KR102546799B1 - 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 메틸테트라졸, 염소 화합물 및 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.

Description

금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법{Etching solution composition for metal layers and manufacturing method of display device using the same}
본 발명은 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 메틸테트라졸, 염소 화합물 및 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 평판표시장치를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)이다. TFT-LCD의 제조 과정은 통상 기판 위에 게이트와 소스/드레인 전극용 배선 재료로서 금속막을 형성하고, 이 금속막의 선택적인 영역에 포토레지스트를 형성한 후 이 포토레지스트를 마스크로 하여 위 금속막을 식각하는 공정으로 구성된다.
종래에는 게이트와 소스/드레인 전극용 배선 재료로 알루미늄 또는 이의 합금과 다른 금속이 적층된 금속막이 사용되었다. 알루미늄은 가격이 저렴하고 저항이 낮은 반면, 내화학성이 좋지 못하고 후 공정에서 힐락(hillock)과 같은 불량에 의해 다른 전도층과 쇼트(short) 현상을 일으키거나 산화물층과의 접촉에 의한 절연층을 형성시키는 등 액정패널의 동작 불량을 유발시킨다.
이러한 점을 고려하여, 게이트와 소스/드레인 전극용 배선 재료로 구리막과 티타늄막의 이중 금속막이 제안되었다.
그러나, 구리막과 티타늄막의 이중 금속막을 식각하기 위해서는 각 금속막을 식각하기 위한 서로 다른 2종의 식각액을 이용해야 하는 단점이 있다. 특히, 구리를 포함하는 구리막을 식각하기 위해서는 과산화수소계 또는 옥손계 식각액이 주로 이용된다.
대한민국 공개특허 제10-2010-0040352호는 과산화수소, 인산, 인산염, 킬레이트제, 고리형 아민 화합물을 포함하는 과산화수소계 식각액을 개시하고 있다. 하지만, 이러한 과산화수소계 식각액은 불균등화 반응을 일으켜 조성물 자체가 분해되거나 경시에 따른 급격한 조성 변화로 인해 불안정한 단점이 있고, 또한, 옥손계 식각액은 식각 속도가 느리고 경시에 따른 불안정한 단점이 있다.
특히, 고리형 아민 화합물은 구리막 식각 시 발생되는 구리 이온과 결합하는데, 이 경우 식각액 내에 염소 이온이 존재할 경우 염소 이온과 상기 결합물이 반응하면 난용성의 석출물이 발생하는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허 제10-2010-0040352호
본 발명은 금속막에 대하여 우수한 식각 프로파일을 갖는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 구리 배선 식각에 의해 생성되는 구리 이온과의 석출물이 발생하지 않는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 경시 안정성이 우수한 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 메틸테트라졸, 염소 화합물 및 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물에 의해 금속막을 식각하는 공정을 포함하는 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 금속막 식각액 조성물은 구리 이온과의 석출물이 발생하지 않아 깨끗한 공정 환경을 제공하며, 공정 효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 구리 이온과의 석출물이 발생하지 않아 석출물에 의한 성능 저하 및 불량률을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 표시 장치 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 메틸테트라졸, 염소 화합물 및 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래의 금속막 식각액 조성물의 구성 성분 중 하나인 아미노테트라졸(aminotetrazole, ATZ)은 구리염 및 염소 화합물과의 반응성에 의해 석출물(Cu-Cl-ATZ complex)을 발생시켰다. 상기 석출물로 인하여 식각액 조성물의 경시 안정성이 저하되며, 식각 불량이 발생하였다. 따라서, 석출물을 제거해야 하지만 용이하지 않을뿐더러, 석출물에 기인하는 식각 특성의 긍정적인 효과 때문에 석출물을 완전히 제거할 수도 없었다.
본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 종래의 아미노테트라졸 대신에 메틸테트라졸(methyltetrazole, MTZ)을 사용하여 석출물 발생을 원천적으로 제어하고자 하였다.
상기 메틸테트라졸은 염소 화합물과 반응하여 석출물을 발생시키지 않으며, 그에 따라 상기 석출물을 제어하기 위하여 억제제를 추가로 사용하지 않아도 되는 장점이 있다. 또한, 석출물이 발생하지 않으므로, 깨끗한 공정 환경을 제공할 수 있으며, 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 금속막 식각액 조성물의 금속막은 다층막이며, 상기 다층막은 바람직하게는 티타늄막 및 구리막을 포함하는 다층막이다.
상기 티타늄막 및 구리막을 포함하는 다층막은 티타늄막 및 구리막이 적층된 다중 금속막을 의미한다. 구체적으로, 구리막/티타늄막의 순으로 적층된 이중 금속막, 티타늄막/구리막의 순으로 적층된 이중 금속막을 포함한다. 또한, 구리막과 티타늄막이 3층 이상으로 교대로 적층된 다중 금속막, 예컨대 구리막/티타늄막/구리막의 삼중 금속막, 티타늄막/구리막/티타늄막의 삼중 금속막, 구리막/티타늄막/구리막/티타늄막/구리막의 다중 금속막 등도 포함한다. 이때, 구리막과 티타늄막의 두께는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 본 발명에서 구리막은 구리만으로 구성된 구리 단독막일 수 있고, 구리와 함께 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 구리 합금으로 구성된 구리 합금막일 수도 있다.
또한, 본 발명에서 티타늄막은 티타늄만으로 구성된 티타늄 단독막일 수 있고, 티타늄과 함께 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 티타늄 합금으로 구성된 티타늄 합금막일 수도 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물의 구성 성분을 보다 자세히 설명하기로 한다.
(A) 과황산염
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 과황산염은 금속막 중에서도 구리막을 식각하는 주산화제이다.
상기 과황산염은 과황산칼륨(K2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 및 과황산암모늄((NH4)2S2O8)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 과황산염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 20 중량%, 바람직하게는 5 내지 15 중량%로 포함된다.
상기 과황산염이 0.5 중량% 미만으로 포함되면 식각 속도가 감소하여 충분한 식각이 이루어지지 않으며, 20 중량%를 초과하여 포함되면 식각률이 지나치게 빨라져 식각 정도를 제어하기 어려우며, 이에 따라 금속막이 과식각(overetching)될 수 있다.
(B)불소 화합물
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 불소 화합물은 금속막 중에서도 특히 티타늄막을 식각하며, 상기 식각에 의해 발생할 수 있는 잔사를 제거하는 역할을 한다.
상기 불소 화합물은 용액 내에서 불소 이온 또는 다원자 불소 이온이 해리되는 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨 (potassium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)으로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 불소 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 2 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.01 내지 1 중량%로 포함된다.
상기 불소 화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되면 티타늄막의 식각 속도가 저하되어 잔사가 발생할 수 있으며, 2 중량%를 초과하면 금속 배선이 형성되는 유리 등의 기판과 금속 배선과 함께 형성되는 실리콘을 포함하는 절연막에 손상이 발생할 수 있다.
(C)무기산
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 무기산은 금속막의 보조 산화제 역할을 하며 즉, 상기 무기산의 함량에 따라 식각 속도를 제어할 수 있다.
또한, 식각액 조성물 내의 구리 이온과 반응할 수 있어 구리 이온의 증가를 막아 식각률이 감소하는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
상기 무기산은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 내지 5 중량%로 포함된다.
상기 무기산이 1 중량% 미만으로 포함되면 식각 속도가 감소하여 식각 프로파일 불량 및 잔사가 발생할 수 있고, 10 중량%를 초과하여 포함되면 과식각 및 포토레지스트에 크랙(crack)이 발생하여 식각액 조성물 침투에 의하여 배선이 단락될 수 있다.
(D) 메틸테트라졸
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 메틸테트라졸(methyl tetrazole)은 금속막 중에서도 특히 구리막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
또한, 상기 메틸테트라졸은 염소 화합물과 결합하여 석출물을 발생시키는 아미노테트라졸과는 다르게, 석출물을 형성하지 않아 상기 문제를 원천적으로 차단할 수 있다.
상기 석출물이 발생하지 않음으로써, 식각액 조성물의 보관 안정성이 증가시킬 수 있으며, 성능 저하 및 불량률 증가를 예방할 수 있다.
상기 메틸테트라졸은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.3 내지 3 중량%로 포함된다.
상기 메틸테트라졸의 함량이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 구리막의 식각 속도가 높아져 과식각의 위험이 있으며, 5 중량%를 초과하여 포함되면 구리막의 식각 속도가 낮아져 공정 시간이 지나치게 길어지게 된다.
(E)염소 화합물
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 염소 화합물은 금속막 중에서도 특히 구리막을 식각하는 보조 산화제 이며, 테이퍼 각도를 조절하는 역할을 한다.
상기 염소 화합물은 염소 이온으로 해리될 수 있는 화합물을 의미하며, 바람직하게는 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 염소 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3 중량%로 포함된다.
상기 염소 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 구리막의 식각 속도가 저하되어 식각 프로파일이 불량해지며, 5 중량%를 초과하여 포함되면 과식각이 발생하여 금속 배선이 소실될 수 있다.
(F)물
본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 물은 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다.
(G)구리염
본 발명의 금속막 식각액 조성물은 추가로 구리염을 포함할 수 있으며, 상기 구리염은 씨디스큐(CD skew)를 조절하는 역할을 한다.
상기 구리염은 질산구리(Cu(No3)2), 황산구리(CuSO4) 및 인산구리암모늄(NH4CuPO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 구리염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.05 내지 3 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 1 중량%로 포함된다.
상기 구리염이 0.05 중량% 미만으로 포함되면 처리 매수에 따른 씨디스큐의 편차가 크게 나타나며, 3 중량%를 초과하여 포함되면 주산화제의 산화력을 감소시켜 처리 매수를 감소시킨다.
(H)유기산 또는 유기산염
본 발명의 금속막 식각액 조성물은 추가로 유기산 또는 유기산염을 포함할 수 있으며, 상기 유기산 또는 유기산염은 식각된 금속 이온과의 킬레이팅 작용에 의해 식각액 조성물에 영향을 주는 것을 방지하여 처리매수를 증가시키는 역할을 한다.
상기 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 유기산염은 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
상기 유기산 또는 유기산염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%로 포함된다.
상기 유기산 또는 유기산염이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 처리매수 증가 효과가 나타나지 않으며, 10 중량%를 초과하여 포함되면 처리매수 증가가 더 이상 나타나지 않아 경제적이지 못하다.
또한, 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 금속막 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 당 업계에 통상적으로 알려진 식각방법에 의하여 수행될 수 있다. 예컨대, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 사용될 수 있으며, 이 경우, 식각 조건으로서 온도는 대개 30 내지 80, 바람직하게는 50 내지 70이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 5분이다. 그러나, 이러한 조건은 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이하거나 적합한 조건으로 선택될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 식각액 조성물에 의해 금속막을 식각하는 공정을 포함하는 표시 장치 제조방법에 관한 것이다.
상기 금속막은 다층막이며, 상기 다층막은 바람직하게는 티타늄막 및 구리막을 포함하는 다층막이다.
상기 티타늄막 및 구리막을 포함하는 다층막은 티타늄막 및 구리막이 적층된 다중 금속막을 의미한다. 구체적으로, 구리막/티타늄막의 순으로 적층된 이중 금속막, 티타늄막/구리막의 순으로 적층된 이중 금속막을 포함한다. 또한, 구리막과 티타늄막이 3층 이상으로 교대로 적층된 다중 금속막, 예컨대 구리막/티타늄막/구리막의 삼중 금속막, 티타늄막/구리막/티타늄막의 삼중 금속막, 구리막/티타늄막/구리막/티타늄막/구리막의 다중 금속막 등도 포함한다. 이때, 구리막과 티타늄막의 두께는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 본 발명에서 구리막은 구리만으로 구성된 구리 단독막일 수 있고, 구리와 함께 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 구리 합금으로 구성된 구리 합금막일 수도 있다.
또한, 본 발명에서 티타늄막은 티타늄만으로 구성된 티타늄 단독막일 수 있고, 티타늄과 함께 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 티타늄 합금으로 구성된 티타늄 합금막일 수도 있다.
또한, 상기 표시 장치는 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 표시 장치에 관한 것이다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
< 금속막 식각액 조성물 제조>
실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6.
하기 표 1의 조성에 따라 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6의 금속막 식각액 조성물을 제조하였다.
(단위 : 중량%)
구분 SPS ABF HNO3 테트라졸 테이퍼각 조절제 CuSO4 AcOH 물
종류 함량 종류 함량
실시예 1 10 0.5 3 MTZ 0.1 NaCl 1 - - 잔량
실시예 2 10 0.5 3 MTZ 0.5 NaCl 1 - - 잔량
실시예 3 10 0.5 3 MTZ 1 NaCl 1 - - 잔량
실시예 4 10 0.5 3 MTZ 3 NaCl 1 - - 잔량
실시예 5 10 0.5 3 MTZ 5 NaCl 1 - - 잔량
실시예 6 10 0.5 3 MTZ 0.1 NaCl 1 0.2 3 잔량
실시예 7 10 0.5 3 MTZ 0.5 NaCl 1 0.2 3 잔량
실시예 8 10 0.5 3 MTZ 1 NaCl 1 0.2 3 잔량
실시예 9 10 0.5 3 MTZ 3 NaCl 1 0.2 3 잔량
실시예 10 10 0.5 3 MTZ 5 NaCl 1 0.2 3 잔량
비교예 1 10 0.5 3 ATZ 0.5 NaCl 1 - - 잔량
비교예 2 10 0.5 3 MTZ 0.5 NaBr 1 0.2 3 잔량
비교예 3 10 0.5 3 ATZ 0.5 NaCl 1 0.2 3 잔량
비교예 4 10 0.5 3 TZ 0.5 NaCl 1 0.2 3 잔량
비교예 5 10 0.5 3 MTZ 0.5 NaNO3 1 0.2 3 잔량
비교예 6 10 0.5 3 ETZ 0.5 NaCl 1 0.2 3 잔량
SPS: Sodium persulfate
ABF: Ammonium bifluoride
MTZ: Methyltetrazole
ATZ: 5-Aminotetrazole
TZ: Tetrazole
ETZ: Ethyltetrazole
AcOH: Acetic acid
실험예 1. 금속막 식각액 조성물의 식각 특성 및 보관 안정성 평가
1-1. 식각 특성 평가
상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6에 따른 식각액에 대해 아래와 같이 식각 특성 평가를 진행하였다.
글래스 위에 SiNx층이 증착되어 있고 SiNx층 위에 티타늄막이 적층되어 있으며, 티타늄막 상에 구리막이 적층되어 있다. 구리막 상에는 일정한 형태의 모양으로 포토레지스트가 패터닝된 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 550×650㎜로 잘라 시편을 제조하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비 내에 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 넣고 온도를 25℃로 가온 하였다. 그 후, 온도가 30±0.1℃에 도달한 후, 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간을 EPD를 기준으로 하여 오버에치를 200% 실시하였다. 시편을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, Air Gun을 이용하여 건조하고, 포토 레지스트 박리기(stripper)를 이용하여 포토 레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경을 이용하여 식각 특성(data open 발생 유무)을 평가하였으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
1-2. 보관 안정성 평가
상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물에 Cu 3000ppm 파우더를 넣어주고, Stirrer 를 이용해 30분 정도 완전히 용해 시킨다. 그리고 준비된 P.E Bottle 에 넣어주고 가혹 조건으로 저온(-9℃ 이하) 보관하여 석출 발생 유무를 실시간 관찰하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
구분 Data open 유/무 석출 발생 유/무
1일 7일 15일
실시예 1 무 무 무 무
실시예 2 무 무 무 무
실시예 3 무 무 무 무
실시예 4 무 무 무 무
실시예 5 무 무 무 무
실시예 6 무 무 무 무
실시예 7 무 무 무 무
실시예 8 무 무 무 무
실시예 9 무 무 무 무
실시예 10 무 무 무 무
비교예 1 무 유 유 유
비교예 2 유 무 무 무
비교예 3 무 유 유 유
비교예 4 무 유 유 유
비교예 5 유 무 무 무
비교예 6 무 유 유 유
상기 표 2의 결과에서, 본 발명의 실시예 1 내지 10의 식각액 조성물은 데이터 오픈이 발생하지 않았으며, 석출물이 발생하지 않아 보관 안정성이 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다.
반면, 비교예 1, 3, 4 및 6의 식각액 조성물은 메틸테트라졸 대신에 다른 종류의 테트라졸을 사용함으로써, 데이터 오픈은 발생하지 않았지만 석출물이 발생하여 보관 안정성이 불량한 결과를 보였다.
또한, 비교예 2 및 5의 식각액 조성물은 테이퍼각 조절제로 염소 화합물 대신에 브롬 및 질산 화합물을 사용함으로써, 보관 안정성은 우수하였지만 과식각인 데이터 오픈이 발생한 결과를 보였다.
따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 과식각이 이루어지지 않으며, 석출물을 발생시키지 않아 보관 안정성이 우수하며, 그에 따라 깨끗한 공정 환경을 유지할 수 있고, 공정 효율을 증가시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 과황산염, 불소 화합물, 무기산, 메틸테트라졸, 염소 화합물 및 물을 포함하며, 아미노테트라졸을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 금속막 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 과황산염은 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 불소 화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 염소 화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 메틸테트라졸 0.1 내지 5 중량% 및 염소 화합물 0.1 내지 5 중량%를 포함하고, 식각액 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 추가로 유기산 또는 유기산염, 및 구리염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,
    상기 유기산염은 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 구리염은 질산구리, 황산구리 및 인산구리암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  10. 청구항 7에 있어서, 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량% 및 구리염 0.05 내지 3 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 금속막은 다층막이며,
    상기 다층막은 티타늄막 및 구리막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
  12. 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항의 식각액 조성물에 의해 금속막을 식각하는 공정을 포함하는 표시 장치의 제조방법.
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