KR20160066421A - 웨이퍼 검사 방법 - Google Patents

Abstract

웨이퍼 검사 방법이 개시된다. 상기 방법은, 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼를 촬상하여 웨이퍼 이미지를 획득하는 단계와, 상기 반도체 다이들을 기준 이미지와 비교하여 상기 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행하는 단계와, 상기 판정 결과를 이용하여 웨이퍼 맵을 생성하는 단계와, 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 검사 서버로부터 제공되는 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열을 서로 비교하는 단계와, 상기 비교 결과 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 다른 경우 검사 공정을 중지시키는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 검사 방법{Method of inspecting a wafer}

본 발명의 실시예들은 웨이퍼 검사 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에서 다이싱 공정에 의해 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼를 검사하는 방법에 관한 것이다.

집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 일반적으로 실리콘웨이퍼와 같은 기판 상에 일련의 처리 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 상기 반도체 소자들이 상기 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.

상기 웨이퍼는 백 그라인드 공정 및 다이싱 공정을 통하여 두께가 얇아질 수 있으며 또한 복수의 개별화된 반도체 다이들로 분할될 수 있다. 상기 반도체 다이들은 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 부착될 수 있으며 다이 본딩 공정과 몰딩 공정 등을 통해 반도체 패키지로 제조될 수 있다.

상기 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼는 검사 장치를 통해 분할된 상태 및 외부 결함 등이 검사될 수 있으며, 상기 검사 결과 양품으로 판정된 다이들에 대하여 선택적으로 다이 본딩 공정 등 후속 공정들이 수행될 수 있다.

일 예로서, 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0029532호, 제10-2013-0130510호 등에는 카메라와 경사 조명을 구비하는 검사 장치가 개시되어 있으며, 또한 본 출원인에 의해 출원된 대한민국 특허출원 제10-2014-0063117호는 웨이퍼를 지지하는 척과 상기 웨이퍼를 검사하기 위한 검사부 등을 포함하는 웨이퍼 검사 장치를 개시하고 있다.

상기 웨이퍼 검사 장치는 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼를 촬상하여 웨이퍼 이미지를 획득할 수 있으며, 각각의 반도체 다이들을 기준 이미지와 비교하여 상기 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 검사 장치는 검사 결과를 이용하여 웨이퍼 맵을 생성할 수 있으며, 검사 결과를 검사 서버로 전송할 수 있다. 그러나, 비정상적으로 불량률이 높은 경우 즉 양품 반도체 다이들이 불량으로 판정되는 오류가 발생되는 경우 이에 대한 대응 방법이 없는 상태이므로 후속 공정에서 양품 반도체 다이들이 폐기되는 문제점이 발생될 수 있다.

본 발명의 실시예들은 반도체 다이들에 대한 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 검사 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 검사 방법은, 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼를 촬상하여 웨이퍼 이미지를 획득하는 단계와, 상기 반도체 다이들을 기준 이미지와 비교하여 상기 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행하는 단계와, 상기 판정 결과를 이용하여 웨이퍼 맵을 생성하는 단계와, 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 검사 서버로부터 제공되는 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열을 서로 비교하는 단계와, 상기 비교 결과 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 다른 경우 검사 공정을 중지시키는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 방법은, 상기 비교 결과 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 동일한 경우 검사 결과를 검사 서버로 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 생성된 웨이퍼 맵을 하나의 문자열로 변환한 후 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 생성된 웨이퍼 맵은 복수의 열과 행의 형태로 배열된 숫자 또는 문자로 이루어지며, 상기 웨이퍼 이외의 영역에 해당하는 숫자 또는 문자를 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 방법은, 상기 반도체 다이들의 불량률을 산출하는 단계와, 상기 산출된 불량률을 기 설정된 불량률과 비교하는 단계와, 상기 산출된 불량률이 상기 기 설정된 불량률보다 높은 경우 상기 검사 공정을 중단시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼는 다이싱 테이프에 의해 링 형태의 마운트 프레임에 장착된 상태로 검사 장치에 로드될 수 있다.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 이미지를 이용하여 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행하고, 상기 판정 결과를 이용하여 웨이퍼 맵을 생성하며, 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열 상태를 기준 웨이퍼 맵과 비교함으로써 확인할 수 있다. 따라서, 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열 오류에 의해 비정상적으로 불량률이 상승되거나 양품 반도체 다이들이 불량으로 기록되는 문제점이 충분히 해결될 수 있다.

또한, 상기 반도체 다이들의 불량률을 산출하고 상기 산출된 불량률을 기 설정된 불량률과 비교함으로써 비정상적으로 불량률이 상승되는 경우에 대하여 신속한 대응이 가능하다. 특히, 비정상적인 불량률 상승에 대한 원인 파악 및 파악된 원인에 대한 조치 등의 개선 작업을 신속하게 할 수 있다.

결과적으로, 상기 웨이퍼 검사 공정에 대한 신뢰도가 크게 향상될 수 있으며, 아울러 후속 공정에서 양품 반도체 다이들이 폐기되는 등의 문제점들이 충분히 해결될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 방법을 수행하기 위한 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 방법을 수행하기 위한 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법은 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼(10)에 대한 검사 공정을 수행하기 위하여 바람직하게 사용될 수 있다. 특히, 다이싱 공정에 의해 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼(10)에 대하여 바람직하게 사용될 수 있으며, 이때 상기 웨이퍼(10)는 다이싱 테이프에 의해 링 형태의 마운트 프레임에 장착된 상태로 제공될 수 있다.

상기 웨이퍼 검사 방법을 수행하기 위한 검사 장치(100)는, 복수의 웨이퍼들(10)이 수납된 카세트(40)를 지지하기 위한 로드 포트(110)와, 상기 웨이퍼(10)를 지지하기 위한 웨이퍼 척(120)과, 상기 카세트(40)와 상기 웨이퍼 척(120) 사이에서 수평 방향으로 상기 웨이퍼(10)를 이송하기 위한 웨이퍼 이송부(140)와, 상기 웨이퍼 척(120) 상에 지지된 웨이퍼(10)를 검사하기 위한 검사부(150)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 카세트(40)와 상기 웨이퍼 척(120) 사이에서 상기 웨이퍼 이송부(140)에 의해 이송되는 웨이퍼(10)를 안내하기 위하여 수평 방향으로 연장하는 가이드 레일들(160)이 상기 로드 포트(110)에 인접하게 배치될 수 있다.

또한, 상기 웨이퍼 검사 장치(100)는 상기 웨이퍼 척(120) 상에 지지된 웨이퍼(10)를 정렬하기 위한 정렬부(170)와, 상기 웨이퍼 척(120) 상에 지지된 웨이퍼(10)를 검사하기 위한 검사부(150) 및 상기 웨이퍼 검사 장치(100)를 동작시키기 위한 전장부(102) 등을 포함할 수 있다.

상기 웨이퍼 척(120)은 상기 웨이퍼(10)의 로드 및 언로드와 정렬 및 검사를 위하여, 상기 웨이퍼(10)의 로드 및 언로드를 위한 로드 및 언로드 영역과, 상기 웨이퍼(10)의 정렬을 위한 정렬 영역 및 상기 웨이퍼(10)의 검사를 위한 검사 영역 사이에서 수평 구동부(130)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 일 예로서, 상기 로드 및 언로드 영역은 상기 가이드 레일들(160)을 기준으로 상기 카세트(40)의 반대측에 위치될 수 있으며, 상기 정렬 영역과 검사 영역은 상기 로드 및 언로드 영역에 인접하도록 위치될 수 있다.

일 예로서, 한 쌍의 가이드 레일들(160)이 상기 카세트(40)와 상기 로드 및 언로드 영역 사이에서 서로 나란하게 연장할 수 있으며, 상기 웨이퍼 이송부(140)에 의해 상기 카세트(40)로부터 이송된 웨이퍼(10)가 상기 로드 및 언로드 영역에 위치된 웨이퍼 척(120) 상에 로드될 수 있다. 또한, 검사 공정이 완료된 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 이송부(140)에 의해 상기 로드 및 언로드 영역으로부터 상기 카세트(40)로 수납될 수 있다.

상세히 도시되지는 않았으나, 상기 검사부(150)는 상기 웨이퍼(10)에 대한 이미지를 획득하기 위하여 검사 카메라를 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 검사부(150)는 웨이퍼 이미지를 획득하기 위한 라인 스캔 카메라를 구비할 수 있다. 상기 수평 구동부(130)는 상기 검사 카메라 아래의 검사 영역으로 상기 웨이퍼 척(120)을 이동시킬 수 있으며, 이어서 검사 이미지 획득을 위하여 상기 웨이퍼 척(120)을 상기 검사 영역 내에서 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.

상술한 바와 같은 웨이퍼 검사 장치(100)는 본 출원인에 의해 출원된 대한민국 특허출원 제10-2014-0063117호에 보다 상세하게 개시되어 있으므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법을 설명한다.

먼저, S100 단계에서 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼(10)를 촬상하여 웨이퍼 이미지를 획득한다. 상기 웨이퍼 이미지는 상기 검사 카메라에 의해 획득될 수 있으며, 상기 수평 구동부(130)는 상기 웨이퍼 이미지 획득을 위하여 상기 웨이퍼(10)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.

S110 단계에서, 상기 반도체 다이들을 기준 이미지와 비교하여 상기 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행한다. 상기 비교는 다이 대 다이 비교 방식으로 순차 진행될 수 있다. 이때, 상기 검사 장치(100)는 검사 서버로부터 기준 웨이퍼 맵과 반도체 다이들에 대한 정보를 수신할 수 있다. 상기 기준 웨이퍼 맵은 하나의 문자열 형태를 가질 수 있으며, 상기 문자열은 공백과 숫자 또는 문자로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 검사 장치(100)는 웨이퍼 맵을 구성하기 위한 행과 열의 개수에 대한 정보를 수신할 수 있으며, 이를 이용하여 후속 단계에서 웨이퍼 맵을 생성할 수 있다.

일 예로서, 상기 기준 웨이퍼 맵에서 웨이퍼 이외의 영역들은 공백으로 표시될 수 있으며, 검사 대상 다이들은 숫자 ‘1’로 표시될 수 있다. 또한, 웨이퍼 에지 영역들과 이전 공정에서 불량으로 기 판정된 다이들은 각각 서로 다른 숫자 또는 문자로 표시될 수 있다.

S120 단계에서, 상기 S110 단계에서의 판정 결과에 따라 웨이퍼 맵을 생성한다. 일 예로서, 웨이퍼 이외의 영역들은 숫자 ‘0’으로 표시될 수 있으며, 양품 반도체 다이들은 숫자 ‘1’로 표시될 수 있다. 또한, 웨이퍼 에지 영역들과 불량으로 판정된 반도체 다이들은 각각 서로 다른 숫자 또는 문자로 표시될 수 있다. 이때, 검사 서버로부터 제공된 다이들의 정보와 판정 결과가 상이한 경우 검사 서버에서 제공된 정보를 우선 적용할 수 있다. 예를 들면, 검사 서버로부터 제공된 정보에서 불량으로 기 판정된 다이가 S110 단계에서 양품으로 판정된 경우 해당 다이는 검사 서버로부터 제공된 정보에 따라 불량으로 기록될 수 있다. 그러나, 검사 서버로부터 제공된 정보에서 양품으로 기 판정된 다이가 S110 단계에서 불량으로 판정된 경우 해당 다이는 불량으로 기록될 수 있다.

S130 단계에서, 상기 반도체 다이들의 불량률을 산출한다. 상기 불량률은 전체 반도체 다이들 또는 양품 반도체 다이들에 대한 불량 반도체 다이들의 비율을 나타낼 수 있으며, 비정상적인 불량률을 검출하기 위하여 사용될 수 있다.

일 예로서, 상기 반도체 다이들이 다이싱 테이프에 부착된 상태가 불량하거나 즉 각각의 반도체 다이들이 한쪽으로 기울어져 있는 상태로 다이싱 테이프에 부착되었거나 또는 다이싱 테이프의 전면 또는 후면에 이물질에 의한 오염이 발생된 경우 다량의 불량이 검출될 수 있다. 즉, 반도체 다이들 자체의 불량이 아님에도 불구하고 불량으로 판정되는 다이들이 발생될 수 있다.

또한, 판정 결과를 이용하여 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열에 오류가 있는 경우 다량의 불량이 발생될 수 있다. 예를 들면, 상기 웨이퍼 맵의 생성시 행과 열의 정보가 잘못 적용되어 부분적으로 또는 전체적으로 행 또는 열의 다이들에 대한 판정 결과가 적정 위치에 기록되지 않고 한쪽으로 밀리는 경우가 발생될 수 있다. 이 경우 양품 반도체 다이들이 불량으로 기록될 수 있으며 이에 따라 상기 불량률이 비정상적으로 상승될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, S140 단계에서 상기 산출된 불량률을 기 설정된 불량률과 비교하고, S150 단계에서 상기 산출된 불량률이 기 설정된 불량률보다 높은 경우 검사 공정을 중지시킬 수 있다.

S150 단계에서 검사 공정이 중지된 경우, 불량률이 비정상적으로 높게 산출된 원인을 해소한 후 검사 공정을 다시 수행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 다이들의 부착 상태가 불량하거나 다이싱 테이프의 오염에 원인이 있는 경우 해당 웨이퍼에 대한 부착 상태를 교정하거나 다이싱 테이프를 교체하는 등의 단계들을 수행한 후 해당 웨이퍼에 대한 검사 공정을 다시 수행할 수 있다.

그러나, 웨이퍼 맵의 다이 배열 오류에 그 원인이 있을 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이를 확인하기 위하여 웨이퍼 맵의 다이 배열 상태를 검사할 수 있다. 또한, 상기 산출된 불량률이 기 설정된 불량률보다 낮은 경우라 하더라도 웨이퍼 맵의 다이 배열 오류에 의해 양품 반도체 다이가 불량으로 기록될 가능성이 있으므로 웨이퍼 맵의 다이 배열 오류를 검사할 필요가 충분히 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, S160 단계에서 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열을 비교할 수 있다. 일 예로서, 상기 생성된 웨이퍼 맵을 상기 기준 웨이퍼 맵과 동일한 형태 즉 하나의 문자열로 변환한 후 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교할 수 있다. 특히, 상기 변환된 웨이퍼 맵에서 상기 웨이퍼 이외의 영역에 해당하는 숫자 또는 문자를 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교할 수 있다. 예를 들면, 상기 변환된 웨이퍼 맵에서 숫자 ‘0’에 해당하는 영역들이 상기 기준 웨이퍼 맵에서 공백이 아닌 경우, 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열에서 오류가 발생된 것으로 판단될 수 있다.

상기와 같이 검사 결과에 따라 생성된 웨이퍼 맵에서 다이들의 배열 오류가 발생된 경우 즉 상기 생성된 웨이퍼 맵과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 다른 경우 S170 단계에서 검사 공정을 중지시킬 수 있다.

상기와 다르게 S180 단계에서 상기 생성된 웨이퍼 맵과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 동일한 경우 검사 결과를 검사 서버로 전송할 수 있다.

한편, 상기와 같이 웨이퍼 맵의 다이 배열 오류가 발생된 경우 상기 반도체 다이들의 행과 열에 대한 정보를 재확인한 후 웨이퍼 맵을 다시 생성할 수 있으며, 상기 S130 단계 이후의 단계들을 다시 수행할 수 있다.

또한, 상술한 바에 의하면, 상기 반도체 다이들의 검사 결과에 따른 불량률을 먼저 확인한 후 상기 웨이퍼 맵의 배열 오류를 확인하고 있으나, 이와 다르게 상기 웨이퍼 맵의 배열 오류를 먼저 확인한 후 상기 불량률을 확인할 수도 있다.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼 맵의 배열 오류를 확인함으로써 상기 반도체 다이들에 대한 검사 결과를 보다 정확하게 획득할 수 있으며, 또한 상기 반도체 다이들의 불량률을 확인함으로써 비정상적인 검사 결과가 도출되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 결과적으로, 상기 웨이퍼 검사 공정에 대한 신뢰도가 크게 향상될 수 있으며, 아울러 후속 공정에서 양품 반도체 다이들이 폐기되는 문제점을 충분히 해결할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

10 : 기판 100 : 웨이퍼 검사 장치
110 : 로드 포트 120 : 웨이퍼 척
130 : 수평 구동부 140 : 웨이퍼 이송부
150 : 검사부 160 : 가이드 레일
170 : 정렬부

Claims (6)

1. 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼를 촬상하여 웨이퍼 이미지를 획득하는 단계;
   상기 반도체 다이들을 기준 이미지와 비교하여 상기 반도체 다이들에 대한 양불 판정을 수행하는 단계;
   상기 판정 결과를 이용하여 웨이퍼 맵을 생성하는 단계;
   상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 검사 서버로부터 제공되는 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열을 서로 비교하는 단계; 및
   상기 비교 결과 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 다른 경우 검사 공정을 중지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 비교 결과 상기 생성된 웨이퍼 맵의 다이 배열과 상기 기준 웨이퍼 맵의 다이 배열이 서로 동일한 경우 검사 결과를 검사 서버로 전송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 생성된 웨이퍼 맵을 하나의 문자열로 변환한 후 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 생성된 웨이퍼 맵은 복수의 열과 행의 형태로 배열된 숫자 또는 문자로 이루어지며, 상기 웨이퍼 이외의 영역에 해당하는 숫자 또는 문자를 상기 기준 웨이퍼 맵과 비교하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 반도체 다이들의 불량률을 산출하는 단계;
   상기 산출된 불량률을 기 설정된 불량률과 비교하는 단계; 및
   상기 산출된 불량률이 상기 기 설정된 불량률보다 높은 경우 상기 검사 공정을 중단시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 다이싱 테이프에 의해 링 형태의 마운트 프레임에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.

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