KR20150144786A - Pickup device and pickup method for semiconductor die - Google Patents

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KR20150144786A KR1020157032955A KR20157032955A KR20150144786A KR 20150144786 A KR20150144786 A KR 20150144786A KR 1020157032955 A KR1020157032955 A KR 1020157032955A KR 20157032955 A KR20157032955 A KR 20157032955A KR 20150144786 A KR20150144786 A KR 20150144786A
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요시후미 카타야마
히로키 토요다
타케시 이시즈카
신스케 후쿠모토
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

다이싱 시트(12)를 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 스테이지(20)의 개구(23) 속에 배치되고, 선단면이 흡착면(22)보다 높은 제 1 위치와 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소(30)를 포함하고, 흡착면(22)에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구(300)와, 개구(23)의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제 2 압력(P2) 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구(80)를 구비하고, 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 개구 압력을 제 1 압력(P1)으로부터 제 2 압력(P2)으로 전환할 때마다 적어도 1개의 이동 요소(30)를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한다. 이것에 의해, 반도체 다이의 손상의 발생을 억제하여 효과적으로 반도체 다이를 픽업한다. A stage 20 disposed in the opening 23 of the stage 20 and having a tip end surface at a first position higher than the adsorption surface 22, A stepped surface forming mechanism (300) including a plurality of moving elements (30) moving between a first position and a second position lower than the first position and forming a stepped surface with respect to the adsorption surface (22) And an opening pressure switching mechanism (80) for switching the pressure between the first pressure (P 1 ) close to the vacuum and the second pressure (P 2 ) close to the atmospheric pressure. When picking up the semiconductor die (15) At least one moving element (30) is moved from the first position to the second position each time it switches from the first pressure (P 1 ) to the second pressure (P 2 ). As a result, damage to the semiconductor die is suppressed and the semiconductor die is effectively picked up.

Figure P1020157032955
Figure P1020157032955

Description

반도체 다이의 픽업 장치 및 픽업 방법{PICKUP DEVICE AND PICKUP METHOD FOR SEMICONDUCTOR DIE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a pick-

본 발명은 본딩 장치에 사용하는 반도체 다이의 픽업 장치의 구조 및 픽업 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure and a pickup method of a pickup device for a semiconductor die used in a bonding apparatus.

반도체 다이는 6인치나 8인치 크기의 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하여 제조된다. 절단 시에는 절단한 반도체 다이가 뿔뿔이 흩어지지 않도록, 이면에 다이싱 시트를 첩부하고, 표면측에서 다이싱 소 등에 의해 웨이퍼를 절단한다. 이때, 이면에 첩부된 다이싱 시트는 약간 베이지만 절단되지 않고 각 반도체 다이를 유지한 상태로 되어 있다. 그리고 절단된 각 반도체 다이는 하나씩 다이싱 시트로부터 픽업되어 다이본딩 등의 다음 공정으로 보내진다. The semiconductor die is manufactured by cutting a wafer having a size of 6 inches or 8 inches to a predetermined size. At the time of cutting, a dicing sheet is attached to the back surface of the semiconductor die so that the semiconductor die is not scattered, and the wafer is cut by a dicing saw or the like on the surface side. At this time, the dicing sheet pasted on the back surface is in a state in which each semiconductor die is held without being severed by only a slight beige. Each semiconductor die thus cut is picked up one by one from the dicing sheet and sent to the next process such as die bonding.

다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하는 방법으로서는 원판 형상의 흡착 부재의 표면에 다이싱 시트를 흡착시켜, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 흡착 부재의 중앙부에 배치된 밀어올림 블록으로 반도체 다이를 밀어올림과 아울러, 콜릿을 상승시켜, 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1의 도 9 내지 23 참조). 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리시킬 때는, 우선, 반도체 다이의 주변부를 박리시키고, 다음에 반도체 다이의 중앙부를 박리시키도록 하는 것이 효과적이므로, 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래 기술에서는, 밀어올림 블록을 반도체 다이의 주위의 부분을 밀어올리는 것과 반도체 다이의 중앙을 밀어올리는 것과, 그 중간을 밀어올리는 것 3개로 나누고, 최초에 3개의 블록을 소정의 높이까지 상승시킨 후, 중간과 중앙의 블록을 주변의 블록보다도 높게 상승시키고, 최후에 중앙의 블록을 중간의 블록보다도 높게 상승시키는 방법을 취하고 있다. As a method of picking up a semiconductor die from a dicing sheet, a dicing sheet is adsorbed on the surface of a disk-shaped adsorption member, and a semiconductor die is sandwiched by a push-up block disposed at the center of the adsorption member, A method of picking up a semiconductor die from a dicing sheet by raising a collet has been proposed (see, for example, Figs. 9 to 23 of Patent Document 1). When peeling the semiconductor die from the dicing sheet, it is effective to first peel off the peripheral portion of the semiconductor die, and then peel off the central portion of the semiconductor die. Thus, in the prior art described in Patent Document 1, To push up the center of the semiconductor die, to push up the middle of the semiconductor die, and to push up the middle of the semiconductor die. The three blocks are first raised to a predetermined height, A method is employed in which the central block is raised higher than the surrounding block and finally the central block is raised higher than the middle block.

또한 원판 형상의 이젝터 캡의 표면에 다이싱 시트를 흡착시켜, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 콜릿 및 주변, 중간, 중앙의 각 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다 높은 소정의 높이까지 상승시킨 후, 콜릿의 높이를 그대로의 높이로 하고, 주위의 밀어올림 블록, 중간의 밀어올림 블록의 순으로 밀어올림 블록을 이젝터 캡 표면보다도 아래의 위치까지 강하시켜 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리하는 방법도 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). Further, the dicing sheet is adsorbed to the surface of the ejector cap of the disk shape, and the collet and peripheral, intermediate, and central push-up blocks are raised to a predetermined height higher than the surface of the ejector cap The height of the collet is set to the same height, and the push-up block is lowered to a position lower than the ejector cap surface in the order of the peripheral push-up block and the middle push-up block in this order to peel the dicing sheet from the semiconductor die (See, for example, Patent Document 2).

특허문헌 1, 2에 기재된 방법으로 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리시키는 경우, 특허문헌 1의 도 40, 42, 44, 특허문헌 2의 도 4a 또는 4d, 도 5a 또는 5d에 기재되어 있는 바와 같이, 반도체 다이가 박리되기 전에, 반도체 다이가 다이싱 시트에 첩부된 채 다이싱 시트와 함께 굽힘 변형되는 경우가 있다. 반도체 다이가 굽힘 변형된 상태에서 다이싱 시트의 박리 동작을 계속하면, 반도체 다이가 파손되어 버리는 경우가 있으므로, 특허문헌 1의 도 31에 기재되어 있는 바와 같이, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡을 검출하고, 특허문헌 1의 도 43에 기재되어 있는 바와 같이, 흡기 유량이 검출된 경우에는, 반도체 다이가 변형되었다고 판단하여 밀어올림 블록을 일단 강하시킨 후, 다시 밀어올림 블록을 상승시키는 방법이 제안되어 있다. When the dicing sheet is peeled off from the semiconductor die by the method described in Patent Documents 1 and 2, as shown in Figs. 40, 42 and 44 of Patent Document 1, Figs. 4A and 4D and 5A and 5D of Patent Document 2 , The semiconductor die may be bent and deformed together with the dicing sheet while being attached to the dicing sheet before the semiconductor die is peeled off. If the peeling operation of the dicing sheet continues in the state where the semiconductor die is bent and deformed, the semiconductor die may be broken. Therefore, as shown in Fig. 31 of Patent Document 1, the change in the flow rate of the suction air from the collet As shown in Fig. 43 of Patent Document 1, when the intake flow rate is detected, it is determined that the semiconductor die is deformed, and the push-up block is once lowered, and then the push- A method of raising a block has been proposed.

일본 특허 제4945339호 공보Japanese Patent No. 4945339 미국 특허 제8092645호 명세서U.S. Patent No. 8092645

(발명의 개요)(Summary of the Invention)

(발명이 해결하고자 하는 과제)(Problems to be Solved by the Invention)

그런데, 최근, 반도체 다이는 대단히 얇아져 가고 있으며, 예를 들면, 20㎛ 정도의 것도 있다. 한편, 다이싱 시트의 두께는 100㎛ 정도이기 때문에, 다이싱 시트의 두께는 반도체 다이의 두께의 4∼5배나 되고 있다. 이러한 얇은 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리시키려고 하면, 다이싱 시트의 변형에 추종한 반도체 다이의 변형이 보다 현저하게 발생하기 쉬워져, 특허문헌 1, 2에 기재된 종래기술에서는, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업할 때에 반도체 다이가 손상되는 경우가 많아져 버린다고 하는 문제가 있었다. However, in recent years, the semiconductor die has become extremely thin, for example, there is also about 20 mu m. On the other hand, since the thickness of the dicing sheet is about 100 탆, the thickness of the dicing sheet is four to five times the thickness of the semiconductor die. If the thin semiconductor die is attempted to be peeled from the dicing sheet, the deformation of the semiconductor die following the deformation of the dicing sheet is more likely to occur. In the prior art described in Patent Documents 1 and 2, There has been a problem that the semiconductor die is often damaged when picking up the die.

그래서, 본 발명은 반도체 다이의 손상의 발생을 억제하여 효과적으로 반도체 다이를 픽업하는 것을 목적으로 한다. Therefore, the present invention aims at suppressing the occurrence of damage to the semiconductor die and effectively picking up the semiconductor die.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치는, 픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제 1 위치와 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와, 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구를 구비하고, 반도체 다이를 픽업할 때, 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환할 때마다 적어도 1개의 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하는 것을 특징으로 한다. A pickup device for a semiconductor die of the present invention includes a stage including a suction surface for picking up a back surface of a dicing sheet to which a semiconductor die to be picked up is attached to a surface, A stepped surface forming mechanism including a plurality of moving elements moving between a first position higher than the first position and a second position lower than the first position and forming a step difference surface with respect to the adsorption surface; And a second pressure close to the atmospheric pressure, wherein when the semiconductor die is picked up, each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure, 1 position to the second position.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하고, 반도체 다이를 픽업할 때, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 상태에서 개구 압력을 전환하는 것으로 해도 적합하다. In the pickup device of the semiconductor die of the present invention, there is provided a suction pressure switching mechanism for switching the suction pressure of the suction surface between a third pressure near the vacuum and a fourth pressure near the atmospheric pressure, It is also appropriate to switch the opening pressure in a state where the pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 반도체 다이를 픽업할 때, 흡착 압력을 제 3 압력으로 유지하여 개구 압력을 전환하는 것으로 해도 적합하다. In the pick-up apparatus of the semiconductor die of the present invention, when the semiconductor die is picked up, it is preferable that the opening pressure is switched by maintaining the suction pressure at the third pressure.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 반도체 다이를 픽업할 때, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 상태에서 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환한 후에 흡착 압력을 제 3 압력으로부터 제 4 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환할 때마다, 적어도 1개의 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하는 것으로 해도 적합하다. In the pick-up apparatus of the semiconductor die of the present invention, when the semiconductor die is picked up, after the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure while the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, It is preferable that at least one moving element is moved from the first position to the second position each time the opening pressure is switched from the third pressure to the fourth pressure and the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한 이동 요소의 선단면에 대향하는 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되었는지 아닌지를 검출하는 박리 검출 수단을 구비하고, 박리 검출 수단에 의해 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트로부터 박리되지 않은 것이 검출된 경우에, 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하지 않고, 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환한 후에 개구 압력을 다시 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하는 것으로 해도 적합하다. In the pick-up apparatus of the semiconductor die of the present invention, peeling detection means for detecting whether or not a part of the semiconductor die opposed to the front end face of the moving element moved from the first position to the second position is peeled off from the surface of the dicing sheet And when it is detected by the peeling detection means that a part of the semiconductor die is not separated from the dicing sheet, the moving element is moved from the first pressure to the second position without moving the moving element from the first position to the second position, It is also suitable to switch the opening pressure again from the second pressure to the first pressure after the pressure is switched.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고, 박리 검출 수단은 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는 박리되었다고 판단하고, 홀수로 된 경우에는 박리되지 않았다고 판단하는 것으로 해도 적합하다. In the pick-up apparatus of the semiconductor die of the present invention, there is provided a pick-up apparatus for picking up a semiconductor die, a pick-up mechanism connected to the collet for sucking air from the surface of the collet and a flow sensor for detecting the suction air flow rate of the pick- , The separation detecting means judges that the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor is peeled when the number of times that the differential signal obtained by differentiating the derivative signal exceeds the predetermined threshold value range is an even number, .

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트의 흡착면에 대한 접리 방향의 변위를 검출하는 시트 변위 검출 센서를 구비하고, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환했을 때, 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값 이하인 경우, 흡착 압력을 제 3 압력으로부터 제 4 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환한 후, 다시, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하고, 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트를 반도체칩으로부터 박리시키는 것으로 해도 적합하고, 시트 변위 검출 센서는 다이싱 시트에 대한 광투과율이 0%으로부터 30%인 영역의 파장의 광을 광원으로서 사용한 것으로 해도 적합하고, 0nm로부터 300nm의 단파장의 LED를 광원으로 하는 반사형 광파이버를 사용한 것으로 해도 적합하다. The pickup device for a semiconductor die of the present invention is provided with a sheet displacement detection sensor for detecting displacement in the direction of the wedge of the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism, When the sheet displacement detected by the sheet displacement detection sensor is equal to or less than a predetermined threshold value when the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a predetermined time elapses after the fourth pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, After the pressure is switched from the third pressure to the fourth pressure and the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure and again the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, Thereafter, the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure, and the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism The sheet displacement detection sensor is also suitable for use as a light source in a region where the light transmittance of the dicing sheet is in the range of 0% to 30% as a light source, It is also suitable to use a reflection type optical fiber using a light source as a light source.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 단차면 형성 기구는 중심에 배치된 주상 이동 요소와, 주상 이동 요소의 주위에 포개넣기 형상으로 배치된 복수의 환상 이동 요소와, 스테이지의 개구 속에서 흡착면에 따른 방향으로 이동하는 슬라이더를 포함하고, 각 환상 이동 요소는 슬라이더에 접하고, 슬라이더의 이동에 의해 각 환상 이동 요소를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동시키는 각 경사면을 구비하고 있고, 외주측의 환상 이동 요소의 경사면은 내주측의 환상 이동 요소의 경사면은 슬라이더가 이동했을 때, 외주측의 환상 이동 요소의 선단면이 내주측의 환상 이동 요소의 선단면보다 먼저 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하도록 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것으로 해도 적합하다. In the pickup device of the semiconductor die of the present invention, the stepped surface forming mechanism comprises a columnar moving element disposed at the center, a plurality of annular moving elements arranged in a superposed form around the columnar moving element, Each of the annular moving elements being in contact with the slider and having an inclined surface for moving the annular moving element between the first position and the second position by the movement of the slider, The inclined face of the ring-shaped moving element on the inner circumferential side is a slant face of the ring-shaped moving element on the inner circumferential side when the slider is moved so that the distal end face of the ring-shaped moving element on the outer circumferential side moves from the first position to the second position So as to move in the direction of movement of the slider.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에 있어서, 주상 이동 요소는 슬라이더에 접하고, 슬라이더의 이동에 의해 주상 이동 요소를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동시키는 경사면을 구비하고 있고, 이 경사면은, 슬라이더가 이동했을 때, 내주측의 환상 이동 요소의 선단면이 주상 이동 요소의 선단면보다도 먼저 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하도록, 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것으로 해도 적합하다. In the pickup device of the semiconductor die of the present invention, the columnar moving element has an inclined surface contacting the slider and moving the columnar moving element between the first position and the second position by the movement of the slider, It is preferable that the distal end face of the annular moving element on the inner circumferential side is arranged to move in the moving direction of the slider so as to move from the first position to the second position before the distal end face of the columnar moving element.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 장치에서, 단차면 형성 기구는 스테이지의 개구 속에서 흡착면을 따른 방향으로 이동하는 슬라이더와, 슬라이더의 이동 방향에 겹쳐서 배치된 복수의 판 형상 이동 요소를 포함하고, 각 판 형상 이동 요소는, 슬라이더에 접하고, 슬라이더의 이동에 의해 각 판 형상 이동 요소를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동시키는 각 경사면을 구비하고 있고, 각 판 형상 이동 요소의 각 경사면은 슬라이더의 이동 방향을 따라 각 판 형상 이동 요소가 제 1 위치로부터 제 2 위치로 차례로 이동하도록 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것으로 해도 적합하다. In the pickup device for a semiconductor die of the present invention, the stepped surface forming mechanism includes a slider moving in a direction along the attracting surface in the opening of the stage, and a plurality of plate-shaped moving elements stacked in the moving direction of the slider, The plate-like moving element has an inclined surface contacting the slider and moving each plate-shaped moving element between the first position and the second position by the movement of the slider, and each inclined surface of each plate- It is preferable that the plate-like moving elements are arranged to move in the moving direction of the slider so as to sequentially move from the first position to the second position along the moving direction.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 방법은 픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제 1 위치와 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하여 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와, 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구와, 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하는 반도체 다이의 픽업 장치를 준비하는 공정과, 단차면 형성 기구의 각 이동 요소의 각 선단면을 제 1 위치로 하고, 픽업하는 반도체 다이가 단차면 형성 기구의 단차면의 바로 위가 되도록 스테이지를 흡착면을 따른 방향으로 이동시키는 위치맞춤 공정과, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하여 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트를 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 박리 공정과, 흡착 압력을 제 3 압력으로 유지한 상태에서, 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환할 때마다 적어도 1개의 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하여 이 이동 요소의 선단면에 대향하는 반도체 다이의 일부를 다이싱 시트의 표면으로부터 박리하는 제 2 박리 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한 개구 압력 전환 기구는, 최초에 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하기 전에, 제 1 압력과 제 2 압력 사이에서 개구 압력을 전환하는 것으로 해도 적합하다. A pickup method of a semiconductor die according to the present invention is a pickup method of a semiconductor die, comprising: a stage including a pickup surface for picking up a back surface of a dicing sheet bonded to a surface; A stepped surface forming mechanism including a plurality of moving elements moving between a high first position and a second position lower than the first position to form a stepped surface with respect to the attracting surface; And an adsorption pressure switching mechanism for switching the adsorption pressure of the adsorption face between a third pressure close to the vacuum and a fourth pressure close to the atmospheric pressure, A step of preparing a pick-up device, a step of picking up the semiconductor die by setting the respective front end faces of the moving elements of the step difference forming mechanism to the first position, A step of moving the stage in a direction along the adsorption surface so that the stage is positioned just above the stepped surface of the stepped surface forming mechanism; and a step of shifting the adsorption pressure from the fourth pressure to the third pressure, A first peeling step of changing the second pressure to a first pressure so as to peel the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer surface of the stepped surface forming mechanism from the semiconductor chip; Moving at least one moving element from a first position to a second position each time the pressure is switched from the first pressure to the second pressure so that a part of the semiconductor die opposite the front end face of the moving element is moved from the surface of the dicing sheet And a second peeling step of peeling the peeling layer. It is also preferable that the opening pressure switching mechanism switches the opening pressure between the first pressure and the second pressure before initially moving the moving element from the first position to the second position.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 방법은 픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제 1 위치와 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와, 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구와, 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하는 반도체 다이의 픽업 장치를 준비하는 공정과, 단차면 형성 기구의 각 이동 요소의 각 선단면을 제 1 위치로 하고, 픽업하는 반도체 다이가 단차면 형성 기구의 단차면의 바로 위가 되도록 스테이지를 흡착면에 따른 방향으로 이동시키는 위치맞춤 공정과, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하여 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트를 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 박리 공정과, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 상태에서 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환한 후에 흡착 압력을 제 3 압력으로부터 제 4 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전활할 때마다, 적어도 1개의 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하여 이 이동 요소의 선단면에 대향하는 반도체 다이의 일부를 다이싱 시트의 표면으로부터 박리하는 제 3 박리 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한 개구 압력 전환 기구는, 최초에 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하기 전에, 제 1 압력과 제 2 압력 사이에서 개구 압력을 복수회 전환하는 것으로 해도 적합하다. A pickup method of a semiconductor die according to the present invention is a pickup method of a semiconductor die, comprising: a stage including a pickup surface for picking up a back surface of a dicing sheet bonded to a surface; A stepped surface forming mechanism including a plurality of moving elements moving between a high first position and a second position lower than the first position and forming a stepped surface with respect to the attracting surface; And an adsorption pressure switching mechanism for switching the adsorption pressure of the adsorption face between a third pressure close to the vacuum and a fourth pressure close to the atmospheric pressure, A step of preparing a pick-up device, a step of picking up the semiconductor die by setting the respective front end faces of the moving elements of the step difference forming mechanism to the first position, A step of moving the stage in a direction along the adsorption surface so that the stage is positioned just above the stepped surface of the stepped surface forming mechanism; and a step of shifting the adsorption pressure from the fourth pressure to the third pressure, A first peeling step of switching the second pressure to the first pressure to peel the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer surface of the stepped surface forming mechanism from the semiconductor chip, , The opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure, the adsorption pressure is changed from the third pressure to the fourth pressure, and each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure, at least one Moving a moving element from a first position to a second position to disengage a portion of the semiconductor die opposite the leading end face of the moving element, And a third peeling step of peeling off from the surface of the substrate. It is also preferable that the opening pressure switching mechanism switches the opening pressure plural times between the first pressure and the second pressure before initially moving the moving element from the first position to the second position.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 방법에 있어서, 반도체 다이의 픽업 장치는 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트의 흡착면에 대한 접리 방향의 변위를 검출하는 시트 변위 검출 센서를 구비하고, 제 1 박리 공정은, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후에 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환했을 때, 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값을 초과하는 경우에는, 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트가 반도체칩으로부터 박리되었다고 판단하고, 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값 이하인 경우에는, 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트가 반도체칩으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 1 박리 판단 공정과, 제 1 판단 공정에서 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트가 반도체칩으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 흡착 압력을 제 3 압력으로부터 제 4 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환한 후, 다시, 흡착 압력을 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환한 후에 소정의 시간 경과 후에 개구 압력을 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하고, 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 다이싱 시트를 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 리트라이 공정을 포함하는 것으로 해도 적합하다. 또한 시트 변위 검출 센서는 다이싱 시트에 대한 광투과율이 0% 내지 30%인 영역의 파장의 광을 광원으로서 사용한 것으로 해도 적합하고, 0nm 내지 300nm의 단파장의 LED를 광원으로 하는 반사형 광파이버를 사용한 것으로 해도 적합하다. In the pickup method of the semiconductor die of the present invention, the pick-up device of the semiconductor die includes a sheet displacement detection sensor for detecting displacement in the direction of the wedge of the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the step difference forming mechanism, And the first peeling step is a step in which when the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a lapse of a predetermined time after the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, When the sheet displacement exceeds a predetermined threshold value, it is judged that the dicing sheet between the opening inner surface of the stage and the outer peripheral surface of the step difference forming mechanism is peeled off from the semiconductor chip, and the sheet displacement detected by the sheet displacement detecting sensor The dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism is a semiconductor In the case where it is determined that the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism has not been peeled off from the semiconductor chip in the first determining step, To the fourth pressure, and after switching the opening pressure from the first pressure to the second pressure, again after the lapse of a predetermined time after the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, And a first retry step of switching from the pressure to the first pressure and separating the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism from the semiconductor chip. Further, the sheet displacement detection sensor may be suitably used as a light source in which light having a wavelength in the range of 0% to 30% of light transmittance to the dicing sheet is used as the light source, and a reflection type optical fiber using an LED having a short wavelength of 0 to 300 nm as a light source is used .

본 발명의 반도체 다이의 픽업 방법에 있어서, 반도체 픽업 장치는 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고,In the semiconductor die pick-up method of the present invention, the semiconductor pick-up apparatus includes a collet for picking up a semiconductor die, a suction mechanism for connecting the collet to suction air from the surface of the collet, And,

제 2 박리 공정은, 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는, 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한 이동 요소의 선단면에 대향하는 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되었다고 판단하고, 횟수가 홀수로 된 경우에는 반도체 다이의 일부는 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 2 박리 판단 공정과, 제 2 박리 판단 공정에 의해, 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하지 않고, 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환한 후에 개구 압력을, 다시, 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하고, 반도체 다이의 일부를 다이싱 시트의 표면으로부터 박리시키는 제 2 리트라이 공정를 포함하는 것으로 해도 적합하다. In the second peeling step, when the number of times that the differential signal obtained by differentiating the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor exceeds the predetermined threshold value range is an even number, the second peeling step moves the moving element moved from the first position to the second position A second peeling determination step of determining that a part of the semiconductor die opposed to the front end face is peeled from the surface of the dicing sheet and that a part of the semiconductor die is not peeled from the surface of the dicing sheet when the number of times is odd , And the second peeling determination step determines that the part of the semiconductor die is not peeled off from the surface of the dicing sheet, the moving element is not moved from the first position to the second position, After switching to the second pressure, the opening pressure is again switched from the second pressure to the first pressure, And a second retry step of peeling off from the surface of the substrate.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 방법에 있어서, 반도체 픽업 장치는 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고, 제 3 박리 공정은, 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는, 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한 이동 요소의 선단면에 대향하는 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되었다고 판단하고, 횟수가 홀수인 경우에는 반도체 다이의 일부는 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 3 박리 판단 공정과, 제 3 박리 판단 공정에 의해, 반도체 다이의 일부가 다이싱 시트의 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 이동 요소를 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하지 않고 흡착 압력을 제 3 압력으로부터 제 4 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을 제 1 압력으로부터 제 2 압력으로 전환한 후에 흡착 압력을 다시 제 4 압력으로부터 제 3 압력으로 전환함과 아울러 개구 압력을, 다시, 제 2 압력으로부터 제 1 압력으로 전환하고, 반도체 다이의 일부를 다이싱 시트의 표면으로부터 박리시키는 제 3 리트라이 공정을 포함하는 것으로 해도 적합하다. In the semiconductor die pick-up method of the present invention, the semiconductor pick-up apparatus includes a collet for picking up a semiconductor die, a suction mechanism for connecting the collet to suction air from the surface of the collet, And the third peeling step is a step of shifting the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor from the first position to the second position when the number of times that the differential signal obtained by differentiating the suction air flow rate signal exceeds the predetermined threshold value range is an even number, It is judged that a part of the semiconductor die opposed to the front end face of one moving element is peeled from the surface of the dicing sheet, and when the number of times is odd, a part of the semiconductor die is judged as not peeling from the surface of the dicing sheet. By the judging step and the third delamination judging step, a part of the semiconductor die is not peeled from the surface of the dicing sheet The adsorption pressure is switched from the third pressure to the fourth pressure without moving the moving element from the first position to the second position, and the adsorption pressure is changed from the first pressure to the second pressure after switching the opening pressure from the first position to the second position. And a third retry step of switching the fourth pressure from the fourth pressure to the third pressure and again switching the opening pressure from the second pressure to the first pressure and separating a part of the semiconductor die from the surface of the dicing sheet .

본 발명은 반도체 다이의 손상의 발생을 억제하여 효과적으로 반도체 다이를 픽업할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to obtain an effect that the semiconductor die can be effectively picked up by suppressing the damage of the semiconductor die.

도 1은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 계통 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 스테이지를 도시하는 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 단차면 형성 기구의 이동 요소를 도시하는 사시도이다.
도 3b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 단차면 형성 기구의 이동 요소를 도시하는 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 단차면 형성 기구를 도시하는 측면도이다.
도 4b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 슬라이더와 이동 요소의 직선 캠면을 나타내는 설명도이다.
도 5는 다이싱 시트에 첩부된 웨이퍼를 나타내는 설명도이다.
도 6은 다이싱 시트에 첩부된 반도체 다이를 나타내는 설명도이다.
도 7a는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 7b는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 입면도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 20a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 콜릿 높이의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 20b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 중간 환상 이동 요소 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 20c는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 주변 환상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 20d는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 스테이지의 흡착 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 20e는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 20f는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 21a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 박리 판단 공정의 동작 시의 박리 성공 시의 콜릿 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 21b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 박리 판단 공정의 동작 시의 박리 성공 시의 콜릿 공기 리크량의 미분값의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 21c는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 박리 판단 공정의 동작 시의 박리 불성공 시의 콜릿 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 21d는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 박리 판단 공정의 동작 시의 박리 불성공 시의 콜릿 공기 리크량의 미분값의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 콜릿 높이의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 중간 환상 이동 요소 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22c는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 주변 환상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22d는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 스테이지의 흡착 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22e는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 22f는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23a는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 콜릿 높이의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23b는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 중간 환상 이동 요소 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23c는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 주변 환상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23d는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 스테이지의 흡착 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23e는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 23f는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 다른 동작 시의 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 24는 본 발명의 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 스테이지와 단차면 형성 기구의 다른 이동 요소를 도시하는 사시도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 스테이지와 단차면 형성 기구의 이동 요소를 도시하는 사시도이다.
도 26은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 28은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 29는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 30은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 31은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 33은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 34는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 35는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 36은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 37은 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 38a는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 콜릿 높이의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38b는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 제 1 판 형상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38c는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 제 2 판 형상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38d는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 제 3 판 형상 이동 요소의 위치의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38e는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 스테이지의 흡착 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38f는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 38g는 본 발명의 다른 실시형태에서의 반도체 다이의 픽업 장치의 동작 시의 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view showing a system configuration of a pickup device of a semiconductor die in an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a perspective view showing a stage of a pickup device of a semiconductor die in an embodiment of the present invention.
3A is a perspective view showing a moving element of a stepped surface forming mechanism of a pickup device of a semiconductor die in an embodiment of the present invention.
Fig. 3B is a perspective view showing a moving element of the stepped surface forming mechanism of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
4A is a side view showing a stepped surface forming mechanism of a pickup device of a semiconductor die in an embodiment of the present invention.
4B is an explanatory view showing a slider of a pick-up device of a semiconductor die and a linear cam face of a moving element in the embodiment of the present invention.
5 is an explanatory diagram showing a wafer affixed to a dicing sheet.
6 is an explanatory view showing a semiconductor die affixed to a dicing sheet.
7A is a plan view showing a configuration of the wafer holder.
Fig. 7B is an elevational view showing the configuration of the wafer holder. Fig.
8 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
Fig. 9 is an explanatory view showing the operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
10 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
11 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
12 is an explanatory diagram showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
13 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
Fig. 14 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
15 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
16 is an explanatory view showing the operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
17 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
18 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
Fig. 19 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
20A is a graph showing changes in height of the collet during operation of the pickup apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
Fig. 20B is a graph showing a temporal change of the position of the intermediate annular moving element during operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 20C is a graph showing the change over time of the position of the peripheral annular moving element in the operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 20D is a graph showing a change over time of the adsorption pressure of the stage at the time of operation of the pickup apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
20E is a graph showing a change over time of the opening pressure at the time of operation of the pickup apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
Fig. 20F is a graph showing the change over time of the air leakage amount of the collet at the time of operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
21A is a graph showing changes in the leakage amount of the collet air at the time of the peeling success in the operation of the peeling determination step of the pickup apparatus of the semiconductor die according to the embodiment of the present invention.
FIG. 21B is a graph showing the time variation of the differential value of the collet air leak amount at the time of the peeling success in the operation of the peeling determination step of the pickup apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 21C is a graph showing a change over time in the amount of leakage of the collet air during peeling failure during operation of the peeling determination step of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
FIG. 21D is a graph showing a time variation of the differential value of the collet air leak amount at the time of peeling failure during operation of the peeling determination step of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. FIG.
22A is a graph showing changes in height of a collet during different operations of a pick-up apparatus for a semiconductor die according to an embodiment of the present invention.
FIG. 22B is a graph showing a temporal change of the position of the intermediate annular moving element in another operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. FIG.
22C is a graph showing a temporal change in the position of the peripheral annular moving element in another operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
22D is a graph showing changes over time in the adsorption pressure of the stage in another operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
22E is a graph showing the temporal change of the opening pressure in another operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention.
FIG. 22F is a graph showing the change over time of the air leak amount of the collet during another operation of the pickup apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. FIG.
23A is a graph showing changes in height of the collet during different operations of the pick-up apparatus of the semiconductor die according to the embodiment of the present invention.
FIG. 23B is a graph showing the temporal change of the position of the intermediate annular moving element in another operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 23C is a graph showing a temporal change in the position of the peripheral annular moving element in another operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 23D is a graph showing the change over time of the adsorption pressure of the stage in another operation of the pick-up apparatus of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 23E is a graph showing the temporal change of the opening pressure in another operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 23F is a graph showing the change over time of the air leak amount of the collet during another operation of the pickup device of the semiconductor die in the embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 24 is a perspective view showing a stage of a pick-up apparatus of a semiconductor die and another moving element of a step difference surface forming mechanism in the embodiment of the present invention. Fig.
25 is a perspective view showing a stage of a pick-up apparatus of a semiconductor die and a moving element of a step difference surface forming mechanism according to another embodiment of the present invention.
26 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
Fig. 27 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
28 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
29 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
30 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
31 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
32 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
Fig. 33 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
34 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
Fig. 35 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
36 is an explanatory view showing the operation of the pick-up device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
37 is an explanatory view showing the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention.
FIG. 38A is a graph showing changes in height of the collet during operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 38B is a graph showing a change over time of the position of the first plate-shaped moving element in the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 38C is a graph showing the change over time of the position of the second plate-shaped moving element in the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 38D is a graph showing the change over time of the position of the third plate-shaped moving element in the operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 38E is a graph showing a change over time of the adsorption pressure of the stage during operation of the pickup apparatus of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. Fig.
FIG. 38F is a graph showing a change over time of the opening pressure during operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 38G is a graph showing the change over time of the air leak amount of the collet during operation of the pickup device of the semiconductor die in another embodiment of the present invention. FIG.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태의 반도체 다이의 픽업 장치에 대해 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 장치(500)는 반도체 다이(15)가 표면(12a)에 첩부된 다이싱 시트(12)를 유지하고, 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 홀더(10)와, 웨이퍼 홀더(10)의 하면에 배치되어, 다이싱 시트(12)의 이면(12b)을 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)에 설치된 개구(23) 속에 배치되는 복수의 이동 요소(30)와, 흡착면(22)에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구(300)와, 반도체 다이(15)를 픽업하는 콜릿(18)과, 스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 전환하는 개구 압력 전환 기구(80)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 전환하는 흡착 압력 전환 기구(90)와, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)와, 진공 장치(140)와, 웨이퍼 홀더(10)를 수평 방향으로 구동하는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)와, 스테이지(20)를 상하 방향으로 구동하는 스테이지 상하 방향 구동부(120)와, 콜릿(18)을 상하 좌우 방향으로 구동하는 콜릿 구동부(130)와, 반도체 다이의 픽업 장치(500)의 구동 제어를 행하는 제어부(150)를 구비하고 있다. Hereinafter, a pickup device for a semiconductor die according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in Fig. 1, the pick-up apparatus 500 of the semiconductor die according to the present embodiment holds the dicing sheet 12 in which the semiconductor die 15 is attached to the surface 12a, A stage 20 including a holder 10 and a suction surface 22 disposed on the lower surface of the wafer holder 10 for suctioning the back surface 12b of the dicing sheet 12; A plurality of moving elements 30 disposed in an opening 23 provided in the adsorption surface 22, a stepped surface forming mechanism 300 forming a stepped surface with respect to the adsorption surface 22, An opening pressure switching mechanism 80 for switching the pressure of the opening 23 of the stage 20 and a suction pressure switching mechanism for switching the suction pressure of the suction surface 22 of the stage 20, A suction mechanism 100 for sucking air from the surface 18a of the collet 18, a vacuum device 140, and the wafer holder 10 in the horizontal direction A stage vertical driving part 120 for vertically driving the stage 20; a collet driving part 130 for driving the collet 18 in the vertical and horizontal directions; And a control unit 150 for controlling the driving of the pick-up device 500.

단차면 형성 기구(300)는 스테이지(20)의 상부의 기체부(24) 속에 수납되고, 하부의 구동부(25)에 배치된 모터(77)에 의해 구동된다. 단차면 형성 기구(300)는 모터(77)의 축(76)에 접속된 타원 형상의 캠(75)과, 캠(75)에 접하는 캠 폴로워(74)에 접속되어 상하 방향으로 구동되는 구동 봉(73)과, 구동 봉(73)에 접속된 L자 형상의 상하 방향 구동 부재(70)와, 상하 방향 구동 부재(70)에 스프링(58)을 통하여 접속된 판 부재(57)와, 판 부재(57)의 상측에 접속된 피스톤(56)과, 피스톤(56)의 상면에 부착된 플랜지(55)와, 플랜지(55) 위에 부착된 가이드 레일(54)과, 가이드 레일(54)에 가이드되어 스테이지(20)의 상측 내부(28)에서 수평 방향으로 이동하여 복수의 이동 요소(30)를 상하 방향으로 이동하는 슬라이더(51)와, L자 형상의 링크 부재(60)를 구비하고 있다. 링크 부재(60)는 구부러진 부분의 중심이 판 부재(57)에 설치된 핀(59)에 회전 자유롭게 부착되고, 하측의 단부에 부착된 핀(63)이 상하 방향 구동 부재(70)의 암(71)에 설치된 홈(72)에 걸어 맞추어져 있다. 또한 링크 부재(60)의 상측에 설치된 U자형의 홈(62)은 슬라이더(51)의 핀(53)에 걸어 맞추어져 있다. 또한 플랜지(55)는 스테이지(20)의 하측 내부(29)의 단차부(29a)에 걸어맞춤 가능하다. The stage surface forming mechanism 300 is accommodated in the base portion 24 at the upper portion of the stage 20 and is driven by the motor 77 disposed in the lower driving portion 25. [ The stepped surface forming mechanism 300 includes an elliptical cam 75 connected to the shaft 76 of the motor 77 and a cam follower 74 connected to the cam follower 74 contacting the cam 75, A rod 73 connected to the driving rod 73 and an L-shaped vertical driving member 70 connected to the driving rod 73; a plate member 57 connected to the vertical driving member 70 via a spring 58; A flange 55 attached to the upper surface of the piston 56, a guide rail 54 attached on the flange 55, a guide rail 54 attached to the guide rail 54, A slider 51 which is guided by the upper portion 28 of the stage 20 and moves horizontally in the upper side 28 of the stage 20 to move the plurality of moving elements 30 in the vertical direction and an L- have. The link member 60 is configured such that the center of the bent portion is rotatably attached to the pin 59 provided on the plate member 57 and the pin 63 attached to the lower end of the link member 60 is engaged with the arm 71 (Not shown). The U-shaped groove 62 provided on the upper side of the link member 60 is engaged with the pin 53 of the slider 51. The flange 55 is also engageable with the stepped portion 29a of the lower inside 29 of the stage 20.

단차면 형성 기구(300)에서, 구동부(25)의 모터(77)가 도 1에 나타내는 화살표(a)와 같이 반시계 방향으로 회전하면, 캠(75)도 화살표(a)로 나타내는 바와 같이 반시계 방향으로 회전하고, 캠(75)에 접하는 캠 폴로워(74)가 부착되어 있는 구동 봉(73)이 상방향으로 이동한다. 이것에 의해, 상하 방향 구동 부재(70)는 상방향으로 이동하여 플랜지(55)를 단차부(29a)에 밀어붙임과 아울러, 상하 방향 구동 부재(70)의 암(71)이 링크 부재(60)의 하측의 핀(63)을 밀어올린다. 가이드 레일(54)이 부착되어 있는 플랜지(55)는, 스테이지(20)의 내부의 단차부(29a)에 밀어붙여져 상하 방향으로 이동하지 않기 때문에, 링크 부재(60)는, 도 1의 화살표(c)로 나타내는 바와 같이, 판 부재(57)의 핀(59)의 주위로 시계방향으로 회전하고, 선단의 홈(62)은 슬라이더(51)의 핀(53)을 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 흡착면(22)을 따라 우측 방향으로 슬라이드 시킨다. 슬라이더(51)가 화살표(a)의 방향으로 이동하면, 복수의 이동 요소(30)의 각 선단면이 도 1에 도시하는 화살표(e)와 같이 하측으로 이동한다. 이동 요소(30)의 상세에 대해서는 뒤에서 설명한다. When the motor 77 of the driving unit 25 rotates in the counterclockwise direction as shown by an arrow a in Fig. 1 in the stepped surface forming mechanism 300, the cam 75 is also rotated half And the driving rod 73 attached with the cam follower 74 contacting the cam 75 moves in the upward direction. The vertical drive member 70 moves upward to push the flange 55 against the stepped portion 29a and the arm 71 of the vertical drive member 70 pushes the link member 60 The lower pin 63 is pushed up. The flange 55 to which the guide rail 54 is attached is pushed against the stepped portion 29a of the stage 20 and does not move in the vertical direction. the pin 59 of the slider 51 is rotated in the clockwise direction about the pin 59 of the plate member 57 as indicated by an arrow c in FIG. and is slid to the right along the adsorption surface 22 as shown in FIG. When the slider 51 moves in the direction of arrow a, the respective end faces of the plurality of moving elements 30 move downward as shown by the arrow e in Fig. Details of the moving element 30 will be described later.

스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 전환하는 개구 압력 전환 기구(80)는 3방향 밸브(81)와, 3방향 밸브(81)의 개폐 구동을 행하는 구동부(82)를 구비하고 있다. 3방향 밸브(81)는 3개의 포트를 갖고, 제 1 포트는 스테이지(20)의 개구(23)와 연통하고 있는 기체부(24)와 배관(83)으로 접속되고, 제 2 포트는 진공 장치(140)와 배관(84)으로 접속되고, 제 3 포트는 대기 개방의 배관(85)과 접속되어 있다. 구동부(82)는 제 1 포트와 제 2 포트를 연통시키고 제 3 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 하거나, 제 1 포트와 제 3 포트를 연통시키고 제 2 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로 하거나 함으로써, 개구(23)의 압력을 제 1 압력(P1)과 제 2 압력(P2) 사이에서 전환한다. The opening pressure switching mechanism 80 for switching the pressure of the opening 23 of the stage 20 includes a three-way valve 81 and a drive unit 82 for opening and closing the three-way valve 81. The three-way valve 81 has three ports. The first port is connected to the base portion 24 communicating with the opening 23 of the stage 20 via a pipe 83, And the third port is connected to the pipe 85 at the air opening. The driving unit 82 communicates the first port with the second port and cuts off the third port to make the pressure of the opening 23 a first pressure P 1 close to the vacuum or the first port and the third port The pressure of the opening 23 is divided into the first pressure P 1 and the second pressure P 2 by closing the second port and setting the pressure of the opening 23 to the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure, 2 ).

스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 전환하는 흡착 압력 전환 기구(90)는 개구 압력 전환 기구(80)와 마찬가지로, 3개의 포트를 갖는 3방향 밸브(91)와, 3방향 밸브(91)의 개폐 구동을 행하는 구동부(92)를 구비하고, 제 1 포트는 스테이지(20)의 홈(26)에 연통하는 흡착 구멍(27)과 배관(93)으로 접속되고, 제 2 포트는 진공 장치(140)와 배관(94)으로 접속되고, 제 3 포트는 대기 개방의 배관(95)과 접속되어 있다. 구동부(92)는 제 1 포트와 제 2 포트를 연통시키고 제 3 포트를 차단하여, 홈(26) 또는 흡착면(22)의 압력을 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 하거나, 제 1 포트와 제 3 포트를 연통시키고 제 2 포트를 차단하여, 홈(26) 또는 흡착면(22)의 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로 하거나 함으로써, 홈(26) 또는 흡착면(22)의 압력을 제 3 압력(P3)과 제 4 압력(P4) 사이에서 전환한다. The adsorption pressure switching mechanism 90 for switching the adsorption pressure of the adsorption surface 22 of the stage 20 includes a three way valve 91 having three ports and a three way valve 91 similar to the opening pressure switching mechanism 80, The first port is connected to the suction hole 27 communicating with the groove 26 of the stage 20 through the pipe 93 and the second port is connected to the suction port Is connected to the vacuum device (140) and the pipe (94), and the third port is connected to the pipe (95) of the atmosphere. The driving unit 92 connects the first port and the second port and cuts off the third port so that the pressure of the groove 26 or the adsorption surface 22 is set to a third pressure P 3 close to the vacuum, The groove 26 or the adsorption surface 22 can be formed by making the port and the third port communicate and shutting off the second port and setting the pressure of the groove 26 or the adsorption surface 22 to the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure. 22 is switched between the third pressure (P 3 ) and the fourth pressure (P 4 ).

콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)는 개구 압력 전환 기구(80)와 마찬가지로, 3개의 포트를 갖는 3방향 밸브(101)와, 3방향 밸브(101)의 개폐 구동을 행하는 구동부(102)를 구비하고, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)을 통하여 표면(18a)으로부터 공기를 흡입하여 콜릿(18)의 표면(18a)을 진공으로 한다. 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 3방향 밸브(101) 사이를 접속하는 배관(103)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 진공 장치(140)에 흡인되는 공기 유량을 검출하는 유량 센서(106)가 부착되어 있다. The suction mechanism 100 for sucking air from the surface 18a of the collet 18 includes a three-way valve 101 having three ports as in the opening pressure switching mechanism 80, And a driving unit 102 for performing opening and closing operations and sucking air from the surface 18a through the suction holes 19 of the collet 18 to make the surface 18a of the collet 18 vacuum. A pipe 103 connecting between the suction hole 19 of the collet 18 and the three-way valve 101 is provided with an air flow rate detecting device for detecting the air flow rate sucked from the surface 18a of the collet 18 to the vacuum device 140 And a flow rate sensor 106 is attached.

웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130)는, 예를 들면, 내부에 설치한 모터와 기어에 의해 웨이퍼 홀더(10), 스테이지(20), 콜릿(18)을 수평 방향, 또는 상하 방향 등으로 구동하는 것이다. 또한 도 1 및 도 4a에 도시하는 바와 같이, 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33) 간극(d)에는, 다이싱 시트(12)의 흡착면(22)에 대한 접리 방향의 변위를 검출하는 시트 변위 검출 센서(107)가 부착되어 있다. 시트 변위 검출 센서(107)의 광원으로부터 조사되는 조사광은 다이싱 시트, 다이싱 시트와 다이 사이에 존재하는 다이 어태치 필름 및 다이 어태치 필름의 접착제층의 품질에 영향을 주지 않는 반사율이 높은 광, 예를 들면, 다이싱 시트의 광투과율이 0% 내지 30%가 되는 단파장의 0nm 내지 300nm의 광이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100nm 내지 300nm의 광이 좋고, 가장 바람직하게는 200nm 내지 300nm의 LED 또는 청색 LED를 광원으로 하는 반사형 광파이버를 사용한 것이 좋다. 또한 본 실시형태에서는 반사형 광파이버를 사용한 것을 예시했지만, 다이싱 시트에 대한 반사율이 높은 광을 출력할 수 있으면 다른 형식의 센서를 사용할 수 있다. The wafer holder horizontal drive part 110, the stage vertical drive part 120 and the collet drive part 130 are driven by a motor and a gear provided inside the wafer holder 10, the stage 20, 18 in a horizontal direction, a vertical direction, or the like. 1 and 4A, the gap d between the inner surface 23a of the opening 23 of the stage 20 and the outer circumferential surface 33 of the moving element 30 is set so as to satisfy the following condition A sheet displacement detection sensor 107 for detecting a displacement in the direction of the wedge with respect to the adsorption surface 22 is attached. The irradiated light irradiated from the light source of the sheet displacement detection sensor 107 has a high reflectance which does not affect the quality of the adhesive layer of the dicing sheet, the die attach film and the die attach film existing between the dicing sheet and the die Light, for example, a light of a short wavelength of 0 to 300 nm in which the light transmittance of the dicing sheet is 0% to 30% is preferable, more preferably a light of 100 to 300 nm is preferable, and 200 to 300 nm Of LED or blue LED as a light source. In the present embodiment, a reflection type optical fiber is used, but other types of sensors can be used as long as it can output light having a high reflectivity to the dicing sheet.

제어부(150)는 연산 처리를 행하는 CPU(151)와, 기억부(152)와, 기기·센서 인터페이스(153)를 포함하고, CPU(151)와 기억부(152)와 기기·센서 인터페이스(153)는 데이터 버스(154)로 접속되어 있는 컴퓨터이다. 기억부(152) 중에는, 제어 프로그램(155), 제어 데이터(156), 위치맞춤 프로그램(157), 제 1 박리 프로그램(158), 제 2 박리 프로그램(159), 제 3 박리 프로그램(160)이 저장되어 있다. The control unit 150 includes a CPU 151 that performs computation processing, a storage unit 152 and a device / sensor interface 153, and includes a CPU 151, a storage unit 152, a device / sensor interface 153 Is a computer connected to the data bus 154. [ The control program 155, the control data 156, the positioning program 157, the first peeling program 158, the second peeling program 159 and the third peeling program 160 are stored in the storage unit 152 Is stored.

개구 압력 전환 기구(80), 흡착 압력 전환 기구(90), 흡인 기구(100)의 각 3방향 밸브(81, 91, 101)의 각 구동부(82, 92, 102) 및 단차면 형성 기구(300)의 모터(77), 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130), 진공 장치(140)는 각각 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되어 제어부(150)의 지령에 의해 구동된다. 또한 유량 센서(106), 시트 변위 검출 센서(107)는 각각 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 검출 신호는 제어부(150)에 받아들여져 처리된다. 92, and 102 of the three-way valves 81, 91, and 101 of the suction opening / closing mechanism 80, the suction pressure switching mechanism 90, and the suction mechanism 100 and the stepped surface forming mechanism 300 The motor 77 of the wafer holder horizontal direction driving unit 110, the stage vertical driving unit 120, the collet driving unit 130 and the vacuum apparatus 140 are connected to the device / sensor interface 153, respectively, ). The flow sensor 106 and the sheet displacement detection sensor 107 are connected to the device / sensor interface 153, respectively, and the detection signal is received by the control unit 150 and processed.

다음에 도 2 내지 4를 참조하면서, 스테이지(20)의 흡착면(22)과, 이동 요소(30)의 상세에 대해 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 스테이지(20)는 원통형이며, 상면에는 평면 형상의 흡착면(22)이 형성되어 있다. 흡착면(22)의 중앙에는 사각의 개구(23)가 설치되고, 개구(23)에는 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같은 이동 요소(30)가 부착되어 있다. 도 4a에 도시하는 바와 같이, 개구(23)와 이동 요소(30)의 외주면(33) 사이에는 간극(d)이 설치되어 있다. 개구(23)의 주위에는 홈(26)이 개구(23)를 둘러싸도록 이중으로 설치되어 있다. 각 홈(26)에는 흡착 구멍(27)이 설치되어 있고, 각 흡착 구멍(27)은 흡착 압력 전환 기구(90)에 접속되어 있다. Next, details of the attraction surface 22 of the stage 20 and the moving element 30 will be described with reference to Figs. 2 to 4. Fig. As shown in Fig. 2, the stage 20 has a cylindrical shape, and a planar adsorption surface 22 is formed on its upper surface. A square opening 23 is provided at the center of the adsorption surface 22 and a moving element 30 as shown in Figs. 3 and 4 is attached to the opening 23. Fig. A gap d is provided between the opening 23 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30 as shown in Fig. A groove 26 is provided around the opening 23 so as to surround the opening 23. Each of the grooves 26 is provided with a suction hole 27, and each suction hole 27 is connected to the suction pressure switching mechanism 90.

도 3a에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(30)는 중앙에 배치된 주상 이동 요소(45)와, 주상 이동 요소(45)의 주위에 배치된 복수의 환상 이동 요소(31, 40-43)를 포함하고 있다. 도 3a에 도시하는 바와 같이, 복수의 환상 이동 요소(31, 40-43)는 중앙의 주상 이동 요소(45)의 주위에 포개넣기 형상으로 배치되어 있다. 다음에 도 3b를 참조하면서 최외주에 배치되어 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 구성에 대해 설명한다. 주변 환상 이동 요소(31)는 폭(W1), 깊이(길이 방향 길이)(D1)이고 두께(T1)의 사각의 환상 부재(33a)와, 환상 부재(33a)의 대향하는 2면의 하측에 튀어나온 지지판(333a)를 구비하고 있다. 지지판(333a)의 길이 방향의 양단은 환상 부재(33a)의 선단면(38a)에 대해 수직이며 상하 방향으로 연장되는 가이드면(32a, 34a)으로 되어 있다. 도 4a에 도시하는 바와 같이, 각 가이드면(32a, 34a)은 각각 스테이지(20)의 상측 내부(28)의 수직한 내면(28a)에 접하여 주변 환상 이동 요소(31)를 상하 방향으로 가이드 한다. 지지판(333a)의 하면에는, 경사면인 직선 캠면(35a)과, 직선 캠면(35a)에 접속되어, 길이 방향으로 수평으로 연장되는 수평 지지면(36a, 39a)이 형성되어 있다. 도 4b에 도시하는 바와 같이, 수평 지지면(36a)은 수평 지지면(39a)에 대해 높이(H2)만큼 높게 되어 있다. 직선 캠면(35a)과 수평 지지면(36a, 39a)은, 도 4a, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 슬라이더(51)의 상단에 부착된 반원기둥 부재(52)의 정점(52a)이 접하면서 이동하는 면이다. 또한 지지판(333a)의 가이드면(34a) 측(도 4a, 도 4b에 화살표(a)로 나타내는 슬라이더(51)의 이동 방향의 단측)에는, 슬라이더(51)의 반원기둥 부재(52)가 끼워 넣어져 주변 환상 이동 요소(31)를 고정하는 키부(37a)가 설치되어 있다. 3A, the moving element 30 includes a columnar moving element 45 disposed at the center and a plurality of annular moving elements 31 and 40-43 disposed around the columnar moving element 45 . 3A, the plurality of annular moving elements 31, 40-43 are arranged in a superimposed manner around the central columnar moving element 45. The annular moving elements 31, Next, the configuration of the peripheral annular moving element 31 disposed at the outermost circumference will be described with reference to Fig. 3B. The peripheral annular moving element 31 has a rectangular annular member 33a having a width W 1 , a depth (lengthwise length) D 1 and a thickness T 1 , And a support plate 333a protruding from the lower side of the support plate 333a. Both ends in the longitudinal direction of the support plate 333a are guide surfaces 32a and 34a extending in the vertical direction perpendicular to the distal end face 38a of the annular member 33a. 4A, each of the guide surfaces 32a and 34a contacts the vertical inner surface 28a of the upper side inner side 28 of the stage 20 to guide the peripheral annular moving element 31 in the vertical direction . The lower surface of the support plate 333a is formed with a linear cam surface 35a which is an inclined surface and horizontal support surfaces 36a and 39a which are connected to the linear cam surface 35a and extend horizontally in the longitudinal direction. As shown in Fig. 4B, the horizontal support surface 36a is higher than the horizontal support surface 39a by a height H 2 . 4A and 4B, when the apex 52a of the semicylindrical member 52 attached to the upper end of the slider 51 is in contact with the straight cam surface 35a and the horizontal support surfaces 36a and 39a It is a moving plane. The semicylindrical member 52 of the slider 51 is fitted on the side of the guide surface 34a of the support plate 333a (the end side in the moving direction of the slider 51 shown by arrow a in Figs. 4A and 4B) And a key portion 37a for fixing the peripheral annular moving element 31 is provided.

주상 이동 요소(45)와 주변 환상 이동 요소(31) 사이에 배치되어 있는 중간 환상 이동 요소(40-43)는 주변 환상 이동 요소(31)와 동일한 구조이며, 각각의 환상 부재(33b-33e)의 폭(W), 깊이(길이 방향 길이)(D)는 외주측의 환상 부재의 치수보다도 이 환상 부재의 두께분만큼 작게 되어 있고, 각 환상 부재(33a-33e)는 도 4a에 도시하는 바와 같이 포개넣기 형상으로 겹쳐 있다. 또한 각 지지판(333a-333e)은, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 폭 방향에 겹쳐서 배치되어 있다. 따라서, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 각 가이드면(34a-34e)은 외주측에서 중앙을 향하여 34a, 34b, 34c, 34d, 34e와 같이 연속해서 배치되어, 1개의 면으로 되어 있다. 도시하고 있지 않지만, 반대측의 가이드면(32a-32e)도 마찬가지이다. The intermediate annular moving element 40-43 disposed between the columnar moving element 45 and the peripheral annular moving element 31 has the same structure as the peripheral annular moving element 31 and each annular member 33b- The width W and the depth D of the annular member 33a-33e are set to be smaller than the dimension of the annular member on the outer circumferential side by the thickness of the annular member, They are superimposed in a superimposed shape. Further, as shown in Fig. 3A, the support plates 333a-333e are overlapped in the width direction. Therefore, as shown in Fig. 3A, each of the guide surfaces 34a-34e is continuously arranged from the outer periphery side to the center, as shown by 34a, 34b, 34c, 34d, and 34e, and is formed as one surface. Although not shown, the guide surfaces 32a-32e on the opposite side are also the same.

도 4a에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40-43)에 설치되어 있는 직선 캠면(35a-35e)은 중심측의 중간 환상 이동 요소일수록 직선 캠면(35a∼35e)이 도 4a, 도 4b에 화살표(a)로 나타내는 슬라이더(51)의 이동 방향으로 벗어나 배치되어 있다. 즉, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 경사면인 직선 캠면(35a∼35e)의 수평 지지면(39a∼39e)으로부터의 높이가 H1이 되는 점(i1∼i5)의 기준 위치로부터 거리는 L1∼L5(L1>L2>L3>L4>L5)이다. 또한 수평 지지면(39a∼39e)으로부터의 높이가 H2가 되는 수평 지지면(36a∼36e) 위의 점(j2∼j6)은 기준 위치로부터 거리(L2∼L6)(L2>L3>L4>L5>L6)의 점이다. 이와 같이, 직선 캠면(35a∼35e)이 구성되어 있으므로, 슬라이더(51)가 도 4b에 도시하는 화살표(a)의 방향으로 이동하면, 외주측의 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 중간 환상 이동 요소(40-43)의 선단면(38b-38e)보다 먼저 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한다. 또한 중간 환상 이동 요소(40-43)의 선단면(38b-38e)은 외주측의 중간 환상 이동 요소의 선단면쪽이 내주측의 환상 이동 요소의 선단면보다 먼저 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한다. As shown in Fig. 4A, the straight cam surfaces 35a-35e provided on the peripheral annular moving element 31 and the intermediate annular moving element 40-43 are arranged so that the straight cam surfaces 35a- 35e are disposed apart from the moving direction of the slider 51 indicated by an arrow a in Figs. 4A and 4B. That is, as shown in Figure 4b, the distance from the reference position of the horizontal support surface that (i 1 ~i 5) the height H 1 is from (39a~39e) the slope of a straight cam surface (35a~35e) L 1 to L 5 (L 1 > L 2 > L 3 > L 4 > L 5 ). In addition, the horizontal support surface point on a horizontal support surface (36a~36e) are the height from the (39a~39e) where the H 2 (j 2 ~j 6) is the distance from the reference position (L 2 ~L 6) (L 2 > L 3 > L 4 > L 5 > L 6 ). When the slider 51 moves in the direction of the arrow a shown in FIG. 4B, the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 on the outer peripheral side Moves from the first position to the second position before the distal end face 38b-38e of the intermediate annular moving element 40-43. The distal end face 38b-38e of the intermediate annular moving element 40-43 is moved from the first position to the second position before the distal end face of the annular moving element on the inner peripheral side before the distal end face of the intermediate annular moving element on the outer peripheral side do.

도 3a에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)는 폭(W2), 깊이(길이 방향 길이)(D2) 사각 주상 부재(46)와 주상 부재(46)의 하측에 접속된 2장의 지지판(333f)을 구비하고 있다. 지지판(333f)의 길이 방향의 양단은 환상 이동 요소(31, 40-43)와 같이 내면(28a)에 접하는 가이드면(32f, 34f)으로 되어 있다. 또한 도 4a, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)의 지지판(333f)은 하면에 경사면인 직선 캠면이 형성되어 있지 않고, 수평 지지면(39f)이 길이 방향(슬라이더(51)의 이동 방향)으로 연장되어 있다. As shown in Figure 3a, the main phase element (45) has a width (W 2), the depth (longitudinal length) (D 2) sheets of a second connection on the lower side of the square pillar-shaped member 46 and the cylindrical member 46 And a support plate 333f. Both ends in the longitudinal direction of the support plate 333f are guide surfaces 32f and 34f which are in contact with the inner surface 28a like the annular moving elements 31 and 40-43. 4A and 4B, the supporting plate 333f of the columnar moving element 45 is not provided with a linear cam surface which is a sloped surface on the lower surface thereof, and a horizontal supporting surface 39f extends in the longitudinal direction (the slider 51) As shown in Fig.

도 4a에 도시하는 바와 같이, 슬라이더(51)가 초기 위치에 있는 경우에는, 주상 이동 요소(45), 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40-43)는 슬라이더(51)의 상부에 부착된 반원기둥 부재(52)의 정점(52a)(정상선)이 수평 지지면(39a∼39f)에 접함으로써 지지되어 있고, 각 이동 요소(45, 31, 40-43)의 각 선단면(47, 38a-38e)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치에 있고, 동일면(흡착면(22)에 대한 단차면)을 구성하고 있다. 4A, when the slider 51 is at the initial position, the columnar moving element 45, the peripheral annular moving element 31, and the intermediate annular moving element 40-43 move in the direction of the slider 51 The vertex 52a (normal line) of the semicylindrical member 52 attached to the upper portion is supported by abutting against the horizontal support surfaces 39a to 39f, and each of the movable elements 45, 31, (47, 38a-38e) is in a first position projecting by the height (H 0) from the suction face 22 of the stage 20, and constitute the same surface (step surface on the attracting surface 22).

이상에서 설명한 바와 같이 구성되어 있는 반도체 다이의 픽업 장치(500)의 동작에 대하여, 도 5 내지 도 20a∼도 20f를 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 이동 요소(30)는 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 3개의 이동 요소로 구성되어 있는 것으로 하여 설명한다. 여기에서, 반도체 다이(15)의 픽업 동작에 대해 설명하기 전에, 반도체 다이(15)가 첩부된 다이싱 시트(12)를 웨이퍼 홀더(10)에 세팅하는 공정에 대해 설명한다. The operation of the pick-up device 500 of the semiconductor die constructed as described above will be described with reference to Figs. 5 to 20A to 20F. In the following description, it is assumed that the moving element 30 is composed of three moving elements: a peripheral annular moving element 31, an intermediate annular moving element 40, and a columnar moving element 45. Before describing the pickup operation of the semiconductor die 15, a process of setting the dicing sheet 12 to which the semiconductor die 15 is attached to the wafer holder 10 will be described.

도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 이면에 점착성의 다이싱 시트(12)가 첩부되어 있고, 다이싱 시트(12)는 금속제의 링(13)에 부착되어 있다. 웨이퍼(11)는 이와 같이 다이싱 시트(12)를 사이에 두고 금속제의 링(13)에 부착된 상태에서 핸들링 된다. 그리고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 절단 공정에서 표면측으로부터 다이싱 소 등에 의해 절단되어 각 반도체 다이(15)로 된다. 각 반도체 다이(15) 사이에는 다이싱 시에 생긴 노치 간극(14)이 생긴다. 노치 간극(14)의 깊이는 반도체 다이(15)로부터 다이싱 시트(12)의 일부에까지 도달해 있지만, 다이싱 시트(12)는 절단되어 있지 않아, 각 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)에 의해 유지되고 있다. As shown in Fig. 5, a sticky dicing sheet 12 is attached to the back surface of the wafer 11, and the dicing sheet 12 is attached to the ring 13 made of metal. The wafer 11 is thus handled in a state of being attached to the metal ring 13 with the dicing sheet 12 therebetween. As shown in Fig. 6, the wafer 11 is cut from the surface side by a dicing saw or the like in the cutting step, thereby forming each semiconductor die 15. A notch gap 14 is formed between the respective semiconductor dies 15 during dicing. The depth of the notch gap 14 reaches from the semiconductor die 15 to a part of the dicing sheet 12 but the dicing sheet 12 is not cut so that each semiconductor die 15 is separated from the dicing sheet 12 12).

이와 같이, 다이싱 시트(12)와 링(13)이 부착된 반도체 다이(15)는 도 7a, 도 7b에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 홀더(10)에 부착된다. 웨이퍼 홀더(10)는 플랜지부를 갖는 둥근 고리 형상의 익스팬드 링(16)과 익스팬드 링(16)의 플랜지 위에 링(13)을 고정하는 링 누름부(17)를 구비하고 있다. 링 누름부(17)는 도시하지 않은 링 누름부 구동부에 의해 익스팬드 링(16)의 플랜지를 향해 진퇴하는 방향으로 구동된다. 익스팬드 링(16)의 내경은 반도체 다이(15)가 배치되어 있는 웨이퍼의 직경보다도 크고, 익스팬드 링(16)은 소정의 두께를 가지고 있어, 플랜지는 익스팬드 링(16)의 외측에 있고, 다이싱 시트(12)로부터 벗어난 방향의 끝면측에 외측으로 돌출하도록 부착되어 있다. 또한 익스팬드 링(16)의 다이싱 시트(12)측의 외주는 다이싱 시트(12)를 익스팬드 링(16)에 부착할 때에, 다이싱 시트(12)를 원활하게 늘일 수 있도록 곡면 구성으로 되어 있다. 도 7b에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 첩부된 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되기 전은 대략 평면 상태로 되어 있다. As described above, the semiconductor die 15 to which the dicing sheet 12 and the ring 13 are attached is attached to the wafer holder 10 as shown in Figs. 7A and 7B. The wafer holder 10 has a ring-shaped expander ring 16 having a flange portion and a ring pressing portion 17 for fixing the ring 13 on the flange of the expander ring 16. The ring pressing portion 17 is driven by a ring pressing portion driving portion (not shown) in a direction to move back and forth toward the flange of the expand ring 16. [ The inner diameter of the expand ring 16 is larger than the diameter of the wafer on which the semiconductor die 15 is disposed and the expand ring 16 has a predetermined thickness so that the flange is located outside the expand ring 16 , And is attached so as to protrude outward on the end surface side in the direction deviating from the dicing sheet (12). The outer periphery of the expanding ring 16 on the dicing sheet 12 side has a curved surface configuration so that the dicing sheet 12 can be smoothly stretched when the dicing sheet 12 is attached to the expand ring 16. [ Respectively. As shown in Fig. 7B, the dicing sheet 12 to which the semiconductor die 15 is pasted is in a substantially planar state before being set on the expand ring 16. Fig.

도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되면 익스팬드 링(16)의 상면과 플랜지면의 단차분만큼 익스팬드 링 상부의 곡면을 따라 늘여지므로, 익스팬드 링(16) 위에 고정된 다이싱 시트(12)에는 다이싱 시트(12)의 중심으로부터 주위를 향하는 인장력이 작용하고 있다. 또한 이 인장력에 의해 다이싱 시트(12)가 연장되므로, 다이싱 시트(12) 위에 첩부된 각 반도체 다이(15) 간의 간극(14)이 넓어지고 있다. 1, when the dicing sheet 12 is set on the expand ring 16, the dicing sheet 12 is stretched along the curved surface of the upper portion of the expand ring by a step difference between the upper surface of the expand ring 16 and the flange surface, A tensile force from the center of the dicing sheet 12 toward the periphery is applied to the dicing sheet 12 fixed on the expand ring 16. Further, since the dicing sheet 12 is extended by the tensile force, the gap 14 between the semiconductor dies 15 pasted on the dicing sheet 12 is widened.

다음에 반도체 다이(15)의 픽업 동작에 대해 설명한다. 제어부(150)는 최초에, 도 1에 도시하는 위치맞춤 프로그램(157)을 실행한다. 제어부(150)는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해 웨이퍼 홀더(10)를 스테이지(20)의 대기 위치 위까지 수평 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제어부(150)는, 웨이퍼 홀더(10)가 스테이지(20)의 대기 위치 위의 소정의 위치까지 이동하면, 웨이퍼 홀더(10)의 수평 방향의 이동을 일단 정지한다. 앞에 기술한 바와 같이, 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b)은, 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로, 제어부(150)는, 스테이지 상하 방향 구동부(120)에 의해, 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b)이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하고, 또한, 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착할 때까지 스테이지(20)를 상승시킨다. 그리고, 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b) 및 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하면, 제어부(150)는 스테이지(20)의 상승을 정지한다. 그리고, 제어부(150)는, 다시, 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해, 픽업하려고 하는 반도체 다이(15)가 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 약간 돌출해 있는 이동 요소(30)의 선단면(단차면)의 바로 위에 오도록 수평 위치를 조정한다. Next, the pickup operation of the semiconductor die 15 will be described. The control unit 150 first executes the alignment program 157 shown in Fig. The control unit 150 moves the wafer holder 10 horizontally to the standby position of the stage 20 by the wafer holder horizontal direction driving unit 110. [ When the wafer holder 10 moves to a predetermined position on the standby position of the stage 20, the control unit 150 temporarily stops the movement of the wafer holder 10 in the horizontal direction. As described before, projected by the initial state, each of the top face (47, 38a, 38b) is a distance above the suction face 22 of a stage (20) (H 0) of each element (45, 31, 40) The control section 150 controls the stage upper and lower driving section 120 such that the distal end faces 47, 38a and 38b of the moving elements 45, The stage 20 is brought into close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12 and the area slightly away from the opening 23 of the suction surface 22 is brought into close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12. [ . A region slightly distant from each of the distal end faces 47, 38a and 38b of the moving elements 45, 31 and 40 and the opening 23 of the adsorption face 22 is formed on the back face 12b of the dicing sheet 12, The control unit 150 stops the rising of the stage 20. In this case, The control unit 150 then controls the semiconductor die 15 to be picked up by the wafer holder horizontal direction drive unit 110 to move the movable element 30 slightly protruding from the suction surface 22 of the stage 20, The horizontal position is adjusted so that it is directly above the front end face (step difference face)

도 8에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 크기는 스테이지(20)의 개구(23)보다도 작고, 이동 요소(30)의 폭 혹은 깊이보다도 크므로, 스테이지(20)의 위치 조정이 종료되면, 반도체 다이(15)의 외주끝은 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33) 사이, 즉, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33) 사이의 간극(d)의 바로 위로 되어 있다. 초기 상태에서는, 스테이지(20)의 홈(26) 혹은 흡착면(22)의 압력은 대기압으로, 개구(23)의 압력도 대기압으로 되어 있다. 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b)은, 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로, 각 선단면(47, 38a, 38b)에 접해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)의 높이도 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있다. 또한 개구(23)의 둘레 가장자리에서는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 흡착면(22)으로부터 약간 떠 있고, 개구(23)로부터 벗어난 영역에서는 흡착면(22)에 밀착한 상태로 되어 있다. 수평 방향의 위치 조정이 종료되면, 제어부(150)는 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)에 의해 콜릿(18)을 반도체 다이(15) 위에 강하시켜 콜릿(18)의 표면(18a)을 반도체 다이(15)에 착지시킨다. 콜릿(18)이 반도체 다이(15) 위에 착지하면, 제어부(150)는 흡인 기구(100)의 구동부(102)에 의해 3방향 밸브(101)를 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 전환한다. 이것에 의해 흡인 구멍(19)은 진공으로 되어, 콜릿(18)은 표면(18a)에 반도체 다이(15)를 흡착 고정한다(위치맞춤 프로그램의 종료). 이때, 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b)의 높이(흡착면(22)으로부터 높이(H0))에 다이싱 시트(12)의 두께와 반도체 다이(15)의 두께를 더한 높이(Hc)로 되어 있다. 8, since the size of the semiconductor die 15 is smaller than the opening 23 of the stage 20 and larger than the width or depth of the moving element 30, the position adjustment of the stage 20 is terminated The outer circumferential end of the semiconductor die 15 is positioned between the inner surface 23a of the opening 23 of the stage 20 and the outer circumferential surface 33 of the moving element 30, (D) between the outer circumferential surface (33) of the moving element (30). In the initial state, the pressure of the groove 26 or the suction surface 22 of the stage 20 is the atmospheric pressure, and the pressure of the opening 23 is also the atmospheric pressure. In the default state, is in each element (45, 31, 40), each of the top face (47, 38a, 38b) of the, a first position projecting by the attracting surface distance above the (22) (H 0) of the stage 20 because, the one is the first position projected by each of the top face (47, 38a, 38b) facing the dicing sheet height the height from the adsorption surface 22 of the back surface (12b) of (12) (H 0) in the. The back surface 12b of the dicing sheet 12 slightly floats from the adsorption surface 22 at the peripheral edge of the opening 23 and is brought into close contact with the adsorption surface 22 in the region deviated from the opening 23 have. The control unit 150 causes the collet 18 to drop on the semiconductor die 15 by the collet driving unit 130 shown in Fig. 1 to move the surface 18a of the collet 18 to the semiconductor And land on the die 15. When the collet 18 is landed on the semiconductor die 15, the controller 150 controls the three-way valve 101 to move the suction hole 19 of the collet 18 and the vacuum And switches the direction in which the device 140 is communicated. As a result, the suction hole 19 becomes a vacuum, and the collet 18 sucks and fixes the semiconductor die 15 on the surface 18a (end of positioning program). At this time, the height of the surface 18a of the collet 18 is set such that the height of the front end faces 47, 38a, 38b of the moving elements 45, 31, 40 ) it can be from a height (Hc) obtained by adding the thickness of the thickness of the semiconductor die (15) of the dicing sheet 12 in the height (H 0)).

다음에 제어부(150)는, 도 1에 도시하는 제 1 박리 프로그램(158)을 실행한다. 제어부(150)는 도 20d에 도시하는 시각(t1)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 흡착 구멍(27)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 전환한다. 그러면, 도 9의 화살표(201)로 나타내는 바와 같이, 흡착 구멍(27)을 통하여 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)로 빨아내어져, 도 20d에 도시하는 바와 같이 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 된다. 그리고, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 도 9의 화살표(202)로 나타내는 바와 같이, 흡착면(22)의 표면에 진공 흡착된다. 각 이동 요소(45, 31, 40)의 각 선단면(47, 38a, 38b)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로 다이싱 시트(12)에는, 비스듬히 하향의 인장력(F1)이 걸린다. 이 인장력(F1)은 다이싱 시트(12)를 가로방향으로 잡아당기는 인장력(F2)과, 다이싱 시트(12)를 하방향으로 잡아당기는 인장력(F3)으로 분해할 수 있다. 가로방향의 인장력(F2)은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 전단응력(τ)을 발생시킨다. 이 전단응력(τ)에 의해, 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 어긋남이 발생한다. 이 어긋남은 다이싱 시트(12)와 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분의 박리의 계기가 된다. Next, the control unit 150 executes the first peeling program 158 shown in Fig. The controller 150 outputs an instruction to switch to a time close to a fourth pressure (P 4), from close to the third pressure to the vacuum suction pressure to the atmospheric pressure (t 1), (P 3) shown in Figure 20d. The drive section 92 of the suction pressure switching mechanism 90 switches the three-way valve 91 in the direction in which the suction hole 27 and the vacuum apparatus 140 are communicated with each other. Then, as shown in Fig 9 the arrow 201, the air in the groove 26 through the suction opening 27, the adjuster within sucked into the vacuum apparatus 140, the time (t 2) as shown in Fig. 20d The adsorption pressure becomes a third pressure P 3 close to the vacuum. The back surface 12b of the dicing sheet 12 at the peripheral edge of the opening 23 is vacuum-adsorbed on the surface of the adsorption surface 22 as indicated by an arrow 202 in Fig. The distal end faces 47, 38a and 38b of the respective moving elements 45, 31 and 40 are in the first position protruding from the attracting face 22 of the stage 20 by the height H 0 , (12) is subjected to an obliquely downward tensile force (F 1 ). The tensile force (F 1) can be decomposed into the dicing sheet tensile force (F 2) and a tensile force (F 3) pulling the dicing sheet 12 in the downward direction of pulling (12) in the transverse direction. The tensile force F 2 in the transverse direction generates a shear stress τ between the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12. This shear stress τ causes a deviation between the outer peripheral portion or peripheral portion of the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12. This deviation is an opportunity for separation of the outer peripheral portion or peripheral portion of the dicing sheet 12 and the semiconductor die 15.

제어부(150)는 도 20d에 도시하는 바와 같이 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 된 후, 소정의 시간만큼 유지되고, 도 20e에 도시하는 바와 같이 시각(t3)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 전환한다. 그러면, 도 10의 화살표(206)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되어, 도 20e에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)에는 개구 압력이 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 된다. 이것에 의해, 도 10의 화살표(203)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 끌어 당겨진다. 또한 간극(d)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 주변부는 다이싱 시트(12)에 끌어 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형한다. 이것에 의해 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 되었을 때에 반도체 다이(15)의 외주 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 발생한 어긋남 때문에, 반도체 다이(15)의 주변부에는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되는 계기가 형성되어 있으므로, 반도체 다이(15)의 주변부는, 도 10의 화살표(204)로 나타내는 바와 같이, 굽힘 변형하면서도 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되기 시작하고 있다. 또한, 도 20e의 점선으로 나타내는 바와 같이, 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 시각 t3과 t6의 기간에 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)과 진공에 가까운 제 1 압력(P1) 사이에서 개구 압력을 복수회 전환하는 지령을 출력할 수도 있다. 이것에 의해, 다이싱 시트(12)의 표면(12a)과 반도체 다이(15)의 박리를 보다 확실하게 할 수 있다. After the controller 150 has a third pressure (P 3), close to a vacuum suction pressure to the time (t 2) as shown in Figure 20d, and held for a predetermined time, as shown in Fig. 20e time (t 3 ) to a first pressure (P 1 ) close to the vacuum from the second pressure (P 2 ) close to the atmospheric pressure. The drive portion 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 in the direction in which the opening 23 and the vacuum device 140 are communicated. Then, as shown in Fig. As shown at 10 of the arrow 206, the air in the aperture 23 is drawn into the vacuum apparatus 140, Fig. 20e, a time (t 4), the opening pressure close to vacuum And becomes the first pressure P 1 . 10, the dicing sheet 12 immediately above the gap d between the inner surface 23a of the opening 23 and the outer circumferential surface 33 of the moving element 30 Is pulled downward. The peripheral portion of the semiconductor die 15 located just above the gap d is pulled by the dicing sheet 12 and bent downward as indicated by an arrow 204. Whereby the peripheral portion of the semiconductor die 15 falls away from the surface 18a of the collet 18. Since time near the third pressure (P 3) a shift occurs between the surface (12a) of the semiconductor die 15, the outer peripheral portion and a dicing sheet 12 when the suction pressure (t 2), the vacuum, the semiconductor die A peripheral portion of the semiconductor die 15 is bent at a peripheral portion of the semiconductor die 15 so as to be peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12, And is beginning to separate from the surface 12a of the dicing sheet 12. 20E, the driving section 82 of the opening-pressure switching mechanism 80 sets the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure and the first pressure P 2 close to the vacuum at the time t 3 and t 6 , A command to switch the opening pressure a plurality of times may be outputted between the plurality of openings P 1 . This makes it possible to further reliably separate the surface 12a of the dicing sheet 12 from the semiconductor die 15.

도 10에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지면, 도 10의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 되어 있는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 유입된 공기 유량(공기 리크량)은 유량 센서(106)에 의해 검출된다. 도 20e에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하해 옴에 따라, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)와 함께 하방향으로 끌어 당겨져 굽힘 변형되어 가므로, 도 20f에 도시하는 바와 같이, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되어 오는 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 증가해 간다. 10, when the peripheral portion of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18, as shown by the arrow 205 in Fig. 10, the suction of the collet 18 in the vacuum state Air is introduced into the hole 19. [ The inflow air flow rate (amount of air leak) is detected by the flow rate sensor 106. As shown in FIG. 20E, as the opening pressure decreases from the time t 3 to the time t 4 from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum The semiconductor die 15 is pulled downwardly together with the dicing sheet 12 to be bent and deformed. As a result, as shown in Fig. 20F, the air leaks flowing into the suction holes 19 of the collet 18 The amount is increased from time t 3 to time t 4 .

제어부(150)는, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)으로부터 시각(t5) 사이, 스테이지(20)의 개구(23)와 홈(26) 혹은 흡착면(22)을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 유지한다. 이 동안에, 도 11의 화살표(207)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공과, 반도체 다이(15)의 탄성에 의해 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아간다. 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)을 향함에 따라, 도 20f의 시각(t4)으로부터 시각(t5)에 나타나는 바와 같이, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되어 오는 공기 리크량은 감소하고, 시각(t5)에, 도 11에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 제로가 된다. 이때, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(초기 박리 공정). 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리될 때는, 개구(23)의 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)는 하방향으로 변위된다. 제어부(150)는 시트 변위 검출 센서(107)에 의해 다이싱 시트(12)의 하방향으로의 변위(흡착면(22)에 대한 접리 방향의 변위)를 검출하고, 검출된 변위가 소정의 임계값을 초과하는 경우에는, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리되었다고 판단한다. 또한 검출된 변위가 소정의 임계값 이하인 경우에는, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리되지 않았다고 판단한다(제 1 박리 판단 공정). 제어부(150)는 반도체 다이(15)의 주변부가 초기 박리되었다고 판단한 경우에는, 다음 박리 공정으로 진행된다. 또한 제어부(150)는 반도체 다이(15)의 주변부가 초기 박리되지 않았다고 판단한 경우에는, 제 1 리트라이 공정을 실행한다. Controller 150, Fig. 20e, as shown in Fig. 20d, the time (t 4) from the time (t 5) between the openings 23 and the groove 26 or the adsorption face 22 of the stage 20 Are held at a first pressure (P 1 ) and a third pressure (P 3 ) close to the vacuum, respectively. The peripheral portion of the semiconductor die 15 is pressed against the collet 18 by the vacuum of the suction hole 19 of the collet 18 and the elasticity of the semiconductor die 15, And then returns to the surface 18a. As the peripheral portion of the semiconductor die 15 faces the surface 18a of the collet 18, as shown at time t 5 to time t 4 in FIG. 20F, the suction holes 19 ) when the air leakage amount is reduced coming flows in, and the time (t as 5), shown in Figure 11, the semiconductor die 15 is vacuum adsorbed to the surface (18a) of the collet (18), the air leakage amount Becomes zero. At this time, the peripheral portion of the semiconductor die 15 is peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12 located immediately above the gap d (initial peeling step). When the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12, the dicing sheet 12 positioned immediately above the gap d of the opening 23 is displaced downward do. The control unit 150 detects the displacement of the dicing sheet 12 in the downward direction (displacement in the direction of the wedge with respect to the adsorption face 22) by the sheet displacement detection sensor 107, It is determined that the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12 located immediately above the gap d. It is judged that the peripheral portion of the semiconductor die 15 has not been peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12 immediately above the gap d when the detected displacement is not more than the predetermined threshold value 1 peeling determination step). If the control unit 150 determines that the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off, the control unit 150 proceeds to the next peeling process. If the control unit 150 determines that the peripheral portion of the semiconductor die 15 has not been initially peeled off, the control unit 150 executes the first retry process.

제 1 리트라이 공정에서는, 제어부(150)는 개구 압력 전환 기구(80), 흡착 압력 전환 기구(90)의 각 3방향 밸브(81, 91)를 대기와 개구(23), 홈(26)이 연통하도록 전환하고, 개구 압력과 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 한 후, 다시, 개구 압력 전환 기구(80), 흡착 압력 전환 기구(90)의 각 3방향 밸브(81, 91)를 진공 장치(140)와 개구(23), 홈(26)이 연통하도록 전환하고, 개구 압력과 흡착 압력을 각각 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 전환하고, 시트 변위 검출 센서(107)에 의해 검출한 변위가 소정의 임계값을 초과했는지 아닌지 판단한다. 그리고, 검출된 변위가 소정의 변위를 초과한 경우에는, 제 1 리트라이 공정을 종료하고, 다음 박리 공정으로 진행된다(제 1 박리 프로그램의 종료). In the first retry process, the controller 150 sets the three-way valves 81 and 91 of the opening pressure switching mechanism 80 and the suction pressure switching mechanism 90 to the atmosphere, the opening 23, switch in communication, and the second pressure (P2) close to the opening pressure and the suction pressure to the atmospheric pressure and the fourth pressure after the (P 4), again, of the opening pressure switch mechanism 80, the suction pressure switching mechanism (90) The three-way valves 81 and 91 are switched so that the vacuum device 140 communicates with the opening 23 and the groove 26. The opening pressure and the suction pressure are respectively set to a second pressure P 2 close to the atmospheric pressure, The first pressure P 1 and the third pressure P 3 close to the vacuum from the fourth pressure P 4 are switched to determine whether or not the displacement detected by the seat displacement detection sensor 107 exceeds a predetermined threshold value . When the detected displacement exceeds the predetermined displacement, the first retry process is terminated and the process proceeds to the next peeling process (end of the first peeling program).

다음에 제어부(150)는 도 1에 도시하는 제 3 박리 프로그램(160)을 실행한다. 또한, 제 2 박리 프로그램에 대해서는 나중에 설명한다. 제어부(150)는, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 개구 압력과 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 소정 시간 유지한 후, 시각(t5)에 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82), 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 각 3방향 밸브(81, 91)를 대기 개방의 배관(85, 95)과 개구(23), 홈(26)이 연통하도록 전환한다. 이것에 의해, 도 12에 도시하는 화살표(210, 211)와 같이, 공기(Air)가 개구(23), 홈(26)에 유입되어 오므로, 도 20d, 도 20f에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)으로부터 시각(t6)을 향하고, 개구 압력과 흡착 압력은 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승해 간다. Next, the control unit 150 executes the third peeling program 160 shown in Fig. The second peeling program will be described later. 20E and 20D, the control unit 150 holds the opening pressure and the adsorption pressure at a first pressure (P 1 ) and a third pressure (P 3 ) close to the vacuum for a predetermined time, a (t 5) the first pressure (P 1) closer to the vacuum to the opening pressure, suction pressure, respectively, the second pressure (P 2) close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3), a fourth pressure (P 4) And outputs a command for switching. The drive portion 82 of the opening pressure switching mechanism 80 and the driving portion 92 of the suction pressure switching mechanism 90 are connected to the pipings 85 and 95 of the atmospheric opening by the respective three way valves 81 and 91, The opening 23, and the groove 26 communicate with each other. As a result, air flows into the opening 23 and the groove 26 like the arrows 210 and 211 shown in Fig. 12, and as shown in Figs. 20D and 20F, (t 5) from towards the time (t 6), the opening pressure and the suction pressure of the first pressure close to vacuum (P 1), the second pressure close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3) (P 2) , the 4 The pressure rises to (P 4 ).

개구 압력, 흡착 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승하면, 진공으로 하방향으로 끌어당겨져 있던 간극(d)의 바로 위에 위치하는 다이싱 시트(12)는, 도 12의 화살표(212)로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)에 고정할 때에 인가된 인장력에 의해 상방향으로 되돌아온다. 또한 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)는, 상기의 인장력에 의해, 흡착면(22)으로부터 약간 뜬 상태로 되어 있다. When the opening pressure and the adsorption pressure are raised by the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure, the dicing sheet 12 positioned just above the gap d, Is returned upward by the tensile force applied when fixing to the wafer holder 10, as indicated by an arrow 212 in Fig. The dicing sheet 12 at the peripheral edge of the opening 23 is slightly floated from the adsorption face 22 by the above tensile force.

제어부(150)는, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)에 개구 압력, 흡착 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)이 되면, 도 20c에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 높이를 제 1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0인 초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치로 하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 구동부(25)의 모터(77)가 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 반시계 방향으로 회전한다. 이것에 의해, 링크 부재(60)가 도 1에 도시하는 화살표(c)와 같이 시계방향으로 회전하여, 슬라이더(51)가 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 우측을 향하여 이동을 개시한다. 20E and 20D, when the opening pressure, the adsorption pressure become the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure at time t 6 , The height of the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 is increased from the first position (initial position where the height from the adsorption face 22 is H 0 ) to the height H 1 And outputs a command to the second low position. By this command, the motor 77 of the driving unit 25 shown in Fig. 1 rotates in the counterclockwise direction as shown by the arrow a in Fig. Thereby, the link member 60 rotates clockwise as shown by the arrow c in Fig. 1, and the slider 51 starts moving toward the right side as shown by the arrow a in Fig. 1 .

도 4b에 도시하는 바와 같이, 초기 상태에서는, 슬라이더(51)의 상부에 부착된 반원기둥 부재(52)의 정점(52a)은 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 각 수평 지지면(39a, 39b, 39f)에 접해 있고, 각 이동 요소(31, 40)의 각 환상 부재(33a, 33b)의 각 선단면(38a, 38b) 및 주상 이동 요소(45)의 주상 부재(46)의 선단면(47)은 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 높은 제 1 위치(초기 위치)로 되어 있다. 여기에서, 슬라이더(51)가 도 4b에 도시하는 화살표(a)와 같이 기준 위치로부터 우측으로 이동하면, 반원기둥 부재(52)의 정점(52a)은 주변 환상 이동 요소(31)의 직선 캠면(35a)에 다가간다. 그리고, 슬라이더(51)가 더욱 우측으로 이동하면, 직선 캠면(35a)이 수평 지지면(39a)으로부터 위로 상승한 분량만큼 주변 환상 이동 요소(31) 전체가 하방향으로 하강해 간다. 도 4b에 도시하는 바와 같이, 슬라이더(51)가 기준 위치로부터 우측으로 거리(L1)만큼 이동하면, 슬라이더(51)의 정점(52a)은 주변 환상 이동 요소(31)의 직선 캠면(35a)의 점(i1)을 지지하고 있다. 점(i1)은 도 4b의 위에서 수평 지지면(39a)으로부터 높이(H1)만큼 상측에 있으므로, 주변 환상 이동 요소(31)는 전체적으로 당초의 제 1 위치보다도 높이(H1)만큼 하측으로 이동하고, 도 13의 화살표(214)로 나타내는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)도 제 1 위치(초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 하측이며, 흡착면(22)보다도 약간 낮은 제 2 위치(흡착면(22)으로부터 높이(H1-H0)만큼 낮은 위치)로 이동한다. 이때, 중간 환상 이동 요소(41)는 수평 지지면(39b)으로 지지되어 있으므로, 도 13에 도시하는 바와 같이, 그 선단면(38b)의 높이는 제 1 위치(초기 위치) 그대로이다. 마찬가지로, 주상 이동 요소(45)도 수평 지지면(39f)으로 지지되어 있으므로, 선단면(47)의 높이도 제 1 위치(초기 위치) 그대로이다. 선단면(38a)과, 선단면(38b, 47)은 서로 단차가 있는 단차면이다. 또한 각 선단면(38a, 38b, 47)은 각각 흡착면(22)에 대한 단차면으로 되어 있다. 슬라이더(51)가 기준 위치로부터 거리(L1)만큼 우측으로 이동하면, 제어부(150)는 모터(77)의 회전을 정지한다. 4B, in the initial state, the vertex 52a of the semicylindrical member 52 attached to the upper portion of the slider 51 is formed by the peripheral annular moving element 31, the intermediate annular moving element 40, 39b and 39f of the moving element 45 so that the distal end faces 38a and 38b of the respective annular members 33a and 33b of the moving elements 31 and 40 and the top faces 38a and 38b of the moving elements 31 and 40, the top face 47 of the cylindrical member 46 of the element 45 is at a high first position (initial position) by the height (H 0) from the absorption surface 22. the Here, when the slider 51 moves from the reference position to the right as shown by an arrow a in Fig. 4B, the apex 52a of the semicircular member 52 is located on the straight cam surface 35a. When the slider 51 moves further to the right, the entire circumferential ring-moving element 31 descends downward by the amount that the linear cam surface 35a rises from the horizontal support surface 39a. The vertex 52a of the slider 51 is located on the straight cam face 35a of the peripheral annular moving element 31 when the slider 51 is moved by the distance L 1 from the reference position to the right as shown in Fig. and the support point (i 1). To the lower side as long as that (i 1) Since the upper side by (H 1) in height from the horizontal support surface (39a) from the top of Figure 4b, the peripheral annular element (31) is initially in the height than the first position as a whole (H 1) as moved, indicated by arrow 214 in Figure 13, the top face (38a) of the peripheral annular element (31) is also a lower side by a first (H 1) in height from a first position (initial position), the suction side (22 (A position lower than the height H 1 -H 0 from the adsorption surface 22). At this time, since the intermediate annular moving element 41 is supported by the horizontal support surface 39b, the height of the distal end surface 38b remains at the first position (initial position) as shown in Fig. Likewise, since the columnar moving element 45 is also supported by the horizontal support surface 39f, the height of the distal end surface 47 is also kept at the first position (initial position). The front end face 38a and the front end faces 38b and 47 are stepped surfaces having a step difference from each other. Each of the end surfaces 38a, 38b, 47 is a stepped surface with respect to the adsorption surface 22, respectively. When the slider 51 moves to the right by the distance L 1 from the reference position, the control unit 150 stops the rotation of the motor 77.

다음에 제어부(150)는 시각(t6)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)을 홈(26)과 진공 장치(140)가 연통하도록 전환한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(213)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기는 진공 장치(140)를 향하여 흡인되고, 홈(26)의 압력 및 흡착면(22)의 흡착 압력은 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 되어, 다이싱 시트(12)는 흡착면(22)에 진공 흡착된다. 이때, 도 20e에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로 되어 있으므로, 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)과 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a) 사이에는 간극이 생겨 있다. The controller 150 next outputs a command to switch to a time close to a fourth pressure (P 4), from close to the third pressure to the vacuum suction pressure to the atmospheric pressure (t 6), (P 3). With this command, the driving part 92 of the suction pressure switching mechanism 90 switches the three-way valve 91 so that the groove 26 and the vacuum device 140 communicate with each other. 13, the air in the groove 26 is sucked toward the vacuum device 140 and the pressure in the groove 26 and the sucking pressure of the sucking surface 22 are lowered to a vacuum And the dicing sheet 12 is vacuum-adsorbed on the adsorption face 22. The dicing sheet 12 is a third pressure (P 3 ) At this time, since the pressure of the opening 23 is the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure, the back surface 12b of the dicing sheet 12 located just above the gap d And the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 are formed.

제어부(150)는, 도 20e에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)가 연통하도록 전환한다. 이것에 의해, 도 14의 화살표(215)로 나타내는 바와 같이, 개구(23) 속의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 시각(t8)에는, 도 20e에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 진공에 가까운 제 1 압력(P1)이 된다. 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하되면, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는(대향하는) 다이싱 시트(12)는, 도 14의 화살표(216)로 나타내는 바와 같이, 이면(12b)이 선단면(38a)에 접하도록 하측으로 끌어 당겨진다. 이것에 의해, 도 14의 화살표(217)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 일부가 하방향으로 굽힘 변형하여, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 벗어나, 공기가 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속으로 유입된다. 흡인 구멍(19)에 유입된 공기 리크량은 도 1에 도시하는 유량 센서(106)에서 검출된다. 공기 리크량은, 도 20f에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t7)으로부터 시각(t8) 동안 증가해 간다. The control unit 150 outputs a command for switching the opening pressure from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum at time t 7 as shown in FIG. do. With this command, the driving portion 82 of the opening-pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 and the vacuum device 140 communicate with each other. As shown by arrow 215 in Figure 14 As a result, and the air in the aperture 23, the suction in the vacuum device 140, the time (t 8), the two, the opening pressure as shown in Fig. 20e And becomes the first pressure P 1 close to the vacuum. When the opening pressure is lowered from the second pressure close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum, the dicing sheet (opposed to the first embodiment) located immediately above the front end face 38a of the peripheral annular moving element 31 12 are pulled downward so that the back surface 12b contacts the distal end face 38a as indicated by the arrow 216 in Fig. 14, a part of the semiconductor die 15 immediately above the distal end face 38a of the semiconductor die 15 is bent downward to form the collet 18 The air is introduced into the suction hole 19 of the collet 18, as shown in Fig. The amount of air leaking into the suction hole 19 is detected by the flow sensor 106 shown in Fig. Air leakage amount is also going to increase from the time for a (t 7) going to the opening pressure is reduced, the time (t 8) As shown in 20f.

제어부(150)는 시각(t8)이 되면, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통하도록 전환한다. 또한 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 홈(26)과 대기 개방의 배관(95)을 연통하도록 전환한다. 이것에 의해, 도 15에 화살표(220, 221)로 나타내는 바와 같이, 개구(23), 홈(26)에 공기가 유입되고, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 압력, 홈(26)의 압력 또는 흡착면(22)의 압력은 각각 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승한다. 이것에 의해, 도 15의 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)으로부터 벗어나 상방향으로 변위된다. 또한 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는, 다이싱 시트(12)의 상방향으로의 변위와 함께, 도 15에 도시하는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향해 되돌아온다. 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 근접해 오면, 도 20f의 시각(t8)으로부터 시각(t9) 사이와 같이 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량이 저하되기 시작하여, 도 20f의 시각(t9)에 공기 리크량은 제로가 된다. 이 때, 반도체 다이(15)는 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되고, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역은 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(1회째의 제 3 박리 공정). From the controller 150 the time (t 8), as shown in Fig. 20e, Fig. 20d, the first pressure (P 1) closer to the vacuum to the opening pressure, suction pressure, respectively when the third pressure (P 3) To the second pressure (P 2 ) and the fourth pressure (P 4 ) close to the atmospheric pressure. With this command, the driving portion 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 communicates with the pipe 85 at the air opening. The driving part 92 of the adsorption pressure switching mechanism 90 switches the three-way valve 91 so as to communicate the groove 26 and the pipe 95 to the atmosphere. As a result, as shown by arrows 220 and 221 in Fig. 15, air flows into the opening 23 and the groove 26, and as shown in Figs. 20E and 20D, the pressure of the opening 23 The pressure of the groove 26 or the pressure of the adsorption surface 22 rises to the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 which are respectively close to the atmospheric pressure. 15, the dicing sheet 12 just above the gap d is displaced upward from the front end face 38a of the peripheral annular moving element 31, do. The semiconductor die 15 in the area opposite to the front end face 38a is displaced in the upward direction of the dicing sheet 12 as well as in the direction of the surface of the collet 18 as indicated by an arrow 224 shown in Fig. (18a). Semiconductor die, air 15 flows into the suction hole 19 of the collet 18, such as between comes close to the surface (18a) of the collet (18), from the time (t 8) of Fig. 20f time (t 9) amount begins to decrease and leakage, it is also an air leakage amount is zero at time (t 9) of 20f. At this time, the semiconductor die 15 is vacuum adsorbed on the surface 18a of the collet 18, and the region of the semiconductor die 15 opposed to the front end face 38a faces the surface 12a of the dicing sheet 12, (The third peeling step of the first time).

시각(t9)에 제어부(150)는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제 1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0인 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 먼저, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시킨 경우와 마찬가지로, 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 구동부(25)의 모터(77)가 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 반시계 방향으로 회전한다. 그리고, 슬라이더(51)는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 기준 위치로부터의 거리(L2)의 위치까지 우측 방향으로 이동한다(거리(L2-L1)만큼 우측 방향으로 이동함). 그러면, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 슬라이더(51)에 부착된 반원기둥 부재(52)의 정점(정상선)(52a)은, 도 4b에 도시하는 점(i2)에서 중간 환상 이동 요소(40)의 직선 캠면(35b)에 접하고, 점(j2)에서 주변 환상 이동 요소(31)의 직선 캠면(35a)에 접한다. 따라서, 도 16의 화살표(227)로 나타내는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제 1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 또한 도 16의 화살표(226)로 나타내는 바와 같이, 제 2 위치에 있던 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제 1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제 3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 선단면(38a, 38b, 47)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면으로 되어 있다. Time (t 9) to the height (H 1) from the controller 150 the intermediate annular move the first position the front end face (38b) of the element 40 (attracting surface 22 a height H 0 of position from) by And outputs a command to move to the second low position. By this command, as in the case where the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 is first moved from the first position to the second position, this command causes the drive unit 25 shown in Fig. 1 The motor 77 rotates counterclockwise as indicated by an arrow a in Fig. Then, as shown in Fig. 4B, the slider 51 moves rightward (moves to the right by the distance L 2 -L 1 ) to the position of the distance L 2 from the reference position. Then, as shown in Figure 4b, the peaks (jeongsangseon) (52a) of the semi-cylindrical member 52 is attached to the slider 51, an intermediate annular mobile elements in that (i 2) shown in Figure 4b (40 ) in contact with the linear cam face (35b), a straight line tangent to the cam surface (35a) of the peripheral annular element (31) at point (j 2). Therefore, as shown by arrow 227 in Figure 16, the top face (38b) of the intermediate annular element (40) has a first position in height (H 1) from (the height (H 0) as high position from the attracting surface) (A position lower than H 1 -H 0 from the adsorption surface 22). In addition, the top face (38a) of the peripheral annular element (31) which was in the second position as indicated by an arrow 226 of Figure 16 is the first position lower third position by the height (H 2) from the (initial position) (A position lower than H 2 -H 0 from the adsorption face 22). The front end faces 38a, 38b and 47 are stepped faces with stepped faces and a stepped face with respect to the attracting face 22, respectively.

또한 제어부(150)는, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력하고, 도 20e에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)으로부터 소정의 시간 경과 후의 시각(t10)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92), 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 각각 3방향 밸브(81, 91)를 각각 홈(26), 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키도록 전환한다. 이것에 의해, 도 17의 화살표(225, 228)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기와 개구(23)의 공기는 진공 장치(140)에 흡인되어, 개구 압력, 흡착 압력은 시각(t11)에 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)이 된다. 그러면, 도 17에 도시하는 화살표(229, 230)와 같이 다이싱 시트(12)는 제 3 위치로 강하하고 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a), 제 2 위치로 강하하고 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 향하여 끌어 당겨져, 하방향으로 변위된다. 이것에 따라, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역도 도 17의 화살표(231)로 나타내는 바와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 벗어나 하향으로 구부러져 변형한다. 그러면, 도 17의 화살표(232)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)과 반도체 다이(15) 사이로부터 공기가 흡인 구멍(19)에 유입된다. 이것에 의해 도 20f에 도시하는 바와 같이, 시각(t10)으로부터 시각(t11) 사이, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량은 증가해 간다. In addition, an instruction to switch to the controller 150, as shown in Fig. 20d, the time close to the fourth pressure (P 4), from close to the third pressure to the vacuum suction pressure to the atmospheric pressure (t 9) (P 3) 20E, the opening pressure is changed from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P close to the vacuum at the time t 10 after a predetermined time elapses from the time t 9 1 ). The driving portion 92 of the suction pressure switching mechanism 90 and the driving portion 82 of the opening pressure switching mechanism 80 are respectively connected to the grooves 26 and the openings 23 And the vacuum device 140 are communicated with each other. As a result, the air in the groove 26 and the air in the opening 23 are sucked into the vacuum device 140, as indicated by arrows 225 and 228 in Fig. 17, 11 are respectively a first pressure P 1 and a third pressure P 3 close to a vacuum. Then, the dicing sheet 12, as indicated by the arrows 229 and 230 shown in Fig. 17, is lowered to the second position by the front end face 38a of the peripheral annular moving element 31 descending to the third position Is pulled toward the distal end face (38b) of the intermediate annular moving element (40) and is displaced downward. The region of the semiconductor die 15 opposed to the distal end faces 38a and 38b is also bent downward away from the surface 18a of the collet 18 as indicated by the arrow 231 in Fig. Then air is introduced into the suction hole 19 from the space between the surface 18a of the collet 18 and the semiconductor die 15 as indicated by the arrow 232 in Fig. As a result, as shown in Fig. 20F, the amount of air leak flowing into the suction hole 19 of the collet 18 increases from time t 10 to time t 11 .

제어부(150)는, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t11)에 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 각각 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92), 개구 압력 전환 기구(80)의 구동부(82)는 각각 3방향 밸브(81, 91)를 각각 홈(26), 개구(23)와 대기 개방의 배관(85, 95)을 연통시키도록 전환한다. 그러면, 도 18의 화살표(241, 242)로 나타내는 바와 같이, 개구(23), 홈(26)에 공기가 유입되어, 개구 압력, 흡착 압력이 상승하므로, 다이싱 시트(12)는, 도 18에 도시하는 화살표(243로 나타내는 바와 같이, 상방향으로 변위된다. 다이싱 시트(12)의 상방향의 변위와, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공에 의해 반도체 다이(15)는 콜릿(18)의 표면(18a)에 접근해 가므로, 도 20f에 도시하는 바와 같이, 시각(t11)으로부터 시각(t12) 동안, 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량은 감소해 가고, 최종적으로 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되는 시각(t12)에는 제로가 된다. 또한 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t12)에는, 개구 압력, 흡착 압력은 각각 대기에 가까운, 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)이 된다. 이 상태에서는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 달라붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다(2회째의 제 3 박리 공정). 이것으로, 제어부(150)는 제 3 박리 프로그램(160)을 종료한다. 20E and 20D, the control unit 150 sets the opening pressure and the adsorption pressure at the time t 11 from the first pressure P 1 close to the vacuum and the third pressure P 3 , respectively, And outputs a command to switch to the second pressure (P 2 ) and the fourth pressure (P 4 ) close to the atmospheric pressure. The driving portion 92 of the suction pressure switching mechanism 90 and the driving portion 82 of the opening pressure switching mechanism 80 are respectively connected to the grooves 26 and the openings 23 ) And the pipes 85 and 95 of the air opening. 18, the air is introduced into the openings 23 and the grooves 26, and the opening pressure and the adsorption pressure are increased. As a result, the dicing sheet 12 is moved in the direction indicated by arrows 241, The upward displacement of the dicing sheet 12 and the vacuum of the suction hole 19 of the collet 18 cause the semiconductor die 15 to move in the upward direction The amount of air leaking into the suction hole 19 decreases from time t 11 to time t 12 as shown in FIG. 20F because the surface 18a of the collet 18 approaches the surface 18a of the collet 18 go finally the semiconductor die (15) there is a zero-surface vacuum adsorbed time (t 12) to (18a) of the collet 18. in addition, as shown in Fig. 20e, Fig. 20d, the time (t 12) There, the opening pressure, the adsorption pressure is near, the second pressure (P 2), a fourth pressure (P 4) in each atmosphere. in this state, as shown in Fig. 18, the main The semiconductor die 15 in the area corresponding to the front end face 47 of the moving element 45 is stuck to the dicing sheet 12 but most of the area of the semiconductor die 15 is covered by the dicing sheet 12 (The third peeling step of the second time). Thus, the control section 150 ends the third peeling program 160

이상, 설명한 바와 같이, 제어부(150)는, 시각 t5에서 t6과 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환함과 아울러, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하고, 시각 t8에서 t9와 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환함과 아울러, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하도록, 개구 압력, 흡착 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환할 때마다, 외측의 환상 이동 요소로부터 내측의 환상 이동 요소를 향하여 차례로, 선단면을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시키도록 제 3 박리 공정을 반복하여, 반도체 다이(15)의 주위로부터 내측을 향하여 단계적으로 다이싱 시트(12)를 박리시켜 간다. As described above, the control unit 150 sets the opening pressure and the adsorption pressure to be substantially equal to the atmospheric pressure from the first pressure (P 1 ) and the third pressure (P 3 ) close to the vacuum at time t 5 to t 6 a second pressure (P 2), a fourth pressure (P 4) to a conversion box and, at the same time, moved to the second position the distal end face (38a) of the peripheral annular element (31) from a first position, and the time from t 8 such as t 9, the opening pressure, the first pressure close to the suction pressure, respectively to a vacuum (P 1), the second pressure close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3) (P 2) , a fourth pressure (P 4) And the adsorption pressure is set to a first pressure (P 1 ) close to the vacuum, a third pressure (P 1 ) close to the vacuum, and a second pressure (P 1 ) close to the vacuum so as to move the front end face (38b) of the intermediate annular moving element (40) from the first position to the second position. (P 3) from a second pressure close to the atmospheric pressure (P 2), a fourth pressure (P 4) whenever the switch, from the inner side of the annular mobile elements of the outer annular mobile elements Against the turn, so as to move to the second position a distal end surface from a first position to repeat the third separation step, the flow was gradually peeled off the dicing sheet 12, toward the inside from the periphery of the semiconductor die (15).

제 3 박리 프로그램을 종료한 후, 제어부(150)는, 시각(t12)에, 슬라이더(51)에 부착된 반원기둥 부재(52)가 각 이동 요소의 키부(37a, 37b, 37f)에 끼워 넣어지도록, 슬라이더(51)의 위치를 도 4a에 도시하는 가장 우측까지 이동시킨다. 이 슬라이더(51)의 이동에 의해, 중간 환상 이동 요소(40)는, 수평 지지면(36b)을 반원기둥 부재(52)의 정점(52a)에 의해 지지받게 되므로, 그 선단면(38b)은, 도 19의 화살표(246)로 나타내는 바와 같이, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 강하한다. 또한, 도 19에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)는 직선 캠면이 없고, 슬라이더(51)의 이동 방향에 있는 수평 지지면(36f)은 슬라이더(51)가 초기 위치에 있을 때에 접하고 있는 수평 지지면(39f)과 동일면이므로, 슬라이더(51)의 이동에 의해 선단면(47)의 위치는 변화되지 않고, 초기 위치인 제 1 위치인 채로 되어 있다. 슬라이더(51)의 반원기둥 부재(52)가 각 키부(37a, 37b, 37f)에 끼워 넣어지면 각 이동 요소(31, 40, 45)는 상하 방향으로 고정된다. 또한 제어부(150)는 시각(t12)에 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 홈(26)과 진공 장치(140)를 연통하도록 전환한다. 이것에 의해, 도 19의 화살표(245)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되어, 홈(26)이 진공으로 되고, 다이싱 시트(12)는 흡착면(22)에 진공 흡착된다. 도 19에 도시하는 상태에서는, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 달라붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다. The shut down the third separation program, the controller 150, into the time (t 12) to, a semi-cylindrical member 52 is attached to the slider 51 is a key section (37a, 37b, 37f) of each mobile element The position of the slider 51 is moved to the rightmost position shown in Fig. As the slider 51 moves, the intermediate annular moving element 40 is supported by the apex 52a of the semi-cylindrical member 52 in the horizontal support surface 36b, , And drops from the second position to the third position as indicated by the arrow 246 in Fig. 19, the columnar moving element 45 has no straight cam face, and the horizontal support surface 36f in the moving direction of the slider 51 is in contact with the slider 51 when the slider 51 is at the initial position The position of the distal end face 47 is not changed by the movement of the slider 51 and is kept at the first position which is the initial position. When the semicylindrical member 52 of the slider 51 is fitted into the key portions 37a, 37b and 37f, the moving elements 31, 40 and 45 are fixed in the vertical direction. In addition, the controller 150 outputs an instruction to switch to the time the third pressure (P 3), close to the suction pressure in the vacuum (12 t). The drive unit 92 of the suction pressure switching mechanism 90 switches the three-way valve 91 to communicate the groove 26 and the vacuum device 140 with each other. 19, the air in the groove 26 is sucked into the vacuum device 140, the groove 26 is made to be in a vacuum, and the dicing sheet 12 is pressed against the adsorption face (22). 19, the semiconductor die 15 in the region corresponding to the front end face 47 of the columnar moving element 45 is stuck to the dicing sheet 12, but most of the semiconductor die 15 The region is peeled from the dicing sheet 12.

제어부(150)는 도 20a의 시각(t13)에 콜릿(18)이 상승되는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)는 모터를 구동하여, 도 19의 화살표(247)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)을 상승시킨다. 각 이동 요소(31, 40, 45)는 상하 방향으로 고정되어 있고, 다이싱 시트(12)는 흡착면(22)에 진공 흡착되어 있으므로, 콜릿(18)이 상승하면, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되고, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)에 흡착된 상태에서 픽업된다. The controller 150 outputs an instruction that the collet 18 is increased at the time (t 13) of Figure 20a. According to this instruction, the collet driver 130 shown in Fig. 1 drives the motor to raise the collet 18 as indicated by the arrow 247 in Fig. Since the moving elements 31, 40 and 45 are fixed in the vertical direction and the dicing sheet 12 is vacuum-adsorbed on the adsorption face 22, when the collet 18 rises, The semiconductor die 15 in the region corresponding to the front end face 47 of the semiconductor die 15 is peeled off from the dicing sheet 12 and the semiconductor die 15 is picked up in the state of being attracted to the collet 18.

반도체 다이(15)를 픽업하면, 제어부(150)는 시각(t14)에 슬라이더(51)를 초기 위치로 되돌리면, 각 이동 요소(31, 40, 45)의 각 선단면(38a, 38b, 47)은 제 1 위치로 돌아간다. 또한 제어부(150)는 흡착 압력, 개구 압력을 대기압으로 되돌려 픽업 동작을 종료한다. When picking up the semiconductor die (15), the controller 150 time (t 14) to each front end face of reverting the slider 51 to the initial position, each movable element (31, 40, 45) ( 38a, 38b, 47 return to the first position. Further, the control unit 150 returns the adsorption pressure and the opening pressure to the atmospheric pressure to complete the pickup operation.

이상에서 설명한 실시형태의 반도체 다이의 픽업 장치(500)는, 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 개구 압력, 흡착 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환할 때마다, 외측의 환상 이동 요소로부터 내측의 환상 이동 요소를 향하여 차례로, 선단면을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시키도록 제 3 박리 공정을 반복하여, 반도체 다이(15)의 주위로부터 내측을 향하여 단계적으로 다이싱 시트(12)를 박리시켜 가므로, 픽업 시의 반도체 다이의 손상을 억제할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. The pick-up apparatus 500 of the semiconductor die of the embodiment described above is capable of picking up the semiconductor die 15 by setting the opening pressure and the suction pressure to the first pressure P 1 and the third pressure P 3 close to the vacuum, From the first annular moving element to the inner annular moving element sequentially from the first position to the second position (P 2 ) and the fourth pressure (P 4 ) The dicing sheet 12 is peeled in a stepwise manner from the periphery of the semiconductor die 15 toward the inside so that damage to the semiconductor die at the time of picking up can be suppressed Effect can be obtained.

또한, 상기의 실시형태에서는, 개구 압력, 흡착 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환할 때마다, 1개의 환상 이동 요소의 선단면을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하는 것으로서 설명했지만, 압력을 전환할 때의 슬라이더(51)의 슬라이드 거리를 길게 하여, 복수의 환상 이동 요소의 선단면을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시키도록 해도 된다. 또한 본 실시형태에서는, 주상 이동 요소(45)는 직선 캠면을 갖지 않고, 선단면(47)은 제 1 위치로부터 이동하지 않는 것으로서 설명했지만, 주상 이동 요소(45)가 직선 캠면을 구비하고, 내주측의 환상 이동 부재의 선단면이 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동한 후에, 선단면(47)이 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하도록 구성해도 된다. 또한 본 실시형태에서는, 제 2 위치는 흡착면(22)보다도 (H1-H0)만큼 낮은 위치로서 설명했지만, 제 2 위치는 제 1 위치보다도 낮으면, 흡착면(22)과 동일면이어도 되고, 흡착면보다 높은 위치이어도 된다. Further, in the above embodiment, the opening pressure, the first pressure close to the suction pressure to the vacuum (P 1), the second pressure close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3) (P 2) , a fourth pressure (P 4 ), The front end face of one annular moving element is moved from the first position to the second position. However, the sliding distance of the slider 51 at the time of switching the pressure is long, The distal end surface of the moving element may be moved from the first position to the second position. In this embodiment, the columnar moving element 45 does not have a straight cam face and the front end face 47 does not move from the first position. However, the columnar moving element 45 may have a straight cam face, The distal end face 47 may be moved from the first position to the second position after the distal end surface of the annular moving member on the side of the distal end moving member moves from the first position to the second position. In the present embodiment, the second position is described as a position lower than the adsorption surface 22 by (H 1 -H 0 ). However, if the second position is lower than the first position, it may be the same surface as the adsorption surface 22 , Or higher than the adsorption surface.

또한 본 실시형태의 동작의 설명에서는, 이동 요소(30)는 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 3개의 이동 요소로 구성되어 있고, 제 3 박리 공정을 2회 행하는 것으로서 설명했지만, 단차면 형성 기구 이동 요소(30)가 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같은 주변 환상 이동 요소(31)와 4개의 중간 환상 이동 요소(40-43)와 주상 이동 요소(45)로 구성되어 있는 것과 같은 경우에는, 주변 환상 이동 요소(31)와 4개의 중간 환상 이동 요소(40-43)의 5개 각 선단면(38a∼38e)을 각각 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하므로, 제 3 박리 공정을 5회 행하게 된다. 또한, 중간 환상 이동 요소의 수는 상기의 예에 한하지 않고, 2개 또는, 3개이어도 되고, 5개 이상이어도 된다. 중간 환상 이동 요소의 수가 많을수록, 반도체 다이(15)의 주위로부터 내측을 향하여 다단계로 조금씩 다이싱 시트(12)를 박리시켜 가므로, 픽업 시의 반도체 다이의 손상을 보다 억제할 수 있다. In the description of the operation of the present embodiment, the moving element 30 is composed of three moving elements: the peripheral annular moving element 31, the intermediate annular moving element 40, and the columnar moving element 45, It is also possible that the step difference forming mechanism moving element 30 is constituted by the peripheral annular moving element 31 and the four intermediate annular moving elements 40-43 as shown in Figs. The five annular end faces 38a to 38e of the peripheral annular moving element 31 and the four intermediate annular moving elements 40 to 43 are respectively disposed at the first position To the second position, the third peeling step is performed five times. The number of the intermediate annular moving elements is not limited to the above example, and may be two, three, or five or more. As the number of the intermediate annular moving elements increases, the dicing sheet 12 is peeled little by little in a multistage manner from the periphery of the semiconductor die 15 toward the inside, so that damage to the semiconductor die at the time of picking up can be further suppressed.

또한 본 실시형태에서는, 이동 요소(30)는, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같은 주변 환상 이동 요소(31)와 4개의 중간 환상 이동 요소(40-43)와 주상 이동 요소(45)로 구성되어 있고, 각 선단면(38a∼38e, 47)은 평탄한 면이라고 설명했지만, 각 선단면은 평탄한 면이 아니고, 예를 들면, 복수의 홈을 설치한 것으로 해도 된다. In this embodiment, the moving element 30 is constituted by a peripheral annular moving element 31, four intermediate annular moving elements 40-43 and a columnar moving element 45 as shown in Figs. 3 and 4 And each of the end surfaces 38a to 38e and 47 is a flat surface. However, each end surface may not be a flat surface, but may be provided with a plurality of grooves, for example.

예를 들면, 도 24에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(30)를 주변 환상 이동 요소(31)와 2개의 중간 환상 이동 요소(40, 41)와 주상 이동 요소(45)로 구성하고, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 표면에 복수의 홈(31a)을 설치하고, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 격자 형상으로 복수의 홈(45a)을 배치하도록 구성해도 된다. 이렇게 구성함으로써, 도 10, 도 11에 도시하는 바와 같이, 각 이동 요소(30)의 각 선단면(38a, 38b, 47)이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 접해 있는 상태에서 개구(23)를 진공에 가까운 압력으로 했을 때에, 반도체 다이(15)의 주변의 다이싱 시트(12)의 박리를 보다 촉진시킬 수 있음과 아울러, 반도체 다이(15)의 중심 부근에서의 다이싱 시트(12)의 박리를 촉진시킬 수 있어, 다이싱 시트(12)로부터 반도체 다이(15)를 픽업하는 시간을 단축할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. For example, as shown in Fig. 24, the moving element 30 is constituted by the peripheral annular moving element 31, the two intermediate annular moving elements 40 and 41 and the columnar moving element 45, A plurality of grooves 31a are provided on the front end face 38a of the moving element 31 and a plurality of grooves 45a are arranged in a lattice form on the front end face 47 of the columnar moving element 45 You can. 10 and 11, when the distal end faces 38a, 38b and 47 of each moving element 30 are in contact with the back face 12b of the dicing sheet 12, The dicing sheet 12 in the vicinity of the semiconductor die 15 can be more easily peeled off and the dicing sheet 12 in the vicinity of the center of the semiconductor die 15 can be more easily peeled off, The peeling of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 can be promoted and the time for picking up the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 can be shortened.

제어부(150)는 앞에 설명한 제 3 박리 공정 중에서, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되어 있는지 아닌지를 판단하는 제 3 박리 판단 공정을 실행하고, 제 3 박리 판단 공정 중에서, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되어 있지 않다고 판단한 경우에는, 제 3 리트라이 공정을 실시한다. 이하, 제 3 박리 판단 공정과, 제 3 리트라이 공정에 대해 설명한다. The control section 150 determines whether or not the area of the semiconductor die 15 opposed to the front end face 38a is peeled off from the front face 12a of the dicing sheet 12, If it is determined that the region of the semiconductor die 15 opposed to the front end face 38a is not peeled off from the front face 12a of the dicing sheet 12 in the third peeling determination process, A third retry process is performed. Hereinafter, the third peeling determination step and the third retry step will be described.

먼저, 도 14를 참조하여 설명한 바와 같이, 도 20f에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력이 대기 압력에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)을 향하여 저하되기 시작하면, 반도체 다이(15)가 굽힘 변형되어 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 벗어나, 공기가 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오므로, 도 1에 도시하는 유량 센서(106)에 의해 검출하는 공기 리크량은 증가해 온다. 그리고, 도 20e, 도 20d에 도시하는 바와 같이, 시각(t8)에 개구 압력과 흡착면 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승시키기 시작하면, 도 1에 도시하는 유량 센서(106)에 의해 검출하는 공기 리크량은 저하를 시작하고, 도 15에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)에 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 흡착되면, 공기 리크량은 제로가 되어, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다. 한편, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 잘 박리되어 있지 않은 경우에는, 개구 압력과 흡착면 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승시켜도, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 달라붙은 채, 콜릿(18)의 표면에 진공 흡착되지 않으므로, 공기 리크량은 시각(t9)이 되어도 제로로 되지 않는다. First, as described with reference to Fig. 14, as shown in Fig. 20F, the first pressure P 1 close to the vacuum from the second pressure P 2 at which the opening pressure is close to the atmospheric pressure at time t 7 , The semiconductor die 15 is bent and deformed so as to escape from the surface 18a of the collet 18 and air flows into the suction hole 19. As a result, the flow sensor 106 The air leakage amount detected by the air-fuel ratio sensor increases. And, close to the second to the atmospheric pressure from the time (t 8) a first pressure (P 1) closer to the vacuum to the opening pressure and suction side pressure to a third pressure (P 3) as shown in Fig. 20e, Fig. 20d the pressure (P 2), the fourth starting to increase the pressure (P 4), as the air leak amount detected by the flow rate sensor 106 shown in Fig. 1 starts to decrease and, as shown in Figure 15, If the time the semiconductor die (15) to (t 9) is adsorbed to the surface (18a) of the collet (18), the air leakage amount is an area opposite to the front end face (38a) of the zero, the peripheral annular element (31) The semiconductor die 15 of the dicing sheet 12 is peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12. On the other hand, when the semiconductor die 15 is not well separated from the surface 12a of the dicing sheet 12, the opening pressure and the suction surface pressure are set to the first pressure P 1 close to the vacuum, on the surface of near the second pressure (P 2), a fourth pressure (P 4), the semiconductor die 15 is holding, the collet (18 stuck on the dicing sheet 12, even if increase) in atmospheric pressure from P 3) not vacuum suction, the air leakage amount does not become zero even if the time (t 9).

이와 같이, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리된 경우에는, 도 21a에 도시하는 바와 같이, 공기 리크량은 제로로부터 상승한 후, 제로까지 저하되고, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 잘 박리되어 있지 않은 경우에는, 도 21c에 도시하는 바와 같이, 공기 리크량은 제로로부터 상승한 후, 어떤 유량을 유지한 채 제로까지 저하되지 않는다. 이 공기 리크량은 아날로그량이므로, 박리 검출을 정확하게 행하기 위하여, 제 3 박리 판단 공정에서는 도 21a, 도 21c에 도시하는 공기 리크량의 신호를 미분하여 도 21b, 도 21d에 도시하는 바와 같은 공기 리크량 미분값을 계산한다. 21A, when the semiconductor die 15 is peeled from the dicing sheet 12, the amount of air leakage increases from zero and then drops to zero, and the semiconductor die 15 is removed from the die In the case where it is not peeled off from the single-sided sheet 12, as shown in Fig. 21C, the air leakage amount does not decrease to zero while maintaining a certain flow amount after rising from zero. Since this air leak amount is an analog amount, in order to accurately perform the separation detection, in the third separation determination step, the air leak amount signal shown in Figs. 21A and 21C is differentiated to obtain air The leakage amount differential value is calculated.

도 21b에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 잘 박리되어 있으면, 공기 리크량이 제로로부터 상승한 후에, 제로까지 강하되므로, 공기 리크량의 미분값은, 일단, 플러스의 값으로 된 후, 마이너스의 값으로 된다. 한편, 도 21d에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 잘 박리되어 있지 않으면, 공기 리크량이 제로로부터 상승한 후, 그대로의 값으로 되므로, 공기 리크량의 미분값은, 일단, 플러스의 값으로 된 후, 제로 근방으로 되어 버린다. 그래서, 공기 리크량의 미분값의 임계값 범위를, 도 21b, 도 21d에 도시하는 바와 같이, +S와 -S 사이로 설정하면, 도 21b와 같이, 반도체 다이(15)가 잘 박리되었을 때는, 공기 리크량의 미분값이 임계값 범위를 2회 초과한다(플러스 방향으로 1회, 마이너스 방향에 1회의 합계 2회). 한편, 반도체 다이(15)가 잘 박리되어 있지 않은 경우에는, 도 21d에 도시하는 바와 같이, 공기 리크량의 미분값은 임계값을 플러스측으로 1회밖에 초과하지 않는다. 그래서, 제 3 박리 판단 공정에서는 도 20f의 시각(t7)으로부터 시각(t9) 사이의 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수가 2(짝수)가 되면, 반도체 다이(15)는 박리되었다고 판단하여 다음 박리 스텝으로 진행하는 것으로 하고, 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수가 1(홀수)인 경우에는, 반도체 다이(15)는 박리되지 않았다고 판단하여, 다음에 설명하는 제 3 리트라이 공정으로 진행하기 전에 횟수를 0으로 해 둔다(카운터를 클리어에 해 둔다).As shown in Fig. 21B, if the semiconductor die 15 is well peeled off, the air leak amount is increased from zero and then dropped to zero, so that the differential value of the air leak amount becomes once a positive value, . On the other hand, as shown in Fig. 21D, if the semiconductor die 15 is not peeled off well, the air leak amount increases from zero and then remains unchanged, so that the differential value of the air leak amount is once a positive value And becomes near zero. Therefore, if the threshold value range of the differential value of the air leakage amount is set to be between + S and -S as shown in Figs. 21B and 21D, when the semiconductor die 15 is peeled off as shown in Fig. 21B, The differential value of the air leak amount exceeds the threshold range twice (once in the plus direction, once in the minus direction, twice in total). On the other hand, when the semiconductor die 15 is not peeled off, as shown in Fig. 21D, the differential value of the air leak amount does not exceed the threshold value only once on the positive side. Thus, in the third peeling determination step, when the number of times the differential value of the air leak amount between the time t 7 and the time t 9 in FIG. 20F exceeds the predetermined threshold value range becomes 2 (even number) The semiconductor die 15 is judged to be peeled off and the process proceeds to the next peeling step. When the number of times that the differential value of the air leakage amount exceeds the predetermined threshold value range is 1 (odd number), the semiconductor die 15 is not peeled off , And the number of times is set to 0 before proceeding to the third retry process described below (the counter is cleared).

또한 도 21b의 공기 리크량의 미분값이 마이너스가 되는 영역에서, 공기 리크량의 미분값이 -S에 도달했을 때(도 21a, 도 21b의 시각(t1))에는, 도 21a에 도시하는 바와 같이, 실제의 콜릿 공기 리크량은 최대 리크량을 벗어나, 감소를 시작하고 있다. 따라서, 도 21a, 도 21b의 시각(t1) 후는, 반도체 다이(15)가 정립(正立)을 향하는(반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)를 향하는) 것을 예측할 수 있으므로, 임계값(-S)은 박리가 수렴을 향하는 전환점이라고 할 수도 있다. 따라서, 공기 리크량의 미분값이 임계값(-S)에 도달한 시점에서 다음 박리 프로세스로 이행해도 되어, 박리 시간의 단축 및 반도체 다이(15)에의 데미지 저감이 가능하게 된다. When the differential value of the air leak amount reaches -S (time (t 1 ) in FIGS. 21A and 21B) in the region where the differential value of the air leak amount in FIG. 21B becomes negative, As a result, the actual amount of collet air leaks is beginning to decrease beyond the maximum leakage amount. Thus, Fig. 21a, after the time (t 1) in FIG. 21b is predicted that the semiconductor die 15 is directed to the formulation (正立) (semiconductor die 15 is facing the surface (18a) of the collet (18)) The threshold value (-S) may be a turning point at which peeling is directed toward convergence. Therefore, when the differential value of the air leak amount reaches the threshold value (-S), it is possible to proceed to the next peeling process, thereby shortening the peeling time and reducing the damage to the semiconductor die 15.

제어부(150)는, 도 22e, 도 22d에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)를 이동시키지 않고, 시각(t9)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 저하시키고, 시각(t21)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하시킨다. 그리고, 시각(t22)에 도 22d, 도 22e에 도시하는 바와 같이, 흡착 압력, 개구 압력을 각각 진공에 가까운 제 3 압력(P3), 제 1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제 4 압력(P4), 제 2 압력(P2)으로 상승시킨다(제 3 리트라이 공정). 제 3 리트라이 공정에 의해, 도 22f의 시각(t22)으로부터 시각(t23) 사이에 공기 리크량이 저하되어 제로로 되면, 이 때의 공기 리크량의 미분값이 1회 소정의 임계값 범위를 초과한다(마이너스측의 임계값 범위를 초과함). 이것에 의해, 도 22f에 도시하는 시각(t7)으로부터 시각(t23) 사이의 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수가 2(짝수)가 되므로, 제어부(150)는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되었다고 판단하여 제 3 리트라이 공정을 종료하고 다음 제 3 박리 공정으로 진행하기 전에 횟수를 0으로 해 둔다(카운터를 클리어에 해 둔다). Controller 150, as shown in Fig. 22e, Fig. 22d, without moving the peripheral annular element (31), the vacuum from the time (t 9) a fourth pressure (P 4) close to the suction pressure to the atmospheric pressure in No. 3 is lowered to the pressure (P 3) and a lowered, from the time (t 21) the second pressure (P 2) close to the opening pressure close to the atmospheric pressure to a first pressure in a vacuum (P 1) closer to. Then, as shown in FIG. 22d, FIG. 22e in time (t 22), the third pressure close to a vacuum to suction pressure, the opening pressure, respectively (P 3), the second close to atmospheric pressure from the first pressure (P 1) 4 The pressure P 4 , and the second pressure P 2 (third retry process). When the air leak amount is reduced to zero by the third retry process from the time t 22 to the time t 23 in FIG. 22F, the differential value of the air leak amount at this time is reduced to a predetermined threshold value range (Exceeds the threshold value range on the negative side). Thus, the number of times the differential value of the air leak amount between the time t 7 and the time t 23 shown in FIG. 22F exceeds the predetermined threshold value range becomes 2 (even number) It is determined that the semiconductor die 15 in the region facing the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 is peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12 and the third retry process is terminated The number of times is set to 0 before proceeding to the third peeling process (the counter is cleared).

또한, 제어부(150)는, 제 3 박리 공정을 복수회 행하는 경우에는, 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수를 적산 카운트하고, 그 카운트수가 짝수로 된 경우에 다음 제 3 박리 공정으로 진행하고, 카운트수가 홀수로 된 경우에 제 3 리트라이 공정으로 진행하도록 해도 된다. 예를 들면, 1회째의 제 3 박리 공정에서 반도체 다이(15)의 소정 부분의 박리가 이루어진 경우에는, 미분값의 카운트가 2(짝수)가 되므로, 2회째의 제 3 박리 공정으로 진행한다. 2회째의 제 3 박리 공정에서는 반도체 다이(15)의 소정 부분의 박리가 이루어지지 않아, 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수가 1회인 경우, 적산 카운트수는 3(홀수)이 되므로, 3회째의 제 3 박리 공정으로 진행하지 않고, 제 3 리트라이 공정으로 진행한다. 제 3 리트라이 공정에서 반도체 다이(15)의 소정 부분의 박리가 이루어진 경우에는, 공기 리크량의 미분값이 소정의 임계값 범위를 초과한 횟수가 1회 카운트되므로, 적산 카운트수는 4(짝수)가 되므로, 3회째의 제 3 박리 공정으로 진행한다. 이와 같이, 적산 카운트수가 짝수로 되는지 홀수로 되는지로 다음 제 3 박리 공정으로 진행할 것인가 아닐지를 판단함으로써, 몇회째의 제 3 박리 공정에서 반도체 다이의 박리가 이루어진 것인지를 카운트수만으로 판단할 수 있다.When the third peeling step is performed a plurality of times, the control unit 150 integrates and counts the number of times that the differential value of the air leak amount exceeds the predetermined threshold value range, and when the number of counts becomes an even number, And the third retry process may be performed when the number of counts becomes an odd number. For example, when the predetermined portion of the semiconductor die 15 is peeled off in the first peeling step, the count of the differential value becomes 2 (even number), so that the second peeling step proceeds to the second peeling step. In the second peeling step, the peeling of the predetermined portion of the semiconductor die 15 is not carried out, and when the number of times that the differential value of the air leak amount exceeds the predetermined threshold value range is once, Odd number), the process proceeds to the third retry process without proceeding to the third peeling process. In the case where a predetermined portion of the semiconductor die 15 is peeled off in the third retry process, the number of times that the differential value of the air leak amount exceeds the predetermined threshold value range is counted once, so that the number of integrated counts is 4 ), The process proceeds to the third peeling step of the third time. Thus, it is determined whether or not the cumulative number of counts is an even number or an odd number, so that it is judged whether or not to proceed to the next third separation step, so that it can be judged by counting only how many times the separation of the semiconductor die occurred in the third separation step.

본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 장치(500)는, 상기한 바와 같이, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되었는지 아닌지를 확인하고나서 다음 박리 공정으로 진행하도록 하고 있으므로, 박리 동작 시에 반도체 다이(15)를 손상시키는 것을 억제할 수 있다. Since the pick-up apparatus 500 of the semiconductor die of the present embodiment is configured to proceed to the next peeling step after confirming whether or not the semiconductor die 15 has been peeled off from the dicing sheet 12 as described above, The damage to the semiconductor die 15 can be suppressed.

다음에 도 23을 참조하면서, 제 2 박리 공정(제 2 박리 프로그램(159)), 제 2 박리 확인 공정, 제 2 리트라이 공정에 대해 설명한다. 먼저 도 1 내지 도 22a∼도 22f를 참조하여 설명한 제 3 박리 공정(제 3 박리 프로그램(160)), 제 3 박리 확인 공정, 제 3 리트라이 공정과 동일한 동작에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. Next, the second peeling step (second peeling program 159), the second peeling confirmation step and the second retry step will be described with reference to FIG. First, the same operations as those of the third peeling step (the third peeling program 160), the third peeling confirmation step, and the third retry step described with reference to Figs. 1 to 22A to 22F are given the same reference numerals and the description thereof is omitted .

도 23a∼도 23f에 도시하는 바와 같이, 제 2 박리 공정(제 2 박리 프로그램(159)), 제 2 박리 확인 공정, 제 2 리트라이 공정은, 시각 t2에서 t3 사이에 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 한 후, 흡착 압력을 제 3 압력(P3)으로 유지한 상태에서, 제 3 박리 공정(제 3 박리 프로그램(160)), 제 3 박리 확인 공정, 제 3 리트라이 공정과 마찬가지로 개구 압력, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치, 콜릿(18)의 위치를 변화시키는 것으로, 흡착 압력을 제 3 압력(P3)으로 유지하는 점 이외는 제 3 박리 공정, 제 3 박리 확인 공정, 제 3 리트라이 공정과 마찬가지이다. 제 2 박리 공정(제 2 박리 프로그램(159)), 제 2 박리 확인 공정, 제 2 리트라이 공정은, 제 3 박리 공정(제 3 박리 프로그램(160)), 제 3 박리 확인 공정, 제 3 리트라이 공정과 동일한 효과를 얻을 수 있다. As shown in Fig. 23a~ Figure 23f, a second separation step (second peeling program 159), the second peeling process check, the second resetting step, the adsorption pressure between t 3 at time t 2 vacuo close to the third pressure (P 3) in a holding state to the adsorption pressure and then to a third pressure (P 3), determine a third separation step (the third detachment program 160), a third separation step to, the 3, the adsorption pressure is changed to the third pressure P 3 by changing the opening pressure, the position of the peripheral annular moving element 31, the position of the intermediate annular moving element 40, and the position of the collet 18, , The third peeling step, the third peeling confirmation step and the third retry step are the same. The second peeling step (the second peeling program 159), the second peeling confirmation step and the second retry step are the same as the third peeling step (third peeling program 160), the third peeling confirmation step, The same effect as the trie process can be obtained.

다음에 도 25로부터 도 38을 참조하여 이동 요소(630)를 5개의 판 형상 이동 요소(631∼635)로 구성한 실시형태에 대해 설명한다. 먼저, 도 1 내지 도 20a∼도 20f를 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 부재에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. Next, an embodiment in which the moving element 630 is constituted by five plate-like moving elements 631 to 635 will be described with reference to FIG. 25 to FIG. First, the same members as those of the embodiment described with reference to Figs. 1 to 20A to 20F are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

도 25에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(630)는 5개의 제 1∼제 5 판 형상 이동 요소(631∼635)를 도 4에 도시하는 슬라이더(51)의 이동 방향으로 겹쳐서 배치한 것으로, 각 선단면(631a∼635a)이 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출하도록 배치된 것이다. 앞에 설명한 실시형태와 마찬가지로, 각 판 형상 이동 요소(631∼635)는 슬라이더(51)에 접하고, 슬라이더(51)의 이동에 의해 각 판 형상 이동 요소(631∼635)를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동시키는 경사면을 구비하고 있다. 각 경사면은 슬라이더(51)의 이동 방향을 따라 각 판 형상 이동 요소(631∼635)가 제 1 위치로부터 제 2 위치로 차례로 이동하도록 슬라이더(51)의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있다. 단차면 형성 기구(300)에 의해 슬라이더(51)가 이동하면, 이동 요소(631∼635)는 각 선단면(631a∼635a) 흡착면에서의 높이가 H0→H1→H2으로 이동한다. As shown in Fig. 25, the moving element 630 has five first to fifth plate-shaped moving elements 631 to 635 which are arranged so as to overlap each other in the moving direction of the slider 51 shown in Fig. line to the end face (631a~635a) is disposed so as to protrude by a distance above the suction face (22) (H 0) of the stage (20). The plate-like moving elements 631 to 635 come in contact with the slider 51 and move the plate-like moving elements 631 to 635 in the first and second positions by the movement of the slider 51, And an inclined surface that moves between the positions. The inclined surfaces are arranged so as to be displaced in the moving direction of the slider 51 so that the plate-like moving elements 631 to 635 sequentially move from the first position to the second position along the moving direction of the slider 51. When the slider 51 is moved by the stepped surface forming mechanism 300, the moving elements 631 to 635 shift in height from the adsorption face of each of the front end faces 631a to 635a from H 0 to H 1 to H 2 .

앞에 설명한 실시형태와 마찬가지로, 제어부(150)는, 최초에, 도 1에 도시하는 위치맞춤 프로그램(157)을 실행한다. 초기 상태에서는 각 판 형상 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로, 제어부(150)는 스테이지(20)를 상승시켜 각 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)을 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착시킨다. 그리고, 제어부(150)는, 다시, 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해, 픽업하려고 하는 반도체 다이(15)가 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 약간 돌출해 있는 이동 요소(630)의 각 선단면(631a∼635a)(단차면)의 바로 위에 이르도록 수평 위치를 조정한다. Similar to the above-described embodiment, the control unit 150 first executes the alignment program 157 shown in Fig. The initial end faces 631a to 635a of the plate-like moving elements 631 to 635 are in the first position protruding from the attracting surface 22 of the stage 20 by the height H 0 , The stage 150 raises the stage 20 so that the distal end surfaces 631a to 635a of the moving elements 631 to 635 are brought into close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12. The control unit 150 then controls the semiconductor die 15 to be picked up by the wafer holder horizontal direction drive unit 110 to move the movable element 630 slightly protruding from the suction surface 22 of the stage 20, The horizontal position is adjusted so as to reach directly above each of the end faces 631a to 635a (step difference surface)

도 26에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 크기는 스테이지(20)의 개구(23)보다도 작고, 이동 요소(630)의 폭 혹은 깊이보다도 크므로, 스테이지(20)의 위치 조정이 종료되면, 반도체 다이(15)의 외주끝은 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 외면(631b) 사이, 또는, 내면(23a)과 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b) 사이 즉 개구(23)의 내면(23a)과 제 1, 제 5 판 형상 이동 요소(631, 635)의 각 외면(631b, 635b) 사이의 간극(d)의 바로 위로 되어 있다. 초기 상태에서는, 스테이지(20)의 홈(26) 혹은 흡착면(22)의 압력은 대기압이고, 개구(23)의 압력도 대기압으로 되어 있다. 초기 상태에서는 각 판 형상 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)은, 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로, 각 선단면(631a∼635a)에 접해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)의 높이도 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있다. 또한 개구(23)의 둘레 가장자리에서는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 흡착면(22)으로부터 약간 떠 있고, 개구(23)로부터 벗어난 영역에서는 흡착면(22)에 밀착한 상태로 되어 있다. 수평 방향의 위치 조정이 종료되면, 제어부(150)는, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)에 의해 콜릿(18)을 반도체 다이(15)의 위로 강하시켜 콜릿(18)의 표면(18a)을 반도체 다이(15)에 착지시킨다. 콜릿(18)이 반도체 다이(15)의 위에 착지하면, 제어부(150)는 흡인 기구(100)의 구동부(102)에 의해 3방향 밸브(101)를 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 전환한다. 이것에 의해 흡인 구멍(19)은 진공으로 되고, 콜릿(18)은 표면(18a)에 반도체 다이(15)를 흡착 고정한다(위치맞춤 프로그램의 종료). 이때, 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이는, 도 26에 도시하는 바와 같이, 각 판 형상 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)의 높이(흡착면(22)으로부터 높이(H0))에 다이싱 시트(12)의 두께와 반도체 다이(15)의 두께를 더한 높이(Hc)로 되어 있다. The size of the semiconductor die 15 is smaller than the opening 23 of the stage 20 and larger than the width or depth of the moving element 630 so that the position adjustment of the stage 20 is completed The outer circumferential end of the semiconductor die 15 is positioned between the inner surface 23a of the opening 23 of the stage 20 and the outer surface 631b of the first plate-shaped moving element 631, The gap between the outer surfaces 635b of the five-plate shape shifting element 635, that is, the inner surface 23a of the opening 23 and the outer surfaces 631b and 635b of the first and fifth plate shifting elements 631 and 635, (d). In the initial state, the pressure of the groove 26 or the suction surface 22 of the stage 20 is the atmospheric pressure, and the pressure of the opening 23 is also the atmospheric pressure. The initial end faces 631a to 635a of the plate-like moving elements 631 to 635 are in the first position protruding from the attracting surface 22 of the stage 20 by the height H 0 , the height of the back surface (12b) of the dicing sheet 12 in contact with the respective front end face (631a~635a) also is in a first position projecting by the height (H 0) from the absorption surface 22. the The back surface 12b of the dicing sheet 12 slightly floats from the adsorption surface 22 at the peripheral edge of the opening 23 and is brought into close contact with the adsorption surface 22 in the region deviated from the opening 23 have. When the position adjustment in the horizontal direction is completed, the control unit 150 causes the collet 18 to descend above the semiconductor die 15 by the collet driving unit 130 shown in Fig. 1 to move the surface 18a of the collet 18, To land on the semiconductor die 15. When the collet 18 is landed on the semiconductor die 15, the control unit 150 controls the three-way valve 101 to move to the suction hole 19 of the collet 18 by the driving unit 102 of the suction mechanism 100 The vacuum device 140 is switched to the communication direction. As a result, the suction hole 19 becomes vacuum, and the collet 18 sucks and fixes the semiconductor die 15 on the surface 18a (end of the alignment program). 26, the height of the front surface 18a of the collet 18 is set so that the height of the distal end surfaces 631a to 635a of the plate-like moving elements 631 to 635 is the height (Hc) obtained by adding the thickness of the height (H 0)), the dicing sheet 12 and the thickness of the semiconductor die (15).

다음에 제어부(150)는 도 1에 도시하는 제 1 박리 프로그램(158)을 실행한다. 제어부(150)는 도 38e에 도시하는 시각(t1)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 된다. 그리고, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 도 27의 화살표(202)로 나타내는 바와 같이, 흡착면(22)의 표면에 진공 흡착된다. 각 판 형상 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제 1 위치로 되어 있으므로 다이싱 시트(12)에는, 비스듬히 하향의 인장력(F1)이 걸린다. 이 인장력(F1)에 의해 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 어긋남이 발생한다. 이 어긋남은 다이싱 시트(12)와 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과의 박리의 계기가 된다. Next, the control unit 150 executes the first peeling program 158 shown in Fig. The controller 150 outputs an instruction to switch also the time close to the fourth pressure (P 4), from close to the third pressure to the vacuum suction pressure to the atmospheric pressure (t 1), (P 3) shown in Fig. 38e. With this command, may be, a third pressure (P 3) close to the suction pressure at the time (t 2) to a vacuum as shown in 38e. The back surface 12b of the dicing sheet 12 at the peripheral edge of the opening 23 is vacuum-adsorbed on the surface of the adsorption surface 22 as indicated by an arrow 202 in Fig. Because each distal end surface (631a~635a) of each plate-like element (631-635) is in a first position projecting by the height (H 0) from the adsorption face 22 of the stage 20, the dicing sheet (12 ), A tensile force F 1 of an obliquely downward direction is applied. This tensile force F 1 causes a deviation between the outer peripheral portion or peripheral portion of the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12. This deviation is an opportunity for separation between the dicing sheet 12 and the outer peripheral portion or peripheral portion of the semiconductor die 15.

제어부(150)는, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 된 후, 소정의 시간만큼 유지되고, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 28의 화살표(206)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되어, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)에는 개구 압력이 진공에 가까운 제 1 압력(P1)이 된다. 이것에 의해, 도 28의 화살표(203)에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 외면(631b)과의 간극(d) 및 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 끌어 당겨진다. 또한 각 간극(d)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 주변부는, 다이싱 시트(12)에 끌어 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 구부러져 변형된다. 이것에 의해 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 시각(t2)에 흡착 압력이 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 되었을 때에 반도체 다이(15)의 외주 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 발생한 어긋남 때문에, 반도체 다이(15)의 주변부에는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리하는 계기가 형성되어 있으므로, 반도체 다이(15)의 주변부는, 도 28의 화살표(204)로 나타내는 바와 같이, 굽힘 변형하면서도 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되기 시작하고 있다. 38E, the controller 150 holds the adsorption pressure for a predetermined time after the adsorption pressure becomes the third pressure P 3 close to the vacuum at time t 2 , like, and outputs an instruction to switch to a time close to the second pressure (P 2) from a first pressure close to vacuum pressure in the opening to atmospheric pressure (t 3) (P 1) . With this command, as indicated by an arrow 206 in FIG. 28, the air of the opening 23 is drawn into the vacuum apparatus 140, as shown in Figure 38f, this has an opening pressure time (t 4) And becomes the first pressure P 1 close to the vacuum. As a result, the gap d between the inner surface 23a of the opening 23 and the outer surface 631b of the first plate-shaped moving element 631 as shown by an arrow 203 in Fig. 28, The dicing sheet 12 immediately above the gap d between the outer surface 635b of the plate-like moving element 635 and the outer surface 635b of the plate-like moving element 635 is pulled downward. The peripheral portion of the semiconductor die 15 located immediately above each gap d is pulled by the dicing sheet 12 and bent downward as indicated by an arrow 204 to be deformed. Whereby the peripheral portion of the semiconductor die 15 falls away from the surface 18a of the collet 18. Since time near the third pressure (P 3) a shift occurs between the surface (12a) of the semiconductor die 15, the outer peripheral portion and a dicing sheet 12 when the suction pressure (t 2), the vacuum, the semiconductor die Since the peripheral portion of the semiconductor die 15 is provided with an instrument for peeling off from the surface 12a of the dicing sheet 12, the peripheral portion of the semiconductor die 15 is subjected to bending deformation And is beginning to separate from the surface 12a of the dicing sheet 12.

도 28에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지면, 도 28의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 되어 있는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 유입된 공기 유량(공기 리크량)은 유량 센서(106)에 의해 검출된다. 도 38f에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)로부터 시각(t4)을 향하여 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하되어 감에 따라, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)와 함께 하방향으로 끌어 당겨져서 굽힘 변형되어 가므로, 도 38g에 도시하는 바와 같이, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오는 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 증가해 간다. 28, when the peripheral portion of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18, as shown by an arrow 205 in Fig. 28, the suction of the collet 18 in a vacuum Air is introduced into the hole 19. [ The inflow air flow rate (amount of air leak) is detected by the flow rate sensor 106. The opening pressure decreases from the time t 3 to the time t 4 from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum as shown in FIG. 38G, the semiconductor die 15 is pulled downward together with the dicing sheet 12 to be bent and deformed. As a result, as shown in Fig. 38G, the semiconductor die 15 flows into the suction hole 19 of the collet 18 The air leak amount increases from the time t 3 to the time t 4 .

제어부(150)는, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)으로부터 시각(t5) 동안, 스테이지(20)의 개구(23)와 홈(26) 혹은 흡착면(22)을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 유지한다. 이 동안에, 도 29의 화살표(207)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공과, 반도체 다이(15)의 탄성에 의해 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아간다. 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)을 향함에 따라, 도 38g의 시각(t4)으로부터 시각(t5)에 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오는 공기 리크량은 감소하고, 시각(t5)에, 도 29에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 제로가 된다. 이때, 반도체 다이(15)의 주변부는 각 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(초기 박리 공정). 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리될 때는, 개구(23)의 각 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)는 하방향으로 변위된다. 제어부(150)는 시트 변위 검출 센서(107)에 의해 다이싱 시트(12)의 하방향으로의 변위(흡착면(22)에 대한 접리 방향의 변위)를 검출하고, 검출된 변위가 소정의 임계값을 초과하는 경우에는, 반도체 다이(15)의 주변부는 각 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리되었다고 판단한다. 또한 검출된 변위가 소정의 임계값 이하인 경우에는, 반도체 다이(15)의 주변부는 각 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 초기 박리되지 않았다고 판단한다(제 1 박리 판단 공정). 제어부(150)는, 반도체 다이(15)의 주변부가 초기 박리되었다고 판단한 경우에는, 다음 박리 공정으로 진행한다. 또한 제어부(150)는 반도체 다이(15)의 주변부가 초기 박리되지 않았다고 판단한 경우에는, 앞에 설명한 실시형태와 동일한 제 1 리트라이 공정을 실행하고, 검출된 변위가 소정의 변위를 초과한 경우에는, 제 1 리트라이 공정을 종료하고, 다음 박리 공정으로 진행한다(제 1 박리 프로그램의 종료). The control unit 150 controls the opening 23 and the groove 26 or the adsorption surface 22 of the stage 20 from time t 4 to time t 5 as shown in Figures 38F and 38E. Are held at a first pressure (P 1 ) and a third pressure (P 3 ) close to the vacuum, respectively. 29, the periphery of the semiconductor die 15 is pressed against the collet 18 by the vacuum of the suction hole 19 of the collet 18 and the elasticity of the semiconductor die 15, And then returns to the surface 18a. Along the peripheral portion of the semiconductor die (15) toward the surface (18a) of the collet 18, as shown in FIG. From the time (t 4) of 38g time (t 5), the suction hole (19 of the collet 18 ), when a semiconductor die 15 is vacuum adsorbed to the surface (18a) of the collet (18), the air leakage amount as the air leakage amount is reduced coming flows and, as shown in Figure 29, the time (t 5) Becomes zero. At this time, the peripheral portion of the semiconductor die 15 is peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12 located immediately above each gap d (initial peeling step). When the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12, the dicing sheet 12 located immediately above each gap d of the opening 23 is moved downward Is displaced. The control unit 150 detects the displacement of the dicing sheet 12 in the downward direction (displacement in the direction of the wedge with respect to the adsorption face 22) by the sheet displacement detection sensor 107, It is determined that the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12 located immediately above each gap d. When the detected displacement is not more than the predetermined threshold value, it is determined that the peripheral portion of the semiconductor die 15 has not been peeled from the surface 12a of the dicing sheet 12 immediately above each gap d First peeling determination step). When the control unit 150 determines that the peripheral portion of the semiconductor die 15 is initially peeled off, the control unit 150 proceeds to the next peeling step. When it is determined that the peripheral portion of the semiconductor die 15 has not been initially peeled off, the controller 150 executes the same first retry process as in the above-described embodiment, and when the detected displacement exceeds a predetermined displacement, The first retry process is terminated and the process proceeds to the next peeling process (end of the first peeling program).

다음에 제어부(150)는 도 1에 도시하는 제 3 박리 프로그램(160)을 실행한다. 제어부(150)는, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 개구 압력과 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 소정 시간 유지한 후, 시각(t5)에 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 30에 도시하는 화살표(210, 211)와 같이, 공기가 개구(23), 홈(26)에 유입되어 오므로, 도 38e, 도 38g에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)으로부터 시각(t6)을 향하여, 개구 압력과 흡착 압력은 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승해 간다. Next, the control unit 150 executes the third peeling program 160 shown in Fig. As shown in Figs. 38F and 38E, the control unit 150 holds the opening pressure and the adsorption pressure at a first pressure (P 1 ) and a third pressure (P 3 ) close to the vacuum for a predetermined time, a (t 5) the first pressure (P 1) closer to the vacuum to the opening pressure, suction pressure, respectively, the second pressure (P 2) close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3), a fourth pressure (P 4) And outputs a command for switching. This command causes air to flow into the openings 23 and grooves 26 as indicated by the arrows 210 and 211 shown in Fig. 30, so that, as shown in Figs. 38E and 38G, 5) from towards the time (t 6), the opening pressure and the suction pressure of the first pressure close to vacuum (P 1), the second pressure close to the atmospheric pressure from the third pressure (P 3) (P 2) , the fourth pressure (P 4 ).

개구 압력, 흡착 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승하면, 진공으로 하방향으로 끌어 당겨져 있던 간극(d)의 바로 위에 위치하는 다이싱 시트(12)는, 도 30의 화살표(212)로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)에 고정할 때에 인가된 인장력에 의해 상방향으로 되돌아온다. 또한 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)는, 상기의 인장력에 의해, 흡착면(22)으로부터 약간 뜬 상태로 되어 있다. When the opening pressure and the adsorption pressure are raised to the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure, the dicing sheet 12 positioned just above the gap d, Is returned upward by the tensile force applied when fixing to the wafer holder 10, as indicated by an arrow 212 in Fig. The dicing sheet 12 at the peripheral edge of the opening 23 is slightly floated from the adsorption face 22 by the above tensile force.

제어부(150)는, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)에 개구 압력, 흡착 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)이 되면, 도 38d에 도시하는 바와 같이, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)의 높이를 제 1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0인 초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치로 하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 구동부(25)의 모터(77)가 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 반시계 방향으로 회전한다. 이것에 의해, 링크 부재(60)가 도 1에 도시하는 화살표(c)와 같이 시계방향으로 회전하고, 슬라이더(51)가 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 우측을 향하여 이동을 개시한다. 38F and 38E, when the opening pressure, the adsorption pressure are the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 near the atmospheric pressure at time t 6 , The height of the front end face 631a of the first plate-like moving element 631 is changed from the first position (the initial position where the height from the adsorption face 22 is H 0 ) to the height H 1 To a second position lower than the first position. By this command, the motor 77 of the driving unit 25 shown in Fig. 1 rotates in the counterclockwise direction as shown by the arrow a in Fig. As a result, the link member 60 rotates clockwise as shown by an arrow c in Fig. 1, and the slider 51 starts moving toward the right side as shown by an arrow a in Fig. 1 .

앞에 설명한 실시형태와 마찬가지로, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 슬라이더(51)가 기준 위치로부터 우측으로 거리(L1)만큼 이동하면, 제 1 판 형상 이동 요소(631)는 당초의 제 1 위치보다도 높이(H1)만큼 하측으로 이동하고, 도 31의 화살표(214)로 나타내는 바와 같이, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)도 제 1 위치(초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 하측에서, 흡착면(22)보다도 약간 낮은 제 2 위치(흡착면(22)으로부터 높이(H1-H0)만큼 낮은 위치)로 이동한다. 도 31에 도시하는 바와 같이, 제 2∼제 5 판 형상 이동 요소(632∼635)의 각 선단면(632a∼635a)의 높이는 제 1 위치(초기 위치) 그대로이다. 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)과, 선단면(632a∼635a)은 서로 단차가 있는 단차면이다. 또한 제 2∼제 5 판 형상 이동 요소(632∼635)의 각 선단면(632a∼635a)은 각각 흡착면(22)에 대한 단차면으로 되어 있다. 슬라이더(51)가 기준 위치로부터 거리(L1)만큼 우측으로 이동하면, 제어부(150)는 모터(77)의 회전을 정지한다. 4B, when the slider 51 moves from the reference position to the right by the distance L 1 , the first plate-shaped moving element 631 is moved from the original first position as moving to the lower side by the height (H 1) and indicated by arrow 214 in FIG. 31, the height from the top face (631a) of the first plate-like element (631) is also the first position (initial position) (H 1) from the lower side by, and moves to the suction face 22 is slightly lower than the second position (attracting surface 22 height (H 0 -H 1) as a low position from). As shown in Fig. 31, the height of each end face 632a to 635a of the second to fifth plate-like moving elements 632 to 635 remains at the first position (initial position). The distal end face 631a of the first plate-shaped moving element 631 and the distal end faces 632a to 635a are stepped surfaces having a step difference from each other. The distal end faces 632a to 635a of the second to fifth plate shape shifting elements 632 to 635 are stepped surfaces with respect to the adsorption face 22, respectively. When the slider 51 moves to the right by the distance L 1 from the reference position, the control unit 150 stops the rotation of the motor 77.

다음에 제어부(150)는 시각(t6)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 전환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 홈(26)과 진공 장치(140)가 연통하도록 전환된다. 이것에 의해, 도 31의 화살표(213)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기는 진공 장치(140)를 향하여 흡인되어, 홈(26)의 압력 및 흡착면(22)의 흡착 압력은 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 되고, 다이싱 시트(12)는 흡착면(22)에 진공 흡착된다. 이때, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로 되어 있으므로, 각 간극(d)의 바로 위에 위치해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)과 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a) 사이에는 간극이 형성되어 있다. The controller 150 next outputs a command to switch to a time close to a fourth pressure (P 4), from close to the third pressure to the vacuum suction pressure to the atmospheric pressure (t 6), (P 3). With this command, the driving part 92 of the suction pressure switching mechanism 90 is switched so that the groove 26 and the vacuum device 140 communicate with the three-way valve 91. 31, the air in the groove 26 is sucked toward the vacuum device 140 so that the pressure of the groove 26 and the adsorption pressure of the adsorption surface 22 are lowered to a vacuum And the dicing sheet 12 is vacuum-adsorbed on the adsorption face 22. The third pressure P 3 is close to the adsorption face 22, At this time, since the pressure of the opening 23 is the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure, the back surface of the dicing sheet 12 12b and the distal end face 631a of the first plate-shaped moving element 631 are formed.

제어부(150)는, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 32의 화살표(215)로 나타내는 바와 같이, 개구(23) 속의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되어, 시각(t8)에는, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 된다. 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하되면, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)의 바로 위에 위치하는(대향하는) 다이싱 시트(12)는, 도 32의 화살표(216)로 나타내는 바와 같이, 이면(12b)이 선단면(631a)에 접하도록 하측으로 끌어 당겨진다. 이것에 의해, 도 32의 화살표(217)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 선단면(631a)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 일부가 하방향으로 굽힘 변형되어, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 벗어나, 공기가 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속으로 유입된다. 또한 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하하면, 도 28을 참조하여 설명한 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 끌어 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형되어, 반도체 다이(15)의 제 5 판 형상 이동 요소측의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 그러면, 도 32의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 되어 있는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 흡인 구멍(19)에 유입된 공기 리크량은 도 1에 도시하는 유량 센서(106)에서 검출된다. 공기 리크량은, 도 38g에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t7)으로부터 시각(t8) 동안 증가해 간다. The control unit 150 outputs a command for switching the opening pressure from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum at time t 7 as shown in Fig. do. As shown by arrow 215 in FIG. 32 by this instruction, the air in the aperture 23 is drawn into the vacuum apparatus 140, the time (t 8) has, as shown in Fig. 38f, opening pressure Becomes a first pressure (P 1 ) close to the vacuum. When the opening pressure is lowered from the second pressure close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum, the dicing (right-side) The sheet 12 is pulled downward so that the back surface 12b contacts the distal end surface 631a as indicated by the arrow 216 in Fig. 32, a part of the semiconductor die 15 located directly above the distal end face 631a of the semiconductor die 15 is bent downward to form the collet 18 The air is introduced into the suction hole 19 of the collet 18, as shown in Fig. When the opening pressure is lowered from the second pressure close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum as described with reference to Fig. 28, the inner surface 23a of the opening 23, The dicing sheet 12 immediately above the gap d between the semiconductor die 15 and the outer surface 635b of the semiconductor die 15 is pulled downward and bent downward as shown by the arrow 204, The peripheral portion on the side of the five-plate shape moving element falls off the surface 18a of the collet 18. Then, as indicated by an arrow 205 in Fig. 32, air flows into the suction hole 19 of the collet 18 which is in a vacuum. The amount of air leaking into the suction hole 19 is detected by the flow sensor 106 shown in Fig. Air leakage amount is also going to increase from the time for a (t 7) going to the opening pressure is reduced, the time (t 8) As shown in 38g.

제어부(150)는 시각(t8)이 되면, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승시킨다. 이것에 의해, 도 33에 화살표(220, 221)로 나타내는 바와 같이, 개구(23), 홈(26)에 공기가 유입되고, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 압력, 홈(26)의 압력 또는 흡착면(22)의 압력은 각각 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 상승한다. 이것에 의해, 도 33의 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 외면(631b)과 개구(23)의 내면(23a) 사이의 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)는 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)으로부터 벗어나 상방향으로 변위된다. 선단면(631a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는, 다이싱 시트(12)의 상방향으로의 변위와 함께, 도 33에 도시하는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향해 되돌아온다. 또한 도 33에 도시하는 바와 같이, 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b)과 개구(23)의 내면(23a) 사이의 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)도 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 상방향으로 변위되고, 제 5 판 형상 이동 요소측의 반도체 다이(15)의 주변부도 도 33에 도시하는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향해 되돌아온다. 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 근접해 오면, 도 38g의 시각(t8)으로부터 시각(t9) 사이와 같이 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량이 저하되기 시작하고, 도 38g의 시각(t9)에 공기 리크량은 제로가 된다. 이 때, 반도체 다이(15)는 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되어, 선단면(631a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역은 다이싱 시트(12)의 표면(12a)로부터 박리된다(1회째의 제 3 박리 공정). From the controller 150 the time when the (t 8) a, Fig. 38f, as shown in Fig. 38e, the opening pressure, the suction pressure, respectively a first pressure close to vacuum (P 1), the third pressure (P 3) The second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure. As a result, as shown by the arrows 220 and 221 in Fig. 33, air flows into the opening 23 and the groove 26, and as shown in Figs. 38F and 38E, the pressure of the opening 23 The pressure of the groove 26 or the pressure of the adsorption surface 22 rises to the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 which are respectively close to the atmospheric pressure. As a result, as shown by the arrow 223 in FIG. 33, the gap d between the outer surface 631b of the first plate-like moving element 631 and the inner surface 23a of the opening 23 The dicing sheet 12 is displaced upward from the front end face 631a of the first plate-like moving element 631. [ The semiconductor die 15 in the region facing the distal end face 631a is displaced upward in the direction of the dicing sheet 12 and the surface of the collet 18 as shown by an arrow 224 shown in Fig. 18a. 33, the dicing sheet 12 immediately above the gap d between the outer surface 635b of the fifth plate-like moving element 635 and the inner surface 23a of the opening 23 The periphery of the semiconductor die 15 on the side of the fifth plate-like moving element is displaced upward as shown by the arrow 223 and the peripheral portion of the surface 18a of the collet 18 as shown by an arrow 224 shown in Fig. ). Semiconductor die, air 15 flows into the suction hole 19 of the collet 18, such as between comes close to the surface (18a) of the collet (18), also the time from the time (t 8) of the 38g (t 9) amount begins to decrease and leakage, the leakage amount of the air is also the time (t 9) of 38g becomes zero. At this time, the semiconductor die 15 is vacuum-adsorbed on the surface 18a of the collet 18 so that the area of the semiconductor die 15 opposed to the end face 631a is located on the surface 12a of the dicing sheet 12, (The third peeling step of the first time).

시각(t9)에 제어부(150)는 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a)을 제 1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0인 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 슬라이더(51)가 기준 위치로부터의 거리(L2)의 위치까지 우측 방향으로 이동(거리(L2-L1)만큼 우측 방향으로 이동함)하고, 도 34의 화살표(227)로 나타내는 바와 같이, 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a)은 제 1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 또한 도 34의 화살표(226)로 나타내는 바와 같이, 제 2 위치에 있던 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)은 제 1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제 3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a), 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a), 제 3∼제 5 판 형상 이동 요소(633∼635)의 각 선단면(633a∼635a)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면으로 되어 있다. Time (t 9), the controller 150 of the second plate-like from (the H 0 of the location height from the attracting surface 22) moving element 632, the top face (632a) to the first position of the height (H 1 To a second position lower than the first position. This command causes the slider 51 to move rightward (to the right by the distance L 2 -L 1 ) from the reference position to the position of the distance L 2 from the reference position, ) as shown by the second plate-like element (front end face (632a) of 632) is the first position (the height (H 0 from the attracting surface) lower second position by the height (H 1) from as high position) ( To a position lower than H 1 -H 0 from the adsorption surface 22). Also lower by the height (H 2) from the front end face (631a) of the first plate-like element (631) which was in the second position as indicated by an arrow 226 in FIG. 34 is the first position (initial position), the 3 (a position lower than H 2 -H 0 from the adsorption face 22). The front end face 631a of the first plate shape shifting element 631, the front end face 632a of the second plate shape shifting element 632, and the front end face 633a of each of the third to fifth plate shape shifting elements 633 to 635, (633a to 635a) are stepped surfaces with stepped surfaces and a stepped surface with respect to the adsorption surface (22).

또한 제어부(150)는, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)에 흡착 압력을 대기압에 가까운 제 4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력하고, 도 38f에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)으로부터 소정의 시간 경과 후의 시각(t10)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제 2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이것에 의해, 도 35의 화살표(225, 228)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기와 개구(23)의 공기는 진공 장치(140)에 흡인되어, 개구 압력, 흡착 압력은 시각(t11)에 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로 된다. 그러면, 도 35에 도시하는 화살표(229, 230)와 같이 다이싱 시트(12)는 제 3 위치에 강하해 있는 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a), 제 2 위치에 강하해 있는 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a)을 향하여 끌어 당겨져, 하방향으로 변위된다. 이것에 따라, 선단면(631a, 632a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역도 도 35의 화살표(231)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 벗어나 하향으로 구부러져 변형된다. 그러면, 도 35의 화살표(232)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)과 반도체 다이(15) 사이로부터 공기가 흡인 구멍(19)으로 유입된다. 또한 도 32를 참조하여 설명한 바와 같이, 개구 압력이 대기압에 가까운 제 2 압력으로부터 진공에 가까운 제 1 압력(P1)으로 저하되면, 개구(23)의 내면(23a)과 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 끌어 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형되어, 반도체 다이(15)의 제 5 판 형상 이동 요소측의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 그러면, 도 35의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 되어 있는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 이것에 의해 도 38g에 도시하는 바와 같이, 시각(t10)으로부터 시각(t11) 동안, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량은 증가해 간다. In addition, an instruction to switch to the controller 150, as shown in Fig. 38e, the time (t 9), the third pressure (P 3), close to the vacuum from the fourth pressure (P 4) close to the suction pressure to the atmospheric pressure in The opening pressure is changed from the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure to the first pressure P close to the vacuum at the time t 10 after the lapse of the predetermined time from the time t 9 as shown in FIG. 1 ). The air in the groove 26 and the air in the opening 23 are sucked into the vacuum device 140 so that the opening pressure and the adsorption pressure are maintained at the time t 11) the first pressure (P 1) closer to each vacuum, the third is at a pressure (P 3). Then, the dicing sheet 12, as indicated by the arrows 229 and 230 shown in Fig. 35, is moved to the front end face 631a of the first plate-shaped moving element 631 descending to the third position, And is pulled toward the distal end face 632a of the second plate-shaped moving element 632 in the downward direction. The area of the semiconductor die 15 opposed to the distal end faces 631a and 632a is also bent and deformed downward from the surface 18a of the collet 18 as indicated by an arrow 231 in Fig. . Then air is introduced into the suction hole 19 from the space between the surface 18a of the collet 18 and the semiconductor die 15 as indicated by an arrow 232 in Fig. 32, when the opening pressure decreases from the second pressure close to the atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to the vacuum, the inner surface 23a of the opening 23 and the second plate- The dicing sheet 12 immediately above the gap d between the semiconductor die 15 and the outer surface 635b of the semiconductor die 15 is pulled downward and bent downward as shown by the arrow 204, The peripheral portion on the side of the five-plate shape moving element falls off the surface 18a of the collet 18. Then, as indicated by an arrow 205 in Fig. 35, air flows into the suction hole 19 of the collet 18 which is in a vacuum state. As a result, as shown in Fig. 38G, the amount of air leak flowing into the suction hole 19 of the collet 18 increases from time t 10 to time t 11 .

제어부(150)는, 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t11)에 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 각각 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 36의 화살표(241, 242)로 나타내는 바와 같이, 개구(23), 홈(26)에 공기가 유입되어, 개구 압력, 흡착 압력이 상승하므로, 다이싱 시트(12)는, 도 36에 도시하는 화살표(243)로 나타내는 바와 같이, 상방향으로 변위된다. 다이싱 시트(12)의 상방향의 변위와, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공에 의해 반도체 다이(15)는, 화살표(244)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)에 접근해 간다. 또한 도 36에 도시하는 바와 같이, 제 5 판 형상 이동 요소(635)의 외면(635b)과 개구(23)의 내면(23a) 사이의 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)도 화살표(243)로 나타내는 바와 같이, 상방향으로 변위되고, 제 5 판 형상 이동 요소측의 반도체 다이(15)의 주변부도 도 36에 도시하는 화살표(244)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)에 근접해 간다. 이것에 의해, 도 38g에 도시하는 바와 같이, 시각(t11)으로부터 시각(t12) 동안, 흡인 구멍(19)에 유입되는 공기 리크량은 감소해 가, 최종적으로 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되는 시각(t12)에는 제로가 된다. 또한 도 38f, 도 38e에 도시하는 바와 같이, 시각(t12)에는, 개구 압력, 흡착 압력은 각각 대기에 가까운, 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)이 된다. 이 상태에서는, 도 36에 도시하는 바와 같이, 제 3∼제 5 판 형상 이동 요소(633∼635)의 선단면(633a∼635a)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 달라붙어 있지만, 제 1, 제 2 판 형상 이동 요소(631, 632)의 각 선단면(631a, 632a)에 대응하는 영역 및 각 간극(d)에 대응하는 영역 및 제 5 판 형상 이동 요소측의 반도체 다이(15) 주변 부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다(2회째의 제 3 박리 공정). 이것으로 제어부(150)는 제 3 박리 프로그램(160)을 종료한다. 38F and 38E, the control unit 150 sets the opening pressure and the suction pressure at time t 11 from the first pressure P 1 and the third pressure P 3 close to the vacuum, respectively, And outputs a command to switch to the second pressure (P 2 ) and the fourth pressure (P 4 ) close to the atmospheric pressure. This command causes air to flow into the openings 23 and grooves 26 as indicated by arrows 241 and 242 in Fig. 36, so that the opening pressure and the adsorption pressure are increased, , And is displaced upward as indicated by the arrow 243 shown in Fig. The upward displacement of the dicing sheet 12 and the vacuum of the suction holes 19 of the collet 18 cause the semiconductor die 15 to move in a direction perpendicular to the surface of the collet 18 18a. 36, the dicing sheet 12 immediately above the gap d between the outer surface 635b of the fifth plate-like moving element 635 and the inner surface 23a of the opening 23 The periphery of the semiconductor die 15 on the side of the fifth plate-like moving element is displaced upward as indicated by the arrow 243 and the peripheral portion of the surface 18a of the collet 18 as shown by an arrow 244 shown in Fig. ). As a result, it is shown in Figure 38g, during the time from the time (t 11) (t 12), a harm the air leakage amount is reduced which flows into the suction hole 19, and finally, the semiconductor die 15, a collet Becomes zero at a time (t 12 ) at which vacuum adsorption is made to the surface 18a of the substrate 18. In addition, Fig. 38f, is the, time (t 12), the opening pressure, the adsorption pressure is close to the second pressure (P 2), a fourth pressure (P 4) on each of the atmosphere as shown in Fig. 38e. 36, the semiconductor die 15 in the region corresponding to the front end faces 633a to 635a of the third to fifth plate shape shifting elements 633 to 635 is pressed against the dicing sheet 12 The area corresponding to each of the front end faces 631a and 632a of the first and second plate-like moving elements 631 and 632 and the area corresponding to each of the gaps d and the fifth plate- The area around the semiconductor die 15 on the side of the dicing sheet 12 is in a state of being peeled off from the dicing sheet 12 (the third peeling step of the second time). Thereby, the control section 150 ends the third peeling program 160.

제 3 박리 프로그램을 종료한 후, 제어부(150)는 시각(t12)에 제 3 판 형상 이동 요소(633)의 선단면(633a)을 제 1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 슬라이더(51)가 기준 위치로부터의 거리(L3)의 위치까지 우측 방향으로 이동(거리(L3-L2)만큼 우측 방향으로 이동함)하고, 도 37의 화살표(247)로 나타내는 바와 같이, 제 3 판 형상 이동 요소(633)의 선단면(633a)은 제 1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제 2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 또한 도 37의 화살표(246)로 나타내는 바와 같이, 제 2 위치에 있던 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a)은 제 1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제 3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 또한 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)은 제 3 위치에 머무르고 있다. 이것에 의해, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a), 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a), 제 3 판 형상 이동 요소(633)의 선단면(633a), 제 4, 제 5 판 형상 이동 요소(634, 635)의 각 선단면(634a, 635a)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면이 된다. The shut down the third separation program, the controller 150 is the height from the time the third plate-like movable element first position the front end face (633a) of the (633) (adsorption surface 22 to (t 12) H 0 ) to a second position lower by the height H 1 . This command causes the slider 51 to move rightward (to the right by the distance L 3 -L 2 ) from the reference position to the position of the distance L 3 from the reference position, ) as shown by the third plate-like element (front end face (633a) of 633) is the first position (the height (H 0 from the attracting surface) lower second position by the height (H 1) from as high position) ( To a position lower than H 1 -H 0 from the adsorption surface 22). Also lower by the height (H 2) from the front end face (632a) of the second plate-like element (632) which was in the second position as indicated by an arrow 246 of Figure 37 is the first position (initial position), the 3 (a position lower than H 2 -H 0 from the adsorption face 22). The distal end face 631a of the first plate-shaped moving element 631 remains in the third position. As a result, the front end face 631a of the first plate-like moving element 631, the front end face 632a of the second plate-like moving element 632, and the front end face 633a of the third plate- And the distal end surfaces 634a and 635a of the fourth and fifth plate shape shifting elements 634 and 635 are stepped surfaces with stepped surfaces and a stepped surface with respect to the adsorption surface 22. [

또한 제어부(150)는 시각(t12)에 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력(P3)으로 전환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해 도 37의 화살표(245)로 나타내는 바와 같이, 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되어, 홈(26)이 진공으로 되고, 다이싱 시트(12)는 흡착면(22)에 진공 흡착된다. 앞에 설명한 2회째의 제 3 박리 공정까지의 공정에서, 반도체 다이(15)의 상당한 부분이 다이싱 시트(12)로부터 박리되어 있으므로, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 접착력은 상당히 저하되어 가고 있다. 이 때문에, 제 3 판 형상 이동 요소(633)의 선단면(633a)을 제 2 위치로 이동하면, 반도체 다이(15)는 콜릿(18)에 흡착된 채, 선단면(633a)에 대응하는 영역의 다이싱 시트(12)가 홈(26)을 진공으로 함으로써 발생하는 비스듬히 하방향의 인장력(F6)에 의해 도 37의 화살표(278)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)로부터 떨어진다. 이 때문에, 도 37에 도시하는 상태에서는, 제 4, 제 5 판 형상 이동 요소(634, 635)의 각 선단면(634a, 635a)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 달라붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다. In addition, the controller 150 outputs an instruction to switch to the time the third pressure (P 3), close to the suction pressure in the vacuum (12 t). 37, the air in the groove 26 is sucked into the vacuum device 140, the groove 26 becomes vacuum, and the dicing sheet 12 is sucked to the suction surface (22). Since a substantial part of the semiconductor die 15 is peeled off from the dicing sheet 12 in the process up to the second third peeling process described above, the adhesive strength between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 is considerably high It is getting worse. Therefore, when the distal end face 633a of the third plate-shaped moving element 633 is moved to the second position, the semiconductor die 15 is attracted to the collet 18, and the region corresponding to the distal end face 633a as the dicing sheet 12 is shown by an arrow 278 in FIG. 37 by the tensile force (F 6) of the angle caused by the notch 26 in the vacuum downwardly, it separates from the semiconductor die (15). 37, the semiconductor die 15 in the region corresponding to the distal end faces 634a and 635a of the fourth and fifth plate-like moving elements 634 and 635 is pressed against the dicing sheet 12 Most of the area of the semiconductor die 15 is in a state of being separated from the dicing sheet 12.

제어부(150)는 도 38a의 시각(t13)에 콜릿(18)이 상승되는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)는 모터를 구동하여, 도 37의 화살표(279)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)을 상승시킨다. 다이싱 시트(12)는, 홈(26)의 진공에 의해 흡착면(22)에 진공 흡착되어 있으므로, 콜릿(18)이 상승하면, 제 4, 제 5 판 형상 이동 요소(634, 635)의 각 선단면(634a, 635a)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되고, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)에 흡착된 상태로 픽업된다. The controller 150 outputs an instruction that the collet 18 is increased at the time (t 13) of Figure 38a. According to this instruction, the collet driver 130 shown in Fig. 1 drives the motor to raise the collet 18 as indicated by the arrow 279 in Fig. The dicing sheet 12 is attracted to the adsorption face 22 by vacuum by the vacuum of the groove 26. When the collet 18 rises, the dicing sheet 12 is attracted to the fourth and fifth plate- The semiconductor die 15 in the region corresponding to each of the end faces 634a and 635a is peeled off from the dicing sheet 12 and the semiconductor die 15 is picked up in the state of being attracted to the collet 18. [

반도체 다이(15)를 픽업하면, 제어부(150)는, 도 38에 시각(t14)에 슬라이더(51)를 초기 위치로 되돌리면, 각 판 형상 이동 요소(631∼635)의 각 선단면(631a∼635a)은 제 1 위치로 돌아간다. 또한 제어부(150)는 흡착 압력, 개구 압력을 대기압으로 되돌리고 픽업 동작을 종료한다. When picking up the semiconductor die (15), the controller 150, reverting the slider 51 at the time (t 14) in Fig. 38 to the initial position, each of the top face of each plate-like element (631-635) ( 631a-635a return to the first position. Further, the control unit 150 returns the adsorption pressure and the opening pressure to the atmospheric pressure and ends the pickup operation.

이상, 설명한 바와 같이, 제어부(150)는, 시각 t5에서 t6과 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환함과 아울러, 제 1 판 형상 이동 요소(631)의 선단면(631a)을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하고, 시각 t8에서 t9와 같이, 개구 압력, 흡착 압력을 각각 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환함과 아울러, 제 2 판 형상 이동 요소(632)의 선단면(632a)을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하도록, 개구 압력, 흡착 압력을 진공에 가까운 제 1 압력(P1), 제 3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제 2 압력(P2), 제 4 압력(P4)으로 전환할 때마다, 슬라이더(51)의 이동 방향을 따라 제 1 판 형상 이동 요소(631)로부터 제 5 판 형상 이동 요소(635)를 향하여 차례로, 선단면을 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동시키도록 제 3 박리 공정을 반복하여, 반도체 다이(15)를 슬라이더(51)의 이동 방향을 따라 일방으로부터 타방을 향하여 단계적으로 다이싱 시트(12)를 박리시켜 간다. As described above, the control unit 150 sets the opening pressure and the adsorption pressure to be substantially equal to the atmospheric pressure from the first pressure (P 1 ) and the third pressure (P 3 ) close to the vacuum at time t 5 to t 6 The first end surface 631a of the first plate-like moving element 631 is moved from the first position to the second position and the time t (t) is changed to the second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 , 8 to t 9 , the opening pressure and the adsorption pressure are respectively changed from the first pressure P 1 close to the vacuum and the third pressure P 3 to the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure and the fourth pressure P 4 And the first pressure P 1 near the vacuum to shift the opening pressure and the suction pressure so as to move the front end face 632a of the second plate-shaped moving element 632 from the first position to the second position, The second pressure P 2 and the fourth pressure P 4 which are close to the atmospheric pressure from the third pressure P 3 to the fourth pressure P 4 , The third peeling step is repeated in order from the moving element 631 toward the fifth plate moving element 635 to move the front end face from the first position to the second position so that the semiconductor die 15 is moved to the slider 51 The dicing sheet 12 is peeled stepwise from one side toward the other side.

이상에서 설명한 실시형태의 반도체 다이의 픽업 장치는, 앞에 설명한 실시형태와 마찬가지로, 픽업 시의 반도체 다이의 손상을 억제할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. The pickup device of the semiconductor die of the embodiment described above can obtain the effect of suppressing the damage of the semiconductor die at the time of picking up as in the embodiment described above.

본 발명은 이상에서 설명한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 의해 규정되어 있는 본 발명의 기술적 범위 또는 본질로부터 일탈하지 않는 모든 변경 및 수정을 포함하는 것이다. The present invention is not limited to the embodiments described above and includes all changes and modifications which do not depart from the technical scope or nature of the present invention defined by the claims.

10 웨이퍼 홀더
11 웨이퍼
12 다이싱 시트
12a 표면
12b 이면
13 링
14 간극
15 반도체 다이
16 익스팬드 링
18 콜릿
18a 표면
19 흡인 구멍
20 스테이지
22 흡착면
23 개구
23a, 28a 내면
24 기체부
25 구동부
26, 31a, 45a, 62, 72 홈
27 흡착 구멍
28 상측 내부
29 하측 내부
29a 단차부
30, 630 이동 요소
31 주변 환상 이동 요소
32a, 34a 가이드면
33 외주면
333a-333f 지지판
33a-33e 환상 부재
35a-35e 직선 캠면
36a-36f, 39a-39f 수평 지지면
37a-37f 키부
38a-38e, 47, 631a-635a 선단면
40-43 중간 환상 이동 요소
45 주상 이동 요소
46 주상 부재
51 슬라이더
52 반원기둥 부재
52a 정점(정상선)
53, 59, 63 핀
54 가이드 레일
55 플랜지
56 피스톤
57 판 부재
58 스프링
60 링크 부재
70 상하 방향 구동 부재
71 암
73 구동 봉
74 캠 폴로워
75 캠
76 축
77 모터
80 개구 압력 전환 기구
81, 91, 101 3방향 밸브
82, 92, 102 구동부
83-85, 93-95, 103-105 배관
90 흡착 압력 전환 기구
100 흡인 기구
106 유량 센서
107 시트 변위 검출 센서
110 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부
120 스테이지 상하 방향 구동부
130 콜릿 구동부
140 진공 장치
150 제어부
151 CPU
152 기억부
153 기기·센서 인터페이스
154 데이터 버스
155 제어 프로그램
156 제어 데이터
157 위치맞춤 프로그램
158 제 1 박리 프로그램
159 제 2 박리 프로그램
160 제 3 박리 프로그램
300 단차면 형성 기구
500 반도체 다이의 픽업 장치
631∼635 판 형상 이동 요소
631b, 635b 외면.10 Wafer Holder
11 wafer
12 Dicing sheet
12a surface
12b
13 ring
14 Clearance
15 semiconductor die
16 Expand Ring
18 Collet
18a surface
19 Suction hole
20 stages
22 Absorption surface
23 opening
23a, 28a inner surface
24 base part
25 drive unit
26, 31a, 45a, 62, 72,
27 Adsorption hole
28 Top inside
29 Lower Inner
29a stepped portion
30, 630 moving element
31 peripheral ring moving element
32a, 34a guide surfaces
33 outer circumferential surface
333a-333f support plate
33a-33e annular member
35a-35e straight cam face
36a-36f, 39a-39f horizontal support surface
37a to 37f,
38a-38e, 47, 631a-635a
40-43 Medium ring moving element
45 column moving element
46 columnar member
51 slider
52 Semicircular member
52a Vertex (normal line)
53, 59, 63 pins
54 Guide rail
55 Flange
56 piston
57 plate member
58 spring
60 link member
70 vertical drive member
71 Cancer
73 drive rod
74 Cam Followers
75 Cam
76 Axis
77 Motor
80 opening pressure switching mechanism
81, 91, 101 Three-way valve
82, 92, and 102,
83-85, 93-95, 103-105 Piping
90 Adsorption pressure switching mechanism
100 suction device
106 Flow sensor
107 Seat displacement detection sensor
110 Wafer holder Horizontal direction driving part
120 stage < RTI ID = 0.0 >
130 collet driver
140 Vacuum device
150 control unit
151 CPU
152 memory unit
153 Device · Sensor interface
154 data bus
155 control program
156 Control data
157 Position Alignment Program
158 First Separation Program
159 The second separation program
160 3rd Separation Program
300 stage surface forming mechanism
500 semiconductor die pickup device
631 to 635 plate shape moving element
631b and 635b.

Claims (21)

반도체 다이의 픽업 장치로서,
픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와,
상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 상기 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와,
상기 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구를 구비하고,
상기 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환할 때마다 적어도 1개의 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.A pickup device for a semiconductor die,
A stage including a suction surface for picking up a back surface of a dicing sheet to which a semiconductor die to be picked up is pasted on a surface,
And a plurality of moving elements which are disposed in an opening provided in the adsorption face of the stage and move between a first position where a front end face is higher than the adsorption face and a second position lower than the first position, A stepped surface forming mechanism for forming a stepped surface,
And an opening pressure switching mechanism for switching the opening pressure of the opening between a first pressure close to the vacuum and a second pressure close to the atmospheric pressure,
Wherein at least one moving element is moved from the first position to the second position each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure when the semiconductor die is picked up. Pickup device of the die. 제 1 항에 있어서,
상기 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하고,
상기 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 상태에서 상기 개구 압력을 전환하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
And an adsorption pressure switching mechanism for switching the adsorption pressure of the adsorption surface between a third pressure close to the vacuum and a fourth pressure close to the atmospheric pressure,
Wherein the pickup pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure when the semiconductor die is picked up. 제 2 항에 있어서,
상기 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로 유지하고 상기 개구 압력을 전환하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.3. The method of claim 2,
Wherein when picking up the semiconductor die, the pickup pressure is maintained at the third pressure and the opening pressure is switched. 제 1 항에 있어서,
상기 개구 압력 전환 기구는, 최초에 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하기 전에, 상기 제 1 압력과 상기 제 2 압력 사이에서 상기 개구 압력을 복수회 전환하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
Wherein the opening pressure switching mechanism switches the opening pressure a plurality of times between the first pressure and the second pressure before initially moving the moving element from the first position to the second position A pickup device for a semiconductor die. 제 2 항에 있어서,
상기 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 상태에서 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환한 후에 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로부터 상기 제 4 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환할 때마다, 적어도 1개의 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the semiconductor die is switched from the second pressure to the first pressure in a state where the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure when the semiconductor die is picked up, Moving at least one of the moving elements from the first position to the second position each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure while switching from the pressure to the fourth pressure Wherein the semiconductor die is a semiconductor die. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동한 상기 이동 요소의 상기 선단면에 대향하는 상기 반도체 다이의 일부가 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되었는지 아닌지를 검출하는 박리 검출 수단을 구비하고,
상기 박리 검출 수단에 의해 상기 반도체 다이의 상기 일부가 상기 다이싱 시트로부터 박리되지 않은 것이 검출된 경우에, 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하지 않고, 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환한 후에 상기 개구 압력을, 다시, 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
And peeling detection means for detecting whether or not a part of the semiconductor die opposed to the front end face of the moving element moved from the first position to the second position is peeled off from the surface of the dicing sheet,
Wherein when the peeling detection means detects that the part of the semiconductor die is not peeled off from the dicing sheet, it does not move the moving element from the first position to the second position, And switches the opening pressure again from the second pressure to the first pressure after switching from the first pressure to the second pressure. 제 6 항에 있어서,
반도체 다이를 흡착하는 콜릿과,
상기 콜릿에 접속되어, 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와,
상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고,
상기 박리 검출 수단은, 상기 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는 박리되었다고 판단하고, 홀수로 된 경우에는 박리되지 않았다고 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 6,
A collet for adsorbing the semiconductor die,
A suction mechanism connected to the collet for sucking air from the surface of the collet,
And a flow sensor for detecting the suction air flow rate of the suction mechanism,
The separation detecting means determines that the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor is peeled off when the number of times that the differential signal obtained by differentiating the derivative signal exceeds the predetermined threshold value range is an even number, Wherein the semiconductor die is a semiconductor die. 제 1 항에 있어서,
상기 스테이지의 개구 내면과 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트의 상기 흡착면에 대한 접리 방향의 변위를 검출하는 시트 변위 검출 센서를 구비하고,
상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환했을 때, 상기 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값 이하인 경우, 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로부터 상기 제 4 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환한 후, 다시, 상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하고, 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트를 상기 반도체칩으로부터 박리시키는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
And a sheet displacement detection sensor for detecting a displacement of the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism,
Wherein when the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a lapse of a predetermined time after the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, The adsorption pressure is switched from the third pressure to the fourth pressure and the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure when the sheet displacement is not more than a predetermined threshold value, And the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after the passage of the predetermined time after the pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure and the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the step- Wherein the dicing sheet is peeled from the semiconductor chip. 제 8 항에 있어서,
상기 시트 변위 검출 센서는 상기 다이싱 시트에 대한 광투과율이 0% 내지 30%인 영역의 파장의 광을 광원으로서 사용한 것인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the sheet displacement detection sensor uses light having a wavelength in a region where the light transmittance to the dicing sheet is 0% to 30% as a light source. 제 9 항에 있어서,
상기 시트 변위 검출 센서는 0nm 내지 300nm의 단파장의 LED를 광원으로 하는 반사형 광파이버를 사용한 것인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the sheet displacement detection sensor is a reflection type optical fiber using a short-wavelength LED having a wavelength of 0 nm to 300 nm as a light source. 제 1 항에 있어서,
상기 단차면 형성 기구는,
중심에 배치된 주상 이동 요소와,
상기 주상 이동 요소의 주위에 포개넣기 형상으로 배치된 복수의 환상 이동 요소와,
상기 스테이지의 상기 개구 속에서 상기 흡착면을 따른 방향으로 이동하는 슬라이더를 포함하고,
상기 각 환상 이동 요소는 상기 슬라이더에 접하고, 상기 슬라이더의 이동에 의해 상기 각 환상 이동 요소를 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치 사이에서 이동시키는 각 경사면을 구비하고 있고,
외주측의 상기 환상 이동 요소의 상기 경사면과 내주측의 상기 환상 이동 요소의 경사면은 상기 슬라이더가 이동했을 때, 외주측의 상기 환상 이동 요소의 선단면이 내주측의 상기 환상 이동 요소의 선단면보다 먼저 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하도록 상기 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
The stepped surface forming mechanism comprises:
A columnar moving element disposed at the center,
A plurality of annular moving elements arranged in a superimposed manner around the columnar moving element,
And a slider that moves in a direction along the adsorption surface in the opening of the stage,
Wherein each of the annular moving elements has an inclined surface contacting the slider and moving the annular moving element between the first position and the second position by movement of the slider,
Wherein the inclined surface of the annular moving element on the outer circumferential side and the inclined surface of the annular moving element on the inner circumferential side of the annular moving element on the outer circumferential side are arranged such that the distal end surface of the annular moving element on the outer circumferential side And is disposed so as to be displaced in the moving direction of the slider so as to move from the first position to the second position. 제 11 항에 있어서,
상기 주상 이동 요소는 상기 슬라이더에 접하고, 상기 슬라이더의 이동에 의해 상기 주상 이동 요소를 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치 사이에서 이동시키는 경사면을 구비하고 있고, 이 경사면은, 상기 슬라이더가 이동했을 때, 상기 내주측의 환상 이동 요소의 선단면이 상기 주상 이동 요소의 선단면보다도 먼저 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하도록, 상기 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the columnar moving element includes an inclined surface contacting the slider and moving the columnar moving element between the first position and the second position by movement of the slider, , And the front end face of the ring-shaped moving element on the inner circumferential side moves from the first position to the second position before the distal end face of the columnar moving element so as to be displaced in the moving direction of the slider . 제 1 항에 있어서,
상기 단차면 형성 기구는,
상기 스테이지의 상기 개구 속에서 상기 흡착면을 따른 방향으로 이동하는 슬라이더와,
상기 슬라이더의 이동 방향에 겹쳐서 배치된 복수의 판 형상 이동 요소를 포함하고,
상기 각 판 형상 이동 요소는 상기 슬라이더에 접하고, 상기 슬라이더의 이동에 의해 상기 각 판 형상 이동 요소를 상기 제 1 위치와 상기 제 2 위치 사이에서 이동시키는 각 경사면을 구비하고 있고,
상기 각 판 형상 이동 요소의 각 경사면은 상기 슬라이더의 이동 방향을 따라 상기 각 판 형상 이동 요소가 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 차례로 이동하도록 상기 슬라이더의 이동 방향으로 비켜서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 장치.The method according to claim 1,
The stepped surface forming mechanism comprises:
A slider moving in a direction along the adsorption surface in the opening of the stage;
And a plurality of plate-like moving elements which are arranged to overlap with the moving direction of the slider,
Wherein each of the plate-like moving elements has an inclined surface contacting the slider and moving the plate-shaped moving element between the first position and the second position by movement of the slider,
The slant surfaces of each of the plate-like moving elements are arranged to move in the moving direction of the slider so that the plate-like moving elements sequentially move from the first position to the second position along the moving direction of the slider To the semiconductor die. 반도체 다이의 픽업 방법으로서,
픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고 상기 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와, 상기 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구와, 상기 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하는 반도체 다이의 픽업 장치를 준비하는 공정과,
상기 단차면 형성 기구의 상기 각 이동 요소의 각 선단면을 상기 제 1 위치로 하고, 픽업하는 상기 반도체 다이가 상기 단차면 형성 기구의 상기 단차면의 바로 위가 되도록 상기 스테이지를 상기 흡착면을 따른 방향으로 이동시키는 위치맞춤 공정과,
상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하여 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트를 상기 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 박리 공정과,
상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로 유지한 상태에서, 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환할 때마다 적어도 1개의 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하고 이 이동 요소의 상기 선단면에 대향하는 상기 반도체 다이의 일부를 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리하는 제 2 박리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.As a pickup method of a semiconductor die,
A stage which is disposed in an opening provided on the attracting surface of the stage, and which has a first position higher than the adsorption surface and a second position higher than the adsorption surface; A stepped surface forming mechanism including a plurality of moving elements moving between a first position and a second position lower than the first position and forming a step difference surface with respect to the adsorption surface; And an adsorption pressure switching mechanism for switching the adsorption pressure of the adsorption surface between a third pressure close to a vacuum and a fourth pressure close to the atmospheric pressure. ,
The stage is moved along the adsorption surface so that the semiconductor die for picking up is directly above the stepped surface of the stepped surface forming mechanism, An aligning step of moving the substrate in the direction of the substrate,
After switching the adsorption pressure from the fourth pressure to the third pressure, the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a lapse of a predetermined time so that the inner surface of the opening of the stage, A first peeling step of peeling the dicing sheet between the outer circumferential surfaces from the semiconductor chip,
The at least one moving element is moved from the first position to the second position each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure while the adsorption pressure is maintained at the third pressure And a second peeling step of peeling off a part of the semiconductor die opposed to the front end face of the moving element from the surface of the dicing sheet. 반도체 다이의 픽업 방법으로서,
픽업하는 반도체 다이가 표면에 첩부된 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 낮은 제 2 위치 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고 상기 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구와, 상기 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제 1 압력과 대기압에 가까운 제 2 압력 사이에서 전환하는 개구 압력 전환 기구와, 상기 흡착면의 흡착 압력을 진공에 가까운 제 3 압력과 대기압에 가까운 제 4 압력 사이에서 전환하는 흡착 압력 전환 기구를 구비하는 반도체 다이의 픽업 장치를 준비하는 공정과,
상기 단차면 형성 기구의 상기 각 이동 요소의 각 선단면을 상기 제 1 위치로 하고, 픽업하는 상기 반도체 다이가 상기 단차면 형성 기구의 상기 단차면의 바로 위가 되도록 상기 스테이지를 상기 흡착면을 따른 방향으로 이동시키는 위치맞춤 공정과,
상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후, 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하여 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트를 상기 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 박리 공정과,
상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 상태에서 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환한 후에 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로부터 상기 제 4 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환할 때마다, 적어도 1개의 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하고 이 이동 요소의 상기 선단면에 대향하는 상기 반도체 다이의 일부를 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리하는 제 3 박리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.As a pickup method of a semiconductor die,
A stage which is disposed in an opening provided on the attracting surface of the stage, and which has a first position higher than the adsorption surface and a second position higher than the adsorption surface; A stepped surface forming mechanism including a plurality of moving elements moving between a first position and a second position lower than the first position and forming a step difference surface with respect to the adsorption surface; And an adsorption pressure switching mechanism for switching the adsorption pressure of the adsorption surface between a third pressure close to a vacuum and a fourth pressure close to the atmospheric pressure. ,
The stage is moved along the adsorption surface so that the semiconductor die for picking up is directly above the stepped surface of the stepped surface forming mechanism, An aligning step of moving the substrate in the direction of the substrate,
After switching the adsorption pressure from the fourth pressure to the third pressure, the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a lapse of a predetermined time so that the inner surface of the opening of the stage, A first peeling step of peeling the dicing sheet between the outer circumferential surfaces from the semiconductor chip,
After switching the opening pressure from the second pressure to the first pressure in a state where the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, switching the adsorption pressure from the third pressure to the fourth pressure Each time the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure, at least one of the moving elements is moved from the first position to the second position, and the opposite end And a third peeling step of peeling off a part of the semiconductor die from the surface of the dicing sheet. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 반도체 다이의 픽업 장치는 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트의 상기 흡착면에 대한 접리 방향의 변위를 검출하는 시트 변위 검출 센서를 구비하고,
상기 제 1 박리 공정은,
상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후에 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환했을 때, 상기 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값을 초과하는 경우에는, 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트가 상기 반도체칩으로부터 박리되었다고 판단하고, 상기 시트 변위 검출 센서에 의해 검출한 시트 변위가 소정의 임계값 이하인 경우에는, 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트가 상기 반도체칩으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 1 박리 판단 공정과,
상기 제 1 판단 공정에서 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트가 상기 반도체칩으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로부터 상기 제 4 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환한 후, 다시, 상기 흡착 압력을 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환한 후에 소정의 시간 경과 후에 상기 개구 압력을 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하고, 상기 스테이지의 개구 내면과 상기 단차면 형성 기구 외주면 사이의 상기 다이싱 시트를 상기 반도체칩으로부터 박리시키는 제 1 리트라이 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the pick-up device of the semiconductor die includes a sheet displacement detection sensor for detecting a displacement of the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism,
The first peeling step may comprise:
Wherein when the opening pressure is switched from the second pressure to the first pressure after a predetermined time elapses after the adsorption pressure is switched from the fourth pressure to the third pressure, When the displacement exceeds a predetermined threshold value, it is determined that the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the step difference forming mechanism is peeled off from the semiconductor chip, and the sheet detected by the sheet displacement detecting sensor A first peeling determination step of determining that the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism is not peeled off from the semiconductor chip when the displacement is equal to or less than a predetermined threshold value,
Wherein when it is determined that the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the stepped surface forming mechanism has not been peeled off from the semiconductor chip in the first determining step, the adsorption pressure is changed from the third pressure to the fourth pressure After switching the opening pressure from the first pressure to the second pressure and again after switching the adsorption pressure from the fourth pressure to the third pressure, after a predetermined time elapses, And a first retry step of switching from the second pressure to the first pressure and separating the dicing sheet between the inner surface of the opening of the stage and the outer peripheral surface of the step difference forming mechanism from the semiconductor chip A method of picking up a semiconductor die. 제 14 항에 있어서,
상기 반도체 다이의 픽업 장치는 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 상기 콜릿에 접속되어 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고,
상기 제 2 박리 공정은,
상기 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는, 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동한 상기 이동 요소의 상기 선단면에 대향하는 상기 반도체 다이의 일부가 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되었다고 판단하고, 상기 횟수가 홀수로 된 경우에는 상기 반도체 다이의 상기 일부는 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 2 박리 판단 공정과,
상기 제 2 박리 판단 공정에 의해, 상기 반도체 다이의 상기 일부가 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하지 않고, 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환한 후에 상기 개구 압력을, 다시, 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하고, 상기 반도체 다이의 상기 일부를 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리시키는 제 2 리트라이 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.15. The method of claim 14,
A suction device for sucking air from the surface of the collet; and a flow rate sensor for detecting a suction air flow rate of the suction device, wherein the suction device comprises:
The second peeling step may comprise:
When the number of times that the differential signal obtained by differentiating the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor exceeds the predetermined threshold value range is an even number, Judging that a part of the semiconductor die opposed to the end face is peeled off from the surface of the dicing sheet, and when the number of times is odd, the part of the semiconductor die is judged not to be peeled off from the surface of the dicing sheet A second peeling determination step of determining,
Wherein the second peeling determination step does not move the moving element from the first position to the second position when it is determined that the part of the semiconductor die is not peeled off from the surface of the dicing sheet, After switching the opening pressure from the first pressure to the second pressure, the opening pressure is again switched from the second pressure to the first pressure and the portion of the semiconductor die is moved to the surface of the dicing sheet And a second retry process for peeling the semiconductor die from the first retry process. 제 15 항에 있어서,
상기 반도체 다이의 픽업 장치는 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 상기 콜릿에 접속되어 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서를 구비하고,
상기 제 3 박리 공정은,
상기 유량 센서에서 검출한 흡인 공기 유량 신호를 미분한 미분 신호가 소정의 임계값 범위를 초과하는 횟수가 짝수로 된 경우에는, 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동한 상기 이동 요소의 상기 선단면에 대향하는 상기 반도체 다이의 일부가 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되었다고 판단하고, 상기 횟수가 홀수로 된 경우에는 상기 반도체 다이의 상기 일부는 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단하는 제 3 박리 판단 공정과,
상기 제 3 박리 판단 공정에 의해, 상기 반도체 다이의 상기 일부가 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리되지 않았다고 판단한 경우에, 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하지 않고 상기 흡착 압력을 상기 제 3 압력으로부터 상기 제 4 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 상기 제 1 압력으로부터 상기 제 2 압력으로 전환한 후에 상기 흡착 압력을, 다시, 상기 제 4 압력으로부터 상기 제 3 압력으로 전환함과 아울러 상기 개구 압력을 다시 상기 제 2 압력으로부터 상기 제 1 압력으로 전환하고, 상기 반도체 다이의 상기 일부를 상기 다이싱 시트의 상기 표면으로부터 박리시키는 제 3 리트라이 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.16. The method of claim 15,
A suction device for sucking air from the surface of the collet; and a flow rate sensor for detecting a suction air flow rate of the suction device, wherein the suction device comprises:
The third peeling step may comprise:
When the number of times that the differential signal obtained by differentiating the suction air flow rate signal detected by the flow rate sensor exceeds a predetermined threshold value range is an even number, the line of the moving element shifted from the first position to the second position Judging that a part of the semiconductor die opposed to the end face is peeled off from the surface of the dicing sheet, and when the number of times is odd, the part of the semiconductor die is judged not to be peeled off from the surface of the dicing sheet A third peeling judging step,
Wherein the third peeling determination step determines that the part of the semiconductor die is not peeled off from the surface of the dicing sheet by moving the moving element from the first position to the second position, After the pressure is switched from the third pressure to the fourth pressure and the opening pressure is switched from the first pressure to the second pressure, the adsorption pressure is again changed from the fourth pressure to the third pressure And a third retry step of switching the opening pressure again from the second pressure to the first pressure and separating the part of the semiconductor die from the surface of the dicing sheet. Of the semiconductor die. 제 16 항에 있어서,
상기 시트 변위 검출 센서는 상기 다이싱 시트에 대한 광투과율이 0%로부터 30%인 영역의 파장의 광을 광원으로서 사용한 것인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the sheet displacement detection sensor uses light having a wavelength in a region where the light transmittance to the dicing sheet is 0% to 30% as a light source. 제 19 항에 있어서,
상기 시트 변위 검출 센서는 0nm 내지 300nm의 단파장의 LED를 광원으로 하는 반사형 광파이버를 사용한 것인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the sheet displacement detection sensor is a reflection type optical fiber using an LED having a short wavelength of 0 to 300 nm as a light source. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 개구 압력 전환 기구는, 최초에 상기 이동 요소를 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동하기 전에, 상기 제 1 압력과 상기 제 2 압력 사이에서 상기 개구 압력을 복수회 전환하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 방법.16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the opening pressure switching mechanism switches the opening pressure a plurality of times between the first pressure and the second pressure before initially moving the moving element from the first position to the second position A method of picking up a semiconductor die.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180088261A (en) * 2017-01-26 2018-08-03 파스포드 테크놀로지 주식회사 Semiconductor manufacturing device and manufacturing method of semiconductor device
KR20190129994A (en) * 2017-03-24 2019-11-20 가부시키가이샤 신가와 Pickup Device and Pickup Method
KR20200049625A (en) * 2018-10-29 2020-05-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Electronic component pickup apparatus and bonding apparatus
KR20200123828A (en) * 2018-07-06 2020-10-30 가부시키가이샤 신가와 Semiconductor die pickup system
KR102177863B1 (en) * 2020-08-07 2020-11-11 변영기 Apparatus for peeling off film on chip
KR20200141675A (en) * 2019-06-11 2020-12-21 세메스 주식회사 Die ejecting apparatus

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6797569B2 (en) * 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing equipment and manufacturing method of semiconductor equipment
JP6643197B2 (en) * 2016-07-13 2020-02-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP6685245B2 (en) * 2017-02-08 2020-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
TWI745710B (en) * 2018-07-06 2021-11-11 日商新川股份有限公司 Pickup system for semiconductor die
JP7102305B2 (en) * 2018-09-19 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 Manufacturing method of die bonding equipment and semiconductor equipment
JP7217605B2 (en) 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing equipment, push-up jig, and semiconductor device manufacturing method
CH715447B1 (en) 2018-10-15 2022-01-14 Besi Switzerland Ag chip ejector.
JP7184006B2 (en) * 2019-10-01 2022-12-06 三菱電機株式会社 Semiconductor chip pick-up jig, semiconductor chip pick-up device, and pick-up jig adjustment method
JP7458773B2 (en) 2019-12-19 2024-04-01 芝浦メカトロニクス株式会社 Pick-up equipment and mounting equipment for electronic components
US11764098B2 (en) * 2021-04-16 2023-09-19 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Detaching a die from an adhesive tape by air ejection

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945339A (en) 1972-09-08 1974-04-30
JPS62210635A (en) * 1986-03-12 1987-09-16 Hitachi Yonezawa Denshi Kk Method and apparatus for isolating article
KR20030035763A (en) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 Method and device of peeling semiconductor device
KR20080112127A (en) * 2007-06-19 2008-12-24 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR20090026015A (en) * 2007-09-06 2009-03-11 가부시키가이샤 신가와 Pickup method and pickup device of semiconductor die
KR20100011098A (en) * 2008-07-24 2010-02-03 세크론 주식회사 Apparatus for picking up a semiconductor device
KR20110091469A (en) * 2010-02-05 2011-08-11 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228513A (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Conveying device for electronic component
JP4945339B2 (en) * 2007-06-22 2012-06-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
MY150953A (en) * 2008-11-05 2014-03-31 Esec Ag Die-ejector
CH706280B1 (en) * 2012-03-30 2016-03-15 Esec Ag A method for detaching a semiconductor chip from a foil.

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945339A (en) 1972-09-08 1974-04-30
JPS62210635A (en) * 1986-03-12 1987-09-16 Hitachi Yonezawa Denshi Kk Method and apparatus for isolating article
KR20030035763A (en) * 2001-10-23 2003-05-09 후지쯔 가부시끼가이샤 Method and device of peeling semiconductor device
KR20080112127A (en) * 2007-06-19 2008-12-24 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR20090026015A (en) * 2007-09-06 2009-03-11 가부시키가이샤 신가와 Pickup method and pickup device of semiconductor die
KR20100011098A (en) * 2008-07-24 2010-02-03 세크론 주식회사 Apparatus for picking up a semiconductor device
KR20110091469A (en) * 2010-02-05 2011-08-11 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up
US8092645B2 (en) 2010-02-05 2012-01-10 Asm Assembly Automation Ltd Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180088261A (en) * 2017-01-26 2018-08-03 파스포드 테크놀로지 주식회사 Semiconductor manufacturing device and manufacturing method of semiconductor device
KR20190129994A (en) * 2017-03-24 2019-11-20 가부시키가이샤 신가와 Pickup Device and Pickup Method
KR20200123828A (en) * 2018-07-06 2020-10-30 가부시키가이샤 신가와 Semiconductor die pickup system
KR20200049625A (en) * 2018-10-29 2020-05-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Electronic component pickup apparatus and bonding apparatus
KR20200141675A (en) * 2019-06-11 2020-12-21 세메스 주식회사 Die ejecting apparatus
KR102177863B1 (en) * 2020-08-07 2020-11-11 변영기 Apparatus for peeling off film on chip

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