KR20160072056A - 캐리어 링 구조체 및 이를 포함하는 챔버 시스템들 - Google Patents

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KR20160072056A
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전엘리
닉 레이 라인버거 주니어
시리쉬 레디
엘리스 홀리스터
렁티와 메타파논
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

막들을 증착하기 위해 구현된 챔버 내에서 사용하기 위한 캐리어 링 및 캐리어 링을 사용하는 챔버들이 제공된다. 캐리어 링은 외측 에지 측면 및 웨이퍼 에지 측면을 갖는 환형 디스크 형상을 갖는다. 캐리어 링은 외측 에지 측면과 웨이퍼 에지 측면 사이에서 연장하는 상단 캐리어 링 표면을 갖는다. 웨이퍼 에지 측면은 상단 캐리어 링 표면보다 보다 낮은 하부 캐리어 링 표면을 포함한다. 웨이퍼 에지 측면은 또한 복수의 콘택트 지지 구조체들을 포함한다. 콘택트 지지 구조체 각각은 하부 캐리어 링 표면의 에지에 위치되고 하부 캐리어 링 표면과 상단 캐리어 링 표면 사이인 높이를 갖고, 콘택트 지지 구조체는 테이퍼된 에지들 및 코너들을 갖는다. 상단 대면 에지가 단차의 상단에 배치되고 하부 내측 에지가 단차의 하단에 배치되도록, 상단 캐리어 링 표면과 하부 캐리어 링 표면 사이에 단차가 규정된다. 상단 대면 에지 및 하부 내측 에지 각각은 라운드된 날카롭지 않은 에지를 갖고 콘택트 지지 구조체들 각각의 상단은 웨이퍼를 리프팅하고 그리고 하강시키고 그리고 이동시키기 위해 웨이퍼의 하단 에지 표면과의 콘택트를 위해 구성된다.

Description

캐리어 링 구조체 및 이를 포함하는 챔버 시스템들{CARRIER RING STRUCTURE AND CHAMBER SYSTEMS INCLUDING SAME}
본 실시예들은 반도체 웨이퍼 프로세싱 장비 툴들, 보다 구체적으로 챔버들에 사용된 캐리어 링들에 관한 것이다. 챔버들은 프로세싱 및 웨이퍼들의 이송을 위한 것이다.
PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 는 웨이퍼와 같은 기판 상에서 가스 상태 (즉, 기체) 로부터 고체 상태로 박막들을 증착하기 위해 사용된 플라즈마 증착 타입이다. PECVD 시스템들은 챔버로 전달된 기체 전구체로 액체 전구체를 변환한다. PECVD 시스템들은 기체 전구체를 생성하기 위해 제어된 방식으로 액체 전구체를 기화하는 기화기를 포함할 수도 있다.
PECVD를 위해 사용된 챔버들은 프로세싱 동안 웨이퍼를 지지하기 위해 세라믹 페데스탈들을 사용하고, 이는 고온 하에서의 프로세싱을 인에이블한다. 일 애플리케이션은 AHM들 (ashable hardmasks) 의 증착이다. AHM들은 "애싱 (ashing)"으로 지칭된 기법에 의해 제거될 수도 있는, 반도체 프로세싱에 사용된 막들이다. 특히, AHM들은 종종 에칭 정지층들로서 사용된다. 193 ㎚ 이하의 리소그래피 스킴들은 아래에 놓인 유전체층 또는 금속 배리어층에 대해 높은 에칭 선택도를 갖도록 이들 AHM들을 필요로 한다.
또한, AHM 재료들을 증착하기 위해 사용된 일부 챔버들은 프로세싱 스테이션들 사이에서 웨이퍼의 운동을 인에이블하도록 캐리어 링을 사용한다. 캐리어 링이 증착 재료들에 대한 노출을 고려하는 기하학적 구조로 규정되지 않으면, 챔버 내의 캐리어 링은 사용, 예를 들어, 웨이퍼 리프팅 동안 입자들을 생성할 수도 있고 그리고 온라인 프로세싱 동안 보다 많은 트러블 슈팅 (trouble shooting) 및/또는 보다 많은 세정들로 인한 정지 시간 (downtime) 을 필요로 할 수도 있다.
입자 소스들을 제거하거나 감소시키는 기존의 방법들은 프로세스 모듈을 통한 웨이퍼 이송을 "최적화"하는 것으로 여겨졌다. 웨이퍼 이송을 "최적화"하는 것은 웨이퍼 움직임을 늦추고 또한 캐리어링들이 정렬 핀들을 통해 페데스탈들에 고정될 때 캐리어링들이 덜그럭거리지 않는 것을 보장하는 것 - "클록킹 (clocking)"이라고 하는 방법 - 과 같은 방법들을 포함한다. 페데스탈들을 "클록킹"하는 것은 힘든 태스크이고 페데스탈 손상을 야기할 수 있고 웨이퍼 속도들을 늦추는 것은 최종 사용자들에게 적합한 쓰루풋이다.
이 것이 본 발명이 발생한 맥락이다.
본 개시의 실시예들은 반도체 웨이퍼들을 프로세싱하기 위해 사용된 프로세스 챔버의 실시예들을 제공한다. 일 구현예에서, 증착 챔버들 내에서 사용된 캐리어 링이 제공되고, 이러한 캐리어 링은 에지 근방의 하부 표면들로부터 웨이퍼를 리프팅하기 위한 콘택트 지지 구조체들을 포함한다. 일 구성에서, 콘택트 지지 구조체들은 콘택트 지지 구조체들의 상단부 위에 형성된 임의의 재료 막들이, 그렇지 않으면 이러한 재료 막들에 추가의 응력을 가할, 날카로운 에지들에 노출되지 않도록, 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는다. 콘택트 지지 구조체들의 상단부는 리프팅될 때 웨이퍼의 하부 표면과 콘택트하게 되는 표면들이고, 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는 것은 사용 예를 들어, 콘택트 지지 구조체들과 웨이퍼의 하부 표면 사이의 물리적 콘택트 동안 플레이킹 (flaking) 을 감소시키고/시키거나 입자 생성을 감소시키는 것으로 여겨진다.
AHM 시스템들의 지속되는 문제는 콘택트 지지 구조체들인 MCA (minimum contact area) 피처들의 위치들에 맵핑하는 입자들이다. 검사 및 연구에 기초하여, 일단 입자들이 발생하면, 상부에 프로세스 모듈을 통해 웨이퍼가 이송된 캐리어 링들 상에 언더코팅/사전-코팅 막이 있다. 캐리어 링의 MCA 위치들에 맵핑하는 입자들 및 언더코팅/사전-코팅 막이 있을 때 발생하는 입자들이 주어지면, 막의 적어도 일부는 MCA 피처들의 플레이크라는 것이 발견되었다.
막의 사전-코팅층 및 언터코팅층은 웨이퍼들이 프로세싱되기 전에 프로세스 챔버 내에 증착된다. 이 사전-코팅막 및 언터코팅막은 캐리어 링들 상에서 웨이퍼와 콘택트하게 되는 것이 발견된다. 막이 기계적으로 불안정하면, 이 사전-코팅막 및 언터코팅막은, 예를 들어, 막 응력들, 필링 (peeling) 및/또는 플레이킹으로 인해, 입자들의 소스가 될 수 있다. 이는 콘택트 지지 구조체들, 예를 들어, MCA들의 표면들이 날카로운 에지들, 지점들, 코너부들, 라운딩되지 않거나 커브된 표면 계면들, 등을 가질 때 특히 진실이다. 이는 또한 사전-코팅들 및 언더코팅들이 필요 없는, 다른 막들 또는 재료들에 적용가능하다.
일 실시예에서, 콘택트 지지 구조체들은 라운딩된 코너부들, 소프트-에지들을 갖도록 설계되거나 공유 에지들 또는 표면 전이부들이 없다. 이렇게 규정된 표면 특성들을 갖도록 콘택트 지지 구조체들을 구성함으로써, 막들이 MCA들에 보다 잘 접착한다고 여겨진다. 보다 양호한 접착은 일단 웨이퍼와 콘택트하면 예를 들어, MCA들 상에 형성된 막과의 기계적 콘택트시, 막을 필링할 경향을 낮춘다.
일 실시예에서, 막들을 증착하기 위해 구현된 챔버 내에서 사용하기 위한 캐리어 링이 개시된다. 캐리어 링은 외측 에지 측면 및 웨이퍼 에지 측면을 갖는 환형 디스크 형상을 갖는다. 캐리어 링은 외측 에지 측면과 웨이퍼 에지 측면 사이에서 연장하는 상단 캐리어 링 표면을 갖는다. 상기 웨이퍼 에지 측면은, 상기 상단 캐리어 링 표면보다 보다 낮은 하부 캐리어 링 표면을 포함한다. 웨이퍼 에지 측면은 또한 복수의 콘택트 지지 구조체들을 포함한다. 상기 콘택트 지지 구조체 각각은 상기 하부 캐리어 링 표면의 에지에 위치되고 상기 하부 캐리어 링 표면과 상기 상단 캐리어 링 표면 사이인 높이를 갖고, 상기 콘택트 지지 구조체는 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는다. 상기 상단 캐리어 링 표면과 상기 하부 캐리어 링 표면 사이에 단차가 규정되고, 상단 대면 에지는 상기 단차의 상단에 배치되고 하부 내측 에지는 상기 단차의 하단에 배치된다. 상단 대면 에지와 하부 내측 에지 각각은 라운딩된 날카롭지 않은 에지를 갖고 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상단은 웨이퍼를 리프팅하고 그리고 하강시키고 그리고 이동시키기 위해 상기 웨이퍼의 하단 에지 표면과의 콘택트를 위해 구성된다.
일 실시예에서, 웨이퍼 에지 측면은 하부 캐리어 링 표면과 콘택트 지지 구조체 사이의 전이부에서 내측 콘택트 에지를 더 포함한다.
일 실시예에서, 콘택트 지지 구조체들의 테이퍼된 에지들 및 코너부들은 날카로운 코너부들이 없는 실질적으로 커브된 표면을 갖는다. 일부 실시예들에서, 날카로운 코너부들이 없는 것은 부분적으로 라운딩되고, 커브되고, 윤곽을 이루고, 평면들 또는 지점들 사이의 전이부에서 적어도 어떤 반경을 갖고, 단단하거나 갑작스러운 에지들, 코너부들, 지점들 및 표면 변화들이 없는, 표면들을 포함한다.
일 실시예에서, 캐리어 링은 막들을 증착하기 위해 사용된 챔버 내에서 구현된다. 챔버는 웨이퍼 지지 영역 및 웨이퍼 지지 영역을 둘러싸는 캐리어 지지 표면을 갖는 페데스탈을 포함한다. 캐리어 지지 표면은 웨이퍼 지지 영역으로부터 스텝 다운된다 (step down). 챔버는 페데스탈의 제 1 측면부 둘레에 구성된 제 1 암 및 페데스탈의 제 2 측면부 둘레에 구성된 제 2 암을 갖는 포크를 포함한다. 일 구성에서, 제 1 암 및 제 2 암 각각은, 캐리어 링의 하측면과 콘택트하지 않는 인게이지되지 않은 상태에 있을 때 그리고 제 1 암 및 제 2 암 각각이 캐리어 링 및 캐리어 링 상에 놓인 웨이퍼를 함께 리프팅하기 위해 캐리어 링의 하측 표면과 콘택트하는 인게이지된 상태에 있을 때 캐리어 지지 표면 아래에 위치된다.
또 다른 실시예에서, 웨이퍼 지지 영역 위에 배치될 때 웨이퍼는 캐리어 지지 표면의 일부 위에서 오버행하도록 구성되고, 콘택트 지지 구조체 각각은 웨이퍼의 오버행 아래에서 배향하도록 구성된다.
일 실시예에서, 인게이지되지 않은 상태에서 콘택트되지 않은 분리 거리는 웨이퍼의 하단 에지 표면과 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 사이에서 규정된다.
일 실시예에서, 인게이지된 상태에서 콘택트는 웨이퍼의 하단 에지 표면과 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 사이에서 이루어지고, 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 위에 존재하는 증착 재료는 콘택트가 인게이지된 상태에서 이루어질 때 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 위에서 실질적으로 유지된다.
일 구성에서, 챔버는 동작 동안 페데스탈 위에서 배향되도록 구성된 샤워헤드를 더 포함하고, 샤워헤드는 웨이퍼 위의 막의 증착을 인에이블하기 위해 프로세스 가스들을 제공하도록 구성된다. RF (radio frequency) 전력 공급부는 매칭 네트워크를 통해 페데스탈에 연결되고, 동작 동안 RF 전력 공급부는 웨이퍼 위의 막의 증착을 더 인에이블한다.
또 다른 실시예에서, 웨이퍼 상에서 증착을 프로세싱하기 위한 챔버가 제공된다. 챔버는 웨이퍼 지지 영역 및 웨이퍼 지지 영역을 둘러싸는 캐리어 지지 표면을 갖는 페데스탈을 포함한다. 캐리어 지지 표면은 웨이퍼 지지 영역으로부터 스텝 다운된다. 또한 페데스탈의 제 1 측면부 둘레에 구성된 제 1 암 및 페데스탈의 제 2 측면부 둘레에 구성된 제 2 암을 갖는 포크가 또한 제공되고, 제 1 암 및 제 2 암 각각은 인게이지되지 않은 상태에 있을 때 캐리어 지지 표면 아래에 위치된다. 포크의 제 1 암 및 제 2 암은 인게이지된 상태에 있을 때 캐리어 지지 표면 위로 상승하도록 구성된다. 챔버는 외측 에지 측면 및 웨이퍼 에지 측면을 갖는 환형 디스크 형상을 갖는 캐리어 링을 더 포함한다. 캐리어 링은 외측 에지 측면과 웨이퍼 에지 측면 사이에서 연장하는 상단 캐리어 링 표면을 갖는다. 웨이퍼 에지 측면은 상단 캐리어 링 표면보다 낮은 하부 캐리어 링 표면을 포함한다. 웨이퍼 에지 측면은 또한 복수의 콘택트 지지 구조체들을 포함하고, 콘택트 지지 구조체 각각은 하부 캐리어 링 표면의 에지에 위치되고 하부 캐리어 링 표면과 상단 캐리어 링 표면 사이인 높이를 갖는다. 콘택트 지지 구조체 각각은 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는다. 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부는 포크가 웨이퍼를 상승시키고 이동시키기 위해 캐리어 링을 리프팅할 때 웨이퍼의 하단 에지 표면과 콘택트하기 위해 구성된다. 캐리어 링을 리프팅하는 것은 콘택트 지지 구조체들 각각의 상단부 위에 놓인 웨이퍼를 리프팅한다.
도 1은 웨이퍼를 프로세싱하도록, 예를 들어, 웨이퍼 상에 막들을 형성하도록 사용된 기판 프로세싱 시스템을 예시한다.
도 2는 일 실시예에 따른, 4개의 프로세싱 스테이션들이 제공된, 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 상면도를 예시한다.
도 3은 일 실시예에 따른, 인바운드 로드록 및 아웃바운드 로드록을 갖는 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 실시예의 개략도를 도시한다.
도 4a는 일 실시예에 따른, 페데스탈 및 스파이더 포크들의 암들의 상면도를 예시한다.
도 4b는 일 실시예에 따른, 페데스탈 에지의 확대 단면도를 예시한다.
도 4c는 일 실시예에 따른, 하부 챔버 부분에 연결되도록 구성된 베이스에 연결되고 중앙 기둥 위에 놓인 페데스탈의 3차원 도면을 예시한다.
도 5a 내지 도 5c는 일 실시예에 따른, 페데스탈과 캐리어 링의 에지의 확대도와 함께 페데스탈의 단면도를 예시한다.
도 6a 내지 도 6c는 일 실시예에 따른, 예시적인 막 형성 프로세스를 예시한다.
도 7a 내지 도 7c는 일 실시예에 따른, 캐리어 링 및 콘택트 지지 구조체들의 부가적인 단면도들을 예시한다.
도 8은 일 실시예에 따른, 시스템들을 제어하기 이한 제어 모듈을 도시한다.
본 개시의 실시예들은 반도체 웨이퍼들을 프로세싱하기 위해 사용된, 프로세스 챔버의 실시예들을 제공한다. 일 구현예에서, 증착 챔버들 내에 사용된 캐리어 링이 제공되고, 이러한 캐리어 링은 에지 근방의 하부 표면으로부터 웨이퍼를 리프팅하기 위한 콘택트 지지 구조체들을 포함한다. 일 구성에서, 콘택트 지지 구조체들은 콘택트 지지 구조체들 위에 형성되거나 증착된 임의의 막들 상에서 점 응력들을 감소시키기 위해 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는다.
일 예시적인 구성에서, 캐리어 링은 한 쌍의 암들 또는 다른 리프팅 메커니즘들을 갖는 스파이더 포크들을 사용하여 하부 표면으로부터 리프팅된다. 캐리어 링이 리프팅될 때, 캐리어 링은 웨이퍼의 하부 표면과 물리적으로 콘택트하게 되는, 캐리어 링 상에 콘택트 지지 구조체들이 배치된 지점까지 상승되어 캐리어 링과 함께 웨이퍼를 리프팅한다. 이어서 스파이더 포크들은 캐리어 링 및 웨이퍼가 하강되는 또 다른 스테이션으로 웨이퍼를 이동시킬 수 있다.
일 구성에서, 챔버는, 예를 들어, 4개의 스테이션들과 같이 복수의 스테이션들을 포함한다. 이어서 챔버는 4개의 스파이더 포크들을 포함할 것이고 캐리어 링은 스테이션들 각각의 각각의 페데스탈들 둘레에 배치될 것이다. 이 구성에서, 스파이더 포크들은 4개의 캐리어 링들 (및 그 위에 배치된 임의의 웨이퍼) 각각을 동시에 리프트할 수 있고, 모든 캐리어 링들 및 웨이퍼들은 다음 스테이션 (예를 들어, 부가적인 또는 상이한 프로세싱을 위해) 으로 회전될 (rotate) 수 있다. 일 구성에서, 챔버들은 일 웨이퍼가 한번에 로딩될 때 로딩 스테이션 및 언로딩 스테이션을 갖거나 2개의 웨이퍼들이 한번에 로딩 및 언로딩되는 병렬 로딩 스테이션 및 언로딩 스테이션을 포함할 수 있다.
본 실시예들은 다양한 방식들, 예컨대, 프로세스, 장치, 시스템, 디바이스, 또는 방법으로 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 몇몇 실시예들이 이하에 기술된다.
하드마스크들은 반도체 프로세싱에서 에칭 정지층으로서 사용된다. AHM들 (ashable hard masks) 은 일단 이들의 목적이 달성되면, AHM들로 하여금 애싱으로 지칭되는 기법에 의해 제거되게 하는 화학적 조성을 갖는다. AHM은 대체로 미량의 하나 이상의 도펀트들 (예를 들어, 질소, 불소, 붕소, 실리콘) 과 함께 탄소 및 수소로 조성된다. 이들 하드 마스크들 내의 결합 구조는, 증착 조건들에 따라, sp2 (그래파이트-유사) 로부터 sp3 (다이아몬드-유사) 로 또는 양자의 조합으로 가변할 수 있다. 통상적인 애플리케이션에서, 하드 마스크를 에칭하는 것이 목적을 달성한 후, 하드 마스크는 아래에 놓인 유전체 산화물 (예를 들어, SiO2) 로부터 제거되어야 한다. 이는 대체로, 적어도 부분적으로, 또한 "플라즈마 애싱" 또는 "드라이 스트립핑"으로 지칭되는 애싱에 의해 달성된다. 애싱될, 대체로 부분적으로 제조된 반도체 웨이퍼들인, 하드 마스크들을 갖는 기판들은 진공 하에서 챔버 내에 위치되고, 산소가 산소 라디칼들 (플라즈마) 을 생성하는 무선 주파수 전력에 도입되고 무선 주파수 전력을 받는다. 라디칼들은 물, 일산화탄소, 및 이산화탄소로 산화하기 위해 하드 마스크와 반응한다. 일부 예들에서, 하드 마스크의 완전한 제거는, 예를 들어 애싱만으로 제거될 수 없는 임의의 잔여물 뒤에 AHM이 남아 있을 때, 애싱에 이어 부가적인 습식 에칭 프로세스 또는 건식 에칭 프로세스에 의해 달성될 수도 있다.
막들의 증착은 바람직하게 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 시스템 내에서 구현된다. PECVD 시스템은 많은 상이한 형태들을 취할 수도 있다. PECVD 시스템은 하나 이상의 웨이퍼들을 하우징하고 웨이퍼 프로세싱에 적합한 하나 이상의 챔버들 또는 (때때로 복수의 스테이션들을 포함하는) "반응기들"을 포함한다. 챔버 각각은 프로세싱을 위해 하나 이상의 웨이퍼들을 하우징할 수도 있다. 하나 이상의 챔버들은 규정된 위치 또는 위치들 (이 위치 내에서 예를 들어, 회전, 진동, 또는 다른 교반과 같은, 움직임 없이 또는 움직이면서) 에서 웨이퍼를 유지한다. 증착을 겪는 웨이퍼는 프로세스 동안 반응기 챔버 내의 일 스테이션으로부터 또 다른 스테이션으로 이송될 수도 있다. 물론, 막 증착은 단일 스테이션에서 전적으로 발생할 수도 있고 또는 막의 임의의 부분이 임의의 수의 스테이션들에서 증착될 수도 있다.
프로세스 동안, 웨이퍼 각각은 페데스탈, 웨이퍼 척 및/또는 다른 웨이퍼 홍딩 장치에 의해 제자리에 홀딩된다. 특정한 동작들을 위해, 장치는 웨이퍼를 히팅하기 위한 히팅 플레이트와 같은 히터를 포함할 수도 있다.
도 1은 웨이퍼 (101) 를 프로세싱하기 위해 사용된 기판 프로세싱 시스템 (100) 을 예시한다. 시스템은 하부 챔버부 (102b) 및 상부 챔버부 (102a) 를 갖는 챔버 (102) 를 포함한다. 중앙 기둥은 일 실시예에서 전력이 공급된 전극인 페데스탈 (140) 을 지지하도록 구성된다. 페데스탈 (140) 은 매칭 네트워크 (106) 를 통해 전력 공급부 (104) 에 전기적으로 커플링된다. 전력 공급부는 제어 모듈 (110), 예를 들어, 제어기에 의해 제어된다. 제어 모듈 (110) 은 프로세스 입력 및 제어 (108) 를 실행함으로써 기판 프로세싱 시스템 (100) 을 동작시키도록 구성된다. 프로세스 입력 및 제어 (108) 는 전력 레벨들, 타이밍 파라미터들, 프로세스 가스들, 예컨대 웨이퍼 (101) 위에 막들을 증착하거나 형성하기 위한 웨이퍼 (101) 의 기계적 이동, 등과 같은 프로세스 레시피들을 포함할 수도 있다. 상기에 언급된 바와 같이, 웨이퍼 (101) 위에 형성될 수 있는 이러한 막은 AHM (ashable hard mask) 이다.
중앙 기둥은 또한 리프트 핀 제어 (122) 에 의해 제어되는 리프트 핀들 (120) 을 포함하는 것으로 도시된다. 리프트 핀들 (120) 은 엔드-이펙터로 하여금 웨이퍼를 집게 (pick) 하도록 페데스탈 (140) 로부터 웨이퍼 (101) 를 상승시키고 엔드-이펙터에 의해 위치된 후에 웨이퍼 (101) 를 하강시키도록 사용된다. 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 프로세스 가스들 (114), 예를 들어, 설비로부터 가스 화학물질 공급부들에 연결된 가스 공급 매니폴드 (112) 를 더 포함한다. 수행되는 프로세싱에 따라, 제어 모듈 (110) 은 가스 공급 매니폴드 (112) 를 통해 프로세스 가스들 (114) 의 전달을 제어한다. 이어서 선택된 가스는 샤워헤드 (150) 내로 흐르고 웨이퍼 (101) 를 대면하는 샤워헤드 (150) 면과 페데스탈 (140) 위에 놓인 웨이퍼 (101) 사이에 규정된 공간 볼륨에 분배된다.
또한, 가스들은 사전혼합되거나 되지 않을 수도 있다. 프로세스의 증착 페이즈 및 플라즈마 처리 페이즈 동안 올바른 가스들이 전달되었다는 것을 보장하도록 적절한 밸브 메커니즘 및 질량 유량 제어 메커니즘이 채용될 수도 있다. 프로세스 가스들은 유출부를 통해 챔버를 나간다. 진공 펌프 (예를 들어, 1 또는 2단계 기계적 건조 펌프 및/또는 터보분자 펌프) 는 프로세스 가스들을 인출하고 쓰로틀 밸브 또는 펜들럼 밸브와 같은 폐루프 제어된 플로우 제한 디바이스에 의해 반응기 내에서 적합하게 낮은 압력을 유지한다.
페데스탈 (140) 의 외측 영역을 둘러싸는 캐리어 링 (200) 이 또한 도시된다. 캐리어 링 (200) 은 페데스탈 (140) 의 중심에서 웨이퍼 지지 영역으로부터 스텝 다운된 캐리어 링 지지 영역 위에 놓이도록 구성된다. 캐리어 링은 캐리어 링의 디스크 구조의 외측 에지 측면, 예를 들어, 외측 반경, 및 캐리어 링의 디스크 구조의 웨이퍼 에지 측면, 예를 들어, 웨이퍼 (101) 가 놓인 곳에 가장 가까운 내측 반경을 포함한다. 캐리어 링의 웨이퍼 에지 측면은 캐리어 링 (200) 이 스파이더 포크들 (180) 에 의해 리프팅될 때 웨이퍼 (101) 를 리프팅하도록 구성된 복수의콘택트 지지 구조체들을 포함한다. 따라서 캐리어 링 (200) 은 웨이퍼 (101) 와 함께 리프팅되고 예를 들어, 멀티-스테이션 시스템에서 또 다른 스테이션으로 회전될 수 있다. 캐리어 링 (200) 에 관한 보다 상세한 설명은 도 5a 내지 도 7c를 참조하여 이하에 제공된다.
도 2는 4개의 프로세싱 스테이션들이 제공되는 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 상면도를 예시한다. 이 상면도는 4개의 스테이션들이 스파이더 포크들 (226) 에 의해 액세스되는, (예를 들어, 예시를 위해 상부 챔버부 (102a) 가 제거된) 하부 챔버부 (102b) 의 상면도이다. 스파이더 포크 또는 포크 각각은 제 1 암 및 제 2 암을 포함하고, 암 각각은 페데스탈 (140) 의 측면 각각의 부분 둘레에 위치된다. 이 도면에서, 스파이더 포크들 (226) 은 캐리어 링 (200) 아래에 있다는 것을 시사하기 위해 대시-선으로 도시되었다. 인게이지먼트 및 회전 메커니즘 (220) 을 사용하는 스파이더 포크들 (226) 은 스테이션들로부터 (즉, 캐리어 링들 (200) 의 하부 표면으로부터) 캐리어 링들 (200) 을 동시에 상승 및 리프트하고, 이어서 각각의 웨이퍼들 (101) 에 대해 추가의 플라즈마 프로세싱, 처리 및/또는 막 증착이 발생할 수 있도록 다음 위치로 (캐리어 링들 중 적어도 하나가 웨이퍼 (101) 를 지지하는) 캐리어 링들 (200) 을 하강시키기 전에 적어도 하나 이상의 스테이션들에서 회전하도록 구성된다.
도 3은 인바운드 로드록 (302) 및 아웃바운드 로드록 (304) 을 갖는 멀티-스테이션 프로세싱 툴 (300) 의 실시예의 개략도를 도시한다. 대기압에서 로봇 (306) 은 포드 (308) 를 통해 로딩된 카세트로부터 기판들을 대기 포트 (310) 를 통해 인바운드 로드록 (302) 내로 이동시키도록 구성된다. 인바운드 로드록 (302) 은, 대기 포트 (310) 가 폐쇄될 때, 인바운드 로드록 (302) 이 펌프 다운될 수도 있도록, 진공 소스 (미도시) 에 커플링된다. 인바운드 로드록 (302) 은 또한 프로세싱 챔버 (102b) 와 인터페이싱된 챔버 이송 포트 (316) 을 포함한다. 따라서, 챔버 이송 포트 (316) 가 개방될 때, 또 다른 로봇 (미도시) 은 프로세싱을 위해 인바운드 로드록 (302) 으로부터 제 1 프로세스 스테이션의 페데스탈 (140) 로 기판을 이동시킬 수도 있다.
도시된 프로세싱 챔버 (102b) 는 도 3에 도시된 실시예에서 1 내지 4로 번호가 붙은 4개의 프로세스 스테이션들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세싱 챔버 (102b) 는 기판들이 진공 브레이크 및/또는 공기 노출을 경험하지 않고 프로세스 스테이션들 사이에서 캐리어 링 (200) 을 사용하여 이송될 수도 있도록 저압 환경을 유지하도록 구성된다. 도 3에 도시된 프로세스 스테이션 각각은 프로세스 스테이션 기판 홀더 (스테이션 1에 대해 318로 도시됨) 및 프로세스 가스 전달 라인 유입부들을 포함한다.
도 3은 또한 프로세싱 챔버 (102b) 내에서 기판들을 이송하기 위한 스파이더 포크들 (226) 을 도시한다. 이하에 보다 상세히 기술될 바와 같이, 스파이더 포크들 (226) 은 일 스테이션으로부터 또 다른 스테이션으로 웨이퍼들의 이송을 인에이블하고 회전시킨다. 이송은 웨이퍼를 리프팅하고, 웨이퍼와 캐리어를 함께 다음 스테이션으로 회전하는, 캐리어 링들 (200) 을 외측 하부표면으로부터 리프팅하도록 스파이더 포크들 (226) 을 인에이블함으로써 발생한다. 일 구성에서, 스파이더 포크들 (226) 은 프로세싱 동안 고레벨의 히팅을 견디도록 세라믹 재료로 이루어진다.
도 4a는 페데스탈 (140) 및 스파이더 포크들 (126) 의 암들의 상면도 (400) 를 예시한다. 대시-선은 캐리어 링 (200) 이 환형 링으로서, 페데스탈 주변 둘레에서 페데스탈 (140) 위에 놓일 때 캐리어 링 (200) 의 위치를 예시한다. 암 각각은 페데스탈 (140) 측면 바디의 반대되는 측면 영역들에 놓이도록 구성되고, 페데스탈 (140) 측면 바디는 스파이더 포크들 (126) 의 암들로 하여금 놓이게 하는 리세스된 영역들을 갖는다. 이 배향은 캐리어 링 (200) 으로 하여금 페데스탈 (140) 위에 놓이도록 하고 스파이더 포크들 (126) 의 암들로 하여금 캐리어 링 (200) 이 상부에 위치될 때, 캐리어 링 (200) 아래에 놓이도록 한다. 이 예시적인 예시에서, 페데스탈 (140) 은 도 4b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 지지 영역 (140a), 캐리어 지지 표면 (140b), 및 인게이지먼트 단차 (140c) 를 갖는다. 캐리어 지지 표면 (140) 은 웨이퍼 지지 영역 (140a) 표면 아래의 단차에 존재한다. 이는 캐리어 지지 표면 (140b) 으로 하여금 캐리어 링 (200) 을 수용하게 하고, 인게이지먼트 위치들 (410) 내로 피팅하는 캐리어 링 (200) 의 연장들에 의해 캐리어 링 (200) 이 제자리에 홀딩되도록 한다.
캐리어 지지 표면 (140a) 은 보다 낮은 단차 레벨에서 웨이퍼 지지 영역 (140a) 을 둘러싸는 환형 디스크 표면으로서 성형된다. 스파이더 포크들 (126) 의 암들은 인게이지되지 않은 상태 (즉, 스파이더 포크들이 캐리어 링 (200) 의 하측면과 물리적으로 콘택트하지 않는 상태) 에 있을 때, 대체로 캐리어 지지 표면 (140b) 바로 아래 레벨에 존재할 것이다. 스파이더 포크 (126) 의 암들이 인게이지된 상태에 있을 때, 암들은 스파이더 포크들 (126) 의 제 1 암 및 제 2 암에 의해 캐리어 링 (200) 의 하측면과의 콘택트를 이루도록 상승된다. 이는 캐리어 링 (200) 으로 하여금 스파이더 포크들 (126) 의 암들에 의해 리프팅되고, 이어서 이동, 예를 들어, 메커니즘 (220) 에 의해 또 다른 스테이션으로 회전되게 한다.
도 4c는 중앙 기둥 위에 놓이고, 하부 챔버부 (102b) 에 연결되도록 구성된 베이스부 (404) 에 연결된 페데스탈 (140) 의 3차원 도면 (402) 을 예시한다. 이 도면은 도 4a에 도시된 바와 같이, 캐리어 링 (200) 이 캐리어 지지 표면 (140b) 위에 배치되고 페데스탈 (140) 의 측면 리세스된 영역들에 오버행하는 방법을 도시한다.
도 5a는 페데스탈 (140) 의 에지의 확대도 (502) 와 함께 페데스탈 (140) 의 단면도 (500) 을 예시한다. 도시된 바와 같이, 웨이퍼 (101) 는 페데스탈 (140) 위에 배치되고 에지 확대도 (502) 에 가깝게 연장한다. 캐리어 링 (200) 은 도 4b에서 기술될 바와 같이, 캐리어 지지 표면 (140b) 위의 페데스탈 (140) 의 외측 영역에 놓인다. 캐리어 링 (200) 은 캐리어 링 (200) 이 프로세싱 동안 시프트하는 것을 방지하도록 캐리어 링 (200) 을 고정하는 복수의 연장부들 (242) 을 포함한다. 연장부들 (242) 은 도 4a에 도시된 바와 같이, 인게이지먼트 위치들 (410) 내에 놓이도록 구성된다.
도 5b는 에지 확대도 (502) 를 보다 상세히 도시한다. 연장부 (242) 는 인게이지먼트 단차 (140c) 에서 인게이지먼트 위치 (410) 내에 놓이고 또한 캐리어 지지 영역 (140b) 위에 놓이는 것으로 도시된다. 일 실시예에서, 캐리어 링 (200) 은 캐리어 지지 영역 (140b) 위에서 콘택트하여 정밀한 배치를 인에이블하도록 캐리어 지지 영역 (140b) 상에 위치된 복수의 콘택트 지지부들 위에 놓일 것이다. 캐리어 링 (200) 은 외측 에지 측면 (244) 에서 시작하고 웨이퍼 에지 측면 (240) 에 위치된 내측 반경으로 연장하는 외측 반경을 갖는 디스크이다. 이 예시에서, 웨이퍼 (101) 의 상단 표면은 대략 캐리어 링 (200) 의 상단 표면 (246) 의 레벨이다. 웨이퍼 에지 측면 (240) 에서, 캐리어 링 (200) 은 콘텍스트 지지 구조체들이 웨이퍼 지지 영역 (140a) 에 오버행하도록 구성된 웨이퍼 (101) 아래에 위치되도록, 상단 캐리어 링 표면 (246) 보다 보다 낮은 높이로 위치된 콘택트 지지 구조체들을 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 캐리어 링 (200) 이 리프팅될 때, 웨이퍼 에지 측면 (240) 에서 캐리어 링 (200) 의 팁의 콘택트 지지 구조체들은 캐리어 링 (200) 의 리프팅을 포함하여 웨이퍼 (101) 를 리프팅할 수 있다.
도 5c는 웨이퍼 에지 측면 (240) 및 웨이퍼 지지 영역 (140a) 과 (존재한다면) 웨이퍼 (101) 에 대한 배치를 보다 상세히 예시한다. 또한 캐리어 링 (200) 은, 캐리어 링 (200) 의 하단 표면과의 정밀한 콘택트를 인에이블하도록 캐리어 지지 영역 (140b) 상에 형성된 콘택트 지지 구조체들 (미도시) 로 인해, 캐리어 지지 영역 (140b) 으로부터 이격된 배향으로 놓인 것이 도시된다. 이 예시에서, 콘택트 지지 구조체들 (506) 은 또한 웨이퍼 지지 영역 (140a) 위에 제공되어, 웨이퍼 (101) 의 하단 표면과 웨이퍼 지지 영역 (140a) 사이에 약간의 분리를 규정한다. 콘택트 지지 구조체들 (506) 은 웨이퍼 지지 영역 (140a) 과 웨이퍼의 하단부와의 정밀한 콘택트 (예를 들어, 보다 높은 공차를 갖는) 를 향상시키도록 사용되는, MCA들 (minimal contact areas) 이다. 일부 실시예들에서, 콘택트 지지 구조체는 라운딩된 표면 또는 소프트 에지 표면을 갖는 범프들로 지칭될 수도 있다. 캐리어 링 (200) 은 상단 캐리어 링 표면 (264) 과 하부 캐리어 링 표면 (254) 사이의 전이부를 포함한다.
전이부는 248에서 상단 대면 에지 및 하부 내측 에지 (252) 및 상부 수직 벽 (250) 을 포함할 것이다. 이는 상단 캐리어 링 표면 (246) 과 하부 캐리어 링 표면 (254) 사이에 단차 전이부를 규정한다. 상단 대면 에지 (248) 는 라운딩된 날카롭지 않은 에지를 갖고, 하부 내측 에지 (252) 는 날카로운 코너부를 갖는 것을 방지하도록 실질적으로 커브된다는 것을 주의한다. 따라서, 상단 대면 에지 (248) 및 하부 에지 (252) 양자는 실질적으로 라운딩되고, 커브되고, 평활화되고, 실질적으로 날카로운 코너부들, 에지들, 또는 지점들이 없다. 이들 전이 지점들에서 날카로운 에지들을 회피함으로써, 임의의 증착되거나 형성된 막들 및 재료들이 접착될 가능성이 있고 재료들에 대한 응력들을 생성하는 날카로운 에지들 또는 지점들에 의해 부가될 수 있는 기계적 응력들을 받지 않는다. 응력들이 재료들 또는 막들에 인가될 때, 재료들 또는 막들이 프로세싱 동안 미립자들을 플레이크 (flake), 칩, 또는 생성할 수도 있는 가능성이 보다 높다.
시스템에서 미립자들을 감소시키는 것은 웨이퍼의 표면 상으로 디펙트들의 도입을 방지할 것이고, 또한 디펙트들을 식별하기 위해 필요한 트러블 슈팅을 감소시킬 수도 있고/있거나 디펙트들 생성을 해결할 수도 있다. 이해될 수 있는 바와 같이, 이들 트러블 슈팅 루틴들은 툴의 처리량을 감소시킬 수 있고/있거나 웨이퍼들의 배치들 간 또는 다수의 웨이퍼들이 프로세싱된 후 과도한 세정을 필요로 할 수 있다. 콘택트 지지 구조체 (258) 옆에 규정된 내측 콘택트 에지 (256) 가 또한 도시된다. 콘택트 지지 구조체 (258) 는 라운딩된 상단 영역을 갖도록 구성되고, 라운딩된 상단 영역은 내측 콘택트 에지 (256) 를 향해 연장하고, 이어서 캐리어 링 (200) 의 하부 수직 벽 (259) 에서 내측 반경을 감소시킨다.
따라서, 콘택트 지지 구조체 (258) 는 날카로운 에지들, 날카로운 코너부들, 날카로운 지점들, 또는 평면들과 표면들 사이의 날카로운 전이부들이 없는 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 가질 것이다. 이러한 방식으로, 막들이 콘택트 지지 구조체 (258) 및/또는 웨이퍼 에지 측면 (240) 영역 위에 형성되면, 형성된 재료들은 예컨대 리프팅 동작 동안 웨이퍼의 하단 측면으로의 물리적 콘택트가 표면들에 의해 이루어질 때라도, 표면에 보다 잘 부착할 것이다. 웨이퍼 에지 측면 (240) 에 인접한 캐리어 링 상의 날카로운 에지들, 날카로운 코너부들, 외측 코너부들, 내측 코너부들, 날카로운 지점들, 평면들 사이의 날카로운 전이부들 등을 제거함으로써, 동작 동안 미립자들을 유발할 수도 있는 응력 지점들이 감소되거나 제거될 수 있다. 다른 실시예들에서, 콘택트 지지 구조체들 (258) 및 날카롭지 않은 에지들을 갖는 콘택트 지지 구조체들을 둘러싸는 표면들을 규정하는 것은 또한 시스템의 세정 및/또는 캐리어 링 (200) 의 세정 간의 시간 기간들을 확대시킬 것이고, 이는 (예를 들어, 트러블 슈팅 또는 세정에 대한 보다 적은 정지 시간으로 인해) 처리량을 개선할 수 있다고 여겨진다.
도 5c의 예에서, 콘택트 지지 구조체 (258) 는 웨이퍼 (101) 의 하단부와 물리적 콘택트를 가질 팁에서 캐리어 링 (200) 의 연장부로서 도시된다. 일 실시예에서, 콘택트 지지 구조체 (258) 는 복수의 개별 콘택트 지지 구조체들 (258) 에 의해 규정된다. 예를 들어, 복수의 개별 콘택트 지지 구조체들 (258) 은 캐리어 링 (200) 의 웨이퍼 에지 측면 (240) 둘레에 균일하게 분포될 수 있다. 일 구현예에서, 6개의 콘택트 지지 구조체들 (258) 이 에지 측면 (240) 둘레에 균일하게 분포된다. 일 구현예에서, 균일하게 분포된 6개의 콘택트 지지 구조체들은 6개 중 각각의 하나의 중심선으로부터 측정된, 매 60도 방사상 오프셋 (즉, 360/6 = 60) 으로 배치될 것이다. 따라서, 도 5c에 도시된 단면도는 콘택트 지지 구조체들 (258) 중 하나에서 취해졌다. 하부 캐리어 링 표면 (254) 위에 놓인, 단일 콘택트 지지 구조체 (258) 의 예는 이하에서 도 7c에 도시된다.
도 6a는 AHM 증착 동작이 수행되는 예시적인 프로세싱 단계 동안 페데스탈 (140) 및 캐리어 링 (200) 의 단면도를 예시한다. 일 동작에서, 언더코팅 및 사전-코팅 막 (602) 이 페데스탈 (140) 및 캐리어 링 (200) 위에 형성된다. 웨이퍼 위에 형성될 막과 유사한 막으로 캐리어 링 (200) 을 사전-코팅하는 것은 웨이퍼 위의 막 형성을 개선한다고 여겨진다. 따라서, 막 (602) 은 웨이퍼 (101) 가 페데스탈 (140) 위에 도입되기 전에 형성되는 것이 관례이다. 또한, 웨이퍼의 사전-코팅 및 언더코팅 프로세싱 환경은 개선된 웨이퍼 막 균일성을 위해 조합하여 작용한다. 프로세싱에 따라) 통상적인 언더코팅 두께는 3 ㎛이고 사전-코팅은 0.5 ㎛이다. AHM 막 (즉, 탄소) 은 산화막들 (다른 경우들에서, 질화막들) 상에 증착된다. 코팅들 또는 막들은 임의의 증착된 재료일 수도 있고, AHM과 관련될 필요가 없을 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 적용되거나 콘택트 지지 구조체들 상으로 떨어지거나 형성되는 다른 막들은, 캐리어 링 (200) 이 웨이퍼의 하단 측면을 리프팅할 때, 본 명세서에서 규정된 라운딩되거나, 커브되거나 평활한 기하학적 구조가 유리할 것이다.
막 (602) 은 캐리어 링 (200) 의 상단 표면 및 페데스탈 (140) 의 상단 표면 (140a), 캐리어 지지 표면 (140b) 근방에서 페데스탈 (140) 의 일부 코너부들만을 따르는 것으로 도시된다. 일 실시예에서, 캐리어 링 (200) 은 알루미늄 옥사이드 (AlO2) 로 이루어지고, 따라서 알루미늄 옥사이드 캐리어 링 (200) 위의 증착은 막 형성 동안 웨이퍼 (101) 옆에 놓인 헐벗은 캐리어 링 (200) 을 갖는 대신 웨이퍼 위에서의 하드 마스크의 형성을 개선할 것이다.
도 6b는 캐리어 링 (200) 의 막 (602) 및 또한 웨이퍼 (101) 의 상단 표면 위의 AHM (604) 의 형성을 예시한다. AHM (604)은 상단 대면 에지 (248) 와 하부 내측 에지 (252) 및 상부 수직 벽 (250) 을 포함하는 캐리어 링 (200) 의 노출된 상단 표면들 위에 증착된 표면들을 따르고, 캐리어 링 (200) 의 노출된 상단 표면들을 커버한다. 도 6c에서, 막 형성 동작이 완료된 후가 도시되고, 스파이더 포크들 (226) 의 암은 콘택트 지지 구조체들 (258) 과 웨이퍼 에지 근방의 웨이퍼 (101) 의 하부 하측 표면 사이에서 콘택트가 이루어지는 지점으로 수직 상향으로 캐리어 링 (200) 을 리프트할 것이다.
캐리어 링 (200) 과 웨이퍼 (101) 사이에서 콘택트가 물리적으로 이루어지지만, 콘택트 지지 구조체 (258) 위에 형성된 재료는 리프팅하는 힘을 견디고 콘택트 지지 구조체들 (258) 위에 형성된 막들에 대해 과도한 응력들을 유발하지 않고 웨이퍼 (101) 의 하단과 다수 회 콘택트하도록 구성된다. 콘택트 지지 구조체들 (258) 의 라운딩된 부분들의 날카롭지 않은 에지들은 웨이퍼 (101) 의 하단과 콘택트가 이루어지는 콘택트 지지 구조체 (258) 의 상단부에 보다 적은 응력들이 가해지는 것을 보장한다. 상기에 언급된 바와 같이, 바람직하게, 라운딩되고, 커브되고 실질적으로 커브되고 날카로운 전이부들 또는 지점들이 없는 날카롭지 않은 에지들은 세정 동작들을 필요로 하지 않고 또는 웨이퍼 (101) 의 표면 위에서 디펙트들의 추가 검사를 필요로 하는 미립자들을 유발하지 않고 캐리어 링 (200) 의 보다 긴 활용을 보장할 것이다.
도 7a는 캐리어 링 (200) 과 외측 에지 측면 (244), 및 웨이퍼 에지 측면 (240) 의 단면을 예시한다. 캐리어 링 (200) 의 외측 에지 측면 근방의 연장부 (242) 가 또한 도시된다. 캐리어 링 (200) 의 상단 표면 (246) 은 캐리어 링 (200) 을 규정하고 페데스탈 (140) 의 웨이퍼 지지 영역 위에 배치될 때 웨이퍼의 상단 표면과 실질적으로 평탄한 또는 또 다른 실시예에서 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 상단 표면보다 약간 낮은, 상단 표면인 디스크의 상단 표면으로서 환상으로 연장한다. 웨이퍼 에지 측면 (240) 은, 웨이퍼 에지 측면 (240) 상부에 형성된 언더코팅 및 사전-코팅 막 (602) 을 도시하는 도 7b에 보다 상세히 도시된다.
일 실시예에서, 캐리어 링 (200) 은 300 ㎜ 웨이퍼를 사용하도록 설계되었다. 이와 같이, 본 명세서에 제공된 치수들은, 예를 들어, 200 ㎜와 같이 보다 작거나 예를 들어, 450 ㎜와 같이 보다 큰 다른 사이즈의 웨이퍼들로 스케일링가능하다는 것을 알아야 한다. 또한, 본 명세서에 제공된 치수들은 예를 들어, 최대 또는 약 +/- 10 ％의 공차 또는 캐리어 링 (200) 이 사용되는 환경 및 캐리어 링 (200) 을 구현할 때 사용될 가능성이 있는 툴들 및 프로세스 파라미터들에 적용가능한 것으로 간주되는 다소 감소되거나 증가된 공차 내에서 조정가능한 것으로 이해되어야 한다. 이를 이해하면서, 다음의 치수들은 일 예이고 임의의 특정한 구성으로 제한하지 않는 것을 알아야 한다. 일 예에서, 캐리어 링 (200) 은 환형 단면에서, 환형 치수 D1 (즉, 내측 반경 - 외측 반경), 약 41.5 ㎜를 갖는다. 하부 캐리어 링 표면 (254) 과 상단 캐리어 링 표면 (248) 사이의 거리 D4는 약 1.17 ㎜이다. 거리 D5 또는 하부 캐리어 링 표면 (254) 으로부터 위로 측정된 콘택트 지지 구조체 (258) 의 높이는 약 0.356 ㎜이다. 하부 수직 벽 (259) 으로부터 내측 콘택트 에지 (256) 까지의 대략적인 거리 D3은 약 1.24 ㎜이다. 하부 내측 에지 (252) 와 내측 콘택트 에지 (256) 사이의 거리 D2는, 하부 캐리어 링 표면을 따라 약 2.54 ㎜이다. 일 실시예에서, 콘택트 지지 구조체들 (258) 의 라운딩된 상부 표면들 (258a 및 258b) 은 각각 약 0.254 ㎜의 라운딩된 에지 반경을 갖는다.
막 (602) 은 웨이퍼 에지 측면 (240) 의 캐리어 링 (200) 의 날카롭지 않은 에지들 위에 컨포멀하게 형성된다. 상기에 논의된 바와 같이, 콘택트 지지 구조체 (258) 는, 캐리어 링 (200) 이 웨이퍼 (101) 의 하단 측면으로 리프팅되고 콘택트할 때, 웨이퍼와 물리적 콘택트가 이루어질 위치 근방에 날카로운 에지들이 도입되는 것을 방지하도록 라운딩된 표면을 갖는 것이 바람직하다. 이 예에서, 콘택트 지지 구조체 (258) 는 상단 캐리어 링 표면 (246) 보다 낮은 하부 캐리어 링 표면 (254) 으로부터 연장하는 높이를 갖는 것으로 도시된다. 상단 캐리어 링 표면 (246) 보다 보다 낮은 높이에 콘택트 지지 구조체 (258) 를 갖는 것은 콘택트 지지 구조체 (258) 로 하여금 오버행하는 웨이퍼 (101) 아래에 위치되게 한다.
도 7c는 배치될 수도 있는 복수의 콘택트 지지 구조체들 (258) 중 하나가 하부 캐리어 링 표면 (254) 위에서 캐리어 링 (200) 의 내측 반경 둘레에 대칭적으로 또는 비대칭적으로 분포된 보다 상세한 도면을 도시한다. 도 7a 및 도 7b의 도면들은 콘택트 지지 구조체들 (258) 중 하나의 단면에서 취해진 도면이다. 상기에 주지된 바와 같이, 일 예시적인 실시예는 6개의 콘택트 지지 구조체들 (258) 을 활용할 것이다. 다른 실시예들은 보다 많거나 보다 적은 콘택트 지지 구조체들 (258) 을 활용할 수도 있다.
이 콘택트 지지 구조체 (258) 의 상세한 도면에서, 웨이퍼 (101) 와의 콘택트가 발생하는 상단 표면은 콘택트 길이 (258c) 를 따라 연장할 수도 있고, 콘택트 지지 구조체 (258) 의 라운딩된 상단 표면 (258d) 이 또한 콘택트가 발생하는 곳을 규정하는 것으로 도시된다. 이 예시는 캐리어 링 표면 (254) 이 콘택트 지지 구조체 (258) 가 존재하지 않는 캐리어 링 (200) 의 에지로 연장할 것이라는 것을 도시한다. 콘택트 지지 구조체 (258) 가 존재하면, 벽 (259) 은 캐리어 링 (200) 의 에지로부터 콘택트 지지 구조체 (258) 의 라운딩되거나 커브된 상단 표면을 향해 위로 연장할 것이다. 콘택트 지지 구조체 (258) 가 알약-유사 또는 캡슐-유사 라운딩된 상단 구조를 갖는 것으로 도시되지만, 다른 실시예들에서 콘택트 지지 구조체 (258) 는 콘택트 지지 구조체가 라운딩된 볼이거나 구형 돌출부인 경우들에서와 같이, 즉, 알약-유사 또는 캡슐-유사 대신, 감소된 길이 (258c) 를 가질 수도 있다.
일부 실시예들에서, 콘택트 지지 구조체 (258) 각각은 MCA (minimum contact area) 로 참조되고, MCA들은 고 정밀도 또는 공차가 요구될 때 표면들 사이에서 메이팅하는 (mating) 정밀도를 개선하기 위해 사용된다. 본 실시예의 맥락에서, 웨이퍼의 하측면과 콘택트하는 캐리어 링 (200) 이 콘택트 지지 구조체들 (258) 각각과 정밀한 콘택트를 이루도록 정밀도가 요구된다. 상기에 언급된 바와 같이, 캐리어 지지 표면 (140b) 위, 및 페데스탈 (140) 의 웨이퍼 지지 영역 (140a) 위와 같은 시스템 내의 다른 구역들이 MCA들을 활용할 수 있다. 이러한 이유로, 도 5c에서, 캐리어 링 (200) 과 캐리어 지지 표면 (140b) 사이의 공간이 도시되고 웨이퍼 (101) 와 웨이퍼 지지 영역 (140a) 사이의 공간 (예를 들어, MCA (506) 및 그 위에 분포된 다른 것들 (미도시) 도시함으로써) 이 도시된다.
도 8은 상기에 기술된 시스템들을 제어하기 위한 제어 모듈 (800) 을 도시한다. 일 실시예에서, 도 1의 제어 모듈 (110) 은 예시적인 컴포넌트들 중 일부를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제어 모듈 (800) 은 프로세서, 메모리 및 하나 이상의 인터페이스들을 포함할 수도 있다. 제어 모듈 (800) 은 센싱된 값들에 부분적으로 기초하여 시스템 내의 디바이스들을 제어하도록 채용될 수도 있다. 단지 예를 들면, 제어 모듈 (800) 은 센싱된 값들 및 다른 제어 파라미터들에 기초하여 밸브들 (802), 필터 히터들 (804), 펌프들 (806), 및 다른 디바이스들 (808) 을 제어할 수도 있다. 제어 모듈 (800) 은 단지 예를 들면, 압력 마노미터들 (810), 유량 미터들 (812), 온도 센서들 (814), 및/또는 다른 센서들 (816) 로부터 센싱된 값들을 수신한다. 제어 모듈 (800) 은 또한 전구체 전달 및 막의 증착 동안 프로세스 조건들을 제어하도록 채용될 수도 있다. 제어 모듈 (800) 은 통상적으로 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 하나 이상의 프로세서들을 포함할 것이다.
제어 모듈 (800) 은 전구체 전달 시스템 및 증착 장치의 액티비티들을 제어할 수도 있다. 제어 모듈 (800) 은 프로세스 타이밍, 전달 시스템 온도, 필터들에 걸친 압력 차, 밸브 위치들, 가스들의 혼합, 챔버 압력, 챔버 온도, 웨이퍼 온도, RF 전력 레벨들, 웨이퍼 척 또는 페데스탈 위치, 및 특정한 프로세스의 다른 파라미터들을 제어하기 위한 인스트럭션들의 세트들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행한다. 제어 모듈 (800) 은 또한 압력 차를 모니터링하고 하나 이상의 경로들로부터 하나 이상의 다른 경로들로 기체 전구체 전달을 자동으로 스위칭할 수도 있다. 제어 모듈 (800) 과 연관된 메모리 디바이스들 상에 저장된 다른 컴퓨터 프로그램들은 일부 실시예들에서 채용될 수도 있다.
통상적으로 제어 모듈 (800) 과 연관된 사용자 인터페이스가 있을 것이다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 (818) (디스플레이 스크린, 및/또는 장치의 그래픽적인 소프트웨어 디스플레이 및/또는 프로세스 조건들의 그래픽적인 소프트웨어 디스플레이), 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들 등의 사용자 입력 디바이스 (820) 들을 포함할 수도 있다.
프로세스 시퀀스에서 전구체의 전달, 증착 및 다른 프로세스들을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램들은: 예를 들어 어셈블리 언어, C, C++, 파스칼, 포트란, 등과 같은 임의의 통상적인 컴퓨터 판독 가능한 프로그래밍 언어로 작성될 수 있다. 컴파일링된 객체 코드 또는 스크립트가 프로그램 내에서 식별된 태스크들을 수행하도록 프로세서에 의해서 실행된다.
제어 모듈 파라미터들은 예를 들어, 필터 압력 차들, 프로세스 가스 조성 및 플로우 레이트들, 온도, 압력, RF 전력 레벨들 및 저주파수 RF 주파수와 같은 플라즈마 조건들, 냉각 가스 압력, 및 챔버 벽 온도와 같은, 프로세스 조건들과 관련된다.
시스템 소프트웨어는 많은 상이한 방식들로 설계되거나 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 챔버 컴포넌트 서브루틴들 또는 제어 객체들은 발명의 증착 프로세스들을 수행하기 위해 필요한 챔버 컴포넌트들의 동작을 제어하도록 작성될 수도 있다. 이 목적을 위한 프로그램들 또는 프로그램들의 섹션들의 예들은 기판 포지셔닝 코드, 프로세스 가스 제어 코드, 압력 제어 코드, 히터 제어 코드, 및 플라즈마 제어 코드를 포함한다.
기판 포지셔닝 프로그램은, 페데스탈 또는 척 상으로 기판을 로딩하고 그리고 가스 유입부 및/또는 타깃과 같은 챔버의 다른 부분들과 기판 사이의 간격을 제어하도록 사용된 챔버 컴포넌트들을 제어하기 위한 프로그램 코드를 포함할 수도 있다. 프로세스 가스 제어 프로그램은 가스 조성 및 플로우 레이트들을 제어하고 선택적으로 챔버 내의 압력을 안정화하기 위해 증착 전에 챔버 내로 가스를 흘리기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 필터 모니터링 프로그램은 미리결정된 값(들)에 측정된 차(들)를 비교하는 코드 및/또는 경로들을 스위칭하기 위한 코드를 포함한다. 압력 제어 프로그램은 예를 들어, 챔버의 배기 시스템 내의 쓰로틀 밸브를 조정함으로써 챔버 내의 압력을 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 히터 제어 프로그램은 전구체 전달 시스템의 컴포넌트들, 기판 및/또는 시스템의 다른 부분들을 히팅하기 위한 히팅 유닛으로의 전류를 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 히터 제어 프로그램은 헬륨과 같은 열 전달 가스의 웨이퍼 척으로의 전달을 제어할 수도 있다.
증착 동안 모니터링될 수도 있는 센서들의 예들은, 이로 제한되는 것은 아니지만, 질량 유량 제어기 모듈들, 압력 마노미터들 (810) 과 같은 압력 센서들, 및 전달 시스템, 페데스탈 또는 척 내에 위치된 써모커플들 (예를 들어, 온도 센서들 (814)) 을 포함한다. 적절하게 프로그램된 피드백 및 제어 알고리즘들은 목표된 프로세스 조건들을 유지하기 위해 이들 센서들로부터의 데이터와 함께 사용될 수도 있다. 전술한 바는 단일 챔버 또는 멀티-챔버 반도체 프로세싱 툴에서 본 발명의 실시예들의 구현예를 기술한다.
실시예들의 전술한 기술은 예시 및 기술의 목적으로 제공되었다. 이는 본 발명을 총망라하거나 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 특정한 실시예들의 개별 엘리먼트들 또는 피처들은 일반적으로 특정한 실시예로 제한되지 않지만, 적용가능하다면, 명시적으로 도시되거나 기술되지 않았더라도, 선택된 실시예에서 교환가능하고 사용될 수 있다. 동일한 바가 많은 방식들로 가변될 수도 있다. 이러한 변화들은 본 발명으로부터 벗어나는 것으로 간주되지 않고, 모든 이러한 수정들이 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.
전술한 실시예들은 이해의 명료성을 위해서 어느 정도 세부적으로 기술되었지만, 소정의 변경 및 수정이 첨부된 청구 범위 내에서 실시될 수 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 한정적이 아닌 예시적으로 해석되어야 하며 실시예들은 본 명세서에서 제공된 세부 사항들로 한정되는 것이 아니라 청구 범위 및 이의 균등 범위 내에서 수정될 수 있다.

Claims (23)

  1. 막들을 증착하기 위해 구현된 챔버 내에서 사용하기 위한 캐리어 링에 있어서,
    외측 에지 측면 및 웨이퍼 에지 측면을 갖는 환형 디스크 형상을 갖는 캐리어 링으로서, 상기 캐리어 링은 외측 에지 측면과 웨이퍼 에지 측면 사이에서 연장하는 상단 캐리어 링 표면을 갖는, 상기 캐리어 링을 포함하고,
    상기 웨이퍼 에지 측면은,
    상기 상단 캐리어 링 표면보다 보다 낮은 하부 캐리어 링 표면;
    복수의 콘택트 지지 구조체들로서, 상기 콘택트 지지 구조체 각각은 상기 하부 캐리어 링 표면의 에지에 위치되고 상기 하부 캐리어 링 표면과 상기 상단 캐리어 링 표면 사이인 높이를 갖고, 상기 콘택트 지지 구조체 각각은 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는, 상기 복수의 콘택트 지지 구조체들; 및
    상기 상단 캐리어 링 표면과 상기 하부 캐리어 링 표면 사이의 단차로서, 상단 대면 에지는 상기 단차의 상단에 배치되고 하부 내측 에지는 상기 단차의 하단에 배치되는, 상기 단차를 포함하고,
    상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상단은 웨이퍼를 리프팅하고 그리고 하강시키고 그리고 이동시키기 위해 상기 웨이퍼의 하단 에지 표면과의 콘택트를 위해 구성되는, 캐리어 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 에지 측면은,
    상기 하부 캐리어 링 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 사이의 전이부의 내측 콘택트 에지를 더 포함하고,
    상기 상단 대면 에지 및 상기 하부 내측 에지 각각은 라운딩된 날카롭지 않은 에지를 갖는, 캐리어 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택트 지지 구조체들의 상기 테이퍼된 에지들 및 코너부들은 날카로운 코너부들이 없는 실질적으로 커브된 표면을 갖는, 캐리어 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    막들을 증착하기 위해 사용된 상기 챔버는,
    웨이퍼 지지 영역 및 상기 웨이퍼 지지 영역을 둘러싸는 캐리어 지지 표면을 갖는 페데스탈로서, 상기 캐리어 지지 표면은 상기 웨이퍼 지지 영역으로부터 스텝 다운 (step down) 되는, 상기 페데스탈; 및
    상기 페데스탈의 제 1 측면부 둘레에 구성된 제 1 암 및 상기 페데스탈의 제2 측면부 둘레에 구성된 제 2 암을 갖는 포크를 포함하고,
    상기 제 1 암 및 상기 제 2 암 각각은 상기 캐리어 링의 하부 표면과 콘택트하지 않는 인게이지되지 않은 상태일 때 상기 캐리어 지지 표면 아래에 위치되고 인게이지된 상태일 때 상기 제 1 암 및 상기 제 2 암 각각은 상기 웨이퍼를 리프트하도록 상기 캐리어 링의 상기 하부 표면과 콘택트하는, 캐리어 링.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 영역 위에 배치될 때 상기 웨이퍼는 상기 캐리어 지지 표면의 일부 위에서 오버행 (overhang) 하도록 구성되고, 그리고
    상기 콘택트 지지 구조체 각각은 상기 웨이퍼의 상기 오버행 아래에 배향되도록 구성되는, 캐리어 링.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 인게이지되지 않은 상태에서, 비-콘택트 분리 거리는 상기 웨이퍼의 상기 하단 에지 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 사이로 규정되는, 캐리어 링.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인게이지된 상태에서, 콘택트는 상기 웨이퍼의 상기 하단 에지 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 사이에서 이루어지고,
    상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 위에 존재하는 상기 증착 재료는 상기 인게이지된 상태에서 콘택트가 이루어질 때 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 위에 실질적으로 유지되는, 캐리어 링.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    동작 동안 상기 페데스탈 위로 배향되도록 구성되는 샤워헤드로서, 상기 샤워헤드는 상기 웨이퍼 위에서 막의 증착을 인에이블하도록 프로세스 가스들을 제공하도록 구성되는, 상기 샤워헤드;
    매칭 네트워크를 통해 상기 페데스탈에 연결된 무선 주파수 (RF) 전력 공급부로서, 동작 동안 상기 RF 전력 공급부는 상기 웨이퍼 위에서 상기 막의 증착을 추가로 인에이블하는, 상기 RF 전력 공급부를 더 포함하는, 캐리어 링.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 증착된 막은 후속하는 에칭 동작들에서 에칭 정지부로서 사용된 AHM (ashable hardmask) 인, 캐리어 링.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 챔버 내에 규정된 스테이션들의 세트로서, 스테이션 각각은 페데스탈, 포크, 및 캐리어 링을 포함하는, 상기 스테이션들의 세트; 및
    상기 스테이션들 각각의 상기 포크들 각각의 이동을 동시에 제어하도록 구성된 메커니즘을 더 포함하고,
    상기 이동은,
    상기 캐리어 링들 각각의 리프팅 또는 하강; 및
    상기 캐리어 링들 각각의 상기 스테이션들의 세트 중 다른 하나로의 회전을 포함하는, 캐리어 링.
  11. 웨이퍼 상에서 증착을 프로세싱하기 위한 챔버로서,
    웨이퍼 지지 영역 및 상기 웨이퍼 지지 영역을 둘러싸는 캐리어 지지 표면을 갖는 페데스탈로서, 상기 캐리어 지지 표면은 상기 웨이퍼 지지 영역으로부터 스텝 다운되는, 상기 페데스탈;
    상기 페데스탈의 제 1 측면부 둘레에 구성된 제 1 암 및 상기 페데스탈의 제2 측면부 둘레에 구성된 제 2 암을 갖는 포크로서, 상기 제 1 암 및 상기 제 2 암 각각은, 인게이지되지 않은 상태일 때 상기 캐리어 지지 표면 아래에 위치되고 인게이지된 상태일 때 상기 캐리어 지지 표면 위로 상승하도록 구성되는, 상기 포크; 및
    외측 에지 측면 및 웨이퍼 에지 측면을 갖는 환형 디스크 형상을 갖는 캐리어 링으로서, 상기 캐리어 링은 외측 에지 측면과 웨이퍼 에지 측면 사이에서 연장하는 상단 캐리어 링 표면을 갖는, 상기 캐리어 링을 포함하고,
    상기 웨이퍼 에지 측면은,
    상기 상단 캐리어 링 표면보다 보다 낮은 하부 캐리어 링 표면; 및
    복수의 콘택트 지지 구조체들로서, 상기 콘택트 지지 구조체 각각은 상기 하부 캐리어 링 표면의 에지에 위치되고 상기 하부 캐리어 링 표면과 상기 상단 캐리어 링 표면 사이인 높이를 갖고, 상기 콘택트 지지 구조체 각각은 테이퍼된 에지들 및 코너부들을 갖는, 상기 복수의 콘택트 지지 구조체들을 포함하고,
    상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상단은 상기 포크가 웨이퍼를 상승시키고 그리고 이동시키기 위한 상기 캐리어 링을 리프트할 때, 상기 웨이퍼의 하단 에지 표면과의 콘택트를 위해 구성되는, 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 에지 측면은 상단 대면 에지 아래에서 테이퍼링되는 상기 상단 캐리어 링 표면 전이부를 더 포함하고, 상기 상단 대면 에지는 상기 페데스탈의 상기 웨이퍼 지지 영역 위에 존재할 때 상기 웨이퍼의 에지 반대편에 위치되도록 구성되는, 챔버.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 에지 측면은,
    상기 상단 캐리어 링 표면과 상기 하부 캐리어 링 표면 사이의 단차를 더 포함하고,
    상기 상단 대면 에지는 상기 단차의 상단부에 배치되고, 하부 내측 에지는 상기 단차의 하단부에 배치되고,
    상기 상단 대면 에지 및 상기 하부 내측 에지 각각은 라운딩된 날카롭지 않은 에지를 갖는, 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 에지 측면은,
    상기 하부 캐리어 링 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 사이의 전이부에서 내측 콘택트 에지를 더 포함하는, 챔버.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 콘택트 지지 구조체들의 상기 테이퍼된 에지들 및 코너부들은 날카로운 코너부들이 없는 실질적으로 커브된 표면을 갖는, 챔버.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 영역 위에 배치될 때 상기 웨이퍼는 상기 캐리어 지지 표면의 일부 위에서 오버행하도록 구성되고, 그리고
    상기 콘택트 지지 구조체 각각은 상기 웨이퍼의 상기 오버행 아래에 배향되도록 구성되는, 챔버.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 인게이지되지 않은 상태에서, 비-콘택트 분리 거리는 상기 웨이퍼의 상기 하단 에지 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상단부 사이로 규정되는, 챔버.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 인게이지된 상태에서, 콘택트는 상기 웨이퍼의 상기 하단 에지 표면과 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 사이에서 이루어지고,
    상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 위에 존재하는 상기 증착 재료는 상기 인게이지된 상태에서 콘택트가 이루어질 때 상기 콘택트 지지 구조체 각각의 상기 상단부 위에 실질적으로 유지되는, 챔버.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    동작 동안 상기 페데스탈 위로 배향되도록 구성되는 샤워헤드로서, 상기 샤워헤드는 상기 웨이퍼 위에서 막의 증착을 인에이블하도록 프로세스 가스들을 제공하도록 구성되는, 상기 샤워헤드;
    매칭 네트워크를 통해 상기 페데스탈에 연결된 무선 주파수 (RF) 전력 공급부로서, 동작 동안 상기 RF 전력 공급부는 상기 웨이퍼 위에서 상기 막의 증착을 추가로 인에이블하는, 상기 RF 전력 공급부를 더 포함하는, 챔버.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 증착된 막은 후속하는 에칭 동작들에서 에칭 정지부로서 사용된 AHM인, 챔버.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 챔버 내에 규정된 스테이션들의 세트로서, 스테이션 각각은 페데스탈, 포크, 및 캐리어 링을 포함하는, 상기 스테이션들의 세트; 및
    상기 스테이션들 각각의 상기 포크들 각각의 운동을 동시에 제어하도록 구성된 메커니즘을 더 포함하고,
    상기 운동은,
    상기 캐리어 링들 각각의 리프팅 또는 하강; 및
    상기 캐리어 링들 각각의 상기 스테이션들의 세트 중 다른 하나로의 회전을 포함하는, 챔버.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 스테이션들 각각은 상기 페데스탈들 중 적어도 하나에 리프트 핀들을 포함하고, 상기 리프트 핀들은 상기 챔버의 스테이션 내에서 상기 웨이퍼를 집거나 (pick) 놓기 (place) 위해 엔드-이펙터를 인에이블하도록 상기 웨이퍼를 상승시키도록 사용되는, 챔버.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 챔버는 동작 동안 상기 메커니즘, 상기 프로세스 가스들, 및 상기 RF 전력 공급부를 관리하기 위한 제어기와 인터페이싱하는, 챔버.
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