KR20150112498A - 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기산, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 및 유기 용매를 포함함으로써, 하부 금속막을 손상시키지 않고, 실리콘 산화막을 선택적으로 식각할 수 있으며, 경시 안정성도 우수한 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 및 이를 이용한 실리콘 산화막의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 하부 금속막을 손상시키지 않고 실리콘 산화막을 선택적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다.
실리콘 산화물막(SiOx) 및 실리콘 질화물막(SiNx)은 반도체 제조공정에서 사용되는 대표적인 절연막으로 사용되며, 각각 단독으로 사용되거나 혹은 1층 이상의 실리콘 산화물막 및 1층 이상의 실리콘 질화물막이 교대로 적층되어 사용되 기도 한다. 또한 상기 실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막은 금속 배선과 같은 도전성 패턴을 형성하기 위한 하드마스크(Hard mask)로서도 사용된다.
종래에는 실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막이 적층된 절연막을 식각하여 패턴을 형성하는 방법으로 상부의 실리콘 질화물막을 건식식각 방법으로 먼저 식각한 후, BOE(Buffered Oxide Etchant)와 같은 실리콘 산화물막 식각용 식각액 으로 하부의 실리콘 산화막을 습식식각하여 절연막 패턴을 형성하였다. 종래에 실리콘 산화물막 식각액으로 널리 사용되는 BOE(Buffered Oxide Etchant)는 불화수소(HF), 불화암모늄(NH4F) 및 물을 함유하는 식각액으로서, 불화수소(HF)로 인해 취급상 위험할 뿐 아니라, 알루미늄 등의 하부 금속막질을 손상시키는 문제가 있었다. 따라서, 산화막만을 선택적으로 식각하면서, 하부 금속막에 대한 어택이 없는 식각액 조성물의 개발이 요구된다.
한편, 한국공개특허 제2004-0077043호에서는 10 ~ 35중량%의 불화수소(HF), 10 ~ 35중량%의 불화암모늄(NH4F) 및 탈이온수로 이루어진 세정액을 개시하고 있으나, 상기 세정액의 조성에서는 하부 금속막에 대한 부식의 문제를 해결하지는 못하고 있다.
본 발명은 하부 금속막의 손상 없이, 선택적으로 실리콘 산화막을 식각할 수 있는 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물을 사용하는 실리콘 산화막의 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
1. 유기산, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 및 유기 용매를 포함하고, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 유기산은 아스코르브산(Ascorbic Acid), 아세트산(acetic acid), 부탄산(butanoic acid), 시트르산(citric acid), 포름산(formic acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리콜산(glycolic acid), 말론산(malonic acid), 옥살산(oxalic acid), 펜탄산(pentanoic acid), 설포벤조산(sulfobenzoic acid), 설포석신산(sulfosuccinic acid), 프탈산(phthalic acid), 설포프탈산(sulfophthalic acid), 살리실산(salicylic acid), 설포살리실산(sulfosalicylic acid), 벤조산(benzoic acid), 락트산(lactic acid), 글리세르산(glyceric acid), 석신산(succinic acid), 말산(malic acid), 타르타르산(tartaric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 프로펜산(propenoic acid), 이미노디아세트산(imminodiacetic acid), 카프릴산(caprylic acid), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid; EDTA), 메탄설폰산, 에탄설폰산, 벤젠설폰산 및 파라톨루엔셀폰산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드는 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드 및 테트라부틸암모늄플루오라이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 유기 용매는 극성 양성자성 용매인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
5. 위 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 유기산 1 내지 40%, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 0.1 내지 20중량%, 유기 용매 50 내지 99중량%로 포함되는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
6. 위 1에 있어서, 실리콘 산화막은 그 하부에 금속막이 형성된 것인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
7. 위 6에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄계 금속막인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
8. Ⅰ)기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
Ⅱ)상기 금속막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계;
Ⅲ)포토리소그라피 공정으로 상기 실리콘 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
Ⅳ)상기 실리콘 산화막을 위 1 내지 7 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계;
를 포함하는 실리콘 산화막의 패턴 형성 방법.
본 발명의 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물은 하부 금속막의 손상을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물은 실리콘 산화막만을 선택적으로 식각할 수 있다.
또한, 본 발명의 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물은 경시 안정성이 뛰어나다.
본 발명은 유기산, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 및 유기 용매를 포함함으로써, 하부 금속막의 손상 없이 실리콘 산화막을 선택적으로 식각할 수 있으며, 경시 안정성도 우수한 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 및 이를 사용하는 실리콘 산화막의 패턴형성 방법에 대한 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
<실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물>
본 발명의 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물은 유기산, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 및 유기 용매를 포함한다.
본 발명에서 “비수계”란, 용매로 물을 실질적으로 사용하지 않는 것을 의미하며, “실질적으로 사용하지 않는다”은 것은 본 발명의 범위, 효과를 벗어나지 않는 한도 내에서 물이 미량 포함되는 경우까지 제외하는 것은 아니라는 의미이다.
본 발명의 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물은 용매로 물을 사용하지 않아, 실리콘 산화막의 하부에 형성되는 금속막(예를 들면, 알루미늄계 금속막)의 손상 없이 실리콘 산화막을 선택적으로 식각할 수 있다.
유기산
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 유기산은 후술하는 본 발명의 알킬암모늄플루오라이드와 반응하여, 실리콘 산화막을 식각하는 불화수소(HF)를 생성시키는 성분이다.
상기 유기산의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20의 카르복시산, 탄소수 1 내지 20의 알킬설폰산 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴설폰산일 수 있으며,
탄소수 1 내지 20의 카르복시산의 보다 구체적인 예를 들면, 아스코르브산(Ascorbic Acid), 아세트산(acetic acid), 부탄산(butanoic acid), 시트르산(citric acid), 포름산(formic acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리콜산(glycolic acid), 말론산(malonic acid), 옥살산(oxalic acid), 펜탄산(pentanoic acid), 설포벤조산(sulfobenzoic acid), 설포석신산(sulfosuccinic acid), 프탈산(phthalic acid), 설포프탈산(sulfophthalic acid), 살리실산(salicylic acid), 설포살리실산(sulfosalicylic acid), 벤조산(benzoic acid), 락트산(lactic acid), 글리세르산(glyceric acid), 석신산(succinic acid), 말산(malic acid), 타르타르산(tartaric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 프로펜산(propenoic acid), 이미노디아세트산(imminodiacetic acid), 카프릴산(caprylic acid) 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid; EDTA), 등을 들 수 있으며,
탄소수 1 내지 20의 알킬설폰산 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴설폰산의 보다 구체적인 예를 들면, 메탄설폰산, 에탄설폰산, 벤젠설폰산, 파라톨루엔셀폰산 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
또한, 상기 유기산은 본 발명에 따른 식각액 조성물의 1% 수용액이 pH 2 내지 pH 7을 만족하도록 선택되는 것이 보다 바람직하다.
상기 유기산의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 1 내지 40중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 30중량%일 수 있다. 또한, 상기 유기산은 본 발명에 따른 식각액 조성물의 1% 수용액이 pH 2 내지 pH 7을 만족하도록 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 범위를 만족하는 경우, 실리콘 산화막에 대한 적정 식각 속도를 나타냄과 동시에, 하부 금속막에 대한 결함을 억제할 수 있다.
탄소수
1 내지 20의
알킬암모늄플루오라이드
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드는 실리콘 산화막을 식각하는 성분으로, 전술한 유기산과의 반응 통해 불화수소(HF)를 생성시켜 효과적으로 실리콘 산화막을 식각할 수 있게 한다.
한편, 무기암모늄플루오라이드를 사용하는 경우, 유기용매 단독으로 용해가 불가능하여, 물을 용매로 사용해야하는데, 이 경우 물에 의해 불화수소(HF)의 활동도가 과도하게 상승하여, 하부 금속막의 과식각을 유발하는 문제가 있었다.
그러나, 본 발명은 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드를 사용함으로써, 하부 금속막의 결함 없이 효과적으로 실리콘 산화막을 식각할 수 있게 한다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 유기산과 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드를 포함함으로써, 불화수소(HF)를 별도로 첨가하지 않게되어 사용상 보다 안전하다.
상기 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 알킬암모늄플루오라이드는 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 테트라부틸암모늄플루오라이드 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 20중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10중량%일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 실리콘 산화막에 대한 적정 식각 속도를 나타냄과 동시에, 하부 금속막에 대한 결함을 억제할 수 있다.
유기 용매
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 유기 용매는 상기 성분들을 용해시킬 수 있는 것으로서, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나,
구체적인 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜 등과 같은 글리콜류;
에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류;
프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류;
디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류;
메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류;
메틸아세테이트, 부틸아세테이트, 프로필아세테이트 등의 알킬아세테이트류;
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 메톡시펜틸아세테이트 등의 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류;
벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소류;
메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류;
에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥사놀, 시클로헥산올, 디아세톤알코올, 테트라퍼퓨릴알코올, 테트라하이드로퍼퓨릴알코올 등의 알코올류;
3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸 등의 에스테르류, γ-부티롤락톤 등의 환상 에스테르류; 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 극성 양성자성 용매가 적합하다.
상기 유기용매의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 50 내지 99중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 70 내지 90중량%일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 적정 식각 속도 및 용해도를 나타낼 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 필요에 따라, 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제의 예를 들면 식각 조절제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제, 계면활성제, pH 조절제 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<패턴형성 방법>
또한, 본 발명은 Ⅰ)기판 상에 금속막을 형성하는 단계; Ⅱ)상기 금속막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; Ⅲ)포토리소그라피 공정으로 상기 실리콘 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 Ⅳ)상기 실리콘 산화막을 본 발명에 따른 식각액 조성물로 식각하는 단계;를 포함하는 실리콘 산화막의 패턴 형성 방법.
상기 금속막의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 알루미늄계 금속막일 수 있으며, 상기 알루미늄계 금속막은 막의 구성 성분 중에 알루미늄(Al)이 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막, 삼중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다.
예컨데, 알루미늄 또는 알루미늄의 합금의 단일막을 포함할 수 있으며, 알루미늄 합금막은 알루미늄(Al)과 함께, 니켈(Ni), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 란타늄(La)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 함유하는 알루미늄 합금 또는 상기 알루미늄 합금의 질화물(예를 들면, TiAlN) 또는 탄화물(예를 들면, TiAlC)로 구성된 알루미늄 합금막을 의미한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
및
비교예
| 구분 (중량%) |
유기산 | 무기산 | 알킬암모늄 플루오라이드 |
암모늄 플루오라이드 |
유기용매 | 탈이온수 | |||||
| 성분 | 함량 | 성분 | 함량 | 성분 | 함량 | 성분 | 함량 | 성분 | 함량 | ||
| 실시예 1 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-1 | 85 | - |
| 실시예 2 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 1 | - | - | E-1 | 89 | - |
| 실시예 3 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 10 | - | - | E-1 | 80 | - |
| 실시예 4 | A-2 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-1 | 85 | - |
| 실시예 5 | A-1 | 10 | - | - | C-2 | 5 | - | - | E-1 | 85 | - |
| 실시예 6 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-2 | 85 | - |
| 실시예 7 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-3 | 85 | - |
| 실시예 8 | A-1 | 40 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-1 | 55 | - |
| 실시예 9 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 20 | - | - | E-1 | 70 | - |
| 실시예10 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | E-4 | 85 | - |
| 비교예 1 | - | - | B-1 | 10 | C-1 | 5 | - | - | E-1 | 85 | - |
| 비교예 2 | - | - | B-2 | 2 | - | - | - | - | E-1 | 98 | - |
| 비교예 3 | A-1 | 10 | - | - | - | - | D-1 | 5 | E-1 | 85 | - |
| 비교예 4 | A-1 | 10 | - | - | - | - | D-2 | 5 | E-1 | 85 | - |
| 비교예 5 | A-1 | 10 | - | - | - | - | D-1 | 3 | E-1 | 57 | 30 |
| 비교예 6 | A-1 | 10 | - | - | C-1 | 5 | - | - | - | - | 5 |
| 비교예 7 | - | - | B-2 | 5 | - | - | - | - | - | - | 95 |
| 비교예 8 | - | - | - | - | - | - | D-1 | 5 | - | - | 95 |
| A-1: 포름산(99%) A-2: 카프릴산(98%) B-1: 황산(96%) B-2: HF(50%) C-1: 테트라부틸암모늄플루오라이드 C-2: 테트라메틸암모늄플루오라이드 D-1: 암모늄플루오라이드 D-2: 암모늄바이플루오라이드 E-1: 에틸렌글리콜 E-2: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 E-3: 테트라하이드로퍼퓨릴알코올 E-4: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(극성 비양성자성 용매) |
|||||||||||
시험방법
1) 실리콘
산화막의
식각
평가
실리콘 산화막의 식각 속도를 측정하기 위해, 실리콘 웨이퍼 상에 2000Å 두께로 증착된 실리콘 산화막을 포함하는 기판을 준비하였다. 상기 기판을 2x2cm 크기로 샘플링하여, 25℃의 항온조에 실시예 및 비교예의 식각액 조성물에 10분 동안 침지시킨 후 건져내었다. 이후에 주사 전자현미경(SEM, Hitachi S-4700)으로 실리콘 산화막의 두께를 확인하여 식각율을 산출하였고, 이를 하기 표 2에 나타내었다.
2)
Al
의
손상정도
평가
알루미늄 막의 손상 정도를 평가하기 위해, 실리콘 웨이퍼 상에 3000Å 두께로 증착된 알루미늄막을 포함하는 기판을 준비하였다. 상기 기판을 2x2cm 크기로 샘플링하여, 25℃의 항온조에 실시예 및 비교예의 식각액 조성물에 5분 동안 침지시킨 후 건져내었다. 이후에 주사 전자현미경(SEM, Hitachi S-4700)으로 알루미늄 막의 두께를 확인하여 하기 기준에 따라 손상 정도를 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
3)
pH
,
색변화
및 용해도 평가(경시 안정성 평가)
상기 실시예 및 비교예의 조성물을 각각 50ml씩 준비하여 pH 미터(메틀러토레도)에 침지하여 측정된 pH 값을 표 2에 표기하였다. 또한 실시예 및 비교예의 용해도 및 색변화를 육안으로 관찰하여 표2에 그 결과를 함께 표기하였다.
<색변화 평가 기준>
○: APHA Color 값이 100 미만
△: APHA Color 값이 100 이상 300 미만
X: APHA Color 값이300 이상
<용해도>
○: 하부의 침전이 발생되지 않으며 투명함
△: 하부에 침전이 발생되지 않으나 용액의 현탁이 발생됨
X: 하부에 침전과 용액의 현탁이 모두 발생됨
| 구분 (중량%) |
실리콘 산화막의 식각속도 (Å/min) |
알루미늄막의 손상평가 (Å/min) |
pH (1% 수용액) |
용해도 | 색변화 |
| 실시예 1 | 11 | 0 | 4.1 | ○ | ○ |
| 실시예 2 | 3 | 0 | 3.6 | ○ | ○ |
| 실시예 3 | 15 | 2 | 4.3 | ○ | ○ |
| 실시예 4 | 10 | 0 | 4.5 | ○ | ○ |
| 실시예 5 | 12 | 0 | 4.0 | ○ | ○ |
| 실시예 6 | 13 | 0 | 4.1 | ○ | ○ |
| 실시예 7 | 14 | 0 | 4.1 | ○ | ○ |
| 실시예 8 | 15 | 2 | 3.2 | ○ | ○ |
| 실시예 9 | 18 | 5 | 4.7 | ○ | ○ |
| 실시예10 | 10 | 0 | 4.0 | △ | ○ |
| 비교예 1 | 15 | 30 | 2.6 | ○ | X |
| 비교예 2 | 50 | 150 | 3.4 | ○ | ○ |
| 비교예 3 | - | - | - | X | ○ |
| 비교예 4 | - | - | - | X | ○ |
| 비교예 5 | 100 | 300 | 4.0 | ○ | ○ |
| 비교예 6 | 50 | 120 | 4.1 | ○ | ○ |
| 비교예 7 | 200> | 600> | 3.2 | ○ | ○ |
| 비교예 8 | 5 | 80 | 6.3 | ○ | ○ |
상기 표 2를 참고하면, 본 발명에 따른 식각액 조성물(실시예 1 내지 10)은 실리콘 산화막을 빠른 속도로 식각함과 동시에 하부 알루미늄막의 손상을 일으키지 않고, 경시 안정성도 뛰어난 것을 확인할 수 있었다.
유기산 대신 무기산을 사용한 비교예 1의 경우, 식각 속도는 실시예와 동등수준을 나타내었으나, 알루미늄막에 결함이 발생하였으며, 조성물의 색변화가 발생하는 등 경시 안정성이 저하된 것을 확인할 수 있었다.
비교예 3 및 4의 경우, 무기암모늄플루오라이드를 사용함으로써, 유기용매로 용해되지 않아, 식각액으로 사용할 수 없었으며, 무기암모늄플루오라이드를 사용하고 용매로 유기용매와 함께 탈이온수를 사용한 비교예 5의 경우, 알루미늄막의 손상 정도가 현저히 증가한 것을 확인할 수 있었다.
Claims (8)
- 유기산, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 및 유기 용매를 포함하고, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기산은 아스코르브산(Ascorbic Acid), 아세트산(acetic acid), 부탄산(butanoic acid), 시트르산(citric acid), 포름산(formic acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리콜산(glycolic acid), 말론산(malonic acid), 옥살산(oxalic acid), 펜탄산(pentanoic acid), 설포벤조산(sulfobenzoic acid), 설포석신산(sulfosuccinic acid), 프탈산(phthalic acid), 설포프탈산(sulfophthalic acid), 살리실산(salicylic acid), 설포살리실산(sulfosalicylic acid), 벤조산(benzoic acid), 락트산(lactic acid), 글리세르산(glyceric acid), 석신산(succinic acid), 말산(malic acid), 타르타르산(tartaric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 프로펜산(propenoic acid), 이미노디아세트산(imminodiacetic acid), 카프릴산(caprylic acid), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid; EDTA), 메탄설폰산, 에탄설폰산, 벤젠설폰산 및 파라톨루엔셀폰산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드는 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드 및 테트라부틸암모늄플루오라이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기 용매는 극성 양성자성 용매인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 유기산 1 내지 40%, 탄소수 1 내지 20의 알킬암모늄플루오라이드 0.1 내지 20중량%, 유기 용매 50 내지 99중량%로 포함되는, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 실리콘 산화막은 그 하부에 금속막이 형성된 것인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- 청구항 6에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄계 금속막인, 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물.
- Ⅰ)기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
Ⅱ)상기 금속막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계;
Ⅲ)포토리소그라피 공정으로 상기 실리콘 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
Ⅳ)상기 실리콘 산화막을 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계;
를 포함하는 실리콘 산화막의 패턴 형성 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140036808A KR102111056B1 (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 |
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| KR1020140036808A KR102111056B1 (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 |
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| KR1020140036808A KR102111056B1 (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 실리콘 산화막용 비수계 식각액 조성물 |
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|---|---|---|---|---|
| US20220372369A1 (en) * | 2020-03-19 | 2022-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Semiconductor processing liquid and method for processing substrate |
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- 2014-03-28 KR KR1020140036808A patent/KR102111056B1/ko active IP Right Grant
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