KR20150004286A - 성막 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급하는 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.

Description

성막 방법{FILM FORMING METHOD}
관련 출원의 참조
본 출원은, 2013년 7월 2일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 2013-138849호에 기초한 우선권을 주장하는 것이며, 일본 특허 출원 2013-138849호의 전체 내용을 여기에 원용한다.
발명의 배경
본 발명은 성막 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC, Integrated Circuit)의 제조 프로세스에는, 반도체 웨이퍼 상에 박막을 성막하는 공정이 있다. 이 공정에 대해서는, IC의 가일층의 미세화의 관점에서, 웨이퍼면 내에 있어서의 균일성의 향상이 요구되고 있다. 이러한 요청에 응하는 성막 방법으로서, 원자층 성막(ALD, Atomic Layer Deposition)법 또는 분자층 성막(MLD, Molecular Layer Deposition)법이라 불리는 성막 방법이 기대되고 있다. ALD법에서는, 서로 반응하는 2종류의 반응 가스의 한쪽 반응 가스(반응 가스 A)를 웨이퍼 표면에 흡착시키고, 흡착한 반응 가스 A를 다른쪽 반응 가스(반응 가스 B)로 반응시키는 사이클을 반복함으로써, 반응 생성물에 의한 박막이 웨이퍼 표면에 성막된다. ALD법은, 웨이퍼 표면에 대한 반응 가스의 흡착을 이용하기 때문에, 막 두께 균일성 및 막 두께 제어성이 우수하다는 이점을 갖고 있다.
ALD법을 실시하는 성막 장치로서, 소위 회전 테이블식의 성막 장치가 일본 특허 제4661990호에 개시되어 있다. 이 성막 장치는, 진공 용기 내에 회전 가능하게 배치되고, 복수의 웨이퍼가 적재되는 회전 테이블과, 회전 테이블의 상방에 구획되는 반응 가스 A의 공급 영역과 반응 가스 B의 공급 영역을 분리하는 분리 영역과, 반응 가스 A 및 반응 가스 B의 공급 영역에 대응하여 설치되는 배기구와, 이들 배기구에 접속되는 배기 장치를 갖고 있다. 이러한 성막 장치에 있어서는, 회전 테이블이 회전함으로써 반응 가스 A의 공급 영역, 분리 영역, 반응 가스 B의 공급 영역 및 분리 영역을 웨이퍼가 통과하게 된다. 이에 따라, 반응 가스 A의 공급 영역에 있어서 웨이퍼 표면에 반응 가스 A가 흡착되고, 반응 가스 B의 공급 영역에 있어서 반응 가스 A와 반응 가스 B가 웨이퍼 표면에서 반응한다. 이로 인해, 성막 중에는 반응 가스 A 및 반응 가스 B를 전환할 필요가 없으며, 계속하여 공급할 수 있다. 따라서, 배기/퍼지 공정이 불필요해지고, 성막 시간을 단축할 수 있다는 이점이 있다.
한편, 반도체 메모리의 고집적화에 따라, 금속 산화물 등의 고유전체 재료를 유전체층으로서 사용하는 캐패시터가 다용되고 있다. 이러한 캐패시터의 전극은, 비교적 큰 일함수를 갖는 예를 들어 질화티타늄(TiN)에 의해 형성되어 있다. 이와 같이, 질화티타늄은 전극으로서 사용되기 때문에, 당연히 저저항인 것이 요구되며, 질화티타늄의 박막을 형성하는 경우에도 저저항의 박막을 형성하는 것이 요구된다.
예를 들어, 일본 특허 제4583764호 및 일본 특허 제4811870호에 개시되어 있는 바와 같이, TiN 전극의 형성은, 예를 들어 염화티타늄(TiCl4)과 암모니아(NH3)를 원료 가스로서 사용하는 화학 기상 성막(CVD)법에 의해 고유전체층 상에 TiN을 성막하고, 패턴화함으로써 행해진다.
또한, 예를 들어 CVD법과 마찬가지로 염화티타늄과 암모니아를 원료 가스 로 하고, 상술한 회전 테이블식의 성막 장치를 사용하고, ALD법에 의해 성막함으로써, 질화티타늄의 성막이 가능해진다고 생각된다.
그러나, 상술한 CVD법을 사용한 성막에서는, 치밀한 성막을 행하는 것이 곤란하며, 충분히 저저항인 TiN막을 성막하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.
한편, 상술한 ALD법에서는, 원자층 또는 분자층째의 성막이 가능하기 때문에, 치밀하며 저저항인 TiN막을 성막하는 것이 가능하다. 또한, ALD법에서는, 다른 금속 질화막에 대해서도 저저항의 박막을 형성할 수 있는 가능성이 있다.
그러나, 이러한 TiN막의 성막에 있어서는, ALD법을 사용하여 종래부터 행해지고 있는 SiO2 등의 절연 산화막과는 상이한 프로세스가 요구된다. 예를 들어, TiN의 성막 프로세스에서는 단지 공급하는 가스가 상이할 뿐만 아니라, 성막 온도, 1 원자층 또는 1 분자층의 성막을 위한 사이클 시간도 금속 산화막의 성막과는 상이한 프로세스가 요구된다.
따라서, 본 발명의 일 실시 형태는, ALD법을 사용하여 저저항의 박막 성막이 가능한 성막 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 관한 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급한 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 상면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 회전 테이블의 동심원에 따른 챔버의 단면을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 천장면이 형성되어 있는 영역을 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법의 처리 플로우를 도시한 도면이다.
도 7은 TiN막의 막 두께와 온도와 입경과의 관계의 일례를 도시한 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 막의 간극과 입경의 관계의 일례를 도시한 도면이다.
도 9는 본 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시한 실시 결과를 도시한 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 실시예에 관한 성막 방법의 NH3 개질 처리의 효과를 도시한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 회전 테이블의 회전 속도와 NH3 개질 처리의 관계를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대하여 설명한다. 첨부된 전체 도면 중, 동일하거나 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일하거나 또는 대응하는 참조 부호를 붙여 중복된 설명을 생략한다. 또한, 도면은, 부재 혹은 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않으며, 따라서, 구체적인 치수는 이하의 한정적이지 않은 실시 형태에 비추어 당업자에 의해 결정되어야 할 것이다.
[성막 장치]
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 단면도이며, 도 2는, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 사시도이다. 또한, 도 3은, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치의 일례의 상면도이다.
우선, 본 발명의 실시 형태에 의한 성막 방법을 실시하는데 적합한 성막 장치에 대하여 설명한다. 도 1부터 도 3까지를 참조하면, 이 성막 장치는 대략 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 챔버(1)와, 이 챔버(1) 내에 설치되며, 챔버(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(2)을 구비하고 있다. 챔버(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대하여, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(13)(도 1)를 통해 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖고 있다.
챔버(1)는 회전 테이블(2)을 수용하고, 내부에서 성막 처리를 행하기 위한 처리실이다. 또한, 챔버(1)는 다양한 재료로 구성되어도 좋지만, 예를 들어 알루미늄(Al)으로 구성되어도 좋다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정되며, 이 코어부(21)는 연직 방향으로 신장하는 회전축(22)의 상단부에 고정되어 있다. 회전축(22)은 챔버(1)의 저부(14)를 관통하며, 그 하단부가 회전축(22)(도 1)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(23)에 설치되어 있다. 회전축(22) 및 구동부(23)는, 상면이 개구된 통 형상의 케이스체(20) 내에 수납되어 있다. 이 케이스체(20)는 그 상면에 형성된 플랜지 부분이 챔버(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 형성되어 있으며, 케이스체(20)의 내부 분위기와 외부 분위기의 기밀 상태가 유지되어 있다.
회전 테이블(2)의 표면부에는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 회전 방향(주위 방향)을 따라 복수(도시한 예에서는 5매)의 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라 함)(W)를 적재하기 위한 원 형상 오목부(24)가 형성되어 있다. 또한, 도 3에는 편의상 1개의 오목부(24)에만 웨이퍼(W)를 나타낸다. 이 오목부(24)는, 웨이퍼(W)의 직경보다도 약간 예를 들어 4mm 큰 내경과, 웨이퍼(W)의 두께와 대략 동등하거나, 웨이퍼(W)의 두께보다도 약간 깊은 깊이를 갖고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)가 오목부(24)에 수용되면, 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면(웨이퍼(W)가 적재되지 않는 영역)이 동일한 높이가 되거나, 또는 웨이퍼(W)의 표면이 회전 테이블(2)의 표면보다도 약간 낮은 높이 관계가 된다. 오목부(24)의 저면에는, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 예를 들어 3개의 승강 핀이 관통하는 관통 구멍(모두 도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또한, 회전 테이블(2)은 다양한 재료로 구성되어도 좋지만, 예를 들어 석영으로 구성되어도 좋다.
회전 테이블(2)의 회전 속도는, 구동부(23)에 의해 적절한 속도로 설정되어도 좋다. 본 실시 형태에 관한 성막 방법에서는, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 120rpm 이상, 예를 들어 120 내지 240rpm의 범위의 고속으로 설정되며, 높은 생산성을 실현하면서 성막 처리를 행한다. 또한, 이 점의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
도 2 및 도 3은, 챔버(1) 내의 구조를 설명하는 도면이며, 설명의 편의상, 천장판(11)의 도시를 생략하고 있다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 상방에는, 각각 예를 들어 석영으로 이루어지는 반응 가스 노즐(31), 반응 가스 노즐(32) 및 분리 가스 노즐(41, 42)가 챔버(1)의 주위 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향(도 3의 화살표 A))으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 도시한 예에서는, 후술하는 반송구(15)로부터 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 반응 가스 노즐(32)이 이 순서로 배열되어 있다. 이들 노즐(31, 32, 41, 42)은, 각 노즐(31, 32, 41, 42)의 기단부인 가스 도입 포트(31a, 32a, 41a, 42a)(도 3)를 용기 본체(12)의 외주벽에 고정함으로써 챔버(1)의 외주벽으로부터 챔버(1) 내에 도입되며, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대하여 수평으로 신장하도록 설치되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 반응 가스 노즐(31)은 도시하지 않은 배관 및 유량 제어기 등을 통해 염화티타늄(TiCl4) 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 반응 가스 노즐(32)은, 도시하지 않은 배관 및 유량 제어기 등을 통해 암모니아의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41, 42)은, 모두 도시하지 않은 배관 및 유량 제어 밸브 등을 통해 분리 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 분리 가스로서는, 헬륨(He)이나 아르곤(Ar) 등의 희가스나 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, N2 가스를 사용하는 것으로 한다.
반응 가스 노즐(31, 32)에는, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 가스 토출 구멍(33)이 반응 가스 노즐(31, 32)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10mm의 간격으로 배열되어 있다. 반응 가스 노즐(31)의 하방 영역은, TiCl4 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1)이 된다. 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 제1 처리 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W)에 흡착된 TiCl4 가스를 질화시키는 제2 처리 영역(P2)이 된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 챔버(1) 내에는 2개의 볼록 형상부(4)가 형성되어 있다. 볼록 형상부(4)는 분리 가스 노즐(41, 42)과 함께 분리 영역(D)을 구성하기 위해, 회전 테이블(2)을 향해 돌출되도록 천장판(11)의 이면에 설치되어 있다. 또한, 볼록 형상부(4)의 상세한 설명에 대해서는 후술한다. 또한, 볼록 형상부(4)는 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고, 본 실시 형태에 있어서는 내원호가 돌출부(5)(후술)에 연결되며, 외원호가 챔버(1)의 용기 본체(12)의 내주면을 따르도록 배치되어 있다.
도 4는, 반응 가스 노즐(31)로부터 반응 가스 노즐(32)까지 회전 테이블(2)의 동심원을 따른 챔버(1)의 단면을 나타내고 있다. 도시한 바와 같이, 천장판(11)의 이면에 볼록 형상부(4)가 설치되어 있기 때문에, 챔버(1) 내에는 볼록 형상부(4)의 하면인 평탄한 낮은 천장면(44)(제1 천장면)과, 이 천장면(44)의 주위 방향 양측에 위치하는, 천장면(44)보다도 높은 천장면(45)(제2 천장면)이 존재한다. 천장면(44)은, 정상부가 원호 형상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고 있다. 또한, 도시한 바와 같이, 볼록 형상부(4)에는 주위 방향 중앙에 있어서, 반경 방향으로 신장하도록 형성된 홈부(43)가 형성되고, 분리 가스 노즐(42)이 홈부(43) 내에 수용되어 있다. 다른 하나의 볼록 형상부(4)에도 마찬가지로 홈부(43)가 형성되고, 여기에 분리 가스 노즐(41)이 수용되어 있다. 또한, 높은 천장면(45)의 하방 공간에 반응 가스 노즐(31, 32)이 각각 설치되어 있다. 이 반응 가스 노즐(31, 32)은, 천장면(45)으로부터 이격되어 웨이퍼(W)의 근방에 설치되어 있다. 또한, 도 4에 있어서, 반응 가스 노즐(31)이 설치되는 높은 천장면(45)의 하방 공간(481)과, 반응 가스 노즐(32)이 설치되는 높은 천장면(45)의 하방 공간(482)을 나타낸다.
또한, 볼록 형상부(4)의 홈부(43)에 수용되는 분리 가스 노즐(42)에는, 회전 테이블(2)을 향해 개구되는 복수의 가스 토출 구멍(42h)(도 4 참조)이 분리 가스 노즐(42)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10mm의 간격으로 배열되어 있다. 도시는 생략하지만, 이 점은 분리 가스 노즐(41)도 마찬가지이다.
천장면(44)은, 좁은 공간인 분리 공간(H)을 회전 테이블(2)에 대하여 형성하고 있다. 분리 가스 노즐(42)의 토출 구멍(42h)으로부터 N2 가스가 공급되면, 이 N2 가스는 분리 공간(H)을 통해 공간(481) 및 공간(482)을 향해 흐른다. 이때, 분리 공간(H)의 용적은 공간(481 및 482)의 용적보다도 작기 때문에, N2 가스에 의해 분리 공간(H)의 압력을 공간(481 및 482)의 압력에 비해 높게 할 수 있다. 즉, 공간(481 및 482)의 사이에 압력이 높은 분리 공간(H)이 형성된다. 또한, 분리 공간(H)으로부터 공간(481 및 482)으로 흘러나오는 N2 가스가, 제1 영역(P1)으로부터의 TiCl4 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 NH3 가스에 대한 카운터 플로우로서 작용한다. 따라서, 제1 영역(P1)으로부터의 TiCl4 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 NH3 가스가 분리 공간(H)에 의해 분리된다. 따라서, 챔버(1) 내에서 TiCl4 가스와 NH3 가스가 혼합되고, 반응하는 것이 억제된다.
또한, 회전 테이블(2)의 상면에 대한 천장면(44)의 높이(h1)는, 성막시의 챔버(1) 내의 압력, 회전 테이블(2)의 회전 속도, 공급하는 분리 가스(N2 가스)의 공급량 등을 고려하여, 분리 공간(H)의 압력을 공간(481 및 482)의 압력에 비해 높게 하기에 적합한 높이로 설정하는 것이 바람직하다.
한편, 천장판(11)의 하면에는, 회전 테이블(2)을 고정하는 코어부(21)의 외주를 둘러싸는 돌출부(5)(도 2 및 도 3)가 설치되어 있다. 이 돌출부(5)는, 본 실시 형태에 있어서는 볼록 형상부(4)에 있어서의 회전 중심측의 부위와 연속되고 있으며, 그 하면이 천장면(44)과 동일한 높이로 형성되어 있다.
앞서 참조한 도 1은 도 3의 I-Ｉ'선을 따른 단면도이며, 천장면(45)이 형성되어 있는 영역을 나타내고 있다.
한편, 도 5는, 천장면(44)이 형성되어 있는 영역을 도시하는 단면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이 부채형의 볼록 형상부(4)의 주연부(챔버(1)의 외측 테두리측의 부위)에는, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하도록 L자 형으로 굴곡되는 굴곡부(46)가 형성되어 있다. 이 굴곡부(46)는, 볼록 형상부(4)와 마찬가지로 분리 영역(D)의 양측으로부터 반응 가스가 침입하는 것을 억제하고, 양 반응 가스의 혼합을 억제한다. 부채형의 볼록 형상부(4)는 천장판(11)에 형성되며, 천장판(11)이 용기 본체(12)로부터 제거할 수 있도록 되어 있기 때문에, 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12) 사이에는 약간 간극이 있다. 굴곡부(46)의 내주면과 회전 테이블(2)의 외측 단부면과의 간극 및 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)와의 간극은, 예를 들어 회전 테이블(2)의 상면에 대한 천장면(44)의 높이와 마찬가지의 치수로 설정되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 용기 본체(12)의 내주벽은 분리 영역(D)에 있어서는 굴곡부(46)의 외주면과 접근하여 수직면으로 형성되어 있다. 그러나, 도 1에 도시한 바와 같이 분리 영역(D) 이외의 부위에 있어서는, 예를 들어 회전 테이블(2)의 외측 단부면과 대향하는 부위로부터 저부(14)에 걸쳐서 외측으로 오목하게 되어 있다. 이하, 설명의 편의상, 대략 직사각형의 단면 형상을 갖는 오목하게 된 부분을 배기 영역(E)으로 기재한다. 구체적으로는, 제1 처리 영역(P1)에 연통하는 배기 영역을 제1 배기 영역(E1)으로 기재하고, 제2 처리 영역(P2)에 연통하는 영역을 제2 배기 영역(E2)으로 기재한다. 이 제1 배기 영역(E1) 및 제2 배기 영역(E2)의 저부에는, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 각각 제1 배기구(610) 및 제2 배기구(620)가 형성되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 배기구(610) 및 제2 배기구(620)는, 각각 배기관(630)을 통해 진공 배기 수단인 예를 들어 진공 펌프(640)에 접속되어 있다. 또한 도 1 중, 압력 제어기(650)가 도시되어 있다.
도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)과 챔버(1)의 저부(14) 사이의 공간에는 가열 수단인 히터 유닛(7)이 설치되고, 회전 테이블(2)을 통해 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)가 프로세스 레시피에서 결정된 온도(예를 들어 610℃)로 가열된다. 히터 유닛(7)은, 오목부(24)에 웨이퍼(W)가 적재되어 있는 성막 프로세스 중에는 오목부(24)에 적재된 웨이퍼(W)가 소정 온도가 되도록 가열한다. 또한, 본 실시 형태에 관한 성막 방법에 있어서는, 웨이퍼(W)의 온도는 각각의 프로세스에 따른 적절한 온도로 설정되어도 좋지만, 예를 들어 300 내지 610℃의 범위로 설정되어도 좋고, 450 내지 610℃의 범위로 설정되어도 좋고, 550 내지 610℃의 범위로 설정되어도 좋다.
도 5에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 주연 부근의 하방측에는, 회전 테이블(2)의 상방 공간으로부터 배기 영역(E1, E2)에 이르기까지의 분위기와 히터 유닛(7)이 놓여 있는 분위기를 구획하고, 회전 테이블(2)의 하방 영역으로의 가스의 침입을 억제하기 위해, 링 형상의 커버 부재(71)가 설치되어 있다. 이 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 외측 테두리부 및 외측 테두리부보다도 외주측을, 하방측으로부터 면하도록 설치된 내측 부재(71a)와, 이 내측 부재(71a)와 챔버(1)의 내벽면 사이에 설치된 외측 부재(71b)를 구비하고 있다. 외측 부재(71b)는, 분리 영역(D)에 있어서 볼록 형상부(4)의 외측 테두리부에 형성된 굴곡부(46)의 하방에서 굴곡부(46)와 근접하여 설치되며, 내측 부재(71a)는 회전 테이블(2)의 외측 테두리부 하방(및 외측 테두리부보다도 약간 외측 부분의 하방)에 있어서 히터 유닛(7)을 전체 둘레에 걸쳐서 둘러싸고 있다.
히터 유닛(7)이 배치되어 있는 공간보다도 회전 중심 근처의 부위에 있어서의 저부(14)는, 회전 테이블(2)의 하면 중심부 부근에 있어서의 코어부(21)에 접근하도록 상방측으로 돌출되어 돌출부(12a)를 이루고 있다. 이 돌출부(12a)와 코어부(21) 사이는 좁은 공간으로 되어 있으며, 또한 저부(14)를 관통하는 회전축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전축(22)과의 간극이 좁게 되어 있고, 이들 좁은 공간은 케이스체(20)에 연통하고 있다. 그리고 케이스체(20)에는 퍼지 가스인 N2 가스를 좁은 공간 내에 공급하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 설치되어 있다. 또한 챔버(1)의 저부(14)에는, 히터 유닛(7)의 하방에 있어서 주위 방향으로 소정의 각도 간격으로 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 복수의 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되어 있다(도 5에는 하나의 퍼지 가스 공급관(73)을 나타냄). 또한, 히터 유닛(7)과 회전 테이블(2) 사이에는 히터 유닛(7)이 설치된 영역으로의 가스의 침입을 억제하기 위해, 외측 부재(71b)의 내주벽(내측 부재(71a)의 상면)으로부터 돌출부(12a)의 상단부와의 사이를 주위 방향에 걸쳐서 덮는 덮개 부재(7a)가 설치되어 있다. 덮개 부재(7a)는, 예를 들어 석영으로 제작할 수 있다.
또한, 챔버(1)의 천장판(11)의 중심부에는 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있어, 천장판(11)과 코어부(21) 사이의 공간(52)에 분리 가스인 N2 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 이 공간(52)에 공급된 분리 가스는, 돌출부(5)와 회전 테이블(2)과의 좁은 간극(50)을 통해 회전 테이블(2)의 웨이퍼 적재 영역측의 표면을 따라 주연을 향해 토출된다. 공간(50)은, 분리 가스에 의해 공간(481) 및 공간(482)보다도 높은 압력으로 유지될 수 있다. 따라서, 공간(50)에 의해 제1 처리 영역(P1)에 공급되는 TiCl4 가스와 제2 처리 영역(P2)에 공급되는 NH3 가스가 중심 영역(C)을 통과하여 혼합되는 것이 억제된다. 즉, 공간(50)(또는 중심 영역(C))은, 분리 공간(H)(또는 분리 영역(D))과 마찬가지로 기능할 수 있다.
또한, 챔버(1)의 측벽에는, 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이 외부의 반송 아암(10)과 회전 테이블(2) 사이에서 기판인 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있다. 이 반송구(15)는, 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 또한, 웨이퍼 적재 영역인 오목부(24)에서는, 이 반송구 (15)에 대향하는 위치에서 반송 아암(10)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 따라서, 회전 테이블(2)의 하방측에 있어서 전달 위치에 대응하는 부위에, 오목부(24)를 관통하여 웨이퍼(W)를 이면으로부터 들어올리기 위한 전달용의 승강 핀 및 그 승강 기구(모두 도시하지 않음)가 설치되어 있다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 성막 장치에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 형성되어 있다. 이 제어부(100)의 메모리 내에는, 후술하는 성막 방법을 제어부(100)의 제어하에 성막 장치에 실시시키는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은 후술하는 성막 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여 있으며, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 매체(102)에 기억되고, 소정의 판독 장치에 의해 기억부(101)로 읽어들여, 제어부(100) 내에 인스톨된다.
[성막 방법]
이어서, 본 발명의 실시 형태에 의한 성막 방법에 대하여 도 6을 참조하면서 설명한다. 이하의 설명에서는, 상술한 성막 장치를 사용하는 경우를 예로 든다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법의 처리 플로우를 도시한 도면이다.
우선, 스텝 S100에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 테이블(2)에 적재된다. 구체적으로는, 도시하지 않은 게이트 밸브를 개방하고, 외부로부터 반송 아암(10)(도 3)에 의해 반송구(15)(도 2 및 도 3)를 통해 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 전달한다. 이 전달은, 오목부(24)가 반송구(15)에 면하는 위치에 정지했을 때에 오목부(24) 저면의 관통 구멍을 통해 챔버(1)의 저부측으로부터 도시하지 않은 승강 핀이 승강함으로써 행해진다. 이러한 웨이퍼(W)의 전달을, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜 행하고, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다.
스텝 S110에서는 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(640)에 의해 도달 가능 진공도까지 챔버(1) 내를 배기한 후, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 N2 가스를 소정의 유량으로 공급하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72, 72)으로부터도 N2 가스를 소정의 유량으로 공급한다. 이에 따라, 압력 제어 수단(650)(도 1)에 의해 챔버(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 제어한다. 이어서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 120rpm 이상, 예를 들어 120 내지 240rpm의 범위 내의 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 300℃ 내지 610℃의 범위 내의 소정 온도로 가열한다.
여기서, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 120rpm 이상, 예를 들어 120 내지 240rpm의 범위 내의 소정의 회전 속도로 설정되지만, 이것은 SiO2 등의 절연 산화막을 형성하는 경우의 프로세스보다도 훨씬 고속의 회전 속도이다. 예를 들어, SiO2를 상술한 성막 장치를 사용하여 형성하는 경우에는, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 1 내지 10rpm 정도의 저속으로 설정되는 경우가 많다. 한편, TiN막을 성막하는 본 실시 형태에 관한 성막 방법에 있어서는, 예를 들어 120 내지 240rpm으로, 실리콘 산화막의 성막시보다도 10배 이상의 회전 속도로 성막을 행한다. 이에 따라, 제1 처리 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W) 상에 TiCl4가 흡착되는 시간 및 제2 처리 영역(P2)에 있어서 웨이퍼(W) 상에서 TiCl4 분자와 NH3 분자가 반응하여 TiN의 분자층이 형성되는 시간을 짧게 할 수 있으며, TiN막을 막 밀도가 비교적 성긴 상태로 형성할 수 있다. 그리고, TiN막을 소정 막 두께까지 형성한 후, NH3 가스를 더욱 공급함과 함께 가열을 계속하고, TiN막의 막 중의 간극에 NH3을 널리 퍼지게 하면서 어닐하여 TiN막의 입경을 크게 함으로써, 저저항의 TiN막을 얻을 수 있다.
즉, 회전 테이블(2)의 회전 속도가 늦으면, 제1 처리 영역(P1)에서 공급되어 웨이퍼(W) 상에 흡착된 TiCl4와, 제2 처리 영역(P2)에서 공급된 NH3의 반응이 가열에 의한 어닐의 효과를 받으면서 진행되어, TiN막의 입경이 지나치게 커져 버린다. 그리고, 이 단계에서 TiN 성막 반응은 대략 종료되고, 그 후에 막질 개선을 위해 NH3 가스를 공급하여도 NH3은 TiN막 중을 통과할 수 없기 때문에, 충분한 막질 개선 효과가 얻어지지 않고, TiN막의 저항을 충분히 저하시킬 수 없을 우려가 있다. 즉, NH3과 충분히 반응하지 않고 잔류한 TiCl4 분자를 포함한 TiN막이 성막되어 버려, 순도가 높은 고품질의 TiN막을 형성할 수 없으며, 저저항을 실현할 수 없을 우려가 있다.
도 7은, TiN막의 막 두께와 온도와 입경과의 관계의 일례를 도시한 도면이다. 도 7에 있어서, 40nm의 막 두께에서 550℃와 610℃를 비교하면, 610℃ 쪽의 입경이 크게 되어 있고, 100nm의 막 두께에서 420℃와 550℃를 비교하면, 550℃ 쪽의 입경이 크게 되어 있는 상태가 나타나 있다. 이와 같이, 일반적으로 온도가 높은 조건에서의 성막 쪽이 막을 구성하는 분자의 입경은 커진다. 그리고, 입경이 큰 쪽이 일반적으로는 막의 저항값은 작아진다고 생각되고 있다.
그러나, 동일한 온도 조건으로 TiN막을 성막한 경우에는, 상술한 바와 같이 성막시의 회전 속도의 상이에 따라 TiN막의 품질에 차가 발생한다.
도 8a 및 8b는, 막의 간극과 입경과의 관계의 일례를 도시한 도면이다.
도 8a는, 입경이 큰 조밀한 막의 단면 구조의 일례를 도시한 도면이다. 도 8a에 있어서, 막(F1) 중에, 막(F1)을 구성하는 입자(G1)와 간극(S1)과의 관계가 나타나 있다. 도 8a에 도시한 바와 같이 입자(G1)의 입경이 처음부터 커지면, 간극(S1)은 입자(G1)에 의해 막혀 버린다. 이 상태에서는, 예를 들어 막질 개선을 위해 NH3 가스가 공급되었다고 해도, NH3 가스는 입자(G1)에 의해 간극(S1)이 막혀 있기 때문에 막(F1)의 내부까지 침입할 수 없다. 즉, 큰 입경의 입자(G1)가 얻어지고 있지만 간극(S1)이 크게 남음과 함께, NH3과 미반응된 TiCl4가 잔류하여, 막(F1)의 개질은 반드시 충분한 것은 아니므로, 저저항의 막이 얻어지지 않을 우려가 있다.
도 8b는, 입경이 작은 성긴 막의 단면 구조의 일례를 도시한 도면이다. 도 8b에 있어서, 막(F2) 중에 막(F2)을 구성하는 입자(G2)와, 간극(S2)과, 침입 루트(R2)와의 관계가 나타나 있다. 입자(G2)의 입경이 작고, 밀도가 성긴 막(F2)에 있어서는, 입자(G2) 사이의 간극(S2)이 커져, NH3 가스가 침입할 수 있는 침입 루트(R2)가 확보된다. 이러한 성긴 막(F2)에 있어서 외부로부터 NH3 가스를 공급하고, 나아가 어닐 효과가 발현되는 가열을 행하면, NH3 가스는 침입 루트(R2)를 통해 막(F2) 중에 충분히 널리 퍼져, NH3 가스에 의한 개질의 효과가 충분히 얻어지고, 저저항의 막(F2)이 얻어진다.
고속 회전을 행하여 성막 처리를 행하면 도 8b에 도시한 상태의 TiN막을 성막할 수 있으며, 최종적으로 저저항의 TiN막을 얻을 수 있다.
도 6의 설명으로 되돌아간다. 도 7, 8a 및 8b에서 설명한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 회전을 고속으로 하고, TiCl4 가스에 노출되는 시간을 짧게 할 수 있으면, 비록 웨이퍼(W)의 가열 온도가 높아도 성막되는 TiN막의 밀도는 작고, NH3을 통과할 수 있을 정도의 간극을 가진 성긴 막으로 된다. 그리고, TiN막을 소정 막 두께까지 형성한 후, TiCl4 가스의 공급은 정지하고, NH3 가스의 공급만을 계속하는 포스트 암모니아 처리 플로우를 행함으로써, NH3이 TiN막 중에 충분히 들어가고, 이 상태에서 어닐 효과에 의해 입경을 크게 하기 때문에 저저항의 TiN막을 형성할 수 있다.
또한, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 웨이퍼(W)가 성막에 필요한 모든 반응 가스의 공급을 받아 1 분자층을 형성하기 위한 1 사이클의 사이클 시간(또는 사이클 타임)에 해당한다. 즉, 회전 테이블(2)의 1회의 회전에 의해, 웨이퍼(W)는 제1 처리 영역(P1), 분리 영역(D), 제2 처리 영역(P2) 및 분리 영역을 1회씩 경유하여, 1 사이클의 분자층 형성 반응을 종료한다. 따라서, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 웨이퍼(W) 상에 최저 단위의 분자층을 형성하기 위한 1 사이클과 관련되어 있으며, 사이클 시간으로 환산할 수 있다. 구체적으로는, 회전 테이블(2)을 120rpm으로 회전시키면 1분간에 120 회전하기 때문에, 60(초)/120(회전)=0.5초/회전이 되어, 1 사이클의 사이클 시간은 0.5초가 된다. 마찬가지로, 회전 테이블(2)을 240rpm으로 회전시키면, 60(초)/240(회전)=0.25초/회전이 되어, 1 사이클의 사이클 시간은 0.25초가 된다.
이러한 사이클 시간을 사용하면, 회전 테이블(2)을 사용하지 않고 ALD 반응을 행하는 ALD 장치에 있어서도 본 실시 형태에 관한 성막 방법을 적용할 수 있으며, 예를 들어 챔버(1) 내에서 반응 노즐(31, 32)로부터의 가스의 공급 시간으로 프로세스 관리를 행하는 경우에는, 그 사이클 시간을 0.25 내지 0.5초의 단시간으로 설정함으로써, 본 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시할 수 있다. 단, 이후의 설명에 있어서는, 웨이퍼(W)를 적재한 회전 테이블(2)을 회전시켜 ALD 성막을 행하는 방법을 중심으로 설명한다.
이와 같이, 회전 테이블(2)을 고속으로 회전시키고, 짧은 사이클 시간에 ALD 반응을 행하여 성긴 TiN막을 최초로 성막하고, TiN막 중에 NH3을 널리 퍼지게 한 상태로 하고, 필요에 따라 다시 어닐 효과를 작용시킴으로써, 저저항의 TiN막을 성막할 수 있다.
또한, 본 스텝에서는, 웨이퍼(W)의 온도가 설정된다. 웨이퍼(W)의 온도는, 각 성막 프로세스에 적합한 적절한 온도로 설정되어도 좋고, 예를 들어 300 내지 610℃의 범위의 소정 온도로 설정된다. 어닐 효과는, 300℃ 정도부터 발생하는 경우가 많기 때문에, 본 실시 형태에 관한 성막 방법의 온도 범위는 어떠한 온도여도 입경을 크게 하는 어닐 효과를 갖는다. 웨이퍼(W)의 설정 온도는, 상술한 바와 같이 프로세스에 적합한 적절한 온도로 설정되어도 좋지만, 예를 들어 450 내지 610℃의 범위 내의 비교적 고온으로 설정되어도 좋고, 더욱 고온의 550 내지 610℃의 범위 내의 소정 온도로 설정되어도 좋다. TiN막의 성막 프로세스에서는, 웨이퍼(W)의 온도는 비교적 고온으로 설정되는 경우가 많고, 예를 들어 550℃, 580℃, 600℃, 610℃와 같은 온도로 설정된다. 본 실시 형태에 관한 성막 방법은, 이러한 고온의 프로세스에 적절하게 적용할 수 있다. 또한, 610℃는 현재의 성막 장치의 설정 온도의 한계로서 정한 것이며, 예를 들어 보다 고온 설정이 가능한 성막 장치가 개발되면 610℃보다도 높은 620 내지 650℃와 같은 온도 범위에도 적용은 가능하다.
어느 쪽이든 본 실시 형태에 관한 성막 방법에 있어서는, 사이클 시간을 0.5초 이하로 설정할 수 있으면 다양한 온도 범위에서 성막을 행할 수 있다. 또한, 사이클 시간은 0.5초 이하인 경우여도, 0초라는 것은 아니기 때문에 0초보다 큰 0.5초 이하를 의미한다.
스텝 S120에서는 성막 공정이 행해진다. 성막 공정에서는, 반응 가스 노즐(31)(도 2 및 도 3)로부터 TiCl4 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급한다. 회전 테이블(2)의 회전에 의해, 웨이퍼(W)는 제1 처리 영역(P1), 분리 영역(D)(분리 공간(H)), 제2 처리 영역(P2) 및 분리 영역(D)(분리 공간(H))을 이 순서대로 통과해간다(도 3 참조). 우선, 제1 처리 영역(P1)에 있어서, 반응 가스 노즐(31)로부터의 TiCl4 가스가 웨이퍼(W)에 흡착된다. 이어서, 웨이퍼(W)가 N2 가스 분위기가 되어 있는 분리 공간(H)(분리 영역(D))을 통해 제2 처리 영역(P2)에 이르면, 웨이퍼(W)에 흡착된 TiCl4 가스가 반응 가스 노즐(32)로부터의 NH3 가스와 반응하고, 웨이퍼(W)에 TiN막이 성막된다. 또한, 부생성물로서 NH4Cl이 생성되고, 이것이 기상 중에 방출되어, 분리 가스 등과 함께 배기된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 분리 영역(D)(N2 가스 분위기의 분리 공간(H))에 이른다.
스텝 S110에서 상세하게 설명한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 120rpm 이상, 예를 들어 120 내지 240rpm의 범위 내의 소정의 고속 회전 속도로 설정되며, 사이클 시간이 0.5초 이하, 예를 들어 0.25 내지 0.5초의 범위 내의 소정 시간이 되도록 설정된다. 사이클 시간이 짧은 성막 공정을 행함으로써, NH3이 침입할 수 있는 침입 루트(R2)를 남긴 성긴 TiN막을 성막할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 온도는 프로세스에 적합한 소정 온도로 설정되어도 좋지만, 그 후의 막질 개선 공정도 포함하여 성막 공정에서 온도를 일정하게 하는 경우에는, 예를 들어 입경을 크게 하는 어닐 효과가 현저하게 발현되는 550 내지 610℃의 범위 내의 고온의 소정 온도로 설정해도 좋다.
이러한 설정을 행함으로써, 입경이 지나치게 커지지 않는 밀도가 성긴 TiN막을 성막하는 것이 가능해진다. 또한, 회전 테이블(2)을 고속 회전시킴으로써, 성막의 생산성도 향상시킬 수 있다.
스텝 S130에서는, 반응 가스 노즐(31)로부터의 TiCl4 가스와, 반응 가스 노즐(32)로부터의 NH3 가스의 공급이 소정의 시간 행해졌는지의 여부가 판정된다. 소정의 시간은, 각 프로세스에 있어서 적절한 시간을 설정할 수 있다.
스텝 S130에 있어서 소정의 시간이 경과하지 않은 경우에는, 스텝 S120으로 되돌아가 TiN막의 성막이 계속되고, 경과한 경우에는 다음 스텝 S140으로 진행된다.
스텝 S140에서는 막질 개선 공정이 행해진다. 막질 개선 공정에 있어서는, 회전 테이블(2)의 회전과 반응 가스 노즐(32)로부터의 NH3 가스의 공급은 계속되고, 반응 가스 노즐(31)로부터의 TiCl4 가스의 공급이 정지된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는, N2 가스(분리 가스)와 NH3 가스에 순서대로 노출되게 된다. 성막된 TiN막 중에는 미반응된 TiCl4나, TiCl4의 분해에 의해 발생한 염소(Cl)가 잔존하고 있을 가능성이 있다. TiCl4 가스의 공급을 정지하고, TiCl4와 반응하는 NH3 가스를 보충하도록 공급을 계속함으로써, 미반응된 TiCl4가 NH3 가스와 반응하여 TiN이 생성되고, 또한, 잔존하고 있는 Cl이 NH3 가스에 의해 NH4Cl이 되어 막 중으로부터 탈리된다. 이로 인해, 성막된 TiN막 중의 불순물이 저감되고, TiN막의 막질이 향상되며, 따라서 저항률을 저하시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, TiN막에는 NH3 가스가 침입하는 간극(S2) 및 침입 루트(R2)가 확보되어 있기 때문에, NH3 개질 처리에 의해 충분한 막질 개선 및 저저항화가 가능해진다.
또한, 막질 개선 공정에 있어서는, NH3 가스를 충분히 TiN막 중에 확산시키기 위해, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 성막시와 같은 고속 회전으로 하지 않고, 저속 회전으로 전환해도 좋다. 예를 들어, 막질 개선 공정에 있어서는, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 10 내지 30rpm으로 설정해도 좋다. 저속 회전으로 NH3 가스를 공급함으로써, NH3 가스를 TiN막 중에 충분히 공급하면서 어닐 효과를 충분히 발휘시킬 수 있다.
또한, 막질 개선 공정에 있어서는, 챔버(1) 내의 압력도 성막시와 상이해도 좋다. 이와 같이, 막질 개선 공정에 있어서는, 성막시와 상이한 프로세스 레시피를 사용하여 막질 개선에 적합한 플로우를 행하도록 해도 좋다.
스텝 S150에서는, 반응 가스 노즐(32)로부터의 NH3 가스의 공급이 소정의 시간 행해졌는지의 여부가 판정된다. 여기에서의 소정의 시간은, 프로세스 공정에서 성막하는 TiN막의 막 두께를 고려하여 적절하게 설정되어도 좋지만, 예를 들어 막 두께를 5 내지 40nm로 하기 위해 소정의 시간을 150 내지 600초로 설정해도 좋고, 막 두께를 10 내지 40nm로 하기 위해 소정의 시간을 300 내지 600초로 설정해도 좋다.
또한, 막질 개선 공정의 시간은, 막질 개선의 효과를 충분히 발휘시키기 위해 성막 공정보다도 장시간으로 설정되어도 좋다.
스텝 S150에 있어서, 소정의 시간이 경과하지 않은 경우에는 스텝 S140이 계속되고, 경과한 경우에는 다음 스텝 S160으로 진행된다.
스텝 S160에 있어서는, 스텝 S130의 시간과 스텝 S150의 시간의 총계 시간이 소정의 시간에 달했는지가 판정된다. 소정의 시간에 달하지 않은 경우에는 스텝 S120으로 되돌아가, TiN이 더욱 성막된다. 소정의 시간에 달한 경우에는 TiCl4 가스 및 NH3 가스의 공급을 정지하고, 성막을 종료한다.
이상, 설명한 바와 같이, 도 6에 도시한 본 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시함으로써 저저항의 TiN막을 성막할 수 있다.
〔실시예〕
도 9는, 본 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시한 실시 결과를 도시한 도면이다. 도 9에 있어서, 횡축이 막질 개선 공정에서의 NH3 개질 처리의 처리 시간(sec), 종축이 TiN막의 저항값(Ω/cm)을 나타내고 있다.
또한, 성막 조건은 챔버 내 압력 4Torr, TiCl4 가스의 유량 50sccm, NH3의 유량 15slm의 조건으로, 웨이퍼 온도가 550℃와 610℃인 경우의 2가지, 회전 속도가 120rpm과 240rpm인 경우의 2가지의 각각에 대하여 막 두께 40nm의 성막을 행하였다. 또한, 퍼지 가스의 조건은 분리 영역에서 공급되는 N2 가스의 유량이 15slm, 회전 테이블의 회전축 부근에서 공급되는 N2 가스의 유량이 10slm이다.
또한, 막질 개선 공정에서의 NH3 개질 처리에 대해서는, 챔버 내 압력을 9Torr, 회전 속도를 10rpm으로 하여 행하였다.
도 9에 도시한 바와 같이 NH3 개질 처리를 개시하며, 시간이 경과함에 따라 TiN막의 저항값은 감소하고, 저저항화가 진행된다. NH3 개질 처리의 처리 시간은 2400sec로 행하였다. 저항값은 웨이퍼 온도 610℃, 회전 속도 240rpm의 고온ㆍ고속 회전인 것이 절대값으로서 가장 낮아지고, 이어서 웨이퍼 온도 610℃, 회전 속도 120rpm, 이어서 웨이퍼 온도 550℃, 회전 속도 120rpm, 마지막으로 웨이퍼 온도 550℃, 회전 속도 240rpm이었다.
이어서, NH3 개질 처리에 대하여, 개질 시간 0 내지 600sec에 있어서의 개질 효과율(개선율)을 산출하였다. 또한, 개질 효과율은, NH3 개질 처리 시간 0sec일 때의 저항값으로부터의 감소폭을 ％로 나타내고 있다.
도 10a 및 10b는, 본 실시예에 관한 성막 방법의 NH3 개질 처리의 효과를 도시한 도면이다.
도 10a는, 회전 속도 120rpm, 240rpm에 있어서의 기판 온도 550℃, 610℃의 NH3 개질 처리의 효과를 도시한 도면이다. 도 10a에 있어서 회전 속도 120rpm과 240rpm을 비교하면, 550℃, 610℃의 어느 쪽에 있어서도, 보다 고속 회전인 240rpm 쪽의 개질 효과가 높게 되어 있다. 또한, 550℃와 610℃인 경우를 비교하면, 610℃ 쪽의 개질 효과가 높게 되어 있으며, 고속ㆍ고온의 성막 조건이 가장 양호한 결과가 얻어졌다.
도 10b는, 본 실시예에 관한 성막 방법에 있어서의 회전 테이블의 회전 속도 240rpm과 120rpm과의 효과의 증가비를 도시한 도면이다. 즉, 도 10a에 있어서, 기판 온도 550℃, 610℃의 어떠한 경우에도, 회전 속도가 120rpm인 경우보다 240rpm인 경우 쪽이 TiN막의 개질 효과가 높은 결과가 되어 있지만, 회전 속도를 120rpm으로부터 240rpm으로 변경함으로써, TiN막의 개질 효과가 얼마나 증가했는지의 개선비를 산출하여 나타내고 있다. 도 10b에 있어서, 240rpm(사이클 시간 0.25sec) 성막의 120rpm(0.5sec) 성막에 대한 NH3 효과 증가 현상은 550℃인 경우에도 610℃인 경우에도 마찬가지였으며, 개질 효과의 증가 폭의 온도 의존성은 적다는 결과가 얻어졌다.
도 11a 및 11b는, 회전 테이블의 회전 속도와 NH3 개질 처리와의 관계를 도시한 도면이다. 도 11a 및 11b에 있어서는, 기판 온도가 300℃인 조건에서 회전 테이블의 회전 속도를 다양하게 변화시켰다.
도 11a는, 본 실시예에 관한 성막 방법에 있어서의 NH3 개질 처리의 효과를 회전 속도 기준으로 도시한 도면이다. 도 11a에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 관한 회전 속도 120rpm, 240rpm으로 성막된 TiN막은 NH3 개질 처리의 효과가 27.1％, 28.0％로 높은 값이지만, 비교예에 관한 30rpm의 회전 속도로 성막된 TiN막은, 20.8％로 120rpm, 240rpm의 값과 비교하여 낮게 되어 있다. 또한, 도 10a 및 10b와 마찬가지로, 회전 속도가 120rpm보다도 240rpm의 보다 고속인 쪽이 개질 처리의 효과가 크게 되어 있다.
따라서, 도 11a에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)을 120 내지 240rpm의 고속 회전 속도로 회전시켜서 성막을 행함으로써, 종래와 같이 30rpm의 저속 회전 속도로 회전시키는 것보다도 NH3 개질 처리의 효과가 큰 것을 알 수 있다.
도 11b는, 도 11a에 도시한 본 실시예에 관한 성막 방법에 있어서의 NH3 개질 처리의 효과를, 회전 테이블의 회전 속도가 아닌 사이클 시간 기준으로 도시한 도면이다. 도 11b에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 관한 성막 방법의 사이클 시간 0.50sec, 0.25sec로 성막된 TiN막은 NH3 개질 처리의 효과가 27.1％, 28.0％로 높은 값이지만, 비교예에 관한 2.00sec의 사이클 시간으로 성막된 TiN막은, 20.8％로 사이클 시간이 0.50sec, 0.25sec일 때의 값과 비교하여 낮게 되어 있다. 또한, 사이클 시간이 0.50sec인 경우보다도, 0/25sec인 경우의 보다 사이클 시간이 짧은 쪽이 개질 처리의 효과가 크게 되어 있다.
따라서, 도 11b에 도시한 바와 같이, 사이클 시간을 0.25 내지 0.50sec의 단시간으로 하여 성막을 행함으로써, 종래와 같이 사이클 시간을 2.00sec로 길게 하는 것보다도 NH3 개질 처리의 효과가 큰 것을 알 수 있다.
이와 같이, 실시예에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에 관한 성막 방법에 따르면, NH3 개질 처리의 개질 효과를 충분히 향상시키고, 저저항의 TiN을 성막할 수 있다.
또한, 본 실시 형태 및 실시예에 관한 성막 방법에 있어서는, TiN막의 성막에 대하여 본 발명에 관한 성막 방법을 적용하는 예를 들어 설명했지만, 전극 등의 도전성을 갖는 막을 성막하는 경우에는, 널리 적용할 수 있다. 예를 들어, 다른 금속 성분을 포함하는 제1 처리 가스와, 질소 성분을 포함하는 제2 처리 가스를 사용한 성막에도 사용하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따르면 저저항의 박막을 형성할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태 및 실시예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은, 상술한 실시 형태 및 실시예로 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태 및 실시예에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.

Claims (15)

  1. 성막 방법이며,
    챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급한 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막을 행하는 성막 공정을 갖고,
    상기 사이클의 사이클 시간을 0.5초 이하로 설정하여 상기 성막 공정을 행하는, 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 사이클 시간을 0.25 내지 0.5초의 범위로 설정한, 성막 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 기판을 적재 가능한 기판 적재 영역을 갖는 회전 테이블 상에 적재되고,
    상기 회전 테이블의 상방에 상기 제1 처리 가스를 공급하는 제1 처리 영역과, 상기 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 영역과, 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역을 분리하는 분리 영역이 상기 회전 테이블의 회전 방향을 따라 형성되고,
    상기 회전 테이블을 1 회전시켰을 때에 1 사이클을 종료하는, 성막 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 사이클 시간이 0.5초일 때에는 상기 회전 테이블의 회전 속도는 120rpm이고, 0.25초일 때에는 상기 회전 테이블의 회전 속도는 240rpm인, 성막 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 분리 영역에서는 불활성 가스가 공급되는, 성막 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 처리 가스는 금속을 포함하는 가스이며,
    상기 제2 처리 가스는 질소를 포함하는 가스인, 성막 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속을 포함하는 가스는 티타늄 함유 가스이며,
    상기 질소를 포함하는 가스는 암모니아 함유 가스인, 성막 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 티타늄 함유 가스는 TiCl4이며,
    상기 질소 함유 가스는 NH3인, 성막 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판은 300℃ 이상으로 가열된, 성막 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은 550℃ 이상으로 가열된, 성막 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 기판은 610℃ 이하로 가열된, 성막 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 1 사이클을 소정 횟수 반복하여, 소정의 막 두께의 성막을 행한 후,
    상기 제1 처리 가스를 공급하지 않고, 상기 제2 처리 가스를 공급하는 막질 개선 공정을 소정 시간 행하는, 성막 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 막질 개선 공정의 제2 사이클 시간은 상기 성막 공정의 상기 사이클 시간보다도 긴, 성막 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 막질 개선 공정의 상기 소정 시간은 상기 성막 공정이 행해지는 시간보다도 긴, 성막 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기판은 상기 성막 공정 및 상기 막질 개선 공정을 통해 동일한 온도로 가열되는, 성막 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190075801A (ko) * 2017-12-21 2019-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9416448B2 (en) * 2008-08-29 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5107185B2 (ja) 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9297072B2 (en) 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP6262115B2 (ja) 2014-02-10 2018-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6548586B2 (ja) 2016-02-03 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP6733516B2 (ja) 2016-11-21 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
CN114420670A (zh) * 2020-10-28 2022-04-29 上海华力集成电路制造有限公司 通孔及其制造方法
KR20230172494A (ko) * 2021-03-22 2023-12-22 유제누스 인크. 등각성의 평활한 티타늄 나이트라이드 층 및 이를 형성시키는 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
US6528430B2 (en) * 2001-05-01 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3
JP4583764B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2005098913A1 (ja) 2004-04-09 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Ｔｉ膜およびＴｉＮ膜の成膜方法およびコンタクト構造、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体およびコンピュータプログラム
US20060272577A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Ming Mao Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film
US8465591B2 (en) * 2008-06-27 2013-06-18 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP4661990B2 (ja) * 2008-06-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP5482196B2 (ja) * 2009-12-25 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2011168881A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5423529B2 (ja) * 2010-03-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2013133521A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190075801A (ko) * 2017-12-21 2019-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법

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Publication number Publication date
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