KR20150076864A - apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for treating a substrate, which improves effectiveness for treating the substrate. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for treating the substrate comprises: a first chamber; a second chamber adjacent to the first chamber; return units respectively arranged in the first chamber and the second chamber, and returning the substrate; a first nozzle spraying a first fluid to an area on the substrate located on the first chamber; and a second nozzle spraying a second fluid to an area on the substrate located on the second chamber, wherein the first nozzle and the second nozzle are integrated.

Description

기판 처리 장치{apparatus for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리의 효율성을 향상시키는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus for improving the efficiency of substrate processing.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 과거 디스플레이 장치로는 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작고, 저전압 구동형인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등이 널리 사용되고 있다. In recent years, information processing devices are rapidly evolving to have various functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the activated information. Cathode Ray Tube (CRT) monitors have been mainly used as display devices in recent years. However, in recent years, the use of flat panel display devices which are light and small in space has been rapidly increasing due to the rapid development of semiconductor technology. There are various types of such flat panel displays, among which liquid-crystal displays (LCDs) having a low power consumption and a small volume and being driven by a low voltage are widely used.

액정 표시 장치를 제조하기 위해서는 액정 표시 장치에 이용되는 기판 상에 다양한 공정들이 수행되며, 각각의 공정들에는 서로 다른 처리액들이 기판 상에 분사된다. 하지만, 상기 공정들이 수행되는 영역들 사이를 상기 기판이 이송함에 따라, 해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 기판 상에서 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가는 문제점이 발생한다.In order to manufacture a liquid crystal display device, various processes are performed on a substrate used for a liquid crystal display, and different process liquids are sprayed onto the substrate in each process. However, as the substrate transfers between the regions in which the processes are performed, there arises a problem that the process liquid sprayed on the substrate in the process flows into the region where another process is performed on the substrate.

해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가면, 서로 다른 공정들에 이용되는 처리액들이 혼합될 수 있고, 이에 따라, 기판 처리의 효율성이 저하될 수 있는 문제점이 있다.When the process liquid sprayed on the substrate flows into the region where the other process is performed in the process, the process liquids used in the different processes can be mixed, thereby reducing the efficiency of substrate processing .

특히, 처리액이 분사되는 하나의 노즐이 막히면 기판 상에는 가로줄 얼룩이 발생할 수 있고, 이러한 가로줄 얼룩 발생 후 다른 노즐로 빠른 치환을 하지 못하면 추후 얼룩으로 발전한다. 또한, 기존에 설치되는 여러 노즐들은 개별적으로 세팅으로 되어 있고 위치되는 노즐 간 거리가 멀어 상기와 같은 문제를 심화시킨다. In particular, if one nozzle to which the process liquid is sprayed is clogged, horizontal line stains may occur on the substrate, and if the nozzle is not quickly replaced with another nozzle after the occurrence of horizontal line stains, In addition, the conventional nozzles are set individually, and the distance between the nozzles is too long to exacerbate the above problems.

본 발명은 기판 처리의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the efficiency of substrate processing.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1 챔버와, 상기 제1챔버와 인접하게 배치되는 제2 챔버와, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 내에 각각 배치되어 기판을 반송하는 반송 유닛과, 상기 제1 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제1 유체를 분사하는 제1 노즐과, 상기 제2 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제2 유체를 분사하는 제2 노즐을 포함하되, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 일체형으로 제공된다.In order to solve the above-mentioned technical problems, the present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first chamber, a second chamber disposed adjacent to the first chamber, and a second chamber disposed in the first chamber and the second chamber, A first nozzle for ejecting a first fluid to an area on the substrate located in the first chamber, and a second nozzle for ejecting a second fluid to an area on the substrate located in the second chamber, wherein the first nozzle The nozzle and the second nozzle are provided integrally.

일 예에 의하면, 상기 제1 챔버는 기판으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐을 포함하고, 상기 제2 챔버는 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함한다. According to one example, the first chamber includes a chemical nozzle for supplying a chemical to a substrate, and the second chamber includes a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the substrate.

일 예에 의하면, 상기 세정액은 탈이온수이다.According to one example, the cleaning liquid is deionized water.

일 예에 의하면, 상기 제1 유체는 가스이고, 상기 제2 유체는 액이다.According to one example, the first fluid is a gas and the second fluid is a liquid.

일 예에 의하면, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 상기 제2 챔버와 인접한 상기 제1 챔버 내에 위치된다.According to one example, the first nozzle and the second nozzle are located in the first chamber adjacent to the second chamber.

일 예에 의하면, 상기 제1 노즐은 상기 반송 유닛에 의해 반송되는 기판에 수직으로 배치되고, 상기 제2 노즐은 기판이 반송되는 방향을 향해 하향 경사지게 배치된다.According to an embodiment, the first nozzle is disposed perpendicularly to the substrate conveyed by the conveyance unit, and the second nozzle is disposed inclined downward toward a direction in which the substrate is conveyed.

일 예에 의하면, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 각각 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판의 반송 방향에 수직하게 배치된다.According to an embodiment, the first nozzle and the second nozzle are arranged perpendicular to the transport direction of the substrate when viewed from the top in the longitudinal direction.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 노즐들의 구조가 단순하고 설치가 용이할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention may have a simple structure and easy installation.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 가로줄 얼룩을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율성을 증가시킬 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can minimize the horizontal line unevenness of the substrate and increase the efficiency of the substrate processing process.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 해당 공정에 이용되는 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent the process liquid used in the process of the substrate from flowing into the region where another process is performed.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 측면 구성도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 노즐 내부의 처리액 공급 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 사시도이다.
1 is a side view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a state in which the processing liquid is supplied to the inside of the nozzle in the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 3 is a perspective view showing a schematic view of the substrate processing apparatus of Fig. 1;

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Therefore, the shapes and the like of the illustrated components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clear explanation.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 측면 구성도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 노즐 내부의 처리액 공급 모습을 보여주는 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 사시도이다.FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing a state in which a processing liquid is supplied into a nozzle in the substrate processing apparatus of FIG. 1, Fig. 3 is a perspective view showing a schematic view of a substrate processing apparatus of Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1 챔버(100), 제2 챔버(200), 반송 유닛(300), 제1 노즐(400), 그리고 제2 노즐(500)을 포함한다. 이하, 각 구성에 대해 상세히 설명한다. 1 to 3, the substrate processing apparatus 10 includes a first chamber 100, a second chamber 200, a transport unit 300, a first nozzle 400, and a second nozzle 500. [ . Hereinafter, each configuration will be described in detail.

제1 챔버(100)는 기판(S)을 처리하는 일련의 공정들 중 어느 하나의 공정이 수행될 수 있다. 제2 챔버(200)는 제1 챔버(100)에서 수행되는 공정에 후속하는 공정이 수행되는 영역일 수 있다. 제2 챔버(200)는 제1 챔버(100)와 인접하게 배치된다.The first chamber 100 may be subjected to any one of a series of processes for processing the substrate S. The second chamber 200 may be a region where a process subsequent to the process performed in the first chamber 100 is performed. The second chamber 200 is disposed adjacent to the first chamber 100.

예를 들면, 기판(110)은 액정 표시 패널에 사용되는 기판일 수 있다. 또한, 제1 챔버(100)는 기판(S)을 식각하는 챔버일 수 있으며, 제2 챔버(200)는 기판(S)을 세정하는 챔버일 수 있다.For example, the substrate 110 may be a substrate used for a liquid crystal display panel. Also, the first chamber 100 may be a chamber for etching the substrate S, and the second chamber 200 may be a chamber for cleaning the substrate S.

제1 챔버(100)와 제2 챔버(200) 사이에는 기판(S)이 이동할 수 있는 공간이 제공된다. 이 경우, 기판(S)은 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 내에 각각 배치된 반송 유닛(300)에 의해 제1 방향(12)으로 반송된다. 반송 유닛(300)은 일렬로 나란하게 배치된 복수의 샤프트와 각각의 샤프트에 설치되는 다수의 롤러들을 갖는다.A space for moving the substrate S is provided between the first chamber 100 and the second chamber 200. In this case, the substrate S is transported in the first direction 12 by the transport unit 300 disposed in the first chamber 100 and the second chamber 200, respectively. The transport unit 300 has a plurality of shafts arranged in a line and a plurality of rollers installed in each shaft.

즉, 기판(S)은 반송 유닛(300)에 의해 제1 챔버(100)로부터 제2 챔버(200)로 이송될 수 있다. 상기 다수의 롤러들이 고정 배치된 복수의 샤프트의 회전에 의해 기판(S)을 제1 챔버(100)로부터 제2 챔버(200)로 반송할 수 있다.That is, the substrate S can be transferred from the first chamber 100 to the second chamber 200 by the transfer unit 300. The substrate S can be transferred from the first chamber 100 to the second chamber 200 by rotation of the plurality of shafts in which the plurality of rollers are fixedly arranged.

제1 챔버(100)는 기판(S)으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐(600)을 포함한다. 상기 케미컬은 식각액 등의 약액일 수 있다. 케미컬 노즐(600)은 제1 챔버(100)내에서 제1 노즐(400)보다 상류에 배치된다.The first chamber 100 includes a chemical nozzle 600 for supplying a chemical to the substrate S. The chemical may be a chemical solution such as an etching solution. The chemical nozzle 600 is disposed upstream of the first nozzle 400 in the first chamber 100.

제2 챔버(200)는 기판(S)으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐(700)을 포함한다. 상기 세정액은 탈이온수일 수 있다. 세정액 노즐(700)은 제2 챔버(200) 내에서 제2 노즐(500)보다 하류에 배치된다. The second chamber 200 includes a cleaning liquid nozzle 700 for supplying a cleaning liquid to the substrate S. The cleaning liquid may be deionized water. The cleaning liquid nozzle 700 is disposed in the second chamber 200 downstream of the second nozzle 500.

제1 노즐(400)은 제1 챔버(100)에 위치한 기판 상의 영역으로 제1 유체를 분사한다. 제2 노즐(500)은 제2 챔버(200)에 위차한 기판 상의 영역으로 제2 유체를 분사한다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 일체형으로 제공된다. 상기 제1 유체는 가스이고, 상기 제2 유체는 액일 수 있다. The first nozzle 400 injects the first fluid into a region on the substrate located in the first chamber 100. The second nozzle 500 ejects the second fluid to a region on the substrate that is offset to the second chamber 200. As shown in FIGS. 1 to 3, the first nozzle 400 and the second nozzle 500 are provided integrally. The first fluid may be a gas and the second fluid may be a fluid.

제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 제2 챔버(200)와 인접한 제1 챔버(100)의 하류에 위치된다. 즉, 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 제1 챔버(100)와 제2 챔버(200)의 경계 영역에서 제1 챔버(100) 내에 위치될 수 있다.The first nozzle 400 and the second nozzle 500 are located downstream of the first chamber 100 adjacent to the second chamber 200. That is, the first nozzle 400 and the second nozzle 500 may be positioned in the first chamber 100 in the boundary region between the first chamber 100 and the second chamber 200.

도시된 바와 같이, 제1 노즐(400)은 반송 유닛(300)에 의해 반송되는 기판(S)에 수직으로 배치된다. 즉, 제1 노즐(400)은 기판(S)의 직상방에 위치된다. 제2 노즐(500)은 기판이 반송되는 제1 방향(12)을 향해 하향 경사지게 배치된다. As shown, the first nozzle 400 is arranged perpendicular to the substrate S conveyed by the conveying unit 300. In other words, the first nozzle 400 is positioned in a region directly above the substrate S. The second nozzle 500 is disposed downwardly in a first direction 12 in which the substrate is transported.

또한, 도 3을 참조하면, 제1 노즐(200)과 제2 노즐(200)은 각각 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판(S)의 반송 방향(12)에 수직하게 배치된다. 즉, 일체형으로 제공되는 제1 노즐(200)과 제2 노즐(200)은 기판(S)의 반송 방향(12)과 수직한 제2 방향(14)으로 길게 배치된다. Referring to FIG. 3, the first nozzle 200 and the second nozzle 200 are disposed perpendicular to the transport direction 12 of the substrate S when viewed from above. That is, the first nozzle 200 and the second nozzle 200, which are integrally provided, are arranged long in the second direction 14 perpendicular to the transport direction 12 of the substrate S.

일 예로, 제1 노즐(400)은 액절 나이프일 수 있다. 액절 나이프는 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 사이에 위치한 기판(S) 상에 에어(air)를 포함한 가스를 분사한다. 액절 나이프가 에어를 분사함으로써, 제1 챔버(100)의 기판(S) 상에 케미컬 노즐(600)을 통해 분사된 케미컬 또는 약액이 기판(S) 상에서 제2 챔버(200)로 흐르는 것을 방지할 수 있다.In one example, the first nozzle 400 may be a splint knife. The cutting knife ejects gas including air onto the substrate S positioned between the first chamber 100 and the second chamber 200. It is possible to prevent the chemical or chemical liquid sprayed on the substrate S of the first chamber 100 from flowing through the chemical nozzle 600 to flow from the substrate S to the second chamber 200 .

예를 들면, 상기 케미컬 또는 약액이 기판(S) 상에서 제2 챔버(200) 방향으로 흘러 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 사이에 위치할 경우, 액절 나이프로부터 분사되는 에어가 상기 케미컬 또는 약액을 건조시킬 수 있다.For example, when the chemical or chemical liquid flows on the substrate S in the direction of the second chamber 200 and is located between the first chamber 100 and the second chamber 200, The chemical or chemical liquid may be dried.

일 예로, 제2 노즐(500)은 인샤워 나이프일 수 있다. 인샤워 나이프는 제1 챔버(100)를 막 통과하여 제2 챔버(200)에 유입되는 기판(S) 상에 처리액 등의 제2 유체를 분사한다. 상기 제2 유체는 순수(DIW)일 수 있다.As an example, the second nozzle 500 may be a shower knife. The shower knife injects a second fluid such as a treatment liquid onto the substrate S flowing into the second chamber 200 through the first chamber 100. The second fluid may be pure water (DIW).

따라서, 본 발명은 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)이 일체형 노즐(450)로 제공되어, 양 노즐 사이의 거리가 매우 짧다. 이는 예를 든 액절 나이프의 막힘 등으로 기판 상에 가로줄 얼룩이 발생하더라도 빠르게 순수 인샤워 나이프를 가동하여 가로줄 얼룩을 최소화할 수 있게 된다. Accordingly, in the present invention, the first nozzle 400 and the second nozzle 500 are provided as integral nozzles 450, so that the distance between both nozzles is very short. This makes it possible to quickly operate the shower knife, which is a pure water, even if horizontal streaks occur on the substrate due to the clogging of the example of the stitch knife, thereby minimizing horizontal streaks.

도 2를 참조하면, 제1 유체 공급부(810)는 일체형 노즐(450)의 제1 가이드부(453)에 연결된 제1 배관(812)을 통해 제1 유체를 제1 노즐 분사구(451)에 공급하고, 제2 유체 공급부(820)는 일체형 노즐(450)의 제2 가이드부(454)에 연결된 제2 배관(822)을 통해 제2 유체를 제2 노즐 분사구(452)에 공급한다.2, the first fluid supply unit 810 supplies the first fluid to the first nozzle injection port 451 through the first pipe 812 connected to the first guide unit 453 of the integral nozzle 450 And the second fluid supply part 820 supplies the second fluid to the second nozzle injection port 452 through the second pipe 822 connected to the second guide part 454 of the integral nozzle 450.

또한, 기판 처리 장치(10)는 제1 배관(812) 상에 제1 유체의 유량을 조절하는 제1 밸브(미도시)를 가질 수 있고, 제2 배관(822) 상에 제2 유체의 유량을 조절하는 제2 밸브(미도시)를 가질 수 있다.The substrate processing apparatus 10 may also have a first valve (not shown) for regulating the flow rate of the first fluid on the first pipe 812 and a second valve (Not shown) for regulating the flow rate of the refrigerant.

상술한 바와 같이, 본 발명은 노즐들의 구조가 단순하고 설치가 용이할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 가로줄 얼룩을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율성을 증가시킬 수 있다.As described above, the structure of the nozzles of the present invention is simple and easy to install. In addition, the present invention can increase the efficiency of the substrate processing process by minimizing the horizontal line stain of the substrate.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10 : 기판 처리 장치 100 : 제1 챔버
200 : 제2 챔버 300 : 반송 유닛
400 : 제1 노즐 500 : 제2 노즐
450 : 일체형 노즐 451 : 제1 노즐 분사구
452 : 제2 노즐 분사구 453 : 제1 가이드부
454 : 제2 가이드부 600 : 케미컬 노즐
700 : 세정액 노즐 810 : 제1 유체 공급부
812 : 제1 배관 820 : 제2 유체 공급부
822 : 제2 배관
10: substrate processing apparatus 100: first chamber
200: second chamber 300: transfer unit
400: first nozzle 500: second nozzle
450: integral nozzle 451: first nozzle injection port
452: second nozzle injection port 453: first guide part
454: second guide part 600: chemical nozzle
700: Cleaning liquid nozzle 810: First fluid supply part
812: first pipe 820: second fluid supply part
822: Second piping

Claims (2)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1 챔버와,
상기 제1챔버와 인접하게 배치되는 제2 챔버와,
상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 내에 각각 배치되어 기판을 반송하는 반송 유닛과,
상기 제1 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제1 유체를 분사하는 제1 노즐과,
상기 제2 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제2 유체를 분사하는 제2 노즐을 포함하되,
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 일체형으로 제공되는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate,
A first chamber,
A second chamber disposed adjacent to the first chamber,
A transporting unit disposed in each of the first chamber and the second chamber for transporting the substrate,
A first nozzle for injecting a first fluid into an area on the substrate located in the first chamber,
And a second nozzle for ejecting a second fluid to an area on the substrate located in the second chamber,
Wherein the first nozzle and the second nozzle are integrally provided.
제 1항에 있어서,
상기 제1 챔버는 기판으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐을 포함하고,
상기 제2 챔버는 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first chamber includes a chemical nozzle for supplying a chemical to a substrate,
And the second chamber includes a cleaning liquid nozzle for supplying a cleaning liquid to the substrate.
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