KR20140138845A - 임프린트 장치, 몰드, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 몰드, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 포함하는 몰드를 이용하여 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 몰드는, 상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 형성된 제1 패턴 군을 포함하고, 상기 장치는, 제2 패턴 군과, 상기 제1 패턴 군 및 상기 제2 패턴 군을 통과한 광에 의해 형성된 마크 군을 검출하도록 구성되는 검출 유닛과, 상기 검출 유닛에 의해 검출된 상기 마크 군으로부터, 상기 제1 패턴 군과 상기 제2 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 산출하도록 구성되는 산출 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 몰드, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, MOLD, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치, 몰드, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은 자기 기억 매체 및 반도체 디바이스 등의 양산용 나노 리소그래피 기술의 하나로서 상당히 주목받고 있다. 임프린트 기술에서는, 미세한 패턴이 형성된 몰드를 원판으로서 이용하여 실리콘 웨이퍼나 글래스 플레이트 등의 기판 상에 패턴을 전사한다.
임프린트 기술을 이용한 임프린트 장치에서는, 기판과 몰드의 얼라인먼트 방식으로서, 다이바이다이 얼라인먼트(die-by-die alig㎚ent) 방식이 종종 채용된다. 다이바이다이 얼라인먼트 방식은 기판 상의 복수의 샷 영역마다 형성된 얼라인먼트 마크를 광학적으로 검출하고, 기판과 몰드의 위치 관계의 어긋남을 보정하는 얼라인먼트 방식이다. 이러한 방식에서, 기판 상의 얼라인먼트 마크에 대응하는 몰드의 얼라인먼트 마크뿐만 아니라, 그 얼라인먼트 마크에 대한 위치 정보를 취득하기 위한 마크 또한 이용하는 얼라인먼트 방법이 일본 특허 제4185941호에서 제안되었다.
임프린트 장치에서 이용되는 몰드는, 일반적으로, 구형 형상의 패턴 영역(패턴이 형성된 영역)을 가지고, 그 패턴 영역을 둘러싸는 외주부의 네 구석에 얼라인먼트 마크가 형성된다. 임프린트 장치에서는, 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크를 이용해서 기판과 몰드의 얼라인먼트를 행하고 있다. 그러나, 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크를 이용해서 얼라인먼트를 행하면, 외주부에서는 기판과 몰드의 위치 관계가 정확하지만, 패턴 영역에서는 부정확한 경우가 종종 있다. 예를 들면, 몰드에 비선형 왜곡이 발생한 경우(즉, 몰드에서의 패턴 영역의 왜곡과 외주부의 왜곡이 서로 상이한 경우)에는, 패턴 영역에서 기판과 몰드의 위치 어긋남이 발생하여 오버레이 오차를 발생시키는 요인으로 된다. 몰드의 비선형 왜곡은 몰드를 변형시키거나, 몰드의 패턴 영역에 수지를 충전시킬 때에 발생하기 쉬움에 주의한다.
본 발명은, 임프린트 장치에서 기판과 몰드의 얼라인먼트에 있어서 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 포함하는 몰드가 수지에 가압된 상태로, 기판 상의 상기 수지를 경화시켜서 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 임프린트 장치이며, 상기 몰드는, 상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 형성된 제1 계측 패턴 군을 포함하고, 상기 제1 계측 패턴 군은 상기 패턴 영역 내에 속하는 부분을 포함하고, 상기 임프린트 장치는, 제2 계측 패턴 군과, 상기 제1 계측 패턴 군 및 상기 제2 계측 패턴 군을 통과한 광에 의해 형성된 마크 군을 검출하도록 구성되는 검출 유닛과, 상기 검출 유닛에 의해 검출된 상기 마크 군으로부터, 상기 제1 계측 패턴 군과 상기 제2 계측 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 산출하도록 구성되는 산출 유닛을 포함하는 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부 도면을 참조하여 하기의 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 임프린트 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 몰드가 가지는 메사(mesa)를 도시하는 단면도.
도 3은 몰드가 가지는 다른 메사를 도시하는 단면도.
도 4는 몰드가 가지는 또 다른 메사를 도시하는 단면도.
도 5는 몰드가 가지는 또 다른 메사를 도시하는 단면도.
도 6은 몰드가 가지는 메사의 제1 회절 격자의 격자 패턴을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태의 임프린트 장치에서의 제2 회절 격자의 격자 패턴을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태의 임프린트 장치에서의 광학계의 동면(pupil plane)에서의 광 강도 분포를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태의 임프린트 장치에서의 광학계를 도시하는 개략도.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태의 임프린트 장치를 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 제3 실시 형태의 임프린트 장치에서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득하는 방법을 설명하는 플로우차트.
도 12는 본 발명의 제4 실시 형태의 임프린트 장치에서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득하는 방법을 설명하는 플로우차트.
본 발명의 예시적인 실시 형태가 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타내며, 그 반복되는 설명은 생략하는 것에 주의한다.
<제1 실시 형태>
본 발명의 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)에 대해서 도 1을 참조해서 설명한다. 임프린트 장치(100)는, 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 몰드를 기판 상의 수지에 가압한 상태로, 수지를 경화시켜서 기판 상에 패턴을 전사하는 임프린트 처리를 행한다.
임프린트 장치(100)는 몰드(1)를 유지하는 유지 유닛(6)과, 임프린트 헤드(7)와, 기판 척(4)과, 기판 스테이지(5)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(100)는 압력 조정 유닛(13)과, 계측 유닛(11)과, 제2 계측 패턴 군(제2 회절 격자(12))과, 검출 유닛(14)과, 산출 유닛(15)과, 변형 유닛(16)을 포함한다.
몰드(1)는 패턴면을 가지고, 패턴면의 일부는 기판(3)에 전사되는 요철 패턴이 형성된 메사(2)라고 불리는 영역을 포함한다. 메사(2)는 수십 ㎛정도의 높이를 가지는 단차를 이용하여 형성되고, 그 사이즈는 전사되는 디바이스 패턴에 따라 상이하지만, 33㎜×26㎜가 일반적이다. 메사(2)를 가지는 몰드(1)는 유지 유닛(6)에 의해 유지되고, 패턴면과 반대 측의 면이 유지 유닛(6)의 유지면과 접촉하고 있다. 유지 유닛(6)은 임프린트 헤드(7)에 부착되어, (도시되지 않은) 구동원과 제어 기구에 의해 상하 방향으로 구동되어, 몰드(1)를 기판(3)에 가깝게 하거나, 몰드(1)를 기판(3)으로부터 이격시킨다. 기판(3)은 기판 척(4)을 개재하여 X 및 Y 방향으로 이동가능한 기판 스테이지(5)에 의해 유지된다.
몰드(1)는 통상적으로 석영 재료로 제작되고, 패턴면의 두께가 얇아지도록 유지면 측의 면을 천공함으로써 오목부가 형성된다. 몰드(1)의 오목부는 유지 유닛(6)의 유지면과 협동하여 거의 밀봉된 공간을 형성한다. 몰드(1)의 오목부 및 유지 유닛(6)의 유지면에 의해 형성되는 공간을 이하에서는 기실(air chamber)(9)이라고 칭한다. 기실(9)은 압력 조정 유닛(13)에 배관을 개재해서 접속된다. 압력 조정 유닛(13)은 기실(9)에 압축 공기를 공급하는 공급원과 기실(9)을 진공으로 하는 공급원을 스위칭하는 스위칭 밸브 및 서보 밸브 등을 포함하는 압력 조정기로 구성된다. 압력 조정 유닛(13)에 의해 임프린트 처리 시에 기실(9)의 압력을 제어함으로써, 몰드(1)를 기판(3)을 향해서 불룩한 볼록형의 형상으로 변형시킬 수 있다. 이렇게, 몰드(1)의 변형 시에 임프린트 처리를 행함으로써, 기판 상에 전사하는 패턴의 결손을 방지할 수 있다.
임프린트 장치(100)에서는, 몰드(1)를 기판 상의 수지에 가압할 때에 몰드(1)와 기판(3)을 위치 정렬한다. 그 때문에, 몰드(1)가 가지는 메사(2)에는 구형 형상의 패턴 영역(패턴이 형성된 영역)을 둘러싸는 외주부의 네 구석에 얼라인먼트 마크(24)가 형성된다. 임프린트 장치(100)는 계측 유닛(11)과 변형 유닛(16)을 포함한다. 계측 유닛(11)은, 메사(2)의 얼라인먼트 마크(24)와 기판(3)의 얼라인먼트 마크를 동시에 관찰하여, 이들 얼라인먼트 마크의 위치 어긋남을 계측한다. 변형 유닛(16)은, 계측 유닛(11)에 의해 계측된 메사(2)의 얼라인먼트 마크(24)와 기판(3)의 얼라인먼트 마크의 위치 어긋남을, 몰드(1)의 측면으로부터 힘을 가하여 몰드를 변형시켜서 보정한다. 예를 들면, 변형 유닛(16)은 압전 소자 등의 액츄에이터를 이용하여, 액츄에이터의 작동량을 바꾸면서 몰드(1)에 측면으로부터 힘을 가하여 몰드(1)를 변형시킬 수 있다.
그러나, 상술한 것과 같이 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크(24)를 이용해서 얼라인먼트를 행하면, 외주부에서는 기판(3)과 몰드(1)의 위치 관계가 정확하더라도, 패턴 영역에서는 부정확한 경우가 종종 있다. 예를 들면, 몰드(1)에 비선형 왜곡이 발생한 경우에는, 패턴 영역에서, 기판(3)과 몰드(1)의 위치 어긋남이 발생하여, 오버레이 오차를 발생시키는 요인으로 된다.
따라서, 제1 실시 형태에서는, 패턴 영역에서의 기판(3)과 몰드(1)의 위치 어긋남을 감소시키기 위해서, 몰드(1)가 가지는 메사(2)는 패턴 영역에 제1 계측 패턴 군을 포함하고 있다. 임프린트 장치(100)는 제2 계측 패턴 군(제2 회절 격자(12))과, 검출 유닛(14)과, 산출 유닛(15)과, 변형 유닛(16)을 포함하고 있다. 제1 실시 형태에서는, 제1 계측 패턴 군 및 제2 계측 패턴 군으로서, 지그재그 형상의 회절 격자를 이용함에 주의한다. 이하의 설명에서는, 제1 계측 패턴 군을 제1 회절 격자(21)로 예시하고, 제2 계측 패턴 군을 제2 회절 격자(12)로 예시한다.
몰드(1)가 가지는 메사(2)에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 메사(2)는 요철 패턴(20)이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면(18)과, 제1 면(18)의 반대 측의 제2 면(19)을 가진다. 도 2는 메사(2)를 도시하는 단면도이다. 메사(2)의 제1 면(18)에는 기판(3)에 전사되는 요철 패턴(20)이 형성되고, 제1 면(18)의 반대 측의 제2 면(19)에는 제1 회절 격자(21)가 형성된다. 제1 회절 격자(21)는 패턴 영역(요철 패턴(20)이 형성된 영역)의 내측에 배치된 부분을 포함하도록, 즉, 제1 면(18)의 패턴 영역에 대응하는 제2 면(19)의 영역에 형성된다. 또한, 제1 회절 격자(21)는 수십 ㎚정도의 높이를 가지는 단차를 사용하여 형성되고, 도 6에 도시한 바와 같이 지그재그 형상의 격자 패턴을 가진다. 제1 회절 격자(21)의 외주부의 네 구석에는 얼라인먼트 마크(24)가 배치된다. 제1 회절 격자(21)의 격자 패턴은, 지그재그 형상의 패턴에 한정되는 것은 아니며, 라인 앤드 스페이스 패턴(line-and-space pattern), 2차원 회절 격자 패턴, 또는 회절 격자 패턴 이외의 패턴을 가지는 계측 패턴 군을 이용해도 됨에 주의한다. 제1 회절 격자(21)의 격자 패턴은, (후술하는) 임프린트 장치(100) 내의 제2 회절 격자(12)와 제1 회절 격자(21)의 조합에 의해 형성되는 무아레 무늬 상(moire image)을 관찰하는 데에 이용되는 방법에 따라 선택될 수 있다. 또한, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)는 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 조합에 의해 형성되는 간섭 무늬로서무아레 무늬 상을 이용하고 있지만, 다른 종류의 간섭 무늬를 형성해도 된다. 또한, 제1 계측 패턴 군 및 제2 계측 패턴 군에 회절 격자가 이용되지 않을 경우에는, 간섭 무늬를 대신하여 제1 계측 패턴 군과 제2 계측 패턴 군에 의해 형성된 마크 군을 이용해도 된다.
제1 회절 격자(21)는 요철 패턴(20)에서의 볼록부 표면(22)과 제2 면(19)의 사이에 형성될 수도 있다. 예를 들면, 기판 상에 수지를 스핀 코터 등에 의해 미리 균일하게 도포하고, 그 균일하게 도포된 수지에 메사(2)의 요철 패턴(20)의 선단부만을 가압하여 임프린트 처리를 행할 경우가 종종 있다. 이 경우, 메사(2)의 요철 패턴(20)을 기판 상의 수지에 가압할 때에, 수지가 모세관 힘에 의해 제1 회절 격자(21)를 충전하지 않기 때문에, 도 3에 도시한 바와 같이, 요철 패턴(20)이 형성된 제1 면(18)에 제1 회절 격자(21)가 형성되어도 된다. 또한, 제1 회절 격자(21)는 단차 대신에 금속막에 의해 형성되어도 되고, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 이온 주입에 의해 이온 주입층(23)이 메사(2)의 내측에 형성되어도 된다. 제1 실시 형태에서는, 요철 패턴(20) 및 제1 회절 격자(21)가 몰드(1)가 가지는 메사(2)에 형성되었지만, 메사(2)를 이용하지 않고 몰드(1)에 직접 형성되어도 된다.
이렇게, 메사(2)를 가지는 몰드(1)는, 임프린트 처리에서 기판 상의 수지가 광에 노광되어 경화될 때의 노광 불균일의 영향 및 무아레 무늬 상을 검출할 때의 콘트라스트를 고려하여 설계될 필요가 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 단차를 이용하여 제1 회절 격자(21)를 형성했을 경우에는, 전체 구조에 대하여 동일한 재료가 이용되어 투과율의 변화는 없지만, 단차의 존재에 의해 위상차가 변화한다. 즉, 단차를 높게 하면 위상차가 커져서, 노광 불균일이 발생하기 쉬워진다. 한편, 단차가 높아져서 위상차가 π에 근접할 정도가 되면, 무아레 무늬 상을 검출할 때의 콘트라스트를 크게 할 수 있다. 무아레 무늬 상을 검출할 때의 충분한 콘트라스트는, (후술하는) 0차 광을 수광하지 않도록 광학계(10)를 구성함으로써 낮은 단차를 이용하여 얻어질 수 있다. 그 때문에, 단차를 낮게 해서 노광 불균일의 발생을 방지하는 것이 바람직하다. 제1 실시 형태에서는, 단차는 수십 ㎚의 높이를 가지므로, 이 단차에 의해 생기는 노광 불균일은 통상적인 임프린트 장치에서의 노광 불균일의 허용 범위(10% 정도) 내에 놓인다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 이온 주입층(23)에 의해 메사(2)의 내측에 제1 회절 격자(21)를 형성했을 경우에는, 형성된 이온 주입층(23)의 깊이, 굴절률 및 흡수 계수를 포함하는 물성값에 기초하여, 임프린트 처리와 관련된 인자를 최적화할 필요가 있음에 주의한다.
제2 회절 격자(12)는, 제1 회절 격자(21)와 다른 격자 피치를 가지고, 제1 회절 격자(21)를 통과한 광을 수광하는 회절 격자로 기능하며, 제1 회절 격자(21)와 광학적으로 공액인 위치에 배치된다. 제1 실시 형태에서의 제2 회절 격자(12)의 격자 패턴은 지그재그 형상이지만, 제1 회절 격자(21)와 마찬가지로, 라인 앤드 스페이스, 2차원 회절 격자 패턴, 또는 회절 격자 패턴 이외의 패턴을 가지는 계측 패턴 군을 이용해도 된다. 또한, 제2 회절 격자(12)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기실(9)에 시트 글래스(8)를 구비하고, 시트 글래스(8)의 하면에 형성되어도 된다. 이 경우, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)를 서로 가까이할 수 있기 때문에, 광학계(10) 및 검출 유닛(14)의 수차에 의한 오차 등을 제거할 수 있다. 단, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 거리가 수백 ㎛ 내지 1 ㎜ 정도까지 커지면, 디포커스의 영향을 받아서 콘트라스트가 열화한다.
여기서, 격자 피치가 다른 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성된 무아레 무늬 상을 이용해서 얼라인먼트가 행해지는 무아레 무늬 얼라인먼트 방식에 대해서 설명한다. 제1 회절 격자(21) 및 제2 회절 격자(12)의 격자 패턴은 라인 앤드 스페이스의 형상이다. 제1 회절 격자(21)의 격자 피치를 P1, 제2 회절 격자(12)의 격자 피치를 P2라고 했을 경우, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성되는 무아레 줄무늬의 피치 P3은 수학식 1로 나타낸다.
[수학식 1]
1/P3=(1/P1)-(1/P2) (단, P1<P2)
제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 상대 위치 어긋남량을 ΔX라고 하면, 무아레 줄무늬의 피치 P3의 시프트량은 주기 Pa에 대응하는 위상차에 비례한다. 또한, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 관계를 반대로 하면, 무아레 줄무늬의 피치 P3은 같지만, 시프트하는 방향이 상기의 경우와는 반대로 된다. 따라서, 격자 피치가 서로 다른 회절 격자를 동시에 관찰함으로써 형성되는 무아레 줄무늬의 상대적인 시프트량 S는 수학식 2로 나타낸다.
[수학식 2]
S=2·(ΔX/Pa)·P3 (단, Pa=(P1+P2)/2)
수학식 1 및 수학식 2에서의 격자 피치 P1 및 P2를 적절하게 선택함으로써, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 상대 위치 어긋남을 확대해서 정밀하게 계측할 수 있다. 이렇게, 무아레 무늬 얼라인먼트 방식에서는, 광학계의 광학 배율을 크게 하지 않고, 무아레 줄무늬의 피치 P3를 크게 함으로써 개구수(NA)를 작게 할 수 있기 때문에, 간이한 광학계를 이용하여 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있다.
검출 유닛(14)은 CCD 혹은 CMOS 센서 등을 포함하고, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성된 무아레 무늬 상을 검출한다. 또한, 검출 유닛(14)은 (도시되지 않은) 조명 유닛을 포함하고, 광학계(10)를 이용하여 메사(2)의 제1 회절 격자(21) 및 제2 회절 격자(12)의 전면에 광을 조사하도록 설계된다. 제1 회절 격자(21)에 의해 회절된 광은 제2 회절 격자(12) 또한 통과해서 무아레 무늬 상을 형성한다.
메사(2)의 제1 회절 격자(21) 및 제2 회절 격자(12)의 전면에 광을 조사하는 방법으로서, 수직 조명 또는 사입사 조명이 이용가능하다. 제1 실시 형태에서는 수직 조명에 의해 광을 조사하는 방법에 대해서 설명한다. 제1 회절 격자(21) 및 제2 회절 격자(12)의 격자 패턴으로서 지그재그 형상의 패턴이 이용되고, 제1 회절 격자(21)의 격자 피치는 X, Y 방향 모두에서 10㎛이다. 제2 회절 격자(12)는 격자 피치가 서로 다른 복수의 회절 격자를 포함해도 되고, 제1 실시 형태에서는, 도 7에 도시한 바와 같이 2종류의 회절 격자(25, 26)를 포함한다. 회절 격자(25)의 격자 피치는 X, Y 방향 모두에서 10.03㎛이고, 회절 격자(26)의 격자 피치는 X, Y 방향 모두에서 9.97㎛이다. 이렇게, 제2 회절 격자(12)가 2종류의 회절 격자(25, 26)를 포함하므로, 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하는 정밀도를 2배로 할 수 있다.
조명 파장을 0.6㎛로 했을 경우, 1차 회절광(31)은 제1 회절 격자(21)에 의해 개구수(NA)=0.06에 대응하는 각도로 회절된다. 이때의 광학계(10)의 동면에서의 광 강도 분포를 도 8에 나타낸다. 광학계(10)의 동면의 중앙부에는 0차 회절광(30)이 위치하고, 이 중앙부에 대해서 45°의 방향에는 4개의 1차 회절광(31)이 위치하고 있다. 0차 회절광(30)은 대단히 강한 광 강도를 가지기 때문에, 0차 회절광(30)에 의해 무아레 무늬 상을 검출하면, 무아레 무늬 상의 콘트라스트를 열화시킨다. 그 때문에, 광학계(10)의 동면의 중앙부에는, 0차 회절광(30)을 차단하는 필터(32)를 배치하여 0차 회절광(30)을 제거하고 있다. 또한, 1차 회절광(31)보다 높은 차수의 회절광은 노이즈를 발생시키기 때문에, 이들도 광학계의 동면의 조리개(33)에 의해 차단되어 제거되고 있다.
제1 회절 격자(21)에 의해 회절된 4개의 1차 회절광(31)의 각각은 제2 회절 격자(12)를 통과하면 ±1차 회절광(NA=0.1198 및 NA=0.0002)으로 더 나누어진다. 무아레 무늬 상의 검출에는 NA=0.0002의 회절광을 이용하기 때문에, 검출 유닛(14)의 대물 조리개를 NA=0.06 이하로 설정함으로써, NA=0.1198의 회절광을 제거할 수 있다. 이렇게, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)를 통과한 NA=0.0002의 회절광에 의해 긴 2차원 주기의 무아레 무늬 상이 형성된다. 형성된 무아레 무늬 상의 주기는 X, Y 방향 모두에서 약 1.6㎜가 되고, 이것은, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)의 상대적인 시프트량을 320배로 계측할 수 있다는 것을 의미한다.
무아레 무늬 상을 더욱 정밀하게 검출하기 위해서, 광량을 증가시킬 수 있다. 광량을 증가시키기 위해서는, 광학 배율을 작게 하는 것과, 고강도의 광원을 사용하는 것이 바람직하다. 사용되는 메사(2)의 사이즈가 33㎜×26㎜인 경우에는, 같은 정도의 사이즈를 가지고 픽셀 분해능이 높은 센서가 시판되고 있어, 거의 단위 광학 배율로 무아레 무늬 상을 해상하는 데에 이용할 수 있다. 또한, 광원으로서 LED, 할로겐 램프, SLD(Super Luminescent Diode) 등의 고휘도의 광원이 시판되고 있다.
산출 유닛(15)은 검출 유닛(14)에 의해 검출된 무아레 무늬 상에 기초하여 메사(2)(몰드(1))의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출한다. 메사(2)의 패턴 영역에는, 상술한 대로, 비선형 왜곡이 종종 발생한다. 그 때문에, 메사(2)를 레퍼런스 상태에서 검출하여 얻어진 무아레 무늬 상에 기초하여, 메사(2)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 미리 산출하고, 이 위치 어긋남을 임프린트 처리 시에 보정하는 것이 바람직하다. 메사(2)의 레퍼런스 상태는, 메사(2)의 패턴 영역이 평탄한 상태를 의미하며, 예를 들면, 수지를 도포하지 않은 평탄한 기판(3)에 몰드(1)를 가압하거나, 기실(9)의 압력을 변화시켜서 형성할 수 있다.
변형 유닛(16)은, 메사(2)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남이 작아지도록, 몰드(1)에 힘을 가해서 메사(2)의 패턴 영역을 변형시킨다. 변형 유닛(16)은, 예를 들면, 압전 소자 등의 액츄에이터를 이용하고, 액츄에이터의 작동량을 바꾸면서 몰드(1)에 측면으로부터 힘을 가해서 메사(2)의 패턴 영역을 변형시킬 수 있다. 액츄에이터 대신에, 압력 조정 유닛(13)에 의해 기실(9)의 압력을 변화시키거나, 임프린트 헤드(7)의 상하 구동 시에 임프린트 힘을 변화시켜서, 메사(2)의 패턴 영역을 변형시킬 수도 있음에 주의한다. 또한, 조사 유닛(17)을 이용하여 메사(2)의 패턴 영역에 적외선을 조사하여 이 패턴 영역을 열변형시킬 수도 있다.
제1 실시 형태에서는, 메사(2)(몰드(1))가 가지는 제1 회절 격자(21)와, 임프린트 장치(100)가 가지는 제2 회절 격자(12)에 의해 무아레 무늬 상을 형성하고, 검출 유닛(14)으로 무아레 무늬 상을 검출한다. 검출된 무아레 무늬 상으로부터 메사(2)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하고, 몰드(1)에 힘을 가해서 위치 어긋남을 보정한다. 이에 의해, 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크(24)에 의해 검출될 수 없었던, 메사(2)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 검출할 수가 있어, 패턴 영역의 왜곡을 보정하는 것이 가능해 진다. 즉, 패턴 영역의 왜곡을 보정함으로써, 기판(3)과 몰드(1)의 위치 어긋남을 감소시켜, 오버레이 오차를 작게 하는 것이 가능해 진다. 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크(24)를 이용한 얼라인먼트 동작과 병용하여 상술한 보정 동작을 행하면, 보다 최적의 얼라인먼트를 행할 수 있음에 주의한다. 또한, 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크(24)의 일부가 결손된 경우에도, 고정밀도의 얼라인먼트를 실현할 수 있다.
<제2 실시 형태>
본 발명의 제2 실시 형태의 임프린트 장치(200)는, 메사(2)의 제1 회절 격자(21) 및 제2 회절 격자(12)의 전면에 광을 조사하는 방법에 있어서 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)와 상이하다. 제2 실시 형태에서는, 사입사 조명에 의해 광을 조사하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 제2 실시 형태의 임프린트 장치(200)는, 회절광을 X 방향과 Y 방향의 2 계통의 광로를 따른 회절광으로 나누고, 각각의 회절광을 검출하는 검출 유닛(46, 47)을 포함한다.
제1 실시 형태의 검출 유닛(14)은 2차원의 무아레 무늬 상을 검출했지만, 제2 실시 형태의 검출 유닛(46, 47)은 제1 회절 격자(21)에 의해 회절된 광을 X 방향과 Y 방향의 2 계통의 광로를 따른 회절광으로 나누고, X 방향과 Y 방향의 회절광을 1차원의 무아레 무늬 상으로서 검출한다. 도 9는 메사(2)의 제1 회절 격자(21)에 의해 회절된 광을 2 계통의 광로를 따른 회절광으로 나누는 광학계(10)를 도시한 개략도이다. 메사(2)의 제1 회절 격자(21)에 의해 회절된 광은 중간 상(40)을 결상하고, 광학계(10)의 하프 미러(41)를 통과함으로써 X 방향과 Y 방향의 2 계통의 광로로 나누어진다. 나누어진 회절광은 각각의 대물 렌즈(42, 43)를 통과해서 다시 결상된다. 결상된 부분에는 X 및 Y 방향의 제2 회절 격자(44, 45)가 배치되어, X 방향 및 Y 방향의 회절광은 각각의 제2 회절 격자(44, 45)와 겹쳐져서 1차원의 무아레 무늬 상을 각각 형성한다. 무아레 무늬 상을 형성한 X 방향 및 Y 방향의 회절광은, X 방향 및 Y 방향의 검출 유닛(46, 47)에 의해 검출된다. X 방향 및 Y 방향의 제2 회절 격자(44, 45)의 격자 패턴으로서 라인 앤드 스페이스 패턴이 이용되고 있음에 주의한다.
이렇게 회절광을 2 계통의 광로를 따른 회절광으로 나눈 사입사 조명에 대해서, 주광선의 조명과 수광의 각도 및 방향을 일치시킨 리트로(Littrow) 광학 배치를 채용한 임프린트 장치(200)를 이용하여 설명한다. 도 10은 리트로 광학 배치를 이용한 제2 실시 형태의 임프린트 장치(200)를 나타내는 도면이다. X 방향 및 Y 방향의 검출 유닛(46, 47)은 각각 (도시되지 않은) 조명 유닛을 포함하고, 광학계(10)를 이용하여 메사(2)의 제1 회절 격자(21)의 전면에 광을 조사하도록 설계된다. 메사(2)의 제1 회절 격자(21)의 격자 패턴으로서 지그재그 형상의 패턴이 이용되고 있음에 주의한다.
조명 파장을 0.6㎛로 하고, X 방향의 검출 유닛(46)에 의해 개구수(NA)=0.1에 대응하는 각도에서 광이 조사되는 경우, 0차 광은, 메사(2)의 제1 회절 격자(21)에 의해 광학계(10)의 동면의 중앙부에 대하여 X 방향에서 NA=0.1에 대응하는 각도로 회절된다. 이 0차 광은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 대단히 강한 광 강도에 의해 무아레 무늬 상의 콘트라스트를 열화시키기 때문에, 제거하는 것이 바람직하다. 제2 실시 형태에서는, 광학계(10)의 동면의 조리개를 NA=0.07 이하로 설정함으로써 0차 광을 제거하고 있다. 또한, 1차 회절광은 제1 회절 격자(21)에 의해 X 방향에서 NA=0.03 및 NA=0.17에 대응한 각도로, 즉, 광학계(10)의 동면의 조리개를 NA=0.07 이하로 해서 회절되어, NA=0.17인 1차 회절광은 제거되고, NA=0.03인 1차 회절광은 광학계(10)를 통과한다. 즉, 수직 조명에서의 광학계(10)의 동면에 형성된 광 강도 분포를 도시하는 도 8을 참조하면, 광을 광학계(10)에 X 방향으로 사입사시킨 경우에는, 도 8에 나타내는 4개의 1차 회절광(31) 중, 우측 혹은 좌측의 2개의 1차 회절광만 광학계(10)를 통과한다. Y 방향의 검출 유닛(47)에 의해 조사되는 광의 각도를 NA=0.1에 대응하도록 설정한 경우에도, X 방향과 Y 방향에서 상이한 특성을 제외하고는 마찬가지의 결과가 얻어진다. 광을 광학계(10)에 Y 방향으로 사입사시킨 경우에는, 도 8에 나타내는 4개의 1차 회절광(31) 중, 상측 혹은 하측의 2개의 1차 회절광만 광학계(10)를 통과한다.
메사(2)의 제1 회절 격자(21)에 의해 회절되고, 광학계(10)를 통과한 X 방향의 2개의 1차 회절광은, X 방향의 제2 회절 격자(44)와 겹쳐져서 1차원의 무아레 무늬 상을 형성한다. 마찬가지로, 메사(2)의 제1 회절 격자(21)에 의해 회절되고, 광학계(10)를 통과한 Y 방향의 2개의 1차 회절광은, Y 방향의 제2 회절 격자(45)와 겹쳐져서 1차원의 무아레 무늬 상을 형성한다. X 방향 및 Y 방향의 무아레 무늬 상은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 1.6㎜의 주기를 가지며, X 방향 및 Y 방향의 검출 유닛(46, 47)에 의해 검출된다. 제2 실시 형태에서의 산출 유닛(15)과 변형 유닛(16)은 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 그 설명을 생략함에 주의한다.
제2 실시 형태에서는, 메사(2)(몰드(1))가 가지는 제1 회절 격자(21)와, 임프린트 장치(200)가 가지는 X 방향 및 Y 방향의 제2 회절 격자(44, 45)를 서로 겹쳐서 X 방향 및 Y 방향의 1차원의 무아레 무늬 상을 형성한다. 이들 1차원의 무아레 무늬 상을 X 방향 및 Y 방향의 검출 유닛(46, 47)에 의해 검출함으로써, X 방향 및 Y 방향에서의 몰드(1)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 독립적으로 산출할 수 있다.
<제3 실시 형태>
제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 각각 메사(2)(몰드(1))의 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성되는 무아레 무늬 상을 검출하고, 검출된 무아레 무늬 상을 이용하여 메사(2)의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하는 임프린트 장치에 대해서 설명했다. 제3 실시 형태에서는, 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태의 임프린트 장치에서, 테스트 몰드를 이용하여 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득하는 방법에 대해서 도 11을 참조해서 설명한다. 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득해 두면, 테스트 몰드와 같은 정도의 비선형 왜곡을 가지는 몰드(1)를 사용했을 경우에 위치 어긋남을 보정하는 데에 이용할 수 있다. 테스트 몰드는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 메사(2)를 포함하고, 메사는 제1 회절 격자(21)를 포함함에 주의한다.
단계 S51에서는, 테스트 몰드 및 기판(3)을 임프린트 장치에 반입한다. 단계 S52에서는, 기판(3)에 테스트 몰드가 가압되고, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성되는 무아레 무늬 상을 검출하고, 검출된 무아레 무늬 상을 이용하여 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출한다. 단계 S52는 테스트 몰드가 가압되는 기판(3)의 위치를 바꾸어서 반복해도 됨에 주의한다.
단계 S53에서는, 산출된 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 변형 유닛(16)에 의해 보정한다. 이때, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량이 허용량보다 작아질 필요가 있다. 허용량은 변형 유닛(16)에 의해 행해질 수 있는 보정의 양의 최대값을 의미한다. 예를 들면, 변형 유닛(16)으로서 액츄에이터를 사용했을 경우, 액츄에이터의 작동량에는 기계적 한계가 있기 때문에, 작동 한계량이 허용량이 된다. 또한, 액츄에이터의 작동량을 소정의 임계값 이상으로 하면, 패턴 영역에서의 위치 어긋남은 보정할 수 있지만, 패턴 영역을 둘러싸는 외주부에 형성된 얼라인먼트 마크(24)에 위치 어긋남이 발생하는 경우도 종종 있다. 이때에는, 임계값이 허용량이 된다.
보정량이 허용량보다 작을 경우에는, 테스트 몰드를 이용하여 보정량을 취득하는 동작은 종료한다. 한편, 보정량이 허용량보다 클 경우에는, 처리는 다음 단계(단계 S54)로 진행된다. 단계 S54에서는, 압력 조정 유닛(13)에 의해 기실(9)의 압력을 변화시키거나, 혹은 조사 유닛(17)에 의해 패턴 영역에 적외선을 조사함으로써, 테스트 몰드를 변형시킨다. 테스트 몰드의 패턴을 변형시키면, 처리는 단계 S52로 돌아가서, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하고, 단계 S53에서의 보정 동작을 되풀이한다.
제3 실시 형태에서는, 테스트 몰드를 이용해서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득하고 있다. 이렇게, 테스트 몰드를 이용해서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득해 두면, 테스트 몰드와 같은 정도의 비선형 왜곡을 가지는 몰드(1)를 사용했을 경우에 위치 어긋남을 보정하는 데에 이용할 수 있다. 즉, 몰드마다 무아레 무늬 상을 검출하고, 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하는 단계를 생략할 수 있기 때문에, 임프린트 장치(100)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
<제4 실시 형태>
제3 실시 형태에서는, 테스트 몰드를 이용하여 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득하는 방법에 대해서 설명했다. 제4 실시 형태에서는, 테스트 몰드뿐만 아니라 테스트 기판 또한 이용하여, 테스트 기판에 수지를 도포하지 않은 상태로 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득한 후에, 테스트 기판에 수지를 도포한 상태로 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득한다. 제4 실시 형태의 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득하는 방법에 대해서 도 12를 참조해서 설명한다. 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득해 두면, 제3 실시 형태와 마찬가지로, 테스트 몰드와 같은 정도의 비선형 왜곡을 가지는 몰드(1)을 사용했을 경우에 위치 어긋남을 보정하는 데에 이용할 수 있다. 또한, 테스트 기판을 이용하여, 테스트 기판에 수지를 도포한 상태와 수지를 도포하지 않은 상태에서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득함으로써, 수지로 패턴을 충전할 때에 발생된 모세관 힘에 의한 몰드의 변형량을 취득할 수 있다. 테스트 몰드는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 메사(2)를 포함하고, 메사는 제1 회절 격자(21)를 포함함에 주의한다.
단계 S61에서는, 테스트 몰드 및 테스트 기판을 임프린트 장치에 반입한다. 단계 S62에서는, 테스트 기판에 수지를 도포하지 않는 상태로 테스트 몰드를 테스트 기판에 가압하고, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성되는 무아레 무늬 상을 이용하여 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출한다. 단계 S62는 테스트 몰드가 가압되는 기판의 위치를 바꾸어서 반복해도 됨에 주의한다.
단계 S63에서는, 산출한 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 변형 유닛(16)에 의해 보정한다. 이때, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량이 허용량보다 작아질 필요가 있다. 보정량이 허용량보다 클 경우에는, 처리는 단계 S64로 진행된다. 단계 S64에서는, 압력 조정 유닛(13)에 의해 기실(9)의 압력을 변화시킴으로써, 혹은 조사 유닛(17)에 의해 패턴 영역에 적외선을 조사함으로써, 테스트 몰드를 변형시킨다. 테스트 몰드의 패턴이 변형되면, 처리는 단계 S62로 돌아가서, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하고, 단계 S63의 보정 동작을 되풀이한다. 한편, 보정량이 허용량보다 작을 경우에는, 처리는 단계 S65로 진행된다.
단계 S65에서는, 테스트 기판에 수지를 도포한다. 단계 S66에서는, 테스트 기판에 수지를 도포한 상태로 테스트 몰드를 테스트 기판에 가압하고, 제1 회절 격자(21)와 제2 회절 격자(12)에 의해 형성되는 무아레 무늬 상을 검출하고, 검출된 무아레 무늬 상을 이용하여 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출한다. 단계 S66은 테스트 몰드가 가압되는 기판(3)의 위치를 바꾸어서 반복해도 되는 것에 주의한다.
단계 S67에서는, 산출한 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 변형 유닛(16)에 의해 보정한다. 이때, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량이 허용량보다 작아질 필요가 있다. 보정량이 허용량보다 작을 경우에는, 테스트 몰드를 이용한 보정량의 취득 동작은 종료한다. 한편, 보정량이 허용량보다 클 경우에는, 처리는 단계 S68로 진행된다. 단계 S68에서는, 압력 조정 유닛(13)에 의해 기실(9)의 압력을 변화시킴으로써, 혹은 조사 유닛(17)에 의해 패턴 영역에 적외선을 조사함으로써, 테스트 몰드를 변형시킨다. 테스트 기판에 수지를 도포한 상태와 수지를 도포하지 않은 상태에서의 패턴 영역에서의 위치 어긋남이, 수지가 패턴을 충전할 때에 발생된 모세관 힘에 기인하여 발생하는 경우, 테스트 기판 상에 도포되는 수지의 배치를 변경해도 됨에 주의한다. 테스트 몰드를 변형시키거나, 혹은 테스트 기판 상에 도포되는 수지의 배치를 변경한 경우, 처리는 단계 S66으로 돌아가서, 테스트 몰드의 패턴 영역에서의 위치 어긋남을 산출하고, 단계 S67에서의 보정 동작을 되풀이한다.
제4 실시 형태에서는, 테스트 몰드와 테스트 기판를 이용하여, 테스트 기판에 수지를 도포하지 않은 상태로 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득한 후에, 테스트 기판에 수지를 도포한 상태로 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득한다. 이렇게, 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 미리 취득해 두면, 제3 실시 형태와 마찬가지로, 테스트 몰드와 같은 정도의 비선형 왜곡을 가지는 몰드를 사용했을 경우에 위치 어긋남을 보정하는 데에 이용할 수 있다. 또한, 테스트 기판을 이용하여, 테스트 기판에 수지를 도포한 상태와 수지를 도포하지 않은 상태에서 패턴 영역에서의 위치 어긋남의 보정량을 취득함으로써, 수지가 패턴을 충전할 때에 발생하는 모세관 힘에 의한 몰드의 변형량을 취득할 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 및 미세 구조를 가지는 소자를 포함하는 각종 물품을 제조하는 데에 적절하다. 이 방법은, 기판에 도포된 수지에 상기의 임프린트 장치를 이용해서 패턴을 형성하는 단계(기판에 임프린트 처리를 행하는 단계)와, 상기 형성하는 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은, 후속하는 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 제조 비용 중 하나 이상의 점에서 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 특허청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석과 일치하여야 한다.
본 출원은, 2012년 3월 14일 출원된 일본 특허 출원 제2012-057879호의 이익을 주장하며, 상기 일본 특허 출원은 본 명세서에서 그 전체가 참조로서 인용된다.

Claims (11)

  1. 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 포함하는 몰드가 수지에 가압된 상태로, 기판 상의 상기 수지를 경화시켜서 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드는,
    상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 형성된 제1 계측 패턴 군을 포함하고,
    상기 제1 계측 패턴 군은 상기 패턴 영역 내에 속하는 부분을 포함하고,
    상기 임프린트 장치는,
    제2 계측 패턴 군과,
    상기 제1 계측 패턴 군 및 상기 제2 계측 패턴 군을 통과한 광에 의해 형성된 마크 군을 검출하도록 구성되는 검출 유닛과,
    상기 검출 유닛에 의해 검출된 상기 마크 군으로부터, 상기 제1 계측 패턴 군과 상기 제2 계측 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 산출하도록 구성되는 산출 유닛을 포함하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 계측 패턴 군은 제1 회절 격자에 의해 형성되고,
    상기 제2 계측 패턴 군은 상기 제1 회절 격자의 격자 피치와는 상이한 격자 피치를 가지고, 상기 제1 회절 격자를 통과한 광을 수광하는 제2 회절 격자에 의해 형성되고,
    상기 마크 군은 상기 제1 회절 격자 및 상기 제2 회절 격자를 통과한 광에 의해 형성된 간섭 무늬(interference fringe)를 포함하는 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 회절 격자는 격자 피치가 상이한 복수의 회절 격자를 포함하고,
    상기 검출 유닛은, 상기 제2 회절 격자가 포함하는 복수의 상기 회절 격자의 각각 및 상기 제1 회절 격자를 통과한 광에 의해 형성된 복수의 간섭 무늬를 검출하고,
    상기 산출 유닛은, 상기 검출 유닛에 의해 검출된 복수의 간섭 무늬로부터, 상기 제1 회절 격자와, 상기 제2 회절 격자가 포함하는 복수의 회절 격자의 각각 사이의 위치 어긋남을 산출하는 임프린트 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2 회절 격자는 상기 제1 회절 격자와 광학적으로 공액인 위치에 배치되는 임프린트 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2 회절 격자에 상기 제1 회절 격자를 결상시키도록 구성되는 광학계를 더 포함하는 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 몰드의 상기 패턴 영역 내의 위치 어긋남을 감소시키도록, 상기 몰드에 힘을 가해서 상기 패턴 영역을 변형시키도록 구성되는 변형 유닛을 더 포함하는 임프린트 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1 회절 격자는, 상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 단차 및 금속막 중 하나에 의해 형성되는 임프린트 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 제1 회절 격자는 상기 제1 면과 상기 제2 면의 사이에 이온 주입에 의해 형성되는 임프린트 장치.
  9. 임프린트 장치를 이용해서 수지의 패턴을 기판 상에 형성하는 단계와,
    물품을 제조하기 위해 상기 형성하는 단계가 행해진 기판을 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 포함하는 몰드가 수지에 가압된 상태로, 상기 기판 상의 상기 수지를 경화시켜서 상기 기판 상에 패턴을 전사하고,
    상기 몰드는,
    상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 형성된 제1 계측 패턴 군을 포함하고,
    상기 제1 계측 패턴 군은 상기 패턴 영역 내에 속하는 부분을 포함하고,
    상기 임프린트 장치는,
    제2 계측 패턴 군과,
    상기 제1 계측 패턴 군 및 상기 제2 계측 패턴 군을 통과한 광에 의해 형성된 마크 군을 검출하도록 구성되는 검출 유닛과,
    상기 검출 유닛에 의해 검출된 상기 마크 군으로부터, 상기 제1 계측 패턴 군과 상기 제2 계측 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 산출하도록 구성되는 산출 유닛을 포함하는, 물품의 제조 방법.
  10. 요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 포함하는 몰드가 수지에 가압된 상태로, 기판 상의 상기 수지를 경화시켜서 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 임프린트 장치에 이용되는 몰드이며,
    상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 상기 제2 면 상에 형성된 제1 계측 패턴 군을 포함하고,
    상기 제1 계측 패턴 군은 상기 패턴 영역 내에 속하는 부분을 포함하는 몰드.
  11. 임프린트 장치에 대한 임프린트 방법이며,
    몰드는,
    요철 패턴이 형성된 패턴 영역을 가지는 제1 면과,
    상기 제1 면의 반대 측의 제2 면과,
    상기 요철 패턴 내의 볼록부의 표면과 상기 제2 면의 사이, 또는 제2 면 상에 형성된 제1 계측 패턴 군을 포함하고,
    상기 제1 계측 패턴 군은 상기 패턴 영역 내에 속하는 부분을 포함하고,
    상기 임프린트 장치는,
    제2 계측 패턴 군을 포함하고,
    상기 임프린트 방법은,
    상기 제1 계측 패턴 군 및 상기 제2 계측 패턴 군을 통과한 광에 의해 형성된 마크 군을 검출하는 단계와,
    검출된 상기 마크 군으로부터, 상기 제1 계측 패턴 군과 상기 제2 계측 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 산출하는 단계와,
    상기 제1 계측 패턴 군과 상기 제2 계측 패턴 군 사이의 위치 어긋남을 감소시키도록, 상기 몰드에 힘을 가해서 상기 몰드를 보정하는 단계와,
    보정된 몰드가 기판 상의 수지에 가압된 상태로, 상기 수지를 경화시켜서 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
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