KR102281187B1 - 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 - Google Patents

구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 싸이오펜계 화합물 0.1 내지 5 중량%의, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.

Description

구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법{Etching solution composition for copper-based metal layer and etching method using the same}
본 발명은 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
일반적으로 박막 트랜지스터 표시판(Thin Film Transistor, TFT)은 액정 표시 장치나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로 사용된다. 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과, 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다. 이러한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 시에 기판 위에 게이트 배선 및 데이터 배선용 금속 층을 적층시키고, 이들 금속 층을 식각하는 과정이 그 뒤를 따르게 된다. 게이트 배선 및 데이터 배선은 전기 전도도가 좋고, 저항이 낮은 구리를 사용하는데, 구리의 경우, 포토레지스트를 도포하고, 패터닝하는 공정 상 어려운 점이 있으므로, 게이트 배선 및 데이터 배선은 구리 단일막을 적용하지 않고, 다중 금속막을 적용한다. 다중 금속막 중에서 일반적으로 널리 사용되는 것이 티타늄/구리의 이중막이다. 이러한 티타늄/구리의 이중막을 동시에 식각하는 경우, 식각 프로파일이 불량하고, 후속 공정에 어려움이 있다.
대한민국 공개특허 10-2012-0111636호는 티타늄/구리의 이중막의 식각을 위한 식각액으로서 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리염 0.05 내지 3 중량%, 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 그리고 물을 포함하는 것을 개시하고 있다.
그러나, 상기 식각액은 식각 성능을 유지하는 기간이 과수계에 비해 현저히 짧으며, 글래스 및 포토레지스트의 손상 발생으로 인한 배선 오픈률이 크며, 식각반응 생성물의 석출 문제로 초기 식각액 관리가 어렵다는 단점을 갖는다.
대한민국 공개특허 제10-2010-0090538호
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 구리계 금속막에 대한 전반적인 식각특성이 우수하며, 특히 초기 식각액에서 구리이온에 의한 난용성 석출물의 발생을 방지함으로써 석출에 의한 배선불량 발생 및 공정비용을 크게 개선시키며; 글래스, 절연막, 포토레지스트의 손상으로 인한 배선오픈률을 개선시킨 구리계 금속막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 싸이오펜계 화합물 0.1 내지 5 중량%의, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
(a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(c) 상기 본 발명의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 초기 식각액에서 구리이온에 의한 난용성 석출물의 발생을 방지함으로써 전반적인 식각특성과 더불어 석출에 의한 배선불량 및 식각장비의 세정에 따르는 공정비용을 크게 개선시키며, 글래스, 절연막, 포토레지스트의 손상으로 인한 배선오픈률을 개선시킨다. 또한, 초기 프로파일을 그대로 유지하게 하는 효과를 제공한다. 그러므로, 구리계 금속막의 식각에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 상기 식각액을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법은 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 효율적으로 식각하는 방법을 제공한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 싸이오펜계 화합물 0.1 내지 5 중량%의, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명에서 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다.
예컨대, 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티탄늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막의 다층막 등이 포함된다.
상기 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 상기 몰리브덴 합금층은 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 네오디늄(Nd) 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상과 몰리브덴의 합금을 의미한다.
특히, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 바람직하게는 구리 또는 구리 합금막/티타늄 또는 티타늄 합금막으로 이루어진 다층막에 적용될 수 있다.
본 발명의 시각액은 또한, 몰리브덴계 금속막 또는 티타늄계 금속막에도 사용될 수 있다. 상기 몰리브덴계 금속막 또는 티타늄계 금속막은 막의 구성성분 중에 몰리브덴 또는 티타늄이 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다.
본 발명의 식각액 조성물은 초기 식각액에서 구리이온에 의한 난용성 석출물 발생을 야기하는 구리염과 같은 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.
상기 (a) 과황산염은 구리계 금속막을 식각하는 주성분으로서, 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 5 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 과황산염이 0.5 중량% 미만으로 포함되는 경우 구리계 금속막의 식각이 안되거나 식각속도가 아주 느려지며, 20 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정을 컨트롤하는 것이 어려워진다.
상기 과황산염으로는 과황산칼륨(K2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8), 및 과황산암모늄((NH4)2S2O8)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (b) 불소화합물은 티타늄계 금속막을 식각하는 주성분으로서, 식각 시 발생할 수 있는 잔사를 제거하여 주는 역할을 한다.
상기 불소화합물은 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 0.01 내지 2 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 불소화합물이 0.01 중량% 미만으로 포함되는 경우 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 잔사가 발생 할 수 있으며, 2.0 중량%를 초과하는 경우에는 금속배선이 형성되는 유리 등의 기판과 금속배선과 함께 형성되는 실리콘을 포함하는 절연막에 손상을 일으킬 수 있다.
상기 불소화합물로는 용액 내에서 불소 이온 또는 다원자 불소이온이 해리되는 화합물을 사용할 수 있고, 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨(potassium fluoride), 중불화암모늄(ammoniumbifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (c) 무기산은 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각을 위한 보조 산화제로서 사용된다.
상기 무기산은 조성물 총 중량에 대하여에 대하여 1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리계 금속막 및 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되어 식각 프로파일 불량 및 잔사가 발생 할 수 있으며, 10 중량%를 초과하여 포하되는 경우 과식각 및 포토레지스트 크랙(Crack)이 발생하여 약액 침투에 의하여 배선이 단락 될 수 있다.
상기 무기산으로는 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (d) 고리형 아민 화합물은 구리계 금속막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
상기 고리형 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 고리형 아민 화합물이 0.5중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리의 식각 속도 조절을 할 수 가 없어 과식각이 일어 날 수 있으며, 5중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 구리의 식각 속도가 저하되어 공정상에서 식각 시간이 길어져서 생산성이 저하될 수 있다.
상기 고리형 아민 화합물로는 5-아미노테트라졸(aminotetrazole), 이미다졸(imidazole), 인돌(indole), 푸린(purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘(pyrrolidine), 및 피롤린(pyrroline)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (e) 염소화합물은 구리계 금속막을 식각하는 보조 산화제 및 테이퍼의 각도를 조절하는 역할을 한다.
상기 염소화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함될수 있다. 염소화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리계 금속막의 식각속도가 저하되어 식각 프로파일이 불량하게 되며, 5 중량%를 초과하여 포함되는 경우 과식각이 발생하여 금속 배선이 소실 될 수 있다.
상기 염소화합은 염소 이온으로 해리될 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 염소화합물로는 염산(HCl), 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl) 및 염화암모늄(NH4Cl)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (f) 싸이오펜계 화합물은 초기 식각액에 구리이온의 석출을 야기하지 않는다. 즉, 종래의 식각액에서는 구리염을 사용하였는데, 구리염은 초기 식각에서 난용성 석출물을 발생시키는 단점이 있다. 그러나 싸이오펜계 화합물을 사용하는 경우 구리염이 없더라도 초기 식각시 CD Skew를 일정하게 유지할 수 있으며, 난용성 물질의 석출을 야기하지 않는다.
상기 싸이오펜계 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있으며, 0.1 내지 2 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 싸이오펜계 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우에는 초기 식각 프로파일 불량이 생기며, 5 중량%를 초과하여 포함될 경우에는 기존에 가지고 있는 일반적으로 요구되는 식각 성능 유지가 어려워질 수 있다.
상기 싸이오펜계 화합물로는 술포란(Sulfolane), 테트라하이드로-3-티오펜아민(tetrahydro-3-thiophenamine), 테트라하이드로티오펜-1-옥사이드(tetrahydro thiophene-1-oxide), 2-메틸테트라하이드로티오펜-3-온(2-Methyltetrahydro thiophen-3-one)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
상기 (g) 유기산 또는 유기산염은 식각된 금속이온과의 킬레이팅을 형성하여 식각된 금속이온이 식각액에 영향을 주는 것을 방지하며, 결과적으로 기판의 처리매수를 증가시키는 역할을 한다.
상기 유기산 또는 유기산염은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 유기산 또는 유기산염이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 처리매수 증가 효과를 기대할 수 없고, 10 중량%를 초과하더라도 더 이상 처리매수 증가의 효과가 증가하지 않는다.
상기 유기산 또는 유기산염으로는 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)과 이들의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
(h) 상기 물은 탈이온수를 의미하며 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다. 상기 물은 조성물 총 중량에 대하여 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물에는 상기 성분들 외에 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제 등의 첨가제가 더 포함될 수 있다. 또한, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들이 선택적으로 첨가될 수도 있다.
본 발명의 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 액정 표시 장치와 같은 평판 디스플레이의 제조뿐만 아니라, 메모리 반도체 표시판 등의 제조에도 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 구리계 금속막으로 형성되는 액정표시장치의 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 효율적으로 식각할 수 있다.
또한, 본 발명은
(a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(c) 상기 본 발명 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
상기에서 구리계 금속막에 대한 정의는 위에서 상술된 내용이 동일하게적용된다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3: 구리계 식각액 조성물 제조 및 특성 평가
(1) 구리계 금속막 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물을 제조하였으며, 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
(2) 식각액 조성물의 특성 평가
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물을 사용하여 아래와 같이 식각특성 평가를 진행하였다.
글래스 위에 SiNx층을 증착하고, 상기 SiNx층 위에 티타늄막을 적층하고,상기 티타늄막 상에 구리막을 적층하였다. 상기 글래스 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 550×650㎜로 잘라 시편을 제조하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비 내에 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 식각액을 넣고 온도를 25℃로 가온하였다. 그 후, 온도가 30±0.1℃에 도달한 후, 식각 공정을 수행하였다. 시편을 넣고 식각액 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風) 건조장치를 이용하여 건조하고 전자주사현미경을 이용하여 식각 특성을 평가하였다.
난용성 석출물의 생성 유/무를 판단하기 위한 모사평가는 식각액의 보관온도가 10℃이지만 가혹조건으로 -8℃에 보관한 후, 초기 석출물 생성을 체크하였다.
상기 실험결과를 하기 표 1에 나타내었다.
SPS ABF HNO3 ATZ NaCl AcOH CuSO4 sulfolane 초기 식각액
석출 발생 유무		 Cu/Ti
식각 유무
(○ or ×)
실험예 1 10 0.5 3 0.5 1.5 3 - 0.1 석출 미발생 ○
실험예 2 10 0.5 3 1.0 1.5 3 - 1 석출 미발생 ○
실험예 3 10 0.5 3 1.5 1.5 3 - 3 석출 미발생 ○
실험예 4 10 0.5 3 2.0 1.5 3 - 5 석출 미발생 ○
비교예 1 10 0.5 3 3.0 1.5 3 - 7 석출 미발생 Unetch
비교예 2 10 0.5 3 4.0 1.5 3 0.5 0 4일차 석출발생 ○
비교예 3 10 0.5 3 4.0 1.5 3 0.5 1 4일차 석출발생 ○
(단위: 중량%)
주)
SPS: Sodium persulfate
ABF: Ammonium bifluoride
ATZ: 5-aminotetrazole
AcOH: Acetic acid
CuSO4: Copper Sulfate
Unetch: 비패턴부의 Cu가 Etch되지 않아 패턴이 형성되지 않음.
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 싸이오펜계 화합물인 술포란을 포함하고 있는 본 발명의 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물에서는 초기 식각액에서 문제가 되는 석출물이 발생하지 않았으며, 식각성능도 우수한 것으로 확인되었다. 반면, 술포란을 포함하지 않고, 황산구리를 포함한 비교예 1 및 2의 식각액 조성물에서는 초기 식각액에서 문제가 되는 석출물이 발생한 것으로 확인되었다. 비교예 1의 식각액 조성물의 경우는 과량의 술포란을 포함하고 있어서 석출은 발생하지 않았으나, 식각성능이 저하되어 식각이 이루어지지 않았다.

Claims (12)

  1. 조성물 총 중량에 대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 고리형 아민화합물 0.5 내지 5 중량%, (e) 염소화합물 0.1 내지 5 중량%, (f) 싸이오펜계 화합물 0.1 내지 5 중량%의, (g) 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의 물을 포함하며,
    상기 (f) 싸이오펜계 화합물은 술포란(Sulfolane), 테트라하이드로-3-티오펜아민(tetrahydro-3-thiophenamine), 테트라하이드로티오펜-1-옥사이드(tetrahydro thiophene-1-oxide), 및 2-메틸테트라하이드로티오펜-3-온(2-Methyltetrahydro thiophen-3-one)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 (a) 과황산염은 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 (b) 불소화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 (c) 무기산은 질산, 황산, 인산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 (d) 고리형 아민화합물은 5-아미노테트라졸, 이미다졸, 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리딘 및 피롤린으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 (e) 염소화합물은 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 (g) 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산, 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며;
    상기 유기산염은 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 구리계 금속막은 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
    티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티타늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
    몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
    상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막;인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  10. (a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
    (c) 청구항 1 내지 청구항 6 및 청구항 8 중의 어느 한 항의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 식각방법.
  11. 청구항 10에 있어서,상기 구리계 금속막은 구리막 또는 구리 합금막의 단일막; 또는
    티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄막, 티타늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/티타늄 합금막;
    몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴막, 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리/몰리브덴 합금막;
    상부 몰리브덴 층과 하부 몰리브덴층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴/구리/몰리브덴막, 또는 상부 몰리브덴 합금층과 하부 몰리브덴 합금층 사이에 형성된 구리층을 포함하는 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금막;인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것임을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법.
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