KR20150006183A - 이미지센서 및 이의 제조방법 - Google Patents
이미지센서 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150006183A KR20150006183A KR20130079621A KR20130079621A KR20150006183A KR 20150006183 A KR20150006183 A KR 20150006183A KR 20130079621 A KR20130079621 A KR 20130079621A KR 20130079621 A KR20130079621 A KR 20130079621A KR 20150006183 A KR20150006183 A KR 20150006183A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- buffer layer
- substrate
- image sensor
- layer
- protective film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Abstract
본 발명은 패드전극을 갖는 기판 표면에 형성된 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되며, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층과; 상기 버퍼층 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Description
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킨 이미지센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존에는, 의료나 공업용 X선 촬영에서 필름과 스크린을 이용한 방식이 사용되었다. 이와 같은 경우에는, 촬영된 필름의 현상 및 보관상의 문제 등에 기인하여 비용 및 시간 측면에서 비효율적이었다.
이를 개선하기 위해, 디지털 방식의 이미지센서가 현재 널리 사용되고 있다. 이미지센서는 간접변환 방식과 직접변환 방식으로 구분될 수 있다.
간접변환 방식은 형광체(scintillator)를 사용하여 X선을 가시광선으로 변환한 후 가시광선을 전기적신호로 변환하게 된다. 반면, 직접변환 방식은 광도전층을 이용하여 X선을 직접 전기적신호로 변환하게 된다. 이러한 직접변환 방식은, 별도의 형광체를 형성할 필요가 없고, 광의 퍼짐 현상 등이 발생하지 않아 고해상도 시스템에 적합한 특징을 갖는다.
직접변환 방식에 사용되는 광도전층은 CMOS 기판 표면 상에 증착되어 형성된다. 그런데, 광도전층은 CMOS 기판 표면의 보호막과 접착력이 좋지 않다. 따라서, 광도전층이 기판 표면으로부터 들뜨게 되는 결함이 발생할 수 있게 된다.
본 발명은 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 패드전극을 갖는 기판 표면에 형성된 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되며, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층과; 상기 버퍼층 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
여기서, 상기 보호막은 상기 패드전극을 노출하는 패드홀을 포함하고, 상기 버퍼층은 상기 패드전극 주변에 형성되고, 상기 패드전극과 전기적으로 단선 상태를 가질 있다.
상기 버퍼층을 이루는 귀금속물질은, Ag, Au, Pt, Pd 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 버퍼층을 이루는 산화물질은, Al2O3, TiO2, ZrO2 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 버퍼층이 화소영역 내에서 차지하는 면적은, 상기 화소영역이 차지하는 면적의 10% 내지 90%일 수 있다.
상기 광도전층은, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2,GaAs, Se, TlBr, BiI3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 버퍼층은 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
상기 기판은 CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트 기판 또는 산화알루미늄 베이스에 ITO가 적층된 기판일 수 있다.
상기 보호막과 상기 버퍼층 사이에 Cr로 이루어진 중간층을 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 패드전극을 갖는 기판 표면에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상에 광도전층을 형성하는 단계와; 상기 광도전층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판과 광도전층 사이에 기판 및 광도전층과의 접착력이 우수한 버퍼층을 구성하게 된다. 이에 따라, 광도전층과 기판과의 접착력이 효과적으로 향상될 수 있게 된다. 더욱이, 버퍼층에 의해 전계가 집중될 수 있게 되어, 누설전류가 감소될 수 있게 된다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서를 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도.
도 3 내지 5는 본 발명의 실시예에 따른 버퍼층의 형성 형태의 여러 예들을 개략적으로 도시한 평면도.
도 3 내지 5는 본 발명의 실시예에 따른 버퍼층의 형성 형태의 여러 예들을 개략적으로 도시한 평면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서를 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지센서(200)를 사용한 X선 영상장치로서는, 다양한 형태나 용도의 X선 영상장치가 사용될 수 있다. 예를 들면, 맘모그래피(mammography) 장치나, CT 장치 등 다양한 X선 영상장치가 사용될 수 있다.
이미지센서(200)는 피검체를 통과한 X선을 검출하여 이를 전기적 신호로 변환하는 구성에 해당된다. 이미지센서(200)는 평면적으로 사각 형상을 갖게 되는데, 이에 한정되지는 않는다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서(200)는 직접변환 방식의 X선 검출소자로서, 입사된 X선을 전기적 신호로 직접 변환하게 된다.
도 1 및 2를 참조하면, 이미지센서(200)에는 매트릭스 형태로 다수의 화소영역(P)이 행라인과 열라인을 따라 배치될 수 있다.
각 화소영역(P)에는 X선을 전기적신호로 변환하는 광전변환소자(PC)가 기판(210) 상에 구성될 수 있다.
여기서, 이미지센서(200)에 사용되는 기판(210)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS 기판을 사용하는 경우를 예로 든다.
기판(210)의 표면에는 보호막(215)이 형성되어 있다. 보호막(215)은 무기절연물질로서, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.
보호막(215)에는, 각 화소영역(P) 마다 패드홀(217)이 형성될 수 있다. 이와 같은 패드홀(217)에는 패드전극(220)이 구성될 수 있다. 이와 같은 패드전극(220)은, 광전변환소자(PC)를 구성하는 일전극으로서, 예를 들면 제1전극(220)에 해당된다.
패드전극(220)이 형성된 기판(210) 상에는, 버퍼층(230)이 형성된다. 버퍼층(230)은 보호막(215)과의 밀착력이 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 버퍼층(230)은 도전성을 갖는 금속물질로 이루어질 수 있는데, 특히 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 귀금속물질 그룹 중 적어도 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 다른 예로서, 버퍼층(230)은 산화막으로 이루어질 수 있는데, 특히 Al2O3, TiO2, ZrO2으로 구성된 산화물질 그룹 중 적어도 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
이처럼, 버퍼층(230)을, 보호막(215)과 후속 공정에서 형성되는 광도전층(240) 사이에 구성함으로써, 광도전층(240)의 기판(210)에 대한 접착력을 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 광도전층(240)은 질화실리콘을 사용한 보호막(215)과의 접착력이 더욱 좋지 않은데, 이와 같은 경우에 버퍼층(230)은 접착력 향상에 더욱 효과적인 역할을 수행할 수 있게 된다.
버퍼층(230)이 귀금속물질로 이루어진 경우, 해당 버퍼층(230)은 패드전극(220)과 이격되어 전기적으로 단선된 상태를 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 각 화소영역(P)에 있어, 평면적으로 볼 때, 버퍼층(230)은 패드전극(220)의 가장자리와 이격되도록 패드전극(220) 주변의 적어도 일부에 형성될 수 있다.
한편, 버퍼층(230)이 산화막으로 형성되는 경우에, 해당 버퍼층(230)은 절연 특성을 갖게 되는바, 패드전극(220)과 전기적 단선 상태를 고려할 필요는 없다. 따라서, 산화막으로 이루어진 버퍼층(230)의 경우에는, 금속물질로 이루어진 버퍼층(230)의 경우와 달리, 패드전극(220)과 중첩되어 적어도 일부를 노출하도록 형성될 수도 있다. 일예로, 버퍼층(230)은 패드홀(217)과 실질적으로 일치하는 개구부를 가질 수 있다.
한편, 버퍼층(230)은, 화소영역(P)의 면적 대비 대략 10% 내지 90%의 면적을 갖도록 구성될 수 있다.
버퍼층(230)의 형성 형태와 관련하여 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 패드전극(220)의 주변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
다른 예로서, 도 3 내지 5에 도시한 바와 같은 형태로 버퍼층(230)을 구성할 수도 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 패드전극(220) 사이에 버퍼층(230)을 형성할 수 있다. 그리고, 도 4에 도시한 바와 같이, 다수의 패드전극(220) 주변을 둘러싸도록 버퍼층(230)을 형성할 수 있다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 패드전극(220) 사이에 버퍼층(230)을 도트 패턴 형태로 형성할 수 있다.
전술한 바와 같은 여러 형태로 버퍼층(230)을 형성할 수 있는데, 그 외의 다른 형태로도 버퍼층(230)을 형성할 수도 있다.
버퍼층(230)이 형성된 기판(210) 상에는, 화소영역(P) 마다 광도전층(240)이 형성될 수 있다.
광도전층(240)은 X선이 입사되면 전자-정공 쌍을 발생시키게 된다. 광도전층(240)으로서는, 우수한 전하 이동 특성, 높은 흡수 계수, 낮은 암 전류, 낮은 전자-정공 쌍 발생 에너지의 특성을 가질 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3와 같은 광도전물질 그룹 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
광도전층(240)이 형성된 기판(210) 상에는, 상부전극(250)이 형성될 수 있다. 상부전극(250)에는 바이어스전압이 인가될 수 있다. 상부전극(250)은 광전변환소자(PC)를 구성하는 타전극으로서, 예를 들면 제2전극(250)에 해당된다. 이와 같은 상부전극(250)은 실질적으로 기판(210)의 전면에 걸쳐 형성될 수 있다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 이미지센서(200)에 있어, 버퍼층(230)은 광도전층(240)의 기판 접착 향상 기능뿐만 아니라, 버퍼층(230)이 금속물질로 이루어진 경우에는 전계를 집중시켜 누설전류를 감소시키는 기능 또한 발휘할 수 있게 된다.
이와 관련하여, 버퍼층(230)은 제1전극(220)의 주변에 형성됨으로써, 제2전극(250)과 제1전극(220) 사이에 발생된 전계(E)는, 버퍼층(230)에 의해 내측 방향으로 유도될 수 있게 된다. 이처럼, 버퍼층(230)은 전계(E) 형성에 대한 가드링(guard ring) 역할을 수행할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 버퍼층(230)에는 전압이 인가되거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
한편, 전술한 구성에 있어, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 버퍼층(230)과 보호막(215) 사이의 접착력 향상을 위한 측면에서, Cr 등의 금속물질로 이루어진 중간층이 더욱 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판과 광도전층 사이에 기판 및 광도전층과의 접착력이 우수한 버퍼층을 구성하게 된다. 이에 따라, 광도전층과 기판과의 접착력이 효과적으로 향상될 수 있게 된다. 더욱이, 버퍼층이 금속물질로 이루어진 경우에는, 버퍼층에 의해 전계가 집중될 수 있게 되어, 누설전류가 감소될 수 있게 된다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
200: 이미지센서 210: 기판
215: 보호막 217: 패드홀
220: 패드전극 230: 버퍼층
240: 광도전층 250: 상부전극
E: 전계
215: 보호막 217: 패드홀
220: 패드전극 230: 버퍼층
240: 광도전층 250: 상부전극
E: 전계
Claims (10)
- 패드전극을 갖는 기판 표면에 형성된 보호막과;
상기 보호막 상에 형성되며, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층과;
상기 버퍼층 상에 형성된 광도전층과;
상기 광도전층 상에 형성된 상부전극
을 포함하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 보호막은 상기 패드전극을 노출시키는 패드홀을 포함하고,
상기 버퍼층은 상기 패드전극 주변에 형성되고, 상기 패드전극과 전기적으로 단선 상태를 갖는
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층을 이루는 귀금속물질은, Ag, Au, Pt, Pd 중 적어도 하나인
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층을 이루는 산화물질은, Al2O3, TiO2, ZrO2 중 적어도 하나인
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층이 화소영역 내에서 차지하는 면적은, 상기 화소영역이 차지하는 면적의 10% 내지 90%인
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 광도전층은, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3중 적어도 하나로 이루어진
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 귀금속물질로 이루어진 버퍼층은 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트 기판 또는 산화알루미늄 베이스에 ITO가 적층된 기판인
이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 보호막과 상기 버퍼층 사이에 Cr로 이루어진 중간층
을 포함하는 이미지센서.
- 패드전극을 갖는 기판 표면에 보호막을 형성하는 단계와;
상기 보호막 상에, 귀금속물질이나 산화물질로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계와;
상기 버퍼층 상에 광도전층을 형성하는 단계와;
상기 광도전층 상에 상부전극을 형성하는 단계
를 포함하는 이미지센서 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130079621A KR101520433B1 (ko) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
| PCT/KR2014/006128 WO2015005659A1 (ko) | 2013-07-08 | 2014-07-08 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
| US14/903,722 US9799701B2 (en) | 2013-07-08 | 2014-07-08 | Image sensor and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130079621A KR101520433B1 (ko) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150006183A true KR20150006183A (ko) | 2015-01-16 |
| KR101520433B1 KR101520433B1 (ko) | 2015-05-14 |
Family
ID=52280264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130079621A KR101520433B1 (ko) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 이미지센서 및 이의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9799701B2 (ko) |
| KR (1) | KR101520433B1 (ko) |
| WO (1) | WO2015005659A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102126941B1 (ko) * | 2013-12-04 | 2020-06-25 | 주식회사 레이언스 | 엑스선 디텍터 및 이의 제조방법 |
| JP5977382B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2016-08-24 | 小林製薬株式会社 | 歯間清掃具 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210855A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| JP3594122B2 (ja) | 2000-03-09 | 2004-11-24 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器 |
| JP4364553B2 (ja) | 2002-08-30 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP4307296B2 (ja) | 2004-03-12 | 2009-08-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7745798B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-06-29 | Fujifilm Corporation | Dual-phosphor flat panel radiation detector |
| JP5107747B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
| EP1978563A3 (en) * | 2007-03-23 | 2012-10-24 | FUJIFILM Corporation | Radiation detector and method for producing photoconductive layer for recording thereof |
| CN103839955B (zh) * | 2007-04-18 | 2016-05-25 | 因维萨热技术公司 | 用于光电装置的材料、系统和方法 |
| JP2008306080A (ja) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Ltd | 光センサ素子、およびこれを用いた光センサ装置、画像表示装置 |
| JP4739298B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
| US8138567B2 (en) * | 2008-04-18 | 2012-03-20 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, fabrication equipment, and methods for stable, sensitive photodetectors and image sensors made therefrom |
| WO2010070759A1 (ja) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイスの製造方法 |
| KR20100082631A (ko) * | 2009-01-09 | 2010-07-19 | 삼성전자주식회사 | 엑스레이 디텍터 및 그 제조 방법 |
| CN107425020B (zh) * | 2009-06-17 | 2019-10-18 | 密执安州立大学董事会 | 辐射传感器 |
| US8916947B2 (en) * | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetector comprising a pinned photodiode that is formed by an optically sensitive layer and a silicon diode |
| TWI611566B (zh) * | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
-
2013
- 2013-07-08 KR KR1020130079621A patent/KR101520433B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-08 WO PCT/KR2014/006128 patent/WO2015005659A1/ko active Application Filing
- 2014-07-08 US US14/903,722 patent/US9799701B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9799701B2 (en) | 2017-10-24 |
| US20160155770A1 (en) | 2016-06-02 |
| WO2015005659A1 (ko) | 2015-01-15 |
| KR101520433B1 (ko) | 2015-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101977422B1 (ko) | 고 전하 용량 픽셀, 픽셀 아키텍처, 광전 변환 장치, 방사선 촬상 시스템 및 그 방법 | |
| US20130264485A1 (en) | Method of manufacturing radiation detection apparatus, radiation detection apparatus, and radiation imaging system | |
| TWI482488B (zh) | 分散式濾波感測結構及光學裝置 | |
| JP2008244251A (ja) | アモルファスシリコンフォトダイオード及びその製造方法ならびにｘ線撮像装置 | |
| JP6125017B2 (ja) | Ｘ線イメージセンサー用基板 | |
| KR102424552B1 (ko) | 엑스레이 검출기용 어레이 기판과 이를 포함하는 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법 | |
| CN111081724A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板和包含其的数字x射线检测器 | |
| KR101941426B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| WO2020215860A1 (zh) | 传感器及其制备方法 | |
| JP2011077184A (ja) | 検出素子 | |
| KR101686676B1 (ko) | 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR101520433B1 (ko) | 이미지센서 및 이의 제조방법 | |
| KR20150015890A (ko) | 엑스레이 검출 패널 및 그 제조방법 | |
| CN114388538A (zh) | 一种探测基板、平板探测器 | |
| KR20180060769A (ko) | 광차단층을 구비한 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
| KR102536859B1 (ko) | 광 검출 장치 및 그의 제조 방법 | |
| TWI736641B (zh) | 放射線檢測器及其製造方法 | |
| KR102126941B1 (ko) | 엑스선 디텍터 및 이의 제조방법 | |
| WO2017169220A1 (ja) | 受光装置、撮像装置および電子機器 | |
| KR101486250B1 (ko) | 이미지센서와 그 제조방법 | |
| KR20160111671A (ko) | 이미지센서 및 이의 제조방법 | |
| KR102619971B1 (ko) | 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
| KR101843284B1 (ko) | 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
| JP4835838B2 (ja) | 二次元画像検出器の製造方法 | |
| WO2023028796A1 (zh) | 探测基板和平板探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180409 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190328 Year of fee payment: 5 |