KR20190140629A - Light emttting display device - Google Patents

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KR20190140629A
KR20190140629A KR1020180067353A KR20180067353A KR20190140629A KR 20190140629 A KR20190140629 A KR 20190140629A KR 1020180067353 A KR1020180067353 A KR 1020180067353A KR 20180067353 A KR20180067353 A KR 20180067353A KR 20190140629 A KR20190140629 A KR 20190140629A
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Abstract

The present application provides a light emitting display device for preventing the spread of burnt and fall melting phenomenon by detecting a crack and short in a display panel. According to the present application, the light emitting display device comprises: a display panel on which a plurality of scan lines and a plurality of data lines are disposed and a plurality of pixels defined by the plurality of scan lines and data lines are arranged; and a defect detection unit disposed adjacent to the edge of the display panel. The defect detection unit is electrically connected to ESD wire disposed at the edge of the display panel.

Description

발광 표시장치{LIGHT EMTTTING DISPLAY DEVICE}Light-emitting display device {LIGHT EMTTTING DISPLAY DEVICE}

본 출원은 발광 표시장치에 관한 것이다.The present application relates to a light emitting display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치로는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 발광 표시장치(LED: Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다. 이들 중에서 발광 표시장치는 발광소자(light emitting element)로서 유기발광층을 이용하는 유기발광 표시장치, 발광소자로서 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)를 이용하는 발광 다이오드 표시장치 등으로 구분될 수 있다. 발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. As a display device, various display devices such as a liquid crystal display (LCD) and a light emitting display (LED) are used. The light emitting display device may be classified into an organic light emitting display device using an organic light emitting layer as a light emitting element, a light emitting diode display device using a micro light emitting diode as a light emitting element, and the like. The light emitting display device is capable of driving low voltage, has a thin shape, has an excellent viewing angle, and has a fast response speed.

발광 표시장치는 다수의 화소들이 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 표시패널을 포함한다. 표시패널은 화소들 각각을 구동하기 위해 스캔 구동회로로부터 스캔 신호들을 공급받고, 데이터 구동회로로부터 데이터 전압들을 공급받는다. 또한, 표시패널은 전원 공급부로부터 복수의 전원 전압들을 공급받는다.The light emitting display device includes a display panel in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form. The display panel receives scan signals from the scan driver circuit and drives data voltages from the data driver circuit to drive each of the pixels. In addition, the display panel receives a plurality of power voltages from a power supply.

외부의 충격을 받아 발광 표시장치에 크랙이 발생하는 경우, 표시패널의 전원 라인들은 서로 단락(short circuit)될 수 있다. 예를 들어, 전원 공급부로부터 고전위 전압을 공급받는 고전위 전압 라인과 전원 공급부로부터 저전위 전압을 공급받는 저전위 전압 라인이 서로 단락될 수 있다. 이 경우, 고전위 전원 라인으로부터 저전위 전원 라인으로 과전류가 흐르게 되며, 이러한 과전류로 인해 표시패널이 타버리는 번트(burnt)가 발생할 수 있다.When a crack occurs in the light emitting display device due to an external shock, power lines of the display panel may be short circuited to each other. For example, the high potential voltage line supplied with the high potential voltage from the power supply and the low potential voltage line supplied with the low potential voltage from the power supply may be shorted to each other. In this case, an overcurrent flows from the high potential power line to the low potential power line, and a burnt may occur due to the overcurrent.

본 출원은 표시패널의 크랙 발생 및 쇼트 발생을 검출하여 번트 및 폴 멜팅 현상의 확산을 방지하는 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object of the present application is to provide a light emitting display device which detects crack generation and short generation of a display panel and prevents spreading of burnt and pole melting phenomena.

본 출원에 따른 발광 표시장치는 복수의 스캔 라인 및 복수의 데이터 라인이 배치되며 복수의 스캔 라인과 복수의 데이터 라인에 의해 정의된 복수의 화소가 배열된 표시패널, 표시패널의 가장자리에 인접하도록 배치된 결함 검출부를 포함하고, 결함 검출부는 표시패널의 가장자리에 배치된 ESD 배선과 전기적으로 연결된다.In the light emitting display device according to the present application, a plurality of scan lines and a plurality of data lines are disposed, and a display panel in which a plurality of pixels defined by the plurality of scan lines and the plurality of data lines are arranged is disposed adjacent to an edge of the display panel. And a defect detection unit, wherein the defect detection unit is electrically connected to an ESD wiring disposed at an edge of the display panel.

본 출원에 따른 발광 표시장치는 번트 현상 및 폴 멜팅 현상의 확산을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.The light emitting display device according to the present application has an effect of preventing the spread of the burnt phenomenon and the fall melt phenomenon.

도 1은 본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 1에 도시된 결함 검출부의 연결 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 제 1 결함 검출부의 노멀 구동 모드 및 센싱 모드를 설명하기 위한 회로도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3에 도시된 제 2 결함 검출부의 노멀 구동 모드 및 센싱 모드를 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 결함 검출부를 설명하기 위한 회로도이다.
1 is a perspective view illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present application.
2 is a block diagram illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present application.
FIG. 3 is a circuit diagram for describing a connection structure of the defect detector illustrated in FIG. 1.
4A and 4B are circuit diagrams for describing a normal driving mode and a sensing mode of the first defect detection unit illustrated in FIG. 3.
5A and 5B are circuit diagrams for describing a normal driving mode and a sensing mode of the second defect detection unit illustrated in FIG. 3.
6 is a circuit diagram illustrating a defect detector according to a second embodiment of the present application.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present application, and a method of accomplishing the same will be apparent with reference to the examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present application is not limited to the examples disclosed below, but may be implemented in various different forms, only examples of the present application are intended to complete the disclosure of the present application, and the general knowledge in the art to which the present application belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, this application is defined only by the scope of the claims.

본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. Shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the example of the present application are exemplary, and thus the present application is not limited to the illustrated items. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present application, when it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present application, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. In the case where 'comprises', 'haves', 'consists of' and the like mentioned in the present application are used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where the component is expressed in the singular, the plural includes the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting a component, it is interpreted to include an error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of the description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of the two parts is described as 'on', 'upon', 'lower', 'next to', etc. Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal after-term relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', or the like, 'directly' or 'direct' This may include cases that are not continuous unless used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present application.

"제1 수평 축 방향", "제2 수평 축 방향" 및 "수직 축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 출원의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The "first horizontal axis direction", the "second horizontal axis direction" and the "vertical axis direction" are not to be interpreted only as geometric relationships in which the relationship between each other is vertical, and the range in which the configuration of the present application can function. It may mean having a wider direction than within.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term "at least one" should be understood to include all combinations which can be presented from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of a first item, a second item, and a third item" means two items of the first item, the second item, and the third item, as well as two of the first item, the second item, and the third item, respectively. It can mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various examples of the present application may be combined or combined with each other, in part or in whole, various technically interlocking and driving, each of the examples may be implemented independently of each other or may be implemented together in an association. .

이하에서는 본 출원에 따른 발광 표시장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.Hereinafter, a preferred example of a light emitting display device according to the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are shown in different drawings.

도 1은 본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present application, and FIG. 2 is a block diagram illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present application.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치는 발광소자로 유기발광소자를 이용하는 유기발광 표시장치 또는 발광소자로 마이크로 발광 다이오드를 이용하는 마이크로 발광 표시장치일 수 있다.1 and 2, a light emitting display device according to a first embodiment of the present application may be an organic light emitting display device using an organic light emitting device as a light emitting device or a micro light emitting display device using a micro light emitting diode as a light emitting device. .

본 출원의 제 1 실시예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 소스 드라이브 IC(121), 연성필름(122), 스캔 구동부(130), 소스 회로보드(140), 결함 검출부(141), 연성 케이블(150), 제어 회로보드(160), 타이밍 제어부(170), 메모리(180), 전압 공급부(190)를 포함한다.The light emitting display device according to the first exemplary embodiment of the present application includes the display panel 110, the data driver 120, the source drive IC 121, the flexible film 122, the scan driver 130, and the source circuit board 140. , A defect detector 141, a flexible cable 150, a control circuit board 160, a timing controller 170, a memory 180, and a voltage supply unit 190.

표시패널(110)은 제 1 기판(111)과 제 2 기판(112)을 포함한다. 제 1 기판(111)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 형성될 수 있으며, 제 2 기판(112)은 유리 기판, 플라스틱 필름, 봉지 필름, 또는 배리어 필름으로 형성될 수 있다.The display panel 110 includes a first substrate 111 and a second substrate 112. The first substrate 111 may be formed of a glass substrate or a plastic film, and the second substrate 112 may be formed of a glass substrate, a plastic film, an encapsulation film, or a barrier film.

표시패널(110)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 복수의 화소(P)가 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(110)에는 복수의 데이터 라인(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 복수의 기준전압 라인(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 복수의 스캔 라인(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 복수의 센싱신호 라인(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터 라인(D1~Dm)과 기준전압 라인(R1~Rp)은 스캔 라인(S1~Sn)과 센싱신호 라인(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터 라인(D1~Dm)과 기준전압 라인(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔 라인(S1~Sn)과 센싱신호 라인(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.The display panel 110 includes a display area AA and a non-display area NA provided around the display area AA. The display area AA is an area in which a plurality of pixels P are formed to display an image. The display panel 110 includes a plurality of data lines (D1 to Dm, m is a positive integer of 2 or more), a plurality of reference voltage lines (R1 to Rp, p is a positive integer of 2 or more), and a plurality of scan lines (S1 to Sn and n are positive integers of 2 or more) and a plurality of sensing signal lines SE1 to SEn. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may cross the scan lines S1 to Sn and the sensing signal lines SE1 to SEn. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may be parallel to each other. The scan lines S1 to Sn and the sensing signal lines SE1 to SEn may be parallel to each other.

복수의 화소(P) 각각은 복수의 데이터 라인(D1~Dm) 중 어느 하나, 복수의 기준전압 라인(R1~Rp) 중 어느 하나, 복수의 스캔 라인(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 복수의 센싱신호 라인(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 복수의 화소(P) 각각은 발광소자와 발광소자에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 복수의 화소(P) 각각에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.Each of the plurality of pixels P may be any one of the plurality of data lines D1 to Dm, any one of the plurality of reference voltage lines R1 to Rp, any one of the plurality of scan lines S1 to Sn, and a plurality of pixels. It may be connected to any one of the sensing signal lines SE1 to SEn. Each of the plurality of pixels P of the display panel 10 may include a light emitting device and a plurality of transistors for supplying current to the light emitting device. A detailed description of each of the plurality of pixels P of the display panel 10 will be described later.

데이터 구동부(120)는 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(integrated circuit)(121)를 포함할 수 있다. 도 2에서는 데이터 구동부(120)가 8 개의 소스 드라이브 IC(121)를 포함하는 것을 예시하였으나, 소스 드라이브 IC(121)의 개수는 이에 한정되지 않는다.The data driver 120 may include at least one source drive integrated circuit (IC) 121. In FIG. 2, the data driver 120 includes eight source drive ICs 121, but the number of source drive ICs 121 is not limited thereto.

소스 드라이브 IC(121)는 연성필름(122) 상에 실장될 수 있다. 연성필름(122)은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 연성필름(122)은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 연성필름(122)은 하부기판(111)과 소스 회로보드(140)에 부착될 수 있다. 연성필름(122)은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 제 1 기판(111)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 소스 드라이브 IC(121)는 데이터 라인(D1~Dm)에 연결될 수 있다.The source drive IC 121 may be mounted on the flexible film 122. The flexible film 122 may be a tape carrier package or a chip on film. The flexible film 122 may be bent or bent. The flexible film 122 may be attached to the lower substrate 111 and the source circuit board 140. The flexible film 122 may be attached onto the first substrate 111 by a tape automated bonding (TAB) method using an anisotropic conductive film, and thus, the source drive IC 121 may connect to the data line ( D1 ~ Dm).

소스 드라이브 IC(121)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터를 발광 데이터 전압들로 변환하여 복수의 데이터 라인(D1~Dm)에 인가한다. 표시 모드는 화소(P)들이 발광하여 화상을 표시하는 모드이다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 발광소자를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다.The source drive IC 121 receives compensation video data in the display mode, converts the compensation video data into emission data voltages according to the data timing control signal DCS, and applies the compensation video data to the plurality of data lines D1 to Dm. The display mode is a mode in which the pixels P emit light to display an image. The light emission data voltage is a voltage for emitting the light emitting element of the pixel P with a predetermined brightness.

스캔 구동부(130)는 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)를 포함한다. The scan driver 130 includes a scan signal output unit 131 and a sensing signal output unit 132.

스캔신호 출력부(131)는 복수의 스캔 라인(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호를 인가한다. 스캔신호 출력부(131)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호를 생성하여 스캔 라인(S1~Sn)에 인가한다.The scan signal output unit 131 is connected to the plurality of scan lines S1 to Sn to apply a scan signal. The scan signal output unit 131 generates a scan signal according to the scan timing control signal SCS input from the timing controller 170 and applies the scan signal to the scan lines S1 to Sn.

센싱신호 출력부(132)는 복수의 센싱신호 라인(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호를 인가한다. 센싱신호 출력부(132)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호를 생성하여 센싱신호 라인(SE1~SEn)에 인가한다.The sensing signal output unit 132 is connected to the plurality of sensing signal lines SE1 to SEn to apply a sensing signal. The sensing signal output unit 132 generates a sensing signal according to the sensing timing control signal SENCS input from the timing controller 170 and applies the sensing signal to the sensing signal lines SE1 to SEn.

스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(110)의 비표시영역(NA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(110)의 제 1 기판(111)에 부착되는 게이트 연성필름 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 집적회로(integrated circuit)와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다.The scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may be directly formed in the non-display area NA of the display panel 110 by using a gate driver in panel (GIP) method including a plurality of transistors. Alternatively, the scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may be formed in the form of a driving chip and mounted on the gate flexible film attached to the first substrate 111 of the display panel 110. have. In this case, the scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may be formed in a chip form like an integrated circuit.

소스 회로보드(140)는 연성 케이블(150)에 연결되기 위한 제 1 커넥터(151)를 포함한다. 소스 회로보드(140)는 제 1 커넥터(151)를 통해 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board) 또는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The source circuit board 140 includes a first connector 151 for connecting to the flexible cable 150. The source circuit board 140 may be connected to the flexible cable 150 through the first connector 151. The source circuit board 50 may be a flexible printed circuit board or a printed circuit board.

결함 검출부(141)는 소스 회로보드(140) 상에 배치될 수 있다. 결함 검출부(141)는 표시패널(110)에 발생하는 크랙 또는 쇼트를 검출하여 표시패널이 타버리는 번트 현상을 방지하기 위해 형성된다. 여기서 크랙이란 외부의 충격에 의해 표시패널(110)이 금이 가거나 표시패널(110)의 일부가 갈라지는 현상으로 볼 수 있고, 표시패널(110)이 깨지는 현상 표시패널(110)의 스크래치 등의 긁힘이 발생하는 현상을 모두 포함하는 광범위한 개념으로 볼 수 있다. 그리고 쇼트란 크랙 등의 원인으로 인하여 표시패널(110)에 배치된 전원라인들이 단락되거나 오픈되어 배선에 과전류 또는 이상전류가 흐르는 현상으로 볼 수 있다. 결함 검출부(141)가 표시패널(110)에 발생하는 크랙 또는 쇼트를 검출하는 구체적인 원리는 후술하기로 한다.The defect detector 141 may be disposed on the source circuit board 140. The defect detector 141 is formed to detect a crack or a short that occurs in the display panel 110 and to prevent burnt phenomenon that the display panel burns out. Herein, the crack may be a phenomenon in which the display panel 110 is cracked or a part of the display panel 110 is cracked due to an external impact, and the display panel 110 is cracked. It can be seen as a broad concept that includes all of these phenomena. In addition, the power lines disposed on the display panel 110 may be shorted or opened due to a short crack or the like, and an overcurrent or abnormal current may flow through the wiring. A detailed principle of detecting the crack or the short that occurs in the display panel 110 by the defect detector 141 will be described later.

제어 회로보드(160)는 연성 케이블(150)에 연결되기 위한 제 2 커넥터(152)를 포함한다. 제어 회로보드(160)는 제 2 커넥터(152)를 통해 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다. The control circuit board 160 includes a second connector 152 for connecting to the flexible cable 150. The control circuit board 160 may be connected to the flexible cable 150 through the second connector 152.

도 1에서는 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160)가 복수의 제 1 커넥터(151)와 복수의 제 2 커넥터(152)를 통해 복수의 연성 케이블(150)에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160) 각각은 하나의 제 1 커넥터(151)와 하나의 제 2 커넥터(152)를 통해 하나의 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다.In FIG. 1, the source circuit board 140 and the control circuit board 160 are connected to the plurality of flexible cables 150 through the plurality of first connectors 151 and the plurality of second connectors 152. It is not limited. That is, each of the source circuit board 140 and the control circuit board 160 may be connected to one flexible cable 150 through one first connector 151 and one second connector 152.

타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩으로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The timing controller 170 receives digital video data and timing signals from a system on chip. The timing signals may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock.

타이밍 제어부(170)는 소스 드라이브 IC(121), 스캔신호 출력부(131), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 제어신호들은 소스 드라이브 IC(121)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(131)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The timing controller 170 generates control signals for controlling the operation timing of the source drive IC 121, the scan signal output unit 131, and the sensing signal output unit 132. The control signals include a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the source drive IC 121, a scan timing control signal SCS for controlling the operation timing of the scan signal output unit 131, and a sensing signal output. And a sensing timing control signal SENCS for controlling the operation timing of the unit 132.

전압 공급부(180)는 시스템 회로보드의 메인 전원 공급부로부터 인가되는 메인 전원으로부터 기준전압(VREF)을 생성하여 데이터 구동부(120)의 소스 드라이브 IC(121)에 공급한다. 그 외에, 전원 공급부(180)는 메인 전원으로부터 고전위 전압에 해당하는 제 1 전원전압(EVDD)과 저전위 전압에 해당하는 제 2 전원전압(EVSS)을 생성하여 표시패널(110)에 공급할 수 있으며, 구동 전압들을 소스 드라이브 IC(121), 스캔신호 출력부(131), 센싱신호 출력부(132), 타이밍 제어부(170)에 공급할 수 있다.The voltage supply unit 180 generates a reference voltage VREF from the main power applied from the main power supply of the system circuit board and supplies the reference voltage VREF to the source drive IC 121 of the data driver 120. In addition, the power supply unit 180 may generate and supply the first power voltage EVDD corresponding to the high potential voltage and the second power voltage EVSS corresponding to the low potential voltage from the main power supply to the display panel 110. The driving voltages may be supplied to the source drive IC 121, the scan signal output unit 131, the sensing signal output unit 132, and the timing controller 170.

타이밍 제어부(170), 및 전압 공급부(180)는 제어 회로보드(160) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)와 전압 공급부(180)는 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 제어 회로보드(160)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.The timing controller 170 and the voltage supply unit 180 may be mounted on the control circuit board 160. In this case, the timing controller 170 and the voltage supply unit 180 may be formed in a chip form like an integrated circuit. The control circuit board 160 may be a flexible printed circuit board or a printed circuit board.

도 3은 도 1의 결함 검출부의 연결 구조를 설명하기 위한 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram for describing a connection structure of the defect detector of FIG. 1.

도 3을 참조하면, 결함 검출부(141)는 표시패널(110)의 가장자리에 배치된 ESD 배선(310)과 전기적으로 연결되어 있다.Referring to FIG. 3, the defect detector 141 is electrically connected to an ESD wiring 310 disposed at an edge of the display panel 110.

ESD 배선(310)은 표시패널(110)의 가장자리, 구체적으로 표시패널(110)의 비표시 영역(NA)에 배치된다. ESD 배선(310)은 정전기로 인하여 표시패널(110)에 불량이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 표시패널(110)의 외곽 가장자리를 둘러싸도록 형성될 수 있다. ESD 배선(310)은 그라운드로 차지(charge)를 빼줄 수 있기 때문에 외부의 접촉 또는 내부적으로 발생하는 정전기를 방출하여 표시패널(110)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. ESD 배선(310)은 제 1 ESD 배선(310a) 및 제 2 ESD 배선(310b)을 포함한다.The ESD wiring 310 is disposed at an edge of the display panel 110, specifically, in the non-display area NA of the display panel 110. The ESD wiring 310 may be formed to surround the outer edge of the display panel 110 in order to prevent a defect in the display panel 110 due to static electricity. Since the ESD wiring 310 may take out a charge to the ground, the display panel 110 may be improved by emitting external static electricity or static electricity generated internally. The ESD wiring 310 includes a first ESD wiring 310a and a second ESD wiring 310b.

제 1 ESD 배선(310a)은 표시 패널(110)의 가장자리를 둘러싸도록 배치된다. 제 1 ESD 배선(310a)은 표시패널(110)의 비표시 영역(NA) 중에서도 최외곽 가장자리를 둘러싸도록 배치되어, 표시패널(110)에 발생하는 정전기를 방출할 수 있다.The first ESD wiring 310a is disposed to surround the edge of the display panel 110. The first ESD wire 310a may be disposed to surround the outermost edge of the non-display area NA of the display panel 110 to emit static electricity generated in the display panel 110.

제 2 ESD 배선(310b)은 제 1 ESD 배선(310a)과 복수의 화소 사이에 배치된다. 구체적으로 제 2 ESD 배선(310b)은 표시패널(110)의 비표시 영역(NA)에 배치되고, 제 1 ESD 배선(310a)과 표시패널(110)의 액티브 영역(AA) 사이에 배치되어 표시패널(110)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다.The second ESD wiring 310b is disposed between the first ESD wiring 310a and the plurality of pixels. In detail, the second ESD wiring 310b is disposed in the non-display area NA of the display panel 110, and is disposed between the first ESD wiring 310a and the active area AA of the display panel 110. It may surround the edge of the panel 110.

이와 같이, ESD 배선(310)은 표시패널(110)의 가장자리를 둘러싸는 두개의 배선, 즉 제 1 ESD 배선(310a)과 제 2 ESD 배선(310b)을 활용하여, 정전기 방출을 효과적으로 할 수 있다.As such, the ESD wire 310 may effectively discharge static electricity by utilizing two wires surrounding the edge of the display panel 110, that is, the first ESD wire 310a and the second ESD wire 310b. .

결함 검출부(141)는 표시패널(110)의 가장자리에 인접하도록 배치되어, 표시패널(110)의 가장자리에 배치된 ESD 배선(310)과 전기적으로 연결된다. 전술한 바와 같이, 결함 검출부(141)는 소스 회로보드(140)에 배치될 수 있고, ESD 배선(310)은 연성필름(122)을 지나 소스 회로보드(140)에 배치된 결함 검출부(141)와 전기적으로 연결된다. 결함 검출부(141)는 제 1 결함 검출부(141a) 및 제 2 결함 검출부(141b)를 포함한다.The defect detector 141 may be disposed to be adjacent to the edge of the display panel 110 and electrically connected to the ESD wiring 310 disposed at the edge of the display panel 110. As described above, the defect detector 141 may be disposed on the source circuit board 140, and the ESD wiring 310 may pass through the flexible film 122 and the defect detector 141 disposed on the source circuit board 140. Is electrically connected to the The defect detector 141 includes a first defect detector 141a and a second defect detector 141b.

제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 ESD 배선(310a)과 전기적으로 연결된다. 제 1 결함 검출부(141a)는 표시패널(110)의 최외곽 가장자리에 배치된 제 1 ESD 배선(310a)과 전기적으로 연결되어 표시패널(110)에 발생하는 크랙을 검출할 수 있다. 표시패널(110)은 최외곽 가장자리인 베젤 영역이 상대적으로 외부의 충격에 취약하므로, 제 1 ESD 배선(310a)이 단선될 가능성이 높다. 제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 ESD 배선(310a)이 단선되는 경우 결함 신호를 발생시킬 수 있도록 구성되어, 표시패널(110)에 크랙이 발생함에 따라 번트 현상 및 편광 필름이 녹는 폴 멜팅 현상이 확산되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1), 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2), 제 1 저항(R1), 제 2 저항(R2), 제 1 전압원(V1), 제 1 커패시터(C1), 및 제 1 제너 다이오드(Z1)를 포함한다.The first defect detector 141a is electrically connected to the first ESD wiring 310a. The first defect detector 141a may be electrically connected to the first ESD wiring 310a disposed at the outermost edge of the display panel 110 to detect cracks occurring in the display panel 110. Since the bezel area at the outermost edge of the display panel 110 is relatively vulnerable to external shock, the first ESD wiring 310a is likely to be disconnected. The first defect detection unit 141a is configured to generate a defect signal when the first ESD wire 310a is disconnected, so that the burnt phenomenon and the polarization film melt as the crack occurs in the display panel 110. This diffusion can be prevented beforehand. The first defect detector 141a may include a first floating transistor FET1, a second floating transistor FET2, a first resistor R1, a second resistor R2, a first voltage source V1, and a first capacitor C1. ) And a first zener diode Z1.

제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)는 게이트 전극에 인가되는 턴-온/오프 신호에 의해 턴-온/오프 되고, 제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET1, FET2)의 턴-온/오프 됨에 따라서 노멀 구동 모드 및 센싱 모드로 동작할 수 있다. 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1)의 게이트 전극은 턴-온/오프 신호를 인가하는 스위칭 전극(미도시)에 접속되고, 소스 전극은 그라운드에 접속되고, 드레인 전극은 제 1 ESD 배선(310a)에 접속된다. 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)의 게이트 전극은 턴-온/오프 신호를 인가하는 스위칭 전극(미도시)에 접속되고, 소스 전극은 그라운드에 접속되고, 드레인 전극은 제 1 ESD 배선(310a)에 접속된다.The first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 are turned on / off by a turn-on / off signal applied to the gate electrode, and the first defect detection unit 141a is first and second floating. As the transistors FET1 and FET2 are turned on / off, the transistors FET1 and FET2 may operate in a normal driving mode and a sensing mode. The gate electrode of the first floating transistor FET1 is connected to a switching electrode (not shown) for applying a turn-on / off signal, the source electrode is connected to ground, and the drain electrode is connected to the first ESD wiring 310a. do. The gate electrode of the second floating transistor FET2 is connected to a switching electrode (not shown) that applies a turn-on / off signal, the source electrode is connected to ground, and the drain electrode is connected to the first ESD wiring 310a. do.

제 1 저항(R1)은 제 1 전압원(V1)과 제 1 ESD 배선(310a)에 접속되고, 제 2 저항(R2)은 그라운드와 제 1 ESD 배선(310a)에 접속된다. 제 1 결함 검출부(141a)는 센싱 모드에서 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)의 양단의 전압값을 측정 후 비교하여 크랙 발생 여부를 검출할 수 있다.The first resistor R1 is connected to the first voltage source V1 and the first ESD wiring 310a, and the second resistor R2 is connected to the ground and the first ESD wiring 310a. The first defect detector 141a may detect whether or not a crack has occurred by comparing a voltage value between both ends of the first resistor R1 and the second resistor R2 in the sensing mode.

제 1 전압원(V1)은 그라운드와 제 1 저항(R1)에 접속된다. 제 1 전압원(V1)은 센싱 모드에서 일정한 전압을 인가하므로, 제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 저항(R1) 및 제 2 저항(R2)의 양단의 전압값을 측정할 수 있다.The first voltage source V1 is connected to ground and the first resistor R1. Since the first voltage source V1 applies a constant voltage in the sensing mode, the first defect detector 141a may measure voltage values of both ends of the first resistor R1 and the second resistor R2.

제 1 커패시터(C1)는 그라운드와 제 1 ESD 배선(310a)에 접속되고, 센싱 모드에서 제 2 저항(R2)에 걸리는 전압을 저장한다.The first capacitor C1 is connected to the ground and the first ESD wiring 310a and stores a voltage applied to the second resistor R2 in the sensing mode.

제 1 제노 다이오드(Z1)는 그라운드와 제 1 ESD 배선(310a)에 접속되고, 과전압에서 전류의 흐름을 방지하여 소자를 보호할 수 있다.The first xenodiode Z1 may be connected to the ground and the first ESD wiring 310a and may protect the device by preventing a current from flowing in an overvoltage.

제 2 결함 검출부(141b)는 제 2 ESD 배선(310b)과 전기적으로 연결된다. 제 2 결함 검출부(141b)는 표시패널(110)의 최외곽 가장자리에 배치된 제 1 ESD 배선(310a)과 복수의 화소 사이에 배치된 제 2 ESD 배선(310b)과 전기적으로 연결되어 표시패널(110)에 구비된 배선들의 쇼트를 검출할 수 있다. 예를 들어, 제 2 ESD 배선(310b)는 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 배선 사이에 배치되어 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 배선간의 쇼트를 검출할 수 있다. 제 2 결함 검출부(141b)는 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 배선간의 쇼트가 발생하는 경우 결함 신호를 발생시킬 수 있도록 구성되어, 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 배선간의 쇼트가 발생함에 따라 번트 현상 및 편광 필름이 녹는 폴 멜팅 현상이 확산되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 제 2 결함 검출부(141b)는 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3), 제 3 저항(R3), 제 2 커패시터(C2), 및 제 2 제너 다이오드(Z2)를 포함한다.The second defect detection unit 141b is electrically connected to the second ESD wiring 310b. The second defect detection unit 141b is electrically connected to the first ESD wiring 310a disposed at the outermost edge of the display panel 110 and the second ESD wiring 310b disposed between the plurality of pixels, thereby to display the display panel ( The short of the wirings provided in the 110 may be detected. For example, the second ESD wiring 310b is disposed between the first power supply voltage EVDD wire and the second power supply voltage EVSS wire, and thus, the first power supply voltage EVDD wire and the second power supply voltage EVSS wire. The short of the liver can be detected. The second defect detection unit 141b is configured to generate a defect signal when a short occurs between the first power supply voltage EVDD wiring and the second power supply voltage EVSS wiring, and thus, may generate a defect signal. As the short between the second power supply voltage EVSS wires occurs, the spreading of the burnt phenomenon and the pole melting phenomenon in which the polarizing film is melted may be prevented. The second defect detector 141b includes a third floating transistor FET3, a third resistor R3, a second capacitor C2, and a second zener diode Z2.

제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)는 게이트 전극에 인가되는 턴-온/오프 신호에 의해 제 2 결함 검출부(141b)가 노멀 구동 모드 및 센싱 모드로 동작하도록 할 수 있다. 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)의 게이트 전극은 턴-온/오프 신호를 인가하는 스위칭 전극(미도시)에 접속되고, 소스 전극은 그라운드에 접속되고, 드레인 전극은 제 2 ESD 배선(310b)에 접속된다.The third floating transistor FET3 may cause the second defect detection unit 141b to operate in a normal driving mode and a sensing mode by a turn-on / off signal applied to the gate electrode. The gate electrode of the third floating transistor FET3 is connected to a switching electrode (not shown) that applies a turn-on / off signal, the source electrode is connected to ground, and the drain electrode is connected to the second ESD wiring 310b. do.

제 3 저항(R3)은 그라운드와 제 2 ESD 배선(310b)에 접속되고, 제 2 결함 검출부(141b)는 센싱 모드에서 제 3 저항(R3)의 양단의 전압값을 측정하여 쇼트 발생 여부를 검출할 수 있다.The third resistor R3 is connected to the ground and the second ESD wiring 310b, and the second defect detector 141b measures the voltage value of both ends of the third resistor R3 in the sensing mode to detect whether a short occurs. can do.

제 2 커패시터(C2)는 그라운드와 제 2 ESD 배선(310b)에 접속되고, 센싱 모드에서 제 3 저항(R3)에 걸리는 전압을 저장한다.The second capacitor C2 is connected to the ground and the second ESD wiring 310b and stores a voltage applied to the third resistor R3 in the sensing mode.

제 2 제노 다이오드(Z2)는 그라운드와 제 2 ESD 배선(310b)에 접속되고, 과전압에서 전류의 흐름을 방지하여 소자를 보호할 수 있다.The second xenodiode Z2 is connected to the ground and the second ESD wiring 310b and may protect the device by preventing a current from flowing in an overvoltage.

도 4a 및 도 4b는 제 1 결함 검출부의 노멀 구동 모드 및 센싱 모드를 설명하기 위한 회로도이다.4A and 4B are circuit diagrams for describing a normal driving mode and a sensing mode of the first defect detection unit.

도 4a는 제 1 결함 검출부(141a)의 노멀 구동 모드를 나타내고 있다. 제 1 결함 검출부(141a)는 노멀 구동 모드에서 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)를 턴-온 시킨다. 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)가 턴-온 되는 경우 전류는 저항이 매우 작은 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)로 흐르게 되고, 도시된 바와 같이, 제 1 ESD 배선(310a)은 폐회로를 구성하여 그라운드에 접속된다. 이때, 제 1 ESD 배선(310a)은 그라운드로 차지를 빼줄 수 있기 때문에 정전기 방출을 효과적으로 할 수 있다. 4A shows the normal driving mode of the first defect detection unit 141a. The first defect detector 141a turns on the first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 in the normal driving mode. When the first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 are turned on, current flows to the first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 having very small resistances, as shown. The first ESD wiring 310a forms a closed circuit and is connected to the ground. At this time, since the first ESD wire 310a can take out the charge to the ground, it is possible to effectively discharge the static electricity.

도 4b는 제 1 결함 검출부(141a)의 센싱 모드를 나타내고 있다. 제 1 결함 검출부(141a)는 센싱 모드에서 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)를 오프 시킨다. 제 1 플로팅 트랜지스터(FET1) 및 제 2 플로팅 트랜지스터(FET2)가 오프 되는 경우, 도시된 바와 같이, 제 1 저항(R1) 및 제 2 저항(R2)이 직렬로 연결된다. 이때, 제 1 전압원(V1)에서 일정한 전압을 걸어주는 경우 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)의 저항값에 따라 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)에 걸리는 전압값이 일정하게 나타날 수 있다. 다만, 표시패널(110)에 크랙이 발생하여 제 1 ESD 배선(310a)이 단선된 경우 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)에 걸리는 전압값이 변할 수 있다. 제 1 결함 검출부(141a)는 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)에 걸리는 전압값을 측정하여, 전압값의 변동이 있는 경우 제 1 결함 신호를 생성한다. 이와 같이, 제 1 결함 검출부(141a)는 표시패널(110)에 크랙이 발생하는 경우 제 1 결함 신호를 생성할 수 있기 때문에, 표시패널(110)에 크랙이 발생하여 번트 현상이나 폴 멜팅 현상이 발생하고 확산되는 것을 미연에 방지할 수 있다.4B illustrates a sensing mode of the first defect detector 141a. The first defect detector 141a turns off the first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 in the sensing mode. When the first floating transistor FET1 and the second floating transistor FET2 are turned off, as illustrated, the first resistor R1 and the second resistor R2 are connected in series. In this case, when a constant voltage is applied from the first voltage source V1, a voltage value applied to the first resistor R1 and the second resistor R2 according to the resistance values of the first resistor R1 and the second resistor R2. This may appear constant. However, when a crack occurs in the display panel 110 and the first ESD wiring 310a is disconnected, a voltage value applied to the first resistor R1 and the second resistor R2 may change. The first defect detector 141a measures a voltage value applied to the first resistor R1 and the second resistor R2, and generates a first defect signal when there is a variation in the voltage value. As such, when the crack occurs in the display panel 110, the first defect detection unit 141a may generate the first defect signal. Thus, the crack occurs in the display panel 110, thereby causing burnt or pole melting. It can be prevented from occurring and spreading.

도 5a 및 도 5b는 제 2 결함 검출부의 노멀 구동 모드 및 센싱 모드를 설명하기 위한 회로도이다.5A and 5B are circuit diagrams for describing a normal driving mode and a sensing mode of the second defect detection unit.

도 5a는 제 2 결함 검출부(141b)의 노멀 구동 모드를 나타내고 있다. 제 1 결함 검출부(141b)는 노멀 구동 모드에서 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)를 턴-온 시킨다. 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)가 턴-온 되는 경우 전류는 저항이 매우 작은 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)로 흐르게 되고, 도시된 바와 같이, 제 2 ESD 배선(310b)은 폐회로를 구성하고 그라운드에 접속된다. 이때, 제 2 ESD 배선(310b)은 그라운드로 차지를 빼줄 수 있기 때문에 정전기 방출을 효과적으로 할 수 있다. 5A shows a normal driving mode of the second defect detection unit 141b. The first defect detector 141b turns on the third floating transistor FET3 in the normal driving mode. When the third floating transistor FET3 is turned on, current flows to the third floating transistor FET3 having a very low resistance, and as shown, the second ESD wiring 310b forms a closed circuit and is connected to ground. do. At this time, since the second ESD wire 310b can take out the charge to the ground, it is possible to effectively discharge the static electricity.

도 5b는 제 2 결함 검출부(141b)의 센싱 모드를 나타내고 있다. 제 2 결함 검출부(141b)는 센싱 모드에서 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)를 오프 시킨다. 제 3 플로팅 트랜지스터(FET3)가 오프 되는 경우, 도시된 바와 같이, 제 2 ESD 배선(310b)과 그라운드 사이에 제 3 저항(R1), 제 2 커패시터(C1), 제 2 제노 다이오드(Z1)가 병렬로 접속된다. 이때, 제 1 저항(R1)의 양단의 전압값은 정상 범위에서 0V로 측정될 수 있다. 그러나, 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 배선 사이에 이물에 의해 쇼트가 발생하는 경우, 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 제 2 전원전압(EVSS) 사이에 배치된 제 2 ESD 배선(310b)에 특정한 전압이 인가될 수 있다. 제 2 ESD 배선(310b)에 특정 전압이 인가되면 제 3 저항(R3)의 전압값이 0V가 아닌 전압값을 가지도록 측정될 수 있고, 이 경우 제 2 결함 검출부(141b)는 제 2 결함 신호를 생성한다. 이와 같이, 제 2 결함 검출부(141b)는 쇼트가 발생하는 경우 제 2 결함 신호를 생성할 수 있기 때문에, 쇼트에 의해 번트 현상이나 폴 멜팅 현상이 발생하고 확산되는 것을 미연에 방지할 수 있다.5B illustrates a sensing mode of the second defect detector 141b. The second defect detector 141b turns off the third floating transistor FET3 in the sensing mode. When the third floating transistor FET3 is turned off, the third resistor R1, the second capacitor C1, and the second genodiode Z1 are disposed between the second ESD wiring 310b and the ground as shown. Are connected in parallel. At this time, the voltage value of both ends of the first resistor (R1) may be measured as 0V in the normal range. However, when a short occurs due to a foreign matter between the first power supply voltage EVDD wiring and the second power supply voltage EVSS wiring, the short circuit is disposed between the first power supply voltage EVDD wiring and the second power supply voltage EVSS. A specific voltage may be applied to the second ESD wiring 310b. When a specific voltage is applied to the second ESD wiring 310b, the voltage value of the third resistor R3 may be measured to have a voltage value other than 0V. In this case, the second defect detector 141b may detect the second defect signal. Create As described above, since the second defect detection unit 141b can generate the second defect signal when a short occurs, the second defect detection unit 141b can prevent the burnt phenomenon and the fall melt phenomenon from occurring due to the short.

이와 같이, 본 출원의 1 실시예에 따른 발광 표시장치는 결함 검출부(141)를 통해 표시패널(110)에 결함이 발생하는 것을 검출할 수 있다. 이때 제 1 결함 검출부(141a)에서 생성된 제 1 결함 검출 신호와 제 2 결함 검출부(141b)에서 생성된 제 2 결함 검출 신호는 타이밍 제어부(170)로 전달된다. 타이밍 제어부(170)는 제 1 결함 검출 신호 또는 제 2 결함 검출 신호를 전달받으면, 이상 신호를 생성한다. 타이밍 제어부(170)에서 생성된 이상 신호는 메인 전원 공급부로 전달되어 메인 전원 공급부가 메인 전원을 출력하는 것을 차단한다. 그러므로, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110)에 크랙이 발생하거나 배선의 쇼트가 발생하는 경우 결함 검출부(141)를 통해 메인 전원의 출력을 차단할 수 있고, 번트 현상 및 폴 멜팅 현상이 확산되는 것을 방지할 수 있다. As such, the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application may detect that a defect occurs in the display panel 110 through the defect detector 141. In this case, the first defect detection signal generated by the first defect detection unit 141a and the second defect detection signal generated by the second defect detection unit 141b are transmitted to the timing controller 170. The timing controller 170 generates an abnormal signal when the first defect detection signal or the second defect detection signal is received. The abnormal signal generated by the timing controller 170 is transferred to the main power supply to block the main power supply from outputting the main power. Therefore, the light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present application may block the output of the main power supply through the defect detection unit 141 when a crack occurs in the display panel 110 or a short circuit occurs. The spreading of the melting phenomenon can be prevented.

그리고, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시장치는 별도의 마스크 추가 없이 노말 구동 모드에서 정전기 방지를 할 수 있고, 센싱 모드에서 번트 현상 및 폴 멜팅 현상 확산 방지를 할 수 있도록 설계되므로 제조 비용 측면에서 유리하다. In addition, since the light emitting display device according to an example of the present application is designed to prevent static electricity in a normal driving mode without adding a separate mask, and to prevent spreading of burnt phenomenon and pole melting phenomenon in a sensing mode, in terms of manufacturing cost It is advantageous.

도 6은 본 출원의 제 2 실시예에 따른 결함 검출부를 설명하기 위한 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a defect detector according to a second embodiment of the present application.

도 6을 참조하면, 본 출원의 제 2 실시예에 따른 결함 검출부는 드라이브 IC(121)에 포함된 데이터 전압 검출부(125), 및 기준전압 검출부(126)를 포함한다. 데이터 전압 검출부(125)와 기준전압 검출부(126)의 구성을 서술하기 전에 먼저 화소(P) 및 소스 드라이브 IC(121)에 대하여 서술하기로 한다. Referring to FIG. 6, the defect detector according to the second embodiment of the present application includes a data voltage detector 125 and a reference voltage detector 126 included in the drive IC 121. Before describing the configuration of the data voltage detector 125 and the reference voltage detector 126, the pixel P and the source drive IC 121 will be described.

소스 드라이브 IC(121)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터를 발광 데이터 전압들로 변환하여 복수의 데이터 라인(D1~Dm)에 인가한다. 소스 드라이브 IC(121)는 버퍼(123), 데이터 전압 검출부(125), 기준전압 검출부(126)를 포함한다.The source drive IC 121 receives compensation video data in the display mode, converts the compensation video data into emission data voltages according to the data timing control signal DCS, and applies the compensation video data to the plurality of data lines D1 to Dm. The source drive IC 121 includes a buffer 123, a data voltage detector 125, and a reference voltage detector 126.

버퍼(123)는 복수의 데이터 라인(D1~Dm)에 데이터 전압을 인가한다. 이때, 버퍼(123)는 복수의 데이터 라인(D1~Dm)에 동시에 데이터 전압이 인가되도록 할 수 있다.The buffer 123 applies a data voltage to the plurality of data lines D1 to Dm. In this case, the buffer 123 may allow data voltages to be simultaneously applied to the plurality of data lines D1 to Dm.

데이터 전압 검출부(125)는 데이터 전압의 이상 유무를 검출하고, 기준전압 검출부(126)는 기준전압의 이상 유무를 검출한다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.The data voltage detector 125 detects an abnormality of the data voltage, and the reference voltage detector 126 detects an abnormality of the reference voltage. Detailed description thereof will be described later.

화소(P)는 데이터 라인(D), 기준전압 라인(R), 스캔 라인(S), 및 센싱신호 라인(S)에 접속될 수 있다. 화소(P)는 발광소자(EL), 구동 트랜지스터(Tdr), 스위칭 트랜지스터(Tsw), 센싱 트랜지스터(Tse), 및 제 3 커패시터(C3)를 포함한다. The pixel P may be connected to the data line D, the reference voltage line R, the scan line S, and the sensing signal line S. The pixel P includes a light emitting element EL, a driving transistor Tdr, a switching transistor Tsw, a sensing transistor Tse, and a third capacitor C3.

발광소자(EL)는 구동 트랜지스터(Tdr)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광소자(EL)는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 또는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)로 구현될 수 있다. 발광소자(EL)가 유기발광 다이오드로 구현되는 경우, 발광소자(EL)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 발광소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광소자(EL)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위 전압보다 낮은 저전위 전압이 공급되는 제 2 전원 전압(EVDD) 배선에 접속될 수 있다.The light emitting element EL emits light according to a current supplied through the driving transistor Tdr. The light emitting device EL may be implemented as an organic light emitting diode or a micro light emitting diode. When the light emitting device EL is formed of an organic light emitting diode, the light emitting device EL includes an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer. ), And a cathode electrode. When voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, the light emitting device EL moves to the organic light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combines and emits light in the organic light emitting layer. The anode electrode of the light emitting device EL may be connected to the source electrode of the driving transistor Tdr, and the cathode electrode may be connected to the second power supply voltage EVDD wiring to which a low potential voltage lower than the high potential voltage is supplied.

구동 트랜지스터(Tdr)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제 1 전원전압(EVDD)이 공급되는 제 1 전원전압(EVDD) 배선으로부터 발광소자(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극은 스위칭 트랜지스터(Tsw)의 제 1 전극에 접속되고, 소스 전극은 발광소자(EL)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압이 인가되는 제 1 전원전압(EVDD) 배선에 접속될 수 있다.The driving transistor Tdr adjusts the current flowing from the first power supply voltage EVDD wiring to which the first power supply voltage EVDD is supplied to the light emitting device EL according to the voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor Tdr is connected to the first electrode of the switching transistor Tsw, the source electrode is connected to the anode electrode of the light emitting element EL, and the drain electrode is a first power supply voltage to which a high potential voltage is applied. (EVDD) wiring can be connected.

스위칭 트랜지스터(Tsw)는 스캔신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인(D)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 접속시킨다. The switching transistor Tsw is turned on by the scan signal to connect the data line D to the gate electrode of the driving transistor Tdr.

센싱 트랜지스터(Tse)는 센싱신호에 의해 턴-온되어 기준전압 라인(R)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극에 접속시킨다. The sensing transistor Tse is turned on by the sensing signal to connect the reference voltage line R to the source electrode of the driving transistor Tdr.

제 3 커패시터(C3)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 제 3 커패시터(C3)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.The third capacitor C3 is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr. The third capacitor C3 stores the difference voltage between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor Tdr.

데이터 전압 검출부(125)는 데이터 라인(D)의 전압의 이상 유무를 검출한다. 데이터 전압 검출부(125)는 버퍼(123)의 입력단의 전압(V2)과 버퍼(123)의 출력단의 전압(V3)을 센싱하여 비교한다. 정상 범위에 있는 경우 비교기에서 하이 신호가 나오고, 하이 신호는 로우패스필터(LPF)를 통과하지 못하고 수평동기기준카운터(HBC)에 기록되지 않는다. 다만, 외부 충격에 의해 표시패널(110)에 크랙이 발생하여 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 데이터 라인(D), 기준전압 라인(R)이 연결되면 버퍼(123)의 출력단, 즉 데이터 라인(D)에 과도한 전압이 인가된다. 따라서 비교기에서 로우 신호가 나오게 되고 로우 신호는 로우패스필터(LPF)를 통과하여 수평동기기준카운터(HBC)에 기록된다. 이때, 수평동기기준카운터(HBC)는 1 수평동기기간을 기준으로 카운터에 기록된 횟수가 일정 범위 이상인 경우 제 3 결함 신호를 생성할 수 있다. The data voltage detector 125 detects whether or not the voltage of the data line D is abnormal. The data voltage detector 125 senses and compares the voltage V2 of the input terminal of the buffer 123 with the voltage V3 of the output terminal of the buffer 123. If it is in the normal range, a high signal comes out of the comparator, and the high signal does not pass through the low pass filter (LPF) and is not written to the horizontal synchronization reference counter (HBC). However, when a crack occurs in the display panel 110 due to an external shock and the first power voltage EVDD wiring, the data line D, and the reference voltage line R are connected, the output terminal of the buffer 123, that is, the data line, is connected. Excessive voltage is applied to (D). Therefore, the low signal is output from the comparator, and the low signal passes through the low pass filter LPF and is recorded in the horizontal synchronous reference counter HBC. At this time, the horizontal synchronization reference counter (HBC) may generate a third defect signal when the number of times recorded in the counter based on one horizontal synchronization period is more than a predetermined range.

기준전압 검출부(126)는 기준전압 라인(R)의 전압의 이상 유무를 검출한다. 기준전압 검출부(126)는 기준전압 라인(R)의 전압을 센싱하여 기설정된 전압(V4)과 비교한다. 정상 범위에 있는 경우 비교기에서 하이 신호가 나오고, 하이 신호는 로우패스필터(LPF)를 통과하지 못하고 프레임기준카운터(FBC)에 기록되지 않는다. 다만, 외부 충격에 의해 표시패널(110)에 크랙이 발생하여 제 1 전원전압(EVDD) 배선과 데이터 라인(D), 기준전압 라인(R)이 연결되면 기준전압 라인(R)에 과도한 전압이 인가된다. 따라서 비교기에서 로우 신호가 나오게 되고 로우 신호는 로우패스필터(LPF)를 통과하여 프레임기준카운터(FBC)에 기록된다. 이때, 프레임기준카운터(FBC)는 1 프레임기간을 기준으로 카운터에 기록된 횟수가 일정 범위 이상인 경우 제 4 결함 신호를 생성할 수 있다.The reference voltage detector 126 detects whether or not the voltage of the reference voltage line R is abnormal. The reference voltage detector 126 senses the voltage of the reference voltage line R and compares the voltage with the preset voltage V4. When in the normal range, a high signal is output from the comparator, and the high signal does not pass through the low pass filter (LPF) and is not written to the frame reference counter (FBC). However, when a crack occurs in the display panel 110 due to an external shock and the first power voltage EVDD wiring, the data line D, and the reference voltage line R are connected, excessive voltage is applied to the reference voltage line R. Is approved. Therefore, the low signal is output from the comparator, and the low signal passes through the low pass filter LPF and is written to the frame reference counter FBC. In this case, the frame reference counter FBC may generate the fourth defect signal when the number of times written in the counter based on one frame period is greater than or equal to a predetermined range.

이와 같이, 본 출원의 제 2 실시예에 따른 발광 표시장치는 데이터 전압 검출부(125) 및 기준전압 검출부(126)를 통해 표시패널(110)에 결함이 발생하는 것을 검출할 수 있다. 이때, 소스 드라이브 IC(121)는 제 3 결함 검출 신호와 제 4 결함 검출 신호 중 어느 하나의 신호만 발생하더라도 에러 신호를 생성한다. 소스 드라이브 IC(121)에서 생성된 에러 신호는 타이밍 제어부(170)로 전달되고, 타이밍 제어부(170)는 에러 신호를 전달받으면, 이상 신호를 생성한다. 타이밍 제어부(170)에서 생성된 이상 신호는 메인 전원 공급부로 전달되어 메인 전원 공급부가 메인 전원을 출력하는 것을 차단한다. 그러므로, 본 출원의 제 2 실시예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110)에 크랙이 발생하거나 배선의 쇼트가 발생하는 경우 결함 검출부를 통해 메인 전원의 출력을 차단할 수 있고, 번트 현상 및 폴 멜팅 현상이 확산되는 것을 방지할 수 있다. As described above, the light emitting display device according to the second exemplary embodiment of the present application may detect that a defect occurs in the display panel 110 through the data voltage detector 125 and the reference voltage detector 126. At this time, the source drive IC 121 generates an error signal even if only one of the third defect detection signal and the fourth defect detection signal occurs. The error signal generated by the source drive IC 121 is transferred to the timing controller 170, and when the error controller receives the error signal, the timing controller 170 generates an abnormal signal. The abnormal signal generated by the timing controller 170 is transferred to the main power supply to block the main power supply from outputting the main power. Therefore, the light emitting display device according to the second exemplary embodiment of the present application may block the output of the main power supply through the defect detection unit when a crack occurs in the display panel 110 or a short circuit occurs. The phenomenon can be prevented from spreading.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present application described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical details of the present application. It will be evident to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present application is represented by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof are included in the scope of the present application.

110: 표시패널 111: 하부 기판
112: 상부 기판 120: 데이터 구동부
121: 소스 드라이브 IC 122: 연성필름
130: 스캔 구동부 131: 스캔신호 출력부
132: 센싱신호 출력부 140: 소스 회로보드
150: 연성 케이블 160: 제어 회로보드
170: 타이밍 제어부 180: 전압 공급부
110: display panel 111: lower substrate
112: upper substrate 120: data driver
121: source drive IC 122: flexible film
130: scan driver 131: scan signal output unit
132: sensing signal output unit 140: source circuit board
150: flexible cable 160: control circuit board
170: timing controller 180: voltage supply unit

Claims (9)

복수의 스캔 라인 및 복수의 데이터 라인이 배치되며 상기 복수의 스캔 라인과 상기 복수의 데이터 라인에 의해 정의된 복수의 화소가 배열된 표시패널;
상기 표시패널의 크랙 또는 단락을 검출하는 결함 검출부; 및
상기 표시패널에서 발생하는 정전기를 방출하는 ESD 배선을 포함하고,
상기 결함 검출부는 상기 ESD 배선과 전기적으로 연결되어 상기 표시패널의 비표시영역에서 발생된 ESD 배선의 크랙 또는 단락을 검출하는,, 발광 표시장치.
A display panel in which a plurality of scan lines and a plurality of data lines are disposed and a plurality of pixels defined by the plurality of scan lines and the plurality of data lines are arranged;
A defect detector for detecting a crack or a short circuit of the display panel; And
An ESD wiring for dissipating static electricity generated in the display panel,
And the defect detector is electrically connected to the ESD wiring to detect a crack or a short circuit of the ESD wiring generated in the non-display area of the display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 데이터 라인에 데이터 전압을 인가하는 소스 드라이브 IC;
상기 소스 드라이브 IC를 실장하는 연성 필름; 및
상기 연성 필름에 연결되는 소스 회로보드를 더 포함하고,
상기 결함 검출부는 상기 소스 회로보드에 배치되는, 발광 표시장치.
The method of claim 1,
A source drive IC applying a data voltage to the plurality of data lines;
A flexible film mounting the source drive IC; And
Further comprising a source circuit board connected to the flexible film,
And the defect detector is disposed on the source circuit board.
제 1 항에 있어서,
상기 ESD 배선은,
상기 표시 패널의 가장자리를 둘러싸는 제 1 ESD 배선; 및
상기 제 1 ESD 배선과 상기 복수의 화소 사이에 배치된 제 2 ESD 배선을 포함하고,
상기 결함 검출부는 상기 제 1 ESD 배선 및 상기 제 2 ESD 배선과 전기적으로 연결된, 발광 표시장치.
The method of claim 1,
The ESD wiring,
First ESD wires surrounding edges of the display panel; And
A second ESD wire disposed between the first ESD wire and the plurality of pixels,
And the defect detection unit is electrically connected to the first ESD wiring and the second ESD wiring.
제 3 항에 있어서,
상기 결함 검출부는,
제 1 및 제 2 플로팅 트랜지스터를 포함하는 제 1 결함 검출부; 및
제 3 플로팅 트랜지스터를 포함하는 제 2 결함 검출부를 포함하고,
상기 제 1 결함 검출부는 상기 제 1 ESD 배선과 전기적으로 연결되고,
상기 제 2 결함 검출부는 상기 제 2 ESD 배선과 전기적으로 연결되는, 발광 표시장치.
The method of claim 3, wherein
The defect detection unit,
A first defect detector including first and second floating transistors; And
A second defect detection unit including a third floating transistor,
The first defect detection unit is electrically connected to the first ESD wiring,
And the second defect detector is electrically connected to the second ESD wiring.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 결함 검출부는 센싱 모드에서 상기 표시 패널의 크랙을 검출하여 제 1 결함 신호를 생성하고,
상기 제 2 결함 검출부는 센싱 모드에서 상기 표시 패널의 배선의 쇼트를 검출하여 제 2 결함 신호를 생성하는, 발광 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The first defect detector generates a first defect signal by detecting a crack of the display panel in a sensing mode,
And the second defect detector detects a short of the wiring of the display panel in a sensing mode and generates a second defect signal.
제 5 항에 있어서,
상기 소스 드라이브 IC의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 더 포함하고,
상기 타이밍 제어부는 상기 제 1 결함 신호 또는 상기 제 2 결함 신호가 인가됨에 따라 이상 신호를 발생시키는, 발광 표시장치.
The method of claim 5,
A timing controller for controlling an operation timing of the source drive IC;
And the timing controller generates an abnormal signal when the first defect signal or the second defect signal is applied.
제 2 항에 있어서,
상기 소스 드라이브 IC는,
상기 복수의 데이터 라인에 데이터 전압을 인가하는 버퍼;
상기 버퍼의 입력단의 전압과 출력단의 전압을 센싱하여 비교하는 데이터 전압 검출부; 및
기준전압 라인에 공급된 전압을 센싱하는 기준전압 검출부를 포함하는, 발광 표시장치.
The method of claim 2,
The source drive IC,
A buffer for applying a data voltage to the plurality of data lines;
A data voltage detector configured to sense and compare a voltage at an input terminal and an output terminal of the buffer; And
And a reference voltage detector configured to sense a voltage supplied to the reference voltage line.
제 7 항에 있어서,
상기 데이터 전압 검출부는 상기 데이터 라인에 과도한 전압이 인가되면 제 3 결함 신호를 생성하고,
상기 기준전압 검출부는 상기 기준전압 라인에 과도한 전압이 인가되면 제 4 결함 신호를 생성하는, 발광 표시장치.
The method of claim 7, wherein
The data voltage detector generates a third defect signal when an excessive voltage is applied to the data line,
And the reference voltage detector generates a fourth defect signal when an excessive voltage is applied to the reference voltage line.
제 8 항에 있어서,
상기 소스 드라이브 IC의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 더 포함하고,
상기 타이밍 제어부는 상기 제 3 결함 신호 또는 상기 제 4 결함 신호가 인가됨에 따라 이상 신호를 발생시키는, 발광 표시장치.













The method of claim 8,
A timing controller for controlling an operation timing of the source drive IC;
And the timing controller generates an abnormal signal when the third defect signal or the fourth defect signal is applied.













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