜로 하고, 접속한 전극수는 75쌍으로 했다.The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm x 3 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를, 유리 에폭시 기판의 전극 상에서 두께 100㎛가 되도록, 도공하고, 이방성 도전 페이스트층을 형성했다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을 전극끼리 대향하도록 적층했다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량은 가해진다.On the upper surface of the glass epoxy substrate, an anisotropic conductive paste immediately after preparation was applied on the electrode of the glass epoxy substrate to a thickness of 100 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Subsequently, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes faced each other. At this time, pressurization was not performed. The weight of the flexible printed circuit board is applied to the anisotropic conductive paste layer.

그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가, 승온 개시부터 5초 후에 139℃(땜납의 융점)가 되도록 가열했다. 또한, 승온 개시부터 15초 후에, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 160℃가 되도록 가열하고, 이방성 도전 페이스트를 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.Thereafter, the temperature of the anisotropic conductive paste layer was heated to 139° C. (melting point of solder) 5 seconds after the start of the heating. Further, after 15 seconds from the start of the temperature rise, the anisotropic conductive paste layer was heated to a temperature of 160° C., the anisotropic conductive paste was cured, and a bonded structure was obtained.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 25℃에서의 점도(η25)를, E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정했다.The viscosity (η25) of the anisotropic electrically conductive paste at 25°C was measured using an E-type viscometer ("TVE22L" manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25°C and 5 rpm.

(2) 땜납부의 두께(2) Thickness of solder part

얻어진 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극 사이에 위치하고 있는 땜납부의 두께를 평가했다.The thickness of the solder portion located between the upper and lower electrodes was evaluated by cross-sectional observation of the obtained bonded structure.

(3) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1(3) Accuracy of placement of solder on electrodes 1

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가했다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained bonded structure, when the portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the area of the portion of the first electrode and the second electrode facing each other is 100 The ratio X of the area where the solder part is arranged in the connection part in % was evaluated. The placement accuracy 1 of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준][Judgment Criteria for Solder Placement Accuracy 1 on Electrodes]

○○: 비율 X가 70% 이상○○: Ratio X is 70% or more

○: 비율 X가 60% 이상, 70% 미만○: Ratio X is 60% or more and less than 70%

△: 비율 X가 50% 이상, 60% 미만△: Ratio X is 50% or more and less than 60%

×: 비율 X가 50% 미만×: ratio X is less than 50%

(4) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2(4) Accuracy of placement of solder on the electrode 2

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 접속부 중의 땜납부 100% 중, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분에 배치되어 있는 접속부 중의 땜납부의 비율 Y를 평가했다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2를 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained bonded structure, when the portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode among 100% of the solder portion in the connection portion The ratio Y of the solder portion in the connecting portion arranged in the portion facing each other of the electrode and the second electrode was evaluated. The placement accuracy 2 of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2의 판정 기준][Judgment Criteria for Solder Placement Accuracy 2 on Electrodes]

○○: 비율 Y가 99% 이상○○: Ratio Y is 99% or more

○: 비율 Y가 90% 이상, 99% 미만○: Ratio Y is 90% or more and less than 99%

△: 비율 Y가 70% 이상, 90% 미만△: Ratio Y is 70% or more and less than 90%

×: 비율 Y가 70% 미만×: Ratio Y is less than 70%

(5) 상하의 전극 사이의 도통 신뢰성(5) Reliability of conduction between upper and lower electrodes

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극 사이의 1접속 개소당 접속 저항을 각각 4단자법에 의해 측정했다. 접속 저항의 평균값을 산출했다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained bonded structure (n = 15 pieces), the connection resistance per connection point between the upper and lower electrodes was measured by the 4-terminal method, respectively. The average value of connection resistance was computed. Further, from the relationship of voltage = current × resistance, connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is applied. Conductivity reliability was determined according to the following criteria.

[도통 신뢰성의 판정 기준][Judgment Criteria for Continuity Reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 이하○○: The average value of the connection resistance is 50 mΩ or less

○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ를 초과하고, 70mΩ 이하○: The average value of connection resistance exceeds 50 mΩ and is 70 mΩ or less

△: 접속 저항의 평균값이 70mΩ를 초과하고, 100mΩ 이하△: The average value of the connection resistance exceeds 70 mΩ and is 100 mΩ or less

×: 접속 저항의 평균값이 100mΩ를 초과하거나, 또는 접속 불량이 발생하고 있다×: The average value of the connection resistance exceeds 100 mΩ, or connection failure has occurred.

(6) 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 절연 신뢰성(6) Insulation reliability between horizontally adjacent electrodes

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 가로 방향에 인접하는 전극 사이에 15V를 인가하고, 저항값을 25개소에서 측정했다. 절연 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained bonded structure (n = 15 pieces), after being left for 100 hours in an atmosphere of 85°C and 85% humidity, 15 V was applied between electrodes adjacent to each other in the horizontal direction, and resistance values were measured at 25 locations. Insulation reliability was determined according to the following criteria.

[절연 신뢰성의 판정 기준][Criteria for Insulation Reliability]

○○○: 접속 저항의 평균값이 1014Ω 이상○○○: Average value of connection resistance is 10 14 Ω or more

○○: 접속 저항의 평균값이 108Ω 이상, 1014Ω 미만○○: The average value of connection resistance is 10 8 Ω or more and less than 10 14 Ω

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상, 108Ω 미만○: Average value of connection resistance is 10 6 Ω or more and less than 10 8 Ω

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상, 106Ω 미만△: Average value of connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만×: Average value of connection resistance is less than 10 5 Ω

(7) 상하의 전극 사이의 위치 어긋남(7) Displacement between upper and lower electrodes

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극의 중심선과 제2 전극의 중심선이 정렬되어 있는지의 여부 및 위치 어긋남의 거리를 평가했다. 상하의 전극 사이의 위치 어긋남을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained bonded structure, when viewing portions of the first electrode and the second electrode facing each other in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, whether the center line of the first electrode and the center line of the second electrode are aligned. , and the distance of positional deviation were evaluated. The displacement between the upper and lower electrodes was determined according to the following criteria.

[상하의 전극 사이의 위치 어긋남의 판정 기준][Criterion for determining the displacement between the upper and lower electrodes]

○○: 위치 어긋남이 15㎛ 미만○○: Position deviation less than 15 μm

○: 위치 어긋남이 15㎛ 이상, 25㎛ 미만○: Position deviation of 15 μm or more and less than 25 μm

△: 위치 어긋남이 25㎛ 이상, 40㎛ 미만△: position deviation of 25 μm or more and less than 40 μm

×: 위치 어긋남이 40㎛ 이상×: Positional deviation of 40 µm or more

(8) 내열성(내열 황변성)(8) heat resistance (heat yellowing resistance)

하기 표 1, 2에 나타내는 배합 성분에 있어서, 도전 페이스트 중의 땜납 입자를 제외한 성분을 배합한 배합물을 준비하고, 두께 0.6㎜의 경화물의 시트를 제작했다. 150℃, 1000시간 폭로 후, 측정 파장 400㎚의 투과율을 측정함으로써, 내열성(내열 황변성)을 평가했다. 내열성을 하기의 기준으로 판정했다.In the mixing components shown in Tables 1 and 2 below, formulations containing components other than solder particles in the conductive paste were prepared, and a cured sheet having a thickness of 0.6 mm was produced. After exposure at 150°C for 1000 hours, heat resistance (heat resistance to yellowing) was evaluated by measuring transmittance at a measurement wavelength of 400 nm. Heat resistance was determined according to the following criteria.

[내열성의 판정 기준][Criterion for determining heat resistance]

○○: 투과율이 90% 이상○○: transmittance of 90% or more

○: 투과율이 80% 이상, 90% 미만○: transmittance of 80% or more and less than 90%

△: 투과율이 70% 이상, 80% 미만△: transmittance of 70% or more and less than 80%

×: 투과율이 70% 미만×: transmittance less than 70%

결과를 다음의 표 1, 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112017038103568-pct00007
Figure 112017038103568-pct00007

Figure 112017038103568-pct00008
Figure 112017038103568-pct00008

플렉시블 프린트 기판으로 바꾸고, 수지 필름, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판을 사용한 경우에도, 마찬가지의 경향이 보였다.A similar tendency was observed even when a flexible printed circuit board was used and a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible board were used.

1, 1X…접속 구조체
2…제1 접속 대상 부재
2a…제1 전극
3…제2 접속 대상 부재
3a…제2 전극
4, 4X…접속부
4A, 4XA…땜납부
4B, 4XB…경화물부
11…도전 페이스트
11A…땜납 입자(도전성 입자)
11B…열 경화성 성분
21…도전성 입자(땜납 입자)
31…도전성 입자
32…기재 입자
33…도전부(땜납을 갖는 도전부)
33A…제2 도전부
33B…땜납부
41…도전성 입자
42…땜납부
1, 1X... connection structure
2… 1st connection target member
2a... first electrode
3... Second connection target member
3a... second electrode
4, 4X... connection
4A, 4XA... solder part
4B, 4XB... hardened material part
11... conductive paste
11A... Solder particles (conductive particles)
11B... thermosetting component
21... Conductive Particles (Solder Particles)
31... conductive particles
32... substrate particles
33... Conductive part (conductive part with solder)
33A... 2nd conducting part
33B... solder part
41... conductive particles
42... solder part

Claims (10)

도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와,
열 경화성 화합물과,
티올 경화제와,
아민 경화제를 포함하고,
상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비가 4:1 내지 15:1인, 도전 재료.
A plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion;
a thermosetting compound;
a thiol curing agent;
an amine curing agent;
The conductive material, wherein the weight ratio of the thiol curing agent to the amine curing agent is 4:1 to 15:1.
제1항에 있어서, 상기 도전성 입자는 땜납 입자인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1, wherein the conductive particles are solder particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재하는, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein a carboxyl group exists on the outer surface of the conductive particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열 경화성 화합물이 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a triazine skeleton. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함하는, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, comprising insulating particles not adhering to the surface of the conductive particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein the conductive particles have an average particle diameter of 1 μm or more and 40 μm or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전 재료 100중량% 중 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이상, 80중량% 이하인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein the content of the conductive particles is 10% by weight or more and 80% by weight or less in 100% by weight of the conductive material. 제1항 또는 제2항에 있어서, 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, which is a liquid at 25°C and is a conductive paste. 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 재료이며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having a first electrode on its surface;
a second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member,
The material of the connection part is the conductive material according to claim 1 or 2,
The connection structure in which the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected with the solder in the said electroconductive particle.
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