KR20150143007A - 폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조방법 - Google Patents

폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 반응 가스 공급관이 구비되며, 본체 내면에 소정 극성의 전압이 인가된 본체를 구비한 반응관; 상기 반응관 내부에 설치되며 상기 본체 내면에 인가된 전압의 극성과 반대되는 극성의 전압이 인가되는 내부구조물; 상기 본체 내면과 상기 내부구조물에 전압을 인가하기 위한 전원공급수단; 상기 반응관 내로 환원 가스를 공급하기 위한 환원 가스 공급관; 및 상기 본체 내면과 내부구조물에 인가되는 반대극성의 전압으로 인해 형성된 플라즈마에 의해 상기 반응 가스와 상기 환원 가스가 반응하여 실리콘을 석출하는 반응공간을 포함하는 폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조 방법이 제공된다.

Description

폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조방법{Apparatus for producing polysilicon and preparation of polysilicon using same}
본 발명은 폴리실리콘의 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고순도의 폴리실리콘을 용융된 상태로 획득할 수 있는 폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조 방법에 관한 것이다.
폴리실리콘은 반도체 소자, 태양전지 소자 등의 원료가 되는 물질로 최근 그 수요가 점차 증가하고 있는 추세이다. 종래 반도체 또는 태양광 발전용 전지의 원료로서 사용되는 실리콘을 제조하는 방법은 여러 가지가 알려져 있고 그 중 일부는 이미 공업적으로 실시되고 있다.
현재 상용되는 고순도용 폴리실리콘은 대부분 화학기상증착 방법을 통해 제조되고 있다. 구체적으로 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 삼염화실란 기체를 수소 기체와 같은 환원성 기체와 반응시켜 제조될 수 있다.
[반응식 1]
SiHCl3(gas)+ H2(gas)→ Si(solid) + 3HCl(gas)
폴리실리콘을 제조하기 위한 상용화된 공법 중 하나를 예로 들면 지멘스 공법(Siemens method)이 있다. 지멘스 공법에서는 반응 가스로서의 실란계 가스 및, 환원 가스로서의 수소 가스를 종(bell)형 반응기에 함께 투입하고, 종형 반응기에 설치된 실리콘 로드를 가열함으로써 실리콘의 석출 온도 이상의 열이 반응 가스 및 환원 가스에 전달되면 환원 반응에 의해 폴리실리콘이 석출된다.
그러나, 이와 같은 종래의 지멘스 반응기는 통상 65 ~ 200 KWh/kg 정도의 많은 전기 에너지를 소비하며, 이러한 전기 에너지에 대한 비용이 폴리실리콘 제조 비용 중 매우 큰 비중을 차지한다. 또한 석출이 뱃치식(batch type)이기 때문에 실리콘 로드의 설치, 통전 가열, 석출, 냉각, 취출, 종형 반응기 세정 등의 지극히 번잡한 공정을 실시해야 하는 문제점이 있다.
또 다른 방법으로 유동층에 의한 석출방법이 있다. 이 방법은 유동층을 이용하여 100 미크론 정도의 미립자를 석출핵으로 공급하면서 실란류를 공급하여 실리콘 미립자 상에 실리콘을 석출해 1~2 mm의 실리콘 알갱이로서 연속적으로 제조하는 방법이다. 이 방법은 비교적 장기 연속 운전이 가능하다는 장점이 있지만, 석출온도가 낮은 모노실란을 실리콘 원료로서 사용하기 때문에 비교적 낮은 온도에서도 모노실란의 열분해에 의한 미분실리콘 생성이나 반응기벽으로의 실리콘 석출이 일어나기 쉬워 반응용기의 정기적인 세정이나 교환이 필요하다.
한편, 대한민국 특허 10-0692444 호에는 수직형 환원 반응기를 이용한 다결정 실리콘 제조 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 실리콘 석출면으로 되는 가열체를 통 형상으로 하여 열효율을 높인 장치로서, (a) 하단에 실리콘 취출구로 되는 개구부를 갖는 통 형상 용기, (b) 상기 통 형상 용기의 하단으로부터 임의의 높이까지의 내벽을 실리콘 융점 이상의 온도로 가열하는 가열 장치, (c) 상기 통 형상 용기의 내경 보다 작은 외경을 갖는 내관으로 이루어지고, 실리콘의 융점 이상으로 가열된 내벽에 의해 둘러싸인 공간에 상기 내관의 한쪽 개구를 아래쪽으로 향하여 설치함으로써 구성된 클로로실란류 공급관, (d) 통 형상 용기의 내벽과 클로로실란류 공급관의 외벽에 의해 형성되는 갭에 밀봉 가스를 공급하는 제 1 밀봉 가스 공급관, 및 경우에 따라, (e) 상기 통 형상 용기 내에 수소 가스를 공급하는 수소 공급관을 더 구비한다.
도 1 에는 수직형 환원 반응기의 유형에 속하는 폴리실리콘의 제조 장치가 개략적으로 도시되어 있다.
도면을 참조하면, 폴리실리콘의 제조 장치는 반응기(10)의 상부 부분(10a)에 반응 가스 유입구(11)가 구비되고, 반응기(10)의 중간 부분(10b)의 일측에 진공 도관(12) 및 배출 도관(13)이 구비되어 있다. 반응기(10)의 하부 부분(10c)에는 용융실리콘의 포집, 냉각, 캐스팅부가 형성되어 있다.
상기 반응 가스 유입구(11)를 통해 모노실란(monosilane), 이염화실란, 삼염화실란(TCS), 또는 사염화실란(STC)과 같은 실란계 가스인 반응 가스를 공급한다. 반응기(10의 운전 후 내부 공간의 클리닝, 퍼징을 위한 진공 분위기를 형성하기 위하여 진공 도관(12)이 이용될 수 있고, 반응시에 발생되는 폐가스를 배출하기 위하여 배출 도관(13)이 이용될 수 있다. 반응기(10)의 상부 부분(10a)에는 가열 코일(14)이 구비된다. 상기 유도 가열 코일(14)에 RF 전기가 인가됨으로써 반응관(21)에 맴돌이 전류가 생성되어 발열되고 고온으로 가열된 반응관(21) 벽면을 통하여 가스 유입구로 유입되는 가스에 열을 가하여 석출반응을 유도한다.
도 2 에는 도 1 에 도시된 반응기의 상부 부분(10a)이 개략적인 단면도로 도시되어 있다.
도면을 참조하면, 반응기의 상부 부분(10a)에는 반응관(21)이 구비되며, 상기 반응관(21)에는 반응 가스 공급관(11)을 통해 실란계 가스와 같은 반응 가스가 공급된다. 반응관(21)의 외측에는 절연관(22)의 표면에 가열 코일(23)이 배치된다. 도면에 도시되지 않은 밀봉 가스 공급관을 통해 밀봉 가스(25)가 공급되어, 반응관(21)과 절연관(22)의 사이 및, 절연관(22)과 외측 용기(26)사이에 충전된다. 밀봉 가스(25)는 반응 가스가 반응관(21)과 절연관(22) 사이 및 절연관(22)과 외측 용기(26) 사이의 간극을 통해 누설되는 것을 억제하기 위하여 공급된다. 또한 도면에 도시되지 않은 환원 가스 공급관을 통하여 수소와 같은 환원 가스가 공급되거나 환원 가스와 실란 가스의 혼합 형태로 공급된다.
도 2 의 단면도에서 A 로 표시된 반응관(21)의 상부 영역에는 가열 코일(21)이 감겨있지 않은 반면에, B 로 표시된 반응관(21)의 하부 영역에는 가열 코일(21)이 감겨있다. 이러한 구조는 공급관의 열적 안정성과 전체적인 등온 분포를 위한 것이고, B 영역은 반응관 직경의 3~4 배의 길이가 필요하다.
따라서 가열 코일(21)에 의해 반응관(21)으로 전달되는 열은 A 로 표시된 상부 영역보다는 B 로 표시된 하부 영역에 집중된다. 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명된 폴리실리콘의 제조 장치에서는 반응관(21)의 내부에 유입된 반응 가스 및 환원 가스가 벽면과 접촉하여 고온에서의 석출 반응이 진행되지 못하고 단순 통과되는 양이 많아지는 문제점을 가지고 있다.
즉, 가열 코일(23)로부터의 거리가 가장 멀리 있는 반응관(21)의 중심부를 통해 유동하는 가스에 대해서는 열전달이 원활하지 않으므로 환원 반응이 느리게 발생되며, 따라서 전체적인 생산 효율이 저하되고 에너지 효율도 저하된다. 그러므로 반응면적의 최대화가 필요하다.
뿐만 아니라 종래의 수직형 환원 반응기를 이용한 폴리실리콘 제조 방법은 환원 반응에 의해 석출된 폴리실리콘을 냉각하여 입자 상태로 얻기 때문에 잉곳 등의 원하는 형태로 제작하기 위해서는 이를 다시 용용시키기 위한 에너지가 필요하여 에너지 소비가 많다는 문제점이 있다. 따라서 실리콘의 석출과 용융이 동시에 진행되도록 하면서 용융 실리콘의 포집 및 이송이 가능하도록 하여 직접적으로 잉곳이나 웨이퍼를 제작할 수 있도록 하는 방법이 절실히 요구된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있는 개선된 폴리실리콘의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 생산 효율이 향상될 수 있는 폴리실리콘의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 용융 폴리실리콘의 연속적인 생산이 가능한 폴리실리콘의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면,
반응 가스 공급관이 구비되며, 본체 내면에 소정 극성의 전압이 인가된 본체를 구비한 반응관;
상기 반응관 내부에 설치되며 상기 본체 내면에 인가된 전압의 극성과 반대되는 극성의 전압이 인가되는 내부구조물;
상기 본체 내면과 상기 내부구조물에 전압을 인가하기 위한 전원공급수단;
상기 반응관 내로 환원 가스를 공급하기 위한 환원 가스 공급관; 및
상기 본체 내면과 내부구조물에 인가되는 반대극성의 전압으로 인해 형성된 플라즈마에 의해 상기 반응 가스와 상기 환원 가스가 반응하여 실리콘을 석출하는 반응공간을 포함하는 폴리실리콘 제조 장치가 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 전원공급수단은 상기 반응관의 본체 내면에 (-) 전원을 연결하고, 상기 내부구조물에 (+) 전원을 연결하는 것일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 내부구조물은 반응관 중심에 위치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 내부구조물은 로드 형상일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 복수개의 로드 형상 내부구조물이 반응관 중심에 원주상으로 설치된 것일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 반응관 본체 내면, 내부구조물 또는 이들 모두를 실리콘의 융점 이상으로 가열하기 위한 가열수단을 더 구비할 수 있다.
상기 반응관 본체 내면과 상기 내부구조물은 카본 함유재질로 제조된 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 반응관 본체 내면 및 상기 내부구조물은 그래파이트 또는 탄화규소로 제조된 것일 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 장치를 이용하여 폴리실리콘을 제조하는 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 방법은 상기 반응 가스 공급관을 통해 모노실란(monosilane), 이염화실란, 삼염화실란(TCS), 및 사염화실란(STC) 중 어느 하나를 포함하는 반응가스를 공급하고, 상기 환원 가스 공급관을 통해 수소를 포함하는 환원가스를 공급하고, 상기 본체 내면과 내부구조물에 반대극성의 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 상기 반응 가스와 상기 환원 가스를 반응시켜 실리콘을 석출하는 것일 수 있다.
본 발명에 있어서, 반응 가스 및 환원 가스의 반응에 의해 석출되는 폴리실리콘은 반응관 본체 내면 또는 내부구조물에 증착되어 용융 상태의 생성물로 수득되는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 폴리실리콘 제조 장치에서는 반응관 내부에 생성되는 플라즈마를 이용하여 고순도의 폴리실리콘이 용융된 상태로 연속적으로 생성될 수 있으며, 폴리실리콘의 전환 효율을 대폭 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.
도 1 은 종래 기술에 따른 폴리실리콘의 제조 장치에 대한 개략적인 사시도이다.
도 2 는 도 1 에 도시된 반응기의 상부 부분에 대한 개략적인 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실리콘 제조 장치의 반응관 부분의 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 반응관에 대한 횡단면도 및 사시도이다.
도 5 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응관에 대한 횡단면도 및 사시도이다.
도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응관의 횡단면도이다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 실시예를 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정 실시 형태로 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 기술사상 및 범위에 포함되는 변형물, 균등물 또는 대체물을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면에서 유사한 참조부호는 유사한 구성요소에 대하여 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들이 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니고, 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
“및/또는”이라는 용어는 복수의 기재된 항목들 중 어느 하나 또는 이들의 포함하는 조합을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “연결되어”있다거나 “접속되어” 있다고 언급된 때에는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 접속되어 있거나 또는 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다.
단수의 표현은 달리 명시하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.
“포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 수치, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재함을 지칭하는 것이고, 언급되지 않은 다른 특징, 수치, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재하거나 부가될 수 있는 가능성을 배제하지 않는다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 폴리실리콘 제조 장치는,
반응 가스 공급관이 구비되며, 본체 내면에 소정 극성의 전압이 인가된 본체를 구비한 반응관;
상기 반응관 내부에 설치되며 상기 본체 내면에 인가된 전압의 극성과 반대되는 극성의 전압이 인가되는 내부구조물;
상기 본체 내면과 상기 내부구조물에 전압을 인가하기 위한 전원공급수단;
상기 반응관 내로 환원 가스를 공급하기 위한 환원 가스 공급관; 및
상기 본체 내면과 내부구조물에 인가되는 반대극성의 전압으로 인해 형성된 플라즈마에 의해 상기 반응 가스와 상기 환원 가스가 반응하여 실리콘을 석출하는 반응공간을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반응관(100)의 단면 구조를 보여준다.
도 1에 도시된 장치는 반응관 본체(34) 내면과 반응관내 존재하는 내부구조물(32)이 두 개의 전극으로 작용한다. 전원(31)으로부터 직류 전압을 도체로 형성된 상기 반응관 본체(34) 내면과 내부구조물(32)에 인가하면, 반응관 본체(34) 내면과 내부구조물(32) 사이에 일정한 전기장이 생성되는데 이때 생성되는 전기장은 전압에 비례하고 거리에 반비례 하는 조건으로 생성된다.
도 1에는 반응관 본체(34)에 음극(cathode)이, 내부구조물(32)에 양극(anode)이 연결된 구조를 도시한다. 전압의 세기가 어느 정도 이상이 되면 음극이 연결된 반응관 본체(34) 내면에 전자가 생성되기 시작하고 이 전자들이 전극을 따라 양극인 내부구조물(32) 쪽으로 이동하게 되면서 두 도체 사이에 존재하는 가스들과 충돌을 일으키게 되며 결과적으로 가스들은 이온화 시키게 되면서 방전이 일어나게 된다. 이 때 이온들은 전기장을 따라 음극으로 움직이게 되고 음극이 연결된 반응관 본체(34) 내면에 세게 부딪치면서 전자들이 튀어나오게 하면서 플라즈마 발생을 가속화 시킨다. 본 발명은 이러한 플라즈마 에너지를 이용하여 모노실란(monosilane), 이염화실란, 삼염화실란(TCS), 및 사염화실란(STC) 중 어느 하나를 포함하는 실란계 가스의 환원반응에 의해 고순도 실리콘을 생성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 전원공급수단은 상기 반응관의 본체 내면에 (-) 전원을 연결하고, 상기 내부구조물에 (+) 전원을 연결할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니며 이와 반대로 연결하는 것도 가능하다.
상기 전원공급수단은 실란계 가스의 해리 반응 또는 환원 반응을 야기하기에 적합한 전압을 인가하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반응관의 횡단면과 사시도를 도시한다.
도 2에서 오시된 바와 같이, 내부구조물(32)은 반응관(34) 중심에 위치하는 것이 바람직하다.
상기 반응관 본체(34) 내면과 상기 내부구조물(32)은 도체이어야 하므로, 카본 함유재질로 제조된 것이 바람직하며, 구체적으로는 그래파이트 또는 실리콘카바이드(SiC)를 예로 들 수 있다.
상기 내부구조물(32)은 반응관 본체(34) 내면과 소정거리 이격되어 플라즈마 생성공간(35)을 형성할 수 있는 구조라면 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 도시된 바와 같이 로드 형상일 수 있다.
반응공간 내지는 플라즈마 형성공간(35)을 결정짓는 반응관 본체(34) 내면과 내부구조물(32)간의 거리는 특별히 제한되지 않으며 플라즈마 형성이 용이한 거리로 조절할 수 있다.
또한 도 3은 본 발명의 또 다른 실시예인데, 내부구조물(32)이 복수개의 로드 형상으로 이루어져 반응관 중심에 원주상으로 설치된 구성을 보여준다.
또한 로드 형상의 단면은 원형 또는 각형 일 수 있는데, 도 4는 각형 로드 형상이 반응관(34) 중심에 원주상으로 배치된 구조를 도시한다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반응관 본체(34) 내면, 내부구조물(32) 또는 이들 모두를 실리콘의 융점 이상으로 가열하기 위한 가열수단을 더 구비하는 것이 바람직하다. 반응관 본체(34) 내면 및/또는 내부구조물(32)을 실리콘의 융점 이상으로 유지함으로써 실란계 가스와 환원 가스의 반응에 의해 석출된 실리콘을 액적(36) 형태로 얻을 수 있다.
상기 가열수단은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 저항가열히터일 수 있다.
즉 본 발명에 따른 장치를 이용하여 폴리실리콘을 제조하는 방법은, 반응 가스 공급관을 통해 모노실란(monosilane), 이염화실란, 삼염화실란(TCS), 및 사염화실란(STC) 중 어느 하나를 포함하는 반응가스를 공급하고, 환원 가스 공급관을 통해 수소를 포함하는 환원가스를 공급하고,
상기 본체(34) 내면과 내부구조물(32)에 반대극성의 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 상기 반응 가스와 상기 환원 가스를 반응시켜 폴리실리콘을 석출할 수 있다.
석출된 폴리실리콘은 반응관 본체(34) 내면이나 내부구조물(32)에 증착되므로, 반응관 본체(34) 내면과 내부구조물(32)을 실리콘 융점 이상으로 유지함으로써 증착된 폴리실리콘이 표면을 타고 흘러내리도록 하여 용융 상태의 액적(36)으로 수거할 수 있다.
본 발명은 수직형 반응기의 내부에 플라즈마를 형성하여 플라즈마에 의한 반응가스 해리 및 증착 반응을 통해 폴리실리콘을 제조하며, 반응면을 실리콘 용융온도 이상으로 유지하여 용융상태의 폴리실리콘 액적을 회수할 수 있어 연속공정이 가능하다. 또한 본 발명에 따른 방법은 저온 플라즈마를 이용하기 때문에 기존의 열분해에 의한 실리콘 석출공정에 비해 실리콘 전환효율이 수배 이상 증가할 것으로 기대된다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
31. 전원
32. 내부구조물
34. 반응관
35. 반응공간
36. 실리콘 액적

Claims (11)

  1. 반응 가스 공급관이 구비되며, 본체 내면에 소정 극성의 전압이 인가된 본체를 구비한 반응관;
    상기 반응관 내부에 설치되며 상기 본체 내면에 인가된 전압의 극성과 반대되는 극성의 전압이 인가되는 내부구조물;
    상기 본체 내면과 상기 내부구조물에 전압을 인가하기 위한 전원공급수단;
    상기 반응관 내로 환원 가스를 공급하기 위한 환원 가스 공급관; 및
    상기 본체 내면과 내부구조물에 인가되는 반대극성의 전압으로 인해 형성된 플라즈마에 의해 상기 반응 가스와 상기 환원 가스가 반응하여 실리콘을 석출하는 반응공간을 포함하는 폴리실리콘 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전원공급수단은 상기 반응관의 본체 내면에 (-) 전원을 연결하고, 상기 내부구조물에 (+) 전원을 연결하는 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 내부구조물은 반응관 중심에 위치하는 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 내부구조물은 로드 형상인 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 내부구조물은 복수개의 로드 형상 내부구조물이 반응관 중심에 원주상으로 설치된 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반응관 본체 내면, 내부구조물 또는 이들 모두를 실리콘의 융점 이상으로 가열하기 위한 가열수단을 더 구비하는 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반응관 본체 내면과 상기 내부구조물은 카본 함유재질로 제조된 것인, 폴리실리콘 제조 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반응관 본체 내면 및 상기 내부구조물은 그래파이트 또는 탄화규소로 제조된 것인 폴리실리콘 제조 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 장치를 이용하여 폴리실리콘을 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급관을 통해 모노실란(monosilane), 이염화실란, 삼염화실란(TCS), 및 사염화실란(STC) 중 어느 하나를 포함하는 반응가스를 공급하고, 상기 환원 가스 공급관을 통해 수소를 포함하는 환원가스를 공급하고,
    상기 본체 내면과 내부구조물에 반대극성의 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 상기 반응 가스와 상기 환원 가스를 반응시켜 실리콘을 석출하는 것인, 폴리실리콘 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    반응 가스 및 환원 가스의 반응에 의해 석출되는 폴리실리콘은 반응관 본체 내면 또는 내부구조물에 증착되어 용융 상태의 생성물로 수득되는 것인, 폴리실리콘 제조 방법.
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