CN111129258A - 发光装置及发光模块 - Google Patents

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陈昱儒
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Abstract

本发明提出一种发光装置，其包括LED芯片、透光封装体及透光墙体。透光封装体覆盖LED芯片的出光侧面及出光顶面，而透光墙体围绕透光封装体，且覆盖透光封装体的侧面。此外，透光封装体的折射率不大于透光墙体的折射率。本发明另提出一种发光模块，其包括电路基板及上述的发光装置，发光装置设置于电路基板上。因此，LED芯片产生的光线由透光封装体进入至透光墙体时，会往侧向偏折，俾以增加发光装置的发光角度。

Description

发光装置及发光模块
技术领域
本发明涉及一种发光装置及一种发光模块，特别关于能以大角度发光的发光装置及应用该发光装置的发光模块。
背景技术
随着液晶电视与移动装置不断地朝超薄化发展，作为其背光光源的发光装置亦需微型化才行。而目前背光光源是以发光二极管(Light EmittingDiode,LED)芯片为主，因为其除了尺寸小外，尚具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点。这些LED芯片经封装后，构成发光装置，然后该些发光装置再被间隔地排列于一基板上。该些发光装置可射出光线至液晶层等光学元件，然后构成影像供使用者观看。另外，为提升显示影像的对比度，会应用局部调光(local dimming)技术，使对应影像黑色部分的发光装置不发射光线。
在这种背光应用中，发光装置若具有较大的发光角度时，可减少发光装置的数量，亦可降低混光所需的光学距离(optical distance)。而目前发光装置多采用反射杯形式的封装，因为其制造技术成熟且成本较低，但这种发光装置的发光角度约只有120度。因此，需进行2次光学设计，使发光角度增加至140～160度；也就是，通过外加的光学透镜，来使光线发散。然而，对于要求轻薄的显示器而言，其有限的空间内并不适合再设置光学透镜，且光学透镜会增加生产成本。但是不设置光学透镜时，反而需大量的发光装置，增加制造成本。
因此，于发光装置的技术领域中，尚有若干问题待改善。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种发光装置及一种发光模块，该发光装置可具有较大的发光角度，例如可达140度至160度，进而减少构成发光模块所需的数量、或减少所需的光学距离。
为达上述目的，本发明所公开的发光装置包括：一LED芯片，包括一出光顶面及多个出光侧面，该出光顶面与该些出光侧面相互连接；一透光封装体，覆盖该LED芯片的该些出光侧面及该出光顶面，且包括相互连接的多个侧面、一顶面及一底面；以及一透光墙体，围绕该透光封装体，且覆盖该透光封装体的该些侧面，其中，该透光封装体的一折射率不大于该透光墙体的一折射率。
根据本发明的一实施方式，该侧面与该底面之间可定义有一夹角，且该夹角介于90度至160度之间。
根据本发明的一实施方式，该透光墙体可包括用以增加结构强度的填充材料，或该透光封装体可包括光致发光材料。此外，该透光封装体及该透光墙体的任一者可包括一热塑型树脂或一热固型树脂。
根据本发明的一实施方式，该透光封装体的该顶面可为一凹面或一平面。此外，该透光封装体更可包括一透镜。该透镜可包括一凹陷部。
根据本发明的一实施方式，发光装置可还包括一反射层，该反射层位于该LED芯片的该出光顶面的上方，且于该出光顶面的一法向遮蔽该出光顶面。此外，该反射层可设置于该透光封装体的该顶面上、或设置于该LED芯片的该出光顶面上。
根据本发明的一实施方式，该反射层可包括一遮蔽面，该遮蔽面不小于该LED芯片的该出光顶面、或不小于该透光封装体的该顶面。该遮蔽面可为圆形、椭圆形或多边形。此外，该遮蔽面可包括多个透光区。
根据本发明的一实施方式，发光装置可还包括另一LED芯片，该透光封装体覆盖该另一LED芯片的多个出光侧面及一出光顶面。此外，发光装置可还包括一支架结构或一承载板，该LED芯片设置于该支架结构或承载板上、且与该支架结构或承载板电性连接，而该透光封装体及该透光墙体则设置于该支架结构上。
为达上述目的，本发明所公开的发光模块包括：一电路基板；多个如前述的发光装置，该些发光装置设置于该电路基板上，并与该电路基板电性连接。
根据本发明的一实施方式，发光模块可还包括一光扩散板，该光扩散板设置于该些发光装置的上方。
根据本发明的一实施方式，于该发光装置的该LED芯片的该出光顶面的一法向，该光扩散板与该电路基板是相距一垂直距离，而于该与法向正交的一侧向，该些发光装置之间是相距一横向距离；该垂直距离与该横向距离的比率可介于0.1至0.8之间。
因此，本发明的发光装置及模块至少可提供以下有益效果：
1、由于透光封装体的折射率不大于透光墙体的折射率，LED芯片产生的光线由透光封装体进入至透光墙体时，会往侧向偏折。如此，光线可横向地扩展，增加发光角度。
2、透光封装体包括透镜时，于法向前进的光线可被透镜扩散，以更增加发光角度。
3、当有反射层设置于LED芯片的上方时，于法向前进的光线可被反射层阻挡而朝侧向前进，以更增加发光角度。
4、透光墙体及透光封装体的制程可沿用现有的反射杯封装的制程，而不用特殊的制程，故透光墙体及透光封装体能有较低的制造成本。
5、由于发光装置有较大的发光角度，故能以较少数目来构成符合所需的发光模块。或者，这些发光装置所需要的光学距离(混光距离)能减少，使得发光模块的厚度亦能减少。
为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文是以较佳的实施例配合附图进行详细说明。
附图说明
图1A及图1B为依据本发明的较佳实施例的发光装置的剖视图及立体图；
图2A及图2B为依据本发明的较佳实施例的发光装置的立体图；
图3A及图3B为依据本发明的较佳实施例的发光装置的侧视图；
图4至图6为依据本发明的较佳实施例的发光装置的剖视图；
图7A为依据本发明的较佳实施例的发光装置的侧视图；
图7B及图8A为依据本发明的较佳实施例的发光装置的立体图；
图8B至图8E及图8K为依据本发明的较佳实施例的发光装置的剖视图及侧视图；
图8F至图8J为依据本发明的较佳实施例的发光装置的立体图；
图9A及图9B为依据本发明的较佳实施例的发光模块的前视图；
图9C及图9D为依据本发明的较佳实施例的发光模块的上视图；
图10A至图14C为依据本发明的较佳实施例的发光装置的光型图(角度与相对强度的分布图)；
图15A显示现有的发光模块于不同光学距离下的混光效果；
图15B显示依据本发明的较佳实施例的发光模块于不同光学距离下的混光效果；
图16A及图16B显示现有的发光装置的光斑形状；以及
图16C及图16D显示依据本发明的较佳实施例的发光装置的光斑形状。
附图标记说明：
10 发光装置
11 支架结构
11’ 承载板
12 LED芯片、另一LED芯片
121 出光顶面
122 出光侧面
123 电极
124 底面
13 透光封装体
131 顶面
132 底面
133 侧面
134 光致发光材料
135 透镜
1351 凹陷部
14 透光墙体
141 内侧面
142 外侧面
143 填充材料
15 反射层
151 遮蔽面
152 透光区
20 发光模块
21 电路基板
22 光扩散板
23 光学元件
H 垂直距离
P 横向距离
D1 法向
D2 侧向
α 夹角
L 光线
具体实施方式
以下将具体地描述根据本发明的具体实施例；而在不背离本发明的精神下，本发明尚可以多种不同形式的实施例来实践，不应将本发明保护范围解释为限于实施例。本领域技术人员应当理解，可对各实施例所记载的技术内容进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行实质替换；而这些修改或者替换，并不使脱离本发明的权利要求。
另，上述发明内容中的各技术内容亦可作为实施例的技术内容，或是作为实施例的可能变化。此外，所述方位(如前、后、上、下、两侧、内、外等)为相对者，可依据发光装置或模块的使用状态而定义，而不是指示或暗示发光装置或模块须有特定方位、以特定方位构造或操作；所述方位因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1A及图1B，其为依据本发明的一较佳实施例的发光装置10的剖视图及立体图。该发光装置10可作为照明、指示、车用、背光或显示用的光源，提供大角度(大范围)的光线照射。照明装置10可包括一支架结构11、一LED芯片12、一透光封装体13及一透光墙体14，各元件的技术内容依序地说明如后。
支架结构11包括至少二个相分隔导电支架，形状可为板状、且可具有些凹槽或贯穿孔等，通常是由导电率佳的金属材料、金属合金或金属镀层所制成。LED芯片12可为水平式、垂直式或覆晶式的LED芯片、或高压LED芯片、或AC串并联芯片，而本实施例先以水平式为例。外观上，LED芯片12包括一出光顶面121及多个出光侧面122，两者相互连接，也就是，出光侧面122分别连接于出光顶面121的至少一侧边，例如是四侧边(若出光顶面121为矩形，而出光侧面122为四个)。出光顶面121定义有一法向D1及垂直于法向D1的一侧向D2，而出光侧面122可与侧向D2相互垂直。LED芯片12内的半导体材料所发射的光线L能由出光顶面121及出光侧面122射出，LED芯片12为多面发光的型态，例如是五面发光(5-surfaceemitting)的型态。
LED芯片12设置于支架结构11上、且两者相电性连接(LED芯片12的第一、二电极可分别与支架结构11的第一、二导电支架相互连接，例如通过打线方式电性连接)。透光封装体13与支架结构11一起用以封装、保护LED芯片12，避免或减少环境中水气等接触至LED芯片12等；因此，透光封装体13设置、形成于支架结构11上，且覆盖LED芯片12的出光顶面121及出光侧面122；透光封装体13可直接地接触出光顶面121及出光侧面122。外观上，透光封装体13包括一顶面131、一底面132及多个侧面133；于法向D1上，顶面131与底面132相平行，且与出光顶面121亦为相平行，而该些侧面133则沿着顶面131与底面132的边缘与其相互连接。若顶面131及底面132为矩形(如图1B所示)，则侧面133可为平面；若顶面131或底面132为圆形或椭圆形(如图2A或图2B所示)，则侧面133为曲面，在此态样中，侧面133为一个。另，顶面131可为平面、凸面(如图3A所示)或凹面(如图3B所示)。
此外，顶面131大于或等于底面132，使得侧面133相对于底面132为垂直或倾斜。换言之，侧面133与底面132之间定义有一夹角α，而此夹角α可介于90度至160度之间；该夹角α是主要与后述的发光角度有关。
透光墙体14亦设置、形成于支架结构11上，用于使光线L往侧向D2偏折。透光墙体14围绕透光封装体13，还覆盖透光封装体13的侧面133。另，透光封装体13及透光墙体14可部分地包覆支架结构11，以增加与支架结构11之间的结合性。制程上，透光墙体14可先固化、形成于支架结构11上而形成一凹槽，接着于凹槽内进行LED芯片12的固晶与打线步骤，然后透光封装体13再形成于透光墙体14所围绕而成的凹槽中以覆盖LED芯片及打线；因此，透光墙体14的倾斜的内侧面141是对应于透光封装体13的侧面133。透光墙体14的外侧面142可为倾斜或垂直的平面(如图1A或图2A所示)，或为曲面(如图2B所示)，即透光墙体14为一圆管体。另外，若透光封装体13的顶面131为凸面(如图3A所示)，顶面131可高于透光墙体14的顶面约0.1至1.0mm，较佳地为0.2至0.7mm。
透光封装体13整体的折射率(n1)不大于透光墙体14整体的折射率(n2)，即n1小于或等于n2(n1≦n2)。因此，根据折射定律，光线L从透光封装体13入射到透光墙体14时，光线L会朝界面的法线偏折，从而使光线L更往侧向D2前进。如此，于法向D1上射出发光装置10的光线L将会变少、而于侧向D2射出发光装置10的光线L将会变多。若以光型的半峰全宽(FullWidth at Half Maximum,FWHM)来定义发光角度，比起无透光墙体14(或透光墙体14的折射率小于透光封装体13)的情况而言，发光装置10能有较大的发光角度。
较佳地，折射率n1小于折射率n2，例如折射率n1为1.4至1.5，而折射率n2为1.4至1.6，更佳地，折射率n1为1.45，而折射率n2为1.55，以使光线L的扩散效果更佳。透光封装体13及/或透光墙体14可选用热塑型树脂或热固型树脂来制成，例如苯丙醇胺(Phenylpropanolamine,PPA)、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(Polycyclohexylenedimethylene terephthalate,PCT)、硅胶模压复合材料(Sheetmoulding compound,SMC)、环氧模压复合材料(Epoxy Molding Compound,EMC)、不饱和聚酯材料(Unsaturated Polyester,UP)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、环烯烃共聚物(Cyclic olefin copolymers,COC)等。
较佳地，透光墙体14可与透光封装体13等高，或是略高于透光封装体13，俾以完整覆盖透光封装体13的侧面133，使通过侧面133每一处的光线L皆往侧向D2偏折；由于制程的变数或公差，略高的透光墙体14可能覆盖透光封装体13的顶面131的外缘。此外，透光墙体14仅覆盖侧面133的下半部，亦可增加发光角度(图未示)。除了通过透光墙体14与透光封装体13之间的折射率差异或倾斜角度来调整发光角度，透光封装体13的顶面131为凸面或凹面时(如图3A及图3B所示)，亦可调整发光角度；换言之，透光封装体13的顶面131可构成一凹透镜或凸透镜，即透光封装体13包括与其他部分为一体成型的一透镜。此外，透光封装体13的顶面131还可具有纹路，以使光线L偏折而增加发光角度。在一实施例中，透光墙体14可以略低于透光封装体13，亦可达到增加发光角度的效果。
以下将说明依据本发明的其他较佳实施例，各实施例的技术内容的相同部分将省略或简化描述，而不同部分应可沿用至其他的实施例中(除非技术上明显相冲突或不相容)。
于图4所示的实施例中，发光装置10包括另一LED芯片12，即发光装置10包括多个LED芯片12。另一LED芯片12设置于支架结构11上，且其出光顶面121及出光侧面122亦被透光封装体13覆盖。由于包括较多的LED芯片12，发光装置10的发光强度应可较大。另，该些LED芯片12为覆晶式芯片，亦可以是水平式或垂直式或覆晶式的LED芯片、或高压LED芯片、或AC串并联芯片。
此外，为了增加透光墙体14的结构强度，透光墙体14可还包括填充材料143，其混合于透光墙体14的树脂材料中。填充材料143可为透明或半透明者，亦可为粉体、球体等粒径微小者，故不会阻碍光通过(不会使透光墙体14变成反射墙体)；填充材料143亦可为玻璃纤维或氧化物(例如是二氧化硅(SiO2)或二氧化钛(TiO2))等。填充材料143亦能用以调整透光墙体14整体的折射率。
于图5所示的实施例中，发光装置10包括一承载板11’，以取代上述实施例的支架结构11。更具体而言，承载板11’为塑胶、陶瓷或金属制成的基板，其上具有绝缘层及电路层等(图未示)，而LED芯片12、透光封装体13及透光墙体14可设置于承载板11’上，且LED芯片12的正、负电极还与承载板11’(第一、二电路层)电性连接。另，承载板11’可为大尺寸者，俾以其上可设置多个「LED芯片12、透光封装体13及透光墙体14」的总成，以构成类似后述图9A至图9D所示的发光模块。另一方面，透光封装体13可包括光致发光材料134，例如颜料、染料、萤光粉、量子点萤光粉等，混合于透光封装体13的树脂材料中。光致发光材料134被LED芯片12的光线L照射时可产生另一种波长(颜色)的光线。若LED芯片12为蓝光芯片且可以发出蓝光，而光致发光材料134可吸收部分的蓝光而产生黄光时，则发光装置10能产生白光(剩余未被光致发光材料吸收的蓝光与光致发光材料所发出的黄光相混合而产生白光)。另，光致发光材料134亦能调整透光封装体13整体的折射率。
于图6所示的实施例中，发光装置10可不包括支架结构11或承载板11’，即发光装置10为无支架的芯片级封装(chip-scale package,CSP)，其内的LED芯片12的电极123(例如是正、负电极)可露出于透光封装体13外，而LED芯片12的底面124亦可露出于透光封装体13外；底面124与出光顶面121相对、且与出光侧面122相连。
于图7A及图7B所示的实施例中，发光装置10的透光封装体13可包括一透镜135，透镜135高于透光墙体14，故未有被透光墙体14围绕、遮蔽；透镜135可选择地延伸至透光墙体14的顶面上。透光封装体13的顶面131为透镜135的顶面。透镜135还包括一凹陷部1351，其是从顶面131朝LED芯片12下凹，构成一锥状凹槽。凹陷部1351的尖点(端点)可位于透镜135的光轴上，且可对应LED芯片12的出光顶面121的中心。凹陷部1351上是有空气或者低折射率的材料(即低于透光封装体13的折射率)，使得LED芯片12的光线在通过凹陷部1351时会往侧向D2偏折、再射出透镜135外，以减少于法向D1上的光线射出。因此，发光装置10能有更大的发光角度或是特殊的光型(如后述的图13A及图13B所示)。
于图8A及图8B所示的实施例中，发光装置10还包括一反射层15，其位于LED芯片12的出光顶面121的上方，且于法向D1上遮蔽出光顶面121。类似凹陷部1351，反射层15用以减少于法向D1上的光线射出，但反射层15是阻挡光线，致使光线难以向上射出。反射层15可由金属或非金属材料来形成，其对LED芯片12的光线的反射率较佳地大于70％，更佳地为85～98％(例如银、铝等)。
反射层15可直接地设置于透光封装体13的顶面131上，且可布满顶面131，亦可进一步地布满透光墙体14的顶面。此设置下，反射层15所包括的遮蔽面151大于或等于(不小于)透光封装体13的顶面131，使得所有(或大部分)于法向D1上的光线被反射层15反射而从透光墙体14的外侧面142射出。
如图8C及图8D所示，反射层15亦可直接设置于LED芯片12的出光顶面121上，且其遮蔽面151大于或等于出光顶面121。如此，光线仅能从LED芯片12的出光侧面122射出至透光封装体13；然后，从出光侧面122射出的部分光线仍可能从透光封装体13的顶面131射出。如图8K所示，反射层15的遮蔽面151亦可能小于出光顶面121，故光线仍可以从出光顶面121的未遮蔽部分射出。
制程上，反射层15先形成于LED芯片12，之后再形成于透光封装体13来覆盖反射层15及LED芯片12；透光封装体13未直接地接触LED芯片12的出光顶面121。又如图8E所示，若透光封装体13包括透镜135，反射层15可设置于透镜135上，呈拱顶状(domed)。另一方面，相对于透光封装体13或LED芯片12而言，反射层15有较小的厚度，故呈膜状或箔状。反射层15也可通过点胶、印刷或喷涂制程等，直接地形成于透光封装体13或LED芯片12上：例如，将非金属材料(氮化硼(BN)、二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)或金属材料等(散射或反射材料)混合至树脂中，然后通过上述制程来形成于透光封装体13或LED芯片12上，待树脂固化后即形成出反射层15。
如图8F至图8I所示，反射层15的遮蔽面151可为圆形、椭圆形或多边形(三角形、矩形、梯形等)，且可小于透光封装体13的顶面131。此外，如图8J所示，遮蔽面151可包括多个透光区152，该些透光区152可为圆环状、圆孔状等形状、且可有多种排列方式。光线可穿过透光区152，不被反射。
通过反射层15，发光装置10能有更大的发光角度或是特殊的光型(如后述的图14A至图14C所示)，且调整反射层15的遮蔽面151的尺寸、位置、形状、透光区152等设计参数后，可得到不同的发光角度或光型。
请参阅图9A至图9D所示，于本发明的另一较佳实施例中，一发光模块20被提出，其包括一电路基板21以及多个发光装置10，该些发光装置10设置于电路基板21上，且两者相电性连接。具体而言，电路基板21类似图4所示的承载板11’，但尺寸较大，且其驱动电路能使该些发光装置10个别地点亮，而这些发光装置10可为上述实施例中的任一者。
若发光模块20作为显示器的背光光源时，可再包括一光扩散板(opticaldiffuser plate)22，该光扩散板22位于该些发光装置10的上方，用以使发光装置10的光线再为扩散，使光线均匀地照射于显示面板。另，视应用情况，光扩散板22上可再设置一或多个光学元件23，例如棱镜片(prism sheet)、反射式增亮膜(Dual Brightness EnhancementFilm,DBEF)等。
于法向D1上，光扩散板22的底面与电路基板21的顶面之间是相距一垂直距离H，而于侧向D2，该些发光装置10之间是相距一横向距离P，该横向距离P为两相邻发光装置10的中心线距离。垂直距离H对应混光所需的光学距离(optical distance,OD)，而横向距离P对应发光装置10的密集度。由于发光装置10能有较大的发光角度，故垂直距离H可较小，而横向距离P可较大。比较图9A及图9B所示者，当垂直距离H缩减时，发光模块20的整体厚度亦能缩减；而比较图9C及图9D所示者，当横向距离P增加时，发光模块20所需的发光装置10的数量亦可减少。
垂直距离H与横向距离P的比率(H/P)可介于0.1至0.8之间，优于现有发光装置的比率(其H/P通常大于1.0)。换言之，比起现有技术而言，发光模块20可更薄或具有更少数目的发光装置10，而实现同样的混光需求。
下表为各种型式的发光装置的发光角度的测量结果，从中可理解到透明墙体能使发光装置的发光角度达150度以上，而反射层的设置更使发光角度达到160度以上。由于发光角度达150度以上，发光模块的垂直距离H与横向距离P的比率(H/P)缩减至0.47或0.31。
Figure BDA0002094858900000111
另通过软件的模拟，亦可理解到各种型态的发光装置的发光角度及光型；模拟所用的LED芯片与上述测量所用的LED芯片为不同型号等缘故，两者所得的发光角度不会完全相同。请参阅图10A10B图，是以下列参数来模拟：支架结构的尺寸为3mm乘3mm乘0.25mm；透光封装体及透光墙体的厚度为0.55mm；透光封装体的折射率为1.4～1.5，透光墙体的折射率为1.4～1.6；透光封装体的顶面为平面(类似图1A的发光装置)。当发光装置具有单一LED芯片(单晶)时，其视角(X轴/Y轴)为142/144度，光型如图10A所示；发光装置具有二LED芯片(双晶)时，其视角(X轴/Y轴)为143/142度，光型如图10B所示。
若透光封装体及透光墙体的厚度减少至0.35mm，其余参数同上，则单晶情况的视角(X轴/Y轴)为139/138度，光型如图11A所示；双晶情况的视角(X轴/Y轴)为138/139度，光型如图11B所示。可知，透光封装体的厚度减少时，光型较接近蝠翼形(batwing)。
若透光封装体的顶面为凸面(类似图3A的发光装置)，透光封装体的厚度为0.6mm，透光墙体的厚度为0.55mm，其余参数同上，则单晶情况的视角(X轴/Y轴)为148/144度，光型如图12A所示；双晶情况的视角(X轴/Y轴)为149/147度，光型如图12B所示。
若透光封装体具有透镜及凹陷部(类似图7A的发光装置)，透光封装体的厚度为0.99mm，透光墙体的厚度为0.55mm，其余参数同上，则单晶情况的视角(X轴/Y轴)为175/177度，光型如图13A所示；双晶情况的视角(X轴/Y轴)为130/127度，光型如图13B所示。光型最为接近蝠翼形(batwing)。另说明的是，于单晶情况时，由于凹陷部的尖点可对应LED芯片的出光顶面的中心，LED芯片的光线能够被凹陷部有效地向外扩散；于双晶情况时，由于凹陷部的尖点对应两个芯片之间的间隙，故LED芯片的光线的扩散程度较少，但扩散后的光线角度仍大于原始的光线角度(约128度增加)。
若有反射层，透光封装体及透光墙体的厚度为0.6mm，透光封装体的顶面为平面(类似图8A的发光装置)，其余参数同上，则遮蔽面为0.205乘0.125mm情况的视角(X轴/Y轴)为138/144度，光型如图14A所示；遮蔽面为0.41乘0.25mm情况的视角(X轴/Y轴)为145/144度，光型如图14B所示；遮蔽面为0.82乘0.5mm情况的视角(X轴/Y轴)为144/150度，光型如图14C所示。可知，反射层的遮蔽面越大，视角亦越大，而光型更接近蝠翼形。
各种型式的发光装置的发光角度的测量结果是汇整于下表。
对应附图 发光角度(X轴/Y轴) 备注
图10A 142/144 单晶、顶面为平面
图10B 143/142 双晶、顶面为平面
图11A 139/138 单晶、顶面为平面、厚度减少
图11B 138/139 双晶、顶面为平面、厚度减少
图12A 148/144 单晶、顶面为凸面
图12B 149/147 双晶、顶面为凸面
图13A 175/177 单晶、具有透镜及凹陷部
图13B 130/127 双晶、具有透镜及凹陷部
图14A 138/144 单晶、遮蔽面小
图14B 145/144 单晶、遮蔽面中
图14C 144/150 单晶、遮蔽面大
上述的发光角度是依据光型的半峰全宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)来定义，以图10A为例，所示的光型的最大强度于X轴上为0.17，而最大强度的半值为0.875，于X轴上该半值对应的最大角度约为负70度及72度，故可得X轴的发光角度为142度。同理，可以获得第10A～14C图的X轴及Y轴上发光角度。
接着请参阅图15A及图15B，现有的发光装置及本发明的发光装置皆以横向距离为8.5mm排列于电路基板，并分别测试不同垂直距离的混光效果(由左至右依序为10mm、8mm、6mm、4mm、3mm及2mm的混光效果)。如图15A所示，于垂直距离为6mm时，已可看出现有的发光装置的轮廓，表示光线未有均匀地混合；而如图15B所示，垂直距离为3mm时，才可看出本发明的发光装置的轮廓。可知，本发明的发光装置构成发光模块时，能以较少的垂直距离达到均匀的混光效果。
再请参阅图16A至图16D，现有的发光装置的光斑的形状是对应反射杯的轮廓(图16A、图16B)，而本发明的发光装置的光斑有特殊的形状，可观察出呈放射状的箭头(图16C、图16D)。可知，本发明的发光装置除了提供具较大发光角度的照明外，亦能提供具特殊光斑形状的照明。
在一实施例中，LED芯片所发出的光线可以是紫外光(例如是UVC,UVB,UVA)、蓝光或蓝绿光。在一实施例中，LED芯片包括一N型半导体层、一活性层及一P型半导体层，活性层被夹设于N型半导体层及P型半导体层之间，活性层可以多重量子井层。在一实施例中，LED芯片可以被更换为激光二极管(laser diode)芯片，激光二极管所发出光线可以是紫外光(例如是UVC,UVB,UVA)、蓝光或蓝绿光。在一实施例中，激光二极管芯片包括一N型半导体层、一活性层及一P型半导体层，活性层被夹设于N型半导体层及P型半导体层之间，活性层可以多重量子井层。
在一实施例中，透光封装体可以包括第一光致发光材料，第一光致发光材料可以吸收LED芯片的光线而发出一具有第一波长的光线，但透光墙体不包括任何光致发光材料。第一光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第一光致发光材料的浓度由透光封装体的顶面往LED芯片的顶面的方向逐渐减少或增加。
在一实施例中，透光墙体可以包括第一光致发光材料，第一光致发光材料可以吸收LED芯片的光线而发出一具有一第一波长的光线，但透光封装置不包括任何光致发光材料。第一光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第一光致发光材料的浓度由透光墙体的外侧表面往LED芯片的方向逐渐减少或增加。
在一实施例中，透光封装体可以包括第一光致发光材料及一第二光致发光材料，第一光致发光材料可以吸收LED芯片的光线而发出一具有第一波长的光线。透光墙体可以包括第二光致发光材料，第二光致发光材料可以吸收LED芯片的光线而发出一具有一第二波长的光线。第一光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第一光致发光材料的浓度由透光封装体的顶面往LED芯片的顶面的方向逐渐减少或增加。第二光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第二光致发光材料的浓度由透光墙体的外侧表面往LED芯片的方向逐渐减少或增加。
在一实施例中，透光封装体可以包括第一光致发光材料及第二光致发光材料，但透光挡墙不包括任何光致发光材料。第一光致发光材料可以分布于LED芯片的上方，第二光致发光材料可以分布于LED芯片的侧面外围。第一、二光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第一、二光致发光材料的浓度由透光封装体的顶面往LED芯片的顶面的方向逐渐减少或增加。
在一实施例中，透光挡墙可以包括第一光致发光材料及第二光致发光材料，但透光封装体不包括任何光致发光材料。第一、二光致发光材料的浓度可以是均匀分布，或者是第一、二光致发光材料的浓度由透光墙体的外侧表面往LED芯片的方向逐渐减少或增加。
其中，第一波长及第二波长可以相同或相异。第一波长可以小于或大于第二波长。第一光致发光材料及第二光致发光材料可以是黄色萤光粉、绿色萤光粉及红色萤光粉的任意搭配组合。黄色萤光粉可以是Y3Al5O12:Ce3+(简称YAG)与(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+(Sr2+含量较高，简称Silicate)，绿色萤光粉可以是Si6-zAlzOzN8-z:Eu2+(简称β-SiAlON)与Lu3Al5O12:Ce3+(简称LuAG)，红色萤光粉可以是CaAlSiN3:Eu2+(简称CASN或1113)、Sr2Si5N8:Eu2+(简称258)与K2SiF6:Mn4+(简称KSF)。
上述的实施例仅用来例举本发明的实施方式，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的保护范畴。任何本领域技术人员可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

Claims (18)

1.一种发光装置，包括：
一LED芯片，包括一出光顶面及多个出光侧面，该出光顶面与该些出光侧面相互连接；
一透光封装体，覆盖该LED芯片的该些出光侧面及该出光顶面，且包括相互连接的多个侧面、一顶面及一底面；以及
一透光墙体，围绕该透光封装体，且覆盖该透光封装体的该些侧面，其中，该透光封装体的一折射率不大于该透光墙体的一折射率。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该侧面与该底面之间定义有一夹角，且该夹角介于90度至160度之间。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该透光墙体包括用以增加结构强度的填充材料。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中，该透光封装体包括光致发光材料。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中，该透光封装体的该顶面是选自一平面、一凹面、一凸面及其组合的其中的一者。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中，该透光封装体还包括一透镜，而该透镜包括一凹陷部。
7.如权利要求1所述的发光装置，还包括一反射层，其中，该反射层位于该LED芯片的该出光顶面的上方，且于该出光顶面的一法向遮蔽该出光顶面。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中，该反射层设置于该透光封装体的该顶面上、或设置于该LED芯片的该出光顶面上。
9.如权利要求7所述的发光装置，其中，该反射层包括一遮蔽面，该遮蔽面不小于该LED芯片的该出光顶面、或不小于该透光封装体的该顶面。
10.如权利要求9所述的发光装置，其中，该遮蔽面为圆形、椭圆形或多边形。
11.如权利要求9所述的发光装置，其中，该遮蔽面包括多个透光区。
12.如权利要求1所述的发光装置，还包括另一LED芯片，其中，该透光封装体覆盖该另一LED芯片的多个出光侧面及一出光顶面。
13.如权利要求1至12任一所述的发光装置，还包括一支架结构，其中，该LED芯片设置于该支架结构上、且与该支架结构电性连接，而该透光封装体及该透光墙体则设置于该支架结构上。
14.如权利要求1至12任一所述的发光装置，还包括一承载板，其中，该LED芯片设置于该承载板、且与该承载板电性连接，而该透光封装体及该透光墙体则设置于该承载板上。
15.如权利要求1至12任一所述的发光装置，其中，该透光封装体及该透光墙体的任一者包括一热塑型树脂或一热固型树脂。
16.一种发光模块，包括：
一电路基板；
多个如权利要求1至12任一所述的发光装置，该些发光装置设置于该电路基板上，并与该电路基板电性连接。
17.如权利要求16所述的发光模块，还包括一光扩散板，其中，该光扩散板设置于该些发光装置的上方。
18.如权利要求17所述的发光模块，其中，于该发光装置的该LED芯片的该出光顶面的一法向，该光扩散板与该电路基板之间是相距一垂直距离，而于该与法向正交的一侧向，该些发光装置之间是相距一横向距离；该垂直距离与该横向距离的比率介于0.1至0.8之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111880333A (zh) * 2020-07-16 2020-11-03 东莞市豪顺精密科技有限公司 一种背光模组

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289458B2 (en) * 2019-08-01 2022-03-29 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode transparent display
CN110767646B (zh) * 2019-10-31 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
DE102021106332A1 (de) 2021-03-16 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische baugruppe, displayanordnung und verfahren
TWI768902B (zh) 2021-05-17 2022-06-21 緯創資通股份有限公司 直下式光源模組以及顯示裝置
CN113594151A (zh) * 2021-06-25 2021-11-02 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
TWI788941B (zh) * 2021-08-04 2023-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200822398A (en) * 2006-08-09 2008-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
CN102097423A (zh) * 2009-11-17 2011-06-15 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和照明系统
KR20110111121A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2013042095A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
DE102014106882A1 (de) * 2014-05-15 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1668960A2 (en) * 2003-09-08 2006-06-14 Nanocrystal Lighting Corporation Light efficient packaging configurations for led lamps using high refractive index encapsulants
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
JP4891626B2 (ja) * 2006-02-15 2012-03-07 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US20070284589A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Keat Chuan Ng Light emitting device having increased light output
US8552453B2 (en) * 2009-06-22 2013-10-08 Nichia Corporation Light emitting device
TW201237300A (en) * 2011-03-04 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Light-emitting diode lamp and package cup
US9863605B2 (en) * 2011-11-23 2018-01-09 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
TW201519476A (zh) * 2013-11-08 2015-05-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200822398A (en) * 2006-08-09 2008-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
CN102097423A (zh) * 2009-11-17 2011-06-15 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和照明系统
KR20110111121A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2013042095A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
DE102014106882A1 (de) * 2014-05-15 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111880333A (zh) * 2020-07-16 2020-11-03 东莞市豪顺精密科技有限公司 一种背光模组

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