KR20140105379A - 생성 방법, 기억 매체 및 정보 처리 장치 - Google Patents

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KR20140105379A
KR20140105379A KR1020140017053A KR20140017053A KR20140105379A KR 20140105379 A KR20140105379 A KR 20140105379A KR 1020140017053 A KR1020140017053 A KR 1020140017053A KR 20140017053 A KR20140017053 A KR 20140017053A KR 20140105379 A KR20140105379 A KR 20140105379A
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다다시 아라이
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법으로서, 상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정하는 단계와, 인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 단계를 포함하는 생성 방법을 제공한다.

Description

생성 방법, 기억 매체 및 정보 처리 장치{GENERATION METHOD, STORAGE MEDIUM AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법, 기억 매체 및 정보 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정인 리소그래피 공정에는 노광 장치가 이용된다. 리소그래피 공정에서는, 반도체 디바이스의 회로 패턴을 기판(예를 들면, 실리콘 기판, 유리 기판 또는 웨이퍼)에 전사한다. 노광 장치는 광원으로부터의 광으로 마스크(레티클)를 조명하는 조명 광학계와, 마스크에 형성된 패턴(회로 패턴)을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함한다.
최근의 반도체 디바이스의 보다 미세화된 설계 규칙에 대처하기 위해, 노광 장치는 복수의 마스크를 이용해서 기판을 복수 회 노광함으로써 기판 상의 1개의 층에 복수의 마스크의 패턴을 중첩시켜서 형성하는 다중 노광을 행한다. 일반적으로, 노광 장치가 충분한 노광 마진을 얻을 수 없는 해상 한계는 hp=k1×λ/NA로 나타나며, 여기서, hp는 인접하는 패턴 사이의 최단 거리의 반, 즉, 하프 피치이며, k1은 프로세스 팩터이며, λ는 노광 광의 파장(노광 파장)이며, NA는 투영 광학계의 개구수이다. 다중 노광은 노광 장치의 해상 한계에 대응하는 하프 피치보다 작은 하프 피치를 가지는 패턴을 복수의 패턴(즉, 복수의 마스크)로 분할해서 그 마스크를 노광함으로써, 1회의 노광에서의 해상 한계보다도 작은 패턴을 해상하는 기술이다.
다중 노광에 관한 기술로서, 예를 들면, 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0078638은 마스크 패턴(기판에 전사되는 패턴(타깃 패턴))을 복수의 패턴으로 분할하는 방법을 제안한다. 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0078638은 컨플릭트 그래프(conflict graph)와 수리 계획법(mathematical programming)을 이용해서 패턴을 분할하는 방법을 개시한다. 컨플릭트 그래프는 노드와 에지로 이루어진다. 패턴의 분할 시에, 패턴을 구성하는 각 패턴 요소는 노드로 나타나고, 해상 한계를 초과하는 거리를 가지는 패턴 요소는 에지에 의해 연결된다. 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0078638에서는, 수리 계획법을 이용하여 에지가 그 양단에 상이한 마스크 번호를 가지도록 패턴을 분할한다. 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0078638은 1개의 패턴 요소를 복수의 패턴 요소로 분할함으로써 설계 관점에서 분할 모순(컨플릭트 그래프의 노드 또는 에지의 수)을 감소시키는(해결하는) 방법도 개시한다.
미국 특허 출원 공개 번호 2007/0031738은 설계 관점에서 분할 모순을 감소시키는 다른 방법을 제안한다. 미국 특허 출원 공개 번호 2007/0031738은 소정의 거리 이상 떨어진 복수의 패턴 요소를 그룹화함으로써 설계 관점에서 분할 모순을 감소시키는 방법을 개시한다.
한편, 낮은 k1 리소그래피에서는, 2차원 레이아웃의 소정의 패턴(종횡 방향으로 연장하는 패턴)을 기판에 충실하게 전사하는 것이 곤란하게 된다. 최근에는 1차원 레이아웃 기술이라고 불리는 회로 패턴 형성 방법이 마이클 씨. 스메일링 등의 "그리드 설계 규칙을 이용한 낮은 k1 논리 설계(Low K1 Logic Design using Gridded Design Rules)" Proc. of SPIE Vol. 6925 (2008)에 제안되었다. 이 기술에서, 단일 피치 L/S(라인 앤드 스페이스) 패턴을 형성한다. 그 후, 복수의 위치에서 동일한 상 치수로 등 그리드(iso-grid) 상에 홀 패턴 및 커트 패턴 등의 패턴 요소를 형성한다. 단일 피치 L/S 패턴이 패턴 요소에 의해 절단되어, 회로 패턴을 형성한다. 1차원 레이아웃 기술은, 2차원 레이아웃 기술과 비교할 때에 노광 면적을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 노광 자체를 기술적으로 쉽게 할 수 있다.
그러나, 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0078638 및 미국 특허 출원 공개 번호 2007/0031738에 개시된 기술에서는 2차원 레이아웃의 패턴을 전제로 해서 패턴을 분할하거나, 설계 관점으로부터의 분할 모순을 감소시킨다. 따라서, 1개의 패턴 요소를 분할하지 않는 1차원 레이아웃에는 패턴 요소를 복수의 패턴 요소로 분할하여 설계 관점으로부터의 분할 모순을 감소시키는 방법을 적용할 수 없다.
미국 특허 출원 공개 번호 2007/0031738은 소정의 거리(크리티컬 피치) 이상 떨어진 논크리티컬 패턴 요소를 그룹화하는 방법을 개시한다. 그러나, 미국 특허 출원 공개 번호 2007/0031738에는 크리티컬 패턴 요소의 그룹화 방법을 개시하지 않아, 설계 관점에서 많은 분할 모순이 해결되지 않은 채 남아 있다.
본 발명은 다중 노광에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 데에 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법으로서, 상기 방법은 컴퓨터에 의해서 실행되는, 상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정하는 제1 단계와, 인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와, 상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 포함하는 생성 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 하기 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명확해 질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트.
도 2는 기판 상에 형성할 타깃 패턴의 일례를 도시하는 도면.
도 3은 컨플릭트 그래프의 일례를 도시하는 도면.
도 4는 종래 기술에 따른 타깃 패턴 요소의 분할을 설명하기 위한 도면.
도 5는 기판 상에 형성된 패턴을 구성하는 최소 단위의 배열을 정의하는 그리드 상의 허용점을 도시하는 도면.
도 6은 컨플릭트 그래프의 일례를 도시하는 도면.
도 7은 타깃 패턴 요소의 분할(분배)을 설명하기 위한 도면.
도 8은 제1 실시 형태에 따른 리소그래피 시뮬레이션의 결과를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트.
도 10은 더미 패턴 요소의 삽입을 설명하기 위한 도면.
도 11은 타깃 패턴 요소 및 더미 패턴 요소의 그룹화를 설명하기 위한 도면.
도 12는 타깃 패턴 요소 및 더미 패턴 요소의 분할(분배)을 설명하기 위한 도면.
도 13은 더미 패턴 요소의 삽입에 의한 노광 마진의 증가를 설명하기 위한 도면.
도 14는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트.
도 15는 타깃 패턴 요소의 확장을 설명하기 위한 도면.
본 발명의 바람직한 실시 형태가 첨부된 도면을 참조하여 아래에서 설명될 것이다. 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성요소를 나타내며 그의 반복 설명은 생략될 것이다.
<제1 실시 형태>
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 이 생성 방법은 컴퓨터 등의 정보 처리 장치(의 처리 유닛)에 의해 실행되어, 기판을 노광하는 노광 장치에 의해 행하여지는 다중 노광에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 다중 노광에서는, 기판 상의 1개의 층에 복수의 마스크의 패턴을 중첩시켜서 형성한다.
단계 S101에서는, 다중 노출되는 기판으로부터 제조되는 디바이스의 타깃 레이아웃, 즉, 기판 상의 1개의 층에 형성되는 타깃 패턴을 취득한다. 예를 들면, 로직 디바이스의 M1 공정을 상정하면, 타깃 레이아웃은 gds 또는 oasis 등의 포맷으로 취득된다. 타깃 패턴 및 타깃 레이아웃은 본 실시 형태에 따른 생성 방법에 의해 각 마스크의 패턴으로 분할되는 패턴이다.
단계 S102에서는, 단계 S101에서 취득한 타깃 레이아웃에 기초하여 디바이스 상의 비활성 영역을 특정한다. 디바이스 회로는 패턴 요소의 해상 여부에 관계없이 디바이스 특성에 영향을 미치지 않는 영역을 포함한다. 이러한 영역은 비활성 영역으로 특정되고, 예를 들면, gds 포맷의 층 정보로서 보존된다. 예를 들면, 회로의 배선층에서는 활성 영역의 배선은 상부층 또는 하부층과 컨택트 홀을 개재해서 접속된다. 따라서, 상부층 또는 하부층과 컨택트 홀을 개재해서 접속되지 않는 영역은 비활성 영역이다.
바꾸어 말하면, 단계 S102에서, 기판 상에 설정된 그리드 상의 복수의 점 중 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소 이외의 점에서 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정한다. 기판 상에 설정된 그리드는 기판 상에 형성된 타깃 패턴 요소에 격자 교차점이 배열되는 격자를 정의한다. 격자의 피치는 기판 상에 형성된 패턴 요소의 최소 피치와 동일하거나, 최소 피치의 정수분(integer fraction)이어도 된다.
단계 S103에서는, 단계 S102에서 특정한 비활성 영역에 기초하여, 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화한다. 여기서 그룹화되는 타깃 패턴 요소는 타깃 패턴을 구성하는 요소 중 인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 타깃 패턴 요소 그룹을 형성한다.
단계 S104에서는, 동일한 마스크에 배치되지 않아야 할 마스크 패턴 요소를 나타내는 제약 조건을 설정한다. 예를 들면, 인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 k1=0.35인 타깃 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소를 동일한 마스크에 배치해서는 안 된다는 제약 조건을 설정한다. k1= 0.35는 투영 광학계의 개구수(NA)가 1.35이고, 노광 파장이 193.368nm인 경우에 100nm에 대응한다는 점에 주목한다.
단계 S105에서는, 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 이때, 단계 S103에서 그룹화된 타깃 패턴 요소 및 그룹화되지 않은 타깃 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소를 분할 노드로서 이용하여 단계 S104에서 설정한 제약 조건을 충족시키도록 한다. 바꾸어 말하면, 단계 S105에서, 단계 S103에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크에 배치되도록 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다.
이하, 단계 S101 내지 단계 S105의 공정을 상세하게 설명한다. 도 2는 기판 상에 형성할 타깃 패턴의 일례를 도시하는 도면이다. 타깃 패턴은, 도 2에 도시한 바와 같이, 1차원 레이아웃에 사용되며 기판 상에 형성된 라인 패턴을 커팅하는 커트 패턴으로서의 타깃 패턴 요소(201, 202, 203 및 204)를 포함한다. 기판 상에 설정되는 그리드는 X 방향의 피치를 23nm, Y 방향의 피치를 14.5nm로 한다. 예를 들면, 크리티컬 피치(예를 들면, k1: 0.35, 투영 광학계의 개구수(NA): 1.35, 노광 파장: 193.368nm인 경우에 100nm) 이내에 존재하는 타깃 패턴 요소는 해상 한계에 의해 동일한 마스크에 배치할 수 없다고 상정한다.
이와 같은 경우, 컨플릭트 그래프는 도 3에 도시한 것과 같은 노드 및 에지에 의해 나타낸다. 참조 부호 301, 302, 303 및 304는 각각 타깃 패턴 요소(201, 202, 203 및 204)에 대응하는 컨플릭트 그래프의 노드를 나타내고, 311, 312, 313, 314, 315 및 316은 컨플릭트 그래프의 에지를 나타낸다. 노드 301 내지 304는 크리티컬 피치 내에 존재하고, 따라서, 에지 311 내지 316에 의해 연결된다.
도 3을 참조하면, 각각의 에지 311 내지 316의 양단의 노드는 서로 다른 마스크 번호를 가질 필요가 있다(즉, 상이한 마스크에 배치할 필요가 있다.). 따라서, 종래 기술에서는, 도 2에 도시된 타깃 패턴 요소(201 내지 204)에 대응하는 마스크 패턴 요소를 서로 다른 마스크에 배치할 필요가 있고, 도 4에 도시한 바와 같이, 마스크의 수(분할의 수)는 4이다. 도 4를 참조하면, 참조 부호 401은 제1 마스크에 의해 전사되는 타깃 패턴 요소(타깃 패턴 요소(201))를 나타내고, 402는 제2 마스크에 의해 전사되는 타깃 패턴 요소(타깃 패턴 요소(202))를 나타낸다. 마찬가지로, 참조 부호 403은 제3 마스크에 의해 전사되는 타깃 패턴 요소(타깃 패턴 요소(203))를 나타내고, 404는 제4 마스크에 의해 전사되는 타깃 패턴 요소(타깃 패턴 요소(204))를 나타낸다.
단, 상술한 것과 같이, 디바이스 회로는 도 5에 도시한 바와 같이, 패턴 요소 해상의 여부와 관계없이 디바이스 특성에 영향을 미치지 않는 영역, 즉, 마스크 패턴 요소가 전사되는 것을 허용하는 허용점(그리드 상의 점)(501)을 포함한다. 허용점(501)은 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 아니지만, 마스크 패턴 요소가 전사되는 것을 허용하는 그리드 상의 점으로서, 예를 들면 gds 데이터에 마킹되어 그 위치를 항상 파악할 수 있다. 예를 들면, 디바이스 회로의 단위 소자를 나타내는 스탠더드 셀의 층에 각각의 허용점(501)을 나타내는 데이터를 추가함으로써, 칩 레벨의 마킹 층을 용이하게 형성할 수 있다. 이렇게 하여, 단계 S102에서 디바이스 상의 비활성 영역이 특정되고, 비활성 영역을 특정하는 데이터가 생성된다. 그리드 상에 타깃 패턴 요소의 점 및 허용점 이외의 점에 패턴 전사가 금지되는 활성 영역(금지점)을 설정할 수도 있다.
단계 S103에서는, 비활성 영역을 개재하여 분리되어 있는 그리드 상의 인접하는 타깃 패턴 요소, 즉, 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소를 1개의 패턴 요소로 그룹화한다. 도 5를 참조하면, 예를 들면, 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)는 그 사이의 공간이 허용점(501)으로 채워졌기 때문에 1개의 타깃 패턴 요소로 그룹화된다. 타깃 패턴 요소(202 및 204) 사이의 공간은 허용점으로 채워지지 않는다. 따라서, 타깃 패턴 요소(201 내지 204)는 그룹화된 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)와, 그룹화되지 않은 타깃 패턴 요소(204)로 나누어진다. 이에 의해, 컨플릭트 그래프는 도 6에 도시된 바와 같은 노드와 에지에 의해 나타난다. 도 6을 참조하면, 타깃 패턴 요소를 나타내는 노드는 그룹화된 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)에 대응하는 1개의 노드(601)와, 그룹화되지 않은 타깃 패턴 요소(204)에 대응하는 노드(602)로 집약된다. 또한, 에지(611)만이 제약 조건을 나타낸다. 타깃 패턴 요소 사이에 금지점이 존재하지 않는 타깃 패턴 요소 그룹을 1개의 그룹으로 정의할 수도 있다(즉, 1 개의 패턴 요소로 그룹화할 수도 있다는 점에 주목한다). 보다 구체적으로는, 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)는 그들 사이에 금지점이 없으므로 1개의 그룹으로 된다. 타깃 패턴 요소(202 및 204)는 그들 사이에 금지점이 있으므로 서로 다른 그룹들로 된다.
단계 S105에서는, 그룹화된 타깃 패턴 요소 및 그룹화되지 않은 타깃 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소를 노드로서 정의한다. 제약 조건을 충족시키도록 타깃 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소를 복수의 마스크로 분할(분배)하여, 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다.
타깃 패턴 요소를 복수의 마스크로 분할하는 때에, 예를 들면, 정수 계획법을 이용할 수 있다. 마스크의 수를 최소화하는 것을 목적으로 하는 정수 계획법 프로그램의 일례를 이하의 수식에 의해 나타낸다.
(1) 변수의 설명
j: 마스크 번호 1≤j≤m ...(1)
m: 최대 마스크 번호 ...(2)
yj: 마스크 번호 j를 사용할지 여부를 나타내는 2진 변수로서, 마스크 번호 j를 사용할 경우에는 1, 사용하지 않을 경우에는 0 ...(3)
i: 패턴 요소의 번호 ...(4)
xij: 패턴 요소 번호 i에서 마스크 번호 j를 사용할지 여부를 나타내는 이진 변수, 마스크 번호 j를 사용할 경우에는 1, 사용하지 않을 경우에는 0 ...(5)
(2) 수식의 설명
마스크의 수(분할수)를 정의하는 함수를 포함하는 코스트 함수(목적 함수)는 아래와 같이 주어진다. 마스크의 패턴의 데이터는 코스트 함수의 값이 기준값을 충족시키도록 정수 계획법을 이용하여 생성한다.
Figure pat00001
...(6)
수식 (6)은 다중 노광에 사용하는 마스크 번호의 수(마스크의 분할수)를 최소화할 필요가 있다는 것을 의미한다.
Figure pat00002
...(7)
수식 (7)의 값은 마스크 번호의 수와 동일하다. 따라서, 예를 들면, 마스크 번호의 수가 2로부터 3으로 증가하면, 수식 (7)의 값도 2로부터 3으로 증가한다. 여기에서 나타내는 마스크 번호의 수는 타깃 패턴 요소를 분할(분배)하여 얻어지고 다중 노광에서 사용되는 마스크의 수에 대응한다. 따라서, 마스크 비용의 관점으로부터 마스크 번호의 수를 가능한 한 적게 하는 것이 중요하다.
제약 조건은 아래와 같이 주어진다.
Figure pat00003
...(8)
Figure pat00004
...(9)
Figure pat00005
...(10)
Figure pat00006
...(11)
경계 조건은 아래와 같이 주어진다.
Figure pat00007
...(12)
수식 (8)은 마스크 번호를 작은 순으로 사용할 필요가 있다는 것을 나타내는 제약 조건이다. 이러한 제약 조건은 y1=0일 때에 y2=1을 방지하는데, 즉, 1번째 마스크 번호를 사용하지 않는 때에 2번째 마스크 번호를 사용하는 것을 방지한다.
수식 (9)는 i번째 패턴 요소 Xi에는 단지 1개의 마스크 번호만을 설정할 필요가 있다는 것을 의미한다. 수식 (9)는 i번째 패턴 요소에 1번째 마스크 번호와 2번째 마스크 번호 모두를 설정하는 것을 방지하는 제약 조건이다.
수식 (10)은 사용하지 않는 마스크 번호를 패턴 요소의 마스크 번호로서 설정하지 않는다는 것을 나타내는 제약 조건이다. 수식 (10)은 j번째 마스크 번호를 사용하지 않는 경우에(yi=0), i번째 패턴 요소로 j번째 마스크 번호가 사용되는 것(xjj=1)을 방지하는 제약 조건이다.
수식 (11)은 i번째 패턴 요소와 i'번째 패턴 요소가 동일한 마스크 번호를 가져서는 안 된다는 것을 나타내는 제약 조건이다. 따라서, 이러한 제약 조건은 모든 패턴 요소에 대해 설정되는 것이 아니라, 제약 영역 내에 존재하는 패턴 요소에 대해 설정된다. 본 실시 형태에서는, 이것은 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)에 대응하는 1개의 노드(601)와 타깃 패턴 요소(204)에 대응하는 노드(602)를 결정하는 것에 대응한다. 이러한 제약 조건은, 예를 들면, 크리티컬 피치(k1: 0.35, 투영 광학계의 개구수(NA): 1.35, 노광 파장: 193.368nm일 때에 100nm) 내에 존재하는 패턴 요소가 동일한 마스크에 배치되는 것을 방지한다.
경계 조건으로서, 수식 (12)에 나타난 바와 같이, 1번째 마스크 번호를 사용할 필요가 있다는 조건을 설정한다.
상술한 수식을 정수 계획법 실행 소프트웨어에 입력해서 계산함으로써, 다중 노광에 사용하는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다.
본 실시 형태에서는, 크리티컬 피치 내에 존재하는 타깃 패턴 요소는 동일한 마스크에 배치할 수 없다는 제약 조건을 이용한다. 따라서, 타깃 패턴 요소(201 내지 204)는 도 7에 도시한 바와 같이 2개의 그룹, 즉, 타깃 패턴 요소(201 내지 203)을 포함하는 그룹(701)과 타깃 패턴 요소(204)를 포함하는 그룹(702)으로 분할된다.
도 8은 동일한 마스크에 배치된 타깃 패턴 요소(201 내지 203)에 대응하는 마스크 패턴 요소의 리소그래피 시뮬레이션의 결과를 나타내는 도면이다. 도 8을 참조하면, 광학상(804)은 타깃 패턴 요소(201 내지 203)의 사이에서도 해상하고 있다. 그러나, 이 위치는 디바이스 상의 비활성 영역에 대응하기 때문에 문제없다.
전술한 바와 같이, 본 실시 형태의 생성 방법에 따르면, 다중 노광에서 사용되는 마스크의 수를 적게 하면서, 그 마스크의 패턴의 데이터를 생성할 수 있다. 본 실시 형태의 생성 방법에 의해 생성된 마스크의 패턴의 데이터는 마스크 묘화 장치에 입력된다. 마스크 묘화 장치는 입력된 데이터에 기초하여 다중 노광에 사용되는 복수의 마스크를 제조한다. 마스크 묘화 장치에 의해 제조된 각각의 마스크는 노광 장치의 마스크 스테이지에 배치되고, 조명 광학계에 의해 조명되어서 기판 상에 마스크의 패턴의 상을 형성한다. 마스크 묘화 장치에 의해 제조된 마스크 중 1개의 마스크를 이용해서 기판을 노광한 후, 다른 마스크를 이용해서 기판 상의 동일한 층을 노광함으로써(즉, 다중 노광함으로써), 기판 상의 1개의 층에 패턴을 형성한다.
<제2 실시 형태>
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 이 생성 방법은 컴퓨터 등의 정보 처리 장치(의 처리 유닛)에 의해 실행되어, 기판을 노광하는 노광 장치에 의해 행하여지는 다중 노광에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 단계 S901 및 S902는 도 1에 도시된 단계 S101 및 S102와 마찬가지이므로 그의 상세한 설명은 여기서 생략한다.
단계 S903에서는, 단계 S902에서 특정한 비활성 영역에 기초하여 더미 패턴 요소를 삽입한다. 예를 들면, 그리드 상에서 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소 사이에 더미 패턴 요소를 삽입한다. 이때, 타깃 패턴 요소가 연결되도록, 그리드 상에서 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소 사이에 더미 패턴 요소를 삽입할 수도 있다. 더미 패턴 요소는 기판에 전사되는 패턴 요소이거나, 기판에 전사되지 않는 패턴 요소일 수 있다.
단계 S904에서는, 단계 S903에서 삽입한 더미 패턴 요소를 포함하는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화한다. 바꾸어 말하면, 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소 및 더미 패턴 요소를 그룹화한다.
단계 S905에서는, 도 1의 단계 S104와 마찬가지로, 동일한 마스크에 배치할 수 없는 마스크 패턴 요소를 나타내는 제약 조건을 설정한다.
단계 S906에서는, 도 1의 단계 S105와 마찬가지로, 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 이때, 단계 S904에서 그룹화된 타깃 패턴 요소 및 그룹화되지 않은 타깃 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소를 분할 노드로서 이용하여 단계 S905에서 설정한 제약 조건을 충족시키도록 한다. 바꾸어 말하면, 단계 S906에서, 단계 S904에서 그룹화된 타깃 패턴 요소와 더미 패턴 요소에 대응하는 마스크 패턴 요소가 동일한 마스크에 배치되도록 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다.
이하, 단계 S901 내지 S906의 공정을 상세하게 설명한다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 상에 형성되는 타깃 패턴은 도 2에 도시된 타깃 패턴이라고 상정한다. 따라서, 도 5에 도시한 바와 같이, 그리드 상의 허용점(501)은 디바이스 상의 비활성 영역으로서 특정된다.
단계 S903에서, 그리드 상에서 사이의 공간이 허용점(501)으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소 사이에 더미 패턴을 삽입한다. 예를 들면, 도 10에 도시한 바와 같이, 타깃 패턴 요소(201)와 타깃 패턴 요소(202) 사이와, 타깃 패턴 요소(202)와 타깃 패턴 요소(203) 사이에 더미 패턴 요소(1001 및 1002)를 각각 삽입한다. 본 실시 형태에서는, 고립된 타깃 패턴 요소(201 내지 203)를 연결하도록 더미 패턴 요소(1001 및 1002)를 삽입한다.
단계 S904에서는, 예를 들면, 타깃 패턴 요소(201), 더미 패턴 요소(1001), 타깃 패턴 요소(202), 더미 패턴 요소(1002) 및 타깃 패턴 요소(203)는 인접하기(연결되었기) 때문에, 이들은 1개의 패턴 요소로 그룹화된다. 이에 의해, 타깃 패턴 요소(201 내지 204) 및 더미 패턴 요소(1001 및 1002)는 도 11에 도시한 바와 같이 2개의 그룹, 즉 그룹(1101 및 1102)으로 분할된다. 그룹(1101)은 타깃 패턴 요소(201), 더미 패턴 요소(1001), 타깃 패턴 요소(202), 더미 패턴 요소(1002) 및 타깃 패턴 요소(203)를 포함한다. 그룹(1102)은 타깃 패턴 요소(204)를 포함한다.
단계 S905 및 S906에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제약 조건을 설정하고, 제약 조건을 충족시키도록 타깃 패턴 요소 및 더미 패턴 요소를 복수의 마스크로 분할(분배)하고, 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 이때, 도 11에 도시한 것과 같이 그룹화된 타깃 패턴 요소 및 더미 패턴 요소로부터 얻어지는 컨플릭트 그래프는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 도 6에 도시된 것과 같은 노드 및 에지에 의해서 나타난다. 노드(601)는 타깃 패턴 요소(201), 더미 패턴 요소(1001), 타깃 패턴 요소(202), 더미 패턴 요소(1002) 및 타깃 패턴 요소(203)에 대응하고, 노드(602)는 타깃 패턴 요소(204)에 대응한다.
마스크의 수(분할수)는 도 12에 도시한 바와 같이 2이다. 도 12를 참조하면, 참조 부호 1201은 제1 마스크에 의해 전사되는 패턴 요소(타깃 패턴 요소(201), 더미 패턴 요소(1001), 타깃 패턴 요소(202), 더미 패턴 요소(1002) 및 타깃 패턴 요소(203))를 나타내고, 1202는 제2 마스크에 의해 전사되는 패턴 요소(타깃 패턴 요소(204))를 나타낸다.
전술한 바와 같이, 본 실시 형태의 생성 방법에 따르면, 다중 노광에서 사용되는 마스크의 수를 감소시키면서 그 마스크의 패턴의 데이터를 생성할 수 있다. 또한, 더미 패턴 요소를 삽입하면 노광 마진이 증가한다.
도 13은 더미 패턴 요소의 삽입에 의한 노광 마진의 증가를 설명하기 위한 도면이다. 노광 조건으로서, 투영 광학계의 NA를 1.35, 노광 파장을 193.368nm로 설정하고, 조명 조건으로서, 외 시그마(outer sigma)가 0.95, 윤대비(annular ratio)가 0.75, 개구각이 30°인 크로스 폴(탄젠셜 편광)을 설정하여 시뮬레이션을 행하였다. 도 13을 참조하면, 타깃 패턴 요소의 그룹화만을 행한 경우(제1 실시 형태), 평가점(1301)에서 NILS(Normalized Image Logarithmic Slope, 규격화 이미지 대수 경사)가 약 0.4, DOF(Depth Of Focus, 초점 심도)가 0nm이다. 한편, 더미 패턴 요소를 삽입해서 타깃 패턴 요소들을 그룹화한 경우(제2 실시 형태), 평가점(1302)에서 NILS가 약 0.7, DOF가 약 65nm이다. 노광 마진이 증가하는 것을 알 수 있다.
<제3 실시 형태>
도 14는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 생성 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 이 생성 방법은 컴퓨터 등의 정보 처리 장치(의 처리 유닛)에 의해 실행되어 기판을 노광하는 노광 장치에 의해 행하여지는 다중 노광에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성한다. 단계 S1401, S1402, S1405 및 S1406은 도 1에 도시된 단계 S101, S102, S104 및 S105와 동일하기 때문에 그의 상세한 설명은 여기에서는 생략한다.
단계 S1403에서는, 단계 S1402에서 특정한 비활성 영역에 기초하여 타깃 패턴 요소를 확장한다. 예를 들면, 그리드 상에서 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소를 허용점을 향해서 확장시킨다. 본 실시 형태에서는, 도 15에 도시한 바와 같이, 타깃 패턴 요소(201, 202 및 203)에 대하여 확장부(1501)를 설정하고, 이들을 확장시킨다.
단계 S1404에서는, 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소, 즉, 단계 S1403에서 확장된 타깃 패턴 요소들 및 단계 S1403에서 확장되지 않은 타깃 패턴 요소들을 그룹화한다.
제2 실시 형태에서는 그리드 상에서 사이의 공간이 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소 사이에 더미 패턴 요소를 삽입하고, 그 더미 패턴 요소를 포함하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화한다. 단, 본 실시 형태와 같이, 더미 패턴 요소를 삽입하지 않고 타깃 패턴 요소를 확장시키는 경우에도, 마스크의 수(분할수)를 감소시키면서 노광 마진을 증가시킬 수 있다. 전술한 바와 같이, 타깃 패턴 요소를 디바이스 상의 비활성 영역으로 확장시키고, 비활성 영역을 사이에 둔 타깃 패턴 요소를 1개의 패턴 요소로 그룹화하면, 더미 패턴 요소를 삽입했을 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 타깃 패턴 요소의 확장부가 중첩할 때까지 타깃 패턴 요소를 확장하면, 레이아웃의 면에서 더미 패턴 요소를 삽입한 경우와 정확하게 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 실시 형태에서는 기판 상에 그리드를 설정한다. 그러나, 마스크 패턴 상에 그리드를 정의하여도 된다.
본 발명의 양태는 전술한 실시 형태의 기능을 수행하기 위해서 메모리 소자에 기록된 프로그램을 판독해서 실행하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터(또는 CPU 또는 MPU 등의 소자)에 의해서, 그리고, 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 예를 들면 전술한 실시 형태의 기능을 수행하기 위해서 메모리 소자에 기록된 프로그램을 판독해서 실행함으로써 단계가 수행되는 방법에 의해서 구현될 수 있다. 이를 위하여, 프로그램이, 예를 들면 네트워크를 통해서, 또는 메모리 소자로서의 역할을 하는 다양한 형태의 기록 매체(예를 들면, 컴퓨터 판독가능 기록 매체)로부터 컴퓨터에 제공된다.
본 발명을 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 특허청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석과 일치하여야 한다.

Claims (13)

  1. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법으로서,
    상기 방법은, 컴퓨터에 의해서 실행되는,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 포함하는, 생성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 단계에서는, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 상기 인접하는 타깃 패턴 요소들 사이에 더미 패턴 요소가 삽입되고, 상기 더미 패턴 요소와, 사이의 공간이 허용점으로 채워진 상기 인접하는 타깃 패턴 요소들이 그룹화되고,
    상기 제3 단계에서는, 상기 제2 단계에서 그룹화된 상기 더미 패턴 요소와 상기 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는, 생성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 상기 인접하는 타깃 패턴 요소들을 연결하도록 상기 더미 패턴 요소가 삽입되는, 생성 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 더미 패턴 요소는 상기 기판에 전사되는 패턴 요소인, 생성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 단계에서는, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 상기 인접하는 타깃 패턴 요소들이 상기 허용점을 향해서 확장되고, 확장된 상기 타깃 패턴 요소들이 그룹화되며,
    상기 제3 단계에서는, 상기 제2 단계에서 그룹화된 확장된 상기 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터가 생성되는, 생성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 타깃 패턴이 형성되는 기판 상에는 라인 패턴이 형성되고,
    상기 타깃 패턴은 상기 라인 패턴을 커팅하는 커트 패턴인, 생성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제3 단계에서는, 상기 복수의 마스크의 수를 규정하는 함수를 포함하는 코스트 함수가 정의되고, 정수 계획법을 이용하여, 상기 코스트 함수의 값이 기준값을 충족시키도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터가 생성되는, 생성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 허용점은 패턴이 전사되어도 상기 타깃 패턴에 의해 실행되는 기능에 영향을 주지 않는 점인, 생성 방법.
  9. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
    상기 프로그램은, 상기 컴퓨터에,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 상기 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 실행시키는, 기억 매체.
  10. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 정보 처리 장치로서,
    상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 허용하는 허용점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 허용점으로 채워진 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 실행하는, 정보 처리 장치.
  11. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법으로서,
    상기 방법은, 컴퓨터에 의해서 실행되는,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 금지하는 금지점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 금지점을 포함하지 않는 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 포함하는, 생성 방법.
  12. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 생성 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
    상기 프로그램은, 상기 컴퓨터에,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 금지하는 금지점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 금지점을 포함하지 않는 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 실행시키는, 기억 매체.
  13. 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 정보 처리 장치로서,
    상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴 요소를 교차점으로서 가지는 그리드 상의 복수의 점으로부터, 상기 기판 상에 형성되는 타깃 패턴을 구성하는 타깃 패턴 요소들의 점들 이외의 점들에 패턴이 전사되는 것을 금지하는 금지점을 특정하는 제1 단계와,
    인접하는 타깃 패턴 요소까지의 거리가 상기 노광 장치의 해상 한계보다 짧은 타깃 패턴 요소를 포함하는 패턴 요소 그룹에 대해서, 상기 그리드 상에서 사이의 공간이 상기 금지점을 포함하지 않는 인접하는 타깃 패턴 요소들을 그룹화하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 그룹화된 타깃 패턴 요소들에 대응하는 마스크 패턴 요소들이 동일한 마스크 내에 배치되도록 상기 복수의 마스크의 패턴의 데이터를 생성하는 제3 단계를 실행하는, 정보 처리 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6712527B2 (ja) * 2016-09-30 2020-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー プロキシミティ露光方法
US10318698B2 (en) * 2016-12-14 2019-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for assigning color pattern
CN114638189A (zh) * 2022-03-16 2022-06-17 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 一种解决掩模版着色边界冲突的方法、装置和计算机设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7018753B2 (en) * 2003-05-05 2006-03-28 Lsi Logic Corporation Variable mask field exposure
JP4585197B2 (ja) * 2003-12-22 2010-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レイアウト設計方法およびフォトマスク
JP4229829B2 (ja) * 2003-12-26 2009-02-25 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ホールパターン設計方法、およびフォトマスク
US7310797B2 (en) 2005-05-13 2007-12-18 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for printing lithographic images with multiple exposures
US7745067B2 (en) * 2005-07-28 2010-06-29 Texas Instruments Incorporated Method for performing place-and-route of contacts and vias in technologies with forbidden pitch requirements
JP2007258366A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Toshiba Corp パターン処理方法
JP2010525431A (ja) * 2007-04-19 2010-07-22 ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド 自動画像認識用のシステム、方法、および装置
JP4779003B2 (ja) * 2007-11-13 2011-09-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． フルチップ設計のパターン分解を行うための方法
JP5100625B2 (ja) * 2008-12-11 2012-12-19 株式会社東芝 パターンレイアウト設計方法
US8402396B2 (en) 2009-09-29 2013-03-19 The Regents Of The University Of California Layout decomposition for double patterning lithography
US8448120B2 (en) * 2011-05-09 2013-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RC extraction for single patterning spacer technique

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