KR20160028794A - 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치 - Google Patents

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Abstract

스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치가 제공된다. 상기 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 아래에서 상기 웨이퍼를 가열하는 히터 척, 상기 웨이퍼의 상면에 상기 웨이퍼의 상면을 식각하는 약액을 분사하는 약액 노즐 및 상기 웨이퍼의 상면의 스팟(spot)을 가열하는 스팟 히터를 포함한다.

Description

스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치{Spot heater and Device for cleaning wafer using the same}
본 발명은 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 필수적인 웨트 클리닝(wet cleaning) 공정은 웨이퍼 상의 하드 마스크 등을 고온의 약액에 의해 식각하는 공정이다. 이러한 웨트 클리닝 공정은 기존의 방식에서는 배치(batch) 장비에 의해 수행되어 왔다. 배치 장비란 하나의 웨이퍼가 아닌 복수의 웨이퍼를 한 세트로 하여 동시에 약액에 침전시켜 한 세트의 웨이퍼를 웨트 클리닝하는 장비를 말한다.
이러한 배치 장비의 경우에 웨이퍼 상에 흐름성 결함(defect), 건조불량 및 산포 균일성의 저하 등의 문제가 생길 수 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위해 매엽 장비로의 전환이 촉구되어 왔다. 매엽 장비란, 각각의 웨이퍼를 하나씩 웨트 클리닝 공정에 적용하는 장비를 말한다.
그러나, 매엽 장비에서도 하나의 웨이퍼의 위치에 따라 에치 레이트(etch rate, E/R)의 산포가 균일하지 못하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 위치에 따른 에치 레이트의 산포를 균일하게 하는 웨이퍼 클리닝 장치의 개발이 필요하다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 웨이퍼의 에치 레이트의 산포를 균일하게 할 수 있는 웨이퍼 클리닝 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 웨이퍼의 에치 레이트의 산포를 균일하게 할 수 있는 스팟 히터를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는, 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 아래에서 상기 웨이퍼를 가열하는 히터 척, 상기 웨이퍼의 상면에 상기 웨이퍼의 상면을 식각하는 약액을 분사하는 약액 노즐 및 상기 웨이퍼의 상면의 스팟(spot)을 가열하는 스팟 히터를 포함한다.
상기 히터 척은 웨이퍼를 지지하고, 링 형상의 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 링 형상의 제2 영역을 포함하는 상판과, 상기 상판의 아래에서 상기 제1 영역을 가열하는 제1 링 히터와, 상기 상판의 아래에서 상기 제2 영역을 가열하는 제2 링 히터를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 링 히터는 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
상기 스팟 히터는 상기 스팟에 레이저(laser)를 조사하여 상기 웨이퍼를 가열할 수 있다.
상기 레이저(laser)는 근적외선(near infrared, NIR) 영역의 파장을 가질 수 있다.
상기 스팟 히터는, 상기 레이저를 제공하는 레이저 소스와, 상기 레이저 소스의 조사 방향에 오버랩되어 상기 스팟의 사이즈를 조절하는 필터를 포함할 수 있다.
상기 스팟 히터는, 상기 레이저를 제공하는 레이저 소스와, 상기 레이저 소스의 수직 위치를 조절하여 상기 스팟의 사이즈를 조절하는 수직 위치 조절 장치를 포함할 수 있다.
상기 스팟 히터는 상기 웨이퍼의 엣지(edge) 부분을 가열할 수 있다.
상기 엣지 부분의 폭은 1mm 내지 10mm일 수 있다.
상기 히터 척은 상기 웨이퍼를 지지하는 상판과, 상기 상판의 아래에서 상기 상판을 가열하는 링 히터와, 상기 링 히터를 수용하는 스핀 척 어셈블리와, 상기 스핀 척 어셈블리 아래에 위치하고, 상기 스핀 척 어셈블리 및 상기 상판을 회전시키는 스핀 모터 어셈블리를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 스핀 척 어셈블리는 제1 홀을 포함하고, 상기 스핀 모터 어셈블리는 상기 제1 홀과 결합되는 제2 홀을 포함하고, 상기 히터 척은 상기 제1 및 제2 홀을 관통하여 상기 링 히터와 결합되는 고정축을 더 포함하고, 상기 고정축 및 링 히터는 상기 스핀 모터 어셈블리 및 상기 스핀 척 어셈블리가 회전하는 동안 고정될 수 있다.
상기 스팟 히터는, 열을 제공하는 히팅 소스와, 상기 히팅 소스를 상기 약액 또는 상기 약액의 퓸(fume)과 격리시키는 커버 유닛을 포함할 수 있다.
상기 커버 유닛은 상기 커버 유닛의 내부 및 상기 히팅 소스의 이물질을 제거하는 퍼지(purge) 유닛을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 아래에서 상기 웨이퍼의 제1 내지 제6 영역을 각각 가열하는 제1 내지 제6 링 히터를 포함하는 히터 척 및 상기 웨이퍼의 상면에서 상기 웨이퍼의 적어도 일부를 가열하는 복수의 스팟 히터를 포함한다.
상기 복수의 스팟 히터는 상기 제1 내지 제6 영역의 경계 부분을 가열할 수 있다.
여기서, 에치 레이트 프로파일을 입력 받아 상기 복수의 스팟 히터의 출력, 높이 및 수평 위치 중 적어도 하나를 조절하여 상기 웨이퍼의 에치 레이트를 조절하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 스팟 히터는 상면에 안착된 웨이퍼를 가열하는 히터 척과, 상기 웨이퍼의 상면을 식각하는 약액을 분사하는 약액 노즐을 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터에 있어서, 상기 웨이퍼의 상면에서 웨이퍼 상의 스팟(spot)을 가열하는 히팅 소스 및 상기 히팅 소스를 지지하는 서포트 암(support arm)을 포함한다.
상기 히팅 소스는 레이저를 제공하는 레이저 소스를 포함할 수 있다.
상기 서포트 암은 상기 레이저가 상기 웨이퍼의 엣지 영역에 조사되도록 상기 레이저 소스를 고정시킬 수 있다.
상기 서포트 암은 상기 히팅 소스의 수평 위치를 조절할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼의 온도를 감지하는 온도 센서와, 상기 온도를 전송받아 상기 히팅 소스의 위치를 결정하여 상기 서포트 암을 구동시키는 제어부를 더 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구조를 설명하기 위한 측면도이다.
도 2는 도 1의 약액 노즐과 웨이퍼를 설명하기 위해 A방향에서 바라본 평면도이다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척을 세부적으로 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 히터 척의 링 히터를 세부적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 웨이퍼의 중심에서의 거리에 따른 웨이퍼 온도 및 에치 레이트의 산포를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 1의 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척 및 스팟 히터를 세부적으로 설명하기 위한 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척과 스팟 히터의 온 오프에 따른 에치 레이트를 웨이퍼의 직경에 따라 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발며의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 히팅 소스 및 서포트 암을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구조를 설명하기 위한 측면도이다.
도 10은 도 9의 서포트 암의 위치 조절 장치를 세부적으로 설명하기 위한 측면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 커버 유닛을 설명하기 위한 측단면도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 필터를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 13은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 퍼지 유닛을 설명하기 위한 측단면도이다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예들에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구동을 설명하기 위한 블록도이다.
도 15 및 도 16은 도 14의 웨이퍼 클리닝 장치에 입력되는 에치 레이트 프로파일의 예시도이다.
도 15는 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명하기 위한 측단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구조를 설명하기 위한 측면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 테이블(50), 히터 척(100), 약액 노즐(300) 및 스팟 히터(400)를 포함한다.
테이블(50)은 웨이퍼(200)를 지지하기 위한 지지부일 수 있다. 테이블(50)은 웨이퍼(200)와 웨이퍼(200)를 직접적으로 지지하는 히터 척(100)을 지지할 수 있다. 테이블(50)은 히터 척(100)이 설치될 수 있도록 상면 또는 내부에 일정한 수용 공간을 가질 수 있다. 이에 따라, 히터 척(100)은 테이블(50)의 상면 또는 내부의 수용 공간에 설치될 수 있다. 히터 척(100)은 테이블(50)의 수용 공간에 일부가 수용되고, 나머지 일부는 테이블(50)의 상면 보다 높게 위치하여 노출될 수도 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
테이블(50)은 히터 척(100)으로 전원 및 전기적인 제어 신호를 공급할 수 있다. 즉, 테이블(50)은 내부에 전원 및 전기적인 제어 신호를 공급하는 배선 구조를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 히터 척(100)은 외부와 연결되지 않고 배터리 등으로 스스로 구동 전력을 획득할 수도 있다.
히터 척(100)은 테이블(50)에 설치될 수 있다. 히터 척(100)은 상면에 웨이퍼(200)를 지지할 수 있다. 따라서, 히터 척(100)의 상면은 테이블(50)로부터 노출될 수 있다. 히터 척(100)은 웨이퍼(200)를 고정시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(200)는 히터 척(100) 상에서 웨트 클리닝 공정이 끝날 때까지 고정될 수 있다.
히터 척(100)은 웨이퍼(200)를 1매씩 안착시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 배치 장비가 아닌 매엽 장비일 수 있다. 히터 척(100)은 웨이퍼(200)를 아래에서 가열할 수 있다. 히터 척(100)은 웨이퍼(200)를 가열하여 고온의 약액(310)을 통해 웨이퍼(200) 상면을 클리닝할 수 있다.
약액 노즐(300)은 히터 척(100)의 상면에 위치한 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)을 공급할 수 있다. 약액(310)은 웨이퍼(200) 상면의 하드 마스크를 제거하기 위한 용액일 수 있다. 약액(310)은 예를 들어, 인산(phosphoric acid)일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
웨이퍼(200)는 상면에 패터닝이 끝난 후의 식각에 필요한 하드 마스크가 남아있을 수 있다. 이러한 경우에 이러한 하드 마스크를 제거하기 위한 공정이 필요하고 이러한 공정이 바로 웨트 클리닝 공정이다. 상기 하드 마스크는 예를 들어, 나이트라이드(nitride) 계열의 물질일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 약액(310) 또한, 상기의 하드 마스크를 식각할 수 있는 용액이면 아무런 제한이 없다.
약액 노즐(300)은 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)을 공급할 수 있다. 구체적으로, 약액 노즐(300)은 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)을 분사할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)이 공급될 수 있으면, 약액(310)의 공급 방법은 아무런 제한이없다. 예를 들어, 약액 노즐(300)은 단순히 약액(310)을 웨이퍼(200)의 상면에 떨어뜨릴 수도 있다.
스팟 히터(400)는 웨이퍼의 상면의 스팟(spot)을 가열할 수 있다. 여기서, '스팟'이란 웨이퍼의 상면 중 일부를 의미할 수 있다. 상기 '스팟'은 구체적으로 1 내지 10mm의 직경을 가지는 원형 또는 이에 대응되는 타원형의 영역일 수 있다. 웨이퍼(200)의 전체 직경은 특별히 제한되는 것은 아니지만 대략 300mm정도일 수 있다. 이에 따르면, 상기 스팟은 웨이퍼(200)의 상면 중 극히 일부분의 영역을 의미할 수 있다.
스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 상면을 가열할 수 있다. 스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 위에 위치할 수 있다. 스팟 히터(400)는 히팅 소스(420)와 서포트 암(410)을 포함할 수 있다.
히팅 소스(420)는 열을 제공할 수 있다. 히팅 소스(420)는 빛을 조사하는 광조사 장치일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200) 위에서 웨이퍼(200) 상면의 스팟을 가열할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(200)는 히터 척(100)과 스팟 히터(400)의 2개의 가열원으로부터 열을 제공받을 수 있다.
웨이퍼(200)에 열을 제공하는 것은 약액(310)에 의해 웨이퍼(200) 상면의 하드 마스크를 식각하기 위함이다. 즉, 고온의 약액(310)을 통해 웨이퍼(200) 상의 하드 마스크가 제거될 수 있다. 상기 대략 고온은 상온 내지 200℃일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
서포트 암(410)은 히팅 소스(420)의 위치를 정해주는 지그(jig)의 역할을 할 수 있다. 서포트 암(410)은 히팅 소스(420)를 지지할 수 있다. 서포트 암(410)은 히팅 소스(420)가 웨이퍼(200)의 상면에 열을 제공할 수 있도록 고정시키는 역할을 수행할 수 있다.
도 1에서는 약액 노즐(300)과 서포트 암(410)이 별개로 도시되었지만, 다른 실시예에서는 약액 노즐(300)과 서포트 암(410)이 동일한 구성일 수도 있다. 즉, 서포트 암(410)에 약액(310)을 분사하는 약액 노즐(300)이 같이 형성될 수도 있다. 이러한 경우에 약액 노즐(300)을 통해 약액(310)이 분사되고, 그 후에 히팅 소스(420) 및 히터 척(100)에 의해 웨이퍼(200)가 가열될 수 있다.
도 2는 도 1의 약액 노즐과 웨이퍼를 설명하기 위해 A방향에서 바라본 평면도이다.
도 2를 참조하면, 약액 노즐(300)은 약액(310)을 웨이퍼(200) 상면에 공급할 수 있다. 약액 노즐(300)은 예를 들어, 웨이퍼(200) 상면의 중앙 부분에 약액(310)을 분사할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 웨이퍼(200)는 히터 척(100)에 의해 제1 방향(C)으로 회전할 수 있다. 제1 방향은 예를 들어, 시계 방향 또는 반시계 방향일 수 있다.
웨이퍼(200)가 제1 방향(C)으로 회전함에 따라, 약액(310)은 웨이퍼(200)의 중앙 부분에서 가장자리 방향으로 확산될 수 있다. 도 2에 도시된 웨이퍼(200) 상의 화살표는 약액(310)의 확산 방향을 나타내는 화살표이다. 이러한 약액(310)의 확산 방향은 제1 방향(C)에 따라 결정될 수 있다. 다만, 제1 방향(C)이 시계 방향 및 반시계 방향 중 어느 방향인지와 무관하게 약액(310)은 웨이퍼(200)의 중앙 부분에서 가장자리로 확산될 수 있다.
약액 노즐(300)은 제2 방향(D)으로 이동할 수 있다. 구체적으로, 약액 노즐(300)은 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)을 분사하고, 웨이퍼(200)의 상에서 비오버랩되도록 이동될 수 있다. 즉, 약액 노즐(300)의 약액(310)의 분사는 웨이퍼(200) 상에서 하고, 추후 스팟 히터(400)의 가열에 약액 노즐(300)이 간섭되지 않도록 약액 노즐(300)이 제2 방향(D)으로 이동되어 제거될 수 있다. 제2 방향(D)은 예를 들어, 시계 방향 또는 반시계 방향일 수 있다.
단, 상술하였듯이 약액 노즐(300)과 서포트 암(410)이 동일한 구성요소인 경우에는 약액 노즐(300)이 이동되지 않을 수 있다. 즉, 약액 노즐(300)이 웨이퍼(200)의 상면에 약액(310)을 분사하고, 다시 히팅 소스(420)가 웨이퍼(200)의 상면의 스팟을 가열할 수 있다. 즉, 서포트 암(410) 또는 약액 노즐(300)이 웨이퍼(200)의 상면에 비오버랩되는 위치로 이동할 필요가 없을 수 있다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척을 세부적으로 설명하기 위한 분해 사시도이다.
히터 척(100)은 상판(110), 링 히터(120), 스핀 척 어셈블리(130), 스핀 모터 어셈블리(140) 및 고정축(150)을 포함한다.
상판(110)은 웨이퍼(200)를 직접 지지하는 부분일 수 있다. 웨이퍼(200)는 상판(110)의 위에 안착될 수 있다. 상판(110)은 웨이퍼(200)의 형상과 유사한 원형의 플레이트일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 상판(110)은 웨이퍼(200)를 지지해야 하므로 웨이퍼(200) 보다 넓을 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
상판(110)은 웨이퍼 고정부(112)와 웨이퍼 지지부(114)를 포함한다. 웨이퍼 고정부(112)는 웨이퍼(200)의 외곽에서 웨이퍼(200)를 고정시킬 수 있다. 웨이퍼 고정부(112)는 복수일 수 있다. 웨이퍼 고정부(112)는 도시되었듯이 상판(110)에서 볼록하게 돌출된 부분일 수 있다. 웨이퍼 고정부(112)는 웨이퍼(200)가 웨트 클리닝 공정 중에 흔들리거나 원래의 위치에서 이탈되지 않도록 견고하게 웨이퍼(200)를 고정시키는 역할을 할 수 있다.
웨이퍼 지지부(114)는 상판(110) 상에 안착되는 웨이퍼(200)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 웨이퍼 지지부(114)를 통해 웨이퍼(200)는 상판(110)과 직접적으로 접하지 않고, 일정한 간격을 유지할 수 있다. 이를 통해, 링 히터(120)의 열이 너무 급속도로 웨이퍼(200)에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 단, 본 발명의 다른 실시예에서는 웨이퍼 지지부(114)가 존재하지 않을 수 있다. 즉, 웨이퍼(200)와 상판(110)이 직접적으로 접할 수도 있다.
링 히터(120)는 상판(110)의 아래에 위치할 수 있다. 링 히터(120)는 상판(110)의 아래에서 웨이퍼(200)로 열을 제공할 수 있다. 링 히터(120)는 링 히터(120)는 복수일 수 있다. 링 히터(120)는 직경이 다른 복수의 링 형상의 히터를 포함할 수 있다. 각각의 링 히터(120)는 웨이퍼(200)의 아래에서 각각 다른 부분을 가열할 수 있다.
링 히터(120)는 고정축(150)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 도시되었듯이 링 히터(120)의 중심은 고정축(150)에 연결될 수 있다. 고정축(150)은 회전하지 않고, 이에 따라 링 히터(120)도 회전하지 않을 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 링 히터(120) 및 고정축(150)도 회전할 수도 있다.
스핀 척 어셈블리(130)는 링 히터(120)의 아래에 위치할 수 있다. 스핀 척 어셈블리(130)는 내부에 원형의 수용 공간을 포함할 수 있다. 상기 수용 공간은 링 히터(120)가 배치될 수 있다. 즉, 스핀 척 어셈블리(130)는 내부에 링 히터(120)을 수용할 수 있다. 스핀 척 어셈블리(130)는 상면의 상판(110)과 결합될 수 있다. 따라서, 스핀 척 어셈블리(130)는 상판(110)과의 사이에 링 히터(120)를 포함할 수 있다.
스핀 척 어셈블리(130)는 고정축(150)이 관통되는 제1 홀을 포함할 수 있다. 스핀 척 어셈블리(130)는 상판(110)과 같이 회전될 수 있다. 이에 반해, 고정축(150)과 링 히터(120)는 회전되지 않을 수 있다. 따라서, 고정축(150)이 관통되는 제1 홀의 내벽과 고정축(150)의 외면은 서로 접하지 않을 수 있다.
스핀 모터 어셈블리(140)는 스핀 척 어셈블리(130)의 아래에 위치할 수 있다. 스핀 모터 어셈블리(140)는 스핀 척 어셈블리(130), 상판(110) 및 웨이퍼(200)를 회전시키는 회전력을 제공할 수 있다. 스핀 모터 어셈블리(140)는 고정축(150)이 관통되는 제2 홀을 포함할 수 있다. 스핀 모터 어셈블리(140)는 스핀 척 어셈블리(130) 및 상판(110)과 같이 회전될 수 있다. 이에 반해, 고정축(150)과 링 히터(120)는 회전되지 않을 수 있다. 따라서, 고정축(150)이 관통되는 제2 홀의 내벽과 고정축(150)의 외면은 서로 접하지 않을 수 있다.
제2 홀은 제1 홀과 오버랩될 수 있다. 즉, 제2 홀 및 제1 홀은 고정축(150)이 관통되고, 고정축(150)은 직선으로 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 홀 및 제2 홀은 서로 연결되어 고정축(150)이 연결되도록 하나의 홀을 형성할 수 있다.
다시, 도 2를 참조하면, 스핀 모터 어셈블리(140)는 도 2의 제1 방향(C)으로 회전할 수 있다. 스핀 모터 어셈블리(140)에 의해 히터 척(100)은 웨이퍼(200)를 제1 방향으로 회전시킬 수 있다. 웨이퍼(200)가 회전함에 따라, 웨이퍼(200) 상의 약액(310)이 웨이퍼(200)의 가장자리로 확산되어 에치 레이트가 균일한 산포를 가지도록 할 수 있다.
다시, 도 3을 참조하면, 고정축(150)은 스핀 척 어셈블리(130)의 제1 홀을 관통할 수 있다. 고정축(150)은 스핀 모터 어셈블리(140)의 제2 홀을 관통할 수 있다. 고정축(150)은 즉, 상기 제1 홀 및 제2 홀이 결합된 하나의 홀을 관통할 수 있다. 고정축(150)은 연직방향으로 연장될 수 있다. 고정축(150)은 링 히터(120)와 연결될 수 있다. 고정축(150)은 스핀 척 어셈블리(130), 스핀 모터 어셈블리(140) 및 상판(110)이 회전할 때 회전하지 않을 수 있다. 고정축(150)이 회전하지 않으므로, 고정축(150)과 연결된 링 히터(120)도 회전하지 않을 수 있다. 링 히터(120)는 상판(110)의 전체 면을 가열하므로 굳이 회전할 필요가 없기 때문이다.
도 4는 도 3의 히터 척의 링 히터를 세부적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 링 히터(120)는 제1 링 히터(121) 내지 제6 링 히터(126)를 포함한다.
고정축(150)을 중심으로 제1 링 히터(121) 내지 제6 링 히터(126)는 동일한 중심을 가지는 원형 즉, 링형 히터일 수 있다. 구체적으로, 제1 링 히터(121)는 고정축(150)을 둘러쌀 수 있다. 제1 링 히터(121)는 웨이퍼(200)의 가장 안쪽인 제1 영역을 가열할 수 있다.
제2 링 히터(122)는 제1 링 히터(121)를 둘러싸도록 위치할 수 있다. 제2 링 히터(122)는 웨이퍼(200)의 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 가열할 수 있다. 제1 링 히터(121)와 제2 링 히터(122)가 가열하는 제1 영역과 제2 영역은 서로 분리된 영역이 아니고, 서로 오버랩되는 영역일 수 있다.
이와 마찬 가지로, 제3 링 히터(123)는 제2 링 히터(122)를 둘러싸고, 제4 링 히터(124)는 제3 링 히터(123)를 둘러쌀 수 있다. 또한, 제5 링 히터(125)는 제4 링 히터(124)를 둘러싸고, 제6 링 히터(126)는 제5 링 히터(125)를 둘러싸고, 링 히터(120)의 가장 외곽에 위치할 수 있다.
제3 링 히터(123) 내지 제6 링 히터(126)는 각각 웨이퍼(200)의 제3 영역 내지 제6 영역을 가열할 수 있다. 웨이퍼(200)의 제3 영역은 제2 영역을 둘러싸는 영역이고, 제4 영역은 제3 영역을 둘러싸는 영역이다. 웨이퍼(200)의 제5 영역은 제4 영역을 둘러싸는 영역이고, 제6 영역은 제5 영역을 둘러싸는 영역이다. 즉, 제3 링 히터(123)는 제3 영역을 가열하고, 제4 링 히터(124)는 제4 영역을 가열하며, 제5 링 히터(125)는 제5 영역을 가열할 수 있다. 제6 영역은 웨이퍼(200) 가장 외곽의 영역일 수 있다. 제 6영역은 제6 링 히터(126)가 가열할 수 있다.
각각의 제1 내지 제6 링 히터(126)는 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 즉, 예를 들어, 제1 링 히터(121)와 제2 링 히터(122)의 출력은 서로 다르게 제어될 수 있다. 이를 통해 웨이퍼(200)의 온도가 에치 레이트가 균일하도록 제어될 수 있다.
상기에서는 링 히터(120)가 모두 6개인 것으로 설명하였지만, 이는 하나의 예시에 불과하다. 즉, 링 히터(120)의 개수는 적어도 하나일 수 있다. 즉, 링 히터(120)의 개수는 하나일 수도 있고, 6개 이상일 수도 있다. 링 히터(120)의 개수가 많을수록 온도의 제어는 더 세밀해질 수 있지만, 링 히터(120)의 개수는 면적 등의 물리적 조건에 의해 제한될 수 있다. 즉, 이러한 조건에만 만족하는 경우에는 링 히터(120)의 개수는 아무런 제한이 없다.
도 5는 웨이퍼의 중심에서의 거리에 따른 웨이퍼 온도 및 에치 레이트의 산포를 나타낸 그래프이다.
도 5의 가로축은 웨이퍼(200)의 중심에서의 거리(mm)를 나타낼 수 있다. 웨이퍼(200) 반지름은 150mm이다. 도 5의 세로축은 웨이퍼(200)의 온도(℃)와, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트(Å)일 수 있다. 원형의 표시는 히터척 내부의 링 히터(inner ring heater)의 위치이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(200)의 온도는 웨이퍼(200)의 상면에서 일반적으로 일정함을 알 수 있다. 이는 웨이퍼(200)의 중심(0mm)에서 142mm까지의 영역에서 일정한 온도가 측정된 것을 통해 알 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트도 약간의 굴곡이 있지만 대체적으로 일정한 것을 알 수 있다.
이에 반해, 엣지(edge) 영역 즉, 웨이퍼(200)의 중심에서 142mm가 넘는 영역, 즉, 142mm에서 150mm까지의 영역에서는 웨이퍼(200)의 온도가 급격히 내려가는 것을 알 수 있다. 웨이퍼(200)의 온도는 180℃ 근처에서 110℃ 근처로 급격하게 내려간다. 이에 따라, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트는 142mm가 넘는 영역, 즉, 142mm에서 150mm까지의 영역에서 하향곡선을 그리게 된다.
이러한 엣지 영역에서의 온도의 급격한 저하에는 여러가지 원인이 있을 수 있다. 우선, 웨이퍼(200) 상면의 일반 영역에서는 링 히터(120)는 주변에 다른 링 히터(120)가 있어 서로의 경계 영역에서 2개의 링 히터(120)에 의해 가열될 수 있다. 그러나, 엣지 영역에서는 가장 외곽의 링 히터인 제6 링 히터(126) 하나 만이 온도를 제어할 수 있는 유일한 요소이므로, 제6 링 히터(126)에서 멀어지면 온도가 낮아질 수 밖에 없다.
다음으로, 이러한 제6 링 히터(126)의 위치는 웨이퍼(200)의 가장 외곽을 고정시키는 웨이퍼 고정부(112) 보다 안쪽에 위치할 수 밖에 없으므로, 웨이퍼(200)의 엣지 부분이 제6 링 히터(126)의 위치 보다 더 외곽에 위치하게 된다. 도 5에서도 제6 링 히터(126)는 132.5mm 지점에 위치함에 반해, 웨이퍼(200)의 엣지 부분은 142mm부터 150mm에 걸쳐 형성된다.
또한, 웨이퍼(200)가 약액(310)의 확산을 위해 히터 척(100)에 의해서 회전하는 것도 엣지 부분의 온도 저하의 원인이 될 수 있다. 웨이퍼(200)의 엣지 부분은 웨이퍼(200)의 다른 부분과 같은 각속도로 회전할 수 있다. 그러나, 웨이퍼(200)의 엣지 부분의 선속도가 웨이퍼(200)의 다른 부분에 비해 크므로 공기(air)의 흐름이 다른 부분에 비해 상대적으로 크게 작용할 수 있다. 즉, 웨이퍼(200)의 회전에 의해 웨이퍼(200)의 엣지 부분의 상면은 공기(air)의 와류가 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기의 이유와 조합되어 웨이퍼(200)의 엣지 부분의 온도가 다른 부분에 비해 더욱 급격하게 낮아질 수 있다.
즉, 상기의 3가지 이유에 따라 웨이퍼(200)의 엣지 부분의 온도는 다른 부분에 비해 급격하게 낮은 온도를 가지게 된다. 이에 따라, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트의 균일성이 저하되게 되고, 반도체 소자의 신뢰성이 감소될 수 있다.
도 6은 도 1의 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척 및 스팟 히터를 세부적으로 설명하기 위한 측단면도이다. 구체적으로 도 6은, 도 2의 B-B'선으로 자른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 엣지 부분(ER)을 가열할 수 있다. 웨이퍼(200)는 히터 척(100)의 링 히터(120)에 의해 주로 가열되고, 상기와 같이 엣지 부분에 스팟 히터(400)에 의해 추가적으로 가열될 수 있다. 이러한 경우에 엣지 부분에 온도가 낮아져서 에치 레이트가 하향 곡선을 이루는 부분을 적절하게 조절할 수 있다.
스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 위에서 웨이퍼(200) 상면을 가열할 수 있다. 스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 엣지 부분을 가열할 수 있다. 전술하였듯이, 웨이퍼(200)는 아래의 히터 척(100)에 의해서 주로 가열될 수 있다. 이에 더하여, 웨이퍼(200)는 스팟 히터(400)에 의해서 엣지부분만 추가적으로 가열될 수 있다.
스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 상면에 빛을 조사하여 웨이퍼(200)의 상면을 가열할 수 있다. 스팟 히터(400)는 웨이퍼(200)의 상면의 일부만을 가열할 수 있다. 즉, 스팟 히터(400)는 웨이퍼(200) 상면의 스팟을 가열할 수 있다. 상기 스팟은 1mm 내지 10mm의 범위를 가질 수 있다. 상기 스팟은 웨이퍼(200)의 엣지 부분(ER)일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서는 스팟 히터(400)가 웨이퍼(200)의 엣지 부분(ER)이 아닌 다른 부분을 가열할 수도 있다.
스팟 히터(400)는 레이저를 웨이퍼(200)의 엣지 부분 조사할 수 있다. 레이저는 직진성이 강한 특성을 가질 수 있다. 레이저를 이용하면, 스팟 히터(400)는 다른 램프형 히터에 비해 더욱 작은 스케일의 스팟에 빛을 집중시킬 수 있다. 따라서, 훨씬 세밀한 범위의 온도 컨트롤이 가능할 수 있다.
스팟 히터(400)는 근적외선(near infrared, NIR) 영역의 파장을 가지는 빛을 조사할 수 있다. 근적외선은 파장이 0.75~3㎛인 범위의 빛을 의미한다. 근 적외선은 적외선 영역 중에 파장이 가장 짧아서 가시광선 영역과 가장 가까운 영역의 빛을 의미한다.
스팟 히터(400)는 근적외선을 통해서 웨이퍼(200)의 상면을 가열함과 동시에 웨이퍼(200)의 손상(damage)을 최소화할 수 있다. 근적외선은 가시광선 보다 파장이 길어 빛의 에너지가 낮은 빛에 속한다. 따라서, 이를 통해 웨이퍼(200) 상면의 스팟을 가열하여 웨이퍼(200)의 손상을 최소화함과 동시에 웨이퍼(200)의 상면을 가열할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 히터 척과 스팟 히터의 온 오프에 따른 에치 레이트를 웨이퍼의 직경에 따라 나타낸 그래프이다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 다음과 같은 실험 조건에서 실험하였다. 웨이퍼(200)는 히터 척(100)에 의해 50RPM의 회전속도로 회전하고, 스팟 히터(400)의 위치는 엣지 부분으로 고정시켰다. 약액의 토출 온도는 160℃이다.
먼저 히터 척(100) 및 스팟 히터(400)를 모두 오프한 경우에는 웨이퍼(200)의 중심 부분에서는 에치 레이트가 올라가고 외곽으로 갈수록 에치 레이트가 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 이는 고온의 약액이 토출됨에 따라 온도가 웨이퍼(200)의 중심부가 가장 높기 때문에 나타나는 현상이다. 웨이퍼(200)의 엣지 부분 역시 다른 부분과 동일하게 에치 레이트가 하향 곡선을 형성한다.
이어서, 히터 척(100) 및 스팟 히터(400)를 모두 온(on)한 경우를 실험하였다. 이러한 경우에는 비교적 에치 레이트가 웨이퍼(200) 전면에서 일정하게 유지됨을 알 수 있다. 또한, 엣지 부분에서도 에치 레이트가 하향 곡선이 아닌 상향 곡선을 그림을 알 수 있다. 이는, 엣지 부분의 온도가 스팟 히터(400)의 가열에 따라 상승되어 에치 레이트도 올라간다는 것을 의미한다.
엣지 부분의 상승 효과를 더 확실히 확인하기 위해 히터 척(100)을 오프하고, 스팟 히터(400)만을 온(on)한 경우도 실험하였다. 이 경우에도 웨이퍼(200)의 엣지 부분은 전체적으로 히터 척(100) 및 스팟 히터(400)를 모두 오프한 경우와 동일한 프로파일을 가지지만, 엣지 부분에서 약 25Å만큼 에치 레이트가 상승함을 확인할 수 있다. 즉, 스팟 히터(400)의 존재에 의해 웨이퍼(200)의 상면 전체의 온도를 엣지 부분을 포함하여 조절할 수 있고, 이를 통해 에치 레이트의 균일성도 강화할 수 있음을 확인할 수 있다.
도 8은 본 발며의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 히팅 소스 및 서포트 암을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8을 참고하면, 스팟 히터(400)는 히팅 소스(420) 및 서포트 암(410)을 포함한다. 히팅 소스(420)는 열을 제공하는 소스일 수 있다. 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200) 상면에 직접적으로 빛을 제공할 수 있다. 히팅 소스(420)는 레이저 소스일 수 있다. 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200)의 위에서 서포트 암(410)에 의해 고정될 수 있다. 즉, 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200)의 위에서 빛을 하부의 웨이퍼(200) 상면으로 직진 조사하여 웨이퍼(200)를 가열할 수 있다.
히팅 소스(420)는 빛을 조사하여 웨이퍼(200)의 스팟을 가열할 수 있다. 여기서, '스팟'이란 웨이퍼의 상면 중 일부를 의미할 수 있다. 상기 '스팟'은 구체적으로 1 내지 10mm의 직경을 가지는 원형 또는 이에 대응되는 타원형의 영역일 수 있다. 웨이퍼(200)의 전체 직경은 특별히 제한되는 것은 아니지만 대략 300mm정도일 수 있다. 이에 따르면, 상기 스팟은 웨이퍼(200)의 상면 중 극히 일부분의 영역을 의미할 수 있다.
서포트 암(410)은 히팅 소스(420)를 지지할 수 있다. 서포트 암(410)은 히팅 소스(420)가 웨이퍼(200) 위에 위치하도록 고정시킬 수 있다. 서포트 암(410)은 히팅 소스(420)와 연결되지만, 웨이퍼(200) 및 히터 척(100)과는 분리되어 있을 수 있다. 서포트 암(410)은 상술한 약액 노즐(300)과 분리될 수도 있지만, 다른 실시예에서는 서포트 암(410)은 약액 노즐(300)과 같은 구성일 수도 있다. 즉, 서포트 암(410)에 약액 노즐(300)이 설치되어 약액(310)을 공급하고, 히팅 소스(420)도 지지할 수도 있다.
서포트 암(410)은 도시된 바와 같이 히팅 소스(420)의 수평 위치를 변경할 수 있다. 히팅 소스(420)는 서포트 암(410)에 의해 웨이퍼(200)의 중심에서 웨이퍼(200)의 엣지 영역까지 모든 부분을 국소적으로 가열할 수 있다. 구체적으로, 서포트 암(410)이 이동하여 히팅 소스(420)의 위치가 결정되면, 서포트 암(410) 및 히팅 소스(420)는 고정될 수 있다. 상기 고정된 위치에서 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200)의 상면을 가열할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 히팅 소스(420)가 서포트 암(410)에 의해서 위치를 변경하면서 동시에 웨이퍼(200)를 가열할 수도 있다.
서포트 암(410)이 수평 방향으로 이동함에 따라 히팅 소스(420)는 웨이퍼(200)의 엣지 영역을 정확하게 찾아 가열할 수 있다. 웨이퍼(200)의 엣지 영역은 웨이퍼(200)의 크기에 따라 다르므로 정확한 위치에 히팅 소스(420)가 위치하기 위해서는 서포트 암(410)의 수평 이동이 필요하다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트의 산포를 균일하게 할 수 있다. 즉, 복수의 링 히터(120)에 의해 웨이퍼(200) 상면의 중심 부분 등을 고르게 가열하고, 온도가 낮아지는 엣지 부분을 스팟 히터(400)로 추가적으로 가열하여 에치 레이트의 산포를 균일하게 할 수 있다. 에치 레이트의 산포가 균일하게 되면 웨이퍼(200) 전면의 패터닝의 신뢰성이 높아지므로 웨이퍼(200)에 의해 생산되는 반도체 소자의 신뢰성도 매우 높아질 수 있다.
이하, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구조를 설명하기 위한 측면도이고, 도 10은 도 9의 서포트 암의 위치 조절 장치를 세부적으로 설명하기 위한 측면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 수직 위치 조절 장치(430)를 더 포함한다.
수직 위치 조절 장치(430)는 서포트 암(410)에 설치될 수 있다. 서포트 암(410)은 연직 방향으로 연장된 부분과 히팅 소스(420)를 지지하기 위해 수평 방향으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 수직 위치 조절 장치(430)는 서포트 암(410)의 연직 방향으로 연장된 부분에 설치될 수 있다.
수직 위치 조절 장치(430)는 서포트 암(410)을 수직 방향으로 연장시키거나 다시 축소시킬 수 있다. 수직 위치 조절 장치(430)는 서포트 암(410)을 수직으로 연장시켜 히팅 소스(420)와 웨이퍼(200)와의 거리를 멀어지게 할 수 있다. 즉, 수직 위치 조절 장치(430)는 히팅 소스(420)와 웨이퍼(200)와의 수직 위치를 조절할 수 있다.
수직 위치 조절 장치(430)에 의해 수직 위치가 조절되는 경우에는 히팅 소스(420)에 의해 조사되는 빛의 조사 면적이 변할 수 있다. 즉, 수직 위치 조절 장치(430)에 의해 웨이퍼(200) 상의 가열되는 스팟의 면적이 조절될 수 있다.
도 10을 참조하면, 수직 위치 조절 장치(430)가 서포트 암(410)을 연장시키는 경우를 점선으로 표시하였다. 수직 위치 조절 장치(430)가 서포트 암(410)을 연장시키면, 이에 따라 히팅 소스(420)의 수직 위치가 더 높아질 수 있다. 웨이퍼(200)의 수직 위치는 변하지 않으므로, 웨이퍼(200)와 히팅 소스(420)와의 수직 간격은 더 멀어질 수 있다. 이러한 경우에 히팅 소스(420)에서 조사되는 빛이 조사되는 스팟의 면적은 더 커질 수 있다. 즉, 서포트 암(410)의 수직 위치 조절 장치(430)에 의해서 웨이퍼(200)의 가열되는 스팟의 사이즈를 조절할 수 있다.
즉, 웨이퍼(200)의 상면의 스팟의 위치는 서포트 암(410)에 의해 조절될 수 있고, 웨이퍼(200) 상면의 스팟의 크기는 수직 위치 조절 장치(430)에 의해 조절될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 스팟 히터(400)의 빛이 조사되는 영역 즉, 스팟의 사이즈가 조절될 수 있으므로 웨이퍼(200) 상면의 온도를 더욱 세밀하게 조절할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(200)의 상면의 에치 레이트 역시 균일한 산포를 가지도록 조절할 수 있다.
웨이퍼 상면의 클리닝의 종류는 웨이퍼 상면의 나이트라이드 막질의 구성에 따라 달라질 수 있다. 즉, 웨이퍼 전체적으로 나이트라이드 막질이 하드 마스크로만 사용되는 경우에는 나이트라이드 막질을 모두 식각하기만 하면 된다. 이러한 식각을 풀 에치(full etch) 라고 한다. 이에 반해, 나이트라이드 막질이 하드 마스크 외에 스페이서(spacer)로 사용되는 경우가 있다. 이러한 경우에는 모든 나이트라이드 막질을 식각하면 안되고 일부를 남겨두어야 하므로 파셜 에치(partial etch)라고 한다.
일반적으로, 풀 에치인 경우에는 상대적으로 에치 레이트의 산포가 덜 중요할 수 있다. 왜냐하면 에치의 목적이 모든 나이트라이드 막질의 제거이므로 과다 에치되는 부분에서도 목적을 달성할 수 있기에 에치 레이트와 무관하게 오랜 시간동안 에치를 진행할 수 있다.
그러나, 파셜 에치의 경우에는 상대적으로 에치 레이트의 산포가 매우 중요할 수 있다. 파셜 에치의 경우에는 스페이서로 사용되는 나이트라이드 막질이 남아있어야 하므로 과다 에치되는 부분이 발생되지 않도록 에치 레이트가 균일하게 유지될 수 있어야 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 경우에는, 스팟 히터(400)의 조사 면적을 수직 위치 조절 장치(430)에 의해 조절할 수 있고, 이에 따라 스팟 히터(400)의 가열 정도 역시 조절할 수 있는바, 좀 더 세밀하게 웨이퍼(200) 상면의 온도를 조절할 수 있다. 이를 통해, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트를 좀더 세밀하게 조절할 수 있다. 따라서, 제조되는 웨이퍼(200) 상의 반도체 소자의 신뢰성을 매우 높일 수 있다.
이하, 도 11을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 및 제2 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 커버 유닛을 설명하기 위한 측단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 커버 유닛(440)을 더 포함한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 서포트 암(410)의 단부에 히팅 소스(420)가 형성될 수 있다. 그래야 서포트 암(410)이 가장 효율적으로 히팅 소스(420)를 지지할 수 있기 때문이다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 커버 유닛(440)은 히팅 소스(420)를 커버할 수 있다. 이에 따라, 커버 유닛(440)은 히팅 소스(420)와 같이 서포트 암(410)의 단부에 형성될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 커버 유닛(440)은 히팅 소스(420)를 커버하는 위치에 존재하기만 하면 되므로 반드시 서포트 암(410)의 특정 부분에 위치할 필요는 없다.
커버 유닛(440)은 히팅 소스(420)를 고온의 약액으로부터 오염되지 않도록 보호할 수 있다. 고온의 약액은 산성을 포함하므로 장비의 부식 등을 촉진시킬 수 있다. 따라서, 커버 유닛(440)은 빛이 조사되는 부분을 제외하고 히팅 소스(420)의 외면을 커버하는 형상일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 히팅 소스(420)의 빛은 투명한 재질을 통과할 수 있으므로, 투명한 재질을 이용하는 경우에는 커버 유닛(440)이 히팅 소스(420)의 전체를 모두 커버하여 외부와 이격시킬 수도 있다.
특히, 고온의 약액은 액체 타입이지만, 온도에 의해 증발되어 습기 형태의 퓸(fume)이 형성될 수도 있다. 이러한 퓸 역시, 장비의 수명을 줄일 수 있는 요소가 될 수 있다. 따라서, 히팅 소스(420)는 고온의 약액 뿐만 아니라 퓸도 회피해야 한다. 따라서, 커버 유닛(440)은 약액과 동시에 퓸도 히팅 소스(420)에 접하지 않게 히팅 소스(420)를 커버할 수 있다.
커버 유닛(440)은 도시된것과 같이 히팅 소스(420)의 일부를 커버하고, 빛이 나오는 개구를 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니고, 히팅 소스(420)의 전부를 커버하고, 빛이 나오는 부분 혹은 전부를 투명 재질로 하여 열전달 효율이 감소되지 않도록 할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 커버 유닛(440)을 더 포함하여 히팅 소스(420)의 열전달 효율을 저하시키지 않음과 동시에 히팅 소스(420)의 수명을 길게 유지할 수 있다.
이하, 도 12를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 내지 제3 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 필터를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 필터(450)를 더 포함한다.
필터(450)는 스팟 히터(400)의 히팅 소스(420)의 빛이 나오는 전면에 위치할 수 있다. 필터(450)는 스팟 히터(400)의 히팅 소스(420)에 제공하는 빛이 조사되는 웨이퍼(200) 상면의 스팟의 크기를 조절할 수 있다. 필터(450)는 빛이 통과되는 부분의 크기를 조절할 수 있는 조리개와 같은 역할을 할 수 있다.
필터(450)에 의해 웨이퍼(200) 상면의 스팟의 사이즈가 조절되면, 웨이퍼(200) 상면의 온도를 더욱 세밀하게 조절할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(200)의 상면의 에치 레이트 역시 균일한 산포를 가지도록 조절할 수 있다.
파셜 에치의 경우에는 상대적으로 에치 레이트의 산포가 매우 중요할 수 있다. 따라서, 필터(450)에 의해 스팟의 사이즈가 세밀하게 조절되어 상기 에치 레이트의 산포가 유지되는 일정하게 유지되는 경우에는 웨이퍼(200)에 의해 제조되는 반도체 소자의 신뢰성이 높아질 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 경우에는, 스팟 히터(400)의 조사 면적을 필터(450)에 의해 조절할 수 있고, 이에 따라 스팟 히터(400)의 가열 정도 역시 조절할 수 있는바, 좀 더 세밀하게 웨이퍼(200) 상면의 온도를 조절할 수 있다. 이를 통해, 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트를 좀더 세밀하게 조절할 수 있다. 나아가, 필터(450)의 구동은 매우 작은 전력에 의해서 쉽게 할 수 있으므로, 간단하게 웨이퍼(200) 상의 스팟의 사이즈를 조절할 수 있으므로, 간단한 방법으로 용이하게 제조되는 웨이퍼(200) 상의 반도체 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
이하, 도 13을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 내지 제4 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 13은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터의 퍼지 유닛을 설명하기 위한 측단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 퍼지 유닛(460)을 더 포함한다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터(400)는 커버 유닛(440)을 포함할 수 있다. 퍼지 유닛(460)은 커버 유닛(440) 내부에 위치할 수 있다. 퍼지 유닛(460)은 복수일 수 있다. 즉, 퍼지 유닛(460)은 커버 유닛(440) 내부에 복수로 설치되어 있을 수 있다. 퍼지 유닛(460)은 커버 유닛(440) 내부의 히팅 소스(420)의 초기화를 위해 퍼지(purge)를 수행할 수 있다.
퍼지란 일종의 세정과 같은 개념으로 볼 수 있다. 퍼지 유닛(460)은 예를 들어, 질소를 이용하여 퍼지를 수행할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 질소는 산소보다 무거운 가스이므로 내부의 퓸이나 약액 등을 아래로 모두 밀어낼 수 있다. 따라서, 퍼지 유닛(460)에 의해 히팅 소스(420)의 고온의 약액이나 퓸의 오염을 초기화하여 히팅 소스(420)의 수명을 길게 유지할 수 있다.
퍼지 유닛(460)은 히팅 소스(420)를 향해 가스를 분사하는 분사구와 상기 가스를 공급하는 케이블을 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니고, 퍼지 유닛(460)은 커버 유닛(440) 내의 히팅 소스(420)를 퍼지할 수 있는 수단이기만 하면 가능하다.
이하, 도 8, 도 9, 도 10, 도 12 및 도 14를 참조하여 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 내지 제5 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예들에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 구동을 설명하기 위한 블록도이다.
도 8, 도 9, 도 10, 도 12 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 온도 센서(500) 및 제어부(600)를 포함한다.
온도 센서(500)는 웨이퍼(200)의 온도를 지점 별로 감지할 수 있다. 온도 센서(500)는 웨이퍼(200)의 상면의 온도를 실시간으로 감지할 수 있다. 온도 센서(500)는 상기 실시간으로 감지한 온도를 제어부(600)로 전송할 수 있다. 온도 센서(500)는 히터 척(100)의 내부에 위치할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 온도 센서(500)는 웨이퍼(200) 상면의 온도를 감지할 수만 있으면 그 위치에는 제한이 없다.
제어부(600)는 온도 센서(500)로부터 실시간으로 감지된 온도를 전송받을 수 있다. 제어부(600)는 온도 센서(500)로부터 웨이퍼(200) 상면의 전체적인 온도를 모두 전송받을 수 있다. 제어부(600)는 상기 전송받은 온도로부터 스팟 히터(400)를 제어하는 제어 명령을 전송할 수 있다.
제어부(600)는 고급 공정 제어(Advanced Process Controls, APC)를 수행할 수 있다. 제어부(600)는 에치 레이트 프로파일을 입력 받을 수 있다. 제어부(600)는 에치 레이트 프로파일을 입력 받아 이와 동일한 에치 레이트 프로파일을 가지는 웨이퍼(200)를 제조할 수 있다.
도 15 및 도 16은 도 14의 웨이퍼 클리닝 장치에 입력되는 에치 레이트 프로파일의 예시도이다
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 도 15와 같은 M 형상(M shape)의 에치 레이트 프로파일을 입력받아 에치 레이트 프로파일 상기와 같은 M 형상으로 완성할 수 있다. 이러한 경우 히터 척(100)의 링 히터(120)와 복수의 스팟 히터(401)를 이용하여 온도를 조절하여 에치 레이트를 성형할 수 있다.
M 형상의 에치 레이트의 아래로 볼록한 부분 즉, 80mm 부분은 파셜 에치에 의해 스페이서가 생성될 수 있다. 즉, 즉, 80mm 부분은 낮은 에치 레이트를 이용하여 나이트라이드 막질의 일부를 남기는 부분일 수 있다. 이와 반대로, 45mm 부분과 142mm 부분은 나이트라이드 막질을 모두 제거하는 풀 에치 부분일 수 있다.
도 14 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 도 16과 같은 W 형상(W shape)의 에치 레이트 프로파일을 입력받아 에치 레이트 프로파일 상기와 같은 W 형상으로 완성할 수 있다. 이러한 경우 히터 척(100)의 링 히터(120)와 복수의 스팟 히터(401)를 이용하여 온도를 조절하여 에치 레이트를 성형할 수 있다.
W 형상의 에치 레이트의 아래로 볼록한 부분 즉, 45mm 및 142mm 부분은 파셜 에치에 의해 스페이서가 생성될 수 있다. 즉, 즉, 45mm 및 142mm 부분은 낮은 에치 레이트를 이용하여 나이트라이드 막질의 일부를 남기는 부분일 수 있다. 이와 반대로, 80mm 부분은 나이트라이드 막질을 모두 제거하는 풀 에치 부분일 수 있다.
상기 도 15 및 도 16의 에치 레이트 프로파일은 하나의 예시에 불과할 뿐이고, 원하는 에치 레이트 프로파일은 다른 어떠한 형상일 수도 있다. 즉, 원하는 형상이 어떠한 형상이라도, 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 이러한 에치 레이트 프로파일에 따른 에치 레이트 프로파일을 가지는 웨이퍼(200)를 제조할 수 있다.
구체적으로, 제어부(600)는 수직 위치 조절 장치(430)의 위치를 제어할 수 있다. 수직 위치 조절 장치(430)는 히팅 소스(420)의 높이를 조절하여 히팅 소스(420)의 빛이 조사되는 스팟의 사이즈를 조절할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼(200) 상면의 가열되는 면적 및 가열되는 부분의 온도 상승 정도를 좀 더 세밀하게 조절할 수 있다.
또한, 제어부(600)는 히팅 소스(420)의 출력을 제어할 수 있다. 히팅 소스(420)는 레이저 등의 빛을 이용하여 웨이퍼(200)의 상면을 가열할 수 있다. 따라서, 빛의 출력 및 파장 등을 조절하여 웨이퍼(200) 상면의 가열되는 스팟의 온도를 좀 더 세밀하게 조절할 수 있다.
또한, 제어부(600)는 필터(450)의 필터링 영역의 크기를 조절할 수 있다. 필터(450)는 히팅 소스(420)에서 조사되는 빛을 필터링 하여 웨이퍼(200)의 상면에 빛이 조사되는 스팟의 사이즈를 결정할 수 있다. 따라서, 제어부(600)가 필터(450)의 필터링 영역을 제어하여 웨이퍼(200)에 조사되는 빛의 스팟의 사이즈를 제어할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼(200) 상면의 가열되는 면적 및 가열되는 부분의 온도 상승 정도를 좀 더 세밀하게 조절할 수 있다.
또한, 제어부(600)는 서포트 암(410)의 수평 위치를 조절할 수 있다. 서포트 암(410)은 히팅 소스(420)의 수평위치를 조절하여 웨이퍼(200)의 상면의 가열되는 부분을 결정할 수 있다. 따라서, 제어부(600)가 서포트 암(410)의 수평 위치를 제어하여 히팅 소스(420)의 수평 위치를 제어할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼(200) 상의 가열이 필요한 부분을 조절할 수 있어 웨이퍼(200)의 온도를 좀 더 세밀하게 조절할 수 있다.
수직 위치 조절 장치(430) 및 필터(450)는 동시에 제어될 수도 있고, 어느 하나만 제어될 수도 있다. 수직 위치 조절 장치(430)와 필터(450)는 모두 스팟의 사이즈를 조절할 수 있기 때문이다. 다만, 수직 위치 조절 장치(430)로서, 큰 범위의 스팟 사이즈를 결정하고, 필터(450)로 세밀한 부분의 스팟 사이즈를 조절하여 좀 더 세밀한 제어가 가능할 수도 있다.
수직 위치 조절 장치(430), 히팅 소스(420), 필터(450) 및 서포트 암(410)이 제어부(600)에 의해 조절되면 다시 웨이퍼(200)의 상면의 온도가 온도 센서(500)에 의해 감지될 수 있다. 새로 감지된 온도는 온도 센서(500)가 다시 제어부(600)로 전송할 수 있다. 상기 전송된 온도를 바탕으로 제어부(600)는 다시 고급 공정 제어를 수행할 수 있다. 이러한 제어는 웨이퍼의 상면의 온도를 최적화하는 방안으로 사용될 수 있다.
본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 제어부(600)에 의해 온도를 최적화하여 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트를 균일하게 제어할 수 있다. 나아가, 파셜 에치와 같은 경우에는 특정 부분의 에치 레이트를 높여 의도한 패터닝을 완성할 수도 있다.
이하, 도 15 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명한다. 상술한 제1 내지 제6 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 17은 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치를 설명하기 위한 측단면도이다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 복수의 스팟 히터(401)를 포함한다.
복수의 스팟 히터(401)는 웨이퍼(200)의 엣지 부분(ER) 뿐만 아니라 웨이퍼(200)의 중심 부분에서 엣지 부분(ER)의 사이 부분도 가열할 수 있다. 예를 들어, 복수의 스팟 히터(401)는 히터 척(100)의 링 히터(120)가 가열하는 각각의 영역의 경계를 가열할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 복수의 스팟 히터(401)를 통해서 에치 레이트의 산포의 균일성을 더욱 확실하게 보장할 수 있다. 나아가, 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 균일한 에치 레이트와 달리 특정한 모양의 에치 레이트 프로파일도 완성할 수 있다.
즉, 도 15 및 도 16과 같은 에치 레이트 프로파일을 입력 받아 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 입력 받은 에치 레이트 프로파일과 동일한 에치 레이트 프로파일을 가진 웨이퍼(200)를 제조할 수 있다.
복수의 스팟 히터(401)가 웨이퍼(200)의 상면의 여러 군데를 추가적으로 가열할 수 있으므로, 웨이퍼(200) 전체의 온도를 원하는 만큼 세밀하게 제어할 수 있다. 도 17에서는 엣지 부분(ER)과 링 히터(120)의 사이 부분 및 웨이퍼(200)의 중앙 부분에 7개의 스팟 히터(400)가 웨이퍼(200)를 조사하는 것을 도시하였으나, 이는 하나의 예시에 불과하다. 즉, 복수의 스팟 히터(401)의 개수는 아무런 제한이 없다. 또한, 복수의 스팟 히터(401)의 위치는 고정될 필요도 없다. 복수의 스팟 히터(401)의 위치는 입력된 에치 레이트 프로파일에 따라 변동될 수도 있다.
본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 히터 척(100)과 복수의 스팟 히터(401)를 통해서 웨이퍼(200) 전체의 온도를 세밀하게 조절하여 웨이퍼(200) 상면의 에치 레이트를 원하는 에치 레이트 프로파일로 조절할 수 있다. 상기 원하는 에치 레이트 프로파일은 균일한 프로파일일 수도 있지만, 도 15 및 도 16과 같이 특정 형상일 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
50: 테이블 100: 히터 척
200: 웨이퍼 300: 약액 노즐
400: 스팟 히터

Claims (10)

  1. 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼의 아래에서 상기 웨이퍼를 가열하는 히터 척;
    상기 웨이퍼의 상면에 상기 웨이퍼의 상면을 식각하는 약액을 분사하는 약액 노즐; 및
    상기 웨이퍼의 상면의 스팟(spot)을 가열하는 스팟 히터를 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 척은 웨이퍼를 지지하고, 링 형상의 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 링 형상의 제2 영역을 포함하는 상판과,
    상기 상판의 아래에서 상기 제1 영역을 가열하는 제1 링 히터와,
    상기 상판의 아래에서 상기 제2 영역을 가열하는 제2 링 히터를 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 링 히터는 서로 독립적으로 제어되는 웨이퍼 클리닝 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 스팟 히터는 상기 스팟에 레이저(laser)를 조사하여 상기 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 스팟 히터는,
    상기 레이저를 제공하는 레이저 소스와,
    상기 레이저 소스의 조사 방향에 오버랩되어 상기 스팟의 사이즈를 조절하는 필터를 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 스팟 히터는,
    상기 레이저를 제공하는 레이저 소스와,
    상기 레이저 소스의 수직 위치를 조절하여 상기 스팟의 사이즈를 조절하는 수직 위치 조절 장치를 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 스팟 히터는 상기 웨이퍼의 엣지(edge) 부분을 가열하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 스팟 히터는,
    열을 제공하는 히팅 소스와,
    상기 히팅 소스를 상기 약액 또는 상기 약액의 퓸(fume)과 격리시키는 커버 유닛을 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 커버 유닛은 상기 커버 유닛의 내부 및 상기 히팅 소스의 이물질을 제거하는 퍼지(purge) 유닛을 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치.
  10. 상면에 안착된 웨이퍼를 가열하는 히터 척과, 상기 웨이퍼의 상면을 식각하는 약액을 분사하는 약액 노즐을 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치의 스팟 히터에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상면에서 웨이퍼 상의 스팟(spot)을 가열하는 히팅 소스; 및
    상기 히팅 소스를 지지하는 서포트 암(support arm)을 포함하는 스팟 히터.
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