KR20160079403A - 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물의 제조방법 및 이에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 32
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 16
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Co] Chemical compound [B].[Fe].[Co] ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- -1 alkanolamine Chemical class 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- XYUSESXYUHHDPC-UHFFFAOYSA-N diethylazanium;2,5-dihydroxybenzene-1,4-disulfonate Chemical compound CC[NH2+]CC.CC[NH2+]CC.OC1=CC(S([O-])(=O)=O)=C(O)C=C1S([O-])(=O)=O XYUSESXYUHHDPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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Abstract
본 발명은 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물의 제조방법 및 이에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물에 관한 것으로서, 상기 조성물은 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함한다.
상기 조성물은 MRAM 제조 공정에서 패턴의 건식 식각 후 발생된 식각 부산물인 잔류물을 패턴의 손상 없이, 특히 마그네슘 옥사이드의 손상 없이 효과적으로 산화하는데 사용될 수 있다.
상기 조성물은 MRAM 제조 공정에서 패턴의 건식 식각 후 발생된 식각 부산물인 잔류물을 패턴의 손상 없이, 특히 마그네슘 옥사이드의 손상 없이 효과적으로 산화하는데 사용될 수 있다.
Description
본 발명은 차세대메모리인 MRAM 공정에서 절연층인 마그네슘 옥사이드의 손상이 없이 제조 공정 중 발생할 수 있는 식각 잔류물을 산화시키기 위한 조성물에 관한 것이다.
MRAM은 자성체소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로, 자료처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리이다. MRAM은 고정층의 자화방향을 고정시켜주는 반강자성층, 반강자성층의 영향으로 자화의 방향이 고정되어 있는 고정층, 자력에 따라서 방향을 바꾸어 저항차 쓰기를 구분하는 자유층, 구조가 갖는 높은 자기저항 비를 나타내는 터널배리어로 구성되어 있다. 이러한 MRAM의 식각은 건식식각으로 이루어지는데 플라즈마 식각가스와의 기상-고상 반응을 이용하여 식각공정을 수행한다. 이러한 건식식각 공정은 MRAM 기판 측벽에 텅스텐, 티타늄 질화막, 철, 실리콘, 마그네슘 옥사이드로 구성된 잔류물이 잔존하게 만든다. 이러한 잔류물은 기판 혹은 반도체 소자 구조물의 표면을 오염시켜 후속 공정에서 장애요인으로서 공정 효율을 저하시킬 뿐만 아니라, 고 집적화되고 미세화된 반도체 소자에서 소자의 신뢰성 및 기능에 치명적인 문제를 일으킬 수 있기 때문에 식각 잔류물을 완전히 제거할 수 있는 세정 조성물 및 방법에 관한 연구가 진행되어 왔다.
일반적으로 기판에 잔존하는 잔류물을 제거하기 위해서 알카놀아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 아민 및 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸설폭사이드 등의 극성 유기용매의 조성물인 세정 조성물이 사용되고 있으나, 이 조성물은 MRAM 패턴의 건식식각 후 측벽에 잔존하는 잔류물을 제거하기에 식각속도가 너무 높거나 낮아 효과적이지 못하며 터널배리어로 사용되는 절연층인 마그네슘 옥사이드는 물에 의해서도 쉽게 분해가 진행되어 공정상 문제가 발생한다. 또한, 상기 조성물은 인체독성이 높은 것으로 알려져 있어 바람직하지 않다.
종래 기술에서 하이드록실 아민 및 하이드라진 조성물을 이용하여 수계의 금속 표면 처리나 금속 세척 시 건조 얼룩, 주름을 방지하기 위한 건조 전처리제 및 건조 방법을 공지하고 있으나, 이는 금속 표면 또는 금속의 세척에서는 효과적이지만 마그네슘 옥사이드와 같은 금속 산화물에 대해서는 분해를 막지 못한다. 이러한 현상은 아민의 환원력으로 인해 산화물이 분해되기 때문이다(JP1997-302325). 또한 하이드록실 아민 및 카테콜을 이용하여 반도체 집적 회로의 제조 시 식각 잔류물을 제거하는 세정 조성물을 공지하고 있으나, 이는 식각 잔류물의 제거에는 효과적일 수 있지만 MRAM을 구성하고 있는 텅스텐, 티타늄 질화막 등이 과 식각되어 패턴 층이 무너져 내리는 문제점이 있다.
상기의 문제점을 해결하고자 본 발명은 MRAM 패턴의 건식 식각 후 측벽에 잔존하는 식각 잔류물을 절연층인 마그네슘 옥사이드를 손상시키지 않고, 식각 잔류물을 산화시켜 전기 저항을 감소시킴으로써 궁극적으로 MTJ의 전기적 특성을 개선하는 식각 잔류물 산화용 조성물 및 그 사용방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함하며, 마그네슘 옥사이드의 손상 없이 식각 잔류물을 산화시키는 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물을 제조하는 공정에 있어서, 건식 식각 후 상기 조성물을 이용하여 식각 잔류물을 산화시키는 산화 단계를 포함하는 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 상기 물질 패턴의 외부에 형성된 식각 잔류물을 산화시키기 위해 상기 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서, 상기 물질 패턴의 외부에 형성된 식각 잔류물을 산화시키기 위해 상기 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 암모늄퍼설페이트, 과산화수소-우레아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함하며, 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조공정에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 식각 잔류물 산화용 조성물은 MRAM 제조 공정에서 패턴의 건식 식각 후 발생된 식각 부산물인 잔류물을 패턴의 손상 없이, 특히 마그네슘 옥사이드의 손상 없이 효과적으로 산화하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 조성물은 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함하여, 마그네슘 옥사이드의 손상 없이 식각 잔류물을 산화시킬 수 있다.
상기 산화제는 암모늄퍼설페이트, 과산화수소-우레아(hydroxide peroxide-urea) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 상기 과산화수소-우레아는 DIW(deionized water)가 포함되지 않은 솔트(salt) 형태의 파우터 형상이며, 카스 번호(Cas No.)는 124-43-6이다.
상기 조성물은 상기 산화제를 0.01 내지 20 중량%로 포함하는 것이 기판의 각 층인 티타늄 질화막, 텅스텐, 또는 마그네슘 옥사이드 등의 손상이 없이 측벽의 잔류물을 효과적으로 산화시킬수 있으며, 상기의 범위를 벗어나는 조성비로 혼합할 경우 식각 잔류물이 산화되지 않거나, 일정 이상 두께의 산화층이 생성되어 그 특성이 구현되지 않을 수 있다.
상기 유기용매는 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-yrrolidone, NMP), 디메틸 술폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 2-(2-아미노에틸)에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 에틸 디글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 부틸 디글리콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 상기 유기용매는 금속 산화물에 대한 손상을 방지하며 물과 매우 잘 혼합되어 젖음성을 향상시켜 잔류물의 산화 효율을 증대시킬 수 있는 특징이 있다. 상기 유기용매의 함량은 80 내지 99.99 중량%의 범위로 포함하는 것이 바람직하며, 소량의 DIW(deionized water)가 첨가되면 마그네슘 옥사이드가 식각되는 문제점이 있다.
구체적으로, 상기 조성물은 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조공정에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물로서, 암모늄퍼설페이트, 과산화수소-우레아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법은 건식 식각 후 상기 조성물을 이용하여 식각 잔류물을 산화시키는 산화 단계를 포함한다.
상기 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물을 제조하는 공정에서 적어도 한 개 이상의 층이 텅스텐, 루테늄, 마그네슘 옥사이드, 코발트-철, 코발트-철-보론, 폴리머, 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 중 어느 하나의 물질막을 포함할 수 있다.
구체적으로, 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물의 제조방법은 상기 식각 잔류물을 산화시키는 단계 전에 기판 상에 상기 물질막을 형성하고, 이를 건식 식각하여 물질막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 건식 식각은 이온 빔 에칭(ion beam etching), 플라즈마 에칭(plasma etching), 유도 결합형 플라즈마 에칭(inductively coupled plasma etching) 등일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 조성물은 제거하고자 하는 식각 잔류물이 포함된 기판에 도포하기 전에 가열하여 이용하는 것이 보다 효과적인 잔류물 산화 성능을 얻을 수 있으며, 구체적으로는 25 내지 50℃, 보다 바람직하게는 30 내지 40℃로 예열하여 이용하는 것이 바람직하다. 상기 온도 미만이면 예열의 효과가 미미하고, 상기 온도를 초과하면 상기 산화제가 분해될 수 있다.
또한, 상기 식각 잔류물은 상기 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물의 측벽에 존재할 수 있고, 마그네슘 옥사이드 층의 측면에 존재할 수 있다. 상기 식각 잔류물은 텅스텐, 루테늄, 코발트-철 또는 코발트-철-보론 등의 금속 물질과, 선택적으로 소량의 알루미늄 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드 등의 산화물을 포함하여, 상기 자기터널접합 구조물의 측면에 잔류하는 경우 상기 자기터널접합 구조물의 특성이 구현되지 않도록 방해한다.
본 발명에서 상기 식각 잔류물은 상기 조성물에 의하여 산화됨으로써 상기 자기터널접합 구조물의 측벽에 잔류하는 경우에도 상기 자기터널접합 구조물의 특성 구현을 방해하지 않도록 할 수 있다.
이와 같이, 상기 산화된 식각 잔류물은 제거하지 않고 그대로 두어도 무방하나, 상기 자기저항메모리의 자기터널접합 구조물의 제조방법은 상기 산화 단계 이후에 선택적으로 상기 산화된 식각 단계를 더 포함하여, 상기 산화된 식각 잔류물을 제거할 수도 있다.
상기 식각 단계는 습식 식각 또는 건식 식각일 수 있다.
상기 건식 식각은 삼불화질소(NF3); 테트라플루오로메탄(CF4); 황헥사플루오라이드(SF6); 염소 및 아르곤 혼합물(Cl2/Ar); 헥사플로오르에탄 및 아르곤 혼합물(C2F6/Ar); 염소, 산소 및 아르곤 혼합물(Cl2/O2/Ar); 아르곤, 질소 및 불소의 혼합물(Ar/N2/F2); 그리고 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 가스를 이용하는 것일 수 있다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의거하여 좀 더 상세히 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 한정하지는 않는다.
[
실험예
]
하기 비교예 및 실시예에서 제조된 조성물을 125ml 용기에 투입하고 50℃ 온도에 도달했을 때 실시하였으며, 식각 잔류물이 잔존하는 MRAM 패턴이 형성된 기판을 가열된 상기 조성물에 20분간 침지한 후 이소프로판올에 1분간 다시 침지하여 MRAM 패턴의 손상 유무 및 산화 정도를 간접적으로 확인하기 위하여 루테늄, 텅스텐, 코발트-철-보론(COFEB), 마그네슘 옥사이드 막질을 50℃ 온도로 가열된 산화 조성물에 20 분간 침지한 후 면저항 측정 장비인 4-POINT PROBE 및 박막 두께 측정 장비인 엘립소미터(NANO VIEW, SEMG-1000)를 이용하여 식각 속도를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(
비교예
1)
물 100 중량%를 50℃로 가열시켜 Ru, W, CBF, MgO 웨이퍼를 침지하여 측벽에 잔존하는 잔류물 산화 정도, 마그네슘 옥사이드의 식각 정도를 측정하였다.
(
비교예
2)
에틸 디글리콜 100 중량%를 50℃로 가열시켜 Ru, W, CBF, MgO 웨이퍼를 침지하여 측벽에 잔존하는 잔류물 산화 정도, 마그네슘 옥사이드의 식각 정도를 측정하였다.
(
실시예
1)
에틸 디글리콜 95 중량%에 암모늄퍼설레이트 5 중량% 만큼 추가하여 조성물을 제조하고 이를 50℃로 가열시켜 Ru, W, CBF, MgO 웨이퍼를 침지하여 측벽에 잔존하는 잔류물 산화 정도, 마그네슘 옥사이드의 식각 정도를 측정하였다.
(
실시예
2)
2-(2-아미노에톡시)에탄올 95 중량%에 과산화수소-우레아를 5 중량% 만큼 추가하여 조성물을 제조하고, 50℃로 가열시켜 Ru, W, CBF, MgO 웨이퍼를 침지하여 측벽에 잔존하는 잔류물 산화 정도, 마그네슘 옥사이드의 식각 정도를 측정하였다.
(
실시예
3)
NMP 99 중량%에 과산화수소-우레아를 1 중량% 만큼 추가하여 조성물을 제조하고, 50℃로 가열시켜 Ru, W, CBF, MgO 웨이퍼를 침지하여 측벽에 잔존하는 잔류물 산화 정도, 마그네슘 옥사이드의 식각 정도를 측정하였다.
| 조 성(%) | 식각속도 (Å/min) |
|||||||||
| 물 | EDG | AEE | NMP | APS | UHP | Ru | CFB | W | MgO | |
| 비교예 1 | 100 | - | - | - | - | - | 0.00 | 0.00 | 0.68 | 5.12 |
| 비교예 2 | - | 100 | - | - | - | - | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 실시예 1 | - | 95 | - | - | 5 | - | -2.56 | -1.26 | -0.87 | -1.36 |
| 실시예 2 | - | - | 95 | - | - | 5 | -1.58 | -1.48 | -0.96 | -2.36 |
| 실시예 3 | - | - | - | 99 | - | 1 | -2.69 | -2.01 | -1.36 | -2.16 |
* EDG: 에틸 디글리콜
* AEE: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
* NMP: N-메틸 피롤리돈
* APS: 암모늄퍼설페이트
* UHP: 과산화수소-우레아
* Ru: 루테늄
* CFB: 코발트-철-보론
* W: 텅스텐
* MgO: 마그네슘 옥사이드
측정결과 표 1과 같이, 비교예 1의 조성물로 처리한 Ru, CFB Wafer는 식각이 전혀 이루어지지 않고, 텅스텐과 마그네슘 옥사이드 웨이퍼의 식각 속도는 각각 0.68 Å/min, 5.12 Å/min 로 비교예 2, 실시예 1 내지 3의 측정 결과보다 높은 식각 속도를 확인할 수 있었다. 즉, 산화가 이루어지지 않고 물에 의한 막질 부식을 확인할 수 있었다.
비교예 2의 측정결과, 상기 조성물로 처리한 Ru, CFB Wafer는 식각이 전혀 이루어지지 않고, 텅스텐 및 마그네슘 옥사이드 또한 식각이 전혀 이루어지지 않음을 알 수 있었다.
실시예 1의 측정결과, 상기 조성물로 처리한 Ru, CFB, W, MgO Wafer는 식각이 전혀 이루어지지 않고, 오히려 그 두께가 일정 두께 만큼 증가함을 확인하였으며, 이는 산화 과정을 통하여 막질이 성장했음을 알 수 있었다.
실시예 2의 측정결과, 상기 조성물로 처리한 Ru, CFB, W, MgO Wafer는 식각이 전혀 이루어지지 않고, 오히려 그 두께가 일정 두께 만큼 증가함을 확인하였으며, 이는 산화 과정을 통하여 막질이 성장했음을 알 수 있었다.
실시예 3의 측정결과, 상기 조성물로 처리한 Ru, CFB, W, MgO Wafer는 식각이 전혀 이루어지지 않고, 오히려 그 두께가 일정 두께 만큼 증가함을 확인하였으며, 이는 산화 과정을 통하여 막질이 성장했음을 알 수 있었다.
Claims (14)
- 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함하며,
마그네슘 옥사이드의 손상 없이 식각 잔류물을 산화시키는 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 산화제는 암모늄퍼설페이트, 과산화수소-우레아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 상기 산화제를 0.01 내지 10 중량% 및 상기 유기용매를 90 내지 99.99 중량%로 포함하는 것인 조성물.
- 청구항 1 에 있어서, 상기 유기용매는 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-yrrolidone, NMP), 디메틸 술폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 2-(2-아미노에틸)에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 에틸 디글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 부틸 디글리콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 조성물.
- 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물을 제조하는 공정에 있어서,
건식 식각 후 상기 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용하여 식각 잔류물을 산화시키는 산화 단계를 포함하는 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법. - 청구항 5에 있어서, 상기 산화 단계 이후에 식각 단계를 더 포함하는 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법.
- 청구항 6에 있어서, 상기 식각 단계는 습식 식각인 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법.
- 청구항 6에 있어서, 상기 식각 단계는 건식 식각인 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 건식 식각은 삼불화질소(NF3); 테트라플루오로메탄(CF4); 황헥사플루오라이드(SF6); 염소 및 아르곤 혼합물(Cl2/Ar); 헥사플로오르에탄 및 아르곤 혼합물(C2F6/Ar); 염소, 산소 및 아르곤 혼합물(Cl2/O2/Ar); 아르곤, 질소 및 불소의 혼합물(Ar/N2/F2); 그리고 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 가스를 이용하는 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물을 제조하는 공정에서 적어도 한 개 이상의 층이 텅스텐, 루테늄, 마그네슘 옥사이드, 코발트-철, 코발트-철-보론, 폴리머, 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 조성물은 25 내지 50℃로 가열한 후, 상기 식각 잔류물이 포함된 기판에 도포하는 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조방법. - 반도체 실리콘 기판 상에 건식 식각 공정을 통하여 물질막으로부터 형성되는 물질 패턴에서,
상기 물질 패턴의 외부에 형성된 식각 잔류물을 산화시키기 위해 상기 청구항 1에 따른 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조방법. - 암모늄퍼설페이트, 과산화수소-우레아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화제 0.01 내지 20 중량% 및 유기용매 80 내지 99.99 중량%를 포함하며,
자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조공정에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물. - 청구항 13에 있어서, 상기 유기용매가 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-yrrolidone, NMP), 디메틸 술폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 2-(2-아미노에틸)에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 에틸 디글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 부틸 디글리콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 자기저항메모리(magnetoresistive random access mememory; MRAM)의 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ) 구조물의 제조공정에 사용되는 식각 잔류물 산화용 조성물.
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|---|---|---|---|---|
| KR20200081011A (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
-
2014
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