KR20150119914A - 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치 - Google Patents

경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, (A) 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산; (B) 일반식으로 표시되는 유기폴리실록산; (C) 한 분자 내에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기폴리실록산; (D) 인광체; 및 (E) 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하는 경화성 실리콘 조성물, 상기 조성물을 경화시켜 수득되는 경화물, 및 전술한 조성물의 경화물로 발광 소자가 밀봉 또는 코팅된 광반도체 장치에 관한 것이다. 본 경화성 실리콘 조성물은 우수한 유동성을 가지며, 경화되어서는 인광체가 균질하게 분산되고 굴절률이 높은 경화물을 형성한다.

Description

경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치 {CURABLE SILICONE COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 경화성 실리콘 조성물, 상기 조성물을 경화시켜 형성되는 경화물, 및 상기 조성물을 사용하여 제조되는 광반도체 장치에 관한 것이다.
2013년 2월 15일자로 출원된 일본 특허출원 제2013-027857호에 대해 우선권이 주장되며, 상기 일본 특허 출원의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
발광 다이오드 (LED)와 같은 광반도체 장치에서, 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 변경시켜서 원하는 파장의 광을 얻기 위해서, 인광체(phosphor)를 함유하는 경화성 실리콘 조성물에 의해 전술한 발광 소자를 밀봉 또는 코팅하는 것은 공지된 기술이다 (일본 특허 출원 공개 제2002-314142호 및 제2004-359756호 참조).
그러나, 인광체를 함유하는 경화성 실리콘 조성물은, 저장 동안 인광체가 침전되고 분리될 수 있고, 조성물이 열에 의해 경화될 때 조성물의 점도 저하로 인해 인광체가 침전되고 분리될 수 있는데, 이는 수득되는 광반도체 장치가 색 불균일성 또는 색도 차이(chromatic shift)와 같은 문제를 겪을 수 있음을 의미한다. 그 결과, 경화성 실리콘 조성물에서의 인광체의 침전 및 분리를 억제하기 위하여 나노입자를 추가로 사용하는 것이 제안되었다 (일본 특허 출원 공개 제2011-222718호 참조).
그러나, 인광체 및 나노입자 둘 모두를 함유하는 경화성 실리콘 조성물은 유동성의 상당한 감소를 나타내었으며, 이는 포팅(potting) 시의 방출량의 변동 및 발광 소자의 밀봉 또는 코팅의 불충분함과 같은 문제가 발생할 수 있음을 의미한다.
본 발명의 목적은, 우수한 유동성을 가지며, 경화되어서는 인광체가 균질하게 분산되고 굴절률이 높은 경화물을 형성하는 경화성 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 인광체가 균질하게 분산되고 굴절률이 높은 경화물을 제공하는 것이며, 색 불균일성 또는 색도 차이가 거의 없는 광반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은,
(A) 하기에 언급된 성분 (B)를 제외한, 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산;
(B) 하기 일반식:
Figure pct00001
(상기 식에서, R1은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, R3은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, p는 1 내지 100의 정수임)에 의해 표시되는 유기폴리실록산;
(C) 한 분자 내에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기폴리실록산으로서, 성분 (C) 내의 규소-결합된 수소 원자의 양이 성분 (A) 및 성분 (B) 내의 총 알케닐 기 1 몰당 0.1 내지 5 몰이 되도록 하는 양의, 상기 유기폴리실록산;
(D) 인광체; 및
(E) 유효량의 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하며;
각각 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서, 성분 (A)의 함량은 20 내지 80 질량%이고, 성분 (B)의 함량은 0.1 내지 20 질량%이고, 성분 (D)의 함량은 0.1 내지 70 질량%이다.
본 발명의 경화물은 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물을 경화시켜서 형성된다.
본 발명의 광반도체 장치는, 전술한 경화성 실리콘 조성물의 경화물에 의해 발광 소자가 밀봉 또는 코팅되는 것을 특징으로 한다.
발명의 효과
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 우수한 유동성을 가지며, 경화되어서는 인광체가 균질하게 분산되고 굴절률이 높은 경화물을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 경화물은 인광체가 그 중에 균질하게 분산되어 있고 굴절률이 높은 것을 특징으로 한다. 게다가, 본 발명의 광반도체 장치는 색 불균일성 또는 색도 차이가 거의 없는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 광반도체 장치의 일 예로서의 LED의 단면도.
먼저, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 상세히 설명할 것이다.
성분 (A)는 본 발명의 조성물의 주성분이며, 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산이다. 성분 (A) 내의 알케닐 기의 예에는, 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기, 예를 들어, 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기가 포함되며, 비닐 기가 바람직하다. 또한, 성분 (A) 내의 규소 원자에 결합된, 알케닐 기 이외의 기의 예에는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 및 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기가 포함된다. 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기가 포함되며, 메틸 기가 바람직하다. 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 피레닐 기, 및 이들 아릴 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함되며, 페닐 기 및 나프틸 기가 바람직하다. 또한, 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 나프틸 에틸 기, 나프틸 프로필 기, 안트라세닐 에틸 기, 페난트릴 에틸 기, 피레닐 에틸 기, 및 이들 아르알킬 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함된다.
이러한 유형의 성분 (A)의 분자 구조는 직쇄형, 부분 분지된 직쇄형, 분지쇄형, 수지상 등일 수 있으며, 이들 분자 구조의 둘 이상의 유형의 혼합물일 수 있다.
이러한 유형의 성분 (A)의 예는 (A1) 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 가지며, 하기 평균단위식으로 표시되는 유기폴리실록산이다:
(R1R4 2SiO1/2)a (R5 2SiO2/2)b (R2SiO3/2)c
상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이며, 그의 예에는 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기가 포함되고, 바람직하게는 비닐 기이다.
상기 식에서, R2는 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이다. R2를 위한 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 피레닐 기, 및 이들 아릴 기의 수소 원자가 메틸 기 및 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 및 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 또는 염소 원자 및 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다. 이들 중, 페닐 기 및 나프틸 기가 바람직하다. R2를 위한 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 나프틸 에틸 기, 나프틸 프로필 기, 안트라세닐 에틸 기, 페난트릴 에틸 기, 피레닐 에틸 기, 및 이들 아르알킬 기의 수소 원자가 메틸 기 및 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 및 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 또는 염소 원자 및 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다.
상기 식에서, R4는 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이다. R4를 위한 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기가 포함된다. 이들 중, 메틸 기가 바람직하다. R4를 위한 알케닐 기의 예에는 R1에 대해 기재된 것과 동일한 기들이 포함된다. 이들 중, 비닐 기가 바람직하다. R4를 위한 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 피레닐 기, 및 이들 아릴 기의 수소 원자가 메틸 기 및 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 및 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 또는 염소 원자 및 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다. 이들 중, 페닐 기 및 나프틸 기가 바람직하다. R4를 위한 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 나프틸 에틸 기, 나프틸 프로필 기, 안트라세닐 에틸 기, 페난트릴 에틸 기, 피레닐 에틸 기, 및 이들 아르알킬 기의 수소 원자가 메틸 기 및 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 및 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 또는 염소 원자 및 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다.
상기 식에서, R5는 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기 또는 페닐 기이다. R5를 위한 알킬 기의 예에는 R4에 대해 기재된 것과 동일한 알킬 기가 포함되며, 알킬 기는 바람직하게는 메틸 기이다. R5를 위한 알케닐 기의 예에는 R1에 대해 기재된 것과 동일한 기들이 포함된다. 이들 중, 비닐 기가 바람직하다.
상기 식에서, a, b, 및 c는 각각 0.01 ≤ a ≤ 0.5,
0 ≤ b ≤ 0.7, 0.1 ≤ c < 0.9, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수, 바람직하게는,
0.05 ≤ a ≤ 0.45, 0 ≤ b ≤ 0.5, 0.4 ≤ c < 0.85, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수, 및 더욱 더 바람직하게는, 0.05 ≤ a ≤ 0.4, 0 ≤ b ≤ 0.4, 0.45 ≤ c < 0.8, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수이다. 이는, a의 값이 전술한 범위의 하한 이상이면 경화물의 가스 투과율이 감소되고 a의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물에서 끈적임이 발생하기 어렵기 때문이다. 이는 또한, b의 값이 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때에, 경화물의 경도가 양호하고 신뢰성이 개선되기 때문이다. 이는 또한, c의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때에 경화물의 굴절률이 양호하고 c의 값이 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때에 경화물의 기계적 특성이 개선되기 때문이다.
성분 (A1)은 상기에 기재된 평균단위식으로 표시되지만, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 화학식: R6 3SiO1/2에 의해 표시되는 실록산 단위, 화학식: R7SiO3/2에 의해 표시되는 실록산 단위, 또는 화학식: SiO4/2에 의해 표시되는 실록산 단위를 또한 가질 수 있다. 상기 식에서, R6은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이다. R6을 위한 알킬 기의 예에는 R3에 대해 기재된 것과 동일한 알킬 기가 포함된다. R6을 위한 아릴 기의 예에는 R2에 대해 기재된 것과 동일한 아릴 기가 포함된다. R6을 위한 아르알킬 기의 예에는 R2에 대해 기재된 것과 동일한 아르알킬 기가 포함된다. 상기 식에서, R7은 탄소수 1 내지 12의 알킬 기 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이다. R7을 위한 알킬 기의 예에는 R3에 대해 기재된 것과 동일한 알킬 기가 포함된다. R7을 위한 알케닐 기의 예에는 R1에 대해 기재된 것과 동일한 기들이 포함된다. 게다가, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 한, 성분 (A)는 메톡시 기, 에톡시 기, 또는 프로폭시 기와 같은 규소-결합된 알콕시 기, 또는 규소-결합된 하이드록실 기를 함유할 수 있다.
성분 (A)는, 전술한 성분 (A1)과 하기 일반식으로 표시되는 유기폴리실록산 (A2)의 혼합물일 수 있다:
Figure pct00002
상기 식에서, R1은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 비닐 기가 바람직하다.
상기 식에서, R2는 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 페닐 기 또는 나프틸 기이다.
상기 식에서, R3은 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기이다.
상기 식에서, R6은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기, 비닐 기, 페닐 기, 또는 나프틸 기이다.
상기 식에서, m은 1 내지 100의 정수이고 n은 0 내지 50의 정수이되, 단, m ≥ n이고 1 ≤ m + n ≤ 100이다. 바람직하게는, m은 1 내지 75의 정수이고 n은 0 내지 25의 정수이되, 단, m ≥ n이고 1 ≤ m + n ≤ 75이며, 더욱 바람직하게는, m은 1 내지 50의 정수이고 n은 0 내지 25의 정수이되, 단, m ≥ n이고 1 ≤ m + n ≤ 50이다. 이는, m의 값이 전술한 범위의 하한 이상일 때에 경화물의 굴절률이 높아지고, m의 값이 전술한 범위의 상한 이하일 때에 조성물의 취급성이 개선되기 때문이다.
성분 (A2)는 상기에 기재된 일반식으로 표시되지만, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 메톡시 기, 에톡시 기, 또는 프로폭시 기와 같은 규소-결합된 알콕시 기, 또는 규소-결합된 하이드록실 기를 또한 가질 수 있다.
이러한 유형의 성분 (A2)의 예에는 하기에 언급된 것들과 같은 유기폴리실록산이 포함된다. 더욱이, 이들 식에서, Me, Vi, 및 Ph는 각각 메틸 기, 비닐 기 및 페닐 기를 나타내고, m'은 1 내지 100의 정수이고, n'은 1 내지 50의 정수이되, 단, m' ≥ n'이고 m' + n' ≤ 100이다.
Me2ViSiO(MePhSiO)m'SiMe2Vi
MePhViSiO(MePhSiO)m'SiMePhVi
Me2ViSiO(MePhSiO)m'(Ph2SiO)n'SiMe2Vi
MePhViSiO(MePhSiO)m'(Ph2SiO)n'SiMePhVi
Ph2ViSiO(MePhSiO)m'SiPh2Vi
Ph2ViSiO(MePhSiO)m'(Ph2SiO)n'SiPh2Vi
본 발명의 조성물에서, 성분 (A2)의 함량은, 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서, 바람직하게는 50 질량% 이하, 및 더욱 바람직하게는 30 질량% 이하이다. 이는, 성분 (A2)의 함량이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물의 기계적 특성이 양호하기 때문이다. 또한, 성분 (A2)의 함량은 성분 (A) 내지 (E)의 총량에 대해서 바람직하게는 5 질량% 이상이다. 이는, 성분 (A2)의 함량이 전술한 범위의 하한 이상이면 경화물의 가요성이 개선되기 때문이다.
성분 (B)는 인광체를 위한 분산제로서 작용하며, 하기 일반식으로 표시되는 유기폴리실록산이다:
Figure pct00003
이러한 유형의 성분 (B)는 본 발명의 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 표면을 평탄화하는 데 기여하며, 광반도체 장치에서의 색 불균일성 및 색도 차이를 억제하는 데 기여한다.
상기 식에서, R1은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 비닐 기이다.
상기 식에서, R2는 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 페닐 기 또는 나프틸 기이다.
상기 식에서, R3은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기이다.
상기 식에서, p는 1 내지 100의 정수, 바람직하게는 1 내지 50의 정수, 및 더욱 바람직하게는 1 내지 20의 정수이다. 이는, p의 값이 전술한 범위의 하한 이상이면 본 발명의 조성물 중의 인광체의 분산성이 양호하고 p의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 조성물의 투명성이 개선되기 때문이다.
성분 (B)는 전술한 일반식에 의해 표시되지만, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 메톡시 기, 에톡시 기 또는 프로폭시 기와 같은 규소-결합된 알콕시 기, 메틸페닐실록시 단위, 다이페닐실록시 단위, 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 아릴 기 또는 아르알킬 기를 갖는 T 단위, 또는 규소-결합된 하이드록실 기를 또한 가질 수 있다.
이러한 유형의 성분 (B)의 예에는 하기에 언급된 것들과 같은 유기폴리실록산이 포함된다. 더욱이, 이들 식에서, Me, Vi, 및 Ph는 각각 메틸 기, 비닐 기, 및 페닐 기를 나타내고, p'은 1 내지 100의 정수이고 q'은 1 내지 50의 정수이되, 단, p' ≥ q'이고 p' + q' ≤ 100이다.
MePhViSiO(Me2SiO)p'SiMePhVi
Ph2ViSiO(Me2SiO)p'SiPh2Vi
본 발명의 조성물에서, 성분 (B)의 함량은, 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서, 0.1 내지 20 질량%의 범위 이내, 및 바람직하게는 0.1 내지 15 질량%의 범위 이내이다. 이는, 성분 (B)의 함량이 전술한 범위의 하한 이상이면 실리콘 경화물에 인광체의 분산성을 부여할 수 있으며 본 발명의 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 표면을 평탄화하는 것이 용이하고, 성분 (B)의 함량이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물의 투명성이 양호하기 때문이다.
성분 (C)는 본 발명의 조성물의 가교결합제이며, 한 분자 내에 둘 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기폴리실록산이다. 성분 (C) 내의 규소 원자에 결합된, 수소 원자 이외의 기의 예에는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 및 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기가 포함된다. 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기가 포함되며, 메틸 기가 바람직하다. 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 피레닐 기, 및 이들 아릴 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함되며, 페닐 기 및 나프틸 기가 바람직하다. 또한, 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 나프틸 에틸 기, 나프틸 프로필 기, 안트라세닐 에틸 기, 페난트릴 에틸 기, 피레닐 에틸 기, 및 이들 아르알킬 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함된다.
이러한 유형의 성분 (C)의 분자 구조는 직쇄형, 부분 분지된 직쇄형, 분지쇄형, 수지상 등일 수 있으며, 이들 분자 구조의 둘 이상의 유형의 혼합물일 수 있다.
바람직하게는, 이러한 유형의 성분 (C)는, (C1) 하기 일반식:
HR3R6SiO(R6 2SiO)sSiR3R6H로 표시되는 유기실록산,
(C2) 하기 평균단위식:
(HR3R6SiO1/2)d (HR3 2SiO1/2)e (R6 2SiO2/2)f (R2SiO3/2)g로 표시되는 유기폴리실록산,
또는 성분 (C1)과 성분 (C2)의 혼합물이다.
성분 (C1)에 있어서, 상기 식의 R3은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기이다.
또한, 성분 (C1)에 있어서, 상기 식의 R6은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기, 페닐 기, 또는 나프틸 기이다. 성분 (C1) 내의 하나 이상의 R6은 페닐 기 또는 나프틸 기인 것이 특히 바람직하다.
또한, 성분 (C1)에 있어서, 상기 식의 s는 0 내지 100의 정수이고, 본 발명의 조성물의 취급성 및 가공성이 우수하도록, 바람직하게는 0 내지 30의 정수, 및 더욱 바람직하게는 0 내지 10의 정수이다.
이러한 유형의 성분 (C1)의 예에는 하기에 언급된 것들과 같은 유기실록산이 포함된다. 더욱이, 이들 식에서 Me, Ph, 및 Naph는 각각 메틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 나타내고, s'은 1 내지 100의 정수이고 s'' 및 s'''은 각각 1 이상의 정수이지만 s'' + s'''의 합은 100 이하의 정수이다.
HMe2SiO(Ph2SiO)s'SiMe2H
HMePhSiO(Ph2SiO)s'SiMePhH
HMeNaphSiO(Ph2SiO)s'SiMeNaphH
HMePhSiO(Ph2SiO)s''(MePh2SiO)s'''SiMePhH
HMePhSiO(Ph2SiO)s''(Me2SiO)s'''SiMePhH
또한, 성분 (C2)에 있어서, 상기 식의 R2는 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 페닐 기 또는 나프틸 기이다.
또한, 성분 (C2)에 있어서, 상기 식의 R3은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기이다.
또한, 성분 (C2)에 있어서, 상기 식의 R6은 동일하거나 상이하며, 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, 이의 예는 상기한 기들과 동일하고, 바람직하게는 메틸 기, 페닐 기, 또는 나프틸 기이다.
또한, 성분 (C2)에 있어서, 상기 식의 d, e, f, 및 g는 0.1 ≤ d ≤ 0.7, 0 ≤ e ≤ 0.5, 0 ≤ f ≤ 0.7, 0.1 ≤ g < 0.9, 및 d + e + f + g = 1을 충족시키는 수, 및 바람직하게는 0.2 ≤ d ≤ 0.7, 0 ≤ e ≤ 0.4, 0 ≤ f < 0.5, 0.25 ≤ g < 0.7, 및
d + e + f + g = 1을 충족시키는 수이다. 이는, d의 값이 전술한 범위의 하한 이상이면 경화물의 가스 투과율이 감소되고 d의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물이 적절한 경도를 갖기 때문이다. 또한, e의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물의 굴절률이 개선된다. 또한, f의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물이 적절한 경도를 가지며 본 발명의 조성물을 사용하여 제조된 광반도체 장치의 신뢰성이 개선된다. 또한, g의 값이 전술한 범위의 하한 이상이면 경화물의 굴절률이 증가되고 g의 값이 전술한 범위의 상한 이하이면 경화물의 기계적 강도가 개선된다.
이러한 유형의 성분 (C2)의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 조성물의 취급/작업성 및 경화물의 기계적 강도의 관점에서, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정된 표준 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량이 바람직하게는 500 내지 10,000, 및 더욱 바람직하게는 500 내지 2,000이다.
이러한 유형의 성분 (C2)의 예에는 하기에 언급된 것들과 같은 유기폴리실록산이 포함된다. 더욱이, 하기의 이들 식에서 Me, Ph, 및 Naph는 각각 메틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 나타내고, d, e', f', 및 g는 0.1 ≤ d ≤ 0.7, 0 < e' ≤ 0.5, 0 < f' ≤ 0.7, 0.1 ≤ g < 0.9, 및
d + e' + f' + g = 1을 충족시키는 수이다.
(HMe2SiO1/2)d (PhSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (PhSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (NaphSiO3/2)g
(HMe2SiO1/2)d (NaphSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (HMe2SiO1/2)e' (PhSiO3/2)g
(HMe2SiO1/2)d (Ph2SiO2/2)f' (PhSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (Ph2SiO2/2)f' (PhSiO3/2)g
(HMe2SiO1/2)d (Ph2SiO2/2)f' (NaphSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (Ph2SiO2/2)f' (NaphSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (HMe2SiO1/2)e' (NaphSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (HMe2SiO1/2)e' (Ph2SiO2/2)f' (NaphSiO3/2)g
(HMePhSiO1/2)d (HMe2SiO1/2)e' (Ph2SiO2/2)f' (PhSiO3/2)g
성분 (C)는 전술한 성분 (C1), 전술한 성분 (C2), 또는 전술한 성분 (C1)과 전술한 성분 (C2)의 혼합물일 수 있다. 전술한 성분 (C1)과 전술한 성분 (C2)의 혼합물이 사용되는 경우에, 혼합비는 특별히 한정되지 않지만, 전술한 성분 (C1)의 질량 대 전술한 성분 (C2)의 질량의 비가 0.5:9.5 내지 9.5:0.5인 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물에서 성분 (C)의 함량은, 성분 (A) 및 성분 (B) 내의 총 알케닐 기 1 몰당, 성분 (C) 내의 규소 원자-결합된 수소 원자가 0.1 내지 5 몰의 범위, 및 바람직하게는 0.5 내지 2 몰의 범위가 되도록 하는 범위이다. 이는, 성분 (C)의 함량이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때에 조성물이 충분히 경화되고, 함량이 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때에, 경화물의 내열성이 개선되며, 따라서, 이러한 조성물을 사용하여 제조되는 광반도체 장치의 신뢰성을 개선할 수 있기 때문이다.
성분 (D)는 본 발명의 조성물의 경화물로 밀봉 또는 코팅된 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 변경시켜서 원하는 파장의 광을 얻는 데 사용되는 인광체이다. 이러한 유형의 성분 (D)의 예에는, 예를 들어, 발광 다이오드 (LED)에 널리 사용되는, 산화물 인광체, 산질화물 인광체, 질화물 인광체, 황화물 인광체, 산황화물 인광체 등으로 이루어진, 황색, 적색, 녹색, 및 청색 발광 인광체가 포함된다. 산화물 인광체의 예에는, 세륨 이온을 함유하는, 이트륨, 알루미늄, 및 가넷-유형 YAG 녹색 내지 황색 발광 인광체; 세륨 이온을 함유하는, 테르븀, 알루미늄, 및 가넷-유형 TAG 황색 발광 인광체; 및 세륨 및 유로퓸 이온을 함유하는 실리케이트 녹색 내지 황색 발광 인광체가 포함된다. 산질화물 인광체의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는, 규소, 알루미늄, 산소, 및 질소-유형 SiAlON 적색 내지 녹색 발광 인광체가 포함된다. 질화물 인광체의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는, 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 규소, 및 질소-유형 CASN 적색 발광 인광체가 포함된다. 황화물 인광체의 예에는, 구리 이온 및 알루미늄 이온을 함유하는 ZnS 녹색 발광 인광체가 포함된다. 산황화물 인광체의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는 Y2O2S 적색 발광 인광체가 포함된다. 이들 인광체는 하나의 유형으로서 또는 둘 이상의 유형의 혼합물로서 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물에서, 성분 (D)의 함량은, 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서, 0.1 내지 70 질량%, 및 바람직하게는 1 내지 20 질량%이다.
성분 (E)는 본 발명의 조성물의 경화를 촉진하기 위한 하이드로실릴화 반응 촉매이며, 이의 예에는 백금계 촉매, 로듐계 촉매 및 팔라듐계 촉매가 포함된다. 특히, 성분 (E)는, 본 발명의 조성물의 경화를 극적으로 촉진할 수 있도록, 바람직하게는 백금계 촉매이다. 백금계 촉매의 예에는 백금 미세 분말, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착물, 백금-올레핀 착물, 및 백금-카르보닐 착물이 포함되며, 백금-알케닐실록산 착물이 바람직하다.
또한, 본 발명의 조성물에서 성분 (E)의 함량은 본 발명의 조성물의 경화를 촉진하기 위한 유효량이다. 구체적으로, 본 발명의 조성물을 충분히 경화시키기 위해서, 성분 (E)의 함량은 바람직하게는 성분 (E) 내의 촉매 금속의 함량이 본 발명의 조성물에 대해 질량 단위로 0.01 내지 500 ppm, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 100 ppm, 및 특히 바람직하게는 0.01 내지 50 ppm이 되도록 하는 양이다.
이러한 조성물은, 경화 과정 동안 조성물이 접촉하게 되는 기재에 대한 경화물의 접착성을 개선하기 위해서, (F) 접착부여제(adhesion-imparting agent)를 또한 함유할 수 있다. 성분 (F)는 바람직하게는 규소 원자에 결합된 알콕시 기를 한 분자 내에 하나 이상 갖는 유기규소 화합물이다. 이러한 알콕시 기는 메톡시 기, 에톡시 기, 프로폭시 기, 부톡시 기, 및 메톡시에톡시 기에 의해 예시되며; 메톡시 기가 특히 바람직하다. 더욱이, 이러한 유기규소 화합물의 규소 원자에 결합된 비-알콕시 기는 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기, 예를 들어 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 아르알킬 기, 할로겐화 알킬 기 등; 에폭시 기-함유 1가 유기 기, 예를 들어, 글리시독시알킬 기 (예를 들어 3-글리시독시프로필 기, 4-글리시독시부틸 기 등); 에폭시사이클로헥실알킬 기 (예를 들어 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 기, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필 기 등) 및 옥시라닐알킬 기 (예를 들어 4-옥시라닐부틸 기, 8-옥시라닐옥틸 기 등); 아크릴 기-함유 1가 유기 기, 예를 들어 3-메타크릴옥시프로필 기 등; 및 수소 원자에 의해 예시된다. 이러한 유기규소 화합물은 바람직하게는 규소-결합된 알케닐 기 또는 규소-결합된 수소 원자를 갖는다. 더욱이, 다양한 유형의 기재에 대한 양호한 접착성을 부여할 수 있기 때문에, 이러한 유기규소 화합물은 바람직하게는 한 분자 내에 하나 이상의 에폭시 기-함유 1가 유기 기를 갖는다. 이러한 유형의 유기규소 화합물은 유기실란 화합물, 유기실록산 올리고머 및 알킬 실리케이트에 의해 예시된다. 유기실록산 올리고머 또는 알킬 실리케이트의 분자 구조는 선형 구조, 부분 분지된 선형 구조, 분지쇄 구조, 고리형 구조, 및 망상 구조에 의해 예시된다. 선형 사슬 구조, 분지쇄 구조, 및 망상 구조가 특히 바람직하다. 이러한 유형의 유기규소 화합물은 실란 화합물, 예를 들어 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실란, 3-메타크릴옥시 프로필트라이메톡시실란 등; 한 분자 내에 규소-결합된 알케닐 기 및 규소-결합된 수소 원자 중 적어도 하나, 및 하나 이상의 규소-결합된 알콕시 기를 갖는 실록산 화합물; 하나 이상의 규소-결합된 알콕시 기를 갖는 실란 화합물 또는 실록산 화합물과 한 분자 내에 하나 이상의 규소-결합된 하이드록실 기 및 하나 이상의 규소-결합된 알케닐 기를 갖는 실록산 화합물의 혼합물; 및 메틸 폴리실리케이트, 에틸 폴리실리케이트, 및 에폭시 기-함유 에틸 폴리실리케이트에 의해 예시된다.
본 발명의 조성물에서 성분 (F)의 함량은 특별히 한정되지 않지만, 경화 과정 동안 조성물이 접촉하게 되는 기재에 대한 양호한 접착을 보장하도록, 상기에 기재된 성분 (A) 내지 성분 (E) 총 100 질량부에 대해서 바람직하게는 0.01 내지 10 질량부의 범위이다.
본 발명의 조성물은, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 한, 성분 (C) 이외의 유기하이드로겐폴리실록산을 함유할 수 있다. 이러한 유형의 유기하이드로겐폴리실록산은, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸하이드로겐실록산의 공중합체, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산, 메틸하이드로겐실록산, 및 메틸페닐실록산의 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 다이메틸폴리실록산, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸페닐실록산의 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 메틸페닐폴리실록산, 일반식 R'3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 일반식 R'2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 구성된 유기폴리실록산 공중합체, 일반식 R'2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 구성된 유기폴리실록산 공중합체, 일반식 R'HSiO2/2로 표시되는 실록산 단위 및 일반식 R'SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 화학식 HSiO3/2로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 유기폴리실록산 공중합체, 및 둘 이상의 그러한 유기폴리실록산의 혼합물에 의해 예시된다. 더욱이, R'은 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기, 또는 탄소수 1 내지 12의 할로겐화 알킬 기이다. R'을 위한 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기가 포함된다. 또한, R'을 위한 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 피레닐 기, 및 이들 아릴 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함된다. 또한, R'을 위한 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 나프틸 에틸 기, 나프틸 프로필 기, 안트라세닐 에틸 기, 페난트릴 에틸 기, 피레닐 에틸 기, 및 이들 아르알킬 기 내의 수소 원자를 메틸 기 또는 에틸 기와 같은 알킬 기; 메톡시 기 또는 에톡시 기와 같은 알콕시 기; 및 염소 원자 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환하여 얻어지는 기가 포함된다. 또한, R'을 위한 할로겐화 알킬 기의 예에는 클로로메틸 기 및 3,3,3-트라이플루오로프로필 기가 포함된다.
반응 억제제, 예를 들어, 알킨 알코올, 예를 들어 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올 및 2-페닐-3-부틴-2-올; 엔-인 화합물, 예를 들어 3-메틸-3-펜텐-1-인 및 3,5-다이메틸-3-헥센-1-인; 또는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산 또는 벤조트라이아졸이 본 발명의 조성물 중에 선택 성분으로서 포함될 수 있다. 이러한 조성물에서 반응 억제제의 함량은 특별히 한정되지 않지만, 상기에 기재된 성분 (A) 내지 성분 (C) 총 100 질량부에 대해서 바람직하게는 0.0001 내지 5 질량부의 범위이다.
더욱이, 선택 성분으로서 무기 충전제, 예를 들어, 실리카, 유리, 알루미나 또는 산화아연; 폴리메타크릴레이트 수지 등의 유기 수지 미세 분말; 내열제, 염료, 안료, 난연제, 용매 등이 본 발명의 목적을 손상시키지는 않는 수준으로 본 발명의 조성물에 포함될 수 있다.
선택 성분으로서 첨가되는 성분들 중에서, 공기 중의 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치에서의 은 전극 또는 기재의 은 도금의 변색을 충분히 억제하기 위해서, Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, 및 희토류 원소를 포함하는 군으로부터 선택되는 원소의 하나 이상의 유형의 산화물로 표면-코팅된 산화아연 미세분말; 알케닐 기를 갖지 않는 유기규소 화합물로 표면-처리된 산화아연 미세 분말; 및 탄화아연의 수화물 미세 분말을 포함하는 군으로부터 선택되는, 평균 입자 크기가 0.1 nm 내지 5 μm인 하나 이상의 유형의 미세 분말을 첨가하는 것이 가능하다.
산화물로 표면-코팅된 산화아연 미세 분말에서, 희토류 원소의 예에는 이트륨, 세륨, 및 유로퓸이 포함된다. 산화아연 분말의 표면 상의 산화물의 예에는 Al2O3, AgO, Ag2O, Ag2O3, CuO, Cu2O, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Sb2O3, SiO2, SnO2, Ti2O3, TiO2, Ti3O5, ZrO2, Y2O3, CeO2, Eu2O3, 및 둘 이상의 유형의 이들 산화물의 혼합물이 포함된다.
유기규소 화합물로 표면-처리된 산화아연 분말에서, 유기규소 화합물은 알케닐 기를 갖지 않으며, 예에는 유기실란, 유기실라잔, 폴리메틸실록산, 유기하이드로겐폴리실록산, 및 유기실록산 올리고머가 포함된다. 구체적인 예에는 유기클로로실란, 예를 들어, 트라이메틸클로로실란, 다이메틸클로로실란, 및 메틸트라이클로로실란; 유기트라이알콕시실란, 예를 들어, 메틸트라이메톡시실란, 메틸트라이에톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 에틸트라이메톡시실란, n-프로필트라이메톡시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란; 다이오르가노다이알콕시실란, 예를 들어, 다이메틸다이메톡시실란, 다이메틸다이에톡시실란, 및 다이페닐다이메톡시실란; 트라이오르가노알콕시실란, 예를 들어 트라이메틸메톡시실란 및 트라이메틸에톡시실란; 이들 유기알콕시실란의 부분 축합물; 유기실라잔, 예를 들어, 헥사메틸다이실라잔; 폴리메틸실록산, 유기하이드로겐폴리실록산, 실라놀 기 또는 알콕시 기를 갖는 유기실록산 올리고머, 및 R8SiO3/2 단위 (상기 식에서, R8은 알케닐 기가 아닌 1가 탄화수소 기이고, 이의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 또는 프로필 기와 같은 알킬 기; 및 페닐 기와 같은 아릴 기가 포함됨) 또는 SiO4/2 단위로 이루어지며, 실라놀 기 또는 알콕시 기를 갖는 수지형 유기폴리실록산이 포함된다.
탄화아연의 수화물 미세 분말은, 탄화아연에 물이 결합된 화합물이며, 바람직한 화합물은 105℃에서 3시간 동안의 가열 조건 하에서 중량 감소율이 0.1 중량% 이상인 것이다.
산화아연의 함량은 질량 단위로 조성물의 1 ppm 내지 10%의 범위의 양, 및 바람직하게는 1 ppm 내지 5%의 범위의 양이다. 이는, 상기 성분의 함량이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때에, 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치에서의 은 전극 또는 기재의 은 도금의 변색이 충분히 억제되고, 함량이 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때에, 생성되는 조성물의 유동성이 저하되지 않기 때문이다.
또한, 본 조성물은, 공기 중의 황-함유 가스로 인한 은 전극 또는 기재의 은 도금의 변색의 추가적인 억제를 가능하게 하기 위해서, 선택 성분으로서 트라이아졸계 화합물을 또한 함유할 수 있다. 그러한 성분의 예에는 1H-1,2,3-트라이아졸, 2H-1,2,3-트라이아졸, 1H-1,2,4-트라이아졸, 4H-1,2,4-트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-5'-메틸페닐)벤조트라이아졸, 1H-1,2,3-트라이아졸, 2H-1,2,3-트라이아졸, 1H-1,2,4-트라이아졸, 4H-1,2,4-트라이아졸, 벤조트라이아졸, 톨릴트라이아졸, 카르복시벤조트라이아졸, 1H-벤조트라이아졸-5-메틸카르복실레이트, 3-아미노-1,2,4-트라이아졸, 4-아미노-1,2,4-트라이아졸, 5-아미노-1,2,4-트라이아졸, 3-메르캅토-1,2,4-트라이아졸, 클로로벤조트라이아졸, 니트로벤조트라이아졸, 아미노벤조트라이아졸, 사이클로헥사노[1,2-d]트라이아졸, 4,5,6,7-테트라하이드록시톨릴트라이아졸, 1-하이드록시벤조트라이아졸, 에틸벤조트라이아졸, 나프토트라이아졸, 1-N,N-비스(2-에틸헥실)-[(1,2,4-트라이아졸-1-일)메틸]아민, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]톨릴트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]카르복시벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-하이드록시에틸)-아미노메틸]벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-하이드록시에틸)-아미노메틸]톨릴트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-하이드록시에틸)-아미노메틸]카르복시벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(2-하이드록시프로필)아미노메틸]카르복시벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(1-부틸)아미노메틸]카르복시벤조트라이아졸, 1-[N,N-비스(1-옥틸)아미노메틸]카르복시벤조트라이아졸, 1-(2',3'-다이-하이드록시프로필)벤조트라이아졸, 1-(2',3'-다이-카르복시에틸)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3',5'-다이-tert-부틸페닐)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3',5'-아밀페닐)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-4'-옥톡시페닐)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-5'-tert-부틸페닐)벤조트라이아졸, 1-하이드록시벤조트라이아졸-6-카르복실산, 1-올레오일벤조트라이아졸, 1,2,4-트라이아졸-3-올, 5-아미노-3-메르캅토-1,2,4-트라이아졸, 5-아미노-1,2,4-트라이아졸-3-카르복실산, 1,2,4-트라이아졸-3-카르복시아미드, 4-아미노우라졸, 및 1,2,4-트라이아졸-5-온이 포함된다. 이러한 벤조트라이아졸 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않지만, 질량 단위로 조성물의 0.01 ppm 내지 3%의 범위, 및 바람직하게는 0.1 ppm 내지 1%의 범위의 양이다.
본 조성물은 경화가 실온에서 또는 가열 하에서 일어나는 것이지만, 급속 경화를 달성하기 위해서 조성물을 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃이다.
이제 본 발명의 경화물을 상세하게 설명할 것이다.
본 발명의 경화물은 전술한 경화성 실리콘 조성물을 경화시켜서 형성된다. 경화물의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예에는 시트 형상 및 필름 형상이 포함된다. 경화물은 간단한 물체로서 취급될 수 있거나, 또는 경화물이 광반도체 소자 등을 덮거나 밀봉한 상태로 또한 취급될 수 있다.
이제 본 발명의 광반도체 장치를 상세하게 설명할 것이다.
본 발명의 광반도체 장치는 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 광반도체 소자를 밀봉함으로써 생성된다. 본 발명의 그러한 광반도체 장치의 예에는 발광 다이오드 (LED), 포토커플러, 및 CCD가 포함된다. 광반도체 소자의 예에는 발광 다이오드 (LED) 칩 및 고체 촬상 장치(solid-state image sensing device)가 포함된다.
도 1은 본 발명의 광반도체 장치의 일 예인 단일 표면 실장형 LED의 단면도를 나타낸다. 도 1에 나타낸 LED에서는, 발광 소자 (LED 칩)(1)가 리드 프레임(lead frame)(2)에 다이-본딩(die-bond)되며, 발광 소자 (LED 칩)(1)와 리드 프레임(3)은 본딩 와이어(4)에 의해 와이어-본딩된다. 발광 소자 (LED 칩)(1)의 주위에 케이싱(casing) 재료(5)가 제공되며, 케이싱 재료(5) 내측의 발광 소자 (LED 칩)(1)는 본 발명의 경화성 실리콘 조성물의 경화물(6)에 의해 밀봉된다.
도 1에 나타나 있는 표면 실장형 LED를 제조하는 방법의 예로는, 발광 소자 (LED 칩)(1)를 리드 프레임(2)에 다이-본딩하고, 발광 소자 (LED 칩)(1)와 리드 프레임(3)을 금 본딩 와이어(4)로 와이어-본딩하고, 발광 소자 (LED 칩)(1)의 주위에 제공된 케이싱 재료(5)의 내측을 본 발명의 경화성 실리콘 조성물로 충전하고, 이어서, 50 내지 200℃에서의 가열에 의해 조성물을 경화시키는 방법이 있다.
실시예
실시예를 이용하여 본 발명의 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치를 이하에서 상세하게 설명할 것이다. 더욱이, 식에서, Me, Vi, Ph, 및 Ep는 각각 메틸 기, 비닐 기, 페닐 기, 및 3-글리시독시프로필 기를 나타낸다.
[참고예 1]
우선, 400 g (2.02 mol)의 페닐트라이메톡시실란 및 93.5 g (0.30 mol)의 1,3-다이비닐-1,3-다이페닐다이메틸다이실록산을 반응 용기에 로딩하고 미리 혼합하였다. 다음으로, 1.74 g (11.6 mmol)의 트라이플루오로메탄 설폰산을 첨가하고, 교반하면서, 110 g (6.1 mol)의 물을 첨가하고 2시간 동안 가열-환류시켰다. 다음으로, 온도가 85℃에 도달할 때까지 가열함으로써 혼합물을 대기압에서 증류시켰다. 다음으로, 89 g의 톨루엔 및 1.18 g (21.1 mmol)의 수산화칼륨을 첨가하고, 반응 온도가 120℃에 도달할 때까지 가열함으로써 혼합물을 대기압에서 증류시키고, 이어서, 이러한 온도에서 6시간 동안 반응시켰다. 이어서, 혼합물을 실온으로 냉각하고, 0.68 g (11.4 mmol)의 아세트산을 첨가하여 중화를 수행하였다. 생성된 염을 여과하고, 수득된 투명한 용액으로부터 감압 하에서의 가열에 의해 저비점 물질을 제거하여서, 하기 평균단위식:
(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77로 표시되는 유기폴리실록산 수지 347 g (수율: 98%)을 제조하였다.
[참고예 2]
100 g (0.233 mol)의, 하기 화학식:
HO(MePhSiO)6H로 표시되는 메틸페닐폴리실록산,
100 g의 톨루엔 및 29.7 g (0.294 mol)의 트라이에틸아민을 반응 용기에 넣고, 교반하면서, 59.9 g (0.245 mol)의 비닐다이페닐클로로실란을 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반한 후에, 혼합물을 50℃로 가열하고 3시간 동안 교반하였다. 다음으로, 0.38 g의 메탄올을 첨가하고, 이어서 물을 첨가하였다. 혼합물을 물로 세척한 후에, 감압 하에서의 가열에 의해 유기층으로부터 저비점 물질을 증류시켜 제거하여서, 하기 화학식:
Ph2ViSiO(MePhSiO)6SiPh2Vi로 표시되는, 무색의 투명한 유기폴리실록산 (점도: 447.5 mPa·s, 굴절률: 1.567)을 제조하였다.
[참고예 3]
우선, 교반기, 환류 냉각기, 및 온도계가 구비된 4구 플라스크에 82.2 g의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 143 g의 물, 0.38 g의 트라이플루오로메탄 설폰산, 및 500 g의 톨루엔을 로딩하고, 교반하면서, 524.7 g의 페닐트라이메톡시실란을 1시간에 걸쳐 혼합물에 적하하였다. 적하를 완료한 후에, 혼합물을 1시간 동안 가열-환류시켰다. 이어서, 혼합물을 냉각하고, 하층을 분리하고, 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척하였다. 다음으로, 물로 세척된 톨루엔 용액 층에 314 g의 메틸 글리시독시프로필 다이메톡시실란, 130 g의 물, 및 0.50 g의 수산화칼륨을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 가열-환류시켰다. 이어서, 메탄올을 증류시켜 제거하고, 여분의 물을 공비 탈수에 의해서 제거하였다. 4시간 동안 가열-환류시킨 후에, 톨루엔 용액을 냉각하고, 0.55 g의 아세트산으로 중화시키고, 물로 3회 세척하였다. 물을 제거한 후에, 톨루엔을 감압 하에서 증류시켜 제거하여서, 점도가 8,500 mPa·s인, 하기 평균단위식:
(Me2ViSiO1/2)0.18(PhSiO3/2)0.53(EpMeSiO2/2)0.29로 표시되는 접착부여제를 제조하였다.
[참고예 4]
40.0 g (0.045 mol)의, 하기 화학식:
HO(Me2SiO)12H로 표시되는 다이메틸폴리실록산,
62.0 g의 톨루엔 및 10.9 g (0.107 mol)의 트라이에틸아민을 반응 용기에 넣고, 교반하면서, 22.0 g (0.090 mol)의 비닐 다이페닐 클로로실란을 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반한 후에, 혼합물을 50℃로 가열하고 3시간 동안 교반하였다. 이어서, 물을 첨가하고, 물로 세척한 후에, 감압 하에서의 가열에 의해 유기층으로부터 저비점 물질을 제거하여서, 하기 화학식:
Ph2ViSiO(Me2SiO)12SiPh2Vi로 표시되는, 무색의 투명한 유기폴리실록산 (점도: 36 mPa·s, 굴절률: 1.466)을 제조하였다.
[참고예 5]
10 g의 참고예 4에서 제조된 유기폴리실록산, 2.81 g의 환형 다이메틸실록산, 및 0.0013 g의 수산화칼륨을 반응 용기에 넣고, 가열하고, 150℃에서 5시간 동안 반응시켰다. 반응 후에, 적절한 양의 아세트산을 첨가하여 중화를 수행하였다. 중화된 생성물로부터 감압 하에 저비점 성분을 제거하고, 이어서, 중화된 생성물을 여과하여서, 하기 화학식:
Ph2ViSiO(Me2SiO)17SiPh2Vi로 표시되는, 무색의 투명한 유기폴리실록산 (점도: 35 mPa·s, 굴절률: 1.461)을 제조하였다.
[참고예 6]
10 g의 참고예 4에서 제조된 유기폴리실록산, 5.61 g의 환형 다이메틸실록산, 및 0.0016 g의 수산화칼륨을 반응 용기에 넣고, 가열하고, 150℃에서 5시간 동안 반응시켰다. 반응 후에, 적절한 양의 아세트산을 첨가하여 중화를 수행하였다. 중화된 생성물로부터 감압 하에 저비점 성분을 제거하고, 이어서, 중화된 생성물을 여과하여서, 하기 화학식:
Ph2ViSiO(Me2SiO)17SiPh2Vi로 표시되는, 무색의 투명한 유기폴리실록산 (점도: 35 mPa·s, 굴절률: 1.461)을 제조하였다.
[실시예 1 내지 실시예 12 및 비교예 1 내지 비교예 3]
하기에 언급된 성분들을 사용하여, 표 1에 나타낸 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 더욱이, 표 1에서, 성분 (E)의 함량은 경화성 실리콘 조성물에 대한 백금 금속의 함량 (질량 단위: ppm)으로서 표시한다.
하기 성분들을 성분 (A)로서 사용하였다.
성분 (A-1): 하기 평균단위식:
(Me2ViSiO1/2)0.2(PhSiO3/2)0.8로 표시되는 실리콘 수지.
성분 (A-2): 참고예 1에서 제조되고, 하기 평균단위식:
(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77로 표시되는 유기폴리실록산 수지.
성분 (A-3): 하기 평균단위식:
(Me2ViSiO1/2)4(SiO4/2)1로 표시되는 화합물.
성분 (A-4): 점도가 3,000 mPa·s이고 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 메틸페닐폴리실록산.
성분 (A-5): 참고예 2에서 제조되고, 하기 화학식:
Ph2ViSiO(MePhSiO)6SiPh2Vi로 표시되는 유기폴리실록산.
성분 (A-6): 하기 평균단위식:
(Me2ViSiO1/2)0.28(Me2SiO2/2)0.72로 표시되는 유기폴리실록산.
하기 성분들을 성분 (B)로서 사용하였다.
성분 (B-1): 참고예 4에서 제조된 유기폴리실록산.
성분 (B-2): 참고예 5에서 제조된 유기폴리실록산.
성분 (B-3): 참고예 6에서 제조된 유기폴리실록산.
하기 성분들을 성분 (C)로서 사용하였다.
성분 (C-1): 하기 화학식:
HMe2SiOPh2SiOSiMe2H로 표시되는 유기트라이실록산.
성분 (C-2): 하기 평균단위식:
(Me2HSiO1/2)0.6(PhSiO3/2)0.4로 표시되는 실리콘 수지.
하기 성분들을 성분 (D)로서 사용하였다.
성분 (D-1): TAG계 인광체 (인터매틱스(INTEMATIX)에 의해 제조된 NTAG 4851).
성분 (D-2): YAG계 인광체 (인터매틱스에 의해 제조된 NYAG 4454).
성분 (D-3): 실리케이트계 인광체 (인터매틱스에 의해 제조된 EY 4453).
하기 성분을 성분 (E)로서 사용하였다.
성분 (E-1): 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물의 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 용액 (이 용액은 0.1 질량%의 백금을 함유함).
하기 성분들을 접착부여제로서 사용하였다.
성분 (F-1): 참고예 3에서 제조된 접착부여제.
성분 (F-2): 점도가 25℃에서 30 mPa·s이고, 양측 분자 말단에서 실라놀 기로 캡핑된, 메틸비닐실록산 올리고머와 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란의 축합 반응 생성물로 이루어진 접착부여제.
하기 성분을 반응 억제제로서 사용하였다.
성분 (G-1): 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산.
하기 성분을 나노입자로서 사용하였다.
성분 (H-1): 평균 입자 직경이 13 μm인 알루미나 입자 (닛폰 에어로실(Nippon Aerosil)에 의해 제조된 Alu C805).
상기에 기재된 바와 같이 제조된 경화성 실리콘 조성물의 경화물을 하기와 같이 평가하였다.
[경화물의 제조]
표 1에 나타낸 경화성 실리콘 조성물을 제조하고, 이들 조성물에 인광체를 표 1에 나타낸 양 (부)으로 첨가하고, 30초 동안 교반하고, 이어서, 팅키(Thinky)에 의해 제조된 ARV-310 유성식 원심 진공 혼합기(planetary centrifugal vacuum mixer)를 사용하여 1600 rpm의 궤도 속도, 800 rpm의 회전 속도, 및 2 Pa의 진공에서 2분 동안 교반하였다. 0.5 g의 수득된 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물을 유리판 (50 mm × 50 mm × 2 mm) 상에 코팅하고, 유리판을 열순환식 오븐에 넣고, 온도를 30분에 걸쳐 실온으로부터 150℃까지 증가시키고, 온도를 150℃에서 1시간 동안 유지하고, 이어서, 실온으로 냉각시켜서, 인광체-함유 경화물을 제조하였다.
[경화물의 평탄성]
올림푸스(Olympus)에 의해 제조된 렉스트(LEXT) OLS4000 레이저 현미경을 사용하여 경화물의 표면을 관찰함으로써, 경화물의 평탄성을 평가하였는데, 경화물의 표면에 주름이 발생한 경우는 "X"로서 평가하였고, 경화물의 표면에 요철이 발생한 경우는 "△"로서 평가하였고, 경화물의 표면에 주름이 거의 발생하지 않은 경우는 "○"로서 평가하였고, 경화물의 표면에 주름이 전혀 발생하지 않은 경우는 "◎"로서 평가하였다.
[형광 물질의 분산성]
유리판 상에 코팅 및 경화된 샘플을 시각적으로 관찰함으로써 경화물 내의 인광체의 분산성을 평가하였는데, 인광체가 응집하여 밴드형 패턴을 형성한 경우는 "X"로서 평가하였고, 인광체가 응집하여 섬-유사 패턴(island-like pattern)을 형성한 경우는 "△"로서 평가하였고, 인광체가 거의 응집하지 않은 경우는 "○"로서 평가하였고, 인광체가 전혀 응집하지 않은 경우는 "◎"로서 평가하였다.
[표 1]
Figure pct00004
[표 1] (계속)
Figure pct00005
[실시예 13]
표 1에 나타낸, 8 g의 실시예 8 및 비교예 1에서 제조된 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물을 무사시(Musashi)에 의해 제조된 10 mL 시린지(syringe)에 각각 넣고, 분배기를 사용하여 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물을 각각의 18개의 LED (아이-치운 인더스트리(I-Chiun Industry)에 의해 제조된 5730 LED) 상에 코팅하고, 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물로 알루미늄판 상에 200회의 시험 코팅을 행하고, 그 후에 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물을 각각의 18개의 LED 상에 코팅하고 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물로 알루미늄판 상에 200회의 시험 코팅을 행하고, 그 후에 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물을 각각의 18개의 LED 상에 코팅하고 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물로 알루미늄판 상에 200회의 시험 코팅을 행하고, 그 후에 5.4 μL의 경화성 인광체-함유 실리콘 조성물을 각각의 18개의 LED 상에 코팅하였는데, 이는 총 72개의 LED를 코팅하였음을 의미한다. 수득된 LED를 열순환식 오븐에 넣고, 온도를 30분에 걸쳐 실온으로부터 150℃까지 증가시키고, 온도를 150℃에서 1시간 동안 유지하고, 이어서 실온으로 냉각시켜서, 인광체-함유 실리콘 경화물로 밀봉된 LED를 수득하였다. 인스트루먼트 시스템즈(Instrument Systems)에 의해 제조된 ISP 250 적분구 및 CAS-140CT 분광계를 사용하여, 각각의 LED를 60 mA의 전류에서 측정하였고, 72개의 LED로부터의 측정 결과로부터 얻은 CIE 좌표의 y-축 변동폭을 조사하였다. 실시예 8에서의 y-축 변동폭은 0.012였다. 한편, 비교예 1의 경화성 실리콘 조성물에 대한 y-축 변동폭은 0.02였고, 이는 실시예 8의 조성물이 변동의 40%의 개선을 나타내었음을 입증한다.
산업상 이용가능성
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 우수한 유동성을 가지며, 경화되어서는 인광체가 균질하게 분산되고 굴절률이 높은 경화물을 형성하는 조성물이며, 따라서, 발광 다이오드 (LED)와 같은 광반도체 장치에서의 발광 소자를 위한 밀봉제 또는 코팅제로서 사용하기에 적합하다.
부호의 설명
Figure pct00006

Claims (11)

  1. 경화성 실리콘 조성물로서,
    (A) 하기에 언급된 성분 (B)를 제외한, 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산;
    (B) 하기 일반식:
    Figure pct00007

    (상기 식에서, R1은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, R3은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, p는 1 내지 100의 정수임)에 의해 표시되는 유기폴리실록산;
    (C) 한 분자 내에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기폴리실록산으로서, 성분 (C) 내의 규소-결합된 수소 원자의 양이 성분 (A) 및 성분 (B) 내의 총 알케닐 기 1 몰당 0.1 내지 5 몰이 되도록 하는 양의, 상기 유기폴리실록산;
    (D) 인광체(phosphor); 및
    (E) 유효량의 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하며;
    각각 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서, 성분 (A)의 함량은 20 내지 80 질량%이고, 성분 (B)의 함량은 0.1 내지 20 질량%이고, 성분 (D)의 함량은 0.1 내지 70 질량%인, 경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    성분 (A)는,
    (A1) 한 분자 내에 2개 이상의 알케닐 기를 가지며, 하기 평균단위식:
    (R1R4 2SiO1/2)a(R5 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c
    (상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, R4는 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, R5는 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기 또는 페닐 기이고, a, b, 및 c는,
    0.01 ≤ a ≤ 0.5, 0 ≤ b ≤ 0.7, 0.1 ≤ c < 0.9, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수임)로 표시되는 유기폴리실록산, 또는
    성분 (A1)과, (A2) 하기 일반식:
    Figure pct00008

    (상기 식에서, R1 및 R2는 상기에 기재된 기들과 동일하며, R3은 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, R6은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, m은 1 내지 100의 정수이고, n은 0 내지 50의 정수이되, 단, m ≥ n이고 1 ≤ m + n ≤ 100임)로 표시되는 유기폴리실록산과의 혼합물이고, 성분 (A2)의 함량은 성분 (A) 내지 성분 (E)의 총량에 대해서 50 질량% 이하인, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    성분 (C)는,
    (C1) 하기 일반식:
    HR3R6SiO(R6 2SiO)sSiR3R6H
    (상기 식에서, R3은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기이고, R6은 동일하거나 상이하며 각각 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 20의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, s는 0 내지 100의 정수임)로 표시되는 유기폴리실록산,
    (C2) 한 분자 내에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 가지며, 하기 평균단위식:
    (HR3R6SiO1/2)d (HR3 2SiO1/2)e (R6 2SiO2/2)f (R2SiO3/2)g
    (상기 식에서, R2는 탄소수 6 내지 20의 아릴 기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬 기이고, R3 및 R6은 상기에 기재된 기들과 동일하며, d, e, f, 및 g는 0.01 ≤ d ≤ 0.7, 0 ≤ e ≤ 0.5, 0 ≤ f ≤ 0.7, 0.1 ≤ g < 0.9, 및 d + e + f + g = 1을 충족시키는 수임)로 표시되는 유기폴리실록산, 또는
    성분 (C1)과 성분 (C2)의 혼합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 성분 (A1)의 R2는 페닐 기 또는 나프틸 기인, 경화성 실리콘 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 성분 (B)의 R2는 페닐 기 또는 나프틸 기인, 경화성 실리콘 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 성분 (C1)의 하나 이상의 R6은 페닐 기 또는 나프틸 기인, 경화성 실리콘 조성물.
  7. 제3항에 있어서, 성분 (C2)의 R2는 페닐 기 또는 나프틸 기인, 경화성 실리콘 조성물.
  8. 제3항에 있어서, 성분 (C1)과 성분 (C2)의 상기 혼합물에서, 성분 (C1) 대 성분 (C2)의 질량비는 0.5:9.5 내지 9.5:0.5인, 경화성 실리콘 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, (F) 성분 (A) 내지 성분 (E) 총 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부의 양의 접착부여제(adhesion-imparting agent)를 추가로 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 제조되는, 경화물.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 밀봉되거나 코팅된 발광 소자를 포함하는, 광반도체 장치.
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