KR20160002062A - Light emitting device and light emitting device package including the same - Google Patents

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Abstract

According to one embodiment of the present invention, provided is a light emitting device including: a light emitting structure including a primary conductive semiconductor layer, an active layer, and a secondary conductive semiconductor layer; a phosphor layer disposed on the light emitting structure; and a light diffusing layer disposed on the phosphor layer. According to one embodiment of the present invention, light emitted from the light emitting device is diffused by the light diffusing layer, thereby improving an angle of beam spread and reducing a color temperature deviation.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device and a light emitting device package including the light emitting device.

실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지향각이 개선된 발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a light emitting device package including the same, and more particularly to a light emitting device with improved directional angle.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode (Ligit Emitting Diode) or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 사파이어(Sapphire) 등으로 이루어진 기판 위에 언도프드 반도체층(un-GaN)과 제1 도전형 반도체층(n-GaN)과 활성층(MQW) 및 제2 도전형 반도체층(p-GaN)을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치될 수 있다.The light emitting device includes an un-doped semiconductor layer (un-GaN), a first conductive semiconductor layer (n-GaN), an active layer (MQW), and a second conductive semiconductor layer (p-GaN) on a substrate made of sapphire, And a first electrode and a second electrode may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, respectively.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.In the light emitting device, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer and holes injected through the second conductive type semiconductor layer meet with each other to emit light having an energy determined by an energy band inherent to the active layer. The light emitted from the active layer may be different depending on the composition of the material forming the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV) light, deep UV or other wavelength light.

발광소자에서 방출된 제1 파장 영역의 광은 형광체를 여기하고, 형광체에서 제2 파장 영역의 광이 방출될 수 있다. 형광체는 발광소자를 둘러싸는 몰딩부 내에 포함되거나 형광체 필름의 형태로 배치될 수 있다.The light of the first wavelength range emitted from the light emitting element excites the phosphor, and light of the second wavelength range can be emitted from the phosphor. The phosphor may be contained in a molding part surrounding the light emitting element or may be arranged in the form of a phosphor film.

그러나, 몰딩부 내에 형광체가 배치될 경우 형광체의 분포가 일정하지 않아서 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 색산포가 고르지 않을 수 있고, 캐비티 내에 몰딩부를 배치하면 지향각이 좁아질 수 있다.However, when the fluorescent material is disposed in the molding part, the distribution of the fluorescent material is not constant, so that the color scattering of the light emitted from the light emitting device package may be uneven, and the orientation angle may be narrowed by disposing the molding part in the cavity.

그리고, 형광체 필름을 발광소자 상에 직접 배치할 수 있는데, 얇은 두께의 형광체 필름이 발광소자에 직접 접촉하므로 지향각은 향상될 수 있으나, 형광체 필름의 각 영역에서 방출되는 빛의 색온도 편차가 커질 수 있다.The phosphor film can be directly disposed on the light emitting device. Since the thin phosphor film directly contacts the light emitting device, the directivity angle can be improved, but the color temperature deviation of the light emitted from each region of the phosphor film can be increased have.

실시예는 발광소자에서 방출되는 광의 색온도 편차를 개선하고자 한다.The embodiment attempts to improve the color temperature deviation of the light emitted from the light emitting device.

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 배치된 형광체층; 및 상기 형광체층 상에 배치된 광확산층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A phosphor layer disposed on the light emitting structure; And a light diffusion layer disposed on the phosphor layer.

형광체층과 상기 광확산층은 동일한 모재로 이루어질 수 있다.The phosphor layer and the light diffusion layer may be made of the same base material.

광확산층은 상기 형광체층에 직접 접촉할 수 있다.The light diffusion layer can directly contact the phosphor layer.

형광체층은 실리콘 계열의 접착제로 상기 발광 구조물에 결합될 수 있다.The phosphor layer may be bonded to the light emitting structure with a silicone-based adhesive.

광확산층은 실리콘과 광확산제를 포함할 수 있다.The light-diffusing layer may comprise silicon and a light-diffusing agent.

광확산제는 ZrO2를 포함할 수 있다.Light-diffusing material may include ZrO 2.

형광체층은 60 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있다.The phosphor layer may have a thickness of 60 micrometers to 80 micrometers.

광확산층은 7 마이크로 미터 내지 12 마이크로 미터의 두께를 가질 수 있다.The light-diffusing layer may have a thickness of 7 micrometers to 12 micrometers.

다른 실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 패키지 몸체에 배치되고 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 상술한 발광소자; 및 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.Another embodiment includes a package body; A first lead frame and a second lead frame disposed in the package body; The light emitting element disposed in the package body and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And a molding part surrounding the light emitting device.

실시예에 따른 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지는, 필름 형상의 형광체층이 발광 구조물에 직접 접촉하거나 실리콘 계열의 접착제를 통하여 결합되고, 형광체층 상에 광확산층이 형광체층과 동일한 재료를 모재로 하여 직접 접촉하며 결합되므로, 발광소자에서 방출된 빛이 광확산층에서 확산되어 지향각이 향상되며 색온도 편차가 감소될 수 있다.In the light emitting device and the light emitting device package including the same according to the embodiment, the film-like fluorescent material layer is directly contacted with the light emitting structure or is bonded to the fluorescent material layer through a silicone-based adhesive, The light emitted from the light emitting device is diffused in the light diffusion layer to improve the directivity angle and reduce the color temperature variation.

도 1은 발광소자의 일실시예의 단면도이고,
도 2a는 도 1의 'A' 영역의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2b는 도 1의 'A' 영역의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 1의 광학층의 평면도를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자의 다른 실시예의 단면도이고,
도 5는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광소자를 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device,
2A is a diagram illustrating an embodiment of the 'A' region of FIG. 1,
FIG. 2B is a view showing another embodiment of the 'A' region of FIG. 1,
Fig. 3 is a plan view of the optical layer of Fig. 1,
4 is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device,
5 is a view showing an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device,
6 is a view illustrating an embodiment of a video display device including a light emitting device,
7 is a view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting element.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 1은 발광소자의 일실시예의 단면도이다.1 is a sectional view of an embodiment of a light emitting device.

도 1에 도시된 따른 발광소자(100)는 수직형 발광소자이고, 지지기판(160) 상에 접합층(150)과 반사층(140) 및 오믹층(130)이 배치되고, 오믹층(130) 상에 발광 구조물(120)이 배치되고, 발광 구조물(120) 상에는 광학층(190)이 배치된다.1 is a vertical type light emitting device in which a bonding layer 150, a reflective layer 140 and an ohmic layer 130 are disposed on a support substrate 160 and an ohmic layer 130, The light emitting structure 120 is disposed on the light emitting structure 120 and the optical layer 190 is disposed on the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)은 제1 도전형반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형반도체층(126)을 포함하여 이루어진다.The light emitting structure 120 includes a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126.

제1 도전형 반도체층(122)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 122 may be a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductive semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 124 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126 and includes a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, A multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and AlGaN / AlGaN / InGaN / / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(126)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. The second conductive semiconductor layer 126 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) For example, the second conductive semiconductor layer 126 may be made of Al x Ga (1-x) N. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of Al x Ga y (1-x) N, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP or AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

도시되지는 않았으나, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)가 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교대로 배치될 수도 있다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 124 and the second conductive semiconductor layer 126. The electron blocking layer may have a superlattice structure. For example, the superlattice may include AlGaN doped with a second conductive dopant, and GaN having a different composition ratio of aluminum may be formed as a layer A plurality of these may be alternately arranged.

제1 도전형 반도체층(122)의 표면이 패턴을 이루어 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 제1 전극(172)이 배치되는데 도시된 바와 같이 제1 전극(172)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(122)의 표면은 패턴을 이루지 않을 수 있다. 제1 전극(172)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The surface of the first conductivity type semiconductor layer 122 forms a pattern to improve light extraction efficiency and the first electrode 172 is disposed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 122. As shown in FIG. The surface of the first conductivity type semiconductor layer 122 on which the one electrode 172 is disposed may not form a pattern. The first electrode 172 may be formed as a single layer or a multilayer structure including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chrome (Cr), nickel (Ni), copper have.

발광 구조물(120)의 둘레에는 패시베이션층(180)이 형성될 수 있는데, 패시베이션층(180)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A passivation layer 180 may be formed around the light emitting structure 120. The passivation layer 180 may be formed of an insulating material and the insulating material may be formed of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer 180 may comprise a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

발광 구조물(120) 상에는 광학층(190)이 배치되는데, 광학층(190)은 형광체층(192)과 광확산층(194)을 포함하여 이루어진다.An optical layer 190 is disposed on the light emitting structure 120. The optical layer 190 includes a phosphor layer 192 and a light diffusion layer 194. [

형광체층(192)은 필름 또는 얇은 막으로 발광 구조물(120)의 상부에 배치되는데, 형광체층(192)은 제1 도전형 반도체층(122)과 패시베이션층(180)의 상부표면에 접촉하며 배치될 수 있으며, 형광체층(192)에는 후술하는 바와 같이 오픈 영역이 형성되어 제1 전극(172)이 배치될 수 있다.The phosphor layer 192 is disposed on top of the light emitting structure 120 as a film or a thin film that contacts the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 122 and the passivation layer 180 And an open region is formed in the phosphor layer 192 as described later, so that the first electrode 172 can be disposed.

광확산층(194)은 형광체층(192)과 접촉하며 배치되는데, 광확산층(194)에도 오픈 영역이 형성되어 제1 전극(172)이 배치될 수 있다. 도 1에서 광확산층(194)의 상부 표면이 제1 전극(172)의 상부 표면과 높이가 서로 동일하게 배치되나, 와이어 본딩 등을 위하여 제1 전극(172)의 상부 표면이 광학산층(194)의 상부 표면보다 높게 돌출되어 배치될 수도 있다.The light diffusion layer 194 is disposed in contact with the phosphor layer 192. An open region may also be formed in the light diffusion layer 194 so that the first electrode 172 may be disposed. The upper surface of the light diffusing layer 194 is arranged to have the same height as the upper surface of the first electrode 172 but the upper surface of the first electrode 172 is formed in the optical acid layer 194 for wire bonding, As shown in FIG.

형광체층(192)은 60 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터의 두께(t1)을 가지는데, 형광체층의 두께(t1)가 60 마이크로 미터보다 얇으면 활성층(124)에서 방출된 제1 파장 영역의 광을 여기하기에 충분하지 않을 수 있으며 필름 타임으로는 60 마이크로 미터 이하의 두께로 제조하기 어렵다.A phosphor layer 192 is 60 micrometers to 80 micrometers, the first wavelength region emitted from the active layer 124 is thinner than the thickness (t 1) the types of I, the thickness of the phosphor layer (t 1) of 60 micrometers of It may not be sufficient to excite the light and it is difficult to manufacture the film at a film thickness of 60 micrometers or less.

또한, 형광체층의 두께(t1)가 80 마이크로 미터보다 두꺼우면 발광소자에서 방출되는 빛의 양이 감소할 수 있는데, 통상 형광체층의 두께(t1)가 60 마이크로 미터 증가하면 발광소자에서 방출되는 광속은 4%정도가 감소한다.If the thickness t 1 of the phosphor layer is greater than 80 micrometers, the amount of light emitted from the light emitting device may decrease. Normally, when the thickness t 1 of the phosphor layer increases by 60 micrometers, The luminous flux decreases by about 4%.

광확산층(194)은 7 마이크로 미터 내지 12 마이크로 미터의 두께(t2)을 가지는데, 광확산층(194)의 두께(t2)가 7 마이크로 미터보다 얇으면 광확산 효과가 충분하지 않을 수 있고, 12 마이크로 미터보다 두꺼우면 투광성이 감소할 수 있다.A light diffusion layer 194 is I have a thickness (t 2) of 7 micrometers to 12 micrometers, when the thickness (t 2) of the light diffusion layer 194 is thinner than 7 micrometers, and may not be sufficient that the light-diffusing effect , And if it is thicker than 12 micrometers, the transmittance may decrease.

도 2a는 도 1의 'A' 영역의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 1의 'A' 영역의 다른 실시예를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 1의 광학층의 평면도를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 2a 내지 도 3을 참조하여 광학층을 상세히 설명한다.2A is a view showing an embodiment of the 'A' region of FIG. 1, FIG. 2B is a view showing another embodiment of the 'A' region of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the optical layer of FIG. FIG. Hereinafter, the optical layer will be described in detail with reference to FIGS.

도 2a에서 형광체층(192)는 모재(basic material, 192a)와 형광체(192b)를 포함하여 이루어지는데, 모재(192a)는 실리콘 계열의 재료일 수 있으며 발광 구조물(120)에 접착력이 우수할 수 있다.2A, the phosphor layer 192 includes a basic material 192a and a phosphor 192b. The base material 192a may be a silicon-based material and may have excellent adhesion to the light-emitting structure 120 have.

광확산층(194)는 모재(194a)와 광확산제(194b)를 포함하여 이루어지는데, 모재(194a)는 형광체층(192) 내의 모재(192a)와 동일한 재료로 이루어질 수 있고, 광확산제(194b)는 지르코니아(ZrO2) 등의 광확산 특성이 우수한 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.The light diffusing layer 194 includes a base material 194a and a light diffusing agent 194b. The base material 194a may be made of the same material as the base material 192a in the phosphor layer 192, 194b) may be made, including the superior light diffusion characteristics, such as zirconia (ZrO 2) material.

도 2a에서 형광체층(192) 내의 모재(192a)와 광확산층(194) 내의 모재(194a)가 서로 동일한 재료, 예를 들면 실리콘 계열의 재료로 이루어져서, 형광체층(192)과 광확산층(194)의 접착력이 증가할 수 있다.2A, the base material 192a in the phosphor layer 192 and the base material 194a in the light diffusion layer 194 are made of the same material, for example, a silicon material, and the phosphor layer 192 and the light diffusion layer 194 are made of the same material, Can be increased.

도 2b는 도 2a의 실시예와 유사하나, 형광체층(192)의 하부에 접합층(191)이 배치되는데, 접합층(191)은 실리콘 계열의 접착제로 이루어져서 형광체층(192)을 발광 구조물 등에 결합시킬 수 있다.2B is similar to the embodiment of FIG. 2A, except that a bonding layer 191 is disposed under the phosphor layer 192. The bonding layer 191 is made of a silicone-based adhesive so that the phosphor layer 192 is bonded to the light- .

형광체층(192)이나 광확산층(194)는 스프레이 코팅이나 바 코팅 등의 방법으로 제조할 수 있다.The phosphor layer 192 and the light diffusion layer 194 can be manufactured by a method such as spray coating or bar coating.

도 3에서 광학층(190)의 평면도가 도시되는데, 좌측에서는 복수 개의 발광소자에 사용될 광학층(190)이 제조 공정 후에 다이싱(dicing)된 상태를 나타내고 있다. 각각의 광학층(190)은 일정한 갭(g)만큼 분리되고 있으며 적어도 하나의 오픈 영역(P)이 형성되고 있다. 도 3의 우측에서 하나의 광학층(190)에 2개의 오픈 영역(P)이 배치되고 있는데, 각각의 오픈 영역(P)에는 전극이 배치될 수 있다.3 shows a plan view of the optical layer 190. In the left side, the optical layer 190 to be used for a plurality of light emitting devices is diced after the manufacturing process. Each optical layer 190 is separated by a constant gap g and at least one open region P is formed. On the right side of FIG. 3, two open regions P are disposed in one optical layer 190, and electrodes may be disposed in each open region P.

발광 구조물(120)의 하부에는 제2 전극이 배치되어야 하는데, 오믹층(130)과 반사층(140)이 제2 전극으로 작용할 수 있다.A second electrode is disposed under the light emitting structure 120, and the ohmic layer 130 and the reflective layer 140 may function as a second electrode.

오믹층(130)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 오믹층(130)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-GaZnO), IGZO(In-GaZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 130 may be about 200 Angstroms thick. The ohmic layer 130 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide ), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO nitride), AGZO (Al- GaZnO), IGZO , RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Hf, and is not limited to such a material.

반사층(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 반도체 소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있고, 몰리브덴은 후술하는 돌출부의 도금 성장에 유리할 수 있다.The reflective layer 140 may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Metal layer. Aluminum, silver, and the like can effectively reflect the light generated in the active layer 124 to greatly improve the light extraction efficiency of the semiconductor device, and molybdenum can be advantageous for plating growth of protrusions described later.

지지기판(support substrate, 160)은 금속 또는 반도체 물질 등 도전성 물질로 형성될 수 있다. 전기 전도도 내지 열전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 반도체 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열 전도도가 높은 물질(ex. 금속 등)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The support substrate 160 may be formed of a conductive material such as a metal or a semiconductor material. A metal having excellent electrical conductivity or thermal conductivity can be used and a material having a high thermal conductivity (e.g., metal) can be formed so that heat generated during operation of the semiconductor device can be sufficiently diffused. For example, a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu) and aluminum (Al) (Cu-W), a carrier wafer (e.g., GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) And the like.

상기 지지기판(160)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가지기 위하여 50 내지 200 마이크로 미터의 두께로 이루어질 수 있다.The support substrate 160 may have a thickness ranging from 50 to 200 nm so as to have a mechanical strength sufficient to separate the nitride semiconductor into separate chips through a scribing process and a breaking process, Micrometer < / RTI > thickness.

접합층(150)은 반사층(140)과 지지기판(160)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The bonding layer 150 bonds the reflective layer 140 and the support substrate 160 and may be formed of a metal such as Au, Sn, In, Al, Si, Ag, Nickel (Ni), and copper (Cu), or an alloy thereof.

상술한 실시예에 따른 발광소자에서 필름 형상의 형광체층이 발광 구조물에 직접 접촉하거나 실리콘 계열의 접착제를 통하여 결합되고, 형광체층 상에 광확산층이 형광체층과 동일한 재료를 모재로 하여 직접 접촉하며 결합되므로, 발광소자에서 방출된 빛이 광확산층에서 확산되어 지향각이 향상되며 색온도 편차가 감소될 수 있다.In the light emitting device according to the above-described embodiment, the film-like phosphor layer is directly contacted with the light emitting structure or bonded through a silicone-based adhesive, and the light diffusion layer is in direct contact with the same material as the phosphor layer as the base material The light emitted from the light emitting device is diffused in the light diffusion layer to increase the directivity angle and reduce the color temperature variation.

아래의 표 1은 종래의 형광체 필름만이 배치된 발광소자와, 상술한 실시예에 따른 발광소자의 지향각 등의 특성을 나타낸 것이다.Table 1 below shows the characteristics of the light emitting device in which only the conventional fluorescent film is disposed and the directivity angle of the light emitting device according to the above embodiment.

비교예Comparative Example 실시예Example 평균 색온도Average color temperature 7696 K7696 K 6006 K6006 K 최고 색온도Peak color temperature 4609 K4609 K 4893 K4893 K 최저 색온도Lowest color temperature 12130 K12130 K 7344 K7344 K ΔCCTΔCCT 7521 K7521 K 2451 K2451 K 지향각Oriented angle 126.2126.2 124.0124.0

실시예는 색온도 편차(△CCT)가 종래에 비하여 작아져서, 발광소자의 전영역에서 방출되는 빛의 색온도가 고르게 분포할 수 있다.In the embodiment, the color temperature variation (? CCT) is smaller than that in the related art, so that the color temperature of the light emitted from the entire region of the light emitting device can be evenly distributed.

도 4는 발광소자의 다른 실시예의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device.

본 실시예에 따른 발광소자(200)는 기판(210)과, 발광 구조물(220)과, 투광성 도전층(230)과, 제1 전극(272), 제2 전극(276), 및 광학층(290)을 포함하여 이루어진다.The light emitting device 200 according to the present embodiment includes a substrate 210, a light emitting structure 220, a light transmitting conductive layer 230, a first electrode 272, a second electrode 276, 290).

기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 210 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used.

사파이어 등으로 기판(210)을 형성하고, 기판(210) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(220)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.When the substrate 210 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 220 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 210, the lattice mismatch between GaN and AlGaN and sapphire is very large Since the difference in thermal expansion coefficient between them is also very large, dislocations, melt-backs, cracks, pits, and surface morphology defects that deteriorate the crystallinity may occur A buffer layer (not shown) can be formed of AlN or the like.

기판(210)의 표면에는 도시된 바와 같이 패턴이 형성되어, 발광 구조물(220)에서 방출되어 기판(210)으로 진행하는 빛을 굴절시킬 수도 있다.A pattern may be formed on the surface of the substrate 210 to refract the light emitted to the substrate 210 from the light emitting structure 220.

발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하고, 조성은 도 1에 도시된 실시예와 동일하다.The light emitting structure 220 includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 224, and a second conductive semiconductor layer 226. The composition of the light emitting structure 220 is the same as that shown in FIG.

제2 도전형 반도체층(226) 상에는 투광성 도전층(230)이 배치될 수 있는데, 투광성 도전층(230)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등으로 이루어질 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(226)의 전류 스프레딩(spreading) 특성이 좋지 않아 투광성 도전층(230)이 제2 전극(276)으로부터 전류를 공급받을 수 있다.The transmissive conductive layer 230 may be formed on the second conductive semiconductor layer 226. The transmissive conductive layer 230 may be formed of ITO (Indium-Tin-Oxide) The current spreading characteristic of the light-transmitting conductive layer 230 is not good, so that the light-transmitting conductive layer 230 can receive current from the second electrode 276.

발광 구조물(220)의 일부 영역에서 제2 도전형 반도체층(226)으로부터 활성층(224)과 제1 도전형 반도체층(222)의 일부가 메사 식각되어, 제1 도전형 반도체층(222)의 표면이 노출된다.A part of the active layer 224 and the first conductivity type semiconductor layer 222 are mesa-etched from the second conductivity type semiconductor layer 226 in a part of the light emitting structure 220 to form a part of the first conductivity type semiconductor layer 222 The surface is exposed.

노출된 제1 도전형 반도체층(222) 상에는 제1 전극(272)이 배치되고, 투광성 도전층(226) 상에는 제2 전극(276)이 배치되는데, 제1 전극(272)과 제2 전극(276)의 조성은 도 1의 발광소자(100)의 제1 전극(172)과 동일할 수 있다.A first electrode 272 is disposed on the exposed first conductive semiconductor layer 222 and a second electrode 276 is disposed on the transmissive conductive layer 226. The first electrode 272 and the second electrode 276 may be the same as the first electrode 172 of the light emitting device 100 of FIG.

투광성 도전층(230) 상에는 광학층(290)이 배치되는데, 광학층(290)은 형광체층(292)과 광확산층(294)을 포함하여 이루어진다. 형광체층(292)과 광확산층(294)의 조성은 도 2a 및 도 2b에 도시된 실시예와 동일하며, 도 3 등에 도시된 바와 같이 제2 전극(276)이 배치되는 오픈 영역이 형성될 수 있다.An optical layer 290 is disposed on the translucent conductive layer 230. The optical layer 290 includes a phosphor layer 292 and a light diffusion layer 294. The composition of the phosphor layer 292 and the light diffusion layer 294 is the same as that of the embodiment shown in FIGS. 2A and 2B, and an open region in which the second electrode 276 is disposed may be formed as shown in FIG. have.

도 5는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device.

실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티를 포함하는 몸체(310)와, 상기 몸체(310)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 321) 및 제2 리드 프레임(322)과, 상기 몸체(310)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(200)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(260)를 포함한다.The light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 including a cavity, a first lead frame 321 and a second lead frame 322 provided on the body 310, The light emitting device 200 according to the above-described embodiments, which is installed in the cavity 310 and is electrically connected to the first lead frame 321 and the second lead frame 322, and a molding part 260 formed in the cavity, .

몸체(310)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(310)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(310)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(321, 322) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다. 패키지 몸체(310)에는 바닥면(b)과 측벽(i)을 포함하는 캐비티가 형성되고, 캐비티의 바닥면(b)에 발광소자(200)가 배치될 수 있다.The body 310 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 310 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer is coated on the surface of the body 310 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 321 and 322 . A cavity including the bottom surface b and the side wall i may be formed in the package body 310 and the light emitting device 200 may be disposed on the bottom surface b of the cavity.

제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 발광소자(200)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 321 and the second lead frame 322 are electrically disconnected from each other and supply current to the light emitting device 200. The first lead frame 321 and the second lead frame 322 may reflect the light generated from the light emitting device 200 to increase the light efficiency, It may be discharged.

발광소자(200)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자일 수 있다.The light emitting device 200 may be a light emitting device according to the embodiments described above.

발광소자(200)는 패키지 몸체(310)의 바닥면에 도전성 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 제1 리드 프레임(321)과 제2 리드 프레임(322)에 와이어(250)로 본딩될 수 있다. 상기 몰딩부(260)는 상기 발광소자(200)를 포위하여 보호할 수 있다.The light emitting device 200 may be fixed to the bottom surface of the package body 310 with a conductive paste or the like and may be bonded to the first lead frame 321 and the second lead frame 322 with wires 250 . The molding part 260 may surround and protect the light emitting device 200.

발광소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted on one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but the present invention is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display apparatus and a lighting apparatus will be described as an embodiment of an illumination system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 6은 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a video display device in which a light emitting device is disposed.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown in the drawing, the image display apparatus 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflection plate 520 on the bottom cover 510, and a reflection plate 520 disposed in front of the reflection plate 520, A first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540 and a second prism sheet 560 disposed between the first prism sheet 560 and the second prism sheet 560, A panel 570 disposed in front of the panel 570 and a color filter 580 disposed in the front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 상술한 실시예에 따른다.The light source module comprises a light emitting device package 535 on a circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 535 is in accordance with the above-described embodiment.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 can house the components in the image display apparatus 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of poly methylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

도 7은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting element is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1200), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat sink 1200, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include the light emitting device package according to the above-described embodiments .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the heat discharger 1200. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharger 1200.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for sufficiently diffusing and diffusing light from the light source module 1200 and emitting it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1200)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1200)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat sink 1200. Accordingly, the heat from the light source module 1200 is conducted to the heat sink 1200. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1200)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat discharger 1200 and has guide grooves 1310 into which the plurality of light emitting device packages 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate of the light emitting device package 1210 and the connector 1250.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 1100 and returns toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1200)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1200)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1200)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the heat discharger 1200 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 1230 and the heat discharger 1200. The heat sink 1200 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to dissipate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the projection 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electric signal provided from the outside and provides the electric signal to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source to a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 is inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 1670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 1800 .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply unit 1600 in the inner case 1700. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 200: 발광소자 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층
124, 224: 활성층 126, 226: 제2 도전형 반도체층
130: 오믹층 140: 반사층
150, 191: 접합층 160: 투광성 지지 기판
172, 272: 제1 전극 180: 패시베이션층
190: 광학층 192, 292: 형광체층
192a, 194a: 모재 192a: 형광체
192b: 광확산제 194, 294: 광학산층
210: 기판 230: 투광성 도전층
276: 제2 전극 300: 발광소자 패키지
500: 영상표시장치100, 200: light emitting device 120, 220: light emitting structure
122 and 222: a first conductivity type semiconductor layer
124, 224: active layer 126, 226: second conductivity type semiconductor layer
130: Ohmic layer 140: Reflective layer
150, 191: bonding layer 160: translucent support substrate
172, 272: first electrode 180: passivation layer
190: optical layer 192, 292: phosphor layer
192a and 194a: Base material 192a: Phosphor
192b: light diffusion agent 194, 294:
210: Substrate 230: Transparent conductive layer
276: second electrode 300: light emitting device package
500: Video display device

Claims (9)

제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 배치된 형광체층; 및
상기 형광체층 상에 배치된 광확산층을 포함하는 발광 소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A phosphor layer disposed on the light emitting structure; And
And a light-diffusing layer disposed on the phosphor layer. 제1 항에 있어서,
상기 형광체층과 상기 광확산층은 동일한 모재로 이루어진 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer and the light diffusion layer are made of the same base material. 제1 항에 있어서,
상기 광확산층은 상기 형광체층에 직접 접촉하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the light diffusion layer is in direct contact with the phosphor layer. 제1 항에 있어서,
상기 형광체층은 실리콘 계열의 접착제로 상기 발광 구조물에 결합되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer is bonded to the light emitting structure with a silicone-based adhesive. 제1 항에 있어서,
상기 광확산층은 실리콘과 광확산제를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the light-diffusing layer comprises silicon and a light-diffusing agent. 제5 항에 있어서,
상기 광확산제는 ZrO2를 포함하는 발광 소자.6. The method of claim 5,
Light emitting device of the light-diffusing material comprises ZrO 2. 제1 항에 있어서,
상기 형광체층은 60 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터의 두께를 가지는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer has a thickness of 60 micrometers to 80 micrometers. 제1 항에 있어서,
상기 광확산층은 7 마이크로 미터 내지 12 마이크로 미터의 두께를 가지는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the light diffusion layer has a thickness of 7 micrometers to 12 micrometers. 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 패키지 몸체에 배치되고 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 발광소자; 및
상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하는 발광소자 패키지.A package body;
A first lead frame and a second lead frame disposed in the package body;
The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, which is disposed in the package body and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame. And
And a molding part surrounding the light emitting device.
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