KR20170081847A - 발광 소자 - Google Patents
발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170081847A KR20170081847A KR1020160000795A KR20160000795A KR20170081847A KR 20170081847 A KR20170081847 A KR 20170081847A KR 1020160000795 A KR1020160000795 A KR 1020160000795A KR 20160000795 A KR20160000795 A KR 20160000795A KR 20170081847 A KR20170081847 A KR 20170081847A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- patterns
- substrate
- pattern layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 105
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 191
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시 예는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 패턴들을 포함하는 패턴층, 상기 패턴층 상에 배치되는 질화물 반도체층, 및 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 질화물 반도체층 상에 배치되는 발광 구조물을 포함하며, 상기 패턴층의 열 전도도는 상기 반도체 기판의 열전도도, 및 상기 발광 구조물의 열 전도도보다 높다.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
질화물 반도체발광 소자에서 질화물을 성장시키는 기판으로 사파이어 기판을 주로 사용한다. 즉 사파이어 기판에 질화물, 예컨대, GaN을 에피텍셜 성장시켜 발광 소자, 예컨대, LED를 제작한다. 사파이어 기판은 견고하고 고온에 잘 견디므로, 고온의 에피텍셜 성장에 적합하나, 이종 물질에 따른 결정 결함이 많다는 것이 단점이다.
이러한 결정 결함을 줄이기 위하여 질화물 반도체를 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 반도체 기판이 사용될 수 있다. 이러한 반도체 기판으로 GaN 기판이 사용될 수 있다.
실시 예는 열 방출 효과를 향상시킬 수 있고, 온도 상승에 기인하는 발광 효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 패턴들을 포함하는 패턴층; 상기 패턴층 상에 배치되는 질화물 반도체층; 및 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 질화물 반도체층 상에 배치되는 발광 구조물을 포함하며, 상기 패턴층의 열 전도도는 상기 반도체 기판의 열전도도, 및 상기 발광 구조물의 열 전도도보다 높다.
상기 패턴층은 AlN층일 수 있다.
상기 패턴층의 두께는 0.5㎛ ~ 3㎛일 수 있다.
상기 복수의 패턴들은 스트라이프(strife) 형상이고, 상기 복수의 패턴들 각각의 폭은 10㎛ ~ 20㎛이고, 상기 복수의 패턴들 사이의 이격 거리는 2㎛ ~ 4㎛일 수 있다. 상기 반도체 기판의 상면의 전체 면적 대비 상기 패턴층이 차지하는 면적은 70% 이상일 수 있다.
또는 상기 복수의 패턴들 각각은 원판형, 또는 다면체 형상이고, 상기 복수의 패턴들 각각의 직경은 2㎛ ~ 5㎛이고, 상기 복수의 패턴들 사이의 이격 거리는 0.4㎛ ~ 1.5㎛일 수 있다. 상기 반도체 기판의 상면의 전체 면적 대비 상기 패턴층이 차지하는 면적은 40% 이상일 수 있다.
수직 방향으로 상기 복수의 패턴들 각각의 폭 또는 직경은 감소하고, 상기 수직 방향은 상기 반도체 기판에서 상기 발광 구조물로 향하는 방향일 수 있다.
상기 패턴층은 투광성의 절연 물질일 수 있다.
상기 패턴층은 상기 반도체 기판의 중심에서 가장 자리 방향으로 제1 내지 제n번째 패턴들을 포함하며, 상기 제1 내지 제n번째 패턴들 각각은 링 형상이고, n-1번째 패턴은 n번째 패턴의 내주면 안쪽에 위치하는 상기 반도체 기판의 상부면에 배치될 수 있다.
상기 반도체 기판은 GaN층, 또는 AlGaN층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 질화물 반도체층은 상기 반도체 기판과 동일한 물질일 수 있다.
상기 패턴층은 상기 질화물 반도체층 내부에 배치될 수 있다.
상기 복수의 패턴들은 수평 방향으로 서로 이격하여 나란하게 배열될 수 있다.
실시 예는 열 방출 효과를 향상시킬 수 있고, 온도 상승에 기인하는 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 패턴층의 일 실시 예를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 패턴층의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 5는 도 2에 도시된 패턴층의 또 다른 실시 예를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 패턴층의 또 다른 실시 예를 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 9는 AlN 패턴층 및 다른 투광성 물질과의 열전도도와 열 팽창 계수를 나타낸다.
도 10a 내지 도 10d는 다른 실시 예들에 따른 발광 소자의 패턴층을 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다.
도 13은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 패턴층의 일 실시 예를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 패턴층의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 5는 도 2에 도시된 패턴층의 또 다른 실시 예를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 패턴층의 또 다른 실시 예를 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 9는 AlN 패턴층 및 다른 투광성 물질과의 열전도도와 열 팽창 계수를 나타낸다.
도 10a 내지 도 10d는 다른 실시 예들에 따른 발광 소자의 패턴층을 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다.
도 13은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한 동일한 참조 번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(110), 패턴층(115), 질화물 반도체층(120), 발광 구조물(130), 제1 전극(142), 및 제2 전극(144)을 포함한다.
기판(110)은 질화물 반도체 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 AlxGa1 - xN(0≤x≤0.5)의 조성식을 가지는 반도체로 이루어질 수 있다.
예컨대, 기판(110)은 GaN층, 또는 AlGaN층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 투광성일 수 있다.
측면을 통하여 추출되는 빛의 비율을 높이기 위하여 기판(110)은 오면체, 예컨대, 삼각 기둥 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 육면체, 예컨대, 사각 기둥 형상일 수도 있다.
예컨대, 기판(110)의 이웃하는 2개의 측면들 사이의 내각(θ1, θ2, 또는 θ3)은 예각, 예컨대, 45°또는 60°일 수 있다.
패턴층(115)은 기판(110)의 상면(111) 상에 배치되며, 기판(110) 및 발광 구조물(120)의 열을 방출하거나 또는 발광 구조물과 기판 간의 열을 전도하는 역할을 할 수 있다.
즉 패턴층(115)은 발광 소자(100)의 열전도도를 향상시키기 위하여 기판(110)과 발광 구조물(130)과 사이에 배치될 수 있다.
패턴층(115)의 열전도도는 기판(110)의 열전도도보다 높을 수 있다.
또한 패턴층(115)의 열전도도는 발광 구조물(130)의 열전도도보다 높을 수 있다.
패턴층(115)은 광추출 효율이 감소되지 않도록 빛을 투과하는 투광성 물질일 수 있고, 절연 물질일 수 있다.
패턴층(115)이 비투광성 물질, 예컨대, 비투광성 금속 물질로 이루어질 경우, 발광 구조물(130)에서 발생한 빛이 패턴층(115)에 흡수되거나 반사될 수 있고, 이로 인하여 발광 소자의 광 추출 효율이 감소하기 때문이다.
또한 패턴층(115)은 발광 구조물(130)의 결정 품질이 떨어지는 것을 방지하기 위하여 발광 구조물(130)과 열 팽창 계수가 유사한 물질로 이루어질 수 있다.
예컨대, 발광 구조물(130)의 결정 품질 향상을 위하여 패턴층(115)의 열 팽창 계수와 발광 구조물(130)의 열 팽창 계수의 차이는 2.5 미만일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 패턴층(115)은 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 9는 AlN 패턴층(115) 및 다른 투광성 물질과의 열전도도(Thermal conductivity)와 열 팽창 계수(CTE)를 나타낸다.
도 9를 참조하면, AlN 패턴층(115)의 열전도도(285[W/m·k])는 다른 투광성 물질인 SiO2, 및 Al2O3의 열전도도보다 높다. 또한 AlN 패턴층(115)의 열 전도도는GaN으로 이루어진 기판(110)의 열전도도(130[W/m·k])보다 높다.
또한 AlN 패턴층(115)의 열팽창계수(4.2[10-6/K])와 GaN으로 이루어진 기판(110)의 열팽창계수(5.3[10-6/K])의 차이는 다른 투광성 물질의 열팽창계수와 기판(110)의 열팽창계수의 차이보다 작다.
패턴층(115)은 기판(110)의 상면(111) 상에 패턴층 형성 물질, 예컨대, AlN를 증착하고, 포토리쏘그라피(photolithography) 공정 및 식각 공정을 통하여 증착된 물질(예컨대, AlN)을 패터닝하여 형성될 수 있다.
패턴층(115)의 두께(T1)는 0.5㎛ ~ 3㎛이하일 수 있다.
패턴층(115)의 두께(T1)가 3㎛ 초과될 경우에는 패터닝 공정이 어려워 원하는 패턴의 형상을 얻을 수 없고, 질화물 반도체층(120), 및 발광 구조물(130)의 성장 시간이 증가할 수 있다.
패턴층(115)의 두께(T2)가 0.5㎛ 미만일 경우에는 열전도 및 열방출 효과가 미비할 수 있다.
예컨대, 다른 실시 예에서는 패턴층(115)의 안정적인 형상을 확보하고 열전도 및 열방출 효과를 안정적으로 확보하기 위하여 패턴층(115)의 두께(T1)는 1㎛ ~ 2㎛일 수 있다.
예컨대, 또 다른 실시 예에서는 열전도 및 열방출 효과를 보다 안정적으로 확보하기 위하여 패턴층(115)의 두께(T1)는 2.5㎛ ~ 3㎛일 수 있다.
식각을 통한 패턴닝 공정에 의하여 패턴층(115)의 측면(112)은 기판(110)의 상면(111)을 기준으로 기울어진 경사면일 수 있다. 예컨대, 패턴층(115)의 측면(112)과 하면의 내각(θ12)은 90°보다 작을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
패턴층(115)은 수직 방향으로 폭 또는 직경이 점차 감소할 수 있다. 예컨대, 도 3 내지 도 6에 도시된 패턴들(115a 내지 115d) 각각은 수직 방향으로 폭 또는 직경이 점차 감소할 수 있다.
여기서 수직 방향은 기판(110)에서 발광 구조물(130)로 향하는 방향으로 기판(110)의 상면(111)과 수직인 방향일 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 패턴층(115)의 일 실시 예(115a)를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 패턴층(115a)은 서로 이격하는 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n, n>1인 자연수)을 포함한다. 예컨대, 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)은 라인 형상 또는 직육면체 형상일 수 있다. 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)은 스트라이프(stripe) 형상일 수 있다.
복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 사이의 거리(d2)와 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 각각의 폭(d1) 사이의 비율(d2:d1)은 1:2.5 ~ 1:10일 수 있다.
예컨대, 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)은 10㎛ ~ 20㎛일 수 있고, 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 사이의 거리(d2)는 2㎛ ~ 4㎛일 수 있다. 이때, d2는 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 사이로 노출되는 기판(110)의 상면의 일 영역의 폭일 수 있다.
복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)이 10㎛미만일 경우, 열방출 효과 및 열전도도 증가 효과가 작아서 발광 소자의 광 출력 효율 및 외부 양자 효율의 개선이 미미하다.
복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)이 20㎛초과일 경우, 패턴층(115a) 상부에 발광 구조물(130)의 성장이 어렵거나 발광 구조물(130)의 성장 시간이 오래 걸린다.
다른 실시 예에서는 열방출 효과 및 열전도도 증가 효과를 상승시킴과 동시에 발광 구조물(130) 성장을 용이하게 하도록 하기 위하여 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)은 14㎛ ~ 16㎛일 수 있다.
다른 실시 예에서는 발광 구조물(130)의 성장을 보다 용이하고, 성장 속도를 높이기 위하여 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)은 10㎛ ~ 14㎛일 수 있다.
또한 다른 실시 예서는 발광 구조물의 용이한 성장보다는 상대적으로 열방출 효과 및 열전도도 증가 효과를 얻기 위하여 복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n)의 폭(d1)은 16㎛ ~ 20㎛일 수 있다.
복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 사이의 거리(d1)가 2㎛미만일 경우, 패턴층(115a) 상부에 발광 구조물(130)의 성장이 어렵거나 발광 구조물(130)의 성장 시간이 오래 걸린다.
복수의 패턴들(115a-1 내지 115a-n) 사이의 거리(d1)가 4㎛초과일 경우, 복수의 패턴들의 폭은 반대로 좁아지게 되므로, 열방출 및 열전도도 증가 효과가 작아서 발광 소자의 광 출력 효율 및 외부 양자 효율의 개선이 미미해질 수 있다.
예컨대, 다른 실시 예에서는 열방출 및 열전도도 증가 효과를 확보하여 광 출력 효율을 개선하기 위하여, 기판(110)의 상면(111)의 전체 면적 대비 패턴층(115a)이 차지하는 면적은 70% 이상일 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 패턴층(115)의 다른 실시 예(115b)를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 패턴층(115a)은 서로 이격하는 복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n) 각각의 형상은 원형, 원통형, 또는 원판형일 수 있다.
도 4에 도시된 복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n) 각각의 직경(d3)은 2㎛ ~ 5㎛일 수 있다. 또한 복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n) 사이의 이격 거리(d4)는 0.4㎛ ~ 1.5㎛일 수 있다.
복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n) 각각의 직경(d3)이 2㎛ 미만일 경우에는, 열방출효과 및 열전도도 증가 효과가 작아서 발광 소자의 광 출력 효율 및 외부 양자 효율의 개선이 미미하다. 예컨대, 열방출효과 및 열전도도 증가 효과를 안정적으로 확보하기 위하여, d3는 3㎛ ~ 4㎛일 수 있다.
복수의 패턴들(115b-1 내지 115b-n)의 직경(d3)이 5㎛초과일 경우에는, 패턴층(115a) 상부에 발광 구조물(130)의 성장이 어렵고, 발광 구조물(130)의 성장 시간이 오래 걸린다. 예컨대, 발광 구조물(130)의 안정적인 성장 및 적절한 성장 시간 확보를 위하여 d4는 0.6㎛ ~ 1㎛일 수 있다.
예컨대, 다른 실시 예에서는 열방출 및 열전도도 증가 효과로 인하여 광 출력 효율 개선은 안정적으로 확보하고, 발광 구조물(130)의 안정적인 성장 및 적절한 성장 시간을 확보하기 위하여, 기판(110)의 상면(111)의 전체 면적 대비 패턴층(115b)이 차지하는 면적은 40% 이상일 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 패턴층(115)의 또 다른 실시 예(115c)를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 패턴층(115c)은 서로 이격하는 복수의 패턴들(115c-1 내지 115c-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 복수의 패턴들(115c-1 내지 115c-n) 각각의 형상은 다각형(예컨대, 사각형), 또는 다면체(예컨대, 육면체)일 수 있다.
도 5에 도시된 복수의 패턴들(115c-1 내지 115c-n) 각각의 직경(d5)은 도 4의 d3에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있으며, 복수의 패턴들(115c-1 내지 115c-n) 사이의 이격 거리(d6)는 도 4의 d4에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
예컨대, 다른 실시 예에서는 열방출 및 열전도도 증가 효과를 확보하여 광 출력 효율을 개선하기 위하여, 기판(110)의 상면(111)의 전체 면적 대비 패턴층(115c)이 차지하는 면적은 40% 이상일 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 패턴층(115)의 또 다른 실시 예(115d)를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 패턴층(115d)은 서로 이격하는 복수의 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다.
예컨대, 패턴층(115d)은 기판(110)의 중심(601)에서 가장 자리(602) 방향으로 순차적으로 배열되는 제1 내지 제n번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n)을 포함하며, 제1 내지 제n번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n) 각각은 링 형상이고, n-1번째 패턴(115d-(n-1))은 n번째 패턴(115d-n)의 내주면 안쪽에 위치한다.
제1 내지 제n 번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수) 각각은 다각형, 예컨대, 삼각형의 링 형상을 가질 수 있다. 도 6에서는 기판(110)의 형상과 동일한 삼각형의 링 형상을 도시하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 사각형, 또는 오각형 등의 형상일 수 있다.
제1 내지 제n번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수)의 외주면의 형상은 기판(110)의 외주면의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
기판(110)의 중심(601)에서 기판(110)의 가장 자리(602)로 향하는 방향으로 제1 내지 제n번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수) 각각의 최단 거리는 감소할 수 있다.
여기서 최단 이격 거리는 기판(110)의 중심(601)으로부터 제1 내지 제n번째 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수) 각각의 외주면까지의 최단 이격 거리일 수 있다.
도 6에 도시된 복수의 패턴들(115d-1 내지 115d-n) 각각의 직경(d7)은 도 4의 d3에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있으며, 복수의 패턴들(115d-1 내지 115d-n) 사이의 이격 거리(d8)는 도 4의 d4에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
또한 예컨대, 다른 실시 예에서는 열방출 및 열전도도 증가 효과를 동시에 확보하여 광 출력 효율을 개선하기 위하여, 기판(110)의 상면(111)의 전체 면적 대비 패턴층(115d)이 차지하는 면적은 70% 이상일 수 있다.
도 6에서의 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수) 각각은 기판(110)의 외주면의 형상과 동일한 외주면의 형상을 갖지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 패턴들(115d-1 내지 115d-n, n>1인 자연수) 각각은 기판(110)의 외주면의 형상과 다른 외주면 형상을 가질 수도 있다.
도 2의 패턴층(115)의 두께(T1)에 대한 설명은 도 3 내지 도 6의 실시 예에 동일하게 적용될 수 있다.
패턴층(115)은 열 방출 및 열 전도의 역할을 충분히 수행하기 위하여 질화물 반도체층(120)의 재성장 온도에서 녹지 않는 물질이어야 한다.
기판(110) 상에 패턴층(115)을 형성한 후에 1000℃ 이상의 고온에서 질화물 반도체층(120)을 패턴층(115)이 형성된 기판(110) 상에 성장시킨다. 질화물 반도체층(120)을 성장시키는 공정 과정에서 패턴층(115)이 녹는다면, 원하는 패턴층의 형상 및 사이즈(예컨대, 폭과 두께)를 보장할 수 없고, 이로 인하여 열방출 및 열전도도 증가 효과에 따른 광 추출 효율 향상의 효과를 얻을 수 없다.
질화물 반도체층(120)은 패턴층(115) 및 기판(110) 상에 배치된다.
예컨대, 질화물 반도체층(120)은 패턴층(115) 사이의 공간을 채우고, 패턴층(115)을 덮을 수 있다.
질화물 반도체층(120)은 기판(110)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 질화물 반도체층(1220)은 기판(110)과 동일한 조성, 예컨대, 동일한 구성 성분 및 구성 성분들 간의 동일한 함량비를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 기판(110)과 다른 물질로 이루어질 수도 있다. 또는 다른 실시 예에서는 질화물 반도체층(120)은 기판(110)과 동일한 구성 성분을 포함하지만, 구성 성분들 간의 함량비가 기판(110)과 다를 수 있다.
질화물 반도체층(120)은 기판(110)과 발광 구조물(130) 간의 격자 상수의 차이를 완화하여 격자 부정합에 따른 결정 결함을 방지하는 버퍼층(buffer layer) 역할을 할 수도 있다.
질화물 반도체층(120)이 기판(110)과 동일한 물질, 예컨대, GaN 또는 AlGaN로 이루어질 경우, 기판(110)과 질화물 반도체층(120)을 함께 질화물 반도체층이라고 정의할 수 있으며, 패턴층(115)은 질화물 반도체층(110, 120) 내부에 배치될 수 있으며, 복수의 패턴들은 수평 방향으로 서로 이격하여 나란하게 배열될 수 있다.
발광 구조물(130)은 질화물 반도체층(120) 상에 배치된다.
발광 구조물(130)은 질화물 반도체층(120) 상에 순차적으로 적층되는 제1 도전형반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형반도체층(126)을 포함할 수 있다.
제1 도전형반도체층(122)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체, 예컨대, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te 등)가 도핑될 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형반도체층(122) 및 제2 도전형반도체층(126)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(124)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 양자 점(Quantum Dot), 또는 양자 디스크(Quantum Disk) 구조를 가질 수 있다.
활성층(124)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 예컨대, 활성층(124)이 양자우물구조인 경우, 활성층(124)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮을 수 있다. 우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.
제2 도전형반도체층(126)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물, 예컨대, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
발광 구조물(130)은 기판(110)과 동일한 형상일 수 있다. 예컨대, 측면을 통하여 추출되는 빛의 비율을 높이기 위하여 기판(110)은 오면체, 예컨대, 삼각 기둥 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 육면체, 예컨대, 사각 기둥 형상일 수도 있다.
예컨대, 발광 구조물(130)의 이웃하는 2개의 측면들 사이의 내각은 예각, 예컨대, 45°또는 60°일 수 있다.
도 1에서는 삼각 기둥 형상의 기판(110), 삼각 기둥 형상의 질화물 반도체층(120) 및 삼각 기둥 형상의 발광 구조물(130)을 도시하나, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 기판, 질화물 반도체층, 및 발광 구조물 각각이 동일한 다면체(예컨대, 육면체) 또는 다각 기둥(예컨대, 사각 기둥) 형상을 가질 수 있다.
발광 구조물(130)은 제1 전극(142)과의 전기적 접촉을 위하여 위하여 제1 도전형 반도체층(122)을 노출하는 일 영역(204)을 가질 수 있다.
제1 전극(142)은 노출되는 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역(204) 상에 배치 및 접속될 수 있다.
제2 전극(144)은 제2 도전형반도체층 상에 배치될 수 있으며, 제2 도전형반도체층(126)과 전기적으로 접촉된다. 제1 전극(142), 및 제2 전극(144) 각각은 도전성 물질, 예컨대, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중적어도하나를포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
또한 도 1 및 도 2에는 도시되지 않았지만, 다른 실시 예에 따른 발광 소자는 발광 구조물(130), 또는 기판(110) 중 적어도 하나의 측면을 감싸는 패시베이션층(passivation layer)을 더 포함할 수 있다.
기판을 포함하는 발광 소자는 장시간 사용하면 효율 저하가 발생한다. 이러한 효율 저하에는 전류 밀도 저하에 기인하는 J-droop과 발광 소자의 온도가 증가함에 따라 발광 효율이 감소하는 T-droop이 있다.
낮은 순방향 전류에서 발광 소자의 외부 양자 효율은 최대값을 가지며, 순방향 전류가 증가할수록 전류 밀도가 저하된다. 발광 소자의 온도가 증가할수록 외부 양자 효율은 크게 감소한다.
기판(110)과 발광 구조물(130) 사이에 열 전도도가 높은 패턴층(115)을 삽입함으로써, 실시 예는 발광 소자(100)의 열 방출 효과를 향상시킬 수 있고, 발광 소자(100)의 온도가 상승하는 것을 완화시킬 수 있으며, 이로 인하여 발광 소자(100)의 온도 증가에 기인하는 T-droop의 정도를 완화하여 발광 효율, 예컨대, 외부 양자 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200)의 사시도를 나타내고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 소자(200)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 발광 소자(200)는 기판(240), 기판(240) 상에 배치되는 제1 전극(250), 반도체 기판(240) 아래에 배치되는 질화물 반도체층(230), 질화물 반도체층(230) 내에 배치되는 패턴층(225), 질화물 반도체층(230) 아래에 배치되는 발광 구조물(220), 및 발광 구조물 아래에 배치되는 제2 전극(210)을 포함한다.
도 8에서는 아래에 위치하는 기판(240)의 일면을 기판(240)의 상면이라 하고, 위에 위치하는 기판(240)의 일면을 기판(240)의 하면이라 하고, 위에서 아래 방향으로 배치되는 순서에 따라 층들을 설명한다.
기판(240)은 도 1 및 도 2의 기판(110)과 동일할 수 있으며, 기판(110)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
패턴층(225)은 기판(240)의 일면(예컨대, 상면(241)에 배치될 수 있다. 패턴층(225)은 도 1 및 도 2의 패턴층(115)과 동일할 수 있으며, 도 2 내지 도 6의 패턴층(115, 115a 내지 115d)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
질화물 반도체층(230)은 패턴층(115)이 형성된 기판(110)의 상면(241) 상에 배치된다. 질화물 반도체층(230)은 도 1 및 도 2의 질화물 반도체층(120)과 동일할 수 있고, 질화물 반도체층(120)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
발광 구조물(220)은 질화물 반도체층(120) 상에 배치된다.
질화물 반도체층(230)이 기판(240)과 동일한 물질, 예컨대, GaN 또는 AlGaN로 이루어질 경우, 기판(240)과 질화물 반도체층(230)을 함께 질화물 반도체층이라고 정의할 수 있으며, 패턴층(225)은 질화물 반도체층(240, 230) 내부에 배치될 수 있으며, 복수의 패턴들은 수평 방향으로 서로 이격하여 나란하게 배열될 수 있다.
발광 구조물(220)은 질화물 반도체층(230) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222), 활성층(224), 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(220)은 도 1 및 도 2의 발광 구조물(130)과 동일할 수 있고, 발광 구조물(130)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있으나, 제1 전극 배치를 위하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(130)의 일 영역에 대한 설명은 적용되지 않는다.
제1 전극(250)은 기판(240)의 다른 일면(예컨대, 상면(241)의 반대면인 하면(242)) 상에 배치된다.
제2 전극(210)은 발광 구조물(220)의 제2 도전형 반도체층(226) 상에 배치된다.
도 1에서는 발광 구조물(130)을 기준으로 제1 및 제2 전극들 모두 발광 구조물(220)의 상부에 위치하지만, 도 8에서는 발광 구조물(220)을 기준으로 제1 전극(250)은 발광 구조물(220) 상부에 배치될 수 있고, 제2 전극(210)은 발광 구조물(220)의 하부에 배치될 수 있다.
제2 전극(250)은 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성되는 반사층을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서는 반사층은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 반사층은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성될 수 있다.
제2 전극(250)은 반사층과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 오믹층을 더 포함할 수 있다. 오믹층은 제2 도전형 반도체층(226)과 오믹 접촉하는 금속, 예컨대, In, Zn, Sn, Ni, Pt, 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 오믹층은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 형성될 수 있다. 예컨대, 오믹층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 구현될 수 있다.
제2 전극(250)은 반사층 아래에 배치되는 지지 기판을 더 포함할 수 있다.
또한 제2 전극(250)은 지지 기판과 반사층 사이에 배치되는 배리어층을 더 포함할 수 있다. 또한 제2 전극(250)은 배리어층과 지지 기판 사이에 배치되는 본딩층을 더 포함할 수 있다.
도 8에는 도시되지 않았지만, 발광 소자(200)는 발광 구조물(220)의 측면, 질화물 반도체층(230)의 측면, 및 기판(240)의 측면을 덮는 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
기판(240)과 발광 구조물(220) 사이에 열 전도도가 높은 패턴층(225)을 삽입함으로써, 실시 예는 발광 소자(200)의 열 방출 효과를 향상시킬 수 있고, 발광 소자(200)의 온도가 상승하는 것을 완화시킬 수 있으며, 이로 인하여 발광 소자(200)의 온도 증가에 기인하는 T-droop의 정도를 완화하여 발광 효율, 예컨대, 외부 양자 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 10a는 도 3에 도시된 실시 예의 변형 예이고, 도 10b는 도 4에 도시된 실시 예의 변형 예이고, 도 10c는 도 5에 도시된 실시 예의 변형 예이고, 도 10d는 도 6에 도시된 실시 예의 변형 예일 수 있다.
도 1의 실시 예의 기판(110), 질화물 반도체층(120), 및 발광 구조물(130)은 삼각 기둥 형상이지만, 도 10a 내지 도 10d의 실시 예에 포함되는 기판, 질화물 반도체층, 및 발광 구조물(130a)은 사각 기둥 또는 육면체 형상일 수 있다.
도 3 내지 도 6에 도시된 패턴층(115a 내지 115d), 패턴층(115a 내지 115d)의 폭 또는 직경(d1, d3, d5, d7), 및 패턴층들 사이의 거리(d2,d4,d6,d8)에 대한 설명은 도 10a 내지 도 10d에 도시된 패턴층(215a, 215b,215c,215d), 패턴층(215a, 215b,215c,215d)의 폭 또는 직경, 및 패턴층들 사이의 거리에 적용될 수 있다.
또한 실시 예에 따른 기판, 질화물 반도체층, 및 발광 구조물의 형상은 상술한 바에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 기판, 질화물 반도체층, 및 발광 구조물 각각이 서로 동일한 형상의 다면체(예컨대, 육면체) 또는 다각 기둥(예컨대, 사각 기둥) 형상을 가질 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(600)를 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 발광 소자 패키지(600)는 패키지 몸체(610), 제1 및 제2 리드 프레임들(612, 614), 발광 소자(620), 반사판(625), 와이어(630) 및 수지층(640)을 포함한다.
패키지 몸체(610)의 상면에는 캐비티(cavity)가 형성될 수 있다. 캐비티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다. 도 6의 실시 예에서 패키지 몸체(610)는 캐비티가 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 캐비티가 생략될 수 있다.
패키지 몸체(610)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.
또는 패키지 몸체(610)는 수지 재질, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 또는 EMC 수지로 형성될 수 있다. 실시 예는 상술한 패키지 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.
제1 및 제2 리드 프레임들(612, 614)은 열 배출이나 발광 소자의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(610)에 배치된다. 제1 및 제2 리드 프레임들(612,614) 각각은 도전층으로 이루어질 수 있다.
발광 소자(620)는 리드 프레임(612, 614)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(620)는 실시 예들(100, 200) 중 어느 하나일 수 있다. 도 6에서는 도 7 및 도 8에 도시된 실시 예(200)가 도시되나, 다른 실시 예에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시 예(100)가 플립 칩 본딩에 의하여 리드 프레임들(612,614)에 본딩될 수도 있다.
반사판(625)은 발광 소자(620)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향시키도록 패키지 몸체(610)의 캐비티 측벽에 형성된다. 반사판(625)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다. 다른 실시 에에서는 반사판(625)이 생략될 수도 있다.
수지층(640)은 패키지 몸체(610)의 캐비티 내에 위치하는 발광 소자(620)를 포위하여 발광 소자(620)를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 수지층(640)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 수지층(640)에는 발광 소자(620)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체가 포함될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 12는 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 광원부(1210)는 실시 예에 따른 발광 소자(100,200), 또는 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 13은 실시 예에 따른 표시 장치(800)를 나타낸다.
도 13을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 상술한 실시 예(600)일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다.
나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판 115: 패턴층
120: 질화물 반도체층 130: 발광 구조물
132: 제1 도전형 반도체층 134: 활성층
136: 제2 도전형 반도체층 142: 제1 전극
144: 제2 전극.
120: 질화물 반도체층 130: 발광 구조물
132: 제1 도전형 반도체층 134: 활성층
136: 제2 도전형 반도체층 142: 제1 전극
144: 제2 전극.
Claims (14)
- 반도체 기판;
상기 반도체 기판 상에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 패턴들을 포함하는 패턴층;
상기 패턴층 상에 배치되는 질화물 반도체층; 및
제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 질화물 반도체층 상에 배치되는 발광 구조물을 포함하며,
상기 패턴층의 열 전도도는 상기 반도체 기판의 열전도도, 및 상기 발광 구조물의 열 전도도보다 높은 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 AlN층인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 AlN층인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 패턴들은 스트라이프(strife) 형상이고,
상기 복수의 패턴들 각각의 폭은 10㎛ ~ 20㎛이고,
상기 복수의 패턴들 사이의 이격 거리는 2㎛ ~ 4㎛인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 패턴들 각각은 원판형, 또는 다면체 형상이고,
상기 복수의 패턴들 각각의 직경은 2㎛ ~ 5㎛이고,
상기 복수의 패턴들 사이의 이격 거리는 0.4㎛ ~ 1.5㎛인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
수직 방향으로 상기 복수의 패턴들 각각의 폭 또는 직경은 감소하고,
상기 수직 방향은 상기 반도체 기판에서 상기 발광 구조물로 향하는 방향인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 투광성의 절연 물질인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 상기 반도체 기판의 중심에서 가장 자리 방향으로 제1 내지 제n번째 패턴들을 포함하며,
상기 제1 내지 제n번째 패턴들 각각은 링 형상이고,
n-1번째 패턴은 n번째 패턴의 내주면 안쪽에 위치하는 상기 반도체 기판의 상부면에 배치되는 발광 소자. - 제4항에 있어서,
상기 반도체 기판의 상면의 전체 면적 대비 상기 패턴층이 차지하는 면적은 70% 이상인 발광 소자. - 제5항에 있어서,
상기 반도체 기판의 상면의 전체 면적 대비 상기 패턴층이 차지하는 면적은 40% 이상인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 반도체 기판은 GaN층, 또는 AlGaN층 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제11항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 상기 반도체 기판과 동일한 물질인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 상기 질화물 반도체층 내부에 배치되는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 패턴들은 수평 방향으로 서로 이격하여 나란하게 배열되는 발광 소자.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160000795A KR102504323B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 발광 소자 |
| US16/068,091 US11355672B2 (en) | 2016-01-05 | 2017-01-04 | Semiconductor device |
| JP2018554300A JP7094558B2 (ja) | 2016-01-05 | 2017-01-04 | 半導体素子 |
| EP17736084.9A EP3401966B1 (en) | 2016-01-05 | 2017-01-04 | Semiconductor device |
| CN201780015428.5A CN108780828B (zh) | 2016-01-05 | 2017-01-04 | 半导体器件 |
| PCT/KR2017/000091 WO2017119711A1 (ko) | 2016-01-05 | 2017-01-04 | 반도체 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160000795A KR102504323B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170081847A true KR20170081847A (ko) | 2017-07-13 |
| KR102504323B1 KR102504323B1 (ko) | 2023-02-28 |
Family
ID=59352684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160000795A KR102504323B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102504323B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634538B1 (ko) * | 2005-02-05 | 2006-10-13 | 삼성전자주식회사 | 효율적인 냉각 구조를 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US20070295951A1 (en) * | 2006-06-26 | 2007-12-27 | Jen-Inn Chyi | Light-emitting diode incorporating an array of light extracting spots |
| US20140167066A1 (en) * | 2011-07-12 | 2014-06-19 | Marubun Corporation | Light emitting element and method for manufacturing same |
| KR20140092957A (ko) * | 2013-01-04 | 2014-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
-
2016
- 2016-01-05 KR KR1020160000795A patent/KR102504323B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634538B1 (ko) * | 2005-02-05 | 2006-10-13 | 삼성전자주식회사 | 효율적인 냉각 구조를 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US20070295951A1 (en) * | 2006-06-26 | 2007-12-27 | Jen-Inn Chyi | Light-emitting diode incorporating an array of light extracting spots |
| US20140167066A1 (en) * | 2011-07-12 | 2014-06-19 | Marubun Corporation | Light emitting element and method for manufacturing same |
| KR20140092957A (ko) * | 2013-01-04 | 2014-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102504323B1 (ko) | 2023-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20120001538A1 (en) | Light emitting device package and light emitting module | |
| EP2827387B1 (en) | Light emitting device | |
| KR20130025232A (ko) | 발광 소자 | |
| KR101984785B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20160003421A (ko) | 발광 소자 | |
| KR101663192B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20140029617A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| EP3401966B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR102160776B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR102504323B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR101983779B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR102209037B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20150017241A (ko) | 발광소자 | |
| KR20150030449A (ko) | 발광 소자 | |
| KR102076237B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20150008592A (ko) | 발광 소자 | |
| KR102187508B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20150088581A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20190025868A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20140100684A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20130064249A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20130065095A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20180068907A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20150098848A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20150098847A (ko) | 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |