KR20110111121A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20110111121A
KR20110111121A KR1020100030524A KR20100030524A KR20110111121A KR 20110111121 A KR20110111121 A KR 20110111121A KR 1020100030524 A KR1020100030524 A KR 1020100030524A KR 20100030524 A KR20100030524 A KR 20100030524A KR 20110111121 A KR20110111121 A KR 20110111121A
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Abstract

와이드(wide) 배광 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 상부에 제 1 캐비티(cavity)가 형성되고, 상기 제 1 캐비티 하부에 제 2 캐비티가 형성되며, 제 1 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 패키지 몸체와, 제 2 캐비티 내에 장착되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 포함한 제 2 캐비티 내에 형성되고, 제 2 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 형광체층과, 형광체 층 위의 제 1 캐비티 내에 형성되고, 제 3 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 투광성층을 포함하여 구성될 수 있다.

Description

발광 다이오드 패키지{light emitting diode package}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 와이드(wide) 배광 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 다이오드는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광원을 구성함으로써, 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자이다.
발광 다이오드 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색, 휘도 및 광도 등이 있고, 이러한 발광 다이오드 소자의 특성은 1차적으로 발광 다이오드 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로는 칩을 실장하기 위한 패키지 구조에 의해서도 큰 영향을 받게 되므로, 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, 발광 다이오드는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라, 더욱 소형화되고 있으며, PCB(Printed Circuit Board)에 직접 장착된 표면실장(SMD: Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있다.
이에 따라, 표시소자로 사용되고 있는 발광 다이오드 램프도 표면실장형으로 개발되고 있으며, 이러한 표면실장형 발광 다이오드 램프는 기존의 점등램프를 대체하여 다양한 컬러를 내는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등에 사용되고 있다.
이와 같이, 발광 다이오드는 그의 사용영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조신호용 전등 등 요구되는 휘도의 양도 갈수록 높아져서 최근에는 고출력 발광 다이오드가 널리 사용되고 있다.
본 발명의 목적은 굴절률이 다른 투광물질로 이루어진 패키지 몸체를 사용함으로써, 와이드(wide) 배광의 구현 및 색편차 문제를 해결할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상부에 제 1 캐비티(cavity)가 형성되고, 상기 제 1 캐비티 하부에 제 2 캐비티가 형성되며, 제 1 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 패키지 몸체와, 제 2 캐비티 내에 장착되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 포함한 제 2 캐비티 내에 형성되고, 제 2 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 형광체층과, 형광체 층 위의 제 1 캐비티 내에 형성되고, 제 3 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 투광성층을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 패키지 몸체의 제 1, 제 2 캐비티 측면은 경사지게 형성되고, 제 1 캐비티의 경사도가 제 2 캐비티의 경사도보다 더 클 수 있다.
그리고, 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 형광체층의 제 2 굴절률 및 투광성층의 제 3 굴절률과 서로 다를 수 있으며, 형광체층의 제 2 굴절률은 투광성층의 제 3 굴절률과 다를 수 있다.
또한, 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 형광체층의 제 2 굴절률과 다르고, 투광성층의 제 3 굴절률과 동일할 수도 있다.
그리고, 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 형광체층의 제 2 굴절률과 동일하고, 투광성층의 제 3 굴절률과 다를 수도 있다.
다음, 패키지 몸체의 제 1 굴절률 및 투광성층의 제 3 굴절률은 형광체층의 제 2 굴절률과의 차이가 0.5 - 0.001일 수 있고, 패키지 몸체의 제 1 굴절률과 투광성층의 제 3 굴절률과의 차이는 0.2 - 0.001일 수도 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 발광 다이오드 칩 주변을 감싸는 투광물질층과 다른 굴절귤을 갖는 투광형 패키지 몸체를 형성하여, 투광형 패키지 몸체가 형광체층의 컵 형상 역할과 렌즈 역할을 수행할 수 있도록 구현함으로써, 와이드(wide) 배광을 포함한 여러 타입의 배광을 구현할 수 있고, 지향각 별로 나타나는 색편차 현상을 줄일 수 있다.
도 1은 형광체층과 패키지 몸체가 동일한 굴절률을 가질 때, 광의 경로를 보여주는 도면
도 2는 형광체층보다 패키지 몸체의 굴절률이 더 클 때, 광의 경로를 보여주는 도면
도 3은 형광체층보다 패키지 몸체의 굴절률이 더 작을 때, 광의 경로를 보여주는 도면
도 4는 패키지 몸체 위에 렌즈가 장착된 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도면
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
일반적으로, 백라이트 유닛 시스템에서는 균일한 휘도를 확보하기 위하여, 발광 다이오드의 배광 분포를 조절하여 구현할 수 있는데, 점점 슬림화되어 감에 따라, 좀 더 넓은 배광 분포를 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지가 요구되고 있다.
발광 다이오드 패키지의 배광 분포를 넓게 하기 위해서는, 형광체 특성 및 형상 및 2차 봉지재의 특성 및 형상, 그리고 발광 다이오드 패키지 외부에 위치하는 광학 부품 형상 등을 이용하여 조절함으로써, 구현할 수 있다.
하지만, 가격적인 측면에서 유리한 효과를 얻기 위해 발광 다이오드 패키지의 수를 줄여야 하는 최근 추세에서는 더욱 더 넓은 배광을 갖는 발광 다이오드 패키지가 요구되고 있다.
발광 다이오드가 적용된 다양한 제품을 보면 광량이 충분함에도 불구하고, 발광 다이오드 자체의 배광 형태 및 색 편차 문제로 인하여 필요 이상의 많은 발광 다이오드를 사용함으로써, 가격 상승의 원인이 되고 있다.
본 발명은 반사 물질로 이루어져 있는 발광 다이오드 패키지 몸체를 광 투과성 물질로 교체 적용하고, 형광체층과 다른 굴절률을 갖는 물질로 제작함으로써, 형광체층의 컵 형상 역할과 렌즈 역할을 동시에 수행할 수 있도록 하여 기존 제품에 비해 다양한 배광 형태와 색 편차를 개선할 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도면으로서, 도 1은 형광체층과 패키지 몸체가 동일한 굴절률을 가질 때, 광의 경로를 보여주는 도면이고, 도 2는 형광체층보다 패키지 몸체의 굴절률이 더 클 때, 광의 경로를 보여주는 도면이며, 도 3은 형광체층보다 패키지 몸체의 굴절률이 더 작을 때, 광의 경로를 보여주는 도면이고, 도 4는 패키지 몸체 위에 렌즈가 장착된 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도면이다.
본 발명은 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(100), 발광 다이오드 칩(200), 형광체층(300), 투광성층(500), 렌즈(600)로 구성될 수 있다.
여기서, 패키지 몸체(100)는 지지부(100a)와 바디부(100b)로 구성되고, 패키지 몸체(100)의 상부에는 제 1 캐비티(cavity)(410)가 형성되고, 제 1 캐비티(410)의 하부에는 제 2 캐비티(430)가 형성될 수 있다.
그리고, 패키지 몸체(100)는 제 1 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어져서, 발광 다이오드 칩(200)에서 발생된 광을 굴절시켜 외부로 투과시킬 수 있다.
여기서, 패키지 몸체(100)는 지지부(100a)와 바디부(100b)로 구성될 수 있다.
패키지 몸체(100)의 지지부(100a)는 발광 다이오드 칩(200)을 지지하는 역할을 수행할 수 있고, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)는 지지부(100a) 위에 형성되고 발광 다이오드 칩(200)의 주변영역에 위치하여 형광체층(300)과 다른 굴절률을 가질 수 있다.
이 때, 패키지 몸체(100)의 지지부(100a) 및 바디부(100b)는 형광체층(300)과 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 패키지 몸체(100)의 지지부(100a)는 불투과성 물질로 이루어지고, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)는 형광체층(300)과 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질로 이루어질 수도 있다.
그리고, 패키지 몸체(100)는 에폭시 또는 실리콘 계열의 투명한 수지물로 형성되어, 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광을 외부로 투광시킬 수 있다.
이어, 패키지 몸체(100)의 제 1, 제 2 캐비티(410, 430)는 밑면(410b, 430b)에 대해 측면(410a, 430a)이 소정각도로 경사지게 형성될 수 있는데, 바람직하게는 제 1 캐비티(410)의 경사도가 제 2 캐비티(430)의 경사도보다 더 큰 것이 좋다.
즉, 제 1 캐비티(410)의 밑면(410b)과 측면(410a) 사이의 각도가 제 2 캐비티(430)의 밑면(430b)과 측면(430a) 사이의 각도보다 더 큰 것이 바람직하다.
그 이유는 내부의 광이 외부로 원할하게 배광될 수 있는 광 경로를 만들기 위함이다.
또한, 패키지 몸체(100)의 제 1 캐비티(410)의 깊이는 제 2 캐비티(430)의 깊이보다 더 깊은 것이 바람직하다.
예를 들면, 전체 패키지 몸체(100)의 높이가 약 600um인 경우, 제 1 캐비티(410)의 깊이는 패키지 몸체(100)의 상부면으로부터 약 300um이고, 제 2 캐비티(430)의 깊이는 패키지 몸체(100)의 상부면으로부터 약 500um일 수 있다.
경우에 따라, 전체 패키지 몸체(100)의 높이가 달라지면, 제 1, 제 2 캐비티(410, 430)의 깊이 또한 달라질 수 있다.
한편, 적어도 하나의 발광 다이오드 칩(200)은 패키지 몸체(100)의 제 2 캐비티(430) 내에 장착될 수 있으며, 와이어 또는 플립 방식으로 탑재될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
여기서, 발광 다이오드 칩(200)은 백색 발광 다이오드 칩, 청색 발광 다이오드 칩, 적/녹/청색 발광 다이오드 칩 등일 수 있다.
이어, 형광체층(300)은 발광 다이오드 칩(200)을 포함한 제 2 캐비티(430) 내에 형성되며, 제 2 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어질 수 있다.
여기서, 형광체층(300)은 에폭시 또는 실리콘 계열의 수지물에 형광체가 첨가된 투명물질로 형성될 수 있다.
경우에 따라, 형광체층(300)의 표면은 플랫 형태 또는 요철 형태일 수 있다.
다음, 투광성층(500)은 형광체(300) 층 위의 제 1 캐비티(410) 내에 형성되고, 제 3 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어질 수 있다.
여기서, 투광성층(500)은 에폭시 또는 실리콘 계열의 수지물로 형성될 수 있다.
도 1은 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률이 형광체층(300)의 굴절률과 동일할 때, 광의 경로를 보여주는 도면으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광이 패키지 몸체(100)를 통해 투과되어 외부로 배광됨으로써, 와이드 배광 뿐만 아니라 투광성층(500)을 통해 투과되는 광의 경로와도 큰 경로차가 없으므로 색편차 현상을 제거할 수 있는 효과가 있다.
이 때, 형광체층(300)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률보다 더 크거나 또는 작을 수 있다.
여기서, 형광체층(300)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률과의 차이는 약 0.5 - 0.001일 수 있다.
그리고, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
여기서, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률이 다른 경우, 그들의 굴절률 차이는 약 0.2 - 0.001일 수도 있다.
도 2는 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률이 형광체층(300)의 굴절률보다 클 때, 광의 경로를 보여주는 도면으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광이 패키지 몸체(100)를 통해 투과 및 굴절되어 외부로 배광됨으로써, 와이드 배광 뿐만 아니라 투광성층(500)을 통해 투과되는 광의 경로와도 큰 경로차가 없으므로 색편차 현상을 제거할 수 있는 효과가 있다.
도 2의 실시예는 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률이 형광체층(300)의 굴절률보다 더 크므로, 와이드 배광이 도 1의 실시예보다 더 효과적이다.
여기서, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 형광체층(300)의 굴절률과의 차이는 약 0.5 - 0.001일 수 있다.
또한, 형광체층(300)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률보다 더 크거나 또는 작을 수 있다.
여기서, 형광체층(300)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률과의 차이는 약 0.5 - 0.001일 수 있다.
경우에 따라서, 형광체층(300)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률과 동일하게 형성될 수도 있다.
그리고, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
여기서, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률이 다른 경우, 그들의 굴절률 차이는 약 0.2 - 0.001일 수도 있다.
도 3은 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률이 형광체층(300)의 굴절률보다 작을 때, 광의 경로를 보여주는 도면으로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광이 패키지 몸체(100)를 통해 투과 및 굴절되어 외부로 배광됨으로써, 와이드 배광 뿐만 아니라 투광성층(500)을 통해 투과되는 광의 경로와도 큰 경로차가 없으므로 색편차 현상을 제거할 수 있는 효과가 있다.
도 3의 실시예는 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률이 형광체층(300)의 굴절률보다 더 작으므로, 와이드 배광이 도 1의 실시예보다 더 효과적이다.
여기서, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 형광체층(300)의 굴절률과의 차이는 약 0.5 - 0.001일 수 있다.
또한, 형광체층(300)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률보다 더 크거나 또는 작을 수 있다.
여기서, 형광체층(300)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률과의 차이는 약 0.5 - 0.001일 수 있다.
경우에 따라서, 형광체층(300)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률과 동일하게 형성될 수도 있다.
그리고, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률은 투광성층(500)의 굴절률과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
여기서, 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률이 다를 경우, 그들의 굴절률 차이는 약 0.2 - 0.001일 수도 있다.
도 3은 패키지 몸체(100)의 바디부(100b)의 굴절률과 투광성층(500)의 굴절률이 동일하게 제작된 경우이다.
이와 같이, 본 발명은 발광 다이오드 패키지를 제작할 때, 패키지 몸체(100)과 투광성층(500)의 굴절률을 형광체층(300)의 굴절률보다 크거나 작게 형성하는 이유는, 첫째 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광을 외부로 넓게 배광할 수 있어 적은 발광 다이오드 칩(200)을 사용하여도 다수의 발광 다이오드 칩을 사용한 것 같은 효과를 낼 수 있으므로, 가격적인 측면에서 유리하고, 둘째, 패키지 몸체(100)과 투광성층(500)이 광이 투과할 수 잇는 재질이므로, 패키지 내부에서 외부로 배광되는 광의 경로 차이가 전체적으로 적어 색편차 현상을 줄일 수 있는 효과가 있기 때문이다.
일반적으로, 굴절은 광이 투명한 다른 재질로 입사할 때, 똑바로 들어가지 못하고 꺾인 후에 다시 똑바로 나가는 현상을 말하는데, 광이 굴절할 때, 꺾이는 정도를 굴절률이라 한다.
예를 들면, 진공에서의 광의 속도를 C라하고, 매질 내에서의 광의 속도를 V라 하면, 광의 굴절률 n은 진공에서의 광의 속도 C / 매질 내에서의 광의 속도 V이다.
하기 표 1은 매질에 따른 굴절률을 보여주는 표이다.
매질 진공 공기 아세톤 보통유리 사파이어 고밀도유리 다이아몬드
굴절률 1.00 1.00029 1.33 1.36 1.52 1.77 1.89 2.42
상기 표 1과 같이, 매질에 따라, 굴절률이 다른데, 소한 매질(저굴절률)에서 밀한 매질(고굴절률)로 광이 입사하는 경우, 광은 밀한 매질에서 속도가 느려지기 때문에 광의 진행 방향은 수직선인 Y축 방향으로 꺾이게 된다.
이와 같이, 본 발명에서는 패키지 몸체(100), 형광체층(300) 및 투광성층(500)의 굴절률을 서로 다양하게 조정함으로써, 다양한 타입의 배광을 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 발광 다이오드 패키지는, 중앙영역에 홈을 갖는 렌즈를 포함할 수 있다.
도 4는 패키지 몸체 위에 렌즈가 장착된 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도면으로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 렌즈(600)는 투광성층(500)을 포함한 패키지 몸체(100) 위에 형성되고, 중앙영역에 홈(600a)을 갖는다.
여기서, 홈(600a)의 단면은 상부면이 넓고 하부면이 좁은 원뿔 또는 사다리꼴 형상일 수 있다.
이와 같이, 중앙영역에 홈(600a)을 갖는 렌즈(600)를 장착하는 이유는, 발광 다이오드 칩(200)으로부터 생성된 광이 상부의 중앙영역에만 집중되지 않고, 주변 영역으로 확산되어 배광시키기 위함이다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지는 중앙영역에 홈(600a)을 갖는 렌즈(600)를 추가 장착함으로써, 와이드 배광에 더욱 효과적일 뿐만 아니라, 적은 수의 발광 다이오드 칩만으로도 발광 효과가 좋으므로 경제적인 측면에서 매우 유리하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 상부에 제 1 캐비티(cavity)가 형성되고, 상기 제 1 캐비티 하부에 제 2 캐비티가 형성되며, 제 1 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 패키지 몸체;
    상기 제 2 캐비티 내에 장착되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩을 포함한 제 2 캐비티 내에 형성되고, 제 2 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 형광체층; 그리고,
    상기 형광체 층 위의 제 1 캐비티 내에 형성되고, 제 3 굴절률을 갖는 투광물질로 이루어진 투광성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1, 제 2 캐비티 측면은 경사지게 형성되고, 상기 제 1 캐비티의 경사도가 상기 제 2 캐비티의 경사도보다 더 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 상기 형광체층의 제 2 굴절률 및 상기 투광성층의 제 3 굴절률과 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 형광체층의 제 2 굴절률은 상기 투광성층의 제 3 굴절률과 다른 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 상기 형광체층의 제 2 굴절률과 다르고, 상기 투광성층의 제 3 굴절률과 동일한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 굴절률은 상기 형광체층의 제 2 굴절률과 동일하고, 상기 투광성층의 제 3 굴절률과 다른 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 굴절률 및 상기 투광성층의 제 3 굴절률은 상기 형광체층의 제 2 굴절률과의 차이가 0.5 - 0.001인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 굴절률과 상기 투광성층의 제 3 굴절률과의 차이는 0.2 - 0.001인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체의 제 1 캐비티의 깊이는 상기 제 2 캐비티의 깊이보다 더 깊은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 몸체는,
    상기 발광 다이오드 칩을 지지하는 지지부; 그리고
    상기 지지부 위에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩의 주변영역에 위치하여 상기 형광체층과 다른 굴절률을 갖는 바디부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 지지부 및 바디부는 상기 형광체층과 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 지지부는 불투과성 물질로 이루어지고, 상기 바디부는 상기 형광체층과 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 형광체층은 에폭시 또는 실리콘 계열의 수지물에 형광체가 첨가된 투명물질로 형성되고, 상기 투광성층은 에폭시 또는 실리콘 계열의 수지물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 투광성층을 포함한 상기 패키지 몸체 위에 형성되고, 중앙영역에 홈을 갖는 렌즈를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 홈의 단면은 상부면이 넓고 하부면이 좁은 원뿔 또는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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