KR20140139892A - Substrate griding apparatus and griding method - Google Patents

Substrate griding apparatus and griding method Download PDF

Info

Publication number
KR20140139892A
KR20140139892A KR20130060571A KR20130060571A KR20140139892A KR 20140139892 A KR20140139892 A KR 20140139892A KR 20130060571 A KR20130060571 A KR 20130060571A KR 20130060571 A KR20130060571 A KR 20130060571A KR 20140139892 A KR20140139892 A KR 20140139892A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
polishing
point
rotating
center point
Prior art date
Application number
KR20130060571A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101986546B1 (en
Inventor
황지훈
이정준
이승후
이상철
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130060571A priority Critical patent/KR101986546B1/en
Publication of KR20140139892A publication Critical patent/KR20140139892A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101986546B1 publication Critical patent/KR101986546B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/08—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass
    • B24B9/10—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass of plate glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/20—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

In the present invention, a substrate grinding apparatus is disclosed. More particularly, the present invention relates to a substrate grinding apparatus and a substrate grinding method, capable of grinding the edge of a plastic substrate or a transparent glass substrate used in a flat display device. According to one embodiment of the present invention, the edge of the substrate is ground to an ideal circle by determining the coordinate of a grinding point with a polar coordinate method by replacing a Cartesian coordinate method used in the existing curved line grinding process of the substrate. Also, productivity is improved by simultaneously processing two substrates on one apparatus by performing the curved line grinding process by moving and rotating the substrate on both sides around a grinding wheel.

Description

기판 연마 장치 및 방법{SUBSTRATE GRIDING APPARATUS AND GRIDING METHOD}[0001] SUBSTRATE GRIDING APPARATUS AND GRIDING METHOD [0002]

본 발명의 기판 연마장치에 관한 것으로, 특히 평판표시장치에 이용되는 투명 유리기판 또는 플라스틱기판을 연마하는 기판 연마 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate polishing apparatus and method for polishing a transparent glass substrate or a plastic substrate used in a flat panel display apparatus.

액정표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence; OLED), 플라즈마 표시패널(Plazma display panel; PDP)등의 평판표시장치에 이용되는 유리기판 또는 플라스틱 기판은 모기판으로부터 분할하여 제조된다.BACKGROUND ART A glass substrate or a plastic substrate used for flat panel display devices such as a liquid crystal display device (LCD), an organic electroluminescence (OLED), and a plasma display panel (PDP) .

도 1은 일반적인 기판 가공공정을 나타낸 도면으로서, 신호배선 및 박막트랜지스터가 형성된 모기판을 준비하고(a), 이를 x축 및 y축 방향으로 소정크기씩 절단(scribe)하여 복수의 기판으로 분할한다(b).Fig. 1 is a view showing a general substrate processing process. A mother board on which a signal wiring and a thin film transistor are formed is prepared (a) and scribed in a predetermined size in the x- and y-axis directions to be divided into a plurality of substrates (b).

이때 분할된 복수의 기판들은 측단이 모두 날카로운 형태를 갖게 되어 그 상태로 표시장치에 이용할 수 없으며, 각 측면과 모서리를 매끄럽게 연마하는 공정을 진행하게 된다(c). 연마공정이 마무리된 기판은 케이스 등에 실장되어 하나의 단위 기판을 이루게 된다(d).At this time, the plurality of divided substrates have a sharp shape at the side edges, and can not be used for a display device in this state, and a process of smoothly polishing each side and corner is performed (c). The substrate on which the polishing process is finished is mounted on a case or the like to form a unit substrate (d).

특히, 도 2에 도시된 바와 같이 전술한 연마공정(c)에서 단위 기판(10)의 모서리를 완만하게 연마하여 모서리가 직각형상이 아닌 완만한 곡선형상을 갖도록 가공할 수 있다. 이러한 모서리에 대한곡선 연마공정은 최근 평판표시장치의 외형(design)에 대한 다양화 추세에 부합하는 것으로 가능한 이상적인 원(L1)에 가까운 형상을 갖도록 가공하는 것이 바람직하다. In particular, as shown in FIG. 2, the edge of the unit substrate 10 may be gently polished in the polishing process (c) described above so that the edge has a smooth curved shape rather than a right angle. It is preferable that the curved polishing process for such an edge conforms to the diversification tendency with respect to the design of the flat panel display in recent years and is processed so as to have a shape close to the ideal circle L1 as possible.

그런데, 기존의 곡선 연마방식은 기판상에 연마하고자 하는 위치를 판단하는 데 있어, 기준점과 대하여 X축 및 Y축의 두 개의 직선축에 대한 거리로서 좌표를 판단하는 직교좌표 방식이 이용되고 있다. 즉, 곡선 연마장치가 기판(10)의 각 모서리마다 원의 중심이 되는 기준점을 결정하고, 그 기준점에 대하여 X,Y축에 대한 좌표로서 절단이 필요한 위치를 판단하여 연마를 수행하게 된다. Conventionally, in order to determine the position to be polished on the substrate, the conventional curved polishing method uses a rectangular coordinate system in which coordinates are determined as distances to two straight axes of the X axis and the Y axis with respect to the reference point. That is, the curved polishing apparatus determines a reference point at which the center of the circle is the center of each of the corners of the substrate 10, and determines a position at which cutting is required as coordinates with respect to the X and Y axes.

따라서, 기판(10)의 절단위치는 기준점을 중심으로 소정거리에 위치한 다수의 연마점으로 표시되며, 이들의 원호 보간(CirCular interpolation)으로 연마가 수행되게 된다. 일 예로서 기판(10)의 모서리의 임의의 두, X1, Y1 좌표에 위치한 A점과, X2, Y2 좌표에 위치한 B점에 의해 연마점이 결정될 수 있다. 이에 따라, 두 A,B점의 거리가 짧을수록, 즉 연마점의 개수가 많으면 많을수록 기판(10)의 모서리는 이상적인 원에 더욱 가깝게 연마되게 된다.Therefore, the cutting position of the substrate 10 is represented by a plurality of polishing points located at a predetermined distance from the reference point, and the polishing is performed by CirCular interpolation. As an example, the polishing point can be determined by any two points of the corner of the substrate 10, point A located at the X1 and Y1 coordinates and point B positioned at the X2 and Y2 coordinates. Accordingly, the shorter the distance between the points A and B, that is, the greater the number of the polishing points, the closer the edge of the substrate 10 is polished closer to the ideal circle.

그러나, 이러한 연마점의 개수를 다수로 설정하는 데 제약이 있으며, 매우 많은 연마점을 설정하여 곡선형상에 근접한다 하더라도 이상적인 원(L1)을 구현하는 데는 한계가 있다. However, there are restrictions on setting the number of such polishing points to a large number, and there are limits to realizing an ideal circle L1 even if a very large number of polishing points are set to approach a curved shape.

본 발명은 전술한 한계를 극복하기 위해 안출된 것으로, 기판의 곡선 연마방식에 있어서 종래의 직교좌표 방식을 대체하여 이상적인 원 형상을 갖는 기판 곡선 연마방법을 제공하는 데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate curve polishing method having an ideal circular shape in place of the conventional rectangular coordinate system in the curved polishing method of the substrate.

또한, 본 발명은 하나의 기판 연마장치에서 2 개의 기판을 동시에 연마하여 기판 제조공정의 시간을 단축하는 데 다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to simultaneously polish two substrates in one substrate polishing apparatus to shorten the time of the substrate manufacturing process.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 연마 장치는, 기판 지지 테이블; 상기 지지 테이블 상에 설치되어 외부로부터 이송된 기판을 적재하며, 극좌표 방식으로 실제 기판상에서 연마공정이 적용되는 지점(이하, '연마점'이라 한다)을 판단하여 상기 기판을 제1 방향 및 제2 방향으로 이동 및 회전시키는 기판 적재부; 상기 지지 테이블의 중앙에 배치되어 회전구동에 의해 상기 기판상의 연마점에 해당하는 영역 연마하는 연마 휠; 및 상기 지지 테이블에 결합되고, 상기 연마 휠을 상기 기판 적재부상에 위치시키는 휠 고정부를 포함한다.In order to achieve the above object, a substrate polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention includes: a substrate supporting table; (Hereinafter, referred to as a 'polishing point') on which a polishing process is applied on an actual substrate in a polar coordinate system so as to determine the position of the substrate in the first direction and the second direction A substrate loading unit for moving and rotating the substrate in the direction of the substrate loading; An abrasive wheel disposed at the center of the support table for abrading areas corresponding to abrasive points on the substrate by rotational drive; And a wheel fixing portion coupled to the support table, for positioning the polishing wheel on the substrate mounting portion.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 방법은, 기판을 적재하는 단계; 상기 기판을 연마 시작점으로 위치시키는 단계; 및 상기 지지 테이블 상에 설치되어 외부로부터 이송된 기판을 적재하며, 극좌표 방식으로 실제 기판상에서 연마공정이 적용되는 지점(이하, '연마중심점'이라 한다)을 판단하여 상기 기판을 제1 방향 및 제2 방향으로 이동 및 회전시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate polishing method comprising: stacking a substrate; Positioning the substrate at a polishing start point; (Hereinafter referred to as a "polishing center point") where a polishing process is applied on an actual substrate in a polar coordinate system, and the substrate is moved in a first direction and a second direction And moving and rotating in two directions.

본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 장치 및 방법은 종래 기판의 측면 및 모서리에 대한 곡선 연마공정에서 이용되는 직교좌표방식을 대체하여 극좌표 방식으로 연마점의 좌표를 판단함으로서, 기판의 측면 및 모서리를 보다 이상적인 원에 가깝게 연마할 수 있는 효과가 있다.The apparatus and method for polishing a substrate according to an embodiment of the present invention can replace the rectangular coordinate system used in the curved polishing process for the sides and edges of the conventional substrate to determine the coordinates of the polishing point in a polar coordinate system, There is an effect that polishing can be performed closer to an ideal circle.

또한, 본 발명은 연마 휠을 중심으로 양측에서 기판을 이동 및 회전시켜 곡선 연마공정을 수행함에 따라, 하나의 장치에서 동시에 두 개의 기판을 연마할 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, a curved polishing process is performed by moving and rotating a substrate from both sides with respect to a polishing wheel, so that two substrates can be polished simultaneously in one device, thereby improving productivity.

도 1은 일반적인 기판 가공공정을 나타낸 도면이다.
도 2는 기판 가공공정 중, 연마공정에서 직교좌표 방식을 통해 기판의 모서리를 연마할 경우의 모서리 형태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마장치의 구조를 사시도로 나타낸 도면이다.
도 4는 기판 연마장치에 적재된 두 기판이 연마되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 장치에 이용되는 극좌표 방식에 따른 연마중심점 및 연마점 설정방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 방법을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a general substrate processing step.
Fig. 2 is a view showing a corner shape when a corner of a substrate is polished through a rectangular coordinate system in a polishing process during a substrate processing process. Fig.
3 is a perspective view showing the structure of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a process in which two substrates mounted on a substrate polishing apparatus are polished.
5 and 6 are views for explaining a polishing center point and a polishing point setting method according to the polar coordinate system used in the substrate polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.
7 and 8 are views showing a substrate polishing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 연마장치 및 방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate polishing apparatus and method according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하되, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. However, it is to be understood that the present invention is not limited to the embodiments disclosed herein but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. To fully inform the category of the invention to those who possess it.

특히, 본 발명의 실시예에서 연마되는 기판은 액정표시장치, 액정표시장치(LCD), 유기전계 발광소자(OLED), 플라즈마 표시패널(PDP)등의 어떠한 평판표시장치에 이용되는 기판이라도 적용가능하며, 이중 현재 널리 이용되는 액정표시장치의 기판을 일 예로서 기판의 구조를 설명하면, 액정표시장치의 경우, 어레이 공정에 의해 하부기판에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트배선 및 데이터배선을 형성하고, 상기 화소영역 각각에 게이트배선과 데이터배선 접속되는 구동소자인 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다. 또한, 상기 어레이공정을 통해 박막 트랜지스터에 접속되어 박막 트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극이 형성될 수 있다.Particularly, the substrate to be polished in the embodiment of the present invention can be applied to any substrate used in a flat panel display such as a liquid crystal display, a liquid crystal display (LCD), an organic electroluminescence (OLED), and a plasma display panel In the case of a liquid crystal display, a plurality of gate wirings and data wirings arranged in a lower substrate and defining a pixel region by an array process are used as a substrate of a widely used liquid crystal display device. And a thin film transistor, which is a driving element connected to the gate wiring and the data wiring, may be formed in each of the pixel regions. In addition, a pixel electrode connected to the thin film transistor through the array process and driving the liquid crystal layer as the signal is applied through the thin film transistor may be formed.

또한, 액정층을 사이에 두고 소정거리 이격되어 결합되는 상부기판에는 컬러필터공정에 의해 컬러를 구현하는 적, 녹 및 청색의 서브컬러필터로 구성되는 컬러필터층과 공통전극이 형성될 수 있다. 이때, 횡전계(In Plane Switching; IPS)방식의 액정표시장치를 제작하는 경우에는 상기 어레이공정을 통해 상기 화소전극이 형성된 어레이 기판에 상기 공통전극이 함께 형성되는 구조일 수 있다.In addition, a color filter layer composed of sub-color filters of red, green, and blue and a common electrode, which realize color by the color filter process, may be formed on the upper substrate coupled with a predetermined distance therebetween through the liquid crystal layer. In this case, when a liquid crystal display device of an in-plane switching (IPS) type is manufactured, the common electrode may be formed on the array substrate on which the pixel electrode is formed through the array process.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마장치의 구조를 사시도로 나타낸 도면이고, 도 4는 기판 연마장치에 적재된 두 기판이 연마되는 과정을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a perspective view illustrating a structure of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view illustrating a process of polishing two substrates mounted on the substrate polishing apparatus.

도 3을 참조하면, 본 발명의 기판 연마장치(200)는 지지 테이블(210), 기판 적재부(220), 연마 휠(230) 및 휠 고정부(240)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the substrate polishing apparatus 200 of the present invention includes a support table 210, a substrate mounting portion 220, a polishing wheel 230, and a wheel fixing portion 240.

지지 테이블(210)은 기판 적재부(220) 및 휠 고정부(240)가 설치되며, 외부로부터 이송되는 기판(101, 102)이 기판 적재부(220)에 파손없이 안착되도록 바닥에 안정적으로 고정되어 있다. The support table 210 is provided with a substrate mounting portion 220 and a wheel fixing portion 240. The support table 210 is stably fixed to the floor so that the substrates 101 and 102 to be transferred from the outside are placed on the substrate mounting portion 220 without breakage. .

기판 적재부(220)는 지지 테이블(210)상에 설치되며, 외부로부터부터 이송된 제1 및 제2 기판(101, 102)이 각각 공정 초기지점에서 안정적으로 안착되도록 하는 역할을 한다. 이를 위해, 기판 적재부(220)는 지지테이블(210)에 고정되고, 제2 주행부재(225)의 하부로 결합되어 제1 방향으로 이동시키는 제1 주행부재(221)와, 회전부재(227)의 하부로 결합되어 제2 방향으로 이동시키는 제2 주행부재(225)와, 제1 및 제2 기판(101, 102)이 적재되고, 이를 일정방향으로 회전시키는 회전부재(227)를 포함한다. The substrate loading unit 220 is installed on the support table 210 and serves to stably mount the first and second substrates 101 and 102 transferred from the outside at the initial stage of the process. The substrate loading unit 220 includes a first traveling member 221 fixed to the support table 210 and coupled to the lower portion of the second traveling member 225 to move in the first direction, And a rotating member 227 for rotating the first and second substrates 101 and 102 in a predetermined direction so that the first and second substrates 101 and 102 are moved in a second direction .

즉, 본원발명의 기판 적재부(220)는 제1 및 제2 기판(101, 102)을 각각 X축 방향 및 Y축방향으로 이동시키며, 소정각도(Θ)로 회전시켜 위치가 고정되어 제자리에서 회전하는 연마 휠(230)에 접촉시킴으로서 연마공정을 수행하게 된다. That is, the substrate mounting portion 220 of the present invention moves the first and second substrates 101 and 102 in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, and rotates at a predetermined angle? The abrading process is performed by contacting the rotating abrasive wheel 230.

이러한 기판 적재부(220)는 극좌표 방식에 의해 결정된 경로를 통해 제1 및 제2 기판(101, 102)을 이동 및 회전시키게 되며, 그 경로는 기판 적재부(220)에 연결된 제어부(미도시)에 의해 결정될 수 있다. 상세하게는, 제어부(미도시)는 의해 연마 공정 진행시, 극좌표를 통해 복수의 연마점을 판단하고, 이에 대응하여 기판을 제1 및 제2 방향으로 이동시키며 소정각도로 회전시켜 연마 휠(230)을 통해 제1 및 제2 기판(101, 102)의 4 모서리를 곡선형상으로 연마하게 된다. The substrate loading unit 220 moves and rotates the first and second substrates 101 and 102 through a path determined by the polar coordinate system, and the path is a control unit (not shown) connected to the substrate loading unit 220, Lt; / RTI > Specifically, when a polishing process is performed by a control unit (not shown), a plurality of polishing points are determined through polar coordinates, and the substrate is moved in the first and second directions correspondingly and rotated at a predetermined angle to rotate the polishing wheel 230 The four corners of the first and second substrates 101 and 102 are curved in a curved shape.

연마 휠(230)은 연마 장치의 중앙에 배치되며, 기판 적재부(220)에 실장된 제1 및 제2 기판(101, 102)이 제1, 제2 방향 및 회전하는 과정중에 모서리를 연마하게 된다. 특히, 연마 휠(230)은 연결된 회전축(미도시)에 의해 일 방향으로 회전구동만을 할 뿐 제1 방향 및 제1 방향으로는 이동하지 않는 구조이다.The polishing wheel 230 is disposed at the center of the polishing apparatus and is configured such that the first and second substrates 101 and 102 mounted on the substrate mounting portion 220 are polished in the first and second directions and during the rotating process do. In particular, the grinding wheel 230 has a structure in which it is driven only in one direction by a connected rotary shaft (not shown), but does not move in the first direction and the first direction.

즉, 연마 휠(230)은 지지 테이블(210) 상에서 그 위치가 고정되어 단지 회전구동만을 수행하며, 연마 하고자 하는 대상이 연마 휠(230)로 이동됨에 따라 연마 공정이 진행된다.  That is, the polishing wheel 230 is fixed on the support table 210 to perform only the rotational driving, and the polishing process proceeds as the object to be polished is moved to the polishing wheel 230.

이러한 연마 휠(230)로는 숫돌 또는 연마석 등이 이용되며, 실질적으로 원형으로 형성된다. 또한, 연마 휠(230)은 실질적으로 유리기판 또는 플라스틱 기판을 연마하는 역할을 함에 따라, 적어도 유리보다는 강한 재질로 이루어지며, 그 재료로는 석영, 탄화 규소, 산화 알루미늄, 산화 철, 산화 크롬 등이 이용될 수 있다. As the grinding wheel 230, a grindstone, a grindstone, or the like is used, and is formed into a substantially circular shape. The polishing wheel 230 is made of a material that is stronger than at least glass, and is made of quartz, silicon carbide, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, or the like Can be used.

휠 고정부(240)는 기판 연마 장치(200)의 중앙에 설치되며, 브릿지(bridge)구조로 하부에 연마 휠(230)이 결합된다. 도시되어 있지는 않지만 휠 고정부(240)는 연마 휠(230)과 소정의 회전축(미도시)을 통해 연결되어 있으며, 그 회전축은 외부의 동력원(미도시)와 연결되어 동력원으로부터 인가되는 회전력에 의해 연마 휠(230)이 연마공정 중 소정방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 즉, 회전축은 연마 휠(230)을 기판 적재부(220)의 상부에서 그 위치가 고정되어 회전만으로 기판 연마 공정을 수행하도록 구성된다. The wheel fixing portion 240 is installed at the center of the substrate polishing apparatus 200 and has a bridge structure and a polishing wheel 230 is coupled to the lower portion. Although not shown, the wheel fixing part 240 is connected to the grinding wheel 230 through a predetermined rotation shaft (not shown), and the rotation axis thereof is connected to an external power source (not shown) The polishing wheel 230 is configured to rotate in a predetermined direction during the polishing process. That is, the rotating shaft is configured to perform the polishing process of the substrate by simply rotating the polishing wheel 230 with its position fixed at the top of the substrate loading part 220.

전술한 구조에 따라, 본원 발명의 기판 연마 장치(200)는 모기판에서 절단되어 이송된 두 개의 제1 및 제2 기판(101, 102)을 기판 적재부(220)의 회전부재(227)에 적재하고, 일방향으로 회전하는 연마 휠(230)에 제1 주행부재(225) 및 제2 주행부재(227)의 기판 이동 및 회전에 따라 접촉됨으로서 연마 공정을 수행하게 된다.According to the above-described structure, the substrate polishing apparatus 200 of the present invention includes two first and second substrates 101 and 102 that are cut and conveyed from a mother substrate to a rotating member 227 of the substrate mounting section 220 And the abrasive wheel 230 is brought into contact with the first moving member 225 and the second moving member 227 according to the movement and rotation of the substrate, thereby performing the polishing process.

이때, 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)은 서로 다른 방향으로 회전하도록 설정되는 것이 바람직하며, 연마 휠(230)의 회전방향(Θ3)은 어떤 방향이라도 적용가능하다. At this time, the first substrate 101 and the second substrate 102 are preferably set to rotate in different directions, and the rotation direction 3 of the polishing wheel 230 can be applied to any direction.

특히, 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)의 이동경로는 제어부에 의한 극좌표 연산에 의해 결정된 연마점을 중심으로 정해지며, 기판의 각 모서리는 연마점으로부터 각각 일정각도 및 방향(Θ1, Θ2)으로 회전함으로서 연마가 진행되게 된다.Particularly, the movement path of the first substrate 101 and the second substrate 102 is determined around the polishing point determined by the polar coordinate calculation by the control unit, and each corner of the substrate is moved from the polishing point by a predetermined angle and direction , &Amp;thetas; 2), so that polishing proceeds.

도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 장치에 이용되는 극좌표 방식에 따른 연마중심점 및 연마점 설정방법을 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are views for explaining a polishing center point and a polishing point setting method according to the polar coordinate system used in the substrate polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 먼저 연마중심점 및 연마점을 설정하기 위해, 대상 기판(100)의 중심점(CT0)을 설정한다. 다음으로, 모서리는 총 4개 이므로 기판(100)을 4영역으로 분할(A,B,C,D)하고, 기판 중심점(CT0)의 좌표를 X0, Y0라 할 때, 각 분할영역(A,B,C,D)에 대하여 하나의 연마 중심점을 설정한다. Referring to FIG. 5, first, the center point CT0 of the target substrate 100 is set to set the polishing center point and the polishing point. Next, the substrate 100 is divided into four regions (A, B, C, and D), and the coordinates of the substrate center point CT0 are X0 and Y0, B, C, and D).

여기서, 연마 중심점은 각 모서리가 모두 동일한 형태의 이상적인 원형을 갖는다고 할 때 연마의 기준이 되는 지점으로 정의된다. 만약, 기판(100)을 중심점(CT0)을 기준으로 회전한다고 할 때, 실제 연마가 필요한 모서리를 벗어난 부분이 연마될 수 있으며, 연마된 곡선의 형태가 기판(100)의 크기가 클수록 직선에 가깝게 된다. 따라서, 중심점(CT0)이 아닌, 각 분할영역(A,B,C,D)마다 하나의 연마중심점(CTa, CTb, CTc, CTd)을 설정하고, 이를 중심으로 기판이 회전한다고 가정하면 연마가 필요한 모서리영역만을 정확하게 가공할 수 있게 된다.Here, the center of gravity of polishing is defined as a point on which polishing is performed when each corner has an ideal circle having the same shape. If the substrate 100 is to be rotated about the center point CT0, a portion deviating from an edge where actual polishing is required may be polished. When the shape of the polished curve is larger than the size of the substrate 100, do. Therefore, assuming that one center of gravity (CTa, CTb, CTc, CTd) is set for each of the divided areas A, B, C and D and not the center point CT0, Only the required edge area can be processed accurately.

그러나, 실제로 기판(100)을 각 연마중심점(CTa, CTb, CTc, CTd)을 기준으로 하여 회전시킬 수는 없으며, 따라서, 본 발명은 기판(100) 중심점(CT0)으로 회전시키되, 그 중심점(CT0)의 좌표를 X축, Y축으로 이동시켜 마치 기판(100)이 연마중심점(CTa, CTb, CTc, CTd)을 기준으로 회전한 것과 동일한 효과를 갖도록 하는 것을 특징으로 한다. However, the substrate 100 can not be rotated with respect to the center points CTa, CTb, CTc and CTd of the respective polishing centers. Therefore, the present invention can be applied to the case where the substrate 100 is rotated at the center point CT0, CT0 are shifted along the X axis and the Y axis so that the substrate 100 has the same effect as when the substrate 100 is rotated with respect to the polishing center points CTa, CTb, CTc, and CTd.

상기의 연마중심점(CTa, CTb, CTc, CTd)의 좌표를 각각 CTa(Xa, Ya), CTb(Xb, Yb), CTc(Xc, Yc) 및 CTd(Xd, Yd)라 하면, 극좌표 방식에는 이는 중심점의 좌표 CT0(X0,T0)와의 거리(d)로 산출할 수 있으며, 따라서 연마점은 연마중심점(CTa, CTb, CTc, CTd)에서 원형의 반지름(R)으로 일정각도(Θ) 회전한 경로내의 점들로 정의된다. When the coordinates of the center of gravity CTa, CTb, CTc and CTd are denoted by CTa (Xa, Ya), CTb (Xb, Yb), CTc This can be calculated by the distance d between the coordinates CT0 (X0, T0) of the center point and the polishing point is rotated at a certain angle (?) To the radius R of the circle at the center of polishing (CTa, CTb, CTc, CTd) It is defined as points within a path.

이에 따라, 연마점의 경로 데이터가 산출되면, 기판(100)을 X축, Y축으로 이동시키며, 동시에 일정각도(Θ)로 회전시켜 이상적인 원형태로 연마하게 된다. Accordingly, when the path data of the polishing point is calculated, the substrate 100 is moved in the X-axis and the Y-axis, and is simultaneously rotated at a certain angle (?) To polish the substrate in an ideal circular shape.

일 예로서, 기판(100)의 분할된 B영역의 가공방법을 설명하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 중심점(CT0(X0, Y0))을 기준으로 연마중심점((CTb(Xb, Yb))을 설정하고, 원의 반지름(R)에 따라 연마중심점((CTb(Xb, Yb))을 기준으로 일정각도(Θ) 회전한 지점이 연마점이 된다. 따라서, 임의의 제1 연마점(b1(R,Θ1))에서 회전각도가 0°라 할 때, 제2 연마점(b2(R,Θ2))에서 회전각도는 90°이고, 제3 연마점(b3(R,Θ3))에서 회전각도는 45°로 결정되게 된다.As shown in FIG. 6, the center of gravity CT0 (X0, Y0) of the substrate 100 is referred to as the center of gravity of the substrate 100 (Xb, Yb)) is set, and a point at which the center point (CTb (Xb, Yb)) is rotated by a certain angle (?) In accordance with the radius R of the circle is the polishing point. The rotational angle at the second polishing point b2 (R,? 2) is 90 占 and the rotational angle at the third polishing point b3 (R,? 1) 3)), the rotation angle is determined to be 45 [deg.].

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 방법을 설명한다. Hereinafter, a substrate polishing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 연마 방법을 나타낸 도면이다. 먼저 도 7을 참조하면, 본 발명의 기판 연마 방법은, 기판을 테이블 상에 적재하는 단계(S100), 기판을 연마 시작점으로 위치시키는 단계(S110) 및 기판의 각 모서리에 대한 극좌표값에 따라 연마공정을 수행하는 단계(S120)로 이루어진다.7 and 8 are views showing a substrate polishing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the substrate polishing method of the present invention includes a step (S100) of placing a substrate on a table, a step (S110) of positioning the substrate as a polishing start point (S110) (S120). ≪ / RTI >

기판을 테이블 상에 적재하는 단계(S100)는 외부로부터 모기판에서 분할된 기판이 이송되어 기판 연마 장치의 기판 적재부에 적재되는 단계이다. 이때, 기판 적재부는 하나의 장치에 2개가 구비될 수 있으며, 따라서 2 개의 기판이 동시에 적재될 수 있다.The step of mounting the substrate on the table (S100) is a step in which the substrate divided from the mother substrate is transferred from the outside and is loaded on the substrate mounting portion of the substrate polishing apparatus. At this time, two substrate mounting portions may be provided in one apparatus, so that two substrates can be stacked at the same time.

기판을 연마 시작점으로 위치시키는 단계(S110)는 연마 공정을 수행하기 위해 기판을 연마 휠의 위치에 대응하여 공정시작 지점에 위치시키는 단계이다. 본 단계에서, 기판의 중심점이 설정될 수 있다.The step of placing the substrate at the polishing start point (S110) is a step of positioning the substrate at the process start point corresponding to the position of the polishing wheel to perform the polishing process. In this step, the center point of the substrate can be set.

기판의 각 모서리에 대한 극좌표값에 따라 연마공정을 수행하는 단계(S120)는 지지 테이블 상에 설치되어 외부로부터 이송된 기판을 적재하며, 극좌표 방식으로 실제 기판상에서 연마공정이 적용되는 지점, 즉 연마점을 판단하여 상기 기판을 제1 방향 및 제2 방향으로 이동 및 회전시키는 단계이다. 특히 연마점은 기판의 중심점에 대하여 일정거리(d) 떨어진 연마중심점을 기준으로 설정되며, 따라서 연마중심점을 먼저 산출하는 단계가 선행되어야 한다. The step S120 of performing the polishing process according to the polar coordinate values of the respective corners of the substrate is performed by mounting the substrate transferred from the outside on the supporting table and performing a polishing process at a point where the polishing process is applied on the actual substrate in a polar coordinate manner, And moving and rotating the substrate in the first direction and the second direction. In particular, the polishing point is set on the basis of the polishing center point spaced a certain distance (d) from the center point of the substrate, and therefore, the polishing center point must first be calculated.

이하, 상기 연마수행단계(S120)를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the polishing step (S120) will be described in more detail with reference to the drawings.

도 8을 참조하면, 본 발명의 기판 연마 방법은 기준좌표에 대응하여 각 모서리에 대응하는 연마 중심값을 산출하는 단계(S210), 연마 중심 좌표값을 기준으로 하여 회전하였을 때의 경로 데이터를 산출하는 단계(S220) 및 경로 데이터에 대응하여 기판을 X,Y으로 이동시키고 일정각도(Θ)로 회전시키는 단계(S230)로 이루어진다. Referring to FIG. 8, the substrate polishing method of the present invention includes calculating a polishing center value corresponding to each corner corresponding to a reference coordinate (S210), calculating path data when the polishing center coordinate is rotated on the basis of the polishing center coordinate value (S220), and moving the substrate to X and Y corresponding to the path data and rotating the substrate at a certain angle (?) (S230).

모서리에 대응하는 연마 중심값을 산출하는 단계(S210)는, 설정된 기판중심점을 통해 기판을 4영역으로 분할하고, 기판 중심점의 좌표를 이용하여 각 4분할영역에 대하여 하나의 연마 중심점을 설정하는 단계이다. The step S210 of calculating the polishing center value corresponding to the edge includes dividing the substrate into four regions through the set substrate center point and setting one polishing center point for each of the four divided regions by using the coordinates of the substrate center point to be.

연마 중심 좌표값을 기준으로 하여 회전하였을 때의 경로 데이터를 산출하는 단계(S220)는, 연마 중심점의 좌표를 통해 연마하고자 하는 원형의 반지름으로 기판이 회전할 경우의 경로내에 있는 점들을 산출하는 것으로, 그 경로 데이터는 실제 기판이 연마될 때 제거되는 연마점이 된다. The step S220 of calculating the path data when the substrate is rotated based on the polishing center coordinate value is to calculate the points in the path when the substrate rotates with the radius of the circular shape to be polished through the coordinates of the center point of polishing , The path data becomes an abrasive point to be removed when the actual substrate is polished.

경로 데이터에 대응하여 기판을 X,Y으로 이동시키고 일정각도(Θ)로 회전시키는 단계(S230)는, 산출된 경로데이터 즉, 연마점은 실제 기판을 회전시켜 산출한 것이 아닌 기판의 중심점으로 구한 연마중심점과 이를 통한 회전각도를 이용하여 산출한 것으로, 기판의 회전만으로는 그 경로로 연마 휠이 위치하도록 할 수 없으므로, 기판을 일정각도(Θ)로 회전시킴과 동시에 X축 및 Y축으로 이동시켜 연마 휠이 연마 점에 접촉되도록 기판을 제어하는 단계이다.The step S230 of moving the substrate in X and Y corresponding to the path data and rotating the substrate at a certain angle? Is performed in such a manner that the calculated path data, that is, the polishing point is obtained by calculating the center point of the substrate, Since the polishing wheel can not be positioned by the rotation of the substrate only by rotating the substrate, the substrate is rotated at a certain angle (?) And moved along the X axis and the Y axis And controlling the substrate such that the polishing wheel contacts the polishing point.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

101 : 제1 기판 102 : 제2 기판
200 : 기판 연마 장치 210 : 지지테이블
220 : 기판 적재부 221 : 제1 주행부재
225 : 제2 주행부재 227 : 회전부재
230 : 연마 휠 240 : 휠 고정부101: first substrate 102: second substrate
200: substrate polishing apparatus 210: support table
220: substrate mounting portion 221: first running member
225: second running member 227: rotating member
230: Grinding wheel 240: Wheel fixing part

Claims (13)

지지 테이블;
상기 지지 테이블 상에 설치되어 외부로부터 이송된 기판을 적재하며, 극좌표 방식으로 실제 기판상에서 연마공정이 적용되는 지점(이하, '연마점'이라 한다)을 판단하여 상기 기판을 제1 방향 및 제2 방향으로 이동 및 회전시키는 기판 적재부;
상기 지지 테이블의 중앙에 배치되어 회전구동에 의해 상기 기판상의 연마점에 해당하는 영역 연마하는 연마 휠; 및
상기 지지 테이블에 결합되고, 상기 연마 휠을 상기 기판 적재부상에 위치시키는 휠 고정부
를 포함하는 기판 연마 장치.Support table;
(Hereinafter, referred to as a 'polishing point') on which a polishing process is applied on an actual substrate in a polar coordinate system so as to determine the position of the substrate in the first direction and the second direction A substrate loading unit for moving and rotating the substrate in the direction of the substrate loading;
An abrasive wheel disposed at the center of the support table for abrading areas corresponding to abrasive points on the substrate by rotational drive; And
A wheel fixing portion coupled to the support table for positioning the polishing wheel on the substrate mount,
And a substrate polishing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 연마점은,
상기 기판의 각 모서리에 인접하여 형성하고자 하는 원형상의 중심점(이하, '연마 중심점'이라 한다)을 기준으로 하여 상기 기판이 일정각도(Θ)로 회전할 경우의 경로상에 있는 점들로 정의되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.The method according to claim 1,
The above-
Is defined as a point on a path when the substrate rotates at a certain angle (?) With reference to a circular center point (hereinafter, referred to as a 'polishing center point') to be formed adjacent to each corner of the substrate Wherein the substrate polishing apparatus comprises: 제 2 항에 있어서,
상기 4개의 연마중심점은,
상기 기판의 중심점에서 일정거리(d)에 위치하는 지점으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.3. The method of claim 2,
The four center points of polishing,
Is set to a point located at a certain distance (d) from the center point of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 적재부는,
상기 기판이 적재되고, 상기 기판을 일정방향으로 회전시키는 회전부재;
상기 회전부재의 하부로 결합되어 제1 방향으로 이동시키는 제1 주행부재; 및
상기 지지테이블에 고정되고, 상기 제1 주행부재의 하부로 결합되어 제2 방향으로 이동시키는 제2 주행부재
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.The method according to claim 1,
Wherein:
A rotating member on which the substrate is mounted and rotating the substrate in a predetermined direction;
A first running member coupled to a lower portion of the rotating member to move in a first direction; And
A second travel member fixed to the support table and coupled to a lower portion of the first travel member to move in a second direction,
Wherein the substrate polishing apparatus further comprises: 제 1 항에 있어서,
상기 기판 적재부는,
상기 제1 및 제2 기판을 동시에 적재하도록 2개가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.The method according to claim 1,
Wherein:
Wherein two substrates are provided to simultaneously load the first and second substrates. 제 5 항에 있어서,
상기 회전부재는,
상기 제1 기판 및 제2 기판을 각각 서로 다른 방향으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.6. The method of claim 5,
The rotating member includes:
And rotating the first substrate and the second substrate in different directions, respectively. 기판을 적재하는 단계;
상기 기판을 연마 시작점으로 위치시키는 단계; 및
상기 지지 테이블 상에 설치되어 외부로부터 이송된 기판을 적재하며, 극좌표 방식으로 실제 기판상에서 연마공정이 적용되는 지점(이하, '연마점'이라 한다)을 판단하여 상기 기판을 제1 방향 및 제2 방향으로 이동 및 회전시키는 단계
를 포함하는 기판 연마 방법.Loading a substrate;
Positioning the substrate at a polishing start point; And
(Hereinafter, referred to as a 'polishing point') on which a polishing process is applied on an actual substrate in a polar coordinate system so as to determine the position of the substrate in the first direction and the second direction Moving and rotating in the direction
≪ / RTI > 제 7 항에 있어서,
상기 연마공정을 수행하는 단계는,
상기 기판 중심점으로부터 각 모서리에 대응하는 연마점을 산출하는 단계;
상기 연마점을 기준으로 하여 상기 기판이 회전하였을 때의 경로 데이터를 산출하는 단계; 및
상기 경로 데이터에 대응하여 상기 기판을 제1 및 제2 방향으로 이동시키고 일정각도(Θ)로 회전시키는 단계
를 포함하는 기판 연마 방법.8. The method of claim 7,
The step of performing the polishing step includes:
Calculating polishing points corresponding to the respective corners from the substrate center point;
Calculating path data when the substrate rotates on the basis of the polishing point; And
Moving the substrate in the first and second directions corresponding to the path data and rotating the substrate at a predetermined angle?
≪ / RTI > 제 8 항에 있어서,
상기 연마점은,
상기 기판의 각 모서리에 인접하여 형성하고자 하는 원형상의 중심점(이하, '연마 중심점'이라 한다)을 기준으로 하여 상기 기판이 일정각도(Θ)로 회전할 경우의 경로상에 있는 점들로 정의되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.9. The method of claim 8,
The above-
Is defined as a point on a path when the substrate rotates at a certain angle (?) With reference to a circular center point (hereinafter, referred to as a 'polishing center point') to be formed adjacent to each corner of the substrate Wherein the substrate is polished. 제 9 항에 있어서,
상기 기판의 중심점에서 일정거리(d)에 위치하는 지점으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.10. The method of claim 9,
(D) from the center point of the substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 기판 적재부는,
상기 기판이 적재되고, 상기 기판을 일정방향으로 회전시키는 회전부재;
상기 회전부재의 하부로 결합되어 제1 방향으로 이동시키는 제1 주행부재; 및
상기 지지테이블에 고정되고, 상기 제1 주행부재의 하부로 결합되어 제2 방향으로 이동시키는 제2 주행부재
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.8. The method of claim 7,
Wherein:
A rotating member on which the substrate is mounted and rotating the substrate in a predetermined direction;
A first running member coupled to a lower portion of the rotating member to move in a first direction; And
A second travel member fixed to the support table and coupled to a lower portion of the first travel member to move in a second direction,
And polishing the substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 기판 적재부는,
상기 제1 및 제2 기판을 동시에 적재하도록 2개가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.12. The method of claim 11,
Wherein:
Wherein two of the first and second substrates are provided to simultaneously load the first and second substrates. 제 12 항에 있어서,
상기 회전부재는,
상기 제1 기판 및 제2 기판을 각각 서로 다른 방향으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.13. The method of claim 12,
The rotating member includes:
Wherein the first substrate and the second substrate are rotated in directions different from each other.
KR1020130060571A 2013-05-28 2013-05-28 Substrate griding apparatus and griding method KR101986546B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130060571A KR101986546B1 (en) 2013-05-28 2013-05-28 Substrate griding apparatus and griding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130060571A KR101986546B1 (en) 2013-05-28 2013-05-28 Substrate griding apparatus and griding method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140139892A true KR20140139892A (en) 2014-12-08
KR101986546B1 KR101986546B1 (en) 2019-09-30

Family

ID=52457994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130060571A KR101986546B1 (en) 2013-05-28 2013-05-28 Substrate griding apparatus and griding method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101986546B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106334993A (en) * 2016-10-24 2017-01-18 上海华力微电子有限公司 Simulating device for chemical machine grinding technology

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990074542A (en) * 1998-03-12 1999-10-05 윤종용 Liquid crystal display panel polishing apparatus and manufacturing method of liquid crystal display device using same
KR20020054872A (en) * 2000-12-28 2002-07-08 구본준, 론 위라하디락사 Device for grinding a panel and method for grinding the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990074542A (en) * 1998-03-12 1999-10-05 윤종용 Liquid crystal display panel polishing apparatus and manufacturing method of liquid crystal display device using same
KR20020054872A (en) * 2000-12-28 2002-07-08 구본준, 론 위라하디락사 Device for grinding a panel and method for grinding the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106334993A (en) * 2016-10-24 2017-01-18 上海华力微电子有限公司 Simulating device for chemical machine grinding technology

Also Published As

Publication number Publication date
KR101986546B1 (en) 2019-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7131893B2 (en) Method for grinding liquid crystal display panel
KR101755062B1 (en) Glass substrate and method for manufacturing glass substrate
JP4672715B2 (en) Polishing machine and its conveying jig
KR101986546B1 (en) Substrate griding apparatus and griding method
KR20150145503A (en) Substrate polishing apparatus and method of the same
WO2014002447A1 (en) Substrate-edge grinding method, and substrate-edge grinding device
JP6101567B2 (en) Work transfer method
KR101513906B1 (en) Apparatus and method for processing panel
JP6555587B2 (en) Sheet glass manufacturing method and manufacturing apparatus
KR101264406B1 (en) Work edge grinding apparatus and method using the same
KR100507849B1 (en) Apparatus processing edge of glass substrate for lcd panel
JP6525395B2 (en) Glass plate and method of manufacturing the same
KR101871853B1 (en) Panel machining apparatus for flat type display
KR20160087538A (en) Substrate grinding apparatus and substrate corner grinding method of the same
CN109834574B (en) Rectangular glass sectional polishing method
KR102586040B1 (en) Chamfering wheel, chamfering apparatus comprising the same, and method of manufacturing display apparatus using the same
JP6635409B2 (en) Glass plate for flat panel display
KR20120079849A (en) Glass substrate manufacturing method and device using disk wheel
KR20210145642A (en) Suction jig for articulated robot transferring ultra thin glass
KR20230063992A (en) Apparatus for processing substrate
KR20140136725A (en) Method and apparatus for processing panel
KR20080062904A (en) Apparatus and method for grinding liquid crystal display panel
KR20230095559A (en) Grinding wheel, grinding apparatus and pad electrode forming method using the same
KR101084968B1 (en) Apparatus and method for manufacturing plate
KR20200104700A (en) Substrate grinding apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right