KR102160774B1 - Light emitting device package and method for mafacturing the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 시트에 복수 개의 발광 소자를 배치하는 단계; 상기 복수 개의 발광 소자의 사이에 제1 형광체층을 도포하고, 상기 복수 개의 발광 소자의 측면에 제1 형광체층을 결합하는 단계; 상기 복수 개의 발광 소자를 각각의 발광 소자로 분리하는 단계; 패키지 몸체에 상기 분리된 하나의 발광 소자를 배치하는 단계; 상기 발광 소자를 한 쌍의 리드 프레임과 와이어 본딩하는 단계; 및 상기 발광 소자의 상부에 제2 형광체층을 배치하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조방법를 제공한다.The embodiment includes the steps of disposing a plurality of light emitting devices on a sheet; Applying a first phosphor layer between the plurality of light emitting devices, and bonding the first phosphor layer to side surfaces of the plurality of light emitting devices; Separating the plurality of light emitting devices into respective light emitting devices; Disposing the separated one light-emitting device on a package body; Wire bonding the light emitting device to a pair of lead frames; And it provides a method of manufacturing a light emitting device package comprising the step of disposing a second phosphor layer on the light emitting device.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MAFACTURING THE SAME}Light emitting device package and its manufacturing method {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MAFACTURING THE SAME}

실시예는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다. Group 3-5 compound semiconductors such as GaN and AlGaN are widely used in optoelectronics and electronic devices due to their many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material of semiconductors are developed in thin film growth technology and device materials, such as red, green, blue and ultraviolet rays. Various colors can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or by combining colors. Low power consumption, semi-permanent life, quick response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) that constitutes the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display, and white light that can replace fluorescent or incandescent bulbs. Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.

발광 소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다. 발광 소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 등일 수 있다.In the light emitting device, a light emitting structure including a first conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity-type semiconductor layer is formed on a substrate made of sapphire, and the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer are respectively formed. The first electrode and the second electrode are disposed. In the light emitting device, electrons injected through the first conductivity type semiconductor layer and holes injected through the second conductivity type semiconductor layer meet each other to emit light having energy determined by an energy band inherent to a material constituting the active layer. Light emitted from the active layer may vary depending on the composition of the material constituting the active layer, and may be blue light, ultraviolet light (UV), or deep ultraviolet light.

이러한 발광 소자는 패키지의 형태로 백라이트 유닛이나 조명 장치 등에 배치될 수 있다.Such a light emitting device may be disposed in a backlight unit or a lighting device in the form of a package.

도 1a 및 도 1b는 종래의 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.1A and 1B are views showing a conventional light emitting device package.

발광 소자 패키지(100a, 100b)는 캐비티를 가지는 패키지 몸체(110)의 캐비티의 바닥면에 발광 소자(150)가 배치되고, 캐비티 내에는 형광체를 포함하는 몰딩부(180a, 180b)가 채워진다.In the light emitting device packages 100a and 100b, the light emitting device 150 is disposed on the bottom surface of the cavity of the package body 110 having the cavity, and molding parts 180a and 180b including phosphors are filled in the cavity.

이때, 도 1a에 도시된 발광 소자 패키지(100a)처럼 몰딩부(180a)가 오목하게 배치되거나, 도 1b에 도시된 발광 소자 패키지(100b)처럼 몰딩부(180b)가 볼록하게 배치될 수 있는데, 몰딩부(180a, 180b)의 두께가 불규칙하게 형성되면 발광 소자에서 방출된 광이 형광체를 여기하는 빈도가 달라져서 동일한 발광 소자 패키지에서도 광의 출사 방향에 따라 색온포 분포가 달라질 수 있다.At this time, the molding part 180a may be concavely disposed like the light emitting device package 100a shown in FIG. 1A, or the molding part 180b may be convexly disposed like the light emitting device package 100b shown in FIG. 1B. If the molding portions 180a and 180b are formed in an irregular thickness, the frequency at which light emitted from the light emitting device excites the phosphor may be changed, and thus color temperature distribution may vary according to the light emission direction even in the same light emitting device package.

실시예는, 발광 소자 패키지에서 형광체를 균일하게 배치하여 발광 소자 패키지의 전영역에서 색온도를 고르게 하고자 한다.In the embodiment, the phosphor is evenly arranged in the light emitting device package to uniform color temperature in the entire area of the light emitting device package.

실시예는 시트에 복수 개의 발광 소자를 배치하는 단계; 상기 복수 개의 발광 소자의 사이에 제1 형광체층을 도포하고, 상기 복수 개의 발광 소자의 측면에 제1 형광체층을 결합하는 단계; 상기 복수 개의 발광 소자를 각각의 발광 소자로 분리하는 단계; 패키지 몸체에 상기 분리된 하나의 발광 소자를 배치하는 단계; 상기 발광 소자를 한 쌍의 리드 프레임과 와이어 본딩하는 단계; 및 상기 발광 소자의 상부에 제2 형광체층을 배치하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조방법를 제공한다.The embodiment includes the steps of disposing a plurality of light emitting devices on a sheet; Applying a first phosphor layer between the plurality of light emitting devices, and bonding the first phosphor layer to side surfaces of the plurality of light emitting devices; Separating the plurality of light emitting devices into respective light emitting devices; Disposing the separated one light-emitting device on a package body; Wire bonding the light emitting device to a pair of lead frames; And it provides a method of manufacturing a light emitting device package comprising the step of disposing a second phosphor layer on the light emitting device.

제1 형광체층을 디스펜싱, 스프레이 또는 인쇄 중 어느 하나의 방법으로 상기 복수 개의 발광 소자의 사이에 도포할 수있다.The first phosphor layer may be applied between the plurality of light-emitting elements by any one of dispensing, spraying, or printing.

와이어 본딩 단계는, 상기 발광 소자 상에 상기 제1 형광체층보다 높게 본딩 패드를 배치하는 단계를 포함할 수 있다.The wire bonding step may include disposing a bonding pad higher than the first phosphor layer on the light emitting device.

제2 형광체층을 배치하는 단계는, 상기 발광 소자의 상부와 상기 제1 형광체층의 상부에 대응하되, 상기 본딩 패드에 대응하는 부분이 오픈된 형광체 필름을 상기 발광 소자 상에 배치할 수 있다.In the step of arranging the second phosphor layer, a phosphor film corresponding to an upper portion of the light emitting element and an upper portion of the first phosphor layer, but having an open portion corresponding to the bonding pad may be disposed on the light emitting element.

발광 소자의 제조 방법은, 제2 형광체층의 배치 전에, 상기 발광 소자와 상기 제1 형광체층 중 적어도 하나 상에 접착제를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device may further include disposing an adhesive on at least one of the light emitting device and the first phosphor layer before disposing the second phosphor layer.

발광 소자의 제조 방법은, 상기 제1 형광체층과 제2 형광체층을 열처리하여 상기 제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 계면을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device may further include heat treating the first phosphor layer and the second phosphor layer to couple an interface between the first phosphor layer and the second phosphor layer.

패키지 몸체는 캐비티를 가지고, 상기 캐비티의 바닥면에 상기 발광 소자가 배치되며, 상기 와이어의 최고점은 상기 패키지 몸체의 최고점보다 낮게 배치될 수 있다.The package body has a cavity, the light emitting device is disposed on a bottom surface of the cavity, and the highest point of the wire may be disposed lower than the highest point of the package body.

발광 소자의 제조방법은 캐비티의 내부에 몰딩부를 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting device may further include filling the molding part in the cavity.

제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 두께를 서로 다르게 배치할 수 있다.The first phosphor layer and the second phosphor layer may have different thicknesses.

제1 형광체층과 동일한 조성으로 상기 제2 형광체층을 마련할 수 있다.The second phosphor layer may be provided with the same composition as the first phosphor layer.

다른 실시예는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임이 배치된 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과 와이어 본딩된 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 측면에 배치된 제1 형광체층과 상기 발광 소자의 상부에 배치된 제2 형광체층을 포함하고, 상기 발광 소자 상에 배치되고 상기 와이어가 본딩되는 영역에 배치된 본딩 패드의 높이가 상기 제2 형광체층의 높이보다 낮은 발광 소자 패키지를 제공한다.Another embodiment includes a package body in which a first lead frame and a second lead frame are disposed; A light emitting device disposed on the package body and wire-bonded to the first lead frame and the second lead frame; And a first phosphor layer disposed on a side of the light-emitting device and a second phosphor layer disposed on the light-emitting device, the height of a bonding pad disposed on the light-emitting device and disposed in a region to which the wire is bonded. Provides a light emitting device package lower than the height of the second phosphor layer.

제2 형광체층은 상기 제1 형광체층의 상부면에도 배치될 수 있다.The second phosphor layer may also be disposed on the upper surface of the first phosphor layer.

제1 형광체층과 상기 제2 형광체층은 동일한 재료로 이루어질 수 있다.The first phosphor layer and the second phosphor layer may be made of the same material.

제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 결합 영역에는 계면이 형성될 수 있다.An interface may be formed in a bonding region between the first phosphor layer and the second phosphor layer.

제1 형광체층 상기 발광 소자의 측면을 둘러싸고 배치될 수 있다.The first phosphor layer may be disposed surrounding a side surface of the light emitting device.

제2 형광체층은, 상기 본딩 패드와 대응하는 영역이 오픈된 형광체 필름일 수있다.The second phosphor layer may be a phosphor film in which a region corresponding to the bonding pad is opened.

제1 형광체층의 두께는 상기 제2 형광체층의 두께와 다를 수 있다.The thickness of the first phosphor layer may be different from the thickness of the second phosphor layer.

발광 소자 패키지는 제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 사이 또는 상기 발광 소자의 상부면과 상기 제2 형광체층의 사이에 배치된 접착제를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include an adhesive disposed between the first phosphor layer and the second phosphor layer or between the upper surface of the light emitting device and the second phosphor layer.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자의 측면과 상부면에 제1 형광체와 제2 형광체가 고른 두께로 형성되어, 발광소자에서 방출된 광이 제1 형광체와 제2 형광체에서 여기되어 방출되는 광의 색온도가 고를 수 있다. 또한, 와이어 본딩 후에 필름 타입의 제2 형광체층을 배치하여, 와이어가 본딩되는 영역에 배치된 본딩 패드의 높이가 제2 형광체층의 높이보다 낮을 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, the first phosphor and the second phosphor are formed to have an even thickness on the side and the upper surface of the light emitting device, so that the light emitted from the light emitting device is excited and emitted from the first phosphor and the second phosphor. You can choose a color temperature. In addition, by disposing a film-type second phosphor layer after wire bonding, the height of the bonding pad disposed in the area to which the wire is bonded may be lower than the height of the second phosphor layer.

도 1a 및 도 1b는 종래의 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 2a 내지 도 2g는 형광체를 각 발광 소자의 측면에 결합하는 공정의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3h는 형광체가 측면에 결합된 발광 소자를 사용하여 발광 소자 패키지를 제조하는 공정의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 상술한 공정으로 제조된 발광 소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광 소자가 배치된 백라이트 유닛의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광 소자 패키지가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1A and 1B are views showing a conventional light emitting device package,
2A to 2G are views showing an embodiment of a process of bonding a phosphor to a side surface of each light emitting device,
3A to 3H are diagrams showing an embodiment of a process of manufacturing a light emitting device package using a light emitting device having a phosphor coupled to a side thereof,
4 is a view showing an embodiment of a light emitting device package manufactured by the above-described process,
5 is a diagram showing an embodiment of a backlight unit in which a light emitting element is disposed,
6 is a diagram illustrating an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

도 2a 내지 도 2g는 형광체층을 각 발광 소자의 측면에 결합하는 공정의 일실시예를 나타낸 도면이다.2A to 2G are diagrams illustrating an embodiment of a process of bonding a phosphor layer to a side surface of each light emitting device.

먼저, 시트(210)에 발광 소자(250)를 배치하는데, 접착제(220)를 사용하여 발광 소자(250)를 시트(210)에 고정할 수 있다.First, the light-emitting element 250 is disposed on the sheet 210, and the light-emitting element 250 can be fixed to the sheet 210 by using an adhesive 220.

도 2b는 시트(210) 등의 구조의 일실시예를 나타내고 있다. 시트(210)는 베이스 필름 내지 커리어 필름(carrier film)이고, 접착제(220)는 실리콘 접착제(silicone adhesive)로 이루어지고, 접착제(220) 위에는 보호 필름(225)이 배치될 수 있다. 보호 필름(225)은 발광소자(250)를 접착제(220) 위에 배치하기 이전에 제거될 수 있다.2B shows an embodiment of the structure of the sheet 210 and the like. The sheet 210 is a base film or a carrier film, the adhesive 220 is made of a silicone adhesive, and a protective film 225 may be disposed on the adhesive 220. The protective film 225 may be removed before placing the light emitting device 250 on the adhesive 220.

접착제(220)는 후술하는 분리 공정에서 레이저 스크라이빙(laser scribing)시에 발광 소자 등의 고정력이 우수하고, 실리콘의 내열 특성으로 인하여 변형이 없고, 각각의 발광 소자로 분리할 때 잔류물이 남지 않을 수 있다. 이러한 작용을 위하여 접착제(220) 내의 실리콘은 Trimethylated silica와 poly-dimethyl siloxane와 poly Ethylene Terephtalate가 각각 10% 대 60% 대 30%의 중량비로 혼합될 수 있다.The adhesive 220 has excellent fixing power of light-emitting elements during laser scribing in a separation process to be described later, has no deformation due to the heat resistance of silicon, and residues are removed when separated into each light-emitting element. May not remain. For this function, the silicone in the adhesive 220 may be mixed with trimethylated silica, poly-dimethyl siloxane, and poly ethylene terephtalate in a weight ratio of 10% to 60% to 30%, respectively.

접착제(220)는 발광 소자(250)를 시트(210)에 고정하는 작용을 하나, 후술하는 분리 공정에서 용이하게 분리될 수 있어야 한다.The adhesive 220 functions to fix the light emitting element 250 to the sheet 210, but must be able to be easily separated in a separation process to be described later.

도 2a에서 시트(210)의 양끝에 측벽이 배치되는데, 후술하는 도 2c의 공정에서 제1 형광체층(230)을 고정하기 위한 것이나, 제1 형광체층(230)이 충분한 점성이 있는 경우 상기 측벽은 생략될 수도 있다.In FIG. 2A, sidewalls are disposed at both ends of the sheet 210, which are used to fix the first phosphor layer 230 in the process of FIG. 2C to be described later, but when the first phosphor layer 230 has sufficient viscosity, the sidewalls May be omitted.

도 2c는 도 2a에서 시트(210) 상에 배치되는 발광 소자(250)의 일실시예를 나타낸 도면이다.2C is a view showing an embodiment of the light emitting device 250 disposed on the sheet 210 in FIG. 2A.

발광 소자(250)는 기판(251)에 버퍼층(252)과 발광 구조물(254)과 투광성 도전층(256)이 배치되고, 발광 구조물(254)은 제1 도전형 반도체층(254a)과 활성층(254b) 및 제2 도전형 반도체층(254c)을 포함하여 이루어지고, 제1 도전형 반도체층(254a)과 제2 도전형 반도체층(254c)에는 각각 본딩 패드(a, b)가 배치될 수 있다.In the light emitting device 250, a buffer layer 252, a light emitting structure 254, and a light-transmitting conductive layer 256 are disposed on a substrate 251, and the light emitting structure 254 includes a first conductivity type semiconductor layer 254a and an active layer ( 254b) and a second conductivity type semiconductor layer 254c, and bonding pads a and b may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 254a and the second conductivity type semiconductor layer 254c, respectively. have.

기판(251)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 251 may be formed of a material suitable for growth of semiconductor materials or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga 2 0 3 may be used.

제1 도전형 반도체층(254a)에 본딩 패드(a)를 배치하기 위하여, 투광성 도전층(256)으로부터 제2 도전형 반도체층(254c)과 활성층(254b) 및 제1 도전형 반도체층(254a)의 일부까지를 식각하여, 제1 도전형 반도체층(254a)의 표면을 일부 노출시키고 노출된 표면에 본딩 패드(a)를 배치할 수 있다.In order to arrange the bonding pads (a) on the first conductivity type semiconductor layer 254a, the second conductivity type semiconductor layer 254c, the active layer 254b, and the first conductivity type semiconductor layer 254a from the light-transmitting conductive layer 256 ) Is etched to partially expose the surface of the first conductivity type semiconductor layer 254a, and a bonding pad (a) may be disposed on the exposed surface.

이때, 도시된 비율과는 다르게 기판(251)의 두께가 약 150 마이크로 미터 정도인 발광 소자(250)의 높이(h1)의 대부분에 해당되고, 실제로 한 쌍의 본딩 패드(a, b)의 높이의 차이는 매우 작고, 따라서 후술하는 제2 형광체층은 필름 타입으로 플랫하게 제조될 수도 있다.In this case, unlike the ratio shown, the thickness of the substrate 251 corresponds to most of the height h1 of the light emitting element 250 having a thickness of about 150 micrometers, and actually the height of the pair of bonding pads (a, b) The difference is very small, and therefore, the second phosphor layer to be described later may be made flat in a film type.

발광 소자(250)는 도 2c에 도시된 수평형 발광 소자 외에 수직형 발광 소자 또는 플립 칩 타입의 발광 소자가 사용될 수도 있는데, 다만 플립 칩 타입의 발광 소자가 사용될 경우 후술하는 와이어 본딩 공정 등이 생략될 수 있다.The light-emitting device 250 may be a vertical light-emitting device or a flip-chip type light-emitting device in addition to the horizontal light-emitting device shown in FIG. 2C. However, when a flip-chip-type light-emitting device is used, a wire bonding process described later is omitted. Can be.

도 2d에 도시된 바와 같이 시트(210) 상에 접착제(220)로 고정된 복수 개의 발광 소자(250)의 사이에 제1 형광체층(230)을 도포한다. 제1 형광체층(230)의 도포는 도시된 디스펜싱(dispensing) 유닛(235)을 사용하여 디스펜싱 방법으로 도포되거나 또는 스프레이법이나 인쇄법 등의 방법으로 도포될 수도 있다.As shown in FIG. 2D, a first phosphor layer 230 is applied between the plurality of light emitting devices 250 fixed on the sheet 210 with an adhesive 220. The first phosphor layer 230 may be applied by a dispensing method using the illustrated dispensing unit 235 or may be applied by a method such as a spray method or a printing method.

제1 형광체층(230)은 실리콘 등의 모재(basic material, 230a) 내에 형광체(235b)가 포함될 수 있는데, 실리콘 등의 점성으로 인하여 시트(210)에 측벽이 없더라도 밖으로 흘러내리지 않고 발광 소자(250)의 측면에 인접하여 배치될 수 있다. 즉, 제1 형광체층(230)은 도시되지는 않았으나 SiO2나 TiO2 등으로 이루어지는 필러(filler)를 포함할 수 있어서, 유동성이 크지 않을 수 있다.The first phosphor layer 230 may include a phosphor 235b in a basic material 230a such as silicon, and the light emitting element 250 does not flow out even if there is no sidewall on the sheet 210 due to viscosity of silicon or the like. ) Can be placed adjacent to the side. That is, although not shown, the first phosphor layer 230 may include a filler made of SiO2 or TiO2, and thus may not have high fluidity.

그리고, 제1 형광체층(230)이 발광 소자(250)의 측면에 결합하는데, 제1 형광체층(230) 자체의 물성으로 인하여 발광 소자(250)와 결합될 수도 있으나, 열처리를 하여 제1 형광체층(230)을 경화시킬 수도 있으며, 이때의 열처리 온도는 약 섭씨 150도 정도일 수 있다.In addition, the first phosphor layer 230 is coupled to the side surface of the light emitting element 250, and may be coupled to the light emitting element 250 due to the physical properties of the first phosphor layer 230 itself, but heat treatment is performed to form the first phosphor. The layer 230 may be cured, and the heat treatment temperature at this time may be about 150 degrees Celsius.

도 2e에서 상술한 열처리 단계가 도시되고 있다.The heat treatment step described above in FIG. 2E is shown.

열원(HEAT)으로부터 발광 소자(250)의 주변에 배치된 제1 형광체층(230)의 방향으로 열을 가하는데, 열의 공급은 상술한 방법 외에 다양한 방법으로 이루어져서 제1 형광체층(230) 특히 내부의 실리콘 등을 경화시킬 수 있다.Heat is applied from the heat source (HEAT) in the direction of the first phosphor layer 230 disposed around the light emitting element 250, and heat is supplied in various ways other than the above-described method, so that the first phosphor layer 230 It is possible to cure silicone and the like.

도 2f에서 복수 개의 발광 소자(250)를 분리하는 단계가 도시되고 있다.In FIG. 2F, a step of separating the plurality of light emitting devices 250 is shown.

상술한 경화 공정을 통하여 제1 형광체층(230)이 각각의 발광 소자(250)의 측면에 결합되어 있고, 도시된 블레이드(240) 등을 이용하여 발광 소자(250)들 사이의 제1 형광체층(230)을 컷팅할 수 있다. 다만, 경화 공정 후에 제1 형광체층(230)은 발광소자(250)과 결합되나, 제1 형광체층(230)과 발광소자(250)는 상술한 조성의 접착제(220)와 결합되지 않을 수 있다.The first phosphor layer 230 is bonded to the side surface of each light-emitting device 250 through the above-described curing process, and the first phosphor layer between the light-emitting devices 250 using the illustrated blade 240 or the like. It is possible to cut 230. However, after the curing process, the first phosphor layer 230 is combined with the light emitting device 250, but the first phosphor layer 230 and the light emitting device 250 may not be combined with the adhesive 220 having the above composition. .

제1 형광체층(230)의 컷팅은 상술한 블레이드를 사용하는 방법 외에 레이저 스크라이빙 등의 방법으로 물리적으로 절단하거나, 또는 화학적인 식각을 통하여 분리할 수도 있다.The cutting of the first phosphor layer 230 may be physically cut by a method such as laser scribing in addition to the method using the above-described blade, or may be separated through chemical etching.

도 2g에서 분리 공정 후의 하나의 발광 소자(250)의 측면에 제1 형광체층(230)이 배치되는데, 제1 형광체층(230)은 발광 소자(250)의 측면 전체를 둘러싸고 배치될 수 있다. 접착제(220)의 상술한 조성으로 인하여 발광 소자(250) 및 제1 형광체층(230)와 시트(210)의 결합력이 약하여 쉽게 분리될 수 있다.In FIG. 2G, a first phosphor layer 230 is disposed on a side surface of one light emitting device 250 after the separation process, and the first phosphor layer 230 may be disposed to surround the entire side surface of the light emitting device 250. Due to the above-described composition of the adhesive 220, the bonding force between the light emitting element 250 and the first phosphor layer 230 and the sheet 210 is weak, and thus can be easily separated.

발광 소자(250)의 측면 내지 둘레에 제1 형광체층(230)이 결합된 구조를 발광 소자 유닛이라 할 수도 있다.A structure in which the first phosphor layer 230 is coupled to the side or circumference of the light emitting device 250 may be referred to as a light emitting device unit.

도 3a 내지 도 3h는 형광체가 측면에 결합된 발광 소자를 사용하여 발광 소자 패키지를 제조하는 공정의 일실시예를 나타낸 도면이다.3A to 3H are diagrams illustrating an embodiment of a process of manufacturing a light emitting device package using a light emitting device having a phosphor coupled to a side thereof.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 패키지 몸체(310)에 분리된 하나의 발광 소자를 배치한다. 이때, 분리된 하나의 발광 소자는 측면에 제1 형광체층(230)이 결합된 상술한 발광 소자 유닛일 수 있다.First, as shown in FIG. 3A, a separate light emitting device is disposed on the package body 310. In this case, the separated light emitting device may be the aforementioned light emitting device unit in which the first phosphor layer 230 is coupled to the side surface.

패키지 몸체(310)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(310)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 패키지 몸체(310)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(321, 322) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The package body 310 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the package body 310 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the package body 310 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 321 and 322. Can be prevented.

제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(250)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 발광 소자(250)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(250)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 321 and the second lead frame 322 are electrically separated from each other, and supply current to the light emitting element 250. In addition, the first lead frame 321 and the second lead frame 322 may reflect light generated from the light emitting element 250 to increase light efficiency, and heat generated from the light emitting element 250 to the outside. It can also be discharged.

패키지 몸체(310)는 캐비티(cvity)를 가지는데, 캐비티의 바닥면에서 제1 리드 프레임(321)과 제2 리드 프레임(322)이 일부 노출될 수 있고, 발광 소자(250)는 캐비티의 바닥면에 배치될 수 있다. 발광 소자(250)는 제1 접착제(330)를 사용하여 패키지 몸체(310)와 결합될 수 있는데, 이때의 제1 접착제(330)는 도 2a 등에 도시된 접착제(220)와 성분이 다를 수도 있다.The package body 310 has a cavity, and the first lead frame 321 and the second lead frame 322 may be partially exposed from the bottom surface of the cavity, and the light emitting device 250 is a bottom of the cavity. Can be placed on the side. The light emitting device 250 may be coupled to the package body 310 using a first adhesive 330, and the first adhesive 330 at this time may have different components from the adhesive 220 illustrated in FIG. 2A. .

발광 소자(250)를 패키지 몸체(310)에 배치할 때, 도시된 바와 같이 진공(vacuum) 장치(260)를 사용하여 발광 소자(250)를 제1 접착제(330) 상으로 이동한 후, 진공 장치(260)의 압력을 조절하여 발광 소자(250)를 제1 접착제(330)에 안착시킬 수 있고, 제1 접착제(330)의 작용으로 발광 소자(250)가 패키지 몸체(310)에 고정되고 이때 제1 형광체층(230)도 함께 고정될 수 있다.When placing the light-emitting element 250 on the package body 310, after moving the light-emitting element 250 onto the first adhesive 330 using a vacuum device 260 as shown, vacuum By adjusting the pressure of the device 260, the light-emitting element 250 can be seated on the first adhesive 330, and the light-emitting element 250 is fixed to the package body 310 by the action of the first adhesive 330 At this time, the first phosphor layer 230 may also be fixed together.

그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이 발광 소자(250)를 제1 리드 프레임(321)과 제2 리드 프레임(322)에 와이어 본딩(wire bonding)할 수 있다. 즉, 제1 리드 프레임(321)과 제2 리드 프레임(322)은 와이어(350)를 통하여 발광 소자(250) 상의 한 쌍의 본딩 패드(a, b)와 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3B, the light emitting device 250 may be wire bonded to the first lead frame 321 and the second lead frame 322. That is, the first lead frame 321 and the second lead frame 322 may be electrically connected to a pair of bonding pads a and b on the light emitting element 250 through a wire 350.

도 3c에 본딩 패드에의 와이어 본딩이 상세히 도시되고 있다.Wire bonding to the bonding pad is shown in detail in FIG. 3C.

도 3c에서 발광 소자(250)의 측면에 제1 형광체층(230)이 배치되고 있으며, 한 쌍의 본딩 패드(a,b)가 제1 도전형 반도체층(254a)과 제2 도전형 반도체층(254c)에 배치되고, 각 본딩 패드(a,b)에는 와이어(350)가 본딩되어 있다. 도시된 바와 같이 제1 형광체층(230)의 높이는 발광 소자(250)의 측면의 높이와 동일할 수 있고, 본딩 패드(a, b)는 인접한 제1 형광체층(230)보다 높게 배치될 수 있다. 이때, 본딩 패드(a)는 그 높이(h2) 만큼 제1 형광체층(230)보다 높게 배치될 수 있다.In FIG. 3C, the first phosphor layer 230 is disposed on the side of the light emitting device 250, and a pair of bonding pads (a,b) is a first conductive semiconductor layer 254a and a second conductive semiconductor layer. It is disposed at 254c, and a wire 350 is bonded to each of the bonding pads a and b. As shown, the height of the first phosphor layer 230 may be the same as the height of the side of the light emitting element 250, and the bonding pads a and b may be disposed higher than the adjacent first phosphor layer 230. . In this case, the bonding pad (a) may be disposed higher than the first phosphor layer 230 by the height h2.

그리고, 와이어(350)의 보호를 위하여 캐비티의 측벽을 이루는 패키지 몸체(310)의 상부면의 높이는 와이어(350)의 최고점보다 높을 수 있다.In addition, in order to protect the wire 350, the height of the upper surface of the package body 310 forming the sidewall of the cavity may be higher than the highest point of the wire 350.

도 3d는 도 3c의 상면도이다.3D is a top view of FIG. 3C.

제1 도전형 반도체층(254a)의 노출된 표면과 제2 도전형 반도체층(254c) 상에 각각 본딩 패드(a,b)가 배치되고, 각 본딩 패드(a, b)로부터 가지 전극(a', b')이 제1 도전형 반도체층(254a)과 제2 도전형 반도체층(254c)에 연장되어, 제1 도전형 반도체층(254a)과 제2 도전형 반도체층(254c)의 전 영역에 고루 전류를 공급할 수 있다.Bonding pads (a, b) are disposed on the exposed surface of the first conductivity type semiconductor layer 254a and the second conductivity type semiconductor layer 254c, respectively, and branch electrodes (a) are formed from the bonding pads (a, b). ', b') extends to the first conductivity type semiconductor layer 254a and the second conductivity type semiconductor layer 254c, so that the first conductivity type semiconductor layer 254a and the second conductivity type semiconductor layer 254c are transferred. It can supply even current to the area.

그리고, 제1 형광체층(230)은 제1 도전형 반도체층(254a)과 제2 도전형 반도체층(254c)의 전체 둘레를 감싸며 배치될 수 있다.In addition, the first phosphor layer 230 may be disposed to surround the entire circumference of the first conductivity type semiconductor layer 254a and the second conductivity type semiconductor layer 254c.

그리고, 도 3e에 도시된 바와 같이 제2 형광체층(370)을 준비한다.Then, a second phosphor layer 370 is prepared as shown in FIG. 3E.

제2 형광체층(370)은 베이스 필름(360) 위에 접착제(362)를 통하여 배치되고, 실리콘 등의 모재(370a)와 형광체(370b)로 이루어질 수 있다. 이때, 접착제(362)는 상술한 접착제, 제1 접착제 및 후술하는 제2 접착제와 조성이 같거나 다를 수 있다.The second phosphor layer 370 is disposed on the base film 360 through an adhesive 362 and may be formed of a base material 370a such as silicon and a phosphor 370b. At this time, the adhesive 362 may have the same or different composition from the adhesive described above, the first adhesive, and the second adhesive described later.

도시된 제2 형광체층(370)은 필름 타입으로 형성되되, 상술한 본딩 패드들(a, b)과의 물리적 충돌을 피하기 위하여 대응하는 부분에 2개의 오픈 영역이 형성될 수 있다.The illustrated second phosphor layer 370 is formed in a film type, and two open areas may be formed in corresponding portions to avoid physical collision with the bonding pads a and b described above.

도 3f에 상술한 오픈 영역을 형성하는 공정이 도시되고 있다.The process of forming the above-described open area is shown in FIG. 3F.

도 3f의 (a)에서는 필름 타입의 제2 형광체층(370)의 일부를 물리적으로 컷팅(cutting)하여 오픈 영역을 형성하고 있으며, 이때 베이스 필름(360)과 접착제(362)를 제외하고 필름 타입의 제2 형광체층(370)만을 컷팅할 수도 있다. 이러한 오픈 영역의 형성을 위한 제2 형광체층(370)의 일부의 물리적 컷팅은, 제2 형광체층(370)을 각 발광소자(250)의 크기와 본딩 패드의 위치에 맞추어 절단한 후에 이루어질 수 있다.In (a) of FIG. 3F, a part of the film-type second phosphor layer 370 is physically cut to form an open area. At this time, the film type except for the base film 360 and the adhesive 362 Only the second phosphor layer 370 of may be cut. The physical cutting of a part of the second phosphor layer 370 for forming the open area may be performed after cutting the second phosphor layer 370 according to the size of each light emitting device 250 and the position of the bonding pad. .

도 3f의 (b)에서 컷팅된 제2 형광체층(370)을 상부에서 도시하고 있으며, 모재(370a)와 형광체(370b)를 포함하는 제2 형광체층(370)에 2개의 오픈 영역이 형성되고, 오픈 영역을 통하여 하부의 접착제(362)가 노출될 수 있다. 이때, 본딩 패드와 와이어가 제2 형광체층(370)에 접촉하지 않도록, 도시된 바와 같이 본딩 패드에 대응하는 영역 및 와이어에 대응하는 영역이 오픈되고 있다.The second phosphor layer 370 cut in (b) of FIG. 3F is shown from the top, and two open regions are formed in the second phosphor layer 370 including the base material 370a and the phosphor 370b. , The lower adhesive 362 may be exposed through the open area. In this case, the area corresponding to the bonding pad and the area corresponding to the wire are opened as shown so that the bonding pad and the wire do not contact the second phosphor layer 370.

도 3g에서 제2 형광체층(370)을 발광 소자(250)의 상부에 배치하는 공정이 도시되고 있다.In FIG. 3G, a process of disposing the second phosphor layer 370 on the light emitting element 250 is illustrated.

제2 형광체층(370)을 발광 소자(250) 위에 배치할 때, 도시된 바와 같이 진공(vacuum) 장치(260)를 사용하여 제2 형광체층(370)을 발광 소자(250) 상으로 이동한 후, 진공 장치(260)의 압력을 조절하여 발광 소자(250)상에 제2 형광체층(370)을 안착시킬 수 있다.When the second phosphor layer 370 is disposed on the light emitting element 250, the second phosphor layer 370 is moved onto the light emitting element 250 using a vacuum device 260 as shown. Thereafter, the second phosphor layer 370 may be mounted on the light emitting element 250 by adjusting the pressure of the vacuum device 260.

이때, 제2 형광체층(370)의 물성으로 인하여 발광 소자(250)와 결합될 수도 있으나, 별도의 접착제를 사용하여 결합할 수도 있다.In this case, the second phosphor layer 370 may be combined with the light-emitting element 250 due to the physical properties of the second phosphor layer 370, but may be combined with a separate adhesive.

도 3g에서 제2 형광체층(370)이 하나의 층으로 도시되고 있으나, 내부에는 도 3f에 도시된 오픈 영역이 형성되고 있다.In FIG. 3G, the second phosphor layer 370 is shown as a single layer, but an open area shown in FIG. 3F is formed therein.

도 3h는 제2 접착제(380)를 사용하여 발광 소자(250)와 제2 형광체(370)를 결합하고 있는데, 제2 접착제(380)와 제2 형광체(370) 모두 필름 타입일 수 있다.In FIG. 3H, the light emitting device 250 and the second phosphor 370 are combined using a second adhesive 380, and both the second adhesive 380 and the second phosphor 370 may be of a film type.

이해의 편의를 위하여 본딩 패드(a, b)에 대응하는 영역에서만 제2 형광체층(370)이 오픈되게 도시하였으나, 제2 형광체층(370)의 실제 형상은 도 3f에 도시된 바와 같으며, 도 4에서도 동일하다.For convenience of understanding, the second phosphor layer 370 is shown to be open only in the region corresponding to the bonding pads (a, b), but the actual shape of the second phosphor layer 370 is as shown in FIG. 3F, The same is true for FIG. 4.

그리고, 제2 접착제(380)는, 본딩 패드(a, b)가 배치되는 높이가 서로 다른 영역 위에, 두께가 일정하지 않게 배치될 수도 있다.In addition, the second adhesive 380 may be disposed on regions having different heights in which the bonding pads a and b are disposed, and the thickness thereof may not be uniform.

제2 접착제(380)는 제2 형광체층(370)의 배치 이전에, 발광 소자(250)의 상부에 도포되는데, 제1 형광체층(230)의 상부에도 대응하여 제2 형광체층(370)이 배치될 수 있다. 즉, 제2 접착제(380)는 제1 형광체층(230)과 제2 형광체층(370)의 사이 및/또는 발광 소자(250)의 상부면과 제2 형광체층(370)의 사이에 배치될 수 있다. 이때, 제2 접착제(380)도 발광 소자(250)의 본딩 패드(a, b)와 와이어(350)를 제외한 영역에만 도포될 수도 있다.The second adhesive 380 is applied on the top of the light-emitting element 250 before the second phosphor layer 370 is disposed, and the second phosphor layer 370 is also applied to the top of the first phosphor layer 230. Can be placed. That is, the second adhesive 380 may be disposed between the first phosphor layer 230 and the second phosphor layer 370 and/or between the upper surface of the light emitting device 250 and the second phosphor layer 370. I can. In this case, the second adhesive 380 may also be applied only to the area excluding the bonding pads (a, b) and the wire 350 of the light emitting device 250.

이때, 제2 형광체층(370)의 두께(t2)는 본딩 패드(a, b)의 두께(h2)보다 클 수 있는데, 제2 형광체층(370)의 배치 이전에 와이어가 본딩되었으므로 제2 형광체층(370)의 두께가 더 두꺼울 수 있다.At this time, the thickness t2 of the second phosphor layer 370 may be greater than the thickness h2 of the bonding pads a and b. Since the wires are bonded before the placement of the second phosphor layer 370, the second phosphor layer 370 The layer 370 may be thicker.

제2 형광체층(370)의 두께(t2)는 50 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터이되, 보다 상세하게는 70 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터일 수 있다. 제2 형광체층(370)의 두께(t2)는 50 마이크로 미터보다 작으면 외력 등에 의하여 손상을 입을 수 있고, 300 마이크로 미터보다 크면 필름 타입으로 제조하는 것이 어려울 수 있다.The thickness t2 of the second phosphor layer 370 may be 50 micrometers to 300 micrometers, more specifically 70 micrometers to 80 micrometers. If the thickness t2 of the second phosphor layer 370 is less than 50 micrometers, it may be damaged by an external force or the like, and if it is larger than 300 micrometers, it may be difficult to manufacture a film type.

그리고, 제1 형광체층(230)의 두께(t1)는 제2 형광체층(370)의 두께(t2)와 동일할 수 있으나, 경우에 따라 크거나 작을 수 있다. 제1 형광체(230)와 제2 형광체(370)를 통과한 후 발광 소자(250)의 상부면에 대응하는 영역에서의 색온도 값과 측면에 대응하는 영역에서의 색온도 값의 차이인 색온도 편차(?cct)가 플러스(+)일 때, 제1 형광체층(230)의 두께(t1)를 제2 형광체층(370)의 두께(t2)보다 얇게 하거나 두께는 동일하더라도 제1 형광체층(230) 내의 형광체의 밀도를 줄여서 발광소자(250)의 측면에 대응하는 영역에서 방출되는 빛의 색온도를 증가시킬 수 있다. 이와는 반대로, 발광 소자(250)의 상부면에 대응하는 영역에서의 색온도 값과 측면에 대응하는 영역에서의 색온도 값의 차이인 색온도 편차가 마이너스(-)일 때, 제1 형광체층(230)의 두께(t1)를 제2 형광체층(370)의 두께(t2)보다 두껍게 하거나 두께는 동일하더라도 제1 형광체층(230) 내의 형광체의 밀도를 증가시켜서, 발광소자(250)의 측면에 대응하는 영역에서의 방출되는 빛의 색온도를 감소시킬 수 있다.Further, the thickness t1 of the first phosphor layer 230 may be the same as the thickness t2 of the second phosphor layer 370, but may be larger or smaller in some cases. After passing through the first phosphor 230 and the second phosphor 370, the color temperature deviation (?), which is the difference between the color temperature value in the area corresponding to the upper surface of the light emitting element 250 and the color temperature value in the area corresponding to the side surface When cct) is positive (+), the thickness t1 of the first phosphor layer 230 is made thinner than the thickness t2 of the second phosphor layer 370 or the thickness of the first phosphor layer 230 is the same. By reducing the density of the phosphor, a color temperature of light emitted from a region corresponding to the side surface of the light emitting device 250 may be increased. Conversely, when the color temperature deviation, which is the difference between the color temperature value in the region corresponding to the upper surface of the light emitting element 250 and the color temperature value in the region corresponding to the side surface, is negative (-), the first phosphor layer 230 The area corresponding to the side of the light emitting device 250 by increasing the density of the phosphor in the first phosphor layer 230 even if the thickness t1 is thicker than the thickness t2 of the second phosphor layer 370 or the thickness is the same It can reduce the color temperature of the light emitted from

제1 형광체(230)와 제2 형광체(370)를 이루는 모재의 주성분은 실리콘이나 일부 다른 조성이 포함될 수 있으나, 동일한 발광 소자에서 방출되는 광에 의하여 여기되어 다른 파장 영역의 광을 방출하므로 내부의 형광체는 동일한 조성일 수 있다.The main component of the base material constituting the first phosphor 230 and the second phosphor 370 may include silicon or some other composition, but it is excited by light emitted from the same light emitting device to emit light in different wavelength ranges. The phosphor may have the same composition.

그리고, 제2 형광체층(370)의 배치 후에 열을 가하여 제1 형광체(230)와 제2 형광체(370)의 계면을 결합할 수 있는데, 각 형광체층 내의 모재를 이루는 실리콘 등이 소성되어 각 형광체층이 결합될 수 있다.In addition, after the arrangement of the second phosphor layer 370, heat may be applied to bond the interface between the first phosphor 230 and the second phosphor 370. Silicon or the like constituting the base material in each phosphor layer is fired to each phosphor layer. The layers can be combined.

이때, 제1 형광체층(230)과 제2 형광체층(370)이 서로 다른 재료로 이루어질 경우 상술한 계면은 조성의 차이로 구분할 수 있고, 서로 동일한 재료로 이루어지더라도 서로 다른 두 층이 결합된 계면을 시각적으로 확인할 수 있다.In this case, when the first phosphor layer 230 and the second phosphor layer 370 are made of different materials, the above-described interface can be classified by a difference in composition, and even if they are made of the same material, two different layers are combined. The interface can be visually confirmed.

그리고, 캐비티의 내부에 실리콘 등으로 이루어진 몰딩부(390)를 채우면 발광 소자 패키지가 완성된다. 몰딩부(390)는 주로 와이어를 보호할 수 있는데, 와이어 본딩 공정이 생략되는 플립 칩 타입의 발광 소자가 배치될 때는 경우에 따라서 몰딩부를 생략할 수도 있다.In addition, the light emitting device package is completed by filling the molding part 390 made of silicon or the like inside the cavity. The molding part 390 may mainly protect the wire. When a flip chip type light emitting device in which the wire bonding process is omitted is disposed, the molding part may be omitted in some cases.

도 4에 상술한 공정으로 제조된 발광 소자 패키지의 일실시예가 도시되고 잇다.4 illustrates an embodiment of a light emitting device package manufactured by the above-described process.

도시된 발광소자 패키지는 발광소자(250)의 측면과 상부면에 제1 형광체(230)와 제2 형광체(370)가 고른 두께로 형성되어, 발광소자에서 방출된 광이 제1 형광체(230)와 제2 형광체(370)에서 여기되어 방출되는 광의 색온도가 고를 수 있다. 또한, 와이어 본딩 후에 필름 타입의 제2 형광체층(370)을 배치하여, 와이어가 본딩되는 영역에 배치된 본딩 패드의 높이가 제2 형광체층(370의 높이보다 낮을 수 있다.In the illustrated light emitting device package, the first phosphor 230 and the second phosphor 370 are formed to have an even thickness on the side and upper surfaces of the light emitting device 250, so that light emitted from the light emitting device is transmitted to the first phosphor 230 And the color temperature of light that is excited and emitted from the second phosphor 370 may be selected. In addition, by disposing the film-type second phosphor layer 370 after wire bonding, the height of the bonding pad disposed in the area to which the wire is bonded may be lower than the height of the second phosphor layer 370.

그리고, 제1 형광체층(230)과 제2 형광체층(370)의 두께가 서로 동일하거나 다를 수 있고, 두께가 서로 동일하더라도 각각의 형광체층 내에서 형광체의 밀도가 서로 다를 수 있다.Further, the thicknesses of the first phosphor layer 230 and the second phosphor layer 370 may be the same or different, and even if the thicknesses are the same, the density of the phosphors in each phosphor layer may be different.

또한, 제1 형광체층(230)과 제2 형광체층(370) 내에서 형광체의 조성이 서로 다를 수 있다. 발광소자로부터 방출된 제1 파장 영역의 광에 의하여 제1 형광체층(230)과 제2 형광체층(370) 내의 형광체가 여기되어 동일한 제2 파장 영역의 광이 방출하더라도, 각각의 형광체의 조성이 다를 수 있다.In addition, the composition of the phosphor may be different from each other in the first phosphor layer 230 and the second phosphor layer 370. Even if the phosphors in the first phosphor layer 230 and the second phosphor layer 370 are excited by the light in the first wavelength region emitted from the light emitting device and light in the same second wavelength region is emitted, the composition of each phosphor is can be different.

상술한 발광 소자 패키지는 발광 소자가 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In the above-described light emitting device package, one or a plurality of light emitting devices may be mounted, but the embodiment is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광 소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display device and a lighting device will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 7은 발광 소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating an embodiment of an image display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트 (560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널 (570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the image display device 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflector 520 on the bottom cover 510, and light emitted from the light source module disposed in front of the reflector 520. The first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 and the second prism sheet 560 are arranged in front of the light guide plate 540 to guide the image display device in front of the light guide plate 540. It includes a panel 570 disposed in front and a color filter 580 disposed in front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광 소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있다.The light source module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may accommodate components in the image display device 500. The reflector 520 may be provided as a separate component as shown in this drawing, or may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the rear surface of the light guide plate 540 or the front surface of the bottom cover 510.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflective plate 520 may be made of a material that has high reflectivity and can be used in an ultra-thin type, and may use PolyEthylene Terephtalate (PET).

도광판(540)은 발광 소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트 (PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the liquid crystal display. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance, and may be formed of polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). In addition, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide type display device may be implemented.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed of a light-transmitting and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be repeatedly provided in a stripe type with floors and valleys as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley on one side of the support film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley on one side of the support film in the first prism sheet 550. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 form an optical sheet, and the optical sheet is formed of a different combination, for example, a micro lens array, or a diffusion sheet and a micro lens array. It may be made of a combination or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 570 may include a liquid crystal display. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices that require a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The panel 570 is in a state in which a liquid crystal is placed between the glass bodies and polarizing plates are placed on both glass bodies in order to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate characteristic between a liquid and a solid, and the liquid crystal, which is an organic molecule having fluidity like a liquid, has a state that is regularly arranged like a crystal, and the molecular arrangement is changed by an external electric field. Display an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and uses a transistor as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 to transmit light projected from the panel 570 and transmit only red, green, and blue light for each pixel, so that an image can be expressed.

도 8은 발광 소자 패키지가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.8 is a diagram illustrating an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하여, 발광 소자 내에 형성된 캐비티 구조에 의하여 발광의 각도를 조절할 수 있어, 특정 방향으로의 광집중 효과를 가질 수 있어 조명 장치 외부에 별도의 기구 없이도 발광 영역의 조절이 가능할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a radiator 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 includes the light emitting device package according to the above-described embodiments, Since the angle of light emission can be adjusted by the cavity structure formed in the device, it is possible to have an effect of focusing light in a specific direction, so that the light emitting area can be adjusted without a separate device outside the lighting device.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 has a shape of a bulb or a hemisphere, is hollow, and may be provided in an open shape. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the radiator 1400. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the radiator 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is to sufficiently scatter and diffuse light from the light source module 1200 to emit it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, or may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광 소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the radiator 1400. Accordingly, heat from the light source module 1200 is conducted to the radiator 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광 소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광 소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the radiator 1400 and has guide grooves 1310 into which a plurality of light emitting device packages 1210 and a connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and the connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returning toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1400 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1400. The radiator 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1719 of the insulating part 1710 of the inner case 1700. Accordingly, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating unit 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1919 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A number of components may be disposed on one surface of the base 1650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip that controls the driving of the light source module 1200, and an ESD for protecting the light source module 1200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the extension part 1670, and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 1800.

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 1600 to be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100a, 100b: 발광소자 패키지 110, 310: 패키지 몸체
150, 250: 발광소자 180a, 180b: 몰딩부
210: 시트 220: 접착제
230: 제1 형광체층 230a, 370a: 모재
230b, 370b: 형광체 235: 디스펜싱 유닛
240: 블레이드 321: 제1 리드 프레임
322: 제2 리드 프레임 330: 제1 접착제
350: 와이어 a, b: 본딩 패드
a', b': 가지 전극 360: 베이스 필름
362: 형광체 370: 제2 형광체
380: 제2 접착제 390: 몰딩부
500: 영상표시장치100a, 100b: light emitting device package 110, 310: package body
150, 250: light emitting device 180a, 180b: molding part
210: sheet 220: adhesive
230: first phosphor layer 230a, 370a: base material
230b, 370b: phosphor 235: dispensing unit
240: blade 321: first lead frame
322: second lead frame 330: first adhesive
350: wire a, b: bonding pad
a', b': branch electrode 360: base film
362: phosphor 370: second phosphor
380: second adhesive 390: molding part
500: image display device

Claims (20)

시트에 복수 개의 발광 소자를 배치하는 단계;
상기 복수 개의 발광 소자의 사이에 제1 형광체층을 도포하고, 상기 복수 개의 발광 소자의 측면에 제1 형광체층을 결합하는 단계;
상기 복수 개의 발광 소자를 각각의 발광 소자로 분리하는 단계;
패키지 몸체에 상기 분리된 하나의 발광 소자를 배치하는 단계;
상기 발광 소자를 한 쌍의 리드 프레임과 와이어 본딩하는 단계;
상기 분리 및 와이어 본딩 후의 발광 소자의 상부에, 상기 제1 형광체층과 밀도 및 조성이 서로 다른 제2 형광체층을 배치하는 단계; 및
상기 제1 형광체층과 제2 형광체층을 열처리하여 상기 제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 계면을 결합하는 단계를 포함하고,
상기 제1 형광체층과 상기 제2 형광체층의 두께를 서로 다르게 배치하고,
상기 와이어 본딩 단계는 상기 발광 소자 상에 상기 제1 형광체층보다 높게 본딩 패드를 배치하는 단계를 포함하고,
상기 제2 형광체층을 상기 발광 소자 위에 배치하는 단계는,
진공 장치를 사용하여 상기 제2 형광체층을 상기 발광 소자 상으로 이동하는 단계; 및 상기 진공 장치의 압력을 조절하여 상기 발광 소자의 상부에 상기 제2 형광체층을 안착시키는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법.Arranging a plurality of light emitting elements on the sheet;
Applying a first phosphor layer between the plurality of light emitting devices, and bonding the first phosphor layer to side surfaces of the plurality of light emitting devices;
Separating the plurality of light emitting devices into respective light emitting devices;
Disposing the separated one light-emitting device on a package body;
Wire bonding the light emitting device to a pair of lead frames;
Disposing a second phosphor layer having a different density and composition from the first phosphor layer on an upper portion of the light emitting device after the separation and wire bonding; And
Heat-treating the first phosphor layer and the second phosphor layer to combine an interface between the first phosphor layer and the second phosphor layer,
The first phosphor layer and the second phosphor layer have different thicknesses,
The wire bonding step includes disposing a bonding pad higher than the first phosphor layer on the light emitting device,
Disposing the second phosphor layer on the light emitting device,
Moving the second phosphor layer onto the light emitting device using a vacuum device; And seating the second phosphor layer on the light emitting device by adjusting the pressure of the vacuum device. 제1 항에 있어서,
상기 제1 형광체층을 디스펜싱, 스프레이 또는 인쇄 중 어느 하나의 방법으로 상기 복수 개의 발광 소자의 사이에 도포하는 발광 소자 패키지의 제조방법.The method of claim 1,
A method of manufacturing a light emitting device package in which the first phosphor layer is applied between the plurality of light emitting devices by any one of dispensing, spraying, or printing. 제1 항에 있어서,
상기 제2 형광체층을 배치하는 단계는,
상기 발광 소자의 상부와 상기 제1 형광체층의 상부에 대응하되, 상기 본딩 패드에 대응하는 부분이 오픈된 형광체 필름을 상기 발광 소자 상에 배치하고,
상기 제2 형광체층의 배치 전에, 상기 발광 소자와 상기 제1 형광체층 중 적어도 하나 상에 제2 접착제를 배치하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 패키지의 제조방법.The method of claim 1,
The step of disposing the second phosphor layer,
A phosphor film corresponding to an upper portion of the light emitting element and an upper portion of the first phosphor layer, but having an open portion corresponding to the bonding pad, is disposed on the light emitting element,
Before disposing the second phosphor layer, the method of manufacturing a light emitting device package further comprising disposing a second adhesive on at least one of the light emitting device and the first phosphor layer. 제1 항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 캐비티를 가지고, 상기 캐비티의 바닥면에 상기 발광 소자가 배치되며, 상기 와이어의 최고점은 상기 패키지 몸체의 최고점보다 낮게 배치되고,
상기 캐비티의 내부에 몰딩부를 채우는 단계를 더 포함하는 발광 소자 패키지의 제조방법.The method of claim 1,
The package body has a cavity, the light emitting element is disposed on the bottom surface of the cavity, the highest point of the wire is disposed lower than the highest point of the package body,
The method of manufacturing a light emitting device package further comprising filling a molding part in the cavity. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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