KR20160098444A - 다수의 메모리 기술들에 대한 플랫폼 지원을 제공하는 장치, 시스템 및 방법 - Google Patents

다수의 메모리 기술들에 대한 플랫폼 지원을 제공하는 장치, 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

프로세서 디바이스와 메모리 디바이스 사이에 인쇄 회로 보드(PCB)를 통해 통신들을 교환하는 기술들 및 메커니즘들이 개시되어 있다. 일 실시예에서, 프로세서 디바이스는, 메모리 디바이스의 메모리 타입에 기초하여, 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 각각 대응하는 다수의 인터페이스 모드들 중의 인터페이스 모드로 구성된다. 전압 조절기(VR)는, 메모리 타입에 기초하여, PCB 상의 하드웨어 인터페이스를 통해 하나 이상의 전압들을 메모리 디바이스에 제공하도록 VR 모드로 프로그래밍된다. 다른 실시예에서, PCB 내에 또는 상에 배치된 인터커넥트의 x개의 신호 라인들은 각각 프로세서 디바이스와 메모리 디바이스 사이에서 서로 결합된다. 값 x는 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는 신호들의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수이다.

Description

다수의 메모리 기술들에 대한 플랫폼 지원을 제공하는 장치, 시스템 및 방법{APPARATUS, SYSTEM AND METHOD TO PROVIDE PLATFORM SUPPORT FOR MULTIPLE MEMORY TECHNOLOGIES}
관련 출원들
본 출원은 2014년 2월 19일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/941,687호에 기초한 진출원이며, 그 가출원의 우선권의 혜택을 주장한다. 가출원 제61/941,687호는 이로써 참조로 포함된다.
기술분야
다양하게 본원에서 논의된 실시예들은 컴퓨터 플랫폼 설계에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 특정 실시예들은 다수의 상이한 메모리 기술들 중 임의의 것을 수용하는 플랫폼을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.
메모리 시스템들에 대한 개선들은 더 빠른 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 더 높은 더블 데이터 레이트(DDR) 버스 주파수들, 더 큰 용량 듀얼 인라인 메모리 모듈들(DIMM들), 채널 당 더 많은 DIMM들 및 다른 증가된 능력들을 포함하는 많은 형태들을 취했고, 계속해서 취한다. JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 고체 상태 기술 협회에 의해 정의되는 DDR 표준들은 메모리 기능성을 다양하게 구현하고, 상이한 각각의 메모리 인터페이스 하드웨어와 함께 그렇게 수행하는 메모리 기술들의 일부 예들이다.
레거시 메모리 시스템들에 대한 지원에 관한 산업 요건들로 인해, 메모리 디바이스 기술들의 연속적 세대들이 개발됨에 따라 시장에 더욱더 다양한 메모리 인터페이스 하드웨어가 있다. 지금까지, 플랫폼 개발자들은 대응하는 플랫폼 타입으로 상이한 메모리 기술들 각각의 통합을 지원하기 위해 상이한 인쇄 회로 보드들의 설계에 의존했다.
메모리 디바이스 테스팅 및 플랫폼 어셈블리는 테스트되고/되거나 마켓팅되는 다양한 이전, 현재 및 다음 메모리 기술들에 영향을 받는 2개의 산업 영역들이다. 이러한 영역들에서 직면되는 하나의 공통 문제는 하나의 대응하는 메모리 기술만을 지원하기 위해 주어진 인쇄 회로 보드 설계의 제한된 적용성이다.
본 발명의 다양한 실시예들은 첨부 도면들에서 제한이 아니라 예로서 예시되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 다수의 메모리 기술들 중 임의의 것을 지원하는 시스템의 요소들을 예시하는 하이 레벨 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 다수의 메모리 기술들 중 임의의 것을 지원하는 시스템의 요소들을 예시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 메모리 디바이스에 액세스하는 방법의 요소들을 예시하는 흐름도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 메모리 기술을 수용하도록 플랫폼을 구성하는 방법의 요소들을 예시하는 흐름도이다.
도 5는 각각의 실시예에 따른 플랫폼에 의해 지원되는 대응하는 메모리 기술의 신호들을 각각 설명하는 테이블들의 세트이다.
도 6은 일 실시예에 따른 플랫폼에 의해 지원되는 각각의 메모리 기술에 의해 각각 지정되는 신호 타입들 및 전압들을 다양하게 열거하는 테이블들의 세트이다.
도 7a 내지 도 7c는 일 실시예에 따른 플랫폼의 상이한 인터페이스 모드들에 걸친 신호들의 매핑을 각각 설명하는 테이블들의 세트이다.
도 8a 내지 도 8d는 대응하는 실시예에 따른 각각의 메모리 기술을 수용하기 위한 핀아웃의 요소들을 각각 예시하는 테이블들의 세트이다.
도 9a 내지 도 9c는 대응하는 실시예에 따른 각각의 메모리 기술을 수용하기 위한 핀아웃의 요소들을 각각 예시하는 테이블들의 세트이다.
도 10은 일 실시예에 따른 다수의 메모리 기술들 중 임의의 것을 지원하는 컴퓨터 시스템의 요소들을 예시하는 하이 레벨 블록도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 다수의 메모리 기술들 중 임의의 것을 지원하는 모바일 디바이스의 요소들을 예시하는 하이 레벨 블록도이다.
다양하게 본원에서 논의되는 실시예들은 플랫폼이 다수의 상이한 메모리 기술들 중 임의의 것에 기초하는 메모리 디바이스에 의해 동작을 지원하도록 기술들 및/또는 메커니즘들을 제공한다. 일 실시예에서, 머더보드와 같은 인쇄 회로 보드(PCB)는 PCB 내에 또는 상에 배치되는 하드웨어 인터페이스를 통해 메모리 디바이스에 대한 PCB의 연결성을 표시하는 하나 이상의 신호들을 교환하기 위해 회로를 그 안에 및/또는 그 위에 배치했다. 그러한 회로는 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 하나 이상의 신호들을 교환하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전압 조절기(voltage regulator)(VR)는 PCB에 결합되며, VR의 다수의 프로그램가능 모드들은 다수의 메모리 기술들 중의 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응한다. 메모리 디바이스의 메모리 타입 - 예를 들어, 메모리 디바이스가 기초되는 특정 메모리 기술에 기초하여 - VR의 모드는 대응하는 메모리 기술에 의해 지정되는 하나 이상의 전압들을 하드웨어 인터페이스에 제공하도록 프로그래밍될 수 있다. 메모리 디바이스는 PCB 내에 또는 상에 배치되는 다른 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합된 프로세서 디바이스와 신호들을 교환할 수 있다. 인터커넥트는 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들 중 임의의 것을 수용할 수 있도록 구성되는 신호 라인들을 포함할 수 있으며 - 예를 들어, 다수의 인터페이스 모드들은 다수의 메모리 기술들 중의 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응한다.
본원에 사용되는 바와 같이, "하드웨어 인터페이스"는 입력 및/또는 출력(I/O) 콘택들 - 예컨대 핀들, 패드들, 볼들 또는 다른 전도성 구조체들 - 의 세트를 언급하며 그것에 의해 하나의 디바이스가 다른 디바이스에 결합될 수 있다. 예를 들어, 하드웨어 인터페이스는 PCB에 패키징된 집적 회로(IC) 디바이스, 메모리 모듈 및/또는 다른 디바이스의 결합을 허용하기 위해 PCB 상에 배치될 수 있다. 하드웨어 인터페이스는 예를 들어 플러그가능 메모리 모듈을 수용할 수 있는 기계 커넥터를 포함할 수 있다. 대안적으로, 하드웨어 인터페이스는 디바이스의 볼 그리드 어레이(ball grid array)(BGA)에 납땜되기 위해 이용가능한 패드들의 어레이를 포함할 수 있다. 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합하는 디바이스는 하나 이상의 프로세서 코어들을 포함하는 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛)를 포함할 수 있다. 대안적으로, 그러한 디바이스는 하나 이상의 패키징된 메모리 디바이스들을 포함하는 DIMM 또는 다른 메모리 모듈을 포함할 수 있다.
특정 예시적인 실시예들은 듀얼 데이터 레이트(DDR) 표준들과 같은 다양한 메모리 표준들에 대해 본원에서 논의된다. 그러한 표준들의 예들은 JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2007년 6월에 공개된 DDR3 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(SDRAM) 표준 JESD79-3, JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2010년 7월 26일에 공개된 DDR3L SDRAM 표준 JESD79-3-1 및 JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2012년 9월 25일에 공개된 DDR4 SDRAM 표준 JESD79-4를 포함하지만, 이들에 제한되지는 않는다. 다른 예들은 JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2012년 5월 17일에 공개된 LPDDR3 JESD209-3 LPDDR3 저전력 메모리 디바이스 표준, JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2014년 8월에 공개된 LPDDR4 저전력 메모리 디바이스 표준 JESD209-4 및 JEDEC 고체 상태 기술 협회에 의해 2013년 12월에 공개된 그래픽스 더블 데이터 레이트(GDDR5) 동기식 그래픽스 랜덤 액세스 메모리(SGRAM) 표준 JESD212B.01을 포함한다. 그러나, 그러한 논의는 다양한 DDR 및/또는 다른 메모리 표준들 중 임의의 것에 부가적으로 또는 대안적으로 적용하기 위해 확장될 수 있다. 달리 표시되지 않는 한, "메모리 기술" 및 "메모리 타입"은 메모리 디바이스에 포함되거나 다른 방법으로 메모리 디바이스에 의해 사용되는 특정 세트의 신호들 및/또는 하나 이상의 전압들을 언급하기 위해 본원에서 다양하게 사용된다. 그러한 세트의 신호들 및 하나 이상의 전압들은 예를 들어 특정 메모리 표준의 요건들에 기초할 - 예를 들어 요건들에 의해 지정되거나 요건들과 다른 방법으로 호환가능할 - 수 있다.
다양하게 본원에서 논의되는 특정 실시예들은 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응하는 다수의 상이한 모드들을 지원하도록 구성가능한 프로세서 디바이스의 동작을 지원하는 플랫폼에 관한 것이다. 그러한 모드들은 프로세서 디바이스를 위해 구성되는 상이한 각각의 핀아웃을 각각 포함할 수 있다. 달리 표시되지 않는 한, 본원에서의 "인터페이스 모드"는 디바이스의 특정 핀아웃을 제공하는 디바이스 - 예를 들어, 프로세서 디바이스 - 의 모드를 언급한다. 디바이스의 하나의 인터페이스 모드는 디바이스의 상이한 각각의 핀아웃을 각각 제공하는 디바이스의 하나 이상의 다른 인터페이스 모드들과 구별될 수 있다. 상이한 시간들에, 프로세서 디바이스는 다수의 인터페이스 모드들의 상이한 것들에 동작할 수 있는 반면에 - 예를 들어, 프로세서는 동일한 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합을 유지한다. 인터페이스 모드로 디바이스의 전이 - 예를 들어, 상이한 인터페이스 모드들 사이의 전이를 포함함 - 는 인터페이스 모드로의 멀티플렉싱(또는 먹싱)으로서 본원에 언급된다.
도 1은 상이한 각각의 신호 세트 - 예를 들어, 상이한 각각의 메모리 표준에 각각 기초한 신호 세트들에 각각 대응하는 다수의 메모리 디바이스들 중 임의의 것으로 프로세서의 동작을 용이하게 하는 일 실시예에 따른 시스템(100)의 요소들을 예시한다. 본원에 설명되는 기술들은 하나 이상의 전자 디바이스들로 구현될 수 있다. 본원에 설명되는 기술들을 사용할 수 있는 전자 디바이스들의 비제한 예들은 임의의 종류의 모바일 디바이스 및/또는 정지형 디바이스, 예컨대 카메라들, 셀 폰들, 컴퓨터 단말들, 데스크톱 컴퓨터들, 전자 판독기들, 팩스 머신들, 키오스크들, 넷북 컴퓨터들, 노트북 컴퓨터들, 인터넷 디바이스들, 지불 단말들, 개인 휴대 정보 단말기들, 미디어 플레이어들 및/또는 레코더들, 서버들(예를 들어, 블레이드 서버, 랙 마운드 서버, 그것의 조합들 등), 셋톱 박스들, 스마트폰들, 태블릿 개인용 컴퓨터들, 울트라 모바일 개인용 컴퓨터들, 유선 전화들, 그것의 조합들 등을 포함한다. 그러한 디바이스들은 휴대형 또는 정지형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 본원에 설명되는 기술들은 데스크톱 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 휴대 정보 단말기, 서버, 그것의 조합들 등에 이용될 수 있다. 더 일반적으로, 본원에 설명되는 기술들은 프로세서 디바이스 및 메모리 디바이스 중 하나 또는 둘 다가 결합되고/되거나 설치될 수 있는 임의의 전자 디바이스에 이용될 수 있다.
일 실시예에서, 시스템(100)은 인쇄 회로 보드(PCB)(102) 및 그 안에 또는 그 위에 다양하게 배치되는 컴포넌트들을 포함하며, 그러한 컴포넌트들은 PCB(102)에 각각 결합하는 프로세서 디바이스(120)와 메모리 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위한 것이다. 그러한 컴포넌트들은 예시적인 하드웨어(HW) 인터페이스(104), HW 인터페이스(106), 인터커넥트(108), 프레즌스 검출기(presence detector)(PD)(110) 및 프로그램가능 전압 조절기(VR)(112)를 포함하는 것으로 표현된다. 그러나, 시스템(100)은 본원에 설명되는 것과 같은 기능성을 제공하기 위해 다양한 부가 또는 대안 컴포넌트들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 시스템(100)은 HW 인터페이스(104)를 통해 프로세서 디바이스(120)에 결합되는 PCB(102)를 포함하는 것을 도시되며, PCB(102)는 HW 인터페이스(106)를 통해 다수의 상이한 메모리 디바이스들 중 임의의 것에 더 결합되기 위해 이용가능하다. 그러나, 시스템(100)의 일부 실시예들은 PCB(102) 및 그 안에 및/또는 그 위에 배치되는 컴포넌트들을 단지 포함하며 - 즉, 실시예는 프로세서 디바이스(120)에 결합되기 위해 이용가능하지만, 프로세서 디바이스를 포함하지 않는다. 상이한 메모리 디바이스들의 예들은 예시적인 DDR3 모듈(130), DDR4 모듈(132), LPDDR3 모듈(134) 및 LPDDR4 모듈(136)과 같은 상이한 각각의 메모리 표준에 각각 기초한 - 예를 들어, 요건들에 따르거나 하나 이상의 점들에서 요건들에 적어도 호환가능한 - 메모리 모듈들을 포함한다. 그러나, 시스템(100)은 상이한 실시예들에 따라, 더 적은, 더 많은 및/또는 상이한 메모리 기술들을 지원할 수 있다.
프로세서 디바이스는 하나 이상의 프로세서 코어들, 및 일 실시예에서, 그러한 하나 이상의 프로세서 코어들을 대신하여 메모리 디바이스에 액세스하는 메모리 제어기 로직을 포함할 수 있다. 프로세서 디바이스(120)는 핀아웃 구성가능 디바이스의 일 예이며 - 예를 들어, 프로세서 디바이스(120)는 HW 인터페이스(104)에 대한 연결 시에 다수의 상이한 가능한 핀아웃들 중 임의의 것을 제공하기 위해 신호 MUX 회로(122)를 포함한다. 본원에 사용되는 바와 같이, "핀아웃"은 인터페이스의 각각의 신호 또는 전압에 각각 I/O 콘택들(예를 들어, 핀들, 패드들, 볼들 등)의 매핑을 언급한다. 신호 MUX 회로(122)는 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응하는 상이한 인터페이스 모드들 중 임의의 것에 대해 상이한 시간들에 구성될 수 있으며, 인터페이스 모드는 대응하는 메모리 기술을 수용하기 위해 각각의 핀아웃을 제공한다. 신호 MUX 회로(122)의 일부 또는 전부는 구성가능 핀아웃을 제공하기 위해 종래의 메커니즘들로부터 적응될 수 있다. 특정 실시예들에 제한되지는 않는 그러한 종래의 메커니즘들의 특정 상세들은 그러한 실시예들의 특징들을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 본원에 상세히 설명되지 않는다.
지금까지, 플랫폼 설계자들은 주어진 핀아웃 구성가능 프로세서 디바이스가 하나의 메모리 기술에 의해 동작하도록 하나의 PCB 설계(또는 PCB 설계들의 하나의 클래스), 및 그러한 핀아웃 구성가능 프로세서 디바이스가 상이한 메모리 기술의 메모리 디바이스에 의해 동작하도록 상이한 PCB 설계(또는 PCB 설계들의 클래스)에 의존했다. 특정 실시예들은 PCB 설계가 핀아웃 구성가능 프로세서 디바이스의 능력들을 기반으로 하도록 적응될 수 있는 실현의 결과이므로, 디바이스의 동작을 - 하나의 공통 플랫폼의 일부로서 - 다수의 상이한 가능한 메모리 기술들 중 임의의 것에 의해 허용한다.
일 실시예에서, 인쇄 회로 보드(102)는 플랫폼에 대한 머더보드의 역할을 하는 것이며 - 예를 들어, 시스템(100)은 플랫폼 또는 플랫폼의 컴포넌트이다. 하드웨어 인터페이스들(104, 106)은 각각의 복수의 I/O 콘택들을 각각 포함할 수 있으며 - 예를 들어, 인터커넥트(108)는 HW 인터페이스(104)의 각각의 I/O 콘택을 HW 인터페이스(106)의 각각의 I/O 콘택에 각각 결합하는 신호 라인들을 포함한다. 제한이 아닌 예시로서, 인터커넥트(108)의 그러한 신호 라인들은 각각의 메모리 표준에 의해 각각 다양하게 정의되는 데이터 신호들, 어드레스 신호들, 클록 신호들, 온 다이 종단 신호들, 클록 인에이블 신호들, 칩 선택 신호들 및/또는 다양한 다른 신호들 중 임의의 것의 통신을 다양하게 지원할 수 있다.
프로세서 디바이스(120)는 시스템(100)에 대한 중앙 처리 유닛(CPU) 또는 다른 프로세서로서 동작하기 위해 하나 이상의 프로세서 코어들을 포함하는 패키징된 디바이스를 포함할 수 있으며 - 시스템은 예를 들어 호스트 운영 체제(OS), 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 및/또는 하나 이상의 다른 소프트웨어 프로세스들을 실행하는 프로세서 디바이스(120)를 포함한다. 특정 실시예들이 이와 관련하여 제한되지는 않지만, 프로세서 디바이스(120)는 HW 인터페이스(106)에 결합되는 메모리 디바이스의 특정 메모리 기술 타입을 식별하기 위해 상태 머신 로직(예를 들어, 하드웨어, 펌웨어 및/또는 실행 소프트웨어를 포함함)으로의 액세스를 포함하거나 다른 방법으로 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)은 HW 인터페이스(106)에 결합하기 위해 프로세서 디바이스(120) 및 메모리 디바이스 중 어느 하나 또는 둘 다에 결합하지만, 이들을 포함하지 않을 수 있다.
시스템(100)은 PCB(102) 내에 또는 상에 배치되는 프레즌스 검출기 회로 PD(110)를 포함할 수 있으며, PD(110)의 회로는 HW 인터페이스(106)에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 것이다. 그러한 메모리 디바이스는 특정 메모리 표준에 기초하여 하나 이상의 패키징된 메모리 디바이스들을 포함하는 메모리 모듈 - 예를 들어, DIMM - 을 포함할 수 있다. 특정 실시예들이 이와 관련하여 제한되지는 않지만, 그러한 연결성의 검출은 PD(110)가 직렬 프레즌스 검출(SPD) 표준에 기초하는 것들과 같은 종래의 프레즌스 검출 기술들로부터 적응되는 하나 이상의 동작들을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 표준의 일 예는 2014년 2월 공개된 JEDEC 고체 상태 기술 협회의 DDR3 SDRAM 모듈들(릴리즈 6), SPD4_01_02_11: SPD Annex K에 대한 SPD 표준이다. 그러한 종래의 프레즌스 검출 기술들의 상세들은 본원에 상세히 기술되지 않고, 특정 실시예들에 제한되지는 않는다.
PD(110)는 HW 인터페이스(106)를 통해 PCB(102)에 대한 메모리 디바이스의 검출된 연결성을 표시하는 신호(114)를 발생시킬 수 있다. 신호(114)는 메모리 디바이스의 특정 메모리 타입을 지정할 수 있거나, 대안적으로, 연결성을 일반적으로 단지 시그널링할 수 있다. 신호(114)는 시스템(100)의 하나 이상의 다른 컴포넌트들이 메모리 디바이스의 다수의 가능한 메모리 타입들 중 지정된 것에 기초하여 결정하고/하거나 동작하게 할 수 있다.
예를 들어, PCB(102) 내에 또는 상에 배치되는 프로그램가능 전압 조절기(VR)(112)는 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응하는 하나 이상의 신호들의 다수의 세트들 중 임의의 것을 HW 인터페이스(106)에 제공하기 위해 프로그램가능할 수 있다. 신호(114)에 기초하여, 프로그램가능 VR(112)은 HW 인터페이스(106)에 결합되는 메모리 디바이스의 메모리 타입(이러한 경우에, 메모리 기술)에 대응하는 하나 이상의 전압들의 특정 세트를 - 예시적인 하나 이상의 전압들(118)에 의해 표현되는 바와 같이 - 제공하도록 프로그래밍될 수 있다. 하나 이상의 전압들(118)은 하드웨어 인터페이스(106)의 각각의 I/O 콘택 각각에 VR(112)에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 다양하게 제공될 수 있으며 - 예를 들어, 그러한 I/O 콘택들은 예를 들어 인터커넥트(108)에 결합되는 HW 인터페이스(106)의 I/O 콘택들과 구별된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전압들(118)은 VR(112)에 의해 시스템(100)의 프로세서(120) 및 인터커넥트(108) 및/또는 하나 이상의 다른 중개 컴포넌트들을 통해 HW 인터페이스(106)에 제공될 수 있다. 하나 이상의 전압들(118)은 기준(예를 들어, 접지) 전압, 공급(예를 들어, VDD) 전압 및/또는 다양한 다른 전압들 중 임의의 것을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되지는 않는다.
신호(114)는 프로그램가능 VR(112)에 직접 제공되는 것으로 도시된다. 그러나, 대체 실시예에서, 신호(114)는 HW 인터페이스(106)에 결합되는 메모리 디바이스의 메모리 기술을 식별하는 100의 다른 로직에 부가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 신호(114)는 그 대신에 프로세서 디바이스(120)의 상태 머신 로직에 전달될 수 있으며, 신호(114)에 응답하여, 그러한 상태 머신 로직은 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별할 수 있다. 결과적으로, 그러한 상태 머신 로직은 신호 MUX 회로(122)의 대응하는 인터페이스 모드의 구성을 용이하게 하고/하거나 프로그램가능 VR(112)의 프로그래밍을 용이하게 하기 위해 메모리 타입을 전달할 수 있다.
이제 도 2를 참조하면, 하나의 예시적인 실시예에 따른 시스템(200)의 조립도가 도시된다. 시스템(200)은 예를 들어 시스템(100)의 특징들의 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 시스템(200)은 PCB(202)에 각각 결합하는 프로세서 디바이스(220)와 메모리 디바이스(22) 사이의 통신을 용이하게 하기 위해 PCB(202) 및 그 안에 또는 그 위에 다양하게 배치되는 컴포넌트들을 포함한다. 그러한 컴포넌트들은 예시적인 HW 인터페이스들(204, 206), 인터커넥트(208), 검출기(210) 및 VR(212)을 포함하는 것으로 표현된다.
도 2에서, PCB(202)는 HW 인터페이스(204)를 통해 프로세서 디바이스(220)에 결합될 준비가 되어 있고, HW 인터페이스(206)를 통해 메모리 디바이스(222)에 결합될 준비가 더 되어 있는 것으로 도시된다. 시스템(200)의 일부 실시예들은 PCB(202) 및 그 안에 및/또는 그 위에 배치되는 컴포넌트들을 단지 포함하며 - 즉, 실시예는 프로세서 디바이스(220) 또는 메모리 디바이스(222)에 결합되기 위해 이용가능하지만, 이들을 포함하지 않는다.
시스템(200)의 예시적인 실시예에서, HW 인터페이스(204)는 프로세서 디바이스(220)의 볼 그리드 어레이의 대응하는 볼에 각각 다양하게 납땜되는 I/O 패드들의 어레이이다. 대조적으로, HW 인터페이스(206)는 메모리 디바이스(222)의 각각의 I/O 콘택들과 접속하거나 다른 방법으로 연결하기 위해 I/O 콘택들을 포함하는 기계 커넥터일 수 있다. 제한이 아닌 예시로서, HW 인터페이스(206)는 소형 아웃라인 DIMM(SO-DIMM) 커넥터 또는 다양한 다른 종래의 메모리 모듈 커넥터 타입들 중 임의의 것과 호환가능한 것과 같은 메모리 모듈 커넥터를 포함할 수 있다. HW 인터페이스(206)는 사용자가 메모리 디바이스(222)와 적어도 하나의 대안 메모리 디바이스 사이에서 스위칭하거나 다른 방법으로 선택하는 것을 용이하게 할 수 있으며 - 예를 들어, 2개의 메모리 디바이스들은 상이한 메모리 표준들에 기초한다.
PCB(202)는 다른 시간에, HW 인터페이스(206)를 통해 PCB(202)에 결합될 수 있는 대안 메모리 디바이스(도시되지 않음) 뿐만 아니라, 프로세서 디바이스(220) 및 메모리 디바이스(222)에 의해 통신을 용이하게 할 수 있다. 인터커넥트(208)는 HW 인터페이스(204)의 I/O 콘택을 HW 인터페이스(206)의 각각의 I/O 콘택을 각각 결합하는 복수의 신호 라인들을 포함할 수 있다. 그러한 복수의 신호 라인들의 총 수는 각각의 메모리 표준에 의해 각각 다양하게 정의되는 신호 라인들의 다수의 세트들의 슈퍼세트(superset)에 대응할 수 있다. 제한이 아닌 예시로서, 신호 라인들의 다수의 세트들은 제1 메모리 표준에 의해 정의되는 신호들을 포함하는 제1 세트 및 제2 메모리 표준에 의해 정의되는 신호들을 포함하는 제2 세트를 포함할 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 인터커넥트(208)의 복수의 신호 라인들은 적어도 부분적으로 복수의 신호 라인들의 총 수가 제1 세트의 총 수보다 더 크고, 제1 세트 및 제2 세트의 신호들의 총 수보다 더 작은 것으로 인해 슈퍼세트에 대응할 수 있다.
본원에 논의되는 바와 같이, 검출기(210)는 HW 인터페이스(206)에 대한 메모리 디바이스(222)의 연결성을 검출하고 PCB(202)를 통해 그러한 연결성을 표시하는 신호를 교환할 수 있다. 그러한 연결성의 표시는 메모리 디바이스(222)의 메모리 타입을 결정하고/하거나 그러한 메모리 타입에 기초하여 구성되는 하나 이상의 컴포넌트들 - 예를 들어, HW 인터페이스(204) 및/또는 VR(212)을 포함함 - 에 직접적으로 또는 간접적으로 전달될 수 있다. 예를 들어, 프로세서 디바이스(220)는 메모리 타입과 호환가능한 HW 인터페이스(204)를 통한 신호들의 교환을 위해, 프로세서 디바이스(220)의 다수의 가능한 인터페이스 모드들의 메모리 타입을 결정하고 특정 인터페이스 모드를 구성할 수 있다. 프로세서 디바이스(220)의 다수의 가능한 인터페이스 모드들은 상이한 각각의 메모리 기술에 각각 대응할 수 있으며, 각각의 인터페이스 모드는 대응하는 메모리 기술을 수용하기 위해 상이한 각각의 핀아웃을 제공하는 것이다. 대안적으로 또는 부가적으로, VR(212)은 HW 인터페이스(204)를 통해 하나 이상의 전압들을 메모리 디바이스(222)에 제공하기 위해, VR(212)의 다수의 가능한 VR 모드들 중 특정 VR 모드를 구성할 수 있다. 다수의 가능한 VR 모드들은 상이한 각각의 메모리 디바이스 타입에 각각 대응할 수 있으며, 각각의 VR 모드는 대응하는 메모리 기술에 의해 지정되는 각각의 하나 이상의 전압들을 제공하는 것이다.
도 3은 일 실시예에 따른 프로세서와 메모리 디바이스 사이에 통신들을 교환하기 위한 방법(300)의 요소들을 예시한다. 방법(300)은 예를 들어 시스템(100)의 특징들의 일부 또는 전부를 포함하는 플랫폼, 시스템 또는 다른 하드웨어에 의해 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 방법(300)은, 310에서, 인쇄 회로 보드 내에 또는 상에 배치된 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 단계를 포함한다. 310에서의 검출은 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직으로 수행될 수 있으며, 검출기 로직은 연결성을 표시하는 신호를 발생시켜 프로세서 디바이스에 송신한다. 그러한 검출기 로직은 예를 들어 직렬 프레즌스 검출 표준에 따르거나 다른 방식으로 이러한 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초할 수 있다.
310에서의 검출에 응답하여, 방법(300)은, 320에서, 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 단계를 포함할 수 있다. 320에서의 식별 단계는 메모리 디바이스가 기초하는 메모리 표준을 식별하는 단계 및/또는 메모리 디바이스에 포함되거나 메모리 디바이스에 다른 방법으로 대응하는 한 세트의 신호들(예를 들어, 핀아웃)을 식별하는 단계를 포함할 수 있다. 메모리 타입에 기초하여, 프로세서 디바이스는 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성할 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합될 수 있다. 프로세서 디바이스에 포함되거나 프로세서 디바이스에 다른 방법으로 액세스가능한 상태 머신 로직은 PCB 상의 검출기 로직 및/또는 메모리 디바이스 자체에 의한 하나 이상의 교환들에 기초하여, 다수의 가능한 메모리 타입들 중에서, 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별할 수 있다. 그러한 상태 머신 로직은 예를 들어 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로 또는 프로세서 디바이스에 의해 실행되는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 포함할 수 있다. 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들은 신호들의 다수의 세트들 중의 상이한 각각의 세트에 각각 대응할 수 있다. 신호들의 그러한 세트들은 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는 하나 이상의 세트들을 포함할 수 있다.
방법(300)은, 330에서, 식별된 메모리 타입에 기초하여 하나 이상의 전압들을 제1 인터페이스에 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, VR은 메모리 타입의 표시를 발생시키거나 수신하고, 이에 응답하여, VR의 다수의 VR 모드들 중 제1 전압 조절기(VR) 모드를 프로그래밍할 수 있다. 다수의 VR 모드들은 다수의 메모리 디바이스 타입들 중의 상이한 각각의 메모리 디바이스 타입에 각각 대응할 수 있다. 다수의 메모리 타입들은 각각의 메모리 표준에 각각 대응할 수 있으며 - 예를 들어, 하나 이상의 VR 모드들은 대응하는 메모리 표준에 지정되는 각각의 하나 이상의 전압들을 각각 제공하는 것이다. VR은 프로그래밍된 제1 VR 모드에 기초하여 330에서 하나 이상의 전압들을 제공할 수 있다.
하나 이상의 전압들에 기초한 메모리 디바이스의 동작 동안, 방법(300)은, 340에서, 메모리 디바이스와 프로세서 디바이스 사이에 신호들을 교환할 수 있다. 예를 들어, 그러한 신호들은 PCB 내에 또는 상에 배치되는 인터커넥트의 x개의 신호 라인들을 통해 교환될 수 있으며, x는 다수의 메모리 타입들 중의 상이한 각각의 메모리 타입에 각각 대응하는 신호들의 세트들에 대한 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수이다.
도 4는 일 실시예에 따른 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하기 위한 방법(400)의 요소들을 예시한다. 방법(400)은 메모리 디바이스와의 통신을 위해 구성되도록 핀아웃을 결정하기 위해 시스템(100 또는 200)의 컴포넌트에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 방법(400)은 프로세서 디바이스(120) 또는 프로세서 디바이스(200)의 BIOS 프로세스에 의해 수행될 수 있다.
402에서, 방법(400)은 시스템들(100, 200) 중 하나와 같은 시스템을 파워 온하는 동작들을 시작할 수 있다. 그러한 파워 온 동작들 동안에 또는 이후에, PCB의 하나 이상의 메인 레일들은 - 예를 들어, PCB 내에 또는 상에 배치되는 HW 인터페이스를 통해 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 검출기 로직에 전력을 공급하기 위해 파워 온될 수 있다. 제한이 아닌 예시로서, 406에서, PCB 상의 직렬 프레즌스 검출(SPD) 로직은 HW 인터페이스에 결합된 임의의 메모리 디바이스의 메모리 타입을 결정하기 위해 상태 머신 로직에 의해 폴링될 수 있다. 406에서의 폴링이 메모리 디바이스의 프레즌스가 검출되는 것을 표시한 후에, 방법(400)은, 408에서, PCB에 결합된 프로세서가 메모리 디바이스의 메모리 타입을 지원하는지를 결정할 수 있다.
메모리 타입이 지원되지 않는 경우, 방법(400)은, 410에서 발행되는 예시적인 BIOS 파워 온 자체 시험(power on, self-test)(POST) 코드와 같은 에러 메시지가 발생되는 단계, 및 412에서의 시스템 부트 실패를 포함할 수 있다. 그러나, 408에서, 결정된 메모리 타입이 지원되는 것으로 결정되는 경우에, 방법(400)은 414에서, 메모리 타입에 대응하는 메모리 표준에 의해 지정되는 각각의 전압 레벨들을 제공하도록 전압 조절기 레일들을 프로그래밍할 수 있다. 전압 레벨들은 동일한 동작을 위해 전압 조절기로부터, PCB 및 HW 인터페이스를 통해 메모리 디바이스로 다양하게 제공될 수 있다.
특정 실시예들은 메모리 디바이스의 연결성을 검출하기 위해 PCB 상에 상주하는 직렬 프레즌스 검출 로직에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 일부 실시예들은 프레즌스 검출 기능성을 제공하기 위해, 프로세서 디바이스로 실행하는 BIOS 프로세스를 제공할 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 방법(400)은 어느 프레즌스 검출 메커니즘이 사용에 이용가능한지를 결정하기 위해 하나 이상의 부가 동작들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 프로세서 디바이스는 PCB 상의 SPD 로직이 액세스가능한지 또는 예를 들어 BIOS의 가상 SPD 프로세스가 그 대신에 사용되는지를 결정하기 위해 그러한 동작들을 수행할 수 있다. 그러한 결정은 그러한 폴링의 타겟을 결정하기 위해 406에서의 폴링 전에 수행될 수 있다.
이제 도 5를 참조하면, 도시된 다양한 테이블들은 대응하는 메모리 표준에 의해 식별되는 적어도 일부 신호들을 각각 열거하고 설명한다. 더 구체적으로는, 테이블(500)은 DDR4 표준에 기초하는 메모리 디바이스에 의해 교환되는 신호를 설명하고, 테이블(510)은 LPDDR3 표준에 기초하는 메모리 디바이스에 의해 교환되는 신호를 설명하고, 테이블(520)은 LPDDR4 표준에 기초하는 메모리 디바이스에 의해 교환되는 신호를 설명한다. 그러한 메모리 표준들, 및 그것의 신호들의 특정 상세들은 특정 실시예들의 특징들을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 본원에 설명되지 않는다.
본원에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 인터커넥트들(108, 208) 중 하나와 같은 인터커넥트는 PCB 상에 배치되는 하드웨어 인터페이스들 사이에서 신호들을 교환하기 위해 적어도 일부 복수의 신호 라인들을 포함할 수 있다. 복수의 신호 라인들은 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는 신호들의 다수의 세트들 중 임의의 것을 수용할 수 있는 슈퍼세트의 역할을 할 수 있다. 테이블들(500, 510, 520)은 그러한 상이한 메모리 표준들, 및 그것의 각각의 신호들의 일 예를 나타낸다. 그러나, 인터커넥트는 더 적은, 부가 및/또는 다른 메모리 표준들을 지원할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 슈퍼세트는 그러한 메모리 표준들의 일부 또는 전부에 의해 지정되는 더 적은, 부가 및/또는 다른 신호들을 지원할 수 있다.
이제 도 6을 참조하면, 도시된 다양한 테이블들은 대응하는 메모리 기술에 의해 정의되는 신호들의 각각의 세트를 각각 설명한다. 더 구체적으로는, 테이블(600)은 DDR4 표준에 의해 식별되는 한 세트의 신호들을 설명하고, 테이블(610)은 LPDDR3 표준에 의해 식별되는 한 세트의 신호들을 설명하고, 테이블(620)은 LPDDR4 표준에 의해 식별되는 한 세트의 신호들을 설명한다. 테이블들(610, 620, 630)은 신호 타입 - 예를 들어, 데이터(DQ), 데이터 마스크(DM*), 차동 데이터 스트로브(DQS) 등 - 에 의해 다양하게 조직되고 대응하는 메모리 표준에 의해 식별되는 신호 타입의 다수의 신호들을 열거한다. 도 5에 대해 언급된 바와 같이, DDR4 표준, LPDDR3 표준 및 LPDDR4 표준은 일 실시예에 따라 수용되는 상이한 메모리 표준들의 단지 일 예이다. 다른 실시예들은 더 적은, 더 많은 및/또는 다른 메모리 표준들을 수용할 수 있다.
테이블(630)은 테이블들(600, 610, 620)에 의해 표현되는 신호들의 슈퍼세트를 예시하며, 슈퍼세트는 인터커넥트들(108, 208) 중 하나와 같은 인터커넥트의 신호 라인들에 의해 일 실시예에 따라 수용될 수 있다. 테이블들(600, 610, 620, 630)의 행방향 배열은 신호 타입에 의해 슈퍼세트의 브레이크다운을 예시하며 - 예를 들어, 주어진 신호 타입에 대해, 그러한 신호 타입의 가장 많은 신호들을 식별하는 메모리 표준은 신호 타입을 지원하는 슈퍼세트에서 신호 라인들의 수를 결정한다.
테이블(640)은 프로그램가능 VR(112) 및 VR(212) 중 하나와 같은 전압 조절기에 의해 일 실시예에 따라 지원될 수 있는 전압들의 테이블을 예시한다. 테이블(640)은 DDR4 표준, LPDDR3 표준 및 LPDDR4 표준에 의해 다양하게 지정되는 전압들, 및 그러한 전압들의 슈퍼세트를 열거한다. 일 실시예에 따른 VR은 테이블(640)에 지정되는 전압들의 슈퍼세트 중 임의의 것을 PCB 상의 HW 인터페이스를 통해 메모리 디바이스에 제공하도록 프로그램가능할 수 있다 .
이제 도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 테이블들(700a, 700b, 700c)은 상이한 각각의 메모리 표준에 각각 기초하여 CPU와 다수의 메모리 디바이스들 중 임의의 것 사이에 교환되는 신호들의 매핑을 다양하게 열거한다. 그러한 CPU는 그러한 메모리 표준들의 각각의 것에 각각 대응하는 다수의 상이한 인터페이스 모드들 중 임의의 것을 구현할 수 있는 핀아웃 구성가능 인터페이스 회로를 포함하거나 이 회로로 동작될 수 있다. 테이블들(700a, 700b, 700c)은 CPU가 교환할 수 있는 신호들의 각각의 열방향 리스트를 각각 제공한다. 상이한 메모리 표준들의 메모리 디바이스들 - 이러한 예에서, DDR3, DDR4, LPDDR3(그것의 2개의 상이한 구성들을 포함함) 및 LPDDR4 - 에 대해 테이블들(700a, 700b, 700c)은 CPU 측 신호 식별자들을 도시된 메모리 표준들의 각각의 신호 식별자들에 각각 다양하게 매핑한다. 테이블(700c)에서, "NC"는 "not connected"를 나타낸다. 특정 CPU 측 신호 식별자들은 CPU의 특정 입력 모드에 따라 상이한 시간들에 CPU의 상이한 I/O 콘택들과 연관될 수 있다는 점이 이해된다.
이제 도 8a 내지 도 8d를 참조하면, 테이블들(810, 820, 830, 840)은 일 실시예에 따른 PCB를 통해 핀아웃 구성가능 프로세서 디바이스와 통신하기 위한 대응하는 메모리 디바이스의 각각의 핀아웃을 각각 열거한다. 더 구체적으로는, 테이블(800)은 PCB 상의 260-핀 커넥터에 결합하는 DDR3L 디바이스의 핀아웃을 열거하고, 테이블(810)은 그러한 260-핀 커넥터에 결합하는 DDR4 디바이스의 핀아웃을 열거한다. 테이블(820)은 그러한 260-핀 커넥터에 결합하는 LPDDR3 디바이스의 핀아웃을 열거하고, 테이블(830)은 그러한 260-핀 커넥터에 결합하는 LPDDR4 디바이스의 핀아웃을 열거한다.
특정 실시예들은 PCB에 결합되는 메모리 디바이스의 메모리 타입을 다양하게 식별한다 - 예를 들어, 테이블들(800, 810, 820, 830)에 다양하게 표현되는 핀아웃들 중 특정 핀아웃을 식별하는 것을 포함함. 이에 응답하여, 프로세서 디바이스의 인터페이스 모드가 구성될 수 있고 전압 조절기의 VR 모드는 대응하는 메모리 표준에 의해 지정되는 핀아웃 및 전압 레벨들 둘 다를 수용하도록 프로그래밍될 수 있다.
이제 도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 테이블들(900, 910, 920)은 다른 실시예에 따른 PCB를 통해 핀아웃 구성가능 프로세서 디바이스와 통신하기 위한 대응하는 메모리 디바이스의 각각의 핀아웃을 각각 열거한다. 더 구체적으로는, 테이블(900)은 PCB 상의 242-핀 커넥터에 결합하는 DDR4 메모리 디바이스의 핀아웃을 열거하고, 테이블(910)은 그러한 242-핀 커넥터에 결합하는 LPDDR3 메모리 디바이스의 핀아웃을 열거하고, 테이블(920)은 그러한 242-핀 커넥터에 결합하는 LPDDR4 메모리 디바이스의 핀아웃을 열거한다. 특정 실시예들은 PCB에 결합되는 메모리 디바이스에 대응하는 바와 같이 테이블들(900, 910, 920)에 다양하게 표현되는 핀아웃들 중 특정 핀아웃을 다양하게 식별한다. 이에 응답하여, 프로세서 디바이스의 인터페이스 모드가 구성될 수 있고, 전압 조절기의 VR 모드는 대응하는 메모리 표준에 의해 지정되는 핀아웃 및 전압 레벨들 둘 다를 수용하도록 프로그래밍될 수 있다.
도 10은 메모리 디바이스로의 액세스가 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 일 실시예의 블록도이다. 시스템(1000)은 본원에 설명되는 임의의 실시예에 따른 컴퓨팅 디바이스를 나타내고, 랩톱 컴퓨터, 데스크톱 컴퓨터, 서버, 게임 또는 엔터테인먼트 제어 시스템, 스캐너, 복사기, 프린터, 또는 다른 전자 디바이스일 수 있다. 시스템(1000)은 프로세서(1020)를 포함할 수 있으며, 프로세서는 시스템(1000)을 위해 처리, 동작 관리, 명령어들의 실행을 제공한다. 프로세서(1020)는 시스템(1000)을 위해 처리를 제공하기 위해 임의의 타입의 마이크로프로세서, 중앙 처리 유닛(CPU), 처리 코어, 또는 다른 처리 하드웨어를 포함할 수 있다. 프로세서(1020)는 시스템(1000)의 전체 동작을 제어하고, 하나 이상의 프로그램가능 범용 또는 특수 목적 마이크로프로세서들, 디지털 신호 프로세서들(DSP들), 프로그램가능 제어기들, 주문형 집적 회로들(ASIC들), 프로그램가능 로직 디바이스들(PLD들) 등, 또는 그러한 디바이스들의 조합일 수 있거나 이들을 포함할 수 있다.
메모리 서브시스템(1030)은 시스템(1000)의 메인 메모리를 나타내고, 프로세서(1020)에 의해 실행되는 코드, 또는 루틴을 실행할 시에 사용되는 데이터 값들을 위해 일시적 스토리지를 제공한다. 메모리 서브시스템(1030)은 하나 이상의 메모리 디바이스들 예컨대 판독 전용 메모리(ROM), 플래시 메모리, 하나 이상의 다양한 랜덤 액세스 메모리(RAM), 또는 다른 메모리 디바이스들, 또는 그러한 디바이스들의 조합을 포함할 수 있다. 메모리 서브시스템(1030)은 다른 것들 중에서, 시스템(1000)에서의 명령어들의 실행을 위해 소프트웨어 플랫폼을 제공하기 위해 운영 체제(OS)(1036)를 저장하고 호스팅한다. 부가적으로, 다른 명령어들(1038)은 시스템(1000)의 로직 및 처리를 제공하기 위해 메모리 서브시스템(1030)으로부터 저장되고 실행된다. OS(1036) 및 명령어들(1038)은 프로세서(1020)에 의해 실행된다.
메모리 서브시스템(1030)은 메모리 디바이스(1032)를 포함할 수 있으며 그것은 데이터, 명령어들, 프로그램들, 또는 다른 아이템들을 저장한다. 일 실시예에서, 메모리 서브시스템은 메모리 제어기(1034)를 포함하며, 메모리 제어기는 - 예를 들어, 프로세서(1020)를 대신하여 메모리(1032)에 액세스한다. 메모리 제어기(1034)는 프로세서(1020)를 포함하는 패키징된 디바이스로 포함될 수 있으며 - 예를 들어, 프로세서(1020)는 본원에서 논의되는 것과 같은 기능성을 제공하는 컴포넌트들을 그 안에 또는 그 위에 배치하는 PCB(도시되지 않음)를 통해 메모리(1032)에 액세스한다.
프로세서(1020) 및 메모리 서브시스템(1030)은 버스/버스 시스템(1010)에 결합될 수 있다. 버스(1010)는 적절한 브리지들, 어댑터들, 및/또는 제어기들에 의해 연결되는 임의의 하나 이상의 개별 물리 버스들, 통신 라인들/인터페이스들, 및/또는 점 대 점 연결들을 나타내는 추상화이다. 따라서, 버스(1010)는 예를 들어 시스템 버스, PCI(Peripheral Component Interconnect) 버스, 하이퍼트랜스포트 또는 산업 표준 아키텍처(industry standard architecture)(ISA) 버스, 소형 컴퓨터 시스템 인터페이스(small computer system interface)(SCSI) 버스, 범용 직렬 버스(universal serial bus)(USB), 또는 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 표준 1394 버스("파이어와이어"로 통상 언급됨) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 버스(1010)의 버스들은 또한 네트워크 인터페이스(1050) 내의 인터페이스들에 대응할 수 있다.
시스템(1000)은 또한 버스(1010)에 결합되는 하나 이상의 입력/출력(I/O) 인터페이스(들)(1040), 네트워크 인터페이스(1050), 하나 이상의 내부 대용량 스토리지 디바이스(들)(1060), 및 주변 장치 인터페이스(1070)를 포함할 수 있다. I/O 인터페이스(1040)는 사용자가 시스템(1000)과 상호작용하는 하나 이상의 인터페이스 컴포넌트들(예를 들어, 비디오, 오디오, 및/또는 영숫자 인터페이싱)을 포함할 수 있다. 네트워크 인터페이스(1050)는 하나 이상의 네트워크들을 통해 원격 디바이스들(예를 들어, 서버들, 다른 컴퓨팅 디바이스들)과 통신하는 능력을 시스템(1000)에 제공한다. 네트워크 인터페이스(1050)는 이더넷 어댑터, 무선 상호연결 컴포넌트들, 범용 직렬 버스(USB), 또는 다른 유선 또는 무선 표준 기반 또는 독점 인터페이스들을 포함할 수 있다.
스토리지(1060)는 비휘발성 방식으로 대량의 데이터를 저장하는 임의의 종래 매체, 예컨대 하나 이상의 자기, 고체 상태, 또는 광 기반 디스크들, 또는 조합이거나 이들을 포함할 수 있다. 스토리지(1060)는 코드 또는 명령어들 및 데이터(1062)를 지속적 상태에 유지한다(즉, 값은 시스템(1000)에 대한 전력의 중단에도 불구하고 유지됨). 스토리지(1060)는 일반적으로 "메모리"인 것으로 생각될 수 있지만, 메모리(1030)는 명령어들을 프로세서(1020)에 제공하기 위해 실행 또는 동작 메모리이다. 스토리지(1060)는 비휘발성이므로, 메모리(1030)는 휘발성 메모리를 포함할 수 있다(즉, 데이터의 값 또는 상태는 시스템(1000)에 대해 전력이 중단되면 불확정임).
주변 장치 인터페이스(1070)는 상기 구체적으로 언급되지 않은 임의의 하드웨어 인터페이스를 포함할 수 있다. 주변 장치들은 일반적으로 시스템(1000)에 종속적으로 연결되는 디바이스들을 언급한다. 종속 연결은 동작이 실행하고, 사용자가 상호작용하는 소프트웨어 및/또는 하드웨어 플랫폼을 시스템(1000)이 제공하는 연결이다.
도 11은 메모리 디바이스로의 액세스가 구현될 수 있는 모바일 디바이스의 일 실시예의 블록도이다. 디바이스(1100)는 모바일 컴퓨팅 디바이스, 예컨대 컴퓨팅 태블릿, 모바일 폰 또는 스마트폰, 무선-가능 전자 판독기, 또는 다른 모바일 디바이스를 나타낸다. 컴포넌트들 중 특정 컴포넌트가 일반적으로 도시되고, 그러한 디바이스의 모든 컴포넌트들이 디바이스(1100)에 도시되는 것은 아니라는 점이 이해될 것이다. 디바이스(1100)는 프로세서(1110)를 포함할 수 있으며, 프로세서는 디바이스(1100)의 일차 처리 동작들을 수행한다. 프로세서(1110)는 하나 이상의 물리 디바이스들, 예컨대 마이크로프로세서들, 애플리케이션 프로세서들, 마이크로제어기들, 프로그램가능 로직 디바이스들, 또는 다른 처리 수단을 포함할 수 있다. 프로세서(1110)에 의해 수행되는 처리 동작들은 애플리케이션들 및/또는 디바이스 기능들이 실행되는 운영 플랫폼 또는 운영 체제의 실행을 포함한다. 처리 동작들은 인간 사용자 또는 다른 디바이스들에 의한 입력/출력(I/O)과 관련되는 동작들, 전력 관리와 관련되는 동작들, 및/또는 디바이스(1100)를 다른 디바이스에 연결하는 것과 관련되는 동작들을 포함한다. 처리 동작들은 또한 오디오 I/O 및/또는 디스플레이 I/O와 관련되는 동작들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 디바이스(1100)는 오디오 서브시스템(1120)을 포함하며, 오디오 서브시스템은 오디오 기능들을 컴퓨팅 디바이스에 제공하는 것과 연관되는 하드웨어(예를 들어, 오디오 하드웨어 및 오디오 회로들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들, 코덱들) 컴포넌트들을 나타낸다. 오디오 기능들은 마이크로폰 입력뿐만 아니라, 스피커 및/또는 헤드폰 출력을 포함할 수 있다. 그러한 기능들을 위한 디바이스들은 디바이스(1100)로 통합되거나, 디바이스(1100)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 사용자는 프로세서(1110)에 의해 수신되고 처리되는 오디오 커맨드들을 제공함으로써 디바이스(1100)와 상호작용한다.
디스플레이 서브시스템(1130)은 사용자가 컴퓨팅 디바이스와 상호작용하도록 시각 및/또는 촉각 디스플레이를 제공하는 하드웨어(예를 들어, 디스플레이 디바이스들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들) 컴포넌트들을 나타낸다. 디스플레이 서브시스템(1130)은 디스플레이 인터페이스(1132)를 포함할 수 있으며, 디스플레이 인터페이스는 디스플레이를 사용자에게 제공하기 위해 사용되는 특정 스크린 또는 하드웨어 디바이스를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이 인터페이스(1132)는 디스플레이와 관련되는 적어도 일부 처리를 수행하기 위해 프로세서(1110)로부터 분리되는 로직을 포함한다. 일 실시예에서, 디스플레이 서브시스템(1130)은 출력 및 입력 둘 다를 사용자에게 제공하는 터치스크린 디바이스를 포함한다.
I/O 제어기(1140)는 사용자와의 상호작용과 관련되는 하드웨어 디바이스들 및 소프트웨어 컴포넌트들을 나타낸다. I/O 제어기(1140)는 오디오 서브시스템(1120) 및/또는 디스플레이 서브시스템(1130)의 일부인 하드웨어를 관리하기 위해 동작할 수 있다. 부가적으로, I/O 제어기(1140)는 사용자가 시스템과 상호작용할 수 있는 디바이스(1100)에 연결되는 부가 디바이스들에 대한 연결 포인트를 예시한다. 예를 들어, 디바이스(1100)에 부착될 수 있는 디바이스들은 카드 판독기들 또는 다른 디바이스들과 같은 특정 애플리케이션들에 사용을 위한 마이크로폰 디바이스들, 스피커 또는 스테레오 시스템들, 비디오 시스템들 또는 다른 디스플레이 디바이스, 키보드 또는 키패드 디바이스들, 또는 다른 I/O 디바이스들을 포함할 수 있다.
상기 언급된 바와 같이, I/O 제어기(1140)는 오디오 서브시스템(1120) 및/또는 디스플레이 서브시스템(1130)과 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰 또는 다른 오디오 디바이스를 통한 입력은 디바이스(1100)의 하나 이상의 애플리케이션들 또는 기능들을 위해 입력 또는 커맨드들을 제공할 수 있다. 부가적으로, 오디오 출력은 디스플레이 출력 대신에 또는 디스플레이 출력에 부가하여 제공될 수 있다. 다른 예에서, 디스플레이 서브시스템이 터치스크린을 포함하면, 디스플레이 디바이스는 또한 입력 디바이스의 역할을 하며, 입력 디바이스는 I/O 제어기(1140)에 의해 적어도 부분적으로 관리될 수 있다. 또한 I/O 제어기(1140)에 의해 관리되는 I/O 기능들을 제공하기 위해 디바이스(1100) 상에 부가 버튼들 또는 스위치들이 있을 수 있다.
일 실시예에서, I/O 제어기(1140)는 디바이스들 예컨대 디바이스(1100)에 포함될 수 있는 가속도계들 , 카메라들, 광 센서들 또는 다른 환경 센서들, 자이로스코프들, 글로벌 포지셔닝 시스템(GPS), 또는 다른 하드웨어를 관리한다. 입력은 동작들에 영향을 주는 환경 입력을 시스템에 제공하는 것(예컨대 잡음에 대한 필터링, 밝기 검출을 위해 디스플레이들을 조정하는 것, 카메라를 위해 플래시를 적용하는 것, 또는 다른 특징들)뿐만 아니라, 직접적인 사용자 상호작용의 일부일 수 있다.
일 실시예에서, 디바이스(1100)는 배터리 전력 사용, 배터리의 충전, 및 전력 절감 동작과 관련되는 특징들을 관리하는 전력 관리(1150)를 포함한다. 메모리 서브시스템(1160)은 디바이스(1100)에 정보를 저장하는 메모리 디바이스(들)(1162)를 포함할 수 있다. 메모리 서브시스템(1160)은 비휘발성(상태는 메모리 디바이스로의 전력이 중단되면 변경되지 않음) 및/또는 휘발성(상태는 메모리 디바이스로의 전력이 중단되면 불확정임) 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. 메모리(1160)는 시스템(1100)의 애플리케이션들 및 기능들의 실행과 관련되는 시스템 데이터(장기적이든 일시적이든)뿐만 아니라, 애플리케이션 데이터, 사용자 데이터, 음악, 사진들, 문서들, 또는 다른 데이터를 저장할 수 있다.
일 실시예에서, 메모리 서브시스템(1160)은 메모리 제어기(1164)(또한 시스템(1100)의 제어의 일부인 것으로 간주될 수 있고, 잠재적으로 프로세서(1110)의 일부인 것으로 간주될 수 있음)를 포함한다. 메모리 제어기(1164)는 - 예를 들어, 프로세서(1110)를 대신하여 메모리(1162)에 액세스를 제공하기 위해 시그널링을 전달할 수 있다. 메모리 제어기(1164)는 프로세서(1110)를 포함하는 패키징된 디바이스로 포함될 수 있으며 - 예컨대, 프로세서(1110)는 본원에서 논의되는 것과 같은 기능성을 제공하는 컴포넌트들을 그 안에 또는 그 위에 배치하는 PCB(도시되지 않음)를 통해 메모리(1162)에 액세스한다.
연결성(1170)은 디바이스(1100)가 외부 디바이스들과 통신할 수 있게 하기 위해 하드웨어 디바이스들(예를 들어, 무선 및/또는 유선 커넥터들 및 통신 하드웨어) 및 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)을 포함할 수 있다. 디바이스는 헤드셋들, 프린터들, 또는 다른 디바이스들과 같은 주변 장치들뿐만 아니라, 다른 컴퓨팅 디바이스들, 무선 액세스 포인트들 또는 기지국들과 같은 개별 디바이스들일 수 있다.
연결성(1170)은 다수의 상이한 타입들의 연결성을 포함할 수 있다. 일반화하기 위해, 디바이스(1100)는 셀룰러 연결성(1172) 및 무선 연결성(1174)으로 예시한다. 셀룰러 연결성(1172)은 일반적으로 GSM(global system for mobile communications) 또는 변형들 또는 파생어들, CDMA(code division multiple access) 또는 변형들 또는 파생어들, TDM(time division multiplexing) 또는 변형들 또는 파생어들, LTE(long term evolution - 또한 "4G"로 언급됨), 또는 다른 셀룰러 서비스 표준들을 통해 제공되는 것과 같이, 무선 캐리어들에 의해 제공되는 셀룰러 네트워크 연결성을 언급한다. 무선 연결성(1174)은 셀룰러가 아닌 무선 연결성을 언급하고, 개인 영역 네트워크들(예컨대 블루투스), 근거리 통신망들(예컨대 WiFi), 및/또는 광역 통신망들(예컨대 WiMax), 또는 다른 무선 통신을 포함할 수 있다. 무선 통신은 비고체 매체를 통해, 변조된 전자기 방사선의 사용을 통한 데이터의 전송을 언급한다. 유선 통신은 고체 통신 매체를 통해 발생한다.
주변 장치 연결들(1180)은 주변 장치 연결들을 이루기 위해 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)뿐만 아니라, 하드웨어 인터페이스들 및 커넥터들을 포함한다. 디바이스(1100)는 다른 컴퓨팅 디바이스들에 대한 주변 디바이스("로(to)"(1182))일 뿐만 아니라, 그것에 연결되는 주변 디바이스들("로부터(from)"(1184))을 가질 수 있다는 점이 이해될 것이다. 디바이스(1100)는 통상 디바이스(1100) 상에서 콘텐츠를 관리(예를 들어, 다운로딩 및/또는 업로딩, 변경, 동기화)하는 것과 같은 목적들을 위해 다른 컴퓨팅 디바이스들에 연결하는 "도킹" 커넥터를 갖는다. 부가적으로, 도킹 커넥터는 디바이스(1100)가 콘텐츠 출력을 제어하는 것을 허용하는 특정 주변 장치들, 예를 들어 오디오비주얼 또는 다른 시스템들에 디바이스(1100)가 연결하는 것을 허용할 수 있다.
독점 도킹 커넥터 또는 다른 독점 연결 하드웨어에 더하여, 디바이스(1100)는 공통 또는 표준 기반 커넥터들을 통해 주변 장치 연결들(1180)을 이룰 수 있다. 공통 타입들은 범용 직렬 버스(USB) 커넥터(다수의 상이한 하드웨어 인터페이스들 중 임의의 것을 포함할 수 있음), 미니디스플레이포트(MiniDisplayPort)(MDP)를 포함하는 디스플레이포트, 고선명 멀티미디어 인터페이스(High Definition Multimedia Interface)(HDMI), 파이어와이어, 또는 다른 타입을 포함할 수 있다.
일 구현에서, 디바이스는 인쇄 회로 보드(PCB)를 신호들의 다수의 세트들 중의 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 메모리 디바이스들 중 임의의 것에 결합하는 제1 하드웨어(HW) 인터페이스, 및 PCB를 프로세서 디바이스에 결합하는 제2 HW 인터페이스 - 프로세서 디바이스는 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하고, 메모리 디바이스의 메모리 타입에 기초하여, 신호들의 다수의 세트들 중의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성함 - 를 포함한다. 디바이스는 제1 HW 인터페이스에 결합된 전압 조절기(VR) - VR은 메모리 타입에 기초하여, 메모리 디바이스들 중의 상이한 각각의 메모리 디바이스에 각각 대응하는 VR 모드들 중 제1 VR 모드로 프로그래밍되고, 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 제1 인터페이스에 제공함 -, 및 PCB 내에 또는 상에 배치되며, 제1 HW 인터페이스의 각각의 입력/출력(I/O) 콘택을 제2 HW 인터페이스의 각각의 I/O 콘택에 각각 결합하는 x개의 신호 라인들을 포함하는 인터커넥트 - x는 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 - 를 더 포함한다.
일 실시예에서, 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정된다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 DDR3 표준 또는 DDR4 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 저전력 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 LPDDR3 표준 또는 LPDDR4 표준을 포함한다.
다른 실시예에서, 디바이스는 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직을 더 포함하며, 검출기 로직은 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시켜 프로세서 디바이스에 송신한다. 다른 실시예에서, 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함한다. 다른 실시예에서, 프로세서 디바이스는 상태 머신 로직을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 실행한다. 다른 실시예에서, 제1 HW 인터페이스는 기계 커넥터를 포함한다. 다른 실시예에서, 제2 HW 인터페이스는 패드 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함한다.
다른 구현에서, 시스템은 인쇄 회로 보드(PCB), PCB 내에 또는 위에 배치된 제1 하드웨어(HW) 인터페이스 - 제1 HW 인터페이스는 신호들의 다수의 세트들 중의 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 메모리 디바이스들 중 임의의 것에 결합함 - PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 HW 인터페이스 및 제2 HW 인터페이스를 통해 PCB에 결합된 프로세서 디바이스 - 프로세서 디바이스는 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하고, 메모리 디바이스의 메모리 타입에 기초하여, 신호들의 다수의 세트들 중의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성함 - 를 포함한다. 시스템은 제1 HW 인터페이스에 결합된 전압 조절기(VR) - VR은 메모리 타입에 기초하여, 메모리 디바이스들 중의 상이한 각각의 메모리 디바이스에 각각 대응하는 VR 모드들 중 제1 VR 모드로 프로그래밍될 수 있고, 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 제1 인터페이스에 제공함 -, 및 PCB 내에 또는 상에 배치되며, 제1 HW 인터페이스의 각각의 입력/출력(I/O) 콘택을 제2 HW 인터페이스의 각각의 I/O 콘택에 각각 결합하는 x개의 신호 라인들을 포함하는 인터커넥트 - x는 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 - 를 더 포함한다.
일 실시예에서, 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정된다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 DDR3 표준 또는 DDR4 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 저전력 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 LPDDR3 표준 또는 LPDDR4 표준을 포함한다.
다른 실시예에서, 시스템은 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직을 더 포함하며, 검출기 로직은 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시키고 프로세서 디바이스에 송신한다. 다른 실시예에서, 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함한다. 다른 실시예에서, 프로세서 디바이스는 상태 머신 로직을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 실행한다. 다른 실시예에서, 제1 HW 인터페이스는 기계 커넥터를 포함한다. 다른 실시예에서, 제2 HW 인터페이스는 패드 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함한다.
다른 구현에서, 방법은 인쇄 회로 보드(PCB) 내에 또는 상에 배치된 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 단계, 및 연결성을 검출하는 것에 응답하여, 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 단계 - 메모리 타입에 기초하여, 프로세서 디바이스는 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성하고, 다수의 인터페이스 모드들은 신호들의 다수의 세트에 대한 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하고, 프로세서 디바이스는 PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합됨 - 를 포함한다. 방법은 메모리 타입에 기초하여, VR의 다수의 VR 모드들 중 제1 전압 조절기(VR) 모드를 프로그래밍하는 단계 - 다수의 VR 모드들은 다수의 메모리 타입들 중의 상이한 각각의 메모리 타입에 각각 대응하며, VR은 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 제1 인터페이스에 제공함 -, 및 하나 이상의 전압들에 기초한 메모리 디바이스의 동작 동안에, PCB 내에 또는 상에 배치되는 인터커넥트의 x개의 신호 라인들을 통해 메모리 디바이스와 프로세서 디바이스 사이에서 신호들을 교환하는 단계 - x는 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 - 를 더 포함한다.
일 실시예에서, 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정된다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 DDR3 표준 또는 DDR4 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 저전력 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 LPDDR3 표준 또는 LPDDR4 표준을 포함한다.
다른 실시예에서, 방법은 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직에 의해, 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시키고 프로세서 디바이스에 송신하는 단계를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함한다. 다른 실시예에서, 프로세서 디바이스는 상태 머신 로직을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 실행한다. 다른 실시예에서, 제1 하드웨어 인터페이스는 기계 커넥터를 포함한다. 다른 실시예에서, 제2 하드웨어 인터페이스는 패드 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함한다.
다른 구현에서, 컴퓨터 판독가능 스토리지 매체는 하나 이상의 처리 유닛들에 의해 실행될 때, 하나 이상의 처리 유닛들이 방법을 수행하게 하는 명령어들을 저장하며, 방법은 인쇄 회로 보드(PCB) 내에 또는 상에 배치된 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 단계, 및 연결성을 검출하는 것에 응답하여, 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 단계 - 메모리 타입에 기초하여, 프로세서 디바이스는 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성하고, 다수의 인터페이스 모드들은 신호들의 다수의 세트에 대한 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하고, 프로세서 디바이스는 PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 하드웨어 인터페이스를 통해 PCB에 결합됨 - 를 포함한다. 방법은 메모리 타입에 기초하여, VR의 다수의 VR 모드들 중 제1 전압 조절기(VR) 모드를 프로그래밍하는 단계 - 다수의 VR 모드들은 다수의 메모리 타입들 중의 상이한 각각의 메모리 타입에 각각 대응하며, VR은 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 제1 인터페이스에 제공함 -, 및 하나 이상의 전압들에 기초한 메모리 디바이스의 동작 동안에, PCB 내에 또는 상에 배치되는 인터커넥트의 x개의 신호 라인들을 통해 메모리 디바이스와 프로세서 디바이스 사이에서 신호들을 교환하는 단계 - x는 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 - 를 더 포함한다.
일 실시예에서, 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정된다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 DDR3 표준 또는 DDR4 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 저전력 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들은 LPDDR3 표준 또는 LPDDR4 표준을 포함한다.
다른 실시예에서, 방법은 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직에 의해, 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시키고 프로세서 디바이스에 송신하는 단계를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별한다. 다른 실시예에서, 상태 머신 로직은 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함한다. 다른 실시예에서, 프로세서 디바이스는 상태 머신 로직을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 실행한다. 다른 실시예에서, 제1 하드웨어 인터페이스는 기계 커넥터를 포함한다. 다른 실시예에서, 제2 하드웨어 인터페이스는 패드 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함한다.
메모리 디바이스를 동작시키는 기술들 및 아키텍처들은 본원에 설명된다. 상기 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 다수의 특정 상세들은 특정 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 진술된다. 그러나, 특정 실시예들은 이러한 특정 상세들 없이 실시될 수 있다는 점이 본 기술분야의 통상의 기술자에게 분명할 것이다. 다른 사례들에서, 구조체들 및 디바이스들은 설명을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 블록도 형태로 도시된다.
본 명세서에서 "일 실시예" 또는 "하나의 실시예"에 대한 참조는 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에에 포함되는 것을 의미한다. 본 명세서 내의 다양한 장소들에 있어서 "일 실시예에서"라는 구문의 출현들은 반드시 동일한 실시예를 모두 언급하는 것은 아니다.
본원에서 상세한 설명의 일부 부분들은 컴퓨터 메모리 내에서 데이터 비트들 상의 동작들의 알고리즘들 및 기호 표현들에 관해 제공된다. 이러한 알고리즘 설명들 및 표현들은 작업의 본질을 본 기술분야의 다른 통상의 기술자들에게 가장 효과적으로 전달하기 위해 컴퓨팅 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 사용되는 수단이다. 알고리즘은 여기서, 및 일반적으로, 원하는 결과를 초래하는 단계들의 자기 일관성 시퀀스인 것으로 생각된다. 단계들은 물리 양들의 물리 조작들을 필요로 하는 것들이다. 통상, 반드시 필요한 것은 아니지만, 이러한 양들은 저장, 전송, 결합, 비교, 및 다른 방법으로 조작될 수 있는 전기 또는 자기 신호들의 형태를 취한다. 이러한 신호들을 비트들, 값들, 요소들, 기호들, 문자들, 항들, 숫자들 등으로서 언급하는 것이 때때로, 주로 공통의 사용의 이유들로 편리한 것으로 증명되었다.
그러나, 이러한 및 유사한 용어들의 전부는 적절한 물리 양들과 연관되고 이러한 양들에 적용되는 단지 편리한 라벨들인 점이 기억되어야 한다. 본원에서 논의로부터 분명한 바와 같이 달리 구체적으로 명시되지 않는 한, 본 명세서 도처에서, "처리" 또는 "컴퓨팅" 또는 "계산" 또는 "결정" 또는 "디스플레이" 등과 같은 용어들을 이용하는 논의들은 컴퓨터 시스템의 레지스터들 및 메모리들 내에서 물리(전자) 양들로 표현되는 데이터를 컴퓨터 시스템 메모리들 또는 레지스터들 또는 다른 그러한 정보 스토리지, 송신 또는 디스플레이 디바이스들 내에서 물리 양들로 유사하게 표현되는 다른 데이터로 조작하고 변환하는 컴퓨터 시스템, 또는 유사한 전자 컴퓨팅 디바이스의 동작 및 프로세스들을 언급한다는 점이 이해된다.
특정 실시예들은 또한 본원에서 동작들을 수행하는 장치를 언급한다. 이러한 장치는 요구된 목적들을 위해 특별히 구성될 수 있거나, 컴퓨터에 저장되는 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 재구성되는 범용 컴퓨터를 포함할 수 있다. 그러한 컴퓨터 프로그램은 전자 명령어들을 저장하는데 적절하고, 컴퓨터 시스템 버스에 결합되는 플로피 디스크들, 광 디스크들, CD-ROM들, 및 자기 광 디스크들을 포함하는 임의의 타입의 디스크, 판독 전용 메모리들(ROM들), 랜덤 액세스 메모리들(RAM들) 예컨대 동적 RAM(DRAM), EPROM들, EEPROM들, 자기 또는 광학 카드들, 또는 임의의 타입의 매체와 같지만, 이들에 제한되지는 않는 컴퓨터 판독가능 스토리지 매체에 저장될 수 있다.
본원에 제공되는 알고리즘들 및 디스플레이들은 임의의 특정 컴퓨터 또는 다른 장치와 내재적으로 관련되지 않는다. 다양한 범용 시스템들은 본원에서의 교시들에 따라 프로그램들과 사용될 수 있거나, 요구된 방법 단계들을 수행하기 위해 더 특수한 장치를 구성하는 것이 편리한 것으로 증명될 수 있다. 다양한 이들 시스템들에 대한 요구된 구조는 본원에서 설명으로부터 나타날 것이다. 부가적으로, 특정 실시예들은 임의의 특정 프로그래밍 언어를 참조하여 설명되지 않는다. 다양한 프로그래밍 언어들은 본원에 설명되는 바와 같이 그러한 실시예들의 교시들을 구현하기 위해 사용될 수 있다는 점이 이해될 것이다.
본원에 설명된 것 외에, 다양한 수정들은 범위에서 벗어나는 것 없이 개시된 실시예들 및 그것의 구현들에 이루어질 수 있다. 따라서, 본원에서의 예시들 및 예들은 예시적인 의미로 해석되고, 제한적인 의미로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 대한 참조에 의해서만 측정되어야 한다.

Claims (21)

  1. 디바이스로서,
    신호들의 다수의 세트들 중의 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 메모리 디바이스들 중 임의의 것에 인쇄 회로 보드(PCB)를 결합하는 제1 하드웨어(HW) 인터페이스;
    상기 PCB를 프로세서 디바이스에 결합하는 제2 HW 인터페이스 - 상기 프로세서 디바이스는 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하고, 상기 메모리 디바이스의 메모리 타입에 기초하여, 상기 신호들의 다수의 세트들 중의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성함 -;
    상기 제1 HW 인터페이스에 결합된 전압 조절기(VR) - 상기 VR은, 상기 메모리 타입에 기초하여, 상기 메모리 디바이스들 중의 상이한 각각의 메모리 디바이스에 각각 대응하는 VR 모드들 중 제1 VR 모드로 프로그래밍되고, 상기 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 상기 제1 인터페이스에 제공함 -; 및
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치되며, 상기 제1 HW 인터페이스의 각각의 입력/출력(I/O) 콘택을 상기 제2 HW 인터페이스의 각각의 I/O 콘택에 각각 결합하는 x개의 신호 라인들을 포함하는 인터커넥트 - x는 상기 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트(superset)의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 -
    를 포함하는 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는(specified) 디바이스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함하는 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직을 더 포함하고, 상기 검출기 로직은 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시켜 상기 프로세서 디바이스에 송신하는 디바이스.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출(serial presence detect) 표준에 기초하는 디바이스.
  6. 제4항에 있어서,
    상태 머신 로직이, 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 상기 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 상태 머신 로직은 상기 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함하는 디바이스.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 프로세서 디바이스는 상기 상태 머신 로직을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(BIOS) 프로세스를 실행하는 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함하는 디바이스.
  10. 시스템으로서,
    인쇄 회로 보드(PCB);
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 제1 하드웨어(HW) 인터페이스 - 상기 제1 HW 인터페이스는 신호들의 다수의 세트들 중의 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 메모리 디바이스들 중 임의의 것에 결합됨 -;
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 HW 인터페이스;
    상기 제2 HW 인터페이스를 통해 상기 PCB에 결합된 프로세서 디바이스 - 상기 프로세서 디바이스는 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하고, 상기 메모리 디바이스의 메모리 타입에 기초하여, 상기 신호들의 다수의 세트들 중의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하는 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성함 -;
    상기 제1 HW 인터페이스에 결합된 전압 조절기(VR) - 상기 VR은, 상기 메모리 타입에 기초하여, 상기 메모리 디바이스들 중의 상이한 각각의 메모리 디바이스에 각각 대응하는 VR 모드들 중 제1 VR 모드로 프로그래밍되고, 상기 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 상기 제1 인터페이스에 제공함 -; 및
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치되며, 상기 제1 HW 인터페이스의 각각의 입력/출력(I/O) 콘택을 상기 제2 HW 인터페이스의 각각의 I/O 콘택에 각각 결합하는 x개의 신호 라인들을 포함하는 인터커넥트 - x는 상기 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 -
    를 포함하는 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함하는 시스템.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 검출기 로직을 더 포함하고, 상기 검출기 로직은 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호를 발생시켜 상기 프로세서 디바이스에 송신하는 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 검출기 로직은 직렬 프레즌스 검출 표준에 기초하는 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상태 머신 로직이, 상기 제1 HW 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 표시하는 신호에 응답하여 상기 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 상태 머신 로직은 상기 프로세서 디바이스의 상태 머신 회로를 포함하는 시스템.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함하는 시스템.
  18. 방법으로서,
    인쇄 회로 보드(PCB) 내에 또는 상에 배치된 제1 하드웨어 인터페이스에 대한 메모리 디바이스의 연결성을 검출하는 단계;
    상기 연결성을 검출하는 것에 응답하여, 상기 메모리 디바이스의 메모리 타입을 식별하는 단계 - 상기 메모리 타입에 기초하여, 프로세서 디바이스가 상기 프로세서 디바이스의 다수의 인터페이스 모드들 중 제1 인터페이스 모드를 구성하고, 상기 다수의 인터페이스 모드들은 신호들의 다수의 세트들 중의 신호들의 상이한 각각의 세트에 각각 대응하고, 상기 프로세서 디바이스는 상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 제2 하드웨어 인터페이스를 통해 상기 PCB에 결합됨 -;
    상기 메모리 타입에 기초하여, 전압 조절기(VR)의 다수의 VR 모드들 중 제1 VR 모드를 프로그래밍하는 단계 - 상기 다수의 VR 모드들은 다수의 메모리 타입들 중의 상이한 각각의 메모리 타입에 각각 대응하고, 상기 VR은 상기 제1 VR 모드에 기초하여 하나 이상의 전압들을 상기 제1 인터페이스에 제공함 -; 및
    상기 하나 이상의 전압들에 기초한 상기 메모리 디바이스의 동작 동안, 상기 PCB 내에 또는 상에 배치된 인터커넥트의 x개의 신호 라인들을 통해 상기 메모리 디바이스와 상기 프로세서 디바이스 사이에 신호들을 교환하는 단계 - x는 상기 신호들의 다수의 세트들의 슈퍼세트의 신호들의 총 수와 동일한 정수임 -
    를 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 신호들의 다수의 세트들은 다수의 메모리 표준들 중의 상이한 각각의 메모리 표준에 의해 각각 지정되는 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 표준들은 하나 이상의 듀얼 데이터 레이트 메모리 표준들을 포함하는 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 다수의 메모리 디바이스들은 하나 이상의 듀얼 인라인 메모리 모듈들을 포함하는 방법.
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