KR20160078245A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR20160078245A
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도시히사 노자와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 동시에 복수의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2) 내의 아래쪽에는, 회전 가능한 복수의 기판 스테이지(31, 32)가 설치되어 있다. 처리 용기(2) 내의 위쪽에는, 고주파 전원(25)으로부터 고주파의 공급을 받아, 처리 용기(2) 내에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 상부 전극(10)이 설치되어 있다. 상부 전극(10)은, 구동 기구(5), 회전 기구(4)에 의해, 전극 지지 부재(11)의 수직부(11a)를 중심으로 회전 가능하다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 처리 용기 내의 기판에 성막하거나, 기판 상의 절연막을 에칭하는 플라즈마 처리가 행해진다. 이러한 플라즈마 처리는, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하여, 이것을 플라즈마화하는 기능을 갖는 플라즈마 처리 장치를 이용하여 행해진다.
이 종류의 플라즈마 처리 장치는, 감압 가능한 처리 용기 내에 기판을 배치하는 배치대를 가지며, 상기 기판에 대향하는 위치에, 예컨대 상부 전극이나 마이크로파 안테나가 배치되고, 이들 상부 전극이나 마이크로파 안테나 부근에 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어, 상기 기판에 대하여 성막 처리나 에칭 처리가 행해진다.
이러한 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 최근 스루풋을 향상시키기 위해, 처리 용기 내에 복수의 기판을 배치하고, 동시에 복수 장의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 이른바 배치식(batch type) 플라즈마 처리 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1).
이 배치식 플라즈마 처리 장치는, 복수 장의 기판을 배치할 수 있도록 하부 전극을 겸한 배치대인 서셉터의 사이즈(직경)를 확대하고, 그것에 대응하여, 서셉터와 대향하는 상부 전극의 사이즈(직경)도 확대하여, 이들 복수의 기판을 커버하도록 하고 있었다. 복수 장의 기판을 동시에 플라즈마 처리하는 경우, 각 기판에 대하여 균일한 처리를 행할 필요가 있기 때문에, 특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에서는, 상부 전극과 서셉터 사이의 공간을 통해 수평 방향으로 배치한 가스 파이프의 양측에 형성한 다수의 노즐 구멍으로부터, 수평 방향으로 가스를 분출하도록 하고 있었다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-140077호 공보
그러나 그와 같이 가스의 공급을 균일하게 분출하도록 하여도, 생성된 플라즈마가 각 기판에 대하여 균일하게 널리 퍼지지 않으면, 각 기판에 대하여 균일한 플라즈마 처리를 행할 수는 없다. 예컨대 상기 종래 기술에서 채용되고 있는 대구경의 상부 전극에서는, 부위에 따라 생성되는 플라즈마의 밀도, 전위 등에 조밀, 강약이 발생하고, 그 때문에 균일한 플라즈마 분포를 달성하는 것은 곤란하다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 동시에 복수의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 실현하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 기판을 기밀하게 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내의 아래쪽에 설치되고, 상기 기판을 배치하는 복수의 배치대와, 상기 처리 용기 내의 위쪽에 설치되고, 또한 상기 복수의 배치대에 대향하도록 설치된 상부 전극을 가지며, 상기 상부 전극은, 처리 용기 내에서 상기 상부 전극의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 처리 용기 내의 위쪽에 설치되고, 또한 상기 복수의 배치대에 대향하도록 설치된 상부 전극은, 상기 상부 전극의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있기 때문에, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 실현할 수 있다. 또한 여기서 말하는 상부 전극은, 예컨대 고주파 전력의 공급을 받는 전극이나, 마이크로파를 받아 플라즈마를 생성하는 각종 안테나, 유전체판 등이 포함된다.
상기 각 배치대는, 각각 배치대의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있어도 좋다.
상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 방사형으로 존 분할된 복수의 전극체를 갖는 것이어도 좋다.
상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 원환형의 전극체를 갖는 것이어도 좋다.
상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 원환형의 전극체가 동심원형으로 복수 배치된 구성을 갖는 것이어도 좋다. 이러한 경우, 각 전극체에 공급되는 고주파는, 개별로 출력 제어가 가능하여도 좋다.
각 배치대 상에 기판을 반송 가능한 반송 아암이 상기 처리 용기 내에 설치되어 있어도 좋다.
상기 처리 용기 내에는, 상기 배치대를 피하여 상기 반송 아암이 후퇴하는 후퇴 스페이스가 형성되어 있어도 좋다.
상기 처리 용기 내에는, 상기 반송 아암을 기밀하게 수용할 수 있는 수용부가 형성되어 있어도 좋다.
상기 수용부로는, 예컨대, 상기 반송 아암을 수용 가능한 오목부와, 상기 오목부를 기밀하게 폐쇄하는 덮개로 구성하거나, 하부 챔버와, 상기 하부 챔버와 밀착 가능하고 또한 상하 이동하는 상부 챔버로 구성하여도 좋다.
본 발명에 따르면, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 실현할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치에서 채용할 수 있는 상부 전극의 일례를 나타내고, 존 분할한 전극체를 갖는 상부 전극의 저면도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 장치에서 채용할 수 있는 상부 전극의 일례를 나타내고, 동심원형으로 배치된 전극체를 갖는 상부 전극의 저면도이다.
도 4는 도 1의 플라즈마 처리 장치에서 채용할 수 있는 상부 전극의 일례를 나타내고, 원환형의 전극체를 갖는 상부 전극의 저면도이다.
도 5는 도 1의 플라즈마 처리 장치에 있어서의 기판 스테이지의 배치를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 6은 처리 용기의 저부에 반송 아암의 후퇴 스페이스를 형성한 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 7은 처리 용기의 저부에 반송 아암을 수용하는 오목부를 형성한 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 8은 처리 용기 내에 반송된 웨이퍼를 반송 아암이 수취하러 가는 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 9는 각 기판 스테이지에 웨이퍼를 반송한 후, 덮개가 처리 용기 내에 반송된 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 10은 도 9의 덮개를 반송 아암이 수취한 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 11은 도 9의 덮개를 오목부에 밀착시킨 상태를 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다.
도 12는 처리 용기 내에 상부 챔버와 하부 챔버로 구성되는 수용부를 형성한 상태를 모식적으로 나타낸 측면의 단면의 설명도이다.
도 13은 도 12에 있어서, 상부 챔버가 하강하여 하부 챔버와 밀착된 상태를 모식적으로 나타낸 측면의 단면의 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 에칭 처리를 행하는 장치로서 구성되어 있다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 내부를 기밀하게 유지하는 처리 용기(2) 내의 위쪽에 상부 전극(10)을 갖고 있다. 처리 용기(2)는 접지되어 있다. 상부 전극(10)은, 원반 형상의 전극체(10a)와 전극체(10a)의 상면으로부터 수직으로 연장되어 있는 수직부(10b)를 갖고 있다. 상부 전극(10)은, 상부 전극(10)과 상사형의 절연체로 이루어진 전극 지지 부재(11)에 의해 지지되고, 또한 상기 전극 지지 부재(11)에 의해 하면을 제외하고 덮여 있다. 또한 도시의 형편 상, 상부 전극(10)과 전극 지지 부재(11) 사이에는, 공극을 형성하여 도면으로 묘사하고 있지만, 양자는 기밀하게 일체로 되어 있다.
전극 지지 부재(11)의 수직부(11a)는, 처리 용기(2)의 천판부(天板部; 2a)를 수직 방향으로 관통하고, 관통부에는 시일재(3)가 설치되어 있다. 그리고 처리 용기(2) 밖에 있어서의 수직부(11a)의 외주에는, 회전 기구(4)가 설치되고, 이 회전 기구(4)를 통해 모터 등의 구동 기구(5)의 작동에 의해, 전극 지지 부재(11)는, 그 수직부(11a)를 중심으로 회전한다. 따라서 전극 지지 부재(11)에 의해 지지되어 있는 상부 전극(10)은, 이 전극 지지 부재(11)의 회전에 따라, 수직부(10b)를 중심으로 회전한다.
상부 전극(10)의 전극체(10a) 및 수직부(10b) 내에는, 각각 냉매 유로(12), 가스 유로(13)가 형성되어 있다. 냉매 유로(12)에는, 냉매 공급원(21)으로부터 냉매를 공급할 수 있다. 가스 유로(13)에는, 가스 공급원(22)으로부터 밸브(23), 매스 플로우 컨트롤러(24)를 통해 플라즈마 에칭 처리에 필요한 처리 가스 등을 공급할 수 있다. 또한, 상부 전극(10)에는, 수직부(10b)를 통해 고주파 전원(25)으로부터, 예컨대 13.56 MHz의 소정의 고주파를 공급할 수 있다.
전극체(10a)의 중심부 및 동 주변부에는, 가스 유로(13)로부터의 처리 가스의 공급구(13a, 13b)가 형성되어 있다. 또한 전극체(10a)는 1장의 원반 형상의 것이 아니어도 좋고, 예컨대 도 2∼도 4에 도시된 형상의 것을 제안할 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 상부 전극(10)에 있어서는, 고주파가 공급되는 전극체(15)가 방사형으로 존 분할된 형상을 갖는다. 즉, 각 전극체(15)는, 동일한 모양 동일한 크기의 이등변삼각형의 형상을 갖고 있다. 이 전극체(15)는, 전극 지지 부재(11)의 하면측에 간격을 두고 복수 장 배치되어 있다.
도 3에 도시된 상부 전극(10)은, 전극 지지 부재(11)의 하면측에, 간격을 두고 전극체가 동심원형으로 배치된 것이다. 즉, 직경이 상이한 원환형의 전극체(16a, 16b, 16c)가 동심원형으로 배치되어 있다. 이 경우, 각 전극체(16a, 16b, 16c)에 대하여 상이한 출력의 고주파를 공급하도록 하여도 좋다. 이와 같이 다른 출력의 고주파를 각 전극체(16a, 16b, 16c)에 공급함으로써, 플라즈마 밀도, 강도를 보다 균일하게 하는 것이 가능하다.
도 4에 도시된 상부 전극(10)은, 전극 지지 부재(11)의 하면측에, 1장의 원환형의 전극체(17)를 배치한 것이다. 이것은 후술하는 바와 같이, 상부 전극(10)과 대향하는 배치대인 각 기판 스테이지(31∼35)가 원환형으로 배치되어 있는 경우에 대응하는 것으로서, 이와 같이 원환형의 전극체(17)를 채용함으로써, 회전하는 면의 둘레 방향에 있어서 플라즈마 밀도를 일정하게 유지하기 위한 링형의 플라즈마원으로 되어 있다.
배치대가 되는 기판 스테이지는, 본 실시형태에서는, 도 1, 도 5에 도시된 바와 같이, 5개의 기판 스테이지(31∼35)가, 처리 용기(2) 내의 저부에 서로 간격을 두고 원환형으로 배치되어 있다.
각 기판 스테이지(31∼35)는, 동일 구성이며, 예컨대 기판 스테이지(31)를 예를 들어 설명하면, 이 기판 스테이지(31)는, 기판인 웨이퍼(W)를 배치하는 원반 형상의 배치부(31a)와, 이 배치부(31a)의 하면측에 설치된 지지 부재(31b)를 갖고 있다. 지지 부재(31b)는, 처리 용기의 저부(2b)를 관통하여 처리 용기(2) 밖으로 돌출되어 있다. 또한 관통부에는 시일재(6)가 설치되어 있다.
처리 용기(2) 밖에 있어서의 지지 부재(31b)의 외주에는, 회전 기구(7)가 설치되고, 이 회전 기구(7)를 통해, 모터 등의 구동 기구(8)의 작동에 의해, 지지 부재(31b)는, 상기 지지 부재(31b)의 중심축을 중심으로 회전한다. 따라서 지지 부재(31b)에 의해 지지되어 있는 배치부(31a)는, 지지 부재(31b)의 회전에 따라, 지지 부재(31b)를 중심으로 회전한다. 기판 스테이지(32)에 대해서도 마찬가지로, 배치부(32a)는, 지지 부재(32b)의 회전에 따라, 지지 부재(32b)를 중심으로 회전한다. 기판 스테이지(31)는 지지 부재(31b)를 통해 접지되어 있다. 또한 각 기판 스테이지(31∼35)의 배치부 내에는, 히터(H)가 설치되어 있고, 배치한 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조절하는 것이 가능하다.
처리 용기(2)의 저부에는 배기구(40)가 형성되어 있고, 배기 수단(41)의 작동에 의해, 배기관(42)을 통해 처리 용기(2) 내의 분위기는 처리 용기(2) 밖으로 배기되고, 또한 처리 용기(2) 내를 소정의 감압도로 유지하는 것이 가능하다.
처리 용기(2)의 측벽(2c)에는, 게이트 밸브(43)를 통해 로드록실(51)이 설치되어 있다. 로드록실(51) 내에는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전 가능하게, 또한 처리 용기(2) 내에 진퇴 가능하게 구성된 반송 아암(52)이 설치되어 있다.
실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 처리 용기(2) 내에는, 웨이퍼(W)를 배치하는 기판 스테이지는, 기판 스테이지(31∼35)가 5개 설치되어 있기 때문에, 각 웨이퍼(W) 상에 플라즈마(P)를 생성하여, 한 번에 5장의 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리, 예컨대 에칭 처리를 실행하는 것이 가능하다.
그리고 플라즈마 처리 중, 상부 전극(10)은, 전극 지지 부재(11)를 중심으로 회전시킬 수 있기 때문에, 5장의 웨이퍼(W)를 커버하는 대구경의 상부 전극(10)을 채용하여도, 부위에 따라 생성되는 플라즈마의 밀도, 전위 등에 조밀, 강약을 고르게 할 수 있고, 이것에 의해 각 웨이퍼(W)에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 달성할 수 있다. 게다가 본 실시형태에서는, 각 기판 스테이지(31∼35) 자체도 각각 회전시킬 수 있기 때문에, 각 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리를 더욱 균일화하는 것이 가능하다.
그런데, 처리 용기(2) 내에 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 스테이지(31∼35)가 원환형으로 배치되어 있으면, 로드록실(51) 내의 반송 아암(52)에 의해, 각 웨이퍼(W)를 각각의 기판 스테이지(31∼35)에 전달할 때에는, 처리 용기(2) 내의 각 기판 스테이지(31∼35)에 대하여 액세스 가능하게 할 필요가 있다. 그렇게 하면, 반송 아암(52)의 구성은 매우 복잡화, 비대화하는 것이 예상된다.
이것에 대처하기 위해서, 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 처리 용기(2) 내에 각 기판 스테이지(31∼35)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 전용 반송 아암(61)을 설치하는 것을 제안할 수 있다.
이 반송 아암(61)은, 상기 예컨대 처리 용기(2)의 저부(2b) 중심의 중심에 설치된 중심축(62)을 중심으로 회전, 상하 이동 가능하게 구성되어 있고, 아암부(63)는, 각 기판 스테이지(31∼35)에 대하여 액세스 가능하다. 그리고 로드록실(51) 내의 반송 아암(52)이 직선 이동에 의해 전달할 수 있는 게이트 밸브 근방의 기판 스테이지(31)를 중계 지점으로 하여, 반송 아암(61)에 의해, 상기 기판 스테이지(31)로부터 다른 기판 스테이지(32∼35)로 웨이퍼(W)를 전달한다. 이것에 의해 로드록실(51) 내의 반송 아암(52)은, 종래와 같이 직선 위로 이동하는 일반적인 반송 아암으로 충분하다.
또한, 플라즈마 처리 중에는, 반송 아암(61)은 각 기판 스테이지(31∼35) 상의 웨이퍼(W)의 위쪽에 위치하면 처리를 실행할 수 없기 때문에, 미리 기판 스테이지(31∼35)를 배치할 때에 후퇴 스페이스(F)를 처리 용기(2) 내에 설정해 두고, 처리 중에는, 반송 아암(61)은 이 후퇴 스페이스(F)로 후퇴시켜 두면 된다.
그러나 플라즈마 처리의 종류에 따라서는, 후퇴 스페이스(F)로 반송 아암(61)이 후퇴되고 있었다고 해도, 처리 중에 이상 방전 등의 예측할 수 없는 사태가 발생하는 것도 예상된다. 이러한 사태가 우려되는 경우에는, 도 7에 도시된 바와 같은 반송 아암(71)을 제안할 수 있다.
이 반송 아암(71)은, 처리 용기(2) 내의 저부(2b)에 원환형으로 배치된 기판 스테이지(31∼36)의 중심에 설치되고, 평면에서 보아 원형 또한 바닥이 있는 오목부(72)에 배치되어 있다. 이 반송 아암(71)은 회전, 신축, 상하 이동 가능하게 구성되어 있고, 사용하지 않을 때에는 반송 아암(71)이, 수축, 하강하여 오목부(72) 내에 수용되도록 되어 있다. 그리고 로드록실(51)의 반송 아암(52)이, 웨이퍼(W)를 처리 용기(2) 내로 반송해 오면, 도 8에 도시된 바와 같이, 반송 아암(71)은 신장하여, 상기 웨이퍼(W)를 수취하러 간다. 그리고 웨이퍼(W)를 수취한 후, 반송 아암(71)은 소정의 기판 스테이지(31∼36)로 반송된다.
이러한 동작을 반복하고, 모든 기판 스테이지(31∼36)로의 웨이퍼(W)의 반송이 끝나면, 다음에 도 9에 도시된 바와 같이, 로드록실(51)의 반송 아암(52)은, 덮개(73)를 처리 용기(2) 내로 반송하게 된다. 이 덮개(73)는, 오목부(72)를 기밀하게 폐쇄 가능한 크기, 형상을 갖고 있다. 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 반송 아암(71)은 기판 스테이지(31)의 위쪽에서 이 덮개(73)를 수취하고, 그대로 오목부(72)로 수축하여, 덮개(73)를 유지한 채로 하강한다. 이것에 의해 도 11에 도시된 바와 같이, 덮개(73)는, 오목부(72)를 위쪽에서부터 기밀하게 폐쇄한다. 이에 따라 반송 아암(71)은 처리 용기(2) 내에 노출되는 일은 없기 때문에, 플라즈마 처리를 실행하여도, 상기한 이상 방전 등의 사태가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그와 같이 전용 덮개(73)를 외부로부터 반입하지 않고, 처리시에 반송 아암(71)을 기밀하게 완전 수용하는 기구를 처리 용기(2) 내에 설치하여도 좋다. 도 13은 이러한 예를 나타내고 있고, 처리 용기(2)의 저부(2b)의 중심에는, 원통형의 하부 챔버(81)를 설치하고, 반송 아암(71)은, 이 하부 챔버(81) 내에 설치되어 있다. 처리 용기(2) 내의 위쪽에는, 이 하부 챔버(81)와 밀착 가능하고, 또한 상하 이동하는 상부 챔버(82)가 설치되어 있다.
그리고 각 기판 스테이지, 예컨대 기판 스테이지(31)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하거나, 로드록실(51)의 반송 아암(52) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 때에는, 도 12에 도시된 바와 같이, 상부 챔버(82)는 위쪽에 대기하고 있다.
그 후 각 기판 스테이지로의 웨이퍼(W)의 전달이 종료되어 플라즈마 처리를 시작하는 경우에는, 반송 아암(71)은 수축되어 하부 챔버(81) 내에 수용된다. 그 후 도 13에 도시된 바와 같이, 상부 챔버(82)가 하강하여, 하부 챔버(81)와 밀착함으로써, 반송 아암(71)은, 상부 챔버(82)와 하부 챔버(81) 내에 기밀하게 수납되고, 처리 용기(2) 내에 반송 아암(71)이 노출되는 일은 없다. 따라서, 플라즈마 처리를 실행하여도, 상기한 이상 방전 등의 사태가 발생하는 일은 없다.
또한, 이와 같이 처리 용기(2) 내에, 특히 상부 챔버(82)를 설치하는 경우에는, 그 상태에서는 상기한 원반 형상의 상부 전극(10)을 채용하기 어렵기 때문에, 도 12, 도 13에 도시된 바와 같이, 도 4에 도시된 원환형의 전극체(17)를 갖는 상부 전극을 채용하는 것이 바람직하다.
이상의 실시형태에서는, 고주파에 의해 플라즈마를 생성하는 에칭 장치를 예로서 들었지만, 물론 이것에 한정되지 않고, 성막 장치, 스퍼터링 장치여도 좋으며, 또한 플라즈마 소스도, 평행 평판 플라즈마에 한정되지 않고 마이크로파, ICP 플라즈마 등, 다른 수단에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치여도 좋다. 또한 기판도 웨이퍼에 한정되지 않고, 유리 기판, 유기 EL 기판, FPD(flat-panel display)용 기판 등이어도 좋다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경례 또는 수정례에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
본 발명은, 예컨대 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 장치에 대하여 유용하다.
1 : 플라즈마 처리 장치
2 : 처리 용기
2a : 천판부
2b : 저부
2c : 측벽
4, 7 : 회전 기구
5, 8 : 구동 기구
10 : 상부 전극
10a : 전극체
10b : 수직부
11 : 전극 지지 부재
11a : 수직부
12 : 냉매 유로
13 : 가스 유로
22 : 가스 공급원
25 : 고주파 전원
31∼35 : 기판 스테이지
40 : 배기구
41 : 배기 수단
42 : 배기관
43 : 게이트 밸브
51 : 로드록실
52 : 반송 아암
71 : 반송 아암
72 : 오목부
73 : 덮개
81 : 하부 챔버
82 : 상부 챔버
F : 후퇴 스페이스
H : 히터
W : 웨이퍼

Claims (11)

  1. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 기밀하게 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내의 아래쪽에 설치되고, 상기 기판을 배치하는 복수의 배치대와,
    상기 처리 용기 내의 위쪽에 설치되고, 또한 상기 복수의 배치대에 대향하도록 설치된 상부 전극을 가지며,
    상기 상부 전극은, 처리 용기 내에 있어서 상기 상부 전극의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 배치대는, 각각의 배치대의 중심을 중심축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 방사형으로 존 분할된 복수의 전극체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 원환형의 전극체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은, 고주파가 공급되는 원환형의 전극체가 동심원형으로 복수 배치된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    각 전극체에 공급되는 고주파는, 개별로 출력 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    각 배치대 상에 기판을 반송 가능한 반송 아암이 상기 처리 용기 내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에는, 상기 배치대를 피하여 상기 반송 아암이 후퇴하는 후퇴 스페이스가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에는, 상기 반송 아암을 기밀하게 수용할 수 있는 수용부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 수용부는, 상기 반송 아암을 수용 가능한 오목부와, 상기 오목부를 기밀하게 폐쇄하는 덮개로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 수용부는, 하부 챔버, 및 상기 하부 챔버와 밀착 가능하고 또한 상하 이동하는 상부 챔버를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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