KR20170003088A - Display device - Google Patents

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KR20170003088A KR1020150093298A KR20150093298A KR20170003088A KR 20170003088 A KR20170003088 A KR 20170003088A KR 1020150093298 A KR1020150093298 A KR 1020150093298A KR 20150093298 A KR20150093298 A KR 20150093298A KR 20170003088 A KR20170003088 A KR 20170003088A
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to a display device which can prevent a power IC connected to a clock line from being damaged by an excessive current which flows through a gate control signal line due to static electricity applied to the gate control signal line. The display device according to the embodiment of the present invention comprises a display panel, a gate drive unit, a timing control unit, a power IC, and an electrostatic discharge circuit. Pixels connected to gate lines and data lines are disposed in the display panel. The gate drive unit supplies gate signals, swinging between a gate high voltage and a gate low voltage, to the gate lines. The timing control unit outputs a gate control signal adapted to control a drive timing for the gate drive unit. The power IC is disposed between the gate drive unit and the timing control unit, and changes a swinging width of a voltage of the gate control signal. The electrostatic discharge circuit is disposed between the gate drive unit and the power IC, and discharges a gate control signal line when positive static electricity having a voltage higher than the gate high voltage is applied to the gate control signal line via which the gate control signal is provided.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명의 실시예는 표시장치에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to a display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. 2. Description of the Related Art Recently, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) have been used.

표시장치는 표시패널, 게이트 구동부, 데이터 구동부, 타이밍 제어부, 및 파워 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)를 구비한다. 표시패널은 데이터라인들, 게이트라인들, 데이터라인들과 게이트라인들의 교차부에 형성되어 게이트라인들에 게이트신호들이 공급될때 데이터라인들의 데이터전압들을 공급받는 다수의 화소들을 포함한다. 화소들은 데이터전압들에 따라 소정의 밝기로 발광한다. 게이트 구동부는 게이트라인들에 게이트신호들을 공급한다. 데이터 구동부는 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 소스 드라이브 IC들을 포함한다. 타이밍 제어부는 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호를 게이트 구동부로 출력하고, 데이터 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호를 데이터 구동부로 출력한다. 파워 IC는 데이터 구동부에 구동전압을 공급하고, 타이밍 제어부로부터의 게이트 제어신호의 전압 스윙폭을 변경하여 게이트 구동부로 출력한다.The display device includes a display panel, a gate driver, a data driver, a timing controller, and an integrated circuit (IC). The display panel includes a plurality of pixels formed at intersections of the data lines, the gate lines, the data lines and the gate lines, and supplied with the data voltages of the data lines when the gate signals are supplied to the gate lines. The pixels emit light at a predetermined brightness according to the data voltages. The gate driver supplies gate signals to the gate lines. The data driver includes source driver ICs for supplying data voltages to the data lines. The timing control unit outputs a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driving unit to the gate driving unit and a data control signal for controlling the operation timing of the data driving unit to the data driving unit. The power IC supplies the driving voltage to the data driving unit, changes the voltage swing width of the gate control signal from the timing control unit, and outputs it to the gate driving unit.

최근에는 심미감을 높이기 위해 표시장치의 두께가 얇아지고 표시장치의 베젤 영역이 줄어들고 있다. 표시장치의 베젤 영역은 표시장치의 테두리로서 화상을 표시하지 않고 커버 부재에 의해 덮이는 비표시영역에 해당한다. 이로 인해, 최근에는 표시장치의 베젤 영역을 최소화하기 위해 표시패널의 상면 테두리 영역을 덮는 상부 케이스(top case)를 제거한 보더리스(borderless) 방식의 표시장치가 출시되고 있다.In recent years, the thickness of the display device has been thinned and the bezel area of the display device has been reduced in order to enhance the aesthetics. The bezel area of the display device corresponds to a non-display area covered by the cover member without displaying an image as a frame of the display device. In recent years, a borderless type display device has been introduced, in which a top case covering the top edge region of the display panel is removed in order to minimize the bezel area of the display device.

보더리스 방식의 경우 표시패널의 상면 테두리 영역을 덮는 상부 케이스가 제거되므로, 표시패널의 라인 온 글래스(line on glass)가 형성되는 LOG 영역 일부는 플라스틱 재질의 커버 부재만으로 가려지게 된다. 예를 들어, LOG 영역에는 스타트 신호 라인과 클럭 라인들이 라인 온 글래스로 형성될 수 있다. 스타트 신호 라인은 파워 IC로부터 게이트 구동부로 스타트 신호를 공급하기 위한 라인이며, 클럭 라인들은 파워 IC로부터 클럭 신호들을 공급하기 위한 클럭 라인들을 포함한다. 게이트 제어신호는 스타트 신호와 클럭 신호들을 포함한다.In the borderless method, the upper case covering the upper edge region of the display panel is removed, so that a part of the LOG region where the line on glass of the display panel is formed is covered with only the plastic cover member. For example, in the LOG area, the start signal line and the clock lines may be formed of line-on-glass. The start signal line is a line for supplying a start signal from the power IC to the gate driver, and the clock lines include clock lines for supplying clock signals from the power IC. The gate control signal includes a start signal and a clock signal.

결국, LOG 영역 일부의 스타트 신호 라인과 클럭 라인들은 플라스틱 재질의 커버 부재만으로 가려지게 되므로, 정전기가 유입될 확률이 높다. 또한, 정전기가 스타트 신호 라인과 클럭 라인들에 유입되는 경우, 정전기로 인해 스타트 신호 라인과 클럭 라인들에 접속된 파워 IC가 손상될 수 있다.
As a result, some start signal lines and clock lines of the LOG region are covered only by a plastic cover member, so that there is a high probability that static electricity is introduced. In addition, when static electricity is introduced into the start signal line and the clock lines, the power IC connected to the start signal line and the clock lines due to the static electricity may be damaged.

본 발명의 실시예는 보더리스 방식에서 게이트 제어신호 라인에 정전기가 인가되는 경우 파워 IC가 손상되는 것을 방지할 수 있는 표시장치를 제공한다.
Embodiments of the present invention provide a display device capable of preventing damage to a power IC when static electricity is applied to a gate control signal line in a borderless manner.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널, 게이트 구동부, 타이밍 제어부, 파워 IC, 및 정전기 보호회로를 포함한다. 상기 표시패널에는 게이트 라인들 및 데이터 라인들에 접속되는 화소들이 마련된다. 상기 게이트 구동부는 상기 게이트 라인들에 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압 사이에서 스윙하는 게이트 신호들을 공급한다. 상기 타이밍 제어부는 상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호를 출력한다. 상기 파워 IC는 상기 게이트 구동부와 상기 타이밍 제어부 사이에 배치되며, 상기 게이트 제어신호의 전압 스윙폭을 변경한다. 상기 정전기 보호회로는 상기 게이트 구동부와 상기 파워 IC 사이에 배치되며, 상기 게이트 제어신호가 공급되는 게이트 제어신호 라인에 상기 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기가 인가되는 경우, 상기 게이트 제어신호 라인을 방전한다.
A display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel, a gate driver, a timing controller, a power IC, and an electrostatic protection circuit. The display panel is provided with pixels connected to gate lines and data lines. The gate driver supplies gate signals swinging between a gate high voltage and a gate low voltage to the gate lines. The timing control unit outputs a gate control signal for controlling the driving timing of the gate driving unit. The power IC is disposed between the gate driver and the timing controller and changes a voltage swing width of the gate control signal. The static electricity protection circuit is disposed between the gate driver and the power IC and when positive static electricity having a voltage higher than the gate high voltage is applied to the gate control signal line to which the gate control signal is supplied, .

본 발명의 실시예는 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기가 게이트 제어신호 라인에 인가되는 경우 정전기 보호회로를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 하이 전압으로 방전하고, 게이트 로우 전압보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기가 인가되는 경우 정전기 보호회로를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 로우 전압으로 충전할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 게이트 제어신호 라인에 인가된 정전기로 인해 게이트 제어신호 라인에 과전류가 흘러 클럭 라인에 접속된 파워 IC가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
Embodiments of the present invention provide a method and system for discharging a gate control signal line to a gate high voltage through an electrostatic protection circuit when positive static electricity having a voltage greater than a gate high voltage is applied to the gate control signal line, When negative static electricity is applied, the gate control signal line can be charged to the gate low voltage through the electrostatic protection circuit. As a result, the embodiment of the present invention can prevent an overcurrent in the gate control signal line due to the static electricity applied to the gate control signal line from damaging the power IC connected to the clock line.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
도 2는 도 1의 화소를 보여주는 일 예시도면.
도 3은 도 1의 화소를 보여주는 또 다른 예시도면.
도 4는 도 1의 표시패널의 하부기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC들, 연성필름들, 연성 회로보드, 타이밍 제어부, 파워 IC, 및 정전기 보호회로를 보여주는 일 예시도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 보호회로를 보여주는 회로도.
도 6a는 게이트 하이 전압보다 큰 정전기가 인가된 경우 정전기 방전 경로를 보여주는 회로도.
도 6b는 게이트 로우 전압보다 작은 정전기가 인가된 경우 정전기 방전 경로를 보여주는 회로도.
도 7a 및 도 7b는 정전기가 인가되지 않은 경우와 정전기가 인가된 경우 클럭 신호를 보여주는 파형도들.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전기 보호회로를 보여주는 회로도.
도 9a는 게이트 하이 전압보다 큰 정전기가 인가된 경우 정전기 방전 경로를 보여주는 회로도.
도 9b는 게이트 로우 전압보다 작은 정전기가 인가된 경우 정전기 방전 경로를 보여주는 회로도.
1 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is an exemplary view showing the pixel of FIG. 1; FIG.
Figure 3 is another exemplary view showing the pixel of Figure 1;
FIG. 4 is an exemplary view showing a lower substrate, a gate driver, source drive ICs, flexible films, a flexible circuit board, a timing controller, a power IC, and an electrostatic protection circuit of the display panel of FIG.
5 is a circuit diagram showing an electrostatic protection circuit according to a first embodiment of the present invention;
6A is a circuit diagram showing an electrostatic discharge path when a static electricity larger than a gate high voltage is applied.
6B is a circuit diagram showing an electrostatic discharge path when a static electricity smaller than a gate low voltage is applied.
FIGS. 7A and 7B are waveform diagrams showing a clock signal when no static electricity is applied and when a static electricity is applied. FIG.
8 is a circuit diagram showing an electrostatic protection circuit according to a second embodiment of the present invention;
9A is a circuit diagram showing an electrostatic discharge path when a static electricity larger than a gate high voltage is applied.
FIG. 9B is a circuit diagram showing an electrostatic discharge path when static electricity smaller than a gate low voltage is applied; FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The terms "X-axis direction "," Y-axis direction ", and "Z-axis direction" should not be construed solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having directionality.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 게이트 구동부(20), 데이터 구동부(30), 타이밍 제어부(40), 및 파워 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)를 포함한다.1 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention. 1, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10, a gate driver 20, a data driver 30, a timing controller 40, and a power integrated circuit IC ").

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트신호들을 게이트라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하는 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 데이터전압들을 공급하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중에 어느 하나로 구현될 수도 있다.The display device according to the embodiment of the present invention may include any display device that supplies data voltages to pixels with line sequential scanning that sequentially supplies the gate signals to the gate lines G1 to Gn. For example, the display device according to an exemplary embodiment of the present invention may be applied to a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display, a field emission display, an electrophoresis display).

표시패널(10)은 상부기판과 하부기판을 포함한다. 하부기판에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 게이트라인들(G1~Gn, n은 2 이상의 양의 정수)이 형성된다. 또한, 하부기판에는 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 접속되는 화소(P)들을 포함하는 표시 영역(PA)이 형성된다. 화소(P)는 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나와 게이트라인들(G1~Gn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)는 게이트라인에 게이트신호가 공급될때 데이터라인의 데이터전압을 공급받으며, 공급된 데이터전압에 따라 소정의 밝기로 발광한다.The display panel 10 includes an upper substrate and a lower substrate. The data lines (D1 to Dm, m is a positive integer of 2 or more) and the gate lines (G1 to Gn, n are positive integers of 2 or more) are formed on the lower substrate. A display area PA including pixels P connected to the data lines D1 to Dm and the gate lines G1 to Gn is formed on the lower substrate. The pixel P may be connected to any one of the data lines D1 to Dm and the gate lines G1 to Gn. Accordingly, the pixel P receives the data voltage of the data line when the gate signal is supplied to the gate line, and emits light at a predetermined brightness according to the supplied data voltage.

표시장치가 액정표시장치로 구현되는 경우, 화소(P)들 각각은 도 2와 같이 트랜지스터(T), 화소전극(11), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(T)는 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 게이트라인(Gk)의 게이트신호에 응답하여 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj)의 데이터전압을 화소전극(11)에 공급한다. 이로 인해, 화소(P)들 각각은 화소전극(11)에 공급된 데이터전압과 공통전극(12)에 공급된 공통전압의 전위차에 의해 발생되는 전계에 의해 액정층(13)의 액정을 구동하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛의 투과량을 조정할 수 있다. 공통전극(12)은 공통전압라인(VcomL)으로부터 공통전압을 공급받으며, 백라이트 유닛은 표시패널(10)의 아래에 배치되어 표시패널(10)에 균일한 빛을 조사한다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)는 화소전극(11)과 공통전극(12) 사이에 마련되어 화소전극(11)과 공통전극(12) 간의 전압차를 일정하게 유지한다.When the display device is implemented as a liquid crystal display device, each of the pixels P may include a transistor T, a pixel electrode 11, and a storage capacitor Cst as shown in FIG. The transistor T is connected to the gate of the gate line Gk at a jth (j is a positive integer satisfying 1? J? M) in response to the gate signal of the k-th gate line Gk (k is a positive integer satisfying 1? And supplies the data voltage of the data line Dj to the pixel electrode 11. [ Each of the pixels P drives the liquid crystal of the liquid crystal layer 13 by an electric field generated by a potential difference between the data voltage supplied to the pixel electrode 11 and the common voltage supplied to the common electrode 12 The amount of light transmitted from the backlight unit can be adjusted. The common electrode 12 receives a common voltage from the common voltage line VcomL and the backlight unit is disposed below the display panel 10 to irradiate the display panel 10 with uniform light. The storage capacitor Cst is provided between the pixel electrode 11 and the common electrode 12 to keep the voltage difference between the pixel electrode 11 and the common electrode 12 constant.

표시장치가 유기발광표시장치로 구현되는 경우, 화소(P)들 각각은 도 3과 같이 유기발광다이오드(OLED), 스캔 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 제k 게이트라인(Gk)의 게이트신호에 응답하여 제j 데이터라인(Dj)의 데이터전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급한다. 구동 트랜지스터(DT)는 그의 게이트 전극에 공급되는 데이터전압에 따라 고전위전압라인(VDDL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 구동전류를 제어한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)와 저전위전압라인(VSSL) 사이에 마련되어, 구동전류에 따라 소정의 밝기로 발광한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압을 일정하게 유지하기 위해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 고전위전압라인(VDDL) 사이에 마련될 수 있다.3, each of the pixels P includes an organic light emitting diode (OLED), a scan transistor ST, a driving transistor DT, and a storage capacitor Cst can do. The scan transistor ST supplies the data voltage of the jth data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT in response to the gate signal of the kth gate line Gk. The driving transistor DT controls the driving current flowing from the high potential voltage line VDDL to the organic light emitting diode OLED in accordance with the data voltage supplied to the gate electrode thereof. The organic light emitting diode OLED is provided between the driving transistor DT and the low potential voltage line VSSL and emits light at a predetermined brightness according to the driving current. The storage capacitor Cst may be provided between the gate electrode of the driving transistor DT and the high potential voltage line VDDL in order to keep the voltage of the gate electrode of the driving transistor DT constant.

게이트 구동부(20)는 파워 IC(50)로부터 게이트 제어신호(GCS)를 입력받는다. 게이트 구동부(20)는 게이트 제어신호(GCS)에 따라 게이트신호들을 생성하여 게이트라인들(G1~Gn)에 공급한다. 게이트 구동부(20)는 게이트 드라이브 인 패널(gate driver in panel, GIP) 방식으로 비표시영역에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 비표시영역은 표시영역(PA)의 주변부로 화상을 표시하지 않는 영역을 가리킨다. 도 1에서는 게이트 구동부(11)가 표시영역(DA)의 일 측에 마련된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 게이트 구동부(11)는 표시영역(DA)의 양 측에 마련될 수 있다.The gate driver 20 receives the gate control signal GCS from the power IC 50. The gate driver 20 generates gate signals according to the gate control signal GCS and supplies the gate signals to the gate lines G1 to Gn. The gate driver 20 may be formed in a non-display region using a gate driver in panel (GIP) scheme, but the present invention is not limited thereto. The non-display area indicates an area where no image is displayed in the peripheral portion of the display area PA. 1, the gate driver 11 is provided on one side of the display area DA, but the present invention is not limited thereto. For example, the gate driver 11 may be provided on both sides of the display area DA.

데이터 구동부(30)는 데이터라인들(D1~Dm)에 접속된다. 데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(40)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 입력받고, 데이터 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터전압들로 변환한다. 데이터 구동부(30)는 데이터전압들을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(30)는 도 4와 같이 복수의 소스 드라이브 IC(31)들을 포함할 수 있다.The data driver 30 is connected to the data lines D1 to Dm. The data driver 30 receives the digital video data DATA and the data control signal DCS from the timing controller 40 and converts the digital video data DATA into analog data voltages in accordance with the data control signal DCS. do. The data driver 30 supplies the data voltages to the data lines D1 to Dm. The data driver 30 may include a plurality of source drive ICs 31 as shown in FIG.

타이밍 제어부(40)는 외부의 시스템 보드(미도시)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들(TS)을 입력받는다. 타이밍 신호들(TS)은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(40)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 발생한다.The timing controller 40 receives digital video data DATA and timing signals TS from an external system board (not shown). The timing signals TS may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock. The timing control unit 40 generates a gate control signal GCS for controlling the operation timing of the gate driving unit 20 and a data control signal DCS for controlling the operation timing of the data driving unit 30 based on the timing signal do.

게이트 제어신호(GCS)는 스타트 신호(start signal)와 클럭 신호들(clock signals)을 포함할 수 있다. 스타트 신호는 1 프레임 기간의 첫 번째 게이트신호의 출력 타이밍을 제어하기 위한 신호이다. 클럭 신호들은 순차적으로 지연되는 i 상을 갖는 신호들이다.The gate control signal GCS may include a start signal and clock signals. The start signal is a signal for controlling the output timing of the first gate signal in one frame period. The clock signals are signals having an i-phase that is sequentially delayed.

데이터 제어신호(DCS)는 소스 스타트 신호(source start signal), 소스 샘플링 클럭(source sampling clock), 소스 출력 인에이블 신호(source output enable signal), 극성제어신호(polarity control signal) 등을 포함한다. 소스 스타트 신호는 데이터 구동부(30)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어하기 위한 신호이다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터 구동부(30)의 샘플링 동작을 제어하기 위한 클럭 신호이다. 극성제어신호는 데이터 구동부(30)로부터 출력되는 데이터 전압들의 극성을 L(L은 자연수) 수평기간 주기로 반전시키기 위한 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호는 데이터 구동부(30)의 출력을 제어하기 위한 신호이다.The data control signal DCS includes a source start signal, a source sampling clock, a source output enable signal, a polarity control signal, and the like. The source start signal is a signal for controlling the data sampling start timing of the data driver 30. The source sampling clock is a clock signal for controlling the sampling operation of the data driver 30 based on the rising or falling edge. The polarity control signal is a signal for inverting the polarity of the data voltages output from the data driver 30 into L (L is a natural number) horizontal period period. The source output enable signal is a signal for controlling the output of the data driver 30. [

타이밍 제어부(40)는 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(30)에 공급한다. 타이밍 제어부(40)는 게이트 제어신호(GCS)를 파워 IC(50)에 공급한다.The timing controller 40 supplies the digital video data DATA and the data control signal DCS to the data driver 30. The timing control unit 40 supplies the gate control signal GCS to the power IC 50. [

파워 IC(50)는 데이터 구동부(30)의 소스 드라이브 IC(31)들의 구동에 필요한 구동 전압(VDD)을 생성하여 데이터 구동부(30)의 소스 드라이브 IC(31)들에 공급한다. 또한, 파워 IC(50)는 타이밍 제어부(40)로부터 게이트 제어신호(GCS)를 입력받고, 게이트 제어신호(GCS)의 스윙 폭을 게이트 로우 전압(VGL)부터 게이트 하이 전압(VGH)까지 변경하여 게이트 구동부(20)로 출력한다. 또한, 파워 IC(50)는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)을 게이트 구동부(20)로 출력한다. 게이트 하이 전압(VGH)은 표시패널(10)에 형성된 화소(P)들의 트랜지스터들을 턴-온시킬 수 있는 전압이고, 게이트 로우 전압(VGL)은 표시패널(10)에 형성된 화소(P)들의 트랜지스터들을 턴-오프시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.
The power IC 50 generates a driving voltage VDD necessary for driving the source drive ICs 31 of the data driver 30 and supplies the generated drive voltage VDD to the source driver ICs 31 of the data driver 30. [ The power IC 50 receives the gate control signal GCS from the timing controller 40 and changes the swing width of the gate control signal GCS from the gate low voltage VGL to the gate high voltage VGH And outputs it to the gate driver 20. Further, the power IC 50 outputs the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL to the gate driver 20. The gate high voltage VGH is a voltage capable of turning on the transistors of the pixels P formed in the display panel 10 and the gate low voltage VGL is a voltage capable of turning on the transistors of the pixels P formed in the display panel 10. [ Off < / RTI >

도 4는 도 1의 표시패널의 하부기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC들, 소스 연성필름들, 인쇄회로보드, 타이밍 제어부, 파워 IC, 및 정전기 보호회로를 보여주는 일 예시도면이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해, 표시패널(10)의 하부기판(11)에 형성된 데이터라인들, 게이트라인들, 및 화소들을 생략하였다.4 is an exemplary view showing a lower substrate, a gate driver, source drive ICs, source flexible films, a printed circuit board, a timing controller, a power IC, and an electrostatic protection circuit of the display panel of FIG. 4, data lines, gate lines, and pixels formed on the lower substrate 11 of the display panel 10 are omitted for convenience of explanation.

도 4를 참조하면, 게이트 구동부(20)는 게이트 드라이브 인 패널(gate driver in panel, GIP) 방식으로 비표시영역에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 게이트 구동부(20)는 구동 칩(chip)으로 제작되어 게이트 연성필름 상에 실장되고, 게이트 연성필름들은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive flim)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부기판(14) 상에 부착될 수 있다.Referring to FIG. 4, the gate driver 20 may be formed in a non-display region using a gate driver in panel (GIP) scheme, but the present invention is not limited thereto. That is, the gate driver 20 is fabricated as a driving chip and mounted on the gate flexible film, and the gate flexible films are formed by an anisotropic conductive film in a tape automated bonding (TAB) 14). ≪ / RTI >

소스 드라이브 IC(31)들 각각은 구동 칩으로 제작되어 소스 연성필름(70)상에 실장될 수 있다. 소스 연성필름(70)들 각각은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)으로 구현될 수 있다. 칩온 필름은 폴리이미드(polyimide)와 같은 베이스 필름과 베이스 필름상에 마련된 복수의 도전성 리드선들을 포함할 수 있다. 소스 연성필름(70)들 각각은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 소스 연성필름(70)들은 이방성 도전 필름을 이용하여 TAB 방식으로 하부기판(14) 상에 부착될 수 있다.Each of the source drive ICs 31 may be fabricated as a drive chip and mounted on the source flexible film 70. Each of the source flexible films 70 may be implemented as a tape carrier package or a chip on film. The chip-on film may include a base film such as polyimide and a plurality of conductive lead wires provided on the base film. Each of the source flexible films 70 may be bent or bent. The source flexible films 70 may be attached on the lower substrate 14 in a TAB manner using an anisotropic conductive film.

또한, 소스 연성필름(70)들은 인쇄회로보드(printed circuit board, 80)상에 부착될 수 있다. 인쇄회로보드(80)는 휘어지거나 구부러질 수 있는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)로 구현될 수 있다.In addition, the source flexible films 70 may be attached on a printed circuit board 80. The printed circuit board 80 may be embodied as a flexible printed circuit board that can be bent or bent.

타이밍 제어부(40)와 파워 IC(50) 각각은 구동 칩으로 제작되어 인쇄회로보드(80) 상에 실장될 수 있다. 타이밍 제어부(40)와 파워 IC(50)는 제1 스타트 신호 라인(STL1)과 제1 클럭 신호 라인들(CLS1)을 통해 연결될 수 있다. 파워 IC(50)는 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 신호 라인들(CLS2)을 통해 연결될 수 있다. 제1 스타트 신호 라인(STL1)과 제1 클럭 신호 라인들(CLS1)은 인쇄회로보드(80)에 형성된다. 이에 비해, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 신호 라인들(CLS2)은 인쇄회로보드(80), 소스 연성필름(70), 및 하부기판(14)에 형성된다. 특히, 하부기판(14) 상에 형성된 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 신호 라인들(CLS2)은 비표시영역에 라인 온 글래스(line on glass)로 형성될 수 있다. 한편, 게이트 제어신호는 스타트 신호와 클럭 신호들을 포함하므로, 제1 및 제2 스타트 신호 라인들(STL1, STL2)와 제1 및 제2 클럭 신호 라인들(CLS1, CLS2)은 게이트 제어신호 라인으로 통칭될 수 있다.Each of the timing control unit 40 and the power IC 50 may be manufactured as a driving chip and mounted on the printed circuit board 80. The timing controller 40 and the power IC 50 may be connected through the first start signal line STL1 and the first clock signal lines CLS1. The power IC 50 may be connected through the second start signal line STL2 and the second clock signal lines CLS2. The first start signal line (STL1) and the first clock signal lines (CLS1) are formed on the printed circuit board (80). On the other hand, the second start signal line STL2 and the second clock signal lines CLS2 are formed on the printed circuit board 80, the source flexible film 70, and the lower substrate 14. In particular, the second start signal line STL2 and the second clock signal lines CLS2 formed on the lower substrate 14 may be formed of line on glass in the non-display region. Since the gate control signal includes the start signal and the clock signals, the first and second start signal lines STL1 and STL2 and the first and second clock signal lines CLS1 and CLS2 are connected to the gate control signal line Can be collectively called.

타이밍 제어부(40)는 제1 스타트 신호 라인(STL1)을 통해 스타트 신호를 파워 IC(50)로 공급하고, 클럭 신호 라인들(CLS)을 통해 클럭 신호들을 파워 IC(50)로 공급한다. 타이밍 제어부(40)로부터 출력된 스타트 신호와 클럭 신호들은 0 내지 3.3V 사이에서 스윙한다. 그러므로, 파워 IC(50)는 제1 스타트 신호 라인(STL1)을 통해 공급되는 스타트 신호의 전압 스윙 폭을 표시패널에 형성된 화소(P)들의 트랜지스터들을 구동하기에 적합하도록 변경한다. 즉, 파워 IC(50)는 제1 스타트 신호 라인(STL1)을 통해 공급되는 스타트 신호의 전압 스윙 폭을 게이트 로우 전압부터 게이트 하이 전압까지로 변경한다. 또한, 파워 IC(50)는 제1 클럭 라인들(CLS1)을 통해 공급되는 클럭 신호들의 전압 스윙 폭을 표시패널에 형성된 화소(P)들의 트랜지스터들을 구동하기에 적합하도록 변경한다. 즉, 파워 IC(50)는 제1 클럭 라인들(CLS1)을 통해 공급되는 클럭 신호들의 전압 스윙 폭을 게이트 로우 전압부터 게이트 하이 전압까지로 변경한다.The timing control section 40 supplies a start signal to the power IC 50 through the first start signal line STL1 and supplies clock signals to the power IC 50 through the clock signal lines CLS. The start signal and the clock signal output from the timing control unit 40 swing between 0 and 3.3V. Therefore, the power IC 50 changes the voltage swing width of the start signal supplied through the first start signal line STL1 to be suitable for driving the transistors of the pixels P formed on the display panel. That is, the power IC 50 changes the voltage swing width of the start signal supplied through the first start signal line STL1 from the gate low voltage to the gate high voltage. In addition, the power IC 50 changes the voltage swing width of the clock signals supplied via the first clock lines CLS1 to be suitable for driving the transistors of the pixels P formed in the display panel. That is, the power IC 50 changes the voltage swing width of the clock signals supplied through the first clock lines CLS1 from the gate low voltage to the gate high voltage.

파워 IC(50)는 제2 스타트 신호 라인(STL2)을 통해 게이트 로우 전압부터 게이트 하이 전압까지의 스윙 폭을 갖는 스타트 신호를 게이트 구동부(20)로 공급한다. 파워 IC(50)는 제2 클럭 라인들(CLS2)을 통해 게이트 로우 전압부터 게이트 하이 전압까지의 스윙 폭을 갖는 클럭 신호들을 게이트 구동부(20)로 공급한다. 또한, 파워 IC(50)는 게이트 하이 전압을 게이트 하이 전압 라인(VGHL)을 통해 게이트 구동부(20)로 공급하고, 게이트 로우 전압(VGL)을 게이트 로우 전압 라인(VGLL)을 통해 게이트 구동부(20)로 공급한다.The power IC 50 supplies the gate driver 20 with a start signal having a swing width from the gate low voltage to the gate high voltage through the second start signal line STL2. The power IC 50 supplies clock signals having a swing width from the gate low voltage to the gate high voltage to the gate driver 20 through the second clock lines CLS2. The power IC 50 supplies the gate high voltage to the gate driver 20 through the gate high voltage line VGHL and the gate low voltage VGL to the gate driver 20 through the gate low voltage line VGLL. ).

한편, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 심미감을 높이기 위해 표시패널의 상면 테두리 영역을 덮는 상부 케이스(top case)를 제거한 보더리스(borderless) 방식으로 제조될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 표시장치가 보더리스 방식으로 제조되는 경우, 상부 케이스를 제거함으로써 표시장치의 베젤 영역을 최소화할 수 있다. 표시장치의 베젤 영역은 표시장치의 테두리로서 화상을 표시하지 않고 커버 부재에 의해 덮이는 비표시영역에 해당한다.Meanwhile, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention may be manufactured in a borderless manner in which a top case covering an upper edge region of a display panel is removed in order to enhance a sense of beauty. When the display device according to the embodiment of the present invention is manufactured by the borderless method, the bezel area of the display device can be minimized by removing the upper case. The bezel area of the display device corresponds to a non-display area covered by the cover member without displaying an image as a frame of the display device.

하지만, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치가 보더리스 방식으로 제조되는 경우, 상부 케이스 제거로 인해 표시패널의 상면 테두리 영역에 형성된 라인 온 글래스(line on glass)에 해당하는 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)이 플라스틱 재질의 커버 부재만으로 가려지게 된다. 이로 인해, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)에 정전기가 유입될 확률이 높다. 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)에 정전기가 유입되는 경우, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)에 접속된 파워 IC(50)가 정전기에 의해 손상될 수 있다.However, when the display device according to the embodiment of the present invention is manufactured by the borderless method, the second start signal line (line on glass) corresponding to the line on glass formed on the upper edge of the display panel due to the removal of the upper case STL2 and the second clock lines CLS2 are covered only by a plastic cover member. As a result, there is a high probability that static electricity will flow into the second start signal line (STL2) and the second clock lines (CLS2). When the static electricity flows into the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2, the power IC 50 connected to the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2 It can be damaged by static electricity.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)에 접속된 파워 IC(50)가 정전기에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 각각에 접속된 정전기 보호회로(60a/60b)를 포함한다. 정전기 보호회로(60a/60b)는 도 4와 같이 인쇄회로보드(80)와 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2)이 라인 온 글래스로 형성되는 LOG 영역(LA)에 형성될 수 있다. 도 4에서는 정전기 보호회로(60a/60b)가 정전기 보호 효과를 높이기 위해 인쇄회로보드(80)와 LOG 영역(LA) 모두에 형성된 것을 예시하였으나, 인쇄회로보드(80)와 LOG 영역(LA) 중 어느 한 곳에만 형성될 수도 있다. 한편, 베젤 축소로 인해 표시패널의 LOG 영역(LA) 확대에는 제약이 있는 반면에, 인쇄회로보드(80)는 LOG 영역(LA)보다 제약이 덜하기 때문에, 정전기 보호회로(60a)는 인쇄회로보드(80)에 형성되는 경우 LOG 영역(LA)에 형성할 때보다 넓은 면적에서 설계될 수 있는 장점이 있다.The display device according to the embodiment of the present invention is provided with the second start signal line STL2 to prevent the power IC 50 connected to the second clock lines CLS2 from being damaged by static electricity, And electrostatic protection circuits 60a / 60b connected to the second clock lines CLS2 and STL2, respectively. The electrostatic protection circuits 60a and 60b are connected to the LOG area LA in which the printed circuit board 80, the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2 are formed of line-on glass . 4 illustrates that the static electricity protection circuit 60a / 60b is formed on both the printed circuit board 80 and the LOG area LA in order to enhance the electrostatic protection effect. However, the printed circuit board 80 and the LOG area LA It may be formed in only one place. On the other hand, since the printed circuit board 80 is less restrictive than the LOG area LA, while the bezel shrinks there is a restriction on enlarging the LOG area LA of the display panel, It is advantageous in that it can be designed in a larger area than when formed in the LOG area LA.

정전기 보호회로(60a/60b)는 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기가 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 각각에 인가되는 경우, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 각각을 방전한다. 정전기 보호회로(60a/60b)는 게이트 로우 전압보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기가 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 각각에 인가되는 경우, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 각각을 충전한다. 정전기 보호회로(60a/60b)에 대한 자세한 설명은 도 5 및 도 8을 결부하여 후술한다.
When the positive static electricity having a voltage higher than the gate high voltage is applied to the second start signal line STL2 and the second clock line CLS2 respectively, the static electricity protection circuit 60a / 60b supplies the second start signal line STL2 And the second clock lines CLS2, respectively. The static electricity protection circuit 60a / 60b is configured such that when negative static electricity having a voltage lower than the gate low voltage is applied to each of the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2, the second start signal line STL2 And the second clock lines CLS2, respectively. A detailed description of the electrostatic protection circuit 60a / 60b will be given later in conjunction with FIG. 5 and FIG.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 보호회로를 보여주는 회로도이다. 도 5에는 게이트 하이 전압이 공급되는 게이트 하이 전압 라인(VGHL), 게이트 로우 전압이 공급되는 게이트 로우 전압 라인(VGLL), 및 그라운드 전압을 갖는 그라운드(GND)가 나타나 있다. 그라운드 전압은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이의 레벨을 갖는 전압이다. 제2 스타트 신호 라인(STL2), 제2 클럭 라인들(CLS2), 게이트 하이 전압 라인(VGHL), 및 게이트 로우 전압 라인(VGLL)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 파워 IC(50)와 게이트 구동부(20)를 연결한다.5 is a circuit diagram showing an electrostatic discharge protection circuit according to the first embodiment of the present invention. 5 shows a gate high voltage line (VGHL) to which a gate high voltage is supplied, a gate low voltage line (VGLL) to which a gate low voltage is supplied, and a ground (GND) having a ground voltage. The ground voltage is a voltage having a level between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The second start signal line STL2, the second clock lines CLS2, the gate high voltage line VGHL and the gate low voltage line VGLL are connected to the power IC 50 as shown in FIGS. And the gate driver 20 are connected to each other.

도 5를 참조하면, 파워 IC(50)는 클럭 라인(CL)을 통해 도 7a와 같이 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이에서 스윙하는 클럭 신호(CLK)를 게이트 구동부(20)에 공급한다. 도 5에서 RCL은 클럭 라인(CL)의 저항을 나타낸다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해 제2 클럭 라인들(CLS2) 중 어느 한 클럭 라인(CL)에 접속된 정전기 보호회로만을 도시하였다. 그러므로, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 중 다른 클럭 라인들 각각에 접속된 정전기 보호 회로는 도 5에 도시된 바와 실질적으로 동일하다.5, the power IC 50 outputs a clock signal CLK swinging between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH through the clock line CL to the gate driver 20 . In Fig. 5, R CL represents the resistance of the clock line CL. In FIG. 5, only the electrostatic protection circuit connected to one of the clock lines CL of the second clock lines CLS2 is illustrated for convenience of explanation. Therefore, the electrostatic protection circuit connected to each of the other of the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2 is substantially the same as that shown in Fig.

본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 보호회로(60a/60b)는 제1 및 제2 다이오드들(D1, D2)와 제1 및 제2 커패시터들(C1, C2)을 포함한다.The electrostatic protection circuit 60a / 60b according to the first embodiment of the present invention includes first and second diodes D1 and D2 and first and second capacitors C1 and C2.

제1 다이오드(D1)의 애노드 전극은 클럭 라인(CL)에 접속되고, 캐소드 전극은 게이트 하이 전압 라인(VGHL)에 접속된다. 제2 다이오드(D2)의 애노드 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGLL)에 접속되고, 캐소드 전극은 클럭 라인(CL)에 접속된다. 제1 커패시터(C1)는 게이트 하이 전압 라인(VGHL)과 그라운드(GND) 사이에 접속되며, 제2 커패시터(C2)는 게이트 로우 전압 라인(VGLL)과 그라운드(GND) 사이에 접속된다.The anode electrode of the first diode D1 is connected to the clock line CL and the cathode electrode is connected to the gate high voltage line VGHL. The anode electrode of the second diode D2 is connected to the gate low voltage line VGLL, and the cathode electrode is connected to the clock line CL. The first capacitor C1 is connected between the gate high voltage line VGHL and the ground GND and the second capacitor C2 is connected between the gate low voltage line VGLL and the ground GND.

정전기 보호회로(60a/60b)는 도 7b와 같이 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우, 클럭 라인(CL)의 전압은 도 6a와 같이 클럭 라인(CL)으로부터 제1 다이오드(D1), 게이트 하이 전압 라인(VGHL) 및 제1 커패시터(C1)를 거쳐 그라운드(GND)로 방전된다. 제1 다이오드(D1)의 애노드 전극이 클럭 라인(CL)에 접속되고, 캐소드 전극이 게이트 하이 전압 라인(VGHL)에 접속되므로, 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우에 클럭 라인(CL)의 전압은 도 7b와 같이 게이트 하이 전압(VGH)으로 방전될 수 있다.The electrostatic protection circuit 60a / 60b is turned on when the positive electrostatic ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is applied to the clock line CL as shown in FIG. Is discharged from the clock line CL to the ground GND through the first diode D1, the gate high voltage line VGHL, and the first capacitor C1 as shown in FIG. 6A. A positive static electricity ESD (+) voltage having a voltage higher than the gate high voltage VGH is generated because the anode electrode of the first diode D1 is connected to the clock line CL and the cathode electrode is connected to the gate high voltage line VGHL. ) Is applied to the clock line CL, the voltage of the clock line CL may be discharged to the gate high voltage VGH as shown in FIG. 7B.

정전기 보호회로(60a/60b)는 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우, 클럭 라인(CL)의 전압은 도 6b와 같이 그라운드(GND)로부터 제2 커패시터(C2), 게이트 로우 전압 라인(VGLL) 및 제2 다이오드(D2)를 거쳐 클럭 라인(CL)으로 충전된다. 제2 다이오드(D2)의 애노드 전극이 게이트 로우 전압 라인(VGLL)에 접속되고, 캐소드 전극이 클럭 라인(CL)에 접속되므로, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우에 클럭 라인(CL)의 전압은 도 7b와 같이 게이트 로우 전압(VGL)으로 충전될 수 있다.When the negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is applied to the clock line CL, the voltage of the clock line CL is set to a voltage level lower than the gate low voltage VGL in the electrostatic protection circuit 60a / Is charged from the ground GND to the clock line CL via the second capacitor C2, the gate low voltage line VGLL and the second diode D2. Since the anode electrode of the second diode D2 is connected to the gate low voltage line VGLL and the cathode electrode is connected to the clock line CL, a negative static electricity ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL, ) Is applied to the clock line CL, the voltage of the clock line CL may be charged to the gate-low voltage VGL as shown in FIG. 7B.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기(ESD(+))가 게이트 제어신호 라인에 인가되는 경우 정전기 보호회로(60a/60b)를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 하이 전압(VGH)으로 방전하고, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 인가되는 경우 정전기 보호회로(60a/60b)를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 로우 전압(VGL)으로 충전한다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예는 게이트 제어신호 라인에 인가된 정전기로 인해 게이트 제어신호 라인에 과전류가 흘러 클럭 라인(CL)에 접속된 파워 IC(50)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 게이트 제어신호 라인은 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 신호 라인들(CLS) 중 어느 하나일 수 있다.
As described above, according to the first embodiment of the present invention, when the positive electrostatic ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is applied to the gate control signal line, the electrostatic protection circuit 60a / (ESD (-)) having a voltage lower than the gate low voltage (VGL) is applied through the electrostatic protection circuit (60a / 60b) by discharging the gate control signal line to the gate high voltage And charges the gate control signal line to the gate low voltage (VGL). Therefore, the first embodiment of the present invention can prevent the power IC 50 connected to the clock line CL from being damaged due to the overcurrent flowing in the gate control signal line due to the static electricity applied to the gate control signal line. The gate control signal line may be either the second start signal line STL2 or the second clock signal lines CLS.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전기 보호회로를 보여주는 회로도이다. 도 8에는 게이트 하이 전압이 공급되는 게이트 하이 전압 라인(VGHL), 게이트 로우 전압이 공급되는 게이트 로우 전압 라인(VGLL), 및 그라운드 전압을 갖는 그라운드(GND)가 나타나 있다. 제2 스타트 신호 라인(STL2), 제2 클럭 라인들(CLS2), 게이트 하이 전압 라인(VGHL), 및 게이트 로우 전압 라인(VGLL)은 도 4 및 도 8에 도시된 바와 같이 파워 IC(50)와 게이트 구동부(20)를 연결한다.8 is a circuit diagram showing an electrostatic discharge protection circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 shows a gate high voltage line (VGHL) to which a gate high voltage is supplied, a gate low voltage line (VGLL) to which a gate low voltage is supplied, and a ground (GND) having a ground voltage. The second start signal line STL2, the second clock lines CLS2, the gate high voltage line VGHL and the gate low voltage line VGLL are connected to the power IC 50 as shown in FIGS. And the gate driver 20 are connected to each other.

도 8을 참조하면, 파워 IC(50)는 클럭 라인(CL)을 통해 도 7a와 같이 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이에서 스윙하는 클럭 신호(CLK)를 게이트 구동부(20)에 공급한다. 도 8에서는 설명의 편의를 위해 제2 클럭 라인들(CLS2) 중 어느 한 클럭 라인(CL)에 접속된 정전기 보호회로만을 도시하였다. 그러므로, 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 라인들(CLS2) 중 다른 클럭 라인들 각각에 접속된 정전기 보호 회로는 도 8에 도시된 바와 실질적으로 동일하다.8, the power IC 50 supplies the clock signal CLK swinging between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH through the clock line CL to the gate driver 20 . In FIG. 8, only the electrostatic protection circuit connected to one of the clock lines CL of the second clock lines CLS2 is shown for convenience of explanation. Therefore, the electrostatic protection circuit connected to each of the other of the second start signal line STL2 and the second clock lines CLS2 is substantially the same as that shown in Fig.

본 발명의 제2 실시예에 따른 정전기 보호회로(60a/60b)는 제1 및 제2 다이오드들(D1, D2), 제1 및 제2 커패시터들(C1, C2), 및 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2), 및 제1 내지 제4 저항들(R1, R2, R3, R4)을 포함한다.The electrostatic protection circuit 60a / 60b according to the second embodiment of the present invention includes first and second diodes D1 and D2, first and second capacitors C1 and C2, and first and second diodes D1 and D2, Transistors T1 and T2, and first to fourth resistors R1, R2, R3 and R4.

제1 다이오드(D1)의 애노드 전극은 클럭 라인(CL)에 접속되고, 캐소드 전극은 게이트 하이 전압 라인(VGHL)에 접속된다. 제2 다이오드(D2)의 애노드 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGLL)에 접속되고, 캐소드 전극은 클럭 라인(CL)에 접속된다. 제1 커패시터(C1)는 게이트 하이 전압 라인(VGHL)과 그라운드(GND) 사이에 접속되며, 제2 커패시터(C2)는 게이트 로우 전압 라인(VGLL)과 그라운드(GND) 사이에 접속된다.The anode electrode of the first diode D1 is connected to the clock line CL and the cathode electrode is connected to the gate high voltage line VGHL. The anode electrode of the second diode D2 is connected to the gate low voltage line VGLL, and the cathode electrode is connected to the clock line CL. The first capacitor C1 is connected between the gate high voltage line VGHL and the ground GND and the second capacitor C2 is connected between the gate low voltage line VGLL and the ground GND.

제1 및 제2 저항들(R1, R2)은 게이트 하이 전압 라인(VGHL)과 그라운드(GND) 사이에 직렬로 연결된다. 제3 및 제4 저항들(R3, R4)은 게이트 게이트 로우 전압 라인(VGLL)과 그라운드(GND) 사이에 직렬로 연결된다.The first and second resistors R1 and R2 are connected in series between the gate high voltage line VGHL and the ground GND. The third and fourth resistors R3 and R4 are connected in series between the gate gate low voltage line VGLL and the ground GND.

제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 및 제2 저항들(R1, R2) 사이의 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 그라운드(GND)에 접속되며, 드레인 전극은 게이트 하이 전압 라인(VGHL)에 접속된다.The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the first node N1 between the first and second resistors R1 and R2 and the source electrode thereof is connected to the ground GND. And is connected to the voltage line VGHL.

제1 노드(N1)의 전압은 제1 저항(R1)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)으로부터 강하된 전압이다. 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압은 제1 노드(N1)의 전압과 그라운드 전압 간의 차 전압보다 크다. 이로 인해, 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온되지 않으며, 그러므로 게이트 하이 전압 라인(VGHL)은 게이트 하이 전압(VGH)을 안정적으로 유지할 수 있다.The voltage of the first node N1 is a voltage dropped from the gate high voltage VGH by the first resistor R1. The threshold voltage of the first transistor T1 is lower than the threshold voltage of the first node N1 and the ground voltage CL when a static electricity ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is not applied to the clock line CL. . The first transistor T1 is not turned on and therefore the gate high voltage line VGHL is turned on when the static electricity ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage is not applied to the clock line CL, The gate high voltage VGH can be stably maintained.

도 7b와 같이 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 도 9a와 같이 제1 다이오드(D1)를 통해 클럭 라인(CL)으로부터 게이트 하이 전압 라인(VGHL)으로 전류가 흐르므로, 게이트 하이 전압 라인(VGHL)은 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨의 전압을 갖게 된다. 이로 인해, 제1 노드(N1)의 전압 역시 상승한다. 그러므로, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압은 제1 노드(N1)의 전압과 그라운드 전압 간의 차 전압보다 작아진다. 그 결과, 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온된다. 따라서, 클럭 라인(CL)의 전압은 도 9a와 같이 클럭 라인(CL)으로부터 제1 다이오드(D1), 게이트 하이 전압 라인(VGHL) 및 제1 트랜지스터(T1)를 거쳐 그라운드(GND)로 방전된다.When ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is applied to the clock line CL, as shown in FIG. 7B, the ESD (+) is applied from the clock line CL through the first diode D1, Since the current flows to the gate high voltage line (VGHL), the gate high voltage line (VGHL) has a voltage higher than the gate high voltage (VGH). As a result, the voltage of the first node N1 also rises. Therefore, the threshold voltage of the first transistor T1 becomes smaller than the difference voltage between the voltage of the first node N1 and the ground voltage. As a result, when the electrostatic ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage is applied to the clock line CL, the first transistor T1 is turned on. Accordingly, the voltage of the clock line CL is discharged from the clock line CL to the ground GND through the first diode D1, the gate high voltage line VGHL and the first transistor T1 as shown in FIG. 9A .

결국, 본원발명의 제2 실시예는 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 클럭 라인(CL)의 전압을 제1 트랜지스터(T1)를 거쳐 그라운드(GND)로 방전하므로, 제1 커패시터(C1)를 거쳐 그라운드(GND)로 방전하는 제1 실시예보다 빠르게 안정적으로 방전할 수 있다. 한편, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 턴-오프되어야 하고, 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 정전기(ESD(+))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 턴-온되어 게이트 하이 전압 라인(VGHL)으로부터 그라운드(GND)로 전류를 흘려야 하므로, N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성되는 것이 바람직하다.As a result, in the second embodiment of the present invention, when a static electricity ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage is applied to the clock line CL, the voltage of the clock line CL is applied to the first transistor T1 And discharged to the ground (GND) via the first capacitor (C1). Thus, discharge can be stably performed faster than that in the first embodiment in which discharge is performed to the ground (GND) through the first capacitor (C1). On the other hand, the first transistor T1 must be turned off when no static electricity (ESD (+)) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is applied to the clock line CL, (ESD +) is applied to the clock line CL, a current must flow from the gate high voltage line VGHL to the ground GND. Therefore, an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors.

제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제3 및 제4 저항들(R3, R4) 사이의 제2 노드(N2)에 접속되고, 소스 전극은 그라운드(GND)에 접속되며, 드레인 전극은 게이트 로우 전압 라인(VGLL)에 접속된다.The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the second node N2 between the third and fourth resistors R3 and R4 and the source electrode thereof is connected to the ground GND, And is connected to the voltage line VGLL.

제2 노드(N2)의 전압은 제3 저항(R3)에 의해 게이트 로우 전압(VGL)으로부터 강하된 전압이다. 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 제2 트랜지스터(T2)의 문턱전압은 제2 노드(N2)의 전압과 그라운드 전압 간의 차 전압보다 크다. 이로 인해, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온되지 않으며, 그러므로 게이트 로우 전압 라인(VGLL)은 게이트 로우 전압(VGL)을 안정적으로 유지할 수 있다.The voltage of the second node N2 is a voltage dropped from the gate low voltage VGL by the third resistor R3. The threshold voltage of the second transistor T2 is higher than the threshold voltage of the second node N2 and the ground voltage of the ground line CL when no negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is applied to the clock line CL. Is greater than the difference voltage between the voltages. As a result, the second transistor T2 is not turned on if a negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is not applied to the clock line CL, The line VGLL can stably maintain the gate-low voltage VGL.

도 7b와 같이 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 도 9b와 같이 제2 다이오드(D2)를 통해 게이트 로우 전압 라인(VGLL)으로 전류가 흐르므로, 게이트 로우 전압 라인(VGLL)은 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 레벨의 전압을 갖게 된다. 이로 인해, 제2 노드(N2)의 전압 역시 낮아진다. 그러므로, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱전압은 제1 노드(N1)의 전압과 그라운드 전압 간의 차 전압보다 작아진다. 그 결과, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온된다. 따라서, 클럭 라인(CL)의 전압은 도 9b와 같이 그라운드(GND)로부터 제2 커패시터(C2), 게이트 로우 전압 라인(VGLL) 및 제2 다이오드(D2)를 거쳐 클럭 라인(CL)으로 충전된다.When a negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is applied to the clock line CL as shown in FIG. 7B, the gate low voltage line (VL) is supplied through the second diode D2 VGLL, the gate-low voltage line VGLL has a voltage lower than the gate-low voltage VGL. As a result, the voltage of the second node N2 is also lowered. Therefore, the threshold voltage of the second transistor T2 becomes smaller than the difference voltage between the voltage of the first node N1 and the ground voltage. As a result, when the negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is applied to the clock line CL, the second transistor T2 is turned on. Therefore, the voltage of the clock line CL is charged from the ground GND to the clock line CL via the second capacitor C2, the gate low voltage line VGLL and the second diode D2 as shown in Fig. 9B .

결국, 본원발명의 제2 실시예는 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 그라운드 전압을 제2 트랜지스터(T2)를 거쳐 클럭 라인(CL)으로 충전하므로, 제2 커패시터(C2)를 거쳐 클럭 라인(CL)으로 충전하는 제1 실시예보다 빠르게 안정적으로 충전할 수 있다. 한편, 한편, 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되지 않는 경우 턴-오프되어야 하고, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 클럭 라인(CL)에 인가되는 경우 턴-온되어 그라운드(GND)로부터 게이트 로우 전압 라인(VGLL)으로 전류를 흘려야 하므로, P 타입 MOSFET으로 형성되는 것이 바람직하다.As a result, in the second embodiment of the present invention, when a negative electrostatic ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is applied to the clock line CL, It can be stably charged faster than the first embodiment in which the clock line CL is charged through the second capacitor C2. On the other hand, the second transistor T2 must be turned off when a static electricity ESD (-) having a voltage lower than the gate low voltage VGL is not applied to the clock line CL, and the gate low voltage VGL When a negative electrostatic ESD (-) having a voltage smaller than VGL is applied to the clock line CL, a current must flow from the ground GND to the gate low voltage line VGLL, .

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 게이트 하이 전압(VGH)보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기(ESD(+))가 게이트 제어신호 라인에 인가되는 경우 정전기 보호회로(60a/60b)를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 하이 전압(VGH)으로 방전하고, 게이트 로우 전압(VGL)보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기(ESD(-))가 인가되는 경우 정전기 보호회로(60a/60b)를 통해 게이트 제어신호 라인을 게이트 로우 전압(VGL)으로 충전한다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예는 게이트 제어신호 라인에 인가된 정전기로 인해 게이트 제어신호 라인에 과전류가 흘러 클럭 라인(CL)에 접속된 파워 IC(50)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 게이트 제어신호 라인은 제2 스타트 신호 라인(STL2)과 제2 클럭 신호 라인들(CLS) 중 어느 하나일 수 있다.As described above, according to the second embodiment of the present invention, when the positive electrostatic ESD (+) having a voltage higher than the gate high voltage VGH is applied to the gate control signal line, the electrostatic protection circuit 60a / (ESD (-)) having a voltage lower than the gate low voltage (VGL) is applied through the electrostatic protection circuit (60a / 60b) by discharging the gate control signal line to the gate high voltage And charges the gate control signal line to the gate low voltage (VGL). Therefore, the second embodiment of the present invention can prevent the power IC 50 connected to the clock line CL from being damaged because an overcurrent flows to the gate control signal line due to the static electricity applied to the gate control signal line. The gate control signal line may be either the second start signal line STL2 or the second clock signal lines CLS.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 화소전극
12: 공통전극 13: 액정층
14: 하부기판 20: 게이트 구동부
30: 데이터 구동부 31: 소스 드라이브 IC
40: 타이밍 제어부 50: 파워 IC
60a/60b: 정전기 보호회로 70: 소스 연성필름
80: 인쇄회로보드 D1: 제1 다이오드
D2: 제2 다이오드 C1: 제1 커패시터
C2: 제2 커패시터 R1: 제1 저항
R2: 제2 저항 R3: 제3 저항
R4: 제4 저항 T1: 제1 트랜지스터
T2: 제2 트랜지스터 CL: 클럭 라인
CLS1: 제1 클럭 라인들 CLS2: 제2 클럭 라인들
CLK: 클럭 신호 STL1: 제1 스타트 신호 라인
STL2: 제2 스타트 신호 라인 GCS: 게이트 제어신호
DCS: 데이터 제어신호
10: display panel 11: pixel electrode
12: common electrode 13: liquid crystal layer
14: lower substrate 20: gate driver
30: Data driver 31: Source drive IC
40: timing controller 50: power IC
60a / 60b: electrostatic protection circuit 70: source flexible film
80: printed circuit board D1: first diode
D2: second diode C1: first capacitor
C2: second capacitor R1: first resistance
R2: second resistor R3: third resistor
R4: fourth resistor T1: first transistor
T2: second transistor CL: clock line
CLS1: First clock lines CLS2: Second clock lines
CLK: clock signal STL1: first start signal line
STL2: Second start signal line GCS: Gate control signal
DCS: data control signal

Claims (13)

게이트 라인들 및 데이터 라인들에 접속되는 화소들이 마련된 표시패널;
상기 게이트 라인들에 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압 사이에서 스윙하는 게이트 신호들을 공급하는 게이트 구동부;
상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호를 출력하는 타이밍 제어부;
상기 게이트 구동부와 상기 타이밍 제어부 사이에 배치되며, 상기 게이트 제어신호의 전압 스윙폭을 변경하는 파워 IC; 및
상기 게이트 구동부와 상기 파워 IC 사이에 배치되며, 상기 게이트 제어신호가 공급되는 게이트 제어신호 라인에 상기 게이트 하이 전압보다 큰 전압을 갖는 포지티브 정전기가 인가되는 경우, 상기 게이트 제어신호 라인을 방전하는 정전기 보호회로를 포함하는 표시장치.
A display panel provided with pixels connected to the gate lines and the data lines;
A gate driver for supplying gate signals swinging between a gate high voltage and a gate low voltage to the gate lines;
A timing controller for outputting a gate control signal for controlling a driving timing of the gate driver;
A power IC disposed between the gate driver and the timing controller for changing a voltage swing width of the gate control signal; And
And a positive electrostatic discharge protection circuit which is disposed between the gate driving part and the power IC and applies positive static electricity having a voltage higher than the gate high voltage to the gate control signal line to which the gate control signal is supplied, A display comprising a circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 정전기 보호회로는 상기 게이트 제어 신호 라인에 상기 게이트 로우 전압보다 작은 전압을 갖는 네거티브 정전기가 인가되는 경우, 상기 게이트 제어 신호 라인을 충전하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the static electricity protection circuit charges the gate control signal line when a negative static electricity having a voltage smaller than the gate low voltage is applied to the gate control signal line.
제 2 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부, 상기 파워 IC, 및 상기 정전기 보호회로는 상기 표시패널에 접속된 연성필름에 접속된 인쇄회로보드 상에 마련되는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the timing control section, the power IC, and the static electricity protection circuit are provided on a printed circuit board connected to a flexible film connected to the display panel.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부와 상기 파워 IC는 상기 표시패널에 접속된 연성필름에 접속된 인쇄회로보드 상에 마련되고, 상기 정전기 보호회로는 상기 화소들이 마련되는 상기 표시패널의 표시영역의 주변부에 해당하는 상기 표시패널의 비표시영역에 마련되는 표시장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the timing control unit and the power IC are provided on a printed circuit board connected to a flexible film connected to the display panel, and the electrostatic protection circuit comprises: A display device provided in a non-display area of a panel.
제 1 항에 있어서,
상기 정전기 보호회로는,
애노드 전극이 상기 게이트 제어신호 라인에 접속되고, 캐소드 전극이 상기 게이트 하이 전압이 공급되는 게이트 하이 전압 라인에 접속되는 제1 다이오드; 및
상기 게이트 하이 전압 라인과 그라운드 전압을 갖는 그라운드 사이에 접속되는 제1 커패시터를 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
The electrostatic protection circuit includes:
A first diode having an anode electrode connected to the gate control signal line and a cathode electrode connected to a gate high voltage line to which the gate high voltage is supplied; And
And a first capacitor connected between the gate high voltage line and a ground having a ground voltage.
제 5 항에 있어서,
상기 정전기 보호회로는,
상기 게이트 하이 전압 라인과 상기 그라운드 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항들; 및
게이트 전극이 상기 제1 및 제2 저항들 사이의 제1 노드에 접속되고, 소스 전극이 상기 그라운드에 접속되며, 드레인 전극이 상기 게이트 하이 전압 라인에 접속되는 제1 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
6. The method of claim 5,
The electrostatic protection circuit includes:
First and second resistors serially connected between the gate high voltage line and the ground; And
And a first transistor having a gate electrode connected to a first node between the first and second resistors, a source electrode connected to the ground, and a drain electrode connected to the gate high voltage line.
제 6 항에 있어서,
상기 제1 노드의 전압은 상기 게이트 하이 전압이 상기 제1 저항에 의해 전압 강하된 전압이며,
상기 포지티브 정전기가 상기 게이트 제어신호 라인에 인가되지 않는 경우 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압은 상기 제1 노드의 전압과 상기 그라운드 전압 간의 차 전압보다 크고,
상기 포지티브 정전기가 상기 게이트 제어신호 라인에 인가되는 경우 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압은 상기 제1 노드의 전압과 상기 그라운드 전압 간의 차 전압보다 작은 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the voltage at the first node is a voltage at which the gate high voltage is voltage dropped by the first resistor,
The threshold voltage of the first transistor is greater than the difference voltage between the voltage of the first node and the ground voltage when the positive static electricity is not applied to the gate control signal line,
Wherein the threshold voltage of the first transistor is smaller than the difference voltage between the voltage of the first node and the ground voltage when the positive static electricity is applied to the gate control signal line.
제 6 항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 N타입 MOSFET인 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the first transistor is an N-type MOSFET.
제 2 항에 있어서,
상기 정전기 보호회로는,
애노드 전극이 상기 게이트 로우 전압이 공급되는 게이트 로우 전압 라인에 접속되고, 캐소드 전극이 상기 게이트 제어신호 라인에 접속되는 제2 다이오드; 및
상기 게이트 로우 전압 라인과 그라운드 전압을 갖는 그라운드 사이에 접속되는 제2 커패시터를 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
The electrostatic protection circuit includes:
A second diode having an anode electrode connected to the gate low voltage line to which the gate low voltage is supplied and a cathode electrode connected to the gate control signal line; And
And a second capacitor connected between the gate low voltage line and a ground having a ground voltage.
제 9 항에 있어서,
상기 정전기 보호회로는,
상기 게이트 로우 전압 라인과 상기 그라운드 사이에 직렬 연결된 제3 및 제4 저항들; 및
게이트 전극이 상기 제3 및 제4 저항들 사이의 제2 노드에 접속되고, 소스 전극이 상기 그라운드에 접속되며, 드레인 전극이 상기 게이트 로우 전압 라인에 접속되는 제2 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
10. The method of claim 9,
The electrostatic protection circuit includes:
Third and fourth resistors connected in series between the gate low voltage line and the ground; And
And a second transistor having a gate electrode connected to a second node between the third and fourth resistors, a source electrode connected to the ground, and a drain electrode connected to the gate low voltage line.
제 10 항에 있어서,
상기 제2 노드의 전압은 상기 게이트 로우 전압이 상기 제3 저항에 의해 전압 강하된 전압이며,
상기 네거티브 정전기가 상기 게이트 제어신호 라인에 인가되지 않는 경우 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압은 상기 제2 노드의 전압과 상기 그라운드 전압 간의 차 전압보다 크고,
상기 네거티브 정전기가 상기 게이트 제어신호 라인에 인가되는 경우 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압은 상기 제2 노드의 전압과 상기 그라운드 전압 간의 차 전압보다 작은 표시장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the voltage at the second node is such that the gate-low voltage is a voltage dropped by the third resistor,
The threshold voltage of the second transistor is greater than the difference voltage between the voltage of the second node and the ground voltage when the negative static electricity is not applied to the gate control signal line,
And a threshold voltage of the second transistor is smaller than a difference voltage between the voltage of the second node and the ground voltage when the negative static electricity is applied to the gate control signal line.
제 10 항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터는 P 타입 MOSFET인 표시장치.
11. The method of claim 10,
And the second transistor is a P-type MOSFET.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 제어신호는 1 프레임 기간의 첫 번째 게이트신호의 출력 타이밍을 제어하기 위한 스타트 신호이거나 순차적으로 위상이 지연되는 클럭 신호들 중 어느 하나인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gate control signal is one of a start signal for controlling an output timing of a first gate signal of one frame period or a clock signal having a phase delayed sequentially.
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