KR20150010113A - 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층, 및 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 광 추출층을 포함하며, 상기 제1 광 추출층은 복수의 제1층들을 포함하며, 상기 복수의 제1층들은 볼록부 및 오목부를 포함하는 요철을 갖고, 상기 제1층들 각각의 굴절률은 상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 감소한다.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
GaN 등의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등의 반도체 광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 광소자는 청색 및 녹색광 대역을 포함하며, 큰 휘도와 높은 신뢰성을 가질 수 있어, 발광 소자의 구성 물질로 각광을 받고 있다.
발광 소자의 광 효율은 내부양자효율(internal quantum efficiency)과 광추출효율(light extraction efficiency, "외부양자효율"이라고도 함)로 결정될 수 있다.
그런데 발광 소자를 구성하는 질화물 반도체층은 외부대기 또는 봉합 물질이나 기판에 비하여 큰 굴절률을 가지므로, 빛의 방출 가능한 입사각 범위를 결정하는 임계각이 작아질 수 있고, 이로 인하여 활성층으로부터 발생한 광의 상당 부분은 질화물 반도체층의 내부로 전반사되어 광 손실이 발생하고, 광 추출 효율이 낮아질 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시키기 위한 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 광 추출층을 포함하며, 상기 제1 광 추출층은 복수의 제1층들을 포함하며, 상기 복수의 제1층들은 볼록부 및 오목부를 포함하는 요철을 갖고, 상기 제1층들 각각의 굴절률은 상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 감소한다.
상기 발광 소자는 상기 제1 광 추출층과 상기 제1 반도체층 사이에 배치되는 제2 광 추출층을 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 광 추출층은 복수의 제2층들을 포함하며, 상기 복수의 제2층들 각각의 굴절률은 상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다.
상기 제1 광 추출층의 굴절률은 상기 제1 반도체층의 굴절률보다 작을 수 있다.
상기 제2 광 추출층의 굴절률은 상기 제1 반도체층의 굴절률보다 작을 수 있다.
상기 제1층들 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지며, 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 서로 다를 수 있다.
상기 제2층들 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지며, 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 서로 다를 수 있다.
상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 증가할 수 있다.
상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 상기 제2층들 각각의 알루미늄 함량은 증가할 수 있다.
이웃하는 제1층들 사이의 알루미늄 함량의 차이는 10%이하일 수 있다.
상기 제1 반도체층은 상기 제1층들과 동일한 물질로 구성되고, 상기 제1 반도체층의 알루미늄 함량은 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량보다 적을 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 광 추출층의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 광 추출층의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 광 추출층을 갖는 발광 소자의 광 추출 효율을 나타낸다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 5에 도시된 광 추출층의 일 실시 예를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 광 추출층의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 광 추출층의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 광 추출층을 갖는 발광 소자의 광 추출 효율을 나타낸다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 5에 도시된 광 추출층의 일 실시 예를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 제2 전극(105), 보호층(140), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 145), 발광 구조물(150), 패시베이션층(165), 및 제1 전극(170)를 포함한다.
제2 전극(105)은 제1 전극(170)과 함께 발광 구조물(150)에 전원을 제공한다. 제2 전극(105)은 지지층(supporting layer, 110), 접합층(bonding layer, 115), 배리어층(barrier layer, 120), 반사층(reflective layer, 125), 및 오믹층(ohmic layer, 130)을 포함할 수 있다.
지지층(110)는 발광 구조물(150)을 지지한다. 지지층(110)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(110)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(110)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.
접합층(115)은 지지층(110)과 배리어층(120) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(110)과 배리어층(120)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(115)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(115)은 지지층(110)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(110)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(115)은 생략될 수 있다.
배리어층(120)은 지지층(110)과 반사층(115) 사이, 지지층(110)과 보호층(140) 사이에 배치될 수 있으며, 접합층(115) 및 지지층(110)의 금속 이온이 반사층(125), 및 오믹층(130)을 통과하여 발광 구조물(150)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(120)은 배리어 물질, 예컨대, Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
반사층(125)은 배리어층(120) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(150)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(125)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
반사층(125)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.
오믹층(130)은 반사층(125)과 제2 반도체층(152) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(152)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(150)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.
투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(130)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(130)은 제2 반도체층(152)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보호층(140)은 제2 전극(105)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(140)은 오믹층(130)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(125)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(120)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(110)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.
보호층(140)은 발광 구조물(150)과 제2 전극(105) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(100)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(140)은 비전도성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.
전류 차단층(145)은 오믹층(130)과 발광 구조물(150) 사이에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(150) 내의 전류를 분산시킴으로써 광 효율을 향상시킬 수 있다.
전류 차단층(145)의 상면은 제2 반도체층(152)과 접촉할 수 있고, 전류 차단층(145)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(130)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(145)은 수직 방향으로 제1 전극(170)과 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.
전류 차단층(145)은 오믹층(130)과 제2 반도체층(152) 사이에 형성되거나, 반사층(125)과 오믹층(130) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 구조물(150)은 오믹층(130) 및 보호층(140) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(150)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.
발광 구조물(150)은 제2 반도체층(152), 활성층(154), 제1 반도체층(156), 및 광 추출층(158)을 포함할 수 있다.
제2 반도체층(152), 활성층(154), 제1 반도체층(156), 및 광 추출층(158)은 오믹층(130) 및 보호층(140) 상에 순차로 적층될 수 있다.
제2 반도체층(152)은 오믹층(130) 및 보호층(140) 상에 배치될 수 있으며, 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(152)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(152)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
활성층(154)은 제2 반도체층(152) 상에 배치될 수 있다. 활성층(154)은 제1 반도체층(156) 및 제2 반도체층(152)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(154)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 양자 점(Quantum Dot), 또는 양자 디스크(Quantum Disk) 구조를 가질 수 있다.
활성층(154)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 활성층(154)이 양자우물구조인 경우, 활성층(154)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.
우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다. 우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.
우물층 및 장벽층의 에너지 밴드 갭은 각 구간에 일정할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 우물층의 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)의 조성은 일정할 수 있고, 장벽층의 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)의 조성은 일정할 수 있다.
또는 우물층의 에너지 밴드 갭은 점차 증가하거나 또는 점차 감소하는 구간을 포함할 수 있으며, 장벽층의 에너지 밴드 갭은 점차 증가하거나 또는 점차 감소하는 구간을 포함할 수 있다. 예컨대, 우물층의 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)의 조성은 점차 증가하거나 또는 감소할 수 있다. 또한 장벽층의 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)의 조성은 점차 증가하거나 또는 감소할 수 있다.
제1 반도체층(156)은 활성층(154) 상에 배치되고, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체일 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(156)은 InxAlyGa1 -x-yN(0≤x≤1, 0<y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 제1 반도체층(156)은 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체, 예컨대, InAlGaN, AlGaN, 또는 AlN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te)가 도핑될 수 있다.
활성층(154)과 제1 반도체층(156) 사이, 또는 활성층(154)과 제2 반도체층(152) 사이에는 도전형 클래드층(clad layer)이 배치될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 질화물 반도체(예컨대, AlGaN, GaN, 또는 InAlGaN)일 수 있다.
발광 구조물(150)은 제2 반도체층(152)과 제2 전극(205) 사이에 제3 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 제3 반도체층은 제2 반도체층(152)과 반대의 극성을 가질 수 있다. 또한 다른 실시 예에서는 제1 반도체층(156)은 p형 반도체층으로, 제2 반도체층(152)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있고, 이에 따라 발광 구조물(150)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
광 추출층(158)은 요철을 포함하며, 제1 반도체층(156) 상에 배치될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 광 추출층(158)의 제1 실시 예(158-1)를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 광 추출층(158-1)은 굴절률이 서로 다른 복수의 층들(210, 220)을 포함할 수 있다. 복수의 층들(210, 220)은 제1 반도체층(156) 상에 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
복수의 층들(210, 220) 각각은 알루미늄(Al)을 포함하는 질화물 반도체, 예컨대, InAlGaN, AlGaN, 또는 AlN 중 어느 하나일 수 있다.
광 추출층(158-1)은 볼록부(101)와 오목부(102)로 이루어지는 요철(103)을 갖는 제1 광 추출층(210), 및 제1 광 추출층(210)과 제1 반도체층(156) 사이에 배치되는 제2 광 추출층(220)을 포함할 수 있다.
광 추출층(158-1)의 굴절률은 제1 반도체층(156)의 굴절률보다 클 수 있다.
예컨대, 제1 반도체층(156)의 굴절률은 2 ~ 3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 광 추출층(158-1)의 알루미늄 함량은 제1 반도체층(156)의 알루미늄 함량보다 많을 수 있다.
제1 광 추출층(210)의 굴절률은 제2 광 추출층(220)의 굴절률보다 작을 수 있다. 또한 제1 광 추출층(210)의 알루미늄 함량은 제2 광 추출층(220)의 알루미늄 함량보다 많을 수 있다.
제1 광 추출층(210)은 굴절률이 다른 복수의 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 즉 볼록부(101)는 굴절률이 다른 복수의 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)이 적층된 구조일 수 있다.
복수의 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)은 볼록부(101) 및 오목부(102)를 포함하는 요철(103)을 가질 수 있고, 요철(103)의 형상, 예컨대 볼록부(101)의 형상은 콘(cone), 피라미드(pyramid), 돔(dome), 또는 원뿔대(truncated cone)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 굴절률은 하부에서 상부로 갈수록 감소할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어질수록 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수) 각각의 굴절률은 감소할 수 있다.
제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)은 알루미늄(Al)을 포함하는 질화물 반도체, 예컨대, InAlGaN, AlGaN, 또는 AlN 중 어느 하나일 수 있다.
제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수) 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어질 수 있으나, 알루미늄 함량이 서로 다를 수 있다.
제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 알루미늄(Al) 함량은 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어질 수록 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수) 각각의 알루미늄 함량이 증가할 수 있다. 이웃하는 제1층들 사이의 알루미늄 함량의 차이는 10%이하일 수 있다.
제2 광 추출층(220)은 굴절률이 다른 복수의 제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 요철이 형성되지 않는 평평한 층일 수 있다.
예컨대, 제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수)의 굴절률은 하부에서 상부로 갈수록 감소할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어질수록 제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수) 각각의 굴절률은 감소할 수 있다.
제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수)은 알루미늄(Al)을 포함하는 질화물 반도체, 예컨대, InAlGaN, AlGaN, 또는 AlN 중 어느 하나일 수 있다.
제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수) 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어질 수 있으나, 알루미늄 함량이 서로 다를 수 있다.
제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수)의 알루미늄(Al) 함량은 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어질 수 록 제2층들(220-1 내지 220-m, m>1인 자연수) 각각의 알루미늄 함량이 증가할 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 광 추출층(158)의 제2 실시 예(158-2)를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 광 추출층(158-2)은 도 2에 도시된 제2 광 추출층(220)은 생략되고, 제1 반도체층(156) 상에 배치되는 제1 광 추출층(210)만을 포함한다.
광 추출층(158-2)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층들(210-1 내지 210-n, 예컨대, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 즉 볼록부(101)는 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)이 적층된 구조일 수 있다.
예컨대, 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 굴절률은 하부에서 상부로 갈수록 감소할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 굴절률이 감소할 수 있다.
또한 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 알루미늄(Al) 함량은 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(156)으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 알루미늄 함량이 증가할 수 있다.
예컨대, 광 추출층(158-2)은 3개 ~ 6개의 제1층들(210-1 내지 210-n, 예컨대, 3≤n≤6)을 포함할 수 있다.
반사 방지(anti-reflection)를 위하여 제1층들(210-1 내지 210-n, 예컨대, 3≤n≤6)의 각각의 두께는 λ/(4*n)의 배수일 수 있다. 여기서 λ는 빛의 파장이고, n은 층의 굴절률일 수 있다.
이웃하는 제1층들 사이의 알루미늄 함량의 차이는 10%이하일 수 있다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 광 추출층(158-2)을 갖는 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 나타낸다. g1은 동일한 굴절률을 갖는 요철 구조를 포함하는 발광 소자의 광 추출 효율을 나타내고, g2는 실시 예의 광 추출 효율을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 광 추출층(158-2)에 포함된 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수)의 수는 3개이며, 제1층들(210-1 내지 210-n, n>1인 자연수) 각각의 조성은 AlGaN이고, 제1 반도체층(156)의 굴절률은 2.49이고, 가장 하부에 위치하는 제1층(210-1)의 굴절률은 2.2이고, 중간에 위치하는 제1층(210-2)의 굴절률은 2.0이고, 최상부에 위치하는 제1층(210-3)의 굴절률은 1.8일 수 있다. 그리고 제1층들(210-1 내지 210-3) 각각의 두께는 100nm일 수 있다.
요철의 형상, 즉 볼록부(101)의 형상은 피라미드 형상일 수 있으며, 측벽 각도(sidewall angle)가 증가할수록 광 추출 효율이 증가할 수 있다. 볼록부(101)의 측벽 각도가 58°~65°일 경우, g2의 광 추출 효율이 g1의 광 추출 효율보다 큰 것을 알 수 있다.
실시 예는 굴절률이 서로 다른 복수의 층들로 이루어지는 광 추출층(158)을 구비함으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
패시베이션층(165)은 발광 구조물(150)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(150)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(165)은 제1 반도체층(156)의 상면 일부 또는 보호층(140)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(165)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.
제1 전극(470)은 제1 반도체층(156) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(170)은 전류 분산을 위하여 소정의 패턴 형상일 수 있다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200)의 단면도를 나타내고, 도 6은 도 5에 도시된 광 추출층(338)의 일 실시 예를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 발광 소자(200)는 기판(310), 버퍼층(320), 발광 구조물(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함할 수 있다.
기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.
버퍼층(320)은 격자 상수의 차이를 줄이기 위하여 기판(310)과 발광 구조물 사이에 배치될 수 있으며, 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체로 이루어질 수 있다.
발광 구조물(330)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(332), 활성층(334), 제2 반도체층(336), 및 광 추출층(338)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)은 도 1에서 설명한 제1 반도체층(156), 활성층(154), 및 제2 반도체층(152)과 동일할 수 있다.
광 추출층(338)은 요철(205)을 포함하며, 제2 반도체층(336) 상에 배치될 수 있다.
광 추출층(338)은 굴절률이 서로 다른 복수의 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)은 제2 반도체층(336) 상에 순차적으로 적층된 구조일 수 있으며, 볼록부(201)와 오목부(202)로 이루어지는 요철(205)을 가질 수 있다.
예컨대, 볼록부(201)는 굴절률이 다른 복수의 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)이 적층된 구조일 수 있다. 이때 요철(205)의 형상, 예컨대 볼록부(201)의 형상은 콘(cone), 피라미드(pyramid), 돔(dome), 또는 원뿔대(truncated cone)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수) 각각은 알루미늄(Al)을 포함하는 질화물 반도체, 예컨대, InAlGaN, AlGaN, 또는 AlN 중 어느 하나일 수 있다.
광 추출층(338)의 굴절률은 제2 반도체층(336)의 굴절률보다 클 수 있다.
예컨대, 제2 반도체층(336)의 굴절률은 2 ~ 3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 광 추출층(338)의 알루미늄 함량은 제2 반도체층(336)의 알루미늄 함량보다 많을 수 있다.
예컨대, 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)의 굴절률은 하부에서 상부로 갈수록 감소할 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(336)으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)의 굴절률이 감소할 수 있다.
또한 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)의 알루미늄(Al) 함량은 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(336)으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 제1층들(338-1 내지 338-m, m>1인 자연수)의 알루미늄 함량이 증가할 수 있다. 이웃하는 제1층들 사이의 알루미늄 함량의 차이는 10%이하일 수 있다.
발광 구조물(320)는 광 추출층(338), 제2 반도체층(336), 활성층(334), 제1 반도체층(332)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(332)의 일부를 노출할 수 있다.
제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(332) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 제2 반도체층(336) 상에 배치될 수 있다.
도 5에는 도시되지 않았지만, 광 추출층(338) 상에는 전반사를 방지하기 위하여 전도층(미도시)이 배치될 수 있다.
전도층(미도시)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
다른 실시 예에 따른 발광 소자는 도 2에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 광 추출층을 포함할 수도 있다.
실시 예에 따른 발광 소자(200)는 광 추출층(338)에 의하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(510), 제1 금속층(512), 제2 금속층(514), 발광 소자(520), 반사판(530), 와이어(530), 및 수지층(540)을 포함한다.
패키지 몸체(510)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.
패키지 몸체(510)는 상면의 일측 영역에 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티(cavity)를 가질 수 있다. 이때 캐비티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다.
제1 금속층(512) 및 제2 금속층(514)은 열 배출이나 발광 소자의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(510)의 표면에 배치된다. 발광 소자(520)는 제1 금속층(512) 및 제2 금속층(514)과 전기적으로 연결된다. 이때 발광 소자(520)는 실시 예들(100 또는 200) 중 어느 하나일 수 있다.
반사판(530)은 발광 소자(520)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 패키지 몸체(510)의 캐비티 측벽에 배치될 수 있다. 반사판(530)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다.
수지층(540)은 패키지 몸체(510)의 캐비티 내에 위치하는 발광 소자(520)를 포위하여 발광 소자(520)를 외부 환경으로부터 보호한다. 수지층(540)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 수지층(540)은 발광 소자(520)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
광원 모듈(1200)은 발광 소자(100, 또는 200), 또는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 도 7에 도시된 실시 예일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 10을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 도 7에 도시된 실시 예일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
101: 볼록부 102: 오목부
103: 요철 105: 제2 전극
110: 지지 기판 115: 접합층
120: 배리어층 125: 반사층
130: 오믹층 140: 보호층
145: 전류 차단층 150: 발광 구조물
152: 제2 반도체층 154: 활성층
156: 제1 반도체층 158: 광 추출층
165: 패시베이션층 170: 제1 전극.
103: 요철 105: 제2 전극
110: 지지 기판 115: 접합층
120: 배리어층 125: 반사층
130: 오믹층 140: 보호층
145: 전류 차단층 150: 발광 구조물
152: 제2 반도체층 154: 활성층
156: 제1 반도체층 158: 광 추출층
165: 패시베이션층 170: 제1 전극.
Claims (10)
- 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제2 반도체층;
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및
상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 광 추출층을 포함하며,
상기 제1 광 추출층은,
복수의 제1층들을 포함하며, 상기 복수의 제1층들은 볼록부 및 오목부를 포함하는 요철을 갖고, 상기 제1층들 각각의 굴절률은 상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 감소하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광 추출층과 상기 제1 반도체층 사이에 배치되는 제2 광 추출층을 더 포함하며,
상기 제2 광 추출층은 복수의 제2층들을 포함하며, 상기 복수의 제2층들 각각의 굴절률은 상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 감소하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광 추출층의 굴절률은 상기 제1 반도체층의 굴절률보다 작은 발광 소자. - 제2항에 있어서,
상기 제2 광 추출층의 굴절률은 상기 제1 반도체층의 굴절률보다 작은 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1층들 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지며, 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 서로 다른 발광 소자. - 제2항에 있어서,
상기 제2층들 각각은 동일한 조성을 갖는 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지며, 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 서로 다른 발광 소자. - 제5항에 있어서,
상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량은 증가하는 발광 소자. - 제6항에 있어서,
상기 제1 반도체층으로부터 멀어질수록 상기 제2층들 각각의 알루미늄 함량은 증가하는 발광 소자. - 제7항에 있어서,
이웃하는 제1층들 사이의 알루미늄 함량의 차이는 10%이하인 발광 소자. - 제5항에 있어서,
상기 제1 반도체층은 상기 제1층들과 동일한 물질로 구성되고, 상기 제1 반도체층의 알루미늄 함량은 상기 제1층들 각각의 알루미늄 함량보다 적은 발광 소자.
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| US14/334,540 US9312445B2 (en) | 2013-07-18 | 2014-07-17 | LED with multilayer light extractor having a refractive index gradient |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170005681A (ko) * | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20190082691A (ko) * | 2019-06-21 | 2019-07-10 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| US10566502B2 (en) | 2015-06-17 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI545823B (zh) * | 2014-03-05 | 2016-08-11 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體及使用其之顯示面板 |
| CN106684263A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled像素单元的制备方法及oled显示面板 |
| JP6564348B2 (ja) * | 2016-06-06 | 2019-08-21 | 日機装株式会社 | 深紫外発光素子 |
| CN110521010B (zh) | 2019-06-25 | 2022-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管及其制作方法、显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040211969A1 (en) * | 2001-11-30 | 2004-10-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
| US20120025233A1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US20120286286A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Jung Sukkoo | Non-polar nitride-based light emitting device and method for fabricating the same |
| US20120292649A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer |
| CN202871857U (zh) * | 2012-10-22 | 2013-04-10 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led封装结构 |
| CN103107261A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件及封装 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW564584B (en) * | 2001-06-25 | 2003-12-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
| US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
| US7476910B2 (en) * | 2004-09-10 | 2009-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2006310721A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Yokohama National Univ | 自発光デバイス |
| JP2007012729A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系半導体レーザ装置 |
| US7745843B2 (en) * | 2006-09-26 | 2010-06-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2008283037A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| WO2009070809A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | The Regents Of The University Of California | High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening |
| EP2270881B1 (en) * | 2008-04-30 | 2016-09-28 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and a production method therefor |
| KR20100050430A (ko) | 2008-11-04 | 2010-05-13 | 삼성엘이디 주식회사 | 미세 패턴을 갖는 발광장치 |
| US8586963B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-11-19 | Lehigh University | Semiconductor light-emitting devices having concave microstructures providing improved light extraction efficiency and method for producing same |
| KR101692410B1 (ko) | 2010-07-26 | 2017-01-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20120065610A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8546849B2 (en) * | 2011-05-04 | 2013-10-01 | International Rectifier Corporation | High voltage cascoded III-nitride rectifier package utilizing clips on package surface |
| CN102255009A (zh) * | 2011-06-23 | 2011-11-23 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | Led芯片的制造方法 |
| US20120074455A1 (en) * | 2011-11-20 | 2012-03-29 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Led package structure |
| KR20140138886A (ko) * | 2012-04-13 | 2014-12-04 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자용 광추출체 및 발광 소자 |
| KR101957816B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US20140217355A1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-07 | Rensselaer Polytechnic Institute | Semiconductor light emitting device |
-
2013
- 2013-07-18 KR KR1020130084635A patent/KR102066620B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-16 EP EP14177298.8A patent/EP2827387B1/en active Active
- 2014-07-17 US US14/334,540 patent/US9312445B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-18 CN CN201410344553.9A patent/CN104300062B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040211969A1 (en) * | 2001-11-30 | 2004-10-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
| US20120025233A1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US20120286286A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Jung Sukkoo | Non-polar nitride-based light emitting device and method for fabricating the same |
| US20120292649A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer |
| CN103107261A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件及封装 |
| CN202871857U (zh) * | 2012-10-22 | 2013-04-10 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种led封装结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10566502B2 (en) | 2015-06-17 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| KR20170005681A (ko) * | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20190082691A (ko) * | 2019-06-21 | 2019-07-10 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
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