KR20150025513A - Mother of oganic electro-luminesence display device substate and manufactucring metod of the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a mother substrate of an organic electro-luminescence display device and a method of manufacturing the same. The mother substrate of an organic electro-luminescence display device includes organic electro-luminescence display panels which include gate pads formed on a pad region and a shorting bar which connects the gate pads totally or partly and is located in a position which is overlapped with a cutting line for cutting the organic electro-luminescence display panels into unit organic electro-luminescence display panels. Thereby, uniform shorting bar processibility can be secured in a cell cutting process using a laser.

Description

유기전계발광 표시패널의 모기판 및 그의 제조방법 {MOTHER OF OGANIC ELECTRO-LUMINESENCE DISPLAY DEVICE SUBSTATE AND MANUFACTUCRING METOD OF THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display panel,

본 발명은 유기전계발광 표시패널의 모기판 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 레이저를 이용한 셀 커팅시 균일한 쇼팅바 가공성을 확보할 수 있는 유기전계발광 표시패널의 모기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a mother board of an organic electroluminescence display panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a mother board of an organic electroluminescence display panel capable of ensuring a uniform shorting bar processability during cell cutting using a laser, .

유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device: OLED)는 전자주입전극과 정공주입전극 각각으로부터 발광층 내부로 주입된 전자와 정공의 결합으로형성된 엑시톤이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.An organic electroluminescence device (OLED) is an element that emits light when an exciton formed by the combination of electrons injected into the light emitting layer from the electron injection electrode and the hole injection electrode and from the excitation electrode falls from the excited state to the ground state.

이러한 원리로 유기전계 발광소자는 자발광 특성을 가지며, 액정 표시장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기전계 발광소자는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 모바일 전자 기기의 차세대 표시장치로 여겨지고 있다. 그리고 또한 유기전계 발광소자는 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정 표시장치보다 많이 줄일 수 있는 장점도 있다.The organic electroluminescent device has a self-luminescent property and does not require a separate light source unlike a liquid crystal display device, thereby reducing the thickness and weight of the organic electroluminescent device. In addition, organic electroluminescent devices are considered to be the next generation display devices for mobile electronic devices because they exhibit high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed. Further, since the manufacturing process of the organic electroluminescent device is simple, the production cost can be further reduced as compared with the conventional liquid crystal display device.

유기전계발광 표시패널은 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기발광 다이오드와, 그 유기발광 다이오드를 구동하는 셀 구동부를 포함한다.In an organic light emitting display panel, pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels are arranged in a matrix form to display an image. Each sub-pixel includes an organic light emitting diode and a cell driver for driving the organic light emitting diode.

셀 구동부는 게이트 신호를 공급하는 게이트 라인과, 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 유기발광 다이오드의 양극을 구동한다.The cell driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a gate signal, a data line for supplying a data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, .

이러한, 유기전계발광 표시패널은 하나의 모기판 상에 다수의 유기전계발광 표시패널을 형성한 후, 스크라이빙 공정으로 분리하여 형성된다.
Such an organic light emitting display panel is formed by separating a plurality of organic light emitting display panels on a single mother substrate and then scribing.

도 1은 일반적인 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a mother substrate of a general organic light emitting display panel.

도 1을 참조하면, 일반적으로 유기전계발광 표시패널의 모기판(10)은 매트릭스타입으로 배열되는 다수의 유기전계발광 표시패널들과, 이들의 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 방지하기 위한 쇼팅바(32)와, 상기 다수의 유기전계발광 표시패널을 단위패널로 절단하기 위한 절단선(50)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a mother substrate 10 of an organic light emitting display panel includes a plurality of organic light emitting display panels arranged in a matrix type, and a plurality of organic light emitting display panels (not shown) 32, and a cutting line 50 for cutting the plurality of organic light emitting display panels into unit panels.

상기 각각의 유기전계발광 표시패널은 화상을 표시하는 표시영역(AA)과 그 이외의 영역인 비표시영역(NA)을 포함하며, 상기 비표시영역(NA)의 일측 부분은 패드영역(PA)으로 정의된다.Each of the organic light emitting display panels includes a display area AA for displaying an image and a non-display area NA that is an area other than the display area AA. One side of the non- .

상기 표시영역(AA)에는 게이트라인, 데이터라인 및 이들과 연결되는 박막트랜지스터가 형성되며, 상기 패드영역(PA)에는 상기 게이트라인과 연결되는 게이트 패드(30) 및 상기 데이터라인과 연결되는 데이터 패드(미도시)가 형성된다.A gate line, a data line, and a thin film transistor connected to the gate line, the data line, and the data line are formed in the display area AA. A gate pad 30 connected to the gate line and a data pad (Not shown) is formed.

상기 쇼팅바(32)는 상기 다수의 유기전계발광 표시패널들의 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 방지한다. 구체적으로는 정전기를 각각의 게이트 라인 또는 데이터 라인에 분산시켜 등전위를 만들어 정전기를 방지한다. 상기 쇼팅바(32)는 게이트 패드(30) 또는 데이터 패드(미도시)와 모두 연결되어 있으며, 게이트 라인 또는 데이터 라인과 동시에 형성되는 경우가 일반적이다. The shorting bar 32 prevents static electricity generated during the manufacturing process of the plurality of organic light emitting display panels. Specifically, static electricity is dispersed in each gate line or data line to create an equal potential to prevent static electricity. The shorting bar 32 is connected to the gate pad 30 or the data pad (not shown), and is generally formed simultaneously with the gate line or the data line.

상기 쇼팅바(32)는 상기 절단선(50) 밖에 존재한다. 그리고 스크라이빙 공정에서 유기전계발광 표시패널의 모기판(10)이 절단선(50)을 따라 단위패널로 절단될 때 전기적으로 단선된다.The shorting bar 32 is located outside the cutting line 50. In the scribing process, the mother substrate 10 of the organic light emitting display panel is electrically disconnected when the unit panel is cut along the cutting line 50.

그런데 상기 유기전계발광 표시패널의 모기판(10)의 하부기판(20)이 유리와 같은 강성재질일 경우, 최종 절단 공정에서 레이저 공법이나 휠 스크라이빙 공법 등으로 깨끗하게 절단할 수 있다. 또한 절단 후에 그라인딩 공정을 통해 절단면을 깨끗하게 마무리 할 수 있다. However, when the lower substrate 20 of the mother substrate 10 of the organic light emitting display panel is made of a rigid material such as glass, it can be cleanly cut by a laser method or a wheel scribing method in the final cutting step. In addition, the cutting surface can be finely finished through the grinding process after the cutting.

하지만 상기 하부기판(20)이 플렉서블 기판인 경우, 휠 스크라이빙 방식은 스크라이빙 마진 및 신뢰성 문제로 인해 적용할 수 없다. 또한 이를 대체하고자 도입된 레이저 커팅 방식도 기판의 크랙 등의 문제가 발생한다.
However, when the lower substrate 20 is a flexible substrate, the wheel scribing method can not be applied due to the scribing margin and the reliability problem. In addition, the laser cutting method introduced to overcome this causes problems such as cracking of the substrate.

본 발명의 하나의 과제는 레이저를 이용한 셀 커팅 공정의 신뢰성 확보를 위한 쇼팅바를 포함하는 유기전계발광 표시패널의 모기판 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
One aspect of the present invention is to provide a mother board for an organic light emitting display panel including a shorting bar for ensuring reliability of a cell cutting process using a laser and a method of manufacturing the same.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계발광 표시패널의 모기판을 제공한다. 상기 유기전계발광 표시패널의 모기판은 패드 영역에 형성된 게이트 패드들을 포함하는 다수의 유기전계발광 표시패널, 상기 게이트 패드들 전부 또는 일부를 연결시키며, 상기 다수의 유기전계발광 표시패널을 각각의 단위 유기전계발광 표시패널로 절단하기 위한 절단선과 오버랩되게 위치하는 쇼팅바를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a mother substrate for an organic light emitting display panel. The mother substrate of the organic light emitting display panel includes a plurality of organic light emitting display panels including gate pads formed in a pad region, all or part of the gate pads connected to each other, And a shorting bar which overlaps the cutting line for cutting the organic electroluminescent display panel.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조방법은 다수의 단위 유기전계발광 표시패널 형성 영역이 정의된 하부기판을 준비하는 단계, 상기 각 단위 유기전계발광 표시패널 형성 영역에 게이트 패드들을 형성하는 단계 및 상기 게이트 패드들을 연결하는 쇼팅바 형성단계를 포함하고, 상기 쇼팅바는 상기 다수의 유기전계발광 표시패널을 각각의 단위 유기전계발광 표시패널로 절단하기 위한 절단선과 오버랩되게 위치하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mother board of an organic light emitting display panel. The method of fabricating a mother board of the organic light emitting display panel includes the steps of preparing a lower substrate having a plurality of unit organic light emitting display panel formation regions defined therein, forming gate pads in each unit organic light emitting display panel formation region, And forming a shorting bar for connecting the gate pads, wherein the shorting bars are overlapped with cutting lines for cutting the plurality of organic light emitting display panels into respective unit organic light emitting display panels.

본 발명은 쇼팅바 개선을 통해 레이저를 이용한 유기전계발광 표시패널의 모기판 커팅 공정시 균일한 가공성을 확보할 수 있다.
According to the present invention, it is possible to secure a uniform workability in the mother substrate cutting process of the organic light emitting display panel using the laser through the improvement of the shot bar.

도 1은 일반적인 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 C 부분을 설명하기 위한 확대도이다.
도 2c는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2d는 도 2a에 도시된 D부분을 확대한 확대도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다.
1 is a plan view illustrating a mother substrate of a general organic light emitting display panel.
2A is a plan view illustrating a mother substrate of an organic light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.
2B is an enlarged view for explaining the portion C shown in FIG. 2A.
2C is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in FIG. 2A.
FIG. 2D is an enlarged view of the portion D shown in FIG. 2A.
3A to 3D are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a mother board of an organic light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.
4 is a plan view illustrating a mother substrate of an organic light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 유기전계발광 표시패널의 모기판 및 그의 제조방법을 도시한 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings showing a mother board of an organic light emitting display panel and a method of manufacturing the same. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating a mother substrate of an organic light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판(100)은 플렉서블 기판을 하부기판(200)으로 이용한다. 이때 폴리이미드를 이용함이 바람직하다. Referring to FIG. 2A, a mother substrate 100 of an organic light emitting display panel according to the first embodiment uses a flexible substrate as a lower substrate 200. It is preferable to use polyimide.

그리고 상기 유기전계발광 표시패널의 모기판(100)은 매트릭스타입으로 배열되는 다수의 유기전계발광 표시패널과, 이들을 각각의 단위패널로 절단하기 위한 절단선(400)과, 상기 다수의 유기전계발광 표시패널의 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 방지하기 위한 쇼팅바(302)를 포함한다. In addition, the mother substrate 100 of the organic light emitting display panel includes a plurality of organic light emitting display panels arranged in a matrix type, a cutting line 400 for cutting the organic light emitting display panel into individual unit panels, And a shorting bar 302 for preventing static electricity generated during the manufacturing process of the display panel.

상기 쇼팅바(302)는 정전기를 각 게이트 라인(GL)에 분산시켜 등전위로 만든다. 상기 쇼팅바(302)는 게이트 패드(300)들 전부 또는 일부와 연결되어 있다. 그리고 상기 쇼팅바(302)는 상기 게이트 패드(300)와 동일층에 일체로 형성될 수도 있고, 별도의 층에 형성될 수도 있다. 또한 상기 쇼팅바(302)는 이웃하는 단위패널의 쇼팅바와 연결될 수도 있다.The Schotting bar 302 disperses static electricity in each gate line GL to make it equal in potential. The shorting bar 302 is connected to all or a part of the gate pads 300. In addition, the shorting bar 302 may be integrally formed with the gate pad 300 or may be formed in a separate layer. Further, the shorting bar 302 may be connected to a shorting bar of a neighboring unit panel.

이러한 쇼팅바(302)는 상기 절단선(400) 상에 형성된다. 이는 레이저를 이용한 셀 커팅 공정시 균일한 쇼팅바 가공성을 확보하기 위함이다.
This shotting bar 302 is formed on the cutting line 400. This is to ensure a uniform shotting bar processability in the cell cutting process using a laser.

한편, 상기 각각의 유기전계발광 표시패널은 화상을 표시하는 표시영역(AA)과 그 이외의 영역인 비표시영역(NA)을 포함하며, 상기 비표시영역(NA)의 일측 부분은 패드영역(PA)으로 정의된다.Each of the organic light emitting display panels includes a display area AA for displaying an image and a non-display area NA that is an area other than the display area AA, and one side of the non- PA).

상기 표시영역(AA)에는 다수의 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(PL)이 교차 형성되어 다수의 화소 영역이 정의된다. 상기 각 화소영역은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 서브 화소 영역으로 이루어진다. 이러한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 서브 화소 영역 각각에는 셀 구동부 및 상기 셀 구동부와 접속된 유기 발광 다이오드가 형성된다. In the display area AA, a plurality of gate lines GL, a data line DL, and a power source line PL are crossed to define a plurality of pixel regions. Each pixel region includes red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions. In each of the red (R), green (G), and blue (B) sub pixel regions, an organic light emitting diode connected to the cell driver and the cell driver is formed.

상기 패드영역(PA)에는 상기 게이트 라인(GL)과 연결되는 게이트 패드(300) 및 상기 데이터라인(DL)과 연결되는 데이터 패드(미도시)가 형성된다. 상기 게이트 패드(300)는 쇼팅바(302)를 통해 서로 연결된다. 상기 데이터 패드(미도시) 역시 또 다른 쇼팅바(미도시)에 의해 연결되어 있을 수 있다.
A gate pad 300 connected to the gate line GL and a data pad (not shown) connected to the data line DL are formed in the pad region PA. The gate pads 300 are connected to each other through a shorting bar 302. The data pad (not shown) may also be connected by another shorting bar (not shown).

상기 표시영역(AA)의 각 서브 화소 영역에 형성되는 상기 셀 구동부는 스위치 박막 트랜지스터(TS) 및 이와 연결되는 구동 박막 트랜지스터(TD)를 포함한다. 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)는 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)에 의해 선택된 서브 화소의 유기 발광 다이오드를 구동하는 역할을 한다.
The cell driver formed in each sub pixel area of the display area AA includes a switch thin film transistor TS and a driving thin film transistor TD connected thereto. The driving thin film transistor TD drives the organic light emitting diode of the sub pixel selected by the switch thin film transistor TS.

구체적으로 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)는 상기 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된다. 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)는 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)와 전원 라인(PL) 및 유기발광다이오드와 접속된다. 그리고 상기 전원 라인(PL)과 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS) 사이에는 스토리지 커패시터(C)가 접속된다.
Specifically, the switch thin film transistor TS is connected to the gate line GL and the data line DL. The driving thin film transistor TD is connected to the switch thin film transistor TS, the power supply line PL, and the organic light emitting diode. A storage capacitor C is connected between the power supply line PL and the switch thin film transistor TS.

도 2b는 도 2a에 도시된 C 부분을 설명하기 위한 확대도이다. 구체적으로는 도 2a의 표시영역(AA)의 각 서브 화소 영역에 형성되는 셀 구동부 및 상기 셀 구동부와 접속되는 유기발광 다이오드의 일부를 나타내는 확대도이다.2B is an enlarged view for explaining the portion C shown in FIG. 2A. Specifically, FIG. 2A is an enlarged view showing a cell driver formed in each sub pixel area of the display area AA and a part of the organic light emitting diode connected to the cell driver.

도 2b를 참조하면, 상기 셀 구동부를 이루는 스위치 박막 트랜지스터(TS)의 경우, 게이트 전극(215')은 게이트 라인(GL)으로부터 분기되고, 소스 전극(219a')은 데이터 라인(DL)으로부터 분기되며, 드레인 전극(219b')은 스토리지 캐패시터(C)의 하부전극(225)과 접속된다.
2B, in the case of the switch thin film transistor TS constituting the cell driver, the gate electrode 215 'is branched from the gate line GL and the source electrode 219a' is branched from the data line DL. And the drain electrode 219b 'is connected to the lower electrode 225 of the storage capacitor C.

구동 박막트랜지스터(TD)의 경우, 소스 전극(219a)은 전원 라인(PL)으로부터 분기되고, 게이트 전극(215)은 상기 스토리지 캐패시터(C)의 하부전극(225)으로부터 분기되며, 드레인 전극(219b)은 유기발광다이오드의 제1 전극(231)과 접속된다. In the case of the driving thin film transistor TD, the source electrode 219a is branched from the power supply line PL, the gate electrode 215 is branched from the lower electrode 225 of the storage capacitor C, and the drain electrode 219b Is connected to the first electrode 231 of the organic light emitting diode.

스토리지 캐패시터(C)의 경우, 상부 전극(229)은 상기 전원라인(PL)으로부터 분기되며, 하부 전극(225)은 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)의 드레인 전극(219b') 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극(215)과 연결된다.
In the case of the storage capacitor C, the upper electrode 229 is branched from the power supply line PL and the lower electrode 225 is connected to the drain electrode 219b 'of the switch thin film transistor TS and the driving thin film transistor Lt; RTI ID = 0.0 > TD. ≪ / RTI >

상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극(215)으로 공급한다. 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)는 상기 게이트 전극(215)으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 유기 전계 발광 다이오드로 공급되는 전류를 제어함으로써 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 상기 스위치 박막 트랜지스터(TS)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(TD)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 발광을 유지하게 한다.The switch thin film transistor TS is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL so that a data signal supplied to the data line DL is applied to the gate electrode GL of the storage capacitor C and the drive thin film transistor TD 215). The driving thin film transistor TD controls a current supplied to the organic light emitting diode from the power supply line PL in response to a data signal supplied to the gate electrode 215, thereby controlling the amount of light emitted. Even if the switch thin film transistor TS is turned off, the driving thin film transistor TD supplies a constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C Thereby maintaining the luminescence.

도 2c는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다. 구체적으로는 도 2a의 표시영역(AA)의 각 서브 화소 영역에 형성되는 셀 구동부 및 이와 접속되는 유기발광 다이오드(E)의 일부와 쇼팅바(302)를 도시한 단면도이다. 2C is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in FIG. 2A. Specifically, FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating a cell driver formed in each sub pixel area of the display area AA of FIG. 2A, a part of the organic light emitting diode E connected to the cell driver, and a Schotenbaar 302. FIG.

도 2c를 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판(100, 도 2a참조)을 이루는 각각의 단위패널들은 표시영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다. Referring to FIG. 2C, each unit panel of the mother substrate 100 (see FIG. 2A) of the organic light emitting display panel according to the first embodiment includes a display area AA and a non-display area NA.

상기 표시 영역(AA)에는 다수의 화소 영역이 정의되어 있으며, 각각의 화소영역은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 서브화소 영역으로 이루어진다. 상기 각 서브화소 영역에는 구동 박막 트랜지스터(TD) 및 그 상부에 형성되어 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)와 연결된 유기발광 다이오드(E)가 형성된다.
A plurality of pixel regions are defined in the display region AA and each pixel region includes red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions. In each sub-pixel region, a driving thin film transistor (TD) and an organic light emitting diode (E) formed on the driving thin film transistor (TD) and connected to the driving thin film transistor (TD) are formed.

상기 표시영역(AA)에 형성된 구동 박막 트랜지스터(TD)는 하부기판(200)의 전면에 형성된 버퍼층(201), 상기 버퍼층(201) 상에 형성된 액티브층(210), 상기 액티브층(210)의 상부 전면에 형성된 게이트 절연막(214), 상기 게이트 절연막(214) 상의 상기 액티브층(210)에 대응되는 위치에 형성된 게이트 전극(215), 상기 게이트 전극(215)의 상부 전면에 형성된 제1 및 제2 층간 절연막(216,217), 상기 제2 층간 절연막(217) 상에 형성된 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)을 포함한다.
The driving thin film transistor TD formed in the display area AA includes a buffer layer 201 formed on the front surface of the lower substrate 200, an active layer 210 formed on the buffer layer 201, A gate electrode 215 formed at a position corresponding to the active layer 210 on the gate insulating film 214 and a gate electrode 215 formed on the upper surface of the gate electrode 215, A second interlayer insulating film 216, a source electrode 219a formed on the second interlayer insulating film 217, and a drain electrode 219b.

상기 액티브층(210)은 소스 영역(213) 및 드레인 영역(211)과 이들 사이를 연결하는 채널 영역(212)을 포함한다. 상기 게이트 전극(215)은 구체적으로 상기 채널영역(212)에 대응되는 위치에 형성된다.The active layer 210 includes a source region 213 and a drain region 211 and a channel region 212 connecting them. The gate electrode 215 is formed at a position corresponding to the channel region 212.

상기 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)은 상기 게이트 절연막(214)과 제1 및 제2 층간 절연막(216,217)에 형성된 제1 및 제2 콘택홀(218a, 218b)을 통해 액티브층(210)과 연결된다. 구체적으로 상기 소스 전극(219a)은 상기 제1 콘택홀(218a)을 통해 노출된 상기 액티브층(210)의 소스 영역(213)과 연결된다. 상기 드레인 전극(219b)은 상기 제2 콘택홀(218b)을 통해 노출된 상기 액티브층(210)의 드레인 영역(211)과 연결된다. The source electrode 219a and the drain electrode 219b are electrically connected to the active layer 210 through the first and second contact holes 218a and 218b formed in the gate insulating layer 214 and the first and second interlayer insulating layers 216 and 217. [ ). Specifically, the source electrode 219a is connected to the source region 213 of the active layer 210 exposed through the first contact hole 218a. The drain electrode 219b is connected to the drain region 211 of the active layer 210 exposed through the second contact hole 218b.

한편, 상기 소스 전극(219a)은 전원라인(PL)과 연결되어 있다. 상기 전원라인(PL)은 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)를 통해 유기발광 다이오드(E)로 흐르는 전류를 제어하는 역할 하며, 다수의 화소 각각에 전원전압(Vdd)을 공통적으로 인가한다.The source electrode 219a is connected to a power supply line PL. The power supply line PL controls a current flowing to the organic light emitting diode E through the driving thin film transistor TD and commonly applies a power supply voltage Vdd to each of the plurality of pixels.

이상, 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)의 경우로 코플레너(Coplanar)구조를 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 지금까지 알려진 모든 박막 트랜지스터의 구조 예를 들면, 반전 동일 평면 구조(inverted coplanar structure), 지그재그형 구조(staggered structure), 반전 지그재그형 구조(inverted staggered structure) 및 그 등가 구조 등 어느 것이라도 가능하다. As described above, the coplanar structure of the driving thin film transistor TD has been described. However, the present invention is not limited thereto. For example, all the known thin film transistors may have an inverted coplanar structure, A staggered structure, an inverted staggered structure and its equivalent structure are all possible.

또한 도시되지는 않았으나 스위치 박막 트랜지스터(TS, 도 2a 및 2b 참조) 역시 형성되어 있다.
Though not shown, a switch thin film transistor TS (see Figs. 2A and 2B) is also formed.

상기 구동 박막 트랜지스터(TD) 상부에는 보호막(220) 및 평탄화막(221)이 순차적으로 형성된다. 상기 보호막(220) 및 평탄화막(221)은 표시영역(AA)에 한해 형성됨이 바람직하다. 상기 보호막(220) 및 평탄화막(221)에는 드레인 전극(219b)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(230)이 형성된다.
A passivation layer 220 and a planarization layer 221 are sequentially formed on the driving thin film transistor TD. The protective layer 220 and the planarization layer 221 are preferably formed only in the display area AA. A drain contact hole 230 is formed in the passivation layer 220 and the planarization layer 221 to expose a portion of the drain electrode 219b.

상기 유기발광 다이오드(E)는 상기 드레인 콘택홀(230)을 통해 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)와 연결되는 제1 전극(231), 상기 제1 전극(231)이 형성된 평탄화막(221)상에 형성되어 화소를 정의하는 유기 뱅크막(232), 상기 유기 뱅크막(232)에 형성된 개구부를 통해 노출된 상기 제1 전극(231) 상에 형성된 유기 발광층(233), 상기 유기 발광층(233) 상의 표시영역(AA)전면에 형성된 제2 전극(234)을 포함한다. 이로써 표시영역(AA)에 구동 박막트랜지스터(TD) 및 유기발광 다이오드(E) 형성이 완성된다. 상기 제2 전극(234) 상부에는 봉지보호막(250)이 형성된다.The organic light emitting diode E includes a first electrode 231 connected to the driving thin film transistor TD through the drain contact hole 230 and a second electrode 231 formed on the planarization film 221 on which the first electrode 231 is formed An organic light emitting layer 233 formed on the first electrode 231 exposed through an opening formed in the organic bank film 232 and an organic light emitting layer 233 formed on the organic light emitting layer 233, And a second electrode 234 formed on the entire surface of the display area AA. This completes the formation of the driving thin film transistor TD and the organic light emitting diode E in the display area AA. An encapsulating protective film 250 is formed on the second electrode 234.

한편, 상기 비표시 영역(NA) 중 일부인 패드영역(PA)에는 게이트 패드(300) 및 데이터패드(미도시)가 형성된다. 상기 게이트 패드(300)는 쇼팅바(302)를 통해 서로 연결되어 있다. Meanwhile, a gate pad 300 and a data pad (not shown) are formed in the pad region PA, which is a part of the non-display region NA. The gate pads 300 are connected to each other through a shorting bar 302.

상기 쇼팅바(302)는 상기 게이트 패드(300)와 동일층에 형성될 수도 있고, 다른층에 형성될 수도 있다. 이러한 쇼팅바(302)는 유기전계발광 표시패널의 모기판(100, 도 2a참조)을 각각의 단위패널로 절단하기 위한 절단선(400) 상에 형성된다. 상기 절단선(400)상에 형성된 쇼팅바(302)로 인해 레이저 커팅시 균일한 쇼팅바 가공성을 확보할 수 있게 된다.
The shorting bar 302 may be formed on the same layer as the gate pad 300 or may be formed on another layer. The shorting bar 302 is formed on the cutting line 400 for cutting the mother substrate 100 (see FIG. 2A) of the organic light emitting display panel into respective unit panels. The shotting bar 302 formed on the cutting line 400 can ensure a uniform shotting bar processability during laser cutting.

도 2d는 도 2a에 도시된 D부분을 확대한 확대도이다. 구체적으로는 레이저(L) 빔의 직경과 쇼팅바(302)의 폭 사이의 관계를 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 2D is an enlarged view of the portion D shown in FIG. 2A. Specifically, a perspective view for explaining the relationship between the diameter of the laser (L) beam and the width of the schotting bar 302. Fig.

도 2d를 참조하면, 셀 커팅 공정시 이용되는 레이저(L)빔의 직경(a)은 쇼팅바(302)의 폭(b)과 같거나 작다. 이는 레이저(L) 빔이 균일한 영역을 통과하게 하기 위함이다. 다만 레이저(L)빔의 직경(a)이 상기 쇼팅바(302)의 폭(b)보다 작은 경우, 여러 차례 왕복운동을 하여야 한다. 따라서 레이저(L)빔의 직경(a)과 쇼팅바(302)의 폭(b)은 같은 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2D, the diameter a of the laser beam L used in the cell cutting process is equal to or smaller than the width b of the shorting bar 302. This is to allow the laser (L) beam to pass through a uniform area. However, if the diameter (a) of the laser beam (L) is smaller than the width (b) of the shorting bar (302), it is necessary to reciprocate several times. Therefore, the diameter (a) of the laser (L) beam and the width (b) of the shorting bar 302 are preferably the same.

한편, 레이저(L) 빔의 직경(a)이 상기 쇼팅바(302)의 폭(b)보다 큰 경우, 상기 레이저(L) 빔 중 일부는 상기 쇼팅바(302)와 게이트 패드(300, 도 2a참조)를 연결하는 쇼팅바 연결선(301, 도 2a참조)들을 가로지르게 된다. 이 경우, 레이저(L) 빔이 지나가는 영역이 균일하지 않으므로, 균일한 쇼팅바 가공성을 얻기 힘들게 된다. On the other hand, when the diameter a of the laser beam L is larger than the width b of the shorting bar 302, a part of the laser beam L is incident on the shorting bar 302 and the gate pad 300 (See Fig. 2A) connecting the connecting cable 301 (see Fig. 2A). In this case, since the area through which the laser (L) beam passes is not uniform, it is difficult to obtain a uniform shot bar machinability.

셀 커팅 공정시 이용되는 레이저(L)는 CO2 레이저, UV 레이저, 엑시머 레이저, 피코초/펨토초 레이저 등이다.
The laser (L) used in the cell cutting process is CO2 laser, UV laser, excimer laser, picosecond / femtosecond laser.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다. 3A to 3D are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a mother board of an organic light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 먼저 다수의 유기전계발광 표시패널이 형성될 하부기판(200)을 준비한다. 상기 각각의 유기전계발광 표시패널들은 표시영역(AA) 및 비표시영역(NA)을 포함한다. 상기 표시 영역(AA)에는 다수의 화소 영역이 정의되어 있으며, 각각의 화소영역은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 서브화소 영역으로 이루어진다. Referring to FIG. 3A, a lower substrate 200 on which a plurality of organic light emitting display panels are to be formed is prepared. Each of the organic light emitting display panels includes a display area AA and a non-display area NA. A plurality of pixel regions are defined in the display region AA and each pixel region includes red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel regions.

상기 하부기판(200)은 플렉서블 기판으로 고온에서도 특성이 변하지 않는 고온용 유기막을 사용함이 바람직하다. 그 예로는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 투명형 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane)등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용한다. 그 중, 폴리이미드는 기계적 특성이 우수하고, 내열성이 있어 가장 바람직하다. 이러한 폴리이미드는 추후 플라스틱 막 상에 소자를 형성하는 경우, 고온 공정에서도 열적 안정성을 보인다. The lower substrate 200 is preferably a flexible substrate using a high-temperature organic film which does not change its characteristics even at a high temperature. Examples include polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethylene sulfone (PES), transparent polyimide (PI), polyarylate (PAR), polycyclic olefin ), Polymethyl methacrylate (PMMA), crosslinking type epoxy, crosslinking type urethane, and the like. Among them, polyimide is most preferable because it has excellent mechanical properties and heat resistance. Such a polyimide exhibits thermal stability even in a high-temperature process when a device is formed on a plastic film in the future.

상기 하부기판(200)의 상부 전면에는 버퍼층(201)이 형성된다. 상기 버퍼층(201)은 이후 액티브층(210)이나 유기발광층(233, 도 3d참조) 형성시, 하부기판(200)의 불순물들이 확산되는 것을 방지한다. 상기 버퍼층(201)의 일례로는 실리콘 질화물(SiNx)층 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 실리콘 산화물(SiOx)이 교대로 적층되어 형성된 멀티층(SiOx/SiNx/SiOx/SiNx/SiOx) 등이 있다.
A buffer layer 201 is formed on the upper surface of the lower substrate 200. The buffer layer 201 prevents the impurities of the lower substrate 200 from diffusing when the active layer 210 or the organic light emitting layer 233 (see FIG. 3D) is formed. Examples of the buffer layer 201 include a silicon nitride (SiNx) layer or a multi-layer (SiOx / SiNx / SiOx / SiNx / SiOx) formed by alternately stacking silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

상기 버퍼층(201) 상의 표시영역(AA)에는 구동 박막 트랜지스터(TD)를 형성한다. 도시되지는 않았으나 이때 스위치 박막 트랜지스터(TS, 도 2a 참조)도 형성한다. 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)는 상기 버퍼층(201) 위에 형성된 액티브층(210), 소스 전극(219a), 드레인 전극(219b) 및 게이트 전극(215)을 포함한다. A driving thin film transistor (TD) is formed in a display area (AA) on the buffer layer (201). Though not shown, a switch thin film transistor TS (see FIG. 2A) is also formed at this time. The driving thin film transistor TD includes an active layer 210, a source electrode 219a, a drain electrode 219b, and a gate electrode 215 formed on the buffer layer 201.

상기 액티브층(210)을 이루는 물질은 비정질 실리콘(a-Si), 산화물 반도체, 유기물 반도체 및 폴리 실리콘 등으로부터 선택된다. The active layer 210 is made of amorphous silicon (a-Si), an oxide semiconductor, an organic semiconductor, polysilicon, or the like.

이후 상기 액티브층(210)의 상부 전면에 게이트 절연막(214)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(214)은 무기절연물질인 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 플렉서블 기판인 경우, 벤딩 스트레스에 강한 실리콘 산화물(SiO2)로 형성함이 바람직하다.Then, a gate insulating layer 214 is formed on the entire upper surface of the active layer 210. The gate insulating layer 214 may be formed of any one of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiO2), which are inorganic insulating materials. In the case of a flexible substrate, it is preferable to be formed of silicon oxide (SiO2) resistant to bending stress.

상기 게이트 절연막(214) 상의 상기 액티브층(210)에 대응되는 위치에 게이트 전극(215)을 형성한다. 구체적으로 상기 게이트 전극(215)은 게이트 전극물질을 증착한 후 포토리소그래피 공정 및 식각공정을 거쳐 상기 액티브층(210)의 중앙부에 형성된다. 상기 액티브층(210)의 중앙부는 후술하는 채널영역(212)에 해당하는 부분이다. 상기 게이트 전극 물질은 금속, 일례로 MoW, Al, Cr, Ni, AlNd 및 Al/Cr 중 선택된 어느 하나일 수 있다. A gate electrode 215 is formed on the gate insulating layer 214 at a position corresponding to the active layer 210. Specifically, the gate electrode 215 is formed at the central portion of the active layer 210 through a photolithography process and an etching process after depositing a gate electrode material. The central portion of the active layer 210 corresponds to a channel region 212 described later. The gate electrode material may be selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Ni, AlNd and Al / Cr.

상기 게이트 전극(215) 형성시 게이트 라인(GL, 도 2a 및 2b 참조) 및 이와 연결되는 게이트 패드(300)가 함께 형성된다. 그리고 상기 게이트 패드(300)들로부터 연장된 쇼팅바 연결선(301) 및 이들을 가로지르며 연결시키는 쇼팅바(302)도 함께 형성된다. 상기 쇼팅바(302)는 상기 게이트 전극(215) 등과 다른 층에 형성될 수도 있다.When forming the gate electrode 215, a gate line GL (see FIGS. 2A and 2B) and a gate pad 300 connected thereto are formed together. A shorting bar connecting line 301 extending from the gate pads 300 and a shorting bar 302 connecting the shorting connecting lines 301 are also formed. The shorting bar 302 may be formed on a different layer from the gate electrode 215 or the like.

상기 쇼팅바(302)는 유기전계발광 표시패널의 모기판(100, 도 2a참조)을 각각의 단위패널로 절단하기 위한 절단선(400) 상에 형성된다. 이를 통해 레이저를 이용한 셀 커팅시 균일한 쇼팅바 가공성을 구현할 수 있게 된다.
The shorting bar 302 is formed on a cutting line 400 for cutting the mother substrate 100 (see FIG. 2A) of the organic light emitting display panel into respective unit panels. Thus, it is possible to realize a uniform shot bar processability when cutting a cell using a laser.

이후 상기 액티브층(210)에 이온을 주입하는 단계를 거친다. 상기 이온 주입 단계는 저농도 영역 형성 단계와 고농도 영역 형성단계로 이루어진다. 상기 저농도 영역 형성단계는 상기 게이트전극(215)을 마스크로 하여 이온 주입을 하는 것이다. 상기 고농도 영역 형성단계는 소스 및 드레인영역(213, 211)이 될 부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 이온 주입을 하는 것이다. 상기 저농도 영역(미도시)은 구동 박막트랜지스터(TD)의 오프전류를 감소시키는 역할을 하며, 상기 고농도 영역은 소스 및 드레인 영역(213,211)이 된다. 또한 게이트전극(215)에 의해 이온주입이 블록킹된 부분은 채널 영역(212)이 된다.
Thereafter, ions are implanted into the active layer 210. The ion implantation step includes a low-concentration region formation step and a high-concentration region formation step. In the low-concentration-region forming step, ion implantation is performed using the gate electrode 215 as a mask. In the heavily doped region forming step, ion implantation is performed using a photoresist pattern exposing a portion to be the source and drain regions 213 and 211 as a mask. The low concentration region (not shown) serves to reduce the off current of the driving thin film transistor TD, and the high concentration region becomes the source and drain regions 213 and 211. The portion where the ion implantation is blocked by the gate electrode 215 becomes the channel region 212.

이후 상기 게이트 전극(215)의 상부 전면에 제1 및 제2 층간 절연막(216,217)을 형성한다. 상기 제1 층간절연막(216)은 실리콘 산화물(SiO2)이고, 상기 제2 층간절연막(217)은 실리콘 질화물(SiNx)일 수 있다. 또는 둘다 실리콘 산화물(SiO2)일 수도 있다.
Then, first and second interlayer insulating films 216 and 217 are formed on the entire upper surface of the gate electrode 215. The first interlayer insulating film 216 may be silicon oxide (SiO 2), and the second interlayer insulating film 217 may be silicon nitride (SiN x). Or both may be silicon oxide (SiO2).

상기 게이트 절연막(214)과 제1 및 제2 층간 절연막(216,217)에는 제1 및 제2 콘택홀(218a, 218b)이 형성된다. 상기 제1 콘택홀(218a)을 통해 액티브층(210)의 소스 영역(213)이 노출되고, 상기 제2 콘택홀(218b)을 통해 액티브층(210)의 드레인 영역(211)이 노출된다. 노출된 소스 영역(213)에는 소스 전극(219a)이 연결된다. 상기 드레인 영역(211)에는 드레인 전극(219b)이 연결된다. First and second contact holes 218a and 218b are formed in the gate insulating film 214 and the first and second interlayer insulating films 216 and 217, respectively. The source region 213 of the active layer 210 is exposed through the first contact hole 218a and the drain region 211 of the active layer 210 is exposed through the second contact hole 218b. A source electrode 219a is connected to the exposed source region 213. [ A drain electrode 219b is connected to the drain region 211. [

상기 소스 및 드레인 전극(219a, 219b) 형성시 상기 게이트라인(GL, 도 2a 및 2b 참조)과 직교하는 데이터라인(DL, 도 2a 및 2b 참조) 및 전원라인(PL, 도 2a 및 2b 참조)도 함께 형성된다. 2A and 2B) and the power line (PL, see FIGS. 2A and 2B) perpendicular to the gate line GL (see FIGS. 2A and 2B) when the source and drain electrodes 219a and 219b are formed, .

한편, 상기 소스 전극(219a)은 전원라인(PL)으로 부터 분기되어 있다. 상기 전원라인(PL)은 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)를 통해 유기발광 다이오드(E, 도 3c참조)의 제1 전극(231, 도 3c참조)으로 흐르는 전류를 제어하는 역할 한다. 그리고 다수의 화소 각각에 전원전압(Vdd)을 공통적으로 인가한다. 상기 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)은 금속, 예를 들면 Ti/Al 또는 Ti/Al/Ti으로 이루어질 수 있다. 이상의 공정으로 구동박막 트랜지스터(TD)가 완성된다.
Meanwhile, the source electrode 219a is branched from the power supply line PL. The power supply line PL controls the current flowing to the first electrode 231 (see FIG. 3C) of the organic light emitting diode E (see FIG. 3C) through the driving thin film transistor TD. The power source voltage Vdd is commonly applied to each of the plurality of pixels. The source electrode 219a and the drain electrode 219b may be made of a metal such as Ti / Al or Ti / Al / Ti. Through the above process, the driving thin film transistor TD is completed.

상기 소스 및 드레인 전극(219a, 219b) 형성시 상기 패드 영역(PA)에는 상기 데이터라인(DL, 도 2a 및 2b 참조) 및 전원라인(PL, 도 2a 및 2b 참조)과 연결되는 데이터 패드(미도시)가 형성된다.When the source and drain electrodes 219a and 219b are formed, a data pad (not shown) connected to the data line (DL, see FIGS. 2A and 2B) Is formed.

이상, 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)의 경우로 코플레너(Coplanar)구조를 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 지금까지 알려진 모든 박막 트랜지스터의 구조 예를 들면, 반전 동일 평면 구조(inverted coplanar structure), 지그재그형 구조(staggered structure), 반전 지그재그형 구조(inverted staggered structure) 및 그 등가 구조 등 어느 것이라도 가능하다.
As described above, the coplanar structure of the driving thin film transistor TD has been described. However, the present invention is not limited thereto. For example, all the known thin film transistors may have an inverted coplanar structure, A staggered structure, an inverted staggered structure and its equivalent structure are all possible.

도 3b를 참조하면, 상기 구동 박막 트랜지스터(TD)가 형성된 표시영역(AA)의 상부에 보호막(220) 및 평탄화막(221)을 순차적으로 형성한다. 상기 보호막(220) 및 평탄화막(221)은 패드영역(PA)을 노출시키기 위해 위와 같이 표시영역(AA)에 한해 형성함이 바람직하다. 상기 보호막(220) 및 평탄화막(221)에는 상기 드레인 전극(219b)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(230)이 형성된다.
Referring to FIG. 3B, a passivation layer 220 and a planarization layer 221 are sequentially formed on the display area AA on which the driving thin film transistor TD is formed. The passivation layer 220 and the planarization layer 221 may be formed only in the display area AA to expose the pad area PA. A drain contact hole 230 exposing a part of the drain electrode 219b is formed in the passivation layer 220 and the planarization layer 221. [

도 3c를 참조하면, 상기 평탄화막(221) 상에 화소별로 제1 전극(231)을 형성한다. 상기 제1 전극(231)은 드레인 콘택홀(230)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TD)의 드레인 전극(219b)과 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 3C, a first electrode 231 is formed on the planarization film 221 for each pixel. The first electrode 231 is electrically connected to the drain electrode 219b of the driving thin film transistor TD through the drain contact hole 230.

상기 제1 전극(231)은 투명 전도성물질을 증착한 후 포토리소그래피 공정 및 식각공정을 거쳐 형성된다. 상기 제1 전극(231)이 양극(anode)일 경우, ITO(Indium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide)/Ag, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/ITO, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 ITO(Indium Tin Oxide)는 유기 발광층(233)에 대한 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막이다. 그러나 본 발명에서 상기 제1 전극(231)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The first electrode 231 is formed through a photolithography process and an etching process after depositing a transparent conductive material. When the first electrode 231 is an anode, ITO (indium tin oxide), ITO (indium tin oxide) / Ag, ITO (indium tin oxide) / Ag / ITO, ITO (indium tin oxide) / IZO (Indium Zinc Oxide), and the like. ITO (Indium Tin Oxide) is a transparent conductive film having a small hole injection barrier to the organic light emitting layer 233. However, the material of the first electrode 231 is not limited in the present invention.

상기 제1 전극(231) 형성과 동시에, 게이트 패드(300)와 연결되는 게이트 패드단자(미도시)와 데이터 패드(미도시)와 연결되는 데이터 패드단자(미도시)를 형성한다. A gate pad terminal (not shown) connected to the gate pad 300 and a data pad terminal (not shown) connected to a data pad (not shown) are formed simultaneously with the formation of the first electrode 231.

상기 제1 전극(231)이 형성된 평탄화막(221)상에 화소를 정의하는 유기 뱅크막(232)을 형성한다. 상기 유기뱅크막(232)은 폴리이미드(polyimide) 등의 절연물질을 기판 전면에 증착한 후 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 거쳐 형성한다. 상기 유기뱅크막(232)에 의해 상기 제1 전극(231)의 일부가 노출된다. 이러한 유기 뱅크막(232)에 의해 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소 사이의 발광 경계 영역이 명확해진다. 또한, 상기 유기 뱅크막(232)은 인접한 화소의 제1 전극(미도시)을 전기적으로 서로 분리시킨다. An organic bank layer 232 defining a pixel is formed on the planarization layer 221 on which the first electrode 231 is formed. The organic bank layer 232 is formed by depositing an insulating material such as polyimide on the entire surface of the substrate, and then performing a photolithography process and an etching process. A part of the first electrode 231 is exposed by the organic bank film 232. The light emitting boundary region between the red (R), green (G), and blue (B) pixels becomes clear by the organic bank film 232. In addition, the organic bank layer 232 electrically separates the first electrodes (not shown) of adjacent pixels.

상기 유기 뱅크막(232)에 의해 노출된 제1 전극(231) 상에는 유기 발광층(233)이 형성된다. 상기 유기 발광층(233)상에는 표시영역(AA)의 전면을 덮는 제2 전극(234)이 형성된다. An organic light emitting layer 233 is formed on the first electrode 231 exposed by the organic bank layer 232. A second electrode 234 is formed on the organic light emitting layer 233 to cover the entire surface of the display area AA.

한편, 상기 유기 발광층(233)은 전자와 정공이 만나 여기자(exciton)를 형성하여 발광하는 발광층(EMitting Layer, EML), 전자의 이동 속도를 적절히 조절하는전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL), 정공의 이동 속도를 적절히 조절하는 정공 수송층(Hole Transport Layer, HTL)으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 전자 수송층에는 전자의 주입 효율을 향상시키는 전자 주입층(Electron Injecting Layer, EIL)이 형성되고, 상기 정공 수송층에는 정공의 주입 효율을 향상시키는 정공 주입층(Hole Injecting Layer, HIL)이 더 형성될 수 있다. The organic light emitting layer 233 includes an emission layer (EML) that emits electrons and holes when excited to form excitons, an electron transport layer (ETL) And a hole transport layer (HTL) for appropriately adjusting the moving speed of the HTL. In addition, an electron injection layer (EIL) for improving the injection efficiency of electrons is formed in the electron transport layer, and a hole injection layer (HIL) for improving the injection efficiency of holes is formed in the hole transport layer .

상기 제2 전극(234)이 음극(cathode)일 경우, Al, MgAg 합금 및 MgCa 합금 등으로부터 선택할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. When the second electrode 234 is a cathode, it may be selected from among Al, MgAg alloys, and MgCa alloys, but is not limited thereto.

이와 같이 제1 전극(231), 유기 발광층(233) 및 제2 전극(234)이 순차적으로 형성되어 유기 발광 다이오드(E)가 완성된다.
The first electrode 231, the organic light emitting layer 233, and the second electrode 234 are sequentially formed in this manner to complete the organic light emitting diode E.

상기 유기 발광 다이오드(E)의 제1 및 제2 전극(231,234) 사이에 전압이 인가되면, 상기 제2 전극(234)으로부터 발생된 전자와 상기 제1 전극(231)으로부터 발생된 정공이 유기발광층(233) 쪽으로 이동된다 . 이에 따라, 상기 유기발광층(233)에서는 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 된다. 일반적인 경우와 같이 상기 제1 전극(231)은 양극(anode)이며, 상기 제2 전극(234)은 음극(cathode)인 경우를 설명하였다. When a voltage is applied between the first and second electrodes 231 and 234 of the organic light emitting diode E, the electrons generated from the second electrode 234 and the holes generated from the first electrode 231 pass through the organic light- (233). Accordingly, electrons and holes supplied to the organic light emitting layer 233 collide and recombine to generate light. The first electrode 231 is an anode and the second electrode 234 is a cathode as in a general case.

이상의 과정으로 표시 영역(AA)에는 구동 박막트랜지스터(TD) 및 유기 발광 다이오드(E)가, 패드영역(PA)에는 게이트 패드(300) 및 데이터 패드(미도시)가, 셀과 셀사이의 절단선(400, 도 2a 참조) 상에는 쇼팅바(302)가 형성된다.
In the process described above, the driving thin film transistor TD and the organic light emitting diode E are formed in the display area AA, the gate pad 300 and the data pad (not shown) are formed in the pad area PA, A shorting bar 302 is formed on the line 400 (see FIG. 2A).

이후, 패드영역(PA)를 제외한 전영역을 덮는 봉지보호막(250)을 형성한다. 상기 봉지보호막(250)을 이루는 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(Si02), 실리콘산질화물(SiON), 알루미나(Al2O3) 및 기타 수분 투습 방지용 무기물질 중에서 선택된 적어도 하나이다.
Then, the encapsulating protective film 250 covering the entire region except the pad region PA is formed. The material of the encapsulating protective film 250 is at least one selected from the group consisting of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (Si02), silicon oxynitride (SiON), alumina (Al2O3)

이후, 레이저를 이용하여 유기전계발광 표시패널의 모기판(100, 도 2a 참조)을 절단선(400, 도 2a 참조)을 따라 각각의 단위패널로 절단한다. 상기 절단선(400) 상에 쇼팅바(302)가 위치하므로, 셀 커팅 과정에서 상기 쇼팅바(302)도 함께 제거된다. 또한 레이저가 쇼팅바 연결선(301)과 하부기판(200)을 번갈아 지나가는 것이 아니라 쇼팅바(302) 상부만 지나므로, 균일한 쇼팅바 가공성을 구현할 수 있다.
Thereafter, the mother substrate 100 (see FIG. 2A) of the organic light emitting display panel is cut into individual unit panels along the cutting line 400 (see FIG. 2A) using a laser. Since the cutting bar 302 is positioned on the cutting line 400, the cutting bar 302 is also removed during the cell cutting process. In addition, since the laser passes only through the upper part of the sho tting bar 302 instead of passing the sho tting bar connecting line 301 and the lower substrate 200 alternately, it is possible to realize a uniform sho tting bar processability.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판을 설명하기 위한 평면도이다. 본 발명의 제2 실시예에서는 쇼팅바를 제외하고 앞서 설명한 제 1 실시예와 동일한 구성을 가진다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 본 발명의 제 1 실시예와 반복되는 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여한다.4 is a plan view illustrating a mother substrate of an organic light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention. The second embodiment of the present invention has the same configuration as the first embodiment described above except for the shorting bar. Therefore, in the second embodiment of the present invention, the first embodiment of the present invention and the repeated description will be omitted, and the same reference numerals are assigned to the same components.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 표시패널의 모기판은 게이트 패드(300) 및 이와 연결되는 게이트 패드단자(301')를 포함한다. 상기 게이트 패드단자(301')는 제1 전극(231, 도 3c 참조) 형성시 동시에 형성된다.Referring to FIG. 4, the mother substrate of the organic light emitting display panel according to the second embodiment of the present invention includes a gate pad 300 and a gate pad terminal 301 'connected thereto. The gate pad terminal 301 'is formed at the same time when the first electrode 231 (see FIG. 3C) is formed.

그리고 상기 게이트 패드단자(301')과 연결되는 도전성 테이프(302')를 포함한다. 상기 도전성 테이프(302')는 상기 게이트 패드단자(301') 전부 또는 일부와 연결되며, 셀 커팅 공정 이전이나 이후 제거된다. 상기 도전성 테이프(302')는 결과적으로 상기 게이트 패드(300)들을 연결하게 되어 쇼팅바 역할을 하게 된다.
And a conductive tape 302 'connected to the gate pad terminal 301'. The conductive tape 302 'is connected to all or a part of the gate pad terminal 301' and is removed before or after the cell cutting process. The conductive tape 302 'consequently connects the gate pads 300 to serve as a sho tting bar.

20, 200 : 하부 기판 30, 300 : 게이트 패드
32, 302 : 쇼팅바 231 : 제1 전극
233 : 유기발광층 234: 제2 전극
250 : 봉지 보호막 301' : 게이트 패드단자
302' : 도전성 테이프
20, 200: lower substrate 30, 300: gate pad
32, 302: Shotting bar 231: First electrode
233: organic light emitting layer 234: second electrode
250: encapsulation protecting film 301 ': gate pad terminal
302 ': Conductive tape

Claims (8)

패드 영역에 형성된 게이트 패드들을 포함하는 다수의 유기전계발광 표시패널;
상기 게이트 패드들 전부 또는 일부를 연결시키며, 상기 다수의 유기전계발광 표시패널을 각각의 단위 유기전계발광 표시패널로 절단하기 위한 절단선과 오버랩되게 위치하는 쇼팅바를 포함하는 유기전계발광 표시패널의 모기판.
A plurality of organic light emitting display panels including gate pads formed in a pad region;
And a shorting bar which overlaps the cutting lines for cutting the plurality of organic light emitting display panels into respective unit organic light emitting display panels, which connect all or a part of the gate pads, .
제1항에 있어서,
상기 쇼팅바는 상기 게이트 패드와 동일층에 상기 게이트 패드와 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판.
The method according to claim 1,
Wherein the shorting bar is formed integrally with the gate pad on the same layer as the gate pad.
제1항에 있어서,
상기 쇼팅바는 상기 게이트 패드와 다른 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판.
The method according to claim 1,
Wherein the Schott bar is formed on a layer different from the gate pad.
제 3항에 있어서,
상기 쇼팅바는 상기 게이트 패드와 연결되는 게이트 패드 단자 전부 또는 일부를 연결시키는 도전성 테이프인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판.
The method of claim 3,
Wherein the shorting bar is a conductive tape connecting all or a part of a gate pad terminal connected to the gate pad.
제1항에 있어서,
상기 쇼팅바의 폭은 셀 커팅 공정에서 이용될 레이저빔의 직경과 같은 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판.
The method according to claim 1,
Wherein the width of the shorting bar is the same as the diameter of the laser beam to be used in the cell cutting process.
다수의 단위 유기전계발광 표시패널 형성 영역이 정의된 하부기판을 준비하는 단계;
상기 각 단위 유기전계발광 표시패널 형성 영역에 게이트 패드들을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 패드들을 연결하는 쇼팅바 형성단계를 포함하고,
상기 쇼팅바는 상기 다수의 유기전계발광 표시패널을 각각의 단위 유기전계발광 표시패널로 절단하기 위한 절단선과 오버랩되게 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조방법.
Preparing a lower substrate on which a plurality of unit organic light emitting display panel formation regions are defined;
Forming gate pads in each unit organic electroluminescent display panel formation region; And
And a shorting bar forming step of connecting the gate pads,
Wherein the plurality of organic light emitting display panels are overlapped with cutting lines for cutting the plurality of organic light emitting display panels into respective unit organic light emitting display panels.
제6항에 있어서,
상기 쇼팅바는 상기 게이트 패드와 동시에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the Schott bar is integrally formed with the gate pad. ≪ RTI ID = 0.0 > 18. < / RTI >
제6항에 있어서,
상기 쇼팅바는 상기 게이트 패드와 연결되는 게이트 패드 단자 전부 또는 일부를 연결시키는 도전성 테이프인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시패널의 모기판 제조방법.







The method according to claim 6,
Wherein the shorting bar is a conductive tape connecting all or a part of a gate pad terminal connected to the gate pad.







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