KR20160091433A - 전사 재료, 정전용량형 입력 장치의 제조 방법, 정전용량형 입력 장치, 및 이것을 구비한 화상 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

정전용량형 입력 장치에 이용함으로써 투명 전극 패턴의 시인성을 개량할 수 있고, 정전용량형 입력 장치의 생산성을 향상시킬 수 있는 전사 재료를 제공한다. 가지지체와 그 가지지체 상에 적층된 투명 경화성 수지층을 갖고, 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 것을 특징으로 하는 전사 재료.

Description

전사 재료, 정전용량형 입력 장치의 제조 방법, 정전용량형 입력 장치, 및 이것을 구비한 화상 표시 장치{TRANSFER MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITIVE INPUT DEVICE, CAPACITIVE INPUT DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME}
본 발명은 손가락의 접촉 위치를 정전용량의 변화로서 검출 가능한 정전용량형 입력 장치의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해서 얻어지는 정전용량형 입력 장치, 및 상기 정전용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치에 관한 것이다.
휴대 전화, 자동차 네비게이션, 퍼스널 컴퓨터, 매표기, 은행의 단말 등의 전자 기기에서는, 최근 액정 장치 등의 표면에 태블릿형 입력 장치가 배치되어 액정 장치의 화상 표시 영역에 표시된 지시 화상을 참조하면서 이 지시 화상이 표시되어 있는 개소에 손가락 또는 터치펜 등을 접촉함으로써 지시 화상에 대응하는 정보의 입력을 행할 수 있는 경우가 있다.
이러한 입력 장치(터치 패널)에는 저항막형, 정전용량형 등이 있다. 그러나, 저항막형 입력 장치는 필름과 유리의 2장 구조에 의해 필름을 밀어내려서 쇼트시키는 구조이기 때문에 동작 온도 범위가 좁다거나, 경시 변화에 약하다고 하는 결점을 갖고 있다.
이것에 대해서, 정전용량형 입력 장치는 단지 1장의 기판에 투광성 도전막을 형성하면 된다고 하는 이점이 있다.
정전용량형 입력 장치로서는 앞면판의 비접촉측 표면에 마스크층, 투명 전극 패턴, 층간 절연층, 투명 보호막 등이 일체적으로 형성되어 있는 정전용량형 터치 패널이 알려져 있으며, 앞면판이 정전용량형 입력 장치와 일체화되어 있기 때문에 박층/경량화가 가능해진다. 특허문헌 1에는 플루오렌 수지를 포함하는 실록산 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화막을 터치 패널의 보호막이나 터치 센서용 절연막에 사용하는 경우가 기재되어 있다.
최근, 이러한 정전용량형 입력 장치에 있어서 당면 전극의 패턴 형상이 시인되거나 해서 외관이 나빠지는 것을 해결하는 것이 주목받고 있고, 예를 들면 특허문헌 2에는 ITO 패턴 등의 투명 전극 패턴의 시인성 개량(보이지 않게 하는 것)에는 적층되는 투명 절연층의 굴절률을 높여서 ITO의 굴절률과의 차를 작게 하는 것이 유효하다는 것이 기재되어 있다.
또한, 정전용량형 터치 패널을 액정이나 유기 EL 디스플레이 상에 구비한 스마트폰이나 태블릿 PC에서는 앞면판(직접 손가락에 의해 접촉되는 면)에 코닝사의 고릴라 유리로 대표되는 강화 유리를 사용한 것이 개발, 발표되어 있다. 또한, 상기 앞면판의 일부에 감압(정전용량 변화가 아니라 압박에 의한 메커니컬한 기구) 스위치를 설치하기 위한 개구부가 형성되어 있는 것이 출시되어 있다. 이들 강화 유리는 강도가 높아 가공이 곤란하기 때문에, 상기 개구부를 형성하기 위해서는 강화 처리 전에 개구부를 형성한 후 강화 처리를 행하는 것이 일반적이다.
특허문헌 1이나 특허문헌 2에는 투명 절연층이나 투명 보호막의 형성 방법으로서 유기 재료를 이용하는 경우에는 도포를 행하는 방법만이 기재되어 있다.
한편, 특허문헌 3 및 특허문헌 4에는 컬러 필터용 전사 재료가 기재되어 있고, 전사 재료를 기판 상에 라미네이트하는 것이 제안되어 있다.
WO2010-061744호 공보 일본 특허 공개 2010-061425호 공보 일본 특허 공개 2007-334045호 공보 일본 특허 공개 2008-107779호 공보
그러나, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에는 투명 절연층이나 투명 보호막의 형성 방법에서는 상기 개구부를 가진 강화 처리 후의 기판에 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재되어 있는 도포법에 의해서 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 재료를 이용하여 투명 절연층이나 투명 보호막을 형성하고자 하면, 개구부로부터의 레지스트 성분의 누출이나 돌출을 발생시키고, 돌출된 부분을 제거하는 공정이 필요하게 되어 버려 생산 효율이 현저하게 저하된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 3 및 특허문헌 4에서는 액정 표시 장치로의 이용에 언급하고 있지만, 그 ITO 패턴 시인성을 개선하는 것에 대해서 검토되어 있지 않고, 또한 정전용량형 입력 장치로의 전사 재료의 응용에 대해서도 기재되어 있지 않았다.
본 발명의 목적은 정전용량형 입력 장치에 사용함으로써 투명 전극 패턴의 시인성을 개량할 수 있고, 정전용량형 입력 장치의 생산성을 향상시킬 수 있는 전사 재료를 제공하는 것에 있다.
그래서, 본 발명자들은 상기 과제를 해결하는 것을 목적으로 하여 예의 검토를 진행했다. 그 결과, 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 투명 경화성 수지층을 갖는 전사 재료를 이용하면 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고 이하에 기재되는 본 발명을 제공하기에 이르렀다.
본 발명의 과제를 해결하기 위한 구체적인 수단인 발명은 이하와 같다.
[1] 가지지체와, 상기 가지지체 상에 적층된 투명 경화성 수지층을 갖고, 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이며, 상기 투명 경화성 수지층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 전사 재료.
[2] [1]에 기재된 전사 재료는 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.6 이상인 것이 바람직하다.
[3] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 바인더가 적어도 하나 이상의 알칼리기, 방향족 헤테로환기, 염소원자, 브롬 원자, 요오드 원자 또는 황 원자를 포함하는 것이 바람직하다.
[4] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.66 이상의 바인더의 함유량이 상기 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 것이 바람직하다.
[5] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 모노머의 굴절률이 1.66 이상인 것이 바람직하다.
[6] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 모노머는 비스아릴플루오렌계의 아크릴레이트인 것이 바람직하다.
[7] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.6 이상의 모노머의 함유량이 상기 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 것이 바람직하다.
[8] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 투명 경화성 수지층이 알칼리 가용 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
[9] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 가지지체와 상기 투명 경화성 수지층의 사이에 열가소성 수지층이 적층되는 것이 바람직하다.
[10] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 열가소성 수지층의 110℃에서 측정된 용융점도(ηc)가 250Pa·s~3,000Pa·s인 것이 바람직하다.
[11] [9]에 기재된 전사 재료는 상기 열가소성 수지층의 층두께가 3㎛ 이상인 것이 바람직하다.
[12][1] 또는 [2]에 기재된 전사 재료는 상기 투명 경화성 수지층이 정전 용량형 입력 장치의 투명 절연층 또는 투명 보호층용인 것이 바람직하다.
[13] 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로서, 상기 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽을 [12]에 기재된 전사 재료를 이용하여 형성하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
[14][13]의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은 앞면판과, 상기 앞면판의 비접촉측에 적어도 다음 (1)~(5)의 요소를 갖고, (3) 및 (5)의 요소 중 적어도 한 쪽을 상기 전사 재료를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다,
(1) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴,
(2) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴,
(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 투명 절연층,
(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소,
(5) 상기 (1)~(4)의 요소 모두 또는 일부를 피복하도록 설치된 투명 보호층.
[15][13]의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은 상기 앞면판이 적어도 일부에 개구부를 갖는 것이 바람직하다.
[16]투명보호층과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치로서, 상기 투명 보호층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이고, 상기 투명 보호층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 경화물 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 한쪽을 함유하는 정전 용량형 입력 장치.
[17]투명절연층과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치로서, 상기 투명 절연층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이고, 상기 투명 절연층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 경화물 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 한쪽을 함유하는 정전 용량형 입력 장치.
[18][16] 또는 [17]의 정전 용량형 입력 장치를 구비하는 화상 표시 장치.
본 발명에 의하면, 정전용량형 입력 장치의 투명 전극 패턴의 시인성을 개량 할 수 있고, 정전용량형 입력 장치의 생산성을 향상시킬 수 있는 전사 재료를 제공 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 정전용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 앞면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 4는 개구부가 형성된 강화 처리 유리의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 5는 마스크층이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 6은 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 7은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 9는 금속 나노와이어 단면을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 전사 재료, 정전용량형 입력 장치의 제조 방법, 정전용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 대해서 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 대표적인 실시형태나 구체예에 의거해서 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시형태나 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 「~」를 이용하여 나타내는 수치 범위는 「~」의 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.
《전사 재료》
본 발명의 전사 재료는 가지지체와, 그 가지지체 상에 적층된 투명 경화성 수지층을 갖고, 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의해, 정전용량형 입력 장치에 사용함으로써 투명 전극 패턴의 시인성을 개량할 수 있고, 정전용량형 입력 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다. 어떠한 이론에 구애되는 것도 아니지만, 투명 전극 패턴(바람직하게는 ITO)과 상기 투명 경화성 수지층의 굴절률차를 작게 함으로써 광반사가 저감되어 투명 전극 패턴이 보기 어렵지 않게 되어 시인성을 개선할 수 있다.
이하, 본 발명의 전사 재료에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명의 전사 재료는 네거티브형 재료여도 좋고 포지티브형 재료여도 좋다. 본 발명의 전사 재료는 정전용량형 입력 장치의 투명 절연층 또는 투명 보호층용인 것이 바람직하다.
<가지지체>
본 발명의 전사 재료는 가지지체를 포함한다. 상기 가지지체로서는 가요성을 갖고, 가압 하 또는 가압 및 가열 하에서 현저한 변형, 수축 또는 신장을 발생시키지 않는 재료를 사용할 수 있다. 이러한 가지지체의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 트리아세트산 셀룰로오스 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등이 예시되고, 그 중에서도 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다.
상기 가지지체의 두께에는 특별히 제한은 없고, 5~200㎛의 범위가 일반적이고, 취급 용이성, 범용성 등의 점에서 특히 10~150㎛의 범위가 바람직하다.
또한, 상기 가지지체는 투명해도 좋고, 염료화규소, 알루미나졸, 크롬염, 지르코늄염 등을 함유하고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 전사 재료에 있어서의 상기 가지지체에는 일본 특허 공개 2005-221726호 공보에 기재된 방법 등에 의해 도전성을 부여할 수 있다.
<투명 경화성 수지층>
본 발명의 전사 재료는 투명 경화성 수지층을 갖고, 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이다. 또한, 본 명세서 중에 있어서 특별히 명시하지 않고 굴절률을 이용하는 경우는 550㎚에 있어서의 굴절률을 의미한다.
상기 투명 경화성 수지층은 광경화성이어도 좋고 열가교성(열경화성)이어도 좋고, 광경화성과 열가교성(열경화성)을 겸비하고 있어도 좋다.
상기 투명 경화성 수지층은 광경화성을 적어도 갖는 것이 바람직하고, 즉 상기 투명 경화성 수지층은 상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지층인 것이 바람직하다. 상기 투명 경화성 수지층은 광경화성과 열가교성(열경화성)을 겸비하고 있는 것이 보다 바람직하다.
상기 투명 경화성 수지층은 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이고, 1.6 이상인 것이 바람직하고, 1.66 이상인 것이 투명 전극 패턴의 시인성을 개선하는 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률의 상한치에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 제조 비용의 관점에서 2.3 이하인 것이 바람직하다.
후술의 투명 전극 패턴과 상기 투명 경화성 수지층의 굴절률의 차(Δn)는 0.4 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3 이하이다.
상기 투명 경화성 수지층의 굴절률을 상기 범위로 하는 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 상기 투명 경화성 수지층에 굴절률 1.55 이상의 바인더, 굴절률 1.55 이상의 모노머 및 굴절률 1.55 이상의 미립자 중 적어도 하나 이상을 첨가하는 방법을 예시할 수 있다. 상기 투명 경화성 수지층은 굴절률 1.55 이상의 바인더, 굴절률 1.55 이상의 모노머 및 굴절률 1.55 이상의 미립자 중 어느 1종을 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
상기 투명 경화성 수지층은 굴절률 1.55 이상의 바인더를 포함하는 것이 바람직하고, 굴절률 1.6 이상의 바인더를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 굴절률 1.66 이상의 바인더를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
상기 굴절률 1.55 이상의 바인더로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 1.55 이상의 고굴절률 바인더의 예로서는 적어도 1개 이상의 아릴기, 방향족 헤테로환기, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 황 원자를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하고, 아릴기를 포함하는 폴리머인 것이 보다 바람직하다. 바람직한 고굴절률 폴리머의 구체예로서는 폴리스티렌 중합체, 및 예를 들면 아크릴로니트릴, 무수 말레산, 아크릴산, 메타크릴산 및 그 에스테르와의 공중합체, 염화비닐리덴 공중합체(예를 들면, 염화비닐리덴/아크릴로니트릴 공중합체, 비닐리덴클로라이드/메타크릴레이트 공중합체, 염화비닐리덴/아세트산 비닐 공중합체), 폴리염화비닐 및 공중합체(예를 들면, 폴리비닐클로라이드/아세테이트, 염화비닐/아크릴로니트릴 공중합체), 폴리비닐벤잘 합성 고무(예를 들면, 부타디엔/아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌 공중합체, 메타크릴레이트/아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌 공중합체, 2-클로로부타디엔-1,3 중합체, 염소화고무, 스티렌/부타디엔/스티렌, 스티렌/이소프렌/스티렌 블록 공중합체), 코폴리에스테르(예를 들면, 식 HO(CH2)nOH(식 중, n은 2~10의 정수이다)의 폴리메틸렌글리콜, 및 (1) 헥사히드로테레프탈산, 세바스산 및 테레프탈산, (2) 테레프탈산, 이소프탈산 및 세바스산, (3) 테레프탈산 및 세바스산, (4) 테레프탈산 및 이소프탈산의 반응 생성물로부터 제조된 것, 및 (5) 그 글리콜 및 (i) 테레프탈산, 이소프탈산 및 세바스산 및 (ii) 테레프탈산, 이소프탈산, 세바스산 및 아디프산으로부터 제조된 코폴리에스테르의 혼합물), 폴리N-비닐카바졸 및 그 공중합체, 탄산 에스테르와 비스페놀로 이루어지는 폴리카보네이트 등이 예시된다. 또한, 폴리(메틸페닐실록산)이나 1,3,5-트리메틸-1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산 등의 규소 화합물, 방향족을 많이 포함하는 실리콘 오일 등도 바람직한 예로서 예시된다. 또한, 플루오렌, 테트라페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄 또는 비페닐 등의 골격을 갖는 화합물이 예시된다.
그 중에서도 플루오렌, 테트라페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄 또는 비페닐 등의 골격을 갖는 화합물이 바람직하고, 특히 플루오렌 골격을 갖는 화합물이 바람직하다.
상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.55 이상의 바인더의 함유량으로서는 특별히 제한은 없지만, 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 것이 바람직하고, 3~40질량%인 것이 보다 바람직하고, 5~30질량%인 것이 특히 바람직하다.
상기 투명 경화성 수지층은 굴절률 1.55 이상의 모노머를 포함하는 것이 바람직하고, 굴절률 1.6 이상의 모노머를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 굴절률 1.66 이상의 모노머를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
상기 굴절률 1.55 이상의 모노머로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 굴절률 1.55 이상의 모노머로서는, 예를 들면 비스(4-메타크릴로일티오페닐)술피드, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비닐나프탈렌, 비닐페닐술피드, 4-메타크릴옥시페닐-4'-메톡시페닐티오에테르, 테트라브로모비스페놀A 디에폭시아크릴레이트 등이 예시된다.
그 중에서도, 본 발명의 전사 재료에는 상기 굴절률 1.55 이상의 모노머로서 비스아릴플루오렌계 아크릴레이트가 바람직하고, WO2010/061744호의 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물, 비스(4-메타크릴로일티오페닐)술피드가 보다 바람직하고, WO2010/061744호의 [0063] 단락에 기재된 화합물이 특히 바람직하다.
상기 굴절률 1.55 이상의 모노머의 구체예로서는, 예를 들면 오사카가스케미컬가부시키가이샤제 옥솔 EA-0200, 동 EA-F5003, 동 EA-F5503, 동 EA-F5510 등을 예시할 수 있다.
상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.55 이상의 모노머의 함유량으로서는 특별히 제한은 없지만, 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 것이 바람직하고, 3~40질량%인 것이 보다 바람직하고, 5~30질량%인 것이 특히 바람직하다.
상기 투명 경화성 수지층은 굴절률 1.55 이상의 미립자를 포함하는 것이 바람직하고, 굴절률 1.6 이상의 미립자를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 굴절률 1.66 이상의 미립자를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
상기 굴절률 1.55 이상의 고굴절률 미립자로서는, 예를 들면 Ti, Zr, Ta, In, Nd, Sn, Sb, Zn, La, W, Ce, Nb, V, Sm, Y 등의 산화물 또는 복합 산화물, 황화물을 주성분으로 하는 입자가 예시된다. 여기서, 주성분이란 입자를 구성하는 성분 중에서 가장 함유량(질량%)이 많은 성분을 의미한다. 보다 바람직한 고굴절률 미립자로서는 Ti, Zr, Ta, In 및 Sn으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함하는 산화물 또는 복합 산화물을 주성분으로 하는 입자이다.
더욱 바람직하게는 Ti, Zr에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함하는 산화물 또는 복합 산화물을 주성분으로 하는 입자이다.
상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.55 이상의 미립자의 함유량으로서는 특별히 제한은 없지만, 투명 경화성 수지층에 대하여 20~80질량%인 것이 바람직하고, 30~70질량%인 것이 보다 바람직하고, 35~65질량%인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 전사 재료가 네거티브형 재료인 경우, 상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지층일 때의 광경화성 수지층에는 알칼리 가용성 수지(굴절률 1.55 미만의 바인더인 것이 바람직하다), 중합성 화합물(굴절률 1.55 미만의 모노머인 것이 바람직하다), 중합 개시제 또는 중합 개시계를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 전사 재료에 포함되는 알칼리 가용성 수지로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보의 단락[0025], 일본 특허 공개 2010-237589호 공보의 단락[0033]~단락[0052]에 기재된 폴리머를 사용할 수 있다.
상기 중합성 화합물로서는 일본 특허 제4098550호의 단락[0023]~단락[0024]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
*상기 중합 개시제 또는 중합 개시계로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보에 기재된 [0031]~[0042]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 광경화성 수지층에는 첨가제를 사용해도 좋다. 상기 첨가제로서는, 예를 들면 일본 특허 제4502784호 공보의 단락[0017], 일본 특허 공개 2009-237362호 공보의 단락[0060]~단락[0071]에 기재된 계면활성제나, 일본 특허 제4502784호 공보의 단락[0018]에 기재된 열중합 방지제, 또한 일본 특허 공개 2000-310706호 공보의 단락[0058]~단락[0071]에 기재된 기타 첨가제가 예시된다.
또한, 본 발명의 전사 재료의 상기 투명 경화성 수지층을 도포에 의해 제조할 때의 용제로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보의 단락[0043]~단락[0044]에 기재된 용제를 사용할 수 있다.
이상, 본 발명의 전사 재료가 네거티브형 재료인 경우를 중심으로 설명했지만, 본 발명의 전사 재료는 포지티브형 재료여도 좋다. 본 발명의 전사 재료가 포지티브형 재료인 경우, 상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지층인 경우에는 광경화성 수지층에, 예를 들면 일본 특허 공개 2005-221726 기재의 재료 등이 이용되지만, 이것에 한정된 것은 아니다.
본 발명의 전사 재료를 사용하여 절연층을 형성하는 경우, 상기 투명 경화성 수지층의 층두께는 절연성의 유지의 관점에서 0.1~5㎛가 바람직하고, 0.3~3㎛가 더욱 바람직하고, 0.5~2㎛가 특히 바람직하다.
본 발명의 전사 재료를 사용하여 투명 보호층을 형성하는 경우, 상기 투명 경화성 수지층의 층두께는 충분한 표면 보호능을 발휘시키는 관점에서 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛ 특히 바람직하다.
여기서, 각 층의 점도는 다음과 같이 해서 측정할 수 있다. 대기압 및 감압 건조에 의해 열가소성 수지층 또는 상기 투명 경화성 수지층으로부터 용제를 제거하여 측정 샘플로 하고, 예를 들면 측정기로서 바이브론(DD-Ⅲ형: 토요볼드윈(주)제)을 사용하여 측정 개시 온도 50℃, 측정 종료 온도 150℃, 승온 속도 5℃/분 및 진동수 1Hz/deg의 조건에서 측정하고, 100℃의 측정값을 이용할 수 있다.
<열가소성 수지층>
본 발명의 전사 재료는 상기 가지지체와, 상기 투명 경화성 수지층 사이에 열가소성 수지층이 적층된 것이 라미네이트시의 기포 발생을 방지할 수 있는 관점에서 바람직하다. 상기 열가소성 수지층은 알칼리 가용성인 것이 바람직하다. 열가소성 수지층은 하지(下地) 표면의 요철(이미 형성되어 있는 화상 등에 의한 요철 등도 포함한다.)을 흡수할 수 있도록 쿠션재로서의 역할을 담당하는 것이고, 대상면의 요철에 따라서 변형될 수 있는 성질을 갖고 있는 것이 바람직하다.
열가소성 수지층은 일본 특허 공개 평5-72724호 공보에 기재된 유기 고분자 물질을 성분으로서 포함하는 형태가 바람직하고, 비캇(Vicat)법[구체적으로는 미국 재료 시험법 에이에스티엠디 ASTMD1235에 의한 폴리머 연화점 측정법]에 의한 연화점이 약 80℃ 이하의 유기 고분자 물질에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 형태가 특히 바람직하다.
구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 에틸렌 공중합체, 에틸렌과 아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물의 공중합체, 폴리염화비닐이나 염화비닐과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 염화비닐 공중합체, 폴리염화비닐리덴, 염화비닐리덴 공중합체, 폴리스티렌, 스티렌과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 스티렌 공중합체, 폴리비닐톨루엔, 비닐톨루엔과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 비닐톨루엔 공중합체, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 부틸과 아세트산 비닐 등의 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 아세트산 비닐 공중합체 나일론, 공중합 나일론, N-알콕시메틸화나일론, N-디메틸아미노화나일론 등의 폴리아미드 수지 등의 유기 고분자가 예시된다.
본 발명의 전사 재료는 상기 열가소성 수지층의 층두께는 3~30㎛가 바람직하다. 열가소성 수지층의 층두께가 3㎛ 미만인 경우에는 라미네이트시의 추종성이 불충분하고, 하지 표면의 요철을 완전히 흡수하지 못하는 경우가 있다. 또한, 층두께가 30㎛를 초과하는 경우에는 가지지체로의 열가소성 수지층의 형성시의 건조(용제 제거)에 부하가 걸리거나, 열가소성 수지층의 현상에 시간을 요하거나 하여 프로세스 적성을 악화시키는 경우가 있다. 상기 열가소성 수지층의 층두께로서는 4~25㎛가 더욱 바람직하고, 5~20㎛가 특히 바람직하다.
열가소성 수지층은 열가소성 유기 고분자를 포함하는 조제액을 도포하거나 하여 형성할 수 있고, 도포 등의 때에 이용하는 조제액은 용매를 사용하여 조제할 수 있다. 용매에는 그 층을 구성하는 고분자 성분을 용해할 수 있는 것이라면 특별히 제한없고, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-프로판올, 2-프로판올 등이 예시된다.
<열가소성 수지층 및 투명 경화성 수지층의 점도>
본 발명의 전사 재료는 상기 열가소성 수지층의 110℃에서 측정한 용융 점도(ηc)가 250Pa·s~3,000Pa·s인 것이 바람직하고, 300~2,500Pa·s인 것이 보다 바람직하고, 500~2,000Pa·s인 것이 특히 바람직하다.
<다른 층>
본 발명의 전사 재료에는 투명 경화성 수지층과 열가소성 수지층 사이에 중간층을 형성하거나, 또는 투명 경화성 수지층의 표면에 보호 필름 등을 더 형성하거나 하여 적합하게 구성할 수 있다.
본 발명의 전사 재료에는 복수층을 도포할 때 및 도포 후의 보존시에 있어서의 성분의 혼합을 방지하는 목적으로 중간층을 형성하는 것이 바람직하다. 중간층으로서는 일본 특허 공개 평5-72724호 공보에 「분리층」으로서 기재되어 있는 산소 차단 기능이 있는 산소 차단막이 바람직하고, 노광시의 감도가 향상되고, 노광기의 시간 부하를 저감시킬 수 있어 생산성이 향상된다.
상기 중간층 및 보호 필름으로서는 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락[0083]~단락[0087] 및 단락[0093]에 기재된 것을 적절히 사용할 수 있다.
<전사 재료의 제작 방법>
본 발명의 전사 재료는 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락[0094]~단락[0098]에 기재된 감광성 전사 재료의 제작 방법에 준하여 제작할 수 있다.
구체적으로 중간층을 갖는 본 발명의 전사 재료를 형성하는 경우에는 가지지체 상에 열가소성 유기 고분자와 함께 첨가제를 용해시킨 용해액(열가소성 수지층용 도포액)을 도포하고 건조시켜서 열가소성 수지층을 형성한 후, 이 열가소성 수지층 상에 열가소성 수지층을 용해시키지 않는 용제에 수지나 첨가제를 첨가하여 조제한 조제액(중간층용 도포액)을 도포하고 건조시켜서 중간층을 적층하고, 이 중간층 상에 중간층을 용해시키지 않는 용제를 사용하여 제작한 투명 경화성 수지층용 도포액을 더 도포하고, 건조시켜서 투명 경화성 수지층을 적층함으로써 적합하게 제작할 수 있다.
《정전용량형 입력 장치의 제조 방법》
본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법(이하, 단지 「본 발명의 제조 방법」이라고 칭하는 경우가 있다.)은 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽과 투명 전극 패턴을 갖는 정전용량형 입력 장치의 제조 방법으로서, 상기 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽을 본 발명의 전사 재료를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조 방법에 의해서 형성되는 정전용량형 입력 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 정전용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1에 있어서 정전용량형 입력 장치(10)는 앞면판(1)과, 마스크층(2)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 투명 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 투명 보호층(7)으로 구성되어 있다.
본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법은 앞면판과 상기 앞면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(5)의 요소를 갖고, 상기 (3) 및 (5)의 요소 중 적어도 한쪽을 본 발명의 전사 재료를 이용하여 형성하는 것이 바람직하고, 상기 (3) 및 (5)의 요소를 모두 본 발명의 전사 재료를 이용하여 형성하는 것이 보다 바람직하다.
(1) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴
(2) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴
(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 투명 절연층
(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소
(5) 상기 (1)~(4)의 요소 모두 또는 일부를 피복하도록 설치된 투명 보호층
(앞면판)
앞면판(1)은 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있고, 코닝사의 고릴라 유리로 대표되는 강화 유리 등을 사용할 수 있다. 또한, 도 1에 있어서 앞면층(1)의 각 요소가 형성되어 있는 측을 비접촉면이라고 칭한다. 본 발명의 정전용량형 입력 장치(10)에 있어서는 앞면판(1)의 접촉면(비접촉면의 반대면)에 손가락 등을 접촉 등시켜서 입력이 행해진다. 이하, 앞면판을 「기재」라고 칭하는 경우가 있다.
또한, 뒤의 전사 공정에 있어서의 라미네이트에 의한 상기 투명 경화성 수지층이나 상기 감광성 수지층의 밀착성을 높이기 위해서 미리 기재(앞면판)의 비접촉면에 표면 처리를 실시할 수 있다. 상기 표면 처리로서는 실란 화합물을 이용한 표면 처리(실란 커플링 처리)를 실시하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는 감광성 수지와 상호작용하는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 실란 커플링액[N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, 신에츠카가쿠(주)제]을 샤워에 의해 20초 동안 분사하여 순수 샤워 세정한다. 이후, 가열에 의해 반응시킨다. 가열탱크를 이용해도 좋고, 라미네이터의 기판 예비 가열에 의해서도 반응을 촉진시킬 수 있다.
(투명 절연층, 투명 보호층)
도 1에 있어서, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)은 절연층(5)에 의해서 전기적으로 절연되어 있다.
또한, 도 1에 있어서는 각 구성 요소 모두를 피복하도록 투명 보호층(7)이 설치되어 있다. 투명 보호층(7)은 각 구성 요소의 일부만을 피복하도록 구성되어 있어도 좋다.
투명 절연층(5)과 투명 보호층(7)은 동일 재료여도 좋고 다른 재료여도 좋지만, 동일 재료인 것이 투명 전극 패턴의 시인성을 개선시킬 수 있는 관점이나, 투명 절연층(5)과 투명 보호층(7) 사이의 계면에 있어서의 반사를 억제시킬 수 있는 관점에서 바람직하다.
특히, 정전용량형 입력 장치가 투명 절연층(5)과 투명 보호층(7)을 모두 갖는 도 1의 구성인 경우, 투명 보호층(7)이 제 2 투명 전극 패턴(4)보다 앞면판(1)측(상측)으로 되고, 투명 절연층(5)이 제 2 투명 전극 패턴(4)보다 이면측(하측)으로 되지만, 투명 전극 패턴의 상하의 부재인 투명 절연층(5)과 투명 보호층(7)이 모두 본 발명의 전사 재료에 있어서의 상기 투명 경화성 수지층에 의해서 형성되는 것이, 투명 전극 패턴 시인성을 개선하는 관점에서 보다 바람직하다.
투명 절연층(5)과 투명 보호층(7)을 구성하는 재료는 본 발명의 전사 재료에 있어서의 상기 투명 경화성 수지층에 이용되는 재료이고, 투명 전극 패턴 시인성을 개선시킬 수 있는 것 이외에 표면 경도, 내열성이 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법에서는 투명 절연층(5) 및 투명 보호층(7)은 본 발명의 전사 재료를 사용하여 투명 경화성 수지층을 앞면판(1)에 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 투명 절연층(5)을 형성하는 경우에는 상기 투명 경화성 수지층으로서 절연성의 투명 경화성 수지층을 갖는 본 발명의 전사 재료를 사용하여 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 상기 앞면판(1)의 표면에 상기 투명 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 투명 보호층(7)을 형성하는 경우에는 투명의 투명 경화성 수지층을 갖는 본 발명의 전사 재료를 사용하여 각 요소가 형성된 상기 앞면판(1)의 표면에 투명 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
상기 투명 절연층(5)이나 투명 보호층(7)을 본 발명의 전사 재료를 이용하여 형성하면, 개구부를 갖는 기판(앞면판)이라도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누출이 없어 개구 부분 근방에서도 충분히 투명 전극 패턴 시인성을 개선시킬 수 있다.
상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 본 발명의 전사 재료를 이용하여 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 일반적으로 전사 필름을 사용하는 경우, 전사 필름의 상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층이라면 통상의 포토리소그래피 방식에 의해서 상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성할 수 있다. 또한, 전사 필름의 상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지를 포함하지 않는 경우에는 하프 커팅에 의한 전사 방법에 의해서 상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법에서는 포토리소그래피 방식이 바람직하다.
(1) 포토리소그래피
포토리소그래피 방식을 이용하여 상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성하는 경우에 대해서 패터닝 방법을 설명한다.
본 발명의 전사 재료는 기재(앞면판)에 라미네이트된 후 필요한 패턴 형태로 노광되고, 네거티브형 재료의 경우에는 비노광 부분, 포지티브형 재료의 경우에는 노광 부분을 현상 처리하여 제거함으로써 패턴을 얻을 수 있다. 이 때, 현상은 열가소성 수지층과 광경화성 수지층을 별도의 액으로 현상 제거해도 좋고, 동일한 액으로 제거해도 좋다. 필요에 따라서, 브러시나 고압 제트 등의 공지의 현상 설비를 조합해도 좋다. 현상 후, 필요에 따라서 포스트 노광, 포스트 베이킹을 행해도 좋다.
상기 투명 경화성 수지층이 광경화성 수지층을 갖는 경우에 상기 투명 경화성 수지층 패턴을 형성하는 방법은 본 발명의 전사 재료로부터 상기 보호 필름을 제거하는 보호 필름 제거 공정과, 상기 보호 필름이 제거된 본 발명의 전사 재료의 상기 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정과, 기재 상에 전사된 상기 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 노광하는 노광 공정과, 노광된 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 현상하여 패턴 화상을 얻는 현상 공정을 갖는 방법이 예시된다. 이 경우, 상기 전사 공정 후에 전사된 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 포스트 노광하는 공정을 더 갖는 것이 바람직하다.
-전사 공정-
상기 전사 공정은 상기 보호 필름이 제거된 본 발명의 전사 재료의 상기 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 공정이다.
이 때, 본 발명의 전사 재료의 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 기재에 라미네트 후 가지지체를 제거함으로써 행하는 방법이 바람직하다.
광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층의 기재 표면으로의 전사(접합)는 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 기재 표면에 겹쳐서 가압, 가열함으로써 행해진다. 접합에는 라미네이터, 진공 라미네이터, 및 보다 생산성을 높일 수 있는 오토컷 라미네이터 등의 공지의 라미네이터를 사용할 수 있다.
-노광 공정, 현상 공정 및 기타 공정-
상기 노광 공정, 현상 공정 및 기타 공정의 예로서는 일본 특허 공개 2006-23696호 공보의 단락번호[0035]~단락번호[0051]에 기재된 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 사용할 수 있다.
상기 노광 공정은 기재 상에 전사된 상기 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 노광하는 공정이다.
구체적으로는, 상기 기재 상에 형성된 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층의 위쪽에 소정의 마스크를 배치하고, 그 후 그 마스크, 열가소성 수지층 및 중간층을 통해서 마스크 위쪽으로부터 노광하는 방법이 예시된다.
여기서, 상기 노광의 광원으로서는 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 경화할 수 있는 파장 영역의 광(예를 들면, 365㎚, 405㎚ 등)을 조사할 수 있는 것이라면 적절히 선정하여 사용할 수 있다. 구체적으로는 초고압 수은등, 고압 수은등, 메탈할라이드 램프 등이 예시된다. 노광량으로서는 통상 5~200mJ/㎠ 정도이며, 바람직하게는 10~100mJ/㎠ 정도이다.
상기 현상 공정은 노광된 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층을 현상하는 공정이다.
상기 현상은 현상액을 이용하여 행할 수 있다. 상기 현상액으로서는 특별히 제약은 없고, 일본 특허 공개 평5-72724호 공보에 기재된 것 등, 공지의 현상액을 사용할 수 있다. 또한, 현상액은 광경화성 수지층이 용해형의 현상 거동을 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 pKa=7~13의 화합물을 0.05~5mol/L의 농도로 포함하는 것이 바람직하지만, 물과 혼화성을 갖는 유기용제를 소량 더 첨가해도 좋다. 물과 혼화성을 갖는 유기용제로서는 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 1-프로판올, 부탄올, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 벤질알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, ε-카프로락톤, γ-부티로락톤, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 헥사메틸포스포아미드, 락트산 에틸, 락트산 메틸, ε-카프로락탐, N-메틸피롤리돈 등을 예시할 수 있다. 그 유기용제의 농도는 0.1질량%~30질량%가 바람직하다. 또한, 상기 현상액에는 공지의 계면활성제를 더 첨가할 수 있다. 계면활성제의 농도는 0.01질량%~10질량%가 바람직하다.
상기 현상의 방식으로서는 패들 현상, 샤워 현상, 샤워＆스핀 현상, 디핑 현상 등 어느 것이어도 좋다. 여기서, 상기 샤워 현상에 대해서 설명하면 노광 후의 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층에 현상액을 샤워에 의해 분사함으로써 미경화 부분을 제거할 수 있다. 또한, 열가소성 수지층이나 중간층을 형성한 경우에는 현상 전에 광경화성 수지를 포함하는 투명 경화성 수지층의 용해성이 낮은 알칼리성 액을 샤워 등에 의해 분사하여 열가소성 수지층, 중간층 등을 제거해 두는 것이 바람직하다. 또한, 현상 후에 세정제 등을 샤워에 의해 분사하고, 브러시 등으로 문지르면서 현상 잔사를 제거하는 것이 바람직하다. 현상액의 액온도는 20℃~40℃가 바람직하고, 또한 현상액의 pH는 8~13이 바람직하다.
본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법은 포스트 노광 공정, 포스트 베이킹 공정 등, 기타 공정을 갖고 있어도 좋다.
또한, 패터닝 노광은 가지지체를 박리하고나서 행해도 좋고, 가지지체를 박리하기 전에 노광하고, 그 후 가지지체를 박리해도 좋다. 마스크를 통한 노광이어도 좋고, 레이저 등을 이용한 디지털 노광이어도 좋다.
(2) 하프 커팅에 의한 전사
하프 커팅에 의한 전사 방법에서는, 우선 투명 경화성 수지층의 화상부와 비화상부의 경계를 면도칼 등에 의해 프리커팅 후 비화상부의 보호 필름, 투명 경화성 수지층 및 중간층을 테이프로 제거하고, 또한 화상부의 보호 필름을 마찬가지로 제거하여 기판에 투명 경화성 수지층 패턴을 전사하는 것이 바람직하다.
계속해서, 현상에 의해 열가소성 수지층과 중간층을 제거함으로써 투명 경화성 수지층 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
필요에 따라서, 브러시나 고압 제트 등의 공지의 현상 설비를 조합해도 좋다. 현상 후, 필요에 따라서 포스트 노광, 포스트 베이킹을 행해도 좋고, 포스트 베이킹을 행하는 것이 바람직하다.
하프 커팅에 의한 전사 방법은, 상기 본 발명의 전사 필름의 일부에 상기 투명 경화성 수지층을 관통하고 또한 상기 가지지체를 관통하지 않는 깊이의 절개를 넣는 공정과, 상기 절개에 의해서 둘러싸인 영역 중 적어도 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거하는 공정과, 상기 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거한 후의 상기 전사 필름을 이용하여 상기 투명 경화성 수지층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전사 필름의 일부에 상기 투명 경화성 수지층을 관통하고 또한 상기 가지지체를 관통하지 않는 깊이의 절개를 넣는 공정을 투명 경화성 수지층 중 전사하는 화상부를 미리 프리커팅하는 공정이라고도 한다. 또한, 이러한 깊이의 절개를 넣는 것을 하프 커팅이라고도 한다.
상기 절개에 의해서 둘러싸인 영역 중 적어도 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거하는 공정을 전사하지 않는 비화상부의 투명 경화성 수지층을 제거하는 공정이라고도 한다.
또한, 본 발명의 전사 필름이 보호 필름이나 중간층이나 열가소성 수지층을 포함하는 경우, 상기 절개에 의해서 둘러싸인 영역 중 적어도 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거하는 공정은 비화상부의 보호 필름 및 투명 경화성 수지층, 및 화상부의 보호 필름을 제거하는 공정인 것이 바람직하다.
상기 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거한 후의 상기 전사 필름을 이용하여 상기 투명 경화성 수지층을 형성하는 공정을 상기 화상부의 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정이라고도 한다.
또한, 본 발명의 전사 필름이 보호 필름이나 중간층이나 열가소성 수지층을 포함하는 경우, 상기 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거한 후의 상기 전사 필름을 이용하여 상기 투명 경화성 수지층을 형성하는 공정은 상기 보호 필름이 제거된 상기 전사 필름의 상기 화상부의 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거한 후의 상기 전사 필름을 이용하여 상기 투명 경화성 수지층을 형성하는 공정은 기재 상에 전사된 가지지체를 박리하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 일부 영역의 상기 투명 경화성 수지층을 제거한 후의 상기 전사 필름을 이용하여 상기 투명 경화성 수지층을 형성하는 공정은 열가소성 수지층과 중간층을 제거하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조 방법은 본 발명의 전사 필름의 투명 경화성 수지층 중 전사하는 화상부를 미리 프리커팅하는 공정과, 비화상부의 보호 필름 및 투명 경화성 수지층, 및 화상부의 보호 필름을 제거하는 공정과, 상기 보호 필름이 제거된 상기 전사 필름의 상기 화상부의 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정과, 기재 상에 전사된 가지지체를 박리하는 공정과, 열가소성 수지층과 중간층을 제거하는 공정을 갖는 방법이 보다 바람직하다.
-프리커팅 공정-
통상의 포토리소그래피 방식에 의해 화상 형성하지 않는 경우, 전사 이전에 투명 경화성 수지층에 화상부를 형성할 필요가 있다. 상기 전사 필름의 일부에 상기 투명 경화성 수지층을 관통하고 또한 상기 가지지체를 관통하지 않는 깊이의 절개를 넣는 공정(프리커팅 공정)에 대해서 이하 설명한다.
상기 절개를 넣는 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 칼, 레이저 등 임의의 방식으로 절개를 넣을 수 있고, 칼로 절개를 넣는 것이 바람직하다. 또한, 칼의 구조는 특별히 한정되는 것은 아니다.
상기 전사 필름이, 예를 들면 가지지체, 열가소성 수지층, 중간층, 투명 경화성 수지층, 보호 필름의 순으로 적층되어 구성될 때, 예를 들면 칼 또는 레이저를 이용하여 보호 필름의 위에서부터 보호 필름, 투명 경화성 수지층, 중간층을 관통하여 열가소성 수지층의 일부에까지 도달하는 절개를 넣음으로써 전사하는 화상부와 전사하지 않는 비화상부 사이를 분리할 수 있다.
-비화상부의 투명 경화성 수지층을 제거하는 공정-
프리커팅한 투명 경화성 수지층의 화상부를 선택적으로 기판에 전사하기 위해서는 비화상부를 전사시키지 않는 고안이 필요해진다. 하나의 방법은 전사 전에 비화상부의 투명 경화성 수지층을 제거하는 방법이고, 보호 필름을 제거한 후 비화상부의 투명 경화성 수지층과 중간층을 동시에 박리하는 방법이다. 다른 하나는 비화상부 상의 보호 필름을 박리하고, 계속해서 투명 경화성 수지층과 중간층을 동시에 박리하고, 또한 화상부 상의 보호 필름을 박리하는 방법이다. 투명 경화성 수지층의 화상부를 전사 직전까지 보호하는 관점에서 후자의 쪽이 바람직하다.
-기타 공정-
보호 필름을 제거하는 공정과, 상기 보호 필름이 제거된 상기 전사 필름의 상기 화상부의 투명 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정과, 기판 상에 전사된 가지지체를 박리하는 공정과, 열가소성 수지층과 중간층을 제거하는 공정에 대해서는 포토리소그래피 방식과 마찬가지이다.
(마스크층)
본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법은 마스크층을 형성하는 공정을 더 갖는 것도 바람직하다.
도 1의 앞면판(1)의 비접촉면 상에는 마스크층(2)이 형성되어 있다. 마스크층(2)은 터치 패널 앞면판의 비접촉측에 형성된 표시 영역 주위의 프레임 형상의 패턴이며, 라우팅 배선 등이 보이지 않도록 하기 위해서 형성된다.
본 발명의 정전용량형 입력 장치(10)에는 도 2에 나타낸 바와 같이 앞면판(1)의 일부 영역(도 2에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 피복하도록 마스크층(2)이 형성되어 있다. 또한, 앞면판(1)에는 도 2에 나타낸 바와 같이 일부에 개구부(8)를 형성할 수 있다. 개구부(8)에는 압박에 의한 메커니컬한 스위치를 설치할 수 있다.
상기 정전용량형 입력 장치의 제조 방법은 마스크층(2) 등의 상기 (3) 및 (5)의 요소 이외의 층을 형성하는 방법에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 가지지체와 광경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성하는 것이 바람직하고, 가지지체와 열가소성 수지층과 광경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 상기 감광성 필름으로서 본 발명의 전사 재료를 이용해도 좋고, 본 발명의 전사 재료 이외의 감광성 필름을 사용해도 좋다.
상기 마스크층(2)을 상기 감광성 필름을 이용하여 광경화성 수지층을 앞면판(1)에 전사함으로써 형성하는 공정의 바람직한 범위는 상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성하는 방법에 있어서의 포토리소그래피 방식에 있어서의 각 공정의 바람직한 범위와 마찬가지이다.
여기서, 상기 마스크층(2)이나 후술의 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 도전성 요소(6) 등의 영구재를 상기 포토리소그래피 방식에 의해서 형성하는 경우에 사용되는 상기 감광성 필름의 바람직한 형태로서는, 본 발명의 전사 재료에 있어서의 상기 투명 경화성 수지층 대신에 임의의 기능을 갖는 광경화성 수지층을 형성한 것을 예시할 수 있다. 또한, 상기 감광성 필름에 있어서의 광경화성 수지층 이외의 층의 바람직한 범위는 본 발명의 전사 재료에 있어서의 상기 투명 경화성 수지층 이외의 층의 바람직한 범위와 마찬가지이다.
상기 마스크층(2)의 형성에 상기 감광성 필름을 사용하는 경우에는 광경화성 수지층에 착색제를 함유시키는 것이 바람직하다.
마스크층(2)을 상기 감광성 필름을 사용하여 형성하면, 개구부를 갖는 기판(앞면판)이어도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누출이 없고, 앞면판의 경계 한도까지 차광 패턴을 형성할 필요가 있는 마스크층에서의 유리 끝으로부터의 레지스트 성분의 돌출이 없기 때문에 기판 이면측을 오염시키는 일 없이, 간략한 공정으로 박층/경량화의 이점이 있는 터치 패널의 제조가 가능해진다.
또한, 차광성이 필요한 마스크층(2)의 형성에 광경화성 수지층과 가지지체 사이에 열가소성 수지층을 갖는 특정의 층구성을 갖는 상기 감광성 필름을 사용함으로써 감광성 필름 라미네이트시의 기포 발생을 방지하고, 광 누출이 없는 고품질의 마스크층(2)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 감광성 필름을 사용하여 마스크층을 형성하는 경우에는 광경화성 수지층에 착색제를 사용할 수 있다. 상기 착색제로서는 공지의 착색제(유기 안료, 무기 안료, 염료 등)를 적합하게 사용할 수 있다.
상기 마스크층은 흑색 마스크층 또는 백색 마스크층(가식층이라고 하는 경우도 있다)인 것이 바람직하다. 예를 들면, 흑색 마스크층(2)을 형성하는 경우에는 상기 광경화성 수지층으로서 흑색 광경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 상기 앞면판(1)의 표면에 상기 흑색 광경화성 수지층을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 흑색 착색제 이외에 적색, 청색, 녹색 등의 안료의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
상기 광경화성 수지층을 흑색 마스크층으로서 사용하는 경우에는 광학 농도의 관점에서 흑색 착색제를 포함하는 것이 바람직하다. 흑색 착색제로서는, 예를 들면 카본블랙, 티타늄카본, 산화철, 산화티타늄, 흑연 등이 예시되고, 그 중에서도 카본블랙이 바람직하다.
상기 광경화성 수지층을 백색 마스크층으로서 이용하는 경우에는 일본 특허 공개 2005-7765호 공보의 단락[0015]이나 단락[0114]에 기재된 화이트 안료를 사용할 수 있다.
상기 광경화성 수지층을 기타 색의 마스크층으로서 사용하기 위해서는, 일본 특허 제4546276호 공보의 단락[0183]~단락[0185] 등에 기재된 안료 또는 염료를 혼합하여 사용해도 좋다. 구체적으로는 일본 특허 공개 2005-17716호 공보의 단락번호[0038]~단락번호[0054]에 기재된 안료 및 염료, 일본 특허 공개 2004-361447호 공보의 단락번호[0068]~단락번호[0072]에 기재된 안료, 일본 특허 공개 2005-17521호 공보의 단락번호[0080]~단락번호[0088]에 기재된 착색제 등을 적합하게 사용할 수 있다.
상기 착색제(바람직하게는 안료, 보다 바람직하게는 카본블랙)는 분산액으로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 분산액은 상기 착색제와 안료 분산제를 미리 혼합하여 얻어지는 조성물을 후술하는 유기용매(또는 비히클)에 첨가하여 분산시킴으로써 조제할 수 있다. 상기 비히클이란 도료가 액체 상태로 있을 때에 안료를 분산시키고 있는 매질의 부분을 말하며, 액상이고 상기 안료와 결합하여 도포막을 형성하는 성분(바인더)과 이것을 용해 희석하는 성분(유기용매)을 포함한다.
상기 안료를 분산시킬 때에 사용되는 분산기로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 아사쿠라 쿠니조저, 「안료의 사전」, 제1판, 아사쿠라 쇼텐, 2000년, 438페이지에 기재되어 있는 니더, 롤밀, 아트라이터(attritor), 수퍼밀, 디졸버, 호모믹서, 샌드밀 등의 공지의 분산기가 예시된다. 또한, 상기 문헌 310페이지 기재의 기계적 마쇄에 의해 마찰력을 이용하여 미분쇄해도 좋다.
상기 착색제는 분산 안정성의 관점에서 수 평균 입경 0.001㎛~0.1㎛의 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.08㎛의 것이 더욱 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 「입경」이란 입자의 전자 현미경 사진 화상을 동면적의 원으로 했을 때의 직경을 말하고, 또한 「수 평균 입경」이란 다수의 입자에 대해서 상기 입경을 구하고, 이 100개의 평균값을 말한다.
착색제를 포함하는 광경화성 수지층의 층두께는 다른층의 두께차의 관점에서 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛가 특히 바람직하다. 상기 착색제를 포함하는 광경화성 수지층의 고형분 중의 착색제의 함유율로서는 특별히 제한은 없지만, 충분히 현상 시간을 단축하는 관점에서 15~70질량%인 것이 바람직하고, 20~60질량%인 것이 보다 바람직하고, 25~50질량%인 것이 더욱 바람직하다.
본 명세서에서 말하는 전체 고형분이란 착색제를 포함하는 광경화성 수지층으로부터 용제 등을 제외한 불휘발 성분의 총질량을 의미한다.
(제 1 및 제 2 투명 전극 패턴, 도전성 요소)
앞면판(1)의 접촉면에는 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 전기적으로 절연되고 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 전기적으로 절연하는 투명 절연층(5)이 형성되어 있다. 상기 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이러한 금속막으로서는 ITO막; Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막; SiO2 등의 금속 산화물 등이 예시된다. 이 때, 각 요소의 막두께는 10~200㎚로 할 수 있다. 또한, 소성에 의해 비정질의 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 위해 전기적 저항을 저감할 수도 있다. 또한, 상기 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는 상기 도전성 섬유를 이용한 광경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 제조할 수도 있다. 기타, ITO 등에 의해서 제 1 도전성 패턴 등을 형성하는 경우에는 일본 특허 제4506785호 공보의 단락[0014]~단락[0016] 등을 참고로 할 수 있다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽은 앞면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측 면의 양쪽의 영역에 걸쳐서 설치할 수 있다. 도 1에 있어서는 제 2 투명 전극 패턴이 앞면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측 면의 양쪽의 영역에 걸쳐서 설치되어 있는 도면이 나타내어져 있다. 이와 같이, 일정한 두께가 필요한 마스크층과 앞면판 이면에 걸쳐서 감광성 필름을 라미네이트하는 경우라도, 상기 감광성 필름을 이용함으로써 진공 라미네이터 등의 고가인 설비를 사용하지 않아도 간단한 공정으로 마스크 부분 경계에 기포의 발생이 없는 라미네이트가 가능해진다.
도 3을 사용하여 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 정전용량형 입력 장치에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 예를 나타내는 설명도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 전극 패턴(3)은 패드 부분(3a)이 접속 부분(3b)을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있다. 또한, 제 2 투명 전극 패턴(4)은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 절연층(5)에 의해서 전기적으로 절연되어 있고, 제 1 방향에 교차하는 방향(도 3에 있어서의 제 2 방향)으로 연장해서 형성되는 복수의 패드 부분에 의해서 구성되어 있다. 여기서, 제 1 투명 전극 패턴(3)을 형성하는 경우, 상기 패드 부분(3a)과 접속 부분(3b)을 일체로 해서 제작해도 좋고, 접속 부분(3b)만을 제작하여 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 일체로 해서 제작(패터닝)해도 좋다. 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 일체로 해서 제작(패터닝)하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 접속 부분(3b)의 일부와 패드 부분(3a)의 일부가 연결되고, 또한 절연층(5)에 의해서 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 전기적으로 절연되도록 각 층이 형성된다.
도 1에 있어서, 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측의 면측에는 도전성 요소(6)가 설치되어 있다. 도전성 요소(6)는 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 또한 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)과는 다른 요소이다. 도 1에 있어서는 도전성 요소(6)가 제 2 투명 전극 패턴(4)에 접속되어 있는 도면이 나타내어져 있다.
상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 도전성 요소(6)는, (1) 도전성 광경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 이용하여 형성하거나, (2) 에칭 처리에 의해 형성할 수 있다.
(1) 도전성 광경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 이용하는 방법
도전성 광경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용하여 상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성하는 경우, 상기 앞면판(1)의 표면에 상기 도전성 광경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
상기 제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 상기 도전성 광경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 이용하여 형성하면, 개구부를 갖는 기판(앞면판)이라도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누출이 없고, 기판 이면을 오염시키는 일 없이 간략한 공정으로 박층/경량화의 이점이 있는 터치 패널의 제조가 가능해진다.
상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 상기 감광성 필름을 이용하여 광경화성 수지층을 앞면판에 전사함으로써 형성하는 공정의 바람직한 범위는 상기 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성하는 방법에 있어서의 포토리소그래피 방식에 있어서의 각 공정의 바람직한 범위와 마찬가지이다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 등의 형성에 도전성 광경화성 수지층과 가지지체 사이에 열가소성 수지층을 갖는 특정의 층구성을 갖는 상기 감광성 필름을 사용함으로써 상기 감광성 필름 라미네이트시의 기포 발생을 방지하여 도전성이 우수하고 저항이 적은 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성할 수 있다.
상기 도전성 광경화성 수지층을 적층한 감광성 필름을 사용하여 상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴, 또는 다른 도전성 요소를 형성하는 경우에는 이하의 도전성 섬유 등을 광경화성 수지층에 이용할 수 있다.
도전성 섬유의 구조로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만 중실 구조 및 중공 구조 중 어느 하나가 바람직하다.
여기서, 중실 구조의 섬유를 「와이어」라고 칭하는 경우가 있고, 중공 구조의 섬유를 「튜브」라고 칭하는 경우가 있다. 또한, 평균 단축 길이가 5㎚~1,000㎚ 이고, 평균 장축 길이가 1㎛~100㎛인 도전성 섬유를 「나노와이어」라고 칭하는 경우가 있다.
또한, 평균 단축 길이가 1㎚~1,000㎚, 평균 장축 길이가 0.1㎛~1,000㎛이고, 중공 구조를 갖는 도전성 섬유를 「나노튜브」라고 칭하는 경우가 있다.
상기 도전성 섬유의 재료로서는 도전성을 갖고 있다면 특별히 제한은 없고 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 금속 및 카본 중 적어도 어느 하나가 바람직하고, 이들 중에서도 상기 도전성 섬유는 금속 나노와이어, 금속 나노튜브 및 카본나노튜브 중 적어도 어느 하나가 특히 바람직하다.
--금속 나노와이어--
-금속-
상기 금속 나노와이어의 재료로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 장주기율표(IUPAC1991)의 제 4 주기, 제 5 주기 및 제 6 주기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속이 바람직하고, 제 2족~제 14족에서 선택되는 적어도 1종의 금속이 보다 바람직하고, 제 2족, 제 8족, 제 9족, 제 10족, 제 11족, 제 12족, 제 13족 및 제 14족에서 선택되는 적어도 1종의 금속이 더욱 바람직하고, 주성분으로서 포함하는 것이 특히 바람직하다.
상기 금속으로서는, 예를 들면 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오븀, 탄탈, 티타늄, 비스무트, 안티몬, 납, 이것들의 합금 등이 예시된다. 이들 중에서도 도전성이 우수한 점에서 은을 주로 함유하는 것, 또는 은과 은 이외의 금속의 합금을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 은을 주로 함유하는 것이란 금속 나노와이어 중에 은을 50질량% 이상, 바람직하게는 90질량% 이상 함유하는 것을 의미한다.
상기 은과의 합금에서 사용하는 금속으로서는 백금, 오스뮴, 팔라듐 및 이리듐 등이 예시된다. 이것들은 1종 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 병용해도 좋다.
-형상-
상기 금속 나노와이어의 형상으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 원기둥 형상, 직육면체 형상, 단면이 다각형으로 되는 기둥 형상 등 임의의 형상을 취할 수 있지만, 높은 투명성이 필요로 되는 용도에서는 원기둥 형상, 단면이 다각형인 모서리가 둥글게 되어 있는 단면 형상이 바람직하다.
상기 금속 나노와이어의 단면 형상은 기판 상에 금속 나노와이어 수분산액을 도포하고, 단면을 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 관찰함으로써 조사할 수 있다.
상기 금속 나노와이어의 단면의 각이란 단면의 각 변을 연장하고 인접하는 변으로부터 내린 수선과 만나는 점의 주변부를 의미한다. 또한, 「단면의 각 변」이란 이것들의 인접하는 모서리와 모서리를 연결한 직선으로 한다. 이 경우, 상기 「단면의 각 변」의 합계 길이에 대한 상기 「단면의 외주 길이」와의 비율을 예리도(銳利度)라고 했다. 예리도는, 예를 들면 도 9에 나타낸 바와 같은 금속 나노와이어 단면에서는 실선으로 나타낸 단면의 외주 길이와 점선으로 나타낸 오각형의 외주 길이의 비율로 나타낼 수 있다. 이 예리도가 75% 이하인 단면 형상을 모서리가 둥근 단면 형상으로 정의한다. 상기 예리도는 60% 이하가 바람직하고, 50% 이하가 보다 바람직하다. 상기 예리도가 75%를 초과하면, 그 모서리에 전자가 국재(局在)되어 플라스몬 흡수가 증가되기 때문인지 황색만이 남거나 하여 투명성이 악화되어 버리는 경우가 있다. 또한, 패턴의 엣지부의 직선성이 저하되고, 덜컹거림이 생겨버리는 경우가 있다. 상기 예리도의 하한은 30%가 바람직하고, 40%가 보다 바람직하다.
-평균 단축 길이 지름 및 평균 장축 길이-
상기 금속 나노와이어의 평균 단축 길이(「평균 단축 지름」, 「평균 직경」이라고 칭하는 경우가 있다)로서는 150㎚ 이하가 바람직하고, 1㎚~40㎚가 보다 바람직하고, 10㎚~40㎚가 더욱 바람직하고, 15㎚~35㎚가 특히 바람직하다.
상기 평균 단축 길이가 1㎚ 미만이면, 내산화성이 악화되어 내구성이 나빠지는 경우가 있고, 150㎚를 초과하면 금속 나노와이어 기인의 산란이 생겨 충분한 투명성을 얻을 수 없는 경우가 있다.
상기 금속 나노와이어의 평균 단축 길이는 투과형 전자 현미경(TEM; 닛폰덴시(주)제, JEM-2000FX)을 이용하여 300개의 금속 나노와이어를 관찰하고, 그 평균값으로부터 금속 나노와이어의 평균 단축 길이를 구했다. 또한, 상기 금속 나노와이어의 단축이 원형이 아닌 경우의 단축 길이는 가장 긴 것을 단축 길이로 했다.
*상기 금속 나노와이어의 평균 장축 길이(「평균 길이」라고 칭하는 경우가 있다)로서는 1㎛~40㎛가 바람직하고, 3㎛~35㎛가 보다 바람직하고, 5㎛~30㎛가 더욱 바람직하다.
상기 평균 장축 길이가 1㎛ 미만이면 조밀한 네트워크를 형성하는 것이 곤란하여 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 40㎛를 초과하면 금속 나노와이어가 지나치게 길어서 제조시에 얽혀서 제조 공정에서 응집물이 생겨버리는 경우가 있다.
상기 금속 나노와이어의 평균 장축 길이는, 예를 들면 투과형 전자 현미경(TEM: 닛폰덴시(주)제, JEM-2000FX)을 이용하여 300개의 금속 나노와이어를 관찰 하고, 그 평균값으로부터 금속 나노와이어의 평균 장축 길이를 구했다. 또한, 상기 금속 나노와이어가 휘어져 있는 경우, 그것을 호(弧)로 하는 원을 고려하여 그 반경 및 곡률로부터 산출되는 값을 장축 길이로 했다.
도전성 광경화성 수지층의 층두께는 도포액의 안정성이나 도포시의 건조나 패터닝시의 현상 시간 등의 프로세스 적성의 관점에서 0.1~20㎛가 바람직하고, 0.5~18㎛가 더욱 바람직하고, 1~15㎛가 특히 바람직하다. 상기 도전성 광경화성 수지층의 전체 고형분에 대한 상기 도전성 섬유의 함유량은 도전성과 도포액의 안정성의 관점에서 0.01~50질량%가 바람직하고, 0.05~30질량%가 더욱 바람직하고, 0.1~20질량%가 특히 바람직하다.
또한, 상기 감광성 필름을 리프트 오프재로서 사용하여 제 1 투명 전극층, 제 2 투명 전극층 및 기타 도전성 부재를 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 감광성 필름을 이용하여 패터닝한 후에 기재 전면에 투명 도전층을 형성한 후 퇴적된 투명 도전층마다 상기 광경화성 수지층의 용해 제거를 행함으로써 소망의 투명 도전층 패턴을 얻을 수 있다(리프트 오프법).
(2) 에칭 처리를 이용하는 방법
에칭 처리에 의해서 상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성하는 경우, 우선 마스크층(2) 등이 형성된 앞면판(1)의 비접촉면 상에 ITO 등의 투명 전극층을 스퍼터링에 의해서 형성한다. 이어서, 상기 투명 전극층 상에 상기 광경화성 수지층으로서 에칭용 광경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 이용해 노광·현상에 의해서 에칭 패턴을 형성한다. 그 후, 투명 전극층을 에칭하여 투명 전극을 패터닝하고, 에칭 패턴을 제거함으로써 제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 형성할 수 있다.
상기 감광성 필름을 에칭 레지스트(에칭 패턴)로서 이용하는 경우에도 상기 도전성 광경화성 수지층을 이용하는 방법과 마찬가지로 해서 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 상기 에칭은 일본 특허 공개 2010-152155호 공보의 단락[0048]~단락[0054] 등에 기재된 공지의 방법에 의해 에칭, 레지스트 박리를 적용할 수 있다.
예를 들면, 에칭의 방법으로서는 일반적으로 행해지고 있는 에칭액에 침지하는 습식 에칭법이 예시된다. 습식 에칭에 사용되는 에칭액은 에칭의 대상에 맞춰서 산성 타입 또는 알칼리성 타입의 것을 적절히 선택하면 된다. 산성 타입의 에칭액으로서는 염산, 황산, 불산, 인산 등의 산성 성분 단독의 수용액, 산성 성분과 염화제2철, 불화암모늄, 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 산성 성분은 복수의 산성 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다. 또한, 알칼리성 타입의 에칭액으로서는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아, 유기 아민, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드와 같은 유기 아민의 염 등의 알칼리 성분 단독의 수용액, 알칼리 성분과 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 알칼리 성분은 복수의 알칼리 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다.
에칭액의 온도는 특별히 한정되지 않지만, 45℃ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에서 에칭 마스크(에칭 패턴)로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 광경화성 수지층을 사용하여 형성됨으로써 이러한 온도 영역에 있어서의 산성 및 알칼리성의 에칭액에 대하여 특히 우수한 내성을 발휘한다. 따라서, 에칭 공정 중에 수지 패턴이 박리되는 것이 방지되고, 수지 패턴이 존재하지 않는 부분이 선택적으로 에칭되게 된다.
상기 에칭 후 라인 오염을 방지하기 위해서 필요에 따라서 세정 공정·건조 공정을 행해도 좋다. 세정 공정에 대해서는, 예를 들면 상온에서 순수에 의해 10~300초 동안 기재를 세정하여 행하고, 건조 공정에 대해서는 에어 블로우를 사용하여 에어 블로우압(0.1~5kg/㎠ 정도)을 적절히 조정하여 행하면 된다.
이어서, 수지 패턴의 박리 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 30~80℃, 바람직하게는 50~80℃에서 교반 중의 박리액에 기재를 5~30분 동안 침지하는 방법이 예시된다. 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 바와 같이 45℃ 이하에 있어서 우수한 약액내성을 나타내는 것이지만, 약액온도가 50℃ 이상으로 되면 알칼리성 박리액에 의해 팽윤되는 성질을 나타낸다. 이러한 성질에 의해 50~80℃의 박리액을 사용하여 박리 공정을 행하면 공정 시간이 단축되고, 수지 패턴의 박리 잔사가 적어진다고 하는 이점이 있다. 즉, 상기 에칭 공정과 박리 공정 사이에서 약액온도에 차를 형성함으로써 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 에칭 공정에 있어서 양호한 약액내성을 발휘하는 한편, 박리 공정에 있어서 양호한 박리성을 나타냄으로써 약액내성과 박리성이라고 하는 상반되는 특성을 양쪽 모두 충족시킬 수 있다.
박리액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 무기 알칼리 성분이나 제3급 아민, 제4급 암모늄염 등의 유기 알칼리 성분을 물, 디메틸술폭시드, N-메틸피롤리돈, 또는 이것들의 혼합 용액에 용해시킨 것이 예시된다. 상기 박리액을 사용하여 스프레이법, 샤워법, 패들법 등에 의해 박리해도 좋다.
본 발명의 제조 방법의 과정에서 형성되는 정전용량형 입력 장치의 형태예로서, 도 4~도 8의 형태를 예시할 수 있다. 도 4는 개구부(8)가 형성된 강화 처리 유리(11)의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 5는 마스크층(2)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 6은 제 1 투명 전극 패턴(3)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 7은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(6)가 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 이것들은 상기 설명을 구체화한 예를 나타내는 것이며, 본 발명의 범위는 이들 도면에 의해 한정적으로 해석되는 것은 아니다.
《정전용량형 입력 장치 및 정전용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치》
본 발명의 제조 방법에 의해서 얻어지는 정전용량형 입력 장치 및 상기 정전용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치는, 『최신 터치 패널 기술』(2009년 7월 6일 발행 (주)테크노타임즈), 미타니 유지 감수, "터치 패널의 기술과 개발", 씨엠씨 슈판(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트북, Cypress Semiconductor Corporation 애플리케이션 노트 AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.
실시예
이하에 실시예와 비교예를 예시하여 본 발명의 특징을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의해 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다. 또한, 특별히 명시하지 않는 한 「%」 및 「부」는 질량 기준이다.
＜비교예 1 및 실시예 1~실시예 10＞
[전사 재료의 조제]
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 이용하여 하기 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 하기 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 또한, 하기 표 1에 기재된 처방으로 이루어지는 투명 경화성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이와 같이 해서 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 광학 농도가 4.0으로 되도록 건조 막두께가 2.2㎛인 투명 경화성 수지층을 형성하고, 최후로 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와, 열가소성 수지층과, 중간층(산소 차단막)과, 투명 경화성 수지층이 일체로 된 전사 재료를 제작하고, 각 실시예 및 비교예의 전사 재료(투명 경화성 수지층 형성용 감광성 필름)로 했다(투명 경화성 수지층의 막두께는 1.4㎛).
(열가소성 수지층용 도포액: 처방 H1)
·메탄올 : 11.1질량부
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 6.36질량부
·메틸에틸케톤 : 52.4질량부
·메틸메타크릴레이트/2-에틸헥실아크릴레이트/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체[공중합 조성비(몰비)=55/11.7/4.5/28.8, 분자량=100,000, Tg≒70℃]: 5.83질량부
·스티렌/아크릴산 공중합체[공중합 조성비(몰비)=63/37, 중량 평균 분자량=10,000, Tg≒100℃] : 13.6질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, 신나카무라카가쿠고교(주)제) : 9.1질량부
·불소계 폴리머 : 0.54질량부
상기 불소계 폴리머는 C6F13CH2CH2OCOCH=CH2 40부와 H(OCH(CH3)CH2)7OCOCH=CH2 55부와 H(OCHCH2)7OCOCH=CH2 5부의 공중합체이고, 중량 평균 분자량 30,000, 메틸에틸케톤 30질량% 용액인(상품명: 메가팩 F780F, 다이니폰잉크카가쿠고교(주)제) 열가소성 수지층용 도포액 H1의 용제 제거 후의 110℃에 있어서의 점도(ηc)를 측정하여 하기 표 1에 기재했다.
(중간층용 도포액: 처방 P1)
·폴리비닐알코올 : 32.2질량부
(상품명: PVA205, (주)쿠라레제, 비누화도=88%, 중합도 550)
·폴리비닐피롤리돈 : 14.9질량부
(상품명: K-30, 아이에스피 재팬(주)제)
·증류수 : 524질량부
·메탄올 : 429질량부
(투명 경화성 수지층용 도포액)
이하의 표 1에 기재된 조성으로 되도록 각 성분을 혼합하여 투명 경화성 수지층용 도포액을 얻었다. 투명 경화성 수지층용 도포액의 용제 제거 후의 110℃에 있어서의 점도(ηa)를 측정하여 하기 표 1에 기재했다. 또한, ηa/ηc의 값을 계산하여 하기 표 1에 기재했다.
하기 표 1 중, TiO2 분산액-A의 조제는 이하의 방법에 의해 행했다.
(1) 이산화티타늄 분산액(분산 조성물)의 조제
하기 조성의 혼합액에 대해 순환형 분산 장치(비즈밀)로서 코토부키고교가부시키가이샤제 울트라 아펙스밀(상품명)을 사용하여 이하와 같이 해서 분산 처리를 행하여 분산 조성물로서 이산화티타늄 분산액을 얻었다.
(조성)
·이산화티타늄(이시하라산교(주)제, 상품명: TTO-51(C)) : 150부
·하기 특정 수지 1 : 40부
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 250부
Figure pat00001
상기 화학식으로 대표되는 특정 수지 1에 있어서, x:y=20:80이고, 그라프트쇄의 원자수(수소 원자를 제외함)는 257, 특정 수지 1의 중량 평균 분자량은 20,500이다.
또한, 분산 장치는 이하의 조건에서 운전되었다.
·비즈 지름: φ0.05㎜
·비즈 충전률: 75체적%
·주속: 8m/sec
·펌프 공급량: 10Kg/hour
·냉각수: 수돗물
·비즈밀 환상 통로내 용적： 0.15L
·분산 처리되는 혼합액량: 0.44Kg
분산 개시 후, 30분 간격(1패스의 시간)으로 평균 입자지름의 측정을 행했다.
평균 입자지름은 분산 시간(패스 횟수)과 함께 감소되어 갔지만, 점차 그 변화량이 적어졌다. 분산 시간을 30분 연장했을 때의 평균 입자지름 변화가 5㎚ 이하로 된 시점에서 분산을 종료했다. 또한, 이 분산액 중의 이산화티타늄 입자의 평균 입자지름은 40㎚였다.
또한, 각 실시예에 있어서의 이산화티타늄의 평균 입자지름은 이산화티타늄을 포함하는 혼합액 또는 분산액을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 의해 80배로 희석하고, 얻어진 희석액에 대하여 동적 광산란법을 이용하여 측정함으로써 얻어진 값을 말한다. 이 측정은, 닛키소가부시키가이샤제 마이크로트랙 UPA-EX150을 이용해서 행하여 얻어진 수 평균 입자지름으로 한다.
또한, 상기 측정과는 별도로 얻어진 분산액에 포함되는 이산화티타늄 입자 300개에 대하여 투과형 전자 현미경을 이용하여 이산화티타늄 입자의 투영 면적을 각각 구하고, 대응하는 원 상당 지름의 산술 평균값을 구한 결과 40㎚였다.
하기 표 1 중, 굴절률이 1.55 이상의 고굴절률 바인더인 화합물 1은 CR-1030(오사카가스케미컬(주)사제)이다.
하기 표 1 중, 모노머 혼합물에 이용된 일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 단락번호[0111]에 기재된 중합성 화합물(b2-1)은 하기 식으로 나타내어지는 구조이고, X는 모두 아크릴로일기이며, n=1: 트리펜타에리스리톨옥타아크릴레이트 함유율 85%, 불순물로서 n=2 및 n=3의 합계가 15%인 혼합물이다.
Figure pat00002
하기 표 1 중, 폴리머 용액 1에 이용된 일본 특허 공개 2008-146018호 공보의 단락번호[0058]에 기재된 하기 구조식 P-25의 화합물은 중량 평균 분자량 35,000이고, 폴리머 용액 1은 고형분 45%의 1-메톡시-2-프로필아세테이트 15%, 1-메톡시-2-프로판올 40% 용액이다.
Figure pat00003
하기 표 1 중, 폴리머 용액 2에 이용된 폴리머는 하기 식(1)으로 나타내어지는 구조이다.
Figure pat00004
[투명 경화성 수지층의 굴절률의 측정]
상기에서 얻어진 투명 경화성 수지층용 도포액을 규소 웨이퍼 상에 도포하고, 그 후 핫플레이트 상에서 100℃로 2분 동안 가열하여 투명 패턴을 얻었다. 이 투명 패턴이 형성된 기판에 대하여 제이 에이 울람 재팬사제 분광엘립소미터 VUV-VASE(상품명)를 사용하여 투명 패턴의 광학 정수를 측정했다. 파장 550㎚에 있어서의 투명 경화성 수지층용 도포액을 이용하여 제작한 투명 패턴의 굴절률을 n(550)으로 했다. 얻어진 결과를 하기 표 1에 기재했다.
[반사율 측정]
투명 유리 기판 상에 ITO를 스퍼터 제막한 후 투명 접착제(스미토모3M(주)제, 8171CL)를 통해서 흑색 PET재를 접합하고, 적분구반사계(닛폰분코(주)제, V570)에 의해 반사율을 측정했다(반사ITO).
이어서, 마찬가지로 투명 유리 기판 상에 ITO를 스퍼터 제막한 후 상기 감광성 수지 조성물을 PET 가지지체와의 계면에서 분리한 후 열가소성 수지 및 중간층과 함께 전사했다(층 형성 공정).
이어서, 초고압 수은등을 갖는 프록시미티형 노광기(히타치하이테크덴시엔지니어링(주)제)를 사용하여 열가소성 수지측으로부터 노광량 I선 40mJ/㎠으로 노광했다. 이어서, 트리에탄올아민계 현상액[트리에탄올아민 30% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름(주)제)를 순수에 의해 10배(T-PD2를 1부와 순수 9부의 비율로 혼합)로 희석한 액]을 30℃에서 60초 동안 플랫 노즐 압력 0.04MPa로 샤워 현상하고, 열가소성 수지와 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리 기판의 상면에 에어를 분사하여 액제거한 후 순수를 샤워에 의해 10초 동안 분사하여 순수 샤워 세정하고, 에어를 분사하여 기판 상의 액고임을 감소시켰다. 이어서, 기판을 230℃ 하에서 60분 동안 가열 처리를 행한 후 투명 접착제를 통해서 상기 광경화성 수지층을 흑색 PET 재료와 접착시키고, 기판 전체를 차광한 후 적분구반사계에 의해 반사율을 측정했다(반사샘플).
＜평가 기준＞
하기 식에 의해 샘플의 반사율을 평가했다(측정치는 550㎚의 값을 사용했다).
(반사샘플)/(반사ITO)×100%
○ 0% 이상 60% 미만
△ 60% 이상 90% 미만
× 90% 이상
Figure pat00005
상기 표 1로부터, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 정전용량형 입력 장치의 투명 보호층을 형성하면, 투명 전극 패턴의 시인성을 개선시킬 수 있고, 천공 기판을 이용한 정전용량형 입력 장치를 제조할 때의 생산성을 향상시킬 수 있는 것을 알 수 있었다. 한편, 비교예 1로부터 전사 필름의 투명 경화성 수지층의 파장 550㎚에 있어서의 굴절률이 본 발명에서 규정하는 하한값을 하회하면, 투명 전극 패턴의 반사율이 악화되고, 시인성을 개선시킬 수 없는 것을 알 수 있었다.
＜실시예 101~실시예 110 및 비교예 101: 정전용량형 터치 패널의 제조 1＞
《마스크층의 형성》
［마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제]
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 이용하여 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료의 제작에 이용된 상기 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 상기 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 또한, 하기 처방 K1로 이루어지는 흑색 광경화성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이와 같이 해서 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과, 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 광학 농도가 4.0으로 되도록 건조 막두께가 2.2㎛인 흑색 광경화성 수지층을 형성하고, 최후로 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와, 열가소성 수지층과, 중간층(산소 차단막)과, 흑색 광경화성 수지층이 일체로 된 전사 재료를 제작하고, 샘플명을 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로 했다.
(흑색 광경화성 수지층용 도포액: 처방 K1)
·K 안료 분산물 1 : 31.2질량부
·R 안료 분산물 1(하기 조성) : 3.3질량부
·MMPGAc(다이셀카가쿠(주)제) : 6.2질량부
·메틸에틸케톤(토넨카가쿠(주)제) : 34.0질량부
·시클로헥산온(칸토덴카고교(주)제) : 8.5질량부
·바인더 2(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=78/22 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 38,000) : 10.8질량부
·페노티아진(도쿄카세이(주)제) : 0.01질량부
·DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 닛폰카야쿠(주)제)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액(76질량%) : 5.5질량부
·2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[4'-(N,N-비스(에톡시카르보닐메틸)아미노-3'-브로모페닐]-s-트리아진 : 0.4질량부
·계면활성제(상품명: 메가팩 F-780F, 다이니폰잉크(주)제) : 0.1질량부
또한, 흑색 광경화성 수지층용 도포액 K1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 10,000Pa·sec였다.
(K 안료 분산물 1의 조성)
·카본블랙(상품명: Nipex35, 데구사사제) : 13.1질량%
·하기 분산제 1 : 0.65질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 37,000) : 6.72질량%
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 79.53질량%
Figure pat00006
-R 안료 분산물 1의 조성-
·안료(C. I． 피그먼트 레드 177) : 18질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 37,000) : 12질량%
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 70질량%
[마스크층의 형성]
이어서, 개구부(15㎜Φ)가 형성된 강화 처리 유리(300㎜×400㎜×0.7㎜)에 25℃로 조정된 유리 세정제액을 샤워에 의해 20초 동안 분사하면서 나일론모를 갖는 회전 브러시로 세정하고, 순수 샤워 세정 후 실란 커플링액[N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, 신에츠카가쿠고교(주)제]을 샤워에 의해 20초 동안 분사하여 순수 샤워 세정했다. 이 기재를 기재 예비 가열 장치에 의해 140℃ 2분 동안 가열했다. 얻어진 실란 커플링 처리 유리 기재에 상술로부터 얻어진 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로부터 보호 필름을 제거하고, 제거 후에 노출된 흑색 광경화성 수지층의 표면과 상기 실란 커플링 처리 유리 기재의 표면이 접하도록 중첩하고, 라미네이터[(주)히타치인터스트리즈제(LamicII 형)]를 사용하여 상기 140℃에서 가열한 기재에 고무 롤러 온도 130℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분로 라미네이트했다. 이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트의 가지지체를 열가소성 수지층과의 계면에서 박리하여 가지지체를 제거했다. 가지지체를 박리 후, 초고압 수은등을 갖는 프록시미티형 노광기[히타치하이테크덴시엔지니어링(주)제]에 의해 기재와 노광 마스크(프레임 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)를 수직으로 세운 상태에서 노광 마스크면과 그 흑색 광경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 70mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액[트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름(주)제)를 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 33℃에서 60초 동안 플랫 노즐 압력 0.1MPa로 샤워 현상하고, 열가소성 수지층과 중간층을 제거했다. 계속해서, 이 유리 기재의 상면에 에어를 분사하여 액제거한 후, 순수를 샤워에 의해 10초 동안 분사하여 순수 샤워 세정하고, 에어를 분사하여 기재 상의 액고임을 감소시켰다.
그 후, 탄산나트륨/탄산수소나트륨계 현상액[상품명: T-CD1(후지필름(주)제)을 순수에 의해 5배로 희석한 액]을 사용하여 32℃에서 샤워압을 0.1MPa로 설정하고, 45초 현상하여 순수로 세정했다.
계속해서, 계면활성제 함유 세정액[상품명: T-SD3(후지필름(주)제)을 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 이용하여 33℃에서 20초 동안 콘형 노즐 압력 0.1MPa로 샤워에 의해 분사하고, 또한 부드러운 나일론모를 갖는 회전 브러시에 의해 형성된 패턴상을 문질러서 잔사 제거를 행했다. 또한, 초고압 세정 노즐에서 9.8MPa의 압력으로 초순수를 분사하여 잔사 제거를 행하고, 이어서, 대기 하에서 노광량 1,300mJ/㎠로 포스트 노광을 행하고, 또한 240℃ 80분 동안 포스트 베이킹 처리를 행하여 광학 농도 4.0, 두께 2.0㎛의 마스크층이 형성된 앞면판을 얻었다.
*《제 1 투명 전극 패턴의 형성》
[투명 전극층의 형성]
마스크층이 형성된 앞면판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타겟[인듐:주석=95:5(몰비)]을 이용하여 DC 마그네트론스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa)에 의해 두께 40㎚의 ITO 박막을 형성하고, 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□ 였다.
[에칭용 감광성 필름 E1의 조제]
상기 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제에 있어서, 흑색 광경화성 수지층용 도포액을 하기 처방 E1로 이루어지는 에칭용 광경화성 수지층용 도포액으로 바꾼 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제와 마찬가지로 해서 에칭용 감광성 필름 E1을 얻었다(에칭용 광경화성 수지층의 막두께는 2.0㎛였다).
(에칭용 광경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)
·메틸메타크릴레이트/스티렌/메타크릴산 공중합체
(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 질량 평균 분자량 60,000, 산가 163mgKOH/g) : 16질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, 신나카무라카가쿠고교(주)제) : 5.6질량부
·헥사메틸렌디이소시아네이트의 테트라에틸렌옥시드모노메타크릴레이트 0.5몰 부가물 : 7질량부
·분자 중에 중합성기를 1개 갖는 화합물로서의 시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트 : 2.8질량부
·2-클로로-N-부틸아크릴레이트 : 0.42질량부
·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 : 2.17질량부
·말라카이트그린 옥살산염 : 0.02질량부
·류코크리스탈 바이올렛 : 0.26질량부
·페노티아진 : 0.013질량부
·계면활성제(상품명: 메가팩 F-780F, 다이니폰잉크(주)제) : 0.03질량부
·메틸에틸케톤 : 40질량부
·1-메톡시-2-프로판올 : 20질량부
또한, 에칭용 광경화성 수지층용 도포액 E1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2,500Pa·sec였다.
[제 1 투명 전극 패턴의 형성]
마스크층의 형성과 마찬가지로 해서 투명 전극층을 형성한 앞면판을 세정하고, 보호 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 라미네이트했다(기판 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액[트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름(주)제)를 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 25℃에서 100초 동안 계면활성제 함유 세정액[상품명: T-SD3(후지필름(주)제)을 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 사용하여 33℃에서 20초 동안 처리하고, 회전 브러시, 초고압 세정 노즐에 의해 잔사 제거를 행하고, 또한 130℃ 30분 동안의 포스트 베이킹 처리를 행하여 투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
*투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 ITO 에쳔트(염산, 염화칼륨 수용액. 액온 30℃)를 넣은 에칭탱크에 침지하고, 100초 처리하여 에칭용 광경화성 수지층에 의해 피복되어 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하고, 에칭용 광경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 얻었다.
이어서, 에칭용 광경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 레지스트 박리액[N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: 서피놀 465, 에어프로덕트제) 액온 45℃]을 넣은 레지스트 박리탱크에 침지하여 200초 처리하고, 에칭용 광경화성 수지층을 제거하여 마스크층과 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《절연층의 형성》
마스크층의 형성과 마찬가지로 해서 상기 제 1 투명 전극 패턴 부착 앞면판을 세정, 실란 커플링 처리하여 보호 필름을 제거한 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 라미네이트했다(기재 온도: 100℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.3m/분). 가지지체를 박리 후 노광 마스크(절연층용 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광경화성 수지층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 30mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액[트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름(주)제)를 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 33℃에서 60초 동안, 탄산나트륨/탄산수소나트륨계 현상액[상품명: T-CD1(후지필름(주)제)을 순수에 의해 5배로 희석한 액]을 25℃에서 50초 동안, 계면활성제 함유 세정액[상품명: T-SD3(후지필름(주)제)을 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 이용하여 33℃에서 20초 동안 처리하고, 회전 브러시, 초고압 세정 노즐에 의해 잔사 제거를 행하고, 또한 230℃ 60분 동안 포스트 베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《제 2 투명 전극 패턴의 형성》
[투명 전극층의 형성]
상기 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴까지 형성된 앞면판을 DC 마그네트론스퍼터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa), 두께 80㎚의 ITO 박막을 형성하고, 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 110Ω/□였다.
제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 마찬가지로 해서 에칭용 감광성 필름 E1을 이용하여 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분 동안).
또한, 제 1 투명 전극 패턴 형성의 형성과 마찬가지로 해서 에칭(30℃ 50초 동안), 에칭용 광경화성 수지층을 제거(45℃ 200초 동안)함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성》
상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하여 두께 200㎚의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 앞면판을 얻었다.
상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서, 에칭용 감광성 필름 E1을 이용하여 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분간).
또한, 제 1 투명 전극 패턴 형성의 형성과 마찬가지로 해서 에칭(30℃ 50초 동안), 에칭용 광경화성 수지층을 제거(45℃ 200초 동안)함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 앞면판을 얻었다.
《투명 보호층의 형성》
절연층의 형성과 마찬가지로 해서, 상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소까지 형성된 앞면판에 보호 필름을 제거한 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 라미네이트하고, 가지지체를 박리 후 노광 마스크를 통하지 않고 노광량 50mJ/㎠(i선)로 앞면 노광하고, 현상, 포스트 노광(1,000mJ/㎠), 포스트 베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 피복하도록 실시예 1~실시예 10 및 비교예 1의 전사 재료를 사용하여 형성된 절연층(투명 보호층)을 적층한 앞면판을 얻었다.
《화상 표시 장치(터치 패널)의 제작》
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법에 의해 제조된 액정 표시 소자에 먼저 제조된 앞면판을 접합하고, 공지의 방법에 의해 정전용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 101~실시예 110 및 비교예 101의 화상 표시 장치를 제작했다.
《앞면판 및 화상 표시 장치의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 앞면판은, 개구부 및 이면에 얼룩이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 마스크층에는 핀홀이 없어 광차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이것들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 정전용량형 입력 장치의 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성하면 투명 절연층에도 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 투명 전극 패턴의 시인성이 개선되어 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 201~실시예 210 및 비교예 201: 정전용량형 터치 패널의 제조 2]
《도전성 광경화성 수지층을 적층한 감광성 필름 C1의 제작》
마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제에 있어서, 흑색 광경화성 수지층용 도포액을 하기 처방 C1으로 이루어지는 도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액으로 바꾼 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제와 마찬가지로 해서, 도전성 광경화성 수지층을 적층한 감광성 필름 C1을 얻었다(도전성 광경화성 수지층의 막두께는 2.0㎛).
＜도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액의 조제＞
(은 나노와이어 분산물(1)의 조제)
질산은 분말 0.51g을 순수 50㎖에 용해시킨 질산은 용액을 조제했다. 그 후, 상기 질산은 용액에 1N 암모니아수를 투명해질 때까지 첨가하고, 전체량이 100㎖로 되도록 순수를 첨가하여 첨가액 A를 조제했다.
또한, 글루코오스 분말 0.5g을 140㎖의 순수에 의해 용해시켜 첨가액 G를 조제했다.
또한, HTAB(헥사데실-트리메틸암모늄브로마이드) 분말 0.5g을 27.5㎖의 순수에 의해 용해하여 첨가액 H를 조제했다.
이어서, 상기 첨가액 A 20.6㎖를 3구 플라스크 내에 넣어 실온에서 교반했다. 이 액에 순수 41㎖, 첨가액 H 20.6㎖ 및 첨가액 G 16.5㎖의 순서로 깔때기로 첨가하고, 90℃에서 5시간, 200rpm으로 교반하면서 가열함으로써 은 나노와이어 수분산물(1)을 얻었다.
얻어진 은 나노와이어 수분산물(1)을 냉각한 후, 폴리비닐피롤리돈(상품명： K-30, 와코준야쿠고교(주)제)을 은의 질량 1에 대해 0.05로 되도록 교반하면서 첨가하고, 그 후 원심분리하여 전도도가 50μS/㎝ 이하로 될 때까지 정제하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르에서 더 원심분리를 행하여 물을 제거하고, 최종적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 첨가하여 은 나노와이어 용제 분산물(1)을 조제했다.
(도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액 C1의 조제)
하기 조성을 교반하고, 최종 은 농도가 1.0질량%로 되도록 은 나노와이어 분산물(1)과 혼합하여 도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액을 조제했다.
또한, 도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액 C1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 4,500Pa·sec였다.
-도전성 광경화성 수지층 형성용 도포액 C1의 조성-
·상기 바인더 3(고형분: 45%) : 3.80질량부
·KAYARAD DPHA(닛폰카야쿠(주)제) : 1.59질량부
·2-(디메틸아민)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온(상품명: Irgacure 379, BASF제) : 0.159질량부
·EHPE-3150(다이셀카가쿠(주)제) : 0.150질량부
·계면활성제(상품명: 메가팩 F-781F, 다이닛폰잉크제) : 0.002질량부
·MMPGAc(다이셀카가쿠(주)제) : 19.3질량부
《투명 전극 패턴 및 절연층 등의 형성》
실시예 101~실시예 110 및 비교예 101과 마찬가지로 해서 마스크층이 형성된 앞면판을 얻은 후, 도전성 광경화성 수지층을 적층한 감광성 필름 C1을 이용하여 제 1 투명 전극 패턴의 형성을 행했다.
우선, 마스크층이 형성된 앞면판을 세정하고, 보호 필름을 제거한 감광성 필름 C1을 라미네이트했다(기재 온도: 120℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 1.7m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 도전성 광경화성 수지층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 100mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액[트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름(주)제)를 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 30℃에서 60초 동안, 탄산나트륨/탄산수소나트륨계 현상액[상품명: T-CD1(후지필름(주)제)을 순수에 의해 5배로 희석한 액]을 25℃에서 60초 동안, 계면활성제 함유 세정액[상품명: T-SD3(후지필름(주)제)을 순수에 의해 10배로 희석한 액]을 이용하여 33℃에서 20초 동안 처리하고, 회전 브러시, 초고압 세정 노즐에 의해 잔사 제거를 행하고, 또한 230℃ 60분 동안 포스트 베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
이어서, 실시예 101~실시예 110 및 비교예 101과 마찬가지로 해서 절연층을 형성했다. 이어서, 도전성 광경화성 수지층을 적층한 감광성 필름 C1을 이용하여 제 2 투명 전극 패턴의 형성을 행했다. 또한, 실시예 101~실시예 110 및 비교예 101과 마찬가지로 해서, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소, 투명 보호층의 형성을 행하여 앞면판을 얻었다.
또한, 실시예 101~실시예 110 및 비교예 101과 마찬가지로 해서, 실시예 201~실시예 210 및 비교예 201의 화상 표시 장치를 제작했다.
《앞면판 및 화상 표시 장치의 평가》
상술의 각 공정에 있어서, 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 앞면판(2)은 개구부 및 이면에 얼룩이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 마스크층에는 핀홀이 없어 광차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이것들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 정전용량형 입력 장치의 투명 절연층 및 투명 보호층을 형성하면 투명 절연층에도 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 투명 전극 패턴의 시인성이 개선되어 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
이상과 같이 본 발명의 정전용량형 입력 장치의 제조 방법에 의하면 투명 전극 패턴의 시인성이 개선되고, 박층/경량화의 이점이 있는 정전용량형 입력 장치를 간단한 공정으로 고품질로 제조 가능하게 할 수 있었다. 이 때문에, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 정전용량형 입력 장치, 및 그것을 이용한 화상 표시 장치는 고품질인 것을 알 수 있다.
1: 앞면판 2: 마스크층
3: 제 1 투명 전극 패턴 3a: 패드 부분
3b: 접속 부분 4: 제 2 투명 전극 패턴
5: 절연층 6: 도전성 요소
7: 투명 보호층 8: 개구부
10: 정전용량형 입력 장치 11: 강화 처리 유리
12: 다른 도전성 요소

Claims (18)

  1. 가지지체와,
    상기 가지지체 상에 적층된 투명 경화성 수지층을 갖고,
    상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이며,
    상기 투명 경화성 수지층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 경화성 수지층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 바인더가 적어도 하나 이상의 알칼리기, 방향족 헤테로환기, 염소원자, 브롬 원자, 요오드 원자 또는 황 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.66 이상의 바인더의 함유량이 상기 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 전사 재료.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 모노머의 굴절률이 1.66 이상인 전사 재료.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 모노머는 비스아릴플루오렌계의 아크릴레이트인 전사 재료.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 경화성 수지층 중에 있어서의 굴절률 1.6 이상의 모노머의 함유량이 상기 투명 경화성 수지층에 대해서 1~60질량%인 전사 재료.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 경화성 수지층이 알칼리 가용 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가지지체와 상기 투명 경화성 수지층의 사이에 열가소성 수지층이 적층되는 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층의 110℃에서 측정된 용융점도(ηc)가 250Pa·s~3,000Pa·s인 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층의 층두께가 3㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 경화성 수지층이 정전 용량형 입력 장치의 투명 절연층 또는 투명 보호층용인 것을 특징으로 하는 전사 재료.
  13. 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로서,
    상기 투명 절연층 및 투명 보호층 중 적어도 한쪽을 제 12 항에 기재된 전사 재료를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    앞면판과, 상기 앞면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(5)의 요소를 갖고,
    상기 (3) 및 (5)의 요소 중 적어도 한 쪽을 상기 전사 재료를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법,
    (1) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴,
    (2) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴,
    (3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 투명 절연층,
    (4) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소,
    (5) 상기 (1)~(4)의 요소 모두 또는 일부를 피복하도록 설치된 투명 보호층.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 앞면판이 적어도 일부에 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
  16. 투명보호층과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치로서,
    상기 투명 보호층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이고,
    상기 투명 보호층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 경화물 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 한쪽을 함유하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  17. 투명절연층과, 투명 전극 패턴을 갖는 정전 용량형 입력 장치로서,
    상기 투명 절연층의 550㎚의 파장에 있어서의 굴절률이 1.55 이상이고,
    상기 투명 절연층이 굴절률 1.6 이상의 모노머 경화물 및 굴절률 1.66 이상의 바인더 중 적어도 한쪽을 함유하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
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