KR20160023554A - 압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈의 제조 방법 - Google Patents

압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈의 제조 방법 Download PDF

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KR20160023554A
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야스아키 카네코
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가부시키가이샤 테지케
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Abstract

<과제>
압력 센서 소자를 몰딩 수지로부터 노출시킨 구조로 하는데 적합한 압력 센서 모듈을 제공한다.
<해결 수단>
유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈에 있어서, 회로 기판; 회로 기판에 실장되는 압력 센서 소자(15); 및 회로 기판의 센서 실장면(21)을 피복하는 제1몰딩 수지를 구비하고, 제1몰딩 수지는, 압력 센서 소자의 주위에 있는 센서 실장면(21)의 일부를 노출시키도록 마련되고, 센서 실장면(21)에는, 제1몰딩 수지로부터의 노출 영역(59)에 있어서, 압력 센서 소자(15)를 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면(79)이 형성된다.

Description

압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈의 제조 방법{PRESSURE SENSOR MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF PRESSURE SENSOR MODULE}
본 발명은, 유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈과, 압력 센서 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에서는, 회로 기판과, 회로 기판에 실장되는 압력 센서 소자를 구비하는 압력 센서 모듈이 제안된다. 회로 기판에는, 통상, 압력 센서 소자 이외에도, IC칩 등의 전자 부품이 실장된다. 이 종류의 압력 센서 모듈에서는, 이들의 전자 부품을 보호하기 위해, 회로 기판에 몰딩 수지를 피복하는 경우가 있다.
일본국 특허공개공보 2000-46669호 공보
회로 기판을 몰딩 수지에 의해 피복하는 경우, 압력 센서 소자도 부분적으로 몰딩 수지에 의해 피복돼버리면, 환경 온도에 변화가 생겼을 때, 몰딩 수지의 선팽창의 영향에 의해 압력 센서 소자에 응력이 작용하고, 압력 센서 소자에 의한 검출 정밀도가 저하되어버린다.
이에 대한 대책으로서, 압력 센서 소자를 노출시키도록 몰딩 수지를 인서트 성형하는 경우가 있다. 이 경우, 몰딩 수지의 성형 공정에서는, 압력 센서 소자의 주위에 용융 수지가 유입되지 않도록, 압력 센서 소자의 주위에 금형의 대향면을 당접시킨 상태에서 금형 내에 용융 수지를 충전시켜 경화시킨다.
하지만, 회로 소자의 센서 실장면에는, 통상, 압력 센서 소자와 다른 전자 부품이나 외부 접속용 전극을 도통(導通)시키기 위한 도체 패턴이 깔려 있어서, 그 도체 패턴에 의해 미세한 요철이 형성되어 있다. 따라서, 금형의 대향면과 도체 패턴의 접촉에 의해, 도체 패턴 높이의 간격이 대향면과 센서 실장면 사이에 생겨버려, 이들의 사이에서의 밀착성이 악화된다. 이 때문에, 금형 내로의 용융 수지의 충전량이 많으면, 이들 사이를 통해 압력 센서 소자의 주위에 용융 수지가 새어나가, 압력 센서 소자에 몰딩 수지가 접촉해버릴 우려도 있다.
본 발명은, 이와 같은 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 일 목적은, 압력 센서 소자를 몰딩 수지로부터 노출시킨 구조로 하는데 적합한 압력 센서 모듈을 제공하는 것에 있다.
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 태양은, 유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈에 있어서, 회로 기판; 회로 기판에 실장되는 압력 센서 소자; 및 회로 기판의 센서 실장면을 피복하는 제1몰딩 수지를 구비하고, 제1몰딩 수지는, 압력 센서의 주위에 있는 센서 실장면의 일부를 노출시키도록 마련되고, 센서 실장면에는, 제1몰딩 수지로부터의 노출 영역에 있어서, 압력 센서 소자를 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면이 형성된다.
또한, 본 발명의 다른 태양은, 유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈의 제조 방법에 있어서, 압력 센서 소자를 실장하기 위한 회로 기판을 구비하고, 회로 기판의 센서 실장면에는, 압력 센서 소자를 실장하기 위한 실장 위치를 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면이 형성되는 압력 센서 모듈을 준비하는 공정과, 압력 센서 소자의 실장 위치의 주위에 있는 센서 실장면의 일부를 노출시키도록, 센서 실장면을 피복하는 제1몰딩 수지를 성형하는 공정을 포함하고, 제1몰딩 수지의 성형 공정에서는, 제1평탄면에 대해 제1성형용 금형의 대향면을 전체 둘레에 걸쳐 겹친 상태에서, 제1성형용 금형 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 제1몰딩 수지를 성형한다.
본 발명에 의하면, 압력 센서 소자를 몰딩 수지로부터 노출시킨 구조로 하는데 적합한 압력 센서 모듈을 제공할 수 있다.
도 1은 제1실시형태에 따른 압력 센서 모듈의 측면 단면도이다.
도 2는 제1실시형태에 따른 압력 센서 모듈의 평면도이다.
도 3은 제1실시형태에 따른 압력 센서 모듈의 저면도이다.
도 4는 제1실시형태에 따른 회로 기판의 센서 실장면을 나타내는 평면도이다.
도 5는 제1실시형태에 따른 회로 기판의 센서 실장면의 센서 소자 근방을 나타내는 확대도이다.
도 6은 제1실시형태에 따른 회로 기판의 이면을 나타내는 저면도이다.
도 7은 제1실시형태에 따른 회로 기판의 이면 도입 구멍 근방을 나타내는 확대도이다.
도 8은 제1실시형태에 따른 상측 몰딩 수지의 성형 공정의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
도 9는 제1실시형태에 따른 하측 몰딩 수지의 성형 공정의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
도 10은 제2실시형태에 따른 회로 기판의 센서 실장면의 센서 소자 근방을 나타내는 확대도이다.
도 11은 도 10의 A-A선 단면도이다.
도 12는 제2실시형태에 따른 각 몰딩 수지의 성형 공정의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
도 13은 제2실시형태에 따른 각 몰딩 수지의 성형 공정의 도중 상태에서의 도 10의 A-A선 단면을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태의 설명에서는, 편의상, 도시한 상태를 기준으로 각 구성 요소의 위치 관계를 표현하는 경우가 있다. 또한, 각 실시형태에서는, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 첨부하고, 중복되는 설명을 생략한다.
[제1실시형태]
도 1은 제1실시형태에 따른 압력 센서 모듈(11)(이하, 센서 모듈이라 한다)의 측면 단면도를 나타낸다.
센서 모듈(11)은, 차량용 공조 장치의 유체 유로의 2군데를 흐르는 유체의 압력차를 검출하는 차압 센서로서 사용된다. 센서 모듈(11)은, 회로 기판(13)과, 압력 센서 소자(15)(이하, 센서 소자라고 한다)와, 상측 몰딩 수지(17)(제1몰딩 수지)와, 하측 몰딩 수지(19)(제2몰딩 수지)를 구비한다. 회로 기판(13)은 에폭시 수지 등의 수지 재료를 소재로 하여 구성된다. 회로 기판(13)의 상세는 후술한다.
센서 소자(15)는, 회로 기판(13)의 상면인 센서 실장면(21)에 실장된다. 센서 소자(15)는, 막 형태의 다이어프램으로서 구성되는 수압 변위부(23)와, 수압 변위부(23)의 외주부에 마련되는 지지부(25)와, 지지부(25)의 하면에 접합되는 페데스탈(27)을 구비한다. 수압 변위부(23)와 지지부(25)는 단결정 실리콘 등의 반도체에 의해 일체로 구성되고, 페데스탈(27)은 유리 등에 의해 구성된다. 지지부(25)는 수압 변위부(23)보다 두껍게 마련된다. 센서 소자(15)는 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에 접착제 등에 의해 고정된다.
센서 소자(15)의 내부에는 중공부(29)가 마련된다. 중공부(29)는, 수압 변위부(23)와 지지부(25)에 의해 둘러싸인 센서 요부(31)와, 페데스탈(27)에 형성되는 관통 구멍(33)에 의해 구성된다. 회로 기판(13)에는 센서 소자(15)의 이면측에 도입 구멍(35)이 형성되고, 센서 소자(15)의 중공부(29)는 도입 구멍(35)에 연통된다. 도입 구멍(35)은, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에 있어서, 센서 소자(15)를 실장하기 위한 실장 위치에 형성된다고도 할 수 있다. 여기서의 "센서 소자(15)의 실장 위치"란, 센서 실장면(21)에 있어서 센서 소자(15)를 실장하기 위해 미리 정한 위치이고, 센서 실장면(21)에 센서 소자(15)를 실장했을 때, 센서 소자(15)의 이면측에 있는 부위를 말한다.
회로 기판(13)은, 센서 소자(15)의 실장 위치에 대해, 그 상면측에 상측 압력실(37)(제1압력실)이 마련되고, 그 하면측에 하측 압력실(39)(제2압력실)이 마련된다. 센서 소자(15)의 중공부(29)는 회로 기판(13)의 도입 구멍(35)을 통해 하측 압력실(39)에 연통된다. 이 때, 수압 변위부(23)는, 상측 압력실(37)과 하측 압력실(39)을 구획하도록 마련되게 된다.
센서 소자(15)는, 피에조 저항형 센서로서 구성된다. 수압 변위부(23)에는 반도체 스트레인 게이지 등의 복수 저항 소자(미도시)가 마련되고, 그 저항 소자에 의해 브리지 회로가 센서 회로로서 구성된다.
상측 몰딩 수지(17)는 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)을 부분적으로 피복한다. 하측 몰딩 수지(19)는, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)과 반대측에 있는 회로 기판(13)의 이면(41)을 부분적으로 피복한다.
각 몰딩 수지(17, 19)는, 회로 기판(13)을 피복하는 평판 형상의 기판 피복부(43)와, 기판 피복부(43)로부터 돌출되는 고리 모양부(45)를 구비한다. 각 몰딩 수지(17, 19)는 기판 피복부(43)와 고리 모양부(45)가 일체로 마련되고, 에폭시 수지 등의 수지 재료를 소재로 하여 구성된다. 고리 모양부(45)는, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)의 법선 방향으로 연장된다.
상측 몰딩 수지(17)에는, 고리 모양부(45)의 내측과 기판 피복부(43)를 관통하는 상측 요부(47)(제1요부)가 마련된다. 상측 요부(47)는, 센서 소자(15)에 대응하는 위치에 마련되고, 그 내부에 상측 압력실(37)이 형성된다. 하측 몰딩 수지(19)에도, 고리 모양부(45)의 내측과 기판 피복부(43)를 관통하는 하측 요부(49)(제2요부)가 마련된다. 하측 요부(49)는, 회로 기판(13)의 도입 구멍(35)에 대응하는 위치에 마련되고, 그 내부에 하측 압력실(39)이 형성된다. 하측 요부(49)는, 그 바닥측의 지름이 작은 요부(49a)와, 그 입구측의 지름이 큰 요부(49b)에 의해 구성된다.
도 2는 센서 모듈(11)의 평면도를 나타낸다.
회로 기판(13)에는, 외부 전자기기와 전기적으로 접속하기 위한 외부 접속용 전극(51)이 복수로 마련된다. 외부 전자기기는, 예를 들면, 공조 장치를 통괄적으로 제어하는 ECU(electric control unit)이고, 외부 접속용 전극(51)은 스루홀 전극이다. 외부 접속용 전극(51)에는 접속 단자(53)(도 1 참조)가 접속되고, 센서 모듈(11)은 접속 단자(53)를 통해 ECU에 전기적으로 접속된다.
센서 소자(15)는, 센서 회로에 전기적으로 접속되는 복수의 센서 전극(55)을 구비한다. 복수의 센서 전극(55)에는, 금선 등의 본딩 와이어(57)를 통해 후술되는 제1배선 패턴(75)에 접속된다.
상측 몰딩 수지(17)는, 센서 소자(15)와 함께, 센서 소자(15)나 센서 소자(15)의 실장 위치의 주위에 있는 센서 실장면(21)의 일부를 노출시키도록 상측 요부(47)가 마련된다. 센서 실장면(21)의 노출 영역은 1점 쇄선(S1)으로 나타내는 범위의 내측이 된다. 이 때, 상측 몰딩 수지(17)는, 센서 소자(15)와 접촉하지 않고, 센서 소자(15)의 전체를 노출시키도록 마련된다.
도 3은 센서 모듈(11)의 저면도를 나타낸다.
하측 몰딩 수지(19)는, 회로 기판(13)의 도입 구멍(35)과 함께, 도입 구멍(35)의 주위에 있는 회로 기판(13)의 이면(41)의 일부를 노출시키도록 하측 요부(49)가 마련된다. 회로 기판(13)의 이면(41)의 노출 영역은 1점 쇄선(S2)으로 나타내는 범위의 내측이 된다.
도 4는 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)을 나타내는 평면도이다. 본 도면에서는 상측 몰딩 수지(17)를 생략하고, 상측 몰딩 수지(17)의 노출 영역(59)과 피복 영역(61)의 경계선(L1)을 1점 쇄선으로 나타낸다.
센서 실장면(21)에는, 상측 몰딩 수지(17)로부터의 노출 영역(59)에 있어서, 센서 소자(15) 이외에, 복수의 제1도체 패턴(P1)과, 복수의 제1스루홀(Th1)이 형성된다. 또한, 센서 실장면(21)에는, 상측 몰딩 수지(17)에 의한 피복 영역(61)에 있어서, 복수의 전자 부품(67)이 실장되는 한편, 복수의 제3도체 패턴(P3)과, 복수의 제2스루홀(Th2)이 형성된다. 제1도체 패턴(P1), 제3도체 패턴(P3)은 동박 등의 도전성 재료에 의해 구성된다. 후술하는 제2도체 패턴(P2)도 동일하다.
복수의 제1도체 패턴(P1)은, 센서 소자(15)를 둘러싸도록 형성되는 쉴드 패턴(73)과, 쉴드 패턴(73)의 외주측에 형성되는 복수의 제1배선 패턴(75)에 의해 구성된다. 복수의 제1스루홀(Th1)은, 각 제1도체 패턴(P1)에 대응하여 마련된다. 쉴드 패턴(73)은, 이에 대응하는 제1스루홀(Th1)을 통해 후술하는 그라운드 패턴(91)에 전기적으로 접속되고, 외부로부터 센서 소자(15)에 작용하는 전자파가 차폐된다. 제1배선 패턴(75)은, 이에 대응하는 제1스루홀(Th1)과, 센서 소자(15)의 센서 전극(55)을 전기적으로 접속한다.
제1스루홀(Th1)은, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)으로부터 이면(41)에 걸쳐 관통하는 관통 스루홀이고, 센서 실장면(21)과 이면(41) 각각으로 개구된다. 제1스루홀(Th1)의 내주면 및 양면측의 개구 에지에는 도금에 의한 도체층이 마련된다. 제2스루홀(Th2)도 동일하다.
전자 부품(67)에는, 센서 소자(15)로부터의 출력 신호를 처리하는 IC칩(77)이 포함된다. IC칩(77)은, 출력 신호에 대해 증폭, 캘리브레이션(calibration) 등의 처리를 실행하는 신호 처리 회로를 내장하다. 또한, IC칩(77) 이외의 전자 부품(67)은, 콘덴서, 저항기, 다이오드 등이다.
제3도체 패턴(P3)은, 제2스루홀(Th2)과 전자 부품(67) 사이, 전자 부품(67)과 외부 접속용 전극(51) 사이, 나아가, 전자 부품(67)끼리의 사이를 전기적으로 접속한다. 제3도체 패턴(P3)은, 센서 실장면(21)에 있어서, 제1도체 패턴(P1)과 직접 도통되지 않고, 회로 기판(13)의 이면(41)의 제2도체 패턴(P2)을 통해 도통된다.
도 5는 센서 실장면(21)의 센서 소자(15) 근방의 확대도를 나타낸다. 본 도면에서는, 상측 몰딩 수지(17)의 노출 영역(59)은 경계선(L1)의 내주측에 있고, 상측 몰딩 수지(17)의 피복 영역(61)은 경계선(L1)의 외주측에 있다.
센서 실장면(21)에는, 상측 몰딩 수지(17)로부터의 노출 영역(59)에 있어서, 센서 소자(15), 센서 소자(15)의 실장 위치, 각 제1도체 패턴(P1), 각 제1스루홀(Th1)을 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면(79)이 형성된다. 본 도면에서는, 제1평탄면(79)이 형성되는 영역을 사선으로 나타낸다. 제1평탄면(79)은, 센서 소자(15)를 중심으로 한 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐, 단차 없이 매끄럽게 연결되도록 평탄하게 형성된다. 센서 실장면(21)에 있어서 센서 소자(15)의 주위에 있는 제1도체 패턴(P1)이나 제1스루홀(Th1)이 형성되는 영역을 패턴 영역(81)으로 하면, 제1평탄면(79)은, 패턴 영역(81)과 상측 몰딩 수지(17)에 의한 피복 영역(61)에 끼워진 영역으로서 마련된다. 제1평탄면(79)은, 후술하는 바와 같이, 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정에 있어서, 제1성형용 금형(97)의 제1대향면(107)을 전체 둘레에 걸쳐 겹치기 위해 마련된다.
센서 실장면(21)에는, 상측 몰딩 수지(17)에 의한 피복 영역(61)에 있어서, 제1평탄면(79)을 고리 모양으로 둘러싸도록 제2평탄면(83)이 형성된다. 본 도면에서는, 제2평탄면(83)이 형성되는 영역을 사선으로 나타낸다. 제2평탄면(83)은, 센서 소자(15)를 중심으로 하여 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐, 단차 없이 매끄럽게 연결되도록 평탄하게 형성된다. 제2평탄면(83)은, 제1평탄면(79)과 인접하는 위치에 형성된다.
각 제1도체 패턴(P1), 각 제1스루홀(Th1)은, 센서 실장면(21)에 있어서, 제1평탄면(79), 제2평탄면(83)의 내주측에 형성되게 된다. 한편, 각 제3도체 패턴(P3), 각 제2스루홀(Th2)은, 제1평탄면(79), 제2평탄면(83)의 외주측에 형성되게 된다. 이들의 제1평탄면(79), 제2평탄면(83)은, 모두 회로 기판(13) 자체의 표면에 의해 구성된다. 즉, 각 평탄면(79, 83)은, 수지 재료를 소재로 하여 구성된다. 후술되는 제3평탄면(93), 제4평탄면(95)도 동일하다.
도 6은 회로 기판(13)의 이면(41)을 나타내는 저면도이다. 본 도면에서는 하측 몰딩 수지(19)를 생략하고, 하측 몰딩 수지(19)의 노출 영역(85)과 피복 영역(87)의 경계선(L2)을 1점 쇄선으로 나타낸다.
회로 기판(13)의 이면(41)에는, 하측 몰딩 수지(19)에 의한 피복 영역(87)에 있어서, 제1스루홀(Th1)이나 제2스루홀(Th2)과 함께, 복수의 제2도체 패턴(P2)이 형성된다.
제2도체 패턴(P2)은, 도입 구멍(35)의 외주측에 형성되는 복수의 제2배선 패턴(89)과, 각 제2배선 패턴(89)의 외주측에 형성되는 그라운드 패턴(91)에 의해 구성된다. 각 제2배선 패턴(89)은, 하나의 제1스루홀(Th1)과 하나의 제2스루홀(Th2)에 대응하여 마련된다. 제2배선 패턴(89)은, 이에 대응하는 제1스루홀(Th1)과 제2스루홀(Th2)을 전기적으로 접속한다. 그라운드 패턴(91)은 그라운드용 접속 단자가 접속되는 외부 접속용 전극(51)과 전기적으로 접속되어, 그라운드 레벨의 전위가 된다.
도 7은 회로 기판(13)의 이면(41)의 도입 구멍(35) 근방의 확대도를 나타낸다. 본 도면에서는, 하측 몰딩 수지(19)의 노출 영역(85)은 경계선(L2)의 내주측에 있고, 하측 몰딩 수지(19)의 피복 영역(87)은 경계선(L2)의 외주측에 있다. 또한, 본 도면에서는, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에서 제1평탄면(79)이 형성되는 영역을 사선으로 나타낸다. 각 제2배선 패턴(89)은, 제1평탄면(79)의 이면측을 통과하도록, 즉, 제1평탄면(79)과 회로 기판(13)의 판의 두께 방향으로 겹치는 위치를 통과하도록 형성된다.
회로 기판(13)의 이면(41)에는, 하측 몰딩 수지(19)로부터의 노출 영역(85)에 있어서, 도입 구멍(35)을 고리 모양으로 둘러싸도록 제3평탄면(93)이 형성된다. 본 도면에서는, 제3평탄면(93)이 형성되는 영역을 사선으로 나타낸다. 제3평탄면(93)은, 도입 구멍(35)을 중심으로 하여 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐, 단차 없이 매끄럽게 연결되도록 평탄하게 형성된다. 제3평탄면(93)은, 후술하는 바와 같이, 하측 몰딩 수지(19)의 성형 공정에 있어서, 제2성형용 금형(99)의 제2대향면(113)을 전체 둘레에 걸쳐 겹치기 위해 마련된다.
회로 기판(13)의 이면(41)에는, 하측 몰딩 수지(19)에 의한 피복 영역(87)에 있어서, 제3평탄면(93)을 고리 모양으로 둘러싸도록 제4평탄면(95)이 형성된다. 본 도면에서는, 제4평탄면(95)이 형성되는 영역을 사선으로 나타낸다. 제4평탄면(95)은, 제3평탄면(93)과 인접하는 위치에 형성된다.
각 제2도체 패턴(P2), 각 제1스루홀(Th1), 각 제2스루홀(Th2)은, 회로 기판(13)의 이면(41)에 있어서, 제3평탄면(93)이나 제4평탄면(95)의 외주측에 형성되게 된다.
제1스루홀(Th1)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 상측 몰딩 수지(17)에 의해 피복되지 않고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 하측 몰딩 수지(19)에 의해 피복된다. 이 하측 몰딩 수지(19)는, 회로 기판(13)의 이면(41)에서 제1스루홀(Th1)의 개구를 막도록 마련되게 된다.
이상의 센서 소자(15)는, 제1도체 패턴(P1), 제1스루홀(Th1)을 통해 제2도체 패턴(P2)에 도통되고, 나아가, 제2스루홀(Th2), 제3도체 패턴(P3)을 통해 IC칩(77) 등의 전자 부품(67)이나 외부 접속용 전극(51)에 도통된다. 이와 같이, 센서 소자(15)와 전자 부품(67)이나 외부 접속용 전극(51)은, 적어도 제1평탄면(79)이나 제3평탄면(93) 이외에 형성되는 도체 패턴(P1~P3)을 통해 도통된다. 이 도체 패턴(P1~P3)에는, 적어도 회로 기판(13)의 이면(41)에 형성되는 제2도체 패턴(P2)이 포함된다.
이상의 센서 모듈(11)을 차압 센서로서 사용할 때, 유체 유로의 흐름 방향의 다른 개소를 흐르는 유체가 상측 압력실(37) 및 하측 압력실(39) 각각에 도입된다. 예를 들면, 상측 압력실(37)에는, 냉매 유로의 교축부의 상류측을 흐르는 고압 유체가 제1유체로서 도입되고, 하측 압력실(39)에는, 냉매 유로의 교축부의 하류측을 흐르는 저압 유체가 제2유체로서 도입된다.
센서 소자(15)에서는, 수압 변위부(23)의 상면인 상측 수압면(제1수압면)에 의해 제1유체의 압력을 받고, 그 하면인 하측 수압면(제2수압면)에 의해 제2유체의 압력을 받는다. 수압 변위부(23)는, 제1유체와 제2유체의 압력차에 따라, 그 판의 두께 방향으로 변위하고, 그 압력차(변위량)에 따른 검출 신호가 센서 회로에 의해 생성된다. 복수의 센서 전극(55)에는, 그 생성된 검출 신호를 취출하기 위한 출력용 센서 전극(55)이 포함되고, 출력용 센서 전극(55)으로부터 제1배선 패턴(75)에 검출 신호가 출력된다.
센서 소자(15)로부터의 출력 신호는 제1배선 패턴(75), 제2도체 패턴(P2), 제3도체 패턴(P3)을 통해 IC칩(77)에 출력되고, 그 IC칩(77)에 의해 처리된다. IC칩(77)에 의해 처리된 출력 신호는, 제3도체 패턴(P3)을 통해 외부 접속용 전극(51)으로부터 ECU에 출력된다.
다음으로, 상술한 센서 모듈(11)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 회로 기판(13)을 구비하는 센서 모듈(11)을 준비한다(S10). 회로 기판(13)에는, 센서 소자(15)와 함께 복수의 전자 부품(67)이 미리 실장되고, 나아가, 각 도체 패턴(P1~P3)이 미리 형성된다. 또한, 회로 기판(13)에는, 상술한 제1평탄면(79)이나 제3평탄면(93)이 미리 형성된다. 그리고, 후술하는 제1성형용 금형(97)을 사용하여, 상측 몰딩 수지(17)를 성형한다(S12). 그리고, 후술하는 제2성형용 금형(99)을 사용하여, 하측 몰딩 수지(19)를 성형한다(S14). 각 몰딩 수지(17, 19)는 인서트 성형에 의해 얻어진다.
도 8은 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정(S12)의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
제1성형용 금형(97)은 한쌍의 금형인 상측 금형(97A)과 하측 금형(97B)에 의해 구성된다. 상측 금형(97A)은, 제1성형 캐비티(101)와, 수용 캐비티(103)와, 제1벽부(105)를 구비한다.
제1성형 캐비티(101)는, 상측 몰딩 수지(17)를 성형하기 위해 사용된다. 제1성형 캐비티(101)는, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에서 상측 몰딩 수지(17)에 의해 피복되어야 할 영역의 맞은편에 마련된다. 제1성형 캐비티(101)는, 각 금형(97A, 97B)을 닫았을 때, 그 내주면이 상측 몰딩 수지(17)와 상보 형상이 되도록, 상측 몰딩 수지(17)에 상응한 형상을 구비한다.
수용 캐비티(103)는, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에서 제1평탄면(79)보다 내주측의 패턴 영역(81)의 맞은편에 마련된다. 수용 캐비티(103)는, 각 금형(97A, 97B)을 닫았을 때, 그 내측에 센서 소자(15)가 수용되도록, 센서 소자(15)에 상응한 형상을 구비한다.
제1벽부(105)는, 제1성형 캐비티(101)와 수용 캐비티(103)를 구획하도록 마련된다. 벽부(105)의 선단면은 제1평탄면(79)의 맞은편에 마련되는 제1대향면(107)이 된다. 제1대향면(107)은, 각 금형(97A, 97B)을 닫았을 때, 제1평탄면(79)에 대해 전체 둘레에 걸쳐 겹쳐진다. 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정에서는, 이 상태로 제1성형 캐비티(101) 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 센서 실장면(21)에서의 센서 소자(15)의 실장 위치나 센서 소자(15)의 주위에 있는 센서 실장면(21)의 일부를 노출시키도록, 센서 실장면(21)을 피복하는 상측 몰딩 수지(17)를 성형한다.
도 9는 하측 몰딩 수지(19)의 성형 공정(S14)의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
제2성형용 금형(99)은 한쌍의 금형인 상측 금형(99A)과 하측 금형(99B)에 의해 구성된다. 상측 금형(99A)은, 제1벽부(105)의 형상을 제외하고, 제1성형용 금형(97)의 상측 금형(97A)과 동일한 구성이다. 하측 금형(99B)은, 제2성형 캐비티(109)와, 제2벽부(111)를 구비한다.
제2성형 캐비티(109)는, 하측 몰딩 수지(19)를 성형하기 위해 사용된다. 제2성형 캐비티(109)는, 회로 기판(13)의 이면(41)에서 하측 몰딩 수지(19)에 의해 피복되어야 할 영역의 맞은편에 마련된다. 제2성형 캐비티(109)는, 각 금형(99A, 99B)을 닫았을 때, 그 내주면이 하측 몰딩 수지(19)와 상보 형상이 되도록, 하측 몰딩 수지(19)에 상응한 형상을 구비한다.
제2벽부(111)는, 회로 기판(13)의 이면(41)에서 도입 구멍(35)의 맞은편에 마련된다. 제2벽부(111)의 선단면은 제3평탄면(93)의 맞은편에 마련되는 제2대향면(113)이 된다. 제2대향면(113)은, 각 금형(99A, 99B)을 닫았을 때, 제3평탄면(93)에 대해 전체 둘레에 걸쳐 겹쳐진다. 하측 몰딩 수지(19)의 성형 공정(S14)에서는, 이 상태로 제2성형 캐비티(109) 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 도입 구멍(35)의 주위에 있는 회로 기판(13)의 이면(41)의 일부를 노출시키도록, 그 이면(41)을 피복하는 하측 몰딩 수지(19)를 성형한다. 한편, 제2벽부(111)는, 각 금형(99A, 99B)을 닫았을 때, 도입 구멍(35)을 막도록 마련된다. 또한, 상측 금형(99A)의 제1벽부(105)는, 각 금형(99A, 99B)을 닫았을 때, 제1스루홀(Th1)을 막도록 마련된다.
이상의 센서 모듈(11)의 작용 효과를 설명한다.
회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에는 제1평탄면(79)이 형성된다. 이 때문에, 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정(S12)에서는, 그 제1평탄면(79)과 제1성형용 금형(97)의 제1대향면(107)을 전체 둘레에 걸쳐 겹친 상태에서, 제1성형용 금형(97)의 제1성형 캐비티(101)에 용융 수지를 충전할 수 있다. 회로 기판(13)의 제1평탄면(79)에는 도체 패턴에 의한 미세한 요철이 형성되어 있지 않아, 제1평탄면(79)과 제1대향면(107) 사이에서의 밀착성이 양호해진다. 따라서, 이들 사이를 통해 센서 소자(15)의 주위에 용융 수지가 새기 어려워져, 센서 소자(15)에 대한 용융 수지의 접촉을 방지하고, 이 결과, 상측 몰딩 수지(17)의 접촉을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상측 몰딩 수지(17)의 선팽창 영향에 의해 센서 소자(15)에 작용하는 압력을 억제할 수 있어, 온도 변화가 발생했을 때에도 센서 소자에 의한 검출 정밀도를 확보할 수 있고, 센서 모듈(11)로서의 신뢰성을 높일 수 있다. 따라서, 센서 소자(15)를 상측 몰딩 수지(17)로부터 노출시킨 구조로 하는데 적합한 센서 모듈(11)을 제공할 수 있다.
한편, 회로 기판(13)의 IC칩(77) 등의 전자 부품(67)은 상측 몰딩 수지(17)에 의해 피복되어 있어, 외부 환경에 대해 보호되고 있기 때문에, 그 점에서도 센서 모듈(11)로서의 신뢰성이 향상되어 있다.
또한, 회로 기판(13)의 이면(41)에는 제3평탄면(93)이 형성된다. 이 때문에, 하측 몰딩 수지(19)의 성형 공정(S14)에서는, 그 제3평탄면(93)과 제2성형용 금형(99)의 제2대향면(113)을 전체 둘레에 걸쳐 겹친 상태에서, 제2성형용 금형(99)의 제2성형 캐비티(109)에 용융 수지를 충전할 수 있다. 회로 기판(13)의 제3평탄면(93)에는 도체 패턴에 의한 미세한 요철이 형성되어 있지 않아 제3평탄면(93)과 제2대향면(113) 사이에서의 밀착성이 양호해진다. 따라서, 이들의 사이를 통해 도입 구멍(35)의 주위에 용융 수지가 새기 어려워진다.
또한, 센서 소자(15)는, 제1평탄면(79)의 내주측에 형성되는 제1스루홀(Th1)을 통해 제2도체 패턴(P2)에 도통된다. 따라서, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에 제1평탄면(79)이 있는 경우에도, 제1평탄면(79)의 내주측의 패턴 영역(81) 이외의 넓은 면영역을 사용하여, 전자 부품(67)이나 도체 패턴(P2, P3)의 레이아웃을 설계할 수 있다.
또한, 하측 몰딩 수지(19)는, 회로 기판(13)의 이면(41)에서 제1스루홀(Th1)의 개구를 막도록 마련된다. 이에 의해, 센서 모듈(11)을 차압 센서로서 사용할 때, 회로 기판(13)의 상면측의 상측 압력실(37)과 하면측의 하측 압력실(39) 사이에서의 제1스루홀(Th1)을 통한 유체의 유출/유입을 방지할 수 있다. 이 결과, 상측 압력실(37)과 하측 압력실(39) 사이에서의 압력차를 센서 소자(15)에 의해 정확하게 검출할 수 있다.
또한, 회로 기판(13)의 센서 실장면(21)에는, 상측 몰딩 수지(17)에 의한 피복 영역(61)에 고리 모양의 제2평탄면(83)이 형성되고, 그 제2평탄면(83)은 수지 재료에 의해 구성되기 때문에, 이하의 이점이 있다. 수지 성형품의 표면에는, 통상, 미세한 요철이 형성된다. 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정(S12)에서는, 미세한 요철이 형성되는 제2평탄면(83)을 피복하도록 제1성형용 금형(97) 내에 용융 수지가 충전되기 때문에, 미세한 요부에 용융 수지가 메워진 상태로 용융 수지가 경화되어, 상측 몰딩 수지(17)가 성형된다. 따라서, 제2평탄면(83)과 상측 몰딩 수지(17) 사이에서 앵커 효과가 발휘되어, 양자간의 밀착성, 접합력이 향상된다. 한편, 회로 기판(13)의 이면(41)에 제4평탄면(95)이 형성되고, 그 제4평탄면(95)은 수지 재료에 의해 구성되지만, 이에 의해서도 동일한 이점이 얻어진다.
[제2실시형태]
도 10은 제2실시형태에 따른 센서 실장면(21)의 센서 소자(15) 근방의 확대도를 나타낸다. 본 도면에서는, 상측 몰딩 수지(17)를 생략하고, 그 노출 영역(59)과 피복 영역(61)의 경계선(L3)을 실선으로 나타낸다. 경계선(L3)은 후술하는 제4도체 패턴(P4)의 외형선이기도 하다.
제1실시형태에 따른 제1평탄면(79)은 회로 기판(13) 자체의 표면에 의해 구성되는 예를 설명했다. 본 실시형태에 따른 제1평탄면(79)은 제4도체 패턴(P4)의 판의 두께 방향 단면에 의해 구성된다. 제4도체 패턴(P4)은, 쉴드 패턴(73)에 도통되고, 제1스루홀(Th1)을 통해 회로 기판(13)의 이면(41)의 그라운드 패턴(91)(미도시)에 도통된다. 제4도체 패턴(P4)에는 센서 소자(15)측으로 향하는 내주부에 외주측으로 함몰되는 요부(115)가 형성된다. 요부(115)는 센서 소자(15)를 사이에 낀 제4도체 패턴(P4)의 2군데에 형성된다. 요부(115) 내에는 제1배선 패턴(75)에 도통되는 제1스루홀(Th1)이 복수 형성된다. 제1스루홀(Th1)은, 센서 실장면(21)측의 개구 주위에 형성되는 랜드부(117)를 구비한다. 랜드부(117)는 고리 모양으로 연결되도록 형성되고, 제1배선 패턴(75)에 도통된다.
도 11은 도 10의 A-A선 단면도이다.
제4도체 패턴(P4)은, 센서 실장면(21)보다 돌출되는 돌출부로서 구성되고, 회로 기판(13)의 판의 두께 방향 단면이 제1평탄면(79)으로서 형성된다. 제1평탄면(79)은 랜드부(117)의 고리 모양의 면(117a)과 동일 평면이 되도록, 센서 실장면(21)으로부터 돌출되어 형성된다.
도 12는 각 몰딩 수지(17, 19)의 성형 공정의 도중 상태를 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에서는, 제3성형용 금형(121)을 사용하여, 상측 몰딩 수지(17)와 하측 몰딩 수지(19)의 성형을 동시에 진행한다.
제3성형용 금형(121)은, 한쌍의 금형인 상측 금형(121A)과 하측 금형(121B)에 의해 구성된다. 상측 금형(121A)은, 상술한 제1성형용 금형(97)의 상측 금형(97A)과 동일한 구성이고, 제1성형 캐비티(101)와, 수용 캐비티(103)와, 제1벽부(105)를 구비한다. 하측 금형(121B)은, 제2성형용 금형(99)의 하측 금형(99B)과 동일한 구성이고, 제2성형 캐비티(109)와, 제2벽부(111)를 구비한다.
본 실시형태에 따른 제조 방법에서도, 회로 기판(13)의 제1평탄면(79)에 상측 금형(121A)의 제1대향면(107)을 전체 둘레에 걸쳐 겹치고, 회로 기판(13)의 제3평탄면(93)에 하측 금형(121B)의 제2대향면(113)을 전체 둘레에 걸쳐 겹친다. 이 때, 상측 금형(121A)의 제1대향면(107)은, 도 10에 기재된 경계선(L3)과 가상선(L4)에 끼워진 영역에서 제1평탄면(79)과 겹치도록 마련된다. 이 상태에서 제1성형 캐비티(101) 내, 제2성형 캐비티(109) 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 상측 몰딩 수지(17), 하측 몰딩 수지(19)를 성형한다.
도 13은 각 몰딩 수지(17, 19)의 성형 공정의 도중 상태에서의 도 10의 A-A선 단면을 나타내는 도면이다.
제1평탄면(79)은 랜드부(117)의 고리 모양의 면(117a)과 동일 평면이 되기 때문에, 상측 금형(121A)의 제1대향면(107)은, 제1평탄면(79)에 겹쳐질 때에 고리 모양의 면(117a)에도 겹쳐진다. 따라서, 상측 금형(121A)의 제1대향면(107)에 의해 제1스루홀(Th1)을 막을 수 있어, 하측 몰딩 수지(19)용의 용융 수지가 제2성형 캐비티(109) 내로부터 제1스루홀(Th1)을 통해 상측 금형(121A)의 수용 캐비티(103) 내로 새 나오는 것을 방지하면서, 각 몰딩 수지(17, 19)를 동시에 성형할 수 있다.
한편, 제2실시형태와 같이, 제1평탄면(79)을 도체 패턴에 의해 구성하는 경우, 그라운드 패턴(91)에 도통시키지 않고, 다른 도체 패턴에 도통되지 않고 분리하여 마련해도 좋다. 또한, 제3평탄면(93)도 마찬가지로, 도체 패턴에 의해 구성해도 좋다.
또한, 상술한 제1실시형태, 제2실시형태와 같이, 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정(S12)과 하측 몰딩 수지(19)의 성형 공정(S14)은, 그 순서는 특히 한정되지 않고, 어느 하나를 먼저 진행해도 좋고, 동시에 진행해도 좋다.
또한, 각 실시형태에 있어서, 센서 모듈(11)의 준비 공정(S10)에서는, 센서 소자(15)나 복수의 전자 부품(67)이 회로 기판(13)에 미리 실장된 센서 모듈(11)을 사용하는 예를 설명했다. 이 준비 공정(S10)에서는, 센서 소자(15)를 실장하기 위한 회로 기판(13)을 구비하는 센서 모듈(11)을 준비할 수 있으면 되고, 이 시점에서는 센서 소자(15)나 각 전자 부품(67)이 실장되어 있지 않아도 좋다. 또한, 센서 소자(15)를 회로 기판(13)에 실장하는 시점은, 각 몰딩 수지(17, 19)의 성형 공정(S12, S14) 사이여도 좋고, 이들의 종료 후여도 좋다. 또한, 복수의 전자 부품(67)을 회로 기판(13)에 실장하는 시점도, 특히 한정되지 않고, 상측 몰딩 수지(17)의 성형 공정(S12) 전이여도 좋다.
예를 들면, 센서 소자(15)나 복수의 전자 부품(67)이 실장되지 않은 회로 기판(13)을 준비하고(S10), 하측 몰딩 수지(19)를 성형하고(S14), 그 후에 센서 소자(15)나 각 전자 부품(67)을 회로 기판(13)에 실장한 후, 상측 몰딩 수지(17)를 성형해도 좋다(S12). 또한, 이 예에서 더 설명하면, 하측 몰딩 수지(19)의 성형후(S14), 센서 소자(15)를 실장하지 않고 각 전자 부품(67)을 회로 기판(13)에 실장하고, 상측 몰딩 수지(17)를 성형한 후(S12), 센서 소자(15)를 회로 기판(13)에 실장해도 좋다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은, 이상의 특정의 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형이 가능한 것은 물론이다.
센서 모듈(11)은 차량용 공조 장치에 사용되는 예를 설명했지만, 그 용도는 이에 한정되지 않는다. 또한, 센서 모듈(11)은, 유체 유로의 2군데를 흐르는 유체의 압력차를 검출하는 차압 센서로서 사용되는 예를 설명했지만, 유체 유로의 1군데를 흐르는 유체의 압력을 검출하는 압력 센서로서 사용되어도 좋다. 이 경우, 회로 기판(13)의 도입 구멍(35)을 형성하지 않고, 센서 소자(15)의 중공부(29) 내를 하측 압력실(39)로 마련해도 좋다. 이 경우, 센서 소자(15)의 중공부(29) 내를 진공 상태로 유지하면, 상측 압력실(37)의 압력과 진공압의 차압인 절대압을 센서 소자(15)에 의해 검출할 수 있다. 또한, 센서 소자(15)의 중공부(29) 내를 대기압으로 개방하면, 상측 압력실(37)의 압력과 대기압의 차압인 게이지 압력을 센서 소자(15)에 의해 검출할 수 있다. 또한, 센서 소자(15)의 상측 압력실(37) 내를 진공 상태로 유지해도 좋고, 대기압으로 개방해도 좋다.
센서 소자(15)는, 상측 압력실(37) 내의 제1유체와 하측 압력실(39) 내의 제2유체의 압력차를 수압 변위부(23)의 상측 수압면, 하측 수압면에 의해 받고, 수압 변위부(23)의 변위를 전기 신호로 출력할 수 있으면 된다. 센서 소자(15)는, 피에조 저항형 센서를 설명했지만, 그 외에도, 정전 용량형 센서, 실리콘 공진형 센서(silicon resonant sensor) 등이어도 좋다. IC칩(77)에 내장되는 신호 처리 회로는 센서 소자(15)에 내장되어도 좋다. 이 경우, IC칩(77)을 회로 기판(13)에 실장하지 않아도 좋다.
복수의 전자 부품(67)은 센서 실장면(21)에 실장되는 예를 설명했지만, 이들은 회로 기판(13)의 이면(41)에 실장되어도 좋다. 이 경우, 회로 기판(13)의 제2스루홀(Th2)이나 제3도체 패턴(P3)을 마련하지 않아도 좋다. 이 경우, 제1스루홀(Th1)과 전자 부품(67) 사이, 전자 부품(67)끼리의 사이, 전자 부품(67)과 외부 접속용 전극(51) 사이가 제2도체 패턴(P2)을 통해 도통된다. 어느 경우에도, 센서 소자(15)와 전자 부품(67)이나 외부 접속용 전극(51)은, 제1평탄면(79)이나 제3평탄면(93) 이외에 형성되는 도체 패턴(P1~P3)을 통해 도통된다. 이 도체 패턴(P1~P3)에는, 회로 기판(13)의 내부 또는 이면(41)에 형성되는 제2도체 패턴(P2)이 포함된다.
제1스루홀(Th1), 제2스루홀(Th2)은, 회로 기판(13)을 관통하는 관통 스루홀을 예로 설명했다. 회로 기판(13)이 다층 회로 기판인 경우, 각 스루홀(Th1, Th2)은 층간을 관통하는 비아홀로 구성되어도 좋다. 각 스루홀(Th1, Th2)이 비아홀로 구성되는 경우, 제2도체 패턴(P2)은, 회로 기판(13)의 이면이 아닌, 회로 기판(13)의 내층 표면, 즉, 회로 기판(13)의 내부에 형성되어도 좋다. 어느 경우에도, 제1스루홀(Th1)은 센서 실장면(21)으로 개구하게 된다.
제1스루홀(Th1)은 하측 몰딩 수지(19)에 의해 막는 예를 설명했지만, 하측 몰딩 수지(19)에 의해 막지 않고, 전기 절연성을 구비하는 솔더, 고무 재료, 겔 재료 등의 커버재에 의해 막도록 해도 좋다. 다만, 하측 몰딩 수지(19)에 의해 막는 경우, 커버재를 마련하기 위한 별도의 공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.
Th1: 스루홀(through hole)
11: 압력 센서 모듈
13: 회로 기판
15: 압력 센서 소자
17: 몰딩 수지
21: 센서 실장면
35: 도입 구멍
41: 이면
59: 노출 영역
61: 피복 영역
79: 제1평탄면
83: 제2평탄면
85: 노출 영역
87: 피복 영역
93: 제3평탄면
95: 제4평탄면
97: 제1성형용 금형
99: 제2성형용 금형

Claims (9)

  1. 유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈에 있어서,
    회로 기판;
    상기 회로 기판에 실장되는 압력 센서 소자; 및
    상기 회로 기판의 센서 실장면을 피복하는 제1몰딩 수지를 구비하고,
    상기 제1몰딩 수지는, 상기 압력 센서 소자의 주위에 있는 상기 센서 실장면의 일부를 노출시키도록 마련되고,
    상기 센서 실장면에는, 상기 제1몰딩 수지로부터의 노출 영역에 있어서, 상기 압력 센서 소자를 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면이 형성되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회로 기판은, 상기 제1평탄면의 내주측에 형성되고, 상기 센서 실장면에 개구되는 스루홀을 구비하고,
    상기 압력 센서 소자는, 상기 회로 기판의 이면 또는 내부에 형성되는 도체 패턴에 상기 스루홀을 통해 도통되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회로 기판의 이면을 피복하는 제2몰딩 수지를 더 구비하고,
    상기 스루홀은, 상기 센서 실장면에서 상기 회로 기판의 이면에 걸쳐 관통되고,
    상기 제2몰딩 수지는, 상기 회로 기판의 이면에서 상기 스루홀의 개구를 막도록 마련되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 스루홀은, 상기 센서 실장면측의 개구 주위에 형성되는 랜드부를 구비하고,
    상기 제1평탄면은, 상기 랜드부의 고리 모양의 면과 동일 평면이 되도록, 상기 센서 실장면에서 돌출되어 형성되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서 실장면에는, 상기 제1몰딩 수지에 의한 피복 영역에 있어서, 상기 제1평탄면을 고리 모양으로 둘러싸도록 제2평탄면이 형성되고,
    상기 제2평탄면은, 수지 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 이면을 피복하는 제2몰딩 수지를 더 구비하고,
    상기 회로 기판은, 상기 압력 센서 소자의 이면측에 도입 구멍이 형성되고,
    상기 제2몰딩 수지는, 상기 도입 구멍의 주위에 있는 상기 회로 기판의 이면의 일부를 노출시키도록 마련되고,
    상기 회로 기판의 이면에는, 상기 제2몰딩 수지로부터의 노출 영역에 있어서, 상기 도입 구멍을 고리 모양으로 둘러싸도록 제3평탄면이 형성되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 회로 기판의 이면에는, 상기 제2몰딩 수지에 의한 피복 영역에 있어서, 상기 제3평탄면을 고리 모양으로 둘러싸도록 제4평탄면이 형성되고,
    상기 제4평탄면은, 수지 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈.
  8. 유체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서 모듈의 제조 방법에 있어서,
    압력 센서 소자를 실장하기 위한 회로 기판을 구비하고, 상기 회로 기판의 센서 실장면에는, 상기 압력 센서 소자를 실장하기 위한 실장 위치를 고리 모양으로 둘러싸도록 제1평탄면이 형성되는 압력 센서 모듈을 준비하는 공정과,
    상기 압력 센서 소자의 실장 위치의 주위에 있는 상기 센서 실장면의 일부를 노출시키도록, 상기 센서 실장면을 피복하는 제1몰딩 수지를 성형하는 공정을 포함하고,
    상기 제1몰딩 수지의 성형 공정에서는, 상기 제1평탄면에 대해 제1성형용 금형의 대향면을 전체 둘레에 걸쳐 겹친 상태에서, 상기 제1성형용 금형 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 상기 제1몰딩 수지를 성형하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 준비 공정에서는, 상기 회로 기판은, 상기 압력 센서 소자의 실장 위치에 도입 구멍이 형성되고, 상기 회로 기판의 이면에는, 상기 도입 구멍을 고리 모양으로 둘러싸도록 제3평탄면이 형성되는 압력 센서 모듈을 준비하고,
    상기 도입 구멍의 주위에 있는 상기 회로 기판의 이면의 일부를 노출시키도록, 상기 이면을 피복하는 제2몰딩 수지를 성형하는 공정을 더 포함하고,
    상기 제2몰딩 수지의 성형 공정에서는, 상기 제3평탄면에 대해 제2성형용 금형의 대향면을 전체 둘레에 걸쳐 겹친 상태에서, 상기 제2성형용 금형 내에 용융 수지를 충전하여 경화시키는 것에 의해, 상기 제2몰딩 수지를 성형하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 모듈의 제조 방법.
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