KR102107525B1 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR102107525B1
KR102107525B1 KR1020140023251A KR20140023251A KR102107525B1 KR 102107525 B1 KR102107525 B1 KR 102107525B1 KR 1020140023251 A KR1020140023251 A KR 1020140023251A KR 20140023251 A KR20140023251 A KR 20140023251A KR 102107525 B1 KR102107525 B1 KR 102107525B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
hole injection
light emitting
electron blocking
injection layer
Prior art date
Application number
KR1020140023251A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150101669A (en
Inventor
임현철
김용준
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140023251A priority Critical patent/KR102107525B1/en
Publication of KR20150101669A publication Critical patent/KR20150101669A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102107525B1 publication Critical patent/KR102107525B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 전자 차단층; 및 상기 전자 차단층 내에 배치되는 정공 주입층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.Examples include a substrate; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer and an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; An electron blocking layer between the active layer and the second conductivity type semiconductor layer; And a hole injection layer disposed in the electron blocking layer.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

실시예는 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 소자에 발광효율 향상에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device to improve luminous efficiency.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.Group 3-5 compound semiconductors such as GaN and AlGaN are widely used in optoelectronics and electronic devices due to many advantages such as having a wide and easily adjustable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductor group 3 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors include red, green, blue and ultraviolet light due to the development of thin film growth technology and device materials. Various colors can be realized, and white light with high efficiency can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environment compared to existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, a white light emission that can replace a fluorescent lamp or an incandescent light bulb Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

종래의 발광 소자는 사파이어(Sapphire) 등으로 이루어진 기판 위에 언도프드 반도체층(un-GaN)과 제1 도전형 반도체층(n-GaN)과 활성층(MQW) 및 제2 도전형 반도체층(p-GaN)을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치될 수 있다.Conventional light emitting devices include an undoped semiconductor layer (un-GaN), a first conductivity type semiconductor layer (n-GaN), an active layer (MQW), and a second conductivity type semiconductor layer (p-) on a substrate made of sapphire or the like. A light emitting structure including GaN) is formed, and a first electrode and a second electrode may be respectively disposed on the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer.

발광 소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.The light emitting device emits light having energy determined by an energy band unique to a material forming an active layer when electrons injected through the first conductivity type semiconductor layer and holes injected through the second conductivity type semiconductor layer meet each other. The light emitted from the active layer may vary depending on the composition of the material constituting the active layer, and may be blue light, ultraviolet light (UV), deep ultraviolet light, or light in a different wavelength range.

정공에 비하여 전자의 이동성(mobiluty)가 높아서 활성층에서 제2 도전형 반도체층으로 전자가 주입될 수 있는데, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 활성층과 제2 도전형 반도체층의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)이 배치될 수 있다.Since electron mobility is high compared to holes, electrons may be injected from the active layer to the second conductivity-type semiconductor layer. To solve this problem, an electron blocking layer (Electron blocking) is provided between the active layer and the second conductivity-type semiconductor layer. layer).

전자 차단층은 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있다. 그러나, p형 AlGaN은 전자의 이동을 차단하는 외에 정공의 이동도 방해할 수 있어서, 제2 도전형 반도체층으로부터 활성층 방향으로의 정공의 주입량이 감소하고, 따라서 활성층 내에서 전자와 결합하는 정공의 개수가 줄어들고 이는 발광 소자에서 방출되는 광량의 감소로 줄어들 수 있다.The electron blocking layer may be, for example, AlGaN doped with a second conductivity type dopant. However, p-type AlGaN can block the movement of electrons and also interfere with the movement of holes, so that the injection amount of holes from the second conductivity type semiconductor layer toward the active layer decreases, so that the hole binding to electrons in the active layer The number is reduced and this can be reduced by a decrease in the amount of light emitted from the light emitting element.

실시예는 발광 소자의 발광 효율을 향상시키고자 한다.The embodiment is intended to improve the luminous efficiency of the light emitting device.

실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 전자 차단층; 및 상기 전자 차단층 내에 배치되는 정공 주입층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.Examples include a substrate; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer and an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; An electron blocking layer between the active layer and the second conductivity type semiconductor layer; And a hole injection layer disposed in the electron blocking layer.

전자 차단층은 AlGaN을 포함하고, 상기 정공 주입층은 InGaN을 포함할 수 있다.The electron blocking layer may include AlGaN, and the hole injection layer may include InGaN.

정공 주입층의 인듐 함량은 1% 내지 10%일 수 있다.The indium content of the hole injection layer may be 1% to 10%.

정공 주입층은, 제1 정공 주입층과, 상기 제1 정공 주입층을 사이에 두고 배치되는 한 쌍의 제2 정공 주입층을 포함할 수 있다.The hole injection layer may include a first hole injection layer and a pair of second hole injection layers disposed with the first hole injection layer interposed therebetween.

제1 정공 주입층의 인듐 함량은 상기 제2 정공 주입층의 인듐 함량보다 클 수 있다.The indium content of the first hole injection layer may be greater than the indium content of the second hole injection layer.

제1 정공 주입층의 에너지 밴드 갭은 상기 제2 정공 주입층의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다.The energy band gap of the first hole injection layer may be smaller than the energy band gap of the second hole injection layer.

제1 정공 주입층의 두께는, 상기 제2 정공 주입층의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of the first hole injection layer may be the same as the thickness of the second hole injection layer.

제1 정공 주입층과 상기 제2 정공 주입층의 두께는 각각 0.5 나노미터 내지 5 나노미터일 수 있다.The thickness of the first hole injection layer and the second hole injection layer may be 0.5 nanometers to 5 nanometers, respectively.

전자 차단층은, 상기 정공 주입층과 상기 활성층 사이의 제1 전자 차단층과, 상기 정공 주입층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 제2 전자 차단층을 포함할 수 있다.The electron blocking layer may include a first electron blocking layer between the hole injection layer and the active layer, and a second electron blocking layer between the hole injection layer and the second conductivity type semiconductor layer.

제1 전자 차단층의 두께는 상기 제2 전자 차단층의 두께보다 작을 수 있다.The thickness of the first electron blocking layer may be smaller than the thickness of the second electron blocking layer.

실시예에 따른 발광 소자는 에너지 밴드 갭이 전공 주입층이 형성된 영역에서 작아져서, 활성층에서 발광소자의 홀농도가 증가하여 발광 효율이 향상될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the energy band gap is reduced in a region in which a hole injection layer is formed, so that the hole concentration of the light emitting device in the active layer increases, so that the light emission efficiency can be improved.

도 1은 발광 소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2a는 도 1의 전자 차단층의 제1 실시예의 구조를 나타낸 도면이고,
도 2b은 도 1의 전자 차단층의 제2 실시예의 구조를 나타낸 도면이고,
도 3은 발광 소자의 다른 일실시예의 단면도이고,
도 4는 실시예에 따른 발광 소자의 에너지 밴드 구조를 종래와 비교한 도면이고,
도 5는 실시예에 따른 발광 소자의 홀 농도를 종래와 비교한 도면이고,
도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 스펙트럼을 종래와 비교한 도면이고,
도 7은 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 발광 소자를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 9는 발광 소자를 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a light emitting device,
2A is a view showing the structure of a first embodiment of the electron blocking layer of FIG. 1,
2B is a view showing the structure of the second embodiment of the electron blocking layer of FIG. 1,
3 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device,
4 is a view comparing the energy band structure of the light emitting device according to the embodiment with the prior art,
5 is a view comparing the hole concentration of the light emitting device according to the embodiment with the prior art,
6 is a view comparing the emission spectrum of the light emitting device according to the embodiment with the prior art,
7 is a view showing an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device,
8 is a view showing an embodiment of a video display device including a light emitting device,
9 is a view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting element.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of specifically realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed on the "on (up) or down (down)" (on or under) of each element, the top (top) or bottom (bottom) (on or under) includes both two elements directly contacting each other or one or more other elements formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as “on (up) or down (on or under)”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

도 1은 발광 소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a light emitting device.

발광 소자(100)는, 기판(110)과 버퍼층(115), 버퍼층(115) 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)과, 제2 도전형 반도체층(122) 상의 투광성 도전층(150)과, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 상에 각각 배치된 제1 전극(162)과 제2 전극(164)를 포함하고, 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이에 전자 차단층(130)이 배치될 수 있다.The light emitting device 100 is disposed on the substrate 110, the buffer layer 115, and the buffer layer 115, and the first conductivity type semiconductor layer 122, the active layer 124, and the second conductivity type semiconductor layer 126 A light-emitting structure 120 including a light-transmitting conductive layer 150 on the second conductive semiconductor layer 122, a first conductive semiconductor layer 122 and a second conductive semiconductor layer 126, respectively The first electrode 162 and the second electrode 164 may be disposed, and an electron blocking layer 130 may be disposed between the active layer 124 and the second conductivity-type semiconductor layer 126.

기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 110 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 may be used.

사파이어 등으로 기판(110)을 형성하고, 기판(110) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(120)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(115)을 형성하거나 언도프드 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다.When the substrate 110 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 120 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 110, lattice mismatch between GaN or AlGaN and sapphire is very large. The difference in coefficient of thermal expansion between them is also so great that dislocations, melt-backs, cracks, pits, and surface morphology defects that deteriorate crystallinity occur. Therefore, the buffer layer 115 may be formed of AlN or the like, or an undoped semiconductor layer (not shown) may be formed.

도시되지는 않았으나 기판(110)의 표면에는 요철 구조가 형성되어, 발광 구조물(120)에서 방출되어 기판(110)으로 진행하는 빛을 굴절시킬 수도 있다.Although not shown, an uneven structure may be formed on the surface of the substrate 110 to refract light emitted from the light emitting structure 120 and proceeding to the substrate 110.

제1 도전형 반도체층(122)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑되어 제1 도전형의 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어지거나, 예를 들면 AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and may be a semiconductor layer of a first conductivity type by doping a first conductivity type dopant. The first conductive semiconductor layer 122 is made of a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) Or, for example, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, or AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The first conductivity-type semiconductor layer 122 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)의 상부면에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 124 is disposed on the top surface of the first conductive semiconductor layer 122, and a single well structure, a double well structure, a single quantum well structure, and a multi quantum well (MQW) structure , A quantum dot structure or a quantum wire structure.

활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 124 is a well layer and a barrier layer using a compound semiconductor material of a group III-V element, for example, AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP It may be formed of any one or more pair structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124)의 표면에 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어지거나, 예를 들면 AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound on the surface of the active layer 124. The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and a second conductivity-type dopant may be doped. The second conductive semiconductor layer 126 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It may be made of, for example, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, may be formed of any one or more of GaAsP, AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑되어 제2 도전형의 반도체층일 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity type semiconductor layer 126 may be a second conductivity type semiconductor layer doped with a second conductivity type dopant. When the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p type semiconductor layer, the second conductivity type dopant is Mg. , Zn, Ca, Sr, Ba, and the like. The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 제3 도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 등의 한 구조로 구현할 수 있다.A third conductivity type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductivity type may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 126. Accordingly, the light emitting structure may be implemented as one structure such as an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer, 130)이 배치될 수 있는데, 전자 차단층은 상술한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있고, 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교번하여 배치되는 초격자(superlattice)가 될 수 있다.An electron blocking layer 130 may be disposed between the active layer 124 and the second conductivity type semiconductor layer 126, and the electron blocking layer may be doped with the above-described second conductivity type dopant. GaN having a different composition ratio may be a superlattice that is arranged in layers and alternately arranged in a plurality.

전자 차단층은 정공의 주입 효율을 개선하기 위하여 정공 주입층(140)을 포함할 수 있는데, 도 2a와 도 2b를 사용하여 후술한다.The electron blocking layer may include a hole injection layer 140 to improve hole injection efficiency, which will be described later using FIGS. 2A and 2B.

발광 구조물(120)의 일부 영역에서 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 활성층(124)과 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 메사 식각되어, 제1 도전형 반도체층(122)의 표면이 노출된다.A portion of the active layer 124 and the first conductivity type semiconductor layer 122 are mesa-etched from the second conductivity type semiconductor layer 126 in some regions of the light emitting structure 120, so that the first conductivity type semiconductor layer 122 The surface is exposed.

제2 도전형 반도체층(126) 상에는 투광성 도전층(150)이 배치될 수 있는데, 투광성 도전층(150)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등으로 이루어질 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(126)의 전류 스프레딩(spreading) 특성이 좋지 않아 투광성 도전층(150)이 제2 전극(185)으로부터 전류를 공급받을 수 있다.A light-transmitting conductive layer 150 may be disposed on the second conductive-type semiconductor layer 126. The light-transmitting conductive layer 150 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), or the like. Since the current spreading property of 126 is not good, the transmissive conductive layer 150 may receive current from the second electrode 185.

노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 표면과 투광성 도전층(150) 상에는 각각 제1 전극(162)과 제2 전극(164)이 배치되는데, 제1 전극(162)과 제2 전극(163)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 각각 와이어(미도시)에 연결될 수 있다.The first electrode 162 and the second electrode 164 are disposed on the exposed first conductive semiconductor layer 122 and the light-transmitting conductive layer 150, respectively. The first electrode 162 and the second electrode ( 163) may be formed of a single-layer or multi-layer structure including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), gold (Au), each wire (Not shown).

도시되지는 않았으나, 발광 구조물(120)의 둘레에는 패시베이션층이 형성될 수 있는데, 패시베이션층은 절연성 물질로 이루어질 수 있고, 상세하게는 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.Although not shown, a passivation layer may be formed around the light emitting structure 120, and the passivation layer may be made of an insulating material, and may be made of oxide or nitride, and more specifically, silicon oxide (SiO). 2 ) A layer, an oxide nitride layer, and an aluminum oxide layer.

도 2a는 도 1의 전자 차단층의 제1 실시예의 구조를 나타낸 도면이고, 도 2b은 도 1의 전자 차단층의 제2 실시예의 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 2A is a view showing the structure of the first embodiment of the electron blocking layer of FIG. 1, and FIG. 2B is a view showing the structure of the second embodiment of the electron blocking layer of FIG. 1.

전자 차단층(130)의 사이에는 정공 주입층(140)이 포함될 수 있는데, 전자 차단층(130)과 정공 주입층(140)은 모두 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 그리고, 전자 차단층(130)은 정공 주입층(140)을 사이에 두고 양쪽에 한 쌍이 배치될 수 있는데, 전자 차단층(130)은 정공 주입층(140)과 활성층 사이의 제1 전자 차단층(130a)과 정공 주입층(140)과 제2 도전형 반도체층 사이의 제2 전자 차단층(130b)을 포함할 수 있으며, 제1 전자 차단층(130a)과 제2 전자 차단층(130b)의 에너지 밴드 갭은 동일할 수 있다.A hole injection layer 140 may be included between the electron blocking layer 130, and the p-type dopant may be doped in both the electron blocking layer 130 and the hole injection layer 140. In addition, the electron blocking layer 130 may be disposed on both sides with the hole injection layer 140 interposed therebetween, and the electron blocking layer 130 may be the first electron blocking layer between the hole injection layer 140 and the active layer. A second electron blocking layer 130b may be included between the 130a and the hole injection layer 140 and the second conductivity type semiconductor layer, and the first electron blocking layer 130a and the second electron blocking layer 130b may be included. The energy band gap of can be the same.

전자 차단층(130)은 AlGaN으로 이루어지고, 정공 주입층(140)은 InGaN으로 이루어져서, 전자 차단층(130)의 에너지 밴드 갭이 정공 주입층(140)의 에너지 밴드 갭보다 클 수 있다.The electron blocking layer 130 is made of AlGaN, and the hole injection layer 140 is made of InGaN, so that the energy band gap of the electron blocking layer 130 may be greater than the energy band gap of the hole injection layer 140.

도 2a에서, 정공 주입층(140)은 3개의 층(layer)으로 이루어지는데, 상세하게는 제1 정공 주입층(141)과 한 쌍의 제2 정공 주입층(142a, 142b)로 이루어진다. 그리고, 제1 정공 주입층(141)의 인듐 함량은 제2 정공 주입층(142)의 인듐 함량보다 커서, 제1 정공 주입층(141)의 에너지 밴드 갭은 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있으며, 한 쌍의 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 에너지 밴드 갭은 서로 동일할 수 있다.In FIG. 2A, the hole injection layer 140 is composed of three layers, in detail, it is composed of a first hole injection layer 141 and a pair of second hole injection layers 142a and 142b. And, the indium content of the first hole injection layer 141 is larger than the indium content of the second hole injection layer 142, and the energy band gap of the first hole injection layer 141 is the second hole injection layer 142a, 142b ) May be smaller than the energy band gap, and the energy band gaps of the pair of second hole injection layers 142a and 142b may be the same.

따라서, 제2 도전형 반도층의 에너지 밴드 갭보다 전자 차단층(130)의 에너지 밴드 갭이 에너지 밴드 갭이 작을 수 있고, 전자 차단층(130)의 에너지 밴드 갭보다 정공 주입층(140)의 에너지 밴드 갭이 작을 수 있으며, 정공 주입층(140) 내에서 한 쌍의 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 에너지 밴드 갭은 서로 동일할 수 있고, 제1 정공 주입층(141)의 에너지 밴드 갭은 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다.Therefore, the energy band gap of the electron blocking layer 130 may be smaller than the energy band gap of the second conductivity type semiconducting layer, and the energy injection gap 140 may be smaller than the energy band gap of the electron blocking layer 130. The energy band gap may be small, and the energy band gaps of the pair of second hole injection layers 142a and 142b in the hole injection layer 140 may be the same, and the energy of the first hole injection layer 141 may be the same. The band gap may be smaller than the energy band gap of the second hole injection layers 142a and 142b.

도 2b에서 정공 주입층(140)이 도 2a보다 더 많은 개수가 구비되고 있다.The hole injection layer 140 in FIG. 2B is provided with a larger number than in FIG. 2A.

즉, 제1 정공 주입층(141)의 양측에 한 쌍의 제2 정공 주입층(142a, 142b)이 배치되고, 한 쌍의 제2 정공 주입층(142a, 142b)에 대하여 전자 차단층(130a, 130b) 방향으로 각각 하나의 제3 정공 주입층(143a, 143b)이 배치될 수 있다.That is, a pair of second hole injection layers 142a and 142b are disposed on both sides of the first hole injection layer 141, and the electron blocking layer 130a with respect to the pair of second hole injection layers 142a and 142b , 130b) each of the third hole injection layers 143a and 143b may be disposed.

그리고, 점선으로 생략하여 표시한 바와 같이 제3 정공 주입층(143a, 143b)과 전자 차단층(130a, 130b)의 사이에도 제4 정공 주입층, 제5 정공 주입층 등이 각각 한 쌍씩 배치될 수 있다.In addition, a fourth hole injection layer, a fifth hole injection layer, and the like may be arranged in pairs between the third hole injection layers 143a and 143b and the electron blocking layers 130a and 130b as indicated by the dotted line. You can.

이때, 복수 개의 정공 주입층 중 제1 정공 주입층(141)의 에너지 밴드 갭이 가장 작고, 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 에너지 밴드 갭은 이보다 크며, 전자 차단층(130a, 130b)에 인접한 정공 주입층으로 갈수록 에너지 밴드 갭이 더 커지되 전자 차단층(130a, 130b)의 에너지 밴드 갭보다는 작을 수 있다.At this time, among the plurality of hole injection layers, the energy band gap of the first hole injection layer 141 is the smallest, and the energy band gap of the second hole injection layers 142a and 142b is larger than this, and the electron blocking layers 130a and 130b The energy band gap becomes larger as it goes toward the hole injection layer adjacent to but may be smaller than the energy band gap of the electron blocking layers 130a and 130b.

정공 주입층(140)의 인듐 함량은 1% 내지 10%일 수 있는데, 인듐이 1%보다 적게 포함되면 전자 차단층(130)과 에너지 밴드 갭 차이가 너무 작을 수 있고, 인듐이 10% 보다 많이 포함되면 에너지 밴드 갭이 너무 작아져서 전자가 터널링(tenneling)하여 제2 도전형 반도체층으로 진행할 수 있다.The indium content of the hole injection layer 140 may be 1% to 10%. If less than 1% of indium is included, the difference between the electron blocking layer 130 and the energy band gap may be too small, and indium is more than 10%. When included, the energy band gap becomes too small so that electrons can tunnel and proceed to the second conductivity type semiconductor layer.

도 2a에서 제1 정공 주입층(141)의 두께(th1)는 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 두께(th1, th2)와 동일할 수 있고, 각각 0.5 나노미터 내지 5 나노미터일 수 있다.In FIG. 2A, the thickness (t h1 ) of the first hole injection layer 141 may be the same as the thickness (t h1 , t h2 ) of the second hole injection layer 142a, 142b, respectively, 0.5 nanometer to 5 nanometers It can be a meter.

제1 정공 주입층(141)의 두께(th1)와 제2 정공 주입층(142a, 142b)의 두께(th1, th2)가 0.5 나노미터보다 작으면 정공의 터널링을 통한 주입 효과가 저하될 수 있고, 5 나노미터보다 크면 전자의 터널링이 발생하여 전자가 제2 도전형 반도체층 방향으로 진행할 수도 있다.If the thickness (t h1 ) of the first hole injection layer 141 and the thickness (t h1 , t h2 ) of the second hole injection layer 142a, 142b are smaller than 0.5 nanometers, the injection effect through tunneling of the hole decreases If it is larger than 5 nanometers, electron tunneling may occur, and electrons may proceed toward the second conductivity type semiconductor layer.

그리고, 제1 전자 차단층(130a)의 두께(tn1)과 제2 전자 차단층(130b)의 두께(tn2)는 서로 다를 수 있는데, 제1 전자 차단층(130a)의 두께(tn1)가 제2 전자 차단층(130b)의 두께(tn2)보다 작을 수 있다.And, the thickness of the first electron barrier layer (130a) thickness (t n1) and a second electron barrier layer (130b) of (t n2) are may different from each other, and the thickness of the first electron barrier layer (130a) (t n1 ) May be smaller than the thickness t n2 of the second electron blocking layer 130b.

도 3은 발광 소자의 다른 일실시예의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device.

본 실시예에 따른 발광소자(200)는 도전성 지지기판(278)과 접합층(276)과 반사층(274)과 오믹층(272)과 발광 구조물(220) 및 패시베이션층(280)을 포함하여 이루어지고, 발광 구조물(220)의 표면에는 광추출 구조가 형성되며, 제2 도전형 반도체층(226)에는 전자 차단층(230)이 배치되고, 전자 차단층(230)의 사이에는 정공 주입층(240)이 배치될 수 있다.The light emitting device 200 according to this embodiment includes a conductive support substrate 278, a bonding layer 276, a reflective layer 274, an ohmic layer 272, a light emitting structure 220, and a passivation layer 280. The light extraction structure is formed on the surface of the light emitting structure 220, the electron blocking layer 230 is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 226, and the hole injection layer (between the electron blocking layers 230) 240) may be disposed.

발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어지고, 광추출 구조(200)는 제1 도전형 반도체층(222) 상에 형성될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)은 도 2에서 설명한 실시예와 동일하다.The light emitting structure 220 includes a first conductivity type semiconductor layer 222, an active layer 224, and a second conductivity type semiconductor layer 226, and the light extraction structure 200 includes a first conductivity type semiconductor layer ( 222), the first conductivity type semiconductor layer 222, the active layer 224, and the second conductivity type semiconductor layer 226 are the same as the embodiment described in FIG.

전자 차단층(230)과 정공 주입층(240)의 구성은 도 1의 실시예와 동일할 수 있다.The configuration of the electron blocking layer 230 and the hole injection layer 240 may be the same as the embodiment of FIG. 1.

발광 구조물(220)의 하부에 도시된 오믹층(272)과 반사층(274)과 접합층(276) 및 도전성 지지기판(278)이 제2 전극으로 작용할 수 있다.The ohmic layer 272, the reflective layer 274, the bonding layer 276, and the conductive support substrate 278 shown below the light emitting structure 220 may act as the second electrode.

오믹층(272)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 오믹층(272)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 272 may be about 200 Angstroms thick. The ohmic layer 272 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin oxide (IGTO). ), Aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx , NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, It may be formed of at least one of Au, Hf, and is not limited to such a material.

반사층(274)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(224)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The reflective layer 274 may be made of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al or Ag or Pt or Rh. . Aluminum or silver may effectively reflect light generated from the active layer 224, thereby greatly improving the light extraction efficiency of the light emitting device.

도전성 지지기판(metal support, 278)은 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.As the conductive support substrate (metal support, 278), a metal having excellent electrical conductivity may be used, and a metal having high thermal conductivity may be used because it must be capable of sufficiently dissipating heat generated during operation of the light emitting device.

도전성 지지기판(278)은 금속 또는 반도체 물질등으로 형성될 수 있다. 또한 전기전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive support substrate 278 may be formed of a metal or semiconductor material. In addition, it may be formed of a material having high electrical conductivity and thermal conductivity. For example, it may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu) and aluminum (Al) or alloys thereof, and also gold (Au) ), Copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafer (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) And the like.

상기 도전성 지지기판(278)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The conductive support substrate 278 may have a mechanical strength sufficient to separate well into separate chips through a scribing process and a breaking process without bringing warpage to the entire nitride semiconductor.

접합층(276)은 반사층(274)과 도전성 지지기판(278)을 결합하는데, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The bonding layer 276 combines the reflective layer 274 and the conductive support substrate 278, gold (Au), tin (Sn), indium (In), aluminum (Al), silicon (Si), silver (Ag) , It may be formed of a material selected from the group consisting of nickel (Ni) and copper (Cu) or alloys thereof.

제1 도전형 반도체층(222)의 상부에는 제1 전극(262)이 배치될 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.A first electrode 262 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 222, and aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold may be formed. It may be formed of a single-layer or multi-layer structure including at least one of (Au).

발광 구조물(220)의 둘레에는 패시베이션층(280)이 배치되고 있다. 패시베이션층(280)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(280)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A passivation layer 280 is disposed around the light emitting structure 220. The passivation layer 280 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer 280 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxide nitride layer, or an aluminum oxide layer.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자의 에너지 밴드 구조를 종래와 비교한 도면이고, 도 5는 실시예에 따른 발광 소자의 홀 농도를 종래와 비교한 도면이고, 도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 스펙트럼을 종래와 비교한 도면이다.4 is a view comparing the energy band structure of the light emitting device according to the embodiment with the conventional, FIG. 5 is a view comparing the hole concentration of the light emitting device according to the embodiment, and FIG. 6 is a light emitting device according to the embodiment It is a figure comparing the emission spectrum of the conventional.

도 4 내지 도 6은, 도 2a와 같이 전자 차단층 내에 제1 정공 주입층과 한 쌍의 제2 정공 주입층이 배치된 경우이고, 제1 전자 차단층은 Al이 15% 포함된 AlGaN이 5 나노미터의 두께로 배치되고, 제2 전자 차단층은 Al이 15% 포함된 AlGaN이 22 나노미터의 두께로 배치되고, 제1 정공 주입층은 In이 5% 포함된 InGaN이 1 나노미터의 두께로 배치되고, 제2 정공 주입층은 Inl이 2% 포함된 InGaN이 1 나노미터의 두께로 배치된 발광소자이다. 이때, 활성층은 8 나노미터 두께의 GaN과 In이 17% 포함된 3 나노미터 두께의 InGaN이 다중 양자 우물 구조를 이루는데, GaN/InGaN 구조가 4쌍(pair) 포함될 수 있다. 그리고, n-GaN에는 2 나노미터 두께의 GaN과 In이 7% 도핑된 2나노미터 두께의 InGaN이 20쌍 포함된 초격자가 포함될 수 있다.4 to 6, when the first hole injection layer and the pair of second hole injection layers are disposed in the electron blocking layer as shown in FIG. 2A, the first electron blocking layer has 5 AlGaN containing 15% Al. AlGaN containing 15% Al is disposed at a thickness of 22 nanometers, the second electron blocking layer is disposed at a thickness of 22 nanometers, and InGaN containing 5% In is 1 Ga in the first hole injection layer. The second hole injection layer is a light emitting device in which InGaN containing 2% of Inl is disposed with a thickness of 1 nanometer. In this case, the active layer is 8 nanometers thick GaN and 3 nanometers thick InGaN containing 17% In form a multi-quantum well structure, and a GaN / InGaN structure may include 4 pairs. In addition, n-GaN may include a superlattice containing 20 pairs of 2 nanometer-thick InGaN doped with 7% doped GaN and 2 nanometer-thick GaN.

종래의 발광소자(Reference)에서 n-GaN에는 상술한 실시예와 동일한 초격자가 포함되고 활성층의 구조도 동일하나, 알루미늄이 15% 도핑된 p-AlGaN이 30 나노미터의 두께로 배치되고, p-GaN의 두께는 본 실시예와 동일한 90 나노미터이다.In the conventional light-emitting device (Reference), n-GaN includes the same superlattice as the above-described embodiment and the structure of the active layer is the same, but p-AlGaN doped with 15% of aluminum is disposed at a thickness of 30 nanometers, p -The thickness of GaN is 90 nanometers, which is the same as in this example.

도 4는 실시예에 따른 발광 소자의 에너지 밴드 구조를 종래와 비교한 도면이고, 도 5는 실시예에 따른 발광 소자의 홀 농도를 종래와 비교한 도면이고, 도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 스펙트럼을 종래와 비교한 도면이다.4 is a view comparing the energy band structure of the light emitting device according to the embodiment with the conventional, FIG. 5 is a view comparing the hole concentration of the light emitting device according to the embodiment, and FIG. 6 is a light emitting device according to the embodiment It is a figure comparing the emission spectrum of the conventional.

도 4에서 검정색으로 도시된 종래의 발광소자의 에너지 밴드 갭보다 청색으로 도시된 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 갭이 전공 주입층이 형성된 영역에서 0.068 eV 정도 작아지고 있다.The energy band gap of the light emitting device according to the embodiment shown in blue is smaller than the energy band gap of the conventional light emitting device shown in black in FIG. 4 by about 0.068 eV in a region in which the injection layer is formed.

그리고, 도 5에서 도시된 바와 같이 검정색으로 도시된 종래의 발광소자의 홀 농도보다 적색으로 도시된 실시예에 따른 발광소자의 홀농도가 증가하고 있으며, 따라서 도 6에서 도시된 바와 같이 검정색으로 도시된 종래의 발광소자의 발광 스펙트럼보다 적색으로 도시된 실시예에 따른 발광소자의 스펙트럼이 향상되고 있다.In addition, as shown in FIG. 5, the hole concentration of the light emitting device according to the embodiment shown in red is increased than the hole concentration of the conventional light emitting device shown in black, and thus shown in black as shown in FIG. The spectrum of the light emitting device according to the embodiment shown in red is improved than that of the conventional light emitting device.

도 7은 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(400)는 캐비티를 포함하는 몸체(410)와, 상기 몸체(410)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체(410)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자(200a)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(470)를 포함한다.The light emitting device package 400 according to the embodiment includes a body 410 including a cavity, a first lead frame 421 and a second lead frame 422 installed on the body 410, and the body The light emitting device 200a according to the above-described embodiments installed in the 410 and electrically connected to the first lead frame 421 and the second lead frame 422, and a molding part 470 formed in the cavity It includes.

몸체(410)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(410)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(410)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 410 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 410 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer is coated on the surface of the body 410 to prevent electrical shorts between the first and second lead frames 421 and 422, although not shown. You can.

제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(200a)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 발광 소자(200a)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(200a)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 421 and the second lead frame 422 are electrically separated from each other, and supplies current to the light emitting device 200a. In addition, the first lead frame 421 and the second lead frame 422 may reflect light generated from the light emitting device 200a to increase light efficiency, and heat generated from the light emitting device 200a may be externally applied. It can also be discharged.

발광 소자(200a)는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자일 수 있다.The light emitting device 200a may be a light emitting device according to the above-described embodiments.

발광 소자(200a)는 제1 리드 프레임(421)에 도전성 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 전극(430)은 제2 리드 프레임에 와이어(450)로 본딩될 수 있다.The light emitting device 200a may be fixed to the first lead frame 421 with a conductive paste (not shown) or the like, and the electrode 430 may be bonded to the second lead frame with a wire 450.

상기 몰딩부(470)는 상기 발광 소자(200a)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(470) 상에는 형광체(480)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(480)가 분포되어, 발광 소자(200a)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광 소자 패키지(400)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.The molding part 470 may surround and protect the light emitting device 200a. In addition, a phosphor 480 may be included on the molding part 470. In such a structure, the phosphor 480 is distributed, and the wavelength of light emitted from the light emitting device 200a can be converted in all regions where light from the light emitting device package 400 is emitted.

발광 소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted as one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광 소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display device and a lighting device will be described as an embodiment of the lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 8은 발광 소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing an embodiment of an image display device in which a light emitting element is disposed.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the image display apparatus 500 according to the present embodiment is disposed in front of the light source module, the reflector 520 on the bottom cover 510, and the reflector 520, the light emitted from the light source module The light guide plate 540 for guiding the front of the image display device, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540, and the second prism sheet 560 It comprises a panel 570 disposed in front and a color filter 580 disposed in front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광 소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광 소자 패키지(535)의 발광 소자는 상술한 바와 같다.The light source module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, the light emitting device of the light emitting device package 535 is as described above.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may accommodate components in the image display device 500. The reflector 520 may be provided as a separate component, as shown in the figure, or may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the back of the light guide plate 540 or the front of the bottom cover 510.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 may use a material having a high reflectance and an ultra-thin type, and may use polyethylene terephthalate (PET).

도광판(540)은 발광 소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the liquid crystal display. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having good refractive index and transmittance, and may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide type display device may be implemented.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on a surface of the support film with a translucent and elastic polymer material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be repeatedly provided in a stripe type with a floor and a valley as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, the direction of the floors and valleys of one side of the support film may be perpendicular to the direction of the floors and valleys of one side of the support film in the first prism sheet 550. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 form an optical sheet, and the optical sheet is made of a different combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Combination or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 570 may be provided with a liquid crystal display panel, and other types of display devices that require a light source may be provided in addition to the liquid crystal display panel 560.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between the glass bodies and a polarizing plate is placed on both glass bodies in order to use polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and the liquid crystal, which is an organic molecule having liquidity, has a state in which the liquid crystals are regularly arranged like crystals, and the molecular arrangement is changed by an external electric field. Display an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.The liquid crystal display panel used in the display device uses an active matrix method, and a transistor is used as a switch for controlling the voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 to transmit the light projected from the panel 570 and transmit only red, green, and blue light for each pixel, thereby expressing an image.

도 9는 발광 소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting element is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1200), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to this embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat radiator 1200, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500, the light source module 1200 may include a light emitting device package according to the above-described embodiments. .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 has a shape of a bulb or a hemisphere, is hollow, and may be provided in an open shape. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be combined with the heat radiator 1200. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the heat radiator 1200.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for light from the light source module 1200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate has excellent light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1200)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1200)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광 소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the heat radiator 1200. Accordingly, heat from the light source module 1200 is conducted to the heat radiator 1200. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1200)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광 소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광 소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat radiator 1200 and has a plurality of light emitting device packages 1210 and guide grooves 1310 into which the connector 1250 is inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 1100 and returns to the direction of the light source module 1200 again in the direction of the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1200)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1200)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1200)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1200 and the connection plate 1230. The member 1300 may be made of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 1230 and the heat radiator 1200. The heat radiator 1200 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the storage groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide projection 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding from the side of the base 1650 to the outside. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 1650. The plurality of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip that controls the driving of the light source module 1200, and ESD for protecting the light source module 1200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 has a shape protruding from the other side of the base 1650 to the outside. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and the "-wire" is electrically connected to the extension 1670, and the other end of the "+ wire" and "-wire" can be electrically connected to the socket 1800. .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600 therein. The molding part is a part in which the molding liquid is hardened, so that the power supply unit 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been mainly described above, but this is merely an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100, 200, 200a: 발광소자 110: 기판
115: 버퍼층 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층 124, 224: 활성층
126, 226: 제2 도전형 반도체층 130, 130a, 130b, 230: 전자 차단층
140, 240: 정공 주입층 141: 제1 정공 주입층
142a, 142b: 제2 정공 주입층 143a, 143b: 제3 정공 주입층
150: 투광성 도전층 162: 제1 전극
164: 제2 전극 272: 오믹층
274: 반사층 276: 접합층
278: 도전성 지지기판 280: 패시베이션층
400: 발광 소자 패키지
410: 몸체 421: 제1 리드 프레임
422: 제2 리드 프레임 450: 와이어
470: 몰딩부 480: 형광체
500: 영상표시장치100, 200, 200a: Light-emitting element 110: Substrate
115: buffer layer 120, 220: light emitting structure
122, 222: first conductive semiconductor layer 124, 224: active layer
126, 226: second conductive semiconductor layer 130, 130a, 130b, 230: electron blocking layer
140, 240: hole injection layer 141: first hole injection layer
142a, 142b: second hole injection layer 143a, 143b: third hole injection layer
150: light-transmitting conductive layer 162: first electrode
164: second electrode 272: ohmic layer
274: reflective layer 276: bonding layer
278: conductive support substrate 280: passivation layer
400: light emitting device package
410: body 421: first lead frame
422: second lead frame 450: wire
470: molding part 480: phosphor
500: video display device

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 전자 차단층; 및
상기 전자 차단층 내에 배치되는 정공 주입층을 포함하고,
상기 전자 차단층은 AlGaN을 포함하고, 상기 정공 주입층은 InGaN을 포함하고,
상기 정공 주입층은, 제1 정공 주입층과, 상기 제1 정공 주입층을 사이에 두고 배치되는 한 쌍의 제2 정공 주입층을 포함하고,
상기 제1 정공 주입층의 인듐 함량은 상기 제2 정공 주입층의 인듐 함량보다 크고,
상기 제1 정공 주입층의 두께는 상기 제2 정공 주입층의 두께와 동일하고, 상기 제1 정공 주입층과 상기 제2 정공 주입층의 두께는 각각 0.5 나노미터 내지 5 나노미터인 발광 소자.Board;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer and an active layer and a second conductivity type semiconductor layer;
An electron blocking layer between the active layer and the second conductivity type semiconductor layer; And
And a hole injection layer disposed in the electron blocking layer,
The electron blocking layer includes AlGaN, and the hole injection layer includes InGaN,
The hole injection layer includes a first hole injection layer and a pair of second hole injection layers disposed with the first hole injection layer interposed therebetween,
The indium content of the first hole injection layer is greater than the indium content of the second hole injection layer,
The thickness of the first hole injection layer is the same as the thickness of the second hole injection layer, and the thickness of the first hole injection layer and the second hole injection layer is 0.5 nanometers to 5 nanometers, respectively. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 정공 주입층의 인듐 함량은 1% 내지 10%이고, 상기 제1 정공 주입층의 에너지 밴드 갭은 상기 제2 정공 주입층의 에너지 밴드 갭보다 작은 발광 소자.According to claim 1,
The indium content of the hole injection layer is 1% to 10%, and the energy band gap of the first hole injection layer is smaller than the energy band gap of the second hole injection layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 전자 차단층은,
상기 정공 주입층과 상기 활성층 사이의 제1 전자 차단층과, 상기 정공 주입층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 제2 전자 차단층을 포함하고,
상기 제1 전자 차단층의 두께는 상기 제2 전자 차단층의 두께보다 작은 발광 소자.According to claim 1, The electron blocking layer,
A first electron blocking layer between the hole injection layer and the active layer, and a second electron blocking layer between the hole injection layer and the second conductivity type semiconductor layer,
The thickness of the first electron blocking layer is less than the thickness of the second electron blocking layer. 삭제delete
KR1020140023251A 2014-02-27 2014-02-27 Light emitting device KR102107525B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140023251A KR102107525B1 (en) 2014-02-27 2014-02-27 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140023251A KR102107525B1 (en) 2014-02-27 2014-02-27 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150101669A KR20150101669A (en) 2015-09-04
KR102107525B1 true KR102107525B1 (en) 2020-05-07

Family

ID=54242738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140023251A KR102107525B1 (en) 2014-02-27 2014-02-27 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102107525B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102665044B1 (en) * 2019-01-03 2024-05-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Semiconductor device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253682B1 (en) * 2011-08-24 2013-04-11 삼성전자주식회사 Nitride Semiconductor Device
KR20130067770A (en) * 2011-12-14 2013-06-25 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150101669A (en) 2015-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9281449B2 (en) Light emitting device
KR102080775B1 (en) Light emitting device
KR101998763B1 (en) Light emittng device
KR102252477B1 (en) Light emittimng device and light emitting device including the same
KR101991032B1 (en) Light emitting device
KR102050052B1 (en) Light emitting device
KR101954202B1 (en) Light emitting device and illuminating system including the same
KR101998766B1 (en) Light emitting device package
KR102007401B1 (en) Light emitting device
KR20140028231A (en) Light emitting device
KR102107525B1 (en) Light emitting device
KR20140023684A (en) Light emitting device package
KR102059033B1 (en) Light emitting device
KR102050053B1 (en) Light emitting device
KR20130006846A (en) Light emitting device
KR102140274B1 (en) Light emitting device
KR102182018B1 (en) Light emittng device
KR102114937B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR101897003B1 (en) Light emitting device
KR101991030B1 (en) Light emitting device package
KR101915212B1 (en) Light emitting device
KR102182023B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR20150097952A (en) Light emitting device
KR102182021B1 (en) Light emitting device
KR102170218B1 (en) Light emitting devicee package

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant