KR20150092077A - Conductive material, connection structure and method for producing connection structure - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전 재료에 의해 형성된 접속부에 보이드가 발생하기 어렵고, 또한 접속 후의 접속 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고, 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용된다. 도전성 입자(11)는 기재 입자(12)와, 기재 입자(12)의 표면 상에 배치된 도전층(13)을 갖는다. 도전성 입자(11)를 100℃에서 20% 압축 변형했을 때의 압축 탄성률은 500N/mm2 이상 2000N/mm2 이하이다. 도전성 입자(11)의 100℃에서의 압축 회복률은 3% 이상 30% 이하이다.The present invention provides a conductive material which is less susceptible to voids in a connection portion formed by a conductive material and improves connection reliability after connection when the electrodes of the connection target member are electrically connected. The conductive material according to the present invention is used after being heated to a temperature of 120 占 폚 or less without being heated at a temperature exceeding 120 占 폚. The conductive particles 11 have a base particle 12 and a conductive layer 13 disposed on the surface of the base particle 12. When the compression elastic modulus of the conductive particles 11 have in 100 ℃ 20% compressive deformation is 500N / mm 2 more than 2000N / mm 2 or less. The compressive recovery rate of the conductive particles 11 at 100 캜 is 3% or more and 30% or less.

Description

도전 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법{CONDUCTIVE MATERIAL, CONNECTION STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING CONNECTION STRUCTURE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive material, a connection structure, and a method of manufacturing a connection structure,

본 발명은 복수의 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판, 유리 기판, 유리 에폭시 기판, 반도체칩 및 유기 전계 발광 표시 소자용 기판 등의 다양한 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속하기 위해 사용할 수 있고, 특히 유기 전계 발광 표시 소자용 기판의 전극간을 전기적으로 접속하기 위해 적절하게 사용할 수 있는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material comprising a plurality of conductive particles. More specifically, the present invention can be used for electrically connecting electrodes of various connection target members such as a flexible printed substrate, a glass substrate, a glass epoxy substrate, a semiconductor chip and a substrate for an organic electroluminescence display device And more particularly to a conductive material which can be suitably used for electrically connecting electrodes of a substrate for an organic electroluminescence display device. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material and a manufacturing method of the connection structure.

페이스트상 또는 필름상의 도전 재료가 널리 알려져 있다. 해당 도전 재료에서는, 바인더 수지 등에 복수의 도전성 입자가 분산되어 있다. 또한, 도전성 입자를 포함하는 도전 재료는, 유기 전계 발광(이하, 유기 EL이라고 기재하는 경우가 있음) 표시 소자의 전극간의 접속에 사용되는 경우가 있다.Paste or film-like conductive materials are widely known. In the conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin or the like. In addition, the conductive material including conductive particles may be used for connection between electrodes of organic electroluminescence display elements (hereinafter sometimes referred to as organic EL elements) display elements.

상기 유기 EL 표시 소자는, 서로 대응하는 한 쌍의 전극간에 유기 발광 재료층이 끼워진 적층체의 구조를 갖는다. 상기 유기 발광 재료층에 한쪽의 전극으로부터 전자가 주입됨과 함께, 다른 쪽의 전극으로부터 정공이 주입됨으로써, 상기 유기 발광 재료층 내에서 전자와 정공이 결합하여 발광한다. 상기 유기 EL 표시 소자는 자기 발광을 행하므로, 백라이트를 필요로 하는 액정 표시 소자 등과 비교하여 시인성이 좋고, 박형화가 가능하고, 게다가 직류 저전압으로 구동이 가능하다는 이점을 갖는다.The organic EL display element has a laminated structure in which an organic light emitting material layer is sandwiched between a pair of electrodes corresponding to each other. Electrons are injected from one electrode into the organic light-emitting material layer, and holes are injected from the other electrode, whereby electrons and holes combine in the organic light-emitting material layer to emit light. Since the organic EL display device performs self-luminescence, the organic EL display device is advantageous in that visibility is better and thinner than a liquid crystal display device or the like requiring a backlight, and furthermore, driving with a DC low voltage is possible.

상기 유기 EL 표시 소자의 일례로서, 하기의 특허문헌 1의 도 9-A에는, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 기판의 전극과 밀봉 기판의 전극이 접착부에 의해 접착된 유기 EL 소자가 개시되어 있다. 상기 특허문헌 1의 실시예에서는, 상기 접착부를 형성하기 위해서 이방성 도전성 입자를 포함하는 열경화성 에폭시계 접착제를 사용하는 것이 기재되어 있다.As an example of the above-described organic EL display device, an organic EL device in which an electrode of an organic EL substrate having an organic EL element and an electrode of the sealing substrate are adhered to each other by an adhering portion is disclosed in Patent Document 1 . In the embodiment of Patent Document 1, it is described that a thermosetting epoxy adhesive containing anisotropic conductive particles is used to form the adhesive portion.

또한, 상기 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에도 사용되고 있다.The conductive material may be formed by, for example, connecting a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), connecting a semiconductor chip and a flexible printed circuit (COF (Chip on Film)), , Connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and connection between a flexible printed substrate and a glass epoxy board (FOB (Film on Board)).

상기 도전 재료에 의해, 예를 들어 반도체칩의 전극과 유리 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 기판 상에 도전성 입자를 포함하는 도전 재료를 배치한다. 이어서, 반도체칩을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 도전 재료를 경화시키고, 또한 도전성 입자를 통해 전극간을 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the glass substrate are electrically connected by the conductive material, for example, a conductive material containing conductive particles is disposed on the glass substrate. Then, the semiconductor chips are laminated and heated and pressed. Thereby, the conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

상기와 같은 접속 구조체에 사용할 수 있는 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 2에는, 지환식 에폭시 수지와, 디올류와, 에폭시기를 갖는 스티렌계 열가소성 엘라스토머와, 자외선 활성형 양이온 중합 촉매와, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료가 개시되어 있다.As an example of a conductive material that can be used for the above-described connection structure, Patent Document 2 below discloses a resin composition comprising an alicyclic epoxy resin, a diol, a styrenic thermoplastic elastomer having an epoxy group, an ultraviolet active cationic polymerization catalyst, Disclosed is an anisotropic conductive material containing particles.

또한, 하기의 특허문헌 3에는, 양이온 중합 촉매와, 양이온 중합성 유기 재료를 포함하는 조성물에, 구아니딘계 화합물, 티아졸계 화합물, 벤조티아졸계 화합물, 티아졸카르복실산계 화합물, 술펜아미드 화합물, 티오우레아계 화합물, 에틸렌티오요소, 이미다졸계 화합물, 벤즈이미다졸계 화합물 또는 알킬페닐술피드계 화합물을 안정제로서 배합한 양이온 중합성 유기 재료 조성물이 개시되어 있다. 또한, 이 양이온 중합성 유기 재료 조성물은 도전성 입자를 포함하지 않는다.In addition, Patent Document 3 below discloses a method for producing a cationically polymerizable composition which comprises adding a cationic polymerization catalyst and a cationically polymerizable organic material to a composition containing a guanidine compound, a thiazole compound, a benzothiazole compound, a thiazolecarboxylic acid compound, a sulfenamide compound, A cationic polymerizable organic material composition comprising a urea compound, an ethylenethiol compound, an imidazole compound, a benzimidazole compound or an alkylphenyl sulfide compound as a stabilizer is disclosed. Further, the cationic polymerizable organic material composition does not contain conductive particles.

일본 특허 공개 제2009-117214호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-117214 일본 특허 공개 평11-060899호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-060899 일본 특허 공개 평8-283320호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 8-283320

특허문헌 1에 기재된 바와 같은 이방성 도전성 입자를 포함하는 열경화성 에폭시계 접착제를 사용하여 상기 유기 EL 기판의 전극과 상기 밀봉 기판의 전극을 접착부에 의해 접착할 때에, 전극과 이방성 도전성 입자를 충분히 접촉시키기 위해서 이방성 도전성 입자는 압축된다. 그러나, 접착제의 경화 중에 이방성 도전성 입자가 원래의 형상으로 회복하기 쉽고, 이방성 도전성 입자의 반발력에 의해 전극간의 간격이 확대되어, 상기 접착부에 보이드가 발생하는 경우가 있다. 또한, 접착 후에, 유기 EL 기판 및 밀봉 기판이, 상기 접착부에 의해 견고하게 접착되지 않는 경우가 있다.When an electrode of the organic EL substrate and an electrode of the sealing substrate are adhered to each other with a bonding portion by using a thermosetting epoxy adhesive containing anisotropic conductive particles as described in Patent Document 1, The anisotropic conductive particles are compressed. However, during the curing of the adhesive, the anisotropic conductive particles tend to recover to their original shape, and the gap between the electrodes is enlarged due to the repulsive force of the anisotropic conductive particles, thereby causing voids in the adhered portion. Further, after the bonding, the organic EL substrate and the sealing substrate may not be firmly adhered by the bonding portion.

특허문헌 2, 3에 기재된 바와 같은 도전 재료를 사용하여 각종 접속 구조체를 얻은 경우에도, 접속 대상 부재가 도전 재료의 경화물에 의해 견고하게 접착되지 않는 경우가 있다. 특히, 특허문헌 2, 3에 기재된 바와 같은 도전 재료에서는, 경화 온도가 낮아지면 접착성을 충분히 높이는 것이 곤란하다.There is a case where the connection target member is not firmly adhered by the cured product of the conductive material even when various kinds of connection structures are obtained by using the conductive material as described in Patent Documents 2 and 3. [ Particularly, in the conductive materials described in Patent Documents 2 and 3, it is difficult to sufficiently increase the adhesiveness when the curing temperature is lowered.

또한, 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 양이온 중합 촉매를 포함하는 종래의 이방성 도전 재료가 장기간 보관되면, 경화성이 변화하는 경우가 있다. 즉, 양이온 중합 촉매를 포함하는 종래의 이방성 도전 재료에서는, 보존 안정성이 낮은 경우가 있다.Further, when the conventional anisotropic conductive material containing a cationic polymerization catalyst as described in Patent Document 2 is stored for a long period of time, the curability may change. That is, in a conventional anisotropic conductive material including a cationic polymerization catalyst, storage stability may be low.

또한, 양이온 중합 촉매를 포함하는 종래의 이방성 도전 재료에서는, 도전성 입자의 도전부의 부식이 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 이로 인해, 전극간의 도통 신뢰성이 낮아지는 경우가 있다.In addition, in the conventional anisotropic conductive material including a cationic polymerization catalyst, there is a problem that corrosion of the conductive part of the conductive particles tends to occur. As a result, the reliability of conduction between the electrodes may be lowered.

본 발명의 목적은, 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전 재료에 의해 형성된 접속부에 보이드가 발생하기 어렵고, 또한 접속 후의 접속 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료, 및 해당 도전 재료를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a conductive material which is hard to generate voids in a connection portion formed by a conductive material and can improve connection reliability after connection when the electrodes of the connection target member are electrically connected, And a method of manufacturing the connection structure.

본 발명의 한정적인 목적은, 양이온 발생제를 사용하고 있음에도 불구하고, 보존 안정성이 우수하고, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료, 및 해당 도전 재료를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.A limiting object of the present invention is to provide a conductive material which is excellent in storage stability and can improve the reliability of the conduction between the electrodes when the electrodes are electrically connected to each other, And a method of manufacturing the connection structure.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용되는 도전 재료이며, 경화성 성분과, 도전성 입자를 포함하고, 상기 도전성 입자가 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 갖고, 상기 도전성 입자를 100℃에서 20% 압축 변형했을 때의 압축 탄성률이 500N/mm2 이상 2000N/mm2 이하이고, 상기 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률이 3% 이상 30% 이하인, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material used by being cured by heating at a temperature of 120 DEG C or lower without heating at a temperature exceeding 120 DEG C, wherein the conductive material comprises a curable component and conductive particles, and, having a conductive layer disposed on the base particle surface, the compression elastic modulus when in the 100 ℃ 20% compressive deformation of the conductive particles 500N / mm 2 more than 2000N / mm 2 or less, and 100 of the conductive particles Lt; RTI ID = 0.0 > 30 C, < / RTI >

본 발명에 따른 도전 재료는, 유기 전계 발광 표시 소자에서의 전극의 전기적인 접속에 적절하게 사용된다.The conductive material according to the present invention is suitably used for electrical connection of electrodes in organic electroluminescence display devices.

본 발명에 따른 도전 재료는, 유기 전계 발광 소자를 구비하는 유기 전계 발광 기판의 전극과, 밀봉 기판의 전극과의 전기적인 접속에 적절하게 사용된다.The conductive material according to the present invention is suitably used for electrical connection between the electrode of the organic electroluminescence substrate having the organic electroluminescence device and the electrode of the sealing substrate.

본 발명에 따른 도전 재료의 어떤 한 특정한 국면에서는, 해당 도전 재료는 무기 충전재를 더 포함한다.In one particular aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material further comprises an inorganic filler.

본 발명에 따른 도전 재료의 어떤 한 특정한 국면에서는, 해당 도전 재료는 무기 충전재와 유기 입자를 더 포함한다.In one particular aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material further comprises an inorganic filler and organic particles.

본 발명에 따른 도전 재료의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 경화성 성분이 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함한다.In one particular aspect of the conductive material according to the present invention, the curable component comprises a curable compound and a cation generator.

본 발명에 따른 도전 재료의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료가 아민 화합물을 더 포함하고, 상기 아민 화합물이 방향족환을 갖는 제1급 아민이며, 상기 경화성 성분이 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함한다.In one particular aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material further comprises an amine compound, the amine compound is a primary amine having an aromatic ring, and the curing component includes a curing compound and a cation generator do.

본 발명에 따른 도전 재료의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 경화성 화합물이 23℃에서 액상인 에폭시 화합물과, 23℃에서 고체인 에폭시 화합물을 포함한다.In one particular aspect of the conductive material according to the present invention, the curable compound comprises an epoxy compound which is liquid at 23 占 폚 and an epoxy compound which is solid at 23 占 폚.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부가, 상술한 도전 재료를 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화시켜서 형성되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a connector comprising a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion electrically connecting the first and second connection target members, Is formed by heating to a temperature of 120 占 폚 or less without heating to a temperature exceeding 120 占 폚.

본 발명에 따른 접속 구조체의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 제1 접속 대상 부재가 표면에 제1 전극을 갖고, 상기 제2 접속 대상 부재가 표면에 제2 전극을 갖고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있다.In one specific aspect of the connection structure according to the present invention, the first connection target member has a first electrode on its surface, the second connection target member has a second electrode on its surface, And the two electrodes are electrically connected by the conductive particles.

본 발명에 따른 접속 구조체의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판이다.In one specific aspect of the connection structure according to the present invention, the first and second connection target members are substrates for an organic light emitting display device.

본 발명에 따른 접속 구조체의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 소자를 구비하는 유기 전계 발광 기판과 밀봉 기판이다.In one specific aspect of the connection structure according to the present invention, the first connection target member and the second connection target member are an organic electroluminescence substrate and a sealing substrate having organic electroluminescence devices.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 접속 구조체의 제조 방법으로서, 상기 제1 접속 대상 부재의 표면에 상기 도전 재료에 의해 도전 재료층을 배치하는 공정과, 상기 도전 재료층의 상기 제1 접속 대상 부재측과 반대측의 표면에 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정과, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 상기 도전 재료층을 경화시켜서, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a manufacturing method of the above-described connection structure, comprising the steps of: disposing a conductive material layer on the surface of the first connection target member by the conductive material; Placing the second connection target member on the surface opposite to the member side; and curing the conductive material layer by heating to a temperature of 120 DEG C or less without heating at a temperature exceeding 120 DEG C, And a step of forming a connection portion electrically connecting the two connection target members.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법의 어떤 한 특정한 국면에서는, 상기 접속 구조체의 제조 방법은, 유기 전계 발광 표시 소자인 접속 구조체의 제조 방법으로서, 상기 제1 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제1 기판이며, 상기 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제2 기판이며, 상기 접속 구조체의 제조 방법은, 상기 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제1 기판의 표면에 상기 도전 재료에 의해 도전 재료층을 배치하는 공정과, 상기 도전 재료층의 상기 제1 기판측과는 반대측의 표면에 상기 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제2 기판을 배치하는 공정과, 상기 도전 재료층에 광을 조사하고, 또한 상기 도전 재료층을 120℃ 이하의 온도로 가열하여, 상기 도전 재료층을 광경화 및 열경화시켜서, 상기 제1, 제2 기판을 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비한다.In one specific aspect of the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, the manufacturing method of the connection structure is a manufacturing method of a connection structure which is an organic electroluminescence display device, And the second connection target member is a second substrate that is a substrate for an organic electroluminescence display element, and the manufacturing method of the connection structure is a step of forming a connection structure on the surface of the first substrate which is the substrate for the organic electroluminescence display element A step of disposing a conductive material layer by the conductive material; a step of disposing a second substrate, which is a substrate for the organic electroluminescence display element, on a surface of the conductive material layer opposite to the first substrate side; Irradiating light to the material layer and heating the conductive material layer to a temperature of 120 DEG C or less to cure and thermally cure the conductive material layer, And a step of forming a connecting portion that is connected to the second substrate electrically.

본 발명에 따른 도전 재료는, 경화성 성분과 도전성 입자를 포함하고, 또한 상기 도전성 입자를 100℃에서 20% 압축 변형했을 때의 압축 탄성률이 500N/mm2 이상 2000N/mm2 이하이고, 상기 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률이 3% 이상 30% 이하이므로, 상기 도전 재료를 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화시켜서, 도전 재료에 포함되어 있는 도전성 입자에 의해 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전 재료에 의해 형성된 접속부에 보이드를 발생시키기 어렵게 할 수 있다. 또한, 접속 후의 접속 신뢰성을 높일 수 있다.Conductive material according to the present invention, and contains a curable component and conductive particles, and further compression elastic modulus when in the 100 ℃ 20% compressive deformation of the conductive particles 500N / mm 2 more than 2000N / mm 2 or less, the conductive particles , The compression recovery rate at 100 캜 is 3% or more and 30% or less. Therefore, the conductive material is heated to a temperature of 120 캜 or less without being heated to a temperature exceeding 120 캜 and cured to form conductive particles It is possible to make it difficult to generate voids in the connection portion formed by the conductive material when the electrodes are electrically connected to each other. In addition, connection reliability after connection can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 얻는 각 공정을 설명하기 위한 정면 단면도이다.
도 3은 도전성 입자의 일례를 도시하는 단면도이다.
1 is a front sectional view schematically showing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (c) are front sectional views for explaining respective steps of obtaining a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing an example of conductive particles.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 도전 재료는, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용된다. 본 발명에 따른 도전 재료는 경화성 성분과, 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자를 100℃에서 20% 압축 변형했을 때의 압축 탄성률(이하, 20% K값이라고 기재하는 경우가 있음)은, 500N/mm2 이상 2000N/mm2 이하이다. 상기 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률은 3% 이상 30% 이하이다.The conductive material according to the present invention is used after being heated to a temperature of 120 占 폚 or less without being heated at a temperature exceeding 120 占 폚. The conductive material according to the present invention includes a curable component and conductive particles. (In the case of described as below, 20% K value) of the compression elastic modulus when in the 100 ℃ 20% compressive deformation of the conductive particles is, 500N / mm 2 is at least 2000N / mm 2 or less. The compressive recovery rate of the conductive particles at 100 캜 is 3% or more and 30% or less.

본 발명에 따른 도전 재료가 상술한 구성을 가짐으로써, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 상기 도전 재료를 경화시켜서, 상기 도전 재료에 포함되어 있는 도전성 입자에 의해 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전 재료에 의해 형성된 접속부에 보이드를 발생시키기 어렵게 할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 유기 전계 발광(유기 EL) 표시 소자의 전극을 전기적으로 접속하기 위해 본 발명에 따른 도전 재료를 사용한 경우에, 압축 변형된 도전성 입자의 반발력이 그다지 크지 않으므로, 보이드가 발생하기 어려워진다. 보이드가 발생하기 어려워지는 결과, 전극간의 접속 저항이 낮아진다. 또한, 전극과 도전성 입자의 접촉 면적이 커짐에 따라서도, 전극간의 접속 저항이 낮아진다. 또한, 상기 접속 대상 부재를 상기 접속부에 의해 견고하게 접착시킬 수 있다. 이로 인해, 유기 EL 표시 소자에서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive material according to the present invention has the above-described structure, and the conductive material is cured by heating to a temperature of not higher than 120 캜 without heating at a temperature exceeding 120 캜. By the conductive particles contained in the conductive material It is possible to make it difficult to generate voids in the connection portion formed by the conductive material when the electrodes of the connection target member are electrically connected. Specifically, for example, when the conductive material according to the present invention is used for electrically connecting electrodes of an organic electroluminescence (organic EL) display element, the repulsive force of the compressively deformed conductive particles is not so large, . As a result, the connection resistance between the electrodes becomes low. Also, as the contact area between the electrode and the conductive particle becomes larger, the connection resistance between the electrodes becomes lower. Further, the connection target member can be securely bonded by the connection portion. As a result, conduction reliability and connection reliability in the organic EL display device can be improved.

상기 도전성 입자의 20% K값 및 상기 도전성 입자의 압축 회복률의 값을 100℃로 설정한 것은, 본 발명에 따른 도전 재료는 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용되고, 바람직하게는 60℃ 이상 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용되고, 더욱 바람직하게는 100℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용되기 때문이다. 100℃에서의 상기 20% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간에서 도전성 입자가 상기 도전 재료의 열경화 시에 적절하게 압축 변형되어, 전극과 도전성 입자와의 접촉 면적이 커지고, 압축 변형된 도전성 입자에 의한 반발력이 작아진다. 상기 20% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하인 것은, 보이드 발생의 억제 및 전극간의 접속 저항의 저감에 크게 기여한다. 상기 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하인 것도, 보이드 발생의 억제 및 전극간의 접속 저항의 저감에 크게 기여한다. 또한, 상기 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하인 것은, 상기 접속 대상 부재를 상기 접속부에 의해 견고하게 접착시키는 것에 크게 기여한다.The 20% K value of the conductive particles and the compression recovery rate of the conductive particles are set at 100 DEG C because the conductive material according to the present invention is cured by heating to a temperature of 120 DEG C or lower and is preferably used at 60 DEG C or higher It is used by being heated and cured at a temperature of 120 ° C or lower, more preferably at a temperature of 100 ° C or lower and cured. When the 20% K value at 100 占 폚 is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conductive particles are suitably compressively deformed at the time of thermal curing of the conductive material between the electrodes to increase the contact area between the electrodes and the conductive particles, The repulsive force by the compressively deformed conductive particles becomes small. When the value of 20% K is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, it contributes greatly to the suppression of void generation and the reduction of the connection resistance between the electrodes. The compressive recovery rate above the lower limit and above the upper limit also contributes greatly to the suppression of void generation and the reduction of the connection resistance between the electrodes. In addition, the compression recovery rate is not less than the lower limit and not more than the upper limit, contributing greatly to firmly adhering the connection target member by the connection portion.

또한, 본 발명에 따른 도전 재료는 무기 충전재를 더 포함하는 것이 바람직하다. 무기 충전재의 사용에 의해 경화물의 내습성이 높아진다.Further, it is preferable that the conductive material according to the present invention further comprises an inorganic filler. Moisture resistance of the cured product is increased by the use of an inorganic filler.

또한, 본 발명에 따른 도전 재료는 무기 충전재와, 유기 입자를 더 포함하는 것이 보다 바람직하다. 종래의 도전 재료에서는, 경화 중에 도전 재료의 점도가 너무 낮아져서, 도전 재료가 과도하게 유동하는 경우가 있다. 이로 인해, 특정한 영역에 도전 재료를 배치할 수 없는 경우가 있고, 나아가 접속되어서는 안되는 인접하는 전극간이 복수의 도전성 입자를 통해 전기적으로 접속되는 경우가 있다. 이에 반해, 상기 도전 재료가 경화성 성분과, 무기 충전재와, 유기 입자와, 도전성 입자를 포함하는 경우에는, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화시켰을 때에, 접속 대상 부재 상에 배치된 도전 재료가 크게 유동하기 어려워져, 도전 재료에 의해 형성된 접속부 및 도전성 입자를 고정밀도로 특정한 영역에 배치하는 것이 가능해진다. 또한, 접속되어서는 안되는 인접하는 전극간이 복수의 도전성 입자를 통해 전기적으로 접속되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 얻어지는 접속 구조체의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 도전 재료의 경화물이 접속 대상 부재의 표면에 과도하게 번져나가기 어려워져, 얻어지는 접속 구조체에 보이드를 보다 한층 발생시키기 어렵게 할 수 있다.Further, it is more preferable that the conductive material according to the present invention further comprises an inorganic filler and organic particles. In conventional conductive materials, the viscosity of the conductive material during curing becomes too low, and the conductive material sometimes flows excessively. As a result, the conductive material may not be placed in a specific region, and further, adjacent electrodes that should not be connected may be electrically connected through a plurality of conductive particles. On the contrary, when the conductive material includes the curable component, the inorganic filler, the organic particles and the conductive particles, when the conductive material is heated to a temperature of 120 ° C or less and not cured at a temperature exceeding 120 ° C, The conductive material disposed on the object member hardly flows largely, and the connecting portion formed by the conductive material and the conductive particles can be arranged with high accuracy in a specific region. In addition, it is possible to inhibit electrical connection between adjacent electrodes, which should not be connected, through a plurality of conductive particles. As a result, the conduction reliability of the resulting connection structure can be improved. Further, the cured product of the conductive material hardly spreads excessively on the surface of the connection target member, making it more difficult to generate voids in the resulting connection structure.

또한, 상기 도전 재료가, 경화성 성분과, 무기 충전재와, 유기 입자와, 도전성 입자를 포함하는 경우에는, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화시켰을 때에, 도전 재료에 의해 형성된 접속부에 의한 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 유기 전계 발광(유기 EL) 표시 소자의 전극을 전기적으로 접속하기 위해 상기 도전 재료를 사용한 경우에, 도전 재료의 경화 중에 도전 재료의 점도가 너무 낮아지지 않기 때문에, 상기 접속부를 소정의 위치에 배치할 수 있다. 또한, 도전 재료의 경화물이 접속 대상 부재의 표면에 과도하게 번져나가기 어려워져, 얻어지는 접속 구조체에 보이드를 보다 한층 발생시키기 어렵게 할 수 있다. 이로 인해, 유기 EL 표시 소자에서의 접속 구조체의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있고, 유기 EL 표시 소자의 동작 불량이 발생하기 어렵게 할 수 있다.When the conductive material contains a curable component, an inorganic filler, organic particles and conductive particles, when the conductive material is cured by heating to a temperature of 120 ° C or lower without heating at a temperature exceeding 120 ° C, The contamination by the connecting portion formed by the material can be effectively suppressed. Specifically, for example, when the conductive material is used for electrically connecting the electrodes of the organic electroluminescence (organic EL) display element, since the viscosity of the conductive material during curing of the conductive material is not too low, Can be arranged at a predetermined position. Further, the cured product of the conductive material hardly spreads excessively on the surface of the connection target member, making it more difficult to generate voids in the resulting connection structure. As a result, the conduction reliability of the connection structure in the organic EL display device can be effectively increased, and the operation failure of the organic EL display device can be made less likely to occur.

또한, 상기 도전 재료가, 경화성 성분과, 무기 충전재와, 유기 입자와, 도전성 입자를 포함하는 경우에는, 경화물의 내습성이 보다 한층 높아진다.Further, when the conductive material includes a curable component, an inorganic filler, organic particles, and conductive particles, moisture resistance of the cured product is further increased.

보이드의 발생을 보다 한층 억제하고, 전극간의 접속 저항을 보다 한층 낮게 하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 100℃에서의 상기 20% K값은, 바람직하게는 700N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 1000N/mm2 이상, 바람직하게는 1650N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 1500N/mm2 이하이다.From the viewpoint of further suppressing the generation of voids and further decreasing the connection resistance between the electrodes, the 20% K value at 100 캜 of the conductive particles is preferably 700 N / mm 2 or more, more preferably 1000 N / mm 2 or higher, preferably 1650N / mm 2, more preferably at most 1500N / mm 2 or less.

상기 압축 탄성률(20% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression modulus (20% K value) can be measured as follows.

미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 100℃로, 압축 속도 2.6mN/초, 및 최대 시험 하중 10gf의 조건 하에서 도전성 입자를 압축한다. 이때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 상기 압축 탄성률을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The conductive particles are compressed at 100 캜 at a compression rate of 2.6 mN / sec and a maximum test load of 10 gf at the smooth indenter end face of a cylindrical column (diameter 50 탆, made of diamond) using a micro compression tester. At this time, the load value N and the compression displacement (mm) are measured. From the obtained measured values, the above-described compressive modulus can be obtained by the following formula. As the micro-compression tester, for example, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Company is used.

K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S -3/2 · R -1/2

F: 도전성 입자가 20% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: load value (N) when the conductive particles are compressively deformed by 20%

S: 도전성 입자가 20% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compressive displacement (mm) when the conductive particles are compressively deformed by 20%

R: 도전성 입자의 반경(mm)R: radius of conductive particle (mm)

상기 압축 탄성률은, 도전성 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 도전성 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus shows the hardness of the conductive particles in a universal and quantitative manner. By using the compressive elastic modulus, the hardness of the conductive particles can be quantitatively and univocally expressed.

보이드의 발생을 보다 한층 억제하고, 접속부에 의한 접착성을 보다 한층 높이고, 또한 전극간의 접속 저항을 보다 한층 낮게 하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률은, 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 8% 이상, 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 17% 이하이다.From the viewpoint of further suppressing the occurrence of voids and further increasing the adhesiveness by the connecting portion and further lowering the connection resistance between the electrodes, the compression recovery rate at 100 deg. C of the conductive particles is preferably 5% or more , More preferably not less than 8%, preferably not more than 20%, more preferably not more than 17%.

상기 압축 회복률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate can be measured as follows.

시료대 위에 도전성 입자를 살포한다. 살포된 도전성 입자 1개에 대해서, 미소 압축 시험기를 사용하여, 100℃에서, 도전성 입자의 중심 방향으로, 도전성 입자가 30% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 하중 제거를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하여, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.Spread the conductive particles on the sample stand. (Reversed load value) is applied to the spread conductive particles until the conductive particles are 30% compressively deformed at 100 ° C in the center direction of the conductive particles, using a micro compression tester. Thereafter, the load is removed to the original point load value (0.40 mN). And the compression-recovery rate can be obtained from the following equation by measuring the load-compression displacement between them. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro-compression tester, for example, "Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Company is used.

압축 회복률(%)=[(L1-L2)/L1]×100Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] 100

L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compressive displacement from the original point load value to the reverse load value when the load is applied

L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 하중 제거 변위L2: Load removal displacement from the inverse load value to the original point load value when releasing the load

본 발명에 따른 도전 재료를 경화시키는 방법으로서는, 도전 재료를 가열하는 방법, 도전 재료에 광을 조사한 후 도전 재료를 가열하는 방법, 및 도전 재료를 가열한 후 도전 재료에 광을 조사하는 방법을 들 수 있다. 또한, 광경화의 속도 및 열경화의 속도가 상이한 경우 등에는, 광의 조사와 가열을 동시에 행할 수도 있다. 그 중에서도, 도전 재료에 광을 조사한 후, 도전 재료를 가열하는 방법이 바람직하다. 광경화와 열경화의 병용에 의해, 도전 재료를 단시간에 경화시킬 수 있다. 또한, 광경화와 열경화의 병용에 의해, 저온의 가열으로도 경화성이 보다 한층 양호해진다. 본 발명에 따른 도전 재료를 경화시킬 때에는, 적어도 가열이 행하여진다. 즉, 본 발명에 따른 도전 재료는 열경화되어 사용된다.Examples of the method of curing the conductive material according to the present invention include a method of heating the conductive material, a method of heating the conductive material after the light is irradiated to the conductive material, and a method of irradiating the conductive material with light after heating the conductive material . In the case where the speed of photo-curing and the speed of thermal curing are different, light irradiation and heating may be performed at the same time. Among them, a method of heating the conductive material after irradiating the conductive material with light is preferable. The conductive material can be cured in a short time by the combination of photo-curing and thermal curing. In addition, the combination of photo-curing and thermal curing improves the curability even by heating at a low temperature. When curing the conductive material according to the present invention, at least heating is performed. That is, the conductive material according to the present invention is thermally cured.

상기 도전 재료는, 상기 경화성 성분으로서 경화제를 포함한다. 상기 도전 재료는, 상기 경화제로서 양이온 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 경화성 성분은, 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명자들은, 양이온 발생제를 사용함으로써 양이온 발생제 이외의 열경화제(이미다졸 화합물 등)를 사용한 경우에 비해, 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있음을 알아내었다.The conductive material includes a curing agent as the curing component. It is preferable that the conductive material includes a cation generating agent as the curing agent. The curable component preferably includes a curable compound and a cation generator. The inventors of the present invention have found that the use of a cation generating agent can effectively improve conduction reliability as compared with the case where a thermosetting agent other than the cation generating agent (imidazole compound or the like) is used.

또한, 본 발명에 따른 도전 재료는, 아민 화합물을 포함하고, 상기 아민 화합물이 방향족환을 갖는 제1급 아민이며, 상기 경화성 성분이 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 양이온 발생제를 포함하는 종래의 도전 재료가 장기간 보관되면, 경화성이 변화하는 경우가 있다. 즉, 양이온 발생제를 포함하는 종래의 도전 재료에서는, 보존 안정성이 낮은 경우가 있다. 또한, 양이온 발생제를 포함하는 종래의 도전 재료에서는, 도전성 입자의 도전부의 부식이 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 이로 인해, 전극간의 도통 신뢰성이 낮아지는 경우가 있다. 이에 반해, 상기 도전 재료가 경화성 화합물과, 양이온 발생제와, 아민 화합물과, 도전성 입자를 포함하고, 상기 아민 화합물이 방향족환을 갖는 제1급 아민일 경우에는, 양이온 발생제를 사용하고 있음에도 불구하고 도전 재료의 보존 안정성을 높일 수 있고, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.Further, it is preferable that the conductive material according to the present invention includes an amine compound, the amine compound is a primary amine having an aromatic ring, and the curing component includes a curing compound and a cation generator. If the conventional conductive material containing the cation generator is stored for a long period of time, the curability may change. That is, in a conventional conductive material containing a cation generating agent, the storage stability may be low. In addition, in the conventional conductive material containing a cation generating agent, there is a problem that corrosion of the conductive part of the conductive particles tends to occur. As a result, the reliability of conduction between the electrodes may be lowered. On the other hand, when the conductive material contains a curable compound, a cation generating agent, an amine compound, and conductive particles, and the amine compound is a primary amine having an aromatic ring, The storage stability of the conductive material can be enhanced, and the reliability of conduction between the electrodes can be effectively increased when the electrodes are electrically connected.

상기 도전 재료가, 경화성 화합물과, 양이온 발생제와, 아민 화합물과, 도전성 입자를 포함하고, 상기 아민 화합물이 방향족환을 갖는 제1급 아민인 경우에는, 특히 상기 양이온 발생제와 상기 방향족환을 갖는 제1급 아민을 사용함으로써, 양이온 발생제를 사용하고 있음에도 불구하고 도전 재료의 보존 안정성이 상당히 높아진다. 본 발명에 따른 도전 재료에서는, 장기간 보관되어도 경화성이 변화하기 어렵다. 그 결과, 도전 재료에 의해 접착된 접속 대상 부재의 접착성이 보다 한층 높아진다. 또한, 상기 도전 재료에서는, 양이온 발생제를 사용하고 있음에도 불구하고, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.When the conductive material comprises a curing compound, a cation generating agent, an amine compound, and conductive particles, and when the amine compound is a primary amine having an aromatic ring, the cation generating agent and the aromatic ring The storage stability of the conductive material is considerably increased even though the cation generating agent is used. The conductive material according to the present invention hardly changes in curability even when stored for a long period of time. As a result, the adhesiveness of the connection target member bonded by the conductive material is further enhanced. In addition, in the above-described conductive material, although the cation generating agent is used, the reliability of conduction between the electrodes can be improved when the electrodes are electrically connected.

또한, 본 발명자들은, 상기 방향족환을 갖는 제1급 아민을 사용함으로써, 방향족환을 갖지 않는 아민 화합물을 사용하거나, 제1급 아민 이외의 아민 화합물을 사용하거나 한 경우에 비해, 양이온 발생제를 포함하는 도전 재료에 있어서, 도전 재료의 보존 안정성 및 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있음을 알아내었다.The present inventors have also found that the use of an amine compound having no aromatic ring or the use of an amine compound other than a primary amine makes it possible to use a cation generator The storage stability of the conductive material and the reliability of the conduction between the electrodes can be improved.

상기 경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(열경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물)일 수도 있고, 광의 조사에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(광경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물)일 수도 있다. 상기 경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(열경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물)인 것이 바람직하다.The curable compound may be a curable compound (a thermosetting compound, a light and a thermosetting compound) that can be cured by heating, or a curable compound (a photo-curable compound or a light and a thermosetting compound) that can be cured by irradiation of light. The curable compound is preferably a curable compound (a thermosetting compound or a light and a thermosetting compound) that can be cured by heating.

상기 도전 재료는 가열에 의해 경화 가능한 도전 재료이며, 상기 경화성 화합물로서, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(열경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물)을 포함하고 있을 수도 있다. 해당 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물은, 광의 조사에 의해 경화하지 않는 경화성 화합물(열경화성 화합물)일 수도 있고, 광의 조사와 가열의 양쪽에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(광 및 열경화성 화합물)일 수도 있다.The conductive material is a conductive material that can be cured by heating, and the curable compound may include a curable compound (a thermosetting compound or a light and a thermosetting compound) that can be cured by heating. The curable compound that can be cured by the heating may be a curable compound (a thermosetting compound) that does not cure upon irradiation with light, or a curable compound (a light and a thermosetting compound) that can be cured by irradiation of light and heating.

또한, 상기 도전 재료는, 광의 조사와 가열의 양쪽에 의해 경화 가능한 도전 재료이며, 상기 경화성 화합물로서, 광의 조사에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(광경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물)을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 광의 조사에 의해 도전 재료를 반경화(B 스테이지화)시켜, 도전 재료의 유동성을 저하시킨 후, 가열에 의해 도전 재료를 경화시킬 수 있다. 반경화에서는, 도전 재료의 경화를 진행시키지만, 도전 재료를 완전히 경화시키지 않는다. 상기 광의 조사에 의해 경화 가능한 경화성 화합물은, 가열에 의해 경화하지 않는 경화성 화합물(광경화성 화합물)일 수도 있고, 광의 조사와 가열의 양쪽에 의해 경화 가능한 경화성 화합물(광 및 열경화성 화합물)일 수도 있다.The conductive material is preferably a conductive material that can be cured by both light irradiation and heating, and further includes a curable compound (photo-curable compound or photo-curable and thermosetting compound) that can be cured by irradiation with light desirable. In this case, after the conductive material is semi-cured (B-staged) by irradiation of light to lower the fluidity of the conductive material, the conductive material can be cured by heating. In semi-curing, the curing of the conductive material is promoted, but the conductive material is not completely cured. The curable compound that can be cured by irradiation of light may be a curable compound (photo-curable compound) that does not cure by heating, or a curable compound (photo-curable and thermosetting compound) that can be cured by both light irradiation and heating.

본 발명에 따른 도전 재료에 사용 가능한 상기 양이온 발생제는, 가열에 의해 양이온을 발생하는 양이온 발생제(열 양이온 발생제, 또는 광 및 열 양이온 발생제)일 수도 있고, 광의 조사에 의해 양이온을 발생하는 광 양이온 발생제(광 양이온 발생제, 또는 광 및 열 양이온 발생제)일 수도 있다. 상기 양이온 발생제는, 가열에 의해 양이온을 발생하는 양이온 발생제(열 양이온 발생제, 또는 광 및 열 양이온 발생제)인 것이 바람직하다. 상기 양이온 발생제의 작용에 의해 상기 도전 재료를 열경화시키는 것이 바람직하다. 상기 양이온 발생제의 작용에 의해 상기 도전 재료를 광경화시키고, 또한 상기 양이온 발생제의 작용에 의해 상기 도전 재료를 열경화시켜도 된다.The cation generating agent usable in the conductive material according to the present invention may be a cation generating agent (a thermal cation generating agent or a light and thermal cation generating agent) which generates a cation by heating, and may generate a cation (A photo cation generator, or a photo- and thermal cation generator). The cation generating agent is preferably a cation generating agent (a thermal cation generating agent or a photo- and thermal cation generating agent) that generates a cation by heating. It is preferable that the conductive material is thermally cured by the action of the cation generating agent. The conductive material may be photo-cured by the action of the cation generating agent and the conductive material may be thermally cured by the action of the cation generating agent.

본 발명에 따른 도전 재료는 광경화 개시제를 포함하고 있을 수도 있다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 상기 광경화 개시제로서, 광 라디칼 발생제를 포함하는 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention may contain a photocuring initiator. The conductive material according to the present invention preferably contains a photo-radical generator as the photo-curing initiator.

상기 도전 재료는, 상기 경화성 화합물로서 열경화성 화합물을 포함하고, 광경화성 화합물, 또는 광 및 열경화성 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 상기 경화성 화합물로서, 열경화성 화합물과 광경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the conductive material includes a thermosetting compound as the curing compound, and further includes a photo-curing compound, or a photo-curing and a thermosetting compound. It is preferable that the conductive material includes a thermosetting compound and a photo-curable compound as the curable compound.

이하, 본 발명에 따른 도전 재료에 적절하게 사용되는 각 성분의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of each component suitably used for the conductive material according to the present invention will be described.

(경화성 화합물)(Curable compound)

상기 도전 재료에 포함되어 있는 경화성 화합물은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물로서, 종래 공지된 경화성 화합물이 사용 가능하다. 상기 경화성 화합물은 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The curing compound contained in the conductive material is not particularly limited. As the curable compound, conventionally known curable compounds can be used. The curable compound may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화성 화합물은 에폭시기를 갖는 경화성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시기를 갖는 경화성 화합물은 에폭시 화합물이다. 상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물은 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The curable compound preferably contains a curable compound having an epoxy group. The curable compound having an epoxy group is an epoxy compound. The curing compound having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물은 방향족환을 갖는 것이 바람직하다. 상기 방향족환으로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 테트라센환, 크리센환, 트리페닐렌환, 테트라펜환, 피렌환, 펜타센환, 피센환 및 페릴렌환 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 방향족환은 벤젠환, 나프탈렌환 또는 안트라센환인 것이 바람직하고, 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 보다 바람직하고, 나프탈렌환인 것이 더욱 바람직하다. 나프탈렌환은, 평면 구조를 갖기 때문에 보다 한층 빠르게 경화시키는 것이 가능하다.The curable compound having an epoxy group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a tetracene ring, a chrysene ring, a triphenylene ring, a tetrapentane ring, a pyrene ring, a pentacene ring, a piperazine ring and a perylene ring. Among them, the aromatic ring is preferably a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring, more preferably a benzene ring or a naphthalene ring, and even more preferably a naphthalene ring. Since the naphthalene ring has a planar structure, it can be cured more quickly.

상기 도전 재료의 경화성을 높이는 관점에서는, 상기 경화성 화합물의 전체 100중량% 중 상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 20중량% 이상, 100중량% 이하이다. 상기 경화성 화합물의 전량이 상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물일 수도 있다. 상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물과 해당 에폭시기를 갖는 경화성 화합물은 상이한 다른 경화성 화합물을 병용하는 경우에는, 상기 경화성 화합물의 전체 100중량% 중 상기 에폭시기를 갖는 경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 95중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다.From the viewpoint of enhancing the curability of the conductive material, the content of the curing compound having the epoxy group in 100% by weight of the total amount of the curable compound is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more and 100% to be. The total amount of the curable compound may be a curable compound having the epoxy group. When the curable compound having an epoxy group and the curable compound having the epoxy group are used in combination with different curable compounds, the content of the curable compound having an epoxy group in the total 100% by weight of the curable compound is preferably 99% , More preferably not more than 95 wt%, further preferably not more than 90 wt%, particularly preferably not more than 80 wt%.

상기 경화성 화합물은, 23℃에서 액상인 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 23℃에서 고체인 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 23℃에서 액상인 에폭시 화합물과 23℃에서 고체인 에폭시 화합물의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다.The curable compound preferably contains an epoxy compound which is in a liquid phase at 23 DEG C and preferably contains an epoxy compound which is solid at 23 DEG C and contains both an epoxy compound which is liquid at 23 DEG C and an epoxy compound which is solid at 23 DEG C .

상기 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 E형 에폭시 화합물 및 비스페놀 S형 에폭시 화합물, 및 이들 에폭시 화합물의 수소화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전 재료의 경화성이 보다 한층 높아지고, 경화물의 유리 전이 온도가 보다 한층 높으며 내습성이 보다 한층 낮아지고, 또한 내열성, 내UV성 및 접착성이 보다 한층 우수한 경화물이 얻어지는 점에서, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 화합물은 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 수소화 비스페놀 A형 에폭시 화합물 또는 수소화 비스페놀 F형 에폭시 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the epoxy compound include bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol E type epoxy compounds and bisphenol S type epoxy compounds, and hydrides of these epoxy compounds. Among them, from the viewpoint that a cured product of a conductive material is further increased, a glass transition temperature of a cured product is further increased, moisture resistance is further lowered, and furthermore a heat resistance, The epoxy compound which is liquid at 23 占 폚 is preferably a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a hydrogenated bisphenol A type epoxy compound or a hydrogenated bisphenol F type epoxy compound.

상기 23℃에서 액상인 에폭시 화합물의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 150 이상, 보다 바람직하게는 200 이상, 바람직하게는 1200 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상이면, 경화물의 유리 전이 온도가 보다 한층 높아지고, 경화물의 내습성이 보다 한층 높아진다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공(塗工)성 및 경화성이 보다 한층 양호해진다.The weight average molecular weight of the epoxy compound which is in a liquid phase at 23 占 폚 is preferably 150 or more, more preferably 200 or more, preferably 1,200 or less, more preferably 1,000 or less. When the weight average molecular weight is not lower than the lower limit, the glass transition temperature of the cured product is further increased, and the humidity resistance of the cured product is further increased. When the weight average molecular weight is not more than the upper limit, the coating property and the curability of the conductive material are further improved.

상기 경화성 화합물의 전체 100중량% 중, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 80중량% 이하이다. 상기 액상의 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다. 상기 액상의 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아지고, 경화물의 내습성이 보다 한층 높아진다.The content of the epoxy compound which is liquid at 23 캜 among the total 100% by weight of the curing compound is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, preferably 90% by weight or less, 80% by weight or less. When the content of the liquid epoxy compound is lower than the lower limit described above, the coating property of the conductive material becomes further higher. When the content of the liquid epoxy compound is not more than the upper limit, the coating property of the conductive material becomes further higher, and the humidity resistance of the cured product becomes further higher.

상기 23℃에서 고체인 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 E형 에폭시 화합물, 비스페놀 S형 에폭시 화합물, 및 이들 에폭시 화합물의 수소화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전 재료의 경화성이 보다 한층 높아지고, 경화물의 유리 전이 온도가 보다 한층 높으며 내습성이 보다 한층 낮아지고, 또한 내열성, 내UV성 및 접착성이 우수한 점에서, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 화합물은, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 수소화 비스페놀 A형 에폭시 화합물 또는 수소화 비스페놀 F형 에폭시 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the epoxy compound which is solid at 23 占 폚 include a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a bisphenol E type epoxy compound, a bisphenol S type epoxy compound, and a hydride of these epoxy compounds. Among them, in view of the fact that the curing property of the conductive material is further increased, the glass transition temperature of the cured product is further increased, the moisture resistance is further lowered and the heat resistance, UV resistance and adhesiveness are excellent, The compound is preferably a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a hydrogenated bisphenol A type epoxy compound or a hydrogenated bisphenol F type epoxy compound.

상기 23℃에서 고체인 에폭시 화합물의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 200 이상, 보다 바람직하게는 250 이상, 바람직하게는 5000 이하, 보다 바람직하게는 4500 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상이면 경화물의 내습성 및 접착성이 보다 한층 높아진다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화성이 보다 한층 양호해지고, 상기 도전 재료의 연화점이 적당해져, 상기 액상의 에폭시 화합물과 상기 고체의 에폭시 화합물과의 상용성이 보다 한층 높아진다.The weight average molecular weight of the epoxy compound which is solid at 23 占 폚 is preferably 200 or more, more preferably 250 or more, preferably 5000 or less, more preferably 4500 or less. If the weight average molecular weight is at least the lower limit, the moisture resistance and adhesion of the cured product are further enhanced. When the weight average molecular weight is not more than the upper limit, the curability of the conductive material is further improved, the softening point of the conductive material becomes appropriate, and the compatibility of the liquid epoxy compound and the solid epoxy compound becomes further higher.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산으로의 값이다. 상기 중량 평균 분자량의 측정에 사용하는 칼럼으로서는, 예를 들어 쇼와 덴꼬사 제조 「쇼덱스(Shodex) LF-804」 등을 들 수 있다.The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC). Examples of the column used for the measurement of the weight average molecular weight include "Shodex LF-804" manufactured by Showa Denko K.K.

상기 경화성 화합물의 전체 100중량% 중, 상기 23℃에서 고체인 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 15중량% 이상, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 35중량% 이하이다. 상기 고체의 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물의 내습성이 보다 한층 높아진다. 상기 고체의 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다.The content of the epoxy compound which is solid at 23 DEG C out of 100% by weight of the total amount of the curable compound is preferably at least 10% by weight, more preferably at least 15% by weight, preferably at most 40% by weight, 35% by weight or less. If the content of the solid epoxy compound is lower than the lower limit described above, moisture resistance of the cured product is further increased. When the content of the solid epoxy compound is not more than the upper limit, the coating property of the conductive material becomes further higher.

또한, 상기 경화성 화합물은 지환식 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 해당 지환식 에폭시 화합물은, 상기 액상의 에폭시 화합물인 것이 바람직하고, 상기 고체의 에폭시 화합물인 것이 바람직하고, 상기 액상의 에폭시 화합물과 상기 고체의 에폭시 화합물의 양쪽인 것이 보다 바람직하다. 상기 지환식 에폭시 화합물의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 100 이상, 보다 바람직하게는 150 이상, 바람직하게는 1000 이하, 보다 바람직하게는 800 이하이다. 지환식 에폭시 화합물의 사용에 의해, 또는 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하인 지환식 에폭시 화합물의 사용에 의해, 도전 재료의 경화성이 보다 한층 양호해진다. 상기 지환식 에폭시 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상이면, 지환식 에폭시 화합물의 휘발성이 저하되어, 가스의 발생 문제가 발생하기 어려워진다. 상기 지환식 에폭시 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 점도가 적당해져, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다.In addition, the curable compound preferably contains an alicyclic epoxy compound. The alicyclic epoxy compound is preferably the liquid epoxy compound, preferably the solid epoxy compound, and more preferably both the liquid epoxy compound and the solid epoxy compound. The weight average molecular weight of the alicyclic epoxy compound is preferably 100 or more, more preferably 150 or more, preferably 1000 or less, more preferably 800 or less. The use of the alicyclic epoxy compound or the use of the alicyclic epoxy compound having a weight average molecular weight of not lower than the lower limit and not higher than the upper limit allows the curing property of the conductive material to be further improved. If the weight average molecular weight of the alicyclic epoxy compound is not lower than the lower limit described above, the volatility of the alicyclic epoxy compound is lowered, and gas generation problems are less likely to occur. When the weight average molecular weight of the alicyclic epoxy compound is not more than the upper limit, the viscosity of the conductive material becomes appropriate, and the coating property of the conductive material becomes further higher.

상기 지환식 에폭시 수지의 시판품으로서는, 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081P, 셀록사이드 2000, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085 및 셀록사이드 3000(모두 다이셀사 제조) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 점도가 낮고, 경화성이 우수한 점에서, 셀록사이드 2021P가 바람직하다.Examples of commercially available products of the alicyclic epoxy resin include Celloxide 2021P, Celloxide 2081P, Celloxide 2000, Celloxide 2083, Celloxide 2085 and Celloxide 3000 (all manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). Of these, Celloxide 2021P is preferred because of its low viscosity and excellent curability.

상기 경화성 화합물의 전체 100중량% 중, 상기 지환식 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 5중량% 이상, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 지환식 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 재료의 경화성이 보다 한층 높아진다. 상기 지환식 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다.The content of the alicyclic epoxy compound is preferably 5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less, based on 100% by weight of the total amount of the curable compound. When the content of the alicyclic epoxy compound is lower than the lower limit described above, the curing property of the conductive material becomes further higher. When the content of the alicyclic epoxy compound is less than the upper limit, the coating property of the conductive material becomes further higher.

또한, 상기 경화성 화합물은, 페놀노볼락형 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the curable compound includes a phenol novolak type epoxy compound.

상기 경화성 화합물은, 에폭시기를 갖는 경화성 화합물과는 상이한 다른 경화성 화합물을 더 함유하고 있을 수도 있다. 해당 다른 경화성 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 갖는 경화성 화합물, 페놀 경화성 화합물, 아미노 경화성 화합물, 불포화 폴리에스테르 경화성 화합물, 폴리우레탄 경화성 화합물, 실리콘 경화성 화합물 및 폴리이미드 경화성 화합물 등을 들 수 있다. 상기 다른 경화성 화합물은 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The curable compound may further contain another curable compound different from the curable compound having an epoxy group. Examples of the other curable compound include unsaturated double bond-containing curing compounds, phenol curing compounds, amino curing compounds, unsaturated polyester curing compounds, polyurethane curing compounds, silicone curing compounds and polyimide curing compounds. The other curable compounds may be used alone or in combination of two or more.

상기 도전 재료의 경화를 용이하게 제어하거나 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이거나 하는 관점에서는, 상기 경화성 화합물은 불포화 이중 결합을 갖는 경화성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료의 경화를 용이하게 제어하거나 전극간의 도통 신뢰성을 더욱 한층 높이거나 하는 관점에서는, 상기 불포화 이중 결합을 갖는 경화성 화합물은 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물인 것이 바람직하다. 상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물의 사용에 의해, B 스테이지화한 도전 재료 전체(광이 직접 조사된 부분과 광이 직접 조사되지 않은 부분을 포함함)에서 경화율을 적합한 범위로 제어하는 것이 용이해져, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The curable compound preferably contains a curable compound having an unsaturated double bond from the viewpoint of easily controlling the curing of the conductive material or increasing the reliability of the conduction between the electrodes. From the standpoint of easily controlling the curing of the conductive material or increasing the reliability of the conduction between the electrodes, the curable compound having an unsaturated double bond is preferably a curable compound having a (meth) acryloyl group. By using the curable compound having the (meth) acryloyl group, the curing rate can be controlled within a suitable range in the entire B-staged conductive material (including a portion directly irradiated with light and a portion not irradiated with light directly) The reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

B 스테이지화한 도전 재료층의 경화율을 용이하게 제어하고, 또한 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물은 (메트)아크릴로일기를 1개 또는 2개 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of easily controlling the curing rate of the B-staged conductive material layer and further improving the conduction reliability between the electrodes, the curable compound having a (meth) acryloyl group is preferably a It is preferable to have two.

상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물로서는, 에폭시기를 갖지 않으면서 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물, 및 에폭시기를 가지면서 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물을 들 수 있다.Examples of the curable compound having a (meth) acryloyl group include a curable compound having a (meth) acryloyl group and an epoxy group, and a curable compound having an epoxy group and having a (meth) acryloyl group.

상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물로서, (메트)아크릴산과 수산기를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 에스테르 화합물, (메트)아크릴산과 에폭시 화합물을 반응시켜서 얻어지는 에폭시(메트)아크릴레이트, 또는 이소시아네이트에 수산기를 갖는 (메트)아크릴산 유도체를 반응시켜서 얻어지는 우레탄(메트)아크릴레이트 등이 적절하게 사용된다. 상기 「(메트)아크릴로일기」는, 아크릴로일기와 메타크릴로일기를 나타낸다. 상기 「(메트)아크릴」은, 아크릴과 메타크릴을 나타낸다. 상기 「(메트)아크릴레이트」는, 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 나타낸다.Examples of the curing compound having a (meth) acryloyl group include an ester compound obtained by reacting (meth) acrylic acid with a compound having a hydroxyl group, an epoxy (meth) acrylate obtained by reacting (meth) acrylic acid with an epoxy compound, Urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group is suitably used. The "(meth) acryloyl group" represents an acryloyl group and a methacryloyl group. The term " (meth) acryl " refers to acryl and methacryl. The term "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate.

상기 경화성 화합물은, 에폭시(메트)아크릴레이트를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 에폭시(메트)아크릴레이트는, 에폭시 화합물 중의 모든 에폭시기를 (메트)아크릴산과 반응시킨 화합물이다.The curable compound preferably includes an epoxy (meth) acrylate. The epoxy (meth) acrylate is a compound obtained by reacting all the epoxy groups in the epoxy compound with (meth) acrylic acid.

상기 에폭시(메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 에베크릴(EBECRYL)860, 에베크릴3200, 에베크릴3201, 에베크릴3412, 에베크릴3600, 에베크릴3700, 에베크릴3701, 에베크릴3702, 에베크릴3703, 에베크릴3800, 에베크릴6040 및 에베크릴RDX63182(모두 다이셀·올넥스사 제조), EA-1010, EA-1020, EA-5323, EA-5520, EA-CHD 및 EMA-1020(모두 신나까무라 가가꾸 고교사 제조), 에폭시 에스테르 M-600A, 에폭시 에스테르 40EM, 에폭시 에스테르 70PA, 에폭시 에스테르 200PA, 에폭시 에스테르 80MFA, 에폭시 에스테르 3002M, 에폭시 에스테르 3002A, 에폭시 에스테르 1600A, 에폭시 에스테르 3000M, 에폭시 에스테르 3000A, 에폭시 에스테르 200EA 및 에폭시 에스테르 400EA(모두 교에샤 가가꾸사 제조), 및 데나콜 아크릴레이트 DA-141, 데나콜 아크릴레이트 DA-314 및 데나콜 아크릴레이트 DA-911(모두 나가세 켐텍스사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercial products of the above epoxy (meth) acrylate include EBECRYL 860, Ebecryl 3200, Ebecryl 3201, Ebecryl 3412, Ebecryl 3600, Ebecryl 3700, Ebecryl 3701, Ebecryl 3702, Ebecryl 3703, EA-CHD and EMA-1020 (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), EA-CRYL 3800, Ebcryl 6040 and Ebcryl RDX 63182 (all manufactured by Daicel Alnex), EA-1010, EA-1020, EA-5323, EA- Epoxy ester 300M, Epoxy ester 3002A, Epoxy ester 1600A, Epoxy ester 3000M, Epoxy ester 3000A, Epoxy ester < SEP > 300A < tb > Epoxy ester < SEP > 200A and epoxy ester 400EA (all manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and Denacol acrylate DA-141, Denacol acrylate DA-314 and Denacol acrylate DA-911 ) And the like.

상기 (메트)아크릴산과 수산기를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 에스테르 화합물은 특별히 한정되지 않는다. 해당 에스테르 화합물로서, 단관능의 에스테르 화합물, 2관능의 에스테르 화합물 및 3관능 이상의 에스테르 화합물 모두 사용 가능하다.The ester compound obtained by reacting the above (meth) acrylic acid with a compound having a hydroxyl group is not particularly limited. As the ester compound, a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or more ester compound can be used.

상기 에폭시기를 가지면서 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물은, 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물의 일부 에폭시기를 (메트)아크릴로일기로 변환함으로써 얻어지는 경화성 화합물인 것이 바람직하다. 이 경화성 화합물은 부분 (메트)아크릴레이트화 에폭시 화합물이다.The curable compound having an epoxy group and having a (meth) acryloyl group is preferably a curable compound obtained by converting some epoxy groups of a compound having two or more epoxy groups into a (meth) acryloyl group. This curable compound is a partial (meth) acrylated epoxy compound.

상기 경화성 화합물은, 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물과 (메트)아크릴산과의 반응물을 함유하는 것이 바람직하다. 이 반응물은, 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물과 (메트)아크릴산을 통상법에 따라서 촉매의 존재 하에 반응시킴으로써 얻어진다. 에폭시기의 20% 이상이 (메트)아크릴로일기로 변환(전화율)되어 있는 것이 바람직하다. 전화율은, 보다 바람직하게는 30% 이상, 바람직하게는 80% 이하, 보다 바람직하게는 70% 이하이다. 에폭시기의 40% 이상, 60% 이하가 (메트)아크릴로일기로 변환되어 있는 것이 가장 바람직하다.The curable compound preferably contains a reaction product of (meth) acrylic acid with a compound having two or more epoxy groups. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups with (meth) acrylic acid in the presence of a catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy groups are converted into (meth) acryloyl groups (conversion ratio). The conversion rate is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. It is most preferable that not less than 40% and not more than 60% of the epoxy groups are converted into (meth) acryloyl groups.

상기 부분 (메트)아크릴레이트화 에폭시 화합물로서는, 비스페놀형 에폭시 부분 (메트)아크릴레이트, 크레졸 노볼락형 에폭시 부분 (메트)아크릴레이트, 카르복실산 무수물 변성 에폭시 부분 (메트)아크릴레이트 및 페놀노볼락형 에폭시 부분 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the aforementioned (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy moiety (meth) acrylate, cresol novolak type epoxy moiety (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride modified epoxy moiety (meth) Type epoxy (meth) acrylate.

상기 경화성 화합물로서, 에폭시기를 2개 이상 갖는 페녹시 수지의 일부 에폭시기가 (메트)아크릴로일기로 변환된 변성 페녹시 수지를 사용할 수도 있다. 즉, 에폭시기와 (메트)아크릴로일기를 갖는 변성 페녹시 수지를 사용할 수도 있다.As the curable compound, a modified phenoxy resin in which some epoxy groups of a phenoxy resin having two or more epoxy groups are converted into (meth) acryloyl groups may be used. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group and a (meth) acryloyl group may be used.

또한, 상기 경화성 화합물은 가교성 화합물일 수도 있고, 비가교성 화합물일 수도 있다.The curable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.

상기 가교성 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 글리세린메타크릴레이트아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, (메트)아크릴산알릴, (메트)아크릴산비닐, 디비닐벤젠, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the crosslinkable compound include, for example, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (Meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerin methacrylate acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, .

상기 비가교성 화합물의 구체예로서는, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트 및 테트라데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (Meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) (Meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, And the like.

열경화성 화합물과 광경화성 화합물을 병용하는 경우에는, 광경화성 화합물과 열경화성 화합물의 배합비는, 광경화성 화합물과 열경화성 화합물의 종류에 따라 적절히 조정된다. 상기 도전 재료는, 광경화성 화합물과 열경화성 화합물을 중량비로 1:99 내지 90:10으로 포함하는 것이 바람직하고, 5:95 내지 60:40으로 포함하는 것이 보다 바람직하고, 10:90 내지 40:60으로 포함하는 것이 더욱 바람직하다.When a thermosetting compound and a photocurable compound are used in combination, the blending ratio of the photocurable compound and the thermosetting compound is appropriately adjusted according to the kind of the photocurable compound and the thermosetting compound. The conductive material preferably contains the photocurable compound and the thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 90:10, more preferably 5:95 to 60:40, more preferably 10:90 to 40:60 It is more preferable to include them.

(경화제)(Hardener)

상기 도전 재료는 경화제를 포함한다. 해당 경화제는 열경화제를 포함하고, 광경화 개시제를 더 포함하고 있을 수도 있다. 해당 경화제는 양이온 발생제를 포함한다. 해당 양이온 발생제로서 종래 공지된 양이온 발생제가 사용 가능하다. 또한, 본 발명에서는, 양이온 발생제는, 도전 재료를 광경화만 시키기 위한 광 양이온 발생제로서 사용하는 것이 아니라, 도전 재료를 적어도 열경화시키기 위한 열 양이온 발생제로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 양이온 발생제는, 도전 재료를 광경화시키기 위한 광 양이온 발생제로서 사용하는 것이 아니라, 도전 재료를 열경화시키기 위한 열 양이온 발생제로서 사용하는 것이 보다 바람직하다. 상기 양이온 발생제는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive material includes a curing agent. The curing agent includes a thermosetting agent, and may further include a photocuring initiator. The curing agent comprises a cation generator. Conventionally known cation generators may be used as the cation generators. Further, in the present invention, it is preferable that the cation generating agent is not used as a photo-cation generating agent for only photo-curing the conductive material but is used as a thermal cation generating agent for at least thermally curing the conductive material. Further, in the present invention, it is more preferable to use the cation generating agent as a thermal cation generating agent for thermally curing the conductive material, not as a photo cation generating agent for photo-curing the conductive material. The cation generating agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 양이온 발생제로서, 요오도늄염 및 술포늄염이 적절하게 사용된다. 예를 들어, 상기 양이온 발생제의 시판품으로서는, 산신 가가꾸사 제조의 선에이드 SI-45L, SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-110L, SI-150L, 및 아데카(ADEKA)사 제조의 아데카 옵토머 SP-150, SP-170 등을 들 수 있다.As the cation generating agent, an iodonium salt and a sulfonium salt are suitably used. SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-110L, SI-150L, and ADEKA manufactured by SANSHIN CHEMICAL INDUSTRIAL CO., LTD. Adeka Optomer SP-150 and SP-170 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.

바람직한 양이온 발생제의 음이온 부분으로서는, PF6, BF4 및 B(C6F5)4를 들 수 있다.Preferred examples of the anion portion of the cation generator include PF 6 , BF 4 and B (C 6 F 5 ) 4 .

또한, 상기 양이온 발생제의 다른 구체예로서는, 2-부테닐디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 2-부테닐디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 2-부테닐디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 2-부테닐테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 2-부테닐테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, 2-부테닐테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트, 3-메틸-2-부테닐디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 3-메틸-2-부테닐디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 3-메틸-2-부테닐디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 3-메틸-2-부테닐테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 3-메틸-2-부테닐테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, 3-메틸-2-부테닐테트라메틸렌술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-히드록시페닐신나밀메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 4-히드록시페닐신나밀메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 4-히드록시페닐신나밀메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, α-나프틸메틸테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, α-나프틸메틸테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, α-나프틸메틸테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트, 신나밀디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 신나밀디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 신나밀디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 신나밀테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 신나밀테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, 신나밀테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트, 비페닐메틸디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비페닐메틸디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 비페닐메틸디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 비페닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비페닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, 비페닐메틸테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트, 페닐메틸디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 페닐메틸디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 페닐메틸디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 페닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 페닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트, 페닐메틸테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트, 플루오레닐메틸디메틸술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 플루오레닐메틸디메틸술포늄테트라플루오로보레이트, 플루오레닐메틸디메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 플루오레닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 플루오레닐메틸테트라메틸렌술포늄테트라플루오로보레이트 및 플루오레닐메틸테트라메틸렌술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.In addition, other specific examples of the cation generating agent include 2-butenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 2-butenyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, 2-butenyldimethylsulfonium hexafluoro (Pentafluorophenyl) borate, 2-butenyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, 2-butenyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, 3-methyl-2-butenyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, 2-butenyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, 3-methyl-2-butenyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, 3-methyl-2-butenyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, 3-butenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) -Butyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 3-methyl-2-butenyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, 3-methyl-2-butenyltetramethylenesulfonium Hexaflu (Pentafluorophenyl) borate, 4-hydroxyphenylcinnamomethylsulfonium tetrafluoroborate, 4-hydroxyphenylcinnamethylmethylsulfonium hexafluoroacetate, 4-hydroxyphenylcinnamomethylsulfonium tetrakis (Pentafluorophenyl) borate,? -Naphthylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate,? -Naphthylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate,? -Naphthylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate,? -Naphthylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, (Pentafluorophenyl) borate, cinnamyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, cinnamyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, cinnamyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate , Cinnamate tetramethylene sulfonium tetrafluoroborate, cinnamic tetramethylene sulfonium hexafluorophosphate, biphenyl methyl dimethate (Pentafluorophenyl) borate, biphenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, biphenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, biphenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate , Biphenylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, biphenylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, phenylmethyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, phenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, Phenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, phenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, phenylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, phenylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, fluororesin N-methylmethyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borane , Fluorenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, fluorenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, fluorenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, fluorenylmethyltetramethylene sulfone Sulfonium tetrafluoroborate, fluorenylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, and the like.

상기 양이온 발생제는, 가열에 의해 무기산 이온을 방출하거나, 또는 가열에 의해 붕소 원자를 포함하는 유기산 이온을 방출하는 것이 바람직하다. 상기 양이온 발생제는, 가열에 의해 무기산 이온을 방출하는 성분인 것이 바람직하고, 가열에 의해 붕소 원자를 포함하는 유기산 이온을 방출하는 성분인 것도 바람직하다.It is preferable that the cation generating agent releases inorganic acid ions by heating or releases organic acid ions containing boron atoms by heating. The cation generating agent is preferably a component that releases inorganic acid ions by heating, and is preferably a component that releases organic acid ions containing boron atoms by heating.

가열에 의해 무기산 이온을 방출하는 양이온 발생제는, 음이온 부분으로서 SbF6- 또는 PF6 -을 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 양이온 발생제는, 음이온 부분으로서 SbF6 -을 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 음이온 부분으로서 PF6 -을 갖는 화합물인 것도 바람직하다.Cation generator which emits an inorganic acid ions by heating, SbF 6-, or PF 6 as an anion part - is preferably a compound having a. The cation generating agent is preferably a compound having SbF 6 - as an anion moiety and a compound having PF 6 - as an anion moiety.

상기 양이온 발생제의 음이온 부분이 B(C6X5)4 -로 표시되는 것이 바람직하다. 붕소 원자를 포함하는 유기산 이온을 방출하는 양이온 발생제는, 하기 식 (1)로 표시되는 음이온 부분을 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The anion portion of the cation generator is preferably represented by B (C 6 X 5 ) 4 - . The cation generating agent which releases organic acid ions containing a boron atom is preferably a compound having an anion moiety represented by the following formula (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 식 (1) 중, X는 할로겐 원자를 나타낸다. 상기 식 (1) 중의 X는 염소 원자, 브롬 원자 또는 불소 원자인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the above formula (1), X represents a halogen atom. X in the above formula (1) is preferably a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

상기 양이온 발생제의 음이온 부분이 B(C6F5)4 -로 표시되는 것이 바람직하다. 상기 붕소 원자를 포함하는 유기산 이온을 방출하는 양이온 발생제는, 하기 식 (1A)로 표시되는 음이온 부분을 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The anion portion of the cation generator is preferably represented by B (C 6 F 5 ) 4 - . The cation generating agent which releases the organic acid ion containing the boron atom is more preferably a compound having an anion moiety represented by the following formula (1A).

Figure pct00002
Figure pct00002

또한, 상기 양이온 발생제의 종류는 이온성 광 산 발생형일 수도 있고, 비이온성 광 산 발생형일 수도 있다. 상기 양이온 발생제는, 안티몬 착체, 육불화인 이온을 갖는 염, 또는 하기 식 (2)로 표시되는 염인 것이 바람직하다.The cation generator may be an ionic photoacid generator or a nonionic photoacid generator. It is preferable that the cation generating agent is an antimony complex, a salt having a hexafluorophosphate ion, or a salt represented by the following formula (2).

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 식 (2) 중, n은 1 내지 12의 정수를 나타내고, m은 1 내지 5의 정수를 나타내고, Rf는 알킬기의 모두 또는 일부의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 플루오로알킬기를 나타낸다.In the formula (2), n represents an integer of 1 to 12, m represents an integer of 1 to 5, and Rf represents a fluoroalkyl group in which all or part of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms.

상기 안티몬 착체는 특별히 한정되지 않지만, 술포늄염인 것이 바람직하다. 상기 안티몬 착체인 술포늄염으로서는, 테트라페닐(디페닐술피드-4,4'-디일)비스술포늄·디(육불화안티몬), 테트라(4-메톡시페닐)[디페닐술피드-4,4'-디일]비스술포늄·디(육불화안티몬), 디페닐(4-페닐티오페닐)술포늄·육불화안티몬, 및 디(4-메톡시페닐)[4-페닐티오페닐]술포늄·육불화안티몬 등을 들 수 있다.The antimony complex is not particularly limited, but is preferably a sulfonium salt. Examples of the sulfonium salt as the antimony complex include tetraphenyl (diphenylsulfide-4,4'-diyl) bissulfonium di (antimony hexafluoride), tetra (4-methoxyphenyl) diphenylsulfide- (4-methoxyphenyl) [4-phenylthiophenyl] sulfonium (4-phenylthiophenyl) sulfonium antimonide, and bis And antimony hexafluoride.

상기 안티몬 착체의 시판품으로서는, 예를 들어 아데카 옵토머 SP170(아데카사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available antimony complexes include Adeka Optomer SP170 (manufactured by Adeka Co., Ltd.).

상기 육불화인 이온을 갖는 염의 시판품으로서는, 예를 들어 WPI-113(와코 쥰야꾸 고교사 제조), 및 CPI-100P(산-아프로사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the commercially available salt of the salt having the hexafluorophosphate ion include WPI-113 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and CPI-100P (manufactured by San-apro Co., Ltd.).

상기 양이온 발생제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 양이온 발생제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.05중량부 이상, 더욱 바람직하게는 5중량부 이상, 특히 바람직하게는 10중량부 이상, 바람직하게는 40중량부 이하, 보다 바람직하게는 30중량부 이하, 더욱 바람직하게는 20중량부 이하이다. 상기 경화성 화합물에 대한 상기 양이온 발생제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료가 충분히 경화한다.The content of the cation generating agent is not particularly limited. The content of the cation generating agent relative to 100 parts by weight of the curable compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, still more preferably 5 parts by weight or more, particularly preferably 10 parts by weight or more , Preferably not more than 40 parts by weight, more preferably not more than 30 parts by weight, and most preferably not more than 20 parts by weight. When the content of the cation generating agent with respect to the curable compound is not lower than the lower limit and not higher than the upper limit, the conductive material sufficiently cures.

상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 양이온 발생제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.05중량부 이상, 더욱 바람직하게는 5중량부 이상, 특히 바람직하게는 10중량부 이상, 바람직하게는 40중량부 이하, 보다 바람직하게는 30중량부 이하, 더욱 바람직하게는 20중량부 이하이다. 상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물에 대한 상기 양이온 발생제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료가 충분히 열경화한다.The content of the cation generating agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, still more preferably 5 parts by weight or more, particularly preferably 100 parts by weight or more per 100 parts by weight of the curable compound which can be cured by heating. Is at least 10 parts by weight, preferably at most 40 parts by weight, more preferably at most 30 parts by weight, most preferably at most 20 parts by weight. When the content of the cation generating agent with respect to the curable compound that can be cured by the heating is lower than or equal to the lower limit and below the upper limit, the conductive material sufficiently cures.

전극간의 도통 신뢰성 및 유기 EL 표시 소자 등의 접속 구조체의 고습 하에서의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료는 상기 양이온 발생제와, 열 라디칼 발생제의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열 라디칼 발생제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 열 라디칼 발생제로서, 종래 공지된 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다. 상기 열 라디칼 발생제는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다. 여기서, 「열 라디칼 발생제」란, 가열에 의해 라디칼 종을 생성하는 화합물을 의미한다.From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes and the connection reliability under high humidity of the connection structure such as the organic EL display element, it is preferable that the conductive material includes both the cation generating agent and the thermal radical generating agent. The heat radical generator is not particularly limited. As the thermal radical generator, conventionally known thermal radical generators may be used. The thermal radical generator may be used alone or in combination of two or more. Here, the " thermal radical generator " means a compound that generates radical species by heating.

상기 열 라디칼 발생제로서는 특별히 한정되지 않으며, 아조 화합물 및 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 과산화물로서는, 디아실퍼옥시드 화합물, 퍼옥시에스테르 화합물, 히드로퍼옥시드 화합물, 퍼옥시디카르보네이트 화합물, 퍼옥시케탈 화합물, 디알킬퍼옥시드 화합물 및 케톤퍼옥시드 화합물 등을 들 수 있다.The heat radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and peroxides. Examples of the peroxide include diacyl peroxide compounds, peroxy ester compounds, hydroperoxide compounds, peroxydicarbonate compounds, peroxyketal compounds, dialkyl peroxide compounds and ketone peroxide compounds.

상기 열경화제의 다른 예로서는, 히드라지드 화합물, 이미다졸 화합물, 산 무수물, 디시안디아미드, 구아니딘 화합물, 변성 지방족 폴리아민, 아민 화합물과 에폭시 화합물의 부가 생성물 등을 들 수 있다.Other examples of the thermosetting agent include hydrazide compounds, imidazole compounds, acid anhydrides, dicyandiamides, guanidine compounds, modified aliphatic polyamines, adducts of amine compounds and epoxy compounds, and the like.

상기 히드라지드 화합물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 1,3-비스[히드라지노카르보노에틸-5-이소프로필히단토인] 등을 들 수 있다.The hydrazide compound is not particularly limited and includes, for example, 1,3-bis [hydrazinocarbonoethyl-5-isopropylhydantoin].

상기 이미다졸 화합물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, N-[2-(2-메틸-1-이미다졸릴)에틸]요소, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, N,N'-비스(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)요소, N,N'-(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)-아디프아미드, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.The imidazole compound is not particularly limited and examples thereof include 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, N- [2- (2-methyl-1-imidazolyl) N, N'-bis (2-methyl-1-imidazolylethyl) urea, N, N'- (2-methyl-1-imidazolylethyl) -adipamide, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole Sol and the like.

상기 산 무수물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 테트라히드로 무수 프탈산 및 에틸렌글리콜-비스(안히드로트리멜리테이트) 등을 들 수 있다.The acid anhydrides are not particularly limited, and examples thereof include tetrahydrophthalic anhydride and ethylene glycol-bis (anhydrotrimellitate).

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 중의 상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.05중량부 이상, 더욱 바람직하게는 5중량부 이상, 특히 바람직하게는 10중량부 이상, 바람직하게는 40중량부 이하, 보다 바람직하게는 30중량부 이하, 더욱 바람직하게는 20중량부 이하이다. 상기 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료를 충분히 열경화시킬 수 있다. 상기 열경화제의 함유량은, 상기 열경화제가 열 양이온 발생제만인 경우에는 양이온 발생제의 함유량을 나타내고, 상기 열경화제가 양이온 발생제와 다른 열경화제(열 라디칼 발생제 등)의 양쪽을 포함하는 경우에는 양이온 발생제와 다른 열경화제의 합계 함유량을 나타낸다.The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, still more preferably 5 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the curable compound that can be cured by the heating in the curable compound, Particularly preferably not less than 10 parts by weight, preferably not more than 40 parts by weight, more preferably not more than 30 parts by weight, further preferably not more than 20 parts by weight. When the content of the thermosetting agent is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, the conductive material can be sufficiently thermally cured. The content of the thermosetting agent indicates the content of the cation generating agent when the thermosetting agent is only the thermosetting agent and the content of the thermosetting agent includes both of the thermosetting agent and the other thermosetting agent Represents the total content of the cation generating agent and the other thermosetting agent.

상기 경화제가 열 라디칼 발생제를 포함하는 경우에, 상기 경화성 화합물 중의 상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 열 라디칼 발생제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.05중량부 이상, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 5중량부 이하이다. 상기 열 라디칼 발생제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료를 충분히 열경화시킬 수 있다.In the case where the curing agent includes a thermal radical generator, the content of the thermal radical generator is preferably 0.01 part by weight or more, more preferably 0.01 part by weight or more, Is not less than 0.05 part by weight, preferably not more than 10 parts by weight, more preferably not more than 5 parts by weight. If the content of the thermal radical generator is lower than or equal to the lower limit and below the upper limit, the conductive material can be sufficiently thermally cured.

상기 도전 재료는, 상기 경화제로서 광경화 개시제를 포함하고 있을 수도 있다. 광경화 개시제에는 상술한 광 양이온 발생제(광 양이온 발생제, 또는 광 및 열 양이온 발생제)가 포함된다. 상기 광경화 개시제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 광경화 개시제로서, 종래 공지된 광경화 개시제를 사용할 수 있다. 전극간의 도통 신뢰성 및 유기 EL 표시 소자 등의 접속 구조체의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료는, 광 라디칼 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 광경화 개시제는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive material may contain a photo-curing initiator as the curing agent. The photo-curing initiator includes the photo-cation generator (photo-cation generator, or photo- and thermal cation generator) described above. The photocuring initiator is not particularly limited. As the photocuring initiator, conventionally known photocuring initiators may be used. From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes and the connection reliability of the connection structure such as the organic EL display element, it is preferable that the conductive material includes a photo-radical generator. The photocuring initiator may be used alone or in combination of two or more.

상기 양이온 발생제 이외의 다른 광경화 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 아세토페논 광경화 개시제(아세토페논 광 라디칼 발생제), 벤조페논 광경화 개시제(벤조페논 광 라디칼 발생제), 티오크산톤, 케탈 광경화 개시제(케탈 광 라디칼 발생제), 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the photo-curing initiator other than the cation generating agent include, but are not limited to, acetophenone photo-curing initiator (acetophenone photo-radical generator), benzophenone photo-curing initiator (benzophenone photo-radical generator), thioxanthone, Photo-curing initiator (ketal photo-radical generator), halogenated ketone, acylphosphine oxide and acylphosphonate.

상기 광경화 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 중의 상기 광의 조사에 의해 경화 가능한 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 광경화 개시제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량부 이상, 바람직하게는 2중량부 이하, 보다 바람직하게는 1중량부 이하이다. 상기 광경화 개시제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료를 적절하게 광경화시킬 수 있다. 도전 재료에 광을 조사하여, B 스테이지화함으로써, 도전 재료의 유동을 억제할 수 있다. 상기 광경화 개시제의 함유량은, 상기 광경화 개시제가 양이온 발생제만인 경우에는 양이온 발생제의 함유량을 나타내고, 상기 광경화 개시제가 양이온 발생제와 다른 광경화 개시제의 양쪽을 포함하는 경우에는 양이온 발생제와 다른 광경화 개시제의 합계 함유량을 나타낸다.The content of the photocuring initiator is not particularly limited. The content of the photocuring initiator is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, and preferably 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the curable compound that can be cured by irradiation of the light in the curable compound , And more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocuring initiator is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conductive material can be appropriately photo-cured. By irradiating the conductive material with light to form a B-stage, the flow of the conductive material can be suppressed. The content of the photo-curing initiator indicates the content of the cation-generating agent when the photo-curing initiator is only a cation generating agent. When the photo-curing initiator includes both the cation generating agent and the photo-curing initiator, And the other photocurable initiator.

(무기 충전재)(Inorganic filler)

상기 도전 재료는 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다. 해당 무기 충전재는, 도전 재료의 경화 중의 점도의 저하를 억제하고, 경화물의 내습성을 보다 한층 높이는 작용을 갖는다. 상기 무기 충전재는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive material preferably includes an inorganic filler. The inorganic filler has an effect of suppressing a decrease in viscosity during curing of the conductive material and further raising moisture resistance of the cured product. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.

상기 무기 충전재의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이상, 바람직하게는 2㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1.5㎛ 이하이다. 상기 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하인 무기 충전재는, 경화물의 내습성을 보다 한층 향상시킨다. 상기 무기 충전재의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 경화물에 보이드가 보다 한층 발생하기 어려워진다. 또한, 상기 무기 충전재의 평균 입자 직경은 체적 평균 입자 직경이다. 상기 평균 입자 직경은 레이저 회절/산란식 입자 직경 분포 측정 장치 등을 사용하여 측정 가능하다.The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 占 퐉 or more, more preferably 0.2 占 퐉 or more, preferably 2 占 퐉 or less, and more preferably 1.5 占 퐉 or less. The inorganic filler having an average particle diameter of not less than the lower limit and not more than the upper limit further improves moisture resistance of the cured product. When the average particle diameter of the inorganic filler is less than the upper limit, voids are less likely to occur in the cured product. The average particle diameter of the inorganic filler is a volume average particle diameter. The average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle diameter distribution measuring apparatus or the like.

상기 무기 충전재로서는, 탈크, 석면, 실리카, 스멕타이트, 벤토나이트, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 몬모릴로나이트, 규조토, 산화마그네슘, 산화티타늄, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 글래스 비즈, 황산바륨, 석고, 규산칼슘 및 세리사이트 활성 백토 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 블로킹성이 좋아지고, 내습성이 향상되기 때문에, 탈크가 바람직하다.Examples of the inorganic filler include talc, asbestos, silica, smectite, bentonite, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, montmorillonite, diatomaceous earth, magnesium oxide, titanium oxide, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, glass beads, barium sulfate, Activated clay, and cericite activated clay. Among them, talc is preferable because blocking property is improved and moisture resistance is improved.

상기 무기 충전재는 판상인 것이 바람직하다. 상기 무기 충전재의 평균 종횡비는 1 이상, 바람직하게는 1.5 이상, 보다 바람직하게는 2 이상, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하이다. 상기 무기 충전재의 평균 종횡비가 상기 상한 이하이면, 전극과 도전성 입자의 사이에 무기 충전재가 끼워지기 어려워지는 결과, 전극간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 저압에서도 무기 충전재를 양호하게 배향할 수 있는 결과, 도전성 입자에 의해 형성된 접속부의 두께가 보다 한층 균일해진다. 상기 평균 종횡비는, 무기 충전재의 긴 직경/무기 충전재의 짧은 직경의 평균값을 의미한다.The inorganic filler is preferably in the form of a plate. The average aspect ratio of the inorganic filler is 1 or more, preferably 1.5 or more, more preferably 2 or more, preferably 10 or less, more preferably 5 or less. If the average aspect ratio of the inorganic filler is less than the upper limit, it becomes difficult for the inorganic filler to be sandwiched between the electrode and the conductive particles, resulting in further lowering of the connection resistance between the electrodes. Further, since the inorganic filler can be favorably oriented even at a low pressure, the thickness of the connection portion formed by the conductive particles becomes even more uniform. The average aspect ratio means an average value of the long diameter of the inorganic filler / the short diameter of the inorganic filler.

상기 무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 무기 충전재의 함유량은 바람직하게는 1중량부 이상, 보다 바람직하게는 2중량부 이상, 바람직하게는 30중량부 이하, 보다 바람직하게는 28중량부 이하이다. 상기 무기 충전재의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물에 보이드가 보다 한층 발생하기 어려워진다. 상기 무기 충전재의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다.The content of the inorganic filler is not particularly limited. The content of the inorganic filler relative to 100 parts by weight of the curable compound is preferably at least 1 part by weight, more preferably at least 2 parts by weight, preferably at most 30 parts by weight, more preferably at most 28 parts by weight. If the content of the inorganic filler is lower than the lower limit, voids are less likely to occur in the cured product. When the content of the inorganic filler is less than the upper limit, the coating property of the conductive material becomes higher.

(유기 입자)(Organic particles)

상기 도전 재료는 유기 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 해당 유기 입자는 겔화제로서 작용한다. 상기 유기 입자는, 상온에서 도전 재료 중에서 팽윤하여, 도전 재료의 점도를 적절하게 향상시킨다. 또한, 상기 유기 입자는, 도전 재료의 경화 중에 점도의 저하를 억제하는 작용을 갖는다. 또한, 상기 유기 입자를 무기 충전재와 조합하여 사용함으로써, 기판을 감압 분위기 하에서 접합하는 경우에도, 경화물에 보이드가 효과적으로 발생하기 어려워진다. 상기 유기 입자는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive material preferably includes organic particles. The organic particles act as a gelling agent. The organic particles swell in the conductive material at room temperature, thereby appropriately improving the viscosity of the conductive material. In addition, the organic particles have an action of suppressing a decrease in viscosity during curing of the conductive material. Further, when the organic particles are used in combination with an inorganic filler, voids are less likely to be generated in the cured product even when the substrate is bonded in a reduced-pressure atmosphere. The organic particles may be used alone or in combination of two or more.

상기 유기 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 쉘을 갖는 코어 쉘 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 코어는 제1 (메트)아크릴 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, (메트)아크릴 수지란, (메트)아크릴산에스테르를 주성분으로 하는 수지의 총칭으로서, (메트)아크릴 수지에는 아크릴계 고무 등도 포함된다. 상기 쉘은 제2 아크릴 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 제1 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도는 23℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 제2 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도는 상기 제1 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도보다 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도는 23℃ 이상인 것이 바람직하다.More preferably, the organic particles are core shell particles having a core and a shell disposed on a surface of the core. The core is preferably formed by a first (meth) acrylic resin. The (meth) acrylic resin is a general term for a resin containing a (meth) acrylic acid ester as a main component, and the (meth) acrylic resin includes an acrylic rubber. The shell is preferably formed by a second acrylic resin. The glass transition temperature of the first (meth) acrylic resin is preferably 23 ° C or lower. The glass transition temperature of the second (meth) acrylic resin is preferably higher than the glass transition temperature of the first (meth) acrylic resin. The glass transition temperature of the second (meth) acrylic resin is preferably 23 ° C or higher.

상기 유기 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 쉘을 갖는 코어 쉘 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 코어는 제1 (메트)아크릴 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 쉘은 제2 아크릴 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 제2 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 상기 제1 (메트)아크릴 수지의 유리 전이 온도보다 높은 것이 바람직하다.More preferably, the organic particles are core shell particles having a core and a shell disposed on a surface of the core. The core is preferably formed by a first (meth) acrylic resin. The shell is preferably formed by a second acrylic resin. The glass transition temperature of the second (meth) acrylic resin is preferably higher than the glass transition temperature of the first (meth) acrylic resin.

상기 유기 입자의 시판품으로서는, 예를 들어 미쯔비시 레이온사 제조 「메타블렌 W-5500, W-450A」, 및 간쯔 가세이사 제조의 코어 쉘 아크릴레이트 공중합체 미립자 「F-351」 등을 들 수 있다.Commercially available products of the organic particles include, for example, "Metablen W-5500, W-450A" manufactured by Mitsubishi Rayon Co., and "F-351" core shell acrylate copolymer fine particles manufactured by Gansu Gosei Co.,

상기 유기 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.2㎛ 이상, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.9㎛ 이하이다. 또한, 상기 유기 입자의 평균 입자 직경은 체적 평균 입자 직경이다. 상기 평균 입자 직경은 레이저 회절/산란식 입자 직경 분포 측정 장치 등을 사용하여 측정 가능하다.The average particle diameter of the organic particles is preferably 0.05 占 퐉 or more, more preferably 0.1 占 퐉 or more, further preferably 0.2 占 퐉 or more, preferably 1 占 퐉 or less, and more preferably 0.9 占 퐉 or less. The average particle diameter of the organic particles is a volume average particle diameter. The average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle diameter distribution measuring apparatus or the like.

상기 유기 입자의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 유기 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량부 이상, 보다 바람직하게는 5중량부 이상, 바람직하게는 30중량부 이하, 보다 바람직하게는 20중량부 이하이다. 상기 유기 입자의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 재료의 점도가 적당해져 경화물에 보이드가 효과적으로 발생하기 어려워진다. 상기 유기 입자의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 도공성이 보다 한층 높아진다.The content of the organic particles is not particularly limited. The content of the organic particles relative to 100 parts by weight of the curable compound is preferably at least 1 part by weight, more preferably at least 5 parts by weight, preferably at most 30 parts by weight, more preferably at most 20 parts by weight. If the content of the organic particles is not less than the lower limit, the viscosity of the conductive material becomes moderate, and voids are not effectively generated in the cured product. When the content of the organic particles is less than the upper limit, the coating property of the conductive material becomes further higher.

(아민 화합물)(Amine compound)

상기 도전 재료는 아민 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 아민 화합물은 방향족환을 갖는 제1급 아민인 것이 바람직하다. 이 특정한 방향족환을 갖는 제1급 아민의 사용은, 양이온 발생제를 포함하는 도전 재료의 보존 안정성의 향상에 크게 기여한다. 상기 아민 화합물은 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The conductive material preferably includes an amine compound. The amine compound is preferably a primary amine having an aromatic ring. The use of the primary amine having the specific aromatic ring contributes greatly to the improvement of the storage stability of the conductive material containing the cation generating agent. The amine compound may be used alone or in combination of two or more.

상기 제1급 아민에서의 방향족환으로서는, 상기 경화성 화합물의 방향족환으로서 예를 든 방향족환을 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠환이 바람직하다.Examples of the aromatic ring in the primary amine include an aromatic ring exemplified as an aromatic ring of the curing compound. Among them, a benzene ring is preferable.

상기 방향족환을 갖는 제1급 아민의 구체예로서는, 벤질아민, α,α-디메틸벤질아민, 아닐린, 2-나프틸아민, 1-나프틸메틸아민, 2-아미노비페닐 및 4-아미노비페닐 등을 들 수 있다.Specific examples of the primary amine having an aromatic ring include benzylamine,?,? -Dimethylbenzylamine, aniline, 2-naphthylamine, 1-naphthylmethylamine, 2- And the like.

상기 도전 재료 중의 양이온 발생제와 상기 방향족환을 갖는 제1급 아민의 함유량은, 중량비(양이온 발생제:제1급 아민)로 99.9:0.1 내지 97:3인 것이 바람직하고, 99.5:0.5 내지 98:2인 것이 보다 바람직하다.The content of the cation generator in the conductive material and the content of the primary amine having the aromatic ring is preferably 99.9: 0.1 to 97: 3, more preferably 99.5: 0.5 to 98: 3 in terms of weight ratio (cation generator: primary amine) : 2 is more preferable.

상기 방향족환을 갖는 제1급 아민의 함유량이 상술한 바람직한 범위 내이면, 도전 재료의 보존 안정성과 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 안정된다.When the content of the primary amine having an aromatic ring is within the preferable range described above, the storage stability of the conductive material and the reliability of the conduction between the electrodes are further stabilized.

(도전성 입자)(Conductive particles)

상기 도전성 입자는 도전성의 표면에 도전부를 갖고 있을 수 있다. 해당 도전부는 도전층인 것이 바람직하다. 도 3에, 도전성 입자의 일례를 단면도로 나타내는 바와 같이, 도전성 입자(11)는 기재 입자(12)와, 기재 입자(12)의 표면 상에 배치된 도전층(13)을 구비하고 있을 수도 있다. 도전성 입자는 전체가 도전부인 금속 입자일 수도 있다. 그 중에서도, 비용을 저감하거나, 도전성 입자의 유연성을 높게 하고, 전극간의 도통 신뢰성을 높이거나 하는 관점에서는, 기재 입자와, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 갖는 도전성 입자가 바람직하다.The conductive particles may have a conductive portion on a conductive surface. The conductive portion is preferably a conductive layer. 3, the conductive particles 11 may include a base particle 12 and a conductive layer 13 disposed on the surface of the base particle 12, as shown in the sectional view of an example of the conductive particle . The conductive particles may be metal particles whose entirety is the conductive part. Among them, conductive particles having a base particle and a conductive layer disposed on the surface of the base particle are preferable from the viewpoint of reducing the cost, increasing the flexibility of the conductive particle, and enhancing the reliability of conduction between the electrodes.

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 코어와, 코어의 표면 상에 배치된 쉘을 구비하는 코어 쉘 입자일 수도 있다. 상기 코어가 유기 코어일 수도 있고, 상기 쉘이 무기 쉘일 수도 있다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles are preferably base particles excluding metal particles, and are preferably resin particles, inorganic particles other than metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be core shell particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

상기 기재 입자는 수지에 의해 형성된 수지 입자인 것이 바람직하다. 도전성 입자를 사용하여 전극간을 접속할 때에는, 도전성 입자를 전극간에 배치한 후 압착함으로써 도전성 입자를 압축시킨다. 기재 입자가 수지 입자이면, 상기 압착 시에 도전성 입자가 변형되기 쉽고, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The base particles are preferably resin particles formed by a resin. When the electrodes are connected using the conductive particles, the conductive particles are disposed between the electrodes and then pressed to compress the conductive particles. When the base particles are resin particles, the conductive particles are liable to be deformed during the pressing, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. As a result, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체, 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resin, acrylic resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, And examples thereof include polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyether sulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene copolymer. Examples of the divinylbenzene-based copolymer and the like include a divinylbenzene-styrene copolymer and a divinylbenzene- (meth) acrylate copolymer. It is preferable that the resin for forming the resin particles is a polymer obtained by polymerizing at least one polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group.

상기 무기 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic substance for forming the inorganic particles include silica and carbon black. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다.In the case where the base particles are metal particles, silver, copper, nickel, silicon, gold, titanium and the like can be given as metals for forming the metal particles.

상기 도전부를 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 도전성 입자가, 전체가 도전부인 금속 입자인 경우, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 팔라듐, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는, 주석 도프 산화인듐(ITO) 및 땜납 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극간의 접속 저항이 보다 한층 낮아지므로, 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐이 바람직하다.The metal for forming the conductive part is not particularly limited. When the conductive particles are metal particles whose entirety is a conductive portion, the metal for forming the metal particles is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, And the like. Examples of the metal include indium tin oxide (ITO) and solder. Among them, an alloy including tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is preferable because connection resistance between electrodes becomes further lower.

상기 도전층은 1개의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 도전층은 복수의 층에 의해 형성되어 있을 수도 있다. 즉, 도전층은, 2층 이상의 적층 구조를 가질 수도 있다. 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는, 최외층은 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 주석과 은을 포함하는 합금층인 것이 바람직하고, 금층인 것이 보다 바람직하다. 최외층이 이러한 바람직한 도전층인 경우에는, 전극간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 최외층이 금층인 경우에는, 내부식성이 보다 한층 높아진다.The conductive layer may be formed by one layer. The conductive layer may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive layer may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive layer is formed of a plurality of layers, it is preferable that the outermost layer is a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or an alloy layer containing tin and silver, more preferably a gold layer. When the outermost layer is such a preferable conductive layer, the connection resistance between the electrodes is further lowered. Further, when the outermost layer is a gold layer, the corrosion resistance is further increased.

상기 기재 입자의 표면에 도전층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 도전층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 바인더를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전층의 형성이 간편하므로, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the conductive layer on the surface of the base particles is not particularly limited. Examples of the method of forming the conductive layer include a method of electroless plating, a method of electroplating, a method of physical vapor deposition, and a method of coating a surface of base particles with a paste containing metal powder or metal powder and a binder And the like. Among them, the electroless plating method is preferable because the formation of the conductive layer is simple. Examples of the physical deposition method include vacuum deposition, ion plating and ion sputtering.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 70㎛ 이하, 특히 바람직하게는 50㎛ 이하, 가장 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 사용하여 전극간을 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 도전층을 형성할 때에 응집된 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자를 통해 접속된 전극간의 간격이 너무 커지지 않고, 또한 도전층이 기재 입자의 표면으로부터 박리되기 어려워진다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 80 μm or less Or less, particularly preferably 50 mu m or less, and most preferably 20 mu m or less. When the average particle diameter of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode is sufficiently increased, and when the conductive layer is formed, Particles are hardly formed. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles is not excessively large, and the conductive layer is less likely to peel off from the surface of the base particles.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles is obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 도전층의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극간의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive layer is preferably at least 0.005 탆, more preferably at least 0.01 탆, preferably at most 10 탆, more preferably at most 1 탆, further preferably at most 0.3 탆. When the thickness of the conductive layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles are not excessively hardened, and the conductive particles are sufficiently deformed when the electrodes are connected.

상기 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는, 특히 최외층이 금층인 경우의 금층의 두께는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해져, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극간의 접속 저항이 충분히 낮아진다. 또한, 상기 최외층이 금층인 경우의 금층의 두께가 얇을수록 비용이 낮아진다.In the case where the conductive layer is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 mu m or more, more preferably 0.01 mu m or more, particularly when the outermost layer is a gold layer, Or more, preferably 0.5 탆 or less, and more preferably 0.1 탆 or less. When the thickness of the conductive layer in the outermost layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the coating by the conductive layer in the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes becomes sufficiently low. In addition, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the thickness of the gold layer, the lower the cost.

상기 도전층의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM)을 사용하여, 도전성 입자 또는 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the conductive layer can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive particles or conductive particles using a transmission electron microscope (TEM).

전극과 도전성 입자와의 접촉 면적을 크게 하고, 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자는 수지 입자와, 해당 수지 입자의 표면 상에 배치된 도전층(제1 도전층)을 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of increasing the contact area between the electrode and the conductive particles and further enhancing the reliability of the conduction between the electrodes, the conductive particles have the resin particles and the conductive layer (first conductive layer) disposed on the surface of the resin particles .

상기 도전성 입자에서의 도전부의 표면은, 절연층 또는 절연성 입자 등의 절연성 재료, 플럭스 등에 의해 절연 처리되어 있을 수도 있다. 절연성 재료 및 플럭스 등은, 접속시의 열에 의해 연화, 유동함으로써 접속부로부터 배제되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 전극간에서의 단락을 억제할 수 있다.The surface of the conductive portion of the conductive particles may be insulated by an insulating material such as an insulating layer or insulating particles, a flux, or the like. The insulating material, flux, and the like are preferably removed from the connecting portion by softening and flowing by heat at the time of connection. As a result, a short circuit between the electrodes can be suppressed.

상기 도전성 입자의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상, 더욱 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 30중량% 이하, 더욱 바람직하게는 19중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속되어야 할 상하의 전극간에 도전성 입자를 용이하게 배치할 수 있다. 또한, 접속되어서는 안되는 인접하는 전극간이 복수의 도전성 입자를 통해 전기적으로 접속되기 어려워진다. 즉, 인접하는 전극간의 단락을 보다 한층 방지할 수 있다.The content of the conductive particles is not particularly limited. The content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 0.5 wt% or more, further preferably 1 wt% or more, preferably 40 wt% or less Preferably 30% by weight or less, more preferably 19% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, conductive particles can be easily disposed between the upper and lower electrodes to be connected. Further, it is difficult for the adjacent electrodes, which should not be connected, to be electrically connected through the plurality of conductive particles. That is, it is possible to further prevent a short circuit between adjacent electrodes.

상기 도전 재료에 있어서, 상기 도전성 입자의 함유량의 상기 무기 충전재의 함유량에 대한 비는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 1 이상, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 10 이하이다. 상기 비가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물의 내습성 및 전극간의 접속 저항 양쪽을 밸런스 좋게, 보다 한층 양호하게 할 수 있다.In the conductive material, the ratio of the content of the conductive particles to the content of the inorganic filler is preferably 0.1 or more, more preferably 1 or more, preferably 20 or less, more preferably 10 or less. If the ratio is not less than the lower limit and not more than the upper limit, both the moisture resistance of the cured product and the connection resistance between the electrodes can be balanced better.

(기타 성분)(Other components)

상기 도전 재료는 증감제를 포함하는 것이 바람직하다. 해당 증감제는 하기 식 (11)로 표시되는 벤조페논 유도체인 것이 바람직하다. 상기 증감제는, 상기 양이온 발생제에 의한 중합 개시 효율을 보다 향상시켜서, 도전 재료의 경화 반응을 적절하게 촉진시키는 역할을 갖는다.The conductive material preferably includes a sensitizer. The sensitizer is preferably a benzophenone derivative represented by the following formula (11). The sensitizer further improves the polymerization initiation efficiency by the cation generating agent and has a role of appropriately promoting the curing reaction of the conductive material.

Figure pct00004
Figure pct00004

상기 식 (11) 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 하기 식 (11a)로 표시되는 치환기, 또는 하기 식 (11b)로 표시되는 치환기를 나타낸다. 상기 R1과 상기 R2는 동일해도 되고, 상이해도 된다.In the formula (11), R1 and R2 each represent a hydrogen atom, a substituent represented by the following formula (11a), or a substituent represented by the following formula (11b). R1 and R2 may be the same or different.

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
Figure pct00006

상기 식 (11a) 및 상기 식 (11b) 중, R3은 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕실기, 할로겐 원자, 수산기, 카르복실기, 또는 탄소수 1 내지 20의 카르복실산알킬에스테르기를 나타낸다. 상기 알킬기는 직쇄상일 수도 있고, 분지상일 수도 있다.In the formulas (11a) and (11b), R3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, Ester group. The alkyl group may be linear or branched.

상기 식 (11)로 표시되는 벤조페논 유도체로서는, 벤조페논, 2,4-디클로로벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 및 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone derivative represented by the above formula (11) include benzophenone, 2,4-dichlorobenzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone and 4-benzoyl- Methyl diphenylsulfide, and the like.

상기 증감제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 증감제의 함유량은 바람직하게는 0.05중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량부 이상, 바람직하게는 3중량부 이하, 보다 바람직하게는 1중량부 이하이다. 상기 증감제의 함유량이 상기 하한 이상이면 증감 효과가 충분히 얻어진다. 상기 증감제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 광 흡수가 적당해져서 도전 재료층의 심부까지 광이 전해지기 쉬워진다.The content of the sensitizer is not particularly limited. The content of the sensitizer is preferably 0.05 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 3 parts by weight or less, and still more preferably 1 part by weight or less, based on 100 parts by weight of the curable compound. If the content of the sensitizer is lower than or equal to the above lower limit, a sufficient increase / decrease effect can be obtained. If the content of the sensitizer is not more than the upper limit, light absorption becomes suitable and light tends to be transmitted to the core of the conductive material layer.

상기 도전 재료는 실란 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 실란 커플링제는 도전 재료의 경화물에 의한 접착성을 향상시킨다.The conductive material preferably includes a silane coupling agent. The silane coupling agent improves the adhesiveness of the conductive material with the cured product.

상기 실란 커플링제로서는, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 γ-이소시아네이트프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Mercaptopropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, and? -Isocyanatepropyltrimethoxysilane.

상기 실란 커플링제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 실란 커플링제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 5중량부 이하이다. 상기 실란 커플링제의 함유량이 상기 하한 이상이면 접착성의 향상 효과가 효과적으로 얻어진다. 상기 실란 커플링제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 잉여의 실란 커플링제가 블리드 아웃하기 어려워진다.The content of the silane coupling agent is not particularly limited. The content of the silane coupling agent relative to 100 parts by weight of the curable compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, and still more preferably 5 parts by weight or less. If the content of the silane coupling agent is not lower than the lower limit, the adhesion improving effect can be effectively obtained. If the content of the silane coupling agent is less than the upper limit, surplus silane coupling agent becomes difficult to bleed out.

상기 도전 재료는 경화 지연제를 포함하고 있을 수도 있다. 상기 경화 지연제의 사용에 의해, 도전 재료의 가용 시간이 길어진다.The conductive material may contain a hardening retarder. By the use of the curing retarder, the usable time of the conductive material becomes long.

상기 경화 지연제로서는 특별히 한정되지 않으며, 폴리에테르 화합물 등을 들 수 있다. 상기 폴리에테르 화합물로서는 특별히 한정되지 않으며, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 및 크라운에테르 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 크라운에테르 화합물이 적합하다.The curing retarder is not particularly limited, and polyether compounds and the like can be mentioned. Examples of the polyether compound include, but are not limited to, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene glycol, and crown ether compounds. Among them, crown ether compounds are suitable.

상기 크라운에테르 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 12-크라운-4, 15-크라운-5, 18-크라운-6, 24-크라운-8 및 하기 식 (12)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.The crown ether compound is not particularly limited and includes 12-crown-4, 15-crown-5, 18-crown-6, 24-crown-8 and compounds represented by the following formula (12).

Figure pct00007
Figure pct00007

상기 식 (12) 중, R1 내지 R12는 각각 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환 알킬기를 나타낸다. 단, R1 내지 R12 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다. 상기 치환 또는 비치환 알킬기는, 탄소수 1 내지 20의 알콕실기, 할로겐 원자, 수산기, 카르복실기 및 탄소수 1 내지 20의 카르복실산알킬에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 이상의 관능기로 치환될 수도 있고, 또한 인접하는 Rn 및 Rn+1(단, n은 1 내지 12의 짝수를 나타냄)은 공동으로 환상 알킬 골격을 형성할 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕실기는 직쇄상일 수도 있고, 분지상일 수도 있다.In the formula (12), R 1 to R 12 each represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Provided that at least one of R 1 to R 12 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. The substituted or unsubstituted alkyl group may be substituted with at least one functional group selected from the group consisting of an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, and a carboxylic acid alkyl ester group having 1 to 20 carbon atoms, Rn and Rn + 1 (wherein n represents an even number from 1 to 12) may form a cyclic alkyl skeleton jointly. The alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear or branched.

상기 식 (12)로 표시되는 화합물 중에서도 적어도 1개의 시클로헥실기를 갖는 화합물이 적합하다. 상기 시클로헥실기의 존재에 의해, 크라운에테르의 골격이 안정되고, 지연 효과가 높아진다.Among the compounds represented by the formula (12), compounds having at least one cyclohexyl group are suitable. By the presence of the cyclohexyl group, the skeleton of the crown ether is stabilized and the delay effect is enhanced.

시클로헥실기를 가지면서 상기 식 (12)로 표시되는 화합물로서는, 구체적으로는 하기 식 (12A)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (12) having a cyclohexyl group include a compound represented by the following formula (12A).

Figure pct00008
Figure pct00008

상기 화학식 (12A)로 표시되는 화합물은, 18-크라운-6-에테르 분자의 중앙을 지나는 선에 대하여 선 대칭이 되는 위치에 2개의 시클로헥실기를 갖는다. 이로 인해, 18-크라운-6-에테르 분자의 골격에 변형 등을 발생시키지 않고, 지연 효과가 높아질 것으로 생각된다.The compound represented by the above formula (12A) has two cyclohexyl groups at positions symmetrical with respect to the line passing through the center of the 18-crown-6-ether molecule. Thus, it is considered that the retardation effect will be enhanced without causing deformation or the like in the skeleton of the 18-crown-6-ether molecule.

상기 경화 지연제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 경화 지연제의 함유량은 바람직하게는 0.05중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량부 이상, 바람직하게는 5중량부 이하, 보다 바람직하게는 3중량부 이하이다. 상기 경화 지연제의 함유량이 상기 하한 이상이면 지연 효과가 충분히 얻어진다. 상기 경화 지연제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 도전 재료를 경화시킬 때에 아웃 가스가 발생하기 어려워진다.The content of the curing retardant is not particularly limited. The content of the curing retarder is preferably 0.05 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 5 parts by weight or less, and still more preferably 3 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the curable compound. When the content of the curing retarder is lower than the lower limit, a sufficient delay effect can be obtained. When the content of the curing retarder is less than the upper limit, outgas is less likely to be generated when the conductive material is cured.

상기 도전 재료는, 소자 전극 등의 내구성을 향상시키기 위해서, 경화물 중에 발생한 산과 반응하는 화합물 또는 이온 교환체를 포함하고 있을 수도 있다.The conductive material may contain a compound or an ion exchanger that reacts with an acid generated in the cured product to improve the durability of the device electrode or the like.

상기 발생한 산과 반응하는 화합물로서는, 산과 중화하는 물질, 예를 들어 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 탄산염 또는 탄산수소염 등을 들 수 있다. 상기 발생한 산과 반응하는 화합물의 구체예로서는, 탄산칼슘, 탄산수소칼슘, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등을 들 수 있다.Examples of the compound reacting with the generated acid include a substance capable of neutralizing with acid, for example, a carbonate or hydrogencarbonate of an alkali metal or an alkaline earth metal. Specific examples of the compound which reacts with the generated acid include calcium carbonate, calcium hydrogen carbonate, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate and the like.

상기 이온 교환체로서, 양이온 교환형, 음이온 교환형 및 양쪽 이온 교환형 모두를 사용할 수 있다. 특히, 염화물 이온을 흡착 가능한 양이온 교환형 또는 양쪽 이온 교환형이 적합하다.As the ion exchanger, both cation exchange type, anion exchange type and both ion exchange type can be used. In particular, a cation exchange type or a both ion exchange type capable of adsorbing chloride ions is suitable.

상기 도전 재료는 용제를 포함하고 있을 수도 있다. 해당 용제의 사용에 의해, 도전 재료의 점도를 용이하게 조정할 수 있다. 상기 용제로서는, 예를 들어 아세트산에틸, 메틸셀로솔브, 톨루엔, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산, n-헥산, 테트라히드로푸란 및 디에틸에테르 등을 들 수 있다.The conductive material may include a solvent. By using the solvent, the viscosity of the conductive material can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran and diethyl ether.

상기 도전 재료는, 필요에 따라 보강제, 연화제, 가소제, 자외선 흡수제 및 산화 방지제 등의 공지된 각종 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.The conductive material may contain various known additives such as a reinforcing agent, a softening agent, a plasticizer, an ultraviolet absorber and an antioxidant, if necessary.

(도전 재료의 다른 상세)(Other details of the conductive material)

상기 도전 재료를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 호모 디스퍼, 호모 믹서, 만능 믹서, 플라네타륨 믹서, 니이더, 3축 롤 등의 혼합기를 사용하여, 경화성 성분과 도전성 입자와 필요에 따라서 다른 성분을 혼합하는 방법을 들 수 있다.The method for producing the conductive material is not particularly limited. For example, using a mixer such as homodisperse, homomixer, universal mixer, planetarium mixer, kneader, triaxial roll or the like, Therefore, a method of mixing other components can be mentioned.

상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 전극의 전기적인 접속에 사용되는 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 페이스트상 또는 필름상의 도전 재료이며, 페이스트상의 도전 재료인 것이 바람직하다. 페이스트상의 도전 재료는 도전 페이스트이다. 필름상의 도전 재료는 도전 필름이다. 도전 재료가 도전 필름인 경우, 상기 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층될 수도 있다.The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably a conductive material used for electrical connection of the electrode. The conductive material is preferably a paste or film-like conductive material, preferably a paste-like conductive material. The paste-like conductive material is a conductive paste. The conductive material on the film is a conductive film. When the conductive material is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles.

접속 대상 부재의 열 열화를 억제하는 관점에서, 본 발명에 따른 도전 재료는 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여, 열경화되어서 사용되고, 100℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 100℃ 이하의 온도로 가열하여, 열경화되어서 사용되는 것이 바람직하다. 유기 전계 발광 소자용 기판에서는, 120℃를 초과하는 온도로 가열되면, 열 열화가 상당히 문제가 되는 경우가 있다.From the viewpoint of suppressing thermal deterioration of the member to be connected, the conductive material according to the present invention is heated to a temperature of 120 DEG C or less without being heated to a temperature exceeding 120 DEG C, It is preferable that the material is heated and heated to a temperature of 100 占 폚 or less without being heated. In the substrate for an organic electroluminescence device, when the substrate is heated to a temperature exceeding 120 캜, thermal deterioration may be a serious problem.

도전 재료의 보존 안정성을 보다 한층 높게 하고, 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료의 25℃에서의 pH는, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 6 이상, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 9 이하, 더욱 바람직하게는 8 이하이다.From the viewpoint of further increasing the storage stability of the conductive material and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the pH of the conductive material at 25 DEG C is preferably 4 or more, more preferably 5 or more, 6 or more, preferably 10 or less, more preferably 9 or less, further preferably 8 or less.

본 발명에 따른 도전 재료는 도전 페이스트이며, 페이스트상의 상태에서 접속 대상 부재 상에 도포되는 도전 페이스트인 것이 바람직하다.The conductive material according to the present invention is preferably a conductive paste which is applied on a member to be connected in a paste state.

상기 도전 페이스트의 25℃에서 점도는, 바람직하게는 20Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 100Pa·s 이상, 바람직하게는 700Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 300Pa·s 이하이다. 상기 점도가 상기 하한 이상이면 도전 페이스트 중에서의 도전성 입자의 침강을 억제할 수 있다. 상기 점도가 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 분산성이 보다 한층 높아진다. 도포 전의 상기 도전 페이스트의 상기 점도가 상기 범위 내이면, 제1 접속 대상 부재 상에 도전 페이스트를 도포한 후에, 경화 전의 도전 페이스트의 유동을 보다 한층 억제할 수 있고, 또한 보이드가 보다 한층 발생하기 어려워진다. 또한, 페이스트 상태에는 액상도 포함된다.The viscosity of the conductive paste at 25 캜 is preferably 20 Pa · s or more, more preferably 100 Pa · s or more, preferably 700 Pa · s or less and more preferably 300 Pa · s or less. When the viscosity is lower than the lower limit, sedimentation of the conductive particles in the conductive paste can be suppressed. If the viscosity is lower than the upper limit, the dispersibility of the conductive particles is further increased. When the viscosity of the conductive paste before application is within the above range, the flow of the conductive paste before curing can be further suppressed after the conductive paste is applied on the first connection object member, and voids are further hardly generated Loses. The paste state also includes a liquid phase.

또한, 본 발명에 따른 도전 재료는, 유기 EL 표시 소자에서의 전극의 전기적인 접속에 적절하게 사용된다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 유기 EL 표시 소자용 기판의 전극간의 전기적인 접속에 보다 적합하게 사용된다. 상기 유기 EL 표시 소자용 기판으로서는, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 기판 및 밀봉 기판 등을 들 수 있다. 상기 밀봉 기판은, 유기 EL 소자를 밀봉하기 위한 기판이다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 기판의 전극과, 밀봉 기판의 전극의 전기적인 접속에 보다 적합하게 사용된다.Further, the conductive material according to the present invention is suitably used for electrical connection of electrodes in an organic EL display device. The conductive material according to the present invention is more suitably used for electrical connection between the electrodes of the substrate for an organic EL display device. Examples of the substrate for the organic EL display element include an organic EL substrate having an organic EL element and a sealing substrate. The sealing substrate is a substrate for sealing the organic EL element. The conductive material according to the present invention is more suitably used for electrical connection between the electrode of the organic EL substrate having the organic EL element and the electrode of the sealing substrate.

본 발명에 따른 도전 재료는, 다양한 접속 대상 부재를 접착하기 위해 사용할 수 있다. 상기 도전 재료는, 제1, 제2 접속 대상 부재가 전기적으로 접속되어 있는 접속 구조체를 얻기 위해 적절하게 사용된다. 상기 도전 재료는, 제1, 제2 접속 대상 부재의 전극간이 전기적으로 접속되어 있는 접속 구조체를 얻기 위하여 보다 적합하게 사용된다.The conductive material according to the present invention can be used for bonding various members to be connected. The conductive material is suitably used to obtain a connection structure in which the first and second connection target members are electrically connected. The conductive material is more suitably used for obtaining a connection structure in which the electrodes of the first and second connection target members are electrically connected.

도 1에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용한 접속 구조체의 일례를 모식적으로 정면 단면도로 나타낸다.Fig. 1 is a front sectional view schematically showing an example of a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는, 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(4)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(2, 4)를 전기적으로 접속하고 있는 접속부(3)를 구비한다. 접속부(3)는 경화물층이며, 도전성 입자(11)를 포함하는 도전 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다.The connection structure 1 shown in Fig. 1 is an example in which the first connection target member 2, the second connection target member 4 and the first and second connection target members 2 and 4 are electrically connected (3). The connection portion 3 is a cured layer and is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 11. [

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(4)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(4a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(4a)이 1개 또는 복수의 도전성 입자(11)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(2, 4)가 도전성 입자(11)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 4 has a plurality of second electrodes 4a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 4a are electrically connected to each other by one or more conductive particles 11. [ Therefore, the first and second connection target members 2 and 4 are electrically connected by the conductive particles 11. [

제1, 제2 전극(2a, 4a)간의 접속은, 통상 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(4)를 도전 재료를 통해 제1, 제2 전극(2a, 4a)끼리 대향하도록 중첩한 후에, 도전 재료를 경화시킬 때에 가압함으로써 행하여진다. 가압에 의해, 일반적으로 도전성 입자(11)는 압축된다.The connection between the first and second electrodes 2a and 4a is usually performed by connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 4 to each other via the conductive material between the first and second electrodes 2a and 4a And then pressing them when curing the conductive material. By pressurization, the conductive particles 11 are generally compressed.

제1, 제2 접속 대상 부재는 특별히 한정되지 않는다. 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 도전 재료는, 전자 부품의 접속에 사용되는 도전 재료인 것이 바람직하다.The first and second members to be connected are not particularly limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic parts such as a semiconductor chip, a capacitor and a diode, and electronic parts such as a circuit board such as a printed board, a flexible printed board, a glass epoxy board and a glass board have. The conductive material is preferably a conductive material used for connection of electronic parts.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법은, 상기 제1 접속 대상 부재의 표면에 상기 도전 재료에 의해 도전 재료층을 배치하는 공정과, 상기 도전 재료층의 상기 제1 접속 대상 부재측과 반대측의 표면에 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료층을 열경화시켜서 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 접속부는, 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여, 상기 도전 재료층을 경화시켜서 형성된다. 상기 도전 재료층은, 100℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 100℃ 이하의 온도로 가열하여, 열경화되는 것이 보다 바람직하다.The method of manufacturing a connection structure according to the present invention includes the steps of disposing a conductive material layer on the surface of the first connection target member with the conductive material; And a step of thermally curing the conductive material layer to form a connecting portion electrically connecting the first and second connection target members to each other. In this case, the connecting portion is formed by heating the conductive material layer to a temperature of 120 占 폚 or less without heating to a temperature exceeding 120 占 폚, and curing the conductive material layer. It is more preferable that the conductive material layer is thermally cured by heating to a temperature of 100 占 폚 or less without heating to a temperature exceeding 100 占 폚.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는, 예를 들어 도 2의 (a) 내지 (c)에 나타내는 상태를 거쳐, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다.The connection structure 1 shown in Fig. 1 can be obtained as follows, for example, through the state shown in Figs. 2 (a) to 2 (c).

도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면에 복수의 도전성 입자(11)를 포함하는 도전 재료를 배치하고, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면에 도전 재료층(3A)을 형성한다. 이때, 제1 전극(2a) 상에 1개 또는 복수의 도전성 입자(11)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 2A, a first connection target member 2 having a first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. Next, a conductive material including a plurality of conductive particles 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2, and a conductive material layer 3A is formed on the surface of the first connection target member 2. Next, At this time, it is preferable that one or more conductive particles 11 are disposed on the first electrode 2a.

이어서, 도전 재료층(3A)에 광을 조사함으로써, 도전 재료층(3A)의 경화를 진행시킨다. 도 2의 (a) 내지 (c)에서는, 도전 재료층(3A)에 광을 조사하여, 도전 재료층(3A)의 경화를 진행시켜서, 도전 재료층(3A)을 B 스테이지화하고 있다. 즉, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면에 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 형성하고 있다. B 스테이지화에 의해, 제1 접속 대상 부재(2)와 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)이 가접착된다. B 스테이지화된 도전 재료층(3B)은 반경화 상태에 있는 반경화물이다. B 스테이지화된 도전 재료층(3B)은 완전히 경화하지 않아, 열경화가 더 진행될 수 있다. 단, 도전 재료층(3A)을 B 스테이지화하지 않고, 도전 재료층(3A)에 광을 조사하거나 또는 도전 재료층(3A)을 가열하여, 도전 재료층(3A)을 한번에 경화시킬 수도 있다. 도전 재료층(3A)을 가열하여, 도전 재료층(3A)을 열경화시키는 것이 바람직하다.Then, light is applied to the conductive material layer 3A to advance the curing of the conductive material layer 3A. 2 (a) to 2 (c), the conductive material layer 3A is irradiated with light to advance the curing of the conductive material layer 3A to make the conductive material layer 3A a B-stage. That is, as shown in Fig. 2 (b), the B-staged conductive material layer 3B is formed on the surface of the first connection target member 2. By the B stage, the first connection target member 2 and the B-staged conductive material layer 3B are bonded. The B-staged conductive material layer 3B is a semi-hardened semi-hardened material. The B-staged conductive material layer 3B is not completely cured, and thermal curing can proceed further. However, the conductive material layer 3A may be cured at once by irradiating the conductive material layer 3A with light or by heating the conductive material layer 3A without forming the conductive material layer 3A into the B stage. It is preferable to heat the conductive material layer 3A to thermally cure the conductive material layer 3A.

도전 재료층(3A)의 경화를 효과적으로 진행시키기 위해서, 광을 조사할 때의 광 조사 강도는 0.1 내지 8000mW/cm2의 범위 내인 것이 바람직하다. 적산 광량은 0.1 내지 20000J/cm2인 것이 바람직하다. 광을 조사할 때에 사용하는 광원은 특별히 한정되지 않는다. 해당 광원으로서는, 예를 들어 파장 420nm 이하에 충분한 발광 분포를 갖는 광원 등을 들 수 있다. 또한, 광원의 구체예로서는, 예를 들어 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로웨이브 여기 수은등, 메탈 할라이드 램프 및 LED 램프 등을 들 수 있다.To effectively cure the conductive material layer 3A, it is preferable that the light irradiation intensity at the time of light irradiation is in the range of 0.1 to 8000 mW / cm < 2 >. The accumulated light quantity is preferably 0.1 to 20,000 J / cm < 2 >. The light source used when irradiating light is not particularly limited. As the light source, for example, a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less can be given. Specific examples of the light source include low pressure mercury lamps, medium pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, chemical lamps, black light lamps, microwave excited mercury lamps, metal halide lamps and LED lamps.

이어서, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, B 스테이지화된 도전 재료층(3B)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대의 표면에, 제2 접속 대상 부재(4)를 적층한다. 제1 접속 대상 부재(2) 표면의 제1 전극(2a)과, 제2 접속 대상 부재(4) 표면의 제2 전극(4a)이 대향하도록, 제2 접속 대상 부재(4)를 적층한다.Then, as shown in Fig. 2 (c), a second connection target member 4 is provided on the surface of the B-staged conductive material layer 3B opposite to the first connection target member 2 side Laminated. The second connection target member 4 is laminated such that the first electrode 2a on the surface of the first connection target member 2 and the second electrode 4a on the surface of the second connection target member 4 face each other.

또한, 제2 접속 대상 부재(4)의 적층 시에 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 가열함으로써, B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 더 경화시켜, 접속부(3)를 형성한다. 단, 제2 접속 대상 부재(4)의 적층 전에, B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 가열할 수도 있다. 또한, 제2 접속 대상 부재(4)의 적층 후에 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 가열할 수도 있다.The B-staged conductive material layer 3B is further heated by heating the B-staged conductive material layer 3B at the time of laminating the second connection target member 4 to further form the connection portion 3 . However, the B-staged conductive material layer 3B may be heated before the second connection target member 4 is laminated. In addition, the B-staged conductive material layer 3B may be heated after the second connection target member 4 is laminated.

도전 재료층(3A) 또는 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 가열에 의해 경화시킬 때의 가열 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 한층 바람직하게는 100℃ 이상, 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다. 본 발명에 따른 도전 재료가 유기 EL 표시 소자에서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 경우에는, 상기 도전 재료층(3A) 또는 B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 경화시킬 때의 가열 온도는 120℃ 이하이고, 100℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.The heating temperature when the conductive material layer 3A or the B-staged conductive material layer 3B is cured by heating is preferably 50 DEG C or higher, more preferably 80 DEG C or higher, still more preferably 100 DEG C or higher Deg. C to 120 deg. C, and more preferably 110 deg. C or less. When the conductive material according to the present invention is used for electrical connection of electrodes in the organic EL display element, the heating temperature for curing the conductive material layer 3A or the B-staged conductive material layer 3B is More preferably 120 deg. C or less and 100 deg. C or less.

B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 경화시킬 때에, 가압하는 것이 바람직하다. 가압에 의해 제1 전극(2a)과 제2 전극(4a)으로 도전성 입자(11)를 압축함으로써, 제1, 제2 전극(2a, 4a)과 도전성 입자(11)의 접촉 면적을 크게 할 수 있다. 이로 인해, 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 도전성 입자(11)를 압축함으로써, 제1, 제2 전극(2a, 4a)간의 거리가 넓어져도, 이 넓이에 추종하도록 도전성 입자(11)의 입자 직경이 커진다.It is preferable to pressurize the B-staged conductive material layer 3B. The contact area between the first and second electrodes 2a and 4a and the conductive particles 11 can be increased by compressing the conductive particles 11 with the first electrode 2a and the second electrode 4a by pressurization have. As a result, conduction reliability can be enhanced. Further, by compressing the conductive particles 11, even if the distance between the first and second electrodes 2a and 4a is increased, the particle diameter of the conductive particles 11 becomes larger so as to follow this width.

B 스테이지화된 도전 재료층(3B)을 경화시킴으로써, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(4)가 접속부(3)를 통해 접속된다. 또한, 제1 전극(2a)과 제2 전극(4a)이 도전성 입자(11)를 통해 전기적으로 접속된다. 이와 같이 하여, 도전 재료를 사용한 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)를 얻을 수 있다. 여기에서는, 광경화와 열경화가 병용되고 있기 때문에, 도전 재료를 단시간에 경화시킬 수 있다.The first connection target member 2 and the second connection target member 4 are connected via the connection portion 3 by curing the B-staged conductive material layer 3B. In addition, the first electrode 2a and the second electrode 4a are electrically connected through the conductive particles 11. In this way, the connection structure 1 shown in Fig. 1 using a conductive material can be obtained. Here, since the photocuring and the heat curing are used in combination, the conductive material can be cured in a short time.

본 발명에 따른 도전 재료는, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 또는 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용할 수 있다. 그 중에서도, 상기 도전 재료는 FOG 용도 또는 COG 용도에 적합하고, COG 용도에 보다 적합하다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판과의 접속, 또는 반도체칩과 유리 기판과의 접속에 사용되는 도전 재료인 것이 바람직하고, 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속에 사용되는 도전 재료인 것이 보다 바람직하다.The conductive material according to the present invention can be used for a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a semiconductor chip and a flexible printed circuit (COF (Chip on Film) (COG (Chip on Glass)), or connection of a flexible printed board and a glass epoxy board (FOB (Film on Board)). In particular, the conductive material is suitable for FOG or COG applications and is more suitable for COG applications. The conductive material according to the present invention is preferably a conductive material used for connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate or for connection between a semiconductor chip and a glass substrate and is preferably a conductive material used for connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate Is more preferable.

본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 제2 접속 대상 부재와 상기 제1 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판이거나, 또는 반도체칩과 유리 기판인 것이 바람직하고, 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판인 것이 보다 바람직하다.In the connection structure according to the present invention, it is preferable that the second connection target member and the first connection target member are a flexible printed substrate and a glass substrate, or a semiconductor chip and a glass substrate, and the flexible printed substrate and the glass substrate desirable.

또한, 본 발명에 따른 접속 구조체는 유기 EL 표시 소자인 것도 바람직하다. 상기 유기 EL 표시 소자에서의 전극이, 상기 도전 재료에 포함되는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있을 수도 있다.It is also preferable that the connection structure according to the present invention is an organic EL display device. The electrodes in the organic EL display device may be electrically connected by the conductive particles included in the conductive material.

또한, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 각각 유기 EL 표시 소자용 기판인 것이 바람직하다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 유기 EL 표시 소자용 기판인 제1, 제2 기판인 것이 바람직하다. 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재가, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 기판과 밀봉 기판인 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 제1 접속 대상 부재가 상기 유기 EL 기판이고 또한 상기 제2 접속 대상 부재가 상기 밀봉 기판일 수도 있고, 상기 제1 접속 대상 부재가 상기 밀봉 기판이고 또한 상기 제2 접속 대상 부재가 상기 유기 EL 기판일 수도 있다. 상기 접속 구조체는 유기 EL 표시 소자인 것이 바람직하다.Preferably, the first and second connection target members are each a substrate for an organic EL display device. It is preferable that the first and second connection target members are first and second substrates which are substrates for organic EL display elements. It is preferable that the first connection target member and the second connection target member are an organic EL substrate and a sealing substrate having organic EL elements. In this case, the first connection target member may be the organic EL substrate, the second connection target member may be the sealing substrate, the first connection target member may be the sealing substrate, and the second connection target member Or may be the organic EL substrate described above. The connection structure is preferably an organic EL display element.

전극 폭(제1 전극 폭 및 제2 전극 폭)은 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하이다. 전극간 폭(제1 전극간 폭 및 제2 전극간 폭)은 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하이다. 또한, 전극 폭/전극간 폭인 L/S(라인/스페이스)는, 바람직하게는 5㎛/5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛/10㎛ 이상, 바람직하게는 500㎛/500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛/300㎛ 이하이다.The electrode width (the first electrode width and the second electrode width) is preferably 5 占 퐉 or more, more preferably 10 占 퐉 or more, preferably 500 占 퐉 or less, and more preferably 300 占 퐉 or less. The inter-electrode width (first inter-electrode width and second inter-electrode width) is preferably not less than 3 탆, more preferably not less than 10 탆, preferably not more than 500 탆, more preferably not more than 300 탆. Further, the electrode width / L / S (line / space) as the width between electrodes is preferably 5 μm / 5 μm or more, more preferably 10 μm / 10 μm or more, preferably 500 μm / Preferably 300 占 퐉 / 300 占 퐉 or less.

이하, 본 발명에 대해서, 실시예 및 비교예를 들어 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

(1) 도전 재료의 제조:(1) Production of conductive material:

비스페놀 A 변성 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론(EPICLON) EXA-4850-150」) 40중량부, 비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」) 40중량부 및 페놀노볼락 수지(미쯔비시 가가꾸사 제조 「1032H60」) 20중량부에, 양이온 발생제인 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드) 3중량부와, 무기 충전재인 평균 입자 직경 0.5㎛의 실리카(도아 고세사 제조 「HPS-0500」, 종횡비 1.2) 10중량부와, 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 A(100℃에서의 20% K값: 1400N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%) 4중량부를 첨가하고, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 도전 페이스트를 얻었다., 40 parts by weight of a bisphenol A modified epoxy resin ("EPICLON EXA-4850-150" manufactured by DIC Corporation), 40 parts by weight of a bisphenol F epoxy resin (EXA-835LV manufactured by DIC Corporation) and 40 parts by weight of a phenol novolac resin 3 parts by weight of a cation generator SI-60L (Sun Aid manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) and 20 parts by weight of a silica (average particle diameter 0.5 mu m, 10 parts by weight of a conductive particle A (HPS-0500, aspect ratio 1.2) and 4 parts by weight of a conductive particle A having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 1400 N / mm 2 , compression recovery at 100 캜: And the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a conductive paste.

또한, 사용한 도전성 입자 A 및 후술하는 도전성 입자 B, C, D, E, F, G, I, L, W, X, Y, Z는 모두 디비닐벤젠 수지 입자의 표면에 니켈 도금층이 형성되어 있고, 또한 해당 니켈 도금층의 표면에 금 도금층이 형성되어 있는 도전층을 갖는 도전성 입자이다. 또한, 사용한 도전성 입자 H는, 수지 입자의 표면에 니켈 도금층이 형성되어 있고, 또한 해당 니켈 도금층의 표면에 팔라듐 도금층이 형성되어 있는 도전층을 갖는 도전성 입자이다. 도전성 입자 J는, 수지 입자의 표면에 니켈 도금층만이 형성된 도전성 입자이다. 도전성 입자 K는 수지 입자의 표면에 니켈 도금층이 형성되어 있고, 또한 해당 니켈 도금층의 표면에 팔라듐 도금층이 형성되어 있고, 또한 상기 도전층의 외표면에 융기한 돌기를 갖는 도전성 입자이다. 20% K값 및 압축 회복률은 디비닐벤젠 수지 입자의 조성 및 도전층의 두께를 변경함으로써 조정하였다.The electroconductive particles A and the electroconductive particles B, C, D, E, F, G, I, L, W, X, Y and Z described below all have a nickel plating layer formed on the surface of the divinylbenzene resin particles And a conductive layer in which a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. The conductive particles H used are conductive particles having a nickel plating layer formed on the surface of resin particles and a conductive layer having a palladium plating layer formed on the surface of the nickel plating layer. The conductive particle J is a conductive particle having only a nickel plated layer formed on the surface of the resin particle. The conductive particles K are conductive particles having a nickel plating layer formed on the surface of resin particles, a palladium plating layer formed on the surface of the nickel plating layer, and protrusions rising on the outer surface of the conductive layer. The 20% K value and the compression recovery rate were adjusted by changing the composition of the divinylbenzene resin particles and the thickness of the conductive layer.

(2) 유기 EL 표시 소자의 제작:(2) Production of organic EL display device:

유기 EL 소자를 구비하고 있고, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 상면에 형성된 유기 EL 기판(제1 기판, 제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 하면에 형성된 밀봉 기판(제2 기판, 제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.An organic EL substrate (first substrate, first connection target member) having an organic EL device, an Mo / Al / Mo electrode pattern with L / S of 500 m / 500 m and a length of 20 mm formed on the upper surface was prepared . Further, a sealing substrate (second substrate, second connecting member) provided with a Mo / Al / Mo electrode pattern having an L / S of 500 mu m / 500 mu m and a length of 20 mm was prepared.

상기 제1 기판 상에, 제작 직후의 도전 페이스트를 폭 2mm, 두께 50㎛가 되도록 디스펜서를 사용해서 도공하여, 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 도전 페이스트층 상에 상기 제2 기판을 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 이 적층체를, 접합 장치를 사용하여, 0.3MPa의 압력을 가해서 100℃에서 30분간 도전 페이스트층을 경화시켜, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.On the first substrate, a conductive paste immediately after fabrication was applied using a dispenser so as to have a width of 2 mm and a thickness of 50 m to form a conductive paste layer. Subsequently, the second substrate was laminated on the conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. This laminate was cured by applying a pressure of 0.3 MPa at 100 DEG C for 30 minutes using a bonding apparatus to obtain an organic EL display device.

(실시예 2)(Example 2)

도전 페이스트층의 가열 온도를 100℃에서 120℃로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 표시 소자를 얻었다.An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating temperature of the conductive paste layer was changed from 100 占 폚 to 120 占 폚.

(실시예 3)(Example 3)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 B(100℃에서의 20% K값: 520N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 10%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles B having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 520 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 10% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 4)(Example 4)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 C(100℃에서의 20% K값: 1980N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 18%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles C having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 1980 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 18% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 5)(Example 5)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 D(100℃에서의 20% K값: 1100N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 3%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles D having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 1100 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 3% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 6)(Example 6)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 E(100℃에서의 20% K값: 1700N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 30%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that Conductive Particle A was changed to Conductive Particle E having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 1700 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 30% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 7)(Example 7)

무기 충전재를 평균 입자 직경 0.8㎛의 탈크(닛본 탈크사 제조 「D-800」, 평균 종횡비 2)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler was changed to talc having an average particle diameter of 0.8 占 퐉 ("D-800" manufactured by Nippon Talc Co., Ltd., average aspect ratio 2). Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 8)(Example 8)

비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」)를 비스페놀 E(푸린 테크사 제조 「EPOX-MK R1710」)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" manufactured by DIC Corporation) was changed to bisphenol E ("EPOX-MK R1710" manufactured by Purintech Co., Ltd.). Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 9)(Example 9)

SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드)을 양이온 발생제인 CXC-1612(K-PURE사 제조의 K-PURE CXC)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1, except that SI-60L (Sun Aid manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) was changed to CXC-1612 (K-PURE CXC manufactured by K-PURE) as a cation generator. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 10)(Example 10)

양이온 발생제인 SI-60L을 배합하지 않고, 열경화제(이미다졸 화합물, 시꼬꾸 가세이 고교사 제조 「2P-4MZ」) 15중량부를 배합한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1, except that SI-60L as a cation generator was not blended and 15 parts by weight of a heat curing agent (imidazole compound, "2P-4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was blended. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 11)(Example 11)

무기 충전재를 배합하지 않은 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that no inorganic filler was added. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 12)(Example 12)

SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드)을 양이온 발생제인 CPI-210S(산-아프로사 제조)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1, except that SI-60L (Sun Aid manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) was changed to CPI-210S (manufactured by San-Apro Co.), which is a cation generator.

실시예 1과 마찬가지의 제1, 제2 기판을 준비하였다. 상기 제1 기판 상에, 도전 페이스트를 디스펜서를 사용해서 도공하여, 도전 페이스트층을 형성한 후, 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사하여, 광 중합에 의해 도전 페이스트층을 반경화시켜, B 스테이지화하였다. 이어서, 도전 페이스트층 상에 상기 제2 기판을 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 이 적층체를, 접합 장치를 사용하여, 0.3MPa의 압력을 가해서 100℃에서 30분간 도전 페이스트층을 경화시켜, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.First and second substrates similar to those of Example 1 were prepared. The conductive paste was applied on the first substrate using a dispenser to form a conductive paste layer. Then, ultraviolet rays of 365 nm were irradiated for 3 seconds so that the light irradiation intensity became 3000 mW / cm < 2 & The layer was semi-cured and B-staged. Subsequently, the second substrate was laminated on the conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. This laminate was cured by applying a pressure of 0.3 MPa at 100 DEG C for 30 minutes using a bonding apparatus to obtain an organic EL display device.

(실시예 13)(Example 13)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 F(100℃에서의 20% K값: 580N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 5%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles F having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 580 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 5% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 14)(Example 14)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 G(100℃에서의 20% K값: 1680N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 25%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles G having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 1680 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 25% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 15)(Example 15)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 H(100℃에서의 20% K값: 1520N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that Conductive Particle A was changed to Conductive Particle H having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 1520 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 15% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 16)(Example 16)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 J(100℃에서의 20% K값: 1480N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles J having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 1480 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 15% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 17)(Example 17)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 K(100℃에서의 20% K값: 1580N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles K having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 1580 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 15% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 18)(Example 18)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 20㎛의 도전성 입자 L(100℃에서의 20% K값: 1380N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 13%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles L having an average particle diameter of 20 μm (20% K value at 100 ° C: 1380 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 13% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 19)(Example 19)

(1) 도전 필름의 제작:(1) Production of a conductive film:

페녹시 수지(페녹시 어소시에이츠사 제조 「PKHH」) 30중량부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP4032D」) 20중량부, 액상 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사 제조 「EP-828」) 20중량부, 경화제로서 이미다졸 경화제(아사히 가세이 이-머티리얼즈사 제조 「노바큐어 3941HP」) 30중량부, 실란 커플링제(도레이 다우코닝 실리콘사 제조 「SH6040」) 1중량부, 평균 입자 직경 0.5㎛의 실리카(도아 고세사 제조 「HPS-0500」, 종횡비 1.2) 10중량부 및 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 A 4중량부를 첨가하고, 톨루엔을 고형분 50중량%가 되도록 가하여, 수지 조성물을 얻었다., 20 parts by weight of a naphthalene type epoxy resin ("HP4032D" manufactured by DIC), 20 parts by weight of a liquid epoxy resin ("EP-828" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 20 parts by weight of a phenoxy resin ("PKHH" , 1 part by weight of a silane coupling agent ("SH6040" manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) as a curing agent, 30 parts by weight of an imidazole curing agent (Nova Cure 3941HP manufactured by Asahi Kasei- (HPS-0500 manufactured by Toagosei Co., Ltd., aspect ratio: 1.2) and 4 parts by weight of conductive particles A having an average particle diameter of 30 mu m were added, and toluene was added so as to have a solid content of 50% by weight to obtain a resin composition.

얻어진 수지 조성물을, 편면이 이형 처리된 두께 50㎛의 PET 필름에 도포하고, 80℃의 열풍으로 5분간 건조하여, 도전 필름을 제작하였다. 얻어진 도전 필름의 두께는 50㎛이었다. 얻어진 도전 필름을 폭 2mm의 크기로 절단하였다.The obtained resin composition was applied to a PET film having a thickness of 50 占 퐉 which had been subjected to a release treatment on one side and dried with hot air at 80 占 폚 for 5 minutes to prepare a conductive film. The thickness of the obtained conductive film was 50 占 퐉. The obtained conductive film was cut into a size of 2 mm in width.

(2) 유기 EL 표시 소자의 제작:(2) Production of organic EL display device:

상기 제1 기판 상에, 도전 페이스트를 디스펜서로 도공하여, 도전 페이스트층을 형성하는 프로세스를, 도전 필름을 부착하여 도전 필름층을 형성하는 프로세스로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A process for forming a conductive paste layer by coating a conductive paste with a dispenser on the first substrate was changed to a process for forming a conductive film layer by adhering a conductive film. An EL display device was obtained.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 W(100℃에서의 20% K값: 350N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 5%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles W having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 350 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 5% An organic EL display device was obtained.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 X(100℃에서의 20% K값: 3670N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 95%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles X having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 3670 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 95% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 Y(100℃에서의 20% K값: 600N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 1.5%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the conductive particles A were changed to conductive particles Y having an average particle diameter of 30 탆 (20% K value at 100 캜: 600 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 1.5% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 Z(100℃에서의 20% K값: 1800N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 40%)로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that Conductive Particle A was changed to Conductive Particle Z having an average particle diameter of 30 μm (20% K value at 100 ° C: 1800 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 ° C: 40% Thereby obtaining a conductive paste. Using the obtained conductive paste, an organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4의 평가)(Evaluation of Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4)

(1) 도전성 입자의 100℃에서의 압축 탄성률(20% K값)(1) The compressive modulus at 20 deg. C (20% K value)

사용한 도전성 입자의 100℃에서의 압축 탄성률(20% K값)을 미소 압축 시험기(피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」)를 사용하여 측정하였다.The compressive modulus (20% K value) of the conductive particles used at 100 캜 was measured using a micro compression tester ("Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Company).

(2) 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률(2) Compression recovery rate of conductive particles at 100 캜

사용한 도전성 입자를 100℃에서 30% 압축했을 때의 압축 회복률을, 미소 압축 시험기(피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」)를 사용하여 측정하였다.The compressive recovery rate when the used conductive particles were compressed by 30% at 100 ° C was measured using a micro compression tester ("Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher Company).

(3) 보이드의 유무(3) presence or absence of void

얻어진 유기 EL 표시 소자에 있어서, 도전 재료층이 경화한 접속부에 보이드가 발생하였는지 여부를 관찰하였다. 보이드의 유무를 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained organic EL display device, it was observed whether or not voids were generated in the connection portion where the conductive material layer was cured. The presence or absence of voids was judged by the following criteria.

[보이드의 유무 판정 기준][Criteria for determining presence or absence of voids]

○: 보이드 없음○: No void

△: 보이드는 있지만, 전극 폭 및 전극간 폭보다 큰 보이드는 없음Δ: There is void but no void larger than electrode width and inter-electrode width

×: 전극 폭 또는 전극간 폭보다 큰 보이드가 있음X: voids larger than electrode width or inter-electrode width

(4) 내습성(4) Moisture resistance

얻어진 도전 페이스트를 두께 100㎛가 되도록, 베이커식 어플리케이터(테스터 산교사 제조)로 항온 플레이트 상에 도포하였다. 그 후, 실시예 1 내지 11, 13 내지 18 및 비교예 1 내지 4에서는 100℃에서 30분간 가열하고, 실시예 12에서는 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사한 후, 100℃에서 30분간 가열하여 필름을 얻었다. 실시예 19에서는, 2개의 도전 필름을 합계 두께 100㎛가 되도록 적층하고, 항온 플레이트 상에 배치한 후, 100℃에서 30분 가열하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름의 투습도를, JIS Z0208에 따라, 60℃, 90% RH의 조건에 24시간 폭로하여 측정하였다.The obtained conductive paste was applied on a constant temperature plate with a Baker type applicator (manufactured by TESTER Co., Ltd.) so as to have a thickness of 100 mu m. Then, Examples 1 to 11, 13 to 18 and Comparative Examples 1 to 4, then in the exemplary heated at 100 ℃ 30 minutes, and Example 12 is the light intensity of ultraviolet light of 365nm irradiated three seconds so that 3000mW / cm 2, And heated at 100 DEG C for 30 minutes to obtain a film. In Example 19, two conductive films were laminated so as to have a total thickness of 100 mu m, placed on a constant temperature plate, and heated at 100 DEG C for 30 minutes to obtain a film. The moisture permeability of the obtained film was measured according to JIS Z0208 at a temperature of 60 DEG C and 90% RH for 24 hours.

또한, 상기 투습도는, JIS Z0208과 같이, 투습 컵으로 측정하는 방법이 일반적이지만, 미국 모콘사 제조의 PERMATRAN W3/33을 사용하여 측정하는 것도 가능하다.The above-mentioned moisture permeability is generally measured by a moisture permeable cup as in JIS Z0208, but it is also possible to use PERMATRAN W3 / 33 manufactured by Micon Co., USA.

투습도의 측정값으로부터 내습성을 다음의 기준으로 판정하였다.From the measured values of the moisture permeability, the moisture resistance was judged by the following criteria.

[내습성의 판정 기준][Criteria for evaluating moisture resistance]

○○: 투습도가 25g/m2 이하○○: The moisture permeability is 25g / m 2 or less

○: 투습도가 25g/m2 초과 50g/m2 이하○: The water vapor transmission rate 25g / m 2 greater than 50g / m 2 or less

△: 투습도가 50g/m2 초과 100g/m2 이하△: water vapor transmission rate is 50g / m 2 greater than 100g / m 2 or less

×: 투습도가 100g/m2 초과×: The moisture permeability exceeds 100 g / m 2

(5) 접속 저항(도통 신뢰성)(5) Connection resistance (conduction reliability)

얻어진 유기 EL 표시 소자의 상하 전극간의 접속 저항을 각각 4 단자법에 의해 측정하였다. 100군데의 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 얻어진 유기 EL 표시 소자에서의 전극간의 접속 저항을 다음의 기준으로 판정하였다.The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained organic EL display element was measured by the four-terminal method. The average value of 100 connection resistances was calculated. From the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. The connection resistance between the electrodes in the obtained organic EL display device was determined based on the following criteria.

[접속 저항의 판정 기준][Criteria for judging connection resistance]

○○: 3Ω 미만○○: Less than 3Ω

○: 3Ω 이상 4Ω 미만○: 3Ω or more and less than 4Ω

△: 4Ω 이상 5Ω 미만?: 4? Or more and less than 5?

△△: 5Ω 이상 10Ω 미만△△: 5 Ω or more and less than 10 Ω

×: 10Ω 이상×: 10Ω or more

(6) 접속 신뢰성(6) Connection reliability

얻어진 유기 EL 표시 소자를 85℃, 85% RH의 조건에 500시간 방치한 후, 상하의 전극간의 접속 저항을 각각 4 단자법에 의해 측정하였다. 100군데의 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 고온 고습 조건에 방치한 후의 유기 EL 표시 소자에서의 전극간의 접속 저항으로부터, 접속 신뢰성을 다음의 기준으로 판정하였다.After the obtained organic EL display device was left under the conditions of 85 캜 and 85% RH for 500 hours, the connection resistance between the upper and lower electrodes was measured by the 4-terminal method. The average value of 100 connection resistances was calculated. From the connection resistance between the electrodes in the organic EL display device after being left under the high temperature and high humidity conditions, the connection reliability was judged by the following criteria.

[접속 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judging connection reliability]

○○: 3Ω 미만○○: Less than 3Ω

○: 5Ω 미만○: less than 5Ω

△: 5Ω 이상 10Ω 미만△: 5 Ω or more and less than 10 Ω

×: 10Ω 이상×: 10Ω or more

결과를 다음의 표 1에 나타내었다.The results are shown in Table 1 below.

Figure pct00009
Figure pct00009

(실시예 20)(Example 20)

(1) 도전 재료의 제조:(1) Production of conductive material:

비스페놀 A 변성 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 EXA-4850-150」) 40중량부 및 비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」) 30중량부에, 양이온 발생제인 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드) 3중량부와, 광경화성 화합물인 에폭시아크릴레이트(다이셀·올넥스사 제조 「에베크릴3702」) 20중량부와, 광경화 개시제인 아실포스핀옥시드계 화합물(시바 재팬사 제조 「다로큐어(DAROCUR) TPO」) 1중량부와, 충전재인 평균 입자 직경 0.25㎛의 실리카 10중량부와, 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 A(실시예 1에서 사용한 도전성 입자, 100℃에서의 20% K값: 1400N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%) 4중량부를 첨가하고, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 도전 페이스트를 얻었다., 40 parts by weight of a bisphenol A modified epoxy resin ("Epiclon EXA-4850-150" manufactured by DIC Corporation) and 30 parts by weight of a bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" Ltd.), 20 parts by weight of an epoxy acrylate ("Ebecryl 3702" manufactured by Daicel Alynes Co., Ltd.) as a photo-curable compound, 20 parts by weight of an acylphosphine oxide-based compound , 10 parts by weight of silica having an average particle diameter of 0.25 mu m as a filler and 10 parts by weight of conductive particles A having an average particle diameter of 30 mu m (the conductive particles used in Example 1, " DAROCUR TPO " 4% by weight at 20% K value at 100 DEG C: 1400 N / mm < 2 >, compression recovery at 100 DEG C: 15%) was added and stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a conductive paste.

(2) 유기 EL 표시 소자의 제작:(2) Production of organic EL display device:

유기 EL 소자를 구비하고 있고, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 상면에 형성된 유기 EL 기판(제1 기판, 제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 하면에 형성된 밀봉 기판(제2 기판, 제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.An organic EL substrate (first substrate, first connection target member) having an organic EL device, an Mo / Al / Mo electrode pattern with L / S of 500 m / 500 m and a length of 20 mm formed on the upper surface was prepared . Further, a sealing substrate (second substrate, second connecting member) provided with a Mo / Al / Mo electrode pattern having an L / S of 500 mu m / 500 mu m and a length of 20 mm was prepared.

상기 제1 기판 상에, 제작 직후의 도전 페이스트를 폭 2mm, 두께 50㎛가 되도록 디스펜서를 사용해서 도공하여, 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 도전 페이스트층 상에 상기 제2 기판을, 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사하여, 광 중합에 의해 도전 페이스트층을 반경화시켜, B 스테이지화하였다. 이 적층체를, 접합 장치를 사용하여, 0.3MPa의 압력을 걸어 100℃에서 30분간 도전 페이스트층을 경화시켜, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.On the first substrate, a conductive paste immediately after fabrication was applied using a dispenser so as to have a width of 2 mm and a thickness of 50 m to form a conductive paste layer. Subsequently, the second substrate was laminated on the conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. Ultraviolet rays of 365 nm were irradiated for 3 seconds so that the light irradiation intensity became 3000 mW / cm 2 , and the conductive paste layer was semi-cured by photopolymerization to make B stage. The stacked body was subjected to a pressure of 0.3 MPa using a bonding apparatus to cure the conductive paste layer at 100 占 폚 for 30 minutes to obtain an organic EL display element.

(실시예 21)(Example 21)

도전 페이스트층의 가열 온도를 100℃에서 120℃로 변경한 것 이외는 실시예 20과 마찬가지로 하여 유기 EL 표시 소자를 얻었다.An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 20 except that the heating temperature of the conductive paste layer was changed from 100 캜 to 120 캜.

(실시예 22)(Example 22)

상기 제2 기판을 적층하기 전에 광의 조사를 행하고, 광의 조사 후에 빠르게 상기 제2 기판을 적층한 것 이외는 실시예 20과 마찬가지로 하여, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 20 except that the second substrate was irradiated with light before lamination and the second substrate was laminated rapidly after the irradiation of light.

(실시예 23)(Example 23)

열경화성 화합물의 종류를, 비스페놀 A 변성 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 EXA-4850-150」)에서 페놀노볼락형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 N-770」)로 변경한 것 이외는 실시예 20과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 20과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.Except that the kind of the thermosetting compound was changed from a bisphenol A modified epoxy resin ("Epiclon EXA-4850-150" manufactured by DIC Corporation) to a phenol novolak type epoxy resin ("Epiclon N-770" A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 20. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 20, using the obtained conductive paste.

(실시예 24)(Example 24)

양이온 발생제의 종류를, SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드)에서 CXC-1612(K-pure사 제조의 K-pure CXC)로 변경한 것 이외는 실시예 20과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 20과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 20 was repeated except that the kind of the cation generator was changed from CXC-1612 (K-pure CXC manufactured by K-pure) to SI-60L (Sun Aid produced by Sanzuka Chemical Co., Ltd.) A paste was obtained. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 20, using the obtained conductive paste.

(실시예 25)(Example 25)

양이온 발생제인 SI-60L을 첨가하지 않고, 열경화제(이미다졸 화합물, 시꼬꾸 가세이 고교사 제조 「2P-4MZ」) 15중량부를 첨가한 것 이외는, 실시예 20과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 20과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 20 except that SI-60L as a cation generator was not added and 15 parts by weight of a heat curing agent (imidazole compound, "2P-4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was added. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 20, using the obtained conductive paste.

(실시예 26)(Example 26)

도전성 입자 A를 평균 입자 직경 60㎛의 도전성 입자 I(100℃에서의 20% K값: 1400N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%)로 변경한 것 이외는 실시예 20과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 또한, 상기 제1 기판의 전극을 L/S가 500㎛/500㎛, 길이 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴으로 변경하고, 밀봉 기판(제2 기판)의 전극을 L/S가 500㎛/500㎛, 길이 20mm인 ITO 전극 패턴으로 변경하여, 상기 제1 기판 상에, 제작 직후의 도전 페이스트를 폭 1.5mm, 두께 120㎛가 되도록 디스펜서를 사용해서 도공한 것 이외는, 실시예 20과 마찬가지로 하여 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The procedure of Example 20 was repeated except that the conductive particles A were changed to conductive particles I having an average particle diameter of 60 탆 (20% K value at 100 캜: 1,400 N / mm 2 , compression recovery rate at 100 캜: 15% Thereby obtaining a conductive paste. The electrode of the first substrate was changed to a Mo / Al / Mo electrode pattern having an L / S of 500 m / 500 m and a length of 20 mm, and an electrode of the sealing substrate (second substrate) Except that the conductive paste immediately after the preparation was coated on the first substrate by a dispenser so as to have a width of 1.5 mm and a thickness of 120 占 퐉 in the same manner as in Example 20 To obtain an organic EL display element.

(실시예 20 내지 26 평가)(Evaluation of Examples 20 to 26)

실시예 20 내지 26에서는, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4의 평가 항목 (1) 내지 (6)에 대해서, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4와 마찬가지로 하여 평가를 실시하였다.In Examples 20 to 26, the evaluation items (1) to (6) of Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated in the same manner as in Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4.

또한, 상기 (4) 내습성의 평가에서는, 얻어진 도전 페이스트를 두께 100㎛가 되도록, 베이커식 어플리케이터(테스터 산교사 제조)로 항온 플레이트 상에 도포하였다. 그 후, 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사한 후, 100℃에서 30분간 가열하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름의 투습도를, JIS Z0208에 따라, 60℃, 90% RH의 조건에 24시간 폭로하여 측정하였다.(4) In the evaluation of the moisture resistance, the obtained conductive paste was applied on a constant temperature plate with a Baker type applicator (manufactured by Testers Co., Ltd.) so as to have a thickness of 100 탆. Thereafter, ultraviolet ray of 365 nm was irradiated for 3 seconds so that the light irradiation intensity became 3000 mW / cm 2 , and then heated at 100 캜 for 30 minutes to obtain a film. The moisture permeability of the obtained film was measured according to JIS Z0208 at a temperature of 60 DEG C and 90% RH for 24 hours.

결과를 다음의 표 2에 나타내었다.The results are shown in Table 2 below.

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Figure pct00010

(실시예 27)(Example 27)

(1) 도전 재료의 제조:(1) Production of conductive material:

비스페놀 A 변성 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 EXA-4850-150」) 40중량부 및 비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」) 30중량부에, 양이온 발생제인 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드) 3중량부와, 광경화성 화합물인 에폭시아크릴레이트(다이셀·올넥스사 제조 「에베크릴3702」) 20중량부와, 광경화 개시제인 아실포스핀옥시드계 화합물(시바 재팬사 제조 「다로큐어 TPO」) 1중량부와, 충전재인 평균 입자 직경 0.25㎛의 실리카 10중량부와, 벤질아민 0.05중량부와, 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 A(실시예 1에서 사용한 도전성 입자, 100℃에서의 20% K값: 1400N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%) 4중량부를 첨가하고, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 도전 페이스트를 얻었다., 40 parts by weight of a bisphenol A modified epoxy resin ("Epiclon EXA-4850-150" manufactured by DIC Corporation) and 30 parts by weight of a bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" Ltd.), 20 parts by weight of an epoxy acrylate ("Ebecryl 3702" manufactured by Daicel Alynes Co., Ltd.) as a photo-curable compound, 20 parts by weight of an acylphosphine oxide-based compound , 10 parts by weight of silica having an average particle diameter of 0.25 mu m as a filler, 0.05 part by weight of benzylamine, and 1 part by weight of conductive particles A having an average particle diameter of 30 mu m (in Example 1, 20% K value of the conductive particles, 100 ℃ used: 1400N / mm 2, compression at 100 ℃ recovery rate: 15%) 4 parts by weight adding portion, by by stirring for 5 minutes at 2000rpm using a planetary stirrer to obtain a conductive paste, .

(2) 유기 EL 표시 소자의 제작:(2) Production of organic EL display device:

유기 EL 소자를 구비하고 있고, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 상면에 형성된 유기 EL 기판(제1 기판, 제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 500㎛/500㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 하면에 형성된 밀봉 기판(제2 기판, 제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.An organic EL substrate (first substrate, first connection target member) having an organic EL device, an Mo / Al / Mo electrode pattern with L / S of 500 m / 500 m and a length of 20 mm formed on the upper surface was prepared . Further, a sealing substrate (second substrate, second connecting member) provided with a Mo / Al / Mo electrode pattern having an L / S of 500 mu m / 500 mu m and a length of 20 mm was prepared.

상기 제1 기판 상에, 제작 직후의 도전 페이스트를 폭 2mm, 두께 50㎛가 되도록 디스펜서를 사용해서 도공하여, 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 도전 페이스트층 상에 상기 제2 기판을 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사하여, 광 중합에 의해 도전 페이스트층을 반경화시켜, B 스테이지화하였다. 이 적층체를 사용하고, 또한 접합 장치를 사용하여, 0.3MPa의 압력을 가하여 100℃에서 30분간 도전 페이스트층을 경화시켜, 유기 EL 표시 소자(접속 구조체 X)를 얻었다.On the first substrate, a conductive paste immediately after fabrication was applied using a dispenser so as to have a width of 2 mm and a thickness of 50 m to form a conductive paste layer. Subsequently, the second substrate was laminated on the conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. Ultraviolet rays of 365 nm were irradiated for 3 seconds so that the light irradiation intensity became 3000 mW / cm 2 , and the conductive paste layer was semi-cured by photopolymerization to make B stage. Using this laminate and applying a pressure of 0.3 MPa using a bonding apparatus, the conductive paste layer was cured at 100 占 폚 for 30 minutes to obtain an organic EL display element (connection structure X).

또한, 도전 페이스트를 차광 플라스틱 용기 중 30℃에서 72시간 방치하였다. 제작 직후의 도전 페이스트 대신에, 30℃에서 72시간 방치한 후의 도전 페이스트를 사용한 것 이외는 접속 구조체 X와 마찬가지로 하여, 유기 EL 표시 소자(접속 구조체 Y)를 얻었다.The conductive paste was allowed to stand in a shading plastic container at 30 DEG C for 72 hours. An organic EL display element (connection structure Y) was obtained in the same manner as the connection structure X except that the conductive paste after being left at 30 캜 for 72 hours was used instead of the conductive paste immediately after the preparation.

(실시예 28)(Example 28)

벤질아민의 첨가량을 0.05중량부에서 0.09중량부로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that the amount of benzylamine was changed from 0.05 part by weight to 0.09 part by weight. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 29)(Example 29)

벤질아민의 첨가량을 0.05중량부에서 0.003중량부로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that the addition amount of benzylamine was changed from 0.05 parts by weight to 0.003 parts by weight. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 30)(Example 30)

상기 아민 화합물의 종류를, 벤질아민에서 α,α-디메틸벤질아민으로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that the kind of the amine compound was changed from benzylamine to?,? - dimethylbenzylamine. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 31)(Example 31)

열경화성 화합물의 종류를, 비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」)에서 비스페놀 E(푸린 테크사 제조 「EPOX-MK R1710」)로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 27 except that the kind of the thermosetting compound was changed from bisphenol E ("EPOX-MK R1710" manufactured by Purintech) to bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" . Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 32)(Example 32)

양이온 발생제의 종류를 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드)에서 CXC-1612(K-PURE사 제조의 K-PURE CXC)로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.Except that the kind of the cation generator was changed from SI-60L (Sun Aid manufactured by San-Shin Kagaku Co., Ltd.) to CXC-1612 (K-PURE CXC manufactured by K-PURE Co., Ltd.) . Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 33)(Example 33)

벤질아민을 첨가하지 않은 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that benzylamine was not added. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 34)(Example 34)

상기 아민 화합물의 종류를 벤질아민에서 N-메틸벤질아민(방향족환을 갖는 제2급 아민)으로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that the kind of the amine compound was changed from benzylamine to N-methylbenzylamine (secondary amine having an aromatic ring). Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 35)(Example 35)

상기 아민 화합물의 종류를 상기 벤질아민에서 n-헥실아민(지방족 골격을 갖는 제1급 아민)으로 변경한 것 이외는 실시예 27과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that the kind of the amine compound was changed from the benzylamine to n-hexylamine (primary amine having an aliphatic skeleton). Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 36)(Example 36)

양이온 발생제인 SI-60L을 첨가하지 않고 열경화제(이미다졸 화합물, 시꼬꾸 가세이 고교사 제조 「2P-4MZ」) 15중량부를 첨가한 것 이외는, 실시예 27과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 27 except that SI-60L as a cation generator was not added and 15 parts by weight of a thermosetting agent (imidazole compound, "2P-4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was added. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 37)(Example 37)

양이온 발생제인 SI-60L을 첨가하지 않고 열경화제(이미다졸 화합물, 시꼬꾸 가세이 고교사 제조 「2P-4MZ」) 15중량부를 첨가한 것, 및 벤질아민을 첨가하지 않은 것 이외는, 실시예 27과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 27과 마찬가지로 해서 접속 구조체 X, Y를 얻었다.Except that 15 parts by weight of a thermosetting agent (imidazole compound, " 2P-4MZ " manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was added without adding SI-60L as a cation generator and that no benzylamine was added. , A conductive paste was obtained. Using the obtained conductive paste, connection structures X and Y were obtained in the same manner as in Example 27. [

(실시예 27 내지 37의 평가)(Evaluation of Examples 27 to 37)

실시예 27 내지 37에서는, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4의 평가 항목 (1) 내지 (6)에 대해서, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4와 마찬가지로 하여 평가를 실시하였다. 또한, 실시예 27 내지 37에서는, 이하의 평가 항목 (7) 내지 (9)에 대해서도 평가를 실시하였다.In Examples 27 to 37, evaluation items (1) to (6) of Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated in the same manner as in Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4. In Examples 27 to 37, the following evaluation items (7) to (9) were also evaluated.

또한, 상기 (4) 내습성의 평가에서는, 얻어진 도전 페이스트를 두께 100㎛가 되도록, 베이커식 어플리케이터(테스터 산교사 제조)로 항온 플레이트 상에 도포하였다. 그 후, 365nm의 자외선을 광 조사 강도가 3000mW/cm2가 되도록 3초간 조사한 후, 100℃에서 30분간 가열하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름의 투습도를, JIS Z0208에 따라, 60℃, 90% RH의 조건에 24시간 폭로하여 측정하였다.(4) In the evaluation of the moisture resistance, the obtained conductive paste was applied on a constant temperature plate with a Baker type applicator (manufactured by Testers Co., Ltd.) so as to have a thickness of 100 탆. Thereafter, ultraviolet ray of 365 nm was irradiated for 3 seconds so that the light irradiation intensity became 3000 mW / cm 2 , and then heated at 100 캜 for 30 minutes to obtain a film. The moisture permeability of the obtained film was measured according to JIS Z0208 at a temperature of 60 DEG C and 90% RH for 24 hours.

(7) 도전 재료의 pH(7) pH of conductive material

제작 직후의 도전 페이스트의 25℃에서의 pH를 측정하였다. pH를 다음의 기준으로 판정하였다.The pH of the conductive paste immediately after preparation was measured at 25 캜. The pH was determined according to the following criteria.

[pH의 판정 기준][Criteria for judging pH]

A: pH가 6 이상 8 이하A: pH is 6 or more and 8 or less

B: pH가 4 이상 6 미만 또는 8 초과 10 이하B: pH is 4 or more and less than 6 or 8 or more and 10 or less

C: pH가 4 미만 또는 10 초과C: pH less than 4 or more than 10

(8) 보존 안정성(경화성)(8) Storage stability (curability)

제작 직후의 도전 페이스트를 준비하여, 도전 페이스트를 차광 플라스틱 용기 중 30℃에서 72시간 방치하였다. 제작 직후(방치 전)의 도전 페이스트와, 방치 후의 도전 페이스트를 100℃ 1시간 오븐에서 경화시켜, 경화물(직경 10mm, 두께 1mm)을 얻었다.The conductive paste immediately after preparation was prepared, and the conductive paste was allowed to stand in a shading plastic container at 30 DEG C for 72 hours. The conductive paste immediately before production (before being allowed to stand) and the conductive paste after being left standing were cured in an oven at 100 DEG C for 1 hour to obtain a cured product (diameter 10 mm, thickness 1 mm).

쇼어 경도계(D형)로 제작 직후(방치 전)의 도전 페이스트의 경화물의 경도(D1)와, 방치 후의 도전 페이스트의 경화물의 경도(D2)로부터, 도전 페이스트의 경화성을 다음의 기준으로 판정하였다.The curability of the conductive paste was determined on the basis of the following criteria based on the hardness (D1) of the cured product of the conductive paste immediately after the preparation (before being left) and the hardness (D2) of the cured product of the conductive paste after being left with the Shore durometer (D type).

[보존 안정성(경화성)의 판정 기준][Criteria for storage stability (curability)] [

○: 경도 D2의 경도 D1에 대한 비가 0.9 이상?: The ratio of hardness D2 to hardness D1 of 0.9 or more

△: 경도 D2의 경도 D1에 대한 비가 0.8 이상 0.9 미만DELTA: ratio of hardness D2 to hardness D1 of 0.8 or more and less than 0.9

△△: 경도 D2의 경도 D1에 대한 비가 0.6 이상 0.8 미만?: The ratio of the hardness D2 to the hardness D1 is 0.6 or more and less than 0.8

×: 경도 D2의 경도 D1에 대한 비가 0.6 미만X: ratio of hardness D2 to hardness D1 of less than 0.6

(9) 보존 안정성(점도)(9) Storage stability (viscosity)

제작 직후의 도전 페이스트를 준비하여, 도전 페이스트를 30℃에서 72시간 방치하였다. 제작 직후(방치 전)의 도전 페이스트의 점도(η1)와, 방치 후의 도전 페이스트의 점도(η2)로부터, 도전 페이스트의 보존 안정성을 다음의 기준으로 판정하였다. 또한, 상기 점도 η1 및 η2는, E형 점도 측정 장치(TOKI SANGYO CO.LTD사 제조 「VISCOMETER TV-22」, 콘 로터: No.7)를 사용하여, 2.5rpm 및 25℃의 조건에서 측정된 값이다.The conductive paste immediately after the preparation was prepared, and the conductive paste was allowed to stand at 30 DEG C for 72 hours. The storage stability of the conductive paste was judged by the following criteria based on the viscosity (eta 1) of the conductive paste immediately after the preparation (before being left) and the viscosity (eta 2) of the conductive paste after being left. The viscosities? 1 and? 2 were measured at 2.5 rpm and 25 ° C using an E-type viscosity measuring apparatus ("VISCOMETER TV-22" manufactured by TOKI SANGYO CO. Value.

[보존 안정성(점도)의 판정 기준][Criteria for storage stability (viscosity)] [

○○: 점도 η2의 점도 η1에 대한 비가 1.2 미만?: The ratio of the viscosity? 2 to the viscosity? 1 is less than 1.2

○: 점도 η2의 점도 η1에 대한 비가 1.2 이상 1.4 미만?: The ratio of the viscosity? 2 to the viscosity? 1 was 1.2 or more and less than 1.4

△: 점도 η2의 점도 η1에 대한 비가 1.4 이상 1.6 미만?: The ratio of the viscosity? 2 to the viscosity? 1 is 1.4 or more and less than 1.6

△△: 점도 η2의 점도 η1에 대한 비가 1.6 이상 2.0 미만DELTA: The ratio of the viscosity? 2 to the viscosity? 1 is 1.6 or more and less than 2.0

×: 점도 η2의 점도 η1에 대한 비가 2.0 이상X: a ratio of the viscosity? 2 to the viscosity? 1 of not less than 2.0

결과를 다음의 표 3에 나타내었다.The results are shown in Table 3 below.

Figure pct00011
Figure pct00011

(실시예 38)(Example 38)

(1) 도전 재료의 제조:(1) Production of conductive material:

23℃에서 고형인 다관능형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사 제조 「1032H60」) 50중량부 및 23℃에서 액상인 비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」) 50중량부에, 양이온 발생제인 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드) 3중량부와, 유기 입자인 코어 쉘형 아크릴계 고무 입자(미쯔비시 레이온사 제조 「메타블렌 W-5500」, 평균 입자 직경 0.4㎛) 10중량부와, 무기 충전재인 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛) 10중량부와, 평균 입자 직경 30㎛의 도전성 입자 A(실시예 1에서 사용한 도전성 입자, 100℃에서의 20% K값: 1400N/mm2, 100℃에서의 압축 회복률: 15%) 4중량부를 첨가하고, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 도전 페이스트를 얻었다.50 parts by weight of a multifunctional epoxy resin ("1032H60" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) solid at 23 ° C and 50 parts by weight of a bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" 3 parts by weight of SI-60L (Sun Aid manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.), 10 parts by weight of core-shell acrylic rubber particles ("Metablen W-5500" manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd., average particle diameter: 0.4 μm) an inorganic filler of silica (average particle diameter 0.25㎛) 10 parts by weight, 20% K value of the conductive particles, 100 ℃ used in the embodiment mean particle diameter of the conductive particles a 30㎛ (example 1: 1400N / mm 2, 100 ℃ , 15%), and the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a conductive paste.

(2) 유기 EL 표시 소자의 제작:(2) Production of organic EL display device:

유기 EL 소자를 구비하고 있고, L/S가 250㎛/250㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 상면에 형성된 유기 EL 기판(제1 기판, 제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 250㎛/250㎛, 길이가 20mm인 Mo/Al/Mo 전극 패턴이 하면에 형성된 밀봉 기판(제2 기판, 제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.An organic EL substrate (first substrate, first connection target member) having an organic EL device, an Mo / Al / Mo electrode pattern with L / S of 250 m / 250 m and a length of 20 mm formed on the upper surface was prepared . Further, a sealing substrate (second substrate, second connecting member) provided with a Mo / Al / Mo electrode pattern having an L / S of 250 mu m / 250 mu m and a length of 20 mm was prepared.

상기 제1 기판 상에, 제작 직후의 도전 페이스트를 폭 2mm, 두께 50㎛가 되도록 디스펜서를 사용하여 도공하여 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 도전 페이스트층 상에 상기 제2 기판을 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 이 적층체를, 접합 장치를 사용하여, 0.2MPa의 압력을 가하여 100℃에서 30분간 도전 페이스트층을 경화시켜, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.On the first substrate, a conductive paste immediately after fabrication was applied using a dispenser so as to have a width of 2 mm and a thickness of 50 m to form a conductive paste layer. Subsequently, the second substrate was laminated on the conductive paste layer so that the electrodes were opposed to each other. This laminate was cured by applying a pressure of 0.2 MPa at 100 캜 for 30 minutes using a bonding apparatus to obtain an organic EL display device.

(실시예 39)(Example 39)

도전 페이스트층의 가열 온도를 100℃에서 120℃로 변경한 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 유기 EL 표시 소자를 얻었다.An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38 except that the heating temperature of the conductive paste layer was changed from 100 占 폚 to 120 占 폚.

(실시예 40)(Example 40)

유기 입자를 코어 쉘 구조 미립자(간쯔 가세이사 제조 「F351」, 평균 입자 직경 0.3㎛)로 변경한 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38, except that the organic particles were changed to core-shell structure fine particles (" F351 ", manufactured by Gansu Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter 0.3 탆). An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 41)(Example 41)

무기 충전재를 탈크(닛본 탈크사 제조 「D-800」, 평균 입자 직경 0.8㎛)로 변경한 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38 except that the inorganic filler was changed to talc ("D-800" manufactured by Nippon Talc Co., Ltd., average particle diameter 0.8 μm). An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 42)(Example 42)

비스페놀 F 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-835LV」) 50중량부를, 23℃에서 액상인 비스페놀 E 에폭시 수지(푸린 테크사 제조 「EPOX-MK R1710」) 50중량부로 변경한 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.Except that 50 parts by weight of a bisphenol F epoxy resin ("EXA-835LV" manufactured by DIC Corporation) was replaced by 50 parts by weight of a bisphenol E epoxy resin ("EPOX-MK R1710" , A conductive paste was obtained. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 43)(Example 43)

양이온 발생제의 종류를 SI-60L(산신 가가꾸사 제조의 선에이드)에서 CXC-1612(K-pure사 제조 「K-pure CXC」)로 변경한 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.The same procedure as in Example 38 was repeated except that the kind of the cation generator was changed from SI-60L (Sun Aid manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) to CXC-1612 (K-pure CXC manufactured by K- A paste was obtained. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 44)(Example 44)

양이온 발생제인 SI-60L을 첨가하지 않고, 열경화제(이미다졸 화합물, 시꼬꾸 가세이 고교사 제조 「2P-4MZ」) 15중량부를 첨가한 것 이외는, 실시예 38과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38 except that SI-60L as a cation generator was not added and 15 parts by weight of a heat curing agent (imidazole compound, "2P-4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation) was added. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 45)(Example 45)

유기 입자와 무기 충전재를 배합하지 않은 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38 except that the organic particles and the inorganic filler were not mixed. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 46)(Example 46)

유기 입자를 배합하지 않은 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38 except that no organic particles were added. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 47)(Example 47)

무기 충전재를 배합하지 않은 것 이외는 실시예 38과 마찬가지로 하여, 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 도전 페이스트를 사용하여, 실시예 38과 마찬가지로 해서 유기 EL 표시 소자를 얻었다.A conductive paste was obtained in the same manner as in Example 38 except that no inorganic filler was added. An organic EL display device was obtained in the same manner as in Example 38, using the obtained conductive paste.

(실시예 38 내지 47의 평가)(Evaluation of Examples 38 to 47)

실시예 38 내지 47에서는, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4의 평가 항목 (1) 내지 (6)에 대해서, 실시예 1 내지 19 및 비교예 1 내지 4와 마찬가지로 하여 평가를 실시하였다. 또한, 실시예 38 내지 47에서는, 이하의 평가 항목 (10)에 대해서도 평가를 실시하였다.In Examples 38 to 47, evaluation items (1) to (6) of Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated in the same manner as in Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 4. In Examples 38 to 47, the following evaluation items (10) were also evaluated.

또한, 상기 (4) 내습성의 평가에서는, 얻어진 도전 페이스트를 두께 100㎛가 되도록, 베이커식 어플리케이터(테스터 산교사 제조)로 항온 플레이트 상에 도포하였다. 그 후, 100℃에서 30분간 가열하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름의 투습도를, JIS Z0208에 따라, 60℃, 90% RH의 조건에 24시간 폭로하여 측정하였다.(4) In the evaluation of the moisture resistance, the obtained conductive paste was applied on a constant temperature plate with a Baker type applicator (manufactured by Testers Co., Ltd.) so as to have a thickness of 100 탆. Thereafter, the film was heated at 100 DEG C for 30 minutes to obtain a film. The moisture permeability of the obtained film was measured according to JIS Z0208 at a temperature of 60 DEG C and 90% RH for 24 hours.

(10) 도전 재료의 경화 중의 최저 용융 점도(10) The lowest melt viscosity during curing of the conductive material

도전 재료의 경화 중의 최저 용융 점도를 회전식 레오 미터(STRESSTECH, REOLOGICA사 제조)를 사용하여, 갭 500um, 주파수 1Hz, 변형량 1rad, 승온 속도 10℃/분, 측정 온도 범위 30℃ 내지 120℃의 사이에서의 복소 점도가 가장 저하된 값을 최저 용융 점도로 함으로써 평가하였다. 도전 재료의 경화 중의 점도를 다음의 기준으로 판정하였다.The minimum melt viscosity during curing of the conductive material was measured using a rotary rheometer (manufactured by STRESSTECH, REOLOGICA) at a gap of 500 μm, a frequency of 1 Hz, a deformation amount of 1 rad, a temperature raising rate of 10 ° C./minute and a measurement temperature range of 30 ° C. to 120 ° C. Was evaluated as the lowest melt viscosity. The viscosity of the conductive material during curing was determined based on the following criteria.

[도전 재료의 경화 중의 최저 용융 점도][Minimum melt viscosity during curing of conductive material]

○: 최저 용융 점도가 2Pa·s 이상 10Pa·s 이하?: Minimum melt viscosity of 2 Pa · s or more and 10 Pa · s or less

△: 최저 용융 점도가 0.4Pa·s 이상 2Pa·s 미만, 또는 10Pa·s 초과 50Pa·s 이하DELTA: minimum melt viscosity of not less than 0.4 Pa · s and not more than 2 Pa · s, or not less than 10 Pa · s and not more than 50 Pa · s

×: 최저 용융 점도가 0.4Pa·s 미만, 또는 50Pa·s 초과X: minimum melt viscosity of less than 0.4 Pa · s, or greater than 50 Pa · s

결과를 다음의 표 4에 나타내었다.The results are shown in Table 4 below.

Figure pct00012
Figure pct00012

1 : 접속 구조체 2 : 제1 접속 대상 부재
2a : 제1 전극 3 : 접속부
3A : 도전 재료층 3B : B 스테이지화된 도전 재료층
4 : 제2 접속 대상 부재 4a : 제2 전극
11 : 도전성 입자 12 : 기재 입자
13 : 도전층
1: connection structure 2: first connection object member
2a: first electrode 3: connection
3A: conductive material layer 3B: B-staged conductive material layer
4: second connection target member 4a: second electrode
11: conductive particles 12: base particles
13: conductive layer

Claims (14)

120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화되어서 사용되는 도전 재료이며,
경화성 성분과, 도전성 입자를 포함하고,
상기 도전성 입자가 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 갖고,
상기 도전성 입자를 100℃에서 20% 압축 변형했을 때의 압축 탄성률이 500N/mm2 이상 2000N/mm2 이하이고,
상기 도전성 입자의 100℃에서의 압축 회복률이 3% 이상 30% 이하인, 도전 재료.
Is a conductive material used by being cured by heating to a temperature of 120 占 폚 or less without heating to a temperature exceeding 120 占 폚,
A curable component, and conductive particles,
Wherein the conductive particles have a base particle and a conductive layer disposed on a surface of the base particle,
And a compression modulus when in 100 ℃ 20% compressive deformation of the conductive particles 500N / mm 2 more than 2000N / mm 2 or less,
Wherein the compression recovery rate of the conductive particles at 100 占 폚 is 3% or more and 30% or less.
제1항에 있어서, 유기 전계 발광 표시 소자에서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는, 도전 재료.The conductive material according to claim 1, used for electrical connection of an electrode in an organic electroluminescence display device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기 전계 발광 소자를 구비하는 유기 전계 발광 기판의 전극과, 밀봉 기판의 전극과의 전기적인 접속에 사용되는, 도전 재료.3. The conductive material according to claim 1 or 2, used for electrical connection between an electrode of an organic electroluminescence substrate having an organic electroluminescence device and an electrode of a sealing substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무기 충전재를 더 포함하는, 도전 재료.4. The conductive material according to any one of claims 1 to 3, further comprising an inorganic filler. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무기 충전재와 유기 입자를 더 포함하는, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 3, further comprising an inorganic filler and organic particles. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 성분이 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함하는, 도전 재료.6. The conductive material according to any one of claims 1 to 5, wherein the curable component comprises a curable compound and a cation generator. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 아민 화합물을 더 포함하고,
상기 아민 화합물이 방향족환을 갖는 제1급 아민이며,
상기 경화성 성분이 경화성 화합물과 양이온 발생제를 포함하는, 도전 재료.
6. The method according to any one of claims 1 to 5, further comprising an amine compound,
Wherein the amine compound is a primary amine having an aromatic ring,
Wherein the curable component comprises a curable compound and a cation generator.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 화합물이 23℃에서 액상인 에폭시 화합물과, 23℃에서 고체인 에폭시 화합물을 포함하는, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 7, wherein the curable compound comprises an epoxy compound which is liquid at 23 占 폚 and an epoxy compound which is solid at 23 占 폚. 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부가, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 도전 재료를 120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 경화시켜서 형성되어 있는, 접속 구조체.
And a connection section for electrically connecting the first connection target member, the second connection target member, and the first and second connection target members,
Wherein the connecting portion is formed by heating the conductive material according to any one of claims 1 to 8 to a temperature of not higher than 120 캜 and not more than 120 캜 and curing the conductive material.
제9항에 있어서, 상기 제1 접속 대상 부재가 표면에 제1 전극을 갖고,
상기 제2 접속 대상 부재가 표면에 제2 전극을 갖고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
The apparatus according to claim 9, wherein the first connection object member has a first electrode on a surface thereof,
The second connection target member has a second electrode on its surface,
Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인, 접속 구조체.The connection structure according to claim 9 or 10, wherein the first and second connection target members are substrates for an organic light emitting display device. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 소자를 구비하는 유기 전계 발광 기판과 밀봉 기판인, 접속 구조체.12. The connection structure according to any one of claims 9 to 11, wherein the first connection target member and the second connection target member are an organic electroluminescence substrate and a sealing substrate, each of which comprises an organic electroluminescence device. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 접속 구조체의 제조 방법으로서,
상기 제1 접속 대상 부재의 표면에 상기 도전 재료에 의해 도전 재료층을 배치하는 공정과,
상기 도전 재료층의 상기 제1 접속 대상 부재측과 반대측의 표면에 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정과,
120℃를 초과하는 온도로 가열하지 않고 120℃ 이하의 온도로 가열하여 상기 도전 재료층을 경화시켜서, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
11. A method of manufacturing a connection structure according to any one of claims 9 to 11,
Disposing a conductive material layer on the surface of the first connection target member by the conductive material;
Disposing the second connection target member on a surface of the conductive material layer opposite to the first connection target member side;
Forming a connection portion electrically connecting the first and second connection target members by heating the conductive material layer to a temperature of 120 DEG C or less without heating to a temperature exceeding 120 DEG C, A method of manufacturing a connection structure.
제13항에 있어서, 유기 전계 발광 표시 소자인 접속 구조체의 제조 방법으로서,
상기 제1 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제1 기판이며,
상기 제2 접속 대상 부재가 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제2 기판이며,
상기 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제1 기판의 표면에 상기 도전 재료에 의해 도전 재료층을 배치하는 공정과,
상기 도전 재료층의 상기 제1 기판측과는 반대측의 표면에 상기 유기 전계 발광 표시 소자용 기판인 제2 기판을 배치하는 공정과,
상기 도전 재료층에 광을 조사하고, 또한 상기 도전 재료층을 120℃ 이하의 온도로 가열하여, 상기 도전 재료층을 광경화 및 열경화시켜서, 상기 제1, 제2 기판을 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
The manufacturing method of a connection structure according to claim 13, wherein the connection structure is an organic electroluminescence display device,
Wherein the first connection target member is a first substrate which is a substrate for an organic light emitting display device,
And the second connection target member is a second substrate which is a substrate for an organic light emitting display device,
A step of disposing a conductive material layer on the surface of the first substrate which is the substrate for the organic electroluminescence display element by the conductive material,
Disposing a second substrate as the substrate for the organic electroluminescence display device on a surface of the conductive material layer opposite to the first substrate side;
The conductive material layer is irradiated with light and the conductive material layer is heated to a temperature of 120 DEG C or less to cure and thermally cure the conductive material layer to electrically connect the first and second substrates And forming a connection portion.
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