KR20160027325A - 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지에 사용된 실리콘 웨이퍼를 재사용할 수 있는 화학적-기계적 식각 방법에 관한 것으로, 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적 기계적으로 식각하되, 질산용액을 사용하여 은 전극을 제거함으로써 부가가치가 있는 은을 정상적으로 회수할 수 있으며, 은 전극을 우선 제거함으로써, 이후 기계적 연마시 은 전극 돌출로 인한 단차로 인해 폐 태양전지가 파괴되는 것을 예방할 수 있다. 아울러 화학적 식각과 기계적 연마를 혼용하여 사용함으로써 저비용 대비 고효율로 실리콘 웨이퍼를 정상 재활용할 수 있고, 수산화칼륨 용액을 이용하여 알루미늄 전극을 제거함과 동시에 기계적 연마로 인한 실리콘 웨이퍼 표면의 손상을 동시 제거할 수 있기 때문에 실리콘 웨이퍼 재활용 공정을 고속화할 수 있고, 별도의 표면 연마 공정 필요 없이 태양전지 공정에 재사용될 수 있는 웨이퍼를 용이하게 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 태양전지 식각 방법에 관한 것으로, 특히 태양전지에 사용된 실리콘 웨이퍼를 재사용할 수 있는 화학적-기계적 식각 방법에 관한 것이다.
태양전지는 광원을 전기에너지로 변환하는 광-전 변환 소자이다. 태양전지는 빛을 조사하면 실리콘이 빛을 흡수하여 전자-정공쌍을 생성한다. 생성된 전자-정공쌍을 분리하기 위해서 전기의 높낮이를 형성한다. 전기적으로 음극성에 가까운 p-형 반도체와 전기적으로 양극성인 n-형 반도체를 접합하면 전기의 높은 지역과 낮은 지역이 구분된다. 빛 흡수로 생성된 전자-정공쌍은 p-n 접합 전위 차에 의해 분리된다. 분리된 전자와 정공은 전극을 통해서 외부로 전력을 공급할 수 있도록 한다. 이렇게 자연친화적으로 청정한 전기 생성 소자인 태양전지는 다양한 전자제품의 전력공급원으로 사용 가능하다.
한편 필드에서 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지는 화학적으로 식각함으로써 재사용 가능하다. 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 재사용하기 위한 화학적 식각 방법을 도 1을 참조하여 부연 설명하면,
우선 도 1은 질산과 불산의 혼합 용액을 사용한 화학적 식각 모식도이고, 도 2는 질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 실리콘 태양전지를 화학적 식각한 경우에 전자 주사 현미경으로 본 실리콘 태양전지의 단면 예시도이다.
도 1을 참조하면, 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지는 (a)에 도시된 바와 같이 은 전극(Ag electrode), 반사 방지막(SiNx), 에미터(Emitter)층, PN접합부, 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 전극이 순차 적층된 구조를 갖는다. 이러한 태양전지 셀을 질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 식각하면 (b)에 도시한 바와 같이 태양전지의 전면에 위치한 은 전극(Ag electrode)과 반사 방지막(SiNx)이 식각되는데, 은 전극(Ag electrode)과 반사 방지막(SiNx)의 재료 물성 차이로 인해 은 전극(Ag electrode)의 식각 속도가 훨씬 빨라 (c)와 같이 은 전극이 위치한 부분이 우선적으로 식각된다.
이로 인해 은 전극(Ag electrode)이 위치한 부분의 실리콘 웨이퍼에는 (d)와 도 2에 도시한 바와 같이 홈이 형성되며, 이러한 홈이 실리콘 웨이퍼에 생길 경우 추가적인 표면 연마 공정이 필요하게 되며, 표면을 연마하게 되면 실리콘 웨이퍼의 두께가 감소하여 추후 재자원화를 위한 셀 제조공정에 문제가 발생할 소지가 높다.
또한 화학적 방법으로 폐 태양전지를 식각할 경우 폐 태양전지로부터 부가가치가 있는 은 전극의 회수가 어려운 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위한 방안으로 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방식으로 실리콘 웨이퍼를 재제조하는 방법이 있으나 비용이 많이 소요된다는 단점을 안고 있다.
이에 본 발명의 목적은 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적 식각과 기계적 연마를 혼용하여 가공함으로써 저비용 대비 고효율로 실리콘 웨이퍼를 재활용할 수 있는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 방법을 제공함에 있으며,
더 나아가 본 발명의 또 다른 목적은 반사방지막, 에미터층 및 PN접합부를 효과적으로 제거하고 부가가치가 있는 은 전극의 회수가 용이하도록 함은 물론, 균일한 두께와 재사용될 수 있는 실리콘 웨이퍼의 두께를 확보할 수 있는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 식각방법은 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적-기계적으로 혼용 식각하는 방법으로서,
질산 용액을 사용하여 태양전지 일면에 형성된 은 전극을 식각하는 단계와;
은 전극이 제거된 상기 태양전지 일면에 형성되어 있는 반사 방지막과 에미터층 및 PN접합층을 연마용 파우더와 기계적 연마를 통해 제거하는 단계와;
상기 태양전지의 또 다른 일면에 형성되어 있는 알루미늄 전극을 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
더 나아가 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 기계적 식각 방법은, 상기 기계적 연마가 이루어진 면의 표면 손상을 상기 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하며,
경우에 따라 상기 기계적 연마가 이루어진 면의 표면 손상을 상기 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 재생하는 단계와 동시 수행됨을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적으로 우선 식각하되, 질산용액을 사용하여 은 전극을 제거함으로써 부가가치가 있는 은을 정상적으로 회수할 수 있는 장점이 있다.
더 나아가 은 전극을 우선 제거함으로써, 이후 기계적 연마시 은 전극 돌출로 인한 단차로 인해 폐 태양전지가 파괴되는 것을 예방할 수 있는 효과도 있으며,
화학적 식각과 기계적 연마를 혼용하여 사용함으로써 저비용 대비 고효율로 실리콘 웨이퍼를 정상적으로 재활용할 수 있다.
또한 본 발명은 기계적 연마를 통해 반사 방지막, 에미터층 및 PN접합부를 효과적으로 제거하기 때문에 균일한 두께의 실리콘 웨이퍼를 확보할 수 있는 이점이 있으며, 수산화칼륨 용액을 이용하여 알루미늄 전극을 제거함과 동시에 기계적 연마로 인한 실리콘 웨이퍼 표면의 손상을 동시 제거할 수 있기 때문에 실리콘 웨이퍼 재활용 공정을 고속화할 수 있으며, 별도의 표면 연마 공정 필요 없이 태양전지 공정에 재사용될 수 있는 웨이퍼를 용이하게 얻을 수 있는 효과가 있다.
도 1은 질산과 불산의 혼합 용액을 사용한 일반적인 화학적 식각 모식도.
도 2는 질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 실리콘 태양전지를 화학적 식각한 경우에 전자 주사 현미경으로 본 실리콘 태양전지의 단면 예시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 처리 흐름도.
도 4는 도 3에 도시된 기계적 연마 단계를 부연 설명하기 위한 도면.
도 2는 질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 실리콘 태양전지를 화학적 식각한 경우에 전자 주사 현미경으로 본 실리콘 태양전지의 단면 예시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 처리 흐름도.
도 4는 도 3에 도시된 기계적 연마 단계를 부연 설명하기 위한 도면.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
우선 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 처리 흐름도를 도시한 것이며, 도 4는 도 3에 도시된 기계적 연마 단계를 부연 설명하기 위한 도면을 도시한 것이다.
도 3과 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 화학적-기계적 식각 방법을 부연 설명하면,
우선 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지(도 1의 (a)) 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지 표면에는 태양전지 내부에서 발생한 전하들을 모으기 위해 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이 은 전극(Ag electrode)이 존재한다. 은 전극은 태양전지 표면에 반원 형태로 존재하기 때문에 이를 제거하지 않고 기계적 연마(grinding)를 하게 되면, 은 전극과 태양전지의 단차로 인해 태양전지가 깨질 위험성이 있다.
또한 은 전극의 경우 용액에 용해시켜 회수할 시 부가가치가 있으므로, 본 발명의 실시예에서는 질산 용액을 이용하여 은 전극을 제거(S10단계)한다. 이러한 은 전극 제거 단계를 통해 기계적 연마시 태양전지 웨이퍼가 파손될 위험성은 줄어들고, 또한 용해된 은을 회수하여 부수적인 부가가치를 창출할 수 있다.
은 전극을 제거한 후 태양전지 일면에 형성되어 있는 반사 방지막(SiNx)과 에미터층 및 PN접합층을 제거하기 위해 연마용 파우더와 기계적 연마를 이용(S20단계)한다.
폐 태양전지로부터 재활용 실리콘 웨이퍼를 얻기 위해 태양전지 전면에 위치한 반사 방지막(SiNx)과 에미터층 및 PN접합층을 제거하기 위해 도 4에 도시한 바와 같은 기계적 연마장치(100)를 이용하여 실리콘 웨이퍼(110) 상의 반사 방지막(SiNx), 에미터층, PN접합층을 균일하게 제거한다. 도 4에 도시된 기계적 연마장치(100)는 하나의 예시에 불과한 것으로 이에 국한되지 아니하며 여러 공지된 형태의 기계적 연마장치를 통해 실리콘 웨이퍼(110) 표면의 연마가 가능하다.
기계적 연마를 통해 태양전지 전면에 위치한 반사 방지막(SiNx)과 에미터층 및 PN접합층이 제거되면, 이후 태양전지의 또 다른 일면, 즉 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이 후면에 형성되어 있는 알루미늄 전극(Al electrode)을 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하여 실리콘 웨이퍼를 재생(S30단계)한다.
아울러 연마용 파우더와 기계적 연마를 통해 태양전지 표면의 반사 방지막(SiNx)과 에미터층 및 PN접합층을 제거하게 되면 웨이퍼 표면을 그라인딩 손상을 입게 되므로 이를 수산화칼륨을 이용해 표면 손상을 함께 제거(grinding damage removal)한다. 이와 같은 과정을 통해 매끄러운 표면의 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적 기계적으로 식각하되, 질산용액을 사용하여 은 전극을 제거함으로써 부가가치가 있는 은을 정상적으로 회수할 수 있으며,
은 전극을 우선 제거함으로써, 이후 기계적 연마시 은 전극 돌출로 인한 단차로 인해 폐 태양전지가 파괴되는 것을 예방할 수 있다.
아울러 화학적 식각과 기계적 연마를 혼용하여 사용함으로써 저비용 대비 고효율로 실리콘 웨이퍼를 정상 재활용할 수 있고, 수산화칼륨 용액을 이용하여 알루미늄 전극을 제거함과 동시에 기계적 연마로 인한 실리콘 웨이퍼 표면의 손상을 동시 제거할 수 있기 때문에 실리콘 웨이퍼 재활용 공정을 고속화할 수 있고, 별도의 표면 연마 공정 필요 없이 태양전지 공정에 재사용될 수 있는 웨이퍼를 용이하게 얻을 수 있다.
이상 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
Claims (3)
- 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적-기계적 식각 방법에 있어서,
질산 용액을 사용하여 태양전지 일면에 형성된 은 전극을 식각하는 단계와;
은 전극이 제거된 상기 태양전지 일면에 형성되어 있는 반사 방지막과 에미터층 및 PN접합층을 연마용 파우더와 기계적 연마를 통해 제거하는 단계와;
상기 태양전지의 또 다른 일면에 형성되어 있는 알루미늄 전극을 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 기계적 식각 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기계적 연마가 이루어진 면의 표면 손상을 상기 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하는 단계;를 더 포함함을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 기계적 식각 방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 기계적 연마가 이루어진 면의 표면 손상을 상기 수산화칼륨 용액을 사용하여 제거하는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 재생하는 단계와 동시 수행됨을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 기계적 식각 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020240126A1 (fr) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | Rosi | Procede de recyclage de l'argent present sur une cellule photovoltaïque |
| CN115138657A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-10-04 | 大连理工大学 | 一种利用废旧晶硅太阳能电池片制备光催化材料的方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122532A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Mitsubishi Materials Corp | 再生ウェーハの製造方法 |
| KR20000017512A (ko) * | 1998-08-28 | 2000-03-25 | 구마모토 마사히로 | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 |
| JP2002057129A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-22 | Kobe Precision Inc | ウエハ基板の再生方法 |
| KR20030059856A (ko) | 2002-01-03 | 2003-07-12 | 임동열 | 시계열적 어구표현창방식 웹컨텐츠속독방법 |
| JP2005166814A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 太陽電池用シリコンウエハの再生方法、太陽電池セルの形成方法及び太陽電池用シリコンインゴットの作製方法 |
| KR20090007127A (ko) | 2007-07-13 | 2009-01-16 | 주식회사 케이피이 | 계면 활성제 및 산 용액 습식식각 방법을 이용한 삼결정실리콘의 태양전지 제조방법 |
-
2014
- 2014-08-28 KR KR1020140113270A patent/KR20160027325A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122532A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Mitsubishi Materials Corp | 再生ウェーハの製造方法 |
| KR20000017512A (ko) * | 1998-08-28 | 2000-03-25 | 구마모토 마사히로 | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 |
| JP2002057129A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-22 | Kobe Precision Inc | ウエハ基板の再生方法 |
| KR20030059856A (ko) | 2002-01-03 | 2003-07-12 | 임동열 | 시계열적 어구표현창방식 웹컨텐츠속독방법 |
| JP2005166814A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 太陽電池用シリコンウエハの再生方法、太陽電池セルの形成方法及び太陽電池用シリコンインゴットの作製方法 |
| KR20090007127A (ko) | 2007-07-13 | 2009-01-16 | 주식회사 케이피이 | 계면 활성제 및 산 용액 습식식각 방법을 이용한 삼결정실리콘의 태양전지 제조방법 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020240126A1 (fr) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | Rosi | Procede de recyclage de l'argent present sur une cellule photovoltaïque |
| FR3096833A1 (fr) * | 2019-05-29 | 2020-12-04 | Rosi | procédé de recyclage de l’argent présent sur une cellule photovoltaïque |
| CN115138657A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-10-04 | 大连理工大学 | 一种利用废旧晶硅太阳能电池片制备光催化材料的方法 |
| CN115138657B (zh) * | 2022-05-24 | 2023-08-25 | 大连理工大学 | 一种利用废旧晶硅太阳能电池片制备光催化材料的方法 |
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