KR20160055441A - Light emittimng device package - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a light emitting device package comprises a package body, a first lead frame, a second lead frame and a light emitting device. The first lead frame and the second lead frame are arranged on the package body. The light emitting device is coupled to the package body through a bonding layer and is electrically connected to the first lead frame and the second lead frame. The bonding layer is a film type layer. Heat discharge efficiency can be improved by reducing the thickness of the bonding layer of the light emitting device package.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTIMNG DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다. GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet rays It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광 소자는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다. 발광 소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 등일 수 있다.The light emitting device includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer include a first electrode and a second electrode, . In the light emitting device, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer and holes injected through the second conductive type semiconductor layer meet with each other to emit light having an energy determined by an energy band inherent to the active layer. The light emitted from the active layer may be different depending on the composition of the material forming the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV) light or deep ultraviolet (UV) light.

도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device package.

패키지 몸체(10) 상에 제1 리드 프레임(22)과 제2 리드 프레임(26)이 배치되고, 발광소자의 제1 전극(152)과 제2 전극(16)이 각각 제1 리드 프레임(22)과 제2 리드 프레임(26)에 와이어(140)를 통하여 전기적으로 연결된다.The first lead frame 22 and the second lead frame 26 are disposed on the package body 10 and the first electrode 152 and the second electrode 16 of the light emitting device are respectively connected to the first lead frame 22 ) And the second lead frame 26 through the wire 140. [

발광소자는 기판(110) 상에, 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)이 배치되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 상에 각각 제1 전극(152)과 제2 전극(156)이 배치된다.The light emitting device includes a substrate 110 on which a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 is disposed, The first electrode 152 and the second electrode 156 are disposed on the semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126, respectively.

발광소자의 기판(110)은 본딩층(160)을 통하여 패키지 몸체(10)에 결합될 수 있다.The substrate 110 of the light emitting device may be coupled to the package body 10 through the bonding layer 160.

그러나, 종래의 발광소자 패키지는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional light emitting device package has the following problems.

발광소자를 패키지 몸체(10)에 고정할 때, 본딩층(160)의 재료인 페이스트를 패키지 몸체(10) 상에 도포하고, 도포된 페이스트 위에 발광소자를 배치하며 압력을 가하면, 페이스트가 경화되며 본딩층(160)이 형성되며 발광소자가 패키지 몸체(10)에 고정될 수 있다.When the light emitting element is fixed to the package body 10, the paste that is the material of the bonding layer 160 is applied on the package body 10, the light emitting element is disposed on the applied paste, and the pressure is applied, A bonding layer 160 may be formed and the light emitting device may be fixed to the package body 10.

상술한 공정을 통하여 페이스트가 경화되어 형성된 본딩층(160)은 도시된 바와 같이, 발광소자의 기판(110)의 가장 자리 밖으로 일부가 이탈될 수 있는데, 발광소자 패키지의 설계와 어긋날 수 있다.The bonding layer 160 formed by curing the paste through the above-described processes may be partially deviated from the edge of the substrate 110 of the light emitting device, as shown in FIG.

또한, 페이스트가 경화된 본딩층(160)은 적어도 5 마이크로 미터 이상의 두께(t0)로 형성되는데, 발광소자에서 발생한 열이 본딩층(160)을 통하여 패키지 몸체(10) 방향으로 방출되어야 하기 때문에, 본딩층(160)의 두께를 줄일 필요가 있다.In addition, the paste-hardened bonding layer 160 is formed to have a thickness t 0 of at least 5 micrometers. Since heat generated in the light emitting device must be emitted toward the package body 10 through the bonding layer 160 , The thickness of the bonding layer 160 needs to be reduced.

실시예는 발광소자 패키지의 본딩층의 두께를 줄여서 열 방출 효율을 향상시키고자 한다.The embodiment attempts to reduce the thickness of the bonding layer of the light emitting device package to improve heat dissipation efficiency.

실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 패키지 몸체 상에 본딩층으로 결합되고, 상기 제1 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 발광소자를 포함하고, 상기 본딩층은 필름 타입인 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a package body; A first lead frame and a second lead frame disposed on the package body; And a light emitting device coupled to the package body by a bonding layer and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein the bonding layer is a film type.

본딩층은 두께는 3 마이크로 미터 이하일 수 있다.The thickness of the bonding layer may be less than 3 micrometers.

본딩층은 비도전형일 수 있다.The bonding layer may be non-conductive.

본딩층은, 실리콘과 에폭시의 혼합물을 포함할 수 있다.The bonding layer may comprise a mixture of silicon and epoxy.

본딩층은 arcylate를 포함할 수 있다.The bonding layer may comprise an arcylate.

본딩층은, 실리콘과 에폭시의 혼합물을 포함하는 기재와, 상기 기재의 양면에 배치된 acrylate를 포함할 수 있다.The bonding layer may comprise a substrate comprising a mixture of silicon and epoxy and acrylate disposed on both sides of the substrate.

본딩층은 필러(filler)를 포함할 수 있고, 필러는 Al2O3, silica, BN 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer may comprise a filler and the filler may comprise at least one of Al 2 O 3 , silica, BN and TiO 2 .

필러의 크기는, 상기 본딩층의 두께의 1/4 내지 1/2일 수 있다.The size of the filler may be 1/4 to 1/2 of the thickness of the bonding layer.

본딩층의 가장 자리는 상기 발광소자의 기판의 가장자리와 동일선상 또는 내측에 배치될 수 있다.The edge of the bonding layer may be disposed on the same line or inward as the edge of the substrate of the light emitting device.

본 실시예들에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자가 하부의 필름형의 본딩층으로 패키지 몸체에 고정되므로 본딩층이 발광소자의 가장 자리 바깥으로 이탈되지 않을 수 있다. 또한, 스프레이 코팅의 방법으로 형성된 본딩층은 두께가 3 마이크로 미터 이하로 구현될 수 있으므로, 발광소자에서 방출된 열이 본딩층을 통하여 용이하게 방출될 수 있다.In the light emitting device package according to the present embodiments, since the light emitting device is fixed to the package body as the lower film-like bonding layer, the bonding layer may not be separated from the edge of the light emitting device. In addition, since the bonding layer formed by the spray coating method can be realized with a thickness of 3 micrometers or less, heat emitted from the light emitting element can be easily released through the bonding layer.

도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a는 도 2의 발광소자를 상세히 나타낸 도면이고,
도 3b 및 도 3c는 도 3a의 'A' 영역을 상세히 나타낸 도면들이고,
도 4a 및 도 4b는 도 3a의 본딩층의 구성을 상세히 나타낸 도면이고,
도 5는 본딩층의 조성을 상세히 나타낸 도면이고,
도 6a 내지 도 6c는 발광소자 패키지의 제조공정을 간단히 나타낸 도면이고,
도 7은 본딩층의 두께에 따른 열저항을 나타낸 도면이고,
도 8은 발광 소자가 배치된 영상표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 9는 발광 소자 패키지가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a conventional light emitting device package,
2 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package,
FIG. 3A is a detailed view of the light emitting device of FIG. 2,
FIGS. 3B and 3C are views showing the 'A' region of FIG. 3A in detail,
FIGS. 4A and 4B are views showing a detailed structure of the bonding layer of FIG. 3A,
5 is a view showing the composition of the bonding layer in detail,
6A to 6C are views showing a manufacturing process of a light emitting device package,
7 is a graph showing the thermal resistance according to the thickness of the bonding layer,
8 is a view showing an embodiment of a video display device in which light emitting devices are arranged,
9 is a view illustrating an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting device package is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

실시예들에 따른 발광소자는 수직형 발광소자이되, 제1 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 제1 전극이 발광 구조물의 하부에 배치되어 발광 구조물 상부로 방출되는 빛의 반사량을 줄일 수 있으며, 제1 전극은 제2 도전형 반도체층과 활성층을 관통하여 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode for supplying current to the first conductivity type semiconductor layer may be disposed under the light emitting structure to reduce the amount of light emitted to the upper portion of the light emitting structure, The first electrode may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer through the second conductivity type semiconductor layer and the active layer.

도 2는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an embodiment of a light emitting device package.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 캐비티(cavity)를 포함하는 몸체(210)와, 상기 몸체(210)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 222) 및 제2 리드 프레임(226)과, 상기 몸체(210)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결되는 광소자(300)와, 캐비티에 형성된 몰딩부(270)를 포함한다.The light emitting device package 200 according to the present embodiment includes a body 210 including a cavity, a first lead frame 222 and a second lead frame 226 provided on the body 210, An optical device 300 mounted on the body 210 and electrically connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 222 and a molding part 270 formed in the cavity.

몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 몸체(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(222, 226) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 210 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. If the body 210 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer may be coated on the surface of the body 210 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 222 and 226 have.

제1 리드 프레임(222) 및 제2 리드 프레임(226)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(300)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(222) 및 제2 리드 프레임(226)은 발광소자(300)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(300)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 222 and the second lead frame 226 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 300. The first lead frame 222 and the second lead frame 226 may reflect the light generated from the light emitting device 300 to increase the light efficiency, It may be discharged.

발광소자(300)는 수평형 발광소자일 수 있다. 발광소자(300)는 본딩층(260)을 통하여 캐비티의 바닥면에서 패키지 몸체(210)에 고정될 수 있고, 제1 리드 프레임(222)과 제2 리드 프레임(226)에 각각 와이어(240)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 300 may be a horizontal light emitting device. The light emitting device 300 may be fixed to the package body 210 at the bottom surface of the cavity through the bonding layer 260 and the wires 240 may be attached to the first lead frame 222 and the second lead frame 226, As shown in FIG.

캐비티 내에는 몰딩부(270)가 채워져서 발광소자(300)와 와이어(240)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(260) 내에는 형광체(270)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(270)가 분포되어, 발광소자(300)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체(270)가 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.The molding part 270 is filled in the cavity to protect the light emitting device 300 and the wire 240. In addition, the molding part 260 may include a phosphor 270. In this structure, the phosphor 270 is distributed, and the phosphor 270 is excited by the light of the first wavelength range emitted from the light emitting device 300 to emit light in the second wavelength range.

발광소자 패키지(200)에는 발광소자가 하나 또는 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.One or more light emitting devices may be mounted on the light emitting device package 200, but the present invention is not limited thereto.

도 3a는 도 2의 발광소자를 상세히 나타낸 도면이다.FIG. 3A is a detailed view of the light emitting device of FIG. 2. FIG.

실시예에 따른 발광소자(100)는 수평형 발광소자이고, 기판(310)과, 제1 도전형 반도체층(322)과 활성층(324)과 제2 도전형 반도체층(326)을 포함하는 발광 구조물(330)과, 투광성 도전층(330)과, 제1 전극(352) 및 제2 전극(356)를 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment is a horizontal light emitting device and includes a substrate 310, a first conductivity type semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second conductivity type semiconductor layer 326 A structure 330, a transmissive conductive layer 330, a first electrode 352, and a second electrode 356.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 310 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used.

사파이어 등으로 기판(310)을 형성하고, 기판(310) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(320)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.When the substrate 310 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 320 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 310, lattice mismatch between GaN or AlGaN and sapphire is very large Since the difference in thermal expansion coefficient between them is also very large, dislocations, melt-backs, cracks, pits, and surface morphology defects that deteriorate the crystallinity may occur A buffer layer (not shown) can be formed of AlN or the like.

그리고, 도시된 바와 같이 기판(310)의 표면에는 요철 구조가 형성되어, 발광 구조물(320)에서 방출되어 기판(310)으로 진행하는 빛을 굴절시킬 수도 있다.As shown in the figure, a concavo-convex structure may be formed on the surface of the substrate 310 so that light emitted from the light emitting structure 320 may be refracted to the substrate 310.

발광 구조물(320)은 제1 도전형 반도체층(322)과 활성층(324)과 제2 도전형 반도체층(326)으로 이루어질 수 있다.The light emitting structure 320 may include a first conductive semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second conductive semiconductor layer 326.

제1 도전형 반도체층(322)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑되어 제1 도전형의 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 322 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a first conductive dopant to form a first conductive semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 322 is made of a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And may be formed of any one or more of AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP, for example.

제1 도전형 반도체층(322)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity type semiconductor layer 322 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 322 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

활성층(324)은 제1 도전형 반도체층(322)의 상부면에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 324 is disposed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 322 and has a structure of a double well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure , A quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(324)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and AlGaN / AlGaN / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN, using a compound semiconductor material of Group III- / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(326)은 활성층(324)의 표면에 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 326 may be formed of a semiconductor compound on the surface of the active layer 324. The second conductive semiconductor layer 326 may be formed of a compound semiconductor such as group III-V or II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. The second conductivity type semiconductor layer 326 is formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? And may be formed of any one or more of AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(326)은 제2 도전형 도펀트가 도핑되어 제2 도전형의 반도체층일 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(326)이 p형 반도체층일 경우 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive type semiconductor layer 326 may be a second conductive type semiconductor layer doped with a second conductive type dopant. If the second conductive type semiconductor layer 326 is a p type semiconductor layer, the second conductive type dopant may be a Mg , Zn, Ca, Sr, Ba, and the like. The second conductivity type semiconductor layer 326 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

투광성 도전층(330)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등으로 이루어질 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(326)의 전류 스프레딩(spreading) 특성이 좋지 않아 투광성 도전층(330)이 제2 전극(356)으로부터 전류를 공급받을 수 있다.The transmissive conductive layer 330 may be made of indium-tin-oxide (ITO) or the like and the current spreading characteristic of the second conductivity type semiconductor layer 326 is poor, The current can be supplied from the electrode 356. [

투광성 도전층(330)으로부터 제2 도전형 반도체층(326)과 활성층(324), 그리고 제1 도전형 반도체층(322)의 일부까지 식각되어 제1 도전형 반도체층(322)의 상부 표면이 일부 노출될 수 있다. 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 표면과 투광성 도전층(330) 상에는 각각 제1 전극(352)과 제2 전극(356)이 배치되는데, 제1 전극(352)과 제2 전극(356)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 322 is etched from the transmissive conductive layer 330 to the portions of the second conductivity type semiconductor layer 326, the active layer 324 and the first conductivity type semiconductor layer 322, Some may be exposed. A first electrode 352 and a second electrode 356 are disposed on the surface of the exposed first conductivity type semiconductor layer 122 and the transmissive conductive layer 330. The first electrode 352 and the second electrode 356, 356 may be formed as a single layer or a multilayer structure including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chrome (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au).

도시되지는 않았으나, 발광소자(300)의 둘레에는 패시베이션층이 형성될 수 있는데, 패시베이션층은 절연성 물질로 이루어질 수 있고, 상세하게는 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.Although not shown, a passivation layer may be formed around the light emitting device 300. The passivation layer may be made of an insulating material, specifically, an oxide or a nitride, and more specifically, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

기판(310)의 하부에는 본딩층(260)이 배치될 수 있는데, 본딩층(260)의 가로 방향의 길이(d2)는 기판(310)의 가로 방향의 길이(d1)와 같거나 보다 작을 수 있고, 예를 들면 기판(310)의 가로 방향의 길이(d1)가 1 밀리미터일 때 본딩층(260)의 가로 방향의 길이(d2)는 1 밀리미터 이하일 수 있으며, 본딩층(260)의 두께(t1)는 3 마이크로 미터 이하일 수 있다.The bonding layer 260 may be disposed under the substrate 310. The length d 2 of the bonding layer 260 in the lateral direction may be equal to or greater than the length d 1 of the substrate 310 in the lateral direction. The length d 2 in the transverse direction of the bonding layer 260 may be less than 1 millimeter when the transverse length d 1 of the substrate 310 is 1 millimeter and the bonding layer 260 ), the thickness (t 1) of the can is less than 3 microns.

본딩층(260)은 필름(film) 타입일 수 있는데, 상술한 종래의 본딩층은 페이스트 상에 발광소자를 압착하며 페이스트가 경화되기 때문에 도 1에 도시된 바와 같이 본딩층의 일부가 기판의 가장자리보다 바깥으로 돌출될 수 있으나, 본 실시예에 따른 발광소자(300)의 하부에 배치된 본딩층(260)은 필름 타입으로 형성되어 기판(310)의 가장 자리보다 외부로 돌출되지 않을 수 있으며, 박막(thin film)형일 수 있다.The bonding layer 260 may be a film type. Since the conventional bonding layer compresses the light emitting device on the paste and the paste is hardened, a part of the bonding layer is formed on the edge of the substrate The bonding layer 260 disposed under the light emitting device 300 according to the present embodiment may be formed as a film type and may not protrude outward beyond the edge of the substrate 310, And may be a thin film type.

본딩층(260)은 비도전형일 수 있으며, 실리콘과 에폭시의 혼합물을 모재로 하여 본딩 특성을 나타내기 위하여 arcylate가 포함될 수 있으며, 필러(filler)로 Al2O3, silica, BN 및 TiO2 중 적어도 하나가 포함될 수 있으며, 박막형의 본딩층(260)을 구현하기 위하여 필러는 포함되지 않을 수도 있다.The bonding layer 260 may be non-conductive and may include arcylate to exhibit bonding properties using a mixture of silicon and epoxy as the base material and at least one of Al 2 O 3 , silica, BN and TiO 2 as a filler. And a filler may not be included in order to implement the thin film bonding layer 260.

도 3b 및 도 3c는 도 3a의 'A' 영역을 상세히 나타낸 도면들이다.FIGS. 3B and 3C are views showing the 'A' region of FIG. 3A in detail.

도 3b에서 본딩층(260)의 가장 자리면(a)이 발광소자의 기판(310)의 가장자리면(b)과 동일선상에 배치되고, 도 3c에서 본딩층(260)의 가장 자리면(a)이 기설정된 폭(w) 만큼 발광소자의 기판(310)의 가장 자리면(b)의 내측으로 배치될 수 있는데, 이러한 배치는 본딩층(260)이 필름타입으로 기판(310)에 결합되므로 가능하며, 또한 본딩층(260)의 일부가 기판(310)의 상부로 돌출되지도 않을 수 있다.3B, the end face a of the bonding layer 260 is disposed on the same line as the edge face b of the substrate 310 of the light emitting device, and the edge a of the bonding layer 260 Of the substrate 310 can be disposed inside the edge b of the substrate 310 of the light emitting device by a predetermined width w because the bonding layer 260 is bonded to the substrate 310 in a film type And a part of the bonding layer 260 may not protrude to the upper portion of the substrate 310.

도 4a 및 도 4b는 도 3a의 본딩층의 구성을 상세히 나타낸 도면이다.4A and 4B are views showing a detailed configuration of the bonding layer of FIG. 3A.

도 4a에서 본딩층(260)의 두께(t1)는 3 마이크로 미터 이하일 수 있는데, 본딩층(260) 내에는 실리콘과 에폭시의 혼합물을 모재로 하여 상술한 필러와 arcylate가 포함될 수 있다.In FIG. 4A, the thickness t 1 of the bonding layer 260 may be less than 3 micrometers. In the bonding layer 260, a filler and arcylate may be included in the bonding layer 260 using a mixture of silicon and epoxy as a base.

도 4b에 도시된 본딩층(260)은 기재(261)와 기능층(262)으로 이루어지는데, 기재(261)는 실리콘과 에폭시의 혼합물이 모재로 하여 필러가 포함될 수 있고, 기능층(262)은 기재(261)의 양면에 코팅되어 형성되며 arcylate가 포함되어 접착력을 나타낼 수 있다. 그리고, 기재(261)의 두께(t21)는 기능층(t22)의 두께보다 클 수 있다.The bonding layer 260 shown in FIG. 4B is composed of a base material 261 and a functional layer 262. The base material 261 may include a filler containing a mixture of silicon and epoxy as a base material, Is coated on both sides of the base material 261 and arclate is included to exhibit adhesive strength. The thickness t21 of the base material 261 may be larger than the thickness of the functional layer t22.

도 5는 본딩층의 조성을 상세히 나타낸 도면이다.5 is a view showing the composition of the bonding layer in detail.

본딩층(260) 내에는 모재(262)와 필러(264)와 arcylate(266)가 포함되는데, 필러(264)는 Al2O3, silica, BN 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 필러의 크기(R)는 본딩층(260)의 두께(t1)의 1/4 내지 1/2일 수 있으며 예를 들면 본딩층(260)의 두께(t1)가 3 밀리미터이고 필러의 크기(R)는 1 마이크로 미터일 수 있다. 여기서, 크기(R)는 필러가 구형이면 지름을 뜻하고 육면체이면 한 변의 길이를 뜻한다.In the bonding layer 260 are contained the base material 262 and the filler 264 and arcylate (266), the filler 264 may include at least one of Al 2 O 3, silica, BN, and TiO 2, size (R) of the filler may be a 1/4 to 1/2 of the thickness (t 1) of the bonding layer 260, and for example, a 3 mm thickness (t 1) of the bonding layer 260 and the size of the filler (R) may be 1 micrometer. Here, the size (R) means the diameter if the filler is spherical, and the length of one side if it is hexahedron.

도 6a 내지 도 6c는 발광소자 패키지의 제조공정을 간단히 나타낸 도면이다.6A to 6C are views showing a manufacturing process of the light emitting device package.

도 6a에서 지지 기판(400) 상의 발광소자(300) 어레이에 본딩층을 형성한다. 발광소자(260) 어레이는 각 소자 단위로 다이싱(dicing) 되기 이전의 발광소자들이고, 도 3a의 발광소자와는 상하가 역전되어 도시되고 있다. 즉, 도 6a에서 제1 본딩층 재료(260a)가 발광소자(300)의 상부의 기판 상에 형성되고 있으며, 지지 기판(400)은 발광소자(300)의 발광 구조물 방향을 일시적으로 고정하는 지지물일 수 있다. In FIG. 6A, a bonding layer is formed on the array of light emitting devices 300 on the support substrate 400. The array of light emitting devices 260 are light emitting devices before being diced in each device unit, and are shown reversed up and down from the light emitting device of FIG. 3A. 6A, the first bonding layer material 260a is formed on the substrate on the upper side of the light emitting device 300, and the support substrate 400 is a support member for temporarily fixing the direction of the light emitting structure of the light emitting device 300 Lt; / RTI >

제1 본딩층 재료(260a)는 스핀 코팅의 방법으로 발광소자(300)의 기판 상에 증착되는데, 도 6a에서 액상으로 제1 본딩층 재료(260a)가 증착될 수 있다.The first bonding layer material 260a is deposited on the substrate of the light emitting device 300 by a spin coating method, and the first bonding layer material 260a may be deposited in the liquid phase in FIG. 6A.

도 6b에서 지지 기판(400) 상의 발광소자(300) 어레이를 다이싱하는데, 발광소자(300)과 제2 본딩층 재료(260b)가 함께 다이싱될 수 있다. 도 6b의 제2 본딩층 재료(260b)는 반고상이고, 도 6a의 액상의 제1 본딩층 재료(260a)와 구별될 수 있다.In FIG. 6B, the light emitting device 300 and the second bonding layer material 260b may be diced together, while the array of light emitting devices 300 on the support substrate 400 is diced. The second bonding layer material 260b of FIG. 6B is semi-rigid and can be distinguished from the liquid bonding first layer material 260a of FIG. 6A.

그리고, 도 6c에 각 소자 단위로 분리된 발광소자(300) 어레이의 하부에 제1 본딩층 재료(260a)가 배치되며, 도 6a와 유사하게 액상의 제1 본딩층 재료(260a)가 도시되고 있다.A first bonding layer material 260a is disposed under the array of light emitting devices 300 separated in each device unit in FIG. 6C, and a first bonding layer material 260a in a liquid phase is shown similarly to FIG. 6A have.

도 6b에서는 다이싱 공정이 진행되므로 반고상의 제2 본딩층 재료(260b)가 필요하므로, 도 6a의 공정 후에 액상의 제1 본딩층 재료(260a)를 일부 경화시켜서 반고상으로 변형하고, 도 6b의 공정 후에는 반고상의 제2 본딩층 재료(260b)에 열을 가하는 등의 방법으로 변형을 가하여 다시 액상의 제1 본딩층 재료(260a)가 발광소자(300)의 하부에 배치된다. 본 실시예에서는 본딩층의 재료로 실리콘과 에폭시의 혼합물을 사용하여 액상과 반고상으로 상태를 변화시킬 수 있다.6B, since the semi-solid phase second bonding layer material 260b is required, the first bonding layer material 260a in a liquid phase is partially cured and deformed into a semi-solid phase after the process of FIG. 6A, The first bonding layer material 260a in the form of a liquid is disposed at the lower portion of the light emitting device 300 by applying heat to the second bonding layer material 260b on the semi-insulating layer. In this embodiment, a mixture of silicon and epoxy may be used as a material of the bonding layer to change the state from a liquid state to a semi-solid state.

그리고, 도 6c의 액상의 제1 본딩층 재료(260a)가 배치된 발광소자(300)를 패키지 몸체 등에 배치하여, 액상의 제1 본딩층 재료(260a)를 경화시켜서 발광소자(300)를 고정시킬 수 있다.The light emitting device 300 in which the liquid first bonding layer material 260a of FIG. 6C is disposed is placed in a package body or the like to cure the liquid first bonding layer material 260a, .

이러한 공정에서 필름형의 제1 본딩층 재료(260a)와 제2 본딩층 재료(260b)를 사용하므로, 발광소자(300)의 하부에 상술한 본딩층(260)이 형성되고, 본딩층(260)이 발광소자(300)의 가장 자리 바깥으로 이탈되지 않을 수 있다. 또한, 스프레이 코팅의 방법으로 형성된 본딩층은 두께가 3 마이크로 미터 이하로 구현될 수 있으므로, 발광소자에서 방출된 열이 본딩층을 통하여 용이하게 방출될 수 있다.In this process, since the film-shaped first bonding layer material 260a and the second bonding layer material 260b are used, the bonding layer 260 described above is formed below the light emitting device 300, and the bonding layer 260 May not be released to the outside of the edge of the light emitting device 300. In addition, since the bonding layer formed by the spray coating method can be realized with a thickness of 3 micrometers or less, heat emitted from the light emitting element can be easily released through the bonding layer.

도 7은 본딩층의 두께에 따른 열저항을 나타낸 도면이다.7 is a graph showing the thermal resistance according to the thickness of the bonding layer.

페이스트 등 본딩층의 두께가 3 마이크로 미터에서 10 마이크로 미터까지 점차 증가함에 따라 접합 온도(Junction Temp.)와 열 저항(Thermal Resistance)가 증가하는데, 열 Rth는 Rth=l/kA로 구할 수 있는데, 여기서 l은 본딩층의 두께이고 A는 본딩층의 단면적이며 k는 열저항 상수이다.As the thickness of the bonding layer, such as paste, gradually increases from 3 micrometers to 10 micrometers, the junction temperature and thermal resistance increase, and the column R th can be obtained as R th = l / kA Where l is the thickness of the bonding layer, A is the cross-sectional area of the bonding layer, and k is the thermal resistance constant.

따라서, 본 실시예와 같이 발광소자 패키지 내의 본딩층의 두께를 줄이면, 열저항이 감소하여 발광소자 패키지의 열 방출이 용이함을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that when the thickness of the bonding layer in the light emitting device package is reduced as in the present embodiment, the heat resistance is reduced and the heat dissipation of the light emitting device package is facilitated.

이하에서는 상술한 발광 소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display apparatus and a lighting apparatus will be described as an embodiment of an illumination system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 8은 발광 소자 패키지를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing an embodiment of a video display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트 (560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널 (570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown in the drawing, the image display apparatus 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflection plate 520 on the bottom cover 510, and a reflection plate 520 disposed in front of the reflection plate 520, A first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540 and a second prism sheet 560 disposed between the first prism sheet 560 and the second prism sheet 560, A panel 570 disposed in front of the panel 570 and a color filter 580 disposed in the front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광 소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 상술한 실시예에 따를 수 있다.The light source module comprises a light emitting device package 535 on a circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 535 may be in accordance with the above-described embodiments.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 can house the components in the image display apparatus 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광 소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트 (PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of poly methylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

도 8은 발광 소자 패키지가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view illustrating an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting device package is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat discharger 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include the light emitting device package according to the above-described embodiments .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the heat discharging body 1400. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for sufficiently diffusing and diffusing light from the light source module 1200 and emitting it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광 소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat discharger 1400. Accordingly, the heat from the light source module 1200 is conducted to the heat discharging body 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광 소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광 소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 1400 and has guide grooves 1310 into which the plurality of light emitting device packages 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate of the light emitting device package 1210 and the connector 1250.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 1100 and returns toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 1400 and the connecting plate 1230. The member 1300 may be made of an insulating material to prevent an electrical short between the connection plate 1230 and the heat discharger 1400. The heat discharger 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to dissipate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the projection 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electric signal provided from the outside and provides the electric signal to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source to a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extending portion 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 is inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. The other end of each of the "+ wire" and the "wire" may be electrically connected to the socket 1800.

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply unit 1600 in the inner case 1700. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10, 210: 패키지 몸체 22, 222: 제1 리드 프레임
26, 226: 제2 리드 프레임 110, 310: 기판
120, 320: 발광 구조물 160, 260: 본딩층
200: 발광소자 패키지 260a: 제1 본딩층 재료
260b: 제2 본딩층 재료 261: 기재
262: 기능층 270: 몰딩부
280: 형광체 300: 발광소자
330: 투광성 도전층 400: 지지기판
500: 영상표시장치10, 210: package body 22, 222: first lead frame
26, 226: second lead frame 110, 310:
120, 320: light emitting structure 160, 260: bonding layer
200: light emitting device package 260a: first bonding layer material
260b: second bonding layer material 261: substrate
262: Functional layer 270: Molding part
280: phosphor 300: light emitting element
330: Transparent conductive layer 400: Support substrate
500: Video display device

Claims (10)

패키지 몸체;
상기 패키지 몸체 상에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 패키지 몸체 상에 본딩층으로 결합되고, 상기 제1 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 발광소자를 포함하고,
상기 본딩층은 필름 타입인 발광소자 패키지.A package body;
A first lead frame and a second lead frame disposed on the package body;
And a light emitting device coupled to the package body as a bonding layer and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
Wherein the bonding layer is a film type. 제1 항에 있어서,
상기 본딩층은 두께가 3 마이크로 미터 이하인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the bonding layer has a thickness of 3 micrometers or less. 제1 항에 있어서,
상기 본딩층은 비도전형인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the bonding layer is a non-conductive type. 제1 항에 있어서,
상기 본딩층은, 실리콘과 에폭시의 혼합물을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the bonding layer comprises a mixture of silicon and epoxy. 제4 항에 있어서,
상기 본딩층은, arcylate를 포함하는 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
Wherein the bonding layer comprises an arcylate. 제1 항에 있어서, 상기 본딩층은,
실리콘과 에폭시의 혼합물을 포함하는 기재와, 상기 기재의 양면에 배치된 acrylate를 포함하는 발광소자 패키지.The method as claimed in claim 1,
A light emitting device package comprising a substrate including a mixture of silicon and epoxy and acrylate disposed on both sides of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 본딩층은 필러(filler)를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the bonding layer includes a filler. 제7 항에 있어서, 상기 필러는,
Al2O3, silica, BN 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
Al 2 O 3 , silica, BN, and TiO 2 . 제8 항에 있어서,
상기 필러의 크기는, 상기 본딩층의 두께의 1/4 내지 1/2인 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
The size of the filler is 1/4 to 1/2 of the thickness of the bonding layer. 제1 항에 있어서,
상기 본딩층의 가장 자리는 상기 발광소자의 기판의 가장자리와 동일선상 또는 내측에 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein an edge of the bonding layer is disposed on the same line or inward as the edge of the substrate of the light emitting device.
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