JP6643197B2 - Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Description

本開示は半導体製造装置に関し、例えばコレットを備えるダイボンダに適用可能である。   The present disclosure relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and is applicable to, for example, a die bonder including a collet.

一般に、ダイと呼ばれる半導体チップを、例えば、配線基板やリードフレームなど（以下、総称して基板という。）の表面に搭載するダイボンダにおいては、一般的に、コレット等の吸着ノズルを用いてダイを基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作（作業）が繰り返して行われる。   Generally, in a die bonder in which a semiconductor chip called a die is mounted on a surface of a wiring substrate, a lead frame, or the like (hereinafter, collectively referred to as a substrate), the die is generally formed by using a suction nozzle such as a collet. The operation (work) of carrying the substrate on the substrate, applying the pressing force, and performing the bonding by heating the bonding material is repeatedly performed.

ダイボンダ等の半導体製造装置によるダイボンディング工程の中には、半導体ウェハ（以下、ウェハという。）から分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突き上げユニットによってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、１個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。   2. Description of the Related Art A die bonding process performed by a semiconductor manufacturing apparatus such as a die bonder includes a peeling step of peeling a die separated from a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer). In the peeling step, the dies are pushed up from the back surface of the dicing tape by the pushing unit, and are peeled one by one from the dicing tape held by the die supply unit, and are conveyed onto the substrate using a suction nozzle such as a collet.

特開２０１５−７６４１０号公報JP-A-2015-76410

突き上げユニットでダイを突き上げているとき、ダイが変形してコレットの吸着面の下まで撓み、リークが発生することがある。
本開示の課題はダイが変形してもリーク発生により真空吸着力を失わない半導体製造装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 When the die is pushed up by the push-up unit, the die may be deformed and bent below the suction surface of the collet, causing a leak.
An object of the present disclosure is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that does not lose the vacuum suction force due to leakage even when a die is deformed.
Other problems and novel features will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ピックアップするダイ断面の形状により、外周部が自動的に上下するコレットを備える。 The outline of a typical one of the present disclosure will be briefly described as follows.
That is, the semiconductor manufacturing apparatus includes a collet whose outer peripheral portion automatically moves up and down according to the shape of the cross section of the die to be picked up.

上記半導体製造装置によれば、リークを低減することが可能である。   According to the semiconductor manufacturing apparatus, it is possible to reduce the leak.

実施例に係るダイボンダを上から見た概念図Conceptual diagram of a die bonder according to an embodiment viewed from above 図１において矢印Ａ方向から見たときにピックアップヘッドおよびボンディングヘッドの動作を説明する図FIG. 1 is a diagram for explaining operations of a pickup head and a bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG. 図１のダイ供給部の外観斜視図を示す図The figure which shows the external appearance perspective view of the die supply part of FIG. 図１のダイ供給部の主要部を示す概略断面図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a die supply unit in FIG. 図４の突き上げユニットの上面図Top view of the push-up unit of FIG. 比較例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet unit and a push-up unit according to a comparative example 比較例に係るコレット部の下面図Bottom view of collet part according to comparative example 実施例に係るコレット部を説明する図FIG. 4 is a diagram illustrating a collet unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るダイボンダのピックアップ動作を説明するためのフローチャート5 is a flowchart for explaining a pickup operation of the die bonder according to the embodiment. 実施例に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートFlow chart for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment 変形例１に係るコレット部を説明する図FIG. 4 is a diagram illustrating a collet unit according to a first modification. 変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 1. 変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 1. 変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 1. 変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 1. 変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 1. 変形例２に係るコレット部を説明する図The figure explaining the collet part which concerns on the modification 2 変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 変形例３に係るコレット部を説明する図The figure explaining the collet part concerning the modification 3 変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 3. 変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 3. 変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 3. 変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 3. 変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 3. 変形例４に係るコレット部を説明する図The figure explaining the collet part which concerns on the modification 4 実施例に係るダイボンダのピックアップ動作の変形例を説明するためのフローチャート7 is a flowchart for explaining a modified example of the pickup operation of the die bonder according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. 実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図Sectional view of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment.

以下、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。   Hereinafter, examples and modifications will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components will be denoted by the same reference symbols, and repeated description may be omitted. In addition, in order to make the description clearer, the width, thickness, shape, and the like of each part may be schematically illustrated in comparison with an actual embodiment, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not described. It is not limited.

図１は実施例に係るダイボンダの概略を示す上面図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。   FIG. 1 is a top view schematically illustrating a die bonder according to an embodiment. FIG. 2 illustrates the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG.

ダイボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。   The die bonder 10 roughly monitors the operations of the die supply unit 1, the pickup unit 2, the intermediate stage unit 3, the bonding unit 4, the transfer unit 5, the substrate supply unit 6, the substrate unloading unit 7, and each unit. And a control unit 8 for controlling.

まず、ダイ供給部１は基板Ｐに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突き上げユニット１３と、を有する。ダイ供給部１は図示しない駆動手段によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突き上げユニット１３の位置に移動させる。   First, the die supply unit 1 supplies a die D to be mounted on the substrate P. The die supply unit 1 has a wafer holding table 12 for holding a wafer 11 and a push-up unit 13 indicated by a dotted line that pushes up a die D from the wafer 11. The die supply unit 1 is moved in the XY directions by driving means (not shown), and moves the die D to be picked up to the position of the push-up unit 13.

ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット部２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット部２２（図２も参照）を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット部２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部を有する。   The pickup unit 2 includes a pickup head 21 that picks up the die D, a Y drive unit 23 of the pickup head that moves the pickup head 21 in the Y direction, and respective drive units (not shown) that move the collet unit 22 up and down, rotate, and move in the X direction. And The pickup head 21 has a collet portion 22 (see also FIG. 2) for sucking and holding the pushed-up die D at its tip, picks up the die D from the die supply portion 1, and places the die D on the intermediate stage 31. The pickup head 21 has respective driving units (not shown) that move the collet unit 22 up and down, rotate, and move in the X direction.

中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラ３２を有する。   The intermediate stage unit 3 includes an intermediate stage 31 on which the die D is temporarily placed, and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31.

ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板Ｐ上にボンディングし、又は既に基板Ｐの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２部（図２も参照）を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ方向に移動させるＹ駆動部４３と、基板Ｐの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４とを有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＰにダイＤをボンディングする。 The bonding unit 4 picks up the die D from the intermediate stage 31 and bonds the die D onto the substrate P being transported, or bonds the die D on the die already bonded onto the substrate P. The bonding portion 4 includes a collet 42 (see also FIG. 2) for holding the die D at the tip similarly to the pickup head 21, a Y driving portion 43 for moving the bonding head 41 in the Y direction, It has a board recognition camera 44 that images a position recognition mark (not shown) of the board P and recognizes a bonding position.
With such a configuration, the bonding head 41 corrects the pickup position / posture based on the image data of the stage recognition camera 32, picks up the die D from the intermediate stage 31, and sets the substrate based on the image data of the substrate recognition camera 44. The die D is bonded to P.

搬送部５は、一枚又は複数枚の基板Ｐ（図１では４枚）を載置した基板搬送パレット５１と、基板搬送パレット５１が移動するパレットレール５２とを具備し、並行して設けられた同一構造の第１、第２搬送部とを有する。基板搬送パレット５１は、基板搬送パレット５１に設けられた図示しないナットをパレットレール５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。
このような構成によって、基板搬送パレット５１は、基板供給部６で基板Ｐを載置し、パレットレール５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｐを渡す。第１、第２搬送部は、互いに独立して駆動され、一方の基板搬送パレット５１に載置された基板ＰにダイＤをボンディング中に、他方の基板搬送パレット５１は、基板Ｐを搬出し、基板供給部６に戻り、新たな基板Ｐを載置するなどの準備を行なう。 The transport unit 5 includes a substrate transport pallet 51 on which one or a plurality of substrates P (four in FIG. 1) are placed, and a pallet rail 52 on which the substrate transport pallet 51 moves, and is provided in parallel. And first and second transport units having the same structure. The substrate transport pallet 51 is moved by driving a nut (not shown) provided on the substrate transport pallet 51 with a ball screw (not shown) provided along the pallet rail 52.
With such a configuration, the substrate transport pallet 51 places the substrate P on the substrate supply unit 6, moves to the bonding position along the pallet rail 52, moves to the substrate unloading unit 7 after bonding, and unloads the substrate. The substrate P is passed to the unit 7. The first and second transfer units are driven independently of each other, and while the die D is being bonded to the substrate P placed on one of the substrate transfer pallets 51, the other substrate transfer pallet 51 unloads the substrate P. Then, the process returns to the substrate supply unit 6 and preparations such as mounting a new substrate P are performed.

制御部８は、ダイボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。   The control unit 8 includes a memory for storing a program (software) for monitoring and controlling the operation of each unit of the die bonder 10, and a central processing unit (CPU) for executing the program stored in the memory.

次に、ダイ供給部１の構成について図３および図４を用いて説明する。図３はダイ供給部の外観斜視図を示す図である。図４はダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。   Next, the configuration of the die supply unit 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the die supply unit. FIG. 4 is a schematic sectional view showing a main part of the die supply unit.

ダイ供給部１は、水平方向（ＸＹ方向）に移動するウェハ保持台１２と、上下方向に移動する突き上げユニット１３と、を備える。ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突き上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。   The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that moves in a horizontal direction (XY directions) and a push-up unit 13 that moves in a vertical direction. The wafer holding table 12 has an expand ring 15 for holding a wafer ring 14 and a support ring 17 for horizontally positioning a dicing tape 16 held on the wafer ring 14 and having a plurality of dies D adhered thereto. The push-up unit 13 is disposed inside the support ring 17.

ダイ供給部１は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突き上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴いダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。なお、以降では、ダイアタッチフィルム１８の存在を無視して、剥離工程を説明する。   The die supply unit 1 lowers the expand ring 15 holding the wafer ring 14 when the die D is pushed up. As a result, the dicing tape 16 held by the wafer ring 14 is stretched, the interval between the dies D is widened, and the dies D are pushed up from below the dies D by the pushing-up unit 13 to improve the pick-up properties of the dies D. The adhesive for bonding the die to the substrate as the thickness becomes thinner changes from a liquid state to a film state, and a film-like adhesive material called a die attach film (DAF) 18 is applied between the wafer 11 and the dicing tape 16. I have. For the wafer 11 having the die attach film 18, dicing is performed on the wafer 11 and the die attach film 18. Therefore, in the peeling step, the wafer 11 and the die attach film 18 are peeled from the dicing tape 16. In the following, the peeling step will be described, ignoring the presence of the die attach film 18.

次に、突き上げユニットについて図５を用いて説明する。図５は図４の突き上げユニットの上面図である。   Next, the push-up unit will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a top view of the push-up unit of FIG.

突き上げユニット１３は、大別して、突き上げブロック部１３１と、突き上げブロック部１３１を取り囲む周辺部１３２とを有する。突き上げブロック部１３１は第１ブロック１３１ａと、第１ブロック１３１ａの内側に位置する第２ブロック１３１ｂとを有している。周辺部１３２は複数の吸引孔１３２ａを有する。   The push-up unit 13 has roughly a push-up block 131 and a peripheral portion 132 surrounding the push-up block 131. The push-up block section 131 has a first block 131a and a second block 131b located inside the first block 131a. The peripheral part 132 has a plurality of suction holes 132a.

次に、本願発明者らが検討した技術（以下、比較例という。）について図６，７を用いて説明する。図６は比較例に係るコレット部と突き上げユニットとを示す縦断面図である。図７は図６のコレット部の下面図である。   Next, a technique studied by the inventors of the present application (hereinafter, referred to as a comparative example) will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a collet portion and a push-up unit according to a comparative example. FIG. 7 is a bottom view of the collet portion of FIG.

図６に示すようにコレット部２２Ｒは、ラバーチップ２５Ｒと、ラバーチップ２５Ｒを保持するラバーチップホルダー２４Ｒと、を有する。ラバーチップ２５Ｒには真空吸引孔２５１Ｒが設けられる。ラバーチップホルダー２４Ｒの中央に真空吸引孔２６Ｒがあり、ラバーチップホルダー２４Ｒのラバーチップ２５Ｒの上面側に真空吸引溝２７Ｒがある。図７に示すように、ラバーチップ２３Ｒは平面視でダイＤと同様な矩形状であり、ダイＤと同程度の大きさをしている。なお、突き上げユニット１３は実施例の突き上げユニット１３と同じものである。   As shown in FIG. 6, the collet portion 22R has a rubber chip 25R and a rubber chip holder 24R that holds the rubber chip 25R. The rubber chip 25R is provided with a vacuum suction hole 251R. A vacuum suction hole 26R is provided at the center of the rubber chip holder 24R, and a vacuum suction groove 27R is provided on the upper surface side of the rubber chip 25R of the rubber chip holder 24R. As shown in FIG. 7, the rubber chip 23R has a rectangular shape similar to the die D in a plan view, and has a size similar to that of the die D. The push-up unit 13 is the same as the push-up unit 13 of the embodiment.

比較例に係るピックアップ動作はダイシングテープ１６上の目的とするダイＤ（剥離対象ダイ）が突き上げユニット１３とコレット部２２Ｒに位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると突き上げユニット１３の吸引孔１３２ａや隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによって、ダイシングテープ１６が突き上げユニット１３の上面に吸着される。その状態でコレット部２２ＲがダイＤのデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１が上昇すると、ダイＤはコレット部２２Ｒと突き上げブロック１３１に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープ１６の周辺部は突き上げブロック部１３１の周辺部１３２に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じ、その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープ１６が剥離されることになる。しかし、一方この時、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２Ｒの真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。一度リークしダイＤが離れると吸着面よりも下まで撓んだダイＤを再び保持することができない。   The pickup operation according to the comparative example starts when a target die D (die to be peeled) on the dicing tape 16 is positioned in the push-up unit 13 and the collet portion 22R. When the positioning is completed, the dicing tape 16 is sucked on the upper surface of the push-up unit 13 by evacuating through the suction holes 132a and the gaps 131c and 131d of the push-up unit 13. In this state, the collet 22R descends while evacuating toward the device surface of the die D, and lands. Here, when the push-up block 131, which is a main part of the push-up unit 13, rises, the die D rises while being sandwiched between the collet 22R and the push-up block 131. Since the peripheral portion 132 remains vacuum-sucked, tension is generated around the die D, and as a result, the dicing tape 16 is peeled around the die D. However, at this time, the periphery of the die D receives a stress on the lower side and is curved. Then, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22R (leak occurs). Once the die D leaks and separates, the die D bent below the suction surface cannot be held again.

次に、実施例に係るコレット部について図８を用いて説明する。図８（Ａ）は実施例に係るコレット部の縦断面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）のコレット部の下面図である。   Next, a collet unit according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8A is a longitudinal sectional view of the collet portion according to the embodiment. FIG. 8B is a bottom view of the collet portion in FIG.

コレット部２２は、吸着部２５と、吸着部２５を保持する中央部２４と、中央部２４の外側に位置する外周部２８と、外周部２８の上に位置するベローズ（蛇腹）部２９と、を有する。   The collet 22 includes a suction portion 25, a central portion 24 that holds the suction portion 25, an outer peripheral portion 28 located outside the central portion 24, a bellows (bellows) portion 29 located on the outer peripheral portion 28, Having.

吸着部２５は、例えばラバーチップで構成され、比較例と同様な図示しない真空吸引孔（第１の吸引孔）が設けられる。吸着部２５はダイＤと同様な矩形状であり、ダイＤよりも小さい。   The suction portion 25 is formed of, for example, a rubber chip, and provided with a vacuum suction hole (first suction hole) (not shown) similar to the comparative example. The suction part 25 has a rectangular shape similar to the die D, and is smaller than the die D.

中央部２４は吸着部２５を保持する保持部２４１と保持部２４１から上方に伸びる管状部２４２と、管状部２４２から水平方向に伸びる取付部２４３とを有する。管状部２４２の中央に真空吸引孔（第２の吸引孔）２６があり、保持部２４１の吸着部２５の上面側に真空吸引溝２７がある。   The central part 24 has a holding part 241 holding the suction part 25, a tubular part 242 extending upward from the holding part 241, and a mounting part 243 extending horizontally from the tubular part 242. A vacuum suction hole (second suction hole) 26 is provided at the center of the tubular portion 242, and a vacuum suction groove 27 is provided on the upper surface side of the suction portion 25 of the holding portion 241.

外周部２８は垂直部２８１と水平部２８２とで構成され、箱型状である。外周部２８は中央部２４との間に空間２８３を有する。垂直部２８１の内側と中央部２４の保持部２４１の外側とが対向する部分は狭くなっており、吸引孔（第３の吸引孔）２８５を構成している。外周部２８は管状部２４２に沿って上下動が可能である。外周部２８の垂直部２８１の下面にダイＤと接触する接触部２２１が設けられる。接触部２２１は上からの力で変形し、ダイＤの変形に追随して密着可能である。   The outer peripheral portion 28 includes a vertical portion 281 and a horizontal portion 282, and has a box shape. The outer peripheral portion 28 has a space 283 between the outer peripheral portion 28 and the central portion 24. A portion where the inside of the vertical portion 281 and the outside of the holding portion 241 of the central portion 24 face each other is narrow, and forms a suction hole (third suction hole) 285. The outer peripheral portion 28 can move up and down along the tubular portion 242. A contact portion 221 that contacts the die D is provided on the lower surface of the vertical portion 281 of the outer peripheral portion 28. The contact portion 221 is deformed by a force from above and can adhere to the deformation of the die D following the deformation.

ベローズ部（ベローズ機構）２９は管状部２４２を囲むように配置され、ベローズ２９１の上端は取付部２４３に接続され、下端は外周部２８の水平部２８２に接続され、管状部２４２とベローズ２９１との間に空間２９２を有する。空間２９２は空間２８３と外周部２８の水平部２８２に設けられる連通孔２８４で繋がっている。空間２９２は図示しない孔を通して真空吸引孔２６に接続されている。ベローズ部２９の上下動によって外周部２８が上下動するように構成されている。   The bellows part (bellows mechanism) 29 is arranged so as to surround the tubular part 242, the upper end of the bellows 291 is connected to the mounting part 243, the lower end is connected to the horizontal part 282 of the outer peripheral part 28, and the tubular part 242 and the bellows 291 And a space 292 between them. The space 292 is connected to the space 283 by a communication hole 284 provided in the horizontal portion 282 of the outer peripheral portion 28. The space 292 is connected to the vacuum suction hole 26 through a hole (not shown). The outer peripheral portion 28 is configured to move up and down by the up and down movement of the bellows portion 29.

コレット部２２の底面の外周はダイＤと同様な矩形状であり、ダイＤと同程度の大きさである。コレット部２２の底面の外周はダイＤよりも若干大きめにしたり、若干小さめにしたりしてもよい。ただし、外周部２８（接触部２２１）の内側はダイＤの外周の位置よりも内側に配置する必要がある。   The outer periphery of the bottom surface of the collet portion 22 has a rectangular shape similar to the die D, and is approximately the same size as the die D. The outer circumference of the bottom surface of the collet portion 22 may be slightly larger or slightly smaller than the die D. However, it is necessary to arrange the inside of the outer peripheral portion 28 (the contact portion 221) inside the position of the outer periphery of the die D.

次に、実施例に係るコレット部によるピックアップ動作について図５、９Ａ〜９Ｅ、１０を用いて説明する。図９Ａ〜９Ｅは実施例に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図である。図１０はピックアップ動作の処理フローを示すフローチャートである。   Next, a pickup operation by the collet unit according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 9A to 9E are cross-sectional views of the collet unit and the push-up unit according to the embodiment. FIG. 10 is a flowchart showing a processing flow of the pickup operation.

ステップＳ１：制御部８はピックアップするダイＤが突き上げユニット１３の真上に位置するようにウェハ保持台１２を移動し、剥離対象ダイを突き上げユニット１３とコレット部２２に位置決めする。ダイシングテープ１６の裏面に突き上げユニット１３の上面が接触するように突き上げユニット１３を移動する。このとき、図９Ａに示すように、制御部８は、突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａとブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによってダイシングテープ１６を突き上げユニット１３の上面に吸着する。   Step S <b> 1: The controller 8 moves the wafer holding table 12 so that the die D to be picked up is located directly above the push-up unit 13, and positions the die to be peeled in the push-up unit 13 and the collet unit 22. The push-up unit 13 is moved so that the upper surface of the push-up unit 13 contacts the back surface of the dicing tape 16. At this time, as shown in FIG. 9A, the control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and the suction hole 132a of the peripheral unit 132 and the space between the blocks. The dicing tape 16 is attracted to the upper surface of the push-up unit 13 by vacuuming through the gaps 131c and 131d.

ステップＳ２：図９Ａに示すように、制御部８は、コレット部２２を真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、吸引孔を有する吸着部２５および吸引孔２８５（図８参照）によってダイＤを吸着する。   Step S2: As shown in FIG. 9A, the control unit 8 lowers the collet unit 22 while evacuating the vacuum, lands on the die D to be peeled, and sucks the suction unit 25 and the suction hole 285 (see FIG. 8) to adsorb the die D.

ステップＳ３：制御部８は、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１の第１ブロック１３１ａおよび第２ブロック１３１ｂを上昇させる。これにより、ダイＤはコレット部２２と突き上げブロック部１３１に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープ１６の周辺部は突き上げブロック部１３１の周辺部１３２に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じ、その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープ１６が剥離されることになる。しかし、一方この時、図９Ｂに示すように、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２の真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。   Step S3: The control section 8 raises the first block 131a and the second block 131b of the push-up block section 131 which is a main part of the push-up unit 13. As a result, the die D rises while being sandwiched between the collet portion 22 and the push-up block portion 131, but the peripheral portion of the dicing tape 16 is still vacuum-sucked to the peripheral portion 132 of the push-up block portion 131. As a result, the dicing tape 16 is peeled around the die D. However, at this time, as shown in FIG. 9B, the periphery of the die D is stressed downward and is curved. Then, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22 (leak occurs).

しかし、図９Ｃに示すように、コレット部２２の空間２８３、２９２は真空切れし、ベローズ２９１の復元力によりベローズ２９１が下方向に広がり、外周部２８は下げられる。これにより、リークが収まる。   However, as shown in FIG. 9C, the spaces 283 and 292 of the collet portion 22 are cut off in vacuum, the bellows 291 expands downward due to the restoring force of the bellows 291, and the outer peripheral portion 28 is lowered. As a result, the leak is reduced.

ステップＳ４：制御部８はコレット部２２を上昇させる。これにより、図９Ｄに示すように、ダイＤはダイシングテープ１６から剥離される。図９Ｅに示すように、コレット部２２の内部の空間２８３、２９２は真空になり、ベローズ２９１が上方向に狭まり、外周部２８が引き上げられ、ダイＤの周辺も引き上げられ、ダイＤは平坦になる。リークによりダイＤが離れて吸着面よりも下まで撓んでもダイＤを再び平坦に保持することができる。これにより、平坦なダイＤを搬送することができる。   Step S4: The control section 8 raises the collet section 22. Thereby, the die D is peeled off from the dicing tape 16 as shown in FIG. 9D. As shown in FIG. 9E, the spaces 283 and 292 inside the collet portion 22 are evacuated, the bellows 291 is narrowed upward, the outer peripheral portion 28 is pulled up, the periphery of the die D is pulled up, and the die D is flattened. Become. Even if the die D separates and bends below the suction surface due to the leak, the die D can be held flat again. Thereby, the flat die D can be transported.

ステップＳ５：制御部８は突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａと、ブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄとによるダイシングテープ１６の吸着を停止する。制御部８はダイシングテープ１６の裏面から突き上げブロック部１３１の上面が離れるように突き上げユニット１３を移動する。   Step S5: The control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and uses the suction holes 132a of the peripheral unit 132 and the gaps 131c and 131d between the blocks. The suction of the dicing tape 16 is stopped. The controller 8 moves the push-up unit 13 so that the upper surface of the push-up block 131 is separated from the back surface of the dicing tape 16.

制御部８はステップＳ１〜Ｓ５を繰り返して、ウェハ１１の良品のダイをピックアップする。   The control unit 8 repeats steps S1 to S5 to pick up a good die of the wafer 11.

次に、実施例に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図１１を用いて説明する。図１１は半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。   Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a semiconductor device.

ステップＳ１１：ウェハ１１から分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウェハリング１４をウェハカセット（不図示）に格納し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８はウェハリング１４が充填されたウェハカセットからウェハリング１４をダイ供給部１に供給する。また、基板Ｐを準備し、ダイボンダ１０に搬入する。制御部８は基板供給部６で基板Ｐを基板搬送パレット５１に載置する。   Step S11: The wafer ring 14 holding the dicing tape 16 to which the die D divided from the wafer 11 is attached is stored in a wafer cassette (not shown), and is loaded into the die bonder 10. The control unit 8 supplies the wafer ring 14 from the wafer cassette filled with the wafer ring 14 to the die supply unit 1. Further, the substrate P is prepared and carried into the die bonder 10. The control unit 8 places the substrate P on the substrate transport pallet 51 by the substrate supply unit 6.

ステップＳ１２：制御部８はステップＳ１〜Ｓ５によって分割したダイをウェハからピックアップする。   Step S12: The control unit 8 picks up the die divided in steps S1 to S5 from the wafer.

ステップＳ１３：制御部８はピックアップしたダイを基板Ｐ上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部８はウェハ１１からピックアップしたダイＤを中間ステージ３１に載置し、ボンディングヘッド４１で中間ステージ３１から再度ダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｐにボンディングする。   Step S13: The control unit 8 mounts the picked-up die on the substrate P or stacks it on the already bonded die. The control unit 8 places the die D picked up from the wafer 11 on the intermediate stage 31, picks up the die D again from the intermediate stage 31 with the bonding head 41, and bonds the die D to the transferred substrate P.

ステップＳ１４：制御部８は基板搬出部７で基板搬送パレット５１からダイＤがボンディングされた基板Ｐを取り出す。ダイボンダ１０から基板Ｐを搬出する。   Step S14: The controller 8 takes out the substrate P to which the die D has been bonded from the substrate carrying pallet 51 in the substrate carrying-out unit 7. The substrate P is unloaded from the die bonder 10.

＜変形例１＞
次に、変形例１に係るコレット部について図１２を用いて説明する。図１２（Ａ）は変形例１に係るコレット部の縦断面図である。図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のコレット部の下面図である。 <Modification 1>
Next, a collet portion according to Modification Example 1 will be described with reference to FIG. FIG. 12A is a longitudinal sectional view of the collet portion according to the first modification. FIG. 12B is a bottom view of the collet portion in FIG.

コレット部２２Ａは、コレット部２２にハット部２２２を追加したものである。ハット部２２２はコレット部２２の接触部２２１に薄い板状に貼り付けられており、２４１外側と外周部２８の下面とに接続され、本例では８カ所に真空導入溝２２３が設けられている。ハット部２２２を設けることにより、ダイＤの変形に追従する箇所が増えるのでダイＤとの吸着性が向上する。なお、外周部２８の下面にハット部２２２がない部分は実施例と同様に接触部２２１を有する。ハット部２２２の代わりに吸引孔を有するシート状構造を保持部２４１の下面と外周部２８の下面の間に設けてもよい。なお、ハット部は後述する変形例２、３のコレット部において追加してもよい。   The collet part 22A is obtained by adding a hat part 222 to the collet part 22. The hat part 222 is attached to the contact part 221 of the collet part 22 in a thin plate shape, is connected to the outside of the part 241 and the lower surface of the outer peripheral part 28, and in this example, eight vacuum introduction grooves 223 are provided. . By providing the hat portion 222, the number of locations that follow the deformation of the die D is increased, so that the attraction with the die D is improved. In addition, the part which does not have the hat part 222 in the lower surface of the outer peripheral part 28 has the contact part 221 like an Example. Instead of the hat part 222, a sheet-like structure having suction holes may be provided between the lower surface of the holding part 241 and the lower surface of the outer peripheral part 28. Note that the hat portion may be added to a collet portion of modified examples 2 and 3 described later.

次に、変形例１に係るコレット部によるピックアップ動作について図１３Ａ〜１３Ｅを用いて説明する。図１３Ａ〜１３Ｅは変形例１に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図である。図１３Ａ〜１３Ｅはそれぞれ図９Ａ〜９Ｅに対応する図である。   Next, a pickup operation by the collet unit according to the first modification will be described with reference to FIGS. 13A to 13E are cross-sectional views of the collet unit and the push-up unit according to the first modification. 13A to 13E are diagrams corresponding to FIGS. 9A to 9E, respectively.

図１３Ａに示すように、制御部８は、突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａとブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによってダイシングテープ１６を突き上げユニット１３の上面に吸着する（ステップＳ１）。   As shown in FIG. 13A, the control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and the suction hole 132a of the peripheral unit 132 and the gap 131c between the blocks. The dicing tape 16 is attracted to the upper surface of the push-up unit 13 by evacuating through the 131d (step S1).

また、図１３Ａに示すように、制御部８は、コレット部２２Ａを真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、吸引孔を有する吸着部２５および吸引孔２８３によってダイＤを吸着する（ステップＳ２）。   Further, as shown in FIG. 13A, the control unit 8 lowers the collet unit 22A while evacuating it, lands it on the die D to be peeled, and sets the die D by the suction unit 25 and the suction hole 283 having suction holes. Is absorbed (step S2).

図１３Ｂに示すように、制御部８は、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１の第１ブロック１３１ａおよび第２ブロック１３１ｂを上昇させると、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになり、コレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２Ａの真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。しかし、図１３Ｃに示すように、コレット部２２Ａの空間２８３、２９２は真空切れし、ベローズ２９１の復元力によりベローズ２９１が下方向に広がり、外周部２８は下げられる（ステップＳ３）。これにより、リークが収まる。なお、外周部２８が下がると、ハット部２２２は斜めになる。   As illustrated in FIG. 13B, when the control unit 8 raises the first block 131a and the second block 131b of the push-up block unit 131, which is the main part of the push-up unit 13, the periphery of the die D receives a downward stress, As a result, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22A (leak occurs). However, as shown in FIG. 13C, the spaces 283 and 292 of the collet 22A are cut off in vacuum, the bellows 291 expands downward due to the restoring force of the bellows 291, and the outer peripheral portion 28 is lowered (step S3). As a result, the leak is reduced. When the outer peripheral portion 28 is lowered, the hat portion 222 becomes oblique.

図１３Ｄに示すように、制御部８はコレットを上昇させると、ダイＤはダイシングテープ１６から剥離される（ステップＳ４）。図１３Ｅに示すように、コレット部２２Ａの内部の空間２８３、２９２は真空になり、ベローズ２９１が上方向に狭まり、外周部２８が引き上げられ、ダイＤの周辺も引き上げられ、ダイＤは平坦になる。なお、外周部２８が上がると、ハット部２２２も水平になる。リークによりダイＤが離れて吸着面よりも下まで撓んでもダイＤを再び平坦に保持することができる。これにより、平坦なダイＤを搬送することができる。   As shown in FIG. 13D, when the control unit 8 raises the collet, the die D is peeled off from the dicing tape 16 (Step S4). As shown in FIG. 13E, the spaces 283 and 292 inside the collet portion 22A are evacuated, the bellows 291 narrows upward, the outer peripheral portion 28 is pulled up, the periphery of the die D is pulled up, and the die D is flattened. Become. When the outer peripheral portion 28 rises, the hat portion 222 also becomes horizontal. Even if the die D separates and bends below the suction surface due to the leak, the die D can be held flat again. Thereby, the flat die D can be transported.

＜変形例２＞
次に、変形例２に係るコレット部について図１４を用いて説明する。図１４（Ａ）は実施例に係るコレット部の縦断面図である。図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のコレット部の下面図である。 <Modification 2>
Next, a collet portion according to Modification 2 will be described with reference to FIG. FIG. 14A is a longitudinal sectional view of the collet portion according to the example. FIG. 14B is a bottom view of the collet portion of FIG.

コレット部２２Ｂは、コレット部２２のベローズ部２９に代えてダイアフラム部２９Ｂを設けるものである。ダイアフラム部（ダイアフラム機構）２９Ｂは管状部２４２を囲むように配置され、ダイアフラム２９１Ｂの内側端は取付部２４３Ｂの下面に接続され、外側端は外周部２８Ｂの上部に設けられる筒部２８６Ｂの上部に接続される。筒部２８６Ｂは平面視で円環状である。中央部２４Ｂと外周部２８Ｂとの間の空間２８３と、管状部２４２とダイアフラム部２９Ｂとの間の空間２９２Ｂとは、外周部２８Ｂの水平部２８２に設けられた連通孔２８４で繋がっている。空間２９２Ｂは図示しない孔を通して真空吸引孔２６に接続されている。通常時、取付部２４３Ｂの下面は筒部２８６Ｂの上部よりも低い位置にある。ダイアフラム部２９Ｂの上下動によって外周部２８Ｂが上下動するように構成されている。   The collet portion 22B is provided with a diaphragm portion 29B instead of the bellows portion 29 of the collet portion 22. The diaphragm portion (diaphragm mechanism) 29B is disposed so as to surround the tubular portion 242, the inner end of the diaphragm 291B is connected to the lower surface of the mounting portion 243B, and the outer end is located above the cylindrical portion 286B provided above the outer peripheral portion 28B. Connected. The cylindrical portion 286B is annular in plan view. A space 283 between the central portion 24B and the outer peripheral portion 28B and a space 292B between the tubular portion 242 and the diaphragm portion 29B are connected by a communication hole 284 provided in a horizontal portion 282 of the outer peripheral portion 28B. The space 292B is connected to the vacuum suction hole 26 through a hole (not shown). Normally, the lower surface of the mounting portion 243B is located lower than the upper portion of the cylindrical portion 286B. The outer peripheral portion 28B is configured to move up and down by the up and down movement of the diaphragm portion 29B.

次に、変形例２に係るコレット部によるピックアップ動作について図９Ａ〜９Ｅ、１５Ａ〜１５Ｅを用いて説明する。図１５Ａ〜１５Ｅは変形例２に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図である。図１５Ａ〜１５Ｅはそれぞれ図９Ａ〜９Ｅに対応する図である。   Next, a pickup operation by the collet unit according to Modification 2 will be described with reference to FIGS. 9A to 9E and 15A to 15E. 15A to 15E are cross-sectional views of a collet portion and a push-up unit according to Modification Example 2. 15A to 15E are diagrams corresponding to FIGS. 9A to 9E, respectively.

図１５Ａに示すように、制御部８は、突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａとブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによってダイシングテープ１６を突き上げユニット１３の上面に吸着する（ステップＳ１）。   As shown in FIG. 15A, the control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and the gap 131c between the suction hole 132a of the peripheral unit 132 and the block. The dicing tape 16 is attracted to the upper surface of the push-up unit 13 by evacuating through the 131d (step S1).

また、図１５Ａに示すように、制御部８は、コレット部２２Ｂを真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、吸引孔を有する吸着部２５および吸引孔２８３によってダイＤを吸着する（ステップＳ２）。   Further, as shown in FIG. 15A, the control unit 8 lowers the collet unit 22B while evacuating it, lands on the die D to be peeled, and moves the die D by the suction unit 25 and the suction hole 283 having suction holes. Is absorbed (step S2).

図１５Ｂに示すように、制御部８は、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１の第１ブロック１３１ａおよび第２ブロック１３１ｂを上昇させると、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになり、コレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２Ｂの真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。しかし、図１５Ｃに示すように、コレット部２２Ｂの空間２８３、２９２Ｂは真空切れし、ダイアフラム２９１Ｂの復元力により上面が水平になり、外周部２８Ｂは下げられる（ステップＳ３）。これにより、リークが収まる。   As illustrated in FIG. 15B, when the control unit 8 raises the first block 131a and the second block 131b of the push-up block unit 131, which is the main part of the push-up unit 13, the periphery of the die D receives a downward stress, As a result, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22B (leak occurs). However, as shown in FIG. 15C, the spaces 283 and 292B of the collet portion 22B are cut off in vacuum, the upper surface becomes horizontal by the restoring force of the diaphragm 291B, and the outer peripheral portion 28B is lowered (step S3). As a result, the leak is reduced.

図１５Ｄに示すように、制御部８はコレットを上昇させると、ダイＤはダイシングテープ１６から剥離される（ステップＳ４）。図１５Ｅに示すように、コレット部２２Ｂの内部の空間２８３、２９２Ｂは真空になり、ダイアフラム２９１Ｂの上面周辺部が上方向に移動し、外周部２８Ｂが引き上げられ、ダイＤの周辺も引き上げられ、ダイＤは平坦になる。リークによりダイＤが離れて吸着面よりも下まで撓んでもダイＤを再び平坦に保持することができる。これにより、平坦なダイＤを搬送することができる。   As shown in FIG. 15D, when the control unit 8 raises the collet, the die D is peeled from the dicing tape 16 (Step S4). As shown in FIG. 15E, the spaces 283 and 292B inside the collet portion 22B are evacuated, the peripheral portion of the upper surface of the diaphragm 291B moves upward, the peripheral portion 28B is raised, and the periphery of the die D is also raised. Die D becomes flat. Even if the die D separates and bends below the suction surface due to the leak, the die D can be held flat again. Thereby, the flat die D can be transported.

＜変形例３＞
次に、変形例３に係るコレット部について図１６を用いて説明する。図１６（Ａ）は実施例に係るコレット部の縦断面図である。図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）のコレット部の下面図である。 <Modification 3>
Next, a collet portion according to Modification 3 will be described with reference to FIG. FIG. 16A is a longitudinal sectional view of the collet portion according to the example. FIG. 16B is a bottom view of the collet portion of FIG.

コレット部２２Ｃは、コレット部２２のベローズ部２９に代えてピストン部２９Ｃを設けるものである。ピストン部２９Ｃは管状部２４２を囲むように配置され、蓋部２９１Ｃとスプリング２９３Ｃとを有する。蓋部２９１Ｃの内側端は取付部２４３Ｃの下面に接続され、外側端は筒部２８６Ｃの上部に接続される。スプリング２９３Ｃは外周部２８Ｃの水平部２８２の間に設けられる。中央部２４Ｃと外周部２８Ｃとの間の空間２８３と、管状部２４２とピストン部２９Ｃとの間の空間２９２Ｃとは、外周部２８Ｃの水平部２８２に設けられた連通孔２８４で繋がっている。空間２９２Ｃは図示しない孔を通して真空吸引孔２６に接続されている。筒部２８６Ｃは平面視で円環状である。スプリング２９３Ｃの上下動によって外周部２８Ｃが上下動するように構成されている。   The collet part 22C is provided with a piston part 29C instead of the bellows part 29 of the collet part 22. The piston part 29C is arranged so as to surround the tubular part 242, and has a lid part 291C and a spring 293C. The inner end of the lid portion 291C is connected to the lower surface of the mounting portion 243C, and the outer end is connected to the upper portion of the cylindrical portion 286C. The spring 293C is provided between the horizontal portions 282 of the outer peripheral portion 28C. A space 283 between the central portion 24C and the outer peripheral portion 28C and a space 292C between the tubular portion 242 and the piston portion 29C are connected by a communication hole 284 provided in a horizontal portion 282 of the outer peripheral portion 28C. The space 292C is connected to the vacuum suction hole 26 through a hole (not shown). The cylindrical portion 286C is annular in plan view. The outer peripheral portion 28C is configured to move up and down by the up and down movement of the spring 293C.

次に、変形例３に係るコレット部によるピックアップ動作について図１７Ａ〜１７Ｅを用いて説明する。図１７Ａ〜１７Ｅは変形例３に係るコレット部と突き上げユニットとの断面図である。図１７Ａ〜１７Ｅはそれぞれ図９Ａ〜９Ｅに対応する図である。   Next, a pickup operation by the collet unit according to Modification 3 will be described with reference to FIGS. 17A to 17E. 17A to 17E are cross-sectional views of a collet unit and a push-up unit according to a third modification. 17A to 17E are diagrams corresponding to FIGS. 9A to 9E, respectively.

図１７Ａに示すように、制御部８は、突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａとブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによってダイシングテープ１６を突き上げユニット１３の上面に吸着する（ステップＳ１）。   As shown in FIG. 17A, the control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and the gap 131c between the suction hole 132a of the peripheral unit 132 and the block. The dicing tape 16 is attracted to the upper surface of the push-up unit 13 by evacuating through the 131d (step S1).

また、図１７Ａに示すように、制御部８は、コレット部２２Ｃを真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、吸引孔を有する吸着部２５および吸引孔２８３によってダイＤを吸着する（ステップＳ２）。   Further, as shown in FIG. 17A, the control unit 8 lowers the collet unit 22C while evacuating it, lands it on the die D to be peeled, and sets the die D by the suction unit 25 and the suction hole 283 having suction holes. Is absorbed (step S2).

図１７Ｂに示すように、制御部８は、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１の第１ブロック１３１ａおよび第２ブロック１３１ｂを上昇させると、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになり、コレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２Ｃの真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。しかし、図１７Ｃに示すように、コレット部２２Ｃの空間２８３、２９２Ｃは真空切れし、スプリング２９３Ｃの復元力により、外周部２８Ｃは下げられる（ステップＳ３）。これにより、リークが収まる。   As illustrated in FIG. 17B, when the control unit 8 raises the first block 131a and the second block 131b of the push-up block unit 131, which is the main part of the push-up unit 13, the periphery of the die D receives a downward stress, As a result, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22C (leak occurs). However, as shown in FIG. 17C, the spaces 283 and 292C of the collet portion 22C are cut off in vacuum, and the outer peripheral portion 28C is lowered by the restoring force of the spring 293C (step S3). As a result, the leak is reduced.

図１７Ｄに示すように、制御部８はコレットを上昇させると、ダイＤはダイシングテープ１６から剥離される（ステップＳ４）。図１７Ｅに示すように、コレット部２２Ｃの内部の空間２８３、２９２Ｃは真空になり、スプリング２９３Ｃの下端が上方向に移動し、外周部２８Ｃが引き上げられ、ダイＤの周辺も引き上げられ、ダイＤは平坦になる。リークによりダイＤが離れて吸着面よりも下まで撓んでもダイＤを再び平坦に保持することができる。これにより、平坦なダイＤを搬送することができる。   As shown in FIG. 17D, when the controller 8 raises the collet, the die D is peeled off from the dicing tape 16 (Step S4). As shown in FIG. 17E, the spaces 283 and 292C inside the collet portion 22C are evacuated, the lower end of the spring 293C moves upward, the outer peripheral portion 28C is pulled up, and the periphery of the die D is also pulled up. Becomes flat. Even if the die D separates and bends below the suction surface due to the leak, the die D can be held flat again. Thereby, the flat die D can be transported.

＜変形例４＞
次に、変形例４に係るコレット部について図１８を用いて説明する。図１８は変形例４に係るコレット部の縦断面図である。 <Modification 4>
Next, a collet portion according to Modification 4 will be described with reference to FIG. FIG. 18 is a longitudinal sectional view of a collet portion according to the fourth modification.

コレット部２２Ｄは、コレット部２２Ｂのダイアフラム部２９Ｂのダイアフラムの構成を変更するものである。ダイアフラム部２９Ｄは管状部２４２を囲むように２つのダイアフラム２９１Ｂ、２９３Ｂを平行に間隔を空けて２ヶ所に配置して構成してもよい。ダイアフラム２９１Ｂの内側端は取付部２４３Ｂの下面に接続され、外側端は外周部２８Ｄの上部に接続される。ダイアフラム２９３Ｂは、変形例２の外周部２８Ｂの水平部２８２の代わりに配置され、ダイアフラム２９１Ｂとの間隔が同間隔になるように、内側端は取付部２４４Ｂの下面に接続され、外側端は外周部２８Ｄに接続される。この構造により、２枚のダイアフラムで外周部２８Ｄの内側面と保持部２４１の外側面とは常に平行に保たれ、接触が防止される。これにより、接触による異物や噛みこみ、動作不良を防止することができる。   The collet portion 22D changes the configuration of the diaphragm of the diaphragm portion 29B of the collet portion 22B. The diaphragm portion 29D may be configured by arranging two diaphragms 291B and 293B in parallel at two locations so as to surround the tubular portion 242. The inner end of the diaphragm 291B is connected to the lower surface of the mounting part 243B, and the outer end is connected to the upper part of the outer peripheral part 28D. The diaphragm 293B is arranged in place of the horizontal portion 282 of the outer peripheral portion 28B of Modification Example 2, and the inner end is connected to the lower surface of the mounting portion 244B so that the interval with the diaphragm 291B is the same. Connected to the section 28D. With this structure, the inner surface of the outer peripheral portion 28D and the outer surface of the holding portion 241 are always kept parallel by the two diaphragms, and contact is prevented. Thereby, it is possible to prevent foreign matter, biting, and malfunction due to contact.

＜変形例５＞
次に、実施例に係るコレット部によるピックアップ動作の変形例について図９Ａ〜９Ｃ、１９、２０Ａ、２０Ｂを用いて説明する。 <Modification 5>
Next, a modified example of the pickup operation by the collet unit according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 9A to 9C, 19, 20A, and 20B.

ステップＳ１：制御部８はピックアップするダイＤが突き上げユニット１３の真上に位置するようにウェハ保持台１２を移動し、剥離対象ダイを突き上げユニット１３とコレット部２２に位置決めする。ダイシングテープ１６の裏面に突き上げユニット１３の上面が接触するように突き上げユニット１３を移動する。このとき、図９Ａに示すように、制御部８は、突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、周辺部１３２の吸引孔１３２ａとブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄを介して真空引きすることによってダイシングテープ１６を突き上げユニット１３の上面に吸着する。   Step S <b> 1: The controller 8 moves the wafer holding table 12 so that the die D to be picked up is located directly above the push-up unit 13, and positions the die to be peeled in the push-up unit 13 and the collet unit 22. The push-up unit 13 is moved so that the upper surface of the push-up unit 13 contacts the back surface of the dicing tape 16. At this time, as shown in FIG. 9A, the control unit 8 causes the blocks 131a and 131b of the push-up block unit 131 to form the same plane as the surface of the peripheral unit 132, and the suction hole 132a of the peripheral unit 132 and the space between the blocks. The dicing tape 16 is attracted to the upper surface of the push-up unit 13 by vacuuming through the gaps 131c and 131d.

ステップＳ２：図９Ａに示すように、制御部８は、コレット部２２を真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、吸引孔を有する吸着部２５および吸引孔２８３によってダイＤを吸着する。   Step S2: As shown in FIG. 9A, the control unit 8 lowers the collet unit 22 while evacuating the vacuum, lands on the die D to be peeled, and moves the collet unit 22 by the suction unit 25 having the suction hole and the suction hole 283. Adsorb D.

ステップＳ３：制御部８は、突き上げユニット１３の主要部である突き上げブロック部１３１の第１ブロック１３１ａおよび第２ブロック１３１ｂを上昇させる。これにより、ダイＤはコレット部２２と突き上げブロック部１３１に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープ１６の周辺部は突き上げブロック部１３１の周辺部１３２に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じ、その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープ１６が剥離されることになる。しかし、一方この時、図９Ｂに示すように、ダイＤ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット部２２の真空吸引系に流入する（リークが発生する）ことになる。   Step S3: The control section 8 raises the first block 131a and the second block 131b of the push-up block section 131 which is a main part of the push-up unit 13. As a result, the die D rises while being sandwiched between the collet portion 22 and the push-up block portion 131, but the peripheral portion of the dicing tape 16 is still vacuum-sucked to the peripheral portion 132 of the push-up block portion 131. As a result, the dicing tape 16 is peeled around the die D. However, at this time, as shown in FIG. 9B, the periphery of the die D is stressed downward and is curved. Then, a gap is formed between the collet and the lower surface of the collet, and air flows into the vacuum suction system of the collet portion 22 (leak occurs).

しかし、図９Ｃに示すように、コレット部２２の空間２８３、２９２は真空切れし、ベローズ２９１の復元力によりベローズ２９１が下方向に広がり、外周部２８は下げられる。   However, as shown in FIG. 9C, the spaces 283 and 292 of the collet portion 22 are cut off in vacuum, the bellows 291 expands downward by the restoring force of the bellows 291, and the outer peripheral portion 28 is lowered.

ステップＳ３１：制御部８は突き上げブロック部１３１の各ブロック１３１ａ、１３１ｂが周辺部１３２の表面と同一平面を形成するようにし、コレットを下降させる。これにより、図２０Ａに示すように、コレット部２２の内部の空間２８３、２９２は真空になり、ベローズ２９１が上方向に狭まり、外周部２８が引き上げられ、ダイＤの周辺も引き上げられ、ダイＤは平坦になる。リークによりダイＤが離れて吸着面よりも下まで撓んでもダイＤを再び平坦に保持することができる。これにより、平坦なダイＤを搬送することができる。   Step S31: The control section 8 lowers the collet so that the blocks 131a and 131b of the push-up block section 131 form the same plane as the surface of the peripheral section 132. As a result, as shown in FIG. 20A, the spaces 283 and 292 inside the collet portion 22 are evacuated, the bellows 291 is narrowed upward, the outer peripheral portion 28 is pulled up, and the periphery of the die D is also pulled up. Becomes flat. Even if the die D separates and bends below the suction surface due to the leak, the die D can be held flat again. Thereby, the flat die D can be transported.

ステップＳ４：制御部８はコレット部２２を上昇させる。これにより、図２０Ｂに示すように、ダイＤはダイシングテープ１６から剥離される。   Step S4: The control section 8 raises the collet section 22. Thereby, the die D is peeled off from the dicing tape 16 as shown in FIG. 20B.

ステップＳ５１：制御部８は周辺部１３２の吸引孔１３２ａと、ブロック間の隙間１３１ｃ、１３１ｄとによるダイシングテープ１６の吸着を停止する。制御部８はダイシングテープ１６の裏面から突き上げ部１３１の上面が離れるように突き上げユニット１３を移動する。   Step S51: The controller 8 stops the suction of the dicing tape 16 by the suction holes 132a of the peripheral portion 132 and the gaps 131c and 131d between the blocks. The controller 8 moves the push-up unit 13 so that the upper surface of the push-up portion 131 is separated from the back surface of the dicing tape 16.

制御部８はステップＳ１〜Ｓ５１を繰り返して、ウェハ１１の良品のダイをピックアップする。   The control unit 8 repeats steps S1 to S51 to pick up a good die of the wafer 11.

変形例５に係るピックアップ動作は実施例のコレットのみならず、変形例１〜４に係るコレット部にも適用することができる。なお、比較例に係るコレット部を用いて変形例５に係るピックアップ動作と同様の動作を行うことにより同様の効果を奏することができる。図６に示すような状態になってダイＤが撓んでも、ステップＳ３１（図２０Ａ）と同様にすると、ダイＤが水平になる（ダイＤの撓みが解消する）ので、コレット部２２ＲはダイＤを再び保持することができる。これにより、ステップＳ４でコレット部２２Ｒを上昇させると、図２０Ｂと同様にダイＤをダイシングテープ１６から剥離することができる。   The pickup operation according to Modification 5 can be applied not only to the collets of the embodiment but also to the collets according to Modifications 1 to 4. The same effect can be obtained by performing the same operation as the pickup operation according to Modification Example 5 using the collet portion according to the comparative example. Even if the die D is bent in the state as shown in FIG. 6, the die D becomes horizontal (the bending of the die D is eliminated) in the same manner as in step S31 (FIG. 20A), so that the collet portion 22 </ b> R D can be held again. Thus, when the collet portion 22R is raised in step S4, the die D can be peeled from the dicing tape 16 as in FIG. 20B.

以上の実施例および変形例によれば、下記のような作用効果を奏する。
（１）実施例に係るコレットは、ピックアップするダイの断面形状の変化に追従することにより、コレットの外周部が自動的に上下しダイ吸着時のリークを防止し、確実にピックアップを行うことができる。
（２）実施例に係るコレットは、その外周部をコレット内の吸着圧に応じてベローズ機能により自動的に（自然に）上下動することができる。
（３）実施例に係るコレットは、そのベローズの反力により、ダイに対するコレット外周部の反力（復元力）及びピックアップ開始時の外周部の基準位置をコントロールすることができる。
（４）変形例２、４に係るコレットは、その外周部をコレット内の吸着圧に応じてダイアフラムにより自動的に（自然に）上下動することができる。
（５）変形例２、４に係るコレットは、そのダイアフラムの背圧をコントロールし、ダイに対するコレット外周部の反力（復元力）及び位置をコントロールすることができる。
（６）変形例２、４に係るコレットは、そのダイアフラムの背圧をコントロールし、ピックアップ開始時の外周部の位置を突き出した状態でダイ吸着を開始することができる。
（７）変形例１に係るコレットは、その吸着部外周にハット構造を持ち、ピックアップするダイの断面形状の変化に追従することにより、コレット外周部が自動的に上下し、ハット構造の外周を押し下げ、リークを防止することができる。
（８）変形例１に係るコレットは、その外周部と吸着部表面にシート状構造を持ち、ピックアップするダイの断面形状の変化に追従することにより、外周部を押し下げて、リークを防止することができる。
（９）変形例３に係るコレットは、ピストン形状を持ち、コレットの外周部をコレット内の吸着圧力に応じて、ピストン内圧による圧縮力により、自動的に（自然）に上下動することができる。
（１０）変形例５に係るピックアップ動作は、コレット部および突き上げブロック部を下降させることにより、ダイＤを水平にすることができるので、コレット部２２の内部の真空をより確実にすることができる。 According to the above-described embodiment and modified example, the following operation and effect can be obtained.
(1) The collet according to the embodiment follows the change in the cross-sectional shape of the die to be picked up, so that the outer peripheral portion of the collet automatically moves up and down, thereby preventing leakage at the time of die suction and ensuring reliable pickup. it can.
(2) The collet according to the embodiment can automatically (naturally) move up and down by the bellows function in accordance with the suction pressure in the collet.
(3) In the collet according to the embodiment, the reaction force (restoring force) of the outer peripheral portion of the collet with respect to the die and the reference position of the outer peripheral portion at the start of the pickup can be controlled by the reaction force of the bellows.
(4) The collets according to Modifications 2 and 4 can automatically (naturally) move up and down by the diaphragm in accordance with the suction pressure in the collets.
(5) The collets according to Modifications 2 and 4 can control the back pressure of the diaphragm and control the reaction force (restoring force) and position of the collet outer peripheral portion with respect to the die.
(6) The collets according to the modified examples 2 and 4 can control the back pressure of the diaphragm and start the die suction in a state where the outer peripheral portion at the time of starting the pickup is protruded.
(7) The collet according to Modification 1 has a hat structure on the outer periphery of the suction portion, and follows the change in the cross-sectional shape of the die to be picked up, so that the outer periphery of the collet automatically moves up and down, and the outer periphery of the hat structure moves up and down. Pushing down and leakage can be prevented.
(8) The collet according to the first modification has a sheet-like structure on the outer peripheral portion and the surface of the suction portion, and follows the change in the cross-sectional shape of the die to be picked up, thereby pushing down the outer peripheral portion and preventing leakage. Can be.
(9) The collet according to Modification 3 has a piston shape, and the outer peripheral portion of the collet can automatically (naturally) move up and down automatically (naturally) by the compression force due to the internal pressure of the piston according to the suction pressure in the collet. .
(10) In the pickup operation according to the fifth modification, the die D can be made horizontal by lowering the collet portion and the push-up block portion, so that the vacuum inside the collet portion 22 can be further ensured. .

以上、本発明者によってなされた発明を実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。   As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments and the modified examples. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the modified examples, and can be variously modified. Not even.

実施例ではブロックを用いてダイを突き上げる例を説明したが、ブロックに代えてピン（ニードル）を用いてもよい。   In the embodiment, the example in which the block is used to push up the die is described, but a pin (needle) may be used instead of the block.

また、実施例では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。   Further, in the embodiment, the example in which the die attach film is used is described. However, the die attach film may not be used by providing a preform portion for applying an adhesive to the substrate.

また、実施例では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップする半導体製造装置に適用可能である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。 Further, in the embodiment, the die bonder is described in which the die is picked up from the die supply unit by the pickup head, mounted on the intermediate stage, and the die mounted on the intermediate stage is bonded to the substrate by the bonding head. However, the present invention is applicable to a semiconductor manufacturing apparatus that picks up a die from a die supply unit.
For example, the present invention is also applicable to a die bonder that does not have an intermediate stage and a pickup head, but bonds a die of a die supply unit to a substrate by a bonding head.
Further, the present invention can be applied to a flip chip bonder which has no intermediate stage, picks up a die from a die supply unit, rotates the die pickup head upward, transfers the die to the bonding head, and bonds the die to the substrate with the bonding head.
Further, the present invention can be applied to a die sorter which has no intermediate stage and a bonding head and mounts a die picked up by a pickup head from a die supply unit on a tray or the like.

１：ダイ供給部
１１：ウェハ
１３：突き上げユニット
１６：ダイシングテープ
２：ピックアップ部
２１：ピックアップヘッド
２２：コレット部
２３：吸着部
２４：中央部
２６：真空吸引孔
２７：真空吸引溝
２８：外周部
２９： ベローズ部
３：中間ステージ部
３１：中間ステージ
４：ボンディング部
４１：ボンディングヘッド
７：制御部
１０：ダイボンダ
Ｄ：ダイ
Ｐ：基板 1: Die supply unit 11: Wafer 13: Push-up unit 16: Dicing tape 2: Pickup unit 21: Pickup head 22: Collet unit 23: Suction unit 24: Central unit 26: Vacuum suction hole 27: Vacuum suction groove 28: Outer periphery 29: Bellows part 3: Intermediate stage part 31: Intermediate stage 4: Bonding part 41: Bonding head 7: Control part 10: Die bonder D: Die P: Substrate

Claims (14)

半導体製造装置はダイを吸着するコレット部を備え、
前記コレット部は、
第１の吸引孔を有し、前記ダイの中央付近を吸着する吸着部と、
前記吸着部を保持する保持部と、
前記保持部に接続され、第１の吸引孔と繋がっている第２の吸引孔を有する管状部と、
前記保持部および前記管状部の外側に位置する外周部と、
前記保持部および前記管状部と外周部との間で構成する第３の吸引孔と、
前記ダイの周辺部が下方向に撓むことにより前記第３の吸引孔にリークが発生しその内圧が高くなることにより前記外周部を押し下げて前記ダイの周辺部に当接し、前記リークの発生がなくなりその内圧が低くなることにより前記外周部を引き上げて前記ダイの周辺部を引き上げる手段と、
を備える。 The semiconductor manufacturing apparatus includes a collet for adsorbing a die,
The collet part,
An adsorbing section having a first suction hole, and adsorbing near the center of the die;
A holding unit that holds the suction unit,
A tubular portion connected to the holding portion and having a second suction hole connected to the first suction hole;
An outer peripheral portion located outside the holding portion and the tubular portion,
A third suction hole formed between the outer circumferential portion and the holding portion and the tubular portion,
When the peripheral portion of the die bends downward, a leak is generated in the third suction hole, and the internal pressure increases, whereby the outer peripheral portion is pressed down and abuts against the peripheral portion of the die, thereby causing the leak. Means for lifting up the outer peripheral portion by raising the inner peripheral pressure by lowering the internal pressure, and raising the peripheral portion of the die,
Is provided. 請求項１の半導体製造装置において、
前記手段は前記外周部の上方、かつ前記管状部の外側に設けられるベローズ機構であり、内圧が高くなるとベローズ機構の復元力で前記外周部を押し下げ、内圧が低くなるとその吸引力で前記外周部を引き上げる。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The means is a bellows mechanism provided above the outer peripheral portion and outside the tubular portion. When the internal pressure increases, the outer peripheral portion is pushed down by the restoring force of the bellows mechanism, and when the internal pressure decreases, the suction force reduces the outer peripheral portion. Pull up. 請求項２の半導体製造装置において、
前記ベローズ機構は、前記管状部から水平に伸びる取付部と、前記外周部の水平部と、前記取付部と前記外周部の水平部の間に接続されるベローズと、で構成され、
前記外周部の水平部に設けられる孔と通して前記ベローズ機構と前記第３の吸引孔は連通される。 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
The bellows mechanism includes a mounting portion extending horizontally from the tubular portion, a horizontal portion of the outer peripheral portion, and a bellows connected between the mounting portion and the horizontal portion of the outer peripheral portion,
The bellows mechanism and the third suction hole communicate with each other through a hole provided in a horizontal portion of the outer peripheral portion. 請求項１の半導体製造装置において、
前記手段は前記外周部の上方、かつ前記管状部の外側に設けられるダイアフラム機構であり、内圧が高くなるとダイアフラム機構の復元力で前記外周部を押し下げ、内圧が低くなるとその吸引力で前記外周部を引き上げる。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The means is a diaphragm mechanism provided above the outer peripheral portion and outside the tubular portion. When the internal pressure increases, the outer peripheral portion is pushed down by the restoring force of the diaphragm mechanism, and when the internal pressure decreases, the suction force reduces the outer peripheral portion. Pull up. 請求項４の半導体製造装置において、
前記ダイアフラム機構は、前記管状部から水平に伸びる取付部と、前記外周部の上部の水平部と、前記外周部の上部の垂直部と、前記取付部と前記外周部の上部の水平部と前記外周部の上部の垂直部と間に接続されるダイアフラムと、で構成され、
前記外周部の上部に設けられる孔と通して前記ダイアフラム機構と前記第２の吸引孔は連通される。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4,
The diaphragm mechanism includes a mounting portion extending horizontally from the tubular portion, a horizontal portion above the outer peripheral portion, a vertical portion above the outer peripheral portion, and a horizontal portion above the mounting portion and the outer peripheral portion. And a diaphragm connected between the upper vertical portion of the outer peripheral portion,
The diaphragm mechanism and the second suction hole are communicated with each other through a hole provided in an upper portion of the outer peripheral portion. 請求項４の半導体製造装置において、
前記ダイアフラム機構は、前記管状部から水平に伸びる第１取付部と、前記第１取付部より下方の前記管状部から水平に伸びる第２取付部と、前記外周部の上部の水平部と、前記第１取付部と前記外周部の上部との間に接続される第１ダイアフラムと、前記第２取付部と前記外周部の前記上部より下方の前記外周部との間に接続される第２ダイアフラムと、で構成される。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4,
The diaphragm mechanism includes a first attachment portion extending horizontally from the tubular portion, a second attachment portion extending horizontally from the tubular portion below the first attachment portion, a horizontal portion above the outer peripheral portion, A first diaphragm connected between a first mounting portion and an upper portion of the outer peripheral portion, and a second diaphragm connected between the second mounting portion and the outer peripheral portion below the upper portion of the outer peripheral portion. And 請求項１の半導体製造装置において、
前記手段は前記外周部の上方、かつ前記管状部の外側に設けられるピストン機構であり、内圧が高くなるとピストン機構の復元力で前記外周部を押し下げ、内圧が低くなるとその吸引力で前記外周部を引き上げる。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
The means is a piston mechanism provided above the outer peripheral portion and outside the tubular portion. When the internal pressure increases, the outer peripheral portion is pushed down by the restoring force of the piston mechanism, and when the internal pressure decreases, the outer peripheral portion is suctioned by the suction force. Pull up. 請求項７の半導体製造装置において、
前記ピストン機構は、前記管状部から水平に伸びる取付部と、前記外周部の上部の水平部と、前記外周部の上部の垂直部と、前記取付部の下面および前記管状部に一端が接続され他端が前記外周部の上部の垂直部に接続される蓋部と、前記蓋部と前記外周部の上部の水平部と間に接続されるスプリングと、で構成され、
前記外周部の上部に設けられる孔と通して前記ピストン機構と前記第２の吸引孔は連通される。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7 ,
The piston mechanism has a mounting portion extending horizontally from the tubular portion, a horizontal portion above the outer peripheral portion, a vertical portion above the outer peripheral portion, and one end connected to a lower surface of the mounting portion and the tubular portion. The other end is constituted by a lid connected to a vertical portion above the outer peripheral portion, and a spring connected between the lid and the upper horizontal portion of the outer peripheral portion,
The piston mechanism and the second suction hole are communicated with each other through a hole provided in an upper portion of the outer peripheral portion. 請求項１の半導体製造装置において、さらに
前記ダイをダイシングテープの下から吸着し突き上げる突き上げユニットと、
前記コレット部が装着されるピックアップヘッドと、
を備える。 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising: a push-up unit that sucks and pushes the die from below the dicing tape;
A pickup head to which the collet unit is attached;
Is provided. 請求項９の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップされるダイを載置する中間ステージと、
前記中間ステージに載置されるダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備える。 10. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 9 , further comprising:
An intermediate stage on which a die to be picked up by the pickup head is placed;
A bonding head for bonding a die mounted on the intermediate stage onto a substrate or an already bonded die;
Is provided. 請求項９の半導体製造装置において、
前記ダイはさらに前記ダイと前記ダイシングテープとの間にダイアタッチフィルムを備える。 The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 9 ,
The die further includes a die attach film between the die and the dicing tape. 半導体装置の製造方法は、
（ａ）ダイを吸着するコレット部を備え、前記コレット部は、第１の吸引孔を有し、前記ダイの中央付近を吸着する吸着部と、前記吸着部を保持する保持部と、前記保持部に接続され、第１の吸引孔と繋がっている第２の吸引孔を有する管状部と、前記保持部および前記管状部の外側に位置する外周部と、前記保持部および前記管状部と外周部との間で構成する第３の吸引孔と、前記ダイの周辺部が下方向に撓むことにより前記第３の吸引孔にリークが発生しその内圧が高くなることにより前記外周部を押し下げて前記ダイの周辺部に当接し、前記リークの発生がなくなりその内圧が低くなることにより前記外周部を引き上げて前記ダイの周辺部を引き上げる手段と、を備える半導体製造装置に、前記ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
（ｂ）基板を搬入する工程と、
（ｃ）突き上げユニットで前記ダイを突き上げて前記コレット部で前記ダイをピックアップする工程と、
を備え、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記ダイシングテープを吸着する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記コレット部を下降し前記ダイを吸着する工程と、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程後、前記突き上げユニットのブロックと前記コレット部を上昇させる工程と、
（ｃ４）前記（ｃ３）工程後、前記突き上げユニットのブロックと前記コレット部を下降させる工程と、
（ｃ５）前記（ｃ４）工程後、前記コレット部を上昇させる工程と、
を備える。 A method for manufacturing a semiconductor device includes:
(A) a collet unit for adsorbing a die, the collet unit having a first suction hole, an adsorbing unit for adsorbing near the center of the die, a holding unit for holding the adsorbing unit, and the holding unit A tubular portion having a second suction hole connected to the first portion and connected to the first suction hole, an outer peripheral portion located outside the holding portion and the tubular portion, and an outer peripheral portion between the holding portion and the tubular portion. A third suction hole formed between the third suction hole and the peripheral portion of the die is bent downward, so that a leak is generated in the third suction hole and the internal pressure increases, thereby pushing down the outer peripheral portion. A means for pulling up the outer peripheral portion and pulling up the peripheral portion of the die by abutting against the peripheral portion of the die and raising the outer peripheral portion by eliminating the occurrence of the leak and lowering the internal pressure thereof, comprising the die. Hold dicing tape Comprising the steps of loading the wafer ring,
(B) a step of carrying the board,
A step of picking up the die by the collet and (c) in collision-out raising unit thrust up the die,
With
The step (c) comprises:
(C1) adsorbing the dicing tape;
(C2) after the step (c1), a step of descending the collet portion and adsorbing the die;
(C3) after the step (c2), raising the block of the push-up unit and the collet portion ;
(C4) after the step (c3), lowering the block of the push-up unit and the collet portion ;
(C5) after the step (c4), raising the collet portion ;
Is provided. 請求項１２の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｄ）前記ダイを基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える。 13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12 , further comprising:
(D) bonding the die onto a substrate or an already bonded die. 請求項１２の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記（ｄ）工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12,
The step (c) further includes a step of placing the picked die on an intermediate stage.
The step (d) further includes a step of picking up the die from the intermediate stage.
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