KR20160137825A - 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 - Google Patents
발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160137825A KR20160137825A KR1020150071721A KR20150071721A KR20160137825A KR 20160137825 A KR20160137825 A KR 20160137825A KR 1020150071721 A KR1020150071721 A KR 1020150071721A KR 20150071721 A KR20150071721 A KR 20150071721A KR 20160137825 A KR20160137825 A KR 20160137825A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- lyophilic
- pixel
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 20
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 17
- -1 benzoin ethers Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 13
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- GHAKYKGFKFZYSJ-UHFFFAOYSA-N sulfonylmethanone Chemical compound O=C=S(=O)=O GHAKYKGFKFZYSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 2,2-dioxooxathiiran-3-one Chemical compound O=C1OS1(=O)=O OLPZCIDHOZATMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HHAZUISNXJLXHR-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-ylbenzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1N1CCOCC1 HHAZUISNXJLXHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LYDODUOPDJULET-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=C(C(=O)[PH2]=O)C=C1)C)C Chemical class CC1=C(C(=C(C(=O)[PH2]=O)C=C1)C)C LYDODUOPDJULET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 5
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 claims description 5
- BEMYGMNGZLBNNB-UHFFFAOYSA-N bis(2-methyl-2-thiophen-2-ylmorpholin-4-yl)methanone Chemical compound C1COC(C)(C=2SC=CC=2)CN1C(=O)N(C1)CCOC1(C)C1=CC=CS1 BEMYGMNGZLBNNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 claims description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 claims description 2
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 claims description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 260
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenyl-2-propanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC(=O)CC1=CC=CC=C1 YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3248—
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5088—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치가 제공된다.
일례로, 발광 표시 장치의 제조 방법은 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 상에 상기 화소 영역 별로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 의해 경화되는 친액성 물질층을 상기 정공 주입층 상에 형성하고, 개구부와 상기 개구부의 외측에 위치하는 차광부를 포함하는 오픈 마스크를 상기 개구부가 상기 복수의 화소 영역과 상기 비화소 영역과 중첩하도록 상기 화소 정의막의 상부에 배치시키고, 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킴으로써, 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩하는 친액성층을 형성하는 단계; 상기 친액성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
일례로, 발광 표시 장치의 제조 방법은 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 상에 상기 화소 영역 별로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 의해 경화되는 친액성 물질층을 상기 정공 주입층 상에 형성하고, 개구부와 상기 개구부의 외측에 위치하는 차광부를 포함하는 오픈 마스크를 상기 개구부가 상기 복수의 화소 영역과 상기 비화소 영역과 중첩하도록 상기 화소 정의막의 상부에 배치시키고, 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킴으로써, 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩하는 친액성층을 형성하는 단계; 상기 친액성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치에 관한 것이다.
발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어, 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exiton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 발광층이 발광됨으로써 화상이 표시된다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 화소 영역 중 각 화소 영역별로 형성되는 애노드 전극을 노출하도록 개구부를 가지는 화소 정의막을 포함하며, 이 화소 정의막의 개구부를 통해 노출되는 애노드 전극 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 전극이 형성된다. 이 중, 정공 수송층과 유기 발광층은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법 등으로 형성될 수 있다.
한편, 애노드 전극 상에는 정공 수송 용액의 습윤성을 좋게 하기 위해서 친액성을 가지는 친액성층이 형성될 수 있다. 친액성층은 복수의 화소 영역과 대응되는 복수의 투광부(예를 들어, 복수의 개구부)를 가지는 패턴 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다.
그런데, 발광 표시 장치의 모델이 변경되는 경우 패턴 마스크의 변경이 필요하다. 이 경우, 패턴 마스크의 별도 제작에 따른 번거로움이 있을 수 있으며, 패턴 마스크의 제작에 따른 비용이 증가될 수 있고, 패턴 마스크들의 관리가 용이하지 않을 수 있다. 또한, 패턴 마스크의 교체에 따른 별도의 공정들이 추가될 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 표시 장치의 모델 변경 시 마스크의 변경을 필요로 하지 않고 공정을 단순화할 수 있는 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 각 모델 별로 마스크의 변경을 필요로 하지 않고 공정을 단순화할 수 있는 발광 표시 장치의 제조 방법을 이용한 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 상에 상기 화소 영역 별로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 의해 경화되는 친액성 물질층을 상기 정공 주입층 상에 형성하고, 개구부와 상기 개구부의 외측에 위치하는 차광부를 포함하는 오픈 마스크를 상기 개구부가 상기 복수의 화소 영역과 상기 비화소 영역과 중첩하도록 상기 화소 정의막의 상부에 배치시키고, 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킴으로써, 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩하는 친액성층을 형성하는 단계; 상기 친액성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 친액성 물질층은 상기 정공 주입층의 표면과 접촉하는 제1 부분과 상기 화소 정의막의 표면과 접촉하는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 친액성 물질층은 슬릿 코팅 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 친액성층을 형성하는 단계는 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킨 후 현상액을 이용하여 상기 제2 부분을 제거하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 친액성 물질층은 전체가 상기 화소 정의막의 개구부 내부에서 상기 정공 주입층과 접촉하게 형성될 수 있다.
상기 친액성 물질층은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 수행될 수 있다.
상기 친액성 물질층은 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 에테르, 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 옥사이드 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤, 모르폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시 설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 아세테르, 티오잔트론, 캄포르퀴논, 케노쿠마린 및 미힐러 케톤(Michler's ketone) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PANI(Polyaniline) 및 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 수행될 수 있다.
상기 정공 수송층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 수행될 수 있다.
상기 화소 정의막은 플루오린을 포함하는 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 오픈 마스크의 개구부는 1개의 개구된 부분으로 이루어질 수 있다.
상기 광은 자외선일 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법을 이용한 발광 표시 장치는 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 상기 화소 영역 별로 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막; 상기 화소 개구부 내부에서 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩되게 배치되며, 상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 반응하는 물질로 형성되는 친액성층; 상기 친액성층 상에 배치되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함한다.
상기 친액성층은 상기 화소 개구부 내부에 배치될 수 있다.
상기 친액성층은 상기 정공 주입층과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 친액성층은 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 에테르, 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 옥사이드 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤, 모르폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시 설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 아세테르, 티오잔트론, 캄포르퀴논, 케노쿠마린 및 미힐러 케톤(Michler's ketone) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PANI(Polyaniline) 및 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막은 플루오린을 포함하는 절연 물질로 형성될 수 있다.
전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나가 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 더 배치될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 정공 주입층 상에 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 반응하는 친액성 물질층을 배치하고 패터닝하지 않은 오픈 마스크를 이용한 노광 공정을 통해 화소 정의막의 화소 개구부 내부에 친액성층을 형성할 수 있다. 따라서, 발광 표시 장치의 모델 변경시 마스크의 변경 없이 오픈 마스크의 재사용이 가능하며, 공정이 단순화될 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법 중 친액성층을 형성하는 단계를 보여주는 단면도들이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법 중 친액성층을 형성하는 단계를 보여주는 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 비화소 영역(NPX)에 의해 구분되는 복수의 화소 영역(PX)을 포함하는 기판(105) 상에 각 화소 영역(PX) 별로 제1 전극(110)을 형성한다.
기판(105)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연 기판은 투명한 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 절연 기판은 불투명 재질로 이루어지거나, 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 더 나아가, 상기 절연 기판은 플렉서블 기판일 수 있다.
도시하지는 않았지만, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 다른 구조물들을 더 포함할 수 있다. 상기 다른 구조물들의 예로는 배선, 전극, 절연막 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 단결정 실리콘 등으로 이루어진 액티브 영역을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체로 형성되는 액티브 영역을 포함할 수 있다.
복수의 화소 영역(PX)은 기판(105) 상에서 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 화소 영역(PX)은 실질적으로 광이 시인되는 영역으로서, 발광 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 복수의 화소 영역(PX)은 적색을 방출하는 적색 화소 영역, 녹색을 방출하는 녹색 화소 영역, 및 청색을 방출하는 청색 화소 영역을 포함할 수 있다.
비화소 영역(NPX)은 복수의 화소 영역(PX)을 구분하도록 배열될 수 있다. 비화소 영역(NPX)은 광이 시인되지 않는 영역으로서, 비발광 영역일 수 있다. 이에 따라, 비화소 영역(NPX)은 발광을 위한 발광 구조물을 구비하지 않을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비발광 영역은 발광 구조물을 적어도 부분적으로 포함하되, 광 차단 구조물에 의해 광 방출이 차단된 영역일 수 있다.
복수의 화소 영역(PX)과 비화소 영역(NPX)은 발광 표시 장치(도 13의 100) 중 영상을 표시하는 표시 영역에 포함될 수 있다. 상기 표시 영역의 외곽에는 영상을 표시하지 않는 비표시 영역이 배치될 수 있다. 상기 비표시 영역에는 발광 표시 장치(도 13의 100)를 구동하기 위한 다양한 회로부가 포함될 수 있다.
제1 전극(110)은 기판(105) 상에 도전성 물질 또는 반사상 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
제1 전극(110)은 제2 전극(도 13의 190)에 비해 상대적으로 일함수가 큰 도전성 물질, 예를 들어 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3) 등을 포함할 수 있다. 상기 예시된 도전성 물질들은 상대적으로 일함수가 크면서도, 투명한 특성을 갖는다. 따라서, 발광 표시 장치(도 13의 100)가 배면 발광형 또는 양면 발광형인 경우, 상기 예시된 도전성 물질을 포함하는 도전층 또는 이들의 적층막으로 제1 전극(110)이 형성될 수 있다.
발광 표시 장치(도 13의 100)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(110)은 상기 예시된 도전성 물질 이외에 반사성 물질, 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다. 따라서, 제1 전극(110)은 상기 예시된 도전성 물질 및 반사성 물질로 이루어진 단일층 구조를 갖거나, 이들이 적층된 복수층 구조를 가질 수 있다. 복수층 구조가 적용될 경우, 정공 주입층(도 13의 130)에 인접하는 최상층은 일함수가 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(110)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 도 2를 참조하면, 기판(105) 상에 각 화소 영역(PX)을 구획하며 제1 전극(110)을 노출하는 화소 개구부(121)를 갖는 화소 정의막(120)을 형성한다. 화소 정의막(120)은 제1 전극(110)을 덮도록 기판(105)의 전면(全面)에 증착 방법을 이용하여 절연 물질을 증착하고, 증착된 절연 물질을 패터닝하여 형성될 수 있다.
한편, 화소 정의막(120)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법을 이용하여 정공 주입 용액(도 3의 130a)을 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 토출시켜 정공 주입층(130)을 형성시킬 때 정공 주입 용액(도 3의 130a)이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 밖으로 나가지 못하도록, 발액성을 가지도록 형성된다. 예를 들어, 화소 정의막(120)은 화소 정의막(120)에 대한 정공 주입 용액의 접촉각이 약 40° 이상이 되게 하는 절연 물질로 형성될 수 있다. 이를 위해, 화소 정의막(120)은 플루오린을 포함하는 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 상기 유기 절연 물질은, 예를 들어 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 화소 정의막(120)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 상기 잉크젯 프린트 방법은 원하는 위치에 프린트 하려는 용액을 잉크 방울 형태로 떨어뜨리는 방법이다. 그리고, 상기 노즐 프린트 방법은 프린트 하려는 용액을 원하는 위치를 포함하는 라인을 따라 흐르게 하는 방법이다.
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)을 형성한다.
구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이 프린트 방법, 예를 들어 잉크젯 프린트 방법에 의해 토출 장치(10)으로부터 정공 주입 용액(130a)을 토출하여 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공하고, 건조시킨다. 그 결과, 도 4에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측에서 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)이 형성된다. 몇몇 실시예에서, 정공 주입 용액(130a)은 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치로부터 토출되어 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공될 수 있다.
정공 주입층(130)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PANI(Polyaniline) 및 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
이어서, 도 5 내지 도 8을 참조하면, 오픈 마스크(OM)를 이용하여 제1 전극(110) 상에 친액성층(140)을 형성한다.
구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 친액성 용액을 슬릿 코팅 등을 이용해 제1 전극(110)뿐 아니라 화소 정의막(120)의 전면(全面)에 도포하여 친액성 물질층(140a)을 형성한다. 친액성 물질층(140a)은 정공 주입층(130)과 접촉하는 부분만이 광에 의해 경화되는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광은 자외선일 수 있다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)과 대향하도록 화소 정의막(120)의 상부에 오픈 마스크(OM)를 배치시키고 친액성 물질층(140a)에 조사한다. 도 6에서, 화살표는 광이 조사되어 오픈 마스크(OM)를 통과하는 것을 나타낸다.
오픈 마스크(OM)는 광을 차단하는 차광부(BR)와, 광을 통과시키는 개구부(OR)를 포함할 수 있다. 차광부(BR)는 링 형태일 수 있으며, 개구부(OR)는 개구된 부분으로서 차광부(BR)에 의해 정의될 수 있다. 즉, 차광부(BR)는 개구부(OR)의 외측에 위치할 수 있다. 개구부(OR)는 화소 영역(PX) 및 비화소 영역(NPX)과 중첩될 수 있는 크기를 가지는 1개의 개구로 이루어질 수 있다.
이러한 오픈 마스크(OM)를 개구부(OR)가 화소 영역(PX) 및 비화소 영역(NPX)과 중첩하도록 화소 정의막(120)의 상부에 배치시키고 광을 친액성 물질층(140a)에 조사하면, 친액성 물질층(140a)이 광에 노출된다. 이때, 친액성 물질층(140a) 중 정공 주입층(130)의 표면과 직접 접촉하는 제1 부분(140aa)은 광에 반응(적어도 화학적 또는 물리적 특성 변화)하여 경화되며, 정공 주입층(130)과 비접촉하는(화소 정의막(120)의 표면과 접촉하는) 제2 부분(140ab)은 광에 비반응하여 연화성이 크다. 즉, 제1 부분(140aa)은 현상액(도 7의 20a)에 대해 용해성, 분산성, 유동성, 이동성, 점착성 또는 흡수성이 작고, 반대로 제2 부분(140ab)은 현상액(도 7의 20a)에 대해 용해성, 분산성, 유동성, 이동성, 점착성 또는 흡수성이 크다.
이러한 친액성 물질층(140a)은 예를 들어 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 에테르, 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 옥사이드 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤, 모르폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시 설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 아세테르, 티오잔트론, 캄포르퀴논, 케노쿠마린 및 미힐러 케톤(Michler's ketone) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이로 한정되지 않는다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 분사 장치(20)으로부터 현상액(20a)을 친액성 물질층(140a) 측으로 분사한다. 그 결과, 친액성 물질층(140a) 중 제2 부분(140ab)이 제거되고 제1 부분(140aa)만이 남아, 도 8에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 정공 주입층(130)과 완전히 중첩하는 친액성층(140)이 형성된다.
이러한 친액성층(140)은 정공 수송 용액(도 9의 150a)에 대해 약 20° 이하의 접촉각을 가져, 친액성층(140)에 대한 정공 수송 용액(도 9의 150a)의 습윤성이 높다. 이에 따라, 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 정공 수송층(도 10의 150)이 친액성층(140) 상에 균일하게 형성될 수 있다.
이와 같이, 친액성 물질층(140a) 전체가 광에 노출되더라도 정공 주입층(130)과 직접 접촉하는 제1 부분(140aa)만이 광에 반응하여 경화되고 정공 주입층(130)과 비접촉하는 제2 부분(140ab)은 광에 반응하지 않아 연화성을 가진다. 이에 따라, 친액성 물질층(140a)에 현상액(20a)이 분사되면, 제2 부분(140ab)은 제거되고 제1 부분(140aa)만이 남아 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 친액성층(140)이 형성될 수 있다. 따라서, 복잡하게 패터닝된 패턴 마스크는 필요 없으며, 패터닝 없는 간단한 구조의 오픈 마스크(OM)가 친액성 물질층(140a)에 광을 조사시 광이 불필요한 영역으로 새는 것을 방지하기 위해 이용될 수 있다.
이러한 오픈 마스크(OM)는 발광 표시 장치의 모델이 변경되는 경우에도 재사용될 수 있으므로, 발광 표시 장치의 모델 변경시 마스크의 변경이 불필요하며 공정이 단순화될 수 있다.
이어서, 도 9 및 도 10을 참조하면, 친액성층(140) 상에 정공 수송층(150)을 형성한다.
구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이 프린트 방법, 예를 들어 잉크젯 프린트 방법에 의해 토출 장치(30)으로부터 정공 수송 용액(150a)을 토출하여 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공하고, 건조시킨다. 그 결과, 도 10에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측에서 친액성층(140) 상에 정공 수송층(150)이 형성된다. 몇몇 실시예에서, 정공 수송 용액(150a)은 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치로부터 토출되어 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공될 수 있다.
정공 수송층(150)은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
이어서, 도 11 및 도 12를 참조하면, 정공 수송층(150) 상에 발광층(160)을 형성한다.
구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이 프린트 방법, 예를 들어 잉크젯 프린트 방법에 의해 토출 장치(40)으로부터 발광 용액(160a)을 토출하여 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공하고, 건조시킨다. 그 결과, 도 12 에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측에서 정공 수송층(150) 상에 발광층(160)이 형성된다. 몇몇 실시예에서, 발광 용액(160a)은 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치로부터 토출되어 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공될 수 있다.
발광층(160)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다.
상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbaxol)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthrace), TCTA, TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), E3, DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-ti-butyl pherylene) 등을 이용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 도 13을 참조하면, 발광층(160) 상에 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)을 형성한다. 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)은 증착 방법을 통해 연속적으로 형성될 수 있다.
전자 수송층(170)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BAlq, Alq3 (Tris(8-quinolinorate)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(180)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(190)은 제1 전극(110)에 비해 상대적으로 일함수가 작은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(150)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)을 포함할 수 있다. 제2 전극(150)은 보조 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 전극은 상기 물질이 증착되어 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 인듐-주석-아연-산화물 (Indium-Tin-Zinc-Oxide) 등을 포함할 수 있다.
발광 표시 장치(100)가 배면 발광형일 경우, 제2 전극(150)은 상술한 일함수가 작은 도전층을 단독으로 포함하거나, 상기 도전층의 상부에 형성되는 별도의 반사성 물질층을 더 포함할 수 있다. 발광 표시장치(100)가 전면 발광형일 경우, 제2 전극(150)은 얇은 두께의 상기 도전층의 상부에 형성되는, 투명한 도전막, 예컨대, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO)층, 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO)층, 산화아연(Zinc Oxide: ZnO)층, 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)층 등을 더 포함할 할 수도 있다.
도시하진 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(190)의 상부에 봉지 기판을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(190)과 봉지 기판 사이에 스페이서를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판을 배치하는 것과 스페이서를 배치하는 다양한 방법들이 당업계에 널리 공지되어 있으므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 정공 주입층(130) 상에 정공 주입층(130)과 접촉하는 부분만이 광에 반응하는 친액성 물질층(140a)을 배치하고 패터닝하지 않은 오픈 마스크(OM)를 이용한 노광 공정을 통해 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 친액성층(140)을 형성할 수 있다. 따라서, 발광 표시 장치의 모델 변경시 마스크의 변경 없이 오픈 마스크(OM)의 재사용이 가능하며, 공정이 단순화될 수 있다.
도 1 내지 도 13에 도시된 발광 표시 장치의 제조 방법을 이용한 발광 표시 장치(100)는 기판(105), 제1 전극(110), 화소 정의막(120), 정공 주입층(130), 친액성층(140), 정공 수송층(150), 발액층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)을 포함할 수 있다.
기판(105)에 대해서는 앞에서 상세히 설명하였으므로, 중복된 설명은 생략한다.
제1 전극(110)은 기판(105) 상에 각 화소 영역(PX) 별로 배치된다. 제1 전극(110)은 기판(105)에 배치된 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(160)으로 정공을 제공하는 애노드 전극일 수 있다.
화소 정의막(120)은 기판(105) 상에 각 화소 영역(PX)을 구획하며, 제1 전극(110)을 노출하는 화소 개구부(121)를 가진다. 화소 정의막(120)은 화소 개구부(121)를 통해 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)이 형성되게 한다.
정공 주입층(130)은 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110) 상에 배치된다. 정공 주입층(130)은 제1 전극(110)과 정공 수송층(150) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써, 제1 전극(110)로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(150)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.
친액성층(140)은 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 정공 주입층(130) 상에 정공 주입층(130)과 완전히 중첩되며, 정공 주입층(130)과 동일한 패턴으로 배치된다. 친액성층(140)은 친액성층(140)에 대한 정공 수송 용액(도 9의 150a)의 습윤성을 높여 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 정공 수송층(150)을 균일하게 형성시킬 수 있다.
정공 수송층(150)은 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 친액성층(140) 상에 배치된다. 정공 수송층(150)은 정공 주입층(130)을 통해 제공받는 정공을 발광층(160)으로 전달하는 역할을 한다.
발광층(160)은 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에서 정공 수송층(150) 상에 배치된다. 발광층(160)은 제1 전극(110)에서 제공되는 정공과 제2 전극(190)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(160)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다.
전자 수송층(170)은 발광층(160) 상에 배치될 수 있다. 전자 수송층(170)은 제2 전극(190)으로부터 전자 주입층(180)을 통해 제공받은 전자를 발광층(160)으로 전달하는 역할을 한다.
전자 주입층(180)은 전자 수송층(170) 상에 배치될 수 있다. 전자 주입층(180)은 전자 수송층(170)과 제2 전극(190) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써, 제2 전극(190)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(170)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다.
제2 전극(190)은 전자 주입층(180) 상에 배치되며, 발광층(160)으로 전자를 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법 중 친액성층을 형성하는 단계를 보여주는 단면도들이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 도 1 내지 도 13에 도시된 발광 표시 장치의 제조 방법과 비교하여 친액성층(140)을 형성하는 단계만 다를 뿐 동일하다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법에서는 친액성층(140)을 형성하는 단계에 대해서 중점적으로 설명한다.
도 14 내지 도 17을 참조하면, 오픈 마스크(OM)를 이용하여 제1 전극(110) 상에 친액성층(140)을 형성한다.
구체적으로, 도 14에 도시된 바와 같이 친액성 용액(140ba)을 프린팅 방법, 예를 들어 잉크젯 프린트 방법에 의해 토출 장치(50)으로부터 토출하여 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내측으로 제공하고, 건조시킨다. 그 결과, 도 15에 도시된 바와 같이 친액성 물질층(140b)이 제1 전극(110) 상에만 배치된다. 즉, 친액성 물질층(140b) 전체가 정공 주입층(130)과 접촉한다. 친액성 물질층(140b)은 도 5의 친액성 물질층(140a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
이어서, 도 16에 도시된 바와 같이 화소 정의막(120)과 대향하도록 화소 정의막(120)의 상부에 오픈 마스크(OM)를 배치시키고 광을 친액성 물질층(140b)에 조사한다. 도 16에서, 화살표는 광이 조사되어 오픈 마스크(OM)를 통과하는 것을 나타낸다.
오픈 마스크(OM)를 개구부(OR)가 화소 영역(PX) 및 비화소 영역(NPX)과 중첩하도록 화소 정의막(120)의 상부에 배치시키고 광을 친액성 물질층(140b)에 조사하면, 친액성 물질층(140b)이 광에 노출된다. 이때, 친액성 물질층(140b)은 광에 반응하여 경화된다. 이에 따라, 도 17에 도시된 바와 같이 정공 주입층(130)과 완전히 중첩되는 친액성층(140)이 형성된다. 여기서, 오픈 마스크(OM)는 친액성 물질층(140b)에 광을 조사시 광이 불필요한 영역으로 새는 것을 방지하기 위해 이용될 수 있다.
이와 같이, 친액성 물질층(140b)은 프린트 방법에 의해 정공 주입층(130) 상에만 형성되므로, 도 7에 도시된 현상액(20a)을 분사시키는 공정 없이 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 친액성층(140)이 형성될 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 정공 주입층(130) 상에만 친액성 물질층(140b)을 배치하여 패터닝하지 않은 오픈 마스크(OM)를 이용한 노광 공정을 통해 화소 정의막(120)의 화소 개구부(121) 내부에 친액성층(140)을 형성할 수 있다. 따라서, 발광 표시 장치의 모델 변경시 마스크의 변경 없이 오픈 마스크(OM)의 재사용이 가능하며, 공정이 단순화될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 발광 표시 장치 105: 기판
110: 제1 전극 120: 화소 정의막
130: 정공 주입층 140: 친액성층
150: 정공 수송층 160: 발광층
170: 전자 수송층 180: 전자 주입층
190: 제2 전극 OM: 오픈 마스크
110: 제1 전극 120: 화소 정의막
130: 정공 주입층 140: 친액성층
150: 정공 수송층 160: 발광층
170: 전자 수송층 180: 전자 주입층
190: 제2 전극 OM: 오픈 마스크
Claims (20)
- 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 상에 상기 화소 영역 별로 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;
상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 의해 경화되는 친액성 물질층을 상기 정공 주입층 상에 형성하고, 개구부와 상기 개구부의 외측에 위치하는 차광부를 포함하는 오픈 마스크를 상기 개구부가 상기 복수의 화소 영역과 상기 비화소 영역과 중첩하도록 상기 화소 정의막의 상부에 배치시키고, 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킴으로써, 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩하는 친액성층을 형성하는 단계;
상기 친액성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 친액성 물질층은 상기 정공 주입층의 표면과 접촉하는 제1 부분과 상기 화소 정의막의 표면과 접촉하는 제2 부분을 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 친액성 물질층은 슬릿 코팅 방법에 의해 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 친액성층을 형성하는 단계는 상기 광을 상기 친액성 물질층에 조사시킨 후 현상액을 이용하여 상기 제2 부분을 제거하는 과정을 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 친액성 물질층은 전체가 상기 화소 정의막의 개구부 내부에서 상기 정공 주입층과 접촉하게 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 친액성 물질층은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 친액성 물질층은 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 에테르, 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 옥사이드 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤, 모르폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시 설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 아세테르, 티오잔트론, 캄포르퀴논, 케노쿠마린 및 미힐러 케톤(Michler's ketone) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제7 항에 있어서,
상기 정공 주입층은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PANI(Polyaniline) 및 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 주입층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 수행되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 수송층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 수행되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 플루오린을 포함하는 절연 물질로 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 오픈 마스크의 개구부는 1개의 개구된 부분으로 이루어진 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 광은 자외선인 발광 표시 장치의 제조 방법. - 비화소 영역에 의해 구분되는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 상기 화소 영역 별로 배치되는 제1 전극;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 화소 개구부를 가지는 화소 정의막;
상기 화소 개구부 내부에서 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 상기 정공 주입층과 완전히 중첩되게 배치되며, 상기 정공 주입층과 접촉하는 부분만이 광에 반응하는 물질로 형성되는 친액성층;
상기 친액성층 상에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 친액성층은 상기 화소 개구부 내부에 배치되는 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 친액성층은 상기 정공 주입층과 동일한 패턴으로 형성되는 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 친액성층은 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 에테르, 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 옥사이드 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤, 모르폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시 설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 아세테르, 티오잔트론, 캄포르퀴논, 케노쿠마린 및 미힐러 케톤(Michler's ketone) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 정공 주입층은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine), PANI(Polyaniline) 및 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 화소 정의막은 플루오린을 포함하는 절연 물질로 형성되는 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나가 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 더 배치되는 발광 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150071721A KR102387145B1 (ko) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 |
| US14/884,798 US10312443B2 (en) | 2015-05-22 | 2015-10-16 | Method of manufacturing light-emitting display device and light-emitting display device manufactured using the method |
| US16/400,168 US10756309B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-05-01 | Light-emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150071721A KR102387145B1 (ko) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160137825A true KR20160137825A (ko) | 2016-12-01 |
| KR102387145B1 KR102387145B1 (ko) | 2022-04-15 |
Family
ID=57326097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150071721A KR102387145B1 (ko) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10312443B2 (ko) |
| KR (1) | KR102387145B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707822A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10811636B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-10-20 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
| US10193098B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-01-29 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
| US10461139B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-10-29 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
| TWI678829B (zh) * | 2017-09-05 | 2019-12-01 | 創王光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| CN108919605B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用 |
| CN111490090B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-12-16 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN115360315A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060046206A (ko) * | 2004-06-25 | 2006-05-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| US20110017980A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process and materials for making contained layers and devices made with same |
| KR20140037393A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20140045157A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4801037B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2011-10-26 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 電子素子、及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-05-22 KR KR1020150071721A patent/KR102387145B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-16 US US14/884,798 patent/US10312443B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-01 US US16/400,168 patent/US10756309B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060046206A (ko) * | 2004-06-25 | 2006-05-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| US20110017980A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process and materials for making contained layers and devices made with same |
| KR20140037393A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20140045157A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707822A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102387145B1 (ko) | 2022-04-15 |
| US20190280250A1 (en) | 2019-09-12 |
| US10312443B2 (en) | 2019-06-04 |
| US20160343940A1 (en) | 2016-11-24 |
| US10756309B2 (en) | 2020-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10756309B2 (en) | Light-emitting display device | |
| US8987717B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same | |
| JP6691764B2 (ja) | 発光表示装置及びその製造方法 | |
| US10854839B2 (en) | Organic el display panel and method of manufacturing organic el display panel | |
| KR102413938B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101920766B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US8946687B2 (en) | Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices | |
| US20160248035A1 (en) | Light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9490443B2 (en) | Light emitting display device and method for fabricating the same | |
| KR102457596B1 (ko) | 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR102181978B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102076034B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102443645B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2014154550A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| KR102431626B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20100023559A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20170002740A (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US9917277B2 (en) | Display panel and production method therefor | |
| US9876061B2 (en) | Organic light-emitting device and organic display apparatus | |
| KR102337319B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102304198B1 (ko) | 발광 표시 장치 | |
| US20120028386A1 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display | |
| KR20150002996A (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |