KR20120029493A - Substrate processing device - Google Patents

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KR20120029493A KR1020100091007A KR20100091007A KR20120029493A KR 20120029493 A KR20120029493 A KR 20120029493A KR 1020100091007 A KR1020100091007 A KR 1020100091007A KR 20100091007 A KR20100091007 A KR 20100091007A KR 20120029493 A KR20120029493 A KR 20120029493A
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Abstract

PURPOSE: A substrate processing device is provided to prevent a processing liquid used for a corresponding process of substrate from flowing into an area on which the other process is performed. CONSTITUTION: A first in-shower spray nozzle(210) sprays a first processing liquid on a substrate. The substrate is located in a first area of a chamber. A second in-shower spray nozzle(220) sprays a second processing liquid on the substrate. The substrate is located in a second area near the first area of the chamber. A removing liquid nozzle(230) is arranged in between the first in-shower nozzle and the second in-shower nozzle. The removing liquid nozzle sprays the air in between the first in-shower nozzle and the second in-shower nozzle.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 처리의 효율성을 증가시킨 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that increases the efficiency of substrate processing.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 과거 디스플레이 장치로는 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작고, 저전압 구동형인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)가 널리 사용되고 있다.Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. In the past, as a display device, a cathode ray tube monitor was mainly used, but recently, with the rapid development of semiconductor technology, the use of a flat display device that is light and occupies a small space is rapidly increasing. There are various kinds of such flat panel displays, and among them, a liquid crystal display having a low power consumption and a small volume, and a low voltage driving type is widely used.

액정 표시 장치를 제조하기 위해서는 액정 표시 장치에 이용되는 기판 상에 다양한 공정들이 수행되며, 각각의 공정들에는 서로 다른 처리액들이 기판 상에 분사된다.In order to manufacture the liquid crystal display, various processes are performed on a substrate used in the liquid crystal display, and different processes are sprayed onto the substrate in each of the processes.

하지만, 상기 공정들이 수행되는 영역들 사이를 상기 기판이 이송함에 따라, 해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 기판 상에서 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러 들어가는 문제점이 발생한다.However, as the substrate is transferred between the regions where the processes are performed, a problem arises in that the processing liquid sprayed on the substrate flows into the region where other processes are performed on the substrate in the process.

해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러 들어가면, 서로 다른 공정들에 이용되는 처리액들이 혼합될 수 있고, 이에 따라, 기판 처리의 효율성이 저하될 수 있는 문제점이 있다.In the process, when the processing liquid sprayed on the substrate flows into a region where different processes are performed, the processing liquids used in different processes may be mixed, and thus, the efficiency of substrate processing may be reduced. There is this.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 기판 처리의 효율성을 증가시킨 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention was conceived in this respect, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which increases the efficiency of substrate processing.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 제1 인샤워 분사구, 제2 인샤워 분사구 및 액절 분사구를 포함한다. 상기 제1 인샤워 분사구는 챔버의 제1 영역에 위치한 기판에 제1 처리액을 분사한다. 상기 제2 인샤워 분사구는 상기 챔버의 제1 영역과 인접한 제2 영역에 위치한 상기 기판에 제2 처리액을 분사한다. 상기 액절 분사구는 상기 제1 인샤워 분사구 및 상기 제2 인샤워 분사구 사이에 배치되어 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이에 공기를 분사한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment for realizing the object of the present invention includes a first in-shower ejection port, a second in-shower ejection port, and a liquid ejection ejection port. The first in-shower injection hole injects the first processing liquid onto the substrate located in the first region of the chamber. The second in-shower injection hole injects a second processing liquid onto the substrate located in a second area adjacent to the first area of the chamber. The liquid injection nozzle is disposed between the first in shower injection hole and the second in shower injection hole to inject air between the first area and the second area.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 인샤워 분사구 및 상기 액절 분사구 사이의 상기 기판과 마주하는 면과 상기 제2 인샤워 분사구 및 상기 액절 분사구 사이의 상기 기판과 마주하는 면은 상기 기판이 위치한 방향에 대해 반대 방향으로 볼록한 부분을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, a surface facing the substrate between the first in-shower nozzle and the liquid injection nozzle and a surface facing the substrate between the second in-shower injection hole and the liquid injection nozzle are located on the substrate. It may have a convex portion in a direction opposite to the direction.

이와 같은 기판 처리 장치에 따르면, 기판의 해당 공정에 이용되는 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있다.According to such a substrate processing apparatus, it is possible to prevent the processing liquid used in the corresponding step of the substrate from flowing into the region where another step is performed.

또한, 인샤워 기능과 액절 기능을 하나의 장치로 구현함으로써, 구조가 단순하고 설치가 용이하여 설치 비용을 감소시킬 수 있다.In addition, by implementing the in-shower function and the liquid-repelling function as a single device, the structure is simple and easy to install can reduce the installation cost.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다. As the inventive concept allows for various changes and numerous modifications, the embodiments will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "consist of" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described on the specification, but one or more other features. It is to be understood that the present disclosure does not exclude the existence or the possibility of addition of numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(120), 제1 처리액 공급부(310), 제2 처리액 공급부(320) 및 공기 공급부(330)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a chamber 120, a first processing liquid supplying part 310, a second processing liquid supplying part 320, and an air supplying part 330. Include.

상기 챔버(120)는 기판(110)을 처리하는 제1 영역(130), 제2 영역(140), 내벽(150) 및 나이프 장치(200)를 포함한다. The chamber 120 includes a first region 130, a second region 140, an inner wall 150, and a knife device 200 for processing the substrate 110.

상기 제1 영역(130)은 상기 기판(110)을 처리하는 일련의 공정들 중 어느 하나의 공정이 수행되는 영역일 수 있고, 상기 제2 영역(140)은 상기 제1 영역(130)에서 수행되는 공정에 후속하는 공정이 수행되는 영역일 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(110)은 액정 표시 패널에 사용되는 기판일 수 있고, 상기 제1 영역(130)은 상기 기판(110)을 식각하는 영역일 수 있으며, 상기 제2 영역(140)은 상기 기판(110)을 세정하는 영역일 수 있다.The first region 130 may be a region in which any one of a series of processes for processing the substrate 110 is performed, and the second region 140 is performed in the first region 130. It may be an area in which a process subsequent to the process to be performed is performed. For example, the substrate 110 may be a substrate used for a liquid crystal display panel, the first region 130 may be an region for etching the substrate 110, and the second region 140 may be It may be an area for cleaning the substrate 110.

상기 내벽(150)은 상기 제1 영역(130) 및 상기 제2 영역(140)을 구분하고, 상기 기판(110)이 상기 제1 영역(130)으로부터 상기 제2 영역(140)으로 이동할 수 있는 공간을 제공한다. 즉, 상기 제1 영역(130) 및 상기 제2 영역(140)은 상기 내벽(150)을 사이에 두고 양쪽으로 배치되고, 상기 기판(110)은 상기 내벽(150)이 단절된 사이의 공간을 통해 이동한다. 이 경우, 상기 기판(110)은 복수의 롤러들(105)을 통해 상기 제1 영역(130)으로부터 상기 제2 영역(140)으로 이송될 수 있으며, 상기 롤러들(105)은 상기 롤러들(105)에 연결된 복수의 샤프트의 회전에 의해 상기 기판(110)을 상기 제1 영역(130)으로부터 상기 제2 영역(140)으로 이송할 수 있다. The inner wall 150 may distinguish the first region 130 and the second region 140, and the substrate 110 may move from the first region 130 to the second region 140. Provide space. That is, the first region 130 and the second region 140 are disposed at both sides with the inner wall 150 interposed therebetween, and the substrate 110 passes through a space between the inner wall 150 disconnected. Move. In this case, the substrate 110 may be transferred from the first region 130 to the second region 140 through a plurality of rollers 105, and the rollers 105 may be formed of the rollers ( The substrate 110 may be transferred from the first region 130 to the second region 140 by rotation of a plurality of shafts connected to the 105.

상기 나이프 장치(200)는 상기 기판(110)이 이송되는 공간을 제공하기 위해 단절된 상기 내벽(150) 중에서 상기 챔버(120)의 상면에 부착된 내벽(150)에 설치되고, 제1 인샤워 분사구(210), 제2 인샤워 분사구(220) 및 액절 분사구(230)를 포함한다. The knife device 200 is installed on an inner wall 150 attached to an upper surface of the chamber 120 among the inner walls 150 that are disconnected to provide a space in which the substrate 110 is transferred, and a first in-shower injection hole. 210, a second in-shower nozzle 220, and a liquid nozzle 230.

상기 제1 인샤워 분사구(210)는 상기 챔버(120)의 제1 영역(130)에 위치한 상기 기판(110) 상에 제1 처리액(280)을 분사하고, 상기 제2 인샤워 분사구(220)는 상기 챔버(120)의 제2 영역(140)에 위치한 상기 기판(110) 상에 제2 처리액(290)을 분사한다. The first in-shower nozzle 210 injects a first processing liquid 280 onto the substrate 110 located in the first region 130 of the chamber 120, and the second in-shower nozzle 220 ) Sprays a second treatment liquid 290 on the substrate 110 located in the second region 140 of the chamber 120.

예를 들어, 상기 제1 영역(130)이 상기 기판(110)을 식각하기 위한 영역이면 상기 제1 처리액(280)은 식각액일 수 있고, 상기 제2 영역(140)이 상기 기판(110)을 세정하기 위한 영역이면 상기 제2 처리액(290)은 탈이온수(DIW: deinonization-water)와 같은 세정액일 수 있다.For example, when the first region 130 is a region for etching the substrate 110, the first processing liquid 280 may be an etching liquid, and the second region 140 may be the substrate 110. The second treatment liquid 290 may be a cleaning liquid such as deinonization-water (DIW) if the area is for cleaning.

상기 액절 분사구(230)는 상기 제1 인샤워 분사구(210) 및 상기 제2 인샤워 분사구(220) 사이에 배치되어 상기 제1 영역(130) 및 상기 제2 영역(140) 사이에 위치한 상기 기판(110) 상에 공기를 분사한다. The liquid injection nozzle 230 is disposed between the first in-shower injection port 210 and the second in-shower injection port 220 and is positioned between the first area 130 and the second area 140. Air is sprayed on 110.

상기 액절 분사구(230)가 상기 공기를 분사함으로써, 상기 제1 영역(130)의 상기 기판(110) 상에 분사된 상기 제1 처리액(280)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제2 영역(140)으로 흐르는 것을 방지하고, 상기 제2 영역(140)의 상기 기판(110) 상에 분사된 상기 제2 처리액(290)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제1 영역(130)으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.As the liquid-jet injection port 230 injects the air, the first processing liquid 280 injected onto the substrate 110 of the first region 130 may be disposed on the substrate 110. And prevents the second processing liquid 290 injected onto the substrate 110 of the second region 140 from flowing to the first region 130 on the substrate 110. It can prevent.

예를 들면, 상기 제1 처리액(280)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제2 영역(140) 방향으로 흘러 상기 제1 영역(130) 및 상기 제2 영역(140) 사이에 위치하거나 상기 제2 처리액(290)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제1 영역(130) 방향으로 흘러 상기 제1 영역(130) 및 상기 제2 영역(140) 사이에 위치할 경우, 상기 액절 분사구(230)로부터 분사되는 상기 공기가 상기 제1 처리액(280) 및 상기 제2 처리액(290)을 건조시킴으로써, 제1 처리액(280)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제2 영역(140)으로 흐르거나 상기 제2 처리액(290)이 상기 기판(110) 상에서 상기 제1 영역(130)으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.For example, the first processing liquid 280 flows on the substrate 110 in the direction of the second region 140 and is positioned between the first region 130 and the second region 140 or the first treatment liquid 280. 2 When the processing liquid 290 flows in the direction of the first region 130 on the substrate 110 and is located between the first region 130 and the second region 140, the liquid immersion nozzle 230 The air sprayed from the air dries the first processing liquid 280 and the second processing liquid 290, so that the first processing liquid 280 flows on the substrate 110 to the second region 140. Alternatively, the second processing liquid 290 may be prevented from flowing to the first region 130 on the substrate 110.

상기 나이프 장치(200)는 상기 제1 처리액 공급부(310)로부터 공급되는 상기 제1 처리액(280)을 상기 제1 인샤워 분사구(210)로 이송하기 위한 제1 가이드부(215)를 가지고, 상기 제1 가이드부(215)는 상기 제1 인샤워 분사구(210)에서 분사되는 상기 제1 처리액(280)이 상기 제1 영역(130)에 위치한 상기 기판(110) 상에 분사되도록 하기 위해 상기 제1 영역(130) 방향으로 기울어진 부분을 가질 수 있다.The knife device 200 has a first guide part 215 for transferring the first processing liquid 280 supplied from the first processing liquid supplying part 310 to the first in-shower injection hole 210. The first guide part 215 allows the first processing liquid 280 to be sprayed from the first in-shower injection hole 210 to be sprayed onto the substrate 110 positioned in the first region 130. For example, the inclined portion may have a portion inclined toward the first region 130.

또한, 상기 나이프 장치(200)는 상기 제2 처리액 공급부(320)로부터 공급되는 상기 제2 처리액(290)을 상기 제2 인샤워 분사구(220)로 이송하기 위한 제2 가이드부(225)를 가지고, 상기 제2 가이드부(225)는 상기 제2 인샤워 분사구(220)에서 분사되는 상기 제2 처리액(290)이 상기 제2 영역(140)에 위치한 상기 기판(110) 상에 분사되도록 하기 위해 상기 제2 영역(140) 방향으로 기울어진 부분을 가질 수 있다.In addition, the knife device 200 is a second guide portion 225 for transferring the second processing liquid 290 supplied from the second processing liquid supply unit 320 to the second in-shower injection hole 220. The second guide part 225 has the second processing liquid 290 injected from the second in-shower injection hole 220 sprayed onto the substrate 110 positioned in the second region 140. It may have a portion inclined in the direction of the second region 140 so as to be.

또한, 상기 나이프 장치(200)는 상기 공기 공급부(330)로부터 공급되는 상기 공기를 상기 액절 분사구(230)로 이송하기 위한 제3 가이드부(235)를 가질 수 있다.In addition, the knife device 200 may have a third guide part 235 for transferring the air supplied from the air supply part 330 to the liquid-jet injection port 230.

상기 나이프 장치(200)는 상기 제1 인샤워 분사구(210) 및 상기 액절 분사구(230) 사이의 상기 기판(110)과 마주하는 면에 상기 기판(110)이 위치한 방향에 대해 반대 방향으로 원호 형상의 볼록한 부분을 가짐으로써, 상기 기판(110)과 상기 나이프 장치(200) 사이에 제1 와류 공간(260)을 제공한다.The knife device 200 has a circular arc shape in a direction opposite to the direction in which the substrate 110 is positioned on a surface facing the substrate 110 between the first in-shower injection hole 210 and the liquid injection nozzle 230. By having a convex portion of, a first vortex space 260 is provided between the substrate 110 and the knife device 200.

상기 제1 와류 공간(260)은 상기 기판(110)에 분사된 상기 공기의 와류를 유도함으로써, 상기 공기가 상기 제1 영역(130)의 상기 기판(110) 상에 위치한 상기 제1 처리액(280)에 영향을 미치는 것을 감소시킨다.The first vortex space 260 induces a vortex of the air injected into the substrate 110, whereby the air is disposed on the first processing liquid (the first processing liquid located on the substrate 110 in the first region 130). 280).

따라서, 상기 공기로부터 상기 제1 처리액(280)이 갈라지는 현상 및 액체에 기포가 발생하는 헌팅(hunting) 현상을 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent a phenomenon in which the first treatment liquid 280 is separated from the air and a hunting phenomenon in which bubbles are generated in the liquid.

또한, 상기 나이프 장치(200)는 상기 제2 인샤워 분사구(220) 및 상기 액절 분사구(230) 사이의 상기 기판(110)과 마주하는 면에 상기 기판(110)이 위치한 방향에 대해 반대 방향으로 원호 형상의 볼록한 부분을 가짐으로써, 상기 기판(110)과 상기 나이프 장치(200) 사이에 제2 와류 공간(270)을 제공한다.In addition, the knife device 200 is in a direction opposite to the direction in which the substrate 110 is located on the surface facing the substrate 110 between the second in-shower injection hole 220 and the liquid injection hole 230. By having an arcuate convex portion, a second vortex space 270 is provided between the substrate 110 and the knife device 200.

상기 제2 와류 공간(270)은 상기 기판(110)에 분사된 상기 공기의 와류를 유도함으로써, 상기 공기가 상기 제2 영역(140)의 상기 기판(110) 상에 위치한 상기 제2 처리액(290)에 영향을 미치는 것을 감소시킨다.The second vortex space 270 induces a vortex of the air injected into the substrate 110, whereby the air is disposed on the substrate 110 of the second region 140. 290) to reduce the impact.

따라서, 상기 공기로부터 상기 제2 처리액(290)이 갈라지는 현상 및 액체에 기포가 발생하는 헌팅(hunting) 현상을 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent a phenomenon in which the second treatment liquid 290 is separated from the air and a hunting phenomenon in which bubbles are generated in the liquid.

상기 제1 처리액 공급부(310)는 상기 제1 처리액 공급부(310)와 상기 나이프 장치(200)의 상기 제1 가이드부(210) 사이에 연결된 제1 배관(312)을 통해 상기 제1 처리액(280)을 상기 나이프 장치(200)에 공급하고, 상기 제2 처리액 공급부(320)는 상기 제2 처리액 공급부(320)와 상기 제2 가이드부(220) 사이에 연결된 제2 배관(322)을 통해 상기 제2 처리액(290)을 상기 나이프 장치(200)에 제공하며, 상기 공기 공급부(330)는 상기 공기 공급부(330)와 상기 제3 가이드부(230) 사이에 연결된 제3 배관(332)을 통해 상기 공기를 상기 나이프 장치(200)에 제공한다.The first processing liquid supply unit 310 is the first processing through a first pipe 312 connected between the first processing liquid supply unit 310 and the first guide portion 210 of the knife device 200. The liquid 280 is supplied to the knife device 200, and the second processing liquid supply part 320 includes a second pipe connected between the second processing liquid supply part 320 and the second guide part 220. The second processing liquid 290 is provided to the knife device 200 through 322, and the air supply part 330 is connected to the air supply part 330 and the third guide part 230. The air is provided to the knife device 200 through a pipe 332.

상기 기판 처리 장치(100)는 상기 제1 배관(312) 상에 상기 제1 처리액(280)의 유량을 조절하는 제1 밸브(314)를 가질 수 있고, 상기 제2 배관(322) 상에 상기 제2 처리액(290)의 유량을 조절하는 제2 밸브(324)를 가질 수 있으며, 상기 제3 배관(332) 상에 상기 공기의 유량을 조절하는 제3 밸브(334)를 가질 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may have a first valve 314 for adjusting a flow rate of the first processing liquid 280 on the first pipe 312, and on the second pipe 322. It may have a second valve 324 for adjusting the flow rate of the second processing liquid 290, may have a third valve 334 on the third pipe 332 to adjust the flow rate of the air. .

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 구성도이다.2 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(500)는 챔버(520), 처리액 공급부(710) 및 공기 공급부(730)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 500 according to another embodiment of the present invention includes a chamber 520, a processing liquid supply unit 710, and an air supply unit 730.

상기 챔버(520)는 기판(510)을 처리하는 제1 영역(530), 제2 영역(540), 내벽(550) 및 나이프 장치(600)를 포함한다. The chamber 520 includes a first region 530, a second region 540, an inner wall 550, and a knife device 600 that process the substrate 510.

상기 제1 영역(530)은 상기 기판(510)을 처리하는 일련의 공정들 중 어느 하나의 공정이 수행되는 영역일 수 있고, 상기 제2 영역(540)은 상기 제1 영역(530)에서 수행되는 공정에 후속하는 공정이 수행되는 영역일 수 있다.The first area 530 may be an area in which any one of a series of processes for processing the substrate 510 is performed, and the second area 540 is performed in the first area 530. It may be an area in which a process subsequent to the process to be performed is performed.

상기 내벽(550)은 상기 제1 영역(530) 및 상기 제2 영역(540)을 구분하고, 상기 기판(510)이 상기 제1 영역(530)으로부터 상기 제2 영역(540)으로 이동할 수 있는 공간을 제공한다. 상기 기판(510)은 복수의 롤러들(505)을 통해 상기 제1 영역(530)으로부터 상기 제2 영역(540)으로 이송될 수 있다.The inner wall 550 may distinguish the first region 530 and the second region 540, and the substrate 510 may move from the first region 530 to the second region 540. Provide space. The substrate 510 may be transferred from the first area 530 to the second area 540 through a plurality of rollers 505.

상기 나이프 장치(600)는 상기 챔버(520)의 상면에 부착되어 설치되고, 인샤워 분사구(610) 및 액절 분사구(630)를 포함한다. The knife device 600 is attached to an upper surface of the chamber 520, and includes an in-shower injection port 610 and a liquid injection port 630.

상기 인샤워 분사구(610)는 상기 챔버(620)의 제1 영역(530)에 위치한 상기 기판(510) 상에 처리액(680)을 분사한다. 예를 들어, 상기 제1 영역(530)이 상기 기판(510)을 식각하기 위한 영역이면 상기 처리액(680)은 식각액일 수 있다.The in shower injection hole 610 sprays the processing liquid 680 on the substrate 510 located in the first region 530 of the chamber 620. For example, when the first region 530 is a region for etching the substrate 510, the processing liquid 680 may be an etching liquid.

상기 액절 분사구(630)는 상기 인샤워 분사구(210)에 비해 상기 제1 영역(530) 및 상기 제2 영역(540)을 구분하는 상기 내벽(550)에 인접하게 배치되어 상기 제1 영역(530) 중에서 상기 제2 영역(540)에 인접한 상기 기판(510) 상에 공기를 분사한다. The liquid injection nozzle 630 is disposed adjacent to the inner wall 550 that separates the first area 530 and the second area 540 compared to the in-shower injection hole 210, and thus the first area 530. ) Injects air onto the substrate 510 adjacent to the second region 540.

상기 액절 분사구(630)가 상기 공기를 분사함으로써, 상기 제1 영역(530)의 상기 기판(510) 상에 분사된 상기 처리액(680)이 상기 기판(610) 상에서 상기 제2 영역(540)으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.When the liquid injection nozzle 630 injects the air, the processing liquid 680 injected onto the substrate 510 of the first region 530 is on the second region 540 on the substrate 610. Can be prevented from flowing.

예를 들면, 상기 처리액(680)이 상기 제1 영역(530)으로 상기 제2 영역(540)으로 흐르고자 하는 경우, 상기 액절 분사구(630)로부터 분사되는 상기 공기가 상기 처리액(680)을 건조시킴으로써, 상기 처리액(680)이 상기 기판(510) 상에서 상기 제2 영역(540)으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.For example, when the processing liquid 680 is intended to flow into the first region 530 and into the second region 540, the air injected from the liquid injection nozzle 630 is the processing liquid 680. The drying may prevent the treatment liquid 680 from flowing to the second region 540 on the substrate 510.

상기 나이프 장치(600)는 상기 처리액 공급부(710)로부터 공급되는 상기 처리액(680)을 상기 인샤워 분사구(610)로 이송하기 위한 제1 가이드부(615)를 가지고, 상기 제1 가이드부(615)는 상기 인샤워 분사구(610)에서 분사되는 상기 처리액(680)이 상기 제1 영역(530)에 위치한 상기 기판(510) 상에 분사되도록 하기 위해 상기 제1 영역(530) 방향으로 기울어진 부분을 가질 수 있다.The knife device 600 has a first guide portion 615 for transferring the treatment liquid 680 supplied from the treatment liquid supply part 710 to the in-shower injection hole 610, and the first guide portion. 615 is directed toward the first region 530 to allow the processing liquid 680 sprayed from the in-shower nozzle 610 to be sprayed onto the substrate 510 positioned in the first region 530. It may have an inclined portion.

또한, 상기 나이프 장치(600)는 상기 공기 공급부(730)로부터 공급되는 상기 공기를 상기 액절 분사구(630)로 이송하기 위한 제2 가이드부(635)를 가질 수 있다.In addition, the knife device 600 may have a second guide part 635 for transferring the air supplied from the air supply part 730 to the liquid nozzle 630.

상기 나이프 장치(600)는 상기 인샤워 분사구(610) 및 상기 액절 분사구(630) 사이의 상기 기판(610)과 마주하는 면에 상기 기판(610)이 위치한 방향에 대해 반대 방향으로 원호 형상의 볼록한 부분을 가짐으로써, 상기 기판(610)과 상기 나이프 장치(600) 사이에 와류 공간(660)을 제공한다.The knife device 600 is convex in the shape of an arc in a direction opposite to the direction in which the substrate 610 is located on the surface facing the substrate 610 between the in-shower injection hole 610 and the liquid injection nozzle 630. By having a portion, a vortex space 660 is provided between the substrate 610 and the knife device 600.

상기 와류 공간(660)은 상기 기판(610)에 분사된 상기 공기의 와류를 유도함으로써, 상기 공기가 상기 제1 영역(530)의 상기 기판(510) 상에 위치한 상기 처리액(680)에 영향을 미치는 것을 감소시킨다.The vortex space 660 induces a vortex of the air injected into the substrate 610, thereby affecting the processing liquid 680 located on the substrate 510 of the first region 530. Reduce the impact of

그러므로, 상기 공기로부터 상기 처리액(680)이 갈라지는 현상 및 액체에 기포가 발생하는 헌팅(hunting) 현상을 방지할 수 있고, 이에 따라, 상기 공기가 분사되는 압력의 제한을 감소시킬 수 있다.Therefore, it is possible to prevent a phenomenon in which the processing liquid 680 is separated from the air and a hunting phenomenon in which bubbles are generated in the liquid, and accordingly, a restriction on the pressure at which the air is injected can be reduced.

상기 처리액 공급부(710)는 상기 처리액 공급부(710) 및 상기 나이프 장치(600)의 상기 제1 가이드부(210) 사이에 연결된 제1 배관(712)을 통해 상기 제1 처리액(680)을 상기 나이프 장치(600)에 공급하고, 상기 공기 공급부(730)는 상기 공기 공급부(730)와 상기 제2 가이드부(630) 사이에 연결된 제2 배관(732)을 통해 상기 공기를 상기 나이프 장치(600)에 제공한다.The processing liquid supply part 710 is the first processing liquid 680 through a first pipe 712 connected between the processing liquid supply part 710 and the first guide part 210 of the knife device 600. To the knife device 600, and the air supply unit 730 supplies the air to the knife device through a second pipe 732 connected between the air supply unit 730 and the second guide unit 630. Provided at 600.

상기 기판 처리 장치(500)는 상기 제1 배관(712) 상에 상기 처리액(680)의 유량을 조절하는 제1 밸브(714)를 가질 수 있고, 상기 제3 배관(732) 상에 상기 공기의 유량을 조절하는 제2 밸브(734)를 가질 수 있다.The substrate processing apparatus 500 may have a first valve 714 for adjusting a flow rate of the processing liquid 680 on the first pipe 712, and the air on the third pipe 732. It may have a second valve 734 for adjusting the flow rate of.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 해당 공정에 이용되는 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있으므로, 기판 처리의 효율성을 증가시킬 수 있고, 이에 따라, 액정 표시 장치 및 반도체 장치의 제조에 사용될 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention can prevent the processing liquid used in the corresponding process of the substrate from flowing into a region where another process is performed, thereby increasing the efficiency of the substrate processing, and thus, the liquid crystal display device and It can be used in the manufacture of semiconductor devices.

100, 500: 기판 처리 장치 120, 520: 챔버
200, 600: 나이프 장치 210, 220, 610: 인샤워 분사구
230, 630: 액절 분사구100, 500: substrate processing apparatus 120, 520: chamber
200, 600: knife apparatus 210, 220, 610: in shower nozzle
230, 630: liquid nozzle

Claims (2)

챔버의 제1 영역에 위치한 기판에 제1 처리액을 분사하는 제1 인샤워 분사구;
상기 챔버의 제1 영역과 인접한 제2 영역에 위치한 상기 기판에 제2 처리액을 분사하는 제2 인샤워 분사구; 및
상기 제1 인샤워 분사구 및 상기 제2 인샤워 분사구 사이에 배치되어 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이에 공기를 분사하는 액절 분사구를 포함하는 기판 처리 장치.A first in-shower injection hole for injecting a first processing liquid into a substrate positioned in the first region of the chamber;
A second in-shower nozzle for injecting a second processing liquid into the substrate located in a second region adjacent to the first region of the chamber; And
And a liquid injection nozzle disposed between the first in shower nozzle and the second in shower nozzle to inject air between the first region and the second region. 제1항에 있어서, 상기 제1 인샤워 분사구 및 상기 액절 분사구 사이의 상기 기판과 마주하는 면과 상기 제2 인샤워 분사구 및 상기 액절 분사구 사이의 상기 기판과 마주하는 면은 상기 기판이 위치한 방향에 대해 반대 방향으로 볼록한 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.2. The surface of claim 1, wherein the surface facing the substrate between the first in-shower nozzle and the liquid injection nozzle and the surface facing the substrate between the second in-shower nozzle and the liquid injection nozzle are in a direction in which the substrate is located. And a convex portion in a direction opposite to that of the substrate.
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