KR20150009940A - 반도체 기판 프로세싱 장치용 냉각된 핀 리프터 패들 - Google Patents

반도체 기판 프로세싱 장치용 냉각된 핀 리프터 패들 Download PDF

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Abstract

반도체 기판 프로세싱 장치가 반도체 기판을 상승시키고 하강시키기 위한 냉각된 핀 리프터 패들을 포함한다. 반도체 기판 프로세싱 장치는 반도체 기판이 프로세싱되는 프로세싱 챔버, 프로세싱 챔버 내의 반도체 기판을 지지하기 위한 가열된 페데스탈, 및 페데스탈 아래에 위치된 냉각된 핀 리프터 패들을 포함한다. 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드 및 외연 부분에 냉각된 핀 리프터 패들의 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함한다. 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 상기 페데스탈의 대응하는 홀들을 통해 이동하도록 수직으로 이동가능하고, 냉각제의 소스는 적어도 하나의 플로우 통로와 유체로 연통한다.

Description

반도체 기판 프로세싱 장치용 냉각된 핀 리프터 패들{COOLED PIN LIFTER PADDLE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 반도체 기판 프로세싱 장치에 관한 것이고, 보다 상세하게는 반도체 기판 프로세싱 장치의 냉각된 핀 리프터 패들 (cooled pin lifter paddle) 에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼들과 같은 반도체 기판 물질들은 금속 물질, 유전 물질 및 반도체 물질의 화학적 기상 증착 (CVD) 또는 플라즈마-강화된 화학적 기상 증착 (PECVD) 과 같은 증착 프로세스들; 할로겐-함유 잔여물 제거 프로세스들 (즉, 디가스 (degassing)), 및 레지스트 스트리핑 프로세스들을 포함하는 기법들에 의해 프로세싱된다.
반도체 집적 회로 (IC) 프로세스들은 기판들 상에 디바이스들을 형성하는 단계를 포함한다. 도전성 물질층 및 절연 물질층은 기판들 상에 증착된다. 레지스트는 층 스택 위에 마스킹 층으로서 적용될 수 있고, 에칭이 바람직하지 않은 기저 물질의 부분들을 보호하도록 패터닝될 수 있다. 에칭 프로세스가 완료된 후, 레지스트는 유기 스트리퍼들, 산화-타입 스트리퍼들, 또는 플라즈마 에칭에 의한 건조 스트리핑과 같은 스트리핑 기법에 의해 구조물로부터 제거되고/제거되거나, 에칭 동안 반도체 기판 상에 축적될 수 있는 할로겐 함유 잔여물이 디가스 챔버 내에서 디가스 기법에 의해 제거될 수 있다.
반도체 기판을 상승시키고 하강시키기 위한 냉각된 핀 리프터 패들을 포함하는 반도체 기판 프로세싱 장치가 본 명세서에 개시된다. 반도체 기판 프로세싱 장치는 반도체 기판이 프로세싱되는 프로세싱 챔버, 프로세싱 챔버 내의 반도체 기판을 지지하기 위한 가열된 페데스탈 (pedestal), 및 냉각된 핀 리프터 패들을 포함한다. 냉각된 핀 리프터 패들은 페데스탈 아래에 위치되고, 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드 (heat shield) 및 외연 (outer peripheral) 부분에 냉각된 핀 리프터 패들의 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함하고, 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 반도체 기판을 리프트시키기 위해 페데스탈의 대응하는 홀들을 통해 이동하도록 수직으로 이동가능하다. 냉각제의 소스는 적어도 하나의 플로우 통로와 유체로 연통한다.
반도체 기판 프로세싱 장치의 페데스탈 아래에 위치되도록 구성된 냉각된 핀 리프터 패들 또한 본 명세서에 개시된다. 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드 및 외연 부분에 냉각된 핀 리프터 패들의 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함하고, 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 반도체 기판을 리프트시키기 위해 페데스탈의 대응하는 홀들을 통해 이동하도록 수직으로 이동가능하다.
도 1은 레지스트 스트리핑 챔버의 일 실시예를 도시한다.
도 2는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 냉각된 핀 리프터 패들의 일 실시예를 도시한다.
도 3a-c는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 냉각된 핀 리프터 패들 및 페데스탈의 일 실시예를 도시한다.
후속하는 설명에서, 다수의 특정 상세들이 본 명세서에 설명된 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 설명된 실시예들은 이러한 특정 상세들의 일부가 없이도 실시될 수도 있음이 당업자에게 명확할 것이다. 다른 예시들에서, 이미 잘 알려진 경우, 구현예 상세 및 프로세스 동작들은 상세하게 설명되지 않는다. 추가적으로, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "약"은 ± 10%를 지칭한다.
반도체 기판 프로세싱 동안, 프로세싱 챔버의 벽들은, 벽들에 인접한 컴포넌트들이 프로세싱 동안 생성된 열을 흡수하지 않도록, 냉각될 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판 프로세싱 챔버의 저부벽은 저부벽 내에 플로우 통로들을 포함할 수 있고, 온도 제어된 유체가, 기저 컴포넌트가 생성된 열에 의해 가열되지 않도록, 프로세싱 동안 생성된 열을 흡수하기 위해 순환될 수 있다. 그러나, 챔버의 저부벽 내의 플로우 통로들을 포함하는 것은 챔버의 전체 높이를 증가시킨다. 반도체 기판 프로세싱 챔버들의 높이를 감소시키기 위해, 냉각된 핀 리프터 패들이 챔버의 페데스털 아래에 위치될 수 있고, 냉각된 핀 리프터 패들은 챔버의 패데스탈 아래에 위치될 수 있고, 냉각된 핀 리프터 패들은 페데스탈로부터 챔버의 저부벽으로의 열을 쉴딩 (shield) 할 수 있다. 이러한 방식에서, 저부벽 내의 플로우 통로들은 요구되지 않고, 저부벽의 두께는 감소될 수 있고, 그에 의해 반도체 기판 프로세싱 챔버의 높이가 감소될 수 있다.
실리콘 웨이퍼들과 같은 반도체 기판들용 반도체 기판 프로세싱 장치들은 기판 상에 도전성 물질 또는 유전체 물질을 증착하거나, 기판의 금속층과 유전층을 에칭하거나, 기판의 반도체 구조물들용 마스크로서 사용되는 레지스트 (또는 "포토레지스트") 를 제거하거나, 에칭 프로세스들 동안 기판 상에 형성되는 할로겐 함유 잔여물들을 제거하기 위한 반도체 디바이스 제조 프로세스들에서 사용되는 반도체 기판 프로세싱 챔버들을 포함한다.
레지스트 스트리핑 프로세스 또는 디가스 프로세스와 같은 기판 (예를 들어, 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이 기판, 유전체 물질 등등) 의 프로세싱 동안, 기판은 반도체 기판 프로세싱 장치의 반도체 기판 프로세싱 챔버 ("프로세싱 챔버") 내로 전송되고, 페데스탈 상으로 로딩된다. 프로세싱 챔버는 레지스트가 플라즈마 에칭에 의해 기판으로부터 제거될 수도 있고 할로겐-함유 잔여물들이 디가스 프로세스에 의해 기판으로부터 제거될 수도 있는 프로세싱을 수행하기 위해 프로세스 환경을 제공한다. 전체 기판 프로세싱 장치의 부분인 기판 핸들링 시스템이 프로세싱 챔버로 그리고 프로세싱 챔버로부터 기판을 로딩하고 언로딩하는데 사용되고, 페데스탈 아래에 있는 냉각된 핀 리프터 패들의 상부 표면 상에 포함된 리프트 핀들이 프로세싱 챔버 내의 페데스탈의 상부 표면으로 그리고 상부 표면으로부터 기판을 상승시키고 하강시키도록 구성된다. 기판을 삽입하는 단계, 기판을 프로세싱하는 단계 및 기판을 제거하는 단계는 복수의 기판들에 대해 순차적으로 반복될 수도 있다.
따라서, 일 실시예에서, 리프트 핀들은 페데스탈 아래에 위치된 냉각된 핀 리프터 패들의 열 쉴드의 상부 표면 상에 있고, 열 쉴드는 페데스탈로부터 프로세싱 챔버의 낮은 위치로의 열을 쉴딩한다. 냉각된 핀 리프터 패들은 또한 외연 부분 내에 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함하고, 열 쉴드는 외연 부분에 일체화된다. 냉각된 핀 리프터 패들의 적어도 하나의 플로우 통로는 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제 소스를 통해 냉각제를 공급하도록 동작가능한 냉각제 소스와 유체로 연통되고, 그에 의해 냉각된 핀 리프터 패들을 원하는 온도로 냉각시킨다. 페데스탈의 표면의 동적 온도 제어는 낮은 열 질량 (thermal mass) 을 갖는 열 쉴드 및 빠른 응답 능력을 갖는 냉각제 소스의 결합에 의해 강화될 수 있다. 나아가, 열은 열 쉴드 아래의 반도체 기판 프로세싱 장치 컴포넌트들로부터 쉴딩될 수도 있다. 바람직하게는 냉각제 소스가 또한 냉각제의 온도 및/또는 플로우 레이트와 같은 냉각제의 선택된 파라미터들을 제어할 수 있다.
도 1은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 냉각된 핀 리프터 패들을 포함할 수 있는 레지스트 스트리빙 챔버 (10) 의 일 실시예를 도시한다. 따라서, 냉각된 핀 리프터 패들의 실시예들은 디가스 챔버에 포함될 수 있다. 예시적인 디가스 챔버는 본 명세서에 전체로서 참조로 병합되는 공동-소유된 미국 특허 번호 제8,232,538호에서 확인될 수 있다.
레지스트 스트리핑 챔버 (10) 는 측벽 (12), 저부벽 (14), 및 커버 (16) 를 포함한다. 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 의 벽들 (12, 14) 및 커버 (16) 는 양극화된 (anodized) 알루미늄 또는 베어 알루미늄 (bare aluminum) 과 같은 임의의 적합한 물질로 이루어질 수 있다. 커버 (16) 는, 세정, 교체, 또는 다른 목적들을 위해 배플 (baffle) (50) 을 제거하도록 커버 (16) 가 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 의 내부를 가로지르도록 개방되게 하기 위해, 바람직하게는 피봇가능하게 (pivotably) 힌지들에 의해 측벽 (12) 에 부착된다. 일 실시예에서, 커버 (16) 는 호이스트 (hoist) 와 함께 리프트될 수 있다. 예시적인 배플은 본 명세서에 전체로서 참조로 병합되는 공동-소유된 미국 특허 번호 제7,811,409호에서 확인될 수 있다. 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 는 또한 저부벽 (14) 또는 대안적으로 측벽 (12) 에 진공 포트들 (18) 을 포함할 수 있다.
레지스트 스트리핑 챔버 (10) 는 또한 웨이퍼 또는 레스트들 (rests) 과 같은 반도체 기판 (22) 이 레지스트 스트피링 동안 장착되는 페디스탈 (20) 을 포함한다. 기판 (22) 은 선행하는 에칭 또는 증착 프로세스 동안 기판 (22) 의 기저층들을 보호하기 위한 마스킹층을 제공하는 레지스트를 포함한다. 기저층들은 도전성 물질, 절연 물질 및/또는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 페데스탈 (20) 은 바람직하게는 레지스트 스트리핑 프로세스 동안 적합한 온도, 바람직하게는 약 200℃ 내지 약 300℃, 보다 바람직하게는 약 250℃ 내지 약 300℃, 가장 바람직하게는 약 280℃ 내지 약 300℃에서 기판 (22) 을 유지하도록 구성된 저항성 가열 엘리먼트와 같은 가열기를 포함한다. 기판 (22) 은, 측벽 내에 제공되는 기판 진입 포트 (26) 를 통해 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 내로 도입될 수 있고 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 로부터 제거될 수 있다.
일 실시예에서, 원격 플라즈마 소스 (30) 가 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 와 유체로 연통되어 배열된다. 플라즈마 소스 (30) 는 레지스트가 페데스탈 (20) 상에 지지된 기판으로부터 제거될 수 있도록 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 에 연결된 통로 (32) 를 통해 레지스트 스트리핑 챔버의 내부로 플라즈마를 생산하고 반응성 종들을 공급하도록 동작가능하다. 플라즈마 소스 (30) 의 예시된 실시예는 원격 에너지 소스 (36) 및 스트리핑 가스 소스 (34) 를 포함한다. 에너지 소스 (36) 는 RF 생성기 또는 마이크로웨이브 생성기와 같은 임의의 적합한 소스일 수 있다.
가스 소스 (34) 는 화살표 (38) 에 의해 나타내어진 프로세스 가스를 통로 (40) 내로 공급하도록 동작가능하고, 가스는 에너지 소스 (36) 에 의해 생산된 마이크로웨이브 또는 RF 에너지에 의해 플라즈마 상태로 에너자이징된다 (energized). 반응성 종들은 개구부 (44) 를 통해 레지스트 스트리핑 챔버 (10) 내로 통과한다.
반응성 종들은 바람직하게는 알루미늄으로부터 형성되고 커버 (16) 와 페데스탈 (20) 사이에 위치된 배플 (50) 에 의해, 반응성 종들이 기판 (22) 상으로 흐르고 레지스트를 스트리핑하기 전에 레지스트 스트리핑 챔버 내로 분배된다. 바람직하게는 기판 (22) 은 레지스트 스트리핑 동안 페데스탈 (20) 내에 위치된 가열기에 의해 가열된다. 레지스트 스트리핑 동안 생성된 폐기물들은 진공 포트들 (18) 을 통해 레지스트 스트리핑 챔버(10) 밖으로 펌핑된다.
도 2는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 반도체 기판 프로세싱 장치 내의 페데스탈 아래에 위치될 수 있는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 을 도시한다. 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 페데스탈로부터 프로세싱 챔버의 낮은 부분으로의 열을 쉴딩하는 열 쉴드 (325) 및 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 의 적어도 하나의 플로우 통로를 포함한다. 외연 부분 (330) 의 적어도 하나의 통로는 열 쉴드 (325) 를 둘러싼다. 냉각된 핀 리프터 패들 (325) 은 알루미늄, 알루미늄 합금, 알루미나, 실리콘 카바이드 (carbide), 또는 알루미늄 나이트라이드 (nitride) 로부터 형성될 수 있고, 바람직한 실시예에서, 냉각된 핀 리프터 패들 (325) 은 캐스트된 (cast) 알루미늄 또는 캐스트된 알루미늄 합금으로 이루어진다. 일 실시예에서, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 열 쉴드 (325) 의 상부 표면과 같은 표면은 양극화된다.
바람직하게는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 또한 스텝 모터 또는 공압 액추에이터 (pneumatic actuator) 에 의해 구동되는 리프트 메커니즘과 같은 리프트 메커니즘에 부착되도록 구성된 아암 (arm) (335) 을 포함하고, 아암 (335) 은 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 의 적어도 하나의 플로우 통로의 각각의 플로우 통로에 대한 유입구 및 유출구를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 제1 플로우 통로 및 제2 플로우 통로를 포함하고, 열이 열 쉴드 (325) 로부터 균일하게 제거되도록 제1 플로우 통로 내의 냉각제는 제2 플로우 통로 내의 냉각제와 반대 방향으로 흐른다. 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 열 쉴드 (325) 의 상부 표면 상에 리프트 핀들 (340) 을 포함하고, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 이 각각 상승되거나 하강되는 때에 리프트 핀들 (340) 의 팁들은 페데스탈의 기판과 접촉하고, 페데스탈의 기판을 상승시키거나 페데스탈 상으로 기판을 하강시킨다. 바람직하게는 열 쉴드 (325) 가 균일한 두께의 평판이고, 외연 부분 (330) 은 평판보다 큰 두께를 갖는다. 바람직하게는, 외연 부분 (330) 이 열 쉴드 (325) 주위의 환형 (annular) 링을 형성하고, 환형 링의 내경은 페데스탈 (20) 보다 크다. 바람직한 실시예에서, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 아암 (335) 은 수평 부분 (335a) 및 경사진 부분 (335b) 을 포함한다. 바람직하게는 아암 (335) 이 열 쉴드 (325) 및 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 과 일체화되고, 아암 (335) 은 열 쉴드 (325) 및 외연 부분 (330) 과 같은 물질로부터 형성되나, 대안적인 실시예에서, 아암 (335) 은 열 쉴드 (325) 및 외연 부분 (330) 과 상이한 물질로부터 형성될 수 있다.
도 3a는 레지스트 스트리핑 챔버 또는 디가스 챔버와 같은 프로세시 챔버의 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 및 페데스탈 (20) 의 일 실시예를 도시하고, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 가열된 페데스탈 (20) 아래에 위치된다. 페데스탈 (20) 은 바람직하게는 페데스탈 (20) 을 측벽 (12) 의 환형 플랜지 (12a) 에 부착하는 굴곡부들 (flexures) (390) 에 의해 지지된다. 각각의 굴곡부 (390) 는, 그들이 반도체 기판 프로세싱 (예를 들어, 레지스트 스트리핑 프로세스들 또는 디가스 프로세스) 동안 페데스탈 (20) 의 열 팽창을 수용할 수도 있도록, 그 내에 회전부들 (turns) 을 포함한다. 바람직한 실시예에서, 각각의 굴곡부는 적어도 4개의 회전부들을 포함한다. 바람직하게는, 각각의 굴곡부는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로부터 형성되고, 선택적으로 측벽 (12) 에 대해 페데스탈 (20) 을 접지키시도록 동작할 수 있다.
냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 아암 (335) 은 챔버의 측벽 (12) 의 개구부 (54) 를 통해 수평으로 연장한다. 기판을 프로세싱하기 위해, 기판은 챔버 내로 로딩되고 페데스탈 (20) 의 상부 표면 상에 배치되고, 페데스탈 (20) 의 상부 표면으로 그리고 상부 표면으로부터 기판을 상승시키고 하강시키기 위해 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 페데스탈 (20) 내의 대응하는 홀들을 통해 이동하도록, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 수직으로 이동가능하다. 바람직하게는, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 아암 (335) 은 수평 부분 (335a) 및 경사진 부분 (335b) 을 포함한다. 일 실시예에서, 로봇 아암 (미도시) 이 기판을 기판 진입 포트 (26) 를 통해 프로세싱 챔버 내로 전송할 수 있다. 그 상부 표면 상에 리프트 핀들을 포함하는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 리프트 메커니즘 (400) 에 의해 상승되고 하강될 수 있다. 바람직하게는, 리프트 메커니즘은 공압 액추에이터이다. 예시적인 공압 액추에이터는 본 명세서에 전체로서 참조로 병합되는 공동-소유된 미국 특허 번호 제8,313,612호에서 확인될 수 있다.
로봇 아암은 각각의 리프트 핀들의 팁들 위에 기판을 위치시킬 수 있고, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 로봇 아암으로부터 기판을 제거하도록 상승될 수 있고, 기판이 페데스탈 (20) 의 상부 표면 상에 대치되도록 하강될 수 있다. 기판을 프로세싱한 후, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 리프트 핀들이 페데스탈 (20) 의 상부 표면으로부터 기판을 리프트하도록 상승될 수 있고, 이는 기판이 로봇 아암으로 전송되게 하고 로봇암을 통해 프로세싱 챔버로부터 제거되게 한다.
페데스탈 (20) 은 바람직하게는 가열되고, 페데스탈 (20) 은 그 내에 임베디드된 저항성 가열 엘리먼트와 같은 레지스트 스트리핑 프로세스 동안 적합한 온도에서 기판을 유지하도록 구성된 적어도 하나의 가열기를 포함할 수 있다. 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 페데스탈 (20) 으로부터 열 쉴드 (325) 아래의 챔버 컴포넌트들로의 열을 쉴딩하는 열 쉴드 (325) 를 포함한다. 열 쉴드 (325) 의 직경은 바람직하게는 페데스탈 (20) 의 직경보다 크고, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 이 업 위치 (up position) 인 경우 열 쉴드 (325) 를 둘러싸는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 은 패데스탈 (20) 을 둘러싼다. 예를 들어, 외연 부분 (330) 의 내경은 페데스탈 (20) 의 직경 보다 클 수 있다. 적어도 하나의 환형 플로우 통로 (360) 는 외연 부분 (330) 에 포함되고, 열 쉴드 (325) 에 의해 수집된 (흡수된) 열이 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 로부터 제거될 수도 있도록, 냉각제는 적어도 하나의 플로우 통로 (360) 를 통해 흐른다. 바람직하게는 적어도 하나의 플로우 통로를 통해 순환되는 냉각제는 약 -40℃ 내지 40℃ 이고, 보다 바람직하게는 약 20℃ 이다.
저부벽 (14) 를 냉각하는데 사용되는 저부벽 (14) 내의 플로우 통로들이 생략될 수 있고 저부벽 (14) 의 두께가 감소되어 프로세싱 챔버의 높이를 감소시킬 수 있도록, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은 바람직하게는 챔버의 저부벽 (14) 로부터의 열을 쉴딩한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 아암 (335) 을 통해 연장하는 제1 및 제2 공급 라인들 (361a,b) 이, 냉각제 공급부 (100) 로부터 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 내의 2개의 각각의 플로우 통로들의 각각의 제 및 제2 유입구들 (360a,b) 로 냉각제를 공급할 수 있다. 제1 및 제2 유입구들 (360a,b) 로 공급된 냉각제는 열 쉴드 (325) 를 둘러싸는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 내의 각각의 플로우 통로를 통해 순환되고, 대응하는 제1 및 제2 유출구들 (306a,b) (도 3c 참조) 을 통해 냉각된 핀 리프터 패들의 외연 부분 (330) 으로부터 제거되고, 냉각제는 각각의 제1 및 제2 반환 라인들 (316a,b) (도 3c 참조) 을 통해 냉각제 공급부 (100) 으로 반환된다. 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 을 통해 순환되는 냉각제는 반도체 기판 프로세싱 동안 생성되고 열 쉴드 (325) 에 의해 흡수된 열을 제거할 수 있다. 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 이 프로세싱 동안 페데스탈 (20) 에 의해 생성된 열, 레지스트 스트리핑 프로세스에서의 페데스탈 (20) 위에 발생된 플라즈마, 또는 디가스 프로세스에서의 페데스탈 (20) 위의 UV 램프들로부터 방사된 열로부터 기저 챔버 컴포넌트들 및 저부벽 (14) 을 쉴드하도록, 흡수된 열은 열 쉴드 (325) 로부터 제거될 수도 있다. 바람직한 실시예에서, 냉각제는 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 외연 부분 (330) 내의 2개의 플로우 통로들을 통해 순환되고, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 이 균일하게 냉각되도록 냉각제는 각각의 플로우 통로를 통해 반대 방향으로 순환된다. 냉각제 소스 (100) 의 동작은 바람직하게는 냉각제 소스 (100) 와 제어 통신하는 (in control communication with) 제어 시스템 (200) 에 의해 제어된다.
냉각된 핀 리프터 패들 (320) 은, 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 위치를 모니터링하고 공압 액추에이터 또는 스텝 모터와 같은 리프팅 메커니즘 (400) 에 의해 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 을 상승되게 하거나 하강되게 지시하는 제어 시스템 (200) 의 제어 하에 더 동작될 수 있다. 제어 시스템 (200) 은 또한 레지스트 스트리핑 또는 디가스와 같은 다른 프로세스 동작들 동안 프로세스 조건들을 제어하도록 채용될 수 있다. 제어 시스템 (200) 은 통상적으로 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 하나 이상의 프로세서들을 포함할 것이다. 프로세서는 CPU 또는 컴퓨터, 아날로그 및/또는 디지털 입력/출력 연결부들, 스탭 모터 제어기 보드들 등을 포함할 수도 있다.
특정 실시예들에서, 제어 시스템 (200) 은 반도체 기판 프로세싱 장치의 모든 동작들을 제어한다. 제어 시스템 (200) 은 프로세싱 동작들의 타이밍, 원격 플라즈마 소스의 동작의 빈도 및 전력, 프로세스 가스들 및 그들의 상대적인 혼합의 플로우 레이트 및 온도, 페데스탈 (20) 의 온도, 챔버의 압력, 및 임의의 특정 프로세스의 다른 파라미터들을 제어하기 위한 명령어들의 세트들을 포함하는 시스템 제어 소프트웨어를 실행할 수 있다. 예를 들어, 제어 시스템은 냉각된 핀 리프터 패들 (320) 의 열 쉴드 (325) 의 냉각을 제어하기 위해 적어도 하나의 플로우 통로를 통해 순환되는 냉각제의 체적 플로우 레이트 및/또는 온도를 제어ㅎ도록 동작가능하다. 제어 시스템과 관련된 메모리 디바이스들에 저장된 다른 컴퓨터 프로그램들은 일부 실시예들에서 채용될 수도 있다.
통상적으로 제어 시스템 (200) 과 관련된 사용자 인터페이스가 있을 수도 있다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 스크린, 장치 및/또는 프로세스 조건들의 그래픽 소프트웨어 디스플레이들, 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들 등과 같은 사용자 입력 디바이스들을 포함할 수도 있다.
비-일시적인 컴퓨터 머신-판독가능 매체가 장치ㅢ 제어를 위한 프로그램 명령어들을 포함할 수 있다. 프로세싱 동작들을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램 코드는 임의의 전통적인 컴퓨터 판독가능 프로그래밍 언어: 예를 들어, 어셈블리 언어, C, C++, 파스칼, 포트란 또는 다른 언어로 기입될 수 있다. 컴파일된 객체 코드 또는 스크립트가 프로그램 내에서 식별된 태스크들을 수행하기 위해 프로세서에 의해 실행된다.
제어 시스템 파라미터들은, 예를 들어, 프로세싱 단계들의 타이밍, 전구체들 및 비활성 가스들의 플로우 레이트 및 온도, 웨이퍼의 온도, 챔버의 압력 및 특정 프로세스의 다른 파라미터들과 같은 프로세스 조건들에 관한 것이다. 이러한 파라미터들은 레시피의 형식으로 사용자에게 제공되고, 사용자 인터페이스를 이용하여 입력될 수도 있다.
프로세스를 모니터링하기 위한 신호들이 제어 시스템의 아날로그 및/또는 디지털 입력 연결부들에 의해 제공될 수도 있다. 프로세스를 제어하기 위한 신호들은 장치의 아날로그 및 디지털 출력 연결부들 상에 출력된다.
시스템 소프트웨어는 다수의 상이한 방식들로 설계되거나 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 챔버 컴포넌트 서브루틴들 또는 제어 객체들은 증착 프로세스들을 수행하는데 필수적인 챔버 컴포넌트들의 동작을 제어하도록 기입될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 프로그램들 또는 프로그램들의 섹션들의 예시들은 프로세싱 단계들의 기판 타이밍 코드, 전구체들 및 비활성 가스들의 플로우 레이트 및 온도 코드, 및 챔버의 압력 제어를 위한 코드를 포함한다.
본 발명이 본 발명의 사상 또는 필수적인 특성들로부터 벗어남이 없이 다른 특정 형태들로 구현될 수 있다는 것은 당업자에 의해 이해될 것이다. 따라서, 지금 개시된 실시예들은 모든 측면에서 제한적이지 않고 예시적인 것으로 고려된다. 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 첨부된 청구항들에 의해 나타내지고, 본 발명의 균등물의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경예들은 본 발명 내에 포함되도록 의도된다.

Claims (19)

  1. 반도체 기판 프로세싱 장치로서,
    반도체 기판이 프로세싱되는 프로세싱 챔버;
    상기 프로세싱 챔버 내에서 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 가열된 페데스탈 (pedestal);
    상기 페데스탈 아래에 위치된 냉각된 핀 리프터 패들 (cooled pin lifter paddle) 로서, 상기 냉각된 핀 리프터 패들은 열 쉴드 (heat shield) 및 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 외연 (outer peripheral) 부분에 상기 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함하고, 상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 열 쉴드의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 상기 반도체 기판을 상승시키고 하강시키기 위해 상기 페데스탈 내의 대응하는 홀들을 통해 이동하도록 수직으로 이동가능한, 상기 냉각된 핀 리프터 패들; 및
    상기 적어도 하나의 플로우 통로와 유체로 연통하는 냉각제의 소스를 포함하는, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 기판 프로세싱 장치는,
    (a) 레지스트 스트리핑 챔버로서, 상기 레지스트 스트리핑 챔버는 플라즈마를 생성하고 상기 레지스트 스트리핑 챔버 내로 반응성 종들을 도입하도록 동작가능한 원격 플라즈마 소스를 포함하는, 레지스트 스트리핑 챔버이거나;
    (b) 상기 반도체 기판으로부터 할로겐-함유 잔여물들을 제거하도록 동작가능한 디가스 (degas) 챔버이거나;
    (c) 상기 반도체 기판의 금속층 또는 유전체층을 에칭하도록 동작가능한 플라즈마 에칭 챔버이거나; 또는
    (d) 상기 반도체 기판 상의 도전 물질 또는 유전 물질을 증착하도록 동작가능한 플라즈마 증착 챔버인, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    (a) 상기 열 쉴드는 평판이고, 상기 외연 부분의 두께는 상기 평판보다 크고;
    (b) 상기 열 쉴드는 상기 열 쉴드의 상부 표면 상에 3개의 리프트 핀들을 포함하고; 및/또는
    (c) 상기 외연 부분은 상기 열 쉴드와 일체화되고, 상기 외연 부분은 상기 열 쉴드 주위에 환형 (annular) 링을 형성하고, 상기 환형 링의 내경은 상기 페데스탈의 직경보다 큰, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분으로부터 외측으로 연장하는 아암 (arm) 을 포함하고,
    (a) 상기 아암은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분의 상기 적어도 하나의 플로우 통로의 각각의 플로우 통로와 유체로 연통하는 유입구 및 유출구를 포함하고;
    (b) 상기 아암은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분의 상기 적어도 하나의 플로우 통로의 각각의 플로우 통로와 유체로 연통하는 적어도 하나의 통로를 포함하고;
    (c) 상기 아암은 수직 섹션과 경사진 섹션을 포함하고; 및/또는
    (d) 상기 아암은 상기 열 쉴드 및 상기 외연 부분과 상이한 물질로부터 형성된, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 아암에 부착된 리프트 메커니즘을 더 포함하고,
    상기 리프트 메커니즘은 상기 냉각된 핀 리프터 패들을 수직으로 상승시키고 하강시키도록 동작가능한, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    (a) 상기 반도체 기판 프로세싱 장치에 의해 수행되는 프로세스들을 제어하도록 구성된 제어 시스템; 및/또는
    (b) 상기 반도체 기판 프로세싱 장치의 제어를 위한 프로그램 명령어들을 포함하는 비-일시적인 컴퓨터 머신-판독가능 매체를 포함하는, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어 시스템은
    (a) 상기 적어도 하나의 플로우 통로를 통해 순환되는 상기 냉각제의 체적 (volumetric) 플로우 레이트 (flow rate);
    (b) 상기 적어도 하나의 플로우 통로를 통해 순환되는 상기 냉각제의 온도; 및/또는
    (c) 상기 적어도 하나의 플로우 통로를 통해 순환되는 상기 냉각제의 방향
    을 제어하도록 동작가능한, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 금속 물질 또는 세라믹 물질로부터 형성된, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 알루미늄, 알루미늄 합금, 알루미나, 캐스트된 (cast) 알루미늄, 캐스트된 알루미늄 합금, 실리콘 카바이드 (carbide), 또는 알루미늄 나이트라이드 (nitride) 로부터 형성된, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들의 표면은 양극화된 (anodized), 반도체 기판 프로세싱 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 외연 부분 내의 2개의 플로우 통로를 포함하는, 반도체 기판 프로세싱 장치.
  12. 반도체 기판 프로세싱 장치의 페데스탈 아래에 위치되도록 구성된 냉각된 핀 리프터 패들로서,
    열 쉴드 및 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 외연 부분에 상기 열 쉴드에 의해 흡수된 열을 제거하기 위해 냉각제가 순환될 수 있는 적어도 하나의 플로우 통로를 포함하고,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 열 쉴드의 상부 표면 상의 리프트 핀들이 상기 페데스탈 내의 대응하는 홀들을 통해 이동하기 위해 수직으로 이동가능하도록 구성되는, 냉각된 핀 리프터 패들.
  13. 제12항에 있어서,
    (a) 상기 열 쉴드는 평판이고, 상기 외연 부분의 두께는 상기 평판보다 크고;
    (b) 상기 열 쉴드는 상기 열 쉴드의 상부 표면 상에 3개의 리프트 핀들을 포함하고; 및/또는
    (c) 상기 외연 부분은 상기 열 쉴드와 일체화되고, 상기 외연 부분은 상기 열 쉴드 주위에 환형 링을 형성하고, 상기 환형 링의 내경은 상기 페데스탈의 직경보다 큰, 냉각된 핀 리프터 패들.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분으로부터 외측으로 연장하는 아암을 포함하고,
    (a) 상기 아암은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분 내의 상기 적어도 하나의 플로우 통로의 각각의 플로우 통로와 유체로 연통하는 유입구 및 유출구를 포함하고;
    (b) 상기 아암은 상기 냉각된 핀 리프터 패들의 상기 외연 부분 내의 상기 적어도 하나의 플로우 통로의 각각의 플로우 통로와 유체로 연통하는 적어도 하나의 통로를 포함하고;
    (c) 상기 아암은 수직 섹션과 경사진 섹션을 포함하고; 및/또는
    (d) 상기 아암은 상기 열 쉴드 및 상기 외연 부분과 상이한 물질로부터 형성된, 냉각된 핀 리프터 패들.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 금속 물질 또는 세라믹 물질로부터 형성된, 냉각된 핀 리프터 패들.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 알루미늄, 알루미늄 합금, 알루미나, 캐스트된 알루미늄, 캐스트된 알루미늄 합금, 실리콘 카바이드, 또는 알루미늄 나이트라이드로부터 형성된, 냉각된 핀 리프터 패들.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들의 표면은 양극화된, 냉각된 핀 리프터 패들.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들은 상기 외연 부분에 2개의 플로우 통로를 포함하는, 냉각된 핀 리프터 패들.
  19. 제1항에 기재된 반도체 기판 프로세싱 장치 내의 반도체 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    상기 냉각된 핀 리프터 패들의 리프트 핀들 상으로 상기 반도체 기판을 로딩하는 단계;
    상기 반도체 기판이 상기 페데스탈의 상부 표면 상에 지지되도록 상기 냉각된 핀 리프터 패들을 하강시키는 단계;
    상기 반도체 기판을 프로세싱하는 단계; 및
    상기 냉각된 핀 리프트 패들을 상승시킴에 의해 상기 페데스탈의 표면으로부터 상기 반도체 기판을 언로딩하는 단계를 포함하는, 반도체 기판 프로세싱 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220037030A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 에칭 장치 및 이를 이용하는 표시 장치 제조 방법
KR20220141360A (ko) * 2021-04-12 2022-10-20 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치 및 방법
US11984304B2 (en) 2021-04-12 2024-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for plasma etching

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9412619B2 (en) * 2014-08-12 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Method of outgassing a mask material deposited over a workpiece in a process tool
US11388809B2 (en) * 2019-03-25 2022-07-12 Recarbon, Inc. Systems for controlling plasma reactors

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
JPH1064983A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp ウエハステージ
JP3715073B2 (ja) * 1997-04-22 2005-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP3333135B2 (ja) * 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6182603B1 (en) 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
US6263830B1 (en) 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
US6635117B1 (en) * 2000-04-26 2003-10-21 Axcelis Technologies, Inc. Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US6646857B2 (en) 2001-03-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Semiconductor wafer lifting device and methods for implementing the same
US6528427B2 (en) 2001-03-30 2003-03-04 Lam Research Corporation Methods for reducing contamination of semiconductor substrates
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6743296B2 (en) * 2001-10-12 2004-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for self-centering a wafer in a sputter chamber
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US20040187787A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
JP4765328B2 (ja) 2004-04-16 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理装置
US20050284573A1 (en) 2004-06-24 2005-12-29 Egley Fred D Bare aluminum baffles for resist stripping chambers
US7244311B2 (en) 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
US20080035306A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 White John M Heating and cooling of substrate support
US7732728B2 (en) 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US8128750B2 (en) 2007-03-29 2012-03-06 Lam Research Corporation Aluminum-plated components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
JP4372182B2 (ja) * 2007-08-02 2009-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置
US20090305489A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Fish Roger B Multilayer electrostatic chuck wafer platen
US8313612B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
WO2011017226A2 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Compound lift pin tip with temperature compensated attachment feature
US8232538B2 (en) 2009-10-27 2012-07-31 Lam Research Corporation Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure
US8274017B2 (en) 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US8840754B2 (en) 2010-09-17 2014-09-23 Lam Research Corporation Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins
US8353332B2 (en) * 2010-10-13 2013-01-15 Reid Aarne H Integrated electronics cooling device
US9719169B2 (en) * 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
WO2012134663A2 (en) 2011-03-16 2012-10-04 Applied Materials, Inc Method and apparatus utilizing a single lift mechanism for processing and transfer of substrates

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220037030A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 에칭 장치 및 이를 이용하는 표시 장치 제조 방법
KR20220141360A (ko) * 2021-04-12 2022-10-20 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치 및 방법
US11984304B2 (en) 2021-04-12 2024-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for plasma etching

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