KR102201882B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 이송하는 기판 이송부재; 상기 기판 이송부재의 상부에 위치하며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재; 상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되며, 상기 기판으로 공급된 처리액에서 발생된 미스트(mist)를 외부로 배기하는 배기부재; 및 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판의 상부 영역을 가로질러 상기 배기구 측으로 가스를 분사하는 가스 분사 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a process chamber having a space formed therein; A substrate transfer member located inside the process chamber and transferring a substrate; A processing liquid supply member positioned above the substrate transfer member and supplying a processing liquid to the substrate transferred by the substrate transfer member; An exhaust member connected to an exhaust port formed in the process chamber and exhausting mist generated from the processing liquid supplied to the substrate to the outside; And a gas injection member disposed in the process chamber and injecting gas toward the exhaust port across an upper region of the substrate transferred by the substrate transfer member.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate used for manufacturing a flat panel display panel.

일반적인 평판 표시 패널의 처리 장치에는 작업자가 공정 처리 상태 및 진행상황을 육안으로 관찰할 수 있도록 투명 재질의 확인창이 제공된다.In a general flat panel display panel processing device, a transparent material confirmation window is provided so that an operator can visually observe the processing status and progress of the process.

공정 과정에서 기판으로 처리액, 예컨대 탈이온수(DI water)가 공급되고, 공급된 처리액에서 미스트(mist)가 발생한다. 미스트는 확인창 측으로 제공되며, 확인창에 맺힌다.During the process, a treatment liquid, such as DI water, is supplied to the substrate, and mist is generated from the supplied treatment liquid. Mist is provided to the confirmation window and condenses on the confirmation window.

확인창에 맺힌 미스트는 박테리아가 생성될 수 있는 환경을 제공한다. 박테리아는 확인창에 맺힌 미스트 방울의 드랍(drop)과 함께 기판으로 공급된다. 박테리아는 기판의 공정 불량을 야기할 수 있다.Mist formed in the confirmation window provides an environment in which bacteria can be generated. Bacteria are supplied to the substrate with drops of mist droplets formed on the confirmation window. Bacteria can cause poor processing of the substrate.

대한민국 등록특허 제10-1042322호Korean Patent Registration No. 10-1042322

본 발명은 박테리아로 인한 공정 불량 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing the occurrence of process defects due to bacteria.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 이송하는 기판 이송부재; 상기 기판 이송부재의 상부에 위치하며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재; 상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되며, 상기 기판으로 공급된 처리액에서 발생된 미스트(mist)를 외부로 배기하는 배기부재; 및 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판의 상부 영역을 가로질러 상기 배기구 측으로 가스를 분사하는 가스 분사 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having a space formed therein; A substrate transfer member located inside the process chamber and transferring a substrate; A processing liquid supply member positioned above the substrate transfer member and supplying a processing liquid to the substrate transferred by the substrate transfer member; An exhaust member connected to an exhaust port formed in the process chamber and exhausting mist generated from the processing liquid supplied to the substrate to the outside; And a gas injection member disposed in the process chamber and injecting gas toward the exhaust port across an upper region of the substrate transferred by the substrate transfer member.

또한, 상기 가스 분사 부재는 상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 이송방향에 수직한 방향으로 상기 가스를 분사할 수 있다.In addition, the gas injection member may inject the gas in a direction perpendicular to the transfer direction of the substrate when viewed from above.

또한, 상기 배기구는 상기 공정 챔버의 일 측벽에 형성되고, 상기 가스 분사 부재는 상기 배기구가 형성된 상기 공정 챔버의 측벽과 마주하는 타 측벽에 인접 위치하고, 상기 배기구 측으로 가스를 분사하는 분사 노즐을 포함할 수 있다.In addition, the exhaust port is formed on one side wall of the process chamber, and the gas injection member is located adjacent to the other side wall facing the side wall of the process chamber in which the exhaust port is formed, and includes an injection nozzle for injecting gas toward the exhaust port. I can.

또한, 상기 분사 노즐은 기판의 이송 방향을 따라 소정 간격으로 복수 개 배치되고, 상기 배기구는 상기 분사 노즐들과 마주하는 위치에 각각 형성될 수 있다.In addition, a plurality of spray nozzles may be disposed at predetermined intervals along a transfer direction of the substrate, and the exhaust ports may be respectively formed at positions facing the spray nozzles.

또한, 상기 공정 챔버는 상기 공정 챔버의 내부를 확인할 수 있는 확인창이 구비된 상부벽을 가지며, 상기 분사 노즐은 분사되는 가스의 일부가 상기 확인창으로 공급되도록 상기 가스를 분사할 수 있다.In addition, the process chamber has an upper wall provided with a confirmation window through which the inside of the process chamber can be checked, and the injection nozzle may inject the gas so that a part of the injected gas is supplied to the confirmation window.

또한, 상기 분사 노즐은 상기 처리액 공급 부재보다 높은 지점에 위치하며, 상기 처리액 공급 부재의 상부 영역으로 가스를 분사할 수 있다.In addition, the injection nozzle is located at a point higher than the processing liquid supply member, and may inject gas to an upper region of the processing liquid supply member.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버 내부에서 일 방향으로 기판을 이송하고, 이송되는 상기 기판으로 처리액을 공급하되, 상기 처리액이 공급되는 동안, 이송되는 상기 기판의 상부 영역을 가로질러 상기 공정 챔버의 측벽에 형성된 배기구 측으로 가스를 분사한다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, a substrate is transferred in one direction inside a process chamber, and a processing liquid is supplied to the transferred substrate. While the processing liquid is supplied, an upper region of the transferred substrate is Gas is injected into the exhaust port formed in the side wall of the process chamber across.

또한, 상기 배기구에는 진공압이 인가되며, 상기 가스는 상기 처리액에서 발생된 미스트(mist)와 함께 상기 배기구로 유입될 수 있다.In addition, a vacuum pressure is applied to the exhaust port, and the gas may be introduced into the exhaust port together with mist generated from the processing liquid.

또한, 상기 가스는 상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 이송방향에 수직 방향으로 분사될 수 있다.In addition, when viewed from above, the gas may be injected in a direction perpendicular to the transfer direction of the substrate.

또한, 상기 공정 챔버의 상부벽에는 상기 공정 챔버의 내부를 확인할 수 있는 확인창이 제공되며, 상기 가스는 일부가 상기 확인창 측으로 공급될 수 있다.In addition, a confirmation window for confirming the inside of the process chamber is provided on the upper wall of the process chamber, and a part of the gas may be supplied to the confirmation window.

또한, 상기 가스는 상기 처리액을 분사하는 노즐들의 상부 영역을 향해 분사될 수 있다.In addition, the gas may be injected toward upper regions of nozzles that inject the treatment liquid.

본 발명에 의하면, 확인창에 미스트의 맺힘이 차단되므로, 박테리아 발생으로 인한 공정 불량이 예방될 수 있다.According to the present invention, since condensation of mist in the confirmation window is blocked, process defects due to bacterial occurrence can be prevented.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 공정을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus taken along line A-A' of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a substrate processing process according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예에서 기판은 평판 디스플레이용 패널의 일종인 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널이거나 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판을 예로 들어 설명하였으나, 기판은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)가 제공될 수 있다.
In this embodiment, the substrate is a panel for a thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD), which is a kind of panel for a flat panel display, or a panel for organic light emitting diodes (OLED) display. A substrate used for manufacturing a panel has been described as an example, but a wafer used for manufacturing a semiconductor chip may be provided as the substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus taken along line AA′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 기판 이송부재(120), 처리액 공급 부재(130), 가스 분사부재(140), 그리고 배기 부재(150)를 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 100 includes a process chamber 110, a substrate transfer member 120, a processing liquid supply member 130, a gas injection member 140, and an exhaust member 150. Includes.

공정 챔버(110)는 내부에 기판(S)에 대한 공정처리를 수행하는 공간(111)을 가진다. 공정 챔버(110)의 내부공간(111)에서는 기판(S)에 소정의 처리액을 공급하여 기판 처리를 수행하는 공정이 진행된다. 공정 챔버(110)의 전방벽과 후방벽에는 개구(113, 114)가 각각 형성된다. 개구(113, 114)는 기판(S)이 공정챔버(110) 내부로 반입되거나 공정챔버(110) 외부로 반출되는 통로로 제공된다.The process chamber 110 has a space 111 for performing process processing on the substrate S therein. In the inner space 111 of the process chamber 110, a process of performing a substrate treatment by supplying a predetermined processing liquid to the substrate S is performed. Openings 113 and 114 are formed in the front wall and the rear wall of the process chamber 110, respectively. The openings 113 and 114 are provided as passages through which the substrate S is carried into the process chamber 110 or carried out of the process chamber 110.

공정 챔버(110)의 상부벽에는 확인창(115)이 제공된다. 확인창(115)은 투명재질의 판으로 제공되며, 확인창(115)을 통하여 작업자는 외부에서 기판(S) 처리 상황을 육안으로 확인할 수 있다. 확인창(115)과 상부벽 사이에는 실링 부재(미도시)가 제공될 수 있다.A confirmation window 115 is provided on the upper wall of the process chamber 110. The confirmation window 115 is provided as a plate made of a transparent material, and through the confirmation window 115, the operator can visually check the processing status of the substrate S from the outside. A sealing member (not shown) may be provided between the confirmation window 115 and the upper wall.

공정 챔버(110)의 일 측벽에는 배기구(116)가 형성된다. 배기구(116)는 복수 개 형성되며, 기판(S)의 이송 방향을 따라 서로 이격하여 배열된다.An exhaust port 116 is formed on one sidewall of the process chamber 110. A plurality of exhaust ports 116 are formed and are arranged to be spaced apart from each other along the transport direction of the substrate S.

기판 이송 부재(120)는 공정 챔버(110)의 내부에 제공된다. 기판 이송 부재(120)는 기판(S)을 지지하고, 일 방향으로 이송한다. 기판 지지 부재(120)는 복수개의 샤프트(121)들 및 롤러(122)들을 포함한다. 복수개의 샤프트(121)들 및 롤러(122)는 기판(S)을 지지함과 동시에 구동부(미도시)에 의해 회전되어 기판(S)을 일방향으로 이송한다. 샤프트(121)들은 공정 챔버(110)의 내부공간(111)에 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 각각의 샤프트(121)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러(122)들이 고정결합된다. 롤러(122)들은 이송되는 기판(S)의 하면과 접촉하며, 기판(S)을 지지한다. 롤러(122)들은 이송되는 기판(S)이 평평한 상태를 유지할 수 있도록 일정 간격 이격되어 복수개 제공된다. 샤프트(121)들은 길이방향의 중심축을 기준으로 구동부에 의해 회전된다. 구동부는 복수개의 풀리들, 벨트들, 그리고 모터를 가진다. 풀리들은 각각의 샤프트(121)의 양단에 각각 결합된다. 인접한 샤프트(121)들에 결합된 풀리들은 벨트에 의해 서로 연결된다. 복수개의 풀리들 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터가 결합된다. 상술한, 풀리들, 벨트들 그리고 모터의 조립체에 의해 샤프트(121)들과 롤러(122)들이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러(122)에 접촉된 상태로 샤프트(121)들을 따라 직선이동된다. 각각의 샤프트(121)들은 기판(S)이 수평상태로 이송되도록 일단과 타단이 동일 높이로 제공될 수 있다. 또는, 선택적으로 샤프트(121)들은 기판(S)이 경사진 상태로 이송될 수 있도록 일단과 타단이 상이한 높이로 제공될 수 있다The substrate transfer member 120 is provided inside the process chamber 110. The substrate transfer member 120 supports the substrate S and transfers it in one direction. The substrate support member 120 includes a plurality of shafts 121 and rollers 122. The plurality of shafts 121 and the rollers 122 support the substrate S and at the same time rotate by a driving unit (not shown) to transfer the substrate S in one direction. The shafts 121 are spaced apart from each other and disposed side by side in the inner space 111 of the process chamber 110. A plurality of rollers 122 are fixedly coupled to each shaft 121 along its longitudinal direction. The rollers 122 contact the lower surface of the substrate S to be transferred and support the substrate S. A plurality of rollers 122 are provided at predetermined intervals so that the substrate S to be transferred can maintain a flat state. The shafts 121 are rotated by a driving unit based on a central axis in the longitudinal direction. The drive unit has a plurality of pulleys, belts, and a motor. Pulleys are coupled to both ends of each shaft 121, respectively. Pulleys coupled to adjacent shafts 121 are connected to each other by a belt. Any one of the plurality of pulleys is coupled with a motor that rotates it. The shafts 121 and the rollers 122 are rotated by the assembly of the above-described pulleys, belts, and motors, and the substrate S has its lower surface in contact with the rollers 122 and the shafts 121 It moves straight along. Each of the shafts 121 may have one end and the other end provided at the same height so that the substrate S is transferred in a horizontal state. Alternatively, the shafts 121 may optionally have one end and the other end at different heights so that the substrate S can be transferred in an inclined state.

처리액 공급 부재(130)는 기판 이송 부재(120)에서 이송되는 기판(S)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 부재(130)는 공급 노즐(131), 지지 로드(132), 그리고 처리액 공급 라인(미도시)을 포함한다.The processing liquid supply member 130 supplies the processing liquid to the substrate S transferred from the substrate transfer member 120. The processing liquid supply member 130 includes a supply nozzle 131, a support rod 132, and a processing liquid supply line (not shown).

공급 노즐(131)은 기판(S)으로 처리액을 분사한다. 공급 노즐(131)의 저면에는 처리액이 토출되는 토출구가 형성된다. 공급 노즐(131)은 스프레이 방식으로 처리액을 분사할 수 있다. 실시예에 의하면, 공급 노즐(131)은 샤프트(121)의 길이방향과 나란한 방향을 따라 서로 이격하여 복수개 제공된다. 실시예에 의하면, 공급 노즐(131)은 탈이온수(DI Water)를 공급한다.The supply nozzle 131 sprays the processing liquid onto the substrate S. A discharge port through which the treatment liquid is discharged is formed at the bottom of the supply nozzle 131. The supply nozzle 131 may spray the treatment liquid in a spray method. According to the embodiment, a plurality of supply nozzles 131 are provided to be spaced apart from each other along a direction parallel to the longitudinal direction of the shaft 121. According to an embodiment, the supply nozzle 131 supplies DI water.

지지로드(132)는 기판 이송 부재(120)의 상부에 위치하며, 공급 노즐(131)들을 지지한다. 지지로드(132)는 로드 형상으로 제공되며, 샤프트(121)의 길이방향과 나란하게 배치된다. 지지로드(132)의 내부에는 처리액이 공급되는 공급유로가 지지로드(132)의 길이방향을 따라 형성되며, 공급유로는 공급 노즐(131)들의 토출구로 처리액을 공급한다.The support rod 132 is positioned above the substrate transfer member 120 and supports the supply nozzles 131. The support rod 132 is provided in a rod shape and is disposed parallel to the longitudinal direction of the shaft 121. A supply passage through which the processing liquid is supplied is formed in the support rod 132 along the longitudinal direction of the support rod 132, and the supply passage supplies the processing liquid to the discharge ports of the supply nozzles 131.

처리액 공급 라인(미도시)은 지지로드(132)와 연결되며, 공급유로에 처리액을 공급한다. 처리액 공급 라인에는 처리액의 유량을 조절할 수 있는 밸브(미도시)가 제공된다.The treatment liquid supply line (not shown) is connected to the support rod 132 and supplies the treatment liquid to the supply passage. A valve (not shown) capable of adjusting the flow rate of the treatment liquid is provided in the treatment liquid supply line.

가스 분사부재(140)는 기판 이송부재(120)에서 이송되는 기판(S)의 상부 영역을 가로질러 배기구(116) 측으로 가스를 분사한다. 가스 분사부재(140)는 가스를 분사하는 분사 노즐(141)을 포함한다.The gas injection member 140 injects gas to the exhaust port 116 across the upper area of the substrate S transferred from the substrate transfer member 120. The gas injection member 140 includes an injection nozzle 141 for injecting gas.

분사 노즐(141)은 배기구(116)가 형성된 공정 챔버(110)의 측벽과 마주하는 타 측벽에 인접하여 위치한다. 분사 노즐(141)은 지지 로드(132) 보다 높게 위치한다. 분사 노즐(141)은 배기구(116)보다 높은 지점에 위치될 수 있다. 분사 노즐(141)은 배기구(116)가 형성된 공정 챔버(110)의 측벽을 향해 가스를 분사한다. 분사 노즐(141)에서 분사된 가스 일부는 확인창(115) 측으로 공급될 수 있다. 가스는 공기 또는 불활성 가스가 사용될 수 있다. 분사된 가스는 지지 로드(132)의 상부 영역을 가로 질러 공정 챔버(110)의 측벽측으로 제공된다. 분사 노즐(141)은 복수 개 제공되며, 기판(S)의 이송방향을 따라 서로 이격하여 배치된다. 분사 노즐(141)들은 배기구(116)들에 대응하는 위치에 각각 위치한다.The injection nozzle 141 is positioned adjacent to the other side wall facing the side wall of the process chamber 110 in which the exhaust port 116 is formed. The spray nozzle 141 is positioned higher than the support rod 132. The injection nozzle 141 may be located at a point higher than the exhaust port 116. The injection nozzle 141 injects gas toward the sidewall of the process chamber 110 in which the exhaust port 116 is formed. Some of the gas injected from the injection nozzle 141 may be supplied to the confirmation window 115. As the gas, air or an inert gas may be used. The injected gas is provided to the sidewall side of the process chamber 110 across the upper region of the support rod 132. A plurality of spray nozzles 141 are provided, and are disposed to be spaced apart from each other along the transport direction of the substrate S. The injection nozzles 141 are respectively located at positions corresponding to the exhaust ports 116.

배기부재(150)는 공정 챔버(110) 내부의 가스와 처리액에서 발생한 미스트(mist)를 외부로 배기한다. 배기부재(150)는 공정 챔버(110) 내부로 진공압을 인가한다. 배기부재(150)는 배기라인(151)과 진공 펌프(152)를 포함한다. The exhaust member 150 exhausts gas and mist generated from the processing liquid inside the process chamber 110 to the outside. The exhaust member 150 applies vacuum pressure into the process chamber 110. The exhaust member 150 includes an exhaust line 151 and a vacuum pump 152.

배기 라인(151)의 일단은 복수 갈래로 분리되며, 배기구(116)들 각각과 연결된다. 배기 라인(151) 상에는 진공 펌프(152)가 설치된다. 진공 펌프(152)의 구동으로, 진공압이 공정 챔버(110) 내부에 인가된다.
One end of the exhaust line 151 is divided into a plurality of prongs, and is connected to each of the exhaust ports 116. A vacuum pump 152 is installed on the exhaust line 151. By driving the vacuum pump 152, a vacuum pressure is applied into the process chamber 110.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 공정을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a substrate processing process according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 공정 챔버(110) 내부로 반입된 기판(S)은 롤러(122)들에 지지되며, 샤프트(121)와 롤러(122)의 회전으로 일 방향으로 이송된다. 기판(S)이 이송되는 동안, 공급노즐(131)들에서 처리액(L)이 스프레이 방식으로 분사된다. 처리액의 분사 과정에서 미스트(mist, m)가 발생한다. 미스트(m)는 확인창(115) 측으로 확산된다.Referring to FIG. 3, the substrate S carried into the process chamber 110 is supported by the rollers 122, and is transferred in one direction by rotation of the shaft 121 and the roller 122. While the substrate S is being transferred, the processing liquid L is sprayed from the supply nozzles 131 in a spray manner. Mist (m) is generated in the process of spraying the treatment liquid. Mist (m) is diffused toward the confirmation window (115).

분사 노즐(141)은 미스트(m)가 이동하는 경로 상으로 가스(g)를 분사한다. 가스(g)는 일부가 확인창(115) 측으로 공급되고, 나머지는 지지 로드(132)의 상부를 가로질러 배기구(116) 측으로 공급된다. 가스(g) 기류를 따라 미스트(m)는 배기구(116) 측으로 이동한다. 배기 라인(151)을 통해 배기구(116)에 인가된 진공압으로 가스(g)와 미스트(m)는 배기구(116)로 유입되어 외부로 배출된다.The injection nozzle 141 injects the gas g onto the path through which the mist m travels. Part of the gas (g) is supplied to the confirmation window 115, and the rest is supplied to the exhaust port 116 across the upper portion of the support rod 132. The mist (m) moves toward the exhaust port 116 along the gas (g) airflow. With the vacuum pressure applied to the exhaust port 116 through the exhaust line 151, the gas g and the mist m are introduced into the exhaust port 116 and are discharged to the outside.

미스트(m)가 확인창(115)에 맺힐 경우, 미스트(m)는 박테리아가 생성될 수 있는 환경을 제공한다. 박테리아는 확인창(115)에 맺힌 미스트 방울의 드롭(drop)과 함께 기판(S)으로 공급된다. 박테리아는 기판(S)의 공정 불량을 야기한다.When the mist (m) condenses on the confirmation window 115, the mist (m) provides an environment in which bacteria can be generated. Bacteria are supplied to the substrate S together with a drop of mist droplets formed on the confirmation window 115. Bacteria cause poor processing of the substrate S.

본 발명의 실시예에 의하면, 분사 노즐(141)에서 분사된 가스 기류(g)는 미스트(m)가 확인창(115) 측으로 공급되는 것을 차단한다. 이로 인하여, 공정 챔버(110) 내에 박테리아 발생이 예방되고, 박테리아로 인한 기판 공정 불량이 예방될 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, the gas stream g injected from the spray nozzle 141 blocks the mist m from being supplied to the confirmation window 115. Accordingly, generation of bacteria in the process chamber 110 may be prevented, and substrate processing defects due to bacteria may be prevented.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 기판 처리 장치 110: 공정 챔버
120: 기판 이송부재 121: 샤프트
122: 롤러 130: 처리액 공급부재
131: 공급 노즐 132: 지지 로드
140: 가스 분사부재 141: 분사 노즐
150: 배기 부재 151: 배기 라인
152: 진공 펌프100: substrate processing apparatus 110: process chamber
120: substrate transfer member 121: shaft
122: roller 130: treatment liquid supply member
131: supply nozzle 132: support rod
140: gas injection member 141: injection nozzle
150: exhaust member 151: exhaust line
152: vacuum pump

Claims (11)

내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 이송하는 기판 이송부재;
상기 기판 이송부재의 상부에 위치하며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재;
상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되며, 상기 기판으로 공급된 처리액에서 발생된 미스트(mist)를 외부로 배기하는 배기부재; 및
상기 공정 챔버 내에 배치되며, 상기 기판 이송부재에 의해 이송되는 기판의 상부 영역을 가로질러 상기 배기구 측으로 가스를 분사하는 가스 분사 부재를 포함하고,
상기 공정 챔버는,
상기 공정 챔버의 내부를 확인할 수 있는 확인창이 구비된 상부벽을 가지고,
상기 배기구는 상기 공정 챔버의 일 측벽에 형성되고,
상기 가스 분사 부재는,
상기 배기구가 형성된 상기 공정 챔버의 측벽과 마주하는 타 측벽에 인접 위치하고, 상기 배기구 측으로 가스를 분사하는 분사 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber having a space formed therein;
A substrate transfer member located inside the process chamber and transferring a substrate;
A processing liquid supply member positioned above the substrate transfer member and supplying a processing liquid to the substrate transferred by the substrate transfer member;
An exhaust member connected to an exhaust port formed in the process chamber and exhausting mist generated from the processing liquid supplied to the substrate to the outside; And
And a gas injection member disposed in the process chamber and for injecting gas toward the exhaust port across an upper region of the substrate transferred by the substrate transfer member,
The process chamber,
It has an upper wall provided with a confirmation window for confirming the inside of the process chamber,
The exhaust port is formed on one sidewall of the process chamber,
The gas injection member,
And a jet nozzle positioned adjacent to another sidewall facing the sidewall of the process chamber in which the exhaust port is formed, and injects gas toward the exhaust port. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 분사 부재는 상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 이송방향에 수직한 방향으로 상기 가스를 분사하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The gas injection member sprays the gas in a direction perpendicular to a transfer direction of the substrate when viewed from above. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 분사 노즐은 기판의 이송 방향을 따라 소정 간격으로 복수 개 배치되고,
상기 배기구는 상기 분사 노즐들과 마주하는 위치에 각각 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A plurality of spray nozzles are disposed at predetermined intervals along the transfer direction of the substrate,
The exhaust ports are respectively formed at positions facing the spray nozzles. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버는
상기 분사 노즐은 분사되는 가스의 일부가 상기 확인창으로 공급되도록 상기 가스를 분사하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The process chamber is
The injection nozzle injects the gas so that a part of the injected gas is supplied to the confirmation window. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 분사 노즐은 상기 처리액 공급 부재보다 높은 지점에 위치하며, 상기 처리액 공급 부재의 상부 영역으로 가스를 분사하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The spray nozzle is positioned at a point higher than the processing liquid supply member, and sprays gas to an upper region of the processing liquid supply member. 공정 챔버 내부에서 일 방향으로 기판을 이송하고, 이송되는 상기 기판으로 처리액을 공급하되,
상기 처리액이 공급되는 동안, 이송되는 상기 기판의 상부 영역을 가로질러 상기 공정 챔버의 측벽에 형성된 배기구 측으로 분사 노즐이 가스를 분사하고,
상기 공정 챔버의 상부벽에는 상기 공정 챔버의 내부를 확인할 수 있는 확인창이 제공되며,
상기 분사 노즐은,
상기 배기구가 형성된 상기 공정 챔버의 측벽과 마주하는 타 측벽에 인접 위치하는 기판 처리 방법.Transfer the substrate in one direction inside the process chamber, and supply the processing liquid to the transferred substrate,
While the treatment liquid is supplied, an injection nozzle sprays gas across an upper region of the substrate to be transferred to an exhaust port formed on a sidewall of the process chamber,
A confirmation window is provided on the upper wall of the process chamber to check the inside of the process chamber,
The spray nozzle,
A substrate processing method positioned adjacent to another sidewall facing a sidewall of the process chamber in which the exhaust port is formed. 제 7 항에 있어서,
상기 배기구에는 진공압이 인가되며,
상기 가스는 상기 처리액에서 발생된 미스트(mist)와 함께 상기 배기구로 유입되는 기판 처리 방법.The method of claim 7,
Vacuum pressure is applied to the exhaust port,
The substrate processing method wherein the gas flows into the exhaust port together with mist generated from the processing liquid. 제 7 항에 있어서,
상기 가스는 상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 이송방향에 수직 방향으로 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 7,
The gas is sprayed in a direction perpendicular to a transfer direction of the substrate when viewed from above. 제 7 항에 있어서,
상기 가스는 일부가 상기 확인창 측으로 공급되는 기판 처리 방법.The method of claim 7,
A substrate processing method in which a part of the gas is supplied to the confirmation window. 제 7 항에 있어서,
상기 가스는 상기 처리액을 분사하는 노즐들의 상부 영역을 향해 분사되는 기판 처리 방법.The method of claim 7,
The gas is sprayed toward the upper regions of nozzles that spray the processing liquid.
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