KR20150098848A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20150098848A
KR20150098848A KR1020140020193A KR20140020193A KR20150098848A KR 20150098848 A KR20150098848 A KR 20150098848A KR 1020140020193 A KR1020140020193 A KR 1020140020193A KR 20140020193 A KR20140020193 A KR 20140020193A KR 20150098848 A KR20150098848 A KR 20150098848A
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Abstract

실시 예는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제1 홈, 및 제2 홈을 갖는 발광 구조물, 상기 제1 홈에 의하여 노출되는 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제2 홈 내에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 홈 사이에 배치되는 반사 절연층을 포함한다.

Description

발광 소자{A LIGHT EMITTING DEVICE}
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
GaN 등의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등의 반도체 광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 발광 소자는 청색 및 녹색광 대역을 포함할 수 있으며, 큰 휘도와 높은 신뢰성을 가질 수 있어, 발광 소자의 구성 물질로 각광을 받고 있다.
발광 소자의 광 효율은 내부양자효율(internal quantum efficiency)과 광추출효율(light extraction efficiency, "외부양자효율"이라고도 함)로 결정될 수 있다.
발광 소자는 기판, 기판 상에 배치되고 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체로 이루어지는 발광 구조물, 발광 구조물과 전기적으로 연결되는 n 전극 및 p 전극을 포함할 수 있다.
그런데 n 전극 및 p 전극은 발광 구조물로부터 조사되는 광을 흡수할 수 있으며, 이로 인하여 광 손실이 발생할 수 있고, 광 추출 효율이 낮아질 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제1 홈, 및 제2 홈을 갖는 발광 구조물; 상기 제1 홈에 의하여 노출되는 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제2 홈 내에 배치되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 홈 사이에 배치되는 반사 절연층을 포함한다.
상기 반사 절연층은 상기 제2 홈의 바닥과 측면 상에 배치될 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 2 도전형 반도체층 및 상기 반사 절연층 상에 배치되는 전도층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 와이어가 본딩되는 패드; 및 상기 패드로부터 확장하는 적어도 하나의 가지 전극을 포함할 수 있으며, 상기 반사 절연층은 상기 패드와 상기 제2 홈 사이, 및 상기 적어도 하나의 가지 전극과 상기 제2 홈 사이에 배치될 수 있다.
상기 기판의 상부면을 기준으로 상기 제2 홈의 바닥은 상기 활성층의 하면보다 낮게 위치할 수 있다.
상기 제2 전극의 상부면은 상기 제2 홈의 최상단보다 높게 위치할 수 있다.
상기 반사 절연층은 상기 제2 홈의 바닥, 상기 제2 홈의 측면, 및 상기 제2 홈과 인접하는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치될 수 있다.
상기 반사 절연층은 2개의 유전체들이 적어도 1회 이상 교번하는 구조를 가지며, 상기 2개의 유전체들은 굴절률이 서로 다른 이종인 분산 브래그 반사층을 포함할 수 있다.
상기 반사 절연층은 상기 분산 브래그 반사층과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 분산 브래그 반사층과 상기 제2 전극 간의 접착력을 향상시키는 금속층을 더 포함할 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 구조물의 평면도 및 EF 방향의 단면도를 나타낸다.
도 5a는 도 1에 도시된 반사 절연층의 일 실시 예를 나타낸다.
도 5b는 도 1에 도시된 반사 절연층의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(110), 발광 구조물(120), 반사 절연층(130), 전도층(140), 제1 전극(150), 및 제2 전극(160)을 포함한다.
기판(110)은 반도체를 성장시키기에 적합한 기판으로서, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다.
예를 들어 기판(110)은 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 질화물 반도체 기판 중 어느 하나일 수 있다. 또는 기판(110)은 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중에서 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판일 수 있다.
기판(110)의 상면에는 광 추출을 위하여 요철(115)이 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 PSS(Patterned Sapphire Substrate)일 수 있다.
발광 구조물(120)은 기판(110) 상에 배치되며, 빛을 발생한다. 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함할 수 있다.
예컨대, 발광 구조물(120)은 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(124)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체일 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(122)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te 등)가 도핑될 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치될 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122) 및 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(124)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조일 수 있다.
활성층(124)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 활성층(124)이 양자우물구조인 경우, 활성층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.
우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있으며, 우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 상에 배치될 수 있고, 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
기판(110)과 발광 구조물(120) 간의 격자 상수의 차이를 줄이기 위하여 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이에 버퍼층(buffer layer, 미도시)이 배치될 수 있다. 버퍼층은 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 초격자(superlattice) 구조를 포함할 수 있다.
활성층(124)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이, 또는 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에는 도전형 클래드층(clad layer)이 배치될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 질화물 반도체(예컨대, AlGaN, GaN, 또는 InAlGaN)일 수 있다.
다른 실시 예에서 발광 구조물(120)은 제2 도전형 반도체층(126)과 전도층들(140) 사이에 제3 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 제3 반도체층은 제2 도전형 반도체층(126)과 반대의 극성을 가질 수 있다.
또한 다른 실시 예에서 제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있고, 이에 따라 발광 구조물(120)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)의 상면을 노출하는 홈(recess)을 가질 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 구조물(120)의 평면도 및 EF 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)을 노출하는 제1 홈(105) 및 제2 홈(205)을 가질 수 있다. 제1 홈(105)과 제2 홈(205)은 서로 이격할 수 있다.
제1 홈(105)은 제1 전극(150)의 배치를 위치하여 형성될 수 있고, 제2 홈(205)은 제2 전극(160)의 배치를 위하여 형성될 수 있다.
예컨대, 발광 구조물(120)은 제1 홈(105)을 포함하는 제1 영역(S1), 제2 홈(205)을 포함하는 제2 영역(S2), 및 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)을 제외한 제3 영역(S3)을 포함할 수 있다.
제1 홈(105)은 제1 바닥(101) 및 제1 측면(103)을 포함할 수 있다.
제1 홈(105)의 제1 측면(103)은 제1 바닥(101)을 기준으로 경사진 경사면일 수 있다. 예컨대, 제1 홈(105)의 제1 측면(103)과 제1 바닥(101)이 이루는 각도는 90°이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 제1 홈(105)의 제1 바닥(101)의 폭(W1)은 제1 홈(105)의 최상단의 폭(W2)보다 작을 수 있다.
제1 홈(105)의 제1 바닥(101)은 제1 영역(S1)의 제1 도전형 반도체층(122)의 상면일 수 있다.
제1 홈(105)의 제1 측면(103)은 제1 영역(S1)과 이웃하는 제3 영역(S3)의 제1 도전형 반도체층(122)의 측면, 활성층(124)의 측면, 및 제2 도전형 반도체층(126)의 측면일 수 있다.
예컨대, 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)을 형성한 후에, 선택적인 식각(mesa etching)을 통하여 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 및 제1 도전형 반도체층의 일부를 제거하여 제1 홈(105)을 갖는 발광 구조물(120)을 형성할 수 있다.
제1 영역(S1)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일부 영역을 포함하는 영역일 수 있고, 제2 영역(S2)은 제1 도전형 반도체층(122)의 다른 일부 영역을 포함하는 영역일 수 있고, 제3 영역(S3)은 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 및 제1 제1 도전형 반도체층(122)의 나머지를 포함하는 영역일 수 있다.
제1 영역(S1)의 제1 도전형 반도체층(122)의 상부면은 제3 영역(S3)의 활성층(124)의 하면 아래에 위치할 수 있다.
발광 구조물(120)의 제1 영역(S1)은 제1 전극(122)과 제1 도전형 반도체층(122)과 접촉을 위하여 형성되는 영역일 수 있다.
제1 영역(S1)은 제1 패드(152)가 배치되는 패드 영역(410), 및 제1 가지 전극(154)이 배치되는 확장 영역(420)을 포함할 수 있다.
패드 영역(410)의 직경, 예컨대, 패드 영역(410)의 최소 직경(D1)은 확장 영역(420)의 폭(W1)보다 클 수 있다.
제1 전극(150)은 제1 홈(105) 내에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(122)과 접할 수 있다.
예컨대, 제1 전극(150)은 제1 홈(105)의 제1 바닥(101) 상에 배치될 수 있고, 제1 홈(105)의 제1 측면(103)과 이격할 수 있다.
제1 전극(150)은 와이어(wire)가 본딩되는 제1 패드(152), 및 제1 패드(152)로부터 확장되는 적어도 하나의 제1 가지 전극(154)을 포함할 수 있다.
제1 패드(152)는 제1 영역(S1)의 패드 영역(410) 상에 배치될 수 있고, 제1 가지 전극(154)은 제1 영역(S1)의 확장 영역(420) 상에 배치될 수 있다.
예컨대, 패드 영역(410)의 직경, 예컨대, 패드 영역(152)의 최소 직경은 제1 패드(152)의 직경은 보다 클 수 있으며, 확장 영역(420)의 폭은 제1 가지 전극(154)의 폭보다 넓을 수 있다.
제1 홈(105)의 제1 바닥(101)을 기준으로 제1 전극(150)의 상부면은 제1 홈(105)의 최상단보다 높게 위치할 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면보다 높게 위치할 수 있다. 또한 제1 전극(150)의 상부면은 전도층(140)의 상부면보다 높게 위치할 수 있다.
제2 홈(205)은 제2 바닥(201) 및 제2 측면(203)을 포함할 수 있다.
제2 홈(205)의 제2 측면(203)은 제2 바닥(201)을 기준으로 경사진 경사면일 수 있다. 예컨대, 제2 홈(205)의 제2 측면(203)과 제2 바닥(201)이 이루는 각도는 90°이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 제2 홈(205)의 제2 바닥(201)의 폭(W1)은 제2 홈(205)의 최상단의 폭보다 작거나 같을 수 있다.
제2 홈(205)의 제2 바닥(201)은 제2 영역(S2)의 제1 도전형 반도체층(122)의 상면일 수 있다.
제2 홈(205)의 제2 측면(203)은 제2 영역(S2)과 이웃하는 제3 영역(S3)의 제1 도전형 반도체층(122)의 측면, 활성층(124)의 측면, 및 제2 도전형 반도체층(126)의 측면일 수 있다.
예컨대, 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)을 형성한 후에, 선택적인 식각(mesa etching)을 통하여 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 및 제1 도전형 반도체층의 다른 일부를 제거하여 제2 홈(205)을 갖는 발광 구조물(120)을 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 홈(105) 및 제2 홈(205)은 동일한 식각 공정에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층을 제거하여 제1 도전형 반도체층을 노출하기 위해서는 제3 영역(S3)의 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면을 기준으로 제1 홈(105) 및 제2 홈(205)의 깊이(d1)는 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124)의 두께의 합보다 커야 한다.
제2 영역(S2)의 제1 도전형 반도체층(122)의 상부면은 제3 영역(S3)의 활성층(124) 아래에 위치할 수 있다.
기판(110)의 상부면을 기준으로 제2 홈(205)의 바닥(201)은 활성층(124)의 하면보다 낮게 위치할 수 있다.
예컨대, 제1 홈(105) 및 제2 홈(205) 각각의 깊이(d1)는 300nm ~ 5um이하일 수 있다. 제1 홈(105) 및 제2 홈(205) 각각의 깊이(d1)가 300nm 미만일 경우에는 활성층(124)이 제거되지 않을 수 있다. 또한 제1 홈(105) 및 제2 홈(205) 각각의 깊이(d1)가 5um를 초과할 경우에는 제1 홈(105) 및 제2 홈(205)이 기판(110)에 형성되는 요철(115)을 파괴할 수 있다.
발광 구조물(120)의 제2 영역(S2)은 제2 전극(122)의 배치를 위하여 형성되는 영역일 수 있다.
제2 영역(S2)은 제2 패드(152)가 배치되는 제2 패드 영역(430), 및 적어도 하나의 제2 가지 전극(164-1, 164-2)이 배치되는 제2 확장 영역(440-1,440-2)을 포함할 수 있다.
제2 패드 영역(430)의 직경, 예컨대, 제2 패드 영역(430)의 최소 직경(D1)은 제2 확장 영역(440-1,440-2)의 폭(W1)보다 클 수 있다.
제2 전극(160)은 제2 홈(205) 내에 배치된다.
예컨대, 제2 전극(150)은 제2 홈(205)의 제2 바닥(201) 상에 배치될 수 있고, 제2 홈(205)의 제2 측면(103)과 이격할 수 있다.
제2 전극(160)은 와이어(wire)가 본딩되는 제2 패드(162), 및 제2 패드(162)로부터 확장되는 적어도 하나의 제2 가지 전극(164-1, 164-2)을 포함할 수 있다.
제2 패드(162)는 제2 영역(S2)의 제2 패드 영역(430) 상에 배치될 수 있고, 적어도 하나의 제2 가지 전극(164-1,164-2)은 제2 영역(S2)의 제2 확장 영역(440-1, 440-2) 상에 배치될 수 있다.
예컨대, 제2 패드 영역(430)의 직경, 예컨대, 제2 패드 영역(430)의 최소 직경(D1)은 제2 패드(162)의 직경은 보다 클 수 있으며, 제2 확장 영역(440-1,440-2)의 폭(W1)은 제2 가지 전극(164-1,164-2)의 폭(W2)보다 넓을 수 있다.
제2 홈(205)의 제2 바닥(201)을 기준으로 제2 전극(160)의 상부면은 제2 홈(205)의 최상단보다 높게 위치할 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면보다 높게 위치할 수 있다. 또한 제2 전극(160)의 상부면은 전도층(140)의 상부면보다 높게 위치할 수 있다.
반사 절연층(130)은 발광 구조물(120)의 제2 영역(S2)의 제2 홈(205) 내에 배치될 수 있다.
예컨대, 반사 절연층(130)은 제2 홈(205)의 제2 바닥(201), 제2 측면(203), 및 제2 홈(205)과 인접하는 제2 도전형 반도체층의 상부면 상에 배치될 수 있다.
반사 절연층(130)은 제2 홈(205)에 의하여 노출되는 제3 영역(S3)의 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124), 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 덮을 수 있다.
반사 절연층(130)은 활성층(124)으로부터 조사되는 빛을 반사시킬 수 있고, 활성층(124)으로부터 조사되는 빛이 제2 전극(160)으로 흡수되는 것을 차단하는 역할을 할 수 있다.
또한 반사 절연층(130)은 발광 구조물(120) 내에서 제2 전극(160)으로부터 제1 전극(150)으로의 전류의 흐름을 분산시키는 역할을 할 수 있다.
도 5a는 도 1에 도시된 반사 절연층(130)의 일 실시 예를 나타낸다.
도 5a를 참조하면, 반사 절연층(130)은 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있다.
분산 브래그 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 개의 층들이 적어도 1회 이상 교번하여 적층되는 구조(예컨대, 510-1과 520-1 내지 510-n과 520-n, n≥1인 자연수)일 수 있다.
분산 브래그 반사층은 2개의 유전체들(예컨대, TiO2, SiO2, Ta2O5, 또는 Al2O3)이 적어도 1회 이상 교번하는 구조를 가질 수 있고, 2개의 유전체들은 굴절률이 서로 다른 이종일 수 있으며, 각 층의 두께는 λ/4일 수 있고, λ은 발광 소자(100)에서 발생하는 광의 파장일 수 있다.
도 5b는 도 1에 도시된 반사 절연층(130)의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 5b를 참조하면, 반사 절연층(130)은 분산 브래그 반사층(510-1과 520-1 내지 510-n과 520-n, n≥1인 자연수), 및 금속층(530)을 포함할 수 있다.
금속층(530)은 분산 브래그 반사층(510-1과 520-1 내지 510-n과 520-n, n≥1인 자연수)과 제2 전극(160) 사이에 배치될 수 있고, 분산 브래그 반사층(510-1과 520-1 내지 510-n과 520-n, n≥1인 자연수)과 제2 전극(160) 간의 접착력을 향상시키며, 금속층(530)의 반사도는 수직 방향의 입사에 대하여 80% 이상일 수 있다.
예컨대, 금속층(530)은 Al, 또는 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 또는 복수층일 수 있다.
전도층(140)은 제2 도전형 반도체층(126) 및 반사 절연층(130) 상에 배치된다. 전도층(140)은 제2 도전형 반도체층(126)과 접할 수 있고, 반사 절연층(130)과 접할 수 있다.
전도층(140)은 제2 홈(205)과 인접하는 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치되는 반사 절연층(130) 상에도 배치될 수 있다.
제2 전극(160)은 제2 홈(205)의 바닥(201)에 배치되는 전도층(140) 상에 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 전극(150)은 제2 홈(205)의 측면(203) 상에 위치하는 전도층(140)으로부터 이격할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 제2 전극(150)은 제2 홈(205)의 측면(203) 상에 위치하는 전도층(140)과 접할 수 있다.
전도층(140)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(124)으로부터 제2 도전형 반도체층(126)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
전도층(140)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
반사 절연층(130)은 제2 홈(205)과 전도층(140) 사이에 배치되며, 제2 전극(160)이 제2 홈(205)에 의하여 노출되는 제2 도전형 반도체층(126)의 측면, 활성층(124)의 측면과 접촉되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예는 제2 전극(160)과 제2 홈(205) 사이에 반사 절연층(130)을 배치하여 활성층(124)으로부터 조사되는 빛이 제2 전극(160)에 흡수되는 것을 차단함으로써 실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
실시 예는 제2 홈(205)의 형성에 의하여 수직 방향으로 제2 전극(160)에 정렬되거나 오버랩되는 활성층 부분을 제거함으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 일반적으로 제2 도전형 반도체층, 또는 활성층은 빛을 흡수하는 요인으로 작용할 수 있는데, 실시 예는 빛 흡수 요인이 되는 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124) 부분을 제거하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(510), 제1 도전층(512), 제2 도전층(514), 발광 소자(520), 반사판(530), 와이어(530), 및 수지층(540)을 포함한다.
패키지 몸체(510)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.
패키지 몸체(510)는 상면의 일측 영역에 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티(cavity)를 가질 수 있다. 이때 캐비티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다.
제1 도전층(512) 및 제2 도전층(514)은 열 배출이나 발광 소자의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(510)의 표면에 배치된다. 발광 소자(520)는 제1 도전층(512) 및 제2 도전층(514)과 전기적으로 연결된다. 이때 발광 소자(520)는 상술한 실시 예일 수 있다.
반사판(530)은 발광 소자(520)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 패키지 몸체(510)의 캐비티 측벽에 배치될 수 있다. 반사판(530)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다.
수지층(540)은 패키지 몸체(510)의 캐비티 내에 위치하는 발광 소자(520)를 포위하여 발광 소자(520)를 외부 환경으로부터 보호한다. 수지층(540)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 수지층(540)은 발광 소자(520)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 광원부(1210)는 상술한 실시 예일 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 도 6에 도시된 실시 예일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 9을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 도 6에 도시된 실시 예일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판 120: 발광 구조물
130: 반사 절연층 140: 전도층
150: 제1 전극 160: 제2 전극.

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제1 홈, 및 제2 홈을 갖는 발광 구조물;
    상기 제1 홈에 의하여 노출되는 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제2 홈 내에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극과 상기 제2 홈 사이에 배치되는 반사 절연층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 절연층은 상기 제2 홈의 바닥과 측면 상에 배치되는 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 반사 절연층 상에 배치되는 전도층을 더 포함하는 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은,
    와이어가 본딩되는 패드; 및
    상기 패드로부터 확장하는 적어도 하나의 가지 전극을 포함하며,
    상기 반사 절연층은,
    상기 패드와 상기 제2 홈 사이, 및 상기 적어도 하나의 가지 전극과 상기 제2 홈 사이에 배치되는 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상부면을 기준으로 상기 제2 홈의 바닥은 상기 활성층의 하면보다 낮게 위치하는 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상부면은 상기 제2 홈의 최상단보다 높게 위치하는 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사 절연층은 상기 제2 홈의 바닥, 상기 제2 홈의 측면, 및 상기 제2 홈과 인접하는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반사 절연층은,
    2개의 유전체들이 적어도 1회 이상 교번하는 구조를 가지며, 상기 2개의 유전체들은 굴절률이 서로 다른 이종인 분산 브래그 반사층을 포함하는 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반사 절연층은,
    상기 분산 브래그 반사층과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 분산 브래그 반사층과 상기 제2 전극 간의 접착력을 향상시키는 금속층을 더 포함하는 발광 소자.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119428A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
KR20120067782A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20130046755A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20130046754A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20130128032A (ko) * 2012-05-16 2013-11-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119428A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
KR20120067782A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20130046755A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20130046754A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20130128032A (ko) * 2012-05-16 2013-11-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛

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