KR20160109235A - 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 - Google Patents
구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 Download PDFInfo
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 88
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- -1 thiazole compound Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 26
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 22
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- QMHIMXFNBOYPND-UHFFFAOYSA-N 4-methylthiazole Chemical compound CC1=CSC=N1 QMHIMXFNBOYPND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- QHHHLHCCVDMOJI-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-4-amine Chemical compound NC1=CSC=N1 QHHHLHCCVDMOJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HMVYYTRDXNKRBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CSC=N1 HMVYYTRDXNKRBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMPRRFPMMJQXPP-UHFFFAOYSA-N 2-sulfobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMPRRFPMMJQXPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 3-sulfophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1C(O)=O SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N D-threo-isocitric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N Isocitric acid Natural products OC(=O)[C@@H](O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- JWQMZGJKIAJVFE-UHFFFAOYSA-L azanium copper phosphate Chemical compound [NH4+].[Cu+2].[O-]P([O-])([O-])=O JWQMZGJKIAJVFE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N threo-D-isocitric acid Natural products OC(=O)C(O)C(C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims 1
- DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M Sodium bisulfite Chemical compound [Na+].OS([O-])=O DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 235000010267 sodium hydrogen sulphite Nutrition 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 241000220259 Raphanus Species 0.000 description 6
- 235000006140 Raphanus sativus var sativus Nutrition 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- CGZDWVZMOMDGBN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylthiazole Chemical compound CCC1=NC=CS1 CGZDWVZMOMDGBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010020710 Hyperphagia Diseases 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000020830 overeating Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;hydrofluoride Chemical compound F.[F-].[K+] VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Weting (AREA)
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Abstract
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 싸이아졸 화합물 0.5 내지 3 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
일반적으로 박막 트랜지스터 표시판(Thin Film Transistor, TFT)은 액정 표시 장치나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로 사용된다. 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과, 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다. 이러한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 시에 기판 위에 게이트 배선 및 데이터 배선용 금속 층을 적층시키고, 이들 금속 층을 식각하는 과정이 그 뒤를 따르게 된다. 게이트 배선 및 데이터 배선은 전기 전도도가 좋고, 저항이 낮은 구리를 사용하는데, 구리의 경우, 포토레지스트를 도포하고, 패터닝하는 공정 상 어려운 점이 있으므로, 게이트 배선 및 데이터 배선은 구리 단일막을 적용하지 않고, 다중 금속막을 적용한다. 다중 금속막 중에서 일반적으로 널리 사용되는 것이 티타늄/구리의 이중막이다. 이러한 티타늄/구리의 이중막을 동시에 식각하는 경우, 식각 프로파일이 불량하고, 후속 공정에 어려움이 있다.
대한민국 공개특허 10-2012-0111636호는 티타늄/구리의 이중막의 식각을 위한 식각액으로서 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 싸이아졸 화합물 0.5 내지 3 중량%, 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리염 0.05 내지 3 중량%, 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 그리고 물을 포함하는 것을 개시하고 있다.
그러나, 상기 식각액은 식각 성능을 유지하는 기간이 과수계에 비해 현저히 짧으며, 글래스 및 포토레지스트의 손상 발생으로 인한 배선 오픈률이 크며, 식각반응 생성물의 석출 문제로 초기 식각액 관리가 어렵다는 단점을 갖는다.
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 구리계 금속막에 대한 전반적인 식각특성이 우수하며, 특히 식각액에 발생하는 구리이온에 의한 난용성 석출을 방지함으로써 석출에 의한 배선불량 발생 및 공정비용을 크게 개선시키며; 글래스, 절연막, 포토레지스트의 손상으로 인한 배선오픈률을 개선시키며; 환경규제물질인 시아나이드(CN)가 발생되지 않으므로 환경적으로 바람직한 구리계 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 싸이아졸 화합물 0.5 내지 3 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
(a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(c) 상기 본 발명의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 식각액에 발생하는 구리이온의 석출을 방지함으로써 전반적인 식각특성과 더불어 석출에 의한 배선불량 및 식각장비의 세정에 따르는 공정비용을 크게 개선시키며, 글래스, 절연막, 포토레지스트의 손상으로 인한 배선오픈률을 개선시키며; 환경규제물질인 시아나이드(CN)가 발생되지 않으므로 환경적으로 매우 바람직한 구리계 식각액 조성물을 제공한다.
그러므로, 구리계 금속막의 식각에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 상기 식각액을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법은 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 효율적으로 식각하는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 석출실험을 실시한 결과를 촬영한 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 식각을 실시한 결과를 촬영한 SEM 이미지이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 식각을 실시한 결과를 촬영한 SEM 이미지이다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 싸이아졸 화합물 0.5 내지 3 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명에서 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다.
예컨대, 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티탄늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막의 다층막 등이 포함된다.
상기 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 상기 몰리브덴 합금층은 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 네오디늄(Nd) 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상과 몰리브덴의 합금을 의미한다.
특히, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 바람직하게는 구리 또는 구리 합금막/티타늄 또는 티타늄 합금막으로 이루어진 다층막에 적용될 수 있다.
본 발명의 시각액은 또한, 몰리브덴계 금속막 또는 티타늄계 금속막에도 사용될 수 있다. 상기 몰리브덴계 금속막 또는 티타늄계 금속막은 막의 구성성분 중에 몰리브덴 또는 티타늄이 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다.
본 발명의 식각액 조성물은 식각액에서 구리이온 석출물 발생을 야기하는 싸이아졸을 제외한 아졸 화합물 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물은 상기 싸이아졸을 제외한 아졸 화합물을 포함하지 않음으로써 그의 분해에 의해 발생되는 환경규제물질인 시아나이드(CN)의 발생도 방지한다.
상기 싸이아졸을 제외한 아졸 화합물과 염소화합물 성분은 구리이온과 결합하여 난용성 석출물을 발생시키는 문제를 야기한다
상기 (a) 과황산염은 구리계 금속막을 식각하는 주성분으로서, 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 5 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 과황산염이 0.5 중량% 미만으로 포함되는 경우 구리계 금속막의 식각이 안되거나 식각속도가 아주 느려지며, 20 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정을 컨트롤하는 것이 어려워진다.
상기 과황산염으로는 과황산칼륨(K2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8), 및 과황산암모늄((NH4)2S2O8)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (b) 불소화합물은 티타늄계 금속막을 식각하는 주성분으로서, 식각 시 발생할 수 있는 잔사를 제거하여 주는 역할을 한다.
상기 불소화합물은 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 0.01 내지 2 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 불소화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되는 경우 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 잔사가 발생 할 수 있으며, 2.0 중량%를 초과하는 경우에는 금속배선이 형성되는 유리 등의 기판과 금속배선과 함께 형성되는 실리콘을 포함하는 절연막에 손상을 일으킬 수 있다.
상기 불소화합물로는 용액 내에서 불소 이온 또는 다원자 불소이온이 해리되는 화합물을 사용할 수 있고, 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨(potassium fluoride), 중불화암모늄(ammoniumbifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (c) 무기산은 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각을 위한 보조 산화제로서 사용된다.
상기 무기산은 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 식각 프로파일 불량 및 잔사가 발생 할 수 있으며, 10 중량%를 초과하여 포하되는 경우 과식각 및 포토레지스트 크랙(Crack)이 발생하여 약액 침투에 의하여 배선이 단락 될 수 있다.
상기 무기산으로는 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (d) 싸이아졸 화합물은 구리계 금속막의 균일 식각 및 식각 속도를 조절하는 역할을 한다..
상기 싸이아졸 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 3 중량%로 포함될 수 있으며, 0.5 내지 2 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 싸이아졸 화합물이 0.5 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리의 식각 속도 조절을 할 수 가 없어 과식각이 일어 날 수 있으며, 균일한 식각을 기대하기도 어려우며, 3 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 시간이 늦춰짐에 따라 공정상 불리하며, 특히 석출물이 생성되는 문제가 발생할 수 있다. 상기 싸이아졸 화합물로는 4-메틸싸이아졸, 4-아미노싸이아졸, 4-카르복시싸이아졸 및 에틸싸이아졸 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이 사용될 수 있다.
상기 (e) 염소화합물은 구리계 금속막을 식각하는 보조 산화제 및 테이퍼의 각도를 조절하는 역할을 한다.
상기 염소화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함될수 있다. 염소화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리계 금속막의 식각속도가 저하되어 식각 프로파일이 불량하게 되며, 5 중량%를 초과하여 포함되는 경우 과식각이 발생하여 금속 배선이 소실 될 수 있다.
상기 염소화합은 염소 이온으로 해리될 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 염소화합물로는 염산(HCl), 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl) 및 염화암모늄(NH4Cl)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (f) 구리화합물은 씨디스큐(CD skew)를 조절하는 역할을 한다. 구리화합물은 조성물 총 중량에대하여 0.01 내지 3 중량%로 포함될 수 있다. 구리화합물의 함유량이 0.01 중량% 미만일 경우에는 초기 식각이 균일하지 않게 되고, 3 중량%를 초과할 경우에는 식각 성능의 하락을 일으킨다.
상기 구리화합물은 질산구리(Cu(NO3)2), 황산구리(CuSO4) 및 인산구리암모늄(NH4CuPO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (g) 유기산 또는 유기산염은 식각된 금속이온과의 킬레이팅을 형성하여 식각된 금속이온이 식각액에 영향을 주는 것을 방지하며, 결과적으로 기판의 처리매수를 증가시키는 역할을 한다.
상기 유기산 또는 유기산염은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 유기산 또는 유기산염이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 처리매수 증가 효과를 기대할 수 없고, 10 중량%를 초과하더라도 더 이상 처리매수 증가의 효과가 증가하지 않는다.
상기 유기산 또는 유기산염으로는 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)과 이들의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
(h) 상기 물은 탈이온수를 의미하며 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다. 상기 물은 조성물 총 중량에 대하여 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물에는 상기 성분들 외에 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제 등의 첨가제가 더 포함될 수 있다. 또한, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들이 선택적으로 첨가될 수도 있다.
본 발명의 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 액정 표시 장치와 같은 평판 디스플레이의 제조뿐만 아니라, 메모리 반도체 표시판 등의 제조에도 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 구리계 금속막으로 형성되는 액정표시장치의 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 효율적으로 식각할 수 있다.
또한, 본 발명은
(a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(c) 상기 본 발명 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
상기에서 구리계 금속막에 대한 정의는 위에서 상술된 내용이 동일하게적용된다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예
1 내지 5 및
비교예
1 내지 2: 구리계
식각액
조성물 제조 및 특성 평가
(1) 구리계
금속막
식각액
조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 제조하였으며, 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
(2)
식각액
조성물의 특성 평가
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 사용하여 아래와 같이 식각특성 평가를 진행하였다.
글래스 위에 SiNx층을 증착하고, 상기 SiNx층 위에 티타늄막을 적층하고,상기 티타늄막 상에 구리막을 적층하였다. 상기 구리막 상에는 일정한 형태의 모양으로 포토레지스트를 패터닝하였다. 상기 글래스 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 550×650㎜로 잘라 시편을 제조하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비 내에 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2의 식각액을 넣고 온도를 25℃로 가온하였다. 그 후, 온도가 30±0.1℃에 도달한 후, 식각 공정을 수행하였다. 시편을 넣고 식각액 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風) 건조장치를 이용하여 건조하고 전자주사현미경을 이용하여 식각 특성을 평가하였다. 상기 평가 결과는 하기 표 1, 도 1 및 도 2에 나타내었다.
<
Cu
농도 변화 측정>
메탈분석장비를 통한 Cu 농도변화를 측정하였다.
<
석출
평가>
석출물의 생성 실험은 보관 및 공정상의 가혹조건으로 하였다. 즉, 식각액에 구리가루 3000ppm을 섞고, -8℃로 보관하면서 난용성 석출물의 생성유무를 확인하였다.
<
시아나이드
발생 평가>
국가공인 분석업체에 의뢰하여 시아나이드의 발생여부를 확인하였다.
SPS | ABF | HNO3 | 4-methylthiazole | ATZ | NaCl | CuSO4 | AcOH | Cu 농도(ppm) | 석출 발생 유무 |
CN | |||
0일 | 1일 | 20일 | |||||||||||
실시예 1 | 10 | 0.5 | 3 | 0.5 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3020 | 3010 | 3010 | 석출 미발생 |
무 |
실시예 2 | 10 | 0.5 | 3 | 1.0 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3010 | 3000 | 3020 | 석출 미발생 |
무 |
실시예 3 | 10 | 0.5 | 3 | 1.5 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3010 | 3020 | 3020 | 석출 미발생 |
무 |
실시예 4 | 10 | 0.5 | 3 | 2.0 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3000 | 3010 | 3000 | 석출 미발생 |
무 |
실시예 5 | 10 | 0.5 | 3 | 3.0 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3010 | 3010 | 3010 | 석출 미발생 |
무 |
비교예 1 | 10 | 0.5 | 3 | - | 1.5 | 1.5 | 0.2 | 3 | 3020 | 2890 | 2010 | 1일차 석출발생 |
유 |
비교예 2 | 10 | 0.5 | 3 | 4.0 | - | 1.5 | 0.2 | 3 | 3020 | 2890 | 2010 | 20일차 석출발생 |
무 |
(단위: 중량%)
주)
SPS: Sodium persulfate
ABF: Ammonium bifluoride
ATZ: 5-aminotetrazole
AcOH: Acetic acid
CuSO4: Copper Sulfate
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 싸이아졸 화합물을 포함하고 있는 본 발명의 실시예 1 내지 5의 식각액 조성물에서는 도 1에서 확인되는 바와 같이 식각액에서 문제가 되는 석출물이 발생하지 않았으며, 도 2에서 확인되는 바와 같이 식각성능도 우수한 것으로 확인되었다. 또한, 시아나이드의 발생도 나타나지 않았다.
반면, 싸이아졸 화합물을 포함하지 않고, 고리형 아민 화합물(ATZ)을 포함한 비교예 1의 식각액 조성물에서는 식각액에서 문제가 되는 석출물이 발생하였으며, 시아나이드도 발생한 것으로 확인되었다. 비교예 2의 식각액 조성물의 경우는 너무 과량의 싸이아졸 화합물을 포함함에 따라 20일 후에 석출이 발생되었다.
Claims (12)
- 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 싸이아졸 화합물 0.5 내지 3 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (a) 과황산염은 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (b) 불소화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (c) 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (d) 싸이아졸 화합물은 4-메틸싸이아졸, 4-아미노싸이아졸, 4-카르복시싸이아졸 및 에틸싸이아졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (e) 염소화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (f) 구리화합물은 질산구리(Cu(NO3)2), 황산구리(CuSO4) 및 인산구리암모늄(NH4CuPO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 (g) 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산, 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며;
상기 유기산염은 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 구리계 금속막은 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티탄늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막;인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물. - (a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(c) 청구항 1 내지 청구항 8 중의 어느 한 항의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법. - 청구항 10에 있어서, 상기 구리계 금속막은 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티탄늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막;인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것임을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법.
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TW105105697A TWI684674B (zh) | 2015-03-10 | 2016-02-25 | 用於蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物和使用它的蝕刻方法 |
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