KR20160147576A - 발광 소자 패키지 - Google Patents
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- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/69—Details of refractors forming part of the light source
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 안착면을 구비하는 베이스; 상기 안착면에 배치되는 발광소자; 상기 발광소자를 덮도록 상기 안착면에 배치되는 렌즈; 상기 안착면에 상기 렌즈와 이격되어 배치되며, 기 설정된 경사각(θ)으로 형성된 반사부를 포함하며, 상기 경사각(θ)은 상기 렌즈와 상기 반사부 사이의 이격거리에 의하여 설정될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지는 렌즈와 반사부 사이의 이격거리에 따라 소정의 각도로 설정된 경사각으로 형성된 반사부를 구비하여 빔 앵글과 필드 앵글의 변화를 최소화할 수 있다.
Description
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 출력 및 효율이나 신뢰성 측면에서 광원으로서 유익한 장점이 있으므로, 디스플레이 장치의 백라이트뿐만 아니라 다양한 조명 장치를 위한 고출력, 고효율 광원으로서 적극적으로 연구 개발되고 있다.
이러한 LED 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 원하는 높은 수준의 출력을 제공하면서 광 효율을 높이고 제조비용을 낮출 필요가 있다.
따라서, LED 조명용 광원은 고효율, 고신뢰성이 필요하게 되며, 전기적 및 열적 신뢰성뿐만 아니라 광학적 특성을 발휘해야 한다.
최근 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 조명 및 자동차용 광원으로 사용되고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 LED를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 LED도 구현이 가능하다.
특히, 상기 LED와 같은 발광소자를 광원으로 이용하는 발광소자 패키지를 제작함에 있어서, 효율을 증대시키고 배광 특성을 조절하기 위해 렌즈가 이용될 수 있다.
그러나, 상기 렌즈로 후배광 특성을 향상시킬 수 있는 프라이머리 렌즈(Primary Lens) 사용시, 렌즈 형상 공차에 따른 빔 앵글(Beam Angle)과 필드 앵글(Field Angle)에 오차가 발생하는 문제가 있다.
실시예는 렌즈와 반사부 사이의 이격거리에 따라 소정의 각도로 설정된 경사각으로 형성된 반사부를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
실시예는, 안착면을 구비하는 베이스; 상기 안착면에 배치되는 발광소자; 상기 발광소자를 덮도록 상기 안착면에 배치되는 렌즈; 상기 안착면에 상기 렌즈와 이격되어 배치되며, 기 설정된 경사각(θ)으로 형성된 반사부를 포함하며, 상기 경사각(θ)은 상기 렌즈와 상기 반사부 사이의 이격거리에 의하여 설정되는 발광소자 패키지에 의하여 달성된다.
상기 이격거리의 비인 실린더 레이트(Cylinder rate)는 하기의 수식에 의하여 구할 수 있다.
Cylinder rate = RC/RL
RL: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 렌즈의 모서리까지의 거리, RC: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 반사부의 모서리까지의 거리.
또한, 상기 실린더 레이트가 1.3 미만시 상기 경사각(θ)은 40~60°일 수 있다.
또한, 상기 실린더 레이트가 1.3 이상시 상기 경사각(θ)은 60~75°일 수 있다.
또한, 상기 안착면을 기준으로 상기 렌즈의 높이는 상기 반사부의 높이 보다 작을 수 있다.
여기서, 상기 반사부의 높이에 대한 상기 렌즈의 높이의 비율은 1.1~1.5일 수 있다.
한편, 상기 렌즈는 프라이머리 렌즈일 수 있다.
그리고, 상기 렌즈는 굴절률 1.4~1.5의 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 렌즈와 반사부 사이의 이격거리에 따라 소정의 각도로 설정된 경사각으로 형성된 반사부를 구비하여 빔 앵글과 필드 앵글의 변화를 최소화할 수 있다.
즉, 상기 발광소자 패키지는 렌즈의 형상, 렌즈 곡률(Lens Curvature) 또는 코닉(Conic) 값에 상관없이, 렌즈와 반사부 사이의 이격거리에 따라 소정의 각도로 설정된 경사각으로 형성된 반사부를 이용하여 빔 앵글과 필드 앵글의 변화를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 도면이고,
도 2 내지 도 4는 도 1의 A-A를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 A-A를 나타내는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 구성요소가 다른 구성요소의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소가 상기 두 구성요소 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 '상(위) 또는 하(아래)(on or under)'로 표현되는 경우 하나의 구성요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지게 된다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 살펴보면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)는 베이스(100), 발광소자(200), 렌즈(300), 반사부(400) 및 리드 프레임(500)을 포함할 수 있다.
베이스(100)는 안착면(110)을 포함할 수 있다.
안착면(110)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광소자(200), 렌즈(300) 및 반사부(400)가 배치될 수 있다. 여기서, 반사부(400)는 베이스(100)의 안착면(110)을 기준으로 베이스(100)로부터 발광소자(200)의 광 조사방향으로 돌출되게 형성될 수도 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 베이스(100)는 위에서 볼 때 원 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 타원형, 사각형, 다각형 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
베이스(100)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
또한, 베이스(100)는 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러(예를 들어, 백색, 은색 등)로 형성될 수도 있다.
그리고, 베이스(100)의 안착면(110)은 표면이 빛을 효율적으로 반사하는 재질이거나, 빛이 효율적으로 반사되는 컬러(예를 들어, 백색, 은색 등)로 코팅될 수 있다.
또한, 베이스(100)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정되지 않는다.
발광소자(200)는 광을 조사하는 광원으로써, 베이스(100)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 베이스(100)에 리드 프레임(500)을 배치하여 발광소자(200)는 전원(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 리드 프레임(500)은 발광소자(200) 하부측에 배치되는 제1 리드 프레임(510)과 제1 리드 프레임(510)에서 이격되게 베이스(100)에 배치되는 제2 리드 프레임(520)을 포함할 수 있다. 그리고, 발광소자(200)와 제2 리드 프레임(520)은 와이어(W)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
발광소자(200)는 베이스(100)의 안착면(110) 상에 배치될 수 있으며, 예를 들어 안착면(110)의 중앙에 배치될 수 있다.
여기서, 발광소자(200)는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) UV(Ultra Violet) 등의 광을 방출하는 발광 다이오드(LED) 칩일 수 있다. 발광소자(200)은 수평형 타입, 수직형 타입 또는 플립칩(Flip chip)타입 등일 수 있다.
렌즈(300)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광소자(200)를 덮도록 안착면(110) 상에 배치될 수 있다.
렌즈(300)는 발광소자(200)에서 나오는 광의 지향각을 변경할 수 있다. 예를 들어 렌즈(300)은 발광소자(200)에서 나오는 광의 지향각을 넓혀 발광소자 패키지(1)의 발광을 균일하게 할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
렌즈(300)는 비구면 계수의 변경을 통해 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2 및 도 3을 참조하여 살펴보면, 렌즈(300)는 안착면(110)에서 연직방향으로 형성된 원통 형상의 제1 부분과 상기 제1 부분상에 볼록한 출사면을 가지도록 형성된 제2 부분을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 렌즈(300)의 상기 제1 부분은 발광소자(200) 보다 높거나 낮게 형성될 수 있으며 상기 제2 부분의 출사면의 형상도 다르게 형성될 수 있다. 상기 제1 부분의 높이와 제2 부분의 곡률 변경을 통해 배광 조절이 가능할 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 렌즈(300)는 상기 제1 부분을 형성하지 않고 제2 부분만을 포함하여 형성할 수 있다. 예를 들어 돔 형상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 렌즈(300)는 에폭시 수지, 실리콘수지, 우레탄계 수지 또는 그 혼합물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 렌즈(300)는 굴절률 1.4~1.5의 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
여기서, 렌즈(300)로는 소정의 빔 각도를 갖는 프라이머리(Primary) 렌즈가 이용될 수 있다. 여기서 프라이머리(Primary) 렌즈는 발광소자(200)와 렌즈(300) 사이가 서로 이격되어 있지 않아서 에어갭(air gap)과 같은 공간이 존재하지 않는 렌즈를 의미할 수 있다.
반사부(400)는 발광소자(200)에서 방출된 광을 소정의 방향으로 반사할 수 있다. 이를 통해 광 출사면으로 향하는 광량을 증가시킬 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 살펴보면, 반사부(400)는 발광소자(200)의 광 출사방향으로 베이스(100)에서 돌출되게 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사부(400)는 베이스(100)의 안착면(110)상에 배치될 수 있다. 그리고, 반사부(400)의 내측에는 반사면(410)이 형성될 수 있다. 따라서, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반사면(410)의 경사각(θ)에 따라 발광소자(200)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각은 조절될 수 있다.
반사부(400)는 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 또한, 반사부(400)의 반사면(410)에 반사시트를 부착하거나 또는 반사도가 높은 물질이 반사층 등으로 배치되어 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
그리고, 상기 발광소자 패키지(1)를 위에서 바라본 반사부(400)의 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 예를 들어 베이스(100)와 동일한 형상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
반사부(400)는 캐비티(cavity)를 형성할 수 있으며 상기 캐비티 내부는 빈 공간일 수 있으나 이에 한정하지 않으며 별도의 봉지재가 배치될 수도 있다.
한편, 반사부(400)는 렌즈(300)의 일측과 이격되어 배치될 수 있다.
렌즈(300)의 일측과 반사부(400)의 일측의 이격거리는 실린더 레이트(Cylinder Rate, CR)로 나타낼 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 살펴보면, 렌즈(300)의 중심(C)를 기준으로 상기 실린더 레이트(Cylinder rate, CR)는 하기의 수학식 1에 의하여 구해질 수 있다. 여기서, 렌즈(300)의 중심(C)는 렌즈(300)가 베이스(100)의 안착면(110)에 접하는 면의 중심을 의미할 수 있다.
[수학식 1]
CR = RC/RL
RL: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 렌즈의 모서리까지의 거리, RC: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 반사부의 모서리까지의 거리.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 렌즈(300)의 높이는 반사부(400)의 높이(HC) 보다 낮게 형성될 수 있다.
여기서, 반사부(400)의 높이에 대한 렌즈(300)의 높이 비율은 헤이트 레이트(Height Rate, HR)로 나타낼 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 살펴보면, 렌즈(300)의 중심(C)를 기준으로 상기 헤이트 레이트(HR)는 하기의 수학식 2에 의하여 구해질 수 있다.
[수학식 2]
HR = HL/HC
HL: 안착면을 기준으로 렌즈의 높이, HC: 안착면을 기준으로 반사부의 높이.
이하에서는, 렌즈(300)의 형상 및 경사각의 변화에 따른 빔 앵글(Beam Angle)과 필드앵글(Field Angle)의 변화 및 최대 편차에 대해 설명한다. 렌즈의 형상은 비구면계수, 예를 들어 곡률 값이나 코닉 값 등의 변경을 통해 바꿀 수 있으나 본 실시예에서는 코닉 값 변경을 통해 렌즈의 형상의 변경을 설명한다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 163.405 | 163.688 | 163.835 | 139.706 | 143.712 | 146.841 | 0.283 | 4.006 |
25 | 159.906 | 159.927 | 160.025 | 139.077 | 141.625 | 143.523 | 0.098 | 2.548 |
30 | 158.76 | 158.819 | 159.015 | 136.337 | 139.387 | 140.827 | 0.196 | 3.05 |
35 | 157.791 | 157.982 | 158.024 | 134.289 | 135.929 | 136.791 | 0.191 | 1.64 |
40 | 157.1 | 157.38 | 157.467 | 133.301 | 134.446 | 134.949 | 0.28 | 1.145 |
45 | 156.951 | 157.208 | 157.248 | 132.713 | 133.55 | 133.595 | 0.257 | 0.837 |
50 | 156.791 | 157.394 | 157.551 | 132.086 | 133.227 | 133.301 | 0.603 | 1.141 |
55 | 156.699 | 157.193 | 157.681 | 130.826 | 132.135 | 132.171 | 0.494 | 1.309 |
60 | 156.948 | 157.504 | 158.177 | 130.121 | 131.028 | 131.129 | 0.673 | 0.907 |
65 | 157.335 | 158.566 | 158.583 | 129.039 | 130.498 | 130.17 | 1.231 | 1.459 |
70 | 157.898 | 159.269 | 159.754 | 128.501 | 129.969 | 129.967 | 1.371 | 1.468 |
75 | 159.262 | 159.984 | 160.784 | 128.034 | 129.563 | 129.373 | 0.8 | 1.529 |
80 | 160.484 | 161.23 | 161.75 | 127.17 | 128.902 | 128.787 | 0.746 | 1.732 |
85 | 161.074 | 162.152 | 162.78 | 126.428 | 128.371 | 127.752 | 1.078 | 1.943 |
90 | 161.963 | 163.131 | 163.389 | 125.152 | 126.435 | 126.119 | 1.168 | 1.283 |
상기 표 1은 실린더 레이트가 1.1, 헤이트 레이트가 1.5일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글(Beam Angle, BA)과 필드 앵글(Field Angle, FA)의 변화량을 나타낸다.
발광소자(200)의 발광면에 수직 된 방향으로 나오는 빛이 가장 강하므로 그 가장 강한 광도의 50% 되는 광도를 갖는 각도를 빔 앵글, 10% 되는 광도를 갖는 각도를 필드 앵글이라 할 수 있다. 예를 들어, -90~90도 중 0도가 가장 강한 방향일 때 60도가 50%영역이면 빔앵글을 120도라 할 수 있다.
여기서, 빔 앵글의 변화량은 각 경사각(θ)에서 코닉 값이 -1, 0 및 1일 때 빔 앵글의 차이로 나타낼 수 있다. 또한, 필드 앵글의 변화량은 각 경사각(θ)에서 코닉 값이 -1,0 및 1일 때 필드 앵글의 차이로 나타낼 수 있다.
그리고, 빔 앵글의 최대편차 및 필드 앵글의 최대 편차는 빔 앵글과 필드 앵글 각각의 (K(-1)-K(0))과 (K(1)-K(0)) 중 최대값 차이로 구할 수 있다. (K:코닉 값)
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 164.283 | 164.514 | 164.671 | 139.831 | 144.517 | 148.56 | 0.231 | 4.686 |
25 | 161.53 | 161.595 | 161.816 | 139.635 | 142.354 | 144.686 | 0.221 | 2.719 |
30 | 159.487 | 159.601 | 159.66 | 137.984 | 140.838 | 142.38 | 0.114 | 2.854 |
35 | 158.6 | 158.632 | 158.707 | 135.693 | 137.953 | 139.029 | 0.075 | 2.26 |
40 | 157.921 | 158.11 | 158.237 | 134.653 | 136.111 | 136.868 | 0.189 | 1.458 |
45 | 157.754 | 157.978 | 157.987 | 134.486 | 135.729 | 136.097 | 0.224 | 1.243 |
50 | 157.539 | 158.04 | 158.225 | 134.055 | 135.38 | 135.524 | 0.501 | 1.325 |
55 | 157.33 | 157.867 | 158.327 | 133.11 | 134.403 | 134.618 | 0.537 | 1.293 |
60 | 157.444 | 157.988 | 158.466 | 132.476 | 133.36 | 133.6 | 0.544 | 0.884 |
65 | 157.678 | 158.781 | 158.902 | 131.448 | 132.755 | 132.632 | 1.103 | 1.307 |
70 | 158.034 | 159.193 | 159.651 | 130.968 | 132.362 | 132.39 | 1.159 | 1.394 |
75 | 159.018 | 159.605 | 160.784 | 130.184 | 131.656 | 131.828 | 1.179 | 1.472 |
80 | 159.924 | 161.178 | 161.581 | 129.802 | 131.359 | 131.299 | 1.254 | 1.557 |
85 | 160.36 | 161.698 | 162.438 | 129.209 | 130.855 | 130.437 | 1.338 | 1.646 |
90 | 161.275 | 162.717 | 163.113 | 127.716 | 128.007 | 129.844 | 1.442 | 1.837 |
상기 표 2는 실린더 레이트가 1.2, 헤이트 레이트가 1.5일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 164.958 | 165.225 | 165.347 | 140.021 | 145.403 | 150.223 | 0.267 | 5.382 |
25 | 162.749 | 162.947 | 163.153 | 139.829 | 143.069 | 145.774 | 0.206 | 3.24 |
30 | 160.432 | 160.675 | 160.904 | 138.921 | 141.697 | 143.716 | 0.243 | 2.776 |
35 | 159.327 | 159.383 | 159.388 | 137.288 | 140.171 | 140.997 | 0.056 | 2.883 |
40 | 158.636 | 158.79 | 158.86 | 136.225 | 138.156 | 139.029 | 0.154 | 1.931 |
45 | 158.514 | 158.673 | 158.731 | 136.116 | 137.595 | 138.117 | 0.159 | 1.479 |
50 | 158.187 | 158.582 | 158.803 | 135.527 | 137.184 | 137.526 | 0.395 | 1.657 |
55 | 158.013 | 158.457 | 158.79 | 134.889 | 136.459 | 136.756 | 0.444 | 1.57 |
60 | 158.093 | 158.524 | 158.826 | 134.609 | 135.556 | 135.81 | 0.431 | 0.947 |
65 | 158.256 | 159.023 | 159.277 | 133.767 | 135.055 | 135.042 | 0.767 | 1.288 |
70 | 158.275 | 159.195 | 159.514 | 133.299 | 134.57 | 134.579 | 0.92 | 1.271 |
75 | 158.821 | 159.451 | 159.987 | 132.712 | 134.081 | 134.091 | 0.63 | 1.369 |
80 | 159.469 | 160.777 | 160.916 | 132.124 | 133.718 | 133.694 | 1.308 | 1.594 |
85 | 159.865 | 161.112 | 162.172 | 131.585 | 132.982 | 132.864 | 1.247 | 1.397 |
90 | 160.618 | 162.138 | 162.812 | 130.288 | 131.565 | 131.765 | 1.52 | 1.277 |
상기 표 3은 실린더 레이트가 1.3, 헤이트 레이트가 1.5일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 165.552 | 165.797 | 165.877 | 140.214 | 146.169 | 150.935 | 0.245 | 5.955 |
25 | 163.78 | 164.011 | 164.21 | 140.224 | 143.742 | 147.2 | 0.231 | 3.518 |
30 | 161.973 | 162.133 | 162.54 | 139.414 | 142.388 | 144.865 | 0.407 | 2.974 |
35 | 160.005 | 160.172 | 160.119 | 138.767 | 141.117 | 142.362 | 0.167 | 2.35 |
40 | 159.36 | 159.461 | 159.55 | 138.004 | 140.378 | 141.135 | 0.101 | 2.374 |
45 | 159.206 | 159.294 | 159.336 | 138.047 | 139.916 | 140.468 | 0.088 | 1.869 |
50 | 158.811 | 159.222 | 159.418 | 137.141 | 139.184 | 139.435 | 0.411 | 2.043 |
55 | 158.655 | 158.98 | 159.292 | 136.549 | 138.325 | 138.776 | 0.325 | 1.776 |
60 | 158.578 | 158.967 | 159.255 | 136.154 | 137.422 | 137.975 | 0.389 | 1.268 |
65 | 158.622 | 159.403 | 159.539 | 135.764 | 137.06 | 137.169 | 0.781 | 1.296 |
70 | 158.695 | 159.41 | 159.723 | 135.65 | 136.983 | 136.597 | 0.715 | 1.333 |
75 | 159.042 | 159.467 | 159.805 | 134.804 | 136.127 | 136.339 | 0.425 | 1.323 |
80 | 159.166 | 160.17 | 160.519 | 134.417 | 135.721 | 135.842 | 1.004 | 1.304 |
85 | 159.509 | 160.784 | 161.865 | 133.841 | 135.146 | 135.046 | 1.275 | 1.305 |
90 | 159.847 | 161.317 | 162.589 | 132.488 | 133.951 | 133.896 | 1.47 | 1.463 |
상기 표 4는 실린더 레이트가 1.4, 헤이트 레이트가 1.5일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 166.063 | 166.263 | 166.355 | 140.427 | 146.976 | 151.53 | 0.2 | 6.549 |
25 | 164.591 | 164.774 | 164.997 | 140.246 | 144.608 | 148.962 | 0.223 | 4.362 |
30 | 163.088 | 163.332 | 163.713 | 139.566 | 143.092 | 146.021 | 0.381 | 3.526 |
35 | 161.545 | 161.677 | 161.81 | 139.466 | 141.812 | 143.534 | 0.133 | 2.346 |
40 | 160.038 | 160.371 | 160.405 | 139.709 | 141.512 | 142.648 | 0.333 | 1.803 |
45 | 159.851 | 159.925 | 160.065 | 140.027 | 141.303 | 142.279 | 0.14 | 1.276 |
50 | 159.456 | 159.745 | 159.902 | 139.462 | 141.029 | 141.397 | 0.289 | 1.567 |
55 | 159.305 | 159.553 | 159.767 | 138.922 | 140.428 | 140.703 | 0.248 | 1.506 |
60 | 159.171 | 159.491 | 159.65 | 137.969 | 139.453 | 139.933 | 0.32 | 1.484 |
65 | 159.117 | 159.684 | 159.787 | 137.575 | 139.022 | 139.207 | 0.567 | 1.447 |
70 | 159.05 | 159.697 | 159.968 | 136.938 | 138.351 | 138.636 | 0.647 | 1.413 |
75 | 159.209 | 159.694 | 160.094 | 136.596 | 138.079 | 138.412 | 0.485 | 1.483 |
80 | 159.299 | 160.381 | 160.524 | 136.203 | 137.697 | 137.918 | 1.082 | 1.494 |
85 | 159.425 | 160.544 | 161.657 | 135.756 | 137.009 | 137.169 | 1.119 | 1.253 |
90 | 159.576 | 160.917 | 162.344 | 134.609 | 135.952 | 136.163 | 1.427 | 1.343 |
상기 표 5는 실린더 레이트가 1.5, 헤이트 레이트가 1.5 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 169.412 | 169.403 | 169.377 | 141.026 | 148.877 | 154.395 | 0.026 | 7.851 |
25 | 168.38 | 168.385 | 168.394 | 140.361 | 148.33 | 152.812 | 0.009 | 7.969 |
30 | 167.596 | 167.609 | 167.688 | 140.812 | 147.023 | 151.311 | 0.079 | 6.211 |
35 | 166.948 | 167.022 | 167.052 | 140.253 | 145.027 | 149.546 | 0.074 | 4.774 |
40 | 166.372 | 166.488 | 166.433 | 139.972 | 143.589 | 146.285 | 0.116 | 3.617 |
45 | 165.981 | 166.113 | 166.084 | 140.787 | 143.532 | 145.264 | 0.132 | 2.745 |
50θ | 165.681 | 165.893 | 165.881 | 141.49 | 143.772 | 145.077 | 0.212 | 2.282 |
55 | 165.549 | 165.763 | 165.77 | 141.706 | 143.582 | 144.58 | 0.214 | 1.876 |
60 | 165.263 | 165.554 | 165.755 | 141.531 | 142.976 | 143.92 | 0.291 | 1.445 |
65 | 165.178 | 165.379 | 165.619 | 141.323 | 142.756 | 143.245 | 0.24 | 1.433 |
70 | 165.099 | 165.399 | 165.472 | 141.007 | 142.469 | 142.583 | 0.3 | 1.462 |
75 | 164.886 | 165.475 | 165.549 | 140.449 | 141.932 | 142.156 | 0.589 | 1.483 |
80 | 164.871 | 165.353 | 165.414 | 140.511 | 142.073 | 141.827 | 0.482 | 1.562 |
85 | 164.902 | 165.477 | 165.628 | 139.615 | 142.301 | 141.397 | 0.575 | 2.686 |
90 | 164.891 | 165.358 | 165.655 | 138.503 | 142.325 | 140.328 | 0.467 | 3.822 |
상기 표 6은 실린더 레이트가 1.3, 헤이트 레이트가 1.2일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 167.905 | 167.994 | 167.992 | 140.782 | 148.591 | 152.871 | 0.089 | 7.809 |
25 | 166.73 | 166.883 | 166.963 | 140.148 | 146.381 | 151.167 | 0.153 | 6.233 |
30 | 165.783 | 166.011 | 166.072 | 140.14 | 144.753 | 148.424 | 0.228 | 4.613 |
35 | 165.009 | 165.192 | 165.39 | 139.791 | 143.29 | 146.004 | 0.198 | 3.499 |
40 | 164.304 | 164.405 | 164.455 | 140.099 | 142.119 | 143.8 | 0.101 | 2.02 |
45 | 163.721 | 163.838 | 164.048 | 140.39 | 141.979 | 143.171 | 0.21 | 1.589 |
50 | 163.478 | 163.615 | 163.649 | 140.683 | 141.888 | 142.727 | 0.137 | 1.205 |
55 | 162.726 | 163.388 | 163.541 | 139.758 | 141.301 | 141.889 | 0.662 | 1.543 |
60 | 162.437 | 163.015 | 163.296 | 139.422 | 140.845 | 141.111 | 0.578 | 1.423 |
65 | 162.2 | 162.527 | 162.978 | 138.749 | 140.162 | 140.371 | 0.451 | 1.413 |
70 | 162.284 | 162.838 | 162.944 | 138.346 | 139.795 | 139.833 | 0.554 | 1.449 |
75 | 162.067 | 162.672 | 162.994 | 137.857 | 139.329 | 139.315 | 0.605 | 1.472 |
80 | 162.01 | 162.785 | 163.061 | 137.585 | 139.148 | 139.116 | 0.775 | 1.563 |
85 | 162.132 | 162.887 | 163.338 | 136.904 | 138.463 | 138.497 | 0.755 | 1.559 |
90 | 162.16 | 162.995 | 163.596 | 135.882 | 137.282 | 137.293 | 0.835 | 1.4 |
상기 표 7은 실린더 레이트가 1.3, 헤이트 레이트가 1.3일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
경사각(θ) | FA (코닉 값 -1) |
FA (코닉 값 0) |
FA (코닉 값 1) |
BA (코닉 값 -1) |
BA (코닉 값 0) |
BA (코닉 값 1) |
FA 최대편차 |
BA 최대편차 |
20 | 166.527 | 166.7 | 166.739 | 140.444 | 146.95 | 151.651 | 0.173 | 6.506 |
25 | 165.073 | 165.276 | 165.442 | 140.335 | 144.598 | 148.724 | 0.203 | 4.263 |
30 | 163.746 | 163.943 | 164.17 | 139.615 | 142.98 | 145.599 | 0.227 | 3.365 |
35 | 162.397 | 162.415 | 162.714 | 139.292 | 141.592 | 143.335 | 0.299 | 2.3 |
40 | 161 | 161.215 | 161.153 | 138.201 | 140.726 | 141.526 | 0.215 | 2.525 |
45 | 160.213 | 160.549 | 160.031 | 138.415 | 140.517 | 140.805 | 0.518 | 2.102 |
50 | 159.747 | 159.969 | 159.891 | 137.717 | 139.546 | 139.982 | 0.222 | 1.829 |
55 | 159.459 | 159.744 | 160.101 | 136.975 | 138.864 | 139.103 | 0.357 | 1.889 |
60 | 159.392 | 159.703 | 159.774 | 136.604 | 138.099 | 138.299 | 0.311 | 1.495 |
65 | 159.274 | 159.685 | 159.866 | 136.047 | 137.505 | 137.58 | 0.411 | 1.458 |
70 | 159.358 | 159.785 | 160.116 | 135.798 | 136.922 | 136.899 | 0.427 | 1.124 |
75 | 159.543 | 159.812 | 160.315 | 135.259 | 136.587 | 136.788 | 0.503 | 1.328 |
80 | 159.613 | 160.585 | 161.223 | 134.888 | 136.402 | 136.235 | 0.972 | 1.514 |
85 | 160 | 160.695 | 161.917 | 134.254 | 135.863 | 135.479 | 1.222 | 1.609 |
90 | 160.19 | 161.525 | 162.575 | 132.973 | 134.583 | 134.336 | 1.335 | 1.61 |
상기 표 8은 실린더 레이트가 1.3, 헤이트 레이트가 1.4일 때, 경사각(θ)에 따른 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량을 나타낸다.
필드 앵글의 최대편차가 1.0 이하이고 빔 앵글의 최대편차가 1.5 이하일 경우 비구면 계수의 변경에 의해 렌즈의 형상이 변경되더라도 균일한 빔 패턴 및 광 조사가 가능할 수 있다.
상기 표 1 내지 표 5을 참조하여 살펴보면, 상기 발광소자 패키지(1)는 상기 실린더 레이트가 1.3 미만시 상기 경사각(θ)은 40°~60°에서, 상기 실린더 레이트가 1.3 이상시 상기 경사각(θ)은 60°~75°에서 빔 앵글과 필드 앵글의 최대편차가 각각 1.0 이하 및 1.5 이하이므로 빔 앵글과 필드 앵글의 변화량은 최소화될 수 있다.
또한, 표 3 및 표 6 내지 표 8을 참조하여 살펴보면, 상기 발광소자 패키지(1)는 발광소자(200)의 높이, 렌즈(300)의 높이에 대한 반사부(400)의 높이의 비율을 고려해볼 때, 헤이트 레이트(HR)가 1.2~1.5인 범위 내로 렌즈(300)와 반사부(400)는 배치될 수 있다. 헤이트 레이트(HR)이 상기 범위를 벗어날 경우 필드 앵글의 최대 편차가 1.0을 초과하거나 빔 앵글의 최대편차가 1.5를 초과하게 되어 비구면 계수의 변경에 의한 렌즈의 형상 변경 시 균일한 빔 패턴 및 광 조사가 어려울 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 살펴보면, 반사부(400)의 상부는 소정의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 두께는 반사부(400)의 반사면 각도 및 설계상 반사부(400)의 강성, 하중에 대한 지지력 등을 고려하여 변경될 수 있다.
한편, 상기 발광소자 패키지(1)는 발광소자(200)의 상부면에 배치되는 형광체층(600)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 형광체층(600)은 발광소자(200)의 상부면에 일정 두께로 제공될 수 있다. 또한, 형광체층(600)은 발광소자(200)의 상부면에 컨포멀 코팅(conformal coating)에 의하여 균일한 두께로 형성될 수 있다.
여기서, 형광체층(600)은 설파이드계, 실리케이트계, 이트륨-알루미늄-가네트(YAG)계, 질산화물계, 질화물계 등의 다양한 형광물질로 형성될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그리고, 이러한 수정과 변경에 관계된 차이점들을 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 발광소자 패키지
100 : 베이스 200 : 발광소자
300 : 렌즈 400 : 반사부
500 : 리드 프레임 600 : 형광체층
100 : 베이스 200 : 발광소자
300 : 렌즈 400 : 반사부
500 : 리드 프레임 600 : 형광체층
Claims (8)
- 안착면을 구비하는 베이스;
상기 안착면에 배치되는 발광소자;
상기 발광소자를 덮도록 상기 안착면에 배치되는 렌즈;
상기 안착면에 상기 렌즈와 이격되어 배치되며, 기 설정된 경사각(θ)으로 형성된 반사부를 포함하며,
상기 경사각(θ)은 상기 렌즈와 상기 반사부 사이의 이격거리에 의하여 설정되는 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 이격거리의 비인 실린더 레이트(Cylinder rate)는 하기의 수식에 의하여 구하여지는 발광소자 패키지.
Cylinder rate = RC/RL
RL: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 렌즈의 모서리까지의 거리, RC: 안착면을 기준으로 렌즈의 중심으로부터 반사부의 모서리까지의 거리. - 제2항에 있어서,
상기 실린더 레이트가 1.3 미만시 상기 경사각(θ)은 40~60°인 발광소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 실린더 레이트가 1.3 이상시 상기 경사각(θ)은 60~75°인 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 안착면을 기준으로 상기 렌즈의 높이는 상기 반사부의 높이 보다 작은 발광소자 패키지. - 제5항에 있어서,
상기 반사부의 높이에 대한 상기 렌즈의 높이의 비율은 1.2~1.5인 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 렌즈는 프라이머리 렌즈인 발광소자 패키지. - 제7항에 있어서,
상기 렌즈는 굴절률 1.4~1.5의 실리콘 재질로 형성되는 발광소자 패키지.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150084513A KR102385941B1 (ko) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 발광 소자 패키지 |
CN201680032853.0A CN107710427B (zh) | 2015-06-15 | 2016-05-12 | 发光二极管封装 |
PCT/KR2016/004984 WO2016204408A1 (ko) | 2015-06-15 | 2016-05-12 | 발광 소자 패키지 |
US15/577,592 US10928015B2 (en) | 2015-06-15 | 2016-05-12 | Light-emitting diode package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150084513A KR102385941B1 (ko) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 발광 소자 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160147576A true KR20160147576A (ko) | 2016-12-23 |
KR102385941B1 KR102385941B1 (ko) | 2022-04-13 |
Family
ID=57545923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150084513A KR102385941B1 (ko) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 발광 소자 패키지 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10928015B2 (ko) |
KR (1) | KR102385941B1 (ko) |
CN (1) | CN107710427B (ko) |
WO (1) | WO2016204408A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2015-06-15 KR KR1020150084513A patent/KR102385941B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-12 WO PCT/KR2016/004984 patent/WO2016204408A1/ko active Application Filing
- 2016-05-12 CN CN201680032853.0A patent/CN107710427B/zh active Active
- 2016-05-12 US US15/577,592 patent/US10928015B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US10928015B2 (en) | 2021-02-23 |
WO2016204408A1 (ko) | 2016-12-22 |
US20180163933A1 (en) | 2018-06-14 |
KR102385941B1 (ko) | 2022-04-13 |
CN107710427B (zh) | 2020-05-22 |
CN107710427A (zh) | 2018-02-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |