KR20160065597A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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KR20160065597A
KR20160065597A KR1020140169789A KR20140169789A KR20160065597A KR 20160065597 A KR20160065597 A KR 20160065597A KR 1020140169789 A KR1020140169789 A KR 1020140169789A KR 20140169789 A KR20140169789 A KR 20140169789A KR 20160065597 A KR20160065597 A KR 20160065597A
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윤내상
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 바닥과 측벽을 포함하는 캐비티를 갖는 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임의 상면의 일 영역에 배치되는 발광 소자, 및 상기 제1 리드 프레임의 상면의 다른 일 영역에 서로 이격하여 배치되는 복수의 제1 반사 도트들(reflective dots)을 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 바닥과 측벽을 포함하는 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임의 상면의 일 영역에 배치되는 발광 소자; 및 상기 제1 리드 프레임의 상면의 다른 일 영역에 서로 이격하여 배치되는 복수의 제1 반사 도트들(reflective dots)을 포함한다.
상기 제1 반사 도트들은 상기 제1 리드 프레임과 다른 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로 상기 제1 반사 도트들의 최고점의 높이는 상기 발광 소자의 상면의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 제1 반사 도트들은 상기 캐비티의 측벽과 상기 캐비티에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임의 상면 간의 경계선으로부터 이격하여 배치될 수 있다.
상기 제1 반사 도트들 중 적어도 하나의 직경은 나머지들의 직경과 서로 다를 수 있다.
상기 제1 반사 도트들의 반사도는 상기 제1 리드 프레임의 상면의 반사도보다 높을 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 리드 프레임과 이격하여 상기 패키지 몸체에 배치되는 제2 리드 프레임; 및 상기 제2 리드 프레임의 상면에 배치되는 제2 반사 도트들을 더 포함할 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 일 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 일 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 9는 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 10은 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 11은 도 1의 반사 도트들의 유무에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표 및 광속을 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 저면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 일 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 다른 일 측면도를 나타내고, 도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(20), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 제3 리드 프레임(33), 발광 소자(10), 반사 도트들(refelctive dots, d1 내지 dn, n>1인 자연수), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 제너 다이오드(11), 및 수지층(210)을 포함한다.
패키지 몸체(20)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성되거나, 반사도가 높은 수지 재질, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), PC 수지, EMC 수지 또는 PMMA 수지로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 패키지 몸체(20)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.
패키지 몸체(20)의 상면 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.
패키지 몸체(20)는 측벽(101)과 바닥(102)을 포함하는 캐비티(cavity, 105)를 가질 수 있다. 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형, 컵 형상, 또는 오목한 용기 형상 등일 수 있으며, 캐비티(105)의 측벽(101)은 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 또는 바닥(102)에 대하여 수직이거나 경사질 수 있다.
제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 패키지 몸체(20) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 사이에는 패키지 몸체(20)의 일부, 예컨대, 캐비티(105)의 바닥(102)이 개재될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 캐비티(105)의 바닥(102)은 절곡된 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 평면일 수도 있다. 다른 실시 예에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33)이 전기적으로 서로 연결될 수 있으며, 일체로 형성될 수 있다.
도 1에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33) 각각의 상면(143,144)은 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)과 단차를 갖도록 위치하지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 상면(142,143,144)은 캐비티(101) 내에서 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.
캐비티(105)는 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 각각의 상면(142,143,144)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 상면(142), 제2 리드 프레임(32)의 상면(143), 및 제3 리드 프레임(33)의 상면(144)의 적어도 일부는 캐비티(105)로부터 노출될 수 있다.
발광 소자(10)는 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1) 상에 배치될 수 있다.
반사 도트들(refelctive dots, d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있으며, 발광 소자(10)로부터 출사되거나, 캐비티(105)의 측벽(101)에 의하여 반사되는 빛을 반사시킨다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 캐비티(105)의 측벽(101)으로부터 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 캐비티(105)의 측벽(101)과 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142) 간의 경계선으로부터 이격하여 배치될 수 있다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)과 다른 물질로 이루어질 수 있다.
예컨대, 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 패키지 몸체(20)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 반사도가 높은 수지 재질, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), PC 수지, EMC 수지 또는 PMMA 수지 또는 화이트 실리콘(silicone) 계열의 수지로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 반사도는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1)의 반사도보다 높을 수 있으며, 이로 인하여 실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 빛을 반사시킬 수 있는 형상, 예컨대, 반구, 돔(dome) 형상, 또는 다면체 형상 등일 수 있다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 제1 리드 프레임(31)의 상면을 기준으로 상측 방향으로 돌출된 형태일 수 있다.
제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1)을 기준으로 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 최고점의 높이(H1)는 발광 소자(10)의 상면의 높이(H2)보다 낮을 수 있다(H1<H2).
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 최고점의 높이(H1)가 발광 소자(10)의 상면의 높이(H2)보다 높을 경우에는 발광 소자 패키지(100)의 지향각이 감소되거나 영향을 받을 수 있기 때문이다.
예컨대, 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 반구형일 수 있으며, 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 직경은 서로 동일할 수 있다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1) 중에서 발광 소자(10)가 배치되는 영역을 제외한 나머지 영역에 서로 규칙적 또는 불규칙적으로 배열될 수 있다.
인접하는 2개의 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수) 간의 거리들은 서로 동일할 수 있다.
또는 다른 실시 예에서는 인접하는 2개의 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수) 간의 거리들 중 적어도 하나는 다를 수 있다.
캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)은 발광 소자(10)가 배치되기 위한 제1 영역(142-1)과, 와이어 본딩(wire bonding)을 위하여 제1 영역(142-1)으로부터 일부가 돌출된 제2 영역(142-2)을 포함할 수 있다.
반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 제1 영역(142-1) 중에서 발광 소자(10)가 배치된 영역을 제외한 나머지 영역에 배치될 수 있으며, 제2 영역(142-2)에는 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)이 배치되지 않을 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 영역(142-2)은 제1 영역(142-1)과 캐비티(105)가 만나는 경계선(148)으로부터 패키지 몸체(20) 쪽으로 돌출된 형태일 수 있다.
예컨대, 제1 영역(142-1)의 형상은 캐비티(105)의 디자인 형태에 따라 타원형, 원형, 또는 다각형(예컨대, 사각형)과 같이 다양한 형태일 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)의 형상은 와이어 본딩을 고려하여 반구 형상, 원형, 타원형, 또는 다각형 등과 같이 다양한 형상으로 구현될 수 있다.
제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)가 배치되기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31) 영역이기 때문에 발광 소자(10)의 사이즈(size)에 의하여 그 면적이 결정될 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)은 단지 와이어(14) 본딩을 위한 영역이기 때문에 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소 면적보다 큰 면적을 가져야 한다. 제2 영역(142-2)의 면적은 제1 영역(142-1)의 면적보다 작을 수 있다.
예컨대, 제1 영역(142-1)의 가로의 길이(L1)는 1.95mm ~ 2.05mm일 수 있고, 세로의 길이(L2)는 1.35mm ~ 1.45mm일 수 있다. 또한 와이어 본딩을 위하여 제2 영역(142-2)의 직경은 300um이상이고, 제1 상한치보다 작을 수 있다. 이때 제1 상한치는 제1 영역(142-1)의 세로 길이(L2)일 수 있다.
측벽(101)은 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 상면(142,143,144)의 가장 자리 영역 상에 위치할 수 있다. 측벽(101)은 발광 소자(10)의 둘레에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 외주의 적어도 일부를 감쌀 수 있다.
또한 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 상면의 적어도 일부는 측벽(101)에 의하여 노출될 수 있다. 측벽(101)은 발광 소자(10)로부터 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 측벽(101)은 리드 프레임들(31,32,33)보다 반사도가 높은 수지 재질로 형성될 수 있다.
캐비티(105)의 측벽(101)은 발광 소자(10)가 배치되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)의 제1 영역(142-1)을 노출할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)의 제2 영역(142-2)을 노출하는 제1 홈부(101-1)를 가질 수 있다.
제1 홈부(101-1)는 측벽(101) 내측으로 들어간 형태일 수 있다. 즉 홈부(101-1)는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)과 측벽(101) 사이의 경계선(148)에서 측벽(101) 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.
패키지 몸체(20)는 복수의 측면들(21 내지 24)을 가질 수 있으며, 제1 리드 프레임(31)은 패키지 몸체(20)의 제1 측면(21)으로 노출되는 일단(31-1)을 가질 수 있으며, 제2 리드 프레임(32)은 패키지 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(32-1)을 가질 수 있으며, 제3 리드 프레임(33)은 패키지 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(33-1)을 가질 수 있다. 이때 패키지 몸체(20)의 제1 측면(21)과 제2 측면(22)은 서로 마주보는 측면일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 패키지 몸체(20)의 뒷면(25)으로 노출될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 뒷면(31-2)은 패키지 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제2 리드 프레임(32)의 뒷면(32-2)은 패키지 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제3 리드 프레임(33)의 뒷면(33-2)은 패키지 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출될 수 있다.
제1 리드 프레임(31) 상에 배치되는 발광 소자(10)는 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 발광 소자(10)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등의 빛을 방출하는 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 소자(10)에 대해서는 도 9 및 도 10에서 후술한다.
발광 소자(10)는 도 1에 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 와이어(12)는 발광 소자(10)와 제1 리드 프레임(31)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제1 와이어(12)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 제1 전극(342) 또는 제2 전극(344))에 본딩(bonding)될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제1 홈부(101-1)를 통과하여 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)에 본딩될 수 있다.
제2 와이어(14)는 발광 소자(10)와 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제2 와이어(14)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 발광 소자(300-1)의 제2 전극(344) 또는 제1 전극(342))에 연결될 수 있고, 제2 와이어(14)의 나머지 다른 일단은 제2 리드 프레임(32)의 상면(143)에 연결될 수 있다.
제너 다이오드(zener, 11)는 발광 소자 패키지(100)의 내전압을 향상시키기 위하여 제2 리드 프레임(32)의 상면(143) 상에 배치될 수 있다. 제3 와이어(16)는 제너 다이오드(11)와 제1 리드 프레임(31)의 상면(142), 예컨대, 제1 영역(142-1)을 전기적으로 연결할 수 있다.
도 6에 도시된 수지층(210)은 발광 소자(10)를 밀봉하여 보호하도록 패키지 몸체(20)의 캐비티(105) 내에 충진될 수 있다. 수지층(210)은 에폭시(epoxy) 또는 실리콘과 같은 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
수지층(210)은 발광 소자(10)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체(212)를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(210)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광 소자 패키지(100)는 수지층(210) 상에 배치되는 렌즈(미도시)를 더 포함할 수 있다. 렌즈(미도시)는 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다.
발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 상면(142,143,144)은 발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 반사 물질, 예컨대, 은(Ag)으로 이루어질 수 있고, 측벽(101)은 PPA 수지 재질로 이루어질 수 있다.
측벽(101)을 이루는 수지는 리드 프레임들(31,32,33)을 이루는 은(Ag)에 비하여 반사율이 높다. 따라서 캐비티(105) 내의 리드 프레임(31,32,33)의 노출 면적을 줄이고, 측벽(101)의 면적을 증가시킬 경우, 발광 소자 패키지(100)의 광 효율은 향상될 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.
기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.
또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.
발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 도전형 반도체층(326)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(322)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.
활성층(324)은 제1 도전형 반도체층(322) 및 제2 도전형 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.
제2 도전형 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(326)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
발광 구조물(320)은 제2 도전형 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 도전형 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 도전형 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.
전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 도전형 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(342)은 노출되는 제1 도전형 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.
도 10은 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극(470)를 포함한다.
제2 전극(405)는 제1 전극(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.
지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.
접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.
배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.
오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 도전형 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 도전형 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.
투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 도전형 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.
보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.
전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 도전형 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.
전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 도전형 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.
발광 구조물(450)은 제2 도전형 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 도전형 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 15에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.
패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 도전형 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.
제1 전극(470)은 제1 도전형 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.
제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1)의 반사도보다 높은 반사도를 갖는 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)을 제1 리드 프레임(31)의 상면 상에 배열함으로써, 실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 11은 도 1의 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 유무에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표 및 광속을 나타낸다. case 1은 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)을 구비하지 않는 발광 소자 패키지에 대한 색 좌표 및 광속을 나타내고, case 2는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표 및 광속을 나타낸다.
도 11을 참조하면, case1 및 case2의 색 좌표는 거의 동일하지만, case 2의 광속이 case 1의 광속보다 큰 것을 알 수 있다. case 1의 광속 대비 case 2의 광속이 약 0.3% 증가하는 것을 알 수 있다.
또한 와이어 본딩을 위하여 필요한 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)의 일부만을 노출하도록 측벽(101)에 홈부(101-1)를 마련함으로써, 캐비티(105)에 의하여 제1 리드 프레임(31)의 노출되는 상면(142)의 면적을 줄이고, 상대적으로 측벽(101)이 차지하는 면적을 증가시킴으로써 반사율을 향상시킬 수 있다. 이로 인하여 실시 예는 발광 소자 패키지(100)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 사시도를 나타낸다.
도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 도 2 내지 도 6은 도 7에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 리드 프레임(31)의 상면(142-1) 상에 배치되는 반사 도트들(d11 내지 d1n, n>1인 자연수) 중 적어도 하나의 크기(예컨대, 직경)는 나머지들의 크기(예컨대, 직경)와 다를 수 있다.
예컨대, 반사 도트들(d11 내지 d1n, n>1인 자연수) 중 선택된 하나의 크기와 반사 도트들(d11 내지 d1n, n>1인 자연수) 중 선택된 다른 하나의 크기는 서로 다를 수 있다. 예컨대, 비교 대상이 되는 반사 도트의 크기는 반사 도트의 최대 직경일 수 있다.
실시 예는 다른 크기의 반사 도트들(d11 내지 d1n, n>1인 자연수)에 의하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)의 평면도를 나타낸다.
도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 한다.
도 8을 참조하면, 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 상면(142)에는 제1 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)이 배치되고, 제2 리드 프레임(32)의 상면(143)에는 적어도 하나의 제2 반사 도트(dm)가 배치되고, 제3 리드 프레임(33)의 상면(144)에는 적어도 하나의 제3 반사 도트(dk)가 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 6에 설명한 제1 반사 도트들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)의 형상 및 재질에 대한 설명은 제2 및 제3 반사 도트들(dm, dk)에도 동일하게 적용될 수 있다.
제2 및 제3 리드 프레임들(32,33)의 상면(143,144)에도 반사 도트들(dm, dk)을 배치시킴으로써, 도 1에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 8에 도시된 실시 예는 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다.
커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 광원부(1210)는 실시 예들(100,200,300) 중 어느 하나일 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다. 도 13을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 실시 예들(100,200,300) 중 어느 하나일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 14를 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들(100,200,300) 중 어느 하나일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 발광 소자 11: 제너 다이오드
12, 14: 와이어들 20: 패키지 몸체
31: 제1 리드 프레임 32: 제2 리드 프레임
33: 제3 리드 프레임 210: 수지층.

Claims (7)

  1. 바닥과 측벽을 포함하는 캐비티를 갖는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임;
    상기 제1 리드 프레임의 상면의 일 영역에 배치되는 발광 소자; 및
    상기 제1 리드 프레임의 상면의 다른 일 영역에 서로 이격하여 배치되는 복수의 제1 반사 도트들(reflective dots)을 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 도트들은 상기 제1 리드 프레임과 다른 물질로 이루어지는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임의 상면을 기준으로 상기 제1 반사 도트들의 최고점의 높이는 상기 발광 소자의 상면의 높이보다 낮은 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 도트들은 상기 캐비티의 측벽과 상기 캐비티에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임의 상면 간의 경계선으로부터 이격하여 배치되는 발광 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 도트들 중 적어도 하나의 직경은 나머지들의 직경과 서로 다른 발광 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사 도트들의 반사도는 상기 제1 리드 프레임의 상면의 반사도보다 높은 발광 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임과 이격하여 상기 패키지 몸체에 배치되는 제2 리드 프레임; 및
    상기 제2 리드 프레임의 상면에 배치되는 제2 반사 도트들을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
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