KR20150128960A - RFeB계 소결 자석 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석 - Google Patents

RFeB계 소결 자석 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석 Download PDF

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시노부 다카기
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인터메탈릭스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 보자력이 높고, 또한 사용시에 와전류의 영향을 억제하는 데다가, 단위 소결 자석끼리가 강고하게 접합된 RFeB계 소결 자석을 간단하게 제조하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. Nd 및 Pr 중 적어도 1종인 경희토류 원소 RL을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상으로 하는 결정립으로 이루어지는 단위 소결 자석(11)을 적어도 2개, 서로 평탄한 접합면에서 접합한 RFeB계 소결 자석을 제조하는 방법으로서, Dy, Ho 및 Tb로 이루어지는 중희토류 원소 RH 중 적어도 1종을 함유하는 금속 분말과 유기물을 혼합한 페이스트(12)를 2개의 단위 소결 자석(11) 사이에 끼우도록 접합면에 접촉시킨 상태로 가열함으로써 입계 확산 처리를 실시한다. 입계 확산 처리에 의해 보자력이 높아지고, 또한 단위 소결 자석(11)의 경계에 RH 및/또는 RL의 산화물 등이 형성되기 때문에, 사용시에 와전류의 영향을 억제할 수 있으면서 단위 소결 자석(11)끼리가 강고하게 결합된다.

Description

RFeB계 소결 자석 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석{RFeB-BASED SINTERED MAGNET PRODUCTION METHOD AND RFeB-BASED SINTERED MAGNETS}
본 발명은 Nd 및 Pr 중 적어도 1종을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상으로 하는 RFeB계 소결 자석을 제조하는 방법, 및 상기 방법에 의해 제조되는 RFeB계 소결 자석에 관한 것이다. 여기서 「RFeB계 소결 자석」은 Nd 및/또는 Pr, Fe 및 B만을 함유하는 것으로 한정되지 않고, Nd 및 Pr 이외의 희토류 원소나, Co, Ni, Cu, Al 등의 다른 원소를 함유하는 것을 포함한다.
RFeB계 소결 자석은 1982년에 사가와(본 발명자) 등에 의해서 알아내진 것이지만, 잔류 자속 밀도 등의 많은 자기 특성이 지금까지의 영구자석보다도 훨씬 높다는 특징을 갖는다. 그 때문에, RFeB계 소결 자석은 하이브리드 자동차나 전기 자동차의 구동용 모터, 전동 보조형 자전거용 모터, 산업용 모터, 하드 디스크 등의 보이스 코일 모터, 고급 스피커, 헤드폰, 영구자석식 자기 공명 진단 장치 등 여러 가지 제품에 사용되고 있다.
초기의 RFeB계 소결 자석은 여러 가지 자기 특성 중 보자력 HcJ가 비교적 낮다는 결점을 가지고 있었지만, 그 후 RFeB계 소결 자석의 내부에 Dy, Ho 및 Tb(이하, 이들 3종의 원소를 「중희토류(重希土類) 원소」라고 부르고, 「RH」라고 약기함)를 존재시킴으로써 역자구(逆磁區)가 생기기 어려워지고, 그것에 의해 보자력이 향상하는 것이 밝혀졌다. 역자구는 자화의 방향과는 역방향의 자계가 RFeB계 소결 자석에 인가되었을 때에, 최초로 결정립의 입계 부근에서 발생하고, 거기로부터 결정립의 내부 및 인접하는 결정립으로 퍼져 간다는 특성을 갖는다. 따라서, 최초로 역자구가 발생하는 것을 막기 위해서는 RH는 결정립의 입계 부근에 존재하기만 하면 되고, 그것에 의해 결정립의 입계 부근에 역자구가 발생하는 것을 막을 수 있다. 한편, RH의 함유량이 증가하면 잔류 자속 밀도 Br이 저하되고, 그것에 의해 최대 에너지 적(積) (BH)max도 저하된다는 문제를 갖는다. 또, RH가 희소하고, 또한 산출되는 지역이 편재하고 있다는 점에서도, RH의 함유량을 증가시키는 것은 바람직하지 않다. 따라서, RH의 함유량을 최대한 억제하면서, 보자력을 높이기(역자구가 형성되기 어렵게 하기) 위해, 결정립의 내부보다도 입계 부근에 고농도의 RH를 존재시키는 것이 바람직하다.
특허문헌 1에는 RH 금속박(실시예에서는 순도 99.9%의 Dy박)을 RFeB계 소결 자석에 접촉시킨 상태로 가열함으로써, RH 원자를 RFeB계 소결 자석의 내부로 확산시키고, 그것에 의해 보자력을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 이 방법을 이용하면, RH 원자는 결정립 사이의 입계를 지나 RFeB계 소결 자석 내로 확산한다. 이와 같이, 입계를 통해 RH 원자를 확산시키는 처리를 「입계 확산 처리」라고 부른다. 입계 확산 처리를 이용하면, 개개의 결정립에서는 내부보다도 입계 부근에 보다 고농도의 RH를 존재시킬 수 있다. 이것에 의해, 보다 소량의 RH를 이용하여 잔류 자속 밀도 Br 및 최대 에너지 적(BH)max의 저하를 억제하면서, 보자력 HcJ를 높일 수 있다.
또, 특허문헌 1에는 복수 개의 RFeB계 소결 자석(이하, 개개의 RFeB계 소결 자석을 「단위 소결 자석」이라 부름)을 적층하고, 인접하는 단위 소결 자석 사이에 RH 금속박을 끼운 상태로 가열하는 것이 기재되어 있다. 이것에 의해, 입계 확산 처리에 의한 보자력 향상의 효과를 얻으면서, 입계로 확산하지 않고 남은 RH 금속박이 접착제의 역할을 나타내고 인접하는 단위 소결 자석끼리가 접합된 RFeB계 소결 자석이 얻어진다. 이와 같은 RFeB계 소결 자석을 모터 등에 이용하면, 외부로부터 인가되는 변동 자계에 의해 생기는 와전류가 단위 소결 자석의 경계를 넘어서 흐르기 어려워진다. 그 때문에, 전체로서의 RFeB계 소결 자석에서의 와전류에 의한 에너지의 손실 및 온도의 상승을 억제할 수 있다.
일본 특개 2007-258455호 공보
특허문헌 1에 기재된 RFeB계 소결 자석에서는 단위 소결 자석 사이의 경계에 전기 저항율이 비교적 낮은 RH 금속박이 존재하기 때문에, 와전류를 충분히 억제하는 것은 어렵다. 그 때문에, 특허문헌 1에는 개개의 RFeB계 소결 자석 사이에 RH 금속박과는 별도로 RH보다도 전기 저항율이 높은 Nb 금속박이나 산화물의 박판 등을 개재시켜도 된다고 기재되어 있다. 그렇지만 이 방법에서는 입계 확산의 효과를 얻기 위해서, 인접하는 2개의 단위 소결 자석의 경계에 개재시키는 이들 박이나 박판의 양측으로, 즉 각 단위 소결 자석의 표면에 각각 1매씩, 합계 2매의 RH 금속박을 배치할 필요가 있다. 그 때문에, 공정이 복잡해지는 데다가, 2개의 단위 소결 자석 사이에 이종의 재료로 이루어지는 복수 종의 금속박·박판이 존재함으로써, 인접 단위 소결 자석의 접합이 약해진다는 문제가 있다.
본 발명이 해결하려고 하는 과제는 보자력이 높고, 또한 사용시에 와전류의 영향을 억제하는 데다가, 단위 소결 자석끼리가 강고하게 접합된 RFeB계 소결 자석을 간단하게 제조하는 방법, 및 상기 방법에 의해 제조되는 RFeB계 소결 자석을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석 제조 방법은 Nd 및 Pr 중 적어도 1종인 경희토류(輕希土類) 원소 RL을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상으로 하는 결정립으로 이루어지는 단위 소결 자석을 적어도 2개, 서로 평탄한 접합면에서 접합한 RFeB계 소결 자석을 제조하는 방법으로서,
Dy, Ho 및 Tb 중 적어도 1종인 중희토류 원소 RH를 함유하는 금속 분말과 유기물을 혼합한 페이스트를 인접하는 단위 소결 자석 사이에 끼우고, 각 접합면에 접촉시킨 상태로 가열함으로써 입계 확산 처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.
상기 가열은 종래의 입계 확산 처리의 경우와 동일한 조건으로 실시하면 된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 700~1000℃에서 가열하는 것이 기재되어 있다. 이 가열 온도는 중희토류 원소 RH의 승화가 거의 생기지 않는 범위 내에서, 가능한 한 입계 확산이 생기도록 850℃~950℃에서 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 3개 이상의 단위 소결 자석이 접합되어 있어도 되고, 그 경우에는 각 인접 단위 소결 자석 사이에 상기 페이스트를 끼운다.
본 발명에 의하면, 중희토류 원소 RH를 함유하는 페이스트를 인접하는 단위 소결 자석의 접합면에 접촉시킨 상태로 가열함으로써, 이들 단위 소결 자석 중에 그 입계를 통해서 중희토류 원소 RH를 확산시킬 수 있기 때문에, 종래의 입계 확산 처리를 이용했을 경우와 동일하게 소량의 RH를 이용하여 잔류 자속 밀도 Br 및 최대 에너지 적(BH)max의 저하를 억제하면서, 보자력 HcJ를 높일 수 있다. 그리고, 본 발명은 추가로 이하의 효과를 나타낸다.
본 발명에서는 중희토류 원소 RH를 단위 소결 자석의 접합면에 접촉시키기 위해서, 중희토류 원소 RH 금속과 유기물을 함유하는 페이스트를 이용한다. 이 유기물에 함유되는 탄소, 수소 및/또는 산소는 입계 확산 처리시에 중희토류 원소 RH, 및/또는 중희토류 원소 RH와 치환된 단위 소결 자석 내의 경희토류 원소 RL과 반응한다. 그 결과, 입계 확산 처리 후의 RFeB계 소결 자석에는 2개의 단위 소결 자석의 경계에 중희토류 원소 RH 및/또는 경희토류 원소 RL의 탄화물, 수산화물 및/또는 산화물로 이루어지는 경계부가 형성된다. 이하, 경계부에 존재하는 중희토류 원소 RH 및/또는 경희토류 원소 RL을 「경계부 희토류 원소」라고 부른다. 경계부는 RFeB계 소결 자석의 외부로부터 인가되는 변동 자계에 의해서 와전류가 생기는 것을 억제하는 역할을 갖는다. 이와 같은 경계부는 특허문헌 1에 기재된 RH 박보다도 전기 저항율이 높기 때문에, 와전류의 억제 효과를 보다 높일 수 있다. 그것과 함께, 이 경계부는 2개의 단위 소결 자석을 강고하게 접합하는 접착제의 역할도 달성한다.
본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석은 Nd 및 Pr 중 적어도 1종인 경희토류 원소 RL을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상으로 하는 결정립으로 이루어지는 소결체인 단위 소결 자석이 적어도 2개, 서로 평탄한 접합면에서 접합된 것이고,
2개의 상기 단위 소결 자석은 경희토류 원소 RL 및 Dy, Ho 및 Tb로 이루어지는 중희토류 원소 RH 중 적어도 1종인 경계부 희토류 원소 RB의 탄화물, 수산화물 및 산화물 중 어느 1종 또는 복수 종으로 이루어지는 경계부에 의해 접합되어 있으며,
2개의 상기 단위 소결 자석 중에 상기 단위 소결 자석의 입계를 통해서 중희토류 원소 RH가 확산하고 있는
것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해, 입계 확산 처리에 의해 보자력이 높아지고, 또한 탄화물, 수산화물 및/또는 산화물에 의해 전기 저항율이 높아진 경계부에 의해, 사용시에 와전류의 영향을 억제할 수 있으면서 단위 소결 자석끼리가 강고하게 결합된 RFeB계 소결 자석을 간단하게 얻을 수 있다. 또, 본 발명에 의해, 종래의 입계 확산법에서는 처리가 곤란했던 두께를 가지고, 자석의 중심 부근까지 RH가 확산한 RFeB계 소결 자석을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석 제조 방법의 일 실시예, 및 상기 방법에 의해 제작되는 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석의 일 실시예를 나타내는 종단면도(a)~(c) 및 (e) 및 상면도(d)이다.
도 2는 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석의 다른 실시예를 나타내는 종단면도(a)~(c)이다.
도 3은 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석의 다른 실시예를 나타내는 상면도(a-1), (b) 및 (c-1), 및 종단면도(a-2) 및 (c-2)이다.
도 4는 본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석의 다른 실시예를 나타내는 상면도이다.
도 5는 실시예 1~3의 RFeB계 소결 자석의 측면을 나타내는 사진이다.
도 6은 실시예 3의 RFeB계 소결 자석에서의 EPMA 측정의 결과를 나타내는 도(a), 및 상기 측정을 실시한 RFeB계 소결 자석의 위치를 나타내는 개략도(b)이다.
본 발명에 따른 RFeB계 소결 자석의 제조 방법 및 RFeB계 소결 자석의 실시예를 도 1~도 6을 이용해 설명한다.
(1) RFeB계 소결 자석의 제조 방법
본 실시예의 RFeB계 소결 자석의 제조 방법에서는 (1-1) 단위 소결 자석을 제작하고, (1-2) 중희토류 원소 RH를 함유하는 금속 분말(이하, 「RH 함유 금속 분말」이라고 함)과 유기물을 혼합한 페이스트를 제작하고, 그 후 이들 단위 소결 자석 및 페이스트를 이용하여 (1-3) 2개 이상의 단위 소결 자석이 접합된 RFeB계 소결 자석을 제작한다. 이하, 이들 공정을 차례로 설명한다.
(1-1) 단위 소결 자석의 제작
우선, 25~40중량%의 RL과, 0.6~1.6중량%의 B와, 잔부 Fe 및 불가피적 불순물을 함유하는 원료 합금재를 준비한다. 여기서, RL의 일부는 RH 등의 다른 희토류 원소로 치환되어 있어도 되고, B의 일부는 C로 치환되어 있어도 된다. 또, Fe의 일부는 다른 천이 금속 원소(예를 들면 Co나 Ni)로 치환되어 있어도 된다. 또, 이 합금은 Al, Si, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Mo, Zr 중 1종 또는 2종 이상을 첨가 원소(첨가량은 전형적으로는 1종에 대해 0.1~2.0중량%)로서 함유하고 있어도 된다. 후술하는 실험에서 이용한 원료 합금재의 조성은 Nd: 23.3중량%, Pr: 5.0중량%, Dy: 3.8중량%, B: 0.99중량%, Co: 0.9중량%, Cu: 0.1중량%, Al: 0.2중량%, Fe: 잔부이다.
이 원료 합금재를 용해시켜 스트립 캐스트법에 의해 원료 합금편을 제작한다. 계속해서, 원료 합금편에 수소를 흡장시킴으로써, 0.1~수mm 정도의 크기로 조분쇄한다. 추가로, 제트밀을 이용하여 입경을 레이저법으로 측정된 값으로 0.1㎛~10㎛, 바람직하게는 3~5㎛가 되도록 미분쇄함으로써, 합금 분말이 얻어진다. 또한, 조분쇄 및/또는 미분쇄시에 라우르산메틸 등의 윤활제를 분쇄 조제로서 첨가해도 된다. 또, 조분쇄 및 미분쇄는 여기서 서술한 방법으로는 한정되지 않고, 아트라이터, 볼 밀, 비즈 밀 등을 이용한 방법이어도 된다.
얻어진 합금 분말에 라우르산메틸 등의 윤활제를 첨가(전형적으로는 0.1중량% 정도)해 혼합하고, 내부가 20mm×20mm×5mm인 직육면체인 충전 용기 내에 충전한다. 그리고, 충전 용기 내의 합금 분말에 압력을 인가하지 않고, 자계 중에서 배향시킨다. 그 후, 합금 분말을 충전 용기 내에 충전한 채로 압력을 인가하지 않고 가열하는(가열 온도는 전형적으로는 950~1050℃) 것에 의해 소결시킴으로써, 직육면체의 단위 소결 자석이 얻어진다. 얻어진 단위 소결 자석을 약 14mm각(角), 두께 약 3mm로 연삭가공한다. 이하, 단위 소결 자석의 6면 중, 약 14mm각의 2면을 「상하면」이라 부르고, 나머지 4면(약 14mm×약 3mm)을 「측면」이라 부른다.
(1-2) RH 함유 금속 분말과 유기물을 혼합한 페이스트의 제작
본 실시예에서는 RH 함유 금속 분말에는 Tb: 92중량%, Ni: 4.3중량%, Al: 3.7중량%의 함유율을 가지는 TbNiAl 합금의 분말을 사용했다. RH 함유 금속 분말의 입경은 단위 소결 자석 내로 가능한 한 균일하게 확산시키기 위해서는 작은 것이 바람직하지만, 너무 작으면 미세화를 위한 수고나 비용이 커진다. 그 때문에, 입경은 2~100㎛, 바람직하게는 2~50㎛, 보다 바람직하게는 2~20㎛로 하면 된다. 또, 유기물에는 실리콘 그리스를 이용했다. 실리콘은 규소 원자와 산소 원자가 결합한 실록산 결합에 의한 주골격을 가지는 고분자 화합물인 점에서, 실리콘 그리스는 입계 확산 처리시에 페이스트 중의 중희토류 원소 RH 및/또는 경희토류 원소 RL을 산화시키는 역할을 갖는다.
RH 함유 금속 분말과 실리콘 그리스의 중량 혼합비는 원하는 페이스트 점도로 조정할 수 있도록 임의로 선택할 수 있지만, RH 함유 금속 분말의 비율이 낮으면, 입계 확산 처리시에 RH 원자가 기재 내부로 침입하는 양도 저하해 버린다. 따라서, RH 함유 금속 분말의 비율은 70중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이상, 나아가서는 90중량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 실리콘 그리스의 양이 5중량% 미만이 되면 충분히 페이스트화할 수 없기 때문에, 실리콘 그리스의 양은 5중량% 이상이 바람직하다. 또, 점도를 조정하기 위해서, 실리콘 그리스에 더하여 실리콘계의 유기 용매를 첨가해도 된다.
본 발명에서 이용할 수 있는 페이스트는 물론 상기의 예로는 한정되지 않는다. RH 함유 금속 분말에는 RH 단체 금속으로 이루어지는 분말을 이용해도 되고, 상기 TbNiAl 합금 이외의 RH를 함유하는 합금 및/또는 금속간 화합물을 이용해도 된다. 또, RH 단체 금속, 합금 및/또는 금속간 화합물의 분말과, 다른 금속의 분말을 혼합한 것도 이용할 수 있다. 유기물로는 파라핀 등의 탄화수소계 고분자 수지나 탄화수소계 유기용제 등을 이용할 수도 있다.
(1-3) 2개 이상의 단위 소결 자석이 접합된 RFeB계 소결 자석의 제작
상술한 바와 같이 제작한 단위 소결 자석 및 페이스트를 이용하여 2개 이상의 단위 소결 자석이 접합된 RFeB계 소결 자석을 제작하는 방법을 도 1을 참조하면서 설명한다. 우선, n개(n은 2 이상)의 단위 소결 자석(11)에서, 인접하는 단위 소결 자석(11) 사이에 페이스트(12)를 끼움으로써, 페이스트(12)를 인접 단위 소결 자석(11)끼리의 접합면에 접촉시킨다(도 1(a)). 또한, 후술한 바와 같이, 본 실시예에서는 n이 2~4의 경우에서 실험을 실시했지만, 물론 n은 5 이상이어도 된다.
이와 같이 페이스트(12)를 단위 소결 자석(11)에 접촉시킨 상태로 진공 분위기 중에서 900℃로 가열한다(도 1(b)). 이것에 의해, 페이스트(12) 중의 Tb 원자가 입계를 통해 단위 소결 자석(11) 내로 확산해 간다. 또, 인접하는 단위 소결 자석(11) 사이에 끼워진 페이스트에서는 페이스트(12) 중에 포함되는 산소 원자와 반응해 Tb의 일부가 산화한다. 그것과 함께, 단위 소결 자석(11)에서 Tb 원자에 치환된 Nd 원자가 단위 소결 자석(11) 사이로 석출되어 페이스트(12) 중의 산소 원자와 반응해 산화한다. 이와 같이, 단위 소결 자석(11) 사이에는 Tb나 Nd의 산화물을 함유하는 경계층(경계부)(13)이 형성된다(도 1(c)). 본 실시예에서는, 그 후 얻어진 RFeB계 소결 자석(10)을 상하면(111)에서 십자상인 절단면(15)에서 적층 방향으로 절단함(도 1(d))으로써, 약 7mm각으로 두께가 n매분의 약(3×n)mm인 4개의 RFeB계 소결 자석(10A)를 얻었다(도 1(e)).
이와 같이 얻어진 RFeB계 소결 자석(10 및 10A)는 단위 소결 자석(11)끼리가 경계층(13)에 의해서 강고하게 접합되면서, 경계층(13)의 산화물에 의해 전기 저항율이 높아지기 때문에, 모터 등과 같이 외부 자계가 변동하는 환경 하에서 사용되었을 때에 와전류가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
페이스트(12)는 인접하는 단위 소결 자석(11) 사이 외에, n매의 단위 소결 자석(11)을 겹쳐서 쌓은 적층체의 표면, 즉 최상부의 단위 소결 자석(11)의 상면(111A), 최하부의 단위 소결 자석(11)의 하면(111B), 및/또는 각 단위 소결 자석(11)의 측면(112)의 일부 또는 전부에 도포해도 된다(도 2(a)). 이것에 의해, 진공 중에서 900℃로 가열(도 2(b))한 후에는 상기한 예와 같이 단위 소결 자석(11) 사이에 경계층(13)이 형성되는 것 외에, 적층체의 표면에 Tb나 Nd의 산화물을 함유하는 표면층(14)가 형성된 RFeB계 소결 자석(10B)이 얻어진다(도 2(c)). 표면층(14)은 RFeB계 소결 자석(10 및 10A)의 산화를 방지하는 보호층의 역할을 갖는다.
도 1 및 도 2의 예에서는 n매의 단위 소결 자석(11)을 상하면(111)으로 겹친 예를 나타내지만, 단위 소결 자석(11)을 측면(112)으로 겹치도록 늘어 놓아도 된다(도 3(a-1), (a-2)). 이 경우, 인접하는 단위 소결 자석(11) 사이에 끼우도록 페이스트(12)를 측면(112)에 접촉시킨다. 이 상태로 진공 분위기 중에서 900℃로 가열함(도 3(b))으로써, 단위 소결 자석(11) 사이에 경계부(13A)가 형성된 RFeB계 소결 자석(10C)이 얻어진다(도 3(c-1), (c-2)). 경계부(13A)는 상술한 경계층(13)과 동일하게 Tb나 Nd의 산화물을 함유한다. 또, 인접하는 단위 소결 자석(11) 사이 외에, 페이스트(12)를 표면에도 도포함으로써, 경계부(13A)와 함께 표면층을 형성해도 된다.
도 3에는 2매의 단위 소결 자석(11)을 늘어 놓은 예를 나타내지만, 도 4(a)에 나타낸 바와 같이 1열에 3매 이상 늘어 놓아도 되고(RFeB계 소결 자석(10) D), 도 4(b)에 나타낸 바와 같이 종횡으로 매트릭스상으로 늘어 놓아도 된다(RFeB계 소결 자석(10E)).
도 1 또는 도 2의 예와 도 3의 예를 조합하여, 단위 소결 자석(11)을 상하면(111)으로 겹치면서, 측면(112)에서도 겹치도록 해도 된다.
여기까지는 페이스트(12)에 실리콘 그리스를 이용한 예를 나타내고, 그 경우에 경계층(13)에 산화물이 형성되는 것을 서술했지만, 경계층(13)에는 페이스트(12)에 함유되는 유기물로부터 유래하는 탄화물이나 수산화물 등도 형성된다. 또, 페이스트(12) 내에 금속 분말을 분산시키기 쉽기 때문에, 페이스트(12)에 분산제로서 질소 원자를 포함하는 아민류도 첨가할 수 있지만, 그 경우에는 경계층(13)에 탄화물, 수산화물 외에 질화물도 형성된다. 이들 경우에도, 본 실시예와 동일한 상기 효과를 나타낸다.
이하, 본 실시예에서 제작한 RFeB계 소결 자석에 대한 실험을 실시한 결과를 나타낸다. 이 실험에서는 단위 소결 자석(11)을 2층(n=2), 3층(n=3) 및 4층(n=4) 겹친 RFeB계 소결 자석(10A)을 각각 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3으로 하여 제작했다. 실시예 4 및 실시예 5에서는 2매의 단위 소결 자석(11)을 측면(112)에 겹치도록 늘어 놓아 접착했다(도 3(a-1), (a-2)).
도 5에 실시예 1~3의 RFeB계 소결 자석의 측면의 사진을 나타낸다. 어느 RFeB계 소결 자석에서도, 단위 소결 자석(11)끼리의 경계를 볼 수 있지만, 이들 경계에서 단위 소결 자석(11)끼리는 강고하게 접합되어 있다.
도 6(a)에 실시예 3의 RFeB계 소결 자석에 대해서, 3층 중 중앙에 위치하는 경계층(13) 및 상기 경계층(13)에 인접하는 2개의 단위 소결 자석(11)을 포함하는 영역(21)(도 6(b))에서, EPMA(electron probe micro analysis: 전자 프로브 미소 분석)법을 이용하여 O(산소), Fe, Nd, Dy 및 Tb 원자를 검출하는 실험을 실시한 결과를 나타낸다. 이 도에서는 화상 상에서 어둡게(흑에 가까운 색으로) 나타난 부분보다도, 밝게(흰색에 가까운 색으로) 나타나는 쪽이 원자의 함유량이 많은 것을 나타낸다. 어느 원소에서도 화상의 중앙 부근에서 세로 방향으로 주위와는 색이 상이한 줄무늬 모양의 영역을 볼 수 있다. 이 줄무늬 모양 영역이 경계층(13)에 해당하고, 그 이외의 영역이 단위 소결 자석(11)에 해당한다.
이 EPMA의 실험 결과로부터, 이하를 말할 수 있다. 우선, Tb의 함유량을 나타내는 화상에서는 경계층(13)이 주위보다도 밝게 나타나고 있고, Tb가 경계층(13)에 의해 많이 함유되어 있는 것이 나타나고 있다. 또, 단위 소결 자석(11) 내에서는 경계층(13)에 가까울수록 밝게 나타나고 있다. 이것은 페이스트(12)로부터 단위 소결 자석(11) 내로 Tb 원자가 확산해, 페이스트(12)(경계층(13))에 가까울수록 보다 많은 Tb 원자가 존재하고 있는 것을 의미한다.
또, 페이스트(12)에는 포함되지 않은 Fe 원자 및 Dy 원자는 경계층(13)에는 거의 존재하지 않지만, 동일한 페이스트(12)에는 포함되지 않은 Nd 원자는 경계층(13)에 존재한다. 이것은 Tb 원자가 단위 소결 자석(11) 내로 확산함으로써 치환된 Nd 원자가 경계층(13)으로 석출된 것을 의미한다. 그리고, O(산소) 원자는 단위 소결 자석(11) 내에는 거의 존재하지 않는 반면, 경계층(13)에는 많이 존재하고 있다.
이들 EPMA의 실험 결과로부터, (i) Tb 원자가 페이스트(12)(경계층(13))로부터 단위 소결 자석(11) 내로 확산하고 있고, (ii) 경계층(13)에는 Nd, Tb, 및 O 원자가 존재하는 것으로부터 Nd 및 Tb의 산화물이 형성되어 있다고 생각된다. 따라서, 본 실시예의 RFeB계 소결 자석에서는 입계 확산 처리에 의해서 보자력이 높아지고(보자력의 측정값은 후술), 또한 산화물에 의해 전기 저항율이 높아지는 경계층(13)에 의해서, 사용시에 와전류의 영향을 억제할 수 있다.
다음에, 실시예 1~5의 RFeB계 소결 자석 및 이하에 서술하는 비교예의 RFeB계 소결 자석에 대해서, 자기 특성 및 기계적 강도를 측정한 결과를 나타낸다.
비교예의 시료에 대해 설명한다. 우선, 단위 소결 자석(11)끼리의 접합을 실시하지 않은 자석으로서 입계 확산 처리를 실시하지 않은 단위 소결 자석(11)(비교예 1), 다른 단위 소결 자석(11)과 접합하지 않고 페이스트(12)를 이용해 입계 확산 처리를 실시한 소결 자석(비교예 2)을 준비했다. 또, 단위 소결 자석(11)끼리의 접합 강도를 비교하는 것을 목적으로서, 4개의 단위 소결 자석(11)을 적층해 에폭시계 접착제로 접착한 것(비교예 3), 4개의 단위 소결 자석(11)을 적층해 실리콘계 접착제로 접착한 것(비교예 4), 및 4개의 단위 소결 자석(11)을 적층해 아크릴계 접착제로 접착한 것(비교예 5)를 준비했다. 또한, 비교예 3~5에서 이용한 접착제에는 RH 등의 금속 분말은 함유되어 있지 않다.
자기 특성은 잔류 자속 밀도 Br 및 보자력 HcJ를 측정했다. 또, 기계적 강도의 측정에서는 낙하 시험 및 항절(抗折) 시험을 실시했다. 이 중 낙하 시험에서는 각 자석을 높이 100mm의 곳에서 낙하시켜 단위 소결 자석(11)끼리의 박리의 유무를 평가했다. 이 낙하 시험은 RFeB계 소결 자석의(특히 단위 소결 자석(11)의 접합부에서의) 내열성을 평가하는 것을 목적으로 하고 있고 RFeB계 소결 자석을 소정 온도(100℃, 200℃, 300℃)로 가열하여 1시간 유지한 후에 실시하고 있다.
항절 시험은 실시예 4 및 5, 및 비교예 1 및 2를 대상으로 하고, 일본공업규격(JIS, R1601)으로 준거해 실시했다. 구체적으로는 각 예에서, 상기 실험에서 이용한 시료와는 별도로 길이 36mm, 폭 4.0mm, 두께 3.0mm의 시료를 30개씩 준비했다. 그리고, 길이 방향 및 폭 방향의 중심으로 하중점을 마련하고 하중점에서 길이 방향의 양단 측에 15mm씩 떨어진 위치에 지점을 마련한 3점 굽힘 시험을 실시했다. 또한, 실시예 4 및 5에서는 2매의 단위 소결 자석(11)을 측면(112)에 겹치도록 늘어 놓아 접합하고, 그 접합부를 중심으로 하여 상기의 크기로 잘라냄으로써, 항절 시험용 시험편을 제작했다.
실험 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
자기 특성에서는 실시예 1~5의 RFeB계 소결 자석은 입계 확산 처리를 실시하지 않는 비교예 1의 RFeB계 소결 자석과 비교하여, Tb 원자의 확산에 의한 잔류 자속 밀도 Br의 저하를 1kG 미만으로 억제하면서, 보자력은 1.5배 강하게 향상하고 있어, 자기 특성이 향상하고 있다고 말할 수 있다.
낙하 시험에서는 실시예 1~5의 RFeB계 소결 자석은 가열 온도가 100~300℃의 어느 경우에도 접합부에서의 박리 등의 파손은 볼 수 없었다. 이에 비해서, 단위 소결 자석(11)을 접착제로 접착한 비교예 3~5의 RFeB계 소결 자석에서는 가열 온도가 100℃인 경우에는 박리 등의 파손을 볼 수 없기는 했지만, 가열 온도가 200℃ 이상의 경우에는 접합부(13)에서 박리가 발생했다. 이와 같이, 실시예 1~5의 RFeB계 소결 자석은 비교예 3~5의 RFeB계 소결 자석보다도, 고온에서의 기계 강도가 높다고 말할 수 있다.
항절 시험에서는 비교예 1 및 2보다도 실시예 4 및 5의 쪽이 항절성이 높다는 결과가 얻어진다. 즉, 접합부(13)는 Tb의 확산에 더하여, 단위 소결 자석(11)끼리를 강고하게 접합하는 데다가, 접합부(13)에 형성되는 Nd 산화물층이 RFeB계 소결 자석의 강도를 보강하는 부재로서의 기능을 갖는다고 말할 수 있다.
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E…RFeB계 소결 자석
11…단위 소결 자석
111…상하면
111A…상면
111B…하면
112…측면
12…페이스트
13…경계층
13A…경계부
14…표면층

Claims (2)

  1. Nd 및 Pr 중 적어도 1종인 경희토류(輕希土類) 원소 RL을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상(主相)으로 하는 결정립으로 이루어지는 단위 소결 자석을 적어도 2개, 서로 평탄한 접합면에서 접합한 RFeB계 소결 자석을 제조하는 방법으로서,
    Dy, Ho 및 Tb 중 적어도 1종인 중희토류(重希土類) 원소 RH를 함유하는 금속 분말과 유기물을 혼합한 페이스트를 인접하는 단위 소결 자석 사이에 끼우고, 각 접합면에 접촉시킨 상태로 가열함으로써 입계 확산 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 RFeB계 소결 자석 제조 방법.
  2. Nd 및 Pr 중 적어도 1종인 경희토류 원소 RL을 주된 희토류 원소 R로서 함유하는 R2Fe14B를 주상으로 하는 결정립으로 이루어지는 소결체인 단위 소결 자석이 적어도 2개, 서로 평탄한 접합면에서 접합된 것이고,
    2개의 상기 단위 소결 자석은 경희토류 원소 RL 및 Dy, Ho 및 Tb로 이루어지는 중희토류 원소 RH 중 적어도 1종인 경계부 희토류 원소 RB의 탄화물, 수산화물 및 산화물 중 어느 1종 또는 복수 종으로 이루어지는 경계부에 의해 접합되어 있으며,
    2개의 상기 단위 소결 자석 중에 상기 단위 소결 자석의 입계를 통해서 중희토류 원소 RH가 확산하고 있는
    것을 특징으로 하는 RFeB계 소결 자석.
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